JP3152238B2 - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード

Info

Publication number
JP3152238B2
JP3152238B2 JP2000215237A JP2000215237A JP3152238B2 JP 3152238 B2 JP3152238 B2 JP 3152238B2 JP 2000215237 A JP2000215237 A JP 2000215237A JP 2000215237 A JP2000215237 A JP 2000215237A JP 3152238 B2 JP3152238 B2 JP 3152238B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
light emitting
light
cup
emitting chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2000215237A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001057447A (ja
Inventor
功祐 的場
明人 岸
修二 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18710685&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3152238(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2000215237A priority Critical patent/JP3152238B2/ja
Publication of JP2001057447A publication Critical patent/JP2001057447A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3152238B2 publication Critical patent/JP3152238B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48475Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/4848Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオード(以
下LEDという。)に係り、特に発光チップの発光波長
を異なる波長に変換する、または発光チップの発光を一
部吸収するLEDに関する。
【0002】
【従来の技術】図2は従来のLEDの一構造を示す模式
断面図であり、1は化合物半導体よりなる発光チップ、
2はリードフレーム、3は発光チップの発光を発光観測
面側に反射させる目的で設けられたカップ、4は発光素
子全体を封止する樹脂である。通常、樹脂4は発光チッ
プの発光を空気中に効率よく放出する目的で透明度の高
い樹脂が選択されるが、他にその発光チップの発光色を
変換する目的で、あるいは色を補正する目的で、その樹
脂4の中に発光チップの発光を他の波長に変換する蛍光
物質、または発光波長を一部吸収するフィルター物質等
の波長変換材料5が混入される場合がある。この場合、
波長変換材料5は樹脂4に均一に分散するように混入さ
れるのが通常である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
目的で波長変換材料5を樹脂4中に均一に分散させる
と、この図に示すように、波長変換された光、または不
要な波長がカットされた光は樹脂4中で四方八方に散乱
してしまい、集光が悪くなるという問題がある。図2の
矢印は発光チップの光が波長変換材料5にあたり、波長
変換された光が散乱する様子を模式的に示した図であ
る。つまり、波長変換された光が散乱されることによ
り、発光観測面側の光量が減少して輝度が低くなるので
ある。
【0004】また、波長変換材料5を蛍光物質に限定し
た場合、新たな問題点として、異なる発光色のLEDを
接近して設置した際に、他のLED発光による蛍光物質
のよけいな発光の問題がある。例えば、青色発光チップ
で緑色発光が得られる蛍光物質を含む緑色LEDと、単
なる青色発光チップのみからなる青色LEDとを同一平
面上に水平に近接して並べた場合、緑色LEDを消灯し
て、青色LEDを点灯すると、青色LEDから洩れ出る
光、つまり散乱する光により、緑色LEDの蛍光物質が
励起され、消灯した緑色LEDがあたかも点灯したよう
な状態となり、両LEDの混色が発生する。
【0005】従って本発明の目的とするところは、LE
Dの樹脂に波長変換材料を含有させて発光チップの波長
変換を行う際、まず変換された発光の集光をよくしてL
EDの輝度を高めることを目的とし、また蛍光物質を使
用した際、波長の異なるLEDを近接して設置しても混
色の起こらないLEDを提供することをもう一つの目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のLEDは、カッ
プ3に装着されている発光チップ1の発光色を、蛍光物
質である波長変換材料5で変えて外部に放射するように
構成したものである。本発明の発光ダイオードは、カッ
プの底部に配設された発光チップと、カップの縁の水平
面よりも低く発光チップを封止する第一の樹脂と、カッ
プの縁の水平面よりも低い第一の樹脂を包囲する第二の
樹脂とを有する。発光チップは青色発光チップであり、
青色発光チップの発光波長を、それよりも長波長の光に
変換する蛍光物質を第一の樹脂に含有させていると共に
第二の樹脂は、第一の樹脂の材料と同一の材料であって
青色発光チップの発光波長をそれよりも長波長の光に変
換する蛍光物質を含有していない。
【0007】本発明の請求項2のLEDは、第一の樹脂
と第二の樹脂の樹脂をエポキシ樹脂としている。
【0008】
【作用】本発明のLEDは、発光チップの発光色を変換
してカップの外部に放射する。発光色の変換された光は
四方八方に散乱されるが、散乱した光のほとんどは、カ
ップの内面で反射されて、発光観測面側に集光される。
つまり本発明のLEDは、発光チップを固定し、かつ、
蛍光物質である波長変換材料を充填しているカップで、
発光色の変換された光を、内面で反射して集光できるの
で、変換光の集光効率を格段に向上できる。
【0009】さらに、蛍光物質を含む第一の樹脂をカッ
プの縁部の水平面よりも低くなるように充填しているの
で、外部から入射する光がカップの縁で遮られ、蛍光物
質にまで到達しないことにより、LED間の混色を防止
することができる。簡単にいうと、カップの深さを深く
して蛍光物質を含む第一の樹脂がカップからはみ出さな
いようにすることにより、蛍光物質の励起源を発光チッ
プの発光波長のみに制限できる。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は本願の一実施例のLEDの
構造を示す模式断面図であり、図2と同様に、カップ3
を有するリードフレーム2上に化合物半導体よりなる発
光チップ1を載置した発光素子全体を、樹脂で封止した
構造としている。しかし、図2と異なるところは、カッ
プ3内部に第一の樹脂11を充填し、その全体を、発光
素子全体を封止する樹脂である第二の樹脂12で包囲し
ていることである。カップに充填される第一の樹脂11
には、発光チップの発光波長を他の波長に変換する波長
変換材料5が含有されている。
【0011】本発明のLEDにおいて、第一の樹脂11
と第二の樹脂12の材料は同一材料で、例えば両方とも
エポキシ樹脂で構成し、第一の樹脂11にのみ蛍光物質
5を含有させればよい。さらに、第二の樹脂12の材料
は図2の樹脂4と同一でもよいことはいうまでもない。
また、波長変換材料5は蛍光物質であれば蛍光染料、蛍
光顔料、蛍光体等、発光チップの発光波長を他の波長に
変換できる材料であればどのようなものを使用してもよ
い。
【0012】このような構造のLEDを製造するには、
例えばLED製造工程において、通常カップ3の空気を
追い出す目的で、予め発光チップ1を載置したカップ内
部を樹脂でプレディップするのであるが、プレディップ
する際に第一の樹脂11に蛍光物質である波長変換材料
5を含有させておき、波長変換材料5を含む第一の樹脂
11が硬化した後、第二の樹脂12で封止することによ
り得ることができる。また予め波長変換材料5を含む第
一の樹脂11をカップ3内部に注入してもよい。このよ
うにして、波長変換材料5を含む第一の樹脂11をカッ
プ3の内部に充填し、第一の樹脂11で波長変換された
光のほとんどがカップ3の反射鏡内に戻り、発光観測面
に反射することによりLEDの集光が格段に向上する。
【0013】図3、および図4は本発明の他の実施例に
係るLEDのカップ3の部分を拡大して示す模式断面図
であり、図3は第一の樹脂11の表面が凸状になって硬
化してカップ3に充填された状態、図4は逆に凹状とな
って硬化して充填された状態を示している。いずれの状
態においても、波長変換材料5を蛍光物質とした場合、
その蛍光物質を含む第一の樹脂11がカップ3の縁部の
水平面よりも低くなるように充填されており、カップ3
からはみ出していないので、カップ3の縁部により蛍光
物質を励起する外部光を遮断でき、LEDの混色を防止
することができる。
【0014】
【発明の効果】本発明のLEDは、変換光がカップ内部
で反射して集光されるため、輝度は倍以上に向上する。
また、波長変換材料をカップ内に充填して波長変換を行
う場合、カップ深さを深くして、蛍光物質である波長変
換材料がカップからはみ出さないようにすることによ
り、LED間の混色が発生せず、例えばLEDで平面デ
ィスプレイを実現した際には、非常に解像度のよい画像
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例のLEDの構造を示す模式断面
【図2】従来のLEDの構造を示す模式断面図
【図3】本発明の他の実施例に係るLEDのカップの部
分を拡大して示す模式断面図
【図4】本発明の他の実施例に係るLEDのカップの部
分を拡大して示す模式断面図
【符号の説明】
1・・・発光チップ 2・・・リードフレーム 4・・・樹脂 3・・・カップ 5・・・波長変換材料 6・・・ワイヤー 11・・・第一の樹脂 12・・・第二の樹脂
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭49−122292(JP,A) 特開 平1−179471(JP,A) 特開 平5−152609(JP,A) 実開 昭59−50455(JP,U) 実開 平5−63068(JP,U) 実開 昭53−43885(JP,U) 実公 昭52−45181(JP,Y2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 33/00

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カップの底部に配設された発光チップ
    と、前記カップの縁の水平面よりも低く発光チップを封
    止する第一の樹脂と、該カップの縁の水平面よりも低い
    第一の樹脂を包囲する第二の樹脂とを有する発光ダイオ
    ードであって、 前記発光チップは青色発光チップであり、該青色発光チ
    ップの発光波長を、それよりも長波長の光に変換する蛍
    光物質が第一の樹脂に含有されていると共に第二の樹脂
    は前記第一の樹脂の材料と同一の材料であって青色発光
    チップの発光波長をそれよりも長波長の光に変換する蛍
    光物質が含有されていないことを特徴する発光ダイオー
    ド。
  2. 【請求項2】 前記第一の樹脂及び第二の樹脂の樹脂は
    エポキシ樹脂である請求項1に記載の発光ダイオード。
JP2000215237A 1993-09-28 2000-07-14 発光ダイオード Expired - Lifetime JP3152238B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000215237A JP3152238B2 (ja) 1993-09-28 2000-07-14 発光ダイオード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000215237A JP3152238B2 (ja) 1993-09-28 2000-07-14 発光ダイオード

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14315897A Division JP3327170B2 (ja) 1997-05-17 1997-05-17 発光ダイオードの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001057447A JP2001057447A (ja) 2001-02-27
JP3152238B2 true JP3152238B2 (ja) 2001-04-03

Family

ID=18710685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000215237A Expired - Lifetime JP3152238B2 (ja) 1993-09-28 2000-07-14 発光ダイオード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3152238B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7166873B2 (en) 2002-10-03 2007-01-23 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US7265486B2 (en) 2003-07-31 2007-09-04 Toshinobu Yoko Light emitting diode including a cover covering a light emitting diode element

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
KR20030092766A (ko) * 2002-05-31 2003-12-06 서울반도체 주식회사 핑크색 발광 다이오드
KR20050016804A (ko) * 2003-08-04 2005-02-21 서울반도체 주식회사 발광 소자용 고휘도 형광체 구조 및 이를 사용하는 발광소자
JP2009027193A (ja) * 2008-10-20 2009-02-05 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びledライト
TWI384591B (zh) 2008-11-17 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體電路板
CN110010750B (zh) 2014-06-18 2021-11-09 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7166873B2 (en) 2002-10-03 2007-01-23 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US7265486B2 (en) 2003-07-31 2007-09-04 Toshinobu Yoko Light emitting diode including a cover covering a light emitting diode element

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001057447A (ja) 2001-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2998696B2 (ja) 発光ダイオード
JPH0799345A (ja) 発光ダイオード
JP4172196B2 (ja) 発光ダイオード
KR100463653B1 (ko) 발광 다이오드
US6900587B2 (en) Light-emitting diode
US6791116B2 (en) Light emitting diode
EP1686630A2 (en) Led device having diffuse reflective surface
US20060170335A1 (en) LED device having diffuse reflective surface
US20050057144A1 (en) Semiconductor light-emitting device
JP6005953B2 (ja) 発光装置
JP2004253651A (ja) 発光装置
JP3349111B2 (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
KR20080059989A (ko) 유전체 다층막 반사 미러를 채택한 발광 소자
JP2009302339A (ja) 半導体発光装置
KR20090039932A (ko) 발광 소자 패키지
JP3152238B2 (ja) 発光ダイオード
JP3327170B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP2008060411A (ja) 半導体発光装置
JP2001077430A (ja) 発光ダイオード
JP2003243724A (ja) 発光装置
JP2008205170A (ja) 発光半導体デバイス
JP4709405B2 (ja) 発光ダイオード
JP3344414B2 (ja) 発光ダイオードを用いたディスプレイ
JP6195760B2 (ja) Led発光装置
KR100649704B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080126

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term