JP2020521335A - ジオメトリ属性を備えたビアを有する物品及びその製作方法 - Google Patents

Abstract

ガラス系基板が組み込まれた物品及び半導体パッケージ、並びにその形成方法が開示される。物品はガラス系基板を含み、上記ガラス系基板は、互いからある距離だけ離間し、かつ互いに対して平行な、第１及び第２の主表面と、上記基板を通って延在する先細ビアとを備える。上記先細ビアは、上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、対称な断面を含む。上記第１及び第２の先細領域それぞれの傾斜は一定であり、上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない。

Description

優先権

本出願は、米国特許法第１１９条の下で、２０１７年５月２５日出願の米国仮特許出願第６２／５１０，８６９号の優先権を主張するものであり、上記仮特許出願の内容は依拠され、その全体が参照により本出願に援用される。

本開示は一般に、エッチングされたビアを有する物品に関する。特に本開示は、特定のジオメトリを備えビア孔を有する物品、並びに上記物品を製作するためのレーザ及びエッチングプロセスを対象とする。

シリコン等の基板は、電子部品（例えばプリント回路基板、集積回路等）の間に配置されるインターポーザとして使用されてきた。金属化された基板貫通ビアは、インターポーザの両側部の間に電気信号を通過させるための、インターポーザを通る経路を提供する。ガラスは、寸法安定性、調整可能な熱膨張係数（ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ：ＣＴＥ）、高周波数での電気的性能における極めて良好な低い電気損失、高い熱安定性、並びに厚く大型のパネルサイズでの形成可能性を有するため、電気信号の伝送に極めて有利な基板材料である。しかしながら、ガラス貫通ビア（ｔｈｒｏｕｇｈ‐ｇｌａｓｓ ｖｉａ：ＴＧＶ）の形成及び金属化は、ガラスインターポーザの市場の発展に困難を提示する。

ビアのジオメトリ属性は、ガラス系基板内のビアを適切に金属化できるようにする役割を果たす。例えば、スパッタリング金属化プロセス中、ビアの側壁のテーパの角度によって、スパッタリングされる材料に対するビアの側壁の視野を増大させることができ、これにより、ガラス表面に対する、ビアの中心線に向かう気泡のカプセル化が防止される。これらの気泡は、高温再分配層（ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）作業中に、処理に関する問題を発生させ、基板の信頼性を低下させる場合がある。

従って、特定のビアジオメトリを有する基板、及びその形成方法に対する需要が存在する。

一実施形態によると、物品はガラス系基板を含み、上記ガラス系基板は、第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面まで延在する先細貫通ビアを有する。上記先細貫通ビアは、上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、対称な断面と、上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を有する内壁とを含む。上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、また上記第２の先細領域の傾斜は一定である。上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない。

別の実施形態では、物品はガラス系基板を含み、上記ガラス系基板は、第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面まで延在する先細ビアを有する。上記先細ビアは、上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、非対称な断面と、上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を有する内壁とを含む。上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、また上記第２の先細領域の傾斜は一定である。上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない。

別の実施形態では、半導体パッケージはガラス系基板を含み、上記ガラス系基板は、第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面まで延在する先細ビアを有する。上記先細貫通ビアは、上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、対称な断面と、上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を有する内壁とを含む。上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、また上記第２の先細領域の傾斜は一定である。上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない。上記半導体パッケージは更に、上記先細ビア内に配置された導電性材料と、上記先細ビア内に配置された上記導電性材料に電気的に連結された半導体デバイスとを含む。

別の実施形態では、半導体パッケージはガラス系基板を含み、上記ガラス系基板は、第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面に向かって延在する先細ビアを有する。上記先細ビアは、上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、非対称な断面と、上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を有する内壁とを含む。上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、また上記第２の先細領域の傾斜は一定である。上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない。上記半導体パッケージは更に、上記先細ビア内に配置された導電性材料と、上記先細ビア内に配置された上記導電性材料に電気的に連結された半導体デバイスとを含む。

別の実施形態では、少なくとも１つのビアを有するガラス系基板を形成する方法は、少なくとも１つの損傷軌跡（ｄａｍａｇｅ ｔｒａｃｋ）を有するガラス系物品を、第１のエッチング液を用いて第１のエッチング速度でエッチングするステップ；及び上記ガラス系物品を、第２のエッチング液を用いて第２のエッチング速度でエッチングして、上記少なくとも１つのビアを有する上記ガラス系基板を形成するステップを含む。上記第２のエッチング液の浴は、上記第１のエッチング液の浴中のエッチング液の濃度とは異なる、エッチング液の濃度を含む。上記少なくとも１つのビアは、第１の一定の傾斜を有する第１の先細領域と、第２の一定の傾斜を有する第２の先細領域とを含み、上記第１の一定の傾斜及び上記第２の一定の傾斜は等しくない。

別の実施形態では、少なくとも１つの貫通ビアを有するガラス系基板を形成する方法は：ガラス系物品をエッチング液中でエッチングするステップ；並びに上記エッチング液の温度、濃度、及び撹拌の程度のうちの少なくとも１つを調節して、上記少なくとも１つの貫通ビアが、連続的に変化する側壁のテーパと、上記ガラス系基板の中心に関して対称なプロファイルとを有するように、上記少なくとも１つの貫通ビアを有する上記ガラス系基板を形成するステップを含む。

別の実施形態では、少なくとも１つのブラインドビアを有するガラス系基板を形成する方法は：ガラス系物品をエッチング液の浴中でエッチングするステップ；並びに上記エッチング液の浴の温度、濃度、及び撹拌の程度のうちの少なくとも１つを調節して、上記少なくとも１つのブラインドビアが連続的に変化する側壁のテーパを含むように、上記少なくとも１つのブラインドビアを有する上記ガラス系基板を形成するステップを含む。

インターポーザ及びインターポーザアセンブリ等のガラス系構造体を形成するための方法の更なる特徴及び利点は、以下の「発明を実施するための形態」に記載され、その一部は、当業者には「発明を実施するための形態」から容易に明らかとなるか、又は「発明を実施するための形態」、後続の特許請求の範囲及び添付の図面を含む本明細書に記載された複数の実施形態を実施することによって認識されるだろう。

上述の「発明の概要」及び以下の「発明を実施するための形態」の両方は、様々な実施形態を記載し、請求対象の主題の性質及び特徴を理解するための概説又は枠組みを提供することを意図したものであることを理解されたい。添付の図面は、上記様々な実施形態の更なる理解を提供するために含まれており、本明細書の一部に組み込まれて本明細書の一部を構成する。図面は本明細書に記載の上記様々な実施形態を図示し、本説明と併せて、請求対象の主題の原理及び動作を説明する役割を果たす。

図面に示されている実施形態は説明及び例示的な性質のものであり、請求項によって定義される主題を限定することを意図したものではない。以下の例示的実施形態の詳細な説明は、以下の図面と併せて読むと理解でき、これらの図面では、同様の構造は同様の参照番号を用いて示されている。

本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、ガラスインターポーザを含む例示的な半導体アセンブリの概略図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、ビアを中に有するウェハとして構成された例示的な物品の概略図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、ビアを中に有する例示的なウェハの一部分の上面概略図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、例示的なビアジオメトリの概略断面側面図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、図３Ａのビアの内壁の２つの先細領域の間の傾斜の変化の概略詳細図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、別の例示的なビアジオメトリの概略断面側面図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、更に別の例示的なビアジオメトリの概略断面側面図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、更に別のビアジオメトリの概略断面側面図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、更に別のビアジオメトリの概略断面側面図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、ある特定のビアジオメトリを有する例示的な先細ビアの概略断面側面図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、例示的なテーパの一部分の概略断面側面図であり、その内壁の様々な先細領域の長さを示す 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、ガラス物品を形成する例示的な方法のフローチャート 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、複数のエッチングプロセスを経た例示的な先細ビアの概略断面側面図 図５Ａに関して記載されているプロセスによって形成されたガラス物品の表面からの深さに対する、例示的なビアの半径のグラフ 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、ガラス物品を形成する別の例示的な方法のフローチャート 図７に関して記載されているプロセスによって形成されたガラス物品のうちの１つの軸方向位置に対する、例示的なビアの半径のグラフ 図７に関して記載されているプロセスによって形成されたガラス物品のうちの別の１つの軸方向位置に対する、別の例示的なビアの半径のグラフ 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、ガラス物品を形成する更に別の例示的な方法のフローチャート 図１０に関して記載されているプロセスによって形成されたガラス物品のうちの１つの軸方向位置に対する、例示的なビアの半径のグラフ 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、ガラス物品を形成する更に別の例示的な方法のフローチャート 図１２に関して記載されているプロセスによって形成されたガラス物品のうちの１つの軸方向位置に対する、例示的なビアの半径のグラフ 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、例示的な先細ビアの断面図 図１４Ａに示されている例示的な先細ビアの内壁のコンピュータ支援トレースの概略図 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、コンピュータプログラムによって決定された、図１４Ａに示されている例示的な先細ビアの複数の先細領域のグラフ 本明細書に図示及び記載されている１つ以上の実施形態による、図１５Ａに示されているグラフの例示的な当てはめ残差の絶対値のグラフ

図面を全体的に参照すると、本開示の実施形態は一般に、ビア（例えば孔）と、ビアの金属化及び再分配層（ＲＤＬ）の適用を含むがこれらに限定されない下流の加工の良好な実施を可能とする表面属性とを有する、物品に関する。上記物品は、半導体デバイス、高周波（ＲＦ）デバイス（例えばアンテナ、スイッチ等）、インターポーザデバイス、超小型電子デバイス、光電子デバイス、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス、及びビアを活用できる他の用途において使用するためのものであってよい。

より詳細には、本明細書に記載の実施形態は、レーザ損傷及びエッチングプロセスによって形成されるビアを有するガラス系物品を対象とし、上記ビアは、それぞれ独自の傾斜を有する複数の領域を有する内壁等の、ある特定の内壁ジオメトリを含む。最終的に、上記ビアは、導電性材料でコーティング又は充填されていてよい。特定の内壁ジオメトリを有するビアは、金属化プロセス等の下流プロセスの信頼性を向上させることができる。例えば、上記内壁の上記特定のジオメトリにより、金属化プロセス中の側壁の表面に対する気泡のカプセル化を防止できる。

本開示の実施形態は更に、所望のジオメトリを備えたビアを有するガラス系物品をもたらすレーザ形成及びエッチングプロセスを対象とする。本明細書に記載の所望のビアジオメトリを有するガラス物品等の物品は、例えばＲＦアンテナ等の半導体デバイスにインターポーザとして実装してよい。

物品、半導体パッケージ、及び基板にビアを形成するための方法の様々な実施形態を以下に詳述する。

用語「インターポーザ（ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）」は一般に、限定するものではないが例えば該インターポーザの対向する表面に配置された２つ以上の電子デバイス間において、電気的接続がそれを通って延在又は完成する、いずれの構造体を指す。上記２つ以上の電子デバイスは、単一の構造体内に共存してよく、又は異なる構造体内に互いに隣接して配置されていてもよく、従ってインターポーザが相互接続ノジュールの一部分として機能する。従って、インターポーザは、ガラス貫通ビア及び他の相互接続コンダクタ（例えば電力、接地、及び信号コンダクタ等）が存在する、及び形成される、１つ以上のアクティブ領域を内包してよい。インターポーザはまた、ブラインドビアが存在する、及び形成される、１つ以上のアクティブ領域を含んでもよい。インターポーザが、ダイ、アンダーフィル材料、カプセル化剤等といった他の構成部品と共に形成される場合、インターポーザは、インターポーザアセンブリと呼ばれる場合もある。また、用語「インターポーザ」は更に、インターポーザのアレイ等の複数のインターポーザを含んでよい。

図１は、全体として１０で示される半導体パッケージの代表例を示し、これは、物品１５、伝導性材料２０、及び半導体デバイス２５を含む。半導体パッケージ１０の上記様々な構成部品は、本明細書中で更に詳細に記載されるように、伝導性材料２０が物品１５の少なくとも一部分上に配置される、例えば物品１５の基板のビア内に配置されるように、配設してよい。半導体デバイス２５は、半導体デバイス２５が伝導性材料２０と電気的に接触するように、連結できる。いくつかの実施形態では、半導体デバイス２５は伝導性材料２０と直接接触していてよい。他の実施形態では、半導体デバイス２５は、隆起３０等を介して、伝導性材料２０と間接的に接触していてよい。

図２Ａは、複数のビア１２０がその中に配置された例示的な基板１００の概略斜視図である。図２Ｂは、図２Ａに示す例示的な物品の概略上面図である。図２Ａ及び２Ｂはウェハとして構成された基板１００を示しているが、上記基板は、パネルを含むがこれに限定されないいずれの形状を取ってよいことを理解されたい。基板１００は概ね平面であってよく、また第１の主表面１１０と、第１の主表面１１０の反対側に位置決めされた、第１の主表面１１０と共に平面状の、第２の主表面１１２とを有してよい。

本明細書に記載の物品は、可視スペクトル内の波長を有する放射を通過させることができる、光透過性材料から製作される。例えば基板１００は、約３９０ｎｍ〜約７００ｎｍの範囲内の少なくとも１つの波長の、少なくとも約７０％、少なくとも約７５％、少なくとも約８０％、少なくとも約８５％、又は少なくとも約９０％を透過させてよい。基板１００はガラス系基板であってよい。ガラス系基板材料は、一部又は全体がガラス製の材料であり、ガラス（溶融シリカを含む）及びガラスセラミックを含むがこれらに限定されない。いくつかの実施形態では、基板１００をガラスとすることができ、上記ガラスは、溶融シリカ、アルカリ含有ガラス、又はアルカリ非含有ガラス（例えばアルカリ非含有アルカリアルミノボロシリケートガラス）を含むことができる。いくつかの実施形態では、基板１００は、ガラス層、ガラスセラミック層、又はガラス層とガラスセラミック層との組み合わせの積層体であってよい。いくつかの実施形態では、基板１００は、イオン交換処理等によって化学強化されていてよいガラス又はガラスセラミック（例えば「化学強化ガラス」又は「化学強化ガラスセラミック」）から形成される。例えば、基板１００は、ソーダライムガラスバッチ組成物、アルカリアルミノシリケートガラスバッチ組成物、又は形成後にイオン交換によって強化できる他のガラスバッチ組成物から形成してよい。ある特定の例では、基板１００は、Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄが製造しているＧｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラスから形成してよい。

いくつかの実施形態では、基板１００は、低い熱膨張係数（例えば約４ｐｐｍ／℃以下）を有してよく、他の実施形態では、基板１００は、高い熱膨張係数（例えば約４ｐｐｍ／℃超）を有してよい。

上述のように、基板１００は、電子デバイス内のインターポーザとして実装してよく、これにより、例えば限定するものではないが、基板１００の第１の主表面１１０に連結された１つ以上の電子構成部品と第２の主表面１１２に連結された１つ以上の電子構成部品との間において、電気信号が基板１００を通過する。基板１００のビア１２０に導電性材料を充填することにより、電気信号が通過できる導電性ビアを提供する。ビア１２０は例えば、ガラス貫通ビア又はブラインドビアであってよい。本明細書中で使用される場合、ガラス貫通ビアは、基板１００の厚さＴを通って、第１の主表面１１０から第２の主表面１１２まで延在する。本明細書中で使用される場合、ブラインドビアは、第１の主表面１１０及び第２の主表面１１２のうちの一方から、第１の主表面１１０及び第２の主表面１１２のうちのもう一方までの全行程ではなく、基板１００の厚さＴの一部のみを通って延在する。電気トレースの１つ以上のパターンを提供するために金属化できるチャネルを含むがこれに限定されない他の特徴部分を、基板１００の第１の主表面１１０又は第２の主表面１１２内に形成してよい。他の特徴部分を設けてもよい。

基板１００はいずれのサイズ及び／又は形状を有し、これらは例えば最終的な用途に左右され得る。限定ではなく例として、基板１００の厚さＴは、約２５マイクロメートル〜約３，０００マイクロメートルの範囲内、例えば約２５マイクロメートル、約５０マイクロメートル、約７５マイクロメートル、約１００マイクロメートル、約２００マイクロメートル、約３００マイクロメートル、約４００マイクロメートル、約５００マイクロメートル、約６００マイクロメートル、約７００マイクロメートル、約８００マイクロメートル、約９００マイクロメートル、約１，０００マイクロメートル、約２，０００マイクロメートル、約３，０００マイクロメートル、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。

基板１００のビア１２０は、例えば約１０マイクロメートル〜約２５０マイクロメートル、例えば約１５マイクロメートル以下、約２０マイクロメートル以下、約２５マイクロメートル以下、約３０マイクロメートル以下、３５マイクロメート以下、約４０マイクロメートル以下、約５０マイクロメートル以下、約６０マイクロメートル以下、約７０マイクロメートル以下、約８０マイクロメートル以下、約９０マイクロメートル以下、約１００マイクロメートル以下、約１１０マイクロメートル以下、約１２０マイクロメートル以下、約１３０マイクロメートル以下、約１４０マイクロメートル以下、約１５０マイクロメートル以下、約１６０マイクロメートル以下、約１７０マイクロメートル以下、約１８０マイクロメートル以下、約１９０マイクロメートル以下、約２００マイクロメートル以下、約２１０マイクロメートル以下、約２２０マイクロメートル以下、約２３０マイクロメートル以下、約２４０マイクロメートル以下、約２５０マイクロメートル以下、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）の、開口直径Ｄを有してよい。本明細書中で使用される場合、開口直径Ｄは、基板１００の第１の主表面１１０又は第２の主表面１１２におけるビア１２０の開口の直径を指す。ビア１２０の開口は一般に、略水平な主表面１１０、１１２と、ビア１２０の壁の傾斜した表面との間の遷移部分を示す位置にある。ビア１２０の開口直径Dは、光学顕微鏡で撮像されたビア１２０への入口の縁部に最もフィットする最小二乗円の直径を求めることによって決定できる。

同様に、基板１００のビア１２０は、約５マイクロメートル〜約１５０マイクロメートルの開口半径Ｒを有してよい。本明細書中で使用される場合、開口半径Ｒは、基板１００の第１の主表面１１０又は第２の主表面１１２のビア１２０の開口の中心点Ｃからの半径を指す。

隣接するビア１２０の中心間の間隔であるビア１２０のピッチＺは、所望の用途に応じて、限定するものではないが約１０マイクロメートル〜約２，０００マイクロメートル、例えば約１０マイクロメートル、約５０マイクロメートル、約１００マイクロメートル、約２５０マイクロメートル、約１，０００マイクロメートル、約２，０００マイクロメートル、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）の、いずれの寸法であってよい。いくつかの実施形態では、ピッチＺは、同一の基板１００上のビア１２０間で様々であってよい（即ち第１のビアと第２のビアとの間のピッチＺは、第１のビアと第３のビアとの間のピッチＺとは異なっていてよい）。いくつかの実施形態では、ピッチＺは、約１０マイクロメートル〜約１００マイクロメートル、約２５マイクロメートル〜約５００マイクロメートル、約１０マイクロメートル〜約１，０００マイクロメートル、又は約２５０マイクロメートル〜約２，０００マイクロメートル等の範囲であってよい。

本明細書中で定義されるように、基板１００の平均厚さＴは、ビア１２０の形成による第１の主表面１１０又は第２の主表面１１２上のいずれの陥没領域の外側で得られる、３つの厚さ測定値の平均を計算することによって決定される。本明細書中で定義されるように、上記厚さ測定値は、干渉計によって得られる。以下で更に詳細に説明されるように、レーザ損傷及びエッチングプロセスは、基板１００内に形成された孔を取り囲む陥没領域を生成できる。従って平均厚さＴは、上記陥没領域の外側の３つの場所で基板１００の厚さを測定することによって決定される。本明細書中で使用される場合、句「陥没領域の外側（ｏｕｔｓｉｄｅ ｏｆ 上記ｄｅｐｒｅｓｓｅｄ ｒｅｇｉｏｎ）」は、直近のビア１２０から約５００マイクロメートル〜約２，０００マイクロメートルの範囲内の距離において上記測定値を得ることを意味している。更に、物品の平均厚さの正確な表現を得るために、測定点は互いから少なくとも約１００マイクロメートル離れているものとする。換言すれば、いずれの測定点も、別の測定点の１００マイクロメートル以内にはないものとする。

上述のように、ビア１２０（及びいくつかの実施形態では他の特徴部分）に、スパッタリング、無電解及び／又は電解メッキ、化学蒸着等を含むがこれらに限定されないいずれの公知の技法を用いて、導電性材料を充填してよい。上記導電性材料は例えば、銅、銀、アルミニウム、チタン、金、白金、ニッケル、タングステン、マグネシウム、又は他のいずれの好適な材料であってよい。ビア１２０を充填すると、これらは、基板１００の第１の主表面１１０及び第２の主表面１１２上に配置される電子部品の電気トレースを電気的に連結できる。

ビア１２０のジオメトリは、得られるビア１２０の充填の品質においてある役割を果たすことができる。ビア１２０の内部形状（即ちプロファイル）は、金属化プロセスの成功において重要な役割を果たすことができる。例えばあまりに「砂時計型の（ｈｏｕｒｇｌａｓｓ）」形状を有するビアは、不良な金属化、及び金属化後の不十分な電気的性能につながり得る。真空堆積コーティングといった金属化プロセスは多くの場合、見通し線の問題を有し、これは、適用されるコーティングが、粗いテクスチャの最も内側の領域、又は砂時計状のビアの下側領域に到達できないことを意味する。というのは、表面のいくつかの地点が他のいくつかの地点をコーティングプロセスから「遮って（ｓｈａｄｏｗ）」しまうためである。同一の砂時計状の形状はまた、熱サイクル等の環境応力に部品を曝露した場合に割れ及び他の破損が発生し得るなどの、金属化後の信頼性の問題につながり得る。更に、物品の上面及び底面に沿った、ビア１２０の入口及び／又は出口付近の陥没又は隆起も、再分配層プロセスの適用時のメッキ、コーティング及び結合に関する問題につながり得る。従って、技術的に利用可能な製品を製作するために、孔の形態の厳密な制御が存在していなければならない。本開示の実施形態は、所望のジオメトリ属性及び公差を有する物品、並びにこのようなジオメトリ属性及び公差を有する物品を得るための例示的な製作プロセスを提供する。

本明細書中において、基板１００の厚さを通る様々な断面ジオメトリを有するビア１２０について具体的に言及されているが、ビア１２０は、他の多様な断面ジオメトリを含んでよく、従って本明細書に記載の実施形態は、ビア１２０のいずれの特定の断面ジオメトリに限定されないことを理解されたい。更に、ビア１２０は、基板１００の平面内に円形の断面を有するものとして図示されているが、ビア１２０は他の平面断面ジオメトリを有してよいことを理解されたい。例えばビア１２０は、楕円形断面、正方形断面、長方形断面、三角形断面等を含むがこれらに限定されない、基板１００の平面内の他の様々な断面ジオメトリを有してよい。更に、様々な断面ジオメトリを有するビア１２０を、単一のインターポーザパネル内に形成してよいことを理解されたい。

図３Ａ〜３Ｇは、基板１００内の様々な例示的なビアの個別の概略図である。図３Ａ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、及び３Ｆはそれぞれガラス貫通ビアを示し、図３Ｇはブラインドビアを示す。本明細書中で提供される説明の一部は、図３Ａ〜３Ｇのうちの特定の１つを特に対象としている場合があるが、特段の記載がない限り、図３Ａ〜３Ｇに関して図示されている様々な実施形態のうちのいずれに対して全体的に適用可能であることを理解されたい。

図３Ａは、ある実施形態による例示的なビア１２０の断面側面図を示す。ビア１２０は一般に、基板１００を通って基板１００の第１の主表面１１０と第２の主表面１１２との間の全距離にわたって延在するため、ガラス貫通ビアとなり得る。第１の主表面１１０及び第２の主表面１１２は、互いに対して概ね平行であってよく、及び／又は互いからある距離だけ離間してよい。いくつかの実施形態では、第１の主表面１１０と第２の主表面１１２との間の距離は、平均厚さＴに対応してよい（図２Ａ）。先細ビア１２０は一般に、先細ビア１２０の全長にわたって延在する内壁１２２を含んでよい。即ち内壁１２２は、基板１００の第１の主表面１１０から第２の主表面１１２まで延在する。内壁１２２は複数の先細領域を含み、各先細領域は、本明細書中で更に詳細に説明されるように、その相対的な傾斜によって、他の先細領域から区別される。非限定的な例として、図３Ａは内壁１２２を、第１の先細領域１２４、第２の先細領域１２６、及び第３の先細領域１２８を有するものとして図示しており、第１の先細領域１２４、第２の先細領域１２６、及び第３の先細領域１２８はそれぞれ異なる傾斜を有する。内壁１２２は、本開示の範囲から逸脱することなく、より多数又はより少数の先細領域を有してよいことを理解されたい。

第１の先細領域１２４、第２の先細領域１２６、及び第３の先細領域１２８はそれぞれ、全体として第１の主表面１１０から第２の主表面１１２まである方向に延在してよい。いくつかの実施形態では、先細領域は、第１の主表面１１０及び第２の主表面１１２に対して垂直な直線路内に延在していてよいが、常にそうではない。即ちいくつかの実施形態では、先細領域は、第１の主表面１１０からある角度で、ただし全体として第２の主表面１１２に向かって延在してよい。このような角度は、ある特定の先細領域の傾斜と呼ばれる場合がある。

内壁１２２の（第１の先細領域１２４、第２の先細領域１２６、及び第３の先細領域１２８を含む）様々な先細領域それぞれの傾斜は、本開示によって限定されない。即ち、各先細領域１２４、１２６、１２８は、いずれの傾斜を有してよく、これは：先細領域１２４、１２６、１２８の画像を取得し；取得した画像から先細領域１２４、１２６、１２８のプロファイルを抽出し；ある特定の点、複数の点、及び／又はある特定の領域において、上記プロファイルから傾斜を決定するよう特に構成された、いずれの画像処理ソフトウェアによって算出される。このような画像処理ソフトウェアの１つの代表例として、限定するものではないが、Ｉｇｏｒ Ｐｒｏ（ＷａｖｅＭｅｔｒｉｃｓ， Ｉｎｃ．（オレゴン州ポートランド））が挙げられる。

より具体的には、図１４Ａに示すように、ビア１２０のプロファイル１４０５の画像１４００を取得してよい。このような画像１４００を取得するために、基板１００（図３Ａ）を、第１の主表面１１０と第２の主表面１１２との間（図３Ａ）に延在する方向に、ビア１２０を通るようにスライスすることによって、ビア１２０の断面を可視化しなければならない。光学顕微鏡、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）等を用いて、ビア１２０のプロファイル１４０５の画像１４００を取得できる。

図１４Ａ及び１４Ｂの両方を参照すると、（箱型を形成する破線で示されている）関心領域１４１０を選択してよい。いくつかの実施形態では、関心領域１４１０はビア１２０全体を含んでよい。他の実施形態では、関心領域１４１０はビア１２０の一部分のみを内包してよい。例えば、ビア１２０が対称なビアである場合、ビア１２０の半分（例えば図３Ａに示すように、第１の主表面１１０から平面Ｐまで延在するビア１２０の部分）のみを関心領域１４１０として選択してよい。関心領域１４１０の選択後、（様々な先細領域１２４、１２６、１２８を含む）ビア１２０の内壁１２２を、コンピュータソフトウェアを用いて電気的にトレースして、トレース線１４１５を得てよい。トレース線１４１５は、画像１４００内でトレース線１４１５の輪郭がビア１２０の内壁１２２の輪郭に対応するように、プロファイル１４０５の画像１４００の上に重ねて描画してよい。トレース線１４１５を内包したこのような図は、本明細書中で更に詳細に説明される市販のデータ／画像処理ソフトウェアによって得られる標準的なエッジ検出技法を用いて完成できる。

次にトレース線１４１５を分析して、（様々な先細領域１２４、１２６、１２８を含む）内壁１２２の１つ以上の部分の傾斜を決定してよい。例えば図１５Ａに示すように、トレース線１４１５をグラフで示し、本明細書に記載のコンピュータソフトウェアを用いて、トレース線１４１５の１つ以上の直線領域を決定する。直線領域は、以下のように定義される：（１）上記領域の長さは５μｍ以上であり、一般に１０μｍ超であってよい；（２）上記領域は、ｘを深さ（表面からの距離）、ｙを深さｘにおけるビアの半径とした最小二乗当てはめを用いて、線形関数（ｙ＝ａ＋ｂｘ）に当てはめることができ、ここで最小二乗当てはめの残差の絶対値は１μｍ未満である（図１５Ｂの対応するグラフによって示される；ここで上記残差は、所与の深さ（ｘ）における実際の半径（ｙ）と、所与の深さ（ｘ）における当てはめた半径（ｙ）との間の差である）；及び（３）いずれの隣接する領域に関する上記当てはめ関数の傾斜は、０．０１だけ異なるものとし、これは、テーパの角度に関する０．５７°の差に変換される。上述の基準（１）、（２）及び（３）の全てを満たす領域は、一定の傾斜を有する領域と呼ばれる。図１５Ａに示すように、トレース線１４１５は、４つの別個の直線領域：点Ａと点Ｂとの間の領域；点Ｃと点Ｄとの間の領域；点Ｅと点Ｆとの間の領域；及び点Ｇと点Ｈとの間の領域を有する。従って、点Ａと点Ｂとの間、点Ｃと点Ｄとの間、点Ｅと点Ｆとの間、及び点Ｇと点Ｈとの間の領域の傾斜は一定である。更に、トレース線１４１５の点Ｂと点Ｃとの間、点Ｄと点Ｅとの間、及び点Ｆと点Ｇとの間の範囲は、本明細書中で更に詳細に説明するように、一定の傾斜の範囲の間の遷移範囲となり得る。

再び図３Ａを参照すると、いくつかの実施形態では、各先細領域の傾斜は、ある特定の点における、ある特定の軸に対する角度であってよい。例えば、いくつかの実施形態では、上記傾斜は、第１の主表面１１０及び／又は第２の主表面１１２に対して略平行な軸に対する角度であってよい。他の実施形態では、各先細領域の傾斜は、第１の主表面１１０及び／又は第２の主表面１１２に対して略垂直な軸に対する角度であってよい。いくつかの実施形態では、各先細領域の傾斜は、第１の主表面１１０及び／又は第２の主表面１１２に対して垂直な軸及び平行な軸に関する比として表現できる。例えば、ある特定の先細領域の傾斜は、比３：１として表現でき、これは一般に、上記傾斜が、第１の主表面１１０及び／又は第２の主表面１１２に対して垂直な第１の方向に３単位だけ延在する第１の辺と、第１の主表面１１０及び／又は第２の主表面１１２に対して平行な第２の方向に１単位だけ延在する第２の辺とを有する直角三角形の斜辺であることを意味する。（第１の先細領域１２４、第２の先細領域１２６、及び第３の先細領域１２８を含む）先細領域の代表的な傾斜は、約３：１〜約１００：１、例えば約３：１、約４：１、約５：１、約６：１、約７：１、約８：１、約９：１、約１０：１、約２０：１、約３０：１、約４０：１、約５０：１、約６０：１、約７０：１、約８０：１、約９０：１、約１００：１、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。

様々な実施形態では、各先細領域の傾斜間の遷移範囲は、内壁１２２の一定の傾斜の領域が終端するいずれの場合に発生し得る。遷移範囲の例は、トレース線１４１５の、点Ｂと点Ｃとの間、点Ｄと点Ｅとの間、及び点Ｆと点Ｇとの間の領域である。いくつかの実施形態では、遷移範囲の傾斜は、一定の傾斜の領域の傾斜から、約０．５７°以上、約１°以上、約２°以上、約３°以上、約４°以上、又は約５°以上だけ変化する。例えば図３Ｂに示すように、第２の先細領域１２６の傾斜から第３の先細領域１２８の傾斜への遷移範囲は、内壁１２２の接線１５５の傾斜が、第２の先細領域１２６の一定の傾斜から少なくとも０．５７°変化する点において発生し得る。点の位置は一般に、上述の画像処理ソフトウェアによって、内壁１２２の連続する複数の点を、先細領域のうちの１つから離れる方向に横断し、上記連続する複数の点それぞれを測定し、上記連続する複数の点それぞれが、特定の連続する点に先行する先細領域の傾斜から少なくとも０．５７°変化しているかどうかを決定することで、決定できる。いくつかの実施形態では、このような遷移範囲は、特定の点１５０によって画定できる。他の実施形態では、このような遷移範囲は、拡張領域であってよい。即ち上記遷移範囲は漸進的であり、従って第２の先細領域１２６の傾斜から第３の先細領域１２８の傾斜への遷移は、ある特定の点において発生せず、ある領域において発生し、ここで、上記遷移範囲内の内壁１２２の平均傾斜は、第２の先細領域１２６及び第３の先細領域１２８から約０．５７°以上変化している。

いくつかの実施形態では、先細領域間の遷移範囲は、図３Ａ、３Ｃ、３Ｆ、及び３Ｇに示すように明らかなものであってよい。即ち、遷移領域は、ある特定の点１５０（図３Ｂ）又は長さが比較的短い領域であってよく、これにより、他の先細領域に対する各先細領域の始点及び終点の区別をより容易にすることができる。他の実施形態では、先細領域間の遷移範囲は、図３Ｄ及び３Ｅに示すように比較的大きくてよく、これにより、内壁１２２の傾斜は連続的に変化しているように見え、他の先細領域に対する各先細領域の始点及び終点の区別がより困難になり得る。例えば図３Ｄに示すように、第１の先細領域１２４の傾斜と第２の先細領域１２６の傾斜との間の遷移範囲は、図３Ａに示す第１の先細領域１２４の傾斜と第２の先細領域１２６の傾斜との間の遷移範囲よりも長くなり得る。

様々な先細領域それぞれの長さは様々であってよく、一般に本開示によって限定されない。様々な先細領域それぞれの長さは、先細領域の個数、第１の主表面１１０と第２の主表面１１２との間の距離、各先細領域の傾斜、先細領域間の遷移範囲のサイズ等に基づいていてよい。特定の領域それぞれの長さは、本明細書中で更に詳細に説明するように、特定の領域それぞれに関する終点に基づいていてよい。例えば第１の先細領域１２４は、内壁１２２と第１の主表面１１０との交点に位置する第１の終点と、内壁１２２上の、内壁１２２の一定の傾斜が終端する点、例えば傾斜が第１の先細領域１２４の傾斜から少なくとも０．５７°だけ変化する点である第２の終点とを有してよい。同様に、第２の先細領域１２６は、第１の先細領域１２４との交点から第２の主表面１１２に向かって延在してよい。本明細書中で使用される場合は様々な先細領域に関するものである上記長さ（先細領域を全て合わせて含む全長を含む）は、内壁１２２の輪郭／プロファイルを始点から終点までたどったときに横断される、内壁１２２の長さを指すことを理解されたい。

いくつかの実施形態では、（第１の先細領域１２４、第２の先細領域１２６、及び／又は第３の先細領域１２８を含む）ある特定の先細領域の長さは、約１５マイクロメートル〜約３６０マイクロメートル、例えば約１５マイクロメートル、約２５マイクロメートル、約５０マイクロメートル、約７５マイクロメートル、約１００マイクロメートル、約１５０マイクロメートル、約２００マイクロメートル、約２５０マイクロメートル、約３００マイクロメートル、約３５０マイクロメートル、約３６０マイクロメートル、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。

ビア１２０は、第１の主表面１１０と第２の主表面１１２との間に位置する、第１の主表面１１０及び第２の主表面１１２から等距離の（例えば第１の主表面１１０と第２の主表面との間の中間の高さの）平面Ｐに関して、対称であっても非対称であってもよい。更に、平面Ｐは更に、第１の主表面１１０及び第２の主表面１１２に対して略平行であってよい。

ビア１２０が平面Ｐに関して対称である場合、平面Ｐと第１の主表面１１０との間の第１の部分１３０内の、内壁１２２の様々な先細領域は、平面Ｐと第２の主表面１１２との間の第２の部分１４０内の、内壁１２２の様々な先細領域の鏡像であってよい。即ち、第１の部分１３０内での平面Ｐからいずれの所与の距離におけるビア１２０の直径は、第２の部分１４０内での平面Ｐから対応する距離におけるビア１２０の直径に略等しくなる。例えば、図３Ａ及び３Ｄに示すように、第１の部分１３０内の第１の主表面１１０のビア１２０の開口における、ビア１２０の第１の直径Ｄ_１は、第２の主表面１１２のビア１２０の開口における、ビア１２０の第２の直径Ｄ_２に略等しい。本明細書中で対称な形状に関して使用される場合、用語「略等しい（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ ｅｑｕａｌ）」は、許容誤差限界内で等しい複数の直径を指す。許容誤差限界は、３マイクロメートル以下、約２マイクロメートル以下、１マイクロメートル以下、約０．５マイクロメートル以下、約０．２５マイクロメートル以下、約０．１マイクロメートル以下、又は約０マイクロメートル以下であってよい。

対照的に、図３Ｃ、３Ｅ、及び３Ｆに示すように、別のビア１２０’が平面Ｐに関して非対称である場合、第１の部分１３０内の内壁１２２の様々な先細領域は、第２の部分１４０内の内壁１２２の様々な先細領域の鏡像ではない。即ち、図３Ｃ、３Ｅ、及び３Ｆに示すように、第１の部分１３０内のいずれの所与の場所における、ビア１２０’の第１の直径Ｄ_１は、第２の部分１４０内の対応する場所における、ビア１２０’の第２の直径Ｄ_２に等しくない。図３Ｇのブラインドビアにおいて特に図示されているように、平面Ｐの一方の側の第１の部分１３０が、平面Ｐの下側の第２の部分１４０の鏡像ではないため、ビア１２０’は非対称である。更に、ビア１２０’はブラインドビアであるため、第２の主表面１１２上に開口を内包していない。そうではなく、ビア１２０’は第１の主表面１１０上のみに開口を内包する。

図４に示すように、ビア１２０は、平面Ｐにおいて特定のウエスト直径Ｗを有してよい。いくつかの実施形態では、ウエスト直径Ｗは、第１の直径Ｄ_１及び第２の直径（図示せず）のうちの大きい方の約８０％以上であってよい。他の実施形態では、ウエスト直径Ｗは、第１の直径Ｄ_１及び第２の直径のうちの大きい方の約２０％〜約１００％の範囲内であってよい。他の実施形態では、ウエスト直径Ｗは、第１の直径Ｄ_１及び第２の直径のうちの大きい方の約８５％、第１の直径Ｄ_１及び第２の直径約のうちの大きい方の約９０％、第１の直径Ｄ_１及び第２の直径のうちの大きい方の約３０％〜約１００％、第１の直径Ｄ_１及び第２の直径のうちの大きい方の約４０％〜約１００％、第１の直径Ｄ_１及び第２の直径のうちの大きい方の約５０％〜約１００％、第１の直径Ｄ_１及び第２の直径のうちの大きい方の約６０％〜約１００％、第１の直径Ｄ_１及び第２の直径のうちの大きい方の約７０％〜約１００％、第１の直径Ｄ_１及び第２の直径のうちの大きい方の約８０％〜約１００％、又は第１の直径Ｄ_１及び第２の直径のうちの大きい方の約９０％〜約１００％であってよい。いくつかの実施形態では、ウエスト直径は、約５マイクロメートル〜約２００マイクロメートル、例えば約５マイクロメートル、約１０マイクロメートル、約２５マイクロメートル、約５０マイクロメートル、約１００マイクロメートル、約２００マイクロメートル、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。

図５Ａは、少なくとも１つ以上の実施形態による、少なくとも１つの対称な先細ビアを含むガラス系基板を形成する例示的な方法を示す。図５Ａに示すステップは単なる例であり、複数のステップを排除してもよく、又は追加のステップを含めてもよい。いくつかの実施形態では、図５Ａに関して記載される方法によって形成されるガラス系基板は、本明細書中で更に詳細に説明するように、複数の先細領域を備えた内壁と、平面に関して対称な断面とを有する、貫通ビアを含んでよい。

ステップ５０５では、平面状のガラス系基板を提供できる。本明細書に記載されているように、ガラス系基板は一般に、それを貫通するビアの形成に好適ないずれのガラス系基板であってよい。ガラス系基板は、いずれの好適な厚さ及び／又は形状を有してよく、例えば０．７ミリメートル（ｍｍ）厚、直径１５０ｍｍのウェハであってよい。

ステップ５１０では、１つ以上のレーザ損傷領域又はパイロット孔をガラス系基板に形成できる。レーザ損傷領域は、エッチング用溶液の塗布時に非損傷領域よりも速いエッチング速度でエッチングされる損傷領域を基板１００内に形成する。１つ以上の損傷軌跡は、米国公開特許第２０１５／０１６６３９５号明細書（参照によりその全体が本出願に援用される）に記載されているもの等の線焦点レーザによって形成できる。しかしながら、本開示はこのようなレーザに限定されず、本開示の範囲から逸脱することなく、１つ以上の損傷軌跡を他のレーザで形成してよい。レーザのエネルギ密度（例えばガラス系基板に送達されるエネルギ）は、ガラス系基板の少なくとも一部分に沿って（例えばガラス貫通ビアが望ましい場合には、ガラス系基板の幅全体に沿った）、及びレーザの全範囲に沿って、損傷閾値を超えるように選択してよい。ブラインドビアが望ましい実施形態では、１つ以上の損傷軌跡を形成するステップは、基板の第１の主表面上の第１の損傷軌跡のセットと、第２の主表面上の第２の損傷軌跡のセットとを、ガラス系基板に送達されたエネルギが、上記第１の損傷軌跡のセットにおいて損傷閾値より高く、上記第２の損傷軌跡のセットにおいて損傷閾値より低くなるように、形成するステップを含んでよい。１つ以上の損傷軌跡をガラス系基板上に形成する他の手段も一般に理解されているはずであり、本開示の範囲内に含まれることが意図されている。

損傷軌跡を形成するステップは、いずれの形成技法を含んでよく、本開示はいずれの特定の技法に限定されない。例示的な形成技法としては、限定するものではないが、機械的穿孔、エッチング、レーザアブレーション、レーザ支援プロセス、レーザ損傷及びエッチングプロセス、研磨ブラスト、研磨ウォータージェット機械加工、集束電熱エネルギ、又は他のいずれの好適な形成技法が挙げられる。

ステップ５１５では、ガラス系基板を、例えばエッチング液の浴中（例えば第１のエッチング液の浴中）に配置することによって、エッチング液に曝露し、特定のエッチング速度（例えば第１のエッチング速度）でエッチングして、レーザ損傷領域を除去する、及び／又はパイロット孔を拡大することにより、ビアの少なくとも一部分を形成する。他の実施形態では、エッチング液への曝露は、エッチング液による噴霧、又はエッチング液クリームの塗布を含むがこれらに限定されないいずれの従来の手段によって達成できる。第１のエッチング液は例えば、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液であってよい。酸性エッチング液の代表例としては、限定するものではないが、ある量の硝酸（ＨＮＯ_３）を含有するエッチング液、フッ化水素酸（ＨＦ）を含有するエッチング液等が挙げられる。塩基性エッチング液の代表例としては、限定するものではないが、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）等のアルカリであるエッチング液が挙げられる。いくつかの実施形態では、第１のエッチング液の浴は、約９．８％（ｗ／ｗ）のフッ化水素酸水溶液の停滞した（例えば撹拌されていない）浴であってよい。しかしながら、現在既知である又は今後開発される他のエッチング液の浴も、本開示の範囲から逸脱することなく使用できる。第１のエッチング速度も同様に、本開示によって限定されず、いずれのエッチング速度であってよい。いくつかの実施形態では、第１のエッチング速度は、毎分約２．８ナノメートル（ｎｍ／分）〜約３．２ｎｍ／分、例えば約２．８ｎｍ／分、約２．９ｎｍ／分、約３．０ｎｍ／分、約３．１ｎｍ／分、約３．２ｎｍ／分、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。ある特定の実施形態では、第１のエッチング速度は約３ｎｍ／分であってよい。いくつかの実施形態では、ステップ５１５は、本明細書中で更に詳細に説明するように、ビアの第１の先細領域を形成してよい。

ある期間が経過した後、及び／又はある特定の量のガラス系基板が除去された後、ステップ５２０では、ガラス系基板をエッチング液（例えばエッチング液の浴）から取り出すことができる。いくつかの実施形態では、この特定の時間量は例えば、約５分〜約１２０分、例えば約５分、約１５分、約３０分、約６０分、約１２０分、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。ある特定の実施形態では、上記特定の時間量は約７５分であってよい。別の特定の実施形態では、上記特定の時間量は約１４分であってよい。本開示の範囲から逸脱することなく、他の期間も考えられる。いくつかの実施形態では、除去されるガラス系基板の上記特定の量は、第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方から測定した場合に、例えば約１０マイクロメートルの材料〜約２００マイクロメートルの材料、例えば約１０マイクロメートルの材料、約５０マイクロメートルの材料、約１００マイクロメートルの材料、約１５０マイクロメートルの材料、約２００マイクロメートルの材料、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。特定の実施形態では、第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方から測定した場合に、約４２マイクロメートル又は約１８０マイクロメートルの材料を除去してよい。

ステップ５２５では、ガラス系基板からエッチング液材料をすすぎ落としてよい。いくつかの実施形態では、ガラス系基板を、例えば０．５Ｍ ＨＣｌ溶液等の、塩酸（ＨＣｌ）を含有する溶液ですすいでよい。いくつかの実施形態では、ガラス系基板を脱イオン水ですすいでよい。いくつかの実施形態では、ガラス系基板を、第１のすすぎ液ですすいだ後、第２のすすぎ液ですすいでよい。例えば、ガラス系基板を、０．５Ｍ ＨＣｌ溶液ですすいだ後、脱イオン水ですすいでよい。いくつかの実施形態では、全てのエッチング液が除去されたこと、及び／又はエッチング液から取り出された全てのウェハ材料が分離されていることを保証するために、ガラス系基板をある特定の期間、例えば約１０分間にわたってすすいでよい。ある特定の実施形態では、ガラス系基板を、０．５Ｍ ＨＣｌ溶液中で１０分間すすいだ後、脱イオン水で１０分間すすいでよい。

ステップ５３５では、ガラス系基板を、エッチング液、例えばエッチング液の浴（例えば第２のエッチング液の浴）に曝露し、ある特定のエッチング速度（例えば第２のエッチング速度）でエッチングする。他の実施形態では、エッチング液への曝露は、エッチング液による噴霧、又はエッチング液クリームの塗布を含むがこれらに限定されないいずれの従来の手段によって達成できる。第２のエッチング液は例えば、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液であってよい。第２のエッチング液は一般に、第１のエッチング液とは異なる濃度を有してよい。例えば、上述の第１のエッチング液は、第２のエッチング液よりも酸性エッチング液又は塩基性エッチング液の濃度が高くてよい。他の実施形態では、第１のエッチング液は、第２のエッチング液よりも酸性エッチング液又は塩基性エッチング液の濃度が低くてよい。ある特定の実施形態では、第２のエッチング液の浴は、６Ｍ ＮａＯＨ溶液であってよい。しかしながら、現在既知である又は今後開発される他のエッチング液も、本開示の範囲から逸脱することなく使用できる。第２のエッチング速度も同様に、本開示によって限定されず、いずれのエッチング速度であってよい。ある特定の実施形態では、第２のエッチング速度は約３０ｎｍ／分であってよい。いくつかの実施形態では、上述の第１のエッチング速度は第２のエッチング速度より高くてよい。他の実施形態では、第１のエッチング速度は第２のエッチング速度より低くてよい。いくつかの実施形態では、ステップ５３５は、本明細書中で更に詳細に説明するように、ビアの第２の先細領域を形成してよい。

ある期間が経過した後、及び／又はある特定の量のガラス系基板が除去された後、ステップ５４０では、ガラス系基板をエッチング液（例えばエッチング液の浴）から取り出すことができる。いくつかの実施形態では、この特定の時間量は例えば、約３日であってよい。他の実施形態では、上記特定の時間量は約６時間であってよい。本開示の範囲から逸脱することなく、他の期間も考えられる。いくつかの実施形態では、除去されるガラス系基板の上記特定の量は、第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方から測定した場合に、約６５マイクロメートルの材料であってよい。

エッチング液は、本明細書中に具体的に記載されていない１つ以上の他の特性を有してよい。例えばいくつかの実施形態では、エッチング液の浴をある特定の温度に維持してよい。１つの代表的なこのような温度は、約８５℃である。

ステップ５４５では、ガラス系基板をすすいで、エッチング液材料を除去してよい。例えばガラス系基板を脱イオン水ですすいでよい。得られたガラス系基板は、１つ以上のジオメトリ特性を有する少なくとも１つの対称なビアを含む。例えば、得られたビアは：第１の主表面及び第２の主表面における約１００マイクロメートルの直径；約４０マイクロメートルのウエスト直径；並びに第１の主表面から第２の主表面に向かって３：１のテーパで約１１５マイクロメートルだけ延在する第１の先細領域と、第１の先細領域との交点と基板の中央との間に３０：１のテーパで延在する第２の先細領域とを有する、内壁を有してよい。

追加の先細領域を形成するために、例えば図５Ｂに示すように、ステップ５３５〜５４５に関して図示されているプロセスを、追加の先細領域それぞれに対して繰り返してよい。エッチング液の浴の１つ以上の特性を変更すること、及び／又はエッチング速度を変更することによって、特定の特性を有する追加の先細領域を得ることができることを理解されたい。

以下の実施例１は、図５Ａに関して本明細書中に記載したステップを用いて形成されるビアの具体例について説明する。

実施例１
対称な区分されたテーパを有するガラス貫通ビアは、以下のステップを用いて形成できる：
・まず、１０６４ｎｍピコ秒レーザを用いて、厚さ０．７ｍｍ、直径１５０ｍｍのガラス系ウェハに損傷軌跡を形成した。このエネルギ密度は、レーザの軸全体に沿ってガラス系ウェハの損傷閾値を超えるように選択した。
・ウェハを、９．８％（ｗ／ｗ）フッ化水素酸水溶液の停滞した浴中に、７５分間入れた（〜１８０マイクロメートルを除去した）。このプロセスのエッチング速度は、約３（例えば２．８〜３．２）であった。
・次に、これらのウェハを０．５Ｍ ＨＣｌ中で１０分間すすぎ、またＤＩ水中で１０分間すすいだ。
・続いて、８５℃の６Ｍ水酸化ナトリウムの浴に３日間浸漬した（〜６５マイクロメートルを除去した）。このプロセスのエッチング速度は、約３０であった。
・次にプロセスキャリアをアルカリ浴から除去し、豊富な量のＤＩ水ですすいだ。
・これにより、入口直径が１００マイクロメートル、ウエスト直径が４０マイクロメートル、表面から１１５マイクロメートルの第１の深さに関するテーパが３：１、及び基板の中央までの残りの距離に関するテーパが３０：１となるまでビアが開けられた基板が得られた。

いくつかの実施形態では、図５Aに関して説明したプロセスの少なくとも一部分を用いても、ブラインドビアを形成できる。以下の実施例２は、このような例示的なプロセスを示す。

実施例２
区分毎に変化する側壁テーパを有するブラインドビアは、以下のステップを用いて形成できる：
・まず、１０６４ｎｍピコ秒レーザを用いて、厚さ０．７ｍｍ、直径１５０ｍｍのガラス系ウェハに損傷軌跡を形成した。このエネルギ密度は、ガラス系ウェハのガラス組成の、ガラスの中央へ向かう、及び一方の側部上での損傷の閾値未満であった。
・ガラスウェハを、９．８％（ｗ／ｗ）フッ化水素酸水溶液の停滞した浴中に、１４分間入れた（〜４２マイクロメートルを除去した）。このプロセスのエッチング速度は、約３（例えば２．８〜３．２）であった。
・次に、これらのウェハを０．５Ｍ ＨＣｌ中で１０分間すすぎ、またＤＩ水中で１０分間すすいだ。
・続いて、８５℃の６Ｍ水酸化ナトリウムの浴に６時間浸漬した（〜６マイクロメートルを除去した）。このプロセスのエッチング速度は、約３０であった。
・次にキャリアをアルカリ浴から除去し、豊富な量のＤＩ水ですすいだ。
・これにより、図６に示すように、入口直径が３６マイクロメートル、深さが２２８マイクロメートル、表面から５４マイクロメートルの第１の深さに関するテーパが３：１、及びブラインドビアの端部までの残りの距離に関するテーパが３０：１となるまでビアが開けられた基板が得られた。

図７は、本明細書に記載されているように、１つ以上のビアを備えたガラス系基板を形成する別の方法を示す。結果として得られるガラス系基板は、例えば図３Ｄに示すように、傾斜が連続的に変化する側壁を備えた１つ以上の対称なビアを有してよく、これは、本明細書に記載されているように、１つ以上のビアが、傾斜が変化する別個の先細領域を有する、図５Ａによる方法によって形成されたガラス系基板とは対照的である。図７に示すステップは単なる例であり、複数のステップを排除してもよく、又は追加のステップを含めてもよい。ステップ７０５では、平面状のガラス系基板を提供できる。本明細書に記載されているように、ガラス系基板は一般に、それを貫通するビアの形成に好適ないずれのガラス系基板であってよい。ある特定の例では、ガラス系基板は、０．５ｍｍ厚、直径１５０ｍｍのウェハであってよい。

ステップ７１０では、図５Ａのステップ５１０に関して上述したように、１つ以上の損傷領域又はパイロット孔をガラス系基板上に形成できる。レーザのエネルギ密度（例えばガラス系基板に送達されるエネルギ）は、ガラス系基板の少なくとも一部分に沿って（例えば貫通ビアが望ましい場合には、ガラス系基板の幅全体に沿った）、及びレーザの全範囲に沿って、損傷閾値を超えるように選択してよい。ブラインドビアが望ましい実施形態では、１つ以上の損傷軌跡を形成するステップは、基板の第１の主表面上の第１の損傷軌跡のセットと、第２の主表面上の第２の損傷軌跡のセットとを、ガラス系基板に送達されたエネルギが、上記第１の損傷軌跡のセットにおいて損傷閾値より高く、上記第２の損傷軌跡のセットにおいて損傷閾値より低くなるように、形成するステップを含んでよい。１つ以上の損傷軌跡をガラス系基板上に形成する他の手段も一般に理解されているはずであり、本開示の範囲内に含まれることが意図されている。

ステップ７１５では、ガラス系基板をエッチング液、例えばエッチング液の浴に曝露する。他の実施形態では、エッチング液への曝露は、エッチング液による噴霧、又はエッチング液クリームの塗布を含むがこれらに限定されないいずれの従来の手段によって達成できる。第１のエッチング液は例えば、本明細書中で更に詳細に説明するように、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液であってよい。いくつかの実施形態では、エッチング液は、停滞した浴であってよい。エッチング液は一般に、水溶液、水、水と他の水混和性有機溶媒（エチレングリコール、プロピレングリコール等）との混合物を含む、いずれの溶液であってよい。いくつかの実施形態では、エッチング液は水酸化ナトリウム溶液を含有してよい。いくつかの実施形態では、エッチング液は水酸化カリウム溶液を含有してよい。エッチング液の濃度は、例えば約４Ｍ〜約１２Ｍであってよい。ある特定の実施形態では、エッチング液は、約１２Ｍの水酸化ナトリウム水溶液を含有してよい。しかしながら、現在既知である又は今後開発される他のエッチング液も、本開示の範囲から逸脱することなく使用できる。

エッチング液（例えばエッチング液の浴）は初め、ある特定の温度としてよく、上記温度は、ステップ７２０において、ある期間にわたって調整してよい。即ちエッチング温度を、上記期間にわたって上昇及び／又は低下させることができる。例えば上記温度を、上記期間にわたって上昇させる。上記期間にわたって低下させる、上記期間にわたって交互に上昇及び低下させる等を行うことができる。温度の上昇及び低下は線形に実施してよく（例えば温度を連続的に上昇若しくは低下させてよく）、又は段階的に実施してよい（例えば温度を、ある特定の期間の経過後にある特定の量だけ上昇若しくは低下させてよい）。いくつかの実施形態では、上記期間は、ある特定のエッチングプロセスを完了するために必要な時間量に対応してよい。エッチング液の温度は、本開示によって限定されず、いずれの温度、特に本明細書に記載のエッチングプロセスに好適であると理解される温度であってよい。例えば浴の温度は、約９５℃〜約１３０℃、例えば約９５℃、約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、約１３０℃、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。エッチング液の温度は、反応時間に影響を及ぼし得る。ある特定の実施形態では、エッチング液を初め１２０℃に設定し、１２時間の期間にわたって１３０℃まで線形に上昇させた後、約２２時間にわたって１３０℃の一定の温度のままとしてよい。

いくつかの実施形態では、ステップ７２５において、エッチング液（例えばエッチング液の浴）中の酸性又は塩基性エッチング液の濃度を調整できる。例えば、上記濃度を、上記期間にわたって上昇させる。上記期間にわたって低下させる、上記期間にわたって交互に上昇及び低下させる等を行うことができる。濃度の上昇及び低下は線形に実施してよく（例えば濃度を連続的に上昇若しくは低下させてよく）、又は段階的に実施してよい（例えば濃度を、ある特定の期間の経過後にある特定の量だけ上昇若しくは低下させてよい）。いくつかの実施形態では、上記期間は、ある特定のエッチングプロセスを完了するために必要な時間量に対応してよい。エッチング液の濃度は、本開示によって限定されず、いずれの濃度、本明細書に記載のエッチングプロセスに好適であると理解される特定のエッチング液濃度であってよい。

いくつかの実施形態では、ステップ７３０において、エッチング液の浴に加えられる撹拌の程度を調整できる。即ち、エッチング液の浴を、上記期間にわたってより強く、又はより弱く撹拌してよい。撹拌は、例えば機械的撹拌、超音波処理、従来の混合、従来の撹拌、及びこれらのいずれの組み合わせといった、一般に理解されている撹拌プロセスによって完了できる。撹拌の程度を、上記期間にわたって上昇させる。上記期間にわたって低下させる、上記期間にわたって交互に上昇及び低下させる等を行うことができる。撹拌の程度の上昇及び低下は線形に実施してよく（例えば撹拌の程度を連続的に上昇若しくは低下させてよく）、又は段階的に実施してよい（例えば撹拌の程度を、ある特定の期間の経過後にある特定の量だけ上昇若しくは低下させてよい）。いくつかの実施形態では、上記期間は、ある特定のエッチングプロセスを完了するために必要な時間量に対応してよい。撹拌の程度は、本開示によって限定されず、いずれの撹拌の程度、本明細書に記載のエッチングプロセスに好適であると理解される特定の撹拌の程度であってよい。

ステップ７３５では、基板をエッチングできる。エッチングプロセスは、ステップ７１５で基板をエッチング液に曝露するとすぐに実施でき、上述の様々な調整プロセスの間、実施し続けることができる。エッチングの実施後、基板を浴から取り出してよい。エッチングに必要な期間は本開示によって限定されず、一般に、本明細書に記載のエッチングを完了するために必要ないずれの期間であってよい。例えば上記期間は、限定するものではないが、約１０時間〜約２００時間、例えば約１０時間、約５０時間、約１００時間、約１５０時間、約２００時間、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。

ステップ７４０では、本明細書に記載されているように、ガラス系基板からエッチング液材料をすすぎ落としてよい。例えば、ガラス系基板を０．５Ｍ ＨＣｌ溶液ですすいだ後、脱イオン水ですすいでよい。ある特定の実施形態では、ガラス系基板を０．５Ｍ ＨＣｌ溶液で１０分間すすいだ後、脱イオン水で１０分間すすいでよい。

実施例３は、図７に関して記載した様々なプロセスに従って形成されるビアを示す。

実施例３
対称な区分されたテーパを有するガラス貫通ビアは、以下のステップを用いて形成できる：
・まず、１０６４ｎｍピコ秒レーザを用いて、厚さ０．５ｍｍ、直径１５０ｍｍのガラス系ウェハに損傷軌跡を形成した。このエネルギ密度は、レーザの軸全体に沿ってガラス系ウェハの損傷閾値を超えるように選択した。
・ウェハを１２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液の停滞した浴中に入れた。温度を初め１２０℃に設定したが、１２時間にわたって１３０℃まで線形に上昇させた。
・次に、ウェハを一定の温度１３０℃において、更に２２時間にわたってエッチングした。
・次に、これらのウェハを０．５Ｍ ＨＣｌ中で１０分間すすぎ、またＤＩ水中で１０分間すすいだ。これにより、図８に示すようなプロファイルを有するビアが形成された。

実施例４は、図７に関して記載した様々なプロセスに従って形成された別のビアを示す。

実施例４
連続的に変化する側壁テーパを有するブラインドビアは、以下のステップを用いて形成できる：
・まず、１０６４ｎｍピコ秒レーザを用いて、厚さ０．７ｍｍ、直径１５０ｍｍのガラス系ウェハに損傷軌跡を形成した。このエネルギ密度は、ガラス系ウェハ組成の、ガラスの中央へ向かう、及び一方の側部上での損傷の閾値未満であった。
・ウェハを、１２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液の停滞した浴中に入れた。温度を初め１２０℃に設定したが、１２時間にわたって１３０℃まで線形に上昇させた。
・次に、ウェハを０．５Ｍ ＨＣｌ中で１０分間すすぎ、またＤＩ水中で１０分間すすいだ。
・これにより、１６マイクロメートルの入口直径、及び図９に示すような側壁プロファイルとなるまでビアが開けられた基板が得られた。

図１０は、ある実施形態による、複数の先細領域を有する少なくとも１つの非対称なビア（例えば図３Ｇに示すブラインドビア、又は例えば図３Ｃ若しくは図３Ｆに示すガラス貫通ビア）を含むガラス系基板を形成する例示的な方法を示す。図１０に示すステップは単なる例であり、複数のステップを排除してもよく、又は追加のステップを含めてもよい。

ステップ１００５では、平面状のガラス系基板を提供できる。ある特定の例では、ガラス系基板は、０．７５ｍｍ厚、直径１５０ｍｍのウェハであってよい。ステップ１０１０では、図５Ａのステップ５１０に関して更に詳細に上述したように、１つ以上の損傷軌跡をガラス系基板上に形成できる。

ステップ１０１５では、第１のエッチング耐性コーティング（例えば犠牲コーティング）を、ガラス系基板の第１の側部（例えば第１の表面）に塗布する。第１のエッチング耐性コーティングは一般に、ガラス系基板を上述のようなエッチング液、例えばエッチング液の浴に曝露したときにエッチングを回避するためにガラス系基板上に配置される、いずれのコーティングであってよい。更に、第１のエッチング耐性コーティングは、一時的に塗布できるいずれのコーティングであってよい。即ち第１のエッチング耐性コーティングは、本明細書中で更に詳細に説明するように、後でガラス系基板から除去できる材料であってよい。第１のエッチング耐性コーティングは、ガラス系基板の第１の側部に、いずれの好適なプロセスによって塗布できる。使用できるプロセスの代表例としては、化学蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）、プラズマ強化化学蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）、イオン化堆積、物理蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＶＤ）、及び材料の直接塗布が挙げられる。第１のエッチング耐性コーティングの代表例としては、限定するものではないが、ドープされた又はされていない酸化ケイ素、炭化ケイ素及び窒化ケイ素を含有するコーティング、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）テープ等が挙げられる。ガラス系基板の第１の側部は、ガラス系基板の第１の主表面、又はガラス系基板の第２の主表面であってよい。ある特定の実施形態では、ガラス系基板の第１の側部をＰＴＦＥテープでマスキングし、ガラス系基板の縁部に対してＯリングを押し付けて、ＰＴＦＥテープの縁部を上記表面に密着させる。

ステップ１０２５では、ガラス系基板をエッチング液、例えばエッチング液の浴（例えば第１のエッチング液の浴）に曝露し、ある特定のエッチング速度（例えば第１のエッチング速度）でエッチングする。他の実施形態では、エッチング液への曝露は、エッチング液による噴霧、又はエッチング液クリームの塗布を含むがこれらに限定されないいずれの従来の手段によって達成できる。第１のエッチング液は例えば、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液であってよい。エッチング液は一般に、水溶液、水、水と他の水混和性有機溶媒（エチレングリコール、プロピレングリコール等）との混合物を含む、いずれの溶液であってよい。いくつかの実施形態では、エッチング液は水酸化ナトリウム溶液を含有してよい。いくつかの実施形態では、エッチング液の浴は水酸化カリウム溶液を含有してよい。エッチング液の濃度は、例えば約４Ｍ〜約１２Ｍであってよい。ある特定の実施形態では、第１のエッチング液は、６Ｍ ＮａＯＨであってよい。しかしながら、現在既知である又は今後開発される他のエッチング液も、本開示の範囲から逸脱することなく使用できる。第１のエッチング速度も同様に本開示によって限定されず、いずれのエッチング速度であってよい。エッチング速度の代表例としては、限定するものではないが、約１０ｎｍ／分〜約１００ｎｍ／分、例えば約１０ｎｍ／分、約２０ｎｍ／分、約３０ｎｍ／分、約４０ｎｍ／分、約５０ｎｍ／分、約６０ｎｍ／分、約７０ｎｍ／分、約８０ｎｍ／分、約９０ｎｍ／分、約１００ｎｍ／分、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）が挙げられる。ある特定の実施形態では、第１のエッチング速度は約３０ｎｍ／分であってよい。いくつかの実施形態では、上述のような第１のエッチング速度は、（以下で説明される）第２のエッチング速度より高くてよい。他の実施形態では、第１のエッチング速度は第２のエッチング速度より低くてよい。いくつかの実施形態では、ステップ１０２５による基板のエッチングにより、各ビアに関して第１の先細領域を得ることができる。

第１のエッチング液は、本明細書中に具体的に記載されていない１つ以上の他の特性を有してよい。例えばいくつかの実施形態では、エッチング液の浴をある特定の温度に維持してよい。１つの代表的なこのような温度は、約８５℃である。

ある期間が経過した後、及び／又はある特定の量のガラス系基板が除去された後、ステップ１０３０では、ガラス系基板をエッチング液（例えばエッチング液の浴）から取り出すことができる。いくつかの実施形態では、この特定の時間量は例えば、約１０時間であってよい。本開示の範囲から逸脱することなく、例えば図７に関して上述した期間等の、他の期間も考えられる。除去されるガラス系基板の上記特定の量は、ビアの所望の形状及びサイズに応じて変化してよい。例えば、第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方から測定した場合に、約１マイクロメートルの材料〜約２０マイクロメートルの材料、例えば約１マイクロメートル、約５マイクロメートル、約１０マイクロメートル、約１５マイクロメートル、約２０マイクロメートル、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）を除去してよい。ある特定の実施形態では、除去してよい材料の量は、第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方（即ちエッチング耐性コーティングを内包していない表面）から測定した場合に、約８．５マイクロメートルの材料であってよい。

ステップ１０３５では、ガラス系基板からエッチング液材料をすすぎ落としてよい。いくつかの実施形態では、ガラス系基板を、本明細書中で更に詳細に説明するように、例えば０．５Ｍ ＨＣｌ溶液等の塩酸（ＨＣｌ）を含有する溶液、及び／又は脱イオン水ですすいでよい。いくつかの実施形態では、全てのエッチング液が除去されたこと、及び／又はエッチング液から取り出された全てのウェハ材料が分離されていることを保証するために、ガラス系基板をある特定の期間、例えば約１０分間にわたってすすいでよい。

ステップ１０４０では、ガラス系基板を、別のエッチング液、例えば浴（例えば第２のエッチング液の浴）に曝露し、ある特定のエッチング速度（例えば第２のエッチング速度）でエッチングする。第２のエッチング液は例えば、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液であってよい。第２のエッチング液は一般に、第１のエッチング液とは異なる濃度を有してよい。例えば、上述の第１のエッチング液は、第２のエッチング液よりも酸性エッチング液又は塩基性エッチング液の濃度が高くてよい。他の実施形態では、第１のエッチング液は、第２のエッチング液よりも酸性エッチング液又は塩基性エッチング液の濃度が低くてよい。いくつかの実施形態では、第２のエッチング液は、９．８％（ｗ／ｗ）のフッ化水素酸水溶液の停滞した浴であってよい。しかしながら、現在既知である又は今後開発される他のエッチング液も、本開示の範囲から逸脱することなく使用できる。第２のエッチング速度も同様に、本開示によって限定されず、いずれのエッチング速度であってよい。例えば、第２のエッチング速度は、約１マイクロメートル／分〜約５マイクロメートル／分、例えば約１マイクロメートル／分、約２マイクロメートル／分、約３マイクロメートル／分、約４マイクロメートル／分、約５マイクロメートル／分、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。ある特定の実施形態では、第２のエッチング速度は約３マイクロメートル／分であってよい。いくつかの実施形態では、ステップ１０４０による基板のエッチングにより、各ビアに関して第２の先細領域を得ることができる。

ある期間が経過した後、及び／又はある特定の量のガラス系基板が除去された後、ステップ１０４５では、ガラス系基板をエッチング液（例えばエッチング液の浴）から取り出してすすぐことができる。上記期間は一般に本開示によって限定されず、いずれの期間であってよい。例えば、上記期間は約５分〜約４０分、例えば約５分、約１０分、約１５分、約２０分、約２５分、約３０分、約３５分、約４０分、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。いくつかの実施形態では、上記特定の期間は約１９分であってよい。本開示の範囲から逸脱することなく、他の期間も考えられる。第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方（例えば第１のエッチング耐性コーティングを内包していない表面）から測定した場合の、基板から除去される材料の量は、本開示によって限定されず、いずれの材料の量であってよい。例えば、約１０マイクロメートル〜約１００マイクロメートルの材料、例えば約１０マイクロメートル、約２０マイクロメートル、約３０マイクロメートル、約４０マイクロメートル、約５０マイクロメートル、約６０マイクロメートル、約７０マイクロメートル、約８０マイクロメートル、約９０マイクロメートル、約１００マイクロメートル、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）を除去してよい。いくつかの実施形態では、除去されるガラス系基板の上記特定の量は、第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方（例えば第１のエッチング耐性コーティングを内包していない表面）から測定した場合に、約５８マイクロメートルの材料であってよい。いくつかの実施形態では、ガラス系基板を、本明細書中で更に詳細に説明するように、塩酸（ＨＣｌ）を含有する溶液及び／又は脱イオン水ですすいでよい。いくつかの実施形態では、全てのエッチング液が除去されたこと、及び／又はエッチング液から取り出された全てのウェハ材料が分離されていることを保証するために、ガラス系基板をある特定の期間、例えば約１０分間にわたってすすいでよい。

ステップ１０５０では、第１のエッチング耐性コーティングをガラス系基板から除去してよい。除去は、犠牲コーティングを除去するためのいずれの好適な方法によって完了でき、本開示によって限定されない。ステップ１０５５では、第２のエッチング耐性コーティング（例えば犠牲コーティング）を基板の第２の側部に塗布する。第２のエッチング耐性コーティングはいずれのコーティングであってよく、ステップ１０１５に関して上述されているいずれの方法によって塗布できる。

ステップ１０６０では、ガラス系基板を別のエッチング液、例えばエッチング液の浴（例えば第３のエッチング液の浴）に入れ、ある特定のエッチング速度（例えば第３のエッチング速度）でエッチングする。第３のエッチング液は例えば、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液であってよい。第３のエッチング液は一般に、第１のエッチング液及び／又は第２のエッチング液とは異なる濃度を有してよい。例えば、上述のような第１のエッチング液及び／又は第２のエッチング液は、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液の濃度が第３のエッチング液の浴より高くてよい。他の実施形態では、第１のエッチング液の浴及び／又は第２のエッチング液の浴は、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液の濃度が第３のエッチング液より低くてよい。いくつかの実施形態では、第３のエッチング液は、約９．８％（ｗ／ｗ）のフッ化水素酸水溶液の停滞した浴であってよい。しかしながら、現在既知である又は今後開発される他のエッチング液も、本開示の範囲から逸脱することなく使用できる。第３のエッチング速度も同様に本開示によって限定されず、いずれのエッチング速度であってよい。いくつかの実施形態では、第３のエッチング速度は、約１マイクロメートル／分〜約５マイクロメートル／分、例えば約１マイクロメートル／分、約２マイクロメートル／分、約３マイクロメートル／分、約４マイクロメートル／分、約５マイクロメートル／分、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）。ある特定の実施形態では、第３のエッチング速度は約３マイクロメートル／分であってよい。いくつかの実施形態では、ステップ１０６０による基板のエッチングにより、各ビアに関して第３の先細領域を得ることができる。

ある期間が経過した後、及び／又はある特定の量のガラス系基板が除去された後、ステップ１０６５では、ガラス系基板をエッチング液（例えばエッチング液の浴）から取り出すことができる。上記期間は本開示によって限定されず、いずれの期間であってよい。例えば上記期間は、約５分〜約３０分、例えば約５分、約１０分、約１５分、約２０分、約２５分、約３０分、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよいが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、この特定の時間量は約１７分であってよい。本開示の範囲から逸脱することなく、他の期間も考えられる。第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方（例えば第１のエッチング耐性コーティングを内包していない表面）から測定した場合の、基板から除去される材料の量は、本開示によって限定されず、いずれの材料の量であってよい。例えば、約１０マイクロメートル〜約１００マイクロメートルの材料、例えば約１０マイクロメートル、約２０マイクロメートル、約３０マイクロメートル、約４０マイクロメートル、約５０マイクロメートル、約６０マイクロメートル、約７０マイクロメートル、約８０マイクロメートル、約９０マイクロメートル、約１００マイクロメートル、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）を除去してよい。いくつかの実施形態では、除去されるガラス系基板の上記特定の量は、第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方（例えば第２のエッチング耐性コーティングを内包していない表面）から測定した場合に、約５２マイクロメートルの材料であってよい。

ステップ１０７０では、ガラス系基板をすすいでよい。いくつかの実施形態では、ガラス系基板を、本明細書中で更に詳細に説明するように、塩酸（ＨＣｌ）を含有する溶液及び／又は脱イオン水ですすいでよい。

ステップ１０８０では、ガラス系基板を更に別のエッチング液、例えばエッチング液の浴（例えば第４のエッチング液の浴）に曝露し、ある特定のエッチング速度（例えば第４のエッチング速度）でエッチングする。第４のエッチング液は例えば、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液であってよい。第４のエッチング液は一般に、水溶液、水、水と他の水混和性有機溶媒（エチレングリコール、プロピレングリコール等）との混合物を含む、いずれの溶液であってよい。いくつかの実施形態では、第４のエッチング液は水酸化ナトリウム溶液を含有してよい。いくつかの実施形態では、第４のエッチング液は水酸化カリウム溶液を含有してよい。第４のエッチング液の濃度は、例えば約４Ｍ〜約１２Ｍであってよい。ある特定の実施形態では、第４のエッチング液は、６Ｍ ＮａＯＨであってよい。しかしながら、現在既知である又は今後開発される他のエッチング液も、本開示の範囲から逸脱することなく使用できる。第４のエッチング速度も同様に本開示によって限定されず、いずれのエッチング速度であってよい。いくつかの実施形態では、第４のエッチング速度は、約１０ｎｍ／分〜約１００ｎｍ／分、例えば約１０ｎｍ／分、約２０ｎｍ／分、約３０ｎｍ／分、約４０ｎｍ／分、約５０ｎｍ／分、約６０ｎｍ／分、約７０ｎｍ／分、約８０ｎｍ／分、約９０ｎｍ／分、約１００ｎｍ／分、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。ある特定の実施形態では、第４のエッチング速度は約３０ｎｍ／分であってよい。いくつかの実施形態では、上述のような第４のエッチング速度は、第１のエッチング速度、第２のエッチング速度、及び／又は第３のエッチング速度より高くてよい。他の実施形態では、第４のエッチング速度は、第１のエッチング速度、第２のエッチング速度、及び／又は第３のエッチング速度より低くてよい。いくつかの実施形態では、ステップ１０８０による基板のエッチングにより、各ビアに関して第４の先細領域を得ることができる。

第４のエッチング液は、本明細書中に具体的に記載されていない１つ以上の他の特性を有してよい。例えばいくつかの実施形態では、エッチング液の浴をある特定の温度に維持してよい。１つの代表的なこのような温度は、約８５℃である。

ある期間が経過した後、及び／又はある特定の量のガラス系基板が除去された後、ステップ１０８５では、ガラス系基板をエッチング液（例えばエッチング液の浴）から取り出すことができる。上記期間は本開示によって限定されず、いずれの期間であってよい。例えば、上記期間は、約１時間〜約２４時間、例えば約１時間、約４時間、約６時間、約８時間、約１２時間、約１６時間、約２０時間、約２４時間、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。いくつかの実施形態では、この特定の時間量は例えば、約５時間であってよい。本開示の範囲から逸脱することなく、他の期間も考えられる。第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方（例えば第１のエッチング耐性コーティングを内包していない表面）から測定した場合の、基板から除去される材料の量は、本開示によって限定されず、いずれの材料の量であってよい。例えば、１マイクロメートル〜約２０マイクロメートルの材料、例えば約１マイクロメートル、約５マイクロメートル、約１０マイクロメートル、約１５マイクロメートル、約２０マイクロメートル、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）を除去してよい。いくつかの実施形態では、除去されるガラス系基板の特定の量は、第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方（即ちエッチング耐性コーティングを内包していない表面）から測定した場合に、約４．５マイクロメートルの材料であってよい。

ステップ１０９０では、ガラス系基板からエッチング液材料をすすぎ落としてよい。いくつかの実施形態では、ガラス系基板を脱イオン水ですすいでよい。

ステップ１０９５では、第２のエッチング耐性コーティングをガラス系基板から除去してよい。除去は、犠牲コーティングを除去するためのいずれの好適な方法によって完了でき、本開示によって限定されない。得られる基板はビアを含んでよく、このビアは例えば、第１の主表面における約１５０マイクロメートルの直径、第２の主表面における約４５マイクロメートルの直径、第１の主表面から約７５マイクロメートルの位置における約２０マイクロメートルのウエスト直径、第１の主表面から第２の先細領域との交点まで約２００マイクロメートルの長さにわたって約３０：１のテーパを有する第１の先細領域、第１の先細領域との交点から第３の先細領域との交点まで約１７５マイクロメートルの長さにわたって約３：１のテーパを有する第２の先細領域、及び第２の先細領域との交点から中点まで約１２５マイクロメートルの長さにわたって約３０：１のテーパを有する第３の先細領域を有する。更に、第４の先細領域は、上記中点から第２の主表面まで延在してよく、約１００マイクロメートルの長さにわたって約３：１のテーパを有してよい。第１の主表面から第２の主表面までの総距離は、約３００マイクロメートルであってよい。

図１０に関して説明した様々なプロセスを、ビア内の後続の先細領域に対して繰り返してよいことを理解されたい。例えば、ステップ１００５〜１０１５、ステップ１０２５〜１０３５、ステップ１０４０〜１０４５、ステップ１０５０〜１０７０、及び／又はステップ１０８０〜１０９５の様々な組み合わせを、必要に応じて繰り返してよい。

実施例５は、図１０に関して記載した様々なプロセスによって形成された例示的なビアを示す。

実施例５
非対称な区分毎に変化する側壁テーパを有するガラス貫通ビアは、以下のステップを用いて形成できる：
・まず、１０６４ｎｍピコ秒レーザを用いて、厚さ０．７５ｍｍ、直径１５０ｍｍのガラス系ウェハに損傷軌跡を形成した。このエネルギ密度は、レーザの軸全体に沿ったガラス系ウェハの損傷の閾値未満であった。
・ガラス系ウェハのＢ側をＰＴＦＥテープでマスキングした。基板の縁部に対してＯリングを押し付けて、上記テープの縁部を上記表面に密着させた。
・次に、ガラス系ウェハを８５℃の６Ｍ水酸化ナトリウムの浴中に１０時間浸漬した（〜８．５マイクロメートルを除去した）。このプロセスのエッチング速度は約３０であった。
・続いてウェハを０．５Ｍ ＨＣｌ中で１０分間すすぎ、ＤＩ水で１０分間すすいだ。
・ウェハを９．８％（ｗ／ｗ）のフッ化水素酸水溶液の停滞した浴中に１９分間入れた（〜５８マイクロメートルを除去した）。このプロセスのエッチング速度は、約３（例えば２．８〜３．２）であった。
・次にウェハを０．５Ｍ ＨＣｌ中で１０分間すすぎ、ＤＩ水で１０分間すすいだ。
・マスクをＢ側から除去した。ガラス系ウェハのＡ側をＰＴＦＥテープでマスキングした。基板の縁部に対してＯリングを押し付けて、上記テープの縁部を上記表面に密着させた。
・ウェハを９．８％（ｗ／ｗ）のフッ化水素酸水溶液の停滞した浴中に１７分間入れた（〜５２マイクロメートルを除去した）。このプロセスのエッチング速度は、約３（例えば２．８〜３．２）であった。
・次にウェハを０．５Ｍ ＨＣｌ中で１０分間すすぎ、ＤＩ水で１０分間すすいだ。
・続いてウェハを、６．４ｍｍ間隔で、プロセスキャリア内に入れた。そしてプロセスキャリアを、８５℃の６Ｍ水酸化ナトリウムの浴中に５時間浸漬した（〜４．５マイクロメートルを除去した）。このプロセスのエッチング速度は約３０であった。
・その後、ウェハをアルカリ浴から取り出し、豊富な量のＤＩ水ですすいだ。
・マスクをＡ側から除去した。
・これにより、Ａ側における入口直径が１５０マイクロメートル、Ｂ側における入口直径が４５マイクロメートル、ｚ＝−７５マイクロメートルにおけるウエスト直径が２０マイクロメートル、Ａ側の表面から２００マイクロメートルの第１の深さに関するテーパが３０：１、これに続く更なる１７５マイクロメートルに関するテーパが３：１、これに続く更なる１２５マイクロメートルに関するテーパが３０：１、これに続く、ガラスの反対側の１００マイクロメートルに関するテーパが３：１となるまでビアが開けられた、基板が得られた。最終的なガラスの厚さは、図１１に示すように６００マイクロメートルである。

図１２に関して本明細書中で説明した方法を用いて、例えば図３Ｅに示すような、内壁に連続的に変化するテーパを有する非対称なガラス貫通ビアを形成できる。

引き続き図１２を参照すると、ステップ１２０５では、平面状のガラス系基板を提供できる。本明細書に記載されているように、ガラス系基板は一般に、それを貫通するビアの形成に好適なガラス系基板であってよい。ある特定の例では、ガラス系基板は、厚さ０．５６ｍｍ、直径１５０ｍｍのウェハであってよい。

ステップ１２１０では、図５Ａのステップ５１０に関して更に詳細に上述したように、ガラス系基板上に１つ以上の損傷軌跡を形成できる。ステップ１２１５では、図１０のステップ１０１５に関して既に上述したエッチング耐性コーティング等の第１のエッチング耐性コーティング（例えば犠牲コーティング）を、ガラス系基板の第１の側部（例えば第１の表面）に塗布する。

ステップ１２２０では、ガラス系基板を、エッチング液、例えばエッチング液の浴（例えば第１のエッチング液の浴）に曝露する。他の実施形態では、エッチング液への曝露は、エッチング液による噴霧、又はエッチング液クリームの塗布を含むがこれらに限定されないいずれの従来の手段によって達成できる。第１のエッチング液は例えば、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液であってよい。ある特定の実施形態では、第１のエッチング液は１２Ｍ ＮａＯＨ溶液であってよい。しかしながら、現在既知である又は今後開発される他のエッチング液も、本開示の範囲から逸脱することなく使用できる。

エッチング液（例えばエッチング液の浴）は初め、ある特定の温度としてよく、上記温度は、図７のステップ７２０に関して更に詳細に上述したように、ステップ１２２５において、ある期間にわたって調整してよい。エッチング液の温度は、本開示によって限定されず、いずれの温度、特に本明細書に記載のエッチングプロセスに好適であると理解される温度であってよい。例えばエッチング液の温度は、約９５℃〜約１３０℃、例えば約９５℃、約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、約１３０℃、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。エッチング液の温度は、反応時間に影響を及ぼし得る。ある特定の実施形態では、エッチング液を初め１２０℃に設定し、１６．５時間の期間にわたって１３０℃まで線形に上昇させてよい。いくつかの実施形態では、図７のステップ７２５に関して更に詳細に上述したように、ステップ１２３０では、浴中の酸性又は塩基性エッチング液の濃度を調整してよい。いくつかの実施形態では、図７のステップ７３０に関して更に詳細に上述したように、ステップ１２３５では、浴に加えられる撹拌の程度を調整してよい。

ステップ１２４０では、ガラス系基板を浴から取り出してよく、ステップ１２４５では、ガラス系基板からエッチング液材料をすすぎ落としてよい。いくつかの実施形態では、ガラス系基板を、塩酸（ＨＣｌ）を含有する溶液、及び／又は脱イオン水ですすいでよい。ある特定の実施形態では、ガラス系基板を、０．５Ｍ ＨＣｌ溶液中で１０分間すすいだ後、脱イオン水で１０分間すすいでよい。

ステップ１２５０では、第１のエッチング耐性コーティングをガラス系基板から除去してよい。除去は、犠牲コーティングを除去するためのいずれの好適な方法によって完了でき、本開示によって限定されない。ステップ１２５５では、図１０のステップ１０５５に関して更に詳細に上述したように、第２のエッチング耐性コーティング（例えば犠牲コーティング）を基板の第２の側部に塗布する。

ステップ１２６０では、ガラス系基板を、別のエッチング液、例えばエッチング液の浴（例えば第２のエッチング液の浴）に曝露し、ある特定のエッチング速度（例えば第２のエッチング速度）でエッチングして、本明細書中で更に詳細に記載されているように、非対称のプロファイルを有するビアを得る。第２のエッチング液は例えば、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液であってよい。第２のエッチング液は一般に、第１のエッチング液とは異なる濃度を有してよい。例えば、上述の第１のエッチング液は、（初め、又は最終的に）第２のエッチング液よりも酸性エッチング液又は塩基性エッチング液の濃度が高くてよい。他の実施形態では、第１のエッチング液は、（初め、又は最終的に）第２のエッチング液よりも酸性エッチング液又は塩基性エッチング液の濃度が低くてよい。エッチング液の濃度は本開示によって限定されず、いずれの濃度を含有してよい。例えば上記濃度は、約０．５％（ｗ／ｗ）〜約２０％（ｗ／ｗ）のフッ化水素酸水溶液、例えば約０．５％（ｗ／ｗ）、約１％（ｗ／ｗ）、約５％（ｗ／ｗ）、約１０％（ｗ／ｗ）、約１５％（ｗ／ｗ）、約２０％（ｗ／ｗ）、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。いくつかの実施形態では、第２のエッチング液は、９．８％（ｗ／ｗ）のフッ化水素酸水溶液の停滞した浴であってよい。しかしながら、現在既知である又は今後開発される他のエッチング液も、本開示の範囲から逸脱することなく使用できる。第２のエッチング速度も同様に、本開示によって限定されず、いずれのエッチング速度であってよい。いくつかの実施形態では、第２のエッチング速度は、約１マイクロメートル／分〜約５マイクロメートル／分、例えば約１マイクロメートル／分、約２マイクロメートル／分、約３マイクロメートル／分、約４マイクロメートル／分、約５マイクロメートル／分、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。ある特定の実施形態では、第２のエッチング速度は約３マイクロメートル／分であってよい。

ある期間が経過した後、及び／又はある特定の量のガラス系基板が除去された後、ステップ１２６５では、ガラス系基板をエッチング液（例えばエッチング液の浴）から取り出すことができる。上記期間は本開示によって限定されず、一般にいずれの期間であってよい。例えば、上記期間は約５分〜約６０分、例えば約５分、約１０分、約２０分、約３０分、約４０分、約５０分、約６０分、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）であってよい。いくつかの実施形態では、上記特定の期間は例えば約４４分であってよい。本開示の範囲から逸脱することなく、他の期間も考えられる。第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方（例えば第２のエッチング耐性コーティングを内包していない表面）から測定した場合の、基板から除去される材料の量は、本開示によって限定されず、いずれの材料の量であってよい。例えば、約１０マイクロメートル〜約１００マイクロメートルの材料、例えば約１０マイクロメートル、約２０マイクロメートル、約３０マイクロメートル、約４０マイクロメートル、約５０マイクロメートル、約６０マイクロメートル、約７０マイクロメートル、約８０マイクロメートル、約９０マイクロメートル、約１００マイクロメートル、又はこれらの値のうちのいずれの２つの間のいずれの値若しくは範囲（終点を含む）を除去してよい。いくつかの実施形態では、除去されるガラス系基板の上記特定の量は例えば、第１の主表面及び第２の主表面のうちの一方（例えば第２のエッチング耐性コーティングを内包していない表面）から測定した場合に、約５１マイクロメートルの材料であってよい。

ステップ１２７０では、ガラス系基板を取り出し、ガラス系基板をすすいでよい。いくつかの実施形態では、ガラス系基板を、脱イオン水を含有する溶液ですすいでよい。

ステップ１２７５では、第２のエッチング耐性コーティングをガラス系基板から除去してよい。除去は、犠牲コーティングを除去するためのいずれの好適な方法によって完了でき、本開示によって限定されない。得られる基板はビアを含んでよく、このビアは例えば、第１の主表面における約４８マイクロメートルの直径、第２の主表面における約１０９マイクロメートルの直径、約２０マイクロメートルのウエスト直径、第１の主表面から約３５７マイクロメートル延在する連続的に変化するプロファイル、及び第２の主表面から１２４マイクロメートル延在する３：１のテーパを有してよい。第１の主表面から第２の主表面までの総距離は、約４９０マイクロメートルであってよい。

実施例６は、図１２に関して記載した様々なプロセスによって形成された例示的なビアを示す。

実施例６
非対称な連続的に変化する側壁テーパを有するブラインドビアは、以下のステップを用いて形成できる：
・まず、１０６４ｎｍピコ秒レーザを用いて、厚さ０．５６ｍｍ、直径１５０ｍｍのガラス系ウェハに損傷軌跡を形成した。このエネルギ密度は、レーザの軸全体に沿ったガラス系ウェハの損傷の閾値未満であった。
・ガラス系ウェハのＡ側をＰＴＦＥテープでマスキングした。基板の縁部に対してＯリングを押し付けて、上記テープの縁部を上記表面に密着させた。
・ウェハを１２Ｍの水酸化ナトリウム水溶液の停滞した浴中に入れた。温度を初めは１２０℃に設定するが、１６．５時間にわたって１３０℃まで線形に上昇させた。
・続いてウェハを０．５Ｍ ＨＣｌ中で１０分間すすぎ、ＤＩ水で１０分間すすいだ。
・次にマスクをＡ側から除去し、同様のマスクをＢ側に塗布した。
・ウェハを９．８％（ｗ／ｗ）のフッ化水素酸水溶液の停滞した浴中に４４分間入れた（〜５１マイクロメートルを除去した）。このプロセスのエッチング速度は、約３（例えば２．８〜３．２）である。
・その後、ウェハをアルカリ浴から取り出し、豊富な量のＤＩ水ですすいだ。
・これにより、Ａ側における入口直径が４８マイクロメートル、Ｂ側における入口直径が１０９マイクロメートル、ウエスト直径が２０マイクロメートルとなり、連続的に変化するプロファイルがＡ側から３５７マイクロメートル延在し、Ｂ側から１２４マイクロメートルの深さだけ延在する３：１のテーパが存在するようにビアが開けられた、基板が得られた。基板の厚さは、図１３に示すように４９０マイクロメートルである。

ここで、本明細書に記載の実施形態は全体として、中に１つ以上のビアを含むガラス系基板であって、上記ビアは、ガラス系基板の２つの主表面に対して平行な平面に関して対称又は非対称な断面と、複数の先細領域を備えた内壁とを有する、ガラス系基板に関する。複数の先細領域それぞれの傾斜は連続的であり、互いに別個である。

実施形態１．物品であって、上記物品は：第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面まで延在する先細貫通ビアを備える、ガラス系基板であって、上記先細貫通ビアは：上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、対称な断面；並びに上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を備える内壁を備え、上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、上記第２の先細領域の傾斜は一定であり、上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない、ガラス系基板を備える、物品。

実施形態２．物品であって、上記物品は：第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面に向かって延在する先細ビアを備える、ガラス系基板であって、上記先細ビアは：上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、非対称な断面；並びに上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を備える内壁を備え、上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、上記第２の先細領域の傾斜は一定であり、上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない、ガラス系基板を備える、物品。

実施形態３．上記第１の先細領域の上記傾斜は、３：１〜１００：１の高さ：長さ比を備え；上記第２の先細領域の上記傾斜は、３：１〜１００：１の高さ：長さ比を備える、実施形態１又は２に記載の物品。

実施形態４．上記第１の先細領域は、上記第１の主表面から上記第２の主表面に向かって、１５マイクロメートル〜３６０マイクロメートルの距離だけ延在する、実施形態１〜３のいずれか１つに記載の物品。

実施形態５．上記第２の先細領域は、上記第１の先細領域との交点から上記第２の主表面に向かって、３５マイクロメートル〜１７５マイクロメートルの距離だけ延在する、実施形態１〜４のいずれか１つに記載の物品。

実施形態６．上記第２の先細領域は、上記第２の主表面から上記第１の主表面に向かって、３５マイクロメートル〜１７５マイクロメートルの距離だけ延在する、実施形態１〜４のいずれか１つに記載の物品。

実施形態７．上記第１の主表面の上記先細ビアの直径は、１０マイクロメートル〜２５０マイクロメートルである、実施形態１〜６のいずれか１つに記載の物品。

実施形態８．上記平面の上記先細ビアの直径は、５マイクロメートル〜２００マイクロメートルである、実施形態１〜７のいずれか１つに記載の物品。

実施形態９．上記第１の先細領域と上記第２の先細領域との間の遷移領域を更に備え、上記遷移領域は、上記内壁からの接線の傾斜が少なくとも０．５７°変化するように、上記第１の先細領域の上記傾斜から上記第２の先細領域の上記傾斜へと遷移する領域を備える、実施形態１〜８のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１０．上記遷移領域は、点、又は延在する領域である、実施形態９に記載の物品。

実施形態１１．上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の上記距離は、２５マイクロメートル〜３，０００マイクロメートルである、実施形態１〜１０のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１２．上記内壁は第３の先細領域を更に備え；上記第３の先細領域の傾斜は、上記第１の先細領域の上記傾斜及び上記第２の先細領域の上記傾斜のうちの少なくとも１つと異なる、実施形態１〜１１のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１３．上記ガラス系基板は化学強化されている、実施形態１〜１２のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１４．上記ガラス系基板は積層体を含む、実施形態１〜１３のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１５．上記先細ビアは導電性材料で充填される、実施形態１〜１４のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１６．上記先細ビアは貫通ビアを含む、実施形態２〜１５のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１７．上記先細ビアはブラインドビアを含む、実施形態２〜１５のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１８．半導体パッケージであって、上記半導体パッケージは：第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面まで延在する先細貫通ビアを備える、ガラス系基板であって、上記先細ビアは：上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、対称な断面；並びに上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を有する内壁を備え、上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、上記第２の先細領域の傾斜は一定であり、上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない、ガラス系基板；上記先細貫通ビア内に配置された導電性材料；並びに上記先細貫通ビア内に配置された上記導電性材料に電気的に連結された半導体デバイスを備える、半導体パッケージ。

実施形態１９．半導体パッケージであって、上記半導体パッケージは：第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面に向かって延在する先細ビアを備える、ガラス系基板であって、上記先細ビアは：上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、非対称な断面；並びに上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を有する内壁を備え、上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、上記第２の先細領域の傾斜は一定であり、上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない、ガラス系基板；上記先細ビア内に配置された導電性材料；並びに上記先細ビア内に配置された上記導電性材料に電気的に連結された半導体デバイスを備える、半導体パッケージ。

実施形態２０．少なくとも１つのビアを備えるガラス系基板を形成する方法であって、上記方法は：少なくとも１つの損傷軌跡を有するガラス系物品を、第１のエッチング液を用いて第１のエッチング速度でエッチングするステップ；及び上記ガラス系物品を、第２のエッチング液を用いて第２のエッチング速度でエッチングして、上記少なくとも１つのビアを備える上記ガラス系基板を形成するステップであって、上記第２のエッチング液は、上記第１のエッチング液の濃度とは異なる、エッチング液の濃度を有する、ステップを含み、上記少なくとも１つのビアは、第１の一定の傾斜を有する第１の先細領域と、第２の一定の傾斜を有する第２の先細領域とを備え、上記第１の一定の傾斜及び上記第２の一定の傾斜は等しくない、方法。

実施形態２１．上記第１のエッチング液は、上記第２のエッチング液よりも高い濃度の酸性エッチング液又は塩基性エッチング液を含む、実施形態２０に記載の方法。

実施形態２２．上記第１のエッチング液は、上記第２のエッチング液よりも低い濃度の酸性エッチング液又は塩基性エッチング液を含む、実施形態２０に記載の方法。

実施形態２３．上記第１のエッチング液及び上記第２のエッチング液はそれぞれ、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液を含む、実施形態２２に記載の方法。

実施形態２４．上記第１のエッチング速度は、上記第２のエッチング速度より速い、実施形態２０〜２３のいずれか１つに記載の方法。

実施形態２５．上記第１のエッチング速度は、上記第２のエッチング速度より遅い、実施形態２０〜２３のいずれか１つに記載の方法。

実施形態２６．上記少なくとも１つの損傷軌跡を形成するステップを更に含み、平面状の上記ガラス系物品に送達されるエネルギは、上記ガラス系物品の幅全体に沿って、損傷閾値を超える、実施形態２０〜２５のいずれか１つに記載の方法。

実施形態２７．上記少なくとも１つの損傷軌跡を形成する上記ステップは、上記ガラス系物品に送達される上記エネルギが、上記ガラス系物品の第１の側部に沿って、上記損傷閾値を超え、上記ガラス系物品の第２の側部に沿って、上記損傷閾値を下回るように、損傷軌跡を形成するステップを含む、実施形態２６に記載の方法。

実施形態２８．上記第１のエッチング液を用いて上記ガラス系物品をエッチングする前に、第１のエッチング耐性コーティングを上記ガラス系物品の第１の側部に塗布するステップ；上記第２のエッチング液を用いて上記ガラス系物品をエッチングした後に、上記第１のエッチング耐性コーティングを上記ガラス系物品の上記第１の側部から除去するステップ；
第２のエッチング耐性コーティングを上記ガラス系物品の第２の側部に塗布するステップ；上記ガラス系物品の第２の側部に塗布された上記第２のエッチング耐性コーティングを有する上記ガラス系物品を、第３のエッチング液の浴を用いてエッチングするステップ；及び上記第２のエッチング耐性コーティングを、平面状の上記ガラス系物品の上記第２の側部から除去するステップ
を更に含む、実施形態２０〜２７のいずれか１つに記載の方法。

実施形態２９．平面状の上記ガラス系物品を上記第３のエッチング液中でエッチングして、上記少なくとも１つのビアを備える上記ガラス系基板を形成するステップを更に含む、実施形態２０〜２８のいずれか１つに記載の方法。

実施形態３０．上記第１のエッチング液及び上記第２のエッチング液のうちの少なくとも一方の、温度、上記濃度、及び撹拌の程度のうちの少なくとも１つを調整するステップを更に含む、実施形態２０〜２９のいずれか１つに記載の方法。

実施形態３１．上記少なくとも１つのビアはそれぞれ、貫通ビア又はブラインドビアを含む、実施形態２０〜３０のいずれか１つに記載の方法。

実施形態３２．上記少なくとも１つのビアは、上記ガラス系基板の第１の主表面と第２の主表面との間の、上記第１の主表面と上記第２の主表面から等距離にある平面に関して、対称な断面を備える、実施形態２０〜３１のいずれか１つに記載の方法。

実施形態３３．上記少なくとも１つのビアは、上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面と上記第２の主表面から等距離にある平面に関して、非対称な断面を備える、実施形態２０〜３２のいずれか１つに記載の方法。

実施形態３４．少なくとも１つの貫通ビアを備えるガラス系基板を形成する方法であって、上記方法は：少なくとも１つの損傷軌跡を有するガラス系物品をエッチング液中でエッチングするステップ；並びに上記エッチング液の温度、濃度、及び撹拌の程度のうちの少なくとも１つを調節して、上記少なくとも１つの貫通ビアが、連続的に変化する側壁のテーパと、上記ガラス系基板の第１の主表面と第２の主表面との間の、上記第１の主表面と上記第２の主表面から等距離にある平面に関して、対称な断面とを備えるように、上記少なくとも１つの貫通ビアを備える上記ガラス系基板を形成するステップを含む、方法。

実施形態３５．少なくとも１つのブラインドビアを備えるガラス系基板を形成する方法であって、上記方法は：少なくとも１つの損傷軌跡を有するガラス系物品をエッチング液中でエッチングするステップ；並びに上記エッチング液の温度、濃度、及び撹拌の程度のうちの少なくとも１つを調節して、上記少なくとも１つのブラインドビアが連続的に変化する側壁のテーパを備えるように、上記少なくとも１つのブラインドビアを備える上記ガラス系基板を形成するステップを含む、方法。

請求対象の主題の精神及び範囲から逸脱することなく、本明細書に記載した実施形態に、様々な修正例及び変形例を行うことができることは、当業者には明らかであろう。従って、本明細書は、上記修正例及び変形例が添付の請求の範囲及びその均等物の範囲内にある場合、本明細書に記載される様々な実施形態の修正例及び変形例を包含することが意図されている。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
物品であって、
上記物品は：
第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面まで延在する先細貫通ビアを備える、ガラス系基板であって、上記先細貫通ビアは：
上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、対称な断面；並びに
上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を備える内壁
を備え、
上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、
上記第２の先細領域の傾斜は一定であり、
上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない、ガラス系基板
を備える、物品。

実施形態２
上記第１の先細領域の上記傾斜は、３：１〜１００：１の高さ：長さ比を備え；
上記第２の先細領域の上記傾斜は、３：１〜１００：１の高さ：長さ比を備える、実施形態１に記載の物品。

実施形態３
上記第１の先細領域は、上記第１の主表面から上記第２の主表面に向かって、１５マイクロメートル〜３６０マイクロメートルの距離だけ延在する、実施形態１又は２に記載の物品。

実施形態４
上記第２の先細領域は、上記第１の先細領域との交点から上記第２の主表面に向かって、３５マイクロメートル〜１７５マイクロメートルの距離だけ延在する、実施形態１〜３のいずれか１つに記載の物品。

実施形態５
上記第２の先細領域は、上記第２の主表面から上記第１の主表面に向かって、３５マイクロメートル〜１７５マイクロメートルの距離だけ延在する、実施形態１〜３のいずれか１つに記載の物品。

実施形態６
上記第１の主表面の上記先細ビアの直径は、１０マイクロメートル〜２５０マイクロメートルである、実施形態１〜５のいずれか１つに記載の物品。

実施形態７
上記平面の上記先細ビアの直径は、５マイクロメートル〜２００マイクロメートルである、実施形態１〜６のいずれか１つに記載の物品。

実施形態８
上記第１の先細領域と上記第２の先細領域との間の遷移領域を更に備え、
上記遷移領域は、上記内壁からの接線の傾斜が少なくとも０．５７°変化するように、上記第１の先細領域の上記傾斜から上記第２の先細領域の上記傾斜へと遷移する領域を備える、実施形態１〜７のいずれか１つに記載の物品。

実施形態９
上記遷移領域は、点、又は延在する領域である、実施形態８に記載の物品。

実施形態１０
上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の上記距離は、２５マイクロメートル〜３，０００マイクロメートルである、実施形態１〜９のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１１
上記内壁は第３の先細領域を更に備え；
上記第３の先細領域の傾斜は、上記第１の先細領域の上記傾斜及び上記第２の先細領域の上記傾斜のうちの少なくとも１つと異なる、実施形態１〜１０のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１２
上記ガラス系基板は化学強化されている、実施形態１〜１１のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１３
上記ガラス系基板は積層体を含む、実施形態１〜１２のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１４
上記先細ビアは導電性材料で充填される、実施形態１〜１３のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１５
物品であって、
上記物品は：
第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面に向かって延在する先細ビアを備える、ガラス系基板であって、上記先細ビアは：
上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、非対称な断面；並びに
上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を備える内壁
を備え、
上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、
上記第２の先細領域の傾斜は一定であり、
上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない、ガラス系基板
を備える、物品。

実施形態１６
上記先細ビアは貫通ビアを含む、実施形態１５に記載の物品。

実施形態１７
上記先細ビアはブラインドビアを含む、実施形態１５に記載の物品。

実施形態１８
上記第１の先細領域の上記傾斜は、３：１〜１００：１の高さ：長さ比を備え；
上記第２の先細領域の上記傾斜は、３：１〜１００：１の高さ：長さ比を備える、実施形態１５〜１７のいずれか１つに記載の物品。

実施形態１９
上記第１の先細領域は、上記第１の主表面から上記第２の主表面に向かって、１５マイクロメートル〜３６０マイクロメートルの距離だけ延在する、実施形態１５〜１８のいずれか１つに記載の物品。

実施形態２０
上記第２の先細領域は、上記第１の先細領域との交点から上記第２の主表面に向かって、３５マイクロメートル〜１７５マイクロメートルの距離だけ延在する、実施形態１５〜１９のいずれか１つに記載の物品。

実施形態２１
上記第２の先細領域は、上記第２の主表面から上記第１の主表面に向かって、３５マイクロメートル〜１７５マイクロメートルの距離だけ延在する、実施形態１５〜１９のいずれか１つに記載の物品。

実施形態２２
上記第１の主表面の上記先細ビアの直径は、１０マイクロメートル〜２５０マイクロメートルである、実施形態１５〜２１のいずれか１つに記載の物品。

実施形態２３
上記平面の上記先細ビアの直径は、５マイクロメートル〜２００マイクロメートルである、実施形態１５〜２２のいずれか１つに記載の物品。

実施形態２４
上記第１の先細領域と上記第２の先細領域との間の遷移領域を更に備え、
上記遷移領域は、上記内壁からの接線の傾斜が少なくとも０．５７°変化するように、上記第１の先細領域の上記傾斜から上記第２の先細領域の上記傾斜へと遷移する領域を備える、実施形態１５〜２３のいずれか１つに記載の物品。

実施形態２５
上記遷移領域は、点、又は延在する領域である、実施形態２４に記載の物品。

実施形態２６
上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の上記距離は、２５マイクロメートル〜３，０００マイクロメートルである、実施形態１５〜２５のいずれか１つに記載の物品。

実施形態２７
上記内壁は第３の先細領域を更に備え；
上記第３の先細領域の傾斜は、上記第１の先細領域の上記傾斜及び上記第２の先細領域の上記傾斜のうちの少なくとも１つと異なる、実施形態１５〜２６のいずれか１つに記載の物品。

実施形態２８
上記ガラス系基板は化学強化されている、実施形態１５〜２７のいずれか１つに記載の物品。

実施形態２９
上記ガラス系基板は積層体を含む、実施形態１５〜２８のいずれか１つに記載の物品。

実施形態３０
上記先細ビアは導電性材料で充填される、実施形態１５〜２９のいずれか１つに記載の物品。

実施形態３１
半導体パッケージであって、
上記半導体パッケージは：
第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面まで延在する先細貫通ビアを備える、ガラス系基板であって、上記先細貫通ビアは：
上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、対称な断面；並びに
上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を有する内壁
を備え、
上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、
上記第２の先細領域の傾斜は一定であり、
上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない、ガラス系基板；
上記先細貫通ビア内に配置された導電性材料；並びに
上記先細貫通ビア内に配置された上記導電性材料に電気的に連結された半導体デバイス
を備える、半導体パッケージ。

実施形態３２
半導体パッケージであって、
上記半導体パッケージは：
第１の主表面、上記第１の主表面からある距離だけ離間した第２の主表面、及び上記基板を通って上記第１の主表面から上記第２の主表面に向かって延在する先細ビアを備える、ガラス系基板であって、上記先細ビアは：
上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面及び上記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、非対称な断面；並びに
上記第１の主表面と上記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を有する内壁
を備え、
上記第１の先細領域の傾斜は一定であり、
上記第２の先細領域の傾斜は一定であり、
上記第１の先細領域の上記傾斜は、上記第２の先細領域の上記傾斜と等しくない、ガラス系基板；
上記先細ビア内に配置された導電性材料；並びに
上記先細ビア内に配置された上記導電性材料に電気的に連結された半導体デバイス
を備える、半導体パッケージ。

実施形態３３
少なくとも１つのビアを備えるガラス系基板を形成する方法であって、
上記方法は：
少なくとも１つの損傷軌跡を有するガラス系物品を、第１のエッチング液を用いて第１のエッチング速度でエッチングするステップ；及び
上記ガラス系物品を、第２のエッチング液を用いて第２のエッチング速度でエッチングして、上記少なくとも１つのビアを備える上記ガラス系基板を形成するステップであって、上記第２のエッチング液は、上記第１のエッチング液の濃度とは異なる、エッチング液の濃度を有する、ステップ
を含み、
上記少なくとも１つのビアは、第１の一定の傾斜を有する第１の先細領域と、第２の一定の傾斜を有する第２の先細領域とを備え、上記第１の一定の傾斜及び上記第２の一定の傾斜は等しくない、方法。

実施形態３４
上記第１のエッチング液は、上記第２のエッチング液よりも高い濃度の酸性エッチング液又は塩基性エッチング液を含む、実施形態３３に記載の方法。

実施形態３５
上記第１のエッチング液は、上記第２のエッチング液よりも低い濃度の酸性エッチング液又は塩基性エッチング液を含む、実施形態３３又は３４に記載の方法。

実施形態３６
上記第１のエッチング液及び上記第２のエッチング液はそれぞれ、酸性エッチング液又は塩基性エッチング液を含む、実施形態３５に記載の方法。

実施形態３７
上記第１のエッチング速度は、上記第２のエッチング速度より速い、実施形態３３〜３６のいずれか１つに記載の方法。

実施形態３８
上記第１のエッチング速度は、上記第２のエッチング速度より遅い、実施形態３３〜３６のいずれか１つに記載の方法。

実施形態３９
上記少なくとも１つの損傷軌跡を形成するステップを更に含み、平面状の上記ガラス系物品に送達されるエネルギは、上記ガラス系物品の幅全体に沿って、損傷閾値を超える、実施形態３３〜３８のいずれか１つに記載の方法。

実施形態４０
上記少なくとも１つの損傷軌跡を形成する上記ステップは、上記ガラス系物品に送達される上記エネルギが、上記ガラス系物品の第１の側部に沿って、上記損傷閾値を超え、上記ガラス系物品の第２の側部に沿って、上記損傷閾値を下回るように、損傷軌跡を形成するステップを含む、実施形態３９に記載の方法。

実施形態４１
上記第１のエッチング液を用いて上記ガラス系物品をエッチングする前に、第１のエッチング耐性コーティングを上記ガラス系物品の第１の側部に塗布するステップ；
上記第２のエッチング液を用いて上記ガラス系物品をエッチングした後に、上記第１のエッチング耐性コーティングを上記ガラス系物品の上記第１の側部から除去するステップ；
第２のエッチング耐性コーティングを上記ガラス系物品の第２の側部に塗布するステップ；
上記ガラス系物品の上記第２の側部に塗布された上記第２のエッチング耐性コーティングを有する上記ガラス系物品を、第３のエッチング液の浴を用いてエッチングするステップ；及び
上記第２のエッチング耐性コーティングを、平面状の上記ガラス系物品の上記第２の側部から除去するステップ
を更に含む、実施形態３３〜４０のいずれか１つに記載の方法。

実施形態４２
平面状の上記ガラス系物品を上記第３のエッチング液中でエッチングして、上記少なくとも１つのビアを備える上記ガラス系基板を形成するステップを更に含む、実施形態３３〜４１のいずれか１つに記載の方法。

実施形態４３
上記第１のエッチング液及び上記第２のエッチング液のうちの少なくとも一方の、温度、上記濃度、及び撹拌の程度のうちの少なくとも１つを調整するステップを更に含む、実施形態３３〜４２のいずれか１つに記載の方法。

実施形態４４
上記少なくとも１つのビアはそれぞれ、貫通ビア又はブラインドビアを含む、実施形態３３〜４３のいずれか１つに記載の方法。

実施形態４５
上記少なくとも１つのビアは、上記ガラス系基板の第１の主表面と第２の主表面との間の、上記第１の主表面と上記第２の主表面から等距離にある平面に関して、対称な断面を備える、実施形態３３〜４４のいずれか１つに記載の方法。

実施形態４６
上記少なくとも１つのビアは、上記ガラス系基板の上記第１の主表面と上記第２の主表面との間の、上記第１の主表面と上記第２の主表面から等距離にある平面に関して、非対称な断面を備える、実施形態３３〜４４のいずれか１つに記載の方法。

実施形態４７
少なくとも１つの貫通ビアを備えるガラス系基板を形成する方法であって、
上記方法は：
少なくとも１つの損傷軌跡を有するガラス系物品をエッチング液中でエッチングするステップ；並びに
上記エッチング液の温度、濃度、及び撹拌の程度のうちの少なくとも１つを調節して、上記少なくとも１つの貫通ビアが、連続的に変化する側壁のテーパと、上記ガラス系基板の第１の主表面と第２の主表面との間の、上記第１の主表面と上記第２の主表面から等距離にある平面に関して、対称な断面とを備えるように、上記少なくとも１つの貫通ビアを備える上記ガラス系基板を形成するステップ
を含む、方法。

実施形態４８
少なくとも１つのブラインドビアを備えるガラス系基板を形成する方法であって、
上記方法は：
少なくとも１つの損傷軌跡を有するガラス系物品をエッチング液中でエッチングするステップ；並びに
上記エッチング液の温度、濃度、及び撹拌の程度のうちの少なくとも１つを調節して、上記少なくとも１つのブラインドビアが連続的に変化する側壁のテーパを備えるように、上記少なくとも１つのブラインドビアを備える上記ガラス系基板を形成するステップ
を含む、方法。

１０ 半導体パッケージ
１５ 物品
２０ 伝導性材料
２５ 半導体デバイス
３０ 隆起
１００ 基板
１１０ 第１の主表面
１１２ 第２の主表面
１２０、１２０’ ビア
１２２ 内壁
１２４ 第１の先細領域
１２６ 第２の先細領域
１２８ 第３の先細領域
１３０ 第１の部分
１４０ 第２の部分
１５０ 特定の点
１５５ 接線
１４００ 画像
１４０５ ビア１２０のプロファイル
１４１０ 関心領域
１４１５ トレース線
Ｃ 開口の中心点
Ｄ 開口直径
Ｐ 平面
Ｒ 開口半径
Ｔ 基板１００の厚さ、平均厚さ
Ｚ ビア１２０のピッチ

Claims (10)

1. 物品であって、
   前記物品は：
   第１の主表面、前記第１の主表面からある距離だけ離間し、かつ前記第１の主表面に対して平行な第２の主表面、及び前記基板を通って前記第１の主表面から前記第２の主表面に向かって延在する先細ビアを備える、ガラス系基板であって、前記先細ビアは：
   前記ガラス系基板の前記第１の主表面と前記第２の主表面との間の、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、対称な断面；並びに
   前記第１の主表面と前記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を備える内壁
   を備え、
   前記第１の先細領域の傾斜は一定であり、
   前記第２の先細領域の傾斜は一定であり、
   前記第１の先細領域の前記傾斜は、前記第２の先細領域の前記傾斜と等しくない、ガラス系基板
   を備える、物品。
2. 物品であって、
   前記物品は：
   第１の主表面、前記第１の主表面からある距離だけ離間し、かつ前記第１の主表面に対して平行な第２の主表面、及び前記基板を通って前記第１の主表面から前記第２の主表面に向かって延在する先細ビアを備える、ガラス系基板であって、前記先細ビアは：
   前記ガラス系基板の前記第１の主表面と前記第２の主表面との間の、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、非対称な断面；並びに
   前記第１の主表面と前記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を備える内壁
   を備え、
   前記第１の先細領域の傾斜は一定であり、
   前記第２の先細領域の傾斜は一定であり、
   前記第１の先細領域の前記傾斜は、前記第２の先細領域の前記傾斜と等しくない、ガラス系基板
   を備える、物品。
3. 前記第１の先細領域の前記傾斜は、３：１〜１００：１の高さ：長さ比を備え；
   前記第２の先細領域の前記傾斜は、３：１〜１００：１の高さ：長さ比を備える、請求項１又は２に記載の物品。
4. 前記第１の先細領域と前記第２の先細領域との間の遷移領域を更に備え、
   前記遷移領域は、前記内壁からの接線の傾斜が少なくとも５°変化するように、前記第１の先細領域の前記傾斜から前記第２の先細領域の前記傾斜へと遷移する領域を備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の物品。
5. 前記遷移領域は、点、又は延在する領域である、請求項３に記載の物品。
6. 前記内壁は第３の先細領域を更に備え；
   前記第３の先細領域の傾斜は、前記第１の先細領域の前記傾斜及び前記第２の先細領域の前記傾斜のうちの少なくとも１つと異なる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の物品。
7. 前記先細ビアは導電性材料で充填される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の物品。
8. 半導体パッケージであって、
   前記半導体パッケージは：
   第１の主表面、前記第１の主表面からある距離だけ離間し、かつ前記第１の主表面に対して平行な第２の主表面、及び前記基板を通って前記第１の主表面から前記第２の主表面に向かって延在する先細ビアを備える、ガラス系基板であって、前記先細ビアは：
   前記ガラス系基板の前記第１の主表面と前記第２の主表面との間の、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、対称な断面；並びに
   前記第１の主表面と前記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を有する内壁
   を備え、
   前記第１の先細領域の傾斜は一定であり、
   前記第２の先細領域の傾斜は一定であり、
   前記第１の先細領域の前記傾斜は、前記第２の先細領域の前記傾斜と等しくない、ガラス系基板；
   前記先細ビア内に配置された導電性材料；並びに
   前記先細ビア内に配置された前記導電性材料に電気的に連結された半導体デバイス
   を備える、半導体パッケージ。
9. 半導体パッケージであって、
   前記半導体パッケージは：
   第１の主表面、前記第１の主表面からある距離だけ離間し、かつ前記第１の主表面に対して平行な第２の主表面、及び前記基板を通って前記第１の主表面から前記第２の主表面に向かって延在する先細ビアを備える、ガラス系基板であって、前記先細ビアは：
   前記ガラス系基板の前記第１の主表面と前記第２の主表面との間の、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に対して等距離の平面に関して、非対称な断面；並びに
   前記第１の主表面と前記平面との間に位置決めされた第１の先細領域及び第２の先細領域を有する内壁
   を備え、
   前記第１の先細領域の傾斜は一定であり、
   前記第２の先細領域の傾斜は一定であり、
   前記第１の先細領域の前記傾斜は、前記第２の先細領域の前記傾斜と等しくない、ガラス系基板；
   前記先細ビア内に配置された導電性材料；並びに
   前記先細ビア内に配置された前記導電性材料に電気的に連結された半導体デバイス
   を備える、半導体パッケージ。
10. 前記第１の先細領域の前記傾斜は、３：１〜１００：１の高さ：長さ比を備え；
    前記第２の先細領域の前記傾斜は、３：１〜１００：１の高さ：長さ比を備える、請求項８又は９に記載の半導体パッケージ。

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