CN103579438A - 发光元件及其制作方法 - Google Patents

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CN103579438A CN201210274343.8A CN201210274343A CN103579438A CN 103579438 A CN103579438 A CN 103579438A CN 201210274343 A CN201210274343 A CN 201210274343A CN 103579438 A CN103579438 A CN 103579438A
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Abstract

本发明公开了一种发光元件及其制作方法，该发光元件包括沿层叠方向依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，还包括：第一正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；第一负电极，位于所述第一导电型半导体层上；第二正电极，位于所述第一正电极的正面，至少部分与所述第一正电极在层叠方向上重叠和连接；以及第二负电极，位于所述第一负电极的正面，至少部分与所述第一负电极在层叠方向上重叠和连接；其中，所述正面是指在所述层叠方向上距离所述衬底更远的表面，并且所述第二负电极的正面面积大于所述第一负电极的正面面积。本发明有效降低了发光元件封装时发生短路和断路的几率，从而提高了发光元件的封装良率。

Description

发光元件及其制作方法
技术领域
本发明涉及发光元件技术领域，具体涉及一种发光元件及其制作方法。
背景技术
图1为现有技术中氮化镓（GaN）发光二极管（Light EmittingDiode，LED）的封装结构示意图，图1中的LED为倒置。如图1所示，该LED包括依次形成于衬底10上的n型氮化镓层20、发光层30及p型氮化镓层40，其中n型氮化镓层20、发光层30和p型氮化镓层40被蚀刻掉一部分而暴露了部分n型氮化镓层20，在该暴露的n型氮化镓层20上形成有负电极82’，在p型氮化镓层40上形成有正电极81’。
由于蓝宝石（Sapphire）制作的衬底10不导电，故电极必须设置在发光二极管的正面（以靠近衬底10的一面为背面，与背面相对的另一面为正面），即正电极81’位于p型氮化镓层40的正面，负电极82’位于n型氮化镓层20的正面。这种结构中，无论LED如何放置，其电流方向都是垂直的，电流散布效果差。而且在制作负电极82’时，必须将LED由p型氮化镓层40的正面蚀刻至n型氮化镓层20，且蚀刻的沟槽必须足够宽，才能通过打线的方式在n型氮化镓层20的正面形成负电极82’。这样，原本由发光层30所在的区域构成的发光区域就被蚀刻掉了一部分，从而影响了发光效果；另一方面由于蓝宝石导热性较差，因此LED发光时所产生的热量难以及时散出，从而会降低LED的性能。
该LED采用覆晶（Flip Chip）方式进行封装时，通过金球（也可以是锡球）91将LED的正电极81’与基板90的正电极92连接，通过金球91将LED的负电极82’与基板90的负电极93连接。由于正电极81’与负电极82’之间的间距较小且负电极82’的正面面积较小，因此LED的正电极81’与基板90的正电极92、LED的负电极82’与基板90的负电极93很难对准，稍有偏差就会造成LED的正电极81’连接在了基板90的负电极93上，或者LED的负电极82’未连接至基板90的负电极93上，从而造成短路或断路，影响LED的封装良率。
如图2所示，为了增加LED的发光区域，现有技术还提出了将负电极82’形成在n型氮化镓层20的侧面的结构。但是这种位于n型氮化镓层20的侧面的负电极82’的正面面积更小，导致在与基板90进行封装时，更容易出现短路或断路现象，而且不能够采用上述覆晶封装方式，需要先将正电极进行对准，再对准负电极，从而通用性较差。
发明内容
本发明要解决的技术问题是如何避免发光元件在封装过程中由于正负电极的间距小以及负电极的正面面积小而导致的短路、断路现象，提高封装良率。
本发明实施例提供了一种发光元件，包括沿层叠方向依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，还包括：
第一正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；
第一负电极，位于所述第一导电型半导体层上；
第二正电极，位于所述第一正电极的正面，至少部分与所述第一正电极在所述层叠方向上重叠和连接；以及
第二负电极，位于所述第一负电极的正面，至少部分与所述第一负电极在所述层叠方向上重叠和连接；
其中，所述正面是指在所述层叠方向上距离所述衬底更远的表面，并且所述第二负电极的正面面积大于所述第一负电极的正面面积。
本发明实施例还提供了一种发光元件制作方法，包括：
沿层叠方向依次层叠衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；
形成第一沟槽的步骤：去除掉部分所述第一导电型半导体层、所述发光层以及所述第二导电型半导体层，使得所述第一沟槽从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层；
在所述第二导电型半导体层的正面以及所述第一沟槽的底面和周面上形成电极层；
第一层电极形成步骤：去除掉部分所述电极层，使得所述电极层分离成位于所述第二导电型半导体层的正面的第一正电极和位于所述第一导电型半导体层上的第一负电极；以及
第二层电极形成步骤：在所述第一正电极的正面形成第二正电极，在所述第一负电极的正面形成第二负电极，
其中，所述正面是指在所述层叠方向上距离所述衬底更远的表面，所述第二正电极与所述第一正电极连接，所述第二负电极与第一负电极连接，所述第二负电极的正面面积大于所述第一负电极的正面面积。
本发明实施例提供的发光元件及其制作方法，通过双层电极的结构，并使得第二负电极的正面面积大于第一负电极的正面面积，有效避免了短路和断路现象，提高了发光元件的封装良率。另一方面通过将第一负电极形成于n型氮化镓层的侧面，能够有效减少发光元件的遮光效率，并提高电流散布效率，同时由于将第一负电极至少部分地形成于n型氮化镓层的侧面，所需蚀刻掉的发光层较少，从而增加了发光区域，改善了发光元件的发光品质。再一方面由于发光层散发的热量离基板较近，因此可以导热效果更好；进一步地由于采用本发明提供的方法制作的发光元件可以采用覆晶技术通过粘接或焊接的方式连接到基板上，因此降低了导线连接成本。虽然形成于n型氮化镓层的侧面的第一负电极的正面面积更小，但是通过形成正面面积比第一负电极大的第二负电极，能够有效弥补第一负电极带来的不足，从而使得具有侧面电极的发光元件能够采用传统封装方式进行封装，提高了通用性。
附图说明
图1是现有技术中氮化镓发光二极管的封装结构示意图；
图2是现有技术中具有侧面电极的发光二极管的结构示意图；
图3（a）-（b）分别是本发明一个实施例提供的发光元件的剖面图和封装结构示意图；
图4（a）-（h）分别是本发明一个实施例提供的发光元件制作方法的各工艺过程中发光元件的剖面图；
图5是与图4（h）所对应的立体图；
图6是图5所示的发光元件的封装结构示意图；
图7是本发明一个实施例提供的具有侧面电极的发光元件的剖面图；
图8是本发明另一个实施例提供的具有侧面电极的发光元件的剖面图；
图9（a）-（c）分别是本发明一个实施例提供的具有若干第一正电极的发光元件在制作过程中的俯视图；
图9（d）是与图9（c）对应的立体图；
图10（a）-（b）分别是本发明另一个实施例提供的具有若干第一正电极的发光元件在制作过程中的俯视图；
图11（a）-（b）分别是本发明另一个实施例提供的发光元件的立体图和剖面图；
图12是本发明一个实施例提供的高压发光元件的剖面图；
图13是本发明一个实施例提供的具有高压发光元件的集成发光电路模组的剖面图；
图14是本发明一个实施例提供的具有稳压二极管的发光元件的剖面图；
图15是本发明一个实施例提供的具有桥式整流电路的发光元件的电路图；
图16是本发明一个实施例提供的四个侧面具有电极的发光元件的立体图；
图17是本发明一个实施例提供的三个侧面具有电极的发光元件的立体图；
图18（a）-（b）分别是本发明一个实施例提供的两个侧面具有电极的发光元件的立体图；以及
图19是本发明一个实施例提供的一个侧面具有电极的发光元件的立体图。
附图标记说明：
10：衬底；20：n型氮化镓层；30：发光层；40：p型氮化镓层；50：第一沟槽；60：第二沟槽；61：保护层；62：绝缘层；63：连接槽；64：稳压二极管；65：桥式整流电路；70：反射层；80：电极层；81：第一正电极；82：第一负电极；83：第二正电极；84：第二负电极；81’：正电极；82’：负电极；90：基板；91：金球；92：正电极；93：负电极。
具体实施方式
图3（a）是本发明一个实施例提供的发光元件的剖面图，该发光元件包括：沿层叠方向依次层叠的衬底10、第一层导电型半导体层20、发光层30和第二导电型半导体层40。即以在层叠方向上距离衬底10更远的表面为正面时，第一导电型半导体层20位于衬底10正面，发光层30位于第一导电型半导体层20的正面，第二导电型半导体层40位于发光层30的正面。该发光元件还包括第一正电极81和第一负电极82，以及第二正电极83和第二负电极84。第一正电极81位于第二导电型半导体层40的正面，第一负电极82位于第一导电型半导体层20的正面；第二正电极83位于第一正电极81的正面且至少部分与第一正电极81在层叠方向上重叠和连接，第二负电极84位于第一负电极82的正面且至少部分与第一负电极82在层叠方向上重叠和连接，且第二负电极84的正面面积大于第一负电极82的正面面积。
优选地，第二正电极83与第二负电极84之间在水平方向上的间距大于第一正电极81与第一负电极82之间在水平方向上的间距，其中水平方向是指与层叠方向垂直的方向。
优选地，为了防止由于正电极和负电极相接触而引起短路或断路，至少在第一正电极81的不与第二正电极83连接的正面以及第一负电极82的不与第二负电极84连接的正面形成有绝缘层62。
优选地，第二正电极83的正面与第二负电极84的正面位于同一水平面上，以便于后续封装工艺的进行，其中该水平面是指与层叠方向垂直的平面。
优选地，在第一电极层81和p型氮化镓层40之间，以及第二电极层82和n型氮化镓层20之间，还具有反射层70。
如图3（b）所示，具有第二正电极83和第二负电极84的发光元件在与基板90进行封装时，由于第二正电极83和第二负电极84的正面面积较大，因此可以很容易的与基板90的正电极92以及负电极93进行对准，哪怕发光元件有少许偏移，也不会影响正负电极的对接。从而降低了短路或断路的几率，提高了发光元件的封装良率。
第一导电型半导体层20的材料可以为n型氮化镓，也可以为n型磷化铝铟镓（AlGaInP），第二导电型半导体层40的材料可以为p型氮化镓，也可以为p型磷化铝铟镓，优选地，本申请各实施例中的第一导电型半导体层20和第二导电型半导体层40分别采用n型氮化镓和p型氮化镓制作。即n型氮化镓层20为第一导电型半导体层20，p型氮化镓层40为第二导电型半导体层40。
本实施例中，将p型氮化镓层40的接触发光层30的一面称之为背面，将与背面相对的另一面称之为正面，将剩下的四个面称之为侧面。将n型氮化镓层20的接触衬底10的一面称之为背面，将与背面相对的另一面称之为正面，将剩下的四个面称之为侧面。将发光层30的接触n型氮化镓层20的一面称之为背面，将与背面相对的另一面称之为正面，将发光层30的不与n型氮化镓层20和p型氮化镓层40接触的四个面称之为侧面。将第一正电极81的与反射层70接触的一面称之为背面，将与背面相对的另一面称之为正面。将第一负电极82的靠近衬底10的一面称之为背面，与背面相对的另一面称之为正面。
优选地，第一负电极82至少部分地形成于n型氮化镓层20的侧面。例如第一负电极82可以仅形成于n型氮化镓层20的侧面（其结构如图7所示）。于其它实施例中，第一负电极82也可以根据实际需要形成于n型氮化镓层20的侧面和正面（其结构如图8所示）。优选地，本实施例中的第一负电极82形成于n型氮化镓层20的侧面、发光层30的侧面、p型氮化镓层40的侧面以及p型氮化镓层40的正面（其结构如图4（h）所示）。
此外，本实施例的第一负电极82可以形成于n型氮化镓层20的四个侧面上（其结构如图4（h）以及图16所示）；也可以根据实际需要形成于n型氮化镓层20的三个侧面上（其结构如图17所示）；还可以形成于n型氮化镓层20的两个侧面上，相对的两个侧面（其结构如图18（a）所示）或者相邻的两个侧面（其结构如图18（b）所示）皆可；还可以只形成于n型氮化镓层20的一个侧面上（其结构如图19所示）。形成于n型氮化镓层20的四个侧面上的第一负电极82所构成的发光元件的电流散布效率最好。为了明确第一负电极82与n型氮化镓层20的位置关系，图16-19中并未示出第二正电极83和第二负电极84。
进一步地，本实施例提供的发光元件还可以包括保护层61，保护层61形成于第一正电极81和第一负电极82之间并从p型氮化镓层40延伸至n型氮化镓层20（其结构如图4（h）所示）。
此外，为了提高电流散布效率，以及对于发光元件太大的情况，仅靠侧面的第一负电极82导电可能会导致电流不会流到发光元件的中间部分，从而降低中间部分的发光效率，因此可以将保护层61做成田字格状或多个条状，以将第一正电极81分隔成若干个方形（其结构如图9（a）-图9（d）所示）或三角形（其结构如图10（a）-图10（b）所示）或其它形状的电极，将若干个第一正电极81与第一负电极82连接在一起，或者将第一负电极82做成螺旋状等能够离发光元件中间部分的第一正电极81较近的形状和长度。
于另一实施例中，还可以于本实施例的发光元件的表面覆盖上荧光粉以制成白光LED。
于另一实施例中，如图11（a）和图11（b）所示，第二正电极83可以延伸至发光元件的侧面，例如延伸至n型氮化镓层20的侧面，但是第二正电极83及其紧挨着的反射层70不能与p型氮化镓层40、发光层30以及n型氮化镓层20的侧面直接接触，以避免发生短路，必须以绝缘层62隔开。这种结构的发光元件可以采用多种封装方式，从而制作方便。
如图12所示，还可以串联几个发光元件制成高压LED（HVLED）。这种情况下，第一沟槽（未示出）需要蚀刻至衬底10，利用衬底10的不导电性将各个第一负电极82隔开。但是电极层80仍镀至n型氮化镓层20，即第一负电极82仍需形成于n型氮化镓层20的侧面。并在第一沟槽中没有电极层80的部分镀上保护层61，然后将各个第一正电极81进行串联以及各个第一负电极82进行串联，然后在串联之后的第一正电极81上形成绝缘层62和第二正电极83，以及在串联之后的第一负电极82上形成绝缘层62和第二负电极84。
于另一实施例中，如图13所示，将上述高压LED与电源模组、散热模组以及调光模组进行连接可以制作成集成发光电路模组。
于另一实施例中，如图14所示，将稳压二极管64设置在第一正电极81和第二负电极84之间，使得稳压二极管64与第一正电极81以及第二负电极84连接，从而能够增加发光元件的静电释放（Electro-Static discharge，ESD）抗性。
于另一实施例中，如图15所示，将发光元件与桥式整流电路65、电阻以及电容相连接能够制作成发光模组。
图4（a）-图4（h）分别是本发明一个实施例提供的发光元件制作方法的各工艺过程中发光元件的剖面图；采用该方法制作的发光元件，不仅具有两层正电极和两层负电极，而且第一负电极82至少部分形成于n型氮化镓层20的侧面。具体而言，第一负电极82形成于p型氮化镓层40的正面和侧面、发光层30的侧面以及n型氮化镓层20的侧面。该方法包括：
步骤S101、沿层叠方向依次层叠衬底10第一导电型半导体层20、发光层30以及第二导电型半导体层40。
本实施例中，衬底10具体由蓝宝石材料制成。第一导电型半导体层20的材料为n型氮化镓，第二导电型半导体层40的材料为p型氮化镓。
参考图4（a）所示，本步骤具体包括：
在衬底10上形成n型氮化镓层20，在n型氮化镓层20的正面形成发光层30，在发光层30的正面形成p型氮化镓层40。
步骤S102、在步骤S 101得到的如图4（a）所示的发光元件上形成第二沟槽60，并在第二沟槽60中形成保护层61。
本实施例中，第二沟槽60从p型氮化镓层40向下延伸至n型氮化镓层20，第二沟槽60位于发光元件的四个侧面上并呈圈状；保护层61的材料必须绝缘且导电性差，结构稳定且不易与其它材料起化学反应，优选为SiO2，用于对发光层30进行隔离，避免发光层30在后续制作工艺中受到污染。
第二沟槽60可以形成于发光元件的四个侧面上，也可以形成于发光元件的三个侧面、两个侧面或一个侧面上。
步骤S103、在步骤S102得到的如图4（b）所示的发光元件上形成第一沟槽50。
结合图4（c）所示，第一沟槽50位于第二沟槽60的外侧，第一沟槽50可以与第二沟槽60深度相同也可以比第二沟槽60深（图4（c）中示出了第一沟槽50比第二沟槽60深的情况）；第一沟槽50也从p型氮化镓层40向下延伸至n型氮化镓层20；第一沟槽50可以与第二沟槽60相邻形成，也可以与第二沟槽60相隔一定的距离形成，无论第一沟槽50与第二沟槽60是否相邻，对所形成的第一负电极82的功能都没有影响；本实施例中，第一沟槽50也呈圈状。
优选地，当第二沟槽60形成于发光元件的三个侧面或两个侧面或一个侧面上时，第一沟槽50也形成于发光元件的对应的三个侧面或两个侧面或一个侧面上。
步骤S104、在步骤S103得到的如图4（c）所示的发光元件上形成电极层80。
优选地，在本步骤之前还可以包括：在步骤S103得到的如图4（c）所示的发光元件上形成反射层70，则步骤S 104为在反射层70上形成电极层80。
结合图4（d）所示，该反射层70和电极层80形成于p型氮化镓层40的正面、保护层61的正面以及第一沟槽50的底面和周面。该反射层70的材料可以为导电性能较好的金属或半导体，在形成反射层70时，为了增加表面的接触面积可以采用现有技术中的阶梯覆盖（Step Coverage）工艺；电极层80的材料为金或其它导电金属，电极层80需完全覆盖反射层70。本步骤可以采用镀膜工艺来实现。
步骤S105、在步骤S104得到的如图4（d）所示的发光元件上去除部分反射层70和电极层80，以将电极层80分离成第一正电极81和第一负电极82。
具体地，将保护层61正面对应的反射层70和电极层80去除掉。本步骤可以采用蚀刻或者剥离的工艺来实现。第一正电极81的大小根据封装方式的不同而不同。此外，根据实际情况，第一负电极82也可以全部位于n型氮化镓层20的侧面，也可以位于n型氮化镓层20的侧面和正面。
步骤S106、在步骤S105得到的如图4（e）所示的发光元件的正面上形成绝缘层62，并在第一正电极81对应的绝缘层62上以及第一负电极82对应的绝缘层62上形成连接槽63。
结合图4（f）所示，本实施例中的绝缘层62也采用SiO2通过镀膜的方式来形成，用于对正电极和负电极进行隔离，以防第一正电极81与第一负电极82或第二负电极84连接，以及第二正电极83与第一负电极82或第二负电极84连接。
连接槽63的形成可以采用多种方式，例如在镀绝缘层62之前，预先在需要形成连接槽63处涂覆光刻胶，当形成绝缘层62之后通过蚀刻的方式将光刻胶去除，从而在绝缘层62上形成连接槽63。或者直接在第一正电极81和第一负电极82上形成绝缘层62，然后在绝缘层62上蚀刻出连接槽63。
步骤S107、在绝缘层62上以及连接槽63中形成第二正电极83和第二负电极84，使得第二正电极83与第一正电极81连接，第二负电极84与第一负电极82连接，且第二负电极84的面积大于第一负电极82的面积。
结合图4（g）所示，优选地，第二正电极83与第二负电极84之间的间距大于第一正电极81与第一负电极82之间的间距，且令第二正电极83的正面与第二负电极84的正面位于同一水平面上，以便于后续封装工艺的进行。
步骤S 108、沿第一沟槽50所在的圈将步骤108得到的如图4（g）所示的发光元件切开，以得到如图4（h）和图5所示的发光元件。
如图6所示，采用上述工艺制作的发光元件能够容易地与基板进行对接，降低了短路和断路发生的几率，提高了发光元件的封装良率。
此外，形成第二沟槽60以及保护层61的步骤也可以于形成第一正电极81和第一负电极82之后进行，用于保护因蚀刻沟槽而暴露出的发光层30。
本发明实施例提供的发光元件及其制作方法，通过双层电极的结构，并使得第二负电极的正面面积大于第一负电极的正面面积，有效避免了短路和断路现象，提高了发光元件的封装良率。另一方面通过将第一负电极形成于n型氮化镓层的侧面，能够有效减少发光元件的遮光效率，并提高电流散布效率，同时由于将第一负电极至少部分地形成于n型氮化镓层的侧面，所需蚀刻掉的发光层较少，从而增加了发光区域，改善了发光元件的发光品质。再一方面由于发光层散发的热量离基板较近，因此可以导热效果更好；进一步地由于采用本发明提供的方法制作的发光元件可以采用覆晶技术通过粘接或焊接的方式连接到基板上，因此降低了导线连接成本。虽然形成于n型氮化镓层的侧面的第一负电极的正面面积更小，但是通过形成正面面积比第一负电极大的第二负电极，能够有效弥补第一负电极带来的不足，从而使得具有侧面电极的发光元件能够采用传统封装方式进行封装，提高了通用性。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种发光元件，包括沿层叠方向依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，其特征在于，还包括：
第一正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；
第一负电极，位于所述第一导电型半导体层上；
第二正电极，位于所述第一正电极的正面，至少部分与所述第一正电极在所述层叠方向上重叠和连接；以及
第二负电极，位于所述第一负电极的正面，至少部分与所述第一负电极在所述层叠方向上重叠和连接；
其中，所述正面是指在所述层叠方向上距离所述衬底更远的表面，并且所述第二负电极的正面面积大于所述第一负电极的正面面积。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第二正电极与所述第二负电极之间在水平方向上的间距大于所述第一正电极与所述第一负电极之间在水平方向上的间距，其中所述水平方向是指与所述层叠方向垂直的方向。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第二正电极的正面与所述第二负电极的正面在同一水平面上，其中所述水平面是指与所述层叠方向垂直的平面。
4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括用于防止所述第一正电极、所述第二正电极各自与所述第一负电极、所述第二负电极连接的绝缘层，并且所述绝缘层至少位于所述第一正电极的不与所述第二正电极连接的正面以及所述第一负电极的不与所述第二负电极连接的正面。
5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一负电极至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面。
6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述第一负电极至少还部分位于所述第一导电型半导体层的正面。
7.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述第一负电极至少还部分位于所述发光层的侧面、所述第二导电型半导体层的侧面以及所述第二导电型半导体层的正面。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第一负电极至少部分位于所述第一导电型半导体层的一个侧面、两个侧面、三个侧面或者四个侧面上。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的发光元件，其特征在于，还包括保护层，所述保护层位于所述第一正电极与所述第一负电极之间，并从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的发光元件，其特征在于，还包括稳压二极管，所述稳压二极管被设置为与所述第二负电极和所述第一正电极连接。
11.一种发光元件制作方法，其特征在于，包括：
沿层叠方向依次层叠衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；
形成第一沟槽的步骤：去除掉部分所述第一导电型半导体层、所述发光层以及所述第二导电型半导体层，使得所述第一沟槽从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层；
在所述第二导电型半导体层的正面以及所述第一沟槽的底面和周面上形成电极层；
第一层电极形成步骤：去除掉部分所述电极层，使得所述电极层分离成位于所述第二导电型半导体层的正面的第一正电极和位于所述第一导电型半导体层上的第一负电极；以及
第二层电极形成步骤：在所述第一正电极的正面形成第二正电极，在所述第一负电极的正面形成第二负电极，
其中，所述正面是指在所述层叠方向上距离所述衬底更远的表面，所述第二正电极与所述第一正电极连接，所述第二负电极与第一负电极连接，所述第二负电极的正面面积大于所述第一负电极的正面面积。
12.根据权利要求11所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述第二电极层形成步骤还包括：
使得所述第二正电极与所述第二负电极之间在水平方向上的间距大于所述第一正电极与所述第一负电极之间在水平方向上的间距，其中所述水平方向是指与所述层叠方向垂直的方向。
13.根据权利要求11所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述第二电极层形成步骤还包括：
使得所述第二正电极的正面与所述第二负电极的正面在同一水平面上，其中所述水平面是指与所述层叠方向垂直的平面。
14.根据权利要求11所述的发光元件制作方法，其特征在于，在所述分离步骤和所述第二电极层形成步骤之间还包括：
在所述第一正电极的正面和所述第一负电极的正面形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成分别用于使所述第一正电极与所述第二正电极连接、以及所述第一负电极与所述第二负电极连接的连接槽。
15.根据权利要求11所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述第一层电极形成步骤包括：
去除掉部分所述电极层，使得所述电极层分离成位于所述第二导电型半导体层的正面的第一正电极和至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面的第一负电极。
16.根据权利要求11所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述第一层电极形成步骤包括：
去除掉部分所述电极层，使得所述电极层分离成位于所述第二导电型半导体层的正面的第一正电极和至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面和正面的第一负电极。
17.根据权利要求11所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述第一层电极形成步骤包括：
去除掉部分所述电极层，使得所述电极层分离成位于所述第二导电型半导体层的正面的第一正电极和至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面、所述发光层的侧面、所述第二导电型半导体层的侧面和正面的第一负电极。
18.根据权利要求11-17中任一项所述的发光元件制作方法，其特征在于，还包括：
形成从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层的第二沟槽，并在所述第二沟槽中形成保护层。
19.根据权利要求11-17中任一项所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述形成第一沟槽的步骤还包括：在所述发光元件的一个侧面、两个侧面、三个侧面或四个侧面上形成所述第一沟槽。
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PB01 Publication
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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