TWI700683B - 畫素結構 - Google Patents

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Abstract

一種畫素結構，包括第一發光二極體元件、第二發光二極體元件及第一互連圖案。第一互連圖案設置於第一發光二極體元件的第一電極及第二發光二極體元件的第一電極上，且電性連接至第一發光二極體元件的第一電極及第二發光二極體元件的第一電極。第一互連圖案用以電性連接至驅動元件。第一互連圖案包括第一主幹部及第二主幹部。第一主幹部配置在第一發光二極體元件的第一電極上且在第一方向上延伸。第二主幹部連接第一主幹部，配置在第二發光二極體元件的第一電極上，且在第二方向上延伸。第一方向與第二方向交錯。

Description

畫素結構
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種包括多個發光二極體元件的畫素結構。
隨著顯示技術的演進，具有高解析與薄型化的顯示裝置受到主流市場的喜愛。近幾年來，由於發光二極體(Light-Emitting Diode；LED)元件的製程技術的突破，已發展出可將發光二極體元件以陣列排列製作出的微型發光二極體顯示裝置(Micro-LED display)或毫米等級的發光二極體顯示裝置等，其不需要設置液晶層(Liquid crystal)及彩色濾光片(Color filter)，而能進一步減少顯示裝置的厚度。此外，相較於有機發光二極體顯示裝置，微型發光二極體顯示裝置具有更省電、壽命更長的優勢。
在目前微型發光二極體顯示裝置的製作過程中，需透過巨量轉移(Mass transfer)將大量的發光二極體元件轉置於另一基板上。然而，現今的顯示裝置通常具有動輒百萬計的畫素，且發光二極體元件尺寸微小而難以精準地進行拾取及對位，容易因對位誤差而造成發光二極體元件無法精準地置放於預定位置，進而造 成發光二極體元件無法正常驅動的問題。也就是說，目前微型發光二極體顯示裝置的製造良率偏低。
本發明提供一種畫素結構，能提高製造良率。
本發明的畫素結構，包括多個發光二極體元件及第一互連圖案。多個發光二極體元件設置基板上方。多個發光二極體元件包括第一發光二極體元件與第二發光二極體元件。每一發光二極體元件包括第一電極與第二電極。第一互連圖案設置於第一發光二極體元件的第一電極及第二發光二極體元件的第一電極上。第一互連圖案電性連接至第一發光二極體元件的第一電極及第二發光二極體元件的第一電極。第一互連圖案用以電性連接至驅動元件。第一互連圖案包括第一主幹部及第二主幹部。第一主幹部配置在第一發光二極體元件的第一電極上，且在第一方向上延伸。第二主幹部連接第一主幹部，配置在第二發光二極體元件的第一電極上，且在第二方向上延伸。第一方向與第二方向交錯。
在本發明的一實施例中，上述的畫素結構，更包括：絕緣層，設置於驅動元件上，且具有接觸窗。多個發光二極體元件設置於絕緣層上。第一互連圖案透過接觸窗電性連接至驅動元件。接觸窗在垂直於基板的垂直投影方向上與第一互連圖案的第一主幹部重疊。
在本發明的一實施例中，上述的第一互連圖案之第二主 幹部在第一方向上的一寬度小於第二發光二極體元件的第一電極在第一方向上的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的第一互連圖案之第一主幹部在第二方向上的寬度小於第一發光二極體元件之第一電極在第二方向上的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的第一互連圖案更包括：第一分支部，設置於第一發光二極體元件上，且在第二方向上延伸。第一主幹部連接於第一分支部與第二主幹部之間。
在本發明的一實施例中，上述的第一分支部在第一方向上的寬度小於第一發光二極體元件之第一電極在第一方向上的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的第一分支部在第二方向上的長度大於第一發光二極體元件之第一電極在第二方向上之寬度的一半。
在本發明的一實施例中，上述的第一互連圖案之第二主幹部及第一分支部在第二方向上具有長度和，而長度和介於20微米至150微米之間。
在本發明的一實施例中，上述的第一互連圖案更包括：第二分支部，設置於第二發光二極體元件上，連接至第二主幹部，且在第一方向上延伸。
在本發明的一實施例中，上述的第二分支部在第一方向上的長度大於第二發光二極體元件之第一電極在第一方向上之寬 度的一半。
在本發明的一實施例中，上述的第二分支部在第二方向上的寬度小於第二發光二極體元件之第一電極在第二方向上的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的畫素結構，更包括：第二互連圖案，設置於第一發光二極體元件的第二電極上，電性連接至第一發光二極體元件的第二電極，且具有主幹部，其中第二互連圖案之主幹部在第一方向上延伸。
在本發明的一實施例中，上述的第二互連圖案之主幹部在第二方向上的寬度小於第一發光二極體元件之第二電極在第二方向上的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的第二互連圖案更具有：分支部，設置在第一發光二極體元件上，連接至第二互連圖案的主幹部，且在第二方向上延伸。
在本發明的一實施例中，上述的第二互連圖案之分支部在第二方向上的長度大於第一發光二極體元件之第二電極在第二方向上之寬度的一半。
在本發明的一實施例中，上述的畫素結構，更包括：第二互連圖案及第三互連圖案。第二互連圖案設置於第一發光二極體元件的第二電極上，電性連接至第一發光二極體元件的第二電極，且具有主幹部，其中第二互連圖案之主幹部在第一方向上延伸。第三互連圖案設置於第二發光二極體元件的第二電極上，電性連接 至第二發光二極體元件的第二電極，且具有主幹部，其中第三互連圖案之主幹部在第二方向上延伸，且第二互連圖案與第三互連圖案互相電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的第一發光二極體元件於基板的垂直投影具有面積A，第一發光二極體元件於基板的垂直投影與第一互連接圖案於基板的垂直投影具有重疊面積A1，第一發光二極體元件於基板的垂直投影與第二互連接圖案於基板的垂直投影具有重疊面積A2，而
Figure 107143901-A0305-02-0008-1
。
在本發明的一實施例中，上述的第一發光二極體元件的第一電極與第二發光二極體元件的第一電極呈鏡像配置，且第一發光二極體元件的第二電極與第二發光二極體元件的第二電極呈鏡像配置。
在本發明的一實施例中，上述的第一方向與第二方向相互垂直。
在本發明的一實施例中，上述的第一互連圖案之第二主幹部在第一方向上的寬度介於3微米至7微米之間。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、10A、10B、10C、10D:顯示裝置
110:基板
120:驅動線路結構
122:驅動元件
124:線路
130:絕緣層
132:接觸窗
140、140-1、140-2:發光二極體元件
142、142C、142D:第一電極
144、144C、144D:第二電極
146:第一型半導體層
148:第二型半導體層
149:主動層
150:鈍化層
161、161A:第一互連圖案
161a:第一主幹部
161b:第二主幹部
161c:第一分支部
161d:第二分支部
162、162A:第二互連圖案
162a、163a:主幹部
162b、163b:分支部
163、163A:第三互連圖案
DL:資料線
L1~L5:長度
P:畫素結構
PL1:第一電源線
PL2:第二電源線
SL:掃描線
T1:第一電晶體
T1a、T2a:第一端
T1b、T2b:第二端
T1c、T2c:控制端
T2:第二電晶體
W1~W6、E1~E6:寬度
x、y、z:方向
I-I’:剖線
圖1為本發明一實施例之顯示裝置的上視示意圖。
圖2為本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。
圖3為本發明一實施例之顯示裝置的一個畫素結構的等效電路圖。
圖4為本發另一實施例之顯示裝置的上視示意圖。
圖5為本發明又一實施例之顯示裝置的上視示意圖。
圖6為本發明再一實施例之顯示裝置的一個畫素結構的上視示意圖。
圖7為本發明一實施例之顯示裝置的一個畫素結構的上視示意圖。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”係可為二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值， 考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
圖1為本發明一實施例之顯示裝置的上視示意圖。圖2為本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。圖2對應圖1的剖線I-I’。圖1省略圖2的驅動線路結構120及鈍化層150。圖3為本發明一實施例之顯示裝置的一個畫素結構的等效電路圖。
請參照圖1及圖2，顯示裝置10包括基板110。基板110用以承載畫素結構P。舉例而言，在本實施例中，基板110的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、晶圓、陶瓷等)、或是其它可適用的材料。
請參照圖2及圖3，在本實施例中，顯示裝置10還包括驅動線路結構120。驅動線路結構120包括驅動元件122及與驅動 元件122電性連接的線路124。舉例而言，在本實施例中，驅動元件122可包括第一電晶體T1及第二電晶體T2，線路124可包括資料線DL、掃描線SL、第一電源線PL1及第二電源線PL2，其中第一電晶體T1的第一端T1a可與資料線DL電性連接，第一電晶體T1的控制端T1c可與掃描線SL電性連接，第一電晶體T1的第二端T1b可與第二電晶體T2的控制端T2c電性連接，而第二電晶體T2的第一端T2a可與第一電源線PL1電性連接。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，驅動線路結構120也可以是其它樣態；舉例而言，驅動線路結構120也可包括晶片(integrated circuits；IC)或電控制元件基板。
請參照圖1及圖2，在本實施例中，顯示裝置10還包括絕緣層130，設置於驅動線路結構120及其驅動元件122(繪示於圖3)上，且具有接觸窗132。舉例而言，在本實施例中，絕緣層130可由黏性圖案固化而成，但本發明不以此為限。
請參照圖1及圖2，顯示裝置10包括設置於基板110上的多個畫素結構P。圖1繪出3個畫素結構P為示例，但本發明不限於此，顯示裝置10包括的畫素結構P的數量可視實際需求(例如：尺寸及解析度)而定。
每一畫素結構P包括互相電性連接的多個發光二極體元件140。多個發光二極體元件140設置於基板110上方。每一發光二極體元件140包括第一電極142與第二電極144。更進一步地說，每一發光二極體元件140還包括第一型半導體層146、第二型 半導體層148及主動層149，其中第一型半導體層146與第一電極142電性連接，第二型半導體層148與第二電極144電性連接，而主動層149設置於第一型半導體層146與第二型半導體層148之間。舉例而言，在本實施例中，第一電極142及第二電極144可設置於第二型半導體層148的同一側；也就是說，發光二極體元件140可以是水平式發光二極體元件，但本發明不以此為限。
請參照圖2，在本實施例中，每一畫素結構P還可包括鈍化層150，覆蓋發光二極體元件140之至少部分的側壁及部分的頂面。鈍化層150具有與第一電極142及第二電極144重疊的多個開口；亦即，鈍化層150未完全覆蓋第一電極142及第二電極144。
請參照圖1及圖2，每一畫素結構P包括第一互連圖案161，設置於第一發光二極體元件140-1的第一電極142及第二發光二極體元件140-2的第一電極142上。第一互連圖案161電性連接至第一發光二極體元件140-1的第一電極142及第二發光二極體元件140-2的第一電極142。也就是說，第一發光二極體元件140-1的第一電極142與第二發光二極體元件140-2的第一電極142透過第一互連圖案161彼此電性連接。請參照圖1、圖2及圖3，第一互連圖案161用以電性連接至驅動線路結構120的驅動元件122。舉例而言，在本實施例中，第一互連圖案161可透過絕緣層130的接觸窗132與第二電晶體T2的第二端T2b電性連接，但本發明不以此為限。
請參照圖1及圖2，第一互連圖案161包括第一主幹部 161a及第二主幹部161b。第一主幹部161a配置在第一發光二極體元件140-1的第一電極142上，且在第一方向x上延伸。第二主幹部161b連接於第一主幹部161a，配置在第二發光二極體元件140-2的第一電極142上，且在第二方向y上延伸，其中第一方向x與第二方向y交錯。舉例而言，在本實施例中，第一方向x與第二方向y可選擇性地相互垂直，以節省佈局空間、提升解析度，但本發明不以此為限。此外，在本實施例中，於垂直於基板110的垂直投影方向z上，第一互連圖案161的第二主幹部161b與絕緣層130的接觸窗132可相重疊，但本發明不以此為限。
值得一提的是，由於用以電性連接第一發光二極體元件140-1之第一電極142與第二發光二極體元件140-2之第一電極142的第一互連圖案161具有在第一方向x上延伸的第一主幹部161a以及在第二方向y上延伸的第二主幹部161b，因此，無論是第一發光二極體元件140-1及/或第二發光二極體元件140-2於第一方向x、第二方向y或其組合的方向上偏離預定位置，第一發光二極體元件140-1的第一電極142與第二發光二極體元件140-2的第一電極142透過第一互連圖案161而能彼此電性連接的成功率藉此增加。也就是說，透過前述之第一互連圖案161的設計，顯示裝置10的製造良率能藉此提升。或者當製程偏移過大時，第一發光二極體元件140-1及第二發光二極體元件140-2的亮度發生變化時，透過此設計兩者於不同偏移方向上的變異可以相互補償，所以使得不同畫素間之亮度不均勻的問題得到改善。
請參照圖1，在本實施例中，第一互連圖案161之第一主幹部161a在第二方向y上的寬度W1小於第一發光二極體元件140-1之第一電極142在第二方向y上的寬度E1。第一互連圖案161之第二主幹部161b在第一方向x上的寬度W2小於第二發光二極體元件140-2的第一電極142在第一方向x上的寬度E2。舉例而言，第一互連圖案161之第二主幹部161b在第一方向x上的寬度W2可介於3微米至7微米之間，但本發明不以此為限。
值得一提的是，由於第一互連圖案161之第一主幹部161a的寬度W1及/或第一互連圖案161之第二主幹部161b的寬度W2較小，因此，第一互連圖案161遮蔽第一發光二極體元件140-1及/或第二發光二極體元件140-2的面積較少，進而能提升顯示裝置10的出光效率。
請參照圖1，在本實施例中，畫素結構P還包括第二互連圖案162設置於第一發光二極體元件140-1的第二電極144上，電性連接至第一發光二極體元件140-1的第二電極144，且具有主幹部162a，其中第二互連圖案162之主幹部162a在第一方向x上延伸。在本實施例中，第二互連圖案162之主幹部162a在第二方向y上的寬度W3可小於第一發光二極體元件140-1之第二電極144在第二方向y上的寬度E3。類似地，由於第二互連圖案162之主幹部162a的寬度W3較小，因此，第二互連圖案162遮蔽第一發光二極體元件140-1的面積較少，進而能提升顯示裝置10的出光效率。
更進一步地說，在本實施例中，第一發光二極體元件140-1於基板110的垂直投影具有面積A，第一發光二極體元件140-1於基板110的垂直投影與第一互連接圖案161於基板110的垂直投影具有重疊面積A1，第一發光二極體元件140-1於基板110的垂直投影與第二互連接圖案162於基板110的垂直投影具有重疊面積A2，而
Figure 107143901-A0305-02-0015-2
，但本發明不以此為限。
請參照圖1，在本實施例中，畫素結構P還包括第三互連圖案163，設置於第二發光二極體元件140-2的第二電極144上，電性連接至第二發光二極體元件140-2的第二電極144，且具有主幹部163a，其中第三互連圖案163之主幹部163a在第二方向y上延伸。第二互連圖案162與第三互連圖案163互相電性連接。請參照圖1、圖2及圖3，舉例而言，在本實施例中，第一發光二極體元件140-1的第二電極144及第二發光二極體元件140-2的第二電極144可透過第二互連圖案162及第三互連圖案163電性連接至第二電源線PL2。
請參照圖1，在本實施例中，第一互連圖案161、第二互連圖案162及第三互連圖案163可以選擇性地形成於同一膜層(例如但不限於：透明導電層)。第一互連圖案161、第二互連圖案162及/或第三互連圖案163之材質的選用以具有低電阻率及高透光率為佳，例如但不限於：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少 二者的堆疊層。
在本實施例中，第三互連圖案163之主幹部163a在第一方向x上的寬度W4可小於第二發光二極體元件140-2之第二電極144在第一方向x上的寬度E4。類似地，由於第三互連圖案163之主幹部163a的寬度W4較小，因此，第三互連圖案163遮蔽第二發光二極體元件140-2的面積較少，進而能提升顯示裝置10的出光效率。
舉例而言，在本實施例中，第二發光二極體元件140-2於基板110的垂直投影具有面積B，第二發光二極體元件140-2於基板110的垂直投影與第一互連接圖案161於基板110的垂直投影具有重疊面積B1，第二發光二極體元件140-2於基板110的垂直投影與第三互連接圖案163於基板110的垂直投影具有重疊面積B2，而
Figure 107143901-A0305-02-0016-3
，但本發明不以此為限。
圖4為本發另一實施例之顯示裝置的上視示意圖。圖4的顯示裝置10A與圖1的顯示裝置10類似，兩者的差異如下述，兩者相同或相似處請參照前述說明。
顯示裝置10A的第一互連圖案161A還包括第一分支部161c，設置於第一發光二極體元件140-1上，且在第二方向y上延伸，其中第一主幹部161a連接於第一分支部161c與第二主幹部161b之間。在本實施例中，第一分支部161c在第一方向x上的寬度W5小於第一發光二極體元件140-1之第一電極142在第一方 向x上的寬度E5。第一分支部161c在第二方向y上的長度L1大於第一發光二極體元件140-1之第一電極142在第二方向y上之寬度E1的一半。在本實施例中，第一互連圖案161A之第一分支部161c及第二主幹部161b在第二方向y上分別具有長度L1及長度L2，長度L1與長度L2的長度和(L1+L2)可介於20微米至150微米之間，但本發明不以此為限。
顯示裝置10A的第一互連圖案161A還包括第二分支部161d，設置於第二發光二極體元件140-2上，連接至第二主幹部161b，且在第一方向x上延伸。在本實施例中，第二分支部161d在第一方向x上的長度L3大於第二發光二極體元件140-2之第一電極142在第一方向x上之寬度E2的一半。第二分支部161d在第二方向y上的寬度W6小於第二發光二極體元件140-2之第一電極142在第二方向y上的寬度E6。
顯示裝置10A的第二互連圖案162A還包括分支部162b，設置在第一發光二極體元件140-1上，連接至第二互連圖案162A的主幹部162a，且在第二方向y上延伸。第二互連圖案162A之分支部162b在第二方向y上的長度L4大於第一發光二極體元件140-1之第二電極144在第二方向y上之寬度E3的一半。
顯示裝置10A分支部163bA的第三互連圖案163A還包括分支部163b，設置在第二發光二極體元件140-2上，連接至第三互連圖案163A的主幹部163a，且在第一方向x上延伸。第三互連圖案163A之分支部163b在第一方向x上的長度L5大於第 二發光二極體元件140-2之第二電極144在第一方向x上之寬度E4的一半。
透過第一分支部161c、第二分支部161d、分支部162b及/或分支部163b，即便是第一發光二極體元件140-1及/或第二發光二極體元件140-2於第一方向x、第二方向y或其組合的方向上偏離預定位置的程度變大，第一發光二極體元件140-1的第一電極142及第二電極144與第二發光二極體元件140-2的第一電極142及第二電極144仍能夠與第一互連圖案161A、第二互連圖案162A及/或第三互連圖案163A電性連接。
圖5為本發明又一實施例之顯示裝置的上視示意圖。圖5的顯示裝置10B與圖1的顯示裝置10類似，兩者的差異在於：在圖5的實施例中，第一發光二極體元件140-1的第一電極142與第二發光二極體元件140-2的第一電極142可呈鏡像配置，且第一發光二極體元件140-1的第二電極144與第二發光二極體元件140-2的第二電極144可呈鏡像配置。藉此，第一互連圖案161、第二互連圖案162及/或第三互連圖案163的佈局面積能減少，進而提升顯示裝置10B的出光效率。
圖6為本發明再一實施例之顯示裝置的一個畫素結構的上視示意圖。圖6的顯示裝置10C與圖4的顯示裝置10A類似，兩者的差異在於：在圖4的實施例中，發光二極體元件140的第一電極142及第二電極144可呈正方形；在圖6的實施例中，發光二極體元件140的第一電極142C及第二電極144C可呈L形。 藉此以增加第一電極142及第二電極144與第一互連圖案161A、第二互連圖案162A及/或第三互連圖案163A等有更好的電性連接。
圖7為本發明一實施例之顯示裝置的一個畫素結構的上視示意圖。圖7的顯示裝置10D與圖4的顯示裝置10A類似，兩者的差異在於：在圖7的實施例中，發光二極體元件140的第一電極142D及第二電極144D可呈長方形。
需說明的是，上述之發光二極體元件的第一電極及第二電極的形狀僅是用以舉例說明本發明而非用以限制本發明。在其他實施例中，發光二極體元件的第一電極及/或第二電極也可設計為其他形狀，且第一互連圖案、第二互連圖案及/或第三互連圖案的形狀也可對應調整之。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10：顯示裝置 110：基板 130：絕緣層 132：接觸窗 140、140-1、140-2：發光二極體元件 142：第一電極 144：第二電極 161：第一互連圖案 161a：第一主幹部 161b：第二主幹部 162：第二互連圖案 162a、163a：主幹部 P：畫素結構 W1～W4、E1～E4：寬度 x、y、z：方向 Ι-Ι’：剖線

Claims (18)

  1. 一種畫素結構，包括：多個發光二極體元件，設置一基板上方，其中該些發光二極體元件包括一第一發光二極體元件與一第二發光二極體元件，每一發光二極體元件包括一第一電極與一第二電極；以及一第一互連圖案，設置於該第一發光二極體元件的一第一電極及該第二發光二極體元件的一第一電極上，其中該第一互連圖案電性連接至該第一發光二極體元件的該第一電極及該第二發光二極體元件的該第一電極，該第一互連圖案用以電性連接至一驅動元件，該第一互連圖案包括：一第一主幹部，配置在該第一發光二極體元件的該第一電極上，且在一第一方向上延伸；一第二主幹部，連接該第一主幹部，配置在該第二發光二極體元件的該第一電極上，且在一第二方向上延伸，其中該第一方向與該第二方向交錯，該第一主幹部之在該第一方向上延伸的一部分與該第一發光二極體元件的該第一電極重疊，且該第二主幹部之在該第二方向上延伸的一部分與該第二發光二極體元件的該第一電極重疊；以及一第一分支部，設置於該第一發光二極體元件上，且在該第二方向上延伸，其中該第一主幹部連接於該第一分支部與該第二主幹部之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括： 一絕緣層，設置於該驅動元件上，且具有一接觸窗，其中該些發光二極體元件設置於該絕緣層上，該第一互連圖案透過該接觸窗電性連接至該驅動元件，且該接觸窗在垂直於該基板的一垂直投影方向上與該第一互連圖案的該第二主幹部重疊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一互連圖案之該第二主幹部在該第一方向上的一寬度小於該第二發光二極體元件的該第一電極在該第一方向上的一寬度。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的畫素結構，其中該第一互連圖案之該第一主幹部在該第二方向上的一寬度小於該第一發光二極體元件之該第一電極在該第二方向上的一寬度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一分支部在該第一方向上的一寬度小於該第一發光二極體元件之該第一電極在該第一方向上的一寬度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一分支部在該第二方向上的一長度大於該第一發光二極體元件之該第一電極在該第二方向上之一寬度的一半。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一互連圖案之該第二主幹部及該第一分支部在該第二方向上具有一長度和，而該長度和介於20微米至150微米之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一互連圖案更包括： 一第二分支部，設置於該第二發光二極體元件上，連接至該第二主幹部，且在該第一方向上延伸。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該第二分支部在該第一方向上的一長度大於該第二發光二極體元件之該第一電極在該第一方向上之一寬度的一半。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該第二分支部在該第二方向上的一寬度小於該第二發光二極體元件之該第一電極在該第二方向上的一寬度。
  11. 一種畫素結構，包括：多個發光二極體元件，設置一基板上方，其中該些發光二極體元件包括一第一發光二極體元件與一第二發光二極體元件，每一發光二極體元件包括一第一電極與一第二電極；一第一互連圖案，設置於該第一發光二極體元件的一第一電極及該第二發光二極體元件的一第一電極上，其中該第一互連圖案電性連接至該第一發光二極體元件的該第一電極及該第二發光二極體元件的該第一電極，該第一互連圖案用以電性連接至一驅動元件，該第一互連圖案包括：一第一主幹部，配置在該第一發光二極體元件的該第一電極上，且在一第一方向上延伸；以及一第二主幹部，連接該第一主幹部，配置在該第二發光二極體元件的該第一電極上，且在一第二方向上延伸，其中該第一方向與該第二方向交錯，該第一主幹部之在該第一方 向上延伸的一部分與該第一發光二極體元件的該第一電極重疊，且該第二主幹部之在該第二方向上延伸的一部分與該第二發光二極體元件的該第一電極重疊；以及一第二互連圖案，設置於該第一發光二極體元件的該第二電極上，電性連接至該第一發光二極體元件的該第二電極，且具有一主幹部，其中該第二互連圖案之該主幹部在該第一方向上延伸，該第二互連圖案更具有一分支部，該第二互連圖案的該分支部設置在該第一發光二極體元件上，該第二互連圖案的該分支部連接至該第二互連圖案的該主幹部，且該第二互連圖案的該分支部在該第二方向上延伸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中該第二互連圖案之該主幹部在該第二方向上的一寬度小於該第一發光二極體元件之該第二電極在該第二方向上的一寬度。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中該第二互連圖案之該分支部在該第二方向上的一長度大於該第一發光二極體元件之該第二電極在該第二方向上之一寬度的一半。
  14. 一種畫素結構，包括：多個發光二極體元件，設置一基板上方，其中該些發光二極體元件包括一第一發光二極體元件與一第二發光二極體元件，每一發光二極體元件包括一第一電極與一第二電極；一第一互連圖案，設置於該第一發光二極體元件的一第一電極及該第二發光二極體元件的一第一電極上，其中該第一互連圖 案電性連接至該第一發光二極體元件的該第一電極及該第二發光二極體元件的該第一電極，該第一互連圖案用以電性連接至一驅動元件，該第一互連圖案包括：一第一主幹部，配置在該第一發光二極體元件的該第一電極上，且在一第一方向上延伸；以及一第二主幹部，連接該第一主幹部，配置在該第二發光二極體元件的該第一電極上，且在一第二方向上延伸，其中該第一方向與該第二方向交錯，該第一主幹部之在該第一方向上延伸的一部分與該第一發光二極體元件的該第一電極重疊，且該第二主幹部之在該第二方向上延伸的一部分與該第二發光二極體元件的該第一電極重疊；以及一第二互連圖案，設置於該第一發光二極體元件的該第二電極上，電性連接至該第一發光二極體元件的該第二電極，且具有一主幹部，其中該第二互連圖案之該主幹部在該第一方向上延伸；以及一第三互連圖案，設置於該第二發光二極體元件的一第二電極上，電性連接至該第二發光二極體元件的一第二電極，且具有一主幹部，其中該第三互連圖案之該主幹部在該第二方向上延伸，且該第二互連圖案與該第三互連圖案互相電性連接。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的畫素結構，其中該第一發光二極體元件於該基板的一垂直投影具有一面積A，該第一發光二極體元件於該基板的該垂直投影與該第一互連接圖案於該基板的一垂直投影具有一重疊面積A1，該第一發光二極體元件於該 基板的該垂直投影與該第二互連接圖案於該基板的一垂直投影具有一重疊面積A2，而
    Figure 107143901-A0305-02-0027-4
    。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一發光二極體元件的該第一電極與該第二發光二極體元件的該第一電極呈鏡像配置，且該第一發光二極體元件的一第二電極與該第二發光二極體元件的一第二電極呈鏡像配置。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一方向與該第二方向相互垂直。
  18. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一互連圖案之該第二主幹部在該第一方向上的一寬度介於3微米至7微米之間。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10847552B2 (en) * 2018-10-16 2020-11-24 Innolux Corporation Electronic modulating device
TWI722734B (zh) * 2019-12-24 2021-03-21 財團法人工業技術研究院 畫素結構
US11450796B2 (en) * 2020-03-20 2022-09-20 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro light emitting diode display panel
TWI774532B (zh) * 2021-08-24 2022-08-11 友達光電股份有限公司 半導體裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101305475A (zh) * 2005-12-16 2008-11-12 首尔Opto仪器股份有限公司 具有改进的透明电极结构的ac发光二极管
US20160343772A1 (en) * 2014-06-18 2016-11-24 X-Celeprint Limited Micro assembled led displays and lighting elements
CN108447883A (zh) * 2018-02-14 2018-08-24 友达光电股份有限公司 微型发光装置
TWI641126B (zh) * 2017-12-04 2018-11-11 友達光電股份有限公司 畫素結構

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2290715B1 (en) * 2002-08-01 2019-01-23 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same
JPWO2009088084A1 (ja) * 2008-01-11 2011-05-26 ローム株式会社 半導体発光装置
TWI489191B (zh) 2012-09-20 2015-06-21 Au Optronics Corp 畫素結構及薄膜電晶體
TWI647680B (zh) * 2015-04-21 2019-01-11 友達光電股份有限公司 畫素結構及其驅動方法
TWI607548B (zh) 2016-02-05 2017-12-01 Au Optronics Corp 自發光型顯示器
CN108269757B (zh) * 2018-01-29 2021-06-22 厦门乾照光电股份有限公司 被动式驱动阵列led显示面板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101305475A (zh) * 2005-12-16 2008-11-12 首尔Opto仪器股份有限公司 具有改进的透明电极结构的ac发光二极管
US20160343772A1 (en) * 2014-06-18 2016-11-24 X-Celeprint Limited Micro assembled led displays and lighting elements
TWI641126B (zh) * 2017-12-04 2018-11-11 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN108447883A (zh) * 2018-02-14 2018-08-24 友达光电股份有限公司 微型发光装置

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