TW201901870A - 具有具幾何屬性之通孔的製品及製造其之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示併入有玻璃基基板之製品及半導體封裝，以及其形成方法。一種製品包括玻璃基基板，該玻璃基基板包含間隔一距離且平行於彼此之第一主表面及第二主表面，以及延伸穿過該基板之錐形通孔。該錐形通孔包括：剖面，該剖面圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之一平面對稱；以及內壁，該內壁具有定位於該第一主表面與該平面之間的第一錐形區及第二錐形區。該第一錐形區及該第二錐形區之各別斜率係恆定的，且該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率。

Description

具有具幾何屬性之通孔的製品及製造其之方法
本揭示內容大體係關於其中蝕刻有通孔之製品。特定而言，本揭示內容係針對具有具特定幾何結構之製品，以及用於製造此類製品之雷射及蝕刻製程。
諸如矽之基板已用作安置於電組件(例如，印刷電路板、積體電路等)之間的插入體。金屬化穿基板通孔為電訊號提供穿過插入體以在插入體的相對側之間流通的路徑。玻璃係高度有利於電訊號傳輸之基板材料，此係因玻璃具有尺寸穩定性、可調節熱膨脹係數(「coefficient of thermal expansion; CTE」)、高頻率下低電損耗之極佳電效能、高熱穩定性，以及在厚度及大面板大小下形成之能力。然而，穿玻璃通孔(「through-glass via; TGV」)形成及金屬化在玻璃插入體市場開發上存在挑戰。
通孔幾何屬性在完全金屬化玻璃基基板內之通孔的能力上起作用。舉例而言，在濺鍍金屬化製程期間，通孔之側壁之錐體的角度可增加通孔側壁相對於經濺鍍材料之視場，此又會阻止氣泡囊封玻璃表面及阻止氣泡朝向通孔之中心線囊封。此等氣泡在高溫重佈層(「redistribution layer; RDL」)操作期間引發處理問題，且可能會降低基板之可靠性。
因此，需要具有特定通孔幾何結構之基板，以及形成其之方法。
根據一個實施例，一種製品包括玻璃基基板，其具有第一主表面、與該第一主表面間隔一距離之第二主表面，以及自該第一主表面朝向該第二主表面延伸穿過該基板之錐形穿通孔。該錐形穿通孔包括：剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之平面對稱；及內壁，其具有定位於該第一主表面與該平面之間的第一錐形區及第二錐形區。該第一錐形區之斜率係恆定的且該第二錐形區之斜率係恆定的。該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率。
在另一實施例中，一種製品包括玻璃基基板，其具有第一主表面、與該第一主表面間隔一距離之第二主表面，以及自該第一主表面朝向該第二主表面延伸穿過該基板之錐形通孔。該錐形通孔包括：剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之平面不對稱；及內壁，其具有定位於該第一主表面與該平面之間的第一錐形區及第二錐形區。該第一錐形區之斜率係恆定的且該第二錐形區之斜率係恆定的。該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率。
在另一實施例中，一種半導體封裝包括玻璃基基板，其具有第一主表面、與該第一主表面間隔一距離之第二主表面，以及自該第一主表面朝向該第二主表面延伸穿過該基板之錐形通孔。該錐形穿通孔包括：剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之平面對稱；及內壁，其具有定位於該第一主表面與該平面之間的第一錐形區及第二錐形區。該第一錐形區之斜率係恆定的且該第二錐形區之斜率係恆定的。該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率。該半導體封裝進一步包括：導電材料，其安置於錐形通孔內；及半導體裝置，其電耦接至安置於錐形通孔內之導電材料。
在另一實施例中，一種半導體封裝包括玻璃基基板，其具有第一主表面、與該第一主表面間隔一距離之第二主表面，以及自該第一主表面朝向該第二主表面延伸穿過該基板之錐形通孔。該錐形通孔包括：剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之平面不對稱；及內壁，其具有定位於該第一主表面與該平面之間的第一錐形區及第二錐形區。該第一錐形區之斜率係恆定的且該第二錐形區之斜率係恆定的。該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率。該半導體封裝進一步包括：導電材料，其安置於錐形通孔內；及半導體裝置，其電耦接至安置於錐形通孔內之導電材料。
在另一實施例中，一種形成包含至少一個通孔之玻璃基基板之方法包括以下步驟：用第一蝕刻劑以第一蝕刻速率蝕刻具有至少一個破壞跡線之玻璃基製品；及用第二蝕刻劑以第二蝕刻速率蝕刻該玻璃基製品以形成包含至少一個通孔之玻璃基基板。第二蝕刻劑浴液包含不同於第一蝕刻劑浴液中之蝕刻劑濃度之蝕刻劑濃度。該至少一個通孔包括具有第一恆定斜率之第一錐形區及具有第二恆定斜率之第二錐形區，該第一恆定斜率與該第二恆定斜率不相等。
在另一實施例中，一種形成具有至少一個穿通孔之玻璃基基板之方法包括以下步驟：用蝕刻劑蝕刻玻璃基製品；及調整蝕刻劑之溫度、濃度及攪拌程度中之至少一者，以形成具有至少一個穿通孔之玻璃基基板，使得該至少一個穿通孔具有連續變化之側壁錐體以及圍繞玻璃基基板之中心的對稱輪廓。
在另一實施例中，一種形成具有至少一個盲孔之玻璃基基板之方法包括以下步驟：用蝕刻劑浴液蝕刻玻璃基製品；及調整蝕刻劑浴液之溫度、濃度及攪拌程度中之至少一者，以形成具有至少一個盲孔之玻璃基基板，使得該至少一個盲孔包括連續變化之側壁錐體。
將在以下詳細描述中闡述用於形成玻璃基結構（諸如插入體及插入體總成）之方法的額外特徵及優點，且部分地，熟習此項技術者自彼描述顯而易見地得出，或藉由實踐本文中描述之實施例，包括以下詳細描述、申請專利範圍以及隨附圖式，認識到該等額外特徵及優點。
應理解，前述一般描述及以下詳細描述用以描述各種實施例且意欲提供用於理解所主張之標的物之性質及特性之概述或框架。包括隨附圖式以提供對各種實施例之進一步理解，且隨附圖式併入至此說明書中並組成此說明書之部分。圖式說明本文中描述之各種實施例，且與描述一起用來解釋所主張之標的物之原則及操作。
大體參考諸圖，本揭示內容之實施例大體係關於具有允許包括但不限於通孔金屬化及重佈層(redistribution layer; RDL)塗覆之成功下游處理之通孔(例如，孔洞)及表面屬性的製品。該製品可供在以下各項中使用：半導體裝置、射頻(radio-frequency; RF)裝置(例如，天線、開關等)、插入體裝置、微電子裝置、光電子裝置、微電子機械系統(microelectronic mechanical system; MEMS)裝置及其中可利用通孔之其他應用。
更特定而言，本文中描述之實施例係針對具有藉由雷射破壞及蝕刻製程形成之通孔的玻璃基製品，該等製品包括特定內壁幾何結構，諸如具有複數個區域之內壁，該等區域各自具有區別性斜率。最終，可用導電材料塗佈或填充通孔。具有特定內壁幾何結構之通孔可增加下游處理諸如金屬化製程之可靠性。舉例而言，內壁之特定幾何結構可在金屬化製程期間阻止氣泡囊封側壁之表面。
本揭示內容之實施例進一步係針對產生具有具所要幾何結構之通孔之玻璃基製品的雷射形成及蝕刻製程。諸如玻璃製品之具有本文中描述之所要通孔幾何結構之製品可實施為半導體裝置中之插入體，諸如RF天線。
下文詳細地描述在基板中形成通孔之製品、半導體封裝及方法的多個實施例。
術語「插入體」大體上係指如下之任何結構：延伸或結束在例如但不限於安置於插入體之相對表面上之兩個或更多個電子裝置之間穿過該結構之電連接。該兩個或更多個電子裝置可共同位於單個結構中，或可定位成在不同結構中鄰近於彼此以使得插入體充當互連結等等之部分。因而，插入體可含有其中存在及形成穿玻璃通孔及其他互連導線(例如電源導線、接地導線及訊號導線)之一或多個主動區域(active area)。插入體亦可包括其中存在及形成盲孔的一或多個主動區域。當插入體形成有其他組件諸如晶粒、底部填充材料、囊封劑等時，插入體可稱為插入體總成。同時，術語「插入體」可進一步包括複數個插入體，諸如插入體陣列等。
第1圖描繪大體指定為10之半導體封裝之說明性實例，該半導體封裝包括製品15、導電材料20及半導體裝置25。半導體封裝10之多個組件可經配置為使得導電材料20安置於製品15之至少一部分上，例如安置於製品15之基板之通孔內，如本文中更詳細地描述。半導體裝置25可經耦接以使得半導體裝置25與導電材料20電接觸。在一些實施例中，半導體裝置25可直接接觸導電材料20。在其他實施例中，半導體裝置25可諸如經由凸塊30等間接接觸導電材料20。
第2A圖示意性地說明具有安置於其中之複數個通孔120之例示性基板100的透視圖。第2B圖示意性地描繪第2A圖中描繪之例示性製品之俯視圖。儘管第2A圖及第2B圖描繪經組態為晶圓之基板100，但應理解，製品可呈任何形狀，諸如但不限於面板。基板100可為大體平面的且可具有第一主表面110及定位成與第一主表面110相對且共平面之第二主表面112。
本文中描述之製品由能夠允許具有可見光譜內之波長之輻射通過其中之光透射材料製造。舉例而言，基板100可透射在自約390 nm至約700 nm之範圍內之至少一個波長的至少約70%、至少約75%、至少約80%、至少約85%或至少約90%。基板100可為玻璃基基板。玻璃基基板材料係部分地或全部由玻璃製成之材料，且包括但不限於玻璃(包括熔融矽石)，以及玻璃陶瓷。在一些實施例中，基板100可為玻璃，且玻璃可包括熔融矽石、含鹼玻璃，或無鹼玻璃(例如，無鹼鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃)。在一些實施例中，基板100可為玻璃層、玻璃陶瓷層或玻璃層與玻璃陶瓷層之組合的層合物。在一些實施例中，基板100由可諸如藉由離子交換處理化學強化之玻璃或玻璃陶瓷(例如，「經化學強化玻璃」或「經化學強化玻璃陶瓷」)形成。舉例而言，基板100可由鈉鈣玻璃配合料組合物、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃配合料組合物或其他可在形成之後藉由離子交換強化之玻璃配合料組合物形成。在一個特定實例中，基板100可由康寧公司(Corning Incorporated)生產的Gorilla®玻璃形成。
在一些實施例中，基板100可具有低熱膨脹係數(例如，小於或等於約4 ppm/℃)，且在其他實施例中，基板100可具有高熱膨脹係數(例如，大於約4 ppm/℃)。
如上所述，基板100可實施為電子裝置中之插入體，以使電訊號例如但不限於在耦接至第一主表面110之一或多個電子組件與耦接至基板100之第二主表面112之一或多個電子組件之間通過基板100。基板100之通孔120填充有導電材料，以提供電訊號可通過之導電通孔。舉例而言，通孔120可為穿玻璃通孔或盲孔。如本文中所使用，穿玻璃通孔自第一主表面110至第二主表面112延伸穿過基板100之厚度T。如本文中所使用，盲孔僅部分地延伸穿過基板100之厚度T，並非自第一主表面110或第二主表面112中之一者一直延伸至第一主表面110或第二主表面112中之另一者。其他特徵可形成於基板100之第一主表面110或第二主表面112內，該等特徵諸如但不限於可金屬化以提供一或多個電跡線圖案之通道。亦可提供其他特徵。
基板100可例如取決於最終應用而具有任何大小及/或形狀。作為實例而非限制，基板100之厚度T可在約25微米至約3000微米之範圍內，包括約25微米、約50微米、約75微米、約100微米、約200微米、約300微米、約400微米、約500微米、約600微米、約700微米、約800微米、約900微米、約1000微米、約2000微米、約3000微米，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。
基板100之通孔120可具有例如約10微米至約250微米之開口直徑D，包括約15微米或更小，約20微米或更小，約25微米或更小，約30微米或更小，35微米或更小，約40微米或更小，約50微米或更小，約60微米或更小，約70微米或更小，約80微米或更小，約90微米或更小，約100微米或更小，約110微米或更小，約120微米或更小，約130微米或更小，約140微米或更小，約150微米或更小，約160微米或更小，約170微米或更小，約180微米或更小，約190微米或更小，約200微米或更小，約210微米或更小，約220微米或更小，約230微米或更小，約240微米或更小，約250微米或更小，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。如本文中所使用，開口直徑D係指基板100之第一主表面110處或第二主表面112處之通孔120之開口的直徑。通孔120之開口大體在標記實質上水平主表面110、112與通孔120之壁之斜表面之間的轉變的位置處。可藉由得到如光學顯微鏡成像之通孔120之入口之邊緣的最小二乘方最佳擬合圓之直徑，判定通孔120之開口直徑D。
類似地，基板100之通孔120可具有約5微米至約150微米之開口半徑R。如本文中所使用，開口半徑R係指自基板100之第一主表面110處或第二主表面112處之通孔120之開口的中點C之半徑。
通孔120之間距Z係鄰近通孔120之間的中心至中心間隔，其可根據所要應用而為任何尺寸，諸如但不限於約10微米至約2000微米，包括約10微米、約50微米、約100微米、約250微米、約1000微米、約2000微米，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在一些實施例中，間距Z可在同一基板100上之通孔120之間變化(亦即，第一通孔與第二通孔之間的間距Z可不同於第一通孔與第三通孔之間的間距Z)。在一些實施例中，間距Z可為一範圍，諸如約10微米至約100微米，約25微米至約500微米，約10微米至約1000微米，或約250微米至約2000微米。
如本文中所定義，藉由計算在第一主表面110或第二主表面112上歸因於形成通孔120之任何凹陷區的外側所取之三個厚度量測值的平均值，判定基板100的平均厚度T。如本文中所定義，藉由干涉儀取得該等厚度量測值。如下文更詳細地描述，雷射破壞及蝕刻製程可圍繞形成於基板100內之孔洞產生凹陷區。因此，藉由在凹陷區外側之三個位置處量測基板100之厚度，判定平均厚度T。如本文中所使用，片語「凹陷區外側」意指在距離最近通孔120自約500微米與約2000微米之範圍內之距離處取得該等量測值。另外，為獲得製品之平均厚度之準確表示，量測點應距離彼此至少約100微米。換言之，量測點不應在另一量測點之100微米內。
如上所述，可使用包括但不限於濺鍍、無電電鍍及/或電解電鍍、化學氣相沉積等任何已知技術用導電材料填充通孔120 (及在一些實施例中之其他特徵)。導電材料可為例如銅、銀、鋁、鈦、黃金、鉑、鎳、鎢、鎂，或任何其他適合材料。當通孔120經填充時，該等通孔可電耦接安置於基板100之第一主表面110及第二主表面112上之電組件的電跡線。
通孔120之幾何結構可在通孔120之所得填充的品質上起作用。通孔120之內部形狀(亦即，輪廓)可在成功金屬化製程中起顯著作用。舉例而言，形狀太「具沙漏型」的通孔可導致不良金屬化及在金屬化之後的不當電效能。金屬化製程（諸如真空鍍敷法）通常具有視距問題，此意指所施加之塗層無法到達粗糙紋理之最內區域，或沙漏形通孔之下部區，此係因表面中之一些點「遮蔽」其他點使其免受塗覆製程。相同沙漏形狀亦可導致在金屬化後的可靠性問題，諸如其中當部分經受環境應力諸如熱循環時可發生裂縫及其他失效。另外，當應用重佈層製程時，沿著製品之頂部及底部表面，靠近通孔120之入口及/或出口之凹陷或凸起亦可導致電鍍、塗佈及接合問題。因此，應提供對孔洞之形態的嚴格控制，以製造技術上可行的產品。本揭示內容之實施例提供具有所要幾何屬性、公差之製品，以及用於達成具有此類幾何屬性及公差之製品的例示性製造製程。
儘管已在具體參考具有穿過基板100之厚度之不同剖面幾何結構的通孔120，但應理解，通孔120可包括多種其他剖面幾何結構，且因而，本文中描述之實施例不限於通孔120之任何特定剖面幾何結構。此外，儘管通孔120描繪為具有處於基板100之平面中的圓形剖面，但應理解，通孔120可具有其他平面的剖面幾何結構。舉例而言，通孔120可具有處於基板100之平面中的多個其他剖面幾何結構，包括但不限於橢圓形剖面、正方形剖面、矩形剖面、三角形剖面等。另外，應理解，具有不同剖面幾何結構之通孔120可形成於單個插入體面板中。
第3A圖至第3G圖單獨地示意性描繪基板100內的多個說明性通孔。第3A圖、第3C圖、第3D圖、第3E圖及第3F圖各自描繪穿玻璃通孔，且第3G圖描繪盲孔。應理解，本文中提供之描述的部分可特定針對於第3A圖至第3G圖中之特定者，但除非另作具體說明，否則該等部分大體適用於關於第3A圖至第3G圖描繪之多個實施例中之任一者。
第3A圖描繪根據一實施例的說明性通孔120之剖面側視圖。通孔120可大體係穿玻璃通孔，此係因該通孔延伸穿過基板100在基板100之第一主表面110與第二主表面112之間的整個距離。第一主表面110與第二主表面112可大體平行於彼此及/或彼此間隔開一距離。在一些實施例中，第一主表面110與第二主表面112之間的距離可對應於平均厚度T (第2A圖)。錐形通孔120可大體包括沿著錐形通孔120之整個長度延伸之內壁122。亦即，內壁122自基板100之第一主表面110延伸至第二主表面112。內壁122包括複數個錐形區，其中每一錐形區在其相對斜率上不同於其他錐形區，如本文中更詳細地描述。在非限制性實例中，第3A圖將內壁122描繪為具有第一錐形區124、第二錐形區126及第三錐形區128，其中第一錐形區124、第二錐形區126及第三錐形區128中之每一者具有不同斜率。應理解，在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，內壁122可具有更多或更少錐形區。
第一錐形區124、第二錐形區126及第三錐形區128中之每一者可大體在一方向上自第一主表面110朝向第二主表面112延伸。儘管在一些實施例中，錐形區可在垂直於第一主表面110及第二主表面112之直達線上延伸，但情況並非總是如此。亦即，在一些實施例中，錐形區可以某一角度自第一主表面110但大體朝向第二主表面112延伸。此類角度可稱為特定錐形區之斜率。
內壁122之多個錐形區(包括第一錐形區124、第二錐形區126及第三錐形區128)中之每一者的斜率不受本揭示內容限制。亦即，錐形區124、126、128中之每一者可具有如任何影像處理軟體計算之任何斜率，該任何影像處理軟體特定地經組態以獲得錐形區124、126、128之影像，從該獲得之影像提取錐形區124、126、128之輪廓，以及自特定點處、複數個點處及/或特定區處之輪廓判定斜率。影像處理軟體之一個此類說明性實例可包括但不限於Igor Pro (美國奧勒岡州波特蘭市之WaveMetrics公司)。
更具體而言，如第14A圖中所描繪，可獲得通孔120之輪廓1405的影像1400。為獲得此類影像1400，必須沿在第一主表面110與第二主表面112 (第3A圖)之間延伸穿過通孔120之方向分割基板100 (第3A圖)，使得通孔120之剖面可見。接著可使用光學顯微法、掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope; SEM)等獲得通孔120之輪廓1405的影像1400。
參考第14A圖及第14B圖兩者，可選擇關注區1410 (由形成框之虛線指示)。在一些實施例中，關注區1410可包括整個通孔120。在其他實施例中，關注區1410可僅含有通孔120之部分。舉例而言，若通孔120係對稱通孔，則可僅選擇通孔120之一半作為關注區1410 (例如，通孔120之自第一主表面110延伸至平面P之部分，如第3A圖中所示)。在選擇關注區1410之後，可使用電腦軟體以電子方式追蹤通孔120之內壁122 (包括多個錐形區124、126、128)以獲得追蹤線1415。可繪製追蹤線1415超出輪廓1405之影像1400，使得追蹤線1415之輪廓線對應於影像1400中之通孔120之內壁122的輪廓線。如本文中更詳細地描述，可使用可自市售資料/影像處理軟體獲得之標準邊緣偵測技術結束含有追蹤線1415之此類繪製。
接著可分析追蹤線1415，以判定內壁122之一或多個部分(包括多個錐形區124、126、128)的斜率。舉例而言，如第15A圖中描繪，圖解地描繪追蹤線1415，且使用本文中描述之電腦軟體判定追蹤線1415之一或多個直線區。直線區定義如下：(1)該區之長度不小於5 μm，且可大體大於10 μm；(2)可使用最小二乘法擬合使該區擬合適合線性函數(y =a +bx )，其中x係深度(距表面之距離)且y係通孔在深度x處之半徑，其中最小二乘法擬合殘值之絕對值小於1 μm (如第15B圖中之對應圖表指示，其中該殘值係給定深度(x)處之實際半徑(y)與給定深度(x)處之經擬合半徑(y)之間的差)；及(3)任何相鄰區之擬合函數的斜率應相差至少0.01，此依據錐度角轉譯為0.57度差。滿足上文所描述之所有準則(1)、(2)及(3)之區稱為具有恆定斜率之區。如第15A圖中所示，追蹤線1415具有四個相異直線區：點A與B之間的區、點C與D之間的區、點E與F之間的區，以及點G與H之間的區。因而，點A與B之間的區、點C與D之間的區、點E與F之間的區以及點G與H之間的區的斜率係恆定的。另外，如本文中更詳細地描述，追蹤線1415在點B與C之間、點D與E之間以及點F與G之間的區域可為恆定斜率之區域之間的轉變區域。
再次參考第3A圖，在一些實施例中，每一錐形區之斜率可為相對於特定點處之特定軸的角度。舉例而言，在一些實施例中，該斜率可為相對於實質上平行於第一主表面110及/或第二主表面112之軸的角度。在其他實施例中，每一錐形區之斜率可為相對於實質上垂直於第一主表面110及/或第二主表面112之軸的角度。在一些實施例中，每一錐形區之斜率可表示為相對於與第一主表面110及/或第二主表面112垂直及平行之軸的比。舉例而言，特定錐形區之斜率可表示為比3:1，其通常意指該斜率係直角三角形的斜邊，該直角三角形具有在垂直於第一主表面110及/或第二主表面112之第一方向上延伸3個單位的第一側邊，以及在平行於第一主表面110及/或第二主表面112之第二方向上延伸1個單位的第二側邊。錐形區(包括第一錐形區124、第二錐形區126及第三錐形區128)之說明性斜率可自約3:1至約100:1，包括約3:1、約4:1、約5:1、約6:1、約7:1、約8:1、約9:1、約10:1、約20:1、約30:1、約40:1、約50:1、約60:1、約70:1、約80:1、約90:1、約100:1，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。
在各種實施例中，錐形區中之每一者的斜率之間的轉變區域可在其中內壁122之恆定斜率的區結束之任情況下發生。轉變區域之實例係追蹤線1415在點B與C、點D與E之間以及點F與G之間的區。在一些實施例中，轉變區域之斜率自恆定斜率之區的斜率變化大於或等於約0.57度，大於或等於約1度，大於或等於約2度，大於或等於約3度，大於或等於約4度，或大於或等於約5度。舉例而言，如第3B圖中所示，自第二錐形區126之斜率至第三錐形區128之斜率的轉變區域可在其中內壁122之切線155之斜率自第二錐形區126之恆定斜率改變至少0.57度的點處發生。通常可藉由上述影像處理軟體用以下步驟判定該點之位置：在遠離錐形區中之一者的方向上穿過內壁122上之連續點，量測該等連續點中之每一者，以及判定該等連續點中之每一者是否自特定連續點之前的錐形區之斜率改變至少0.57度。在一些實施例中，此類轉變區域可藉由特定點150區分。在其他實施例中，此類轉變區域可為延伸區。亦即，該等轉變區域係漸進式使得第二錐形區126之斜率至第三錐形區128之斜率之間的轉變不在特定點處發生，而是在其中轉變區域內之內壁122的平均斜率自第二錐形區126及第三錐形區128變化大於或等於約0.57度的區中發生。
在一些實施例中，如第3A圖、第3C圖、第3F圖及第3G圖中所示，錐形區之間的轉變區域可為顯著的。亦即，漸變區可為特定點150 (第3B圖)或長度相對較短之區，使得可比較容易辨別每一錐形區相對於其他錐形區在何處開始及結束。在其他實施例中，如第3D圖及第3E圖中所示，錐形區之間的轉變區域可較大，使得內壁122之斜率呈現為連續改變，且可能較難辨別每一錐形區相對於其他錐形區在何處開始及結束。舉例而言，如第3D圖中所示的第一錐形區124與第二錐形區126之斜率之間的轉變區域相對於如第3A圖中所示的第一錐形區124與第二錐形區126之斜率之間的轉變區域可為較長的。
多個錐形區中之每一者的長度可變化，且通常不受本揭示內容限制。多個錐形區中之每一者的長度可基於錐形區之數目、第一主表面110與第二主表面112之間的距離、每一錐形區之斜率、錐形區之間的轉變之大小等。如本文中更詳細地描述，每一特定區之長度可基於每一特定區之端點。舉例而言，第一錐形區124可具有位於內壁122與第一主表面110之交點處的第一端點，以及第二端點，該第二端點係內壁122上的內壁122之恆定斜率結束的點，例如斜率自第一錐形區124之斜率變化至少0.57度。類似地，第二錐形區126可自與第一錐形區124之交點朝向第二主表面112延伸。應理解，如本文中關於多個錐形區所使用之長度(包括包括經組合之所有錐形區之總長度)係指當沿內壁122之輪廓線/輪廓自起始點至終點穿過之內壁122的長度。
在一些實施例中，特定錐形區(包括第一錐形區124、第二錐形區126及/或第三錐形區128)之長度可自約15微米至約360微米，包括約15微米、約25微米、約50微米、約75微米、約100微米、約150微米、約200微米、約250微米、約300微米、約350微米、約360微米，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。
通孔120可為圍繞位於第一主表面110與第二主表面112之間的平面P對稱或不對稱，且在第一主表面110與第二主表面112之間等距(例如，第一主表面110與第二主表面之間的中間高度)。另外，平面P可另外實質上平行於第一主表面110及第二主表面112。
當通孔120圍繞平面P對稱時，平面P與第一主表面110之間的第一部分130中的內壁122之多個錐形區可為平面P與第二主表面112之間的第二部分140中的內壁122之多個錐形區之鏡像。亦即，通孔120在第一部分130中距平面P之任何給定距離處之直徑實質上等於通孔120在第二部分140中距平面P之對應距離處之直徑。舉例而言，如第3A圖及第3D圖中所示，在第一部分130中在第一主表面110處通孔120之開口處的通孔120之第一直徑D1 實質上等於在第二主表面112處通孔120之開口處的通孔120之第二直徑D2 。如本文中關於對稱形狀所使用，術語「實質上等於」係指在容許限度內相等之直徑。容許限度可小於或等於3微米，小於或等於約2微米，小於或等於1微米，小於或等於約0.5微米，小於或等於約0.25微米，小於或等於約0.1微米，或等於約0微米。
相比之下，如第3C圖、第3E圖及第3F圖中所示，當另一通孔120'圍繞平面P不對稱時，第一部分130中之內壁122之多個錐形區不為第二部分140中之內壁122之多個錐形區的鏡像。亦即，如第3C圖、第3E圖及第3F圖中所示，在第一部分130上任何給定位置處之通孔120'之第一直徑D1 不等於在第二部分140中對應位置處之通孔120'之第二直徑D2 。如在第3G圖之盲孔中特定地描繪，由於平面P之一側上之第一部分130不為平面P下方之第二部分140之鏡像，因此通孔120'不對稱。此外，通孔120'（由於為盲孔）在第二主表面112上不含有開口。更確切地，通孔120'僅在第一主表面110上含有開口。
如第4圖中所示，通孔120可在平面P處具有特定腰直徑W。在一些實施例中，腰直徑W可大於或等於第一直徑D1 與第二直徑(未示出)中最大者之約80%。在其他實施例中，腰直徑W可在第一直徑D1 與第二直徑中之最大者之約20%至約100%之範圍內。在其他實施例中，腰直徑W可為第一直徑D1 與第二直徑中之最大者之約85%，第一直徑D1 與第二直徑中之最大者之約90%，第一直徑D1 與第二直徑中之最大者之約30%至約100%，第一直徑D1 與第二直徑中之最大者之約40%至約100%，第一直徑D1 與第二直徑中之最大者之約50%至約100%，第一直徑D1 與第二直徑中之最大者之約60%至約100%，第一直徑D1 與第二直徑中之最大者之約70%至約100%，第一直徑D1 與第二直徑中之最大者之約80%至約100%，或第一直徑D1 與第二直徑中之最大者之約90%至約100%。在一些實施例中，腰直徑可自約5微米至約200微米，包括約5微米、約10微米、約25微米、約50微米、約100微米、約200微米，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。
第5A圖描繪根據一或多個實施例的形成包括至少一個對稱錐形通孔之玻璃基基板的說明性方法。第5A圖中示出之步驟僅係例示性的，且可不包括此等步驟或包括額外步驟。在一些實施例中，藉由關於第5A圖描述之方法形成之玻璃基基板可包括具有具複數個錐形區之內壁及圍繞一平面對稱之剖面之穿通孔，如本文中更詳細地描述。
在步驟505處，可提供平面玻璃基基板。如本文中所描述，玻璃基基板通常可為適於產生穿過其之通孔的任何玻璃基基板。玻璃基基板可具有任何適合的厚度及/或形狀，例如0.7毫米(mm)厚、150 mm直徑之晶圓。
在步驟510處，可在玻璃基基板中形成一或多個雷射破壞區或導孔。雷射破壞區在基板100內產生破壞區域，在塗覆蝕刻溶液時，該破壞區域與非破壞區相比以更快蝕刻速率蝕刻。可經由行聚焦雷射形成一或多條破壞跡線，諸如美國專利公開案第2015/0166395號中所描述，該美國專利公開案據此以全文引用之方式併入。然而，本揭示內容不限於此類雷射，且可在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，用其他雷射形成一或多條破壞跡線。可選擇雷射之能量密度(例如，遞送至玻璃基基板之能量)，以使得該能量密度沿著玻璃基基板之至少一部分(例如，在需要穿玻璃通孔之情況下，沿著玻璃基基板之整個寬度)並且沿著雷射之整個軸高於破壞臨限值。在其中需要盲孔之實施例中，形成一或多條破壞跡線可包括在基板之第一主表面上形成第一組破壞跡線且在第二主表面上形成第二組破壞跡線，以使得遞送至玻璃基基板之能量高於第一組破壞跡線中之破壞臨限值且低於第二組破壞跡線之破壞臨限值。通常應理解在玻璃基基板上形成一或多條破壞跡線之其他方式且該等方式意欲包括在本揭示內容之範疇內。
形成破壞跡線可包括任何形成技術，且本揭示內容不限於任何特定技術。說明性形成技術可包括但不限於機械打孔、蝕刻、雷射燒蝕、雷射輔助製程、雷射破壞及蝕刻製程、噴磨、磨料水射流機械加工、聚集電熱能，或任何其他適合的形成技術。
在步驟515處，玻璃基基板例如藉由置於蝕刻劑浴液(例如，第一蝕刻劑浴液)中而暴露於蝕刻劑，且以特定蝕刻速率(例如，第一蝕刻速率)蝕刻該玻璃基基板，以移除雷射破壞區及/或擴大導孔，從而產生通孔之至少一部分。在其他實施例中，可經由任何習知方式包括但不限於噴灑蝕刻劑或塗覆蝕刻劑膏，達成暴露於蝕刻劑。第一蝕刻劑可例如為酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。酸蝕刻劑之說明性實例包括但不限於含有一定量之硝酸(HNO3 )之蝕刻劑、含有氫氟酸(HF)之蝕刻劑等。鹼蝕刻劑之說明性實例包括但不限於鹼性之蝕刻劑，諸如氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨(NH4 OH)等。在一些實施例中，第一蝕刻劑浴液可為約9.8% (w/w)氫氟酸水溶液之滯流(例如，無攪拌)浴液。然而，亦可在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，使用現在已知或稍後開發之其他蝕刻劑浴液。第一蝕刻速率類似地不受本揭示內容限制，且可為任何蝕刻速率。在一些實施例中，第一蝕刻速率可為約2.8奈米/分鐘(nm/min)至約3.2 nm/min，包括約2.8 nm/min、約2.9 nm/min、約3.0 nm/min、約3.1 nm/min、約3.2 nm/min，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在特定實施例中，第一蝕刻速率可為約3 nm/min。在一些實施例中，如本文中更詳細地描述，步驟515可產生通孔之第一錐形區。
在已過去一時間段之後及/或在已移除特定量之玻璃基基板之後，可在步驟520處，自蝕刻劑(例如，蝕刻劑浴液)移除玻璃基基板。在一些實施例中，特定量之時間可例如為約5分鐘至約120分鐘，包括約5分鐘、約15分鐘、約30分鐘、約60分鐘、約120分鐘，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在特定實施例中，該特定量之時間可為約75分鐘。在另一特定實施例中，該特定量之時間可為約14分鐘。在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，預期其他時間段。在一些實施例中，經移除之特定量的玻璃基基板可例如為如自第一主表面及第二主表面中之一者量測之約10微米之材料至約200微米之材料，包括約10微米之材料，約50微米之材料，約100微米之材料，約150微米之材料、約200微米之材料，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在特定實施例中，可移除如自第一主表面及第二主表面中之一者量測之約42微米或約180微米之材料。
在步驟525處，可沖洗掉玻璃基基板之蝕刻劑材料。在一些實施例中，可用含有鹽酸(HCl)之溶液諸如0.5M HCl溶液沖洗玻璃基基板。在一些實施例中，可用去離子水沖洗玻璃基基板。在一些實施例中，可用第一沖洗液沖洗玻璃基基板，且隨後用第二沖洗液沖洗玻璃基基板。舉例而言，可用0.5M HCl溶液沖洗玻璃基基板，且隨後用去離子水溶液沖洗玻璃基基板。在一些實施例中，可沖洗玻璃基基板達特定時間段諸如約10分鐘，以確保所有蝕刻劑材料已被移除及/或自蝕刻劑移除之所有晶圓材料被分離。在特定實施例中，可在0.5M HCl溶液中沖洗玻璃基基板10分鐘，且隨後用去離子水沖洗10分鐘。
在步驟535處，玻璃基基板暴露於蝕刻劑，例如蝕刻劑浴液(例如，第二蝕刻劑浴液)，且以特定蝕刻速率(例如，第二蝕刻速率)蝕刻。在其他實施例中，可經由任何習知方式包括但不限於噴灑蝕刻劑，或塗覆蝕刻劑膏，達成暴露於蝕刻劑。第二蝕刻劑可為例如酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。第二蝕刻劑通常可具有不同於第一蝕刻劑之濃度。舉例而言，如上所述之第一蝕刻劑與第二蝕刻劑相比可具有較大濃度之酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。在其他實施例中，第一蝕刻劑與第二蝕刻劑相比可具有較低濃度之酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。在特定實施例中，第二蝕刻劑浴液可為6M NaOH溶液。然而，亦可在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，使用現在已知或稍後開發之其他蝕刻劑。第二蝕刻速率類似地不受本揭示內容限制，且可為任何蝕刻速率。在特定實施例中，第二蝕刻速率可為約30 nm/min。在一些實施例中，如上所述之第一蝕刻速率可大於第二蝕刻速率。在其他實施例中，第一蝕刻速率可小於第二蝕刻速率。在一些實施例中，如本文中更詳細地描述，步驟535可產生通孔之第二錐形區。
在已過去一時間段之後及/或在已移除特定量之玻璃基基板之後，可在步驟540處，自蝕刻劑(例如，蝕刻劑浴液)移除玻璃基基板。在一些實施例中，特定量之時間可例如為約3天。在其他實施例中，特定量之時間可為約6小時。在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，預期其他時間段。在一些實施例中，經移除之特定量的玻璃基基板可例如為如自第一主表面及第二主表面中之一者量測之約65微米之材料。
蝕刻劑可具有本文中未具體描述之一或多個其他特性。舉例而言，在一些實施例中，蝕刻劑浴液可維持在特定溫度下。一個此類說明性溫度係約85℃。
在步驟545處，可沖洗玻璃基基板，以移除蝕刻劑材料。舉例而言，可用去離子水沖洗玻璃基基板。所得之玻璃基基板包括具有一或多個幾何特性之至少一個對稱通孔。舉例而言，所得之通孔可具有在第一主表面處及第二主表面處約100微米之直徑，約40微米之腰直徑，以及內壁，該內壁具有在3:1錐體處自第一主表面朝向第二主表面延伸約115微米之第一錐形區，以及在與第一錐形區之交點與具有30:1錐體之基板之中心之間延伸的第二錐形區。
為產生額外錐形區，如例如在第5B圖中所示，可針對每一額外錐形區重複關於步驟535至545描繪之製程。應理解，更改蝕刻劑浴液之一或多個特性及/或更改蝕刻速率可造成額外錐形區具有特定特性。
下文之實例1描述使用本文中關於第5A圖描述之步驟產生之通孔的具體例子： 實例1
可用以下步驟形成具有對稱性分段錐體之穿玻璃通孔。 • 起初使用1064 nm微微秒雷射在0.7 mm厚、150 mm直徑玻璃基晶圓中形成破壞跡線。此能量密度經選擇為沿著雷射之整個軸高於玻璃基晶圓之破壞臨限值。 • 將晶圓置於9.8% (w/w)氫氟酸水溶液之滯流浴液中75分鐘(移除約180微米)。此製程具有約3 (例如，2.8至3.2)之蝕刻速率。 • 接著用0.5M HCl沖洗此等晶圓10分鐘，且用DI水沖洗此等晶圓10分鐘。 • 接著將此等晶圓浸於85℃之6M氫氧化鈉浴液中3天(移除約65微米)。此製程具有約30之蝕刻速率。 • 接著自鹼浴液移除製程載體，且用大量DI水沖洗該製程載體。 • 此致使基板中開出如下通孔：100微米之入口直徑，40微米之腰直徑，距表面第一115微米深之3:1錐體，以及至基板之中心之距離之剩餘部分的30:1錐體。
在一些實施例中，亦可使用關於第5A圖描述之製程之至少一部分產生盲孔。下文之實例2描繪此類說明性製程： 實例2
可用以下步驟形成具有分段變化之側壁錐體的盲孔： • 起初使用1064 nm微微秒雷射在0.7 mm厚、150 mm直徑玻璃基晶圓中形成破壞跡線。此能量密度朝向玻璃之中心且在一側低於玻璃基晶圓之玻璃組合物之破壞臨限值。 • 將玻璃晶圓置於9.8% (w/w)氫氟酸水溶液之滯流浴液中14分鐘(移除約42微米)。此製程具有約3 (例如，2.8至3.2)之蝕刻速率。 • 接著用0.5M HCl沖洗該等se晶圓10分鐘，且用DI水沖洗該等晶圓10分鐘。 • 接著將此等晶圓浸於85℃之6M氫氧化鈉浴液中6小時(移除約6微米)。此製程具有約30之蝕刻速率。 • 接著自鹼浴液移除載體，且用大量DI水沖洗該載體。 • 此致使基板中開出如下通孔：36微米之入口直徑，228微米之深度，距表面第一54微米深之3:1錐體，以及至盲孔之末端之距離之剩餘部分的30:1錐體，如第6圖中描繪。
第7圖描繪形成具有如本文中描述之一或多個通孔之玻璃基基板的另一方法。所得之玻璃基基板可具有具斜率連續改變之側壁的一或多個對稱通孔，如例如在第3D圖中所示，此與由根據第5A圖之方法形成之玻璃基基板相反，其中一或多個通孔具有變化斜率之相異錐形區，如本文中所描述。第7圖中示出之步驟僅係例示性，且可不包括此等步驟或包括額外步驟。在步驟705處，可提供平面玻璃基基板。如本文中所描述，玻璃基基板通常可為適於產生穿過其之通孔的玻璃基基板。在特定實例中，玻璃基基板可為0.5 mm厚、150 mm直徑的晶圓。
在步驟710處，可在玻璃基基板上形成一或多個破壞區或導孔，如上文關於第5A圖中之步驟510所描述。可選擇雷射之能量密度(例如，遞送至玻璃基基板之能量)，使得該能量密度沿著玻璃基基板之至少一部分(例如，在需要穿通孔之情況下，沿著玻璃基基板之整個寬度)以及沿著雷射之整個軸高於破壞臨限值。在其中需要盲孔之實施例中，形成一或多個破壞跡線的步驟可包括在基板之第一主表面上形成第一組破壞跡線且在第二主表面上形成第二組破壞跡線，以使得遞送至玻璃基基板之能量高於第一組破壞跡線中之破壞臨限值且低於第二組破壞跡線之破壞臨限值。通常應理解在玻璃基基板上形成一或多條破壞跡線之其他方式且該等方式意欲包括在本揭示內容之範疇內。
在步驟715處，玻璃基基板暴露於蝕刻劑，例如蝕刻劑浴液。在其他實施例中，可經由任何習知方式包括但不限於噴灑蝕刻劑，或塗覆蝕刻劑膏，達成蝕刻劑之暴露。如本文中更詳細地描述，第一蝕刻劑可例如為酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。在一些實施例中，蝕刻劑可為滯流浴液。蝕刻劑通常可為任何溶液，包括水溶液、水、水與其他水溶性有機溶劑之混合物，諸如乙二醇、丙二醇等。在一些實施例中，蝕刻劑可含有氫氧化鈉溶液。在一些實施例中，蝕刻劑可含有氫氧化鉀溶液。蝕刻劑之濃度可例如為約4M至約12M。在特定實施例中，蝕刻劑可含有約12M氫氧化鈉水溶液。然而，亦可在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，使用現在已知或稍後開發之其他蝕刻劑。
起初可將蝕刻劑(例如，蝕刻劑浴液)置於特定溫度下，且可在步驟720處在一時間段內調節該溫度。亦即，可在該時間段內增加及/或減小蝕刻劑溫度。舉例而言，溫度可在該時間段內增加，在該時間段內減小，在該時間段內以交替增量增加及減小，等等。增加及減小溫度可線性地發生(例如，連續地增加或減小溫度)或可以逐階方式發生(例如，在過去特定時間段之後，使溫度增加或減小特定量)。在一些實施例中，該時間段可對應於完成特定蝕刻製程所需之時間量。蝕刻劑溫度不受本揭示內容限制，且通常可為任何溫度，特定地，理解為適合於本文中描述之蝕刻製程之溫度。舉例而言，浴液溫度可自約95℃至約130℃，包括約95℃、約100℃、約110℃、約120℃、約130℃，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。蝕刻劑之溫度可影響反應時間。在特定實施例中，蝕刻劑起初可設定為120℃且在12小時時段內線性地增加至130℃，且接著保持在130℃之恆定溫度下約22小時。
在一些實施例中，可在步驟725處，調節蝕刻劑中(例如，蝕刻劑浴液)中之酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑之濃度。亦即，浴液中之蝕刻劑之濃度可在該時間段內增加及/或減小。舉例而言，該濃度可在該時間段內增加，在該時間段內減小，在該時間段內以交替增量增加及減小，等等。增加及減小濃度可線性地發生(例如，連續地增加或減小該濃度)或可以逐階方式發生(例如，在過去特定時間段之後，使濃度增加或減小特定量)。在一些實施例中，該時間段可對應於完成特定蝕刻製程所需之時間量。蝕刻劑濃度不受本揭示內容限制，且通常可為任何蝕刻劑濃度，理解為適合於本文中描述之蝕刻製程之特定蝕刻劑濃度。
在一些實施例中，可在步驟730處，調節施加於蝕刻劑浴液上之攪拌程度。亦即，可在該時間段內更用力或較不用力地攪拌蝕刻劑浴液。可經由通常理解之攪拌製程諸如機械攪拌、音振作用、習知混合、習知攪動及其任何組合來完成攪拌。攪拌程度可在該時間段內增加，在該時間段內減小，在該時間段內以交替增量增加及減小，等等。增加及減小攪拌程度可線性地發生(例如，連續地增加或減小攪拌程度)或可以逐階方式發生(例如，在過去特定時間段之後，使攪拌程度增加或減小特定量)。在一些實施例中，該時間段可對應於完成特定蝕刻製程所需之時間量。攪拌程度不受本揭示內容限制，且通常可為任何攪拌程度，理解為適合於本文中描述之蝕刻製程之特定蝕刻程度。
在步驟735處，可蝕刻基板。應理解，一旦在步驟715處使基板暴露於蝕刻劑便可發生蝕刻製程，且該蝕刻製程可在如上文描述之多個調節製程期間繼續發生。在發生蝕刻之後，可自浴液移除基板。蝕刻所需之時間段不受本揭示內容限制，且通常可為完成如本文中描述之蝕刻所需之任何時間段。舉例而言，該時間段可為但不限於自約10小時至約200小時，包括約10小時、約50小時、約100小時、約150小時、約200小時，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。
在步驟740處，如本文中所描述，可沖洗掉玻璃基基板之蝕刻劑材料。舉例而言，可用0.5M HCl溶液沖洗玻璃基基板，且隨後用去離子水溶液沖洗玻璃基基板。在特定實施例中，可用0.5M HCl溶液沖洗玻璃基基板10分鐘，且隨後用去離子水沖洗10分鐘。
實例3描繪根據關於第7圖描述之多個製程形成之通孔。 實例3
可用以下步驟形成具有對稱性分段錐體之穿玻璃通孔： • 起初使用1064 nm微微秒雷射在0.5 mm厚、150 mm直徑玻璃基晶圓中形成破壞跡線。此能量密度經選擇為沿著雷射之整個軸高於玻璃基晶圓之破壞臨限值。 • 將晶圓置於12M氫氧化鈉水溶液之滯流浴液中。將溫度起初設定為120℃，但在12小時內線性增加至130℃。 • 接著在恆定溫度130℃下蝕刻晶圓另一22小時。 • 接著用0.5M HCl沖洗此等晶圓10分鐘，且用DI水沖洗此等晶圓10分鐘。此產生具有如第8圖中所示之輪廓之通孔。
實例4描繪根據關於第7圖描述之多個製程形成之另一通孔。 實例4
可用以下步驟形成具有連續變化之側壁錐體的盲孔： • 起初使用1064 nm微微秒雷射在0.7 mm厚、150 mm直徑玻璃基晶圓中形成破壞跡線。此能量密度朝向玻璃之中心且在一側低於玻璃基晶圓組合物之破壞臨限值。 • 將晶圓置於12M氫氧化鈉水溶液之滯流浴液中。將溫度起初設定為120℃，但在12小時內線性增加至130℃。 • 接著用0.5M HCl沖洗該等晶圓10分鐘，且用DI水沖洗該等晶圓10分鐘。 • 此致使基板中開出如下通孔：16微米之入口直徑及如第9圖中描繪之側壁輪廓。
第10圖描繪根據一實施例的形成包括具有複數個錐形區之至少一個不對稱通孔(或者如例如在第3G圖中所示之盲孔，或如例如第3C圖或第3F圖中所示之穿玻璃通孔)的說明性方法。第10圖中示出之步驟僅係例示性，且可不包括此等步驟或包括額外步驟。
在步驟1005處，可提供平面玻璃基基板。在特定實例中，玻璃基基板可為0.75 mm厚、150 mm直徑之晶圓。在步驟1010處，可在玻璃基基板上形成一或多條破壞跡線，如上文關於第5A圖之步驟510更詳細地描述。
在步驟1015處，將第一抗蝕塗層(例如，犧牲塗層)塗覆於玻璃基基板之第一側(例如，第一表面)。如本文中所描述，第一抗蝕塗層通常可為置於玻璃基基板上以當玻璃基基板暴露於蝕刻劑例如蝕刻劑浴液時避免蝕刻之任何塗層。另外，第一抗蝕塗層可為可暫時塗覆之任何塗層。亦即，如本文中更詳細地描述，第一抗蝕塗層可為可隨後自玻璃基基板移除之材料。可經由任何適合的製程將第一抗蝕塗層塗敷於玻璃基基板之第一側。可使用之製程之說明性實例包括化學氣相沉積(chemical vapor deposition; CVD)、電漿增強型化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD)、離子化沉積、物理氣相沉積(physical vapor deposition; PVD)，以及材料之直接應用。第一抗蝕塗層之說明性實例可包括但不限於含有經摻雜及未經摻雜氧化矽、碳化矽及氮化矽、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene; PTFE)帶等之塗層。玻璃基基板之第一側可為玻璃基基板之第一主表面或玻璃基基板之第二主表面。在特定實施例中，用PTFE帶屏蔽玻璃基基板之第一側，且抵靠玻璃基基板之邊緣按壓O型環以將PTFE帶之邊緣密封至表面。
在步驟1025處，玻璃基基板暴露於蝕刻劑，例如蝕刻劑浴液(例如，第一蝕刻劑浴液)，且以特定蝕刻速率(例如，第一蝕刻速率)蝕刻該玻璃基基板。在其他實施例中，可經由任何習知方式包括但不限於噴灑蝕刻劑或塗覆蝕刻劑膏，達成暴露於蝕刻劑。第一蝕刻劑可例如為酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。蝕刻劑通常可為任何溶液，包括水溶液、水、水與其他水溶性有機溶劑之混合物，諸如乙二醇、丙二醇等。在一些實施例中，蝕刻劑可含有氫氧化鈉溶液。在一些實施例中，蝕刻劑浴液可含有氫氧化鉀溶液。蝕刻劑之濃度可例如為約4M至約12M。在特定實施例中，第一蝕刻劑可含有6M NaOH溶液。然而，亦可在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，使用現在已知或稍後開發之其他蝕刻劑。第一蝕刻速率類似地不受本揭示內容限制，且可為任何蝕刻速率。蝕刻速率之說明性實例包括但不限於自約10 nm/min至約100 nm/min，包括約10 nm/min、約20 nm/min、約30 nm/min、約40 nm/min、約50 nm/min、約60 nm/min、約70 nm/min、約80 nm/min、約90 nm/min、約100 nm/min，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在特定實施例中，第一蝕刻速率可為約30 nm/min。在一些實施例中，如上所述之第一蝕刻速率可大於第二蝕刻速率(如下所述)。在其他實施例中，第一蝕刻速率可小於第二蝕刻速率。在一些實施例中，根據步驟1025蝕刻基板可產生用於通孔中之每一者之第一錐形區。
第一蝕刻劑可具有本文中未具體描述之一或多個其他特性。舉例而言，在一些實施例中，蝕刻劑浴液可維持在特定溫度下。一個此類說明性溫度係約85℃。
在已過去一時間段之後及/或在已移除特定量之玻璃基基板之後，可在步驟1030處，自蝕刻劑(例如，蝕刻劑浴液)移除玻璃基基板。在一些實施例中，特定量之時間可例如為約10小時。在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，預期其他時間段，諸如在上文關於第7圖描述之時間段。經移除之特定量的玻璃基基板可取決於通孔之所要形狀及大小而變化。舉例而言，可移除如自第一主表面及第二主表面中之一者量測之自約1微米之材料至約20微米之材料，包括約1微米、約5微米、約10微米、約15微米、約20微米，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在特定實施例中，可移除之材料的量可為如自第一主表面及第二主表面中之一者(亦即，不含有抗蝕塗層之表面)量測之約8.5微米之材料。
在步驟1035處，可沖洗掉玻璃基基板之蝕刻劑材料。在一些實施例中，如本文中更詳細地描述，可用含有鹽酸(HCl)之溶液諸如0.5M HCl溶液以及/或去離子水沖洗玻璃基基板。在一些實施例中，可沖洗玻璃基基板達特定時間段諸如約10分鐘，以確保所有蝕刻劑材料已被移除及/或自蝕刻劑移除之所有晶圓材料被分離。
在步驟1040處，玻璃基基板暴露於另一蝕刻劑，例如浴液(例如，第二蝕刻劑浴)，且以特定蝕刻速率(例如，第二蝕刻速率)蝕刻該玻璃基基板。第二蝕刻劑可為例如酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。第二蝕刻劑通常可具有不同於第一蝕刻劑之濃度。舉例而言，如上所述之第一蝕刻劑與第二蝕刻劑相比可具有較大濃度之酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。在其他實施例中，第一蝕刻劑與第二蝕刻劑相比可具有較低濃度之酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。在一些實施例中，第二蝕刻劑可為約9.8% (w/w)氫氟酸水溶液之滯流浴液。然而，亦可在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，使用現在已知或稍後開發之其他蝕刻劑。第二蝕刻速率類似地不受本揭示內容限制，且可為任何蝕刻速率。舉例而言，第二蝕刻速率可為約1微米/分鐘至約5微米/分鐘，包括約1微米/分鐘、約2微米/分鐘、約3微米/分鐘、約4微米/分鐘、約5微米/分鐘，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在特定實施例中，第二蝕刻速率可為約3微米/分鐘。在一些實施例中，根據步驟1040蝕刻基板可產生用於通孔中之每一者之第二錐形區。
在已過去一時間段之後及/或在已移除特定量之玻璃基基板之後，可在步驟1045處自蝕刻劑(例如，蝕刻劑浴液)移除玻璃基基板並且沖洗該玻璃基基板。該時間段通常不受本揭示內容限制，且可為任何時間段。舉例而言，該時間段可為自約5分鐘至約40分鐘，包括約5分鐘、約10分鐘、約15分鐘、約20分鐘、約25分鐘、約30分鐘、約35分鐘、約40分鐘，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在一些實施例中，該特定量之時間可為約19分鐘。在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，預期其他時間段。如自第一主表面及第二主表面中之一者(例如，不含有第一抗蝕塗層之表面)量測之自基板移除之材料的量不受本揭示內容限制且可為任一材料量。舉例而言，可移除自約10微米至約100微米之材料，包括約10微米、約20微米、約30微米、約40微米、約50微米、約60微米、約70微米、約80微米、約90微米、約100微米，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在一些實施例中，經移除之特定量之玻璃基基板可為如自第一主表面及第二主表面中之一者(例如，不含有第一抗蝕塗層之表面)量測之約58微米之材料。在一些實施例中，如本文中更詳細地描述，可用含有鹽酸(HCl)之溶液及/或去離子水沖洗玻璃基基板。在一些實施例中，可沖洗玻璃基基板達特定時間段諸如約10分鐘，以確保所有蝕刻劑材料已被移除及/或自蝕刻劑移除之所有晶圓材料被分離。
在步驟1050處，可自玻璃基基板移除第一抗蝕塗層。可藉由用於移除犧牲塗層之任何適合的方法完成移除，且不受本揭示內容限制。在步驟1055處，將第二抗蝕塗層(例如，犧牲塗層)塗敷於基板之第二側。第二抗蝕塗層可為任何塗層，且可藉由上文關於步驟1015所描述之任何方法塗覆。
在步驟1060處，將玻璃基基板置於另一蝕刻劑例如蝕刻劑浴液(例如，第三蝕刻劑浴液)中，並且以特定蝕刻速率(例如，第三蝕刻速率)蝕刻該玻璃基基板。第三蝕刻劑可為例如酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。第三蝕刻劑通常可具有不同於第一蝕刻劑及/或第二蝕刻劑之濃度。舉例而言，如上所述之第一蝕刻劑及/或第二蝕刻劑與第三蝕刻劑浴液相比可具有更大濃度之酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。在其他實施例中，第一蝕刻劑浴液及/或第二蝕刻劑浴液與第三蝕刻劑相比可具有較低濃度之酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。在一些實施例中，第三蝕刻劑可為約9.8% (w/w)氫氟酸水溶液之滯流浴液。然而，亦可在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，使用現在已知或稍後開發之其他蝕刻劑。第三蝕刻速率類似地不受本揭示內容限制，且可為任何蝕刻速率。舉例而言，第三蝕刻速率可為約1微米/分鐘至約5微米/分鐘，包括約1微米/分鐘、約2微米/分鐘、約3微米/分鐘、約4微米/分鐘、約5微米/分鐘，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在特定實施例中，第三蝕刻速率可為約3微米/分鐘。在一些實施例中，根據步驟1060蝕刻基板可產生用於通孔中之每一者之第三錐形區。
在已過去一時間段之後及/或在已移除特定量之玻璃基基板之後，可在步驟1065處，自蝕刻劑(例如，蝕刻劑浴液)移除玻璃基基板。該時間段不受本揭示內容限制，且可為任何時間段。舉例而言，該時間段可為但不限於自約5分鐘至約30分鐘，包括約5分鐘、約10分鐘、約15分鐘、約20分鐘、約25分鐘、約30分鐘，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在一些實施例中，特定量之時間可為約17分鐘。在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，預期其他時間段。如自第一主表面及第二主表面中之一者(例如，不含有第一抗蝕塗層之表面)量測之自基板移除之材料的量不受本揭示內容限制且可為任一材料量。舉例而言，可移除自約10微米至約100微米之材料，包括約10微米、約20微米、約30微米、約40微米、約50微米、約60微米、約70微米、約80微米、約90微米、約100微米，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在一些實施例中，經移除之特定量之玻璃基基板可為如自第一主表面及第二主表面中之一者(例如，不含有第二抗蝕塗層之表面)量測之約52微米之材料。
在步驟1070處，可沖洗玻璃基基板。在一些實施例中，如本文中更詳細地描述，可用含有鹽酸(HCl)之溶液及/或去離子水沖洗玻璃基基板。
在步驟1080處，玻璃基基板暴露於又一蝕刻劑，例如蝕刻劑浴液(例如，第四蝕刻劑浴液)，並且以特定蝕刻速率(例如，第四蝕刻速率)蝕刻該玻璃基基板。第四蝕刻劑可為例如酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。第四蝕刻劑通常可為任何溶液，包括水溶液、水、水與其他水溶性有機溶劑之混合物，諸如乙二醇、丙二醇等。在一些實施例中，第四蝕刻劑可含有氫氧化鈉溶液。在一些實施例中，第四蝕刻劑可含有氫氧化鉀溶液。第四蝕刻劑之濃度可為例如約4M至約12M。在特定實施例中，第四蝕刻劑可為6M NaOH溶液。然而，亦可在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，使用現在已知或稍後開發之其他蝕刻劑。第四蝕刻速率類似地不受本揭示內容限制，且可為任何蝕刻速率。在一些實施例中，第四蝕刻速率可為約10 nm/min至約100 nm/min，包括約10 nm/min、約20 nm/min、約30 nm/min、約40 nm/min、約50 nm/min、約60 nm/min、約70 nm/min、約80 nm/min、約90 nm/min、約100 nm/min，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在特定實施例中，第四蝕刻速率可為約30 nm/min。在一些實施例中，如上所述之第四蝕刻速率可大於第一蝕刻速率、第二蝕刻速率及/或第三蝕刻速率。在其他實施例中，第四蝕刻速率可小於第一蝕刻速率、第二蝕刻速率及/或第三蝕刻速率。在一些實施例中，根據步驟1080蝕刻基板可產生用於通孔中之每一者之第四錐形區。
第四蝕刻劑可具有本文中未具體描述之一或多個其他特性。舉例而言，在一些實施例中，蝕刻劑浴液可維持在特定溫度下。一個此類說明性溫度係約85℃。
在已過去一時間段之後及/或在已移除特定量之玻璃基基板之後，可在步驟1085處，自蝕刻劑(例如，蝕刻劑浴液)移除玻璃基基板。該時間段不受本揭示內容限制，且可為任何時間段。舉例而言，該時間段可為自約1小時至約24小時，包括約1小時、約4小時、約6小時、約8小時、約12小時、約16小時、約20小時、約24小時，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在一些實施例中，該特定量之時間可為例如約5小時。在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，預期其他時間段。如自第一主表面及第二主表面中之一者(例如，不含有第一抗蝕塗層之表面)量測之自基板移除之材料的量不受本揭示內容限制且可為任一材料量。舉例而言，可移除自約1微米至約20微米之材料，包括約1微米、約5微米、約10微米、約15微米、約20微米，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在一些實施例中，經移除之特定量之玻璃基基板可為如自第一主表面及第二主表面中之一者(例如，不含有抗蝕塗層之表面)量測之約4.5微米之材料。
在步驟1090處，可沖洗掉玻璃基基板之蝕刻劑材料。在一些實施例中，可用去離子水沖洗玻璃基基板。
在步驟1095處，可自玻璃基基板移除第二抗蝕塗層。可藉由用於移除犧牲塗層之任何適合的方法完成移除，且不受本揭示內容限制。所得之基板可包括例如具有如下各項之通孔：在第一主表面處約150微米之直徑；在第二主表面處約45微米之直徑；在距第一主表面約75微米之位置處約20微米之腰直徑；在自第一主表面至與第二錐形區之交點約200微米之長度上方具有約30:1錐體之第一錐形區；在自與第一錐形區之交點至與第三錐形區之交點約175微米之長度上方具有約3:1錐體之第二錐形區；以及在自與第二錐形區之交點至中點約125微米之長度上方具有約30:1錐體之第三錐形區。另外，第四錐形區可自中點朝向第二主表面延伸且可針對約100微米之長度具有約3:1錐體。自第一主表面至第二主表面之總距離可為約300微米。
應理解，可針對通孔中之後續錐形區重複關於第10圖描述之多個製程。舉例而言，可根據需要重複步驟1005至1015、步驟1025至1035、步驟1040至1045、步驟1050至1070及/或步驟1080至1095之各種組合。
實例5描繪經由關於第10圖描述之各個製程形成之說明性通孔： 實例5
可用以下步驟形成具有不對稱分段變化之側壁錐體的穿玻璃通孔(through-glass-via)： • 起初使用1064 nm微微秒雷射在0.75 mm厚、150 mm直徑玻璃基晶圓中形成破壞跡線。此能量密度沿著雷射之整個軸高於玻璃基晶圓之破壞臨限值。 • 用PTFE帶屏蔽玻璃基晶圓之B側。抵靠基板之邊緣按壓O型環以將帶之邊緣密封至表面。 • 接著將玻璃基晶圓浸於85℃之6M氫氧化鈉浴液中10小時(移除約8.5微米)。此製程具有約30之蝕刻速率。 • 接著用0.5M HCl沖洗該等晶圓10分鐘，且用DI水沖洗該等晶圓10分鐘。 • 將晶圓置於9.8% (w/w)氫氟酸水溶液之滯流浴液中19分鐘(移除約58微米)。此製程具有約3 (例如，2.8至3.2)之蝕刻速率。 • 接著用0.5M HCl沖洗該等晶圓10分鐘，且用DI水沖洗該等晶圓10分鐘。 • 自B側移除遮罩。用PTFE帶屏蔽玻璃基晶圓之A側。抵靠基板之邊緣按壓O型環以將帶之邊緣密封至表面。 • 將晶圓置於9.8% (w/w)氫氟酸水溶液之滯流浴液中17分鐘(移除約52微米)。此製程具有約3 (例如，2.8至3.2)之蝕刻速率。 • 接著用0.5M HCl沖洗該等晶圓10分鐘，且用DI水沖洗該等晶圓10分鐘。 • 接著將晶圓以6.4 mm之間距置於製程載體中。接著將製程載體浸於85℃之6M氫氧化鈉浴液中5小時(移除約4.5微米)。此製程具有約30之蝕刻速率。 • 接著自鹼浴液移除晶圓，且用大量DI水沖洗該等晶圓。 • 自A側移除遮罩。 • 此致使基板中開出如下通孔：在A側上150微米之入口直徑；在B側上45微米之入口直徑；在z=-75微米處20微米之腰直徑；針對距A側上之表面第一200微米深之30:1錐體；繼之以針對另一175微米之3:1錐體；繼之以針對125微米之30:1錐體開口；繼之在玻璃之相對面針對100微米之3:1錐體開口。如第11圖中所描繪，最終玻璃厚度係600微米。
可使用本文中關於第12圖描述之方法形成具有內壁中連續變化之錐體之不對稱穿玻璃通孔，如例如第3E圖中所示。
仍參考第12圖，在步驟1205處，可提供平面玻璃基基板。如本文中所描述，玻璃基基板通常可為適於產生穿過其之通孔的玻璃基基板。在特定實例中，玻璃基基板可為0.56 mm厚、150 mm直徑晶圓。
在步驟1210處，可在玻璃基基板上形成一或多條破壞跡線，如上文關於第5A圖之步驟510更詳細地描述。在步驟1215處，將第一抗蝕塗層(例如，犧牲塗層)塗覆於玻璃基基板之第一側(例如，第一表面)，諸如先前在上文關於第10圖之步驟1015所描述之抗蝕塗層。
在步驟1220處，玻璃基基板暴露於蝕刻劑，例如蝕刻劑浴液(例如，第一蝕刻劑浴液)。在其他實施例中，可經由任何習知方式包括但不限於噴灑蝕刻劑或塗覆蝕刻劑膏，達成暴露於蝕刻劑。第一蝕刻劑可例如為酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。在特定實施例中，第一蝕刻劑可為12M NaOH溶液。然而，亦可在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，使用現在已知或稍後開發之其他蝕刻劑。
起初可將蝕刻劑(例如，蝕刻劑浴液)置於特定溫度下，且可在步驟1225處在一時間段內調節該溫度，如上文關於第7圖之步驟720更詳細地描述。蝕刻劑溫度不受本揭示內容限制，且通常可為任何溫度，特定地，理解為適合於本文中描述之蝕刻製程之溫度。舉例而言，蝕刻劑溫度可為自約95℃至約130℃，包括約95℃、約100℃、約110℃、約120℃、約130℃，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。蝕刻劑之溫度可影響反應時間。在特定實施例中，蝕刻劑起初可設定為120℃且在16.5小時時段內線性地增加至130℃。在一些實施例中，可在步驟1230處，調節浴液中之酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑之濃度，如上文關於第7圖之步驟725更詳細地描述。在一些實施例中，可在步驟1235處，調整施加於浴液上之攪拌程度，如上文關於第7圖之步驟730更詳細地描述。
可在步驟1240處，自浴液移除玻璃基基板，且可在步驟1245處，沖洗掉玻璃基基板之蝕刻劑材料。在一些實施例中，可用含有鹽酸(HCl)之溶液及/或去離子水沖洗玻璃基基板。在特定實施例中，可用0.5M HCl溶液沖洗玻璃基基板10分鐘，且隨後用去離子水沖洗10分鐘。
在步驟1250處，可自玻璃基基板移除第一抗蝕塗層。可藉由用於移除犧牲塗層之任何適合的方法完成移除，且不受本揭示內容限制。在步驟1255處，將第二抗蝕塗層(例如，犧牲塗層)塗覆於基板之第二側，如上文關於第10圖之步驟1055更詳細地描述。
在步驟1260處，玻璃基基板暴露於另一蝕刻劑，例如蝕刻劑浴液(例如，第二蝕刻劑浴液)，且以特定蝕刻速率蝕刻該玻璃基基板，以便獲得具有不對稱輪廓之通孔，如本文中更詳細地描述。第二蝕刻劑可為例如酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。第二蝕刻劑通常可具有不同於第一蝕刻劑之濃度。舉例而言，如上所述之第一蝕刻劑與第二蝕刻劑相比可具有更大酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑濃度(起初或最終)。在其他實施例中，第一蝕刻劑與第二蝕刻劑相比可具有較低酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑濃度(起初或最終)。蝕刻劑之濃度不受本揭示內容限制，且可含有任何濃度。舉例而言，該濃度可為自約0.5% (w/w)至約20% (w/w)氫氟酸水溶液，包括約0.5% (w/w)、約1% (w/w)、約5% (w/w)、約10% (w/w)、約15% (w/w)、約20% (w/w)，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在一些實施例中，第二蝕刻劑可為約9.8% (w/w)氫氟酸水溶液之滯流浴液。然而，亦可在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，使用現在已知或稍後開發之其他蝕刻劑。第二蝕刻速率類似地不受本揭示內容限制，且可為任何蝕刻速率。在一些實施例中，第二蝕刻速率可為約1微米/分鐘至約5微米/分鐘，包括約1微米/分鐘、約2微米/分鐘、約3微米/分鐘、約4微米/分鐘、約5微米/分鐘，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在特定實施例中，第二蝕刻速率可為約3微米/分鐘。
在已過去一時間段之後及/或在已移除特定量之玻璃基基板之後，可在步驟1265處，自蝕刻劑(例如，蝕刻劑浴液)移除玻璃基基板。該時間段不受本揭示內容限制，且通常可為任何時間段。舉例而言，該時間段可自約5分鐘至約60分鐘，包括約5分鐘、約10分鐘、約20分鐘、約30分鐘、約40分鐘、約50分鐘、約60分鐘，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在一些實施例中，特定量之時間可為例如約44分鐘。在不脫離本揭示內容之範疇之情況下，預期其他時間段。如自第一主表面及第二主表面中之一者(例如，不含有第二抗蝕塗層之表面)量測之自基板移除之材料的量不受本揭示內容限制且可為任一材料量。舉例而言，可移除自約10微米至約100微米之材料，包括約10微米、約20微米、約30微米、約40微米、約50微米、約60微米、約70微米、約80微米、約90微米、約100微米，或介於此等值中之任兩者之間的任何值或範圍(包括端點)。在一些實施例中，經移除之特定量之玻璃基基板可為如自第一主表面及第二主表面中之一者(例如，不含有第二抗蝕塗層之表面)量測之約51微米之材料。
在步驟1270處，移除玻璃基基板，且可沖洗玻璃基基板。在一些實施例中，可用含有去離子水之溶液沖洗玻璃基基板。
在步驟1275處，可自玻璃基基板移除第二抗蝕塗層。可藉由用於移除犧牲塗層之任何適合的方法完成移除，且不受本揭示內容限制。所得之基板可包括例如具有如下各項之通孔：在第一主表面處約48微米之直徑；在第二主表面處約109微米之直徑；約20微米之腰直徑；以及自第一主表面延伸約357微米之連續變化之輪廓及自第二主表面延伸124微米之3:1錐體。自第一主表面至第二主表面之總距離可為約490微米。
實例6描繪經由關於第12圖描述之各個製程形成之說明性通孔： 實例6
可用以下步驟形成具有不對稱性連續變化之側壁錐體的穿玻璃通孔： • 起初使用1064 nm微微秒雷射在0.56mm厚、150 mm直徑玻璃基晶圓中形成破壞跡線。此能量密度沿著雷射之整個軸高於玻璃基晶圓之破壞臨限值。 • 用PTFE帶屏蔽玻璃基晶圓之A側。抵靠基板之邊緣按壓O型環以將帶之邊緣密封至表面。 • 將晶圓置於12M氫氧化鈉水溶液之滯流浴液中。將溫度起初設定為120℃，但在16.5小時內線性增加至130℃。 • 接著用0.5M HCl沖洗該等晶圓10分鐘，且用DI水沖洗該等晶圓10分鐘。 • 接著自A側移除遮罩，且將類似遮罩應用於B側。 • 將晶圓置於9.8% (w/w)氫氟酸水溶液之滯流浴液中44分鐘(移除約51微米)。此製程具有約3 (例如，2.8至3.2)之蝕刻速率。 • 接著自鹼浴液移除晶圓，且用大量DI水沖洗該等晶圓。 • 此致使基板中開出如下通孔：在A側上48微米之入口直徑；在B側上109微米之入口直徑；20微米之腰直徑；如下所示自A側延伸357微米之連續變化之輪廓；以及自B側延伸124微米深提供之3:1錐體。如第13圖中所描繪，基板係 490微米厚。
現在應理解，本文中描述之實施例大體係關於包括形成於其中之一或多個通孔之玻璃基基板，該一或多個通孔具有圍繞平行於玻璃基基板之兩個主表面之平面對稱或不對稱之剖面，以及具有複數個錐形區之內壁。複數個錐形區中之每一者之斜率係連續的的且不同於彼此。
實施例1.一種製品，其包含：玻璃基基板，其包含第一主表面、與該第一主表面間隔一距離之第二主表面，以及自該第一主表面至該第二主表面延伸穿過該基板之錐形穿通孔，該錐形穿通孔包含：剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之平面對稱；及內壁，其包含定位於該第一主表面與該平面之間的第一錐形區及第二錐形區，其中：該第一錐形區之斜率係恆定的，該第二錐形區之斜率係恆定的，且該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率。
實施例2.一種製品，其包含：玻璃基基板，其包含第一主表面、與該第一主表面間隔一距離之第二主表面，以及自該第一主表面朝向該第二主表面延伸穿過該基板之錐形通孔，該錐形通孔包含：剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之平面不對稱；及內壁，其包含定位於該第一主表面與該平面之間的第一錐形區及第二錐形區，其中：該第一錐形區之斜率係恆定的，該第二錐形區之斜率係恆定的，且該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率。
實施例3.如前述實施例中任一項所述之製品，其中：該第一錐形區之該斜率包含自3:1至100:1之高度對長度比；及該第二錐形區之該斜率包含自3:1至100:1之高度對長度比。
實施例4.如前述實施例中任一項所述之製品，其中第一錐形區自第一主表面朝向第二主表面延伸15微米至360微米之距離。
實施例5.如前述實施例中任一項所述之製品，其中該第二錐形區自與第一錐形區之交點朝向第二主表面延伸35微米至175微米之距離。
實施例6.如實施例1至4所述之製品，其中第二錐形區自第二主表面朝向第一主表面延伸35微米至175微米之距離。
實施例7.如前述實施例中任一項所述之製品，其中錐形通孔在第一主表面之直徑係自10微米至250微米。
實施例8.如前述實施例中任一項所述之製品，其中錐形通孔在該平面處之直徑係自5微米至200微米。
實施例9.如前述實施例中任一項所述之製品，其進一步包含該第一錐形區與該第二錐形區之間的轉變區域，其中該轉變區域包含自該第一錐形區之該斜率轉變為該第二錐形區之該斜率之區域，使得自該內壁之切線之斜率改變至少0.57度。
實施例10.如實施例9所述之製品，其中該轉變區域係點或延伸區。
實施例11.如前述實施例中任一項所述之製品，其中第一主表面與第二主表面之間的距離在自25微米至3000微米之範圍內。
實施例12.如前述實施例中任一項所述之製品，其中：該內壁進一步包含第三錐形區；及該第三錐形區之斜率不同於第一錐形區之斜率及第二錐形區之斜率中之至少一者。
實施例13.如前述實施例中任一項所述之製品，其中該玻璃基基板經化學強化。
實施例14.如前述實施例中任一項所述之製品，其中該玻璃基基板包含層合物。
實施例15.如前述實施例中任一項所述之製品，其中該錐形通孔填充有導電材料。
實施例16.如實施例2至15中任一項所述之製品，其中該錐形通孔包含穿通孔。
實施例17.如實施例2至15中任一項所述之製品，其中該錐形通孔包含盲孔。
實施例18.一種半導體封裝包含：玻璃基基板，其包含第一主表面、與該第一主表面間隔一距離之第二主表面，以及自該第一主表面至該第二主表面延伸穿過該基板之錐形穿通孔，該錐形通孔包含：剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之平面對稱；及內壁，其包含定位於該第一主表面與該平面之間的第一錐形區及第二錐形區，其中：該第一錐形區之斜率係恆定的，該第二錐形區之斜率係恆定的，且該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率；導電材料，其安置於該錐形穿通孔內；及半導體裝置，其電耦接至安置於該錐形穿通孔內之該導電材料。
實施例19.一種半導體封裝包含：玻璃基基板，其包含第一主表面、與該第一主表面間隔一距離之第二主表面，以及自該第一主表面朝向該第二主表面延伸穿過該基板之錐形通孔，該錐形通孔包含：剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之平面不對稱；及內壁，其包含定位於該第一主表面與該平面之間的第一錐形區及第二錐形區，其中：該第一錐形區之斜率係恆定的，該第二錐形區之斜率係恆定的，且該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率；導電材料，其安置於該錐形通孔內；及半導體裝置，其電耦接至安置於該錐形通孔內之該導電材料。
實施例20.一種形成包含至少一個通孔之玻璃基基板之方法，該方法包含以下步驟：用第一蝕刻劑以第一蝕刻速率蝕刻具有至少一條破壞跡線之玻璃基製品；及用第二蝕刻劑以第二蝕刻速率蝕刻該玻璃基製品以形成包含至少一個通孔之玻璃基基板，其中該第二蝕刻劑包含不同於第一蝕刻劑之濃度之蝕刻劑濃度，其中該至少一個通孔包含具有第一恆定斜率之第一錐形區及具有第二恆定斜率之第二錐形區，該第一恆定斜率與該第二恆定斜率不相等。
實施例21.如實施例20所述之方法，其中該第一蝕刻劑包含與第二蝕刻劑相比更大之酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑濃度。
實施例22.如實施例20或21所述之方法，其中該第一蝕刻劑包含與第二蝕刻劑相比較低之酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑濃度。
實施例23.如實施例22所述之方法，其中該第一蝕刻劑與該第二蝕刻劑各自包含酸蝕刻劑或鹼蝕刻劑。
實施例24.如實施例20至23中任一項所述之方法，其中第一蝕刻速率大於第二蝕刻速率。
實施例25.如實施例20至23中任一項所述之方法，其中第一蝕刻速率小於第二蝕刻速率。
實施例26.如實施例20至25中任一項所述之方法，其進一步包含形成至少一條破壞跡線，其中遞送至平面玻璃基製品之能量沿著玻璃基製品之整個寬度高於破壞臨限值。
實施例27.如實施例26所述之方法，其中形成該至少一條破壞跡線包含形成一破壞跡線，以使得遞送至玻璃基製品之能量沿著玻璃基製品之第一側高於破壞臨限值且沿著玻璃基製品之第二側低於破壞臨限值。
實施例28.如實施例20至27中任一項所述之方法，其進一步包含以下步驟：在用第一蝕刻劑蝕刻玻璃基製品之前，將第一抗蝕塗層塗覆至玻璃基製品之第一側；在用第二蝕刻劑蝕刻玻璃基製品之後，自玻璃基製品之第一側移除第一抗蝕塗層；將第二抗蝕塗層塗覆至玻璃基製品之第二側；用第三蝕刻劑浴液蝕刻玻璃基製品，其中具有塗敷於玻璃基製品之第二側之第二抗蝕塗層；及自平面玻璃基製品之第二側移除第二抗蝕塗層。
實施例29.如實施例20至28中任一項所述之方法，其進一步包含：用第三蝕刻劑蝕刻平面玻璃基製品，以形成包含至少一個通孔之玻璃基基板。
實施例30.如實施例20至29中任一項所述之方法，其進一步包含調整第一蝕刻劑及第二蝕刻劑中之至少一者之溫度、蝕刻劑濃度及攪拌程度中之至少一者。
實施例31.如實施例20至30中任一項所述之方法，其中至少一個通孔中之每一者包含穿通孔或盲孔。
實施例32.如實施例20至31中任一項所述之方法，其中至少一個通孔包含圍繞位於玻璃基基板之第一主表面與第二主表面之間且與第一主表面及第二主表面等距之平面對稱的剖面。
實施例33.如實施例20至32中任一項所述之方法，其中至少一個通孔包含圍繞位於玻璃基基板之第一主表面與第二主表面之間且與第一主表面及第二主表面等距之平面不對稱的剖面。
實施例34.一種形成包含至少一個穿通孔之玻璃基基板之方法，該方法包含以下步驟：用蝕刻劑蝕刻具有至少一條破壞跡線之玻璃基製品；及調整蝕刻劑之溫度、濃度及攪拌程度中之至少一者，以形成包含至少一個穿通孔之玻璃基基板，使得該至少一個穿通孔包含連續變化之側壁錐體以及圍繞位於玻璃基基板之第一主表面與第二主表面之間且與第一主表面及第二主表面等距之平面對稱的剖面。
實施例35.一種形成包含至少一個盲孔之玻璃基基板之方法，該方法包含以下步驟：用蝕刻劑蝕刻具有至少一條破壞跡線之玻璃基製品；及調整蝕刻劑之溫度、濃度及攪拌程度中之至少一者，以形成包含至少一個盲孔之玻璃基基板，使得該至少一個盲孔包含連續變化之側壁錐體。
可在不脫離所主張之標的物之精神及範疇之情況下，做出對本文中描述之實施例之各種修改及變化對於熟習此項技術者將係顯而易見的。因此，說明書意欲涵蓋本文中描述之各種實施例之修改及變化，假設此類修改及變化落在隨附申請專利範圍及其等效物之範疇內。
10‧‧‧半導體封裝
15‧‧‧製品
20‧‧‧導電材料
25‧‧‧半導體裝置
30‧‧‧凸塊
100‧‧‧基板
110‧‧‧第一主表面
112‧‧‧第二主表面
120‧‧‧通孔
120’‧‧‧通孔
122‧‧‧內壁
124‧‧‧第一錐形區
126‧‧‧第二錐形區
128‧‧‧第三錐形區
130‧‧‧第一部分
140‧‧‧第二部分
150‧‧‧特定點
155‧‧‧切線
505~545‧‧‧步驟
705~740‧‧‧步驟
1005~1095‧‧‧步驟
1205~1275‧‧‧步驟
1400‧‧‧影像
1405‧‧‧輪廓
1410‧‧‧關注區
1415‧‧‧追蹤線
C‧‧‧中點
D‧‧‧開口直徑
D1‧‧‧第一直徑
D2‧‧‧第二直徑
R‧‧‧開口半徑
Z‧‧‧間距
T‧‧‧厚度/平均厚度
P‧‧‧平面
W‧‧‧腰直徑
圖式中闡述之實施例在性質上係說明性及例示性的，且不意欲限制申請專利範圍界定之標的物。當結合以下圖式閱讀時，可理解對說明性實施例之以下詳細描述，在圖式中用類似元件符號指示類似結構，且在圖式中：
第1圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的包括玻璃插入體的說明性半導體總成；
第2A圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的經組態為其中具有通孔之晶圓的說明性製品；
第2B圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的其中具有通孔之說明性晶圓之部分的俯視圖；
第3A圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的說明性通孔幾何結構之剖面側視圖；
第3B圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的第3A圖之通孔之內壁的兩個錐形區之間的斜率改變之詳細視圖；
第3C圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的另一說明性通孔幾何結構之剖面側視圖；
第3D圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的又一通孔幾何結構之剖面側視圖；
第3E圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的又一通孔幾何結構之剖面側視圖；
第3F圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的又一通孔幾何結構之剖面側視圖；
第3G圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的具有特定通孔幾何結構之說明性錐形通孔之剖面側視圖；
第4圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的說明性錐體之部分之剖面側視圖，其指示該部分之內壁之多個錐形區之長度；
第5A圖描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的形成玻璃製品之說明性方法之流程圖；
第5B圖示意性地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的經歷複數個蝕刻製程之說明性錐形通孔之剖面側視圖；
第6圖圖解地描繪說明性通孔半徑對比距由關於第5A圖描述之製程形成之玻璃製品的表面之深度；
第7圖描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的形成玻璃製品之另一說明性方法之流程圖；
第8圖圖解地描繪說明性通孔半徑對比由關於第7圖描述之製程形成之玻璃製品中之一者的軸向位置；
第9圖圖解地描繪另一說明性通孔半徑對比由關於第7圖描述之製程形成之玻璃製品中之另一者的軸向位置；
第10圖描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的形成玻璃製品之又一說明性方法之流程圖；
第11圖圖解地描繪說明性通孔輪廓對比由關於第10圖描述之製程形成之玻璃製品中之一者的軸向位置；
第12圖描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的形成玻璃製品之又一說明性方法之流程圖；
第13圖圖解地描繪說明性通孔半徑對比由關於第12圖描述之製程形成之玻璃製品中之一者的軸向位置；
第14A圖描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的說明性錐形通孔之剖視圖之影像；
第14B圖示意性地描繪第14A圖中描繪之說明性錐形通孔之內壁的電腦輔助追蹤；
第15A圖圖解地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的藉由電腦程式判定之第14A圖中描繪之說明性錐形通孔的複數個錐形區；及
第15B圖圖解地描繪根據本文中示出及描述之一或多個實施例的第15A圖中描繪之圖表之說明性擬合殘差的絕對值。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (10)

  1. 一種製品，其包含： 一玻璃基基板，其包含一第一主表面、與該第一主表面間隔一距離且平行於該第一主表面之一第二主表面，以及自該第一主表面朝向該第二主表面延伸穿過該基板之一錐形通孔，該錐形通孔包含：一剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之一平面對稱；及一內壁，其包含定位於該第一主表面與該平面之間的一第一錐形區及一第二錐形區，其中：該第一錐形區之一斜率係恆定的，該第二錐形區之一斜率係恆定的，及該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率。
  2. 一種製品，其包含： 一玻璃基基板，其包含一第一主表面、與該第一主表面間隔一距離且平行於該第一主表面之一第二主表面，以及自該第一主表面朝向該第二主表面延伸穿過該基板之一錐形通孔，該錐形通孔包含：一剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之一平面不對稱；及一內壁，其包含定位於該第一主表面與該平面之間的一第一錐形區及一第二錐形區，其中：該第一錐形區之一斜率係恆定的，該第二錐形區之一斜率係恆定的，及該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率。
  3. 如請求項1或2所述之製品，其中： 該第一錐形區之該斜率包含自3:1至100:1之一高度對長度比；及其中該第二錐形區之該斜率包含自3:1至100:1之一高度對長度比。
  4. 如請求項1或2所述之製品，其進一步包含該第一錐形區與該第二錐形區之間的一轉變區域，其中該轉變區域包含自該第一錐形區之該斜率轉變為該第二錐形區之該斜率之一區域，使得自該內壁之切線之一斜率改變至少5度。
  5. 如請求項3所述之製品，其中該轉變區域係一點或一延伸區。
  6. 如請求項1或2所述之製品，其中： 該內壁進一步包含一第三錐形區；及該第三錐形區之一斜率不同於該第一錐形區之該斜率及該第二錐形區之該斜率中之至少一者。
  7. 如請求項1或2所述之製品，其中該錐形通孔填充有導電材料。
  8. 一種半導體封裝，其包含： 一玻璃基基板，其包含一第一主表面、與該第一主表面間隔一距離且平行於該第一主表面之一第二主表面，以及自該第一主表面朝向該第二主表面延伸穿過該基板之一錐形通孔，該錐形通孔包含：一剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之一平面對稱；及一內壁，其包含定位於該第一主表面與該平面之間的一第一錐形區及一第二錐形區，其中：該第一錐形區之一斜率係恆定的，該第二錐形區之一斜率係恆定的，及該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率，一導電材料，其安置於該錐形通孔內；及一半導體裝置，其電耦接至安置於該錐形通孔內之該導電材料。
  9. 一種半導體封裝，其包含： 一玻璃基基板，其包含一第一主表面、與該第一主表面間隔一距離且平行於該第一主表面之一第二主表面，以及自該第一主表面朝向該第二主表面延伸穿過該基板之一錐形通孔，該錐形通孔包含：一剖面，其圍繞位於該玻璃基基板之該第一主表面與該第二主表面之間且與該第一主表面及該第二主表面等距之一平面不對稱；及一內壁，其包含定位於該第一主表面與該平面之間的一第一錐形區及一第二錐形區，其中：該第一錐形區之一斜率係恆定的，該第二錐形區之一斜率係恆定的，及該第一錐形區之該斜率不等於該第二錐形區之該斜率，一導電材料，其安置於該錐形通孔內；及一半導體裝置，其電耦接至安置於該錐形通孔內之該導電材料。
  10. 如請求項8或9所述之半導體封裝，其中： 該第一錐形區之該斜率包含自3:1至100:1之一高度對長度比；及其中該第二錐形區之該斜率包含自3:1至100:1之一高度對長度比。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI841466B (zh) * 2023-04-13 2024-05-01 南亞科技股份有限公司 互連結構及其製備方法

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) * 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
TWI785052B (zh) * 2017-06-01 2022-12-01 美商康寧公司 包括穿透孔洞貫孔的組件基板及其製作方法
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
US11152294B2 (en) 2018-04-09 2021-10-19 Corning Incorporated Hermetic metallized via with improved reliability
US11344972B2 (en) * 2019-02-11 2022-05-31 Corning Incorporated Laser processing of workpieces
KR20210127188A (ko) 2019-02-21 2021-10-21 코닝 인코포레이티드 구리-금속화된 쓰루 홀을 갖는 유리 또는 유리 세라믹 물품 및 이를 제조하기 위한 공정
KR102564761B1 (ko) * 2019-03-07 2023-08-07 앱솔릭스 인코포레이티드 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
EP3916772A4 (en) 2019-03-12 2023-04-05 Absolics Inc. PACKAGING SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH IT
CN113424304B (zh) 2019-03-12 2024-04-12 爱玻索立克公司 装载盒及对象基板的装载方法
CN113853359A (zh) * 2019-05-14 2021-12-28 肖特玻璃科技(苏州)有限公司 具有高弯曲强度的薄玻璃基板及其制备方法
JP7104245B2 (ja) 2019-08-23 2022-07-20 アブソリックス インコーポレイテッド パッケージング基板及びこれを含む半導体装置
WO2021092376A1 (en) 2019-11-08 2021-05-14 Mosaic Microsystems Llc Processed inorganic wafer and processing wafer stack with abrasive process
WO2021092361A1 (en) * 2019-11-08 2021-05-14 Mosaic Microsystems Llc Facilitating formation of a via in a substrate
KR20210143997A (ko) * 2020-05-21 2021-11-30 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
WO2022075068A1 (ja) * 2020-10-06 2022-04-14 日本電気硝子株式会社 貫通孔を有するガラス基板
CN112192325B (zh) * 2020-10-09 2022-04-15 北京理工大学 飞秒激光在透明硬脆材料上加工微纳米尺度通孔的方法
EP3984970A1 (en) 2020-10-14 2022-04-20 Schott Ag Method for processing glass by alkaline etching
EP4011846A1 (en) * 2020-12-09 2022-06-15 Schott Ag Method of structuring a glass element and structured glass element produced thereby
KR102557965B1 (ko) * 2021-01-21 2023-07-20 주식회사 야스 홀(Hole)을 구비한 유리기판 검사시스템
US11764127B2 (en) * 2021-02-26 2023-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP7521565B2 (ja) 2022-09-30 2024-07-24 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 ガラス基板、多層配線基板、およびガラス基板の製造方法
KR102518456B1 (ko) * 2022-10-11 2023-04-06 주식회사 중우나라 유리패널 가공방법
CN118368814A (zh) * 2024-06-19 2024-07-19 淄博芯材集成电路有限责任公司 一种玻璃基板x型通孔制作方法

Family Cites Families (788)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1790397A (en) 1931-01-27 Glass workins machine
US108387A (en) 1870-10-18 Improvement in machines for making rope
US208387A (en) 1878-09-24 Improvement in stocking-supporters
US237571A (en) 1881-02-08 messier
US2237571A (en) 1939-10-09 1941-04-08 Frederick M Bowers Weld probing apparatus
US2682134A (en) 1951-08-17 1954-06-29 Corning Glass Works Glass sheet containing translucent linear strips
US2749794A (en) 1953-04-24 1956-06-12 Corning Glass Works Illuminating glassware and method of making it
GB1242172A (en) 1968-02-23 1971-08-11 Ford Motor Co A process for chemically cutting glass
US3647410A (en) 1969-09-09 1972-03-07 Owens Illinois Inc Glass ribbon machine blow head mechanism
US3775084A (en) 1970-01-02 1973-11-27 Owens Illinois Inc Pressurizer apparatus for glass ribbon machine
US3729302A (en) 1970-01-02 1973-04-24 Owens Illinois Inc Removal of glass article from ribbon forming machine by vibrating force
US3695497A (en) 1970-08-26 1972-10-03 Ppg Industries Inc Method of severing glass
US3695498A (en) 1970-08-26 1972-10-03 Ppg Industries Inc Non-contact thermal cutting
US3713921A (en) 1971-04-01 1973-01-30 Gen Electric Geometry control of etched nuclear particle tracks
JPS5417765B1 (zh) 1971-04-26 1979-07-03
DE2231330A1 (de) 1972-06-27 1974-01-10 Agfa Gevaert Ag Verfahren und vorrichtung zur erzeugung eines scharfen fokus
DE2757890C2 (de) 1977-12-24 1981-10-15 Fa. Karl Lutz, 6980 Wertheim Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Behältnissen aus Röhrenglas, insbesondere Ampullen
JPS55130839A (en) 1979-03-29 1980-10-11 Asahi Glass Co Ltd Uniform etching method of article
US4395271A (en) 1979-04-13 1983-07-26 Corning Glass Works Method for making porous magnetic glass and crystal-containing structures
JPS56129261A (en) 1980-03-17 1981-10-09 Hitachi Ltd Thin film-forming coating liquid composition
JPS56160893A (en) 1980-05-16 1981-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Absorbing film for laser work
US4441008A (en) 1981-09-14 1984-04-03 Ford Motor Company Method of drilling ultrafine channels through glass
US4507384A (en) 1983-04-18 1985-03-26 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Pattern forming material and method for forming pattern therewith
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
JPS60220340A (ja) 1984-04-17 1985-11-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 感光性樹脂組成物及びパタ−ン形成方法
US4646308A (en) 1985-09-30 1987-02-24 Spectra-Physics, Inc. Synchronously pumped dye laser using ultrashort pump pulses
AT384802B (de) 1986-05-28 1988-01-11 Avl Verbrennungskraft Messtech Verfahren zur herstellung von traegermaterialien fuer optische sensoren
US4749400A (en) 1986-12-12 1988-06-07 Ppg Industries, Inc. Discrete glass sheet cutting
DE3789858T2 (de) 1986-12-18 1994-09-01 Nippon Sheet Glass Co Ltd Platten für Lichtkontrolle.
JP2691543B2 (ja) 1986-12-18 1997-12-17 住友化学工業株式会社 光制御板およびその製造方法
JPS63203775A (ja) 1987-02-19 1988-08-23 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 基板のメツキ処理方法
WO1989002877A1 (en) 1987-10-01 1989-04-06 Asahi Glass Company Ltd. Alkali free glass
US4918751A (en) 1987-10-05 1990-04-17 The University Of Rochester Method for optical pulse transmission through optical fibers which increases the pulse power handling capacity of the fibers
IL84255A (en) 1987-10-23 1993-02-21 Galram Technology Ind Ltd Process for removal of post- baked photoresist layer
JPH01179770A (ja) 1988-01-12 1989-07-17 Hiroshima Denki Gakuen 金属とセラミックスとの接合方法
US4764930A (en) 1988-01-27 1988-08-16 Intelligent Surgical Lasers Multiwavelength laser source
US4907586A (en) 1988-03-31 1990-03-13 Intelligent Surgical Lasers Method for reshaping the eye
JPH0258221A (ja) 1988-08-23 1990-02-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素または炭素を主成分とするマスクを用いたエッチング方法
US5089062A (en) 1988-10-14 1992-02-18 Abb Power T&D Company, Inc. Drilling of steel sheet
US4929065A (en) 1988-11-03 1990-05-29 Isotec Partners, Ltd. Glass plate fusion for macro-gradient refractive index materials
US4891054A (en) 1988-12-30 1990-01-02 Ppg Industries, Inc. Method for cutting hot glass
US5166493A (en) 1989-01-10 1992-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method of boring using laser
US4948941A (en) 1989-02-27 1990-08-14 Motorola, Inc. Method of laser drilling a substrate
US5112722A (en) 1989-04-12 1992-05-12 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method of producing light control plate which induces scattering of light at different angles
US5208068A (en) 1989-04-17 1993-05-04 International Business Machines Corporation Lamination method for coating the sidewall or filling a cavity in a substrate
US5104210A (en) 1989-04-24 1992-04-14 Monsanto Company Light control films and method of making
US5035918A (en) 1989-04-26 1991-07-30 Amp Incorporated Non-flammable and strippable plating resist and method of using same
JPH0676269B2 (ja) 1990-02-28 1994-09-28 太陽誘電株式会社 セラミック基板のレーザースクライブ方法
US5040182A (en) 1990-04-24 1991-08-13 Coherent, Inc. Mode-locked laser
WO1993008877A1 (en) 1991-11-06 1993-05-13 Lai Shui T Corneal surgery device and method
US5314522A (en) 1991-11-19 1994-05-24 Seikosha Co., Ltd. Method of processing photosensitive glass with a pulsed laser to form grooves
US5374291A (en) 1991-12-10 1994-12-20 Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology Method of processing photosensitive glass
GB9218482D0 (en) 1992-09-01 1992-10-14 Dixon Arthur E Apparatus and method for scanning laser imaging of macroscopic samples
US5265107A (en) 1992-02-05 1993-11-23 Bell Communications Research, Inc. Broadband absorber having multiple quantum wells of different thicknesses
JPH05323110A (ja) 1992-05-22 1993-12-07 Hitachi Koki Co Ltd 多ビーム発生素子
JPH0679486A (ja) 1992-08-25 1994-03-22 Rohm Co Ltd インクジェットヘッドの加工方法
US6016223A (en) 1992-08-31 2000-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Double bessel beam producing method and apparatus
AU5872994A (en) 1992-12-18 1994-07-19 Firebird Traders Ltd. Process and apparatus for etching an image within a solid article
DE4305764A1 (de) 1993-02-25 1994-09-01 Krupp Foerdertechnik Gmbh Verlegbare Brücke und Einrichtung zum Verlegen der Brücke
JPH06318756A (ja) 1993-05-06 1994-11-15 Toshiba Corp レ−ザ装置
JP3293136B2 (ja) 1993-06-04 2002-06-17 セイコーエプソン株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
CN1096936A (zh) 1993-07-01 1995-01-04 山东矿业学院济南分院 一种劳保饮料及其制造方法
JPH07136162A (ja) 1993-11-17 1995-05-30 Fujitsu Ltd 超音波カプラ
US6489589B1 (en) 1994-02-07 2002-12-03 Board Of Regents, University Of Nebraska-Lincoln Femtosecond laser utilization methods and apparatus and method for producing nanoparticles
US5436925A (en) 1994-03-01 1995-07-25 Hewlett-Packard Company Colliding pulse mode-locked fiber ring laser using a semiconductor saturable absorber
US5400350A (en) 1994-03-31 1995-03-21 Imra America, Inc. Method and apparatus for generating high energy ultrashort pulses
US5778016A (en) 1994-04-01 1998-07-07 Imra America, Inc. Scanning temporal ultrafast delay methods and apparatuses therefor
JP2526806B2 (ja) 1994-04-26 1996-08-21 日本電気株式会社 半導体レ―ザおよびその動作方法
WO1995031023A1 (en) 1994-05-09 1995-11-16 Massachusetts Institute Of Technology Dispersion-compensated laser using prismatic end elements
US5493096A (en) 1994-05-10 1996-02-20 Grumman Aerospace Corporation Thin substrate micro-via interconnect
JP3385442B2 (ja) 1994-05-31 2003-03-10 株式会社ニュークリエイション 検査用光学系および検査装置
US6016324A (en) 1994-08-24 2000-01-18 Jmar Research, Inc. Short pulse laser system
US5434875A (en) 1994-08-24 1995-07-18 Tamar Technology Co. Low cost, high average power, high brightness solid state laser
US5776220A (en) 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5696782A (en) 1995-05-19 1997-12-09 Imra America, Inc. High power fiber chirped pulse amplification systems based on cladding pumped rare-earth doped fibers
US6120131A (en) 1995-08-28 2000-09-19 Lexmark International, Inc. Method of forming an inkjet printhead nozzle structure
JPH09106243A (ja) 1995-10-12 1997-04-22 Dainippon Printing Co Ltd ホログラムの複製方法
US5919607A (en) 1995-10-26 1999-07-06 Brown University Research Foundation Photo-encoded selective etching for glass based microtechnology applications
US5844200A (en) 1996-05-16 1998-12-01 Sendex Medical, Inc. Method for drilling subminiature through holes in a sensor substrate with a laser
JP2873937B2 (ja) 1996-05-24 1999-03-24 工業技術院長 ガラスの光微細加工方法
US5736709A (en) 1996-08-12 1998-04-07 Armco Inc. Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power
US5746884A (en) 1996-08-13 1998-05-05 Advanced Micro Devices, Inc. Fluted via formation for superior metal step coverage
US7353829B1 (en) 1996-10-30 2008-04-08 Provectus Devicetech, Inc. Methods and apparatus for multi-photon photo-activation of therapeutic agents
US5965043A (en) 1996-11-08 1999-10-12 W. L. Gore & Associates, Inc. Method for using ultrasonic treatment in combination with UV-lasers to enable plating of high aspect ratio micro-vias
JP4237827B2 (ja) 1996-11-13 2009-03-11 コーニング インコーポレイテッド 内部にチャンネルが形成されたガラス製品の製造方法
US6140243A (en) 1996-12-12 2000-10-31 Texas Instruments Incorporated Low temperature process for post-etch defluoridation of metals
JP3118203B2 (ja) 1997-03-27 2000-12-18 住友重機械工業株式会社 レーザ加工方法
JP3644187B2 (ja) 1997-04-17 2005-04-27 三菱電機株式会社 遮断器の蓄勢装置
JP3227106B2 (ja) 1997-04-23 2001-11-12 株式会社ミツトヨ 内径測定方法および内径測定装置
US5933230A (en) 1997-04-28 1999-08-03 International Business Machines Corporation Surface inspection tool
US6156030A (en) 1997-06-04 2000-12-05 Y-Beam Technologies, Inc. Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification
JP3957010B2 (ja) 1997-06-04 2007-08-08 日本板硝子株式会社 微細孔を有するガラス基材
BE1011208A4 (fr) 1997-06-11 1999-06-01 Cuvelier Georges Procede de decalottage de pieces en verre.
DE19728766C1 (de) 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
US6078599A (en) 1997-07-22 2000-06-20 Cymer, Inc. Wavelength shift correction technique for a laser
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
AU3908099A (en) 1997-12-05 1999-06-28 Thermolase Corporation Skin enhancement using laser light
US6501578B1 (en) 1997-12-19 2002-12-31 Electric Power Research Institute, Inc. Apparatus and method for line of sight laser communications
JPH11197498A (ja) 1998-01-13 1999-07-27 Japan Science & Technology Corp 無機材料内部の選択的改質方法及び内部が選択的に改質された無機材料
US6272156B1 (en) 1998-01-28 2001-08-07 Coherent, Inc. Apparatus for ultrashort pulse transportation and delivery
JPH11240730A (ja) 1998-02-27 1999-09-07 Nec Kansai Ltd 脆性材料の割断方法
JPH11269683A (ja) 1998-03-18 1999-10-05 Armco Inc 金属表面から酸化物を除去する方法及び装置
US6160835A (en) 1998-03-20 2000-12-12 Rocky Mountain Instrument Co. Hand-held marker with dual output laser
JPH11297703A (ja) 1998-04-15 1999-10-29 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6256328B1 (en) 1998-05-15 2001-07-03 University Of Central Florida Multiwavelength modelocked semiconductor diode laser
US6308055B1 (en) 1998-05-29 2001-10-23 Silicon Laboratories, Inc. Method and apparatus for operating a PLL for synthesizing high-frequency signals for wireless communications
JPH11347758A (ja) 1998-06-10 1999-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 超精密加工装置
JP3410968B2 (ja) 1998-06-22 2003-05-26 株式会社東芝 パターン形成方法および感光性組成物
US20020062563A1 (en) 1998-06-29 2002-05-30 Jun Koide Method for processing discharge port of ink jet head, and method for manufacturing ink jet head
TW419867B (en) 1998-08-26 2001-01-21 Samsung Electronics Co Ltd Laser cutting apparatus and method
US6124214A (en) 1998-08-27 2000-09-26 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for ultrasonic wet etching of silicon
DE19851353C1 (de) 1998-11-06 1999-10-07 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zum Schneiden eines Laminats aus einem sprödbrüchigen Werkstoff und einem Kunststoff
JP3178524B2 (ja) 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
US6319867B1 (en) 1998-11-30 2001-11-20 Corning Incorporated Glasses for flat panel displays
US7649153B2 (en) 1998-12-11 2010-01-19 International Business Machines Corporation Method for minimizing sample damage during the ablation of material using a focused ultrashort pulsed laser beam
US6445491B2 (en) 1999-01-29 2002-09-03 Irma America, Inc. Method and apparatus for optical sectioning and imaging using time-gated parametric image amplification
US6381391B1 (en) 1999-02-19 2002-04-30 The Regents Of The University Of Michigan Method and system for generating a broadband spectral continuum and continuous wave-generating system utilizing same
CN1200793C (zh) 1999-02-25 2005-05-11 精工爱普生株式会社 利用激光加工被加工物的方法
DE19908630A1 (de) 1999-02-27 2000-08-31 Bosch Gmbh Robert Abschirmung gegen Laserstrahlen
JP2001105398A (ja) 1999-03-04 2001-04-17 Seiko Epson Corp 加工方法
JP4218209B2 (ja) 1999-03-05 2009-02-04 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
US6484052B1 (en) 1999-03-30 2002-11-19 The Regents Of The University Of California Optically generated ultrasound for enhanced drug delivery
EP1043110B1 (en) 1999-04-02 2006-08-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laser method for machining through holes in a ceramic green sheet
JP2000302488A (ja) 1999-04-23 2000-10-31 Seiko Epson Corp ガラスの微細穴加工方法
JP2000301372A (ja) 1999-04-23 2000-10-31 Seiko Epson Corp 透明材料のレーザ加工方法
US6338901B1 (en) 1999-05-03 2002-01-15 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6373565B1 (en) 1999-05-27 2002-04-16 Spectra Physics Lasers, Inc. Method and apparatus to detect a flaw in a surface of an article
CN2388062Y (zh) 1999-06-21 2000-07-19 郭广宗 一层有孔一层无孔双层玻璃车船窗
US6449301B1 (en) 1999-06-22 2002-09-10 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for mode locking of external cavity semiconductor lasers with saturable Bragg reflectors
US6259151B1 (en) 1999-07-21 2001-07-10 Intersil Corporation Use of barrier refractive or anti-reflective layer to improve laser trim characteristics of thin film resistors
CN1365500A (zh) 1999-07-29 2002-08-21 康宁股份有限公司 用飞秒脉冲激光在石英基玻璃中直接刻写光学元件
US6573026B1 (en) 1999-07-29 2003-06-03 Corning Incorporated Femtosecond laser writing of glass, including borosilicate, sulfide, and lead glasses
JP2001106545A (ja) 1999-07-30 2001-04-17 Hoya Corp ガラス基板、半導体センサの製造方法および半導体センサ
US6537937B1 (en) 1999-08-03 2003-03-25 Asahi Glass Company, Limited Alkali-free glass
US6391213B1 (en) 1999-09-07 2002-05-21 Komag, Inc. Texturing of a landing zone on glass-based substrates by a chemical etching process
US6344242B1 (en) 1999-09-10 2002-02-05 Mcdonnell Douglas Corporation Sol-gel catalyst for electroless plating
US6234755B1 (en) 1999-10-04 2001-05-22 General Electric Company Method for improving the cooling effectiveness of a gaseous coolant stream, and related articles of manufacture
DE19952331C1 (de) 1999-10-29 2001-08-30 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum schnellen Schneiden eines Werkstücks aus sprödbrüchigem Werkstoff mittels Laserstrahlen
US6479395B1 (en) 1999-11-02 2002-11-12 Alien Technology Corporation Methods for forming openings in a substrate and apparatuses with these openings and methods for creating assemblies with openings
JP2001138083A (ja) 1999-11-18 2001-05-22 Seiko Epson Corp レーザー加工装置及びレーザー照射方法
JP4592855B2 (ja) 1999-12-24 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6339208B1 (en) 2000-01-19 2002-01-15 General Electric Company Method of forming cooling holes
US6552301B2 (en) 2000-01-25 2003-04-22 Peter R. Herman Burst-ultrafast laser machining method
WO2001084127A1 (fr) 2000-04-27 2001-11-08 Seiko Epson Corporation Procede et dispositif pour detecter des matieres etrangeres dans des trous traversants
US7043072B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Seiko Epson Corporation Method for examining foreign matters in through holes
JP2001354439A (ja) 2000-06-12 2001-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガラス基板の加工方法および高周波回路の製作方法
US6420088B1 (en) 2000-06-23 2002-07-16 International Business Machines Corporation Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer
JP3797068B2 (ja) 2000-07-10 2006-07-12 セイコーエプソン株式会社 レーザによる微細加工方法
US6399914B1 (en) 2000-07-10 2002-06-04 Igor Troitski Method and laser system for production of high quality laser-induced damage images by using material processing made before and during image creation
JP3530114B2 (ja) 2000-07-11 2004-05-24 忠弘 大見 単結晶の切断方法
JP2002040330A (ja) 2000-07-25 2002-02-06 Olympus Optical Co Ltd 光学素子切換え制御装置
US6417109B1 (en) 2000-07-26 2002-07-09 Aiwa Co., Ltd. Chemical-mechanical etch (CME) method for patterned etching of a substrate surface
JP4786783B2 (ja) 2000-08-18 2011-10-05 日本板硝子株式会社 ガラス板の切断方法及び記録媒体用ガラス円盤
KR100795714B1 (ko) 2000-08-21 2008-01-21 다우 글로벌 테크놀로지스 인크. 마이크로일렉트로닉 장치의 제조에 있어서 유기 중합체유전체용 하드마스크로서의 유기 규산염 수지
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
KR100673073B1 (ko) 2000-10-21 2007-01-22 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단 방법 및 장치
JP4512786B2 (ja) 2000-11-17 2010-07-28 独立行政法人産業技術総合研究所 ガラス基板の加工方法
US20020110639A1 (en) 2000-11-27 2002-08-15 Donald Bruns Epoxy coating for optical surfaces
US20020082466A1 (en) 2000-12-22 2002-06-27 Jeongho Han Laser surgical system with light source and video scope
JP4880820B2 (ja) 2001-01-19 2012-02-22 株式会社レーザーシステム レーザ支援加工方法
JP2002228818A (ja) 2001-02-05 2002-08-14 Taiyo Yuden Co Ltd レーザー加工用回折光学素子、レーザー加工装置及びレーザー加工方法
KR20020066005A (ko) 2001-02-08 2002-08-14 황선우 인쇄회로기판의 코팅방법
JP2002265233A (ja) 2001-03-05 2002-09-18 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザ加工用母材ガラスおよびレーザ加工用ガラス
CN100443241C (zh) 2001-04-02 2008-12-17 太阳诱电株式会社 利用激光的透光材料的加工方法
JP4092890B2 (ja) 2001-05-31 2008-05-28 株式会社日立製作所 マルチチップモジュール
US6740594B2 (en) 2001-05-31 2004-05-25 Infineon Technologies Ag Method for removing carbon-containing polysilane from a semiconductor without stripping
JP4929538B2 (ja) 2001-06-29 2012-05-09 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
SG108262A1 (en) 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation
US6754429B2 (en) 2001-07-06 2004-06-22 Corning Incorporated Method of making optical fiber devices and devices thereof
WO2003007370A1 (en) 2001-07-12 2003-01-23 Hitachi, Ltd. Wiring glass substrate and method of manufacturing the wiring glass substrate, conductive paste and semiconductor module used for wiring glass substrate, and method of forming wiring substrate and conductor
JP3775250B2 (ja) 2001-07-12 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法及びレーザー加工装置
WO2003011520A1 (en) 2001-08-02 2003-02-13 Skc Co., Ltd. Method for fabricating chemical mechanical polishing pad using laser
KR100820689B1 (ko) 2001-08-10 2008-04-10 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성재료기판의 모따기 방법 및 모따기 장치
JP3795778B2 (ja) 2001-08-24 2006-07-12 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 水添ビスフェノールａ型エポキシ樹脂を用いたレジノイド研削砥石
ATE326558T1 (de) 2001-08-30 2006-06-15 Aktina Ltd Verfahren zur herstellung poröser keramik-metall verbundwerkstoffe und dadurch erhaltene verbundwerkstoffe
WO2006025347A1 (ja) 2004-08-31 2006-03-09 National University Corporation Tohoku University 銅合金及び液晶表示装置
JP2003114400A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ光学システムおよびレーザ加工方法
DE10153310A1 (de) 2001-10-29 2003-05-22 Infineon Technologies Ag Photolithographisches Strukturierungsverfahren mit einer durch ein plasmaunterstützes Abscheideeverfahren hergestellten Kohlenstoff-Hartmaskenschicht diamantartiger Härte
JP2003148931A (ja) 2001-11-16 2003-05-21 Sefa Technology Kk 中空透明体の内径測定方法およびその装置
JP2003154517A (ja) 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
US6720519B2 (en) 2001-11-30 2004-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. System and method of laser drilling
US6973384B2 (en) 2001-12-06 2005-12-06 Bellsouth Intellectual Property Corporation Automated location-intelligent traffic notification service systems and methods
US7357486B2 (en) * 2001-12-20 2008-04-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of laser machining a fluid slot
JP2003197811A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Hitachi Ltd ガラス基板及びその製造方法、並びに配線基板、半導体モジュール
JP3998984B2 (ja) 2002-01-18 2007-10-31 富士通株式会社 回路基板及びその製造方法
JP2003226551A (ja) 2002-02-05 2003-08-12 Nippon Sheet Glass Co Ltd 微細孔を有するガラス板およびその製造方法
JP2003238178A (ja) 2002-02-21 2003-08-27 Toshiba Ceramics Co Ltd ガス導入用シャワープレート及びその製造方法
JP4267240B2 (ja) 2002-02-22 2009-05-27 日本板硝子株式会社 ガラス構造物の製造方法
ES2356817T3 (es) 2002-03-12 2011-04-13 Hamamatsu Photonics K.K. Método de corte de un objeto procesado.
DE10211760A1 (de) 2002-03-14 2003-10-02 Werth Messtechnik Gmbh Anordnung und Verfahren zum Messen von Geometrien bzw. Strukturen von im Wesentlichen zweidimensionalen Objekten mittels Bildverarbeitungssenorik
US6787732B1 (en) 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
US6744009B1 (en) 2002-04-02 2004-06-01 Seagate Technology Llc Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates
CA2428187C (en) 2002-05-08 2012-10-02 National Research Council Of Canada Method of fabricating sub-micron structures in transparent dielectric materials
US6835663B2 (en) 2002-06-28 2004-12-28 Infineon Technologies Ag Hardmask of amorphous carbon-hydrogen (a-C:H) layers with tunable etch resistivity
JP2004086137A (ja) 2002-07-01 2004-03-18 Seiko Epson Corp 光トランシーバ及びその製造方法
US6992030B2 (en) 2002-08-29 2006-01-31 Corning Incorporated Low-density glass for flat panel display substrates
US6737345B1 (en) 2002-09-10 2004-05-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Scheme to define laser fuse in dual damascene CU process
US6822326B2 (en) 2002-09-25 2004-11-23 Ziptronix Wafer bonding hermetic encapsulation
US7106342B2 (en) 2002-09-27 2006-09-12 Lg Electronics Inc. Method of controlling brightness of user-selected area for image display device
US7098117B2 (en) 2002-10-18 2006-08-29 The Regents Of The University Of Michigan Method of fabricating a package with substantially vertical feedthroughs for micromachined or MEMS devices
KR100444588B1 (ko) 2002-11-12 2004-08-16 삼성전자주식회사 글래스 웨이퍼의 비아홀 형성방법
GB2395157B (en) 2002-11-15 2005-09-07 Rolls Royce Plc Laser driliing shaped holes
JP3997150B2 (ja) 2002-12-06 2007-10-24 ソニー株式会社 基板製造装置および製造方法
US7880117B2 (en) 2002-12-24 2011-02-01 Panasonic Corporation Method and apparatus of drilling high density submicron cavities using parallel laser beams
JP2004209675A (ja) 2002-12-26 2004-07-29 Kashifuji:Kk 押圧切断装置及び押圧切断方法
KR100497820B1 (ko) 2003-01-06 2005-07-01 로체 시스템즈(주) 유리판절단장치
JP3775410B2 (ja) 2003-02-03 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法、レーザー溶接方法並びにレーザー加工装置
KR100512971B1 (ko) 2003-02-24 2005-09-07 삼성전자주식회사 솔더볼을 이용한 마이크로 전자 기계 시스템의 제조 방법
JP4346606B2 (ja) 2003-03-03 2009-10-21 日本板硝子株式会社 凹凸のある表面を有する物品の製造方法
US7407889B2 (en) 2003-03-03 2008-08-05 Nippon Sheet Glass Company, Limited Method of manufacturing article having uneven surface
JP2004272014A (ja) 2003-03-10 2004-09-30 Seiko Epson Corp 光通信モジュールの製造方法、光通信モジュール、及び電子機器
DE60315515T2 (de) 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
JP3577492B1 (ja) 2003-03-24 2004-10-13 西山ステンレスケミカル株式会社 ガラスの切断分離方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びフラットパネルディスプレイ
ATE496012T1 (de) 2003-04-22 2011-02-15 Coca Cola Co Verfahren und vorrichtung zur verfestigung von glas
DE10319135B4 (de) * 2003-04-28 2006-07-27 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Elektroplattieren von Kupfer über einer strukturierten dielektrischen Schicht, um die Prozess-Gleichförmigkeit eines nachfolgenden CMP-Prozesses zu verbessern
JP2004330236A (ja) 2003-05-07 2004-11-25 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レーザー孔あけ用補助シート
DE10322376A1 (de) 2003-05-13 2004-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Axiconsystem und Beleuchtungssystem damit
US7511886B2 (en) 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
FR2855084A1 (fr) 2003-05-22 2004-11-26 Air Liquide Optique de focalisation pour le coupage laser
JP4796498B2 (ja) 2003-05-23 2011-10-19 ダウ コーニング コーポレーション 高い湿式エッチング速度を持つシロキサン樹脂系反射防止被覆組成物
JP2004351494A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Seiko Epson Corp レーザーに対して透明な材料の穴あけ加工方法
JP2004363212A (ja) 2003-06-03 2004-12-24 Hitachi Metals Ltd スルーホール導体を持った配線基板
JP2005019576A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Hitachi Metals Ltd スルーホール導体を持った配線基板
JP2005000952A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザー加工方法及びレーザー加工装置
JP2005011920A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Hitachi Displays Ltd 表示装置とその製造方法
US7492948B2 (en) 2003-06-26 2009-02-17 Denmarks Tekniske Universitet Generation of a desired wavefront with a plurality of phase contrast filters
EP1651943A2 (en) 2003-06-27 2006-05-03 Purdue Research Foundation Device for detecting biological and chemical particles
KR101119387B1 (ko) 2003-07-18 2012-03-07 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 절단방법
US6990285B2 (en) 2003-07-31 2006-01-24 Corning Incorporated Method of making at least one hole in a transparent body and devices made by this method
US7258834B2 (en) 2003-08-01 2007-08-21 Agilent Technologies, Inc. Methods and devices for modifying a substrate surface
TWI269684B (en) 2003-08-08 2007-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd A process for laser machining
JP2005104819A (ja) 2003-09-10 2005-04-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd 合せガラスの切断方法及び合せガラス切断装置
JP3974127B2 (ja) 2003-09-12 2007-09-12 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
WO2005034594A1 (ja) 2003-10-06 2005-04-14 Hoya Corporation 感光性ガラス基板の貫通孔形成方法
JP4849890B2 (ja) 2003-10-06 2012-01-11 Ｈｏｙａ株式会社 貫通孔を有するガラス部品およびその製造方法
US6992371B2 (en) 2003-10-09 2006-01-31 Freescale Semiconductor, Inc. Device including an amorphous carbon layer for improved adhesion of organic layers and method of fabrication
ES2247890B1 (es) 2003-10-10 2006-11-16 Universitat Politecnica De Catalunya Procedimiento y equipo de metrologia optica para la determinacion de la topografia tridimensional de un orificio, en particular para la medicion de boquillas micrometricas troncoconicas y similares.
JP2005138143A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用する加工装置
US7172067B2 (en) 2003-11-10 2007-02-06 Johnson Level & Tool Mfg. Co., Inc. Level case with positioning indentations
JP2005144487A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Seiko Epson Corp レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2005144622A (ja) 2003-11-18 2005-06-09 Seiko Epson Corp 構造体の製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置
ATE553638T1 (de) 2003-12-25 2012-04-15 Nitto Denko Corp Verfahren zur herstellung durch laser werkstücke
KR101035826B1 (ko) 2003-12-30 2011-05-20 코닝 인코포레이티드 고 변형점 유리
US7633033B2 (en) 2004-01-09 2009-12-15 General Lasertronics Corporation Color sensing for laser decoating
JP4349132B2 (ja) 2004-01-09 2009-10-21 アイシン精機株式会社 凹部加工装置
WO2005068163A1 (ja) 2004-01-16 2005-07-28 Japan Science And Technology Agency 微細加工方法
US7316844B2 (en) 2004-01-16 2008-01-08 Brewer Science Inc. Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates
JP4074589B2 (ja) 2004-01-22 2008-04-09 Ｔｄｋ株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US7057135B2 (en) 2004-03-04 2006-06-06 Matsushita Electric Industrial, Co. Ltd. Method of precise laser nanomachining with UV ultrafast laser pulses
US7638440B2 (en) 2004-03-12 2009-12-29 Applied Materials, Inc. Method of depositing an amorphous carbon film for etch hardmask application
TWI250910B (en) 2004-03-05 2006-03-11 Olympus Corp Apparatus for laser machining
JP2005257339A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Heureka Co Ltd 半導体ウエハ検査装置
JP4737709B2 (ja) 2004-03-22 2011-08-03 日本電気硝子株式会社 ディスプレイ基板用ガラスの製造方法
JP4418282B2 (ja) 2004-03-31 2010-02-17 株式会社レーザーシステム レーザ加工方法
JP2005306702A (ja) 2004-04-26 2005-11-04 Namiki Precision Jewel Co Ltd テーパー形状を有する微小穴の形成方法
US7303648B2 (en) * 2004-05-25 2007-12-04 Intel Corporation Via etch process
JP4631044B2 (ja) 2004-05-26 2011-02-16 国立大学法人北海道大学 レーザ加工方法および装置
JP2005340835A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Hoya Corp 電子線露光用マスクブランクおよびマスク
US7985942B2 (en) 2004-05-28 2011-07-26 Electro Scientific Industries, Inc. Method of providing consistent quality of target material removal by lasers having different output performance characteristics
US7804043B2 (en) 2004-06-15 2010-09-28 Laserfacturing Inc. Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser
KR20060000515A (ko) 2004-06-29 2006-01-06 대주전자재료 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 격벽용 무연 유리 조성물
US7164465B2 (en) 2004-07-13 2007-01-16 Anvik Corporation Versatile maskless lithography system with multiple resolutions
EP1789824A4 (en) 2004-08-23 2009-01-21 Optical Res Associates LIGHTING SYSTEMS DESIGNED TO PRODUCE DIFFERENT FORMS OF BEAMS
US7940361B2 (en) 2004-08-31 2011-05-10 Advanced Interconnect Materials, Llc Copper alloy and liquid-crystal display device
JP3887394B2 (ja) 2004-10-08 2007-02-28 芝浦メカトロニクス株式会社 脆性材料の割断加工システム及びその方法
EP1806202B1 (en) 2004-10-25 2011-08-17 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method and device for forming crack
JP4692717B2 (ja) 2004-11-02 2011-06-01 澁谷工業株式会社 脆性材料の割断装置
JP4222296B2 (ja) 2004-11-22 2009-02-12 住友電気工業株式会社 レーザ加工方法とレーザ加工装置
JP2006161124A (ja) 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc 貫通電極の形成方法
US7201965B2 (en) 2004-12-13 2007-04-10 Corning Incorporated Glass laminate substrate having enhanced impact and static loading resistance
KR101170587B1 (ko) 2005-01-05 2012-08-01 티에이치케이 인텍스 가부시키가이샤 워크의 브레이크 방법 및 장치, 스크라이브 및 브레이크방법, 및 브레이크 기능을 갖는 스크라이브 장치
CN100546004C (zh) 2005-01-05 2009-09-30 Thk株式会社 工件的截断方法和装置、划线和截断方法、以及带截断功能的划线装置
US20060207976A1 (en) 2005-01-21 2006-09-21 Bovatsek James M Laser material micromachining with green femtosecond pulses
CN101069267A (zh) 2005-02-03 2007-11-07 株式会社尼康 光学积分器、照明光学装置、曝光装置以及曝光方法
JP2006248885A (ja) 2005-02-08 2006-09-21 Takeji Arai 超短パルスレーザによる石英の切断方法
JP2006290630A (ja) 2005-02-23 2006-10-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法
US7438824B2 (en) 2005-03-25 2008-10-21 National Research Council Of Canada Fabrication of long range periodic nanostructures in transparent or semitransparent dielectrics
US20060261118A1 (en) 2005-05-17 2006-11-23 Cox Judy K Method and apparatus for separating a pane of brittle material from a moving ribbon of the material
TWI394504B (zh) 2005-05-31 2013-04-21 Hitachi Via Mechanics Ltd 印刷配線板之製造方法與使用該方法製出的銅箔層積板以及處理液
US8389894B2 (en) 2005-06-01 2013-03-05 Phoeton Corp. Laser processing apparatus and laser processing method
JP4410159B2 (ja) 2005-06-24 2010-02-03 三菱電機株式会社 交流回転電機
US7425507B2 (en) 2005-06-28 2008-09-16 Micron Technology, Inc. Semiconductor substrates including vias of nonuniform cross section, methods of forming and associated structures
JP4490883B2 (ja) 2005-07-19 2010-06-30 株式会社レーザーシステム レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP4889974B2 (ja) 2005-08-01 2012-03-07 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造体及びその製造方法
US20070031992A1 (en) * 2005-08-05 2007-02-08 Schatz Kenneth D Apparatuses and methods facilitating functional block deposition
US7429529B2 (en) 2005-08-05 2008-09-30 Farnworth Warren M Methods of forming through-wafer interconnects and structures resulting therefrom
US7683370B2 (en) 2005-08-17 2010-03-23 Kobe Steel, Ltd. Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
DE102005039833A1 (de) 2005-08-22 2007-03-01 Rowiak Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Materialtrennung mit Laserpulsen
JP2007067031A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Tdk Corp 配線基板の製造方法
US7772115B2 (en) 2005-09-01 2010-08-10 Micron Technology, Inc. Methods for forming through-wafer interconnects, intermediate structures so formed, and devices and systems having at least one solder dam structure
US9138913B2 (en) 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
DE102006042280A1 (de) 2005-09-08 2007-06-06 IMRA America, Inc., Ann Arbor Bearbeitung von transparentem Material mit einem Ultrakurzpuls-Laser
EP1950019B1 (en) 2005-09-12 2011-12-21 Nippon Sheet Glass Company Limited Interlayer film separation method
CN1761378A (zh) 2005-09-20 2006-04-19 沪士电子股份有限公司 直接co2激光钻孔方法
JP4650837B2 (ja) 2005-09-22 2011-03-16 住友電気工業株式会社 レーザ光学装置
JP2007142001A (ja) 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP4424302B2 (ja) 2005-11-16 2010-03-03 株式会社デンソー 半導体チップの製造方法
US20070111480A1 (en) 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
US7838331B2 (en) 2005-11-16 2010-11-23 Denso Corporation Method for dicing semiconductor substrate
US7678529B2 (en) 2005-11-21 2010-03-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing film forming composition, silicon-containing film serving as etching mask, substrate processing intermediate, and substrate processing method
EP1964820B1 (en) 2005-11-22 2014-08-06 Olympus Corporation Method of glass substrate working and glass part
US7977601B2 (en) 2005-11-28 2011-07-12 Electro Scientific Industries, Inc. X and Y orthogonal cut direction processing with set beam separation using 45 degree beam split orientation apparatus and method
KR101371265B1 (ko) 2005-12-16 2014-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레이저 조사 장치, 레이저 조사 방법, 및 반도체 장치 제조방법
JP4483793B2 (ja) 2006-01-27 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法及び製造装置
US8007913B2 (en) 2006-02-10 2011-08-30 Corning Incorporated Laminated glass articles and methods of making thereof
US7418181B2 (en) 2006-02-13 2008-08-26 Adc Telecommunications, Inc. Fiber optic splitter module
WO2007094160A1 (ja) 2006-02-15 2007-08-23 Asahi Glass Company, Limited ガラス基板の面取り方法および装置
JP2007220782A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｓｏｉ基板およびｓｏｉ基板の製造方法
US7535634B1 (en) 2006-02-16 2009-05-19 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Optical device, system, and method of generating high angular momentum beams
US20090013724A1 (en) 2006-02-22 2009-01-15 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass Processing Method Using Laser and Processing Device
JP4672689B2 (ja) 2006-02-22 2011-04-20 日本板硝子株式会社 レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置
US20090176034A1 (en) 2006-02-23 2009-07-09 Picodeon Ltd. Oy Surface Treatment Technique and Surface Treatment Apparatus Associated With Ablation Technology
GB0605576D0 (en) 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
JP2007253203A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ加工用光学装置
KR101530379B1 (ko) 2006-03-29 2015-06-22 삼성전자주식회사 다공성 글래스 템플릿을 이용한 실리콘 나노 와이어의제조방법 및 이에 의해 형성된 실리콘 나노 와이어를포함하는 소자
CN101443858B (zh) 2006-05-18 2012-03-28 旭硝子株式会社 带透明电极的玻璃基板及其制造方法，以及利用该基板的等离子显示器的前基板
US7777275B2 (en) 2006-05-18 2010-08-17 Macronix International Co., Ltd. Silicon-on-insulator structures
JP2007307599A (ja) 2006-05-20 2007-11-29 Sumitomo Electric Ind Ltd スルーホール成形体およびレーザー加工方法
US20070298529A1 (en) 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
US7981810B1 (en) 2006-06-08 2011-07-19 Novellus Systems, Inc. Methods of depositing highly selective transparent ashable hardmask films
EP1875983B1 (en) 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
WO2008007622A1 (fr) 2006-07-12 2008-01-17 Asahi Glass Company, Limited substrat de verre avec verre de protection, processus de fabrication d'UN affichage EN utilisant un SUBSTRAT DE VERRE AVEC VERRE DE PROTECTION, et silicone pour papier détachable
DE102006035555A1 (de) 2006-07-27 2008-01-31 Eliog-Kelvitherm Industrieofenbau Gmbh Anordnung und Verfahren zur Verformung von Glasscheiben
JP5247448B2 (ja) 2006-08-10 2013-07-24 株式会社アルバック 導電膜形成方法、薄膜トランジスタの製造方法
US8168514B2 (en) 2006-08-24 2012-05-01 Corning Incorporated Laser separation of thin laminated glass substrates for flexible display applications
WO2008035679A1 (fr) 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP2008094641A (ja) 2006-10-06 2008-04-24 Ohara Inc 基板の製造方法
JP2008119698A (ja) * 2006-11-08 2008-05-29 Takatori Corp Ｃｏ２レーザーでの基板への穴開け方法及び装置
US7534734B2 (en) 2006-11-13 2009-05-19 Corning Incorporated Alkali-free glasses containing iron and tin as fining agents
US20080118159A1 (en) 2006-11-21 2008-05-22 Robert Wendell Sharps Gauge to measure distortion in glass sheet
JP4355743B2 (ja) 2006-12-04 2009-11-04 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金配線膜とそのＣｕ合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子、及びそのＣｕ合金配線膜を作製するためのＣｕ合金スパッタリングターゲット
JP5091249B2 (ja) 2006-12-20 2012-12-05 ダウ・コーニング・コーポレイション 多層の硬化シリコーン樹脂組成物で被覆またはラミネートされたガラス基板
EP2125652A1 (en) 2006-12-20 2009-12-02 Dow Corning Corporation Glass substrates coated or laminated with cured silicone resin compositions
AT504726A1 (de) 2007-01-05 2008-07-15 Lisec Maschb Gmbh Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines trennspalts in einer glasscheibe
US8344286B2 (en) 2007-01-18 2013-01-01 International Business Machines Corporation Enhanced quality of laser ablation by controlling laser repetition rate
US20080194109A1 (en) 2007-02-14 2008-08-14 Renesas Technology Corp. Method of fabricating a semiconductor device
US20100029460A1 (en) 2007-02-22 2010-02-04 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass for anodic bonding
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
JP5483821B2 (ja) 2007-02-27 2014-05-07 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 表示装置用ガラス基板および表示装置
JP2008247732A (ja) 2007-03-02 2008-10-16 Nippon Electric Glass Co Ltd 強化板ガラスとその製造方法
CN101021490B (zh) 2007-03-12 2012-11-14 3i系统公司 平面基板自动检测系统及方法
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
US8096147B2 (en) 2007-03-28 2012-01-17 Life Bioscience, Inc. Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for shaped glass structures
JP5154814B2 (ja) 2007-03-29 2013-02-27 東ソー・クォーツ株式会社 石英ガラス材料の製造方法
KR101333518B1 (ko) 2007-04-05 2013-11-28 참엔지니어링(주) 레이저 가공 방법 및 절단 방법 및 다층 기판을 가지는 구조체의 분할 방법
DE102007018674A1 (de) 2007-04-18 2008-10-23 Lzh Laserzentrum Hannover E.V. Verfahren zum Bilden von Durchgangslöchern in Bauteilen aus Glas
JP2008288577A (ja) 2007-04-18 2008-11-27 Fujikura Ltd 基板の処理方法、貫通配線基板及びその製造方法、並びに電子部品
JP4882854B2 (ja) 2007-04-27 2012-02-22 セントラル硝子株式会社 ガラス用コーティング組成物
JP5172203B2 (ja) 2007-05-16 2013-03-27 大塚電子株式会社 光学特性測定装置および測定方法
JP2009013046A (ja) 2007-06-05 2009-01-22 Asahi Glass Co Ltd ガラス基板表面を加工する方法
US8236116B2 (en) 2007-06-06 2012-08-07 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Method of making coated glass article, and intermediate product used in same
JP5435394B2 (ja) 2007-06-08 2014-03-05 日本電気硝子株式会社 強化ガラス基板及びその製造方法
KR101465709B1 (ko) 2007-07-05 2014-11-27 에이에이씨 마이크로텍 에이비 저저항 웨이퍼 관통형 비아
US20090029189A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Fujifilm Corporation Imprint mold structure, and imprinting method using the same, as well as magnetic recording medium, and method for manufacturing magnetic recording medium
US8169587B2 (en) 2007-08-16 2012-05-01 Apple Inc. Methods and systems for strengthening LCD modules
JP5113462B2 (ja) 2007-09-12 2013-01-09 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の面取り方法
US8192642B2 (en) 2007-09-13 2012-06-05 Brewer Science Inc. Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates
WO2009042212A2 (en) 2007-09-26 2009-04-02 Aradigm Corporation Impinging jet nozzles in stretched or deformed substrates
CN100494879C (zh) 2007-10-08 2009-06-03 天津大学 基于线结构光视觉传感器实现空间圆孔几何参数测量方法
KR101235617B1 (ko) 2007-10-16 2013-02-28 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성 재료 기판의 ｕ자 형상 홈 가공 방법 및 이것을 사용한 제거 가공 방법 및 도려내기 가공 방법 및 모따기 방법
US20090219491A1 (en) 2007-10-18 2009-09-03 Evans & Sutherland Computer Corporation Method of combining multiple Gaussian beams for efficient uniform illumination of one-dimensional light modulators
CN101442887B (zh) 2007-11-22 2013-03-20 味之素株式会社 多层印刷线路板的制造方法及多层印刷线路板
JP2011505323A (ja) 2007-11-29 2011-02-24 コーニング インコーポレイテッド 改良された強靭性および引っかき抵抗性を有するガラス
KR20090057161A (ko) 2007-12-01 2009-06-04 주식회사 이엔팩 초발수성 좌변기 시트
KR100868228B1 (ko) 2007-12-04 2008-11-11 주식회사 켐트로닉스 유리 기판용 식각액 조성물
IL188029A0 (en) 2007-12-10 2008-11-03 Nova Measuring Instr Ltd Optical method and system
US7749809B2 (en) 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
EP2233447B1 (en) 2007-12-18 2020-08-05 Hoya Corporation Cover glass for portable terminal, method for manufacturing cover glass for portable terminal, and portable terminal apparatus
CN101462822B (zh) 2007-12-21 2012-08-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有通孔的脆性非金属工件及其加工方法
KR100930672B1 (ko) 2008-01-11 2009-12-09 제일모직주식회사 실리콘계 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법
US20090183764A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Tenksolar, Inc Detachable Louver System
JP2009200356A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Tdk Corp プリント配線板及びその製造方法
KR101269527B1 (ko) 2008-02-28 2013-05-30 가부시키가이샤 웨이브락 어드벤스드 테크놀로지 관통구멍 형성 방법, 및, 관통구멍 형성 가공품
JP4423379B2 (ja) 2008-03-25 2010-03-03 合同会社先端配線材料研究所 銅配線、半導体装置および銅配線の形成方法
US8237080B2 (en) 2008-03-27 2012-08-07 Electro Scientific Industries, Inc Method and apparatus for laser drilling holes with Gaussian pulses
FR2929449A1 (fr) 2008-03-28 2009-10-02 Stmicroelectronics Tours Sas S Procede de formation d'une couche d'amorcage de depot d'un metal sur un substrat
JP5345334B2 (ja) 2008-04-08 2013-11-20 株式会社レミ 脆性材料の熱応力割断方法
JP5274085B2 (ja) 2008-04-09 2013-08-28 株式会社アルバック レーザー加工装置、レーザービームのピッチ可変方法、及びレーザー加工方法
US8358888B2 (en) 2008-04-10 2013-01-22 Ofs Fitel, Llc Systems and techniques for generating Bessel beams
TWI414502B (zh) 2008-05-13 2013-11-11 Corning Inc 含稀土元素之玻璃材料及基板及含該基板之裝置
HUE037068T2 (hu) 2008-05-14 2018-08-28 Gerresheimer Glas Gmbh Eljárás és berendezés automatikus gyártórendszeren szennyezõ szemcsék tartályokból való eltávolítására
US8053704B2 (en) 2008-05-27 2011-11-08 Corning Incorporated Scoring of non-flat materials
JP2009297734A (ja) 2008-06-11 2009-12-24 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法
US8514476B2 (en) 2008-06-25 2013-08-20 View, Inc. Multi-pane dynamic window and method for making same
US7810355B2 (en) 2008-06-30 2010-10-12 Apple Inc. Full perimeter chemical strengthening of substrates
US9010153B2 (en) 2008-07-02 2015-04-21 Corning Incorporated Method of making shaped glass articles
KR20110028313A (ko) 2008-07-03 2011-03-17 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 배선 구조, 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 및 표시 장치
US8075999B2 (en) 2008-08-08 2011-12-13 Corning Incorporated Strengthened glass articles and methods of making
JP5155774B2 (ja) 2008-08-21 2013-03-06 株式会社ノリタケカンパニーリミテド プラトー面加工用レジノイド超砥粒砥石ホイール
US8257603B2 (en) 2008-08-29 2012-09-04 Corning Incorporated Laser patterning of glass bodies
EP2328027B1 (en) 2008-09-04 2018-01-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Positive-type photosensitive resin composition, method for producing resist pattern, and uses of said resist pattern
US20100068453A1 (en) 2008-09-18 2010-03-18 Hirofumi Imai Method for producing processed glass substrate
JP5339830B2 (ja) 2008-09-22 2013-11-13 三菱マテリアル株式会社 密着性に優れた薄膜トランジスター用配線膜およびこの配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP2010075991A (ja) 2008-09-29 2010-04-08 Fujifilm Corp レーザ加工装置
JP5015892B2 (ja) 2008-10-02 2012-08-29 信越化学工業株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法
US8445394B2 (en) 2008-10-06 2013-05-21 Corning Incorporated Intermediate thermal expansion coefficient glass
JP5297139B2 (ja) 2008-10-09 2013-09-25 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
US8455357B2 (en) 2008-10-10 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of plating through wafer vias in a wafer for 3D packaging
JP5654471B2 (ja) 2008-10-15 2015-01-14 オー・アー・セー・マイクロテック・アクチボラゲット ビア配線を作るための方法
CN101722367A (zh) 2008-10-17 2010-06-09 华通电脑股份有限公司 印刷电路板的激光钻孔方法
US8895892B2 (en) 2008-10-23 2014-11-25 Corning Incorporated Non-contact glass shearing device and method for scribing or cutting a moving glass sheet
JP5360959B2 (ja) 2008-10-24 2013-12-04 三菱マテリアル株式会社 バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスター
US20100119808A1 (en) 2008-11-10 2010-05-13 Xinghua Li Method of making subsurface marks in glass
US8092739B2 (en) 2008-11-25 2012-01-10 Wisconsin Alumni Research Foundation Retro-percussive technique for creating nanoscale holes
US9346130B2 (en) 2008-12-17 2016-05-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser processing glass with a chamfered edge
EP2202545A1 (en) 2008-12-23 2010-06-30 Karlsruher Institut für Technologie Beam transformation module with an axicon in a double-pass mode
KR101020621B1 (ko) 2009-01-15 2011-03-09 연세대학교 산학협력단 광섬유를 이용하는 광소자 제조 방법, 광섬유를 이용하는 광소자 및 이를 이용한 광 트위저
JP4567091B1 (ja) 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置
SG172796A1 (en) 2009-02-02 2011-08-29 Asahi Glass Co Ltd Glass substrate for semiconductor device member, and process for producing glass substrate for semiconductor device member
US8327666B2 (en) 2009-02-19 2012-12-11 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8347651B2 (en) 2009-02-19 2013-01-08 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8341976B2 (en) 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8245540B2 (en) 2009-02-24 2012-08-21 Corning Incorporated Method for scoring a sheet of brittle material
BR122019015544B1 (pt) 2009-02-25 2020-12-22 Nichia Corporation método para fabricar um elemento semicondutor, e, elemento semicondutor
CN201357287Y (zh) 2009-03-06 2009-12-09 苏州德龙激光有限公司 新型皮秒激光加工装置
CN101502914A (zh) 2009-03-06 2009-08-12 苏州德龙激光有限公司 用于喷油嘴微孔加工的皮秒激光加工装置
JP5300544B2 (ja) 2009-03-17 2013-09-25 株式会社ディスコ 光学系及びレーザ加工装置
US8835335B2 (en) 2009-03-19 2014-09-16 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Alkali-free glass
JP5201048B2 (ja) 2009-03-25 2013-06-05 富士通株式会社 半導体装置とその製造方法
KR101041140B1 (ko) 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 방법
US20100252959A1 (en) 2009-03-27 2010-10-07 Electro Scientific Industries, Inc. Method for improved brittle materials processing
US20100279067A1 (en) 2009-04-30 2010-11-04 Robert Sabia Glass sheet having enhanced edge strength
KR101561729B1 (ko) 2009-05-06 2015-10-19 코닝 인코포레이티드 유리 기판의 캐리어
ATE551304T1 (de) 2009-05-13 2012-04-15 Corning Inc Verfahren und anlagen zum formen von endlosen glasscheiben
US8132427B2 (en) 2009-05-15 2012-03-13 Corning Incorporated Preventing gas from occupying a spray nozzle used in a process of scoring a hot glass sheet
US8269138B2 (en) 2009-05-21 2012-09-18 Corning Incorporated Method for separating a sheet of brittle material
DE102009023602B4 (de) 2009-06-02 2012-08-16 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Vorrichtung zum industriellen Herstellen elastisch verformbarer großflächiger Glasplatten in hoher Stückzahl
US8925192B2 (en) 2009-06-09 2015-01-06 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing the same
JP5416492B2 (ja) 2009-06-30 2014-02-12 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ光によるガラス基板加工装置
TWI395630B (zh) 2009-06-30 2013-05-11 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 使用雷射光之玻璃基板加工裝置
JP5594522B2 (ja) 2009-07-03 2014-09-24 日本電気硝子株式会社 電子デバイス製造用ガラスフィルム積層体
US8592716B2 (en) 2009-07-22 2013-11-26 Corning Incorporated Methods and apparatus for initiating scoring
CN101637849B (zh) 2009-08-07 2011-12-07 苏州德龙激光有限公司 皮秒激光加工设备的高精度z轴载物平台
CN201471092U (zh) 2009-08-07 2010-05-19 苏州德龙激光有限公司 皮秒激光加工设备的高精度z轴载物平台
JP5500914B2 (ja) 2009-08-27 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置
WO2011025908A1 (en) 2009-08-28 2011-03-03 Corning Incorporated Methods for laser cutting articles from chemically strengthened glass substrates
US8932510B2 (en) 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
KR101094284B1 (ko) 2009-09-02 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
CN102471129B (zh) 2009-09-18 2015-04-15 日本电气硝子株式会社 玻璃膜的制造方法及玻璃膜的处理方法以及玻璃膜层叠体
WO2011033516A1 (en) 2009-09-20 2011-03-24 Viagan Ltd. Wafer level packaging of electronic devices
JP2011079690A (ja) 2009-10-06 2011-04-21 Leo:Kk 回折格子を用いた厚板ガラスのレーザ熱応力割断
US20110088324A1 (en) 2009-10-20 2011-04-21 Wessel Robert B Apparatus and method for solar heat gain reduction in a window assembly
WO2011053551A1 (en) 2009-10-28 2011-05-05 Dow Corning Corporation Polysilane - polysilazane copolymers and methods for their preparation and use
KR101117573B1 (ko) 2009-10-29 2012-02-29 한국기계연구원 하이브리드 공정을 이용한 ｔｓｖ 가공방법
CN102596831B (zh) 2009-11-03 2015-01-07 康宁股份有限公司 具有非恒定速度的移动玻璃带的激光刻划
US20110132883A1 (en) 2009-12-07 2011-06-09 Panasonic Corporation Methods for precise laser micromachining
US20120234807A1 (en) 2009-12-07 2012-09-20 J.P. Sercel Associates Inc. Laser scribing with extended depth affectation into a workplace
US8338745B2 (en) 2009-12-07 2012-12-25 Panasonic Corporation Apparatus and methods for drilling holes with no taper or reverse taper
CN102754185B (zh) 2009-12-11 2015-06-03 夏普株式会社 半导体装置的制造方法和半导体装置
JP2011143434A (ja) 2010-01-14 2011-07-28 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザ穴あけ方法
TWI438162B (zh) 2010-01-27 2014-05-21 Wintek Corp 強化玻璃切割方法及強化玻璃切割預置結構
US8048810B2 (en) 2010-01-29 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for metal gate N/P patterning
EP2531322A1 (en) 2010-02-04 2012-12-12 Echelon Laser Systems, Lp Laser etching system and method
DE112011100505T5 (de) 2010-02-10 2013-03-28 Life Bioscience, Inc. Verfahren zur herstellung eines fotoaktiven substrats, das zur mikrofertigung geeignet ist
US9913726B2 (en) 2010-02-24 2018-03-13 Globus Medical, Inc. Expandable intervertebral spacer and method of posterior insertion thereof
KR101825149B1 (ko) 2010-03-03 2018-02-02 조지아 테크 리서치 코포레이션 무기 인터포저상의 패키지-관통-비아(tpv) 구조 및 그의 제조방법
JP2011178642A (ja) 2010-03-03 2011-09-15 Nippon Sheet Glass Co Ltd 貫通電極付きガラス板の製造方法および電子部品
US8743165B2 (en) 2010-03-05 2014-06-03 Micronic Laser Systems Ab Methods and device for laser processing
US20110229687A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Qualcomm Incorporated Through Glass Via Manufacturing Process
US8654538B2 (en) 2010-03-30 2014-02-18 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
JP5513227B2 (ja) 2010-04-08 2014-06-04 株式会社フジクラ 微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板
US20110248405A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Qualcomm Incorporated Selective Patterning for Low Cost through Vias
DE202010017893U1 (de) 2010-04-09 2013-01-24 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Werkstücküberzug und damit überzogenes Werkstück
WO2011132600A1 (ja) 2010-04-20 2011-10-27 旭硝子株式会社 半導体デバイス貫通電極用のガラス基板
US8821211B2 (en) 2010-04-21 2014-09-02 Lg Chem, Ltd. Device for cutting of glass sheet
JP5676908B2 (ja) 2010-04-21 2015-02-25 上村工業株式会社 プリント配線基板の表面処理方法及び表面処理剤
US8389889B2 (en) 2010-04-22 2013-03-05 Lawrence Livermore National Security, Llc Method and system for laser-based formation of micro-shapes in surfaces of optical elements
DE202010006047U1 (de) 2010-04-22 2010-07-22 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Strahlformungseinheit zur Fokussierung eines Laserstrahls
CN102473426B (zh) 2010-04-27 2015-04-15 旭硝子株式会社 磁盘以及信息记录媒体用玻璃基板的制造方法
US9476842B2 (en) 2010-05-03 2016-10-25 United Technologies Corporation On-the-fly dimensional imaging inspection
US8245539B2 (en) 2010-05-13 2012-08-21 Corning Incorporated Methods of producing glass sheets
CN102892833B (zh) 2010-05-19 2016-01-06 三菱化学株式会社 卡用片及卡
JP5796936B2 (ja) 2010-06-01 2015-10-21 キヤノン株式会社 多孔質ガラスの製造方法
GB2481190B (en) 2010-06-04 2015-01-14 Plastic Logic Ltd Laser ablation
US9213451B2 (en) 2010-06-04 2015-12-15 Apple Inc. Thin glass for touch panel sensors and methods therefor
US8411459B2 (en) 2010-06-10 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Interposer-on-glass package structures
SG177021A1 (en) 2010-06-16 2012-01-30 Univ Nanyang Tech Micoelectrode array sensor for detection of heavy metals in aqueous solutions
KR101873702B1 (ko) 2010-06-29 2018-07-02 코닝 인코포레이티드 오버플로 하향인발 융합 공정을 사용해 공동인발하여 만들어진 다층 유리 시트
DE102010025966B4 (de) 2010-07-02 2012-03-08 Schott Ag Interposer und Verfahren zum Herstellen von Löchern in einem Interposer
DE102010025965A1 (de) 2010-07-02 2012-01-05 Schott Ag Verfahren zur spannungsarmen Herstellung von gelochten Werkstücken
DE102010025968B4 (de) 2010-07-02 2016-06-02 Schott Ag Erzeugung von Mikrolöchern
DE102010025967B4 (de) 2010-07-02 2015-12-10 Schott Ag Verfahren zur Erzeugung einer Vielzahl von Löchern, Vorrichtung hierzu und Glas-Interposer
DE202010013161U1 (de) 2010-07-08 2011-03-31 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Laserbearbeitung mit mehreren Strahlen und dafür geeigneter Laseroptikkopf
CN103003054B (zh) 2010-07-12 2014-11-19 旭硝子株式会社 压印模具用含TiO2石英玻璃基材及其制造方法
AU2011279374A1 (en) 2010-07-12 2013-02-07 Filaser Usa Llc Method of material processing by laser filamentation
US8999179B2 (en) 2010-07-13 2015-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive vias in a substrate
KR20120008353A (ko) 2010-07-16 2012-01-30 삼성에스디아이 주식회사 연료 전지 시스템 및 그것에서의 전력 관리 방법
KR20120015366A (ko) 2010-07-19 2012-02-21 엘지디스플레이 주식회사 강화유리 절단방법 및 절단장치
JP5580129B2 (ja) 2010-07-20 2014-08-27 株式会社アマダ 固体レーザ加工装置
JP2012027159A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP2012024983A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の面取り方法とその装置
JP5729932B2 (ja) 2010-07-22 2015-06-03 キヤノン株式会社 基板貫通孔内への金属充填方法
JP5669001B2 (ja) 2010-07-22 2015-02-12 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの割断方法、ガラスロールの製造方法、及びガラスフィルムの割断装置
WO2012014709A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101940332B1 (ko) 2010-07-26 2019-01-18 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 기판 가공 방법
KR101880148B1 (ko) 2010-07-26 2018-07-20 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 인터포저의 제조 방법
WO2012014886A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 旭硝子株式会社 無アルカリカバーガラス組成物及びそれを用いた光取り出し部材
CN103025478B (zh) 2010-07-26 2015-09-30 浜松光子学株式会社 基板加工方法
JP5574866B2 (ja) 2010-07-26 2014-08-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN103025475B (zh) 2010-07-26 2015-04-22 浜松光子学株式会社 激光加工方法
KR102000031B1 (ko) 2010-07-26 2019-07-15 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
JP2012031018A (ja) 2010-07-30 2012-02-16 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス基板及び強化ガラス基板の溝加工方法と強化ガラス基板の切断方法
US8604380B2 (en) 2010-08-19 2013-12-10 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for optimally laser marking articles
US20120052302A1 (en) 2010-08-24 2012-03-01 Matusick Joseph M Method of strengthening edge of glass article
US8584354B2 (en) 2010-08-26 2013-11-19 Corning Incorporated Method for making glass interposer panels
US8690342B2 (en) 2010-08-31 2014-04-08 Corning Incorporated Energy transfer in scanning laser projectors
TWI513670B (zh) 2010-08-31 2015-12-21 Corning Inc 分離強化玻璃基板之方法
TWI402228B (zh) 2010-09-15 2013-07-21 Wintek Corp 強化玻璃切割方法、強化玻璃薄膜製程、強化玻璃切割預置結構及強化玻璃切割件
GB201017506D0 (en) 2010-10-15 2010-12-01 Rolls Royce Plc Hole inspection
US8021950B1 (en) 2010-10-26 2011-09-20 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer processing method that allows device regions to be selectively annealed following back end of the line (BEOL) metal wiring layer formation
TWI576320B (zh) 2010-10-29 2017-04-01 康寧公司 用於裁切玻璃帶之方法與設備
JP5874304B2 (ja) 2010-11-02 2016-03-02 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
US20120105095A1 (en) 2010-11-03 2012-05-03 International Business Machines Corporation Silicon-on-insulator (soi) body-contact pass gate structure
JP5617556B2 (ja) 2010-11-22 2014-11-05 日本電気硝子株式会社 帯状ガラスフィルム割断装置及び帯状ガラスフィルム割断方法
US8796165B2 (en) 2010-11-30 2014-08-05 Corning Incorporated Alkaline earth alumino-borosilicate crack resistant glass
US8607590B2 (en) 2010-11-30 2013-12-17 Corning Incorporated Methods for separating glass articles from strengthened glass substrate sheets
CN106425129B (zh) 2010-11-30 2018-07-17 康宁股份有限公司 在玻璃中形成高密度孔阵列的方法
US20120135853A1 (en) 2010-11-30 2012-05-31 Jaymin Amin Glass articles/materials for use as touchscreen substrates
US8616024B2 (en) 2010-11-30 2013-12-31 Corning Incorporated Methods for forming grooves and separating strengthened glass substrate sheets
US20120142136A1 (en) 2010-12-01 2012-06-07 Honeywell International Inc. Wafer level packaging process for mems devices
CN102485405B (zh) 2010-12-02 2014-08-27 詹诺普蒂克自动化技术有限公司 用来制造用于安全气囊的单层覆盖物的方法
TW201226345A (en) 2010-12-27 2012-07-01 Liefco Optical Inc Method of cutting tempered glass
KR101298019B1 (ko) 2010-12-28 2013-08-26 (주)큐엠씨 레이저 가공 장치
KR101159697B1 (ko) 2010-12-30 2012-06-26 광주과학기술원 글래스 웨이퍼 기반의 침습형 전극 제작방법
WO2012093471A1 (ja) 2011-01-05 2012-07-12 Kondo Kiyoyuki ビーム加工装置
US20120168412A1 (en) 2011-01-05 2012-07-05 Electro Scientific Industries, Inc Apparatus and method for forming an aperture in a substrate
WO2012096053A1 (ja) 2011-01-11 2012-07-19 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法
CN107244806A (zh) 2011-01-25 2017-10-13 康宁股份有限公司 具有高热稳定性和化学稳定性的玻璃组合物
US8539794B2 (en) 2011-02-01 2013-09-24 Corning Incorporated Strengthened glass substrate sheets and methods for fabricating glass panels from glass substrate sheets
JP2012159749A (ja) 2011-02-01 2012-08-23 Nichia Chem Ind Ltd ベッセルビーム発生装置
US8933367B2 (en) 2011-02-09 2015-01-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser processing method
WO2012108052A1 (ja) 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
KR20130103623A (ko) 2011-02-10 2013-09-23 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 단결정 기판의 제조 방법 및 내부 개질층 형성 단결정 부재의 제조 방법
DE102011000768B4 (de) 2011-02-16 2016-08-18 Ewag Ag Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung mit umschaltbarer Laseranordnung
US8584490B2 (en) 2011-02-18 2013-11-19 Corning Incorporated Laser cutting method
JP5193326B2 (ja) 2011-02-25 2013-05-08 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板加工装置および基板加工方法
JP2012187618A (ja) 2011-03-11 2012-10-04 V Technology Co Ltd ガラス基板のレーザ加工装置
US20120235969A1 (en) 2011-03-15 2012-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Thin film through-glass via and methods for forming same
NL2008414A (en) 2011-03-21 2012-09-24 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for determining structure parameters of microstructures.
JP5107481B2 (ja) 2011-03-31 2012-12-26 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス板の製造方法
KR101256931B1 (ko) 2011-04-07 2013-04-19 (주) 네톰 무선인식 태그 및 이를 구비한 전자제품 피씨비 및 전자제품 관리 시스템
KR101186464B1 (ko) 2011-04-13 2012-09-27 에스엔유 프리시젼 주식회사 Ｔｓｖ 측정용 간섭계 및 이를 이용한 측정방법
US20120276743A1 (en) 2011-04-26 2012-11-01 Jai-Hyung Won Methods of forming a carbon type hard mask layer using induced coupled plasma and methods of forming patterns using the same
JP5785121B2 (ja) 2011-04-28 2015-09-24 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
GB2490354A (en) 2011-04-28 2012-10-31 Univ Southampton Laser with axially-symmetric beam profile
US8796410B2 (en) 2011-05-23 2014-08-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer having silphenylene and siloxane structures, a method of preparing the same, an adhesive composition, an adhesive sheet, a protective material for a semiconductor device, and a semiconductor device
JP5873488B2 (ja) 2011-05-25 2016-03-01 株式会社フジクラ 微細孔を配した基体の製造方法、及び微細孔を配した基体
US8986072B2 (en) 2011-05-26 2015-03-24 Corning Incorporated Methods of finishing an edge of a glass sheet
WO2012164649A1 (ja) 2011-05-27 2012-12-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN102795596B (zh) 2011-05-27 2014-12-10 中国科学院物理研究所 超小2nm直径金属纳米孔的超快激光脉冲法制备
TWI547454B (zh) 2011-05-31 2016-09-01 康寧公司 於玻璃中高速製造微孔洞的方法
KR20140024919A (ko) 2011-06-15 2014-03-03 아사히 가라스 가부시키가이샤 유리판의 절단 방법
JP2013007842A (ja) 2011-06-23 2013-01-10 Toyo Seikan Kaisha Ltd 構造体形成装置、構造体形成方法及び構造体
CN103619528B (zh) 2011-06-28 2015-09-09 株式会社Ihi 切断脆性构件的装置、方法以及被切断的脆性构件
KR101485140B1 (ko) 2011-07-14 2015-01-22 시마쯔 코포레이션 플라즈마 처리 장치
CN102304323B (zh) 2011-07-22 2013-05-22 绵阳惠利电子材料有限公司 一种可室温固化的苯基硅树脂敷形涂料
TWI572480B (zh) 2011-07-25 2017-03-01 康寧公司 經層壓及離子交換之強化玻璃疊層
CN102319960A (zh) 2011-07-27 2012-01-18 苏州德龙激光有限公司 超短脉冲激光制作金属薄膜群孔的装置及其方法
US9527158B2 (en) 2011-07-29 2016-12-27 Ats Automation Tooling Systems Inc. Systems and methods for producing silicon slim rods
KR101120471B1 (ko) 2011-08-05 2012-03-05 (주)지엘코어 다중 초점 방식의 펄스 레이저를 이용한 취성 재료 절단 장치
US8635887B2 (en) 2011-08-10 2014-01-28 Corning Incorporated Methods for separating glass substrate sheets by laser-formed grooves
JP2013043808A (ja) 2011-08-25 2013-03-04 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板切断用保持具及び強化ガラス板の切断方法
AU2011101310A4 (en) 2011-08-26 2011-11-10 Sterlite Technologies Limited Glass composition for strengthened cover glass
DE112012003605T5 (de) 2011-08-29 2014-06-12 Asahi Glass Co., Ltd. Verfahren zum Schneiden einer Glasplatte mit erhöhter Festigkeit und Vorrichtung zum Schneiden einer Glasplatte mit erhöhter Festigkeit
US20130050226A1 (en) * 2011-08-30 2013-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Die-cut through-glass via and methods for forming same
JPWO2013031778A1 (ja) 2011-08-31 2015-03-23 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、および強化ガラス板切断装置
PH12012000258B1 (en) 2011-09-09 2015-06-01 Hoya Corp Method of manufacturing an ion-exchanged glass article
WO2013039229A1 (ja) 2011-09-15 2013-03-21 日本電気硝子株式会社 ガラス板切断方法およびガラス板切断装置
WO2013039230A1 (ja) 2011-09-15 2013-03-21 日本電気硝子株式会社 ガラス板切断方法
JP6063670B2 (ja) 2011-09-16 2017-01-18 株式会社アマダホールディングス レーザ切断加工方法及び装置
US10239160B2 (en) 2011-09-21 2019-03-26 Coherent, Inc. Systems and processes that singulate materials
WO2013043173A1 (en) 2011-09-21 2013-03-28 Raydiance, Inc. Systems and processes that singulate materials
JP2013080904A (ja) 2011-09-22 2013-05-02 Hoya Corp 基板製造方法、配線基板の製造方法、ガラス基板および配線基板
JP5864988B2 (ja) 2011-09-30 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板切断方法
FR2980859B1 (fr) 2011-09-30 2013-10-11 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de lithographie
US8894868B2 (en) 2011-10-06 2014-11-25 Electro Scientific Industries, Inc. Substrate containing aperture and methods of forming the same
DE102011084128A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Schott Ag Verfahren zum Schneiden eines Dünnglases mit spezieller Ausbildung der Kante
JP2013091578A (ja) 2011-10-25 2013-05-16 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd ガラス基板のスクライブ方法
TWI476888B (zh) 2011-10-31 2015-03-11 Unimicron Technology Corp 嵌埋穿孔中介層之封裝基板及其製法
JP5938416B2 (ja) 2011-11-04 2016-06-22 株式会社フジクラ 微細孔を備えた基板の製造方法
KR101269474B1 (ko) 2011-11-09 2013-05-30 주식회사 모린스 강화글라스 절단 방법
US20130129947A1 (en) 2011-11-18 2013-05-23 Daniel Ralph Harvey Glass article having high damage resistance
US8677783B2 (en) 2011-11-28 2014-03-25 Corning Incorporated Method for low energy separation of a glass ribbon
WO2013084877A1 (ja) 2011-12-07 2013-06-13 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、および強化ガラス板切断装置
WO2013084879A1 (ja) 2011-12-07 2013-06-13 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断装置
KR20130065051A (ko) 2011-12-09 2013-06-19 삼성코닝정밀소재 주식회사 강화 글라스의 절단 방법 및 이를 이용한 터치스크린패널의 제조방법
JP5988163B2 (ja) 2011-12-12 2016-09-07 日本電気硝子株式会社 板ガラスの割断離反方法、及び板ガラスの割断離反装置
KR101987039B1 (ko) 2011-12-12 2019-06-10 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 판유리의 할단 이반 방법
KR20130074432A (ko) 2011-12-26 2013-07-04 삼성디스플레이 주식회사 휴대형 장치용 투명패널, 이의 제조방법 및 이를 이용한 휴대형 장치
JP5810921B2 (ja) * 2012-01-06 2015-11-11 凸版印刷株式会社 半導体装置の製造方法
CN102540474B (zh) 2012-01-11 2014-08-13 哈尔滨工业大学 一种实现边缘陡峭且光强波动低的平顶光束整形装置的整形控制方法
JP2013152986A (ja) 2012-01-24 2013-08-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
US8609529B2 (en) * 2012-02-01 2013-12-17 United Microelectronics Corp. Fabrication method and structure of through silicon via
WO2015157202A1 (en) 2014-04-09 2015-10-15 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
CN102585696A (zh) 2012-02-13 2012-07-18 江苏大学 一种甲基苯基硅树脂基耐高温涂料及其制备方法
WO2013123025A1 (en) 2012-02-14 2013-08-22 Vytran, Llc Optical element cleaver and splicer apparatus and methods
WO2013130581A1 (en) 2012-02-28 2013-09-06 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby
US9828277B2 (en) 2012-02-28 2017-11-28 Electro Scientific Industries, Inc. Methods for separation of strengthened glass
JP2013178371A (ja) 2012-02-28 2013-09-09 Hoya Corp 薄膜付き基板の薄膜の除去方法、転写用マスクの製造方法、基板の再生方法、及びマスクブランクの製造方法
US9895771B2 (en) 2012-02-28 2018-02-20 General Lasertronics Corporation Laser ablation for the environmentally beneficial removal of surface coatings
KR20140131520A (ko) 2012-02-29 2014-11-13 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 강화 유리를 기계가공하기 위한 방법과 장치, 및 이에 의해 제조된 물품
TWI614227B (zh) 2012-02-29 2018-02-11 康寧公司 低ｃｔｅ之無鹼硼鋁矽酸鹽玻璃組成物及包含其之玻璃物件
US9359251B2 (en) 2012-02-29 2016-06-07 Corning Incorporated Ion exchanged glasses via non-error function compressive stress profiles
US9082764B2 (en) 2012-03-05 2015-07-14 Corning Incorporated Three-dimensional integrated circuit which incorporates a glass interposer and method for fabricating the same
JP2013187247A (ja) 2012-03-06 2013-09-19 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> インターポーザおよびその製造方法
TW201343296A (zh) 2012-03-16 2013-11-01 Ipg Microsystems Llc 使一工件中具有延伸深度虛飾之雷射切割系統及方法
TW201339111A (zh) 2012-03-29 2013-10-01 Global Display Co Ltd 強化玻璃的切割方法
JP2013203631A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断装置
JP2013203630A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板の切断方法
SE538058C2 (sv) 2012-03-30 2016-02-23 Silex Microsystems Ab Metod att tillhandahålla ett viahål och en routing-struktur
EP2834036B1 (en) 2012-04-05 2020-04-29 Sage Electrochromics, Inc. Method of thermal laser scribe cutting for electrochromic device production ; corresponding electrochromic panel
JP2013216513A (ja) 2012-04-05 2013-10-24 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスフィルムの切断方法及びガラスフィルム積層体
JP2015120604A (ja) 2012-04-06 2015-07-02 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断システム
JP5942558B2 (ja) 2012-04-13 2016-06-29 並木精密宝石株式会社 微小空洞形成方法
FR2989294B1 (fr) 2012-04-13 2022-10-14 Centre Nat Rech Scient Dispositif et methode de nano-usinage par laser
US20130288010A1 (en) 2012-04-27 2013-10-31 Ravindra Kumar Akarapu Strengthened glass article having shaped edge and method of making
KR20130124646A (ko) 2012-05-07 2013-11-15 주식회사 엠엠테크 강화 유리 절단 방법
US9365446B2 (en) 2012-05-14 2016-06-14 Richard Green Systems and methods for altering stress profiles of glass
DE102012010635B4 (de) 2012-05-18 2022-04-07 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Verfahren zur 3D-Strukturierung und Formgebung von Oberflächen aus harten, spröden und optischen Materialien
CN102672355B (zh) 2012-05-18 2015-05-13 杭州士兰明芯科技有限公司 Led衬底的划片方法
JP6009225B2 (ja) 2012-05-29 2016-10-19 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板の切断方法
US9938180B2 (en) 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
KR20130139106A (ko) 2012-06-12 2013-12-20 삼성디스플레이 주식회사 커버 글라스 가공 방법
JP6022223B2 (ja) 2012-06-14 2016-11-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN109616485B (zh) * 2012-06-22 2024-08-27 株式会社尼康 基板、拍摄单元及拍摄装置
JP6097026B2 (ja) * 2012-07-06 2017-03-15 シャープ株式会社 構造体および構造体の製造方法
JP6065910B2 (ja) 2012-07-09 2017-01-25 旭硝子株式会社 化学強化ガラス板の切断方法
JP6038517B2 (ja) 2012-07-13 2016-12-07 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
AT13206U1 (de) 2012-07-17 2013-08-15 Lisec Maschb Gmbh Verfahren und Anordnung zum Teilen von Flachglas
TW201417928A (zh) 2012-07-30 2014-05-16 Raydiance Inc 具訂製邊形及粗糙度之脆性材料切割
JP5951018B2 (ja) 2012-07-31 2016-07-13 株式会社牧野フライス製作所 放電加工方法
KR101395054B1 (ko) 2012-08-08 2014-05-14 삼성코닝정밀소재 주식회사 강화유리 커팅 방법 및 강화유리 커팅용 스테이지
KR20140022981A (ko) 2012-08-14 2014-02-26 (주)하드램 기판 에지 보호유닛을 포함한 강화유리 레이저 절단 장치 및 방법
KR20140022980A (ko) 2012-08-14 2014-02-26 (주)하드램 강화유리 레이저 절단 장치 및 방법
US9446590B2 (en) 2012-08-16 2016-09-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diagonal openings in photodefinable glass
US20140047957A1 (en) 2012-08-17 2014-02-20 Jih Chun Wu Robust Torque-Indicating Wrench
TW201409777A (zh) 2012-08-22 2014-03-01 Syue-Min Li 發光二極體元件
JP5727433B2 (ja) 2012-09-04 2015-06-03 イムラ アメリカ インコーポレイテッド 超短パルスレーザでの透明材料処理
JP5835696B2 (ja) 2012-09-05 2015-12-24 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP6176253B2 (ja) 2012-09-07 2017-08-09 旭硝子株式会社 インターポーザ用の中間品を製造する方法およびインターポーザ用の中間品
CN102923939B (zh) 2012-09-17 2015-03-25 江西沃格光电股份有限公司 强化玻璃的切割方法
CN102898014A (zh) 2012-09-29 2013-01-30 江苏太平洋石英股份有限公司 无接触激光切割石英玻璃制品的方法及其装置
CN102916081B (zh) 2012-10-19 2015-07-08 张立国 一种薄膜太阳能电池的清边方法
LT6046B (lt) 2012-10-22 2014-06-25 Uab "Lidaris" Justiruojamų optinių laikiklių pakeitimo įrenginys ir sistema, turinti tokių įrenginių
US20140110040A1 (en) 2012-10-23 2014-04-24 Ronald Steven Cok Imprinted micro-louver structure method
DE102012110971A1 (de) 2012-11-14 2014-05-15 Schott Ag Trennen von transparenten Werkstücken
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
KR20140064220A (ko) 2012-11-20 2014-05-28 에스케이씨 주식회사 보안필름의 제조방법
CN105228788A (zh) 2012-11-29 2016-01-06 康宁股份有限公司 用于激光钻孔基材的牺牲覆盖层及其方法
EP2925690B1 (en) 2012-11-29 2021-08-11 Corning Incorporated Methods of fabricating glass articles by laser damage and etching
WO2014085608A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Corning Incorporated Methods for glass strengthening
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
EP2932496A4 (en) 2012-12-13 2016-11-02 Corning Inc GLASS AND METHOD FOR PRODUCING GLASS ARTICLES
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
CN203021443U (zh) 2012-12-24 2013-06-26 深圳大宇精雕科技有限公司 玻璃板水射流切割机
JP2014127701A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Ibiden Co Ltd 配線板及びその製造方法
CN103013374B (zh) 2012-12-28 2014-03-26 吉林大学 仿生防粘疏水疏油贴膜
SG10201705086TA (en) 2012-12-29 2017-07-28 Hoya Corp Glass substrate for magnetic disk and magnetic disk
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2950968A4 (en) 2013-02-04 2016-10-19 Newport Corp METHOD AND DEVICE FOR LASER CUTTING TRANSPARENT AND SEMITRANSPARENT SUBSTRATES
WO2014124057A1 (en) 2013-02-05 2014-08-14 Massachusetts Institute Of Technology 3-d holographic imaging flow cytometry
KR101785819B1 (ko) 2013-02-07 2017-10-16 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 유리 조성물, 화학 강화용 유리 조성물, 강화 유리 물품, 및 디스플레이용 커버 유리
KR101780136B1 (ko) 2013-02-07 2017-09-19 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 유리 조성물, 화학 강화용 유리 조성물, 강화 유리 물품, 및 디스플레이용 커버 유리
US9498920B2 (en) 2013-02-12 2016-11-22 Carbon3D, Inc. Method and apparatus for three-dimensional fabrication
JP5830044B2 (ja) 2013-02-15 2015-12-09 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
US9393760B2 (en) 2013-02-28 2016-07-19 Corning Incorporated Laminated glass articles with phase-separated claddings and methods for forming the same
US9784961B2 (en) 2013-03-08 2017-10-10 Church & Dwight Co., Inc. Sperm motility test device and method
CN103143841B (zh) 2013-03-08 2014-11-26 西北工业大学 一种利用皮秒激光加工孔的方法
KR102209964B1 (ko) 2013-03-13 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 피코초 레이저 가공 장치
US20160071990A1 (en) * 2013-03-14 2016-03-10 Q1 Nanosystems Corporation Three-Dimensional Photovoltaic Devices Including Cavity-containing Cores and Methods of Manufacture
US9481598B2 (en) 2013-03-15 2016-11-01 Kinestral Technologies, Inc. Laser cutting strengthened glass
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
WO2014148020A1 (ja) 2013-03-22 2014-09-25 日本板硝子株式会社 ガラス組成物、化学強化用ガラス組成物、強化ガラス物品、およびディスプレイ用のカバーガラス
LT2964417T (lt) 2013-04-04 2022-04-11 Lpkf Laser & Electronics Ag Būdas kiaurinėms angoms pagrinde įvesti
EP2964416B1 (de) 2013-04-04 2023-07-19 LPKF Laser & Electronics SE Verfahren zum trennen eines substrates
DE102013103370A1 (de) 2013-04-04 2014-10-09 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zum Einbringen von Durchbrechungen in ein Glassubstrat sowie ein derart hergestelltes Glassubstrat
CN103316990B (zh) 2013-05-28 2015-06-10 江苏大学 脉冲激光驱动飞片加载薄板的微冲裁自动化装置及其方法
CN103273195B (zh) 2013-05-28 2015-03-04 江苏大学 激光间接冲击下金属薄板的微冲裁自动化装置及其方法
US9745220B2 (en) 2013-06-21 2017-08-29 Corning Incorporated Etch rate enhancement at low temperatures
US9776891B2 (en) 2013-06-26 2017-10-03 Corning Incorporated Filter and methods for heavy metal remediation of water
ITTO20130526A1 (it) * 2013-06-26 2014-12-27 Fiat Group Automobiles Spa Controllo del funzionamento di un sistema autoveicolistico di cambio delle marce
KR101344368B1 (ko) 2013-07-08 2013-12-24 정우라이팅 주식회사 수직형 유리관 레이저 절단장치
CN103359948A (zh) 2013-07-12 2013-10-23 深圳南玻伟光导电膜有限公司 钢化玻璃的切割方法
US20150021513A1 (en) 2013-07-17 2015-01-22 Yun-jeong Kim Cmp slurry composition for polishing an organic layer and method of forming a semiconductor device using the same
KR20150014167A (ko) 2013-07-29 2015-02-06 삼성전기주식회사 유리 코어가 구비된 인쇄회로기판
US9102007B2 (en) 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
US9984270B2 (en) 2013-08-05 2018-05-29 Apple Inc. Fingerprint sensor in an electronic device
CN113060935A (zh) 2013-08-15 2021-07-02 康宁股份有限公司 掺杂有碱金属和不含碱金属的硼铝硅酸盐玻璃
US20160204126A1 (en) 2013-08-27 2016-07-14 Joled Inc. Thin-film transistor substrate and method for fabricating the same
US9296646B2 (en) 2013-08-29 2016-03-29 Corning Incorporated Methods for forming vias in glass substrates
CN105579621B (zh) 2013-09-26 2018-07-13 德国艾托特克公司 用于衬底表面金属化的新颖粘着促进剂
JP6478982B2 (ja) 2013-09-26 2019-03-06 アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ 基材表面を金属化するための新規の密着性促進方法
CN203509350U (zh) 2013-09-27 2014-04-02 东莞市盛雄激光设备有限公司 皮秒激光加工装置
US9589799B2 (en) 2013-09-30 2017-03-07 Lam Research Corporation High selectivity and low stress carbon hardmask by pulsed low frequency RF power
CN103531414B (zh) 2013-10-14 2016-03-02 南京三乐电子信息产业集团有限公司 一种栅控行波管栅网的皮秒脉冲激光切割制备方法
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
US10017410B2 (en) 2013-10-25 2018-07-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US10005152B2 (en) 2013-11-19 2018-06-26 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US11053156B2 (en) 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
DE102013223637B4 (de) 2013-11-20 2018-02-01 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats
JP6976057B2 (ja) 2013-11-20 2021-12-01 コーニング インコーポレイテッド 耐スクラッチアルミノホウケイ酸ガラス
JP2017501951A (ja) 2013-11-25 2017-01-19 コーニング インコーポレイテッド 実質的に柱面を成す鏡面反射面の形状を決定するための方法
US10144088B2 (en) 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
CN103746027B (zh) 2013-12-11 2015-12-09 西安交通大学 一种在ito导电薄膜表面刻蚀极细电隔离槽的方法
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US20150165563A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
EP3083514B1 (en) 2013-12-17 2019-03-06 Corning Incorporated 3-d forming of glass and associated product
US20150166393A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9285593B1 (en) 2013-12-20 2016-03-15 AdlOptica Optical Systems GmbH Method and apparatus for shaping focused laser beams
US10060723B2 (en) 2014-01-17 2018-08-28 Harbin Institute Of Technology Method and equipment based on multi-core fiber Bragg grating probe for measuring structures of a micro part
EP3099484A1 (en) 2014-01-27 2016-12-07 Corning Incorporated Treatment of a surface modification layer for controlled bonding of thin sheets with carriers
KR102353030B1 (ko) 2014-01-27 2022-01-19 코닝 인코포레이티드 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 물품 및 방법
JP6273873B2 (ja) 2014-02-04 2018-02-07 大日本印刷株式会社 ガラスインターポーザー基板の製造方法
US9425125B2 (en) 2014-02-20 2016-08-23 Altera Corporation Silicon-glass hybrid interposer circuitry
EP3111162A1 (en) 2014-02-24 2017-01-04 Renishaw Plc. Method of inspecting an object with a vision probe
WO2015127583A1 (en) 2014-02-25 2015-09-03 Schott Ag Chemically toughened glass article with low coefficient of thermal expansion
WO2015139505A1 (en) 2014-03-20 2015-09-24 Harbin Institute Of Technology Method and equipment based on detecting the polarization property of a polarization maintaining fiber probe for measuring structures of a micro part
KR102269921B1 (ko) 2014-03-31 2021-06-28 삼성디스플레이 주식회사 유리 강화용 조성물 및 이를 이용한 터치 스크린 글래스의 제조 방법
CN106470953B (zh) 2014-04-30 2019-03-12 康宁股份有限公司 用于制造穿通玻璃通孔的接合材料的回蚀工艺
US8980727B1 (en) 2014-05-07 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate patterning using hybrid laser scribing and plasma etching processing schemes
US9472859B2 (en) 2014-05-20 2016-10-18 International Business Machines Corporation Integration of area efficient antennas for phased array or wafer scale array antenna applications
CN106659802B (zh) 2014-06-13 2021-06-25 加利福尼亚大学董事会 用于引导和靶向按需物质递送的纳米结构的载体
US9815144B2 (en) 2014-07-08 2017-11-14 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
EP2965853B2 (en) 2014-07-09 2020-03-25 High Q Laser GmbH Processing of material using elongated laser beams
CN107073642B (zh) 2014-07-14 2020-07-28 康宁股份有限公司 使用长度和直径可调的激光束焦线来加工透明材料的系统和方法
US20160009066A1 (en) 2014-07-14 2016-01-14 Corning Incorporated System and method for cutting laminated structures
JP5972317B2 (ja) 2014-07-15 2016-08-17 株式会社マテリアル・コンセプト 電子部品およびその製造方法
US9558390B2 (en) 2014-07-25 2017-01-31 Qualcomm Incorporated High-resolution electric field sensor in cover glass
NL2015160A (en) 2014-07-28 2016-07-07 Asml Netherlands Bv Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method.
WO2016018878A1 (en) 2014-07-30 2016-02-04 Corning Incorporated Ultrasonic tank and methods for uniform glass substrate etching
DE102014113339A1 (de) 2014-09-16 2016-03-17 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Erzeugung von Ausnehmungen in einem Material
CN104344202A (zh) 2014-09-26 2015-02-11 张玉芬 一种有孔玻璃
CN106795044A (zh) 2014-10-03 2017-05-31 日本板硝子株式会社 带贯通电极玻璃基板的制造方法以及玻璃基板
US20160201474A1 (en) 2014-10-17 2016-07-14 United Technologies Corporation Gas turbine engine component with film cooling hole feature
EP3212588B1 (en) 2014-10-31 2021-04-07 Corning Incorporated Dimensionally stable fast etching glasses
DE102014116958B9 (de) 2014-11-19 2017-10-05 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optisches System zur Strahlformung eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsanlage, Verfahren zur Materialbearbeitung und Verwenden einer gemeinsamen langgezogenen Fokuszone zur Lasermaterialbearbeitung
CN107003531B (zh) 2014-11-19 2019-11-29 通快激光与系统工程有限公司 用于非对称光学射束成形的系统
US9548273B2 (en) 2014-12-04 2017-01-17 Invensas Corporation Integrated circuit assemblies with rigid layers used for protection against mechanical thinning and for other purposes, and methods of fabricating such assemblies
TWI506242B (zh) 2014-12-12 2015-11-01 Ind Tech Res Inst 薄膜曲率量測裝置及其方法
JP2018507154A (ja) 2015-01-12 2018-03-15 コーニング インコーポレイテッド マルチフォトン吸収方法を用いた熱強化基板のレーザー切断
US10391588B2 (en) 2015-01-13 2019-08-27 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and system for scribing brittle material followed by chemical etching
ES2784361T3 (es) 2015-01-22 2020-09-24 Becton Dickinson Co Dispositivos y sistemas para la creación de códigos de barras moleculares de dianas de ácido nucleico en células individuales
WO2016118683A1 (en) 2015-01-23 2016-07-28 Corning Incorporated Coated substrate for use in sensors
US20160219704A1 (en) 2015-01-28 2016-07-28 Rf Micro Devices, Inc. Hermetically sealed through vias (tvs)
WO2016138255A1 (en) 2015-02-27 2016-09-01 Brigham And Women's Hospital, Inc. Imaging systems and methods of using the same
WO2016138871A1 (en) 2015-03-05 2016-09-09 Harbin Institute Of Technology Method and equipment for dimensional measurement of a micro part based on fiber laser with multi-core fbg probe
HUE055461T2 (hu) 2015-03-24 2021-11-29 Corning Inc Kijelzõ üveg kompozíciók lézeres vágása és feldolgozása
US10203476B2 (en) 2015-03-25 2019-02-12 Microsoft Technology Licensing, Llc Lens assembly
US20160312365A1 (en) 2015-04-24 2016-10-27 Kanto Gakuin School Corporation Electroless plating method and electroless plating film
WO2016176171A1 (en) 2015-04-28 2016-11-03 Corning Incorporated Method of laser drilling through holes in substrates using an exit sacrificial cover layer; corresponding workpiece
JP6596906B2 (ja) * 2015-04-30 2019-10-30 大日本印刷株式会社 貫通電極基板並びに貫通電極基板を用いたインターポーザ及び半導体装置
CN106298467B (zh) 2015-05-28 2019-10-18 联华电子股份有限公司 半导体元件图案的制作方法
TW201704177A (zh) 2015-06-10 2017-02-01 康寧公司 蝕刻玻璃基板的方法及玻璃基板
US9442377B1 (en) 2015-06-15 2016-09-13 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Wet-strippable silicon-containing antireflectant
US9536826B1 (en) * 2015-06-15 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fin field effect transistor (finFET) device structure with interconnect structure
CN104897062B (zh) 2015-06-26 2017-10-27 北方工业大学 一种零件异面平行孔形位偏差的视觉测量方法及装置
US11186060B2 (en) 2015-07-10 2021-11-30 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
US9741561B2 (en) 2015-07-10 2017-08-22 Uchicago Argonne, Llc Transparent nanocrystalline diamond coatings and devices
KR102552275B1 (ko) 2015-07-31 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조방법
US9832868B1 (en) 2015-08-26 2017-11-28 Apple Inc. Electronic device display vias
KR20180048891A (ko) 2015-08-31 2018-05-10 닛본 이따 가라스 가부시끼가이샤 미세 구조를 갖는 유리의 제조 방법
US20170103249A1 (en) 2015-10-09 2017-04-13 Corning Incorporated Glass-based substrate with vias and process of forming the same
US9760986B2 (en) 2015-11-11 2017-09-12 General Electric Company Method and system for automated shaped cooling hole measurement
CN105693102B (zh) 2016-01-12 2018-08-24 中国建筑材料科学研究总院 石英玻璃酸刻蚀用掩膜及石英玻璃摆片的酸刻蚀方法
TW201737766A (zh) 2016-01-21 2017-10-16 康寧公司 處理基板的方法
DE102017001010A1 (de) 2016-02-05 2017-08-10 Mitutoyo Corporation Bildmessvorrichtung und Programm
JP6190915B2 (ja) * 2016-04-20 2017-08-30 浜松ホトニクス株式会社 検出器、ｐｅｔ装置及びｘ線ｃｔ装置
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10249495B2 (en) 2016-06-28 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Diamond like carbon layer formed by an electron beam plasma process
US10134657B2 (en) 2016-06-29 2018-11-20 Corning Incorporated Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer
JP2019532908A (ja) 2016-08-30 2019-11-14 コーニング インコーポレイテッド 強度マッピング光学システムによる材料のレーザー切断
US10366904B2 (en) 2016-09-08 2019-07-30 Corning Incorporated Articles having holes with morphology attributes and methods for fabricating the same
WO2018064409A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
DE102018100299A1 (de) 2017-01-27 2018-08-02 Schott Ag Strukturiertes plattenförmiges Glaselement und Verfahren zu dessen Herstellung
US11478880B2 (en) 2017-03-06 2022-10-25 Lpkf Laser & Electronics Ag Method for producing at least one recess in a material by means of electromagnetic radiation and subsequent etching process
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
CN110799466B (zh) 2017-08-31 2022-09-06 日本电气硝子株式会社 玻璃的蚀刻方法和蚀刻处理装置以及玻璃板
US20190185373A1 (en) 2017-12-19 2019-06-20 Corning Incorporated Methods for etching vias in glass-based articles employing positive charge organic molecules
CN108191258B (zh) 2018-01-30 2020-05-05 武汉理工大学 一种dlc薄膜增硬玻璃及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI841466B (zh) * 2023-04-13 2024-05-01 南亞科技股份有限公司 互連結構及其製備方法

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Publication number Publication date
US20200161232A1 (en) 2020-05-21
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