JP2017521859A - マイクロ組立ledディスプレイ - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、米国仮特許出願第62/014,077号(2014年6月18日出願、名称「Micro Assembled LED Displays and Lighting Elements」)、米国仮特許出願第62/026,695号(2014年6月20日出願、名称「Micro Assembled LED Displays and Lighting Elements」)、米国仮特許出願第62/029,533号(2014年7月27日出願、名称「Micro Assembled LED Displays and Lighting Elements」)、米国仮特許出願第62/055,485号(2014年9月25日出願、名称「Interconnection Architectures Advantageous for Micro−LED Displays Assembled via Micro Transfer Printing」)、米国仮特許出願第62/056,419号(2014年9月26日出願、名称「Interconnection Architectures Advantageous for Micro−LED Displays Assembled via Micro Transfer Printing」)、米国仮特許出願第62/131,230号(2014年3月10日出願、名称「Passive Matrix Display with Bottom Emitting Inorganic Micro Scale Light Emitting Diodes」)、米国仮特許出願第62/148,603号(2015年4月16日出願、名称「Micro Assembled Micro LED Displays and Lighting Elements」)、および、米国仮特許出願第62/169,531号(2015年6月1日出願、名称「Micro Assembled Micro LED Displays and Lighting Elements」に対する優先権およびそれらの利益を主張し、上記出願の各々の内容は、それらの全体が参照により本明細書に援用される。
本明細書では、過度に小型、多数、または脆弱であるため従来の手段によって組み立てられない、マイクロLEDのアレイを特色とする、マイクロ組立無機発光ダイオード(すなわち、マイクロLED)ディスプレイおよび照明要素が説明される。
第2のパターン化金属層であって、第2のパターン化金属層は、単一の層の中に複数のアノード相互接続と、複数のカソード相互接続とを備え、各アノード相互接続は、複数のビアのうちの対応するビアを通して、対応するマイクロLEDのアノードを第1のパターン化金属層に電気的に接続し、各カソード相互接続は、対応するマイクロLEDのカソードに電気的に接触する、第2のパターン化金属層とを備えている。
ある実施形態では、伝導性ジャンパ要素は、クロスオーバである。
Claims (407)
- 無機発光ダイオードディスプレイであって、前記ディスプレイは、
複数の発光ダイオードに非ネイティブなディスプレイ基板上でアレイに組み立てられた複数の無機発光ダイオードを備え、
前記アレイの各発光ダイオードは、対応する発光ダイオードの第1の側面上の第1の金属端子を備え、前記第1の金属端子は、水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第1の側面上の第2の金属端子から水平に分離されており、前記水平距離は、100nm〜20ミクロンである、ディスプレイ。 - 前記ディスプレイ基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体の各々は、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項1または2に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体の各々は、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体の各々は、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイの解像度は、120×90、1440×1080、1920×1080、1280×720、3840×2160、7680×4320、または15360×8640である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各発光ダイオードは、
伝導層と、
前記伝導層の一部の上に配置されている無機発光層と
を備え、
前記伝導層は、前記無機発光層の縁を超えて延びているカンチレバー拡張を備え、前記第1の金属端子は、前記無機発光層の一部の上に配置され、前記第2の金属端子は、前記伝導層の前記カンチレバー拡張の上に配置され、前記第1の金属端子と前記第2の金属端子との間に供給される電流は、前記無機発光層に発光させる、請求項1〜6のいずれか1項に記載のディスプレイ。 - 前記横の伝導層は、金属反射鏡、誘電体反射鏡、高屈折率半導体、および前記発光ダイオードから発せられる光に対して実質的に透明な半導体から成る群から選択される少なくとも1つの部材を備え、それによって、上向き発光ディスプレイを形成する、請求項1〜7のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記横の伝導層は、前記LEDから発せられる光に対して実質的に透明な半導体、透明伝導性酸化物、および薄い金網から成る群から選択される少なくとも1つの部材を備えている、請求項1〜7のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記第1および第2の金属端子は、透明である、請求項1〜9のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記第1および第2の金属端子は、ITO、ZnO、カーボンナノチューブフィルム、アルミニウム、銀、金、ニッケル、白金、チタン、および細かい金網から成る群から選択される少なくとも1つの部材を備えている、請求項1〜9のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイは、前記複数の発光ダイオードによって発せられる光の大部分が前記ディスプレイ基板を通して発せられるように、下向き発光マイクロLEDディスプレイである、請求項1〜11のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 複数の光学反射構造を備え、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの前記第1の金属端子と同一の側面上に位置している、請求項12に記載のディスプレイ。
- 前記第1および第2の金属端子は、少なくとも部分的に反射性であり、それによって、それぞれの発光ダイオードから発せられる光が、前記第1および第2の金属端子から少なくとも部分的に反射し、前記第1の面と反対の各発光ダイオードの第2の面を通ることを可能にする、請求項12または13に記載のディスプレイ。
- 各発光ダイオードの少なくとも一部の直接下方に位置する材料は、少なくとも部分的に透明である、請求項12〜14のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイは、前記複数の発光ダイオードによって発せられる光の大部分が前記ディスプレイ基板から離れた方向に発せられるように、上向き発光マイクロLEDディスプレイである、請求項1〜11のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 複数の光学反射構造を備え、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの下、前記発光ダイオードの前記第1の金属端子から反対側に位置している、請求項16に記載のディスプレイ。
- 前記第1および第2の金属端子は、少なくとも部分的に透明であり、それによって、それぞれの発光ダイオードから発せられる光が、前記第1および第2の金属端子を少なくとも部分的に通過することを可能にする、請求項16〜17のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各々が対応する発光ダイオードの前記第1の金属端子に電気的に接続されている複数の第1の相互接続と、
各々が対応する発光ダイオードの前記第2の金属端子に電気的に接続されている複数の第2の相互接続と
を備え、
前記複数の第1の相互接続および前記複数の第2の相互接続は、前記第1の面の上にある、請求項1〜18のいずれか1項に記載のディスプレイ。 - 前記複数の第1の相互接続特徴および前記複数の第2の相互接続特徴は、単一のリソグラフィレベルにある、請求項19に記載のディスプレイ。
- 前記複数の第1の相互接続の各々は、絶縁体内の複数のビアのうちのビアを通して複数の列電極のうちの1つの列電極に電気的に連結され、各ビアは、前記複数の発光ダイオードのうちの発光ダイオードに関連付けられている、請求項19または20に記載のディスプレイ。
- 前記複数の列電極、前記複数の第1の相互接続、および前記複数の第2の相互接続は、前記第1および第2の金属端子を形成するために使用されるリソグラフィより粗い解像度でリソグラフィによって形成されている、請求項21に記載のディスプレイ。
- 前記発光ダイオードの各々は、その幅の2倍以上の長さを有する、請求項1〜22のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードに対して、対応する第1および第2の金属端子は、対応する発光ダイオードの前記横の設置面積の少なくとも半分、3分の2、または4分の3を覆う、請求項1〜23のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光ダイオードは、マイクロ転写印刷を介して組み立てられる、請求項1〜24のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項1〜25のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項1〜26のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、前記複数の発光ダイオードを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードは、発光面積を有し、前記複数の発光ダイオードの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項1〜27のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光ダイオードの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項28に記載のディスプレイ。
- 前記複数の無機発光ダイオードのうちの各無機発光ダイオードに対して、前記水平距離は、500nm〜1μm、1μm〜5μm、5μm〜10μm、または10μm〜20μmである、請求項1〜29のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の無機発光ダイオードのうちの各無機発光ダイオードに対して、前記第1の金属端子の表面および第2の金属端子の表面は、平面を共有する、請求項1〜30のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板上の複数のマイクロ集積回路を備え、各々は、前記複数の発光ダイオードのセットと電気的に接続されている、請求項1〜31のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各集積回路は、ある色の光を発するLEDを制御するために使用される、請求項32に記載のディスプレイ。
- それぞれの集積回路によって駆動される前記複数の発光ダイオードの各セットは、独立サブディスプレイを形成する、請求項32または33に記載のディスプレイ。
- 複数の第2の発光ダイオードに非ネイティブな第2のディスプレイ基板上で第2のアレイに組み立てられた複数の第2の無機発光ダイオードを備え、前記複数の第2の発光ダイオードのうちの各第2の発光ダイオードは、対応する発光ダイオードの第1の側面上の第1の金属端子を備え、前記第1の金属端子は、水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第1の側面上の第2の金属端子から水平に分離されており、前記水平距離は、100nm〜20ミクロンであり、前記第1のディスプレイ基板と前記第2の基板とは、積み重ねられている、請求項1〜34のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板の前記複数の無機発光ダイオードと反対の側面上で第2のアレイに組み立てられた複数の第2の無機発光ダイオードを備え、前記複数の第2の発光ダイオードのうちの各第2の発光ダイオードは、対応する発光ダイオードの第1の側面上の第1の金属端子を備え、前記第1の金属端子は、水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第1の側面上の第2の金属端子から水平に分離されており、前記水平距離は、100nm〜20ミクロンであり、前記第1のディスプレイ基板と前記第2の基板とは、積み重ねられている、請求項1〜34のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の無機発光ダイオードの前記アレイは、前記複数の第2の無機発光ダイオードの前記第2のアレイと異なる解像度を有する、請求項35または36に記載のディスプレイ。
- 前記複数の無機発光ダイオードの各々は、第1のサイズを有し、前記複数の第2の無機発光ダイオードの各々は、第2のサイズを有し、前記第1のサイズは、前記第2のサイズと異なる、請求項35〜37のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 発光ダイオードディスプレイを形成する方法であって、前記方法は、
基板上に複数の列線を形成することと、
前記列線上に絶縁体を堆積させることと、
前記絶縁体上に複数の発光ダイオードをマイクロ転写印刷することであって、各マイクロ発光ダイオードは、その発光ダイオードの第1の面上に第1および第2の金属端子を備え、前記基板は、前記複数の発光ダイオードに非ネイティブである、ことと、
前記絶縁体に複数の孔を形成し、それによって、前記複数の列線の各々の部分を露出することと、
前記第1の面上に複数の伝導性相互接続を堆積させることと
を含み、
前記複数の伝導性相互接続は、複数の行電極と、複数の列相互接続とを備え、前記複数の列相互接続の各々は、列線を対応する発光ダイオードの前記第1の金属端子に電気的に接続する、方法。 - 前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードに対して、前記第1の金属端子は、100nm〜5ミクロンの水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第1の面上の前記第2の金属端子から水平に分離されている、請求項39に記載の方法。
- 前記第1および第2の金属端子は、透明である、請求項39または40に記載の方法。
- 前記第1および第2の金属端子は、少なくとも部分的に透明であり、それによって、それぞれの発光ダイオードから発せられる光が、前記第1および第2の金属端子を少なくとも部分的に通過することを可能にする、請求項39〜41のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイは、前記複数の発光ダイオードによって発せられる光の大部分が前記ディスプレイ基板を通して発せられるように、下向き発光マイクロLEDディスプレイである、請求項39〜42のいずれか1項に記載の方法。
- 複数の光学反射構造を堆積させることを含み、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの発光ダイオードの上方、前記発光ダイオードの前記ディスプレイ基板から反対側に位置している、請求項43に記載の方法。
- 各発光ダイオードの少なくとも一部の直接下方に位置する材料は、少なくとも部分的に透明である、請求項43または44に記載の方法。
- 前記第1および第2の金属端子は、少なくとも部分的に反射性であり、それによって、それぞれの発光ダイオードから発せられる光が、前記第1および第2の金属端子から少なくとも部分的に反射し、各発光ダイオードの前記第1の面と反対の第2の面を通ることを可能にする、請求項43〜45のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1および第2の金属端子は、ITO、ZnO、カーボンナノチューブフィルム、アルミニウム、銀、金、ニッケル、白金、チタン、および細かい金網から成る群から選択される少なくとも1つの部材を備えている、請求項43〜46のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイは、前記複数の発光ダイオードによって発せられる光の大部分が前記ディスプレイ基板から離れた方向に発せられるように、上向き発光マイクロLEDディスプレイである、請求項39〜42のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光ダイオードをマイクロ転写印刷することに先立って、複数の光学反射構造を堆積させることを含み、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの下に位置している、請求項48に記載の方法。
- 各発光ダイオードは、
伝導層と、
前記伝導層の一部の上に配置されている無機発光層と
を備え、
前記伝導層は、前記無機発光層の縁を超えて延びているカンチレバー拡張を備え、前記第1の金属端子は、前記無機発光層の一部の上に配置され、前記第2の金属端子は、前記伝導層の前記カンチレバー拡張の上に配置され、前記第1の金属端子と前記第2の金属端子との間に供給される電流は、前記無機発光層に発光させる、請求項39〜49のいずれか1項に記載の方法。 - 前記横の伝導層は、金属反射鏡、誘電体反射鏡、高屈折率半導体、および前記発光ダイオードから発せられる光に対して実質的に透明な半導体から成る群から選択される少なくとも1つの部材を備え、それによって、上向き発光ディスプレイを形成する、請求項50に記載の方法。
- 前記横の伝導層は、前記LEDから発せられる光に対して実質的に透明な半導体、透明伝導性酸化物、および薄い金網から成る群から選択される少なくとも1つの部材を備えている、請求項50に記載の方法。
- 前記複数の発光ダイオードをマイクロ転写印刷することは、
取り外し可能に取り付けられた前記複数の発光ダイオードの一部を有する転写デバイスを提供することであって、前記転写デバイスは、前記複数の発光ダイオードの前記一部と少なくとも部分的に接触している3次元特徴を備えている、ことと、
前記転写デバイスに取り外し可能に取り付けられた前記複数の発光ダイオードの前記一部を前記基板の受け取り表面と接触させることと、
前記受け取り表面と前記複数の発光ダイオードの前記一部の前記接触に続いて、前記複数の発光ダイオードの前記一部から前記転写デバイスを分離することであって、前記複数の発光ダイオードの前記一部は、前記受け取り表面上に転写される、ことと、
を含む、請求項39〜52のいずれか1項に記載の方法。 - 各々が前記複数の第1の相互接続のうちのそれぞれの1つに電気的に接続されている複数の列電極と、
前記複数の列電極と前記複数の発光ダイオードとの間の絶縁体と
を備え、
前記複数の第2の相互接続は、複数の行電極を備え、前記複数の行電極は、前記複数の発光ダイオードのうちの少なくとも1つの前記第2の金属端子に電気的に接続されている、請求項39〜53のいずれか1項に記載の方法。 - 前記複数の第1の相互接続の各々は、前記絶縁体内の複数のビアのうちのビアを通して前記複数の列電極のうちの前記列電極の1つに電気的に連結されている、請求項54に記載の方法。
- 前記複数の列電極、前記複数の第1の相互接続、および前記複数の第2の相互接続は、前記第1および第2の金属端子を形成するために使用されるリソグラフィより粗い解像度でリソグラフィによって形成されている、請求項54〜55のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の列電極、前記複数の第1の相互接続、および前記複数の第2の相互接続は、2ミクロン〜2ミリメートルの最小線および空間寸法範囲を有する、請求項54〜56のいずれか1項に記載の方法。
- 前記発光ダイオードの各々は、その幅の2倍以上の長さを有する、請求項39〜57のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の第1の相互接続特徴および前記複数の第2の相互接続特徴は、単一のリソグラフィレベルにある、請求項39〜58のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードに対して、対応する第1および第2の金属端子は、対応する発光ダイオードの横の設置面積の少なくとも半分、3分の2、または4分の3を覆う、請求項39〜59のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光ダイオードのそれぞれの前記第1の面は、各ダイオードの前記ディスプレイ基板から離れた側面上にある、請求項39〜60のいずれか1項に記載の方法。
- 前記非ネイティブ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項39〜61のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光ダイオードの各々は、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項39〜62のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光ダイオードの各々は、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項39〜63のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光ダイオードの各々は、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項39〜64のいずれか1項に記載の方法。
- ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項39〜65のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、前記複数の発光ダイオードを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードは、発光面積を有し、前記複数の発光ダイオードの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項39〜66のいずれか1項に記載の方法。
- 前記発光体の前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項67に記載の方法。
- 前記複数の伝導性相互接続は、単一のステップで堆積させられる、請求項39〜68のいずれか1項に記載の方法。
- 複数のマイクロ集積回路を前記ディスプレイ基板上にマイクロ転写印刷することを含み、各々は、前記複数の発光ダイオードのセットと電気的に接続されている、請求項39〜69のいずれか1項に記載の方法。
- 各集積回路は、ある色の光を発するLEDを制御するために使用される、請求項70に記載の方法。
- 複数の第2の発光ダイオードに非ネイティブな第2のディスプレイ基板上で第2のアレイにおいて複数の第2の無機発光ダイオードをマイクロ転写印刷することを含み、前記複数の第2の発光ダイオードのうちの各第2の発光ダイオードは、対応する発光ダイオードの第1の側面上の第1の金属端子を備え、前記第1の金属端子は、水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第1の側面上の第2の金属端子から水平に分離されており、前記水平距離は、100nm〜20ミクロンであり、前記第1のディスプレイ基板と前記第2の基板とは、積み重ねられている、請求項39〜71のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板の前記複数の無機発光ダイオードと反対の側面上で第2のアレイにおいて複数の第2の無機発光ダイオードをマイクロ転写印刷することを含み、前記複数の第2の発光ダイオードのうちの各第2の発光ダイオードは、対応する発光ダイオードの第1の側面上の第1の金属端子を備え、前記第1の金属端子は、水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第1の側面上の第2の金属端子から水平に分離されており、前記水平距離は、100nm〜20ミクロンであり、前記第1のディスプレイ基板と前記第2の基板とは、積み重ねられている、請求項39〜71のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の無機発光ダイオードの前記アレイは、前記複数の第2の無機発光ダイオードの前記第2のアレイと異なる解像度を有する、請求項72または73に記載の方法。
- 前記複数の無機発光ダイオードの各々は、第1のサイズを有し、前記複数の第2の無機発光ダイオードの各々は、第2のサイズを有し、前記第1のサイズは、前記第2のサイズと異なる、請求項72〜74のいずれか1項に記載の方法。
- ディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板の表面上の第1のパターン化金属層と、
前記ディスプレイ基板および前記第1のパターン化金属層上の誘電体層と、
前記誘電体層上のポリマー層と、
前記ポリマー層の表面上の複数の発光体であって、前記複数の発光体のうちの各発光体は、それぞれの発光体の同一側面上にアノードおよびカソードを有し、前記ディスプレイ基板は、前記複数の発光体に非ネイティブである、複数の発光体と、
前記ポリマーおよび誘電体層を通して形成される複数のビアであって、各ビアは、前記複数の発光体のうちの対応する発光体に関連付けられている、複数のビアと、
第2のパターン化金属層と
を備え、
前記第2のパターン化金属層は、単一の層の中に複数のアノード相互接続と、複数のカソード相互接続とを備え、各アノード相互接続は、前記複数のビアのうちの対応するビアを通して、前記複数の発光体のうちの対応する発光体の前記アノードを前記第1のパターン化金属層に電気的に接続し、各カソード相互接続は、前記複数の発光体のうちの対応する発光体の前記カソードに電気的に接続する、ディスプレイ。 - それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、100nm〜500nm、500nm〜1ミクロン、1ミクロン〜20ミクロン、20ミクロン〜50ミクロン、または50ミクロン〜100ミクロンである、請求項76に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体は、複数の無機発光ダイオードを備えている、請求項76または77に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項76〜78のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体の各々は、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項76〜79のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体の各々は、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項76〜80のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体の各々は、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項76〜81のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項76〜82のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、連続したディスプレイ基板面積を有し、前記複数の発光体の各々は、発光面積を有し、前記複数の発光体の複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項76〜83のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体の前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項84に記載のディスプレイ。
- ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項76〜85のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項76〜86のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記第1のパターン化金属層は、金属スタックを備えている、請求項76〜87のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記金属スタックは、アルミニウムとチタンとを含む、請求項88に記載のディスプレイ。
- 前記チタンは、前記アルミニウムの上にある、請求項89に記載のディスプレイ。
- 前記ポリマー層は、感光性負作用半導体グレードエポキシである、請求項76〜90のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体は、印刷ツールを使用して前記ポリマー層の表面上にマイクロ転写印刷されている、請求項76〜91のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記印刷ツールは、粘弾性エラストマースタンプである、請求項92に記載のディスプレイ。
- 前記第2のパターン化金属層は、金属スタックを備えている、請求項76〜93のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記金属スタックは、Ti/Al/Tiを含む、請求項94に記載のディスプレイ。
- 前記第2のパターン化金属層は、前記ディスプレイ基板上の複数のパッドを備えている、請求項76〜95のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体は、赤色光を発する複数の赤色発光体と、緑色光を発する複数の緑色発光体と、青色光を発する複数の青色発光体とを備えている、請求項76〜96のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記複数の発光体のうちの各発光体の前記アノードおよびカソードのうちの少なくとも1つは、発光体誘電体層上に形成される、請求項76〜97のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記誘電体層は、窒化ケイ素である、請求項76〜98のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、可撓性である、請求項76〜99のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- ディスプレイを形成する方法であって、前記方法は、
ディスプレイ基板上に第1の金属層を堆積させることと、
前記第1の金属層をパターン化し、第1のパターン化金属層を形成することと、
前記第1のパターン化金属層上に誘電体の層を堆積させ、電気絶縁層を作成することと、
未硬化ポリマー層を適用することと、
ネイティブ基板から前記ポリマー上に複数の発光体をマイクロ転写印刷することであって、前記ネイティブ基板は、前記複数の発光体の少なくとも一部にネイティブであり、前記発光体の各々は、電力を前記発光体に提供するためのアノードおよびカソードを有する、ことと、
前記ポリマーを紫外線にさらし、前記ポリマーを硬化させることと、
前記硬化ポリマーおよび誘電体層を通して複数のビアを形成し、前記第1のパターン化金属層の一部を露出することと、
第2の金属層を堆積させることであって、前記第2の金属層は、前記複数の発光体のうちの各発光体のアノードおよびカソードに接触する、ことと、
前記第2の金属層をパターン化し、前記第2のパターン化金属層を形成することと
を含み、
前記第2のパターン化金属層は、複数のアノード相互接続と、複数のカソード相互接続とを備え、各アノード相互接続は、前記複数のビアのうちの対応するビアを通して、前記複数の発光体のうちの対応する発光体の前記アノードを前記第1のパターン化金属層に電気的に接続し、各カソード相互接続は、前記複数の発光体のうちの対応する発光体の前記カソードに電気的に接触する、方法。 - 前記複数の発光体は、複数の無機発光ダイオードを備えている、請求項101に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板を複数のディスプレイに切断することを含む、請求項101または102に記載の方法。
- 非ネイティブウエハを前記複数のディスプレイに切断することに先立って、保護フォトレジスト層で前記ウエハをコーティングすることと、
前記ディスプレイ基板を複数のディスプレイに切断した後に、前記ディスプレイ基板を複数のディスプレイに切断した後の前記複数のディスプレイのうちの各ディスプレイから前記保護フォトレジスト層を除去することと
を含む、請求項103に記載の方法。 - 前記非ネイティブウエハの表面上の受け取りパッド上にパッシブマトリクスドライバ集積回路を提供することを含む、請求項101〜104のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光体のうちの各発光体をバーンインすることを含む、請求項101〜105のいずれか1項に記載の方法。
- それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、100nm〜100ミクロンである、請求項101〜106のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ポリマーは、感光性負作用半導体グレードエポキシである、請求項101〜107のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の金属層は、金属物理蒸着を使用して堆積させられる、請求項101〜108のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の金属層は、フォトリソグラフィを使用してパターン化される、請求項101〜109のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の金属層をパターン化することは、
前記第1の金属層を堆積させることに先立って、負作用フォトレジストを前記第1の金属層に適用し、(例えば、マスクを使用して)前記フォトレジストを光に選択的にさらし、前記フォトレジストを現像し、リフトオフテンプレートを形成することと、
前記第1の金属層を堆積させた後、前記リフトオフテンプレートを除去し、それによって、前記第1のパターン化金属層を形成することと
を含む、請求項101〜110のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1の金属層は、チタンの上のアルミニウムの上にチタンの金属スタックを備えている、請求項101〜111のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の金属層を堆積させることは、電子ビーム蒸着を使用して、前記第1の金属層を堆積させることを含む、請求項101〜112のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の金属層をパターン化することは、
負作用フォトレジストにリフトオフマスクをパターン化することと、
金属スタックを堆積させることと、
前記フォトレジストマスクを外し、前記第2のパターン化金属層を後に残すことと
を含む、請求項101〜113のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第2の金属層は、金属スタックを備えている、請求項101〜114のいずれか1項に記載の方法。
- 前記金属スタックは、Ti/Al/Tiを含む、請求項115に記載の方法。
- 1つ以上の熱処理を使用して、前記ポリマーから1つ以上の溶媒を除去することを含む、請求項107〜116のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することは、印刷ツールを使用して前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することを含む、請求項107〜117のいずれか1項に記載の方法。
- 前記印刷ツールは、粘弾性エラストマースタンプを備えている、請求項118に記載の方法。
- 前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することは、前記複数の発光体と前記粘弾性エラストマー表面との間の動力学的に調整可能な接着を使用することを含む、請求項101〜119のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することは、
粘弾性エラストマースタンプを前記複数の発光体の少なくとも一部の中の前記発光体の各々の第1の表面に接触させて、前記エラストマーと前記複数の発光体の前記一部との間の接着の効果的な増加につながる第1の速度で、前記ネイティブ基板から離して前記粘弾性エラストマースタンプを移動させることによって、前記ネイティブ基板から前記複数の発光体の前記一部を取り上げることと、
粘弾性エラストマースタンプによって取り上げられた前記発光体の各々の第2の表面を前記ポリマーに接触させて、第2の速度で前記ディスプレイ基板から離して前記粘弾性エラストマースタンプを移動させ、それによって、前記粘弾性エラストマースタンプによって取り上げられた前記発光体を前記ポリマー上に残すことによって、前記複数の発光体の前記一部を前記非ネイティブ基板に印刷することであって、前記第2の速度は、前記第1の速度より小さい、ことと
を含む、請求項101〜120のいずれか1項に記載の方法。 - マイクロ転写印刷プロセス中に前記スタンプを横方向に剪断することを含む、請求項101〜121のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光体は、赤色光を発する複数の赤色発光体と、緑色光を発する複数の緑色発光体と、青色光を発する複数の青色発光体とを備えている、請求項101〜122のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイの解像度は、120×90、1440×1080、1920×1080、1280×720、3840×2160、7680×4320、または15360×8640である、請求項101〜123のいずれか1項に記載の方法。
- ネイティブ基板から前記ポリマー上に前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することは、少なくとも2つのマイクロ転写印刷動作を行うことを含む、請求項101〜124のいずれか1項に記載の方法。
- ネイティブ基板から前記ポリマー上に前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することは、
赤色発光体ネイティブ基板から赤色光を発する複数の赤色発光体をマイクロ転写印刷することと、
緑色発光体ネイティブ基板から緑色光を発する複数の緑色発光体をマイクロ転写印刷することと、
青色発光体ネイティブ基板から青色光を発する複数の青色発光体をマイクロ転写印刷することと
を含み、
前記複数の発光体は、前記複数の赤色発光体と、前記複数の緑色発光体と、前記複数の青色発光体とを備えている、請求項101〜125のいずれか1項に記載の方法。 - 前記ディスプレイ基板は、可撓性である、請求項101〜126のいずれか1項に記載の方法。
- 無機発光ダイオードであって、
伝導層と、
前記伝導層の一部の上に配置されている無機発光層であって、前記伝導層は、前記無機発光層の縁を超えて延びているカンチレバー拡張を備えている、無機発光層と、
前記無機発光層の一部の上に配置されている第1の金属端子と、
前記伝導層の前記カンチレバー拡張の上に配置されている第2の金属端子であって、前記第1の金属端子と前記第2の金属端子との間に供給される電流は、前記無機発光層に発光させる、第2の金属端子と、
前記無機発光層の少なくとも一部の上に配置されている誘電体層と
を備え、
前記誘電体層は、前記第2の金属端子から前記第1の金属端子を電気的に絶縁し、前記第1および第2の金属端子は、前記無機発光ダイオードの同一側面の上にあり、100nm〜20μmの水平距離によって分離されている、無機発光ダイオード。 - 前記無機発光ダイオードは、0.5〜2μm、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項1に記載の無機発光ダイオード。
- 前記無機発光ダイオードは、0.5〜2μm、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項128または129に記載の無機発光ダイオード。
- 前記無機発光ダイオードは、0.5〜2μm、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項128〜130のいずれか1項に記載の無機発光ダイオード。
- 前記水平距離は、500nm〜1μm、1μm〜5μm、5μm〜10μm、または10μm〜20μmである、請求項128〜131のいずれか1項に記載の無機発光ダイオード。
- 前記第1の金属端子の表面および第2の金属端子の表面は、平面を共有する、請求項128〜132のいずれか1項に記載の無機発光ダイオード。
- 前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードに対して、対応する第1および第2の金属端子は、対応する発光ダイオードの横の設置面積の少なくとも半分、3分の2、または4分の3を覆う、請求項128〜133のいずれか1項に記載の無機発光ダイオード。
- 前記横の伝導層は、金属反射鏡、誘電体反射鏡、高屈折率半導体、および前記発光ダイオードから発せられる光に対して実質的に透明な半導体から成る群から選択される少なくとも1つの部材を備え、それによって、上向き発光ディスプレイを形成する、請求項128〜134のいずれか1項に記載の無機発光ダイオード。
- 前記横の伝導層は、前記LEDから発せられる光に対して実質的に透明な半導体、透明伝導性酸化物、および薄い金網から成る群から選択される少なくとも1つの部材を備えている、請求項128〜135のいずれか1項に記載の無機発光ダイオード。
- 前記第1および第2の金属端子は、透明である、請求項128〜136のいずれか1項に記載の無機発光ダイオード。
- 前記第1および第2の金属端子は、ITO、ZnO、カーボンナノチューブフィルム、アルミニウム、銀、金、ニッケル、白金、チタン、および細かい金網から成る群から選択される少なくとも1つの部材を備えている、請求項128〜137のいずれか1項に記載の無機発光ダイオード。
- 請求項128〜138のいずれか1項に記載の複数の無機発光ダイオードを備えている無機発光ダイオードディスプレイであって、前記複数の無機発光ダイオードは、基板上に配置されている、無機発光ダイオードディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項139に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 前記ディスプレイの解像度は、120×90、1440×1080、1920×1080、1280×720、3840×2160、7680×4320、または15360×8640である、請求項139または140に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 複数の光学反射構造を備え、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの前記第1の金属端子と同一の側面上に位置している、請求項141に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 複数の光学反射構造を備え、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの下、前記発光ダイオードの前記第1の金属端子から反対側に位置している、請求項141に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 各々が対応する発光ダイオードの前記第1の金属端子に電気的に接続されている複数の第1の相互接続と、
各々が対応する発光ダイオードの前記第2の金属端子に電気的に接続されている複数の第2の相互接続と
を備え、
前記複数の第1の相互接続および前記複数の第2の相互接続は、前記第1の面の上にある、請求項139〜143のいずれか1項に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。 - 前記複数の第1の相互接続特徴および前記複数の第2の相互接続特徴は、単一のリソグラフィレベルにある、請求項144に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 前記複数の第1の相互接続の各々は、絶縁体内の複数のビアのうちのビアを通して複数の列電極のうちの1つの列電極に電気的に連結され、各ビアは、前記複数の発光ダイオードのうちの発光ダイオードに関連付けられている、請求項144または145に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 前記複数の列電極、前記複数の第1の相互接続、および前記複数の第2の相互接続は、前記第1および第2の金属端子を形成するために使用されるリソグラフィより粗い解像度でリソグラフィによって形成されている、請求項146に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 前記発光ダイオードの各々は、その幅の2倍以上の長さを有する、請求項139〜147のいずれか1項に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項139〜148のいずれか1項に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項139〜149のいずれか1項に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、前記複数の発光ダイオードを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードは、発光面積を有し、前記複数の発光ダイオードの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項139〜150のいずれか1項に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 前記複数の発光ダイオードの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項151に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
- 無機発光ダイオード(LED)ディスプレイであって、前記ディスプレイは、
ディスプレイ基板と、
複数のピクセルと
を備え
各ピクセルは、ディスプレイ回路に接続されている一次無機LEDのセットと、前記ディスプレイ回路に接続されていない冗長無機LEDのセットとを備え、前記冗長無機LEDの各々は、前記一次無機LEDのうちの1つである対応する欠陥LEDを交換するために、前記ディスプレイ回路に電気的に接続されることができ、
各一次および冗長無機LEDは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中または上に形成され、前記ネイティブ基板は、前記ディスプレイ基板の上にある、ディスプレイ。 - 前記ディスプレイ回路に電気的に接続される冗長LEDを備えている、請求項153に記載のディスプレイ。
- 冗長LEDを前記ディスプレイ回路に電気的に接続する伝導性ジャンパを備えている、請求項153または154に記載のディスプレイ。
- 無機発光ダイオード(LED)ディスプレイであって、前記ディスプレイは、
ディスプレイ基板と、
複数のピクセルと
を備え、
各ピクセルは、一次無機LEDのセットと、冗長無機LEDのセットとを備え、
各一次および冗長無機LEDは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中または上に形成され、
前記ネイティブ基板は、前記ディスプレイ基板の上にあり、
前記冗長セットの各無機LEDは、抵抗器と直列に接続され、LED・抵抗器ペアを形成し、各LED・抵抗器ペアは、前記一次セットのうちの無機LEDと並列に配線されている、ディスプレイ。 - 無機発光ダイオード(LED)ディスプレイであって、前記ディスプレイは、
ディスプレイ基板と、
複数のピクセルと
を備え、
各ピクセルは、一次無機LEDのセットと、冗長無機LEDのセットとを備えている、
各一次および冗長無機LEDは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中または上に形成され、前記ネイティブ基板は、前記ディスプレイ基板の上にあり、前記冗長セットの各無機LEDは、ダイオードと直列に接続され、LED・ダイオードペアを形成し、各LED・ダイオードペアは、前記一次セットのうちの無機LEDと並列に配線されている、ディスプレイ。 - 前記一次無機LEDのセットは、赤色光を発する複数の赤色無機LEDと、緑色光を発する複数の緑色無機LEDと、青色光を発する複数の青色無機LEDとを備え、
前記冗長無機LEDのセットは、赤色光を発する複数の冗長赤色無機LEDと、緑色光を発する複数の冗長緑色無機LEDと、青色光を発する複数の冗長青色無機LEDとを備えている、請求項153〜157のいずれか1項に記載のディスプレイ。 - 前記一次無機LEDのセットは、黄色光を発する複数の黄色無機LEDを備え、前記冗長無機LEDのセットは、黄色光を発する複数の冗長黄色無機LEDを備えている、請求項153〜158のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記一次無機LEDのセットおよび前記冗長無機LEDのセットは、前記ディスプレイ基板の直接上にある、請求項153〜159のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各ピクセルは、それぞれのピクセルの中の各無機LEDに電気的に接続されている無機集積回路を備えている、請求項153〜160のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各ピクセルは、一次マイクロ集積回路と、冗長マイクロ集積回路とを備えている、請求項153〜161のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項153〜162のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各無機LEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項153〜163のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各無機LEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項153〜164のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各無機LEDは、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項153〜165のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項153〜166のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、前記一次無機LEDのセットと、前記冗長無機LEDのセットとを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各LEDは、発光面積を有し、LEDの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項153〜167のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記LEDの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項168に記載のディスプレイ。
- 無機発光ダイオード(LED)ディスプレイを無機組み立てする方法であって、前記方法は、
1つ以上のネイティブ基板の中もしくは上に複数の印刷可能無機LEDを形成することと、
前記1つ以上のネイティブ基板と別個であり異なるディスプレイ基板上に前記複数の印刷可能無機LEDを転写印刷し、複数のピクセルを形成することであって、各ピクセルは、一次無機LEDのセットと、冗長無機LEDのセットとを備えている、ことと、
前記一次無機LEDをディスプレイ回路に接続することと、
前記ディスプレイを試験し、欠陥一次無機LEDを識別することと
を含む、方法。 - 前記一次無機LEDのセットは、赤色光を発する複数の赤色無機LEDと、緑色光を発する複数の緑色無機LEDと、青色光を発する複数の青色無機LEDとを備え、
前記冗長無機LEDのセットは、赤色光を発する複数の冗長赤色無機LEDと、緑色光を発する複数の冗長緑色無機LEDと、青色光を発する複数の冗長青色無機LEDとを備えている、請求項170に記載の方法。 - 前記一次無機LEDのセットは、黄色光を発する複数の黄色無機LEDを備え、前記冗長無機LEDのセットは、黄色光を発する複数の冗長黄色無機LEDを備えている、請求項170〜171のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ回路から前記欠陥一次無機LEDを断絶することを含む、請求項170〜172のいずれか1項に記載の方法。
- 前記冗長無機LEDの各々が前記ディスプレイ回路に接続されるように、前記欠陥一次無機LEDの各々に近接近している冗長無機LEDへの電気接続を確立することを含む、請求項170〜173のいずれか1項に記載の方法。
- 前記冗長LEDの各々への電気接続を確立することは、電気トレースを直接かつ物理的に配線することを含む、請求項174に記載の方法。
- 前記冗長LEDの各々への電気接続を確立することは、マイクロアセンブリによって、前記冗長LEDの各々とそれぞれの欠陥LEDとの間に伝導性ジャンパを配置することを含む、請求項174に記載の方法。
- 前記冗長LEDの各々への電気接続を確立することは、清浄金属表面間のはんだリフローまたは接触によって、電気接続を確立することを含む、請求項174に記載の方法。
- 前記ディスプレイを試験することに先立って、各LED・抵抗器ペアが一次無機LEDと並列に接続されるように、各冗長無機LEDを抵抗器と直列に前記ディスプレイ回路に接続し、LED・抵抗器ペアを形成することを含む、請求項170〜177のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイを試験することに先立って、各LED・ダイオードペアが一次無機LEDと並列に接続されるように、各冗長無機LEDをダイオードと直列に前記ディスプレイ回路に接続し、LED・ダイオードペアを形成することを含む、請求項170〜178のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイを試験することは、
前記一次無機LEDのうちの1つ以上のものを照射することと、
欠陥一次LEDを識別することと、
を含む、請求項170〜179のいずれか1項に記載の方法。 - 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項170〜180のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の印刷可能無機LEDは、前記ディスプレイ基板上に直接、マイクロ転写印刷される、請求項170〜181のいずれか1項に記載の方法。
- 各無機LEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項170〜182のいずれか1項に記載の方法。
- 各無機LEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項170〜183のいずれか1項に記載の方法。
- 各無機LEDは、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項170〜184のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項170〜185のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、前記一次無機LEDのセットと、前記冗長無機LEDのセットとを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各LEDは、発光面積を有し、LEDの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項170〜186のいずれか1項に記載の方法。
- 前記LEDの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項187に記載の方法。
- マイクロLEDディスプレイであって、
少なくとも部分的に透明であるディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板上の色変換構造のアレイであって、各色変換構造は、色変換材料を含む、色変換構造のアレイと、
前記色変換構造と別個のマイクロLEDのアレイであって、前記マイクロLEDのアレイの中の各マイクロLEDは、前記色変換構造のアレイの中の前記色変換構造のうちの対応するものの上にある、マイクロLEDのアレイと
を備えている、マイクロLEDディスプレイ。 - 前記ディスプレイ基板は、前記色変換材料が位置する陥凹のアレイを備えている、請求項189に記載のディスプレイ。
- 前記陥凹は、前記色変換材料で充填されている、請求項190に記載のディスプレイ。
- 前記マイクロLEDは、前記マイクロLEDから発せられる光の殆どまたは全てが、前記色変換材料および前記ディスプレイ基板を通って下向きに発するように、前記色変換材料の前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記色変換材料を覆って位置している、請求項189〜191のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記マイクロLEDが前記ディスプレイ基板に向かって放射光を反射するように、前記マイクロLEDの前記ディスプレイ基板と反対の側面を実質的に覆う1つ以上の反射構造を備えている、請求項189〜192のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記1つ以上の反射構造は、アレイ接続金属またはマイクロLED接点を備えている、請求項193に記載のディスプレイ。
- マイクロLEDディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板上のマイクロLEDのアレイと、
前記マイクロLED構造と別個の色変換構造のアレイと
を備え、
前記色変換構造のアレイの中の各色変換構造は、前記マイクロLEDのアレイの中の前記マイクロLEDのうちの対応するものの上にあり、各色変換構造は、色変換材料を含む、マイクロLEDディスプレイ。 - 前記色変換材料は、前記マイクロLEDの前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記マイクロLEDの上にあるか、またはそれを少なくとも部分的に包囲している、請求項195に記載のディスプレイ。
- 前記色変換材料は、蛍光体担持ゲルまたは樹脂、蛍光体セラミックス、または単結晶蛍光体を含む、請求項189〜196のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記色変換材料は、直接バンドギャップ半導体のチップである、請求項189〜197のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記色変換材料は、前記マイクロLEDを少なくとも部分的に包囲している、請求項189〜198のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板上に補足鏡構造を備えている、請求項189〜199のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、前記ディスプレイ基板と別個のLED基板を有する、請求項189〜200のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記マイクロLEDは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中に形成されている、請求項189〜201のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項189〜202のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項189〜203のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項189〜204のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項189〜205のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイの解像度は、120×90、1440×1080、1920×1080、1280×720、3840×2160、7680×4320、または15360×8640である、請求項189〜206のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項189〜207のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、前記マイクロLEDを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロLEDは、発光面積を有し、前記マイクロLEDの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項189〜208のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記マイクロLEDの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項209に記載のディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、それぞれのマイクロLEDの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、請求項189〜210のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、100nm〜500nm、500nm〜1ミクロン、1ミクロン〜20ミクロン、20ミクロン〜50ミクロン、または50ミクロン〜100ミクロンである、請求項211に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項189〜212のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記マイクロLEDのアレイは、赤色光を発する複数の赤色マイクロLEDと、緑色光を発する複数の緑色マイクロLEDと、青色光を発する複数の青色マイクロLEDとを備え、各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロLEDのうちの赤色マイクロLEDと、前記複数の緑色マイクロLEDのうちの緑色マイクロLEDと、前記複数の青色マイクロLEDのうちの青色マイクロLEDとを備えている、請求項189〜213のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記マイクロLEDは、有機マイクロLEDである、請求項189〜214のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- マイクロLED発光体アレイを微細に組み立てる方法であって、
第1の基板上に複数のマイクロLEDを形成することと、
少なくとも部分的に透明であるディスプレイ基板を提供することと、
アレイにおいて前記ディスプレイ基板上に複数の色変換構造を提供することであって、各色変換構造は、色変換材料を含む、ことと、
前記複数のマイクロLEDのうちの各マイクロLEDが、前記複数の色変換構造のうちの前記色変換構造の対応するものの上にあるように、ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロLEDを微細に組み立てることと
を含み、
前記ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロLEDを微細に組み立てることは、
前記複数のマイクロLEDの一部を接触表面を有する第1の転写デバイスと接触させ、それによって、前記接触表面がその上に一時的に配置された前記複数のマイクロLEDの前記一部を有するように、前記複数のマイクロLEDの前記一部を前記接触表面に一時的に結合することと、
前記第1の転写デバイスの前記接触表面上に配置された前記複数のマイクロLEDの前記一部を前記複数の色変換構造の一部と接触させることと、
前記第1の転写デバイスの前記接触表面と前記複数のマイクロLEDの前記一部とを分離することと
を含み、
前記複数のマイクロLEDの一部は、前記色変換構造の前記一部の上に転写され、それによって、前記色変換構造の前記一部の上に前記複数のマイクロLEDの前記一部を組み立てる、方法。 - アレイにおいて前記ディスプレイ基板を覆って位置する複数の色変換構造を提供することは、ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロLEDを微細に組み立てることに先立って、
前記ディスプレイ基板の中に複数の陥凹を形成することと、
色変換材料で前記複数の陥凹を充填することであって、前記複数の印刷可能LEDは、前記色変換材料を覆って印刷される、ことと
を含む、請求項216に記載の方法。 - アレイにおいて前記ディスプレイ基板を覆って位置する複数の色変換構造を提供することは、ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロLEDを微細に組み立てることに先立って、前記ディスプレイ基板上に色変換材料のチップを微細に組み立てることを含む、請求項216または217に記載の方法。
- 前記マイクロLEDは、前記マイクロLEDから発せられる光の殆どまたは全てが、前記色変換材料および前記ディスプレイ基板を通って下向きに発するように、前記色変換材料の前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記色変換材料を覆って位置している、請求項216〜218のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マイクロLEDが前記ディスプレイ基板に向かって放射光を反射するように、前記マイクロLEDの前記ディスプレイ基板と反対の側面を実質的に覆う1つ以上の反射構造を備えている、請求項216〜219のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つ以上の反射構造は、アレイ接続金属またはマイクロLED接点を備えている、請求項220に記載の方法。
- マイクロLED発光体アレイを微細に組み立てる方法であって、前記方法は、
第1の基板上に複数のマイクロLEDを形成することと、
ディスプレイ基板を提供することと、
ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロLEDを微細に組み立てることであって、前記ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロLEDを微細に組み立てることは、
前記複数のマイクロLEDの一部を接触表面を有する第1の転写デバイスと接触させ、それによって、前記接触表面がその上に一時的に配置された前記複数のマイクロLEDの前記一部を有するように、前記複数のマイクロLEDの前記一部を前記接触表面に一時的に結合することと、
前記第1の転写デバイスの前記接触表面上に配置された前記複数のマイクロLEDの前記一部を前記複数の色変換構造の一部と接触させることと、
前記第1の転写デバイスの前記接触表面と前記複数のマイクロLEDの前記一部とを分離することであって、前記複数のマイクロLEDの一部は、前記色変換構造の前記一部の上に転写され、それによって、前記色変換構造の前記一部の上に前記複数のマイクロLEDの前記一部を組み立てる、ことと
を含む、ことと、
複数の色変換構造のうちの各色変換構造が、前記複数のマイクロLEDのうちの前記マイクロLEDの対応するものの上にあるように、アレイにおいて前記ディスプレイ基板上に前記複数の色変換構造を提供することであって、各色変換構造は、色変換材料を含む、ことと
を含む、方法。 - 前記色変換材料は、前記マイクロLEDの前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記マイクロLEDの上にあるか、またはそれを少なくとも部分的に包囲している、請求項222に記載の方法。
- 前記色変換材料は、蛍光体担持ゲルまたは樹脂、蛍光体セラミックス、または単結晶蛍光体を含む、請求項216〜223のいずれか1項に記載の方法。
- 前記色変換材料は、直接バンドギャップ半導体のチップである、請求項216〜224のいずれか1項に記載の方法。
- 前記色変換材料は、前記マイクロLEDを少なくとも部分的に包囲している、請求項216〜225のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板上に補足鏡構造を備えている、請求項216〜226のいずれか1項に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、前記ディスプレイ基板と別個のLED基板を有する、請求項216〜227のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マイクロLEDは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中に形成される、請求項216〜228のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項216〜229のいずれか1項に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項216〜230のいずれか1項に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項216〜231のいずれか1項に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項216〜232のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイの解像度は、120×90、1440×1080、1920×1080、1280×720、3840×2160、7680×4320、または15360×8640である、請求項216〜233のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項216〜234のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、前記マイクロLEDを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロLEDは、発光面積を有し、前記マイクロLEDの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項216〜235のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マイクロLEDの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項236に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、それぞれのマイクロLEDの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、請求項216〜237のいずれか1項に記載の方法。
- それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、100nm〜500nm、500nm〜1ミクロン、1ミクロン〜20ミクロン、20ミクロン〜50ミクロン、または50ミクロン〜100ミクロンである、請求項238に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項216〜239のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数のマイクロLEDは、赤色光を発する複数の赤色マイクロLEDと、緑色光を発する複数の緑色マイクロLEDと、青色光を発する複数の青色マイクロLEDとを備え、各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロLEDのうちの赤色マイクロLEDと、前記複数の緑色マイクロLEDのうちの緑色マイクロLEDと、前記複数の青色マイクロLEDのうちの青色マイクロLEDとを備えている、請求項216〜240のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マイクロLEDは、有機マイクロLEDである、請求項216〜241のいずれか1項に記載の方法。
- 多機能ディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板上のマイクロLEDのアレイと、
前記ディスプレイ基板上の機能的要素のアレイと
を備え、
前記マイクロLEDは、前記機能的要素の間に組み込まれ、前記ディスプレイ基板は、前記マイクロLEDおよび前記機能的要素に非ネイティブである、多機能ディスプレイ。 - 前記機能的要素は、センサまたは送受信機である、請求項243に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記機能的要素は、画像捕捉デバイス、光学センサ、フォトダイオード、赤外線センサ、ジェスチャセンサ、赤外線センサ、温度センサ、電力収穫デバイス、太陽電池、運動エネルギースカベンジングデバイス、圧電デバイス、コンデンサ、アンテナ、および無線伝送デバイスから成る群から選択される少なくとも1つの部材を備えている、請求項243に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記機能的要素は、前記ディスプレイ基板にわたって前記マイクロLEDと異なる空間密度を有する、請求項243〜245のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記マイクロLEDは、前記ディスプレイ基板と別個であり異なるネイティブ基板の中に形成される、請求項243〜246のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記機能的要素は、前記ディスプレイ基板と別個であり異なるネイティブ基板の中に形成される、請求項243〜247のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記機能的要素の数は、前記ディスプレイの中の前記マイクロLEDの数以下である、請求項243〜248のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記機能的要素の数は、前記ディスプレイの中の前記マイクロLEDの数の3分の1以下である、請求項243〜249のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項243〜250のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項243〜251のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項243〜252のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項243〜253のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 各機能的要素は、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅、長さ、および高さのうちの少なくとも1つを有する、請求項243〜254のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記ディスプレイの解像度は、120×90、1440×1080、1920×1080、1280×720、3840×2160、7680×4320、または15360×8640である、請求項243〜255のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項243〜256のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、前記マイクロLEDを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロLEDは、発光面積を有し、前記マイクロLEDの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項243〜257のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記マイクロLEDの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項258に記載の多機能ディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、それぞれのマイクロLEDの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、請求項243〜259のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、100nm〜500nm、500nm〜1ミクロン、1ミクロン〜20ミクロン、20ミクロン〜50ミクロン、または50ミクロン〜100ミクロンである、請求項260に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項243〜261のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記マイクロLEDのアレイおよび前記機能的要素のアレイは、共通平面上にある、請求項243〜262のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 複数のマイクロ集積回路を備え、各マイクロ集積回路は、前記マイクロLEDのアレイの中の少なくとも1つのマイクロLEDと前記機能的要素のアレイの中の少なくとも1つの機能的要素とに接続されている、請求項243〜263のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板上のポリマー層を備え、前記マイクロLEDのアレイおよび前記機能的要素のアレイは、前記ポリマー層が前記ディスプレイ基板と前記マイクロLEDのアレイおよび前記機能的要素のアレイとの間にあるように、前記ポリマー層の上にある、請求項243〜264のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板の表面上の第1のパターン化金属層と、
前記ディスプレイ基板および前記第1のパターン化金属層上の誘電体層であって、前記ポリマー層は、前記ディスプレイ基板の上にある、誘電体層と、
前記ポリマーおよび誘電体層を通して形成されている複数のビアであって、各ビアは、対応するマイクロLEDに関連付けられている、複数のビアと、
第2のパターン化金属層と
を備え、
前記第2のパターン化金属層は、単一の層の中に複数のアノード相互接続と、複数のカソード相互接続とを備え、各アノード相互接続は、前記複数のビアのうちの対応するビアを通して、対応するマイクロLEDの前記アノードを前記第1のパターン化金属層に電気的に接続し、各カソード相互接続は、対応するマイクロLEDの前記カソードに電気的に接触する、請求項265に記載の多機能ディスプレイ。 - 複数のピクセルを備え、各ピクセルは、前記マイクロLEDのアレイの中の少なくとも1つのマイクロLEDと、前記機能的要素のアレイの中の少なくとも1つの機能的要素とを備えている、請求項243〜266のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記マイクロLEDのアレイは、赤色光を発する複数の赤色マイクロLEDと、緑色光を発する複数の緑色マイクロLEDと、青色光を発する複数の青色マイクロLEDとを備え、各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロLEDのうちの赤色マイクロLEDと、前記複数の緑色マイクロLEDのうちの緑色マイクロLEDと、前記複数の青色マイクロLEDのうちの青色マイクロLEDとを備えている、請求項267に記載の多機能ディスプレイ。
- 前記マイクロLEDは、有機マイクロLEDである、請求項243〜268のいずれか1項に記載の多機能ディスプレイ。
- 機能的要素と組み合わせられた発光ダイオード(LED)ディスプレイを微細に組み立てる方法であって、前記方法は、
第1の基板上に複数のマイクロLEDを形成することと、
第2の基板上に複数の機能的要素を形成することと、
前記複数のマイクロLEDおよび前記複数の機能要素に非ネイティブなディスプレイ基板上に前記複数のマイクロLEDを微細に組み立てることであって、前記ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロLEDを微細に組み立てることは、
前記複数のマイクロLEDの一部を接触表面を有する第1の転写デバイスと接触させ、それによって、前記接触表面がその上に一時的に配置された前記複数のマイクロLEDの前記一部を有するように、前記複数のマイクロLEDの前記一部を前記接触表面に一時的に結合することと、
前記第1の転写デバイスの前記接触表面上に配置された前記複数のマイクロLEDの前記一部を前記ディスプレイ基板の受け取り表面と接触させることと、
前記第1の転写デバイスの前記接触表面と前記複数のマイクロLEDの前記一部とを分離することであって、前記複数のマイクロLEDの一部は、前記受け取り表面上に転写され、それによって、前記ディスプレイ基板の前記受け取り表面上に前記複数のマイクロLEDの前記一部を組み立てる、ことと
を含む、ことと、
ディスプレイ基板上に前記複数の機能的要素を微細に組み立てることと
を含み、
前記ディスプレイ基板上に前記複数の機能的要素を微細に組み立てることは、
前記複数の機能的要素の一部のうちの前記複数の機能的要素の前記一部を第2の転写デバイスと接触させ、それによって、接触表面がその上に配置された前記複数の機能的要素の前記一部を有するように、前記複数の機能的要素の前記一部を前記接触表面に結合することと、
前記第2の転写デバイスの前記接触表面上に配置された前記複数の機能的要素の前記一部を前記ディスプレイ基板の前記受け取り表面と接触させることと、
前記第2の転写デバイスの前記接触表面と前記複数の機能的要素の一部とを分離することであって、前記複数の機能的要素の前記一部は、前記ディスプレイ基板の前記受け取り表面上に転写され、それによって、前記ディスプレイ基板の前記受け取り表面上で前記複数の機能的要素の前記一部を組み立てる、ことと
を含む、方法。 - 前記機能的要素は、センサまたは送受信機である、請求項270に記載の方法。
- 前記複数の機能的要素は、画像捕捉デバイス、光学センサ、フォトダイオード、赤外線センサ、ジェスチャセンサ、赤外線センサ、温度センサ、電力収穫デバイス、太陽電池、運動エネルギースカベンジングデバイス、圧電デバイス、コンデンサ、アンテナ、および無線伝送デバイスから成る群から選択される少なくとも1つの部材を備えている、請求項270に記載の方法。
- 前記複数の機能的要素は、前記ディスプレイ基板にわたって前記マイクロLEDと異なる空間密度を有する、請求項270〜272のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マイクロLEDは、前記ディスプレイ基板と別個であり異なるネイティブ基板の中に形成される、請求項270〜273のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の機能的要素は、前記ディスプレイ基板と別個であり異なるネイティブ基板の中に形成される、請求項270〜274のいずれか1項に記載の方法。
- 前記機能的要素の数は、前記ディスプレイの中の前記マイクロLEDの数以下である、請求項270〜275のいずれか1項に記載の方法。
- 前記機能的要素の数は、前記ディスプレイの中の前記マイクロLEDの数の3分の1以下である、請求項270〜276のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項270〜277のいずれか1項に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項270〜278のいずれか1項に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項270〜279のいずれか1項に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項270〜280のいずれか1項に記載の方法。
- 各機能的要素は、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅、長さ、および高さのうちの少なくとも1つを有する、請求項270〜281のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイの解像度は、120×90、1440×1080、1920×1080、1280×720、3840×2160、7680×4320、または15360×8640である、請求項270〜282のいずれか1項に記載の方法。
- ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項270〜283のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、前記マイクロLEDを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロLEDは、発光面積を有し、前記マイクロLEDの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項270〜284のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数の発光ダイオードの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、
請求項285に記載の方法。 - 各マイクロLEDは、それぞれのマイクロLEDの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、請求項270〜286のいずれか1項に記載の方法。
- それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、100nm〜500nm、500nm〜1ミクロン、1ミクロン〜20ミクロン、20ミクロン〜50ミクロン、または50ミクロン〜100ミクロンである、請求項287に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項270〜288のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数のマイクロLEDおよび前記複数の機能的要素は、共通平面上にある、請求項270〜289のいずれか1項に記載の方法。
- 複数のマイクロ集積回路を備え、各マイクロ集積回路は、前記複数のマイクロLEDの中の少なくとも1つのマイクロLEDと前記複数の機能的要素の中の少なくとも1つの機能的要素とに接続されている、請求項270〜290のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板上のポリマー層を備え、前記複数のマイクロLEDおよび前記複数の機能的要素は、前記ポリマー層が前記ディスプレイ基板と前記複数のマイクロLEDおよび前記複数の機能的要素との間にあるように、前記ポリマー層の上にある、請求項270〜291のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板の表面上の第1のパターン化金属層と、
前記ディスプレイ基板および前記第1のパターン化金属層上の誘電体層であって、前記ポリマー層は、前記ディスプレイ基板の上にある、誘電体層と、
前記ポリマーおよび誘電体層を通して形成されている複数のビアであって、各ビアは、対応するマイクロLEDに関連付けられている、複数のビアと、
第2のパターン化金属層と
を備え、
前記第2のパターン化金属層は、単一の層の中に複数のアノード相互接続と、複数のカソード相互接続とを備え、各アノード相互接続は、前記複数のビアのうちの対応するビアを通して、対応するマイクロLEDの前記アノードを前記第1のパターン化金属層に電気的に接続し、各カソード相互接続は、対応するマイクロLEDの前記カソードに電気的に接触する、請求項292に記載の方法。 - 複数のピクセルを備え、各ピクセルは、前記複数のマイクロLEDの中の少なくとも1つのマイクロLEDと、前記複数の機能的要素の中の少なくとも1つの機能的要素とを備えている、請求項270〜293のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数のマイクロLEDは、赤色光を発する複数の赤色マイクロLEDと、緑色光を発する複数の緑色マイクロLEDと、青色光を発する複数の青色マイクロLEDとを備え、各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロLEDのうちの赤色マイクロLEDと、前記複数の緑色マイクロLEDのうちの緑色マイクロLEDと、前記複数の青色マイクロLEDのうちの青色マイクロLEDとを備えている、請求項294に記載の方法。
- 前記マイクロLEDは、有機マイクロLEDである、請求項270〜295のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の転写デバイスは、前記第1の転写デバイスである、請求項270〜296のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の転写デバイスは、エラストマースタンプを備えている、請求項270に記載の方法。
- マルチモードディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板を覆って形成されている第1の発光型無機マイクロLEDディスプレイと、
前記ディスプレイ基板を覆って形成されている第2のディスプレイと
を備え、
前記第2のディスプレイは、前記第1の発光型マイクロLEDディスプレイと異なるタイプのディスプレイである、マルチモードディスプレイ。 - 前記第2のディスプレイは、非発光型反射ディスプレイである、請求項299に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第2のディスプレイは、電気泳動またはMEMベースのディスプレイである、請求項300に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第1のディスプレイは、複数の第1のピクセルを備え、前記第2のディスプレイは、複数の第2のピクセルを備え、前記複数の第1のピクセルの各々は、前記複数の第2のピクセルの各々より小さい、請求項299〜301のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第1のディスプレイと前記第2のディスプレイとを切り替えるためのコントローラを備えている、請求項299〜302のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 携帯電話、スマートフォン、またはタブレットコンピュータデバイスを備えている、請求項299〜303のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第1のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の前記第2のディスプレイと異なる部分を覆って位置している、請求項299〜304のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第1のディスプレイおよび前記第2のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の同一部分を覆って位置している、請求項299〜305のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第1のディスプレイは、前記第2のディスプレイの前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記第2のディスプレイの上に位置している、請求項306に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第1のディスプレイの光制御要素は、前記ディスプレイ基板上で前記第2のディスプレイの光制御要素と組み合わせられている、請求項306に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記マイクロLEDは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中に形成される、請求項299〜308のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第1のディスプレイおよび前記第2のディスプレイは、前記ディスプレイ基板上に形成される、請求項299〜309のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第1のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の第1の側面上にあり、前記第2のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の前記第1の側面と反対の第2の側面上にある、請求項299〜309のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第2のディスプレイは、前記ディスプレイ基板上にあり、前記第1のディスプレイは、前記ディスプレイ基板と別個であり、前記ディスプレイ基板を覆って位置しているマイクロLEDディスプレイ基板上にある、請求項299〜309のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項299〜312のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項299〜313のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項299〜314のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項299〜315のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記ディスプレイの解像度は、120×90、1440×1080、1920×1080、1280×720、3840×2160、7680×4320、または15360×8640である、請求項299〜316のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項299〜317のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、前記マイクロLEDを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロLEDは、発光面積を有し、前記マイクロLEDの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項299〜318のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記マイクロLEDの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項319に記載のマルチモードディスプレイ。
- 各マイクロLEDは、それぞれのマイクロLEDの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、請求項299〜320のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、100nm〜500nm、500nm〜1ミクロン、1ミクロン〜20ミクロン、20ミクロン〜50ミクロン、または50ミクロン〜100ミクロンである、請求項321に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項299〜322のいずれか1項に記載のマルチモードディスプレイ。
- 前記第1の発光型マイクロLEDディスプレイは、赤色光を発する複数の赤色マイクロLEDと、緑色光を発する複数の緑色マイクロLEDと、青色光を発する複数の青色マイクロLEDとを備え、前記第1の発光型マイクロLEDディスプレイの各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロLEDのうちの赤色マイクロLEDと、前記複数の緑色マイクロLEDのうちの緑色マイクロLEDと、前記複数の青色マイクロLEDのうちの青色マイクロLEDとを備えている、請求項299〜323のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記マイクロLEDは、有機マイクロLEDである、請求項299〜324のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- 前記第1の発光型無機マイクロLEDディスプレイは、前記ディスプレイ基板と別個であり異なるLED基板の中に形成されている複数の無機マイクロLEDを備え、前記第2のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の上または中に形成され、それにネイティブであり、前記LED基板は、前記ディスプレイ基板に接着されている、請求項299〜325のいずれか1項に記載のディスプレイ。
- マイクロLED発光体アレイを微細に組み立てる方法であって、前記方法は、
第1の基板上に複数のマイクロLEDを形成することと、
ディスプレイ基板を提供することと、
前記ディスプレイ基板を覆って前記複数のマイクロLEDを微細に組み立て、それによって、前記ディスプレイ基板を覆って第1の発光型マイクロLEDディスプレイを形成することと、
前記ディスプレイ基板を覆って第2のディスプレイを形成することと
を含み、
前記第2のディスプレイは、前記第1の発光型マイクロLEDディスプレイと異なるタイプのディスプレイである、方法。 - 前記第2のディスプレイは、非発光型反射ディスプレイである、請求項327に記載の方法。
- 前記第2のディスプレイは、電気泳動またはMEMベースのディスプレイである、請求項328に記載の方法。
- 前記第1のディスプレイは、複数の第1のピクセルを備え、前記第2のディスプレイは、複数の第2のピクセルを備え、前記複数の第1のピクセルの各々は、前記複数の第2のピクセルの各々より小さい、請求項327〜329のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のディスプレイと前記第2のディスプレイとを切り替えるためのコントローラを備えている、請求項327〜330のいずれか1項に記載の方法。
- 携帯電話、スマートフォン、またはタブレットコンピュータデバイスを備えている、請求項327〜331のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の前記第2のディスプレイと異なる部分を覆って位置している、請求項327〜332のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のディスプレイおよび前記第2のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の同一部分を覆って位置している、請求項327〜333のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のディスプレイは、前記第2のディスプレイの前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記第2のディスプレイの上に位置している、請求項334に記載の方法。
- 前記第1のディスプレイの光制御要素は、前記ディスプレイ基板上で前記第2のディスプレイの前記光制御要素と組み合わせられている、請求項334に記載の方法。
- 前記マイクロLEDは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中に形成される、請求項327〜336のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のディスプレイおよび前記第2のディスプレイは、前記ディスプレイ基板上に形成される、請求項327〜337のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の第1の側面上にあり、前記第2のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の前記第1の側面と反対の第2の側面上にある、請求項338に記載の方法。
- 前記第2のディスプレイは、前記ディスプレイ基板上にあり、前記第1のディスプレイは、前記ディスプレイ基板と別個であり、前記ディスプレイ基板を覆って位置しているマイクロLEDディスプレイ基板上にある、請求項327〜339のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項327〜340のいずれか1項に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項327〜341のいずれか1項に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項327〜342のいずれか1項に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項327〜343のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイの解像度は、120×90、1440×1080、1920×1080、1280×720、3840×2160、7680×4320、または15360×8640である、請求項327〜344のいずれか1項に記載の方法。
- ディスプレイ基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項327〜345のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、前記マイクロLEDを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロLEDは、発光面積を有し、前記マイクロLEDの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の4分の1以下である、請求項327〜346のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マイクロLEDの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の8分の1、10分の1、12分の1、15分の1、100分の1、500分の1、1000分の1、2000分の1、または10000分の1以下である、請求項347に記載の方法。
- 各マイクロLEDは、それぞれのマイクロLEDの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、請求項327〜348のいずれか1項に記載の方法。
- それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、100nm〜500nm、500nm〜1ミクロン、1ミクロン〜20ミクロン、20ミクロン〜50ミクロン、または50ミクロン〜100ミクロンである、請求項349に記載の方法。
- 前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項327〜350のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複数のマイクロLEDは、赤色光を発する複数の赤色マイクロLEDと、緑色光を発する複数の緑色マイクロLEDと、青色光を発する複数の青色マイクロLEDとを備え、各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロLEDのうちの赤色マイクロLEDと、前記複数の緑色マイクロLEDのうちの緑色マイクロLEDと、前記複数の青色マイクロLEDのうちの青色マイクロLEDとを備えている、請求項327〜351のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マイクロLEDは、有機マイクロLEDである、請求項327〜352のいずれか1項に記載の方法。
- マイクロ組立デバイスであって、
デバイス基板と、
前記デバイス基板上の第1の導電体と、
前記デバイス基板上の第2の導電体と、
前記デバイス基板と異なり別個である伝導性ジャンパ要素であって、前記伝導性ジャンパ要素は、1つ以上のジャンパ導体を有する、伝導性ジャンパ要素と
を備え、
前記伝導性ジャンパ要素は、前記デバイス基板上にあり、前記1つ以上のジャンパ導体のうちの第1のジャンパ導体は、前記第1の導電体および前記第2の導電体と電気接触している、マイクロ組立デバイス。 - 前記伝導性ジャンパ要素は、伝導性受動デバイスである、請求項354に記載のデバイス。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、能動デバイスである、請求項354または355に記載のデバイス。
- 前記能動デバイスは、CMOSデバイスである、請求項356に記載のデバイス。
- 前記能動デバイスは、駆動回路および不揮発性メモリのうちの少なくとも1つを備えている、請求項356または357に記載のデバイス。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、マイクロ転写印刷に好適な構造内に収納される、請求項354〜358のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、半導体、シリコン、シリコンオンインシュレータ、ガラス、金属、および誘電体のうちの1つ以上のものを含む、請求項354〜359のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記ジャンパ導体は、半導体、金属、貴金属、金、銀、白金、銅、ステンレス鋼、ニッケル、クロム、はんだ、PbSn、AgSn、またはAgSnを含む、請求項354〜360のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記導体基板に隣接する前記伝導性ジャンパ要素の一部は、陥凹を設けられている、請求項354〜361のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記導体基板上の第3の導電体を備え、前記第3の導電体は、前記第1の導電体および前記第2の導電体から電気的に絶縁されており、前記第3の導電体は、前記伝導性ジャンパ要素の前記陥凹の下に位置している、請求項362に記載のデバイス。
- 前記陥凹は、露出絶縁体を備えている、請求項362に記載のデバイス。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、第2の端子に電気的に接続されている第1の端子を備え、露出絶縁体が、それらの間にあり、前記第1の端子、前記第2の端子、および前記露出絶縁体は、前記伝導性ジャンパ要素の少なくとも1つの側面上に平面を形成する、請求項354〜361のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記導体基板上の第3の導電体を備え、前記第3の導電体は、前記第1の導電体および前記第2の導電体から電気的に絶縁されており、前記第3の導電体は、前記露出絶縁体によって接触されている、請求項364または365に記載のデバイス。
- 前記ジャンパ導体のうちの少なくとも1つの一部は、絶縁体で覆われている、請求項354に記載のデバイス。
- 前記ジャンパ導体のうちの少なくとも1つの中心部分は、前記ジャンパ導体の露出端を分離する絶縁体で覆われている、請求項354に記載のデバイス。
- 前記基板は、ディスプレイ基板であり、前記伝導性ジャンパ要素は、冗長発光体をディスプレイ回路に電気的に接続する、請求項354〜368のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記冗長発光体は、欠陥一次発光体の代わりに前記ディスプレイ回路に接続される、請求項354〜369のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第1の導電体と前記第2の導電体との間の距離は、100nm〜500nm、500nm〜1ミクロン、1ミクロン〜20ミクロン、20ミクロン〜50ミクロン、または50ミクロン〜100ミクロンである、請求項354〜370のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記デバイス基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項354〜371のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項354〜372のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項354〜373のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項354〜374のいずれか1項に記載のデバイス。
- デバイス基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項354〜375のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記デバイス基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項354〜376のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、クロスオーバである、請求項354〜377のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記デバイス基板上の複数の第1の導電体であって、前記複数の第1の導電体は、前記第1の導電体を備えている、複数の第1の導電体と、
前記デバイス基板上の複数の第2の導電体であって、前記複数の第2の導電体は、前記第2の導電体を備えている、複数の第2の導電体と、
前記デバイス基板と異なり別個である伝導性ジャンパ要素であって、前記伝導性ジャンパ要素は、複数のジャンパ導体を有し、前記複数のジャンパ導体は、前記1つ以上のジャンパ導体を備えている、伝導性ジャンパ要素と
を備え、
前記複数のジャンパ導体のうちの各ジャンパ導体は、前記複数の導電体のうちの第1の導電体および前記複数の第2の導電体のうちの第2の導電体と電気接触している、請求項354〜378のいずれか1項に記載のデバイス。 - マイクロ組立デバイスを提供する方法であって、
デバイス基板と、
前記デバイス基板上の第1の導電体と、
前記デバイス基板上の第2の導電体と
を備えているデバイスを提供することと、
前記デバイス基板上に、1つ以上のジャンパ導体を有する伝導性ジャンパ要素を微細に組み立てることと
を含み、
前記伝導性ジャンパ要素は、前記デバイス基板上にあり、前記1つ以上のジャンパ導体のうちの第1のジャンパ導体は、前記第1の導電体および前記第2の導電体と電気接触している、マイクロ組立デバイスを提供する方法。 - 前記伝導性ジャンパ要素は、伝導性受動デバイスである、請求項380に記載の方法。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、能動デバイスである、請求項380または381に記載の方法。
- 前記能動デバイスは、CMOSデバイスである、請求項382に記載の方法。
- 前記能動デバイスは、駆動回路および不揮発性メモリのうちの少なくとも1つを備えている、請求項382または383に記載の方法。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、マイクロ転写印刷に好適な構造内に収納される、請求項380〜384のいずれか1項に記載の方法。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、半導体、シリコン、シリコンオンインシュレータ、ガラス、金属、および誘電体のうちの1つ以上のものを含む、請求項380〜385のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ジャンパ導体は、半導体、金属、貴金属、金、銀、白金、銅、ステンレス鋼、ニッケル、クロム、はんだ、PbSn、AgSn、またはAgSnを含む、請求項380〜386のいずれか1項に記載の方法。
- 前記導体基板に隣接する前記伝導性ジャンパ要素の一部は、陥凹を設けられている、請求項380〜387のいずれか1項に記載の方法。
- 前記導体基板上の第3の導電体を備え、前記第3の導電体は、前記第1の導電体および前記第2の導電体から電気的に絶縁されており、前記第3の導電体は、前記伝導性ジャンパ要素の前記陥凹の下に位置している、請求項388に記載の方法。
- 前記陥凹は、露出絶縁体を備えている、請求項388に記載の方法。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、第2の端子に電気的に接続されている第1の端子を備え、露出絶縁体が、それらの間にあり、前記第1の端子、前記第2の端子、および前記露出絶縁体は、前記伝導性ジャンパ要素の少なくとも1つの側面上に平面を形成する、請求項380〜387のいずれか1項に記載の方法。
- 前記導体基板上の第3の導電体を備え、前記第3の導電体は、前記第1の導電体および前記第2の導電体から電気的に絶縁されており、前記第3の導電体は、前記露出絶縁体によって接触されている、請求項390または391に記載の方法。
- 前記ジャンパ導体のうちの少なくとも1つの一部は、絶縁体で覆われている、請求項380に記載の方法。
- 前記ジャンパ導体のうちの少なくとも1つの中心部分は、前記ジャンパ導体の露出端を分離する絶縁体で覆われている、請求項380に記載の方法。
- 前記基板は、ディスプレイ基板であり、前記伝導性ジャンパ要素は、冗長発光体をディスプレイ回路に電気的に接続する、請求項380〜394のいずれか1項に記載の方法。
- 前記冗長発光体は、欠陥一次発光体の代わりに前記ディスプレイ回路に接続される、請求項380〜395のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の導電体と前記第2の導電体との間の距離は、100nm〜500nm、500nm〜1ミクロン、1ミクロン〜20ミクロン、20ミクロン〜50ミクロン、または50ミクロン〜100ミクロンである、請求項380〜396のいずれか1項に記載の方法。
- 前記デバイス基板は、5〜10ミクロン、10〜50ミクロン、50〜100ミクロン、100〜200ミクロン、200〜500ミクロン、500ミクロン〜0.5mm、0.5〜1mm、1mm〜5mm、5mm〜10mm、または10mm〜20mmの厚さを有する、請求項380〜397のいずれか1項に記載の方法。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの幅を有する、請求項380〜398のいずれか1項に記載の方法。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、2〜5μm、5〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの長さを有する、請求項380〜399のいずれか1項に記載の方法。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、2〜5μm、4〜10μm、10〜20μm、または20〜50μmの高さを有する、請求項380〜400のいずれか1項に記載の方法。
- デバイス基板は、可視光に対して50%、80%、90%、または95%以上の透明度を有する、請求項380〜401のいずれか1項に記載の方法。
- 前記デバイス基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、PEN、PET、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項380〜402のいずれか1項に記載の方法。
- 前記伝導性ジャンパ要素は、クロスオーバである、請求項380〜403のいずれか1項に記載の方法。
- 前記デバイス基板上の複数の第1の導電体であって、前記複数の第1の導電体は、前記第1の導電体を備えている、複数の第1の導電体と、
前記デバイス基板上の複数の第2の導電体であって、前記複数の第2の導電体は、前記第2の導電体を備えている、複数の第2の導電体と、
前記デバイス基板と異なり別個である伝導性ジャンパ要素であって、前記伝導性ジャンパ要素は、複数のジャンパ導体を有し、前記複数のジャンパ導体は、前記1つ以上のジャンパ導体を備えている、伝導性ジャンパ要素と
を備え、
前記複数のジャンパ導体のうちの各ジャンパ導体は、前記複数の導電体のうちの第1の導電体および前記複数の第2の導電体のうちの第2の導電体と電気接触している、請求項380〜404のいずれか1項に記載の方法。 - 前記伝導性ジャンパ要素を微細に組み立てることは、
前記伝導性ジャンパ要素を接触表面を有する転写デバイスと接触させ、それによって、前記接触表面がその上に一時的に配置された前記伝導性ジャンパ要素を有するように、前記伝導性ジャンパ要素を前記接触表面に一時的に結合することと、
前記転写デバイスの前記接触表面上に配置された前記伝導性ジャンパ要素を前記デバイス基板の受け取り表面と接触させることと、
前記転写デバイスの前記接触表面と前記伝導性ジャンパ要素とを分離することであって、前記伝導性ジャンパ要素は、前記受け取り表面上に転写され、それによって、前記デバイス基板の前記受け取り表面上に前記伝導性ジャンパ要素の部分を組み立てる、ことと
を含む、請求項380〜405のいずれか1項に記載の方法。 - 前記転写デバイスは、エラストマースタンプを備えている、請求項380に記載の方法。
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