DE112012004880T5 - Kammerdichtungselement - Google Patents
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Abstract
Eine Reaktionskammer enthält ein oberes Gebiet zum Verarbeiten eines Substrats, ein unteres Gebiet zum Beschicken eines Substrats, einen Suszeptor, der innerhalb der Reaktionskammer beweglich ist, ein erstes Dichtungselement, das an einem Umfang des Suszeptors positioniert ist, ein zweites Dichtungselement, das zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet positioniert ist, wobei das erste und das zweite Dichtungselement wahlweise miteinander in Eingriff sind, um die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet zu begrenzen.
Description
- QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
- Diese Anmeldung beansprucht den Nutzen der vorläufigen US-Anmeldung Nr. 61/563.232, eingereicht am 23. November 2011, deren Offenbarung hier durch Literaturhinweis eingefügt ist.
- STAND DER TECHNIK
- Dünnfilmablagerungs-Reaktionskammern werden allgemein mit einer Einzelkammer oder mit einer Doppelkammer hergestellt. In der Doppelkammeranordnung können die zwei Kammern so orientiert sein, dass eine Kammer vertikal über der zweiten Kammer liegt. Die obere Kammer wird zum Verarbeiten des Substrats verwendet, während die untere Kammer zum Beschicken und Ausgeben des Substrats verwendet wird. Ein regelmäßig auftretendes Problem in Doppelkammerreaktoren ist die Ablagerung von Partikeln, die die Wände der unteren Kammer beschichten und eine häufigere Reinigung der Kammer erfordern.
- Außerdem kann es schwierig sein, ein Substrat, das in einem Substratverarbeitungswerkzeug verarbeitet wird, zu erwärmen. Die Schwankung der Substraterwärmung kann zu Temperaturschwankungen innerhalb des Substrats führen. Solche Temperaturschwankungen innerhalb des Substrats können zu Verarbeitungsungleichmäßigkeiten innerhalb des Substrats führen. In einigen Anlagen können Substrate, die solche Ungleichförmigkeiten zeigen, defekte Vorrichtungen erzeugen. Ferner kann ein Ablagerungsprodukt in der unteren Verarbeitungskammer abgelagert werden, was zu verringerten Temperaturen in der Reaktionskammer und somit zu erhöhtem Leistungsverbrauch, um die unzureichende Erwärmung zu überwinden, führt. Außerdem kann die Zunahme eines Ablagerungsprodukts in der Kammer zu vorzeitigen Kammerreinigungsanforderungen und zu erhöhten Kosten führen.
- DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
- Aspekte dieses Dokuments beziehen sich auf Reaktionskammern zum Verarbeiten von Substraten. In einem Aspekt enthält eine Reaktionskammer ein oberes Gebiet zum Verarbeiten eines Substrats, ein unteres Gebiet zum Beschicken eines Substrats, einen Suszeptor, der innerhalb der Reaktionskammer beweglich ist, ein erstes Dichtungselement, das an einem Umfang des Suszeptors positioniert ist, ein zweites Dichtungselement, das zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet positioniert ist, wobei das erste und das zweite Dichtungselement wahlweise miteinander in Eingriff sind, um die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet zu begrenzen.
- In einer Implementierung kann das erste Dichtungselement abnehmbar an dem Suszeptor positioniert sein. Das zweite Dichtungselement kann abnehmbar zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet positioniert sein. Ferner kann die Reaktionskammer zwischen einem Umfang des Suszeptors und dem ersten Dichtungselement einen Zwischenraum enthalten. Der Zwischenraum kann abnehmen, wenn die Reaktionskammer auf einer Verarbeitungstemperatur ist. Das erste Dichtungselement kann vertikal mit dem Suszeptor laufen. Ferner kann die Reaktionskammer in dem oberen Gebiet einen Sprühkopf enthalten, wobei das zweite Dichtungselement zwischen dem Sprühkopf und dem ersten Dichtungselement befestigt ist. Ein Verarbeitungsgas kann zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement laufen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Das erste Dichtungselement und das zweite Dichtungselement können aus Quarz bestehen. Das Dichtungselement kann an dem Suszeptor selbstzentrierend sein. Das erste Dichtungselement kann ferner wenigstens einen Vorsprung enthalten, der nach oben verläuft. Das zweite Dichtungselement kann ferner wenigstens einen Vorsprung enthalten, der nach unten verläuft. Der wenigstens eine Vorsprung des ersten Dichtungselements und der wenigstens eine Vorsprung des zweiten Dichtungselements können ineinandergreifen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist. Zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement kann ein gewundener Weg definiert sein. Ferner können die wenigstens einen Vorsprünge des ersten Dichtungselements und des zweiten Dichtungselements jeweils drei Vorsprünge enthalten.
- Das zweite Dichtungselement kann biegsam sein und das erste Dichtungselement kann das zweite Dichtungselement durchbiegen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist. Das zweite Dichtungselement kann innerhalb des unteren Gebiets an der Reaktionskammer befestigt sein. Ferner kann das zweite Dichtungselement mehrere Kerben enthalten. Ferner kann das zweite Dichtungselement mehrere radial ausgerichtete Schlitze enthalten. Ferner kann das zweite Dichtungselement zwei zweite Dichtungselemente mit radial ausgerichteten Schlitzen, die gegeneinander versetzt positioniert sind, enthalten.
- In einem anderen Aspekt enthält eine Reaktionskammer-Trennvorrichtung ein erstes Dichtungselement, das innerhalb einer Reaktionskammer beweglich ist und auf einem Suszeptor positioniert werden kann, ein zweites Dichtungselement, das innerhalb der Reaktionskammer zwischen einem oberen Gebiet und einem unteren Gebiet positioniert werden kann, und wobei das erste und das zweite Dichtungselement wahlweise miteinander in Eingriff gebracht werden können, um die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet zu begrenzen.
- In einer Implementierung kann das erste Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung enthalten, der nach oben verläuft, und kann das zweite Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung enthalten, der nach unten verläuft. Der wenigstens eine Vorsprung des ersten Dichtungselements und der wenigstens eine Vorsprung des zweiten Dichtungselements können ineinandergreifen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist. Zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement kann ein gewundener Weg definiert sein. Das zweite Dichtungselement ist biegsam und das erste Dichtungselement biegt das zweite Dichtungselement durch, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Im Folgenden sind in den Zeichnungen und in der ausführlichen Beschreibung Aspekte und Implementierungen der hier dargestellten Offenbarung beschrieben. Sofern nicht spezifisch etwas anderes angegeben ist, sollen die Wörter und Formulierungen in der Beschreibung und in den Patentansprüchen ihre einfache, normale und dem Durchschnittsfachmann auf den anwendbaren Gebieten vertraute Bedeutung haben. Die Erfinder sind in voller Kenntnis dessen, dass sie auf Wunsch ihre eigenen Wörterbücher verfassen können. Sofern nicht etwas anderes deutlich angegeben ist und dann ferner ausdrücklich die ”spezielle” Definition dieses Begriffs, wie sie sich von der einfachen und normalen Bedeutung unterscheidet, dargelegt ist und erläutert ist, entscheiden sich die Erfinder als Verfasser ihrer eigenen Wörterbücher ausdrücklich dafür, in der Beschreibung und in den Patentansprüchen nur die einfache und normale Bedeutung von Begriffen zu verwenden. Ohne solche deutlichen Absichtserklärungen, eine ”spezielle” Definition anzuwenden, beabsichtigen und wünschen die Erfinder, dass auf die Interpretation der Beschreibung und der Patentansprüche die simple, einfache und normale Bedeutung der Begriffe angewendet wird.
- Außerdem sind die Erfinder in Kenntnis der normalen Regeln der englischen Grammatik. Wenn ein Substantiv, ein Begriff oder eine Formulierung in einer Weise weiter charakterisiert, spezifiziert oder eingeengt werden soll, enthält dieses Substantiv, dieser Begriff oder diese Formulierung somit explizit zusätzliche Adjektive, beschreibende Begriffe oder andere Attribute in Übereinstimmung mit den normalen Regeln der englischen Grammatik. Ohne die Verwendung solcher Adjektive, beschreibenden Begriffe oder Attribute sollen diese Substantive, Begriffe oder Formulierungen ihre einfache und normale englische Bedeutung haben, die der Fachmann auf den anwendbaren Gebieten wie oben dargelegt kennt.
- Die vorstehenden und andere Aspekte, Merkmale und Vorteile gehen für den Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet aus der BESCHREIBUNG und aus den ZEICHNUNGEN sowie aus den PATENTANSPRÜCHEN hervor.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen beschrieben, wobei gleiche Bezeichnungen gleiche Elemente bezeichnen und wobei:
-
1 schematisch eine Substratverarbeitungskammer zeigt, die ein erstes Dichtungselement und ein zweites Dichtungselement in einer Substratbeschickungsstellung enthält. -
2 schematisch eine Substratverarbeitungskammer mit einem Suszeptor, einem ersten Dichtungselement und einem zweiten Dichtungselement in einer Verarbeitungsstellung zeigt. -
3 schematisch eine perspektivische Unteransicht eines Abschnitts des Suszeptors und der Dichtungselemente zeigt. -
4 schematisch eine perspektivische Explosionsdarstellung des Suszeptors und der Dichtungselemente zeigt. -
5 schematisch eine Schnittansicht des in2 mit5 bezeichneten Bereichs zeigt. -
6 schematisch eine Schnittansicht des in2 mit5 bezeichneten Bereichs mit einer zweiten Implementierung eines Dichtungselements zeigt. -
7 schematisch eine Substratverarbeitungskammer, die ein erstes Dichtungselement und ein zweites Dichtungselement enthält, in einer Substratbeschickungsstellung zeigt. -
8 schematisch eine Substratverarbeitungskammer mit einem Suszeptor, mit einem ersten Dichtungselement und mit einem zweiten Dichtungselement in einer Verarbeitungsstellung zeigt. -
9 schematisch eine perspektivische Ansicht einer dritten Implementierung eines zweiten Dichtungselements zeigt. -
10 schematisch eine Schnittansicht des in8 mit10 bezeichneten Bereichs zeigt. -
11 schematisch eine perspektivische Ansicht einer vierten Implementierung eines zweiten Dichtungselements zeigt. -
12 schematisch eine Schnittansicht des in8 mit10 bezeichneten Bereichs mit einer vierten Implementierung des zweiten Dichtungselements zeigt, wobei das erste und das zweite Dichtungselement gelöst sind. -
13 schematisch eine Schnittansicht allgemein längs der Linie 13-13 in12 zeigt. -
14 schematisch eine Schnittansicht allgemein längs der Linie 14-14 in13 zeigt. -
15 schematisch eine Schnittansicht des in8 mit10 bezeichneten Bereichs mit einer vierten Implementierung des zweiten Dichtungselements zeigt, wobei das erste und das zweite Dichtungselement in Eingriff sind. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Die vorliegenden Aspekte und Implementierungen können hinsichtlich Funktionsblockkomponenten und verschiedenen Verarbeitungsschritten beschrieben sein. Solche Funktionsblöcke können durch irgendeine Anzahl von Hardware- oder Softwarekomponenten verwirklicht werden, die dafür konfiguriert sind, die spezifizierten Funktionen auszuführen und die verschiedenen Ergebnisse zu erzielen. Zum Beispiel können die vorliegenden Aspekte verschiedene Sensoren, Detektoren, Flusssteuervorrichtungen, Heizeinrichtungen und dergleichen nutzen, die eine Vielzahl von Funktionen ausführen können. Außerdem können die vorliegenden Aspekte und Implementierungen in Verbindung mit irgendeiner Anzahl von Verarbeitungsverfahren ausgeübt werden und können die beschriebenen Vorrichtungen und Systeme irgendeine Anzahl von Verarbeitungsverfahren nutzen und sind die beschriebenen Vorrichtungen und Systeme lediglich Beispiele für die Anwendungen der Erfindung.
- Die
1 und2 veranschaulichen Ansichten einer Reaktionskammer20 in einer Beschickungs/Ausgabe-Stellung bzw. in einer Verarbeitungsstellung. Die Reaktionskammer20 kann ein oberes Gebiet22 und ein unteres Gebiet24 , die durch eine Zwischenplatte26 getrennt sein können, enthalten. Im Allgemeinen findet die Verarbeitung innerhalb des oberen Gebiets22 statt, während die Substratbeschickung und -ausgabe innerhalb des unteren Gebiets24 stattfindet. Ein Suszeptor28 enthält eine Substratmontagefläche30 und ist mit einem vertikal beweglichen Teileheber32 verbunden, um den Suszeptor zwischen der Substratbeschickungsstellung und der Substratverarbeitungsstellung zu verlagern. Wenn der positionierte Suszeptor28 in Richtung der Pfeile38 wie in2 gezeigt nach oben bewegt wird, kann auf der Substratmontagefläche30 ein Substrat34 positioniert sein und in einem Verarbeitungsgebiet36 gelegen sein, wobei ein Sprühkopf40 eine obere Oberfläche des Verarbeitungsgebiets definiert. Wie im Folgenden ausführlicher beschrieben wird, kann auf dem Suszeptor28 und von ihm abnehmbar ein erstes Dichtungselement42 positioniert sein, während zwischen dem oberen Gebiet22 und dem unteren Gebiet24 ein zweites Dichtungselement44 positioniert sein kann. Genauer kann das zweite Dichtungselement44 so positioniert sein, dass es wenigstens teilweise an der Zwischenplatte26 anliegt, oder kann es mit der Zwischenplatte oder mit irgendeinem anderen geeigneten Abschnitt der Reaktionskammer20 verbunden sein, ohne von dem Erfindungsgedanken und Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. - Nun in
3 und4 ist ein Suszeptor28 gezeigt, wobei das erste Dichtungselement42 und das zweite Dichtungselement44 befestigt bzw. gelöst sind. Der Suszeptor28 enthält eine Außenoberfläche46 und einen vorspringenden Rand48 , der von der Außenoberfläche46 nach außen verläuft. Der vorspringende Rand48 kann allgemein nahe einer unteren Oberfläche50 des Suszeptors positioniert sein und ist so angeordnet, dass er das erste Dichtungselement42 darauf aufnimmt. Das erste Dichtungselement42 enthält einen unteren Abschnitt52 und einen oberen Abschnitt54 , wobei der untere Abschnitt in einer Implementierung allgemein radial innerhalb des oberen Abschnitts54 positioniert ist, obgleich irgendwelche geeignete Anordnungen genutzt werden können. Der untere Abschnitt52 kann eine untere Oberfläche56 enthalten, die so ausgelegt ist, dass sie an dem vorspringenden Rand48 des Suszeptors28 anliegt, wenn das erste Dichtungselement zum Trennen des oberen Gebiets22 und des unteren Gebiets24 verwendet wird. Wie im Folgenden ausführlicher diskutiert ist, kann der obere Abschnitt54 eine obere Oberfläche58 enthalten, die durch Ausbildung eines Abschnitts eines gewundenen Wegs beim Abdichten hilft. Ferner kann der untere Abschnitt52 eine Innenoberfläche60 und eine Außenoberfläche62 enthalten, während der obere Abschnitt54 eine Innenoberfläche64 und eine Außenoberfläche66 enthalten kann. Dementsprechend fungiert der obere Abschnitt54 als ein Vorsprung, indem er von dem unteren Abschnitt52 als Teil des ersten Dichtungselements42 nach oben verläuft. - Das zweite Dichtungselement
44 kann einen äußeren Montagering68 mit einer unteren Oberfläche70 enthalten, wobei der äußere Montagering68 teilweise einen Kanal72 definiert. Wenn das zweite Dichtungselement44 verwendet wird, um eine Trennung zwischen dem oberen Gebiet22 und dem unteren Gebiet24 bereitzustellen, steht die untere Oberfläche70 allgemein in Kontakt mit der Zwischenplatte26 . Der Außenring68 kann außerdem mehrere Kerben74 enthalten, die dafür verwendet werden, eine konstante und gleichbleibende Ausrichtung auf die anderen Komponenten in der Reaktionskammer sicherzustellen. Außerdem kann das zweite Dichtungselement44 einen äußeren Vorsprung76 und einen inneren Vorsprung78 , die allgemein nach unten verlaufen, enthalten. Der äußere Vorsprung76 kann eine Außenoberfläche80 und eine Innenoberfläche82 enthalten, während der innere Vorsprung78 eine Außenoberfläche84 und eine Innenoberfläche86 enthalten kann. In dieser Anordnung definiert die Außenoberfläche80 des äußeren Vorsprungs76 in dem zweiten Dichtungselement44 ferner einen Kanal72 , während die Außenoberfläche84 des inneren Vorsprungs78 und die Innenoberfläche82 des äußeren Vorsprungs76 wenigstens teilweise einen Kanal88 zur Aufnahme des oberen Abschnitts54 des ersten Dichtungselements42 , wenn der Suszeptor28 in die Verarbeitungsstellung nach oben läuft, definieren. In einer Implementierung können der innere Vorsprung78 und der äußere Vorsprung76 über die untere Oberfläche70 hinaus nach unten verlaufen, da die untere Oberfläche auf einer Zwischenplatte innerhalb der Reaktionskammer positioniert ist. In einer anderen Implementierung kann der innere Vorsprung78 über eine kürzere Strecke als der äußere Vorsprung76 nach unten verlaufen. Der Fachmann auf dem Gebiet wird sofort würdigen, dass an den Dichtungselementen eine Anzahl von Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Erfindungsgedanken und Schutzumfang der Offenbarung abzuweichen. -
5 veranschaulicht eine vergrößerte Schnittansicht des ersten Dichtungselements42 , das innerhalb eines Abschnitts des zweiten Dichtungselements44 ineinandergreift, wenn der Suszeptor28 in eine Verarbeitungsstellung nach oben bewegt wird. Genauer ist der obere Abschnitt54 des ersten Dichtungselements42 innerhalb eines wenigstens teilweise zwischen dem äußeren Vorsprung76 , dem inneren Vorsprung78 und einer Wand90 gebildeten Kanals88 positioniert gezeigt. Wegen des durch das erste und durch das zweite Dichtungselement erzeugten gewundenen Wegs ist ein durch die Pfeile92 angegebener Gasweg allgemein weniger anfällig dafür, Gase aus dem oberen Gebiet22 in das untere Gebiet24 zu übertragen. Das Gas muss durch den durch einen zwischen den Innenoberflächen60 und64 des ersten Dichtungselements42 und einer Außenoberfläche46 des Suszeptors28 gebildeten Zwischenraum94 definierten gewundenen Weg, durch einen Kanal88 mit dem darin positionierten oberen Abschnitt54 und schließlich in das untere Gebiet24 laufen. Die Breite und die Längen des gewundenen Wegs können so optimiert sein, dass je nach den Verarbeitungsanforderungen eine veränderliche Länge der Verbindung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet oder keine Verbindung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet zuzulassen ist. - Sowohl das erste Dichtungselement
42 als auch das zweite Dichtungselement44 können aus Quarz, Rutil, Yttriumoxid, Zirkoniumdioxid, Inconel, Titan, Beryllium-Kupfer oder aus irgendeinem anderen geeigneten Material bestehen. In einigen Implementierungen können die Größen des ersten und des zweiten Dichtungselements in Anhängigkeit von der Temperatur innerhalb der Reaktionskammer20 zunehmen oder abnehmen. Zum Beispiel neigt das erste Dichtungselement42 dazu, sich auszudehnen oder anzuwachsen, wenn die Temperatur innerhalb der Reaktionskammer zunimmt und insbesondere, wenn die Temperatur nahezu 400 Grad C zunimmt, wenn das erste Dichtungselement42 aus Quarz besteht. Ferner kann der Zwischenraum94 verringert werden und stellt das erste Dichtungselement42 eine Selbstzentrierungsfunktion an dem Suszeptor28 bereit, wenn das erste Dichtungselement42 anwächst. - Anhand von
6 ist nun ein anderer Aspekt des ersten Dichtungselements42 und des zweiten Dichtungselements44 im Schnitt gezeigt, wobei das erste Dichtungselement42 einteilig mit dem Suszeptor28 gebildet ist. Genauer ist in dem zweiten Dichtungselement44 außer den Vorsprüngen98 ,100 und102 , die von dem Suszeptor28 nach oben verlaufen, ein mittlerer Vorsprung96 enthalten. In dieser Anordnung ist der vorspringende Rand48 des ersten Aspekts durch drei Vorsprünge98 ,100 und102 ersetzt worden, die innerhalb der Kanäle88 ineinandergreifen, die zwischen jedem der verschiedenen von dem zweiten Dichtungselement44 nach unten verlaufenden Vorsprünge gebildet sind. In dieser Anordnung muss der Gasweg92 einem gewundenen Weg durch mehrere Kanäle88 folgen, die darin Vorsprünge98 ,100 und102 aufweisen, um den Gasströmungsweg weiter zu begrenzen. Dementsprechend wird noch weniger Gasströmungsverbindung zwischen dem oberen Abschnitt22 und dem unteren Abschnitt24 erhalten, wenn zusätzliche Vorsprünge in dem gewundenen Weg enthalten sind. Somit ist zu sehen, dass in dem ersten und in dem zweiten Dichtungselement in Abhängigkeit von den durch das Werkzeug oder durch den Prozess geforderten Drosselungen der Gasströmung irgendeine Anzahl von Vorsprüngen genutzt werden können. Ferner können die Entfernungen zwischen den Vorsprüngen und den offenen Räumen dazwischen nach Bedarf optimiert werden. Ferner können die Vorsprünge in dem ersten Dichtungselement42 nach Bedarf als Teil eines separaten abnehmbaren Stücks gebildet sein oder können sie einteilig mit dem Suszeptor gebildet sein, während die Vorsprünge des zweiten Dichtungselements44 als ein getrenntes abnehmbares Stück gebildet sein können oder einteilig mit der Reaktionskammer20 oder mit einer Zwischenplatte, wie es geeignet sein kann. - Nun anhand von
7 –15 ist eine Kammerabdichtvorrichtung eines anderen Aspekts gezeigt, obgleich die verbleibenden Komponenten dieselben und/oder ähnliche sind. Ein erstes Dichtungselement104 ist abnehmbar an dem vorspringenden Rand48 des Suszeptors28 positioniert, während ein zweites Dichtungselement106 allgemein innerhalb des unteren Gebiets24 positioniert ist und abnehmbar an der Zwischenplatte26 befestigt ist. Genauer kann das zweite Dichtungselement106 mit einer Montageplatte108 und mehreren Schrauben110 abnehmbar an der Zwischenplatte26 befestigt sein. Das zweite Dichtungselement106 kann entweder in dem unteren Gebiet24 oder in dem oberen Gebiet22 an einem Außenumfang112 eines Federdichtungselements114 mit der Montageplatte befestigt sein. Das Federdichtungselement114 kann außerdem einen Innenumfang116 enthalten, der durch das erste Dichtungselement104 durchgebogen werden kann, wenn der Suszeptor28 in die den Pfeilen38 zugeordnete Richtung bewegt wird, bis eine Verarbeitungsstellung erreicht ist. - In
9 und11 sind Federdichtungselemente114 mit Kerben118 an dem Außenumfang112 des Federdichtungselements gezeigt. In einer Implementierung sind 24 Kerben enthalten und wird eine Schraube verwendet, um das Federdichtungselement an jeder der Kerben und zwischen der Zwischenplatte26 und der Montageplatte108 an der Montageplatte108 zu befestigen. Wie in11 ebenfalls zu sehen ist, können um den Innenumfang116 des Federdichtungselements114 mehrere Schlitze120 enthalten sein, um eine minimale und gesteuerte Übertragungsrate zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet der Reaktionskammer bereitzustellen. In einer Implementierung können die Schlitze120 entlang des Innenumfangs116 radial ausgerichtet sein und können sie näherungsweise 100 Schlitze oder irgendeine andere geeignete Anzahl enthalten. Der Fachmann auf dem Gebiet wird würdigen, dass irgendeine geeignete Anzahl von Kerben oder Schlitzen genutzt werden können, solange das Federdichtungselement richtig befestigt ist und der Gasdurchfluss zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet gesteuert wird. -
7 ,8 und10 veranschaulichen Ansichten des Federdichtungselements114 in einer unbelasteten Stellung (7 ) und in einer belasteten oder durchgebogenen Stellung (8 und10 ). In den belasteten oder durchgebogenen Ansicht ist das Federdichtungselement114 durch eine obere Oberfläche122 des ersten Dichtungselements104 federnd nach oben gebogen. Genauer ist die obere Oberfläche122 durch den Abstandshalterabschnitt126 getrennt von dem vorspringenden Rand48 auf einen flachen Abschnitt des Vorsprungs124 positioniert. In dieser Anordnung ist das Federdichtungselement114 durch den Kontakt bei der oberen Oberfläche122 nach oben gebogen und begrenzt dadurch die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet. In dem Bereich zwischen dem Durchflusssteuerungsring128 , dem Federdichtungselement114 , dem Suszeptor28 und dem Zwischenraum94 kann sich ein Teil eines Verarbeitungs- oder Spülgases ansammeln, wobei dieses aber schließlich durch Unterdruckmaßnahmen, Spülen oder die Trennung zwischen dem ersten und dem zweiten Dichtungselement, wenn das Substrat ausgegeben wird, abgeleitet werden kann. - Anhand von
11 –15 sind nun zwei Federdichtungselemente114 , wie insbesondere in12 gezeigt ist, übereinander positioniert. Genauer sind die zwei Federdichtungselemente114 zwischen der Montageplatte108 und der Zwischenplatte26 positioniert, wobei Schrauben110 die Beziehung zwischen den Komponenten aufrechterhalten.13 und14 veranschaulichen die Anordnung der zwei Federdichtungselemente114 , wobei die Schlitze120 in jedem Dichtungselement in der Weise versetzt gegeneinander ausgerichtet sind, dass die Schlitze120 an einem oberen Federdichtungselement zwischen den Schlitzen120 in dem unteren Federdichtungselement positioniert sind. Wie anhand von7 –10 bis auf die Schlitze120 diskutiert ist, wird in dieser Anordnung verhindert, dass die Gasströmung in dem oberen Gebiet in das untere Gebiet strömt, wenn der Suszeptor28 in einer Verarbeitungsstellung ist. Zum Beispiel kann die wie in14 gezeigte Orientierung der zwei Federdichtungselemente114 eine Gasströmung von dem oberen Gebiet durch das obere Federdichtungselement der Schlitze120 und daraufhin durch die Schlitze120 in dem unteren Federdichtungselement zulassen. In dieser Anordnung ist wieder ein gewundener Weg gebildet, wodurch eine begrenzte und gesteuerte Gasströmungsmenge zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet in Verbindung stehen kann, wie es der Prozess erfordern kann. Die Doppelfeder-Dichtungselementanordnung fungiert ähnlich wie ein wie oben diskutiertes Einzelfederdichtungselement und begrenzt und/oder verhindert nur die Gasströmung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet, wenn der Suszeptor28 und das erste Dichtungselement104 in der dem Pfeil38 zugeordneten Richtung nach oben bewegt werden und der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist. Der Fachmann auf dem Gebiet wird sofort würdigen, dass in Abhängigkeit von der gewünschten Verbindung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet irgendeine Anzahl von Schlitzen120 genutzt werden können, ohne von dem Erfindungsgedanken und Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. - Überall in der Beschreibung muss irgendeine Gasströmungsverbindung auf gesteuerte und/oder beschränkte Weise von dem oberen Gebiet
22 zu dem unteren Gebiet24 verlaufen. Dennoch liegt es im Erfindungsgedanken und Schutzumfang dieser Offenbarung, eine Gasströmung von dem unteren Gebiet zu dem oberen Gebiet bereitzustellen. Zum Beispiel kann irgendeine Spül-, Inert- oder andere Gasströmung innerhalb des unteren Gebiets mit einem Druck, der höher als der Gasströmungsdruck in dem oberen Gebiet ist, bereitgestellt werden. In diesem Fall würde der höhere Druck in dem unteren Gebiet durch die verschiedenen oben beschriebenen und definierten gewundenen Wege eine Gasströmung von dem unteren Gebiet zur Verbindung in das obere Gebiet zulassen. Diese Anordnung kann nützlich sein, um durch Begrenzen der Resonanz innerhalb von Taschen und Zwischenräumen in dem oberen Gebiet die Spülzeiten zu verringern oder um die Zunahme von Partikeln in dem unteren Gebiet zu verringern. Ungeachtet dessen kann die Gasströmungsverbindung der verschiedenen Dichtungselemente wahlweise abgestimmt werden, um die Menge und Richtung der Gasströmung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet zu steuern. - Im Betrieb wird das erste Dichtungselement
42 oder104 auf dem Suszeptor28 positioniert und kann es, falls anwendbar, insbesondere auf einem vorspringenden Rand48 positioniert werden. Daraufhin wird das zweite Dichtungselement44 oder106 allgemein zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet oder in Kontakt mit einer Zwischenplatte26 entweder, im Fall des zweiten Dichtungselements44 , darüber oder, im Fall des zweiten Dichtungselements106 , darunter positioniert. Wenn das erste und das zweite Dichtungselement an der richtigen Stelle sind, wird der Suszeptor28 in die Substratbeschickungsstellung abgesenkt, wo ein Substrat auf Hubstiften positioniert wird. Nachfolgend wird der Suszeptor in der den Pfeilen38 zugeordneten Richtung nach oben bewegt, bis das erste Dichtungselement mit dem zweiten Dichtungselement einen gewundenen Weg bildet. In einigen Implementierungen berühren sich das erste und das zweite Dichtungselement, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist, während in anderen Implementierungen zwischen dem ersten und dem zweiten Dichtungselement ein kleiner Zwischenraum verbleibt, der aber allgemein in den gewundenen Weg integriert ist. Unabhängig davon, welcher Aspekt oder welche Implementierung genutzt wird, wird die Gasströmung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet gesteuert und/oder minimiert, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist. Nachdem der Prozess abgeschlossen ist, wird der Suszeptor in das untere Gebiet abgesenkt und kann die reguläre Verbindung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet wiederhergestellt werden, bis ein weiteres Substrat auf den Suszeptor beschickt wird und der Suszeptor erneut in die Verarbeitungsstellung bewegt wird. - Diese und andere Ausführungsformen für Verfahren und Vorrichtungen für ein Kammerdichtungselement können Konzepte, Ausführungsformen und Konfigurationen enthalten, wie sie in Bezug auf die oben beschriebenen Ausführungsformen von Vorrichtungen für Kammerdichtungselemente beschrieben sind. Die besonderen gezeigten und beschriebenen Implementierungen dienen zur Veranschaulichung der Erfindung und ihrer besten Ausführungsart und sollen den Schutzumfang der Aspekte und Implementierungen ansonsten in keiner Weise einschränken. Tatsächlich können der Kürze halber herkömmliche Herstellungs-, Verbindungs-, Vorbereitungs- und andere Funktionsaspekte des Systems nicht ausführlich beschrieben sein. Darüber hinaus sollen die in den verschiedenen Figuren gezeigten Verbindungslinien beispielhafte Funktionsbeziehungen und/oder physikalische Kopplungen zwischen den verschiedenen Elementen repräsentieren. In dem praktischen System können viele alternative oder zusätzliche Funktionsbeziehungen oder physikalische Verbindungen vorhanden sein und/oder in anderen Ausführungsformen fehlen.
- Wie die Begriffe ”umfasst”, ”umfassend” oder irgendeine Änderung davon hier verwendet sind, sollen sie sich auf einen nicht ausschließenden Einschluss beziehen, sodass ein Prozess, ein Verfahren, ein Artikel, eine Zusammensetzung oder eine Vorrichtung, der/das/die eine Liste von Elementen umfasst, nicht nur die aufgeführten Elemente enthält, sondern außerdem andere Elemente enthalten kann, die für diesen Prozess, dieses Verfahren, diesen Artikel, diese Zusammensetzung oder diese Vorrichtung nicht explizit aufgeführt oder inhärent sind. Außer den nicht spezifisch genannten können andere Kombinationen und/oder Änderungen der oben beschriebenen Strukturen, Anordnungen, Anwendungen, Proportionen, Elemente, Materialien oder Komponenten, die in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet werden, geändert oder auf andere Weise besonders an spezifische Umgebungen, Herstellungsspezifikationen, Entwurfsparameter oder andere Betriebsanforderungen angepasst werden, ohne von deren allgemeinen Prinzipien abzuweichen.
- Selbstverständlich sind die hier beschriebenen Konfigurationen und/oder Herangehensweisen dem Wesen nach beispielhaft und sollen diese spezifischen Ausführungsformen oder Beispiele nicht in beschränkendem Sinn verstanden werden, da zahlreiche Änderungen möglich sind. Diese hier beschriebenen spezifischen Routinen oder Verfahren können eine oder mehrere irgendeiner Anzahl von Verarbeitungsstrategien repräsentieren. Somit können die verschiedenen dargestellten Tätigkeiten in der dargestellten Abfolge ausgeführt werden, in anderen Abfolgen ausgeführt werden oder in einigen Fällen weggelassen sein.
- Der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung enthält alle neuen und nicht offensichtlichen Kombinationen und Unterkombinationen der verschiedenen Prozesse, Systeme und Konfigurationen und anderer hier offenbarter Merkmale, Funktionen, Tätigkeiten und/oder Eigenschaften sowie alle Entsprechungen davon.
Claims (25)
- Reaktionskammer, die umfasst: ein oberes Gebiet zum Verarbeiten eines Substrats; ein unteres Gebiet zum Beschicken eines Substrats; einen Suszeptor, der innerhalb der Reaktionskammer beweglich ist; ein erstes Dichtungselement, das an einem Umfang des Suszeptors positioniert ist; ein zweites Dichtungselement, das zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet positioniert ist; wobei das erste und das zweite Dichtungselement wahlweise miteinander in Eingriff sind, um die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet zu begrenzen.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das erste Dichtungselement abnehmbar an dem Suszeptor positioniert ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das zweite Dichtungselement abnehmbar zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet positioniert ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, die ferner zwischen einem Umfang des Suszeptors und dem ersten Dichtungselement einen Zwischenraum umfasst.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 4, wobei der Zwischenraum abnimmt, wenn die Reaktionskammer auf einer Verarbeitungstemperatur ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das erste Dichtungselement vertikal mit dem Suszeptor läuft.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, die ferner in dem oberen Gebiet einen Sprühkopf umfasst, wobei das zweite Dichtungselement zwischen dem Sprühkopf und dem ersten Dichtungselement befestigt ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei ein Verarbeitungsgas zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement läuft, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das erste Dichtungselement und das zweite Dichtungselement aus Quarz bestehen.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das Dichtungselement an dem Suszeptor selbstzentrierend ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das erste Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung umfasst, der nach oben verläuft.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 11, wobei das zweite Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung umfasst, der nach unten verläuft.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 12, wobei der wenigstens eine Vorsprung des ersten Dichtungselements und der wenigstens eine Vorsprung des zweiten Dichtungselements ineinandergreifen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 13, wobei zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement ein gewundener Weg definiert ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 12, wobei die wenigstens einen Vorsprünge des ersten Dichtungselements und des zweiten Dichtungselements jeweils ferner drei Vorsprünge umfassen.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das zweite Dichtungselement biegsam ist und das erste Dichtungselement das zweite Dichtungselement durchbiegt, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 16, wobei das zweite Dichtungselement innerhalb des unteren Gebiets an der Reaktionskammer befestigt ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 16, wobei das zweite Dichtungselement ferner mehrere Kerben umfasst.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 16, wobei das zweite Dichtungselement ferner mehrere radial ausgerichtete Schlitze umfasst.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 19, wobei das zweite Dichtungselement ferner zwei zweite Dichtungselemente mit radial ausgerichteten Schlitzen, die gegeneinander versetzt positioniert sind, umfasst.
- Reaktionskammer-Trennvorrichtung, die umfasst: ein erstes Dichtungselement, das innerhalb einer Reaktionskammer beweglich ist und auf einem Suszeptor positioniert werden kann; ein zweites Dichtungselement, das innerhalb der Reaktionskammer zwischen einem oberen Gebiet und einem unteren Gebiet positioniert werden kann; und wobei das erste und das zweite Dichtungselement wahlweise miteinander in Eingriff gebracht werden können, um die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet zu begrenzen.
- Reaktionskammer-Trennvorrichtung gemäß Anspruch 21, wobei das erste Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung umfasst, der nach oben verläuft, und das zweite Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung umfasst, der nach unten verläuft.
- Reaktionskammer-Trennvorrichtung gemäß Anspruch 22, wobei der wenigstens eine Vorsprung des ersten Dichtungselements und der wenigstens eine Vorsprung des zweiten Dichtungselements ineinandergreifen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Reaktionskammer-Trennvorrichtung gemäß Anspruch 23, wobei zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement ein gewundener Weg definiert ist.
- Reaktionskammer-Trennvorrichtung gemäß Anspruch 21, wobei das zweite Dichtungselement biegsam ist und das erste Dichtungselement das zweite Dichtungselement durchbiegt, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
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US8883270B2 (en) * | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
TWI622664B (zh) | 2012-05-02 | 2018-05-01 | Asm智慧財產控股公司 | 相穩定薄膜,包括該薄膜之結構及裝置,及其形成方法 |
US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
USD795315S1 (en) * | 2014-12-12 | 2017-08-22 | Ebara Corporation | Dresser disk |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
JP5951095B1 (ja) * | 2015-09-08 | 2016-07-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10358721B2 (en) * | 2015-10-22 | 2019-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
DE17895903T1 (de) * | 2017-02-08 | 2020-01-16 | Picosun Oy | Abscheidungs- oder Reinigungsvorrichtung mit beweglicher Struktur und Verfahren zum Betrieb |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10872803B2 (en) * | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
US10872804B2 (en) * | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
KR20190092154A (ko) | 2018-01-30 | 2019-08-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 설비의 실링 장치 및 기류 산포 제어 장치 |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
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US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
JP7225599B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2023-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
CN111058093B (zh) * | 2018-10-16 | 2020-11-10 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 腔室密封组件及生长炉 |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
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KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
US10998209B2 (en) | 2019-05-31 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing platforms including multiple processing chambers |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US20210032750A1 (en) * | 2019-07-31 | 2021-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Deposition apparatus and method of forming metal oxide layer using the same |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
WO2021030336A1 (en) | 2019-08-12 | 2021-02-18 | Kurt J. Lesker Company | Ultra high purity conditions for atomic scale processing |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202200817A (zh) * | 2020-06-17 | 2022-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 高溫化學氣相沉積蓋 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11749542B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports |
US11817331B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate holder replacement with protective disk during pasting process |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
US11600507B2 (en) | 2020-09-09 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Pedestal assembly for a substrate processing chamber |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
US11610799B2 (en) | 2020-09-18 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
US11674227B2 (en) | 2021-02-03 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
WO2023027706A1 (en) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 | Applied Materials, Inc. | Process gas containment using elastic objects mated with reactor frames |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (386)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2745640A (en) | 1953-09-24 | 1956-05-15 | American Viscose Corp | Heat exchanging apparatus |
US2990045A (en) | 1959-09-18 | 1961-06-27 | Lipe Rollway Corp | Thermally responsive transmission for automobile fan |
US4393013A (en) | 1970-05-20 | 1983-07-12 | J. C. Schumacher Company | Vapor mass flow control system |
US3833492A (en) | 1971-09-22 | 1974-09-03 | Pollution Control Ind Inc | Method of producing ozone |
US3862397A (en) | 1972-03-24 | 1975-01-21 | Applied Materials Tech | Cool wall radiantly heated reactor |
US3854443A (en) | 1973-12-19 | 1974-12-17 | Intel Corp | Gas reactor for depositing thin films |
US3887790A (en) | 1974-10-07 | 1975-06-03 | Vernon H Ferguson | Wrap-around electric resistance heater |
SE393967B (sv) | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
US4194536A (en) | 1976-12-09 | 1980-03-25 | Eaton Corporation | Composite tubing product |
US4176630A (en) | 1977-06-01 | 1979-12-04 | Dynair Limited | Automatic control valves |
US4389973A (en) | 1980-03-18 | 1983-06-28 | Oy Lohja Ab | Apparatus for performing growth of compound thin films |
US4322592A (en) | 1980-08-22 | 1982-03-30 | Rca Corporation | Susceptor for heating semiconductor substrates |
US4436674A (en) | 1981-07-30 | 1984-03-13 | J.C. Schumacher Co. | Vapor mass flow control system |
US4512113A (en) | 1982-09-23 | 1985-04-23 | Budinger William D | Workpiece holder for polishing operation |
US4499354A (en) | 1982-10-06 | 1985-02-12 | General Instrument Corp. | Susceptor for radiant absorption heater system |
US4570328A (en) | 1983-03-07 | 1986-02-18 | Motorola, Inc. | Method of producing titanium nitride MOS device gate electrode |
US4735259A (en) | 1984-02-21 | 1988-04-05 | Hewlett-Packard Company | Heated transfer line for capillary tubing |
USD288556S (en) | 1984-02-21 | 1987-03-03 | Pace, Incorporated | Ornamental design for a frame of circuit elements utilized to replace damaged elements on printed circuit boards |
US4653541A (en) | 1985-06-26 | 1987-03-31 | Parker Hannifin Corporation | Dual wall safety tube |
US4789294A (en) | 1985-08-30 | 1988-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer handling apparatus and method |
US4722298A (en) | 1986-05-19 | 1988-02-02 | Machine Technology, Inc. | Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers |
US4882199A (en) | 1986-08-15 | 1989-11-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of forming a metal coating on a substrate |
US4753192A (en) | 1987-01-08 | 1988-06-28 | Btu Engineering Corporation | Movable core fast cool-down furnace |
US4821674A (en) | 1987-03-31 | 1989-04-18 | Deboer Wiebe B | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
US4827430A (en) | 1987-05-11 | 1989-05-02 | Baxter International Inc. | Flow measurement system |
US5221556A (en) | 1987-06-24 | 1993-06-22 | Epsilon Technology, Inc. | Gas injectors for reaction chambers in CVD systems |
NO161941C (no) | 1987-06-25 | 1991-04-30 | Kvaerner Eng | Fremgangsmaate ved og anlegg for transport av hydrokarboner over lang avstand fra en hydrokarbonkilde til havs. |
US5062386A (en) | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
US4986215A (en) | 1988-09-01 | 1991-01-22 | Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. | Susceptor for vapor-phase growth system |
US5119760A (en) | 1988-12-27 | 1992-06-09 | Symetrix Corporation | Methods and apparatus for material deposition |
JPH0834187B2 (ja) | 1989-01-13 | 1996-03-29 | 東芝セラミックス株式会社 | サセプタ |
DE4011933C2 (de) | 1990-04-12 | 1996-11-21 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür |
US5167716A (en) * | 1990-09-28 | 1992-12-01 | Gasonics, Inc. | Method and apparatus for batch processing a semiconductor wafer |
JP3323530B2 (ja) | 1991-04-04 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
US5199603A (en) | 1991-11-26 | 1993-04-06 | Prescott Norman F | Delivery system for organometallic compounds |
US5326427A (en) | 1992-09-11 | 1994-07-05 | Lsi Logic Corporation | Method of selectively etching titanium-containing materials on a semiconductor wafer using remote plasma generation |
IT1257434B (it) | 1992-12-04 | 1996-01-17 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Generatore di vapori per impianti di deposizione chimica da fase vapore |
US5421893A (en) | 1993-02-26 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Susceptor drive and wafer displacement mechanism |
US6122036A (en) | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US5681779A (en) | 1994-02-04 | 1997-10-28 | Lsi Logic Corporation | Method of doping metal layers for electromigration resistance |
JPH07283149A (ja) | 1994-04-04 | 1995-10-27 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
US5730801A (en) * | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
FI97730C (fi) | 1994-11-28 | 1997-02-10 | Mikrokemia Oy | Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
US5518549A (en) | 1995-04-18 | 1996-05-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor and baffle therefor |
JP3360098B2 (ja) | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
JPH08335558A (ja) | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
NO953217L (no) | 1995-08-16 | 1997-02-17 | Aker Eng As | Metode og innretning ved rörbunter |
US5736314A (en) | 1995-11-16 | 1998-04-07 | Microfab Technologies, Inc. | Inline thermo-cycler |
US5796074A (en) | 1995-11-28 | 1998-08-18 | Applied Materials, Inc. | Wafer heater assembly |
US5632919A (en) | 1996-01-25 | 1997-05-27 | T.G.M., Inc. | Temperature controlled insulation system |
SE9600705D0 (sv) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | Abb Research Ltd | A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device |
US5837320A (en) | 1996-02-27 | 1998-11-17 | The University Of New Mexico | Chemical vapor deposition of metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with monodenate or multidentate ligands |
US5732744A (en) | 1996-03-08 | 1998-03-31 | Control Systems, Inc. | Method and apparatus for aligning and supporting semiconductor process gas delivery and regulation components |
US5920798A (en) | 1996-05-28 | 1999-07-06 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Method of preparing a semiconductor layer for an optical transforming device |
US5993916A (en) | 1996-07-12 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method for substrate processing with improved throughput and yield |
US5928389A (en) | 1996-10-21 | 1999-07-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool |
US5836483A (en) | 1997-02-05 | 1998-11-17 | Aerotech Dental Systems, Inc. | Self-regulating fluid dispensing cap with safety pressure relief valve for dental/medical unit fluid bottles |
US6367410B1 (en) | 1996-12-16 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system |
US6035101A (en) | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
JP3752578B2 (ja) | 1997-04-21 | 2006-03-08 | 株式会社フジキン | 流体制御器用加熱装置 |
US6201999B1 (en) | 1997-06-09 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool |
US6083321A (en) | 1997-07-11 | 2000-07-04 | Applied Materials, Inc. | Fluid delivery system and method |
US6312525B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment |
US6099596A (en) | 1997-07-23 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Wafer out-of-pocket detection tool |
US6020243A (en) | 1997-07-24 | 2000-02-01 | Texas Instruments Incorporated | Zirconium and/or hafnium silicon-oxynitride gate dielectric |
US6287965B1 (en) | 1997-07-28 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co, Ltd. | Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor |
KR100385946B1 (ko) | 1999-12-08 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성방법 및 그 금속층을장벽금속층, 커패시터의 상부전극, 또는 하부전극으로구비한 반도체 소자 |
US6161500A (en) | 1997-09-30 | 2000-12-19 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions |
US6248168B1 (en) | 1997-12-15 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit |
US6125789A (en) | 1998-01-30 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Increasing the sensitivity of an in-situ particle monitor |
US6015465A (en) | 1998-04-08 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Temperature control system for semiconductor process chamber |
JPH11343571A (ja) | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Ngk Insulators Ltd | サセプター |
US6148761A (en) | 1998-06-16 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Dual channel gas distribution plate |
US6302964B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
US6086677A (en) | 1998-06-16 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
US20010001384A1 (en) | 1998-07-29 | 2001-05-24 | Takeshi Arai | Silicon epitaxial wafer and production method therefor |
USD451893S1 (en) | 1998-10-15 | 2001-12-11 | Meto International Gmbh | Arrangement of aluminum foil coils forming an inductor of a resonant frequency identification element |
US6454860B2 (en) | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
KR100331544B1 (ko) | 1999-01-18 | 2002-04-06 | 윤종용 | 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드 |
IT1308606B1 (it) | 1999-02-12 | 2002-01-08 | Lpe Spa | Dispositivo per maneggiare substrati mediante un istema autolivellante a depressione in reattori epistassiali ad induzione con suscettore |
US6326597B1 (en) | 1999-04-15 | 2001-12-04 | Applied Materials, Inc. | Temperature control system for process chamber |
FR2795745B1 (fr) | 1999-06-30 | 2001-08-03 | Saint Gobain Vitrage | Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu |
US6579833B1 (en) | 1999-09-01 | 2003-06-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Process for converting a metal carbide to carbon by etching in halogens |
JP2001077088A (ja) | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US6645345B2 (en) | 1999-09-02 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Wafer planarization using a uniform layer of material and method and apparatus for forming uniform layer of material used in semiconductor processing |
US6511539B1 (en) | 1999-09-08 | 2003-01-28 | Asm America, Inc. | Apparatus and method for growth of a thin film |
US6355153B1 (en) | 1999-09-17 | 2002-03-12 | Nutool, Inc. | Chip interconnect and packaging deposition methods and structures |
US6420792B1 (en) | 1999-09-24 | 2002-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge marking |
KR100369324B1 (ko) | 1999-12-02 | 2003-01-24 | 한국전자통신연구원 | 평면형 마이크로 공동구조 제조 방법 |
FI118804B (fi) | 1999-12-03 | 2008-03-31 | Asm Int | Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi |
JP2001176952A (ja) | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Toshiba Mach Co Ltd | ウェーハ位置ずれ検出装置 |
KR100767762B1 (ko) | 2000-01-18 | 2007-10-17 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치 |
US6407435B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-06-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Multilayer dielectric stack and method |
WO2001066832A2 (en) | 2000-03-07 | 2001-09-13 | Asm America, Inc. | Graded thin films |
US6598559B1 (en) | 2000-03-24 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled chamber |
JP2001342570A (ja) | 2000-03-30 | 2001-12-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
WO2001075188A2 (en) | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for gas injection |
JP2001345263A (ja) | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
KR100367662B1 (ko) | 2000-05-02 | 2003-01-10 | 주식회사 셈테크놀러지 | 하이퍼서멀 중성입자 발생 장치 및 이를 채용하는 중성입자 처리 장치 |
DE10021871A1 (de) | 2000-05-05 | 2001-11-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer Barriereschicht in einem elektronischen Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements mit einer Barriereschicht |
US6863019B2 (en) | 2000-06-13 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas |
KR100467366B1 (ko) | 2000-06-30 | 2005-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 원자층 증착법을 이용한 지르코늄산화막 형성방법 |
US6874480B1 (en) | 2000-07-03 | 2005-04-05 | Combustion Dynamics Corp. | Flow meter |
US6821910B2 (en) | 2000-07-24 | 2004-11-23 | University Of Maryland, College Park | Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation |
US6660660B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-12-09 | Asm International, Nv. | Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit |
US7204887B2 (en) | 2000-10-16 | 2007-04-17 | Nippon Steel Corporation | Wafer holding, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace |
JP4156788B2 (ja) | 2000-10-23 | 2008-09-24 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用サセプター |
US6824665B2 (en) | 2000-10-25 | 2004-11-30 | Shipley Company, L.L.C. | Seed layer deposition |
JP2002158178A (ja) | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US6613695B2 (en) | 2000-11-24 | 2003-09-02 | Asm America, Inc. | Surface preparation prior to deposition |
US20020064592A1 (en) | 2000-11-29 | 2002-05-30 | Madhav Datta | Electroless method of seed layer depostion, repair, and fabrication of Cu interconnects |
US7208428B2 (en) | 2000-12-05 | 2007-04-24 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for treating article to be treated |
JP5068402B2 (ja) | 2000-12-28 | 2012-11-07 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法 |
US7172497B2 (en) | 2001-01-05 | 2007-02-06 | Asm Nutool, Inc. | Fabrication of semiconductor interconnect structures |
US20020108670A1 (en) | 2001-02-12 | 2002-08-15 | Baker John Eric | High purity chemical container with external level sensor and removable dip tube |
JP4487135B2 (ja) | 2001-03-05 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 流体制御装置 |
US6521295B1 (en) | 2001-04-17 | 2003-02-18 | Pilkington North America, Inc. | Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby |
US6482331B2 (en) | 2001-04-18 | 2002-11-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for preventing contamination in a plasma process chamber |
US6847014B1 (en) | 2001-04-30 | 2005-01-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
JP2002343790A (ja) | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Nec Corp | 金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法 |
US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
US6420279B1 (en) | 2001-06-28 | 2002-07-16 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Methods of using atomic layer deposition to deposit a high dielectric constant material on a substrate |
TW539822B (en) | 2001-07-03 | 2003-07-01 | Asm Inc | Source chemical container assembly |
US6677254B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-01-13 | Applied Materials, Inc. | Processes for making a barrier between a dielectric and a conductor and products produced therefrom |
US20050020071A1 (en) | 2001-07-31 | 2005-01-27 | Jun Sonobe | Method and apparatus for cleaning and method and apparatus for etching |
US6820570B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-11-23 | Nobel Biocare Services Ag | Atomic layer deposition reactor |
JP2003060076A (ja) | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6720259B2 (en) | 2001-10-02 | 2004-04-13 | Genus, Inc. | Passivation method for improved uniformity and repeatability for atomic layer deposition and chemical vapor deposition |
US6960537B2 (en) | 2001-10-02 | 2005-11-01 | Asm America, Inc. | Incorporation of nitrogen into high k dielectric film |
KR100431658B1 (ko) | 2001-10-05 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 가열 장치 및 이를 갖는 장치 |
DE20221269U1 (de) | 2001-10-26 | 2005-12-08 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Gaszuführvorrichtung zur Abscheidung atomarer Schichten |
KR20030039247A (ko) | 2001-11-12 | 2003-05-17 | 주성엔지니어링(주) | 서셉터 |
US6926774B2 (en) | 2001-11-21 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Piezoelectric vaporizer |
KR100446619B1 (ko) | 2001-12-14 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 유도 결합 플라즈마 장치 |
JP3891267B2 (ja) | 2001-12-25 | 2007-03-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | シリコン酸化膜作製方法 |
US20030141820A1 (en) | 2002-01-30 | 2003-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate processing |
US6734090B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-05-11 | International Business Machines Corporation | Method of making an edge seal for a semiconductor device |
US6594550B1 (en) | 2002-03-29 | 2003-07-15 | Asm America, Inc. | Method and system for using a buffer to track robotic movement |
US7045430B2 (en) | 2002-05-02 | 2006-05-16 | Micron Technology Inc. | Atomic layer-deposited LaAlO3 films for gate dielectrics |
US7122844B2 (en) | 2002-05-13 | 2006-10-17 | Cree, Inc. | Susceptor for MOCVD reactor |
US6682973B1 (en) | 2002-05-16 | 2004-01-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Formation of well-controlled thin SiO, SiN, SiON layer for multilayer high-K dielectric applications |
US7195693B2 (en) | 2002-06-05 | 2007-03-27 | Advanced Thermal Sciences | Lateral temperature equalizing system for large area surfaces during processing |
US7135421B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide |
US20060014384A1 (en) | 2002-06-05 | 2006-01-19 | Jong-Cheol Lee | Method of forming a layer and forming a capacitor of a semiconductor device having the same layer |
JP2004014952A (ja) | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置および処理方法 |
US6858547B2 (en) | 2002-06-14 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming a gate dielectric |
US7067439B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | ALD metal oxide deposition process using direct oxidation |
US7601225B2 (en) | 2002-06-17 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | System for controlling the sublimation of reactants |
US7186385B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
US7357138B2 (en) | 2002-07-18 | 2008-04-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
KR100714985B1 (ko) | 2002-07-19 | 2007-05-09 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 액체 유동 제어기와 정밀 분배 장치 및 시스템 |
US6921062B2 (en) | 2002-07-23 | 2005-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
JP4585852B2 (ja) | 2002-07-30 | 2010-11-24 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 基板処理システム、基板処理方法及び昇華装置 |
JP4034145B2 (ja) | 2002-08-09 | 2008-01-16 | 住友大阪セメント株式会社 | サセプタ装置 |
TW200408323A (en) | 2002-08-18 | 2004-05-16 | Asml Us Inc | Atomic layer deposition of high k metal oxides |
TW200408015A (en) | 2002-08-18 | 2004-05-16 | Asml Us Inc | Atomic layer deposition of high K metal silicates |
US20040036129A1 (en) | 2002-08-22 | 2004-02-26 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions |
JP2004091848A (ja) | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の原料ガス供給系および薄膜形成装置 |
KR20050035300A (ko) | 2002-09-10 | 2005-04-15 | 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 | 뚜껑을 가진 열처리 장소 |
KR100460841B1 (ko) | 2002-10-22 | 2004-12-09 | 한국전자통신연구원 | 플라즈마 인가 원자층 증착법을 통한 질소첨가 산화물박막의 형성방법 |
US6858524B2 (en) | 2002-12-03 | 2005-02-22 | Asm International, Nv | Method of depositing barrier layer for metal gates |
US7122414B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-10-17 | Asm International, Inc. | Method to fabricate dual metal CMOS devices |
US20040144980A1 (en) | 2003-01-27 | 2004-07-29 | Ahn Kie Y. | Atomic layer deposition of metal oxynitride layers as gate dielectrics and semiconductor device structures utilizing metal oxynitride layers |
US7129165B2 (en) | 2003-02-04 | 2006-10-31 | Asm Nutool, Inc. | Method and structure to improve reliability of copper interconnects |
WO2004070816A1 (ja) | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理方法,半導体基板及びプラズマ処理装置 |
TWI338323B (en) | 2003-02-17 | 2011-03-01 | Nikon Corp | Stage device, exposure device and manufacguring method of devices |
US7091453B2 (en) | 2003-02-27 | 2006-08-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus by means of light irradiation |
US20040168627A1 (en) | 2003-02-27 | 2004-09-02 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Atomic layer deposition of oxide film |
US6930059B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-08-16 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition |
US7192892B2 (en) | 2003-03-04 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited dielectric layers |
JP2004273766A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Watanabe Shoko:Kk | 気化装置及びそれを用いた成膜装置並びに気化方法及び成膜方法 |
US20040198069A1 (en) | 2003-04-04 | 2004-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method for hafnium nitride deposition |
US7037376B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | Backflush chamber clean |
US7601223B2 (en) | 2003-04-29 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | Showerhead assembly and ALD methods |
US7033113B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-04-25 | Shell Oil Company | Mid-line connector and method for pipe-in-pipe electrical heating |
KR101090895B1 (ko) | 2003-05-09 | 2011-12-08 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 화학적 비활성화를 통한 반응기 표면의 패시베이션 |
US7192824B2 (en) | 2003-06-24 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers |
KR20050001793A (ko) | 2003-06-26 | 2005-01-07 | 삼성전자주식회사 | 단원자층 증착 공정의 실시간 분석 방법 |
US7547363B2 (en) | 2003-07-08 | 2009-06-16 | Tosoh Finechem Corporation | Solid organometallic compound-filled container and filling method thereof |
US6909839B2 (en) | 2003-07-23 | 2005-06-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material |
JP4298421B2 (ja) | 2003-07-23 | 2009-07-22 | エスペック株式会社 | サーマルプレートおよび試験装置 |
JP4417669B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2010-02-17 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理装置および半導体ウエハーの導入方法 |
WO2005017963A2 (en) | 2003-08-04 | 2005-02-24 | Asm America, Inc. | Surface preparation prior to deposition on germanium |
JP2005072405A (ja) | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Sony Corp | 薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
CN100495655C (zh) | 2003-09-03 | 2009-06-03 | 东京毅力科创株式会社 | 气体处理装置和散热方法 |
KR100551138B1 (ko) | 2003-09-09 | 2006-02-10 | 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 | 균일한 플라즈마 발생을 위한 적응형 플라즈마 소스 |
US7414281B1 (en) | 2003-09-09 | 2008-08-19 | Spansion Llc | Flash memory with high-K dielectric material between substrate and gate |
CN101429649B (zh) | 2003-09-19 | 2012-06-13 | 株式会社日立国际电气 | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 |
US7156380B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asm International, N.V. | Safe liquid source containers |
US7205247B2 (en) | 2003-09-30 | 2007-04-17 | Aviza Technology, Inc. | Atomic layer deposition of hafnium-based high-k dielectric |
US6875677B1 (en) | 2003-09-30 | 2005-04-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method to control the interfacial layer for deposition of high dielectric constant films |
US7020981B2 (en) | 2003-10-29 | 2006-04-04 | Asm America, Inc | Reaction system for growing a thin film |
US7329947B2 (en) | 2003-11-07 | 2008-02-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Heat treatment jig for semiconductor substrate |
US7071118B2 (en) | 2003-11-12 | 2006-07-04 | Veeco Instruments, Inc. | Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate |
KR100550641B1 (ko) | 2003-11-22 | 2006-02-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 산화하프늄과 산화알루미늄이 혼합된 유전막 및 그 제조방법 |
US7071051B1 (en) | 2004-01-20 | 2006-07-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming a thin, high quality buffer layer in a field effect transistor and related structure |
DE102004005385A1 (de) | 2004-02-03 | 2005-10-20 | Infineon Technologies Ag | Verwendung von gelösten Hafniumalkoxiden bzw. Zirkoniumalkoxiden als Precursoren für Hafniumoxid- und Hafniumoxynitridschichten bzw. Zirkoniumoxid- und Zirkoniumoxynitridschichten |
US20050187647A1 (en) | 2004-02-19 | 2005-08-25 | Kuo-Hua Wang | Intelligent full automation controlled flow for a semiconductor furnace tool |
US20060062910A1 (en) | 2004-03-01 | 2006-03-23 | Meiere Scott H | Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
US20050214458A1 (en) | 2004-03-01 | 2005-09-29 | Meiere Scott H | Low zirconium hafnium halide compositions |
US20050214457A1 (en) | 2004-03-29 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Deposition of low dielectric constant films by N2O addition |
CN1292092C (zh) | 2004-04-01 | 2006-12-27 | 南昌大学 | 用于金属有机化学气相沉积设备的双层进气喷头 |
US7273526B2 (en) | 2004-04-15 | 2007-09-25 | Asm Japan K.K. | Thin-film deposition apparatus |
USD553104S1 (en) | 2004-04-21 | 2007-10-16 | Tokyo Electron Limited | Absorption board for an electric chuck used in semiconductor manufacture |
US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
US20060019033A1 (en) | 2004-05-21 | 2006-01-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment of hafnium-containing materials |
US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
US7651583B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for treating a substrate |
KR100589062B1 (ko) | 2004-06-10 | 2006-06-12 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 방식의 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체소자의 커패시터 형성방법 |
US7132360B2 (en) | 2004-06-10 | 2006-11-07 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for treating a semiconductor surface to form a metal-containing layer |
JP4534619B2 (ja) | 2004-06-21 | 2010-09-01 | 株式会社Sumco | 半導体シリコン基板用熱処理治具 |
KR100578819B1 (ko) | 2004-07-15 | 2006-05-11 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 방법과 이를 이용한 게이트 구조물의 제조방법 및 커패시터의 제조 방법 |
WO2006011169A1 (en) | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Lpe Spa | Epitaxial reactor with susceptor controlled positioning |
ITMI20041677A1 (it) | 2004-08-30 | 2004-11-30 | E T C Epitaxial Technology Ct | Processo di pulitura e processo operativo per un reattore cvd. |
US8158488B2 (en) | 2004-08-31 | 2012-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of increasing deposition rate of silicon dioxide on a catalyst |
US20060060930A1 (en) | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Metz Matthew V | Atomic layer deposition of high dielectric constant gate dielectrics |
DE102005045081B4 (de) | 2004-09-29 | 2011-07-07 | Covalent Materials Corp. | Suszeptor |
US7241475B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-07-10 | The Aerospace Corporation | Method for producing carbon surface films by plasma exposure of a carbide compound |
US20060257563A1 (en) | 2004-10-13 | 2006-11-16 | Seok-Joo Doh | Method of fabricating silicon-doped metal oxide layer using atomic layer deposition technique |
JP4453984B2 (ja) | 2004-10-19 | 2010-04-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板支持・搬送用トレイ |
JP2006135161A (ja) | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Canon Inc | 絶縁膜の形成方法及び装置 |
TWI588872B (zh) | 2004-11-18 | 2017-06-21 | 尼康股份有限公司 | Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
CN100573803C (zh) * | 2004-11-24 | 2009-12-23 | Oc欧瑞康巴尔斯公司 | 用于非常大面积基片的真空处理室 |
US20060113675A1 (en) | 2004-12-01 | 2006-06-01 | Chung-Liang Chang | Barrier material and process for Cu interconnect |
US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
US7396732B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-07-08 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw (Imec) | Formation of deep trench airgaps and related applications |
JP2006186271A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Sharp Corp | 気相成長装置および成膜済基板の製造方法 |
US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
EP1866465A2 (de) | 2005-01-18 | 2007-12-19 | ASM America, Inc. | Reaktionssystem zur herstellung eines dünnen films |
US7298009B2 (en) | 2005-02-01 | 2007-11-20 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor method and device with mixed orientation substrate |
US6972478B1 (en) | 2005-03-07 | 2005-12-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit and method for its manufacture |
US7422636B2 (en) | 2005-03-25 | 2008-09-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system having reduced contamination |
US20060226117A1 (en) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Bertram Ronald T | Phase change based heating element system and method |
JP4694878B2 (ja) | 2005-04-20 | 2011-06-08 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US20070155138A1 (en) | 2005-05-24 | 2007-07-05 | Pierre Tomasini | Apparatus and method for depositing silicon germanium films |
TW200709296A (en) | 2005-05-31 | 2007-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
JP4813480B2 (ja) | 2005-06-13 | 2011-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
JP4753173B2 (ja) | 2005-06-17 | 2011-08-24 | 株式会社フジキン | 流体制御装置 |
US7575990B2 (en) | 2005-07-01 | 2009-08-18 | Macronix International Co., Ltd. | Method of forming self-aligned contacts and local interconnects |
WO2007008653A2 (en) | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Aviza Technology, Inc. | Method for depositing silicon-containing films |
US20070010072A1 (en) | 2005-07-09 | 2007-01-11 | Aviza Technology, Inc. | Uniform batch film deposition process and films so produced |
US7314838B2 (en) | 2005-07-21 | 2008-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a high density dielectric film by chemical vapor deposition |
TWI313486B (en) | 2005-07-28 | 2009-08-11 | Nuflare Technology Inc | Position measurement apparatus and method and writing apparatus and method |
US20070028842A1 (en) | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Makoto Inagawa | Vacuum chamber bottom |
US20070037412A1 (en) | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Limited | In-situ atomic layer deposition |
US7718225B2 (en) | 2005-08-17 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Method to control semiconductor film deposition characteristics |
USD557226S1 (en) | 2005-08-25 | 2007-12-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electrode cover for a plasma processing apparatus |
US7402534B2 (en) | 2005-08-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Pretreatment processes within a batch ALD reactor |
US7393736B2 (en) | 2005-08-29 | 2008-07-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Zrx Hfy Sn1-x-y O2 films as high k gate dielectrics |
JP2007088113A (ja) | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20070065578A1 (en) | 2005-09-21 | 2007-03-22 | Applied Materials, Inc. | Treatment processes for a batch ALD reactor |
US7691204B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-04-06 | Applied Materials, Inc. | Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation |
JP4940635B2 (ja) | 2005-11-14 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、熱処理装置及び記憶媒体 |
GB2432363B (en) | 2005-11-16 | 2010-06-23 | Epichem Ltd | Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition |
US20070116873A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating |
JP4666496B2 (ja) | 2005-12-07 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
US7592251B2 (en) | 2005-12-08 | 2009-09-22 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum titanium oxide films |
KR101296911B1 (ko) | 2005-12-28 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시소자의 제조장치 및 그의 정전기량 검출장치 및검출방법 |
TWI284390B (en) | 2006-01-10 | 2007-07-21 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method of charge store device |
US8088248B2 (en) | 2006-01-11 | 2012-01-03 | Lam Research Corporation | Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system |
JP2007191792A (ja) | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Atto Co Ltd | ガス分離型シャワーヘッド |
US8673413B2 (en) | 2006-01-27 | 2014-03-18 | Tosoh Finechem Corporation | Method for packing solid organometallic compound and packed container |
US7794546B2 (en) | 2006-03-08 | 2010-09-14 | Tokyo Electron Limited | Sealing device and method for a processing system |
US7740705B2 (en) * | 2006-03-08 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Exhaust apparatus configured to reduce particle contamination in a deposition system |
KR20070093493A (ko) | 2006-03-14 | 2007-09-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 서셉터 및 반도체 제조장치 |
JP2007266464A (ja) | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US8951478B2 (en) | 2006-03-30 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Ampoule with a thermally conductive coating |
US7410852B2 (en) | 2006-04-21 | 2008-08-12 | International Business Machines Corporation | Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate field effect transistors |
US7537804B2 (en) | 2006-04-28 | 2009-05-26 | Micron Technology, Inc. | ALD methods in which two or more different precursors are utilized with one or more reactants to form materials over substrates |
US8278176B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-10-02 | Asm America, Inc. | Selective epitaxial formation of semiconductor films |
JP4193883B2 (ja) | 2006-07-05 | 2008-12-10 | 住友電気工業株式会社 | 有機金属気相成長装置 |
KR100799735B1 (ko) | 2006-07-10 | 2008-02-01 | 삼성전자주식회사 | 금속 산화물 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
KR100791334B1 (ko) | 2006-07-26 | 2008-01-07 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법을 이용한 금속 산화막 형성 방법 |
US7749879B2 (en) | 2006-08-03 | 2010-07-06 | Micron Technology, Inc. | ALD of silicon films on germanium |
KR100753020B1 (ko) | 2006-08-30 | 2007-08-30 | 한국화학연구원 | 원자층 증착법을 이용한 비휘발성 부유 게이트 메모리소자를 위한 나노적층체의 제조방법 |
US20080241805A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-10-02 | Q-Track Corporation | System and method for simulated dosimetry using a real time locating system |
US20080057659A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Micron Technology, Inc. | Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates |
US7605030B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates |
US7976898B2 (en) | 2006-09-20 | 2011-07-12 | Asm Genitech Korea Ltd. | Atomic layer deposition apparatus |
US7723648B2 (en) | 2006-09-25 | 2010-05-25 | Tokyo Electron Limited | Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system |
WO2008045972A2 (en) | 2006-10-10 | 2008-04-17 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
US8986456B2 (en) | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
USD593969S1 (en) | 2006-10-10 | 2009-06-09 | Tokyo Electron Limited | Processing chamber for manufacturing semiconductors |
US7776395B2 (en) | 2006-11-14 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing catalyst assisted silicates of high-k materials |
US7749574B2 (en) | 2006-11-14 | 2010-07-06 | Applied Materials, Inc. | Low temperature ALD SiO2 |
US7976634B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems |
DE102007002962B3 (de) | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Qimonda Ag | Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht und zum Herstellen eines Kondensators |
US7833353B2 (en) | 2007-01-24 | 2010-11-16 | Asm Japan K.K. | Liquid material vaporization apparatus for semiconductor processing apparatus |
US20080216077A1 (en) | 2007-03-02 | 2008-09-04 | Applied Materials, Inc. | Software sequencer for integrated substrate processing system |
US7833913B2 (en) | 2007-03-20 | 2010-11-16 | Tokyo Electron Limited | Method of forming crystallographically stabilized doped hafnium zirconium based films |
KR100829759B1 (ko) | 2007-04-04 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카바이드 유도 탄소를 이용한 카본나노튜브 혼성체, 이를포함하는 전자 방출원 및 상기 전자 방출원을 구비한 전자방출 소자 |
US7575968B2 (en) | 2007-04-30 | 2009-08-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Inverse slope isolation and dual surface orientation integration |
JP5103056B2 (ja) | 2007-05-15 | 2012-12-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN100590804C (zh) | 2007-06-22 | 2010-02-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 原子层沉积方法以及形成的半导体器件 |
US20090000550A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Applied Materials, Inc. | Manifold assembly |
JP4900110B2 (ja) | 2007-07-20 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液気化タンク及び薬液処理システム |
US7720560B2 (en) | 2007-07-26 | 2010-05-18 | International Business Machines Corporation | Semiconductor manufacturing process monitoring |
US8004045B2 (en) | 2007-07-27 | 2011-08-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for producing the same |
US8440259B2 (en) | 2007-09-05 | 2013-05-14 | Intermolecular, Inc. | Vapor based combinatorial processing |
JP5347294B2 (ja) | 2007-09-12 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP4986784B2 (ja) | 2007-09-18 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
US20090085156A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Gilbert Dewey | Metal surface treatments for uniformly growing dielectric layers |
US7776698B2 (en) | 2007-10-05 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Selective formation of silicon carbon epitaxial layer |
US20090095221A1 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-16 | Alexander Tam | Multi-gas concentric injection showerhead |
US20090139657A1 (en) | 2007-12-04 | 2009-06-04 | Applied Materials, Inc. | Etch system |
US20090214777A1 (en) | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Demetrius Sarigiannis | Multiple ampoule delivery systems |
KR100968132B1 (ko) | 2008-02-29 | 2010-07-06 | (주)얼라이드 테크 파인더즈 | 안테나 및 이를 구비한 반도체 장치 |
US8252114B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-08-28 | Tokyo Electron Limited | Gas distribution system and method for distributing process gas in a processing system |
US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
US8110453B2 (en) | 2008-04-17 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Low temperature thin film transistor process, device property, and device stability improvement |
US8076237B2 (en) | 2008-05-09 | 2011-12-13 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for 3D interconnect |
JP2009295932A (ja) | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8726837B2 (en) | 2008-06-23 | 2014-05-20 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber vision and monitoring system |
KR20100015213A (ko) | 2008-08-04 | 2010-02-12 | 삼성전기주식회사 | Cvd용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
WO2010017136A1 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-11 | Amir Dassoud Dabiran | Microchannel plate photocathode |
JP2010087467A (ja) | 2008-09-04 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
US9711373B2 (en) | 2008-09-22 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices |
USD609655S1 (en) | 2008-10-03 | 2010-02-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
US8293016B2 (en) | 2008-10-07 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for efficient removal of halogen residues from etched substrates |
KR20110084275A (ko) | 2008-10-27 | 2011-07-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 삼원 화합물의 기상 증착 방법 |
JP2010153769A (ja) | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板位置検出装置、基板位置検出方法、成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体 |
US20100130017A1 (en) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Front end of line plasma mediated ashing processes and apparatus |
US8216380B2 (en) | 2009-01-08 | 2012-07-10 | Asm America, Inc. | Gap maintenance for opening to process chamber |
JP5705133B2 (ja) | 2009-02-04 | 2015-04-22 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドMattson Technology, Inc. | 静電チャックシステムおよび基板表面に亘って温度プロファイルを半径方向に調整するための方法 |
US8287648B2 (en) | 2009-02-09 | 2012-10-16 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber |
JP5221421B2 (ja) | 2009-03-10 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド及びプラズマ処理装置 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
JP5822823B2 (ja) | 2009-04-21 | 2015-11-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 膜厚不均一性および粒子性能を改善するcvd装置 |
US8071452B2 (en) | 2009-04-27 | 2011-12-06 | Asm America, Inc. | Atomic layer deposition of hafnium lanthanum oxides |
JP5136574B2 (ja) | 2009-05-01 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US8071451B2 (en) | 2009-07-29 | 2011-12-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Method of doping semiconductors |
US8883270B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8877655B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-11-04 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
USD634719S1 (en) | 2009-08-27 | 2011-03-22 | Ebara Corporation | Elastic membrane for semiconductor wafer polishing apparatus |
US20110061810A1 (en) | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching |
US8465791B2 (en) | 2009-10-16 | 2013-06-18 | Msp Corporation | Method for counting particles in a gas |
US20110097901A1 (en) | 2009-10-26 | 2011-04-28 | Applied Materials, Inc. | Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly |
JP5451324B2 (ja) | 2009-11-10 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US8367528B2 (en) | 2009-11-17 | 2013-02-05 | Asm America, Inc. | Cyclical epitaxial deposition and etch |
US8709551B2 (en) | 2010-03-25 | 2014-04-29 | Novellus Systems, Inc. | Smooth silicon-containing films |
US20110256734A1 (en) | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Hausmann Dennis M | Silicon nitride films and methods |
US9443753B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
US9449858B2 (en) | 2010-08-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber |
CN103201408A (zh) | 2010-11-05 | 2013-07-10 | 思诺斯技术公司 | 具有多个等离子体室的游离基反应器 |
JP5573666B2 (ja) | 2010-12-28 | 2014-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料供給装置及び成膜装置 |
JP5820731B2 (ja) | 2011-03-22 | 2015-11-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および固体原料補充方法 |
JP5203482B2 (ja) | 2011-03-28 | 2013-06-05 | 株式会社小松製作所 | 加熱装置 |
US8900402B2 (en) | 2011-05-10 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources |
US8871617B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films |
US8809170B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-08-19 | Asm America Inc. | High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process |
US20120304935A1 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Oosterlaken Theodorus G M | Bubbler assembly and method for vapor flow control |
US9175392B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-11-03 | Intermolecular, Inc. | System for multi-region processing |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9644796B2 (en) | 2011-09-29 | 2017-05-09 | Applied Materials, Inc. | Methods for in-situ calibration of a flow controller |
US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8927059B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition of metal films using alane-based precursors |
US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
USD691974S1 (en) | 2011-12-22 | 2013-10-22 | Tokyo Electron Limited | Holding pad for transferring a wafer |
US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
TWI622664B (zh) | 2012-05-02 | 2018-05-01 | Asm智慧財產控股公司 | 相穩定薄膜,包括該薄膜之結構及裝置,及其形成方法 |
US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
JP5960028B2 (ja) | 2012-10-31 | 2016-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US10036089B2 (en) | 2013-06-26 | 2018-07-31 | Applied Materials, Inc. | Methods of depositing a metal alloy film |
USD705745S1 (en) | 2013-07-08 | 2014-05-27 | Witricity Corporation | Printed resonator coil |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
USD716742S1 (en) | 2013-09-13 | 2014-11-04 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporter for semiconductor deposition apparatus |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
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