JP2001154220A - アクティブマトリクス基板およびそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた特性の容量素子を有し、良品率の高い
アクティブマトリクス基板およびそれを用いた液晶表示
装置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板２１は、ガラ
ス基板２２上に互いに平行に間隔をあけて複数のゲート
ラインを設け、ゲートラインとは直交しかつ絶縁性を保
持し互いに間隔をあけて複数のソースラインを設け、該
ラインの交差によって形成される複数の矩形領域にＴＦ
Ｔ素子２３をそれぞれ設け、基板２２上に前記ラインと
ＴＦＴ素子２３とを覆ってコンタクトホール２５を有す
る層間絶縁層（第１の絶縁層）２４を設け、絶縁層２４
上に矩形領域毎に画素電極２６と補助容量素子２７とを
設けて構成される。補助容量素子２７は絶縁層２４上に
下部電極２８、無機絶縁膜３０と有機絶縁膜３１とを積
層して構成される層間絶縁層（第２の絶縁層）２９およ
び画素電極２６である上部電極をこの順番に積層して構
成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、上部電極と下部電
極とこれらの間の絶縁層とで構成される補助容量素子を
有するアクティブマトリクス基板およびそれを用いた液
晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４は、特開平５−８８１９９号公報に
記載の液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス
基板１の断面図である。アクティブマトリクス基板１
は、ガラス基板などの絶縁性基板２の上に、スイッチン
グ素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子３、補助
容量素子４および画素電極１５を備える。絶縁性基板２
の上には、複数のゲートラインと複数のソースラインと
が互いに直交し絶縁性を保持して配設される。複数のゲ
ートラインは互いに間隔をあけて平行に配設され、複数
のソースラインも互いに間隔をあけて平行に配設され
る。ＴＦＴ素子３、補助容量素子４および画素電極１５
は、ゲートラインとソースラインとが直交することによ
って形成される矩形領域毎に設けられる。

【０００３】ＴＦＴ素子３は、絶縁性基板２の上に形成
されるゲート電極５、該ゲート電極５を覆って基板２の
上に形成される無機材料から成るゲート絶縁膜６、ゲー
ト電極５の上のゲート絶縁膜６の上に順次積層して形成
されるａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜７および半
導体保護膜８、ａ−Ｓｉ膜７および半導体保護膜８を覆
って互いに間隔をあけて形成されるＮ＋型ａ−Ｓｉ膜
９，１０、ゲート絶縁膜６およびＮ＋型ａ−Ｓｉ膜９を
覆って形成されるソース電極１１、およびゲート絶縁膜
６およびＮ＋型ａ−Ｓｉ膜１０を覆って形成されるドレ
イン電極１２で構成される。

【０００４】補助容量素子４は、絶縁性基板２の上に形
成される下部電極１３、下部電極１３を覆って基板２の
上に形成される無機材料から成る前記ゲート絶縁膜６、
下部電極１３の上のゲート絶縁膜６の上に形成される有
機絶縁膜１４および有機絶縁膜１４の上に形成される画
素電極１５である上部電極で構成される。

【０００５】ゲート絶縁膜６のピンホールを埋めるため
に設けられる有機絶縁膜１４は、画素電極１５の下に画
素電極１５とほぼ同じ大きさに形成される。また、ゲー
ト絶縁膜６はゲート電極５および下部電極１３をともに
覆って基板２の上に形成される。このため、ゲート絶縁
膜６の一部は有機絶縁膜１４で覆われておらず、前記ド
レイン電極１２はゲート絶縁膜６の有機絶縁膜１４で覆
われていない部分および画素電極１５の一部分を覆って
形成される。したがって、ゲート絶縁膜６の有機絶縁膜
６で覆われていない部分にピンホールが発生している
と、ドレイン電極１２と画素電極１５との電気的接続が
確実に成されず、アクティブマトリクス基板１や該基板
１を用いた液晶表示装置の良品率が低下する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た特性の容量素子を有し、良品率の高いアクティブマト
リクス基板およびそれを用いた液晶表示装置を提供する
ことである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、スイッチング
素子と、下部電極、絶縁層および上部電極をこの順番に
積層して構成される補助容量素子と、を有するアクティ
ブマトリクス基板において、前記絶縁層が無機絶縁膜上
に有機絶縁膜を積層して構成されることを特徴とするア
クティブマトリクス基板である。

【０００８】本発明に従えば、アクティブマトリクス基
板はスイッチング素子と補助容量素子とを有し、補助容
量素子は下部電極、無機絶縁膜、有機絶縁膜および上部
電極をこの順番に積層して構成される。本発明のアクテ
ィブマトリクス基板では、下部電極と上部電極との間に
設けられる絶縁層が下層の無機絶縁膜と上層の有機絶縁
膜との２層構造を有する。有機絶縁膜材料を硬化前の粘
性の有る状態で無機絶縁膜上に形成した後、硬化するこ
とによって、無機絶縁膜のピンホールが有機絶縁膜で覆
われる。したがって、上部電極と下部電極との絶縁性を
確実に保持することができ、優れた特性の補助容量素子
を実現することができて、アクティブマトリクス基板の
良品率を向上することができる。

【０００９】また本発明は、絶縁性基板と、絶縁性基板
上に互いに平行に間隔をあけて設けられる複数のゲート
ラインと、ゲートラインとは直交しかつ絶縁性を保持
し、互いに間隔をあけて設けられる複数のソースライン
と、ゲートおよびソースラインが交差することによって
形成される複数の矩形領域にそれぞれ設けらるスイッチ
ング素子と、コンタクトホールを有し、絶縁性基板上に
ゲートライン、ソースラインおよびスイッチング素子を
覆って設けられる第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に前
記矩形領域毎に設けられ、前記コンタクトホールを介し
てスイッチング素子と電気的に接続される画素電極と、
第１の絶縁層上に前記矩形領域毎に設けられる補助容量
素子と、を備え、前記補助容量素子は、第１の絶縁層上
に下部電極、第２の絶縁層および前記画素電極である上
部電極をこの順番に積層して構成されるアクティブマト
リクス基板において、前記第２の絶縁層が無機絶縁膜上
に有機絶縁膜を積層して構成されることを特徴とするア
クティブマトリクス基板である。

【００１０】本発明に従えば、アクティブマトリクス基
板を構成する絶縁性基板上には、ゲートおよびソースラ
インによって形成される矩形領域毎に、スイッチング素
子、画素電極および補助容量素子が設けられる。画素電
極および補助容量素子は、第１の絶縁層を介してスイッ
チング素子上に設けられる。画素電極とスイッチング素
子との電気的接続は、第１の絶縁層に設けられたコンタ
クトホールを介して両者が接触することによって成され
る。補助容量素子は、第１の絶縁層上に下部電極、無機
絶縁膜、有機絶縁膜および画素電極である上部電極をこ
の順番に積層して構成される。本発明のアクティブマト
リクス基板では、下部電極と上部電極との間に設けられ
る第２の絶縁層が下層の無機絶縁膜と上層の有機絶縁膜
との２層構造を有する。有機絶縁膜材料を硬化前の粘性
の有る状態で無機絶縁膜上に形成した後、硬化すること
によって、無機絶縁膜のピンホールが有機絶縁膜で覆わ
れる。したがって、上部電極と下部電極との絶縁性を確
実に保持することができ、優れた特性の補助容量素子を
実現することができて、アクティブマトリクス基板の良
品率を向上することができる。

【００１１】また本発明は、前記有機絶縁膜によって無
機絶縁膜の端面が覆われることを特徴とする。

【００１２】本発明に従えば、特に、下層の無機絶縁膜
の端面が上層の有機絶縁膜で覆われるので、無機絶縁膜
の端面のピンホールもが有機絶縁膜で覆われる。したが
って、上部電極と下部電極との絶縁性をさらに確実に保
持することができ、優れた特性の補助容量素子を実現す
ることができて良品率をさらに向上することができる。

【００１３】また本発明は、前記画素電極である上部電
極によって有機絶縁膜を挟んで無機絶縁膜の端面が覆わ
れることを特徴とする。

【００１４】本発明に従えば、特に、下層の無機絶縁膜
の端面が上層の有機絶縁膜で覆われ、さらに該有機絶縁
膜を挟んで無機絶縁膜の端面が上部電極で覆われる。し
たがって、さらに優れた特性の補助容量素子を実現する
ことができる。

【００１５】また本発明は、前記有機絶縁膜がイミド
基、アミド基またはアクリル基を有する高分子化合物か
ら成ることを特徴とする。

【００１６】本発明に従えば、補助容量素子の下部およ
び上部電極間に設けられる第２の絶縁層の膜厚は補助容
量素子の負荷容量の低減のために厚い方が好ましく、上
述のイミド基、アミド基またはアクリル基を有する高分
子化合物を用いることによって厚膜の有機絶縁膜を形成
することができる。

【００１７】また本発明は、前記下部電極および画素電
極である上部電極が透明導電膜から成ることを特徴とす
る。

【００１８】本発明に従えば、たとえばガラスなどの透
光性を有する基板で実現される絶縁性基板の上に透明導
電膜で実現される下部電極および画素電極である上部電
極を形成することによって、透過型のアクティブマトリ
クス基板を実現することができる。

【００１９】また本発明は、上述のうちのいずれかのア
クティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板
の画素電極側に所定の間隔をあけて対向して配置される
対向基板と、アクティブマトリクス基板と対向基板との
間に介在される液晶層と、を備えることを特徴とする液
晶表示装置である。

【００２０】本発明に従えば、優れた特性の補助容量素
子を有する液晶表示装置を実現することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態で
あるアクティブマトリクス基板２１の断面図である。ア
クティブマトリクス基板２１は、絶縁性基板であるガラ
ス基板２２、ガラス基板２２の上に互いに平行に間隔を
あけて設けられる複数のゲートライン、ゲートラインと
は直交しかつ絶縁性を保持し、互いに間隔をあけて設け
られる複数のソースライン、ゲートおよびソースライン
が交差することによって形成される複数の矩形領域にそ
れぞれ設けられるスイッチング素子であるＴＦＴ素子２
３、ガラス基板２２の上にゲートライン、ソースライン
およびＴＦＴ素子２３を覆って設けられ、コンタクトホ
ール２５を有する層間絶縁層（第１の絶縁層）２４、層
間絶縁層２４の上に前記矩形領域毎に設けられ、前記コ
ンタクトホール２５を介してＴＦＴ素子２３に電気的に
接続される画素電極２６、および層間絶縁層２４の上に
前記矩形領域毎に設けられる補助容量素子２７を備え
る。補助容量素子２７は層間絶縁層２４上に下部電極２
８、層間絶縁層（第２の絶縁層）２９および前記画素電
極２６である上部電極をこの順番に積層して構成され
る。本形態のアクティブマトリクス基板２１では、特
に、補助容量素子２７を構成する層間絶縁層２９が無機
絶縁膜３０上に有機絶縁膜３１を積層して構成される。
以下、アクティブマトリクス基板２１の構成を製造方法
に沿って説明する。

【００２２】まず、ガラス基板２２の上にシリコン層を
形成し、該シリコン層を固相成長法またはレーザ照射法
によって多結晶化した後、所定の形状にパターニングす
ることによって、５０ｎｍの厚みのアモルファスシリコ
ン半導体層３２を形成する。次に、アモルファスシリコ
ン半導体層３２を覆ってゲート絶縁膜３３を形成する。
ゲート絶縁膜３３は、化学気相成長法によって形成され
た１００ｎｍの厚みの二酸化シリコン膜で実現される。

【００２３】続いて、ゲート絶縁膜３３の上にスパッタ
リング法によって４００ｎｍの厚みのアルミニウム膜を
形成し、フォトリソグラフィ法によって所定の形状にパ
ターニングして、ゲート電極３４を形成する。なお、ゲ
ート電極３４の表面は陽極酸化法によって酸化される。
次に、ゲート絶縁膜３３のソース部およびドレイン部に
不純物をドーピングし、レーザ照射によって活性化した
後、ゲート電極３４を覆って層間絶縁膜３５を形成す
る。ゲート電極３４と後述するソース電極およびドレイ
ン電極との間の層間絶縁膜３５は、化学気相成長法によ
って無機材料である二酸化シリコンを堆積することによ
って形成される。また、層間絶縁膜３５にはフォトリソ
グラフィ法によってコンタクトホール３６，３７が形成
される。

【００２４】次に、層間絶縁膜３５を覆ってスパッタリ
ング法によってアルミニウムとチタンとを８００ｎｍの
厚みに堆積し、所定の形状にパターニングすることによ
って、コンタクトホール３６を覆うソース電極３８と、
コンタクトホール３７を覆うドレイン電極３９とを形成
する。次に、ソースおよびドレイン電極３８，３９を覆
って化学気相成長法によって窒化シリコンを３３０ｎｍ
の厚みに堆積することによって、保護膜４０を形成す
る。また、ドレイン電極３９の上の保護膜４０には、フ
ォトリソグラフィ法によって約７μｍ四方の大きさのコ
ンタクトホール４１が形成される。

【００２５】続いて、保護層４０を覆ってスピンコーテ
ィング法によって有機材料であるアクリル樹脂を２μｍ
の厚みに塗布し硬化して、層間絶縁層２４を形成する。
次に、層間絶縁層２４の上にスパッタリング法によって
無機材料である二酸化シリコンを１００ｎｍの厚みに堆
積して、絶縁膜４２を形成する。次に、絶縁膜４２の上
にスパッタリング法によってインジウム酸化錫を１１５
ｎｍの厚みに堆積して、下部電極２８を形成する。な
お、下部電極２８には、フォトリソグラフィ法によって
約１２μｍ四方の大きさのコンタクトホール４３が形成
される。

【００２６】次に、下部電極２８を覆ってスパッタリン
グ法によって二酸化シリコンを２００ｎｍの厚みに堆積
して、無機絶縁膜３０を形成する。なお、絶縁膜４２と
無機絶縁膜３０とには、無機絶縁膜３０の上にレジスト
マスクを形成した後、両者を一括してドライエッチング
することによって、約８μｍ四方の大きさのコンタクト
ホール４４が形成される。また、二酸化シリコンから成
る無機絶縁膜３０の形成はスパッタリング法に限るもの
ではなく、たとえば層間絶縁層２４が耐熱性に優れる場
合、化学気相成長法によって形成しても構わない。

【００２７】次に、無機絶縁膜３０の上にスピンコーテ
ィング法によってアクリル樹脂を３００ｎｍの厚みに塗
布し硬化して、有機絶縁膜３１を形成する。なお、層間
絶縁層２４および有機絶縁膜３１には、フォトリソグラ
フィ法によってコンタクトホール２５の形成部に約３μ
ｍ四方の大きさの開口部を有するレジストマスクを形成
し、四弗化炭素および酸素などのガスを用いたドライエ
ッチング法によって一括的にエッチングして、コンタク
トホール２５が形成される。

【００２８】最後に、有機絶縁膜３１およびコンタクト
ホール２５を覆ってスパッタリング法によってインジウ
ム酸化錫を１１５ｎｍの厚みに形成し、所定の形状にパ
ターニングすることによって、画素電極２６である上部
電極を形成する。以上のようにして、アクティブマトリ
クス基板２１が完成する。

【００２９】本形態のアクティブマトリクス基板２１で
は、下部電極２８と画素電極２６である上部電極との間
に設けられる層間絶縁層（第２の絶縁層）２９が下層の
無機絶縁膜３０と上層の有機絶縁膜３１との２層構造を
有する。有機絶縁膜材料を硬化前の粘性の有る状態で無
機絶縁膜３０の上に形成した後、硬化することによっ
て、無機絶縁膜３０のピンホールを有機絶縁膜３１で覆
うことができる。したがって、画素電極２６である上部
電極と下部電極２８との絶縁性を確実に保持することが
でき、優れた特性の補助容量素子２７を実現することが
でき、アクティブマトリクス基板２１の良品率を向上す
ることができる。

【００３０】図２は、前記アクティブマトリクス基板２
１を用いた液晶表示装置５１の断面図である。液晶表示
装置５１は、上述のアクティブマトリクス基板２１、対
向基板５２および液晶層５５を備える。対向基板５２
は、絶縁性基板としてのガラス基板５３の上に対向電極
５４を形成して構成される。基板２１，５２は、画素電
極２６と対向電極５４とを内方側として、所定の間隔を
あけて対向して配置される。液晶層５５は、アクティブ
マトリクス基板２１と対向基板５２との間に介在され
る。なお、アクティブマトリクス基板２１および対向基
板５２の液晶層５５側の最表面には、必要に応じて液晶
分子の配向状態を規制する配向膜をそれぞれ設けても構
わない。

【００３１】図３は、補助容量素子２７の層間絶縁層２
９を拡大して示す断面図である。層間絶縁膜２９を構成
する上層の有機絶縁膜３１は下層の無機絶縁膜３０を覆
って形成される。本形態のアクティブマトリクス基板２
１では、特に、有機絶縁膜３１によって無機絶縁膜３０
の端面３０ａが覆われる。これによって、無機絶縁膜３
０の端面３０ａのピンホールをも有機絶縁膜３１で覆う
ことができる。したがって、画素電極２６である上部電
極と下部電極２８との絶縁性をさらに確実に保持するこ
とができ、優れた特性の補助容量素子２７を実現するこ
とができ、アクティブマトリクス基板２１の良品率をさ
らに向上することができる。また特に、画素電極２６で
ある上部電極によって有機絶縁膜３１を挟んで無機絶縁
膜３０の端面３０ａが覆われる。これによって、さらに
優れた特性の補助容量素子２７を実現することができ
る。

【００３２】なお、絶縁性基板はガラス基板２２，５３
に限るものではなく、たとえば石英、セラミックおよび
シリコンの基板を用いても構わない。また、ゲート、ソ
ースおよびドレイン電極３４，３８，３９としては、タ
ンタル、タングステン、チタン、窒化チタン、モリブデ
ン、アルミニウム、銅、インジウム酸化錫および不純物
イオンがドーピングされたポリシリコンなどの導電性物
質を用いても構わない。さらに、ゲート絶縁膜３３およ
び層間絶縁膜３５としては、二酸化シリコン、窒化シリ
コンおよび五酸化タンタルなどを用いても構わない。

【００３３】また、下部電極２８および画素電極２６で
ある上部電極としては、インジウム酸化錫などの透明導
電膜以外に、アルミニウムおよびチタンなどの金属膜を
用いても構わない。たとえば、絶縁性基板として本形態
のようにガラス基板２２などの透光性を有する基板を用
い、下部電極２８および画素電極２６である上部電極を
透明導電膜で実現することによって、透過型のアクティ
ブマトリクス基板２１を実現することができる。対向基
板５２をも同様にして透光性とすることによって、透過
型の液晶表示装置５１を実現することができる。

【００３４】さらに、有機絶縁膜３１は、イミド基、ア
ミド基またはアクリル基を有する高分子化合物から成る
ことが好ましい。これは、補助容量素子２７の下部電極
２８および上部電極の間に設けられる層間絶縁層２９の
膜厚は負荷容量の低減のために厚い方が好ましく、上述
のイミド基、アミド基またはアクリル基を有する高分子
化合物を用いることによって、厚膜の有機絶縁膜３１を
形成することができるからである。

【００３５】また、本形態ではポリシリコンを用いたプ
レーナ型のＴＦＴ素子２３を有するアクティブマトリク
ス基板２１について説明したが、これ以外のスイッチン
グ素子を有するアクティブマトリクス基板に対して本発
明を適用しても構わない。たとえば、アモルファスシリ
コンや単結晶シリコンを用いたＴＦＴ素子、スタガー型
や逆スタガー型のＴＦＴ素子、およびバリスタやダイオ
ードなどの２端子型非線型抵抗素子を有するアクティブ
マトリクス基板に適用することができ、また駆動回路用
のＴＦＴ素子を有するアクティブマトリクス基板に適用
しても構わない。さらに、本発明のアクティブマトリク
ス基板は上述したプロセスによって製造されるものに限
らない。

【００３６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、アクティ
ブマトリクス基板がスイッチング素子とともに有する補
助容量素子は、下部電極、無機絶縁膜、有機絶縁膜およ
び上部電極をこの順番に積層して構成されるので、無機
絶縁膜のピンホールを有機絶縁膜で覆うことができる。
したがって、上部電極と下部電極との絶縁性を確実に保
持することができ、優れた特性の補助容量素子を実現す
ることができて、アクティブマトリクス基板の良品率を
向上することができる。

【００３７】また本発明によれば、アクティブマトリク
ス基板を構成する絶縁性基板上に、ゲートおよびソース
ラインによって形成される矩形領域毎に、スイッチング
素子および画素電極とともに設けられる補助容量素子
は、第１の絶縁層上に下部電極、無機絶縁膜、有機絶縁
膜および画素電極である上部電極をこの順番に積層して
構成される。したがって、無機絶縁膜のピンホールを有
機絶縁膜で覆うことができ、上部電極と下部電極との絶
縁性を確実に保持することができ、優れた特性の補助容
量素子を実現することができて、アクティブマトリクス
基板の良品率を向上することができる。

【００３８】また本発明によれば、下層の無機絶縁膜の
端面が上層の有機絶縁膜で覆われるので、無機絶縁膜の
端面のピンホールをも有機絶縁膜で覆うことができ、上
部電極と下部電極との絶縁性をさらに確実に保持するこ
とができ、優れた特性の補助容量素子を実現することが
できて良品率をさらに向上することができる。

【００３９】また本発明によれば、下層の無機絶縁膜の
端面が上層の有機絶縁膜で覆われ、さらに該有機絶縁膜
を挟んで無機絶縁膜の端面が上部電極で覆われるので、
さらに優れた特性の補助容量素子を実現することができ
る。

【００４０】また本発明によれば、有機絶縁膜をイミド
基、アミド基またはアクリル基を有する高分子化合物で
構成することが、補助容量素子の負荷容量の低減のため
に下部および上部電極間の第２の絶縁層の膜厚を厚くす
る上で好ましい。

【００４１】また本発明によれば、透明導電膜で下部電
極および画素電極である上部電極を実現することによっ
て、透過型のアクティブマトリクス基板を提供すること
ができる。

【００４２】また本発明によれば、上述したようなアク
ティブマトリクス基板を用いることによって、優れた特
性の補助容量素子を有する液晶表示装置を実現すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態であるアクティブマトリ
クス基板２１の断面図である。

【図２】アクティブマトリクス基板２１を用いた液晶表
示装置５１の断面図である。

【図３】補助容量素子２７の層間絶縁層２９を拡大して
示す断面図である。

【図４】従来技術であるアクティブマトリクス基板１の
断面図である。

【符号の説明】

２１ アクティブマトリクス基板 ２２，５３ ガラス基板 ２３ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子 ２４ 層間絶縁層（第１の絶縁層） ２５ コンタクトホール ２６ 画素電極（上部電極） ２７ 補助容量素子 ２８ 下部電極 ２９ 層間絶縁層（第２の絶縁層） ３０ 無機絶縁膜 ３０ａ 無機絶縁膜の端面 ３１ 有機絶縁膜 ５１ 液晶表示装置 ５２ 対向基板 ５４ 対向電極 ５５ 液晶層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA35 JA36 JA46 JB63 JB66 KA04 KA10 KA12 KA18 KB14 KB25 MA05 MA07 MA10 MA13 MA27 MA30 NA15 NA29 5C094 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 DA13 DA15 EA03 EA04 EA07 EA10 FA02 FB19

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スイッチング素子と、 下部電極、絶縁層および上部電極をこの順番に積層して
   構成される補助容量素子と、を有するアクティブマトリ
   クス基板において、 前記絶縁層が無機絶縁膜上に有機絶縁膜を積層して構成
   されることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
2. 【請求項２】 絶縁性基板と、 絶縁性基板上に互いに平行に間隔をあけて設けられる複
   数のゲートラインと、ゲートラインとは直交しかつ絶縁
   性を保持し、互いに間隔をあけて設けられる複数のソー
   スラインと、 ゲートおよびソースラインが交差することによって形成
   される複数の矩形領域にそれぞれ設けらるスイッチング
   素子と、 コンタクトホールを有し、絶縁性基板上にゲートライ
   ン、ソースラインおよびスイッチング素子を覆って設け
   られる第１の絶縁層と、 第１の絶縁層上に前記矩形領域毎に設けられ、前記コン
   タクトホールを介してスイッチング素子と電気的に接続
   される画素電極と、 第１の絶縁層上に前記矩形領域毎に設けられる補助容量
   素子と、を備え、 前記補助容量素子は、第１の絶縁層上に下部電極、第２
   の絶縁層および前記画素電極である上部電極をこの順番
   に積層して構成されるアクティブマトリクス基板におい
   て、 前記第２の絶縁層が無機絶縁膜上に有機絶縁膜を積層し
   て構成されることを特徴とするアクティブマトリクス基
   板。
3. 【請求項３】 前記有機絶縁膜によって無機絶縁膜の端
   面が覆われることを特徴とする請求項１または２記載の
   アクティブマトリクス基板。
4. 【請求項４】 前記画素電極である上部電極によって有
   機絶縁膜を挟んで無機絶縁膜の端面が覆われることを特
   徴とする請求項３記載のアクティブマトリクス基板。
5. 【請求項５】 前記有機絶縁膜がイミド基、アミド基ま
   たはアクリル基を有する高分子化合物から成ることを特
   徴とする請求項１または２記載のアクティブマトリクス
   基板。
6. 【請求項６】 前記下部電極および画素電極である上部
   電極が透明導電膜から成ることを特徴とする請求項１ま
   たは２記載のアクティブマトリクス基板。
7. 【請求項７】 請求項２〜６のうちのいずれかに記載の
   アクティブマトリクス基板と、 アクティブマトリクス基板の画素電極側に所定の間隔を
   あけて対向して配置される対向基板と、 アクティブマトリクス基板と対向基板との間に介在され
   る液晶層と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。