TW201533891A - 顯示面板及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一顯示面板包括一薄膜電晶體基板、一對向基板以及一顯示層。薄膜電晶體基板之一薄膜電晶體設置具有一汲極。一第一絕緣層具有一第一子層及一第二子層依序設置於汲極上，第一子層具有一第一寬度之一第一開口，第二子層於第一開口上具有一第二寬度之一第二開口，第一開口與第二開口形成一第一通孔，且第二寬度大於第一寬度。一平坦化層設置於第一絕緣層上。一第二絕緣層設置於平坦化層上。一畫素電極層設置於第二絕緣層上，並填入第一通孔而連接汲極。對向基板與薄膜電晶體基板相對設置。顯示層設置於薄膜電晶體基板與對向基板之間。

Description

顯示面板及顯示裝置
本發明關於一種顯示面板及具備該顯示面板之顯示裝置
隨著科技的進步，平面顯示裝置已經廣泛地被運用在各種領域，尤其是液晶顯示裝置，因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優越特性，已經漸漸地取代傳統陰極射線管顯示裝置，而應用至許多種類之電子產品中，例如行動電話、可攜式多媒體裝置、筆記型電腦、液晶電視及液晶螢幕等等。
習知一種液晶顯示裝置包含一薄膜電晶體基板，薄膜電晶體基板具有一薄膜電晶體及一畫素電極設置於一基板上。於製程中，需於薄膜電晶體之汲極的上方以蝕刻方式設置一通孔，並將一透明導電層經由該通孔內壁，以將薄膜電晶體之汲極與畫素電極電性連接。另外，薄膜電晶體之閘極與一掃描線電性連接，而薄膜電晶體之源極與一資料線電性連接。當掃描線將一掃描訊號輸入薄膜電晶體之閘極時，可藉由控制薄膜電晶體而將資料線之資料電壓經由源極、汲極及透明導電層而輸入畫素電極，藉此可控制液晶的轉向而顯示影像。
另外，習知之多晶矽薄膜電晶體具有約100cm2/Vs左右的遷移率，但其必須於450℃以上的溫度下進行製造，因而僅能形成於高耐熱性的基板上，而不適合應用於大面積或可撓性的基板。此外，習知之非晶矽薄膜電晶體雖然能以較低之溫度，約300℃，進行製造，但由於此種非晶矽薄膜電晶體僅具有約1cm2/Vs左右的遷移率，因而無法適用於高精細度之面板。對此，有業者提出以金屬氧化物半導體，例如是氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)，作為薄膜電晶體之通道層。
雖然，氧化銦鎵鋅薄膜電晶體具有優於非晶矽薄膜電晶體之遷移率的優點，且其在製程上也較多晶矽薄膜電晶體的製程簡單，但是氧 化銦鎵鋅對於光、水及氧氣皆十分的敏感。
為了保護薄膜電晶體之通道層，習知技術是於金屬氧化物半導體的通道層上設置一層保護層(材料例如為二氧化矽)來保護通道層。如圖1A所示，其為於金屬氧化物半導體通道層上設置一層保護層後，薄膜電晶體之電特性曲線示意圖。雖然已設置一層保護層來保護通道層，然而，在經過一段時間之後(或經一熱處理之後)，如圖1B所示，薄膜電晶體的特性曲線仍會偏離原來圖1A的曲線，使得薄膜電晶體的效能降低，進而影響顯示面板及顯示裝置的顯示品質。
因此，如何提供一種顯示面板及顯示裝置，可具有穩定的薄膜電晶體效能而使顯示面板及顯示裝置具有穩定的顯示品質，並已成為重要課題之一。
有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種可具有穩定的薄膜電晶體效能而使顯示面板及顯示裝置具有穩定的顯示品質之顯示面板及顯示裝置。
為達上述目的，依據本發明之一種顯示面板包括一薄膜電晶體基板、一對向基板以及一顯示層。薄膜電晶體基板具有一基板、一薄膜電晶體、一第一絕緣層、一平坦化層、一第二絕緣層及一畫素電極層。薄膜電晶體設置於基板上，並具有一汲極。第一絕緣層具有一第一子層及一第二子層依序設置於該汲極上，該第一子層具有一第一寬度之一第一開口，該第二子層於該第一開口上具有一第二寬度之一第二開口，第一開口與第二開口形成一第一通孔，且第二寬度大於第一寬度。平坦化層設置於第一絕緣層上。第二絕緣層設置於平坦化層上。畫素電極層設置於第二絕緣層上，並填入第一通孔而連接汲極。對向基板與薄膜電晶體基板相對設置。顯示層設置於薄膜電晶體基板與對向基板之間。
為達上述目的，依據本發明之一種顯示裝置包括一薄膜電晶體基板、一對向基板、一顯示層以及一背光模組。薄膜電晶體基板具有一基板、一薄膜電晶體、一第一絕緣層、一平坦化層、一第二絕緣層及一畫素電極層，薄膜電晶體設置於基板上，並具有一汲極，第一絕緣層具有一 第一子層及一第二子層依序設置於汲極上，第一子層具有一第一寬度之一第一開口，第二子層於第一開口上具有一第二寬度之一第二開口，第一開口與第二開口形成一第一通孔，且第二寬度大於第一寬度，平坦化層設置於第一絕緣層上，第二絕緣層設置於平坦化層上，畫素電極層設置於第二絕緣層上，並填入第一通孔而連接汲極。對向基板與薄膜電晶體基板相對設置。顯示層設置於薄膜電晶體基板與對向基板之間。背光模組設置於薄膜電晶體基板相對於對向基板之另一側。
承上所述，因依據本發明之顯示面板及顯示裝置中，薄膜電晶體基板之第一絕緣層具有一第一子層及一第二子層，且第一子層與第二子層依序設置於薄膜電晶體之汲極上。其中，第一子層具有第一寬度之第一開口，第二子層於第一開口上具有第二寬度之第二開口，而第一開口與第二開口可形成第一通孔，且第二寬度可大於第一寬度。另外，薄膜電晶體基板之畫素電極層設置於第二絕緣層上，並填入第一通孔而連接汲極。藉此，與習知相較，藉由第一子層及第二子層依序設置於薄膜電晶體之汲極上，使得一段時間之後的薄膜電晶體的效能仍然可維持穩定，進而不會影響到顯示面板及顯示裝置的顯示品質。
另外，在本發明一實施例中，由於第一開口與第二開口所形成之第一通孔與平坦化層之第二通孔在薄膜電晶體基板之基板上的投影是相互重疊，且重疊處的面積可介於4至49平方微米之間。藉此，與習知於較大通孔內蝕刻另一通孔的技術而言，第一通孔與第二通孔之重疊處的面積可較習知技術之通孔面積小，而且不會有於大通孔內對位另一通孔的對位問題。另外，也由於重疊處的面積較習知技術之通孔面積小，故於掃描線上設置黑色矩陣層時，其相對的覆蓋寬度也可以較習知小，故也可提高顯示面板及顯示裝置的畫素開口率。
1、1a‧‧‧薄膜電晶體基板
11‧‧‧閘極介電層
12‧‧‧通道層
13‧‧‧第一絕緣層
131‧‧‧第一子層
132‧‧‧第二子層
14‧‧‧平坦化層
15‧‧‧第二絕緣層
16‧‧‧畫素電極層
18‧‧‧共同電極層
2‧‧‧顯示面板
3‧‧‧顯示裝置
A‧‧‧配向膜
B‧‧‧背光模組
B-B‧‧‧折線
BM‧‧‧黑色矩陣層
C‧‧‧區域
D‧‧‧汲極
E‧‧‧電極層
ES‧‧‧蝕刻終止層
F‧‧‧彩色濾光片
G‧‧‧閘極
L‧‧‧顯示層
O‧‧‧重疊處
O1‧‧‧第一開口
O2‧‧‧第二開口
P1‧‧‧第一側壁
P2‧‧‧第二側壁
S‧‧‧源極
S1‧‧‧基板
S2‧‧‧對向基板
T‧‧‧薄膜電晶體
U‧‧‧凹部
V1‧‧‧第一通孔
V2‧‧‧第二通孔
w1‧‧‧第一寬度
w2‧‧‧第二寬度
w3‧‧‧距離
圖1A為習知一種薄膜電晶體基板中，於薄膜電晶體之通道層上設置一層保護層時，薄膜電晶體的電特性曲線示意圖。
圖1B為圖1A的薄膜電晶體基板中，一段時間後之薄膜電晶體的電特 性曲線示意圖。
圖2A為本發明之一種薄膜電晶體基板的俯視示意圖。
圖2B為圖2A之區域C的放大示意圖。
圖2C為圖2B之折線B-B剖視示意圖。
圖2D為圖2C之局部放大示意圖。
圖2E為另一實施態樣之薄膜電晶體基板的剖視示意圖。
圖3A至圖3D繪示圖2C之通孔的製造方法示意圖。
圖4為資料線及掃描線與重疊處之相對示意圖。
圖5A為本發明較佳實施例之薄膜電晶體基板中，於薄膜電晶體之通道層上設置第一子層及第二子層時，薄膜電晶體的電特性曲線示意圖。
圖5B為圖5A的薄膜電晶體基板中，一段時間後之薄膜電晶體的電特性曲線示意圖。
圖6為本發明較佳實施例之一種顯示面板之剖視示意圖。
圖7為本發明較佳實施例之一種顯示裝置的剖視示意圖。
以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之顯示面板及顯示裝置，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
本發明較佳實施例之顯示面板為一主動矩陣式(active matrix)液晶顯示面板，並包括一薄膜電晶體基板1，以下，先詳細介紹薄膜電晶體基板1之結構。
請參照圖2A至圖2D所示，其中，圖2A為薄膜電晶體基板1的俯視示意圖，圖2B為圖2A之區域C的放大示意圖，圖2C為圖2B之折線B-B剖視示意圖，而圖2D為圖2C之局部放大示意圖。需特別注意的是，為了方便說明，圖2A至圖2D所顯示之各元件的高度及寬度的尺寸關係(比例)僅為示意，並不代表實際的尺寸關係。
如圖2A所示，薄膜電晶體基板1可具有複數條掃描線、複數條資料線及複數畫素(圖2A只繪出二條掃描線及四條資料線)。其中，該等掃描線及該等資料線可呈交錯設置以形成該等畫素陣列。當該等掃描 線接收一掃描訊號時可分別使該等掃描線導通，並將對應每一行畫素之一資料訊號藉由該等資料線傳送至該等畫素，使顯示面板可顯示畫面。於圖2A中，顯示的資料線是分別呈一折線，不過，在其它的佈局中，資料線也可分別呈一直線或其它形狀。另外，薄膜電晶體基板1更可具有一黑色矩陣層BM，黑色矩陣層BM設置於掃描線之上，用以遮蔽掃描線的區域，並防止畫素的漏光。當然，黑色矩陣層BM也可以設置於液晶顯示面板之一對向基板上。於此是以黑色矩陣層BM設置於薄膜電晶體基板1為例。
如圖2C所示，薄膜電晶體基板1具有一基板S1、一薄膜電晶體T、一第一絕緣層13(圖2D所示)、一平坦化層14、一第二絕緣層15、一畫素電極層16及一共同電極層18。
薄膜電晶體T設置於基板S1上。在實施上，基板S1可為一可透光之材質，用於穿透式顯示裝置，例如是玻璃、石英或類似物、塑膠、橡膠、玻璃纖維或其他高分子材料，較佳的可為一硼酸鹽無鹼玻璃基板(alumino silicate glass substrate)。基板S1亦可為一不透光之材質，用於自發光或反射式顯示裝置，例如是金屬-玻璃纖維複合板、金屬-陶瓷複合板。
本實施例之薄膜電晶體T具有一閘極G、一閘極介電層11、一通道層12、一源極S及一汲極D。閘極G設置於基板S1上，且閘極G之材質可為金屬(例如為鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。部分用以傳輸驅動訊號之導線，可以使用與閘極G同層且同一製程之結構，彼此電性相連，例如掃描線。閘極介電層11設置於閘極G上，且閘極介電層11可為有機材質例如為有機矽氧化合物，或無機材質例如為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質之多層結構。閘極介電層11需完整覆蓋閘極G，並可選擇部分或全部覆蓋基板S1。
通道層12相對閘極G位置設置於閘極介電層11上。在實施上，通道層12例如可包含一氧化物半導體。其中，前述之氧化物半導體包括氧化物，且氧化物包括銦、鎵、鋅及錫其中之一，例如為氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)。
源極S與汲極D分別設置於通道層12上，且源極S和汲極 D分別與通道層12接觸，於薄膜電晶體T之通道層12未導通時，兩者電性分離。其中，源極S與汲極D之材質可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。此外，部分用以傳輸驅動訊號之導線，可以使用與源極S與汲極D同層且同一製程之結構，例如資料線。
值得一提的是，本實施例之薄膜電晶體T之源極S與汲極D是設置於一蝕刻終止(etch stop)層ES上，且源極S與汲極D之一端可分別自蝕刻終止層ES之開口與通道層12接觸。其中，蝕刻終止層ES可為有機材質例如為有機矽氧化合物，或單層無機材質例如氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質組合之多層結構，並不限定。不過，在其他的實施態樣中，如圖2E所示，也可將源極S與汲極D直接設置於通道層12上，而不需蝕刻終止層ES。
另外，請再參照圖2B至圖2D所示，第一絕緣層13具有一第一子層131及一第二子層132，第一子層131及第二子層132依序設置於汲極D上，並至少覆蓋部分汲極D。於此，第一子層131設置於汲極D上，並具有一第一寬度w1之一第一開口O1，而第二子層132具有一第二寬度w2之一第二開口O2位於第一開口O1上。其中，第一開口O1與第二開口O2可形成一第一通孔V1，且第二寬度w2大於第一寬度w1。換言之，由於第二子層132之第二開口O2大於第一子層131之第一開口O2，使得第一絕緣層13(第一子層131及第二子層132)之第一通孔V1為一階梯狀。
第一子層131及第二子層132可使用沉積率例如小於3Å/秒的厚度來形成。其中，第一子層131的材料可包含氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。本實施例是以二氧化矽(SiO2)為例，而其厚度可介於1000埃(Å)至3000埃之間(1000Å≦厚度≦3000Å)，較佳者例如為1000Å。另外，第二子層132的材料可包含氮化矽或氧化鋁(AlxOx)。本實施例是以氮化矽為例，且其厚度可介於100Å至2000Å之間(100Å≦厚度≦2000Å)。其中，第二子層132的較佳厚度為300Å至500Å之間。
於實際中，可以蝕刻製程於第一子層131與第二子層132分別蝕刻出開口O1、O2，由於第二子層132(氮化矽)被蝕刻掉較多，而第一子層131(氧化矽)被蝕刻掉較少，故可使第一通孔V1呈現階梯狀。 另外，於本實施例中，第一子層131具有一斜面，且第二子層132亦具為一斜面。另外，本實施例之第一子層131的第一寬度w1為第一開口O1中寬度最小者，且第二子層132的第二寬度w2亦為第二開口O2中寬度最小者。此外，第一子層131之一側邊緣與第二子層132之同一側邊緣之距離w3可例如為0.1微米(μm)至0.5微米之間(0.1μm≦距離w3≦0.5μm)。
平坦化層14設置於第一絕緣層13上，並於汲極D之上具有一第二通孔V2，且第一通孔V1與第二通孔V2的尺寸可為相同或不相同，並不加以限制。於此，第一通孔V1及第二通孔V2的俯視形狀分別以四方形為例。其中，第一通孔V1與第二通孔V2是部分重疊並形成一重疊處O，也就是說，第一開口O1與第二開口O2所形成之第一通孔V1與平坦化層14之第二通孔V2在薄膜電晶體基板1之基板S1上的投影至少部分為相互重疊，且重疊處O的面積可介於4至49平方微米之間。
另外，第一通孔V1與第二通孔V2之重疊處O的面積與第一通孔V1之面積比例可介於0.14~0.78之間，而第一通孔V1與第二通孔V2之重疊處O的面積與第二通孔V2之面積比例亦可介於0.14~0.78之間，於此，面積可以剖面面積或投影的面積來作說明，例如該重疊處O的面積為9平方微米，第一通孔V1的面積為36平方微米。相較於習知於較大通孔內蝕刻另一通孔的技術而言，第一通孔V1與第二通孔V2重疊處O的面積較習知技術之通孔面積小，且不會有於大通孔內對位另一通孔的對位問題。另外，也由於重疊處O的面積較習知技術之通孔面積小，故於掃描線上設置黑色矩陣層BM時，其相對的覆蓋寬度也可以較習知小，故可提高顯示面板的畫素開口率。特別注意的是，第一通孔V1與第二通孔V2之重疊處O的尺寸介於2至8微米之間，以利於後續的製程。
以下，請參照圖3A至圖3D所示，於此，先說明圖2C之通孔的製造方法。
首先，如圖3A所示，依序在源極S與汲極D上沉積第一絕緣層13及平坦化層14。其中，第一絕緣層13具有一第一子層131及一第二子層132。
接著，如圖3B所示，以一光罩(未繪示)進行微影蝕刻製 程，在平坦化層14上形成第二通孔V2，並暴露第一絕緣層13。
再來，如圖3C所示，形成第二絕緣層15覆蓋第一絕緣層13及平坦化層14。
然後，如圖3D所示，以一光罩對第二絕緣層15及第一絕緣層13進行微影蝕刻製程，形成第一通孔V1以暴露汲極D。
第一通孔V1與第二通孔V2的形狀可例如分別包含多邊形、圓形橢圓形或不規則形。第一通孔V1與第二通孔V2的重疊情況較佳者為第一通孔V1與第二通孔V2均為矩形，且第一通孔V1與第二通孔V2的重疊處O在中央部位。如此一來，較不會有習知之大通孔內對位小通孔的問題，進而不會影響後續製程中，透明導電層之電性導通(若對位不佳，可能會影響透明導電層的設置，進而影響汲極及畫素電極之電性連接)。
請再參照圖2C所示，第二絕緣層15設置於平坦化層14上，而畫素電極層16設置於第二絕緣層15上，於此，畫素電極層16是呈梳狀。另外，畫素電極層16填入第一開口O1與第二開口O2所形成之第一通孔V1與第二通孔V2內，並可經由第一通孔V1及第二通孔V2之重疊處O而電性連接汲極D。其中，畫素電極層16的材質例如可為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎘錫氧化物(CTO)、氧化錫(SnO2)、或氧化鋅(ZnO)等透明導電材料。
特別一提的是，於習知技術蝕刻絕緣層時，通孔的側壁容易產生直角或倒角而有斷差存在，故於通孔內設置透明導電層時，將容易產生斷線情況而影響良率。但第一通孔V1與第二通孔V2之重疊處O之第一側壁P1中，填入重疊處O之畫素電極層16的其中一部分位於第一側壁P1，且與平坦化層14直接接觸(如圖2C之通孔的右側壁所示)。另外，本實施例之第一通孔V1與第二通孔V2之重疊處O之第二側壁P2中，填入重疊處O之第二絕緣層15的其中一部分位於第二側壁P2且與平坦化層14直接接觸(如圖2C之通孔的左側壁所示)，第二側壁P2之第二絕緣層15可使位於平坦化層14之上下的絕緣層(第二子層132與第二絕緣層15)連接起來，故斷差可能產生的數量相對於習知技術少，且一般平坦層15蝕刻後較為平緩，此兩種側壁不同的層疊關係，使得設置畫素電極層16時，其斷線 的機率也相對較小，間接可提高製程的良率。
此外，共同電極層18設置於平坦化層14與第二絕緣層15之間。再一提的是，在其它的實施態樣中，如圖4所示，由於第一通孔V1與第二通孔V2之重疊處O的面積較習知技術的通孔小，故掃描線於鄰近資料線之相交處可具有一凹部U(凹部U的掃描線被挖空)，且凹部U可對應設置於第一通孔V1與第二通孔V2之重疊處O(圖4只顯示第一通孔V1與第二通孔V2之重疊處O的部分，並未顯示第一通孔V1與第二通孔V2的俯視形狀)。如上所述，由於第一通孔V1與第二通孔V2之重疊處O的面積較習知技術的通孔小，所以掃描線上凹部U不會太大而使掃描線產生斷線，而只會造成具有凹部U處之掃描線的線寬較小，故可藉此降低掃描線與資料線之間的耦合電容。
請參照圖5A及圖5B所示，其中，圖5A為本發明較佳實施例之薄膜電晶體基板1中，於薄膜電晶體T之通道層12上設置第一子層131及第二子層132時，薄膜電晶體T的電特性曲線示意圖，而圖5B為圖5A的薄膜電晶體基板1中，一段時間後之薄膜電晶體T的電特性曲線示意圖。其中，圖5A及圖5B係以4種不同的量測條件所得到薄膜電晶體T的4條特性曲線。
由圖5A及圖5B可發現，藉由第一子層131及第二子層132的設置，經過一段時間後與習知相較，圖5B的曲線變化相對於圖1B而言小了很多。另外，圖5B的曲線變化相對於圖5A而言差異並不太。換言之，藉由第一子層131及第二子層132依序設置於薄膜電晶體T之汲極D及通道層12上，可使薄膜電晶體T的效能維持穩定，進而不會影響到顯示面板及顯示裝置的顯示品質。
接著，請參照圖6所示，其為本發明較佳實施例之一種顯示面板2之剖視示意圖。
顯示面板2包括一薄膜電晶體基板1、一對向基板S2及一顯示層L。
對向基板S2與薄膜電晶體基板1相對設置，並可選擇性地具有一電極層E及一配向膜A。其中，對向基板S2可為一可透光之材質， 例如是玻璃、石英或類似物。在實際運用時，薄膜電晶體基板1之基板S1與對向基板S2可選用不同之材質，例如是對向基板S2使用鉀玻璃基板，而基板S1使用硼酸鹽無鹼玻璃基板。此外，電極層E是設置於對向基板S2面對薄膜電晶體基板1之一側，而配向膜A則設置於電極層E之下。另外，對向基板S2與電極層E之間亦可挿入一彩色濾光片F以作為彩色化顯示之用。此外，顯示層L設置於薄膜電晶體基板1與對向基板S2之間，其中，顯示層可為液晶層或有機發光層。薄膜電晶體基板1已於上述中詳述，於此不再贅述。當然，薄膜電晶體基板1也可以圖2E之薄膜電晶體基板1a來取代。
另外，請參照圖7所示，其為本發明較佳實施例之一種顯示裝置3的剖視示意圖。
顯示裝置3包含一顯示面板2及一背光模組B。而顯示面板2包含一薄膜電晶體基板1、一對向基板S2及一顯示層L。薄膜電晶體基板1已於上述中詳述，於此不再贅述。
對向基板S2與薄膜電晶體基板1相對設置，並可擇性地具有一電極層E及一配向膜A。其中，對向基板S2可為一可透光之材質，例如是玻璃、石英或類似物。在實際運用時，薄膜電晶體基板1之基板S1與對向基板S2可選用不同之材質，例如是對向基板S2使用鉀玻璃基板，而基板S1使用硼酸鹽無鹼玻璃基板。此外，電極層E是設置於對向基板S2面對薄膜電晶體基板1之一側，而配向膜A則設置於電極層E之下。另外，對向基板S2與電極層E之間亦可插入一彩色濾光片F以作為彩色化顯示之用。此外，顯示層L設置於薄膜電晶體基板1與對向基板S2之間。需特別注意的是，圖6及圖7之薄膜電晶體T之源極S與汲極D設置於蝕刻終止層ES上，且源極S與汲極D之一端分別自蝕刻終止層ES之開口與通道層12接觸。其中，蝕刻終止層ES可為有機材質例如為有機矽氧化合物，或單層無機材質如氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質組合之多層結構。不過，在其他的實施態樣中，也可將源極S與汲極D直接設置於通道層12上，並與通道層12接觸。
此外，背光模組B設置於薄膜電晶體基板1相對於對向基 板S2之另一側，並發出光線，使光線自薄膜電晶體基板1之基板S1通過顯示層L，再由對向基板S2射出。值得注意的是，在此實施例中，顯示層L為液晶層，故搭配背光模組B，若顯示層L為有機發光層，則不需搭配背光模組B。
綜上所述，因依據本發明之顯示面板及顯示裝置中，薄膜電晶體基板之第一絕緣層具有一第一子層及一第二子層，且第一子層與第二子層依序設置於薄膜電晶體之汲極上。其中，第一子層具有第一寬度之第一開口，第二子層於第一開口上具有第二寬度之第二開口，而第一開口與第二開口可形成第一通孔，且第二寬度可大於第一寬度。另外，薄膜電晶體基板之畫素電極層設置於第二絕緣層上，並填入第一通孔而連接汲極。藉此，與習知相較，藉由第一子層及第二子層依序設置於薄膜電晶體之汲極上，使得一段時間之後的薄膜電晶體的效能仍然可維持穩定，進而不會影響到顯示面板及顯示裝置的顯示品質。
另外，在本發明一實施例中，由於第一開口與第二開口所形成之第一通孔與平坦化層之第二通孔在薄膜電晶體基板之基板上的投影為相互重疊，且重疊處的面積可介於4至49平方微米之間。藉此，與習知於較大通孔內蝕刻另一通孔的技術而言，第一通孔與第二通孔之重疊處的面積可較習知技術之通孔面積小，而且不會有於大通孔內對位另一通孔的對位問題。另外，也由於重疊處的面積較習知技術之通孔面積小，故於掃描線上設置黑色矩陣層時，其相對的覆蓋寬度也可以較習知小，故也可提高顯示面板及顯示裝置的畫素開口率。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
1‧‧‧薄膜電晶體基板
11‧‧‧閘極介電層
12‧‧‧通道層
13‧‧‧第一絕緣層
131‧‧‧第一子層
132‧‧‧第二子層
14‧‧‧平坦化層
15‧‧‧第二絕緣層
16‧‧‧畫素電極層
D‧‧‧汲極
ES‧‧‧蝕刻終止層
G‧‧‧閘極
O1‧‧‧第一開口
O2‧‧‧第二開口
P1‧‧‧第一側壁
P2‧‧‧第二側壁
S1‧‧‧基板
T‧‧‧薄膜電晶體
w1‧‧‧第一寬度
w2‧‧‧第二寬度
w3‧‧‧距離

Claims (20)

  1. 一種顯示面板，包括：一薄膜電晶體基板，具有：一基板；一薄膜電晶體，設置於該基板上，並具有一汲極；一第一絕緣層，具有一第一子層及一第二子層依序設置於該汲極上，該第一子層具有一第一寬度之一第一開口，該第二子層於該第一開口上具有一第二寬度之一第二開口，該第一開口與該第二開口形成一第一通孔，且該第二寬度大於該第一寬度；一平坦化層，設置於該第一絕緣層上一第二絕緣層，設置於該平坦化層上；及一畫素電極層，設置於該第二絕緣層上，並填入該第一通孔而連接該汲極；一對向基板，與該薄膜電晶體基板相對設置；以及一顯示層，設置於該薄膜電晶體基板與該對向基板之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二子層的材料為氮化矽或氧化鋁。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二子層的厚度介於100埃至2000埃之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該平坦化層於該汲極之上具有一第二通孔，該第一通孔與該第二通孔部分重疊而形成一重疊處，且該重疊處之面積小於該第一通孔之面積。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該畫素電極層更填入該重疊處而連接該汲極，且該重疊處的尺寸介於2至8微米之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一子層的材料為氧化矽。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一子層之一側的邊緣與該第二子層之同一側的邊緣之距離介於0.1至0.5微米之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板，其中該通道層的材料為氧化物半導體。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該重疊處的面積與該第一通孔之面積比例介於0.14~0.78之間。
  10. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該薄膜電晶體更具有一掃描線，該掃描線具有一凹部，該凹部與該重疊處對應設置。
  11. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該重疊處具有一第一側壁，填入該重疊處之該畫素電極層的其中一部分位於該第一側壁，且與該平坦化層直接接觸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中該重疊處更具有一第二側壁，填入該重疊處之該第二絕緣層的其中一部分位於該第二側壁，且與該平坦化層直接接觸。
  13. 一種顯示裝置，包括：一薄膜電晶體基板，具有一基板、一薄膜電晶體、一第一絕緣層、一平坦化層、一第二絕緣層及一畫素電極層，該薄膜電晶體設置於該基板上，並具有一汲極，該第一絕緣層具有一第一子層及一第二子層依序設置於該汲極上，該第一子層具有一第一寬度之一第一開口，該第二子層於該第一開口上具有一第二寬度之一第二開口，該第一開口與該第二開口形成一第一通孔，且該第二寬度大於該第一寬度，該平坦化層設置於該第一絕緣層上，該第二絕緣層設置於該平坦化層上，該畫素電極層設置於該第二絕緣層上，並填入該第一通孔而連接該汲極；一對向基板，與該薄膜電晶體基板相對設置；一顯示層，設置於該薄膜電晶體基板與該對向基板之間；以及一背光模組，設置於該薄膜電晶體基板相對於該對向基板之另一側。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，其中該第二子層的材料為氮化矽或氧化鋁。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，其中該第二子層的厚度介於100埃至2000埃之間。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，其中該平坦化層於該汲極之上具有一第二通孔，該第一通孔與該第二通孔部分重疊而形成一重疊處，且該重疊處之面積小於該第一通孔之面積。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該畫素電極層更填入該重疊處而連接該汲極，且該重疊處的尺寸介於2至8微米之間。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，其中該第一子層之一側的邊緣與該第二子層之同一側的邊緣之距離介於0.1至0.5微米之間。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該重疊處具有一第一側壁，填入該重疊處之該畫素電極層的其中一部分位於該第一側壁，且與該平坦化層直接接觸。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之顯示裝置，其中該重疊處更具有一第二側壁，填入該重疊處之該第二絕緣層的其中一部分位於該第二側壁，且與該平坦化層直接接觸。
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