CN102891160A - 半导体发光装置和发光设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种半导体发光装置和一种发光设备。半导体发光装置包括：发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。

Description

半导体发光装置和发光设备
本申请要求在韩国知识产权局于2011年7月22日提交的第10-2011-0072814号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
本发明涉及一种半导体发光装置和一种发光设备。
背景技术
发光二极管(LED)是一种半导体装置，能够在向其施加电流时由于在p型半导体层和n型半导体层之间的p-n结处发生电子-空穴复合而发射各种颜色的光。这种LED相比于基于灯丝的发光装置的优点在于，这种LED具有长寿命、低功耗、优异的初始操作特性等。这些因素已经持续地促进了对LED的需求。近来值得注意的是，大量的注意力已经被吸引到能够发射蓝色/短波长区域的光的第III族氮化物半导体。
由于对氮化物半导体装置的开发，已经对扩大其应用范围做出了技术上的改进。因此，对于确定如何在普通的照明设备和电器照明源方面利用氮化物半导体装置正开展大量的研究。根据现有技术，氮化物发光装置已经用作在低电流低输出移动产品中采用的组件。然而，近来，氮化物发光装置的应用范围已经扩大到涵盖高电流高输出产品的领域。
同时，在利用LED制造发光设备的情况下，齐纳(Zener)二极管用来保护LED免受静电放电(ESD)电压的影响。通常，这种齐纳二极管与LED一起安装在封装件中。然而，额外需要在封装件中安装齐纳二极管的工艺。此外，齐纳二极管自身和用来向齐纳二极管施加电信号的额外布线可能会导致发光效率的降低。在该技术领域，正在试图将LED与齐纳二极管进行集成。
发明内容
本发明的一方面提供了一种集成有齐纳二极管的半导体发光装置，从而提高了封装工艺的便利性和可靠性。
本发明的一方面还提供了一种这样的半导体发光装置，该半导体发光装置提高了与其集成的齐纳二极管的操作可靠性并且在安装在发光设备中时提高了散热性。
本发明的一方面还提供了一种包括上述半导体发光装置的发光设备。
根据本发明的一方面，提供了一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第一连接电极，将LED部的第一导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第二导电类型半导体层；第二连接电极，将LED部的第二导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第一导电类型半导体层；绝缘部，覆盖第一连接电极和第二连接电极，并且具有使第一连接电极和第二连接电极的至少一部分被暴露的开口区域；第一焊盘电极和第二焊盘电极，分别形成在通过开口区域暴露的第一连接电极和第二连接电极上，并且分别连接到第一连接电极和第二连接电极。
绝缘部可以使LED部的上部区域不被暴露到外部。
绝缘部可以使齐纳二极管部的上部区域不被暴露到外部。
第一焊盘电极和第二焊盘电极可以不被设置在齐纳二极管部的区域中。
第一焊盘电极和第二焊盘电极可以占据半导体发光装置的上表面面积的80％至95％。
LED部还可以包括设置在第一导电类型半导体层的一个表面上的至少一个第一电极，第一连接电极可以连接到所述至少一个第一电极。
所述至少一个第一电极可以穿透发光二极管部的活性层和第二导电类型半导体层，所述至少一个第一电极可以被绝缘部包围并且与活性层和第二导电类型半导体层电分离。
LED部还可以包括设置在第二导电类型半导体层的一个表面上的第二电极，第二连接电极可以连接到第二电极。
第二电极可以由反光材料形成。
第二电极可以设置成包围所述至少一个第一电极。
第一电极和第二电极可以具有设置在同一水平面上的上表面。
第一电极和第二电极可以沿相同的方向设置。
第一焊盘电极和第二焊盘电极可以由共晶材料形成。
根据本发明的另一方面，提供了一种发光设备，所述发光设备包括安装基底和安装在安装基底上的半导体发光装置，当向半导体发光装置施加电信号时，半导体发光装置发光，其中，半导体发光装置包括：发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第一连接电极，将LED部的第一导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第二导电类型半导体层；第二连接电极，将LED部的第二导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第一导电类型半导体层；绝缘部，覆盖第一连接电极和第二连接电极，并且具有使第一连接电极和第二连接电极的至少一部分被暴露的开口区域；第一焊盘电极和第二焊盘电极，分别形成在通过开口区域暴露的第一连接电极和第二连接电极上，并且分别连接到第一连接电极和第二连接电极。
安装基底可以为电路板。
安装基底可以为引线框架。
当半导体发光装置安装在安装基底上时，第一焊盘电极和第二焊盘电极可以朝向安装基底设置。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明的以上和其它方面、特征和其它优点，在附图中：
图1是示出了根据本发明实施例的半导体发光装置的示意性俯视图；
图2是沿着图1中的A-A′线截取的示意性剖视图；
图3是沿着图1中的B-B′线截取的示意性剖视图；
图4至图14是示出了根据本发明实施例的制造半导体发光装置的方法的示意图；
图15是示出了根据本发明另一实施例的发光设备的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图详细地描述本发明的实施例。
然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，而不应被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了清晰起见会夸大元件的形状和尺寸，并且将始终使用相同的标号来表示相同或相似的元件。
图1是示出了根据本发明实施例的半导体发光装置的示意性俯视图。图2是沿着图1中的A-A′线截取的示意性剖视图，图3是沿着图1中的B-B′线截取的示意性剖视图。参照图1至图3，半导体发光装置具有以下结构：发光二极管(LED)部①设置在透光基底101的一个区域中，并且齐纳二极管部②设置在透光基底101的另一区域中。即，半导体发光装置100具有集成在其内的齐纳二极管部②，因此，当应用于封装件等时，不需要安装齐纳二极管。出于该原因，可以实现加工的便利性，并且不会发生在对齐纳二极管连接的引线结合时的电短路。此外，齐纳二极管被包括在半导体发光装置100中，从而可以提高封装件等中的集成度。
参照图2和图3，LED部①包括第一导电类型半导体层102、活性层103和第二导电类型半导体层104。第一电极105a形成在第一导电类型半导体层102的表面上，第二电极105b形成在第二导电类型半导体层104的表面上。此外，齐纳二极管部②包括第一导电类型半导体层102、活性层103和第二导电类型半导体层104。第一电极105a形成在第一导电类型半导体层102的表面上，第二电极105b形成在第二导电类型半导体层104的表面上。在这种情况下，为了形成第一电极105a，可以去除第一导电类型半导体层102的一部分、活性层103的一部分和第二导电类型半导体层104的一部分。因此，LED部①的侧表面和齐纳二极管部②的侧表面可以是倾斜的。然而，如图4所示，根据去除第一导电类型半导体层102的一部分、活性层103的一部分和第二导电类型半导体层104的一部分的方法，侧表面可以不倾斜。
第一连接电极109a形成为将LED部①的第一导电类型半导体层102电连接到齐纳二极管部②的第二导电类型半导体层104，第二连接电极109b形成为将LED部①的第二导电类型半导体层104电连接到齐纳二极管部②的第一导电类型半导体层102。另外，为了防止电短路，绝缘部106可以形成在第一连接电极109a和第二连接电极109b的上部区域以及第一电极105a和第二电极105b的外围区域中。在这种情况下，绝缘部106可以具有开口区域，其中，第一连接电极109a的至少一部分和第二连接电极109b的至少一部分通过开口区域而被暴露。第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b可以分别通过开口区域连接到第一连接电极109a和第二连接电极109b，从而可以向第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b施加外部电信号。在下文中，将提供对单个元件的详细描述。
透光基底101可以被设置为半导体生长基底，并且可以利用由诸如蓝宝石、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2、GaN等具有绝缘性质或导电性质的半导体材料形成的基底。透光基底101可以使从活性层103发射的至少一部分光能够透射过透光基底101。在这种情况下，具有电绝缘性质的蓝宝石可以是最优选使用的。蓝宝石是具有Hexa-Rhombo R3C对称性的晶体，其沿C轴的晶格常数为
Figure BDA00001920521800051
沿A轴的晶格常数为
Figure BDA00001920521800052
蓝宝石的取向面是C(0001)面、A(1120)面、R(1102)面等。具体地讲，因为C面相对促进氮化物膜的生长并且在高温下稳定，所以C面主要用作用于氮化物生长的基底。同时，虽然未示出，但是可以在透光基底101的上表面(即，半导体生长表面)上形成多个不平坦的结构，从而所述多个不平坦的结构可以提高结晶性和发光效率。
设置在LED部①和齐纳二极管部②二者中的第一导电类型半导体层102和第二导电类型半导体层104可以分别是掺杂有n型杂质和p型杂质的半导体层；然而，本发明不限于此。相反，第一导电类型半导体层102和第二导电类型半导体层104可以分别是p型半导体层和n型半导体层。第一导电类型半导体层102和第二导电类型半导体层104可以由氮化物半导体形成。例如，可以为其使用组成式为AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的材料。此外，也可以使用AlGaInP半导体或AlGaAs半导体。设置在第一导电类型半导体层102和第二导电类型半导体层104之间的活性层103可以具有量子阱层和量子垒层交替堆叠的多量子阱(MQW)结构，这里，在氮化物半导体的情况下，可以使用GaN/InGaN结构。因为齐纳二极管部②的活性层103并不意图发光，所以齐纳二极管部②的活性层103可以具有与LED部①的活性层103的结构不同的结构。同时，可以通过诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)等本领域已知的半导体层生长工艺来生长形成发光结构的第一导电类型半导体层102、第二导电类型半导体层104和活性层103。
设置在LED部①和齐纳二极管部②二者中的第一电极105a和第二电极105b可以分别由与第一导电类型半导体层102和第二导电类型半导体层104表现出电欧姆特性的导电材料形成，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，可以利用沉积方法、溅射方法等由Ag、Al、Ni、Cr、透明导电氧化物(TCO)等中的至少一种形成第一电极105a和第二电极105b。第一电极105a和第二电极105b可以沿相同的方向设置，并且如下面将描述的，第一电极105a和第二电极105b可以利用引线框架等安装在倒装芯片构造中。另外，可以同时地或顺序地利用相同的掩模图案形成第一电极105a和第二电极105b。在这种情况下，如图2和图3所示，第一电极105a和第二电极105b的上表面可以具有相同的水平面。
同时，如将参照图8所描述的，LED部的第一电极105a可以设置为多个。在这种情况下，多个第一电极105a可以穿透活性层103和第二导电类型半导体层104，并且可以布置成多个行和多个列，从而允许均匀的电流流动。在这种情况下，第一电极105a可以被绝缘部106包围，并且可以与活性层103和第二导电类型半导体层104电分离。此外，如图8所示，第一电极105a也可以被第二电极105b包围。第二电极105b可以表现出与第二导电类型半导体层104的电欧姆特性，并且可以由反光材料形成，从而当半导体发光装置100安装在倒装芯片结构中时，从活性层103发射的光被朝向透光基底101引导。然而，第二电极105b不是必需由反光材料形成。第二电极105b可以由透明导电氧化物等形成。
绝缘部106可以由具有电绝缘性质的材料形成。例如，可以对绝缘部106使用诸如氧化硅、氮化硅等的透光材料。此外，反光填料可以分散在透光材料中，从而形成反光结构。
第一连接电极109a和第二连接电极109b设置为将LED部①和齐纳二极管部②电连接。第一连接电极109a和第二连接电极109b可以分别连接到LED部①的第一电极105a和第二电极105b，同时它们可以分别连接到齐纳二极管部②的第二电极105b和第一电极105a。在这种情况下，第一连接电极109a和第二连接电极109b与第一电极105a和第二电极105b可以直接相互接触，或者可以在它们之间设置有第一导电层108a和第二导电层108b。第一导电层108a和第二导电层108b在本实施例中可以不是必需的，并且可以不包括在内。然而，由适当的导电材料形成的第一导电层108a和第二导电层108b可以进一步降低第一连接电极109a和第二连接电极109b与第一电极105a和第二电极105b之间的电阻，并且可以使它们能够相互分隔开，从而防止它们之间不期望的电短路。
第一连接电极109a和第二连接电极109b可以由与第一电极105a和第二电极105b的材料相同的材料形成，但是根据设计者的意图，第一连接电极109a和第二连接电极109b可以由与第一电极105a和第二电极105b的材料不同的材料形成。在第二电极105b由透光材料形成的情况下，第一连接电极109a和第二连接电极109b可以由反光材料形成。同时，图3示出了第二连接电极109b可以根据LED部①和齐纳二极管部②的形状在LED部①和齐纳二极管部②之间的区域中弯曲。然而，第二连接电极109b的结构可以不限于此。具体地讲，在形成第二连接电极109b之前，绝缘部106在LED部①和齐纳二极管部②之间的区域中可以是平坦化的，从而第二连接电极109b可以形成为平坦化的而不具有弯曲部分。在这种情况下，可以改善电特性和可靠性。
第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b可以连接到第一连接电极109a和第二连接电极109b，并且可以起到半导体发光装置100的外部端子的功能。第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b可以形成为单层或者两层或更多的层。如图2所示，在第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b形成为两层的情况下，这两层中的下层(即，形成在绝缘部106的开口区域中并且接触连接电极的层)和这两层中的上层可以由相同的材料或不同的材料形成。在本实施例中，第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b可以由诸如AuSn等的共晶金属形成。当安装在封装件等中时，第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b可以通过共晶结合进行结合，所以无需使用通常在倒装芯片结合工艺中需要的焊料凸起。与使用焊料凸起的情况相比，使用共晶金属的安装工艺可以能够进行优异的散热。在这种情况下，为了获得优异的散热，第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b可以形成为占据相对宽的面积。具体地讲，第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b所占据的面积相对于半导体发光装置的上表面的总面积可以达80％至95％。
同时，根据本实施例，如图1和图3所示，由于绝缘部106，使得齐纳二极管部②的上部区域可以不被暴露在外，并且LED部①的上部区域也可以不被暴露在外。即，除了第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b与绝缘部106之外，半导体发光装置100的上部区域中的其它元件可以不被暴露到外部，从而可以保护半导体发光装置100的主功能区域。此外，如图1所示，第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b可以不形成在半导体发光装置100的与齐纳二极管部②对应的区域中。在第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b可以形成在齐纳二极管部②上方并且在第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b与极性相反的导体之间设置有绝缘部106的情况下，导体会起到电容器的作用，从而可能会影响齐纳二极管部②的操作。
在具有上述结构的半导体发光装置100的情况下，当集成到半导体发光装置100中的齐纳二极管应用于封装件等中时，可以提高加工便利性和可靠性。此外，可以使用能够在共晶结合中采用的焊盘电极，从而改善散热性。此外，半导体发光装置的起着齐纳二极管部和LED部的作用的区域可以不暴露在外，从而可以稳定地操作半导体发光装置。可以通过对其制造方法的详细描述而更容易理解半导体发光装置的上述结构。
图4至图14是示出了根据本发明实施例的制造半导体发光装置的方法的示意图。在根据本实施例的制造半导体发光装置的方法中，首先，利用MOCVD、HVPE等通过在透光基底101上生长第一导电类型半导体层102、活性层103和第二导电类型半导体层104，可以形成半导体堆叠件，如图4(剖视图)和图5(俯视图)所示。该半导体堆叠件可以包括起着LED部和齐纳二极管部的作用的所有区域。在形成半导体堆叠件之后，去除第一导电类型半导体层102的一部分、活性层103的一部分和第二导电类型半导体导104的一部分，从而暴露第一导电类型半导体层102。这样是意图形成第一电极并将半导体堆叠件分为LED部和齐纳二极管部。在该实施例中，可以将半导体堆叠件的侧表面蚀刻成不是倾斜的。
接着，如图6所示，可以在第二导电类型半导体层104上形成绝缘部106。然后，如图7(剖视图)和图8(俯视图)所示，可以蚀刻绝缘部106的部分，从而暴露第一导电类型半导体层102和第二导电类型半导体层104，可以在被暴露的部分上分别形成第一电极105a和第二电极105b。可以在LED部①和齐纳二极管部②二者上形成第一电极105a和第二电极105b。可以通过本领域已知的沉积工艺、溅射工艺、镀覆工艺等形成第一电极105a和第二电极105b。在这种情况下，可以由相同的材料形成第一电极105a和第二电极105b以使制造工艺高效。如图7所示，可以在同一水平面上形成第一电极105a和第二电极105b的上表面。另外，如上所述，第一电极105a可以穿透活性层103和第二导电类型半导体层104，以提供均匀的电流流动。如图8所示，可以一体地形成第二电极105b以包围第一电极105a。
接着，如图9(剖视图)和图10(俯视图)所示，可以形成绝缘部106以覆盖第一电极105a和第二电极105b，并且绝缘部106可以具有开口区域，其中，第一导电层108a和第二导电层108b通过开口区域形成在LED部①和齐纳二极管部②二者中。在这种情况下，可以由与第一电极105a和第二电极105b的材料相同的材料或者由与第一电极105a和第二电极105b的材料不同的材料形成第一导电层108a和第二导电层108b。然而，可以不执行形成第一导电层108a和第二导电层108b的步骤，而是可以在第一电极105a和第二电极105b上直接形成连接电极。
然后，如图11(剖视图)和图12(俯视图)所示，可以形成第一连接电极109a和第二连接电极109b。第一连接电极109a和第二连接电极109b可以将相互分离的LED部①和齐纳二极管部②电连接。具体地讲，可以将第一连接电极109a设置成连接包括在LED部①中的多个第一电极105a。为了能够实现这点，可以使第一连接电极109a和第二连接电极109b如图12所示地成形。然而，第一连接电极109a和第二连接电极109b可以具有能够具有相同功能的各种形状。同时，可以通过沉积高反射材料适当地设计并形成第一连接电极109a和第二连接电极109b。
然后，如图13(剖视图)和图14(俯视图)所示，可以另外形成绝缘部106，并且可以将第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b形成为分别连接到第一连接电极109a和第二连接电极109b。如上所述，可以由诸如AuSn等的共晶金属形成第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b。如图14所示，可以将第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b形成为单层。此外，可以在第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b上形成另外的单层，从而获得图1至图3的结构。在这种情况下，设置在最外面位置的第一焊盘电极110a和第二焊盘电极110b可以占据半导体发光装置的上表面面积的80％至95％，以便它们能够用来提供有效的散热。
具有上述结构的半导体发光装置可以被安装在安装基底等上，从而用作发光设备，例如，用于显示装置的背光单元、室内/室外照明装置、头灯等。
图15是示出了根据本发明另一实施例的发光设备的示意性剖视图。根据该实施例的发光设备200可以具有封装结构，并且可以包括封装主体201、引线框架202和203以及半导体发光装置100。此外，可以形成密封树脂204以保护半导体发光装置100。在这种情况下，半导体发光装置100可以具有图1至图3的结构。在半导体发光装置100设置在倒装芯片结构中的情况下，第一焊盘电极和第二焊盘电极可以朝向引线框架202和203设置。在半导体发光装置100设置在安装基底上的情况下，第一焊盘电极和第二焊盘电极可以朝向安装基底设置。在这种情况下，可以通过共晶结合将第一焊盘电极和第二焊盘电极结合到引线框架202和203。因此，与使用焊料凸起的情况相比，该安装工艺可以能够具有优异的散热性。此外，由于半导体发光装置100与齐纳二极管一体化地设置，所以无需在发光设备200中安装齐纳二极管。因此，根据该实施例在发光设备200中不需要引线结合，因此，可以避免因在布线工艺中的缺陷导致的可靠性的劣化。
同时，可以修改发光设备200的封装结构。例如，在没有封装主体201的情况下，引线框架202和203的下表面可以暴露到外部。在这种情况下，密封树脂204可以用来保持引线框架202和203的形状，同时保护半导体发光装置100。可选择地，发光设备可以具有安装在诸如PCB、MCPCB、FPCB、MPCB等安装基底上的半导体发光装置100，而不是具有封装结构。
如上所述，根据本发明的实施例，半导体发光装置具有集成在其内的齐纳二极管，从而提高封装工艺的便利性和可靠性。
此外，可以改善集成有半导体发光装置的齐纳二极管的操作可靠性，并且当半导体发光装置安装在发光设备中时，可以增强散热性。
可以获得包括上面的半导体发光装置的发光设备。
虽然已经结合实施例示出并描述了本发明，但是本领域技术人员应该清楚，在不脱离由权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以做出修改和变型。

Claims (17)

1.一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：
发光二极管部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；
齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；
第一连接电极，将发光二极管部的第一导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第二导电类型半导体层；
第二连接电极，将发光二极管部的第二导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第一导电类型半导体层；
绝缘部，覆盖第一连接电极和第二连接电极，并且具有使第一连接电极和第二连接电极的至少一部分被暴露的开口区域；以及
第一焊盘电极和第二焊盘电极，第一焊盘电极形成在通过开口区域暴露的第一连接电极上并且连接到第一连接电极，第二焊盘电极形成在通过开口区域暴露的第二连接电极上并且连接到第二连接电极。
2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，绝缘部使发光二极管部的上部区域不被暴露到外部。
3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，绝缘部使齐纳二极管部的上部区域不被暴露到外部。
4.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，第一焊盘电极和第二焊盘电极不被设置在齐纳二极管部的区域中。
5.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，第一焊盘电极和第二焊盘电极占据半导体发光装置的上表面面积的80％至95％。
6.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，发光二极管部还包括设置在第一导电类型半导体层的一个表面上的至少一个第一电极，
第一连接电极连接到所述至少一个第一电极。
7.如权利要求6所述的半导体发光装置，其中，所述至少一个第一电极穿透发光二极管部的活性层和第二导电类型半导体层，
所述至少一个第一电极被绝缘部包围并且与活性层和第二导电类型半导体层电分离。
8.如权利要求1或7所述的半导体发光装置，其中，发光二极管部还包括设置在第二导电类型半导体层的一个表面上的第二电极，
第二连接电极连接到第二电极。
9.如权利要求8所述的半导体发光装置，其中，第二电极由反光材料形成。
10.如权利要求8所述的半导体发光装置，其中，第二电极设置成包围所述至少一个第一电极。
11.如权利要求8所述的半导体发光装置，其中，第一电极和第二电极具有设置在同一水平面上的上表面。
12.如权利要求8所述的半导体发光装置，其中，第一电极和第二电极沿相同的方向设置。
13.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，第一焊盘电极和第二焊盘电极由共晶材料形成。
14.一种发光设备，所述发光设备包括：
安装基底；以及
半导体发光装置，安装在安装基底上，并且当向半导体发光装置施加电信号时，半导体发光装置发光，
其中，半导体发光装置包括：
发光二极管部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；
齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；
第一连接电极，将发光二极管部的第一导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第二导电类型半导体层；
第二连接电极，将发光二极管部的第二导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第一导电类型半导体层；
绝缘部，覆盖第一连接电极和第二连接电极，并且具有使第一连接电极和第二连接电极的至少一部分被暴露的开口区域；以及
第一焊盘电极和第二焊盘电极，第一焊盘电极形成在通过开口区域暴露的第一连接电极上并且连接到第一连接电极，第二焊盘电极形成在通过开口区域暴露的第二连接电极上并且连接到第二连接电极。
15.如权利要求14所述的发光设备，其中，安装基底为电路板。
16.如权利要求14所述的发光设备，其中，安装基底为引线框架。
17.如权利要求14所述的发光设备，其中，当半导体发光装置安装在安装基底上时，第一焊盘电极和第二焊盘电极朝向安装基底设置。
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