DE112012004880T5 - Kammerdichtungselement - Google Patents
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0053—Details of the reactor
- B01J19/0073—Sealings
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/0015—Feeding of the particles in the reactor; Evacuation of the particles out of the reactor
- B01J8/0035—Periodical feeding or evacuation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
Eine Reaktionskammer enthält ein oberes Gebiet zum Verarbeiten eines Substrats, ein unteres Gebiet zum Beschicken eines Substrats, einen Suszeptor, der innerhalb der Reaktionskammer beweglich ist, ein erstes Dichtungselement, das an einem Umfang des Suszeptors positioniert ist, ein zweites Dichtungselement, das zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet positioniert ist, wobei das erste und das zweite Dichtungselement wahlweise miteinander in Eingriff sind, um die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet zu begrenzen.
Description
- QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
- Diese Anmeldung beansprucht den Nutzen der vorläufigen US-Anmeldung Nr. 61/563.232, eingereicht am 23. November 2011, deren Offenbarung hier durch Literaturhinweis eingefügt ist.
- STAND DER TECHNIK
- Dünnfilmablagerungs-Reaktionskammern werden allgemein mit einer Einzelkammer oder mit einer Doppelkammer hergestellt. In der Doppelkammeranordnung können die zwei Kammern so orientiert sein, dass eine Kammer vertikal über der zweiten Kammer liegt. Die obere Kammer wird zum Verarbeiten des Substrats verwendet, während die untere Kammer zum Beschicken und Ausgeben des Substrats verwendet wird. Ein regelmäßig auftretendes Problem in Doppelkammerreaktoren ist die Ablagerung von Partikeln, die die Wände der unteren Kammer beschichten und eine häufigere Reinigung der Kammer erfordern.
- Außerdem kann es schwierig sein, ein Substrat, das in einem Substratverarbeitungswerkzeug verarbeitet wird, zu erwärmen. Die Schwankung der Substraterwärmung kann zu Temperaturschwankungen innerhalb des Substrats führen. Solche Temperaturschwankungen innerhalb des Substrats können zu Verarbeitungsungleichmäßigkeiten innerhalb des Substrats führen. In einigen Anlagen können Substrate, die solche Ungleichförmigkeiten zeigen, defekte Vorrichtungen erzeugen. Ferner kann ein Ablagerungsprodukt in der unteren Verarbeitungskammer abgelagert werden, was zu verringerten Temperaturen in der Reaktionskammer und somit zu erhöhtem Leistungsverbrauch, um die unzureichende Erwärmung zu überwinden, führt. Außerdem kann die Zunahme eines Ablagerungsprodukts in der Kammer zu vorzeitigen Kammerreinigungsanforderungen und zu erhöhten Kosten führen.
- DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
- Aspekte dieses Dokuments beziehen sich auf Reaktionskammern zum Verarbeiten von Substraten. In einem Aspekt enthält eine Reaktionskammer ein oberes Gebiet zum Verarbeiten eines Substrats, ein unteres Gebiet zum Beschicken eines Substrats, einen Suszeptor, der innerhalb der Reaktionskammer beweglich ist, ein erstes Dichtungselement, das an einem Umfang des Suszeptors positioniert ist, ein zweites Dichtungselement, das zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet positioniert ist, wobei das erste und das zweite Dichtungselement wahlweise miteinander in Eingriff sind, um die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet zu begrenzen.
- In einer Implementierung kann das erste Dichtungselement abnehmbar an dem Suszeptor positioniert sein. Das zweite Dichtungselement kann abnehmbar zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet positioniert sein. Ferner kann die Reaktionskammer zwischen einem Umfang des Suszeptors und dem ersten Dichtungselement einen Zwischenraum enthalten. Der Zwischenraum kann abnehmen, wenn die Reaktionskammer auf einer Verarbeitungstemperatur ist. Das erste Dichtungselement kann vertikal mit dem Suszeptor laufen. Ferner kann die Reaktionskammer in dem oberen Gebiet einen Sprühkopf enthalten, wobei das zweite Dichtungselement zwischen dem Sprühkopf und dem ersten Dichtungselement befestigt ist. Ein Verarbeitungsgas kann zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement laufen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Das erste Dichtungselement und das zweite Dichtungselement können aus Quarz bestehen. Das Dichtungselement kann an dem Suszeptor selbstzentrierend sein. Das erste Dichtungselement kann ferner wenigstens einen Vorsprung enthalten, der nach oben verläuft. Das zweite Dichtungselement kann ferner wenigstens einen Vorsprung enthalten, der nach unten verläuft. Der wenigstens eine Vorsprung des ersten Dichtungselements und der wenigstens eine Vorsprung des zweiten Dichtungselements können ineinandergreifen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist. Zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement kann ein gewundener Weg definiert sein. Ferner können die wenigstens einen Vorsprünge des ersten Dichtungselements und des zweiten Dichtungselements jeweils drei Vorsprünge enthalten.
- Das zweite Dichtungselement kann biegsam sein und das erste Dichtungselement kann das zweite Dichtungselement durchbiegen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist. Das zweite Dichtungselement kann innerhalb des unteren Gebiets an der Reaktionskammer befestigt sein. Ferner kann das zweite Dichtungselement mehrere Kerben enthalten. Ferner kann das zweite Dichtungselement mehrere radial ausgerichtete Schlitze enthalten. Ferner kann das zweite Dichtungselement zwei zweite Dichtungselemente mit radial ausgerichteten Schlitzen, die gegeneinander versetzt positioniert sind, enthalten.
- In einem anderen Aspekt enthält eine Reaktionskammer-Trennvorrichtung ein erstes Dichtungselement, das innerhalb einer Reaktionskammer beweglich ist und auf einem Suszeptor positioniert werden kann, ein zweites Dichtungselement, das innerhalb der Reaktionskammer zwischen einem oberen Gebiet und einem unteren Gebiet positioniert werden kann, und wobei das erste und das zweite Dichtungselement wahlweise miteinander in Eingriff gebracht werden können, um die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet zu begrenzen.
- In einer Implementierung kann das erste Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung enthalten, der nach oben verläuft, und kann das zweite Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung enthalten, der nach unten verläuft. Der wenigstens eine Vorsprung des ersten Dichtungselements und der wenigstens eine Vorsprung des zweiten Dichtungselements können ineinandergreifen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist. Zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement kann ein gewundener Weg definiert sein. Das zweite Dichtungselement ist biegsam und das erste Dichtungselement biegt das zweite Dichtungselement durch, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Im Folgenden sind in den Zeichnungen und in der ausführlichen Beschreibung Aspekte und Implementierungen der hier dargestellten Offenbarung beschrieben. Sofern nicht spezifisch etwas anderes angegeben ist, sollen die Wörter und Formulierungen in der Beschreibung und in den Patentansprüchen ihre einfache, normale und dem Durchschnittsfachmann auf den anwendbaren Gebieten vertraute Bedeutung haben. Die Erfinder sind in voller Kenntnis dessen, dass sie auf Wunsch ihre eigenen Wörterbücher verfassen können. Sofern nicht etwas anderes deutlich angegeben ist und dann ferner ausdrücklich die ”spezielle” Definition dieses Begriffs, wie sie sich von der einfachen und normalen Bedeutung unterscheidet, dargelegt ist und erläutert ist, entscheiden sich die Erfinder als Verfasser ihrer eigenen Wörterbücher ausdrücklich dafür, in der Beschreibung und in den Patentansprüchen nur die einfache und normale Bedeutung von Begriffen zu verwenden. Ohne solche deutlichen Absichtserklärungen, eine ”spezielle” Definition anzuwenden, beabsichtigen und wünschen die Erfinder, dass auf die Interpretation der Beschreibung und der Patentansprüche die simple, einfache und normale Bedeutung der Begriffe angewendet wird.
- Außerdem sind die Erfinder in Kenntnis der normalen Regeln der englischen Grammatik. Wenn ein Substantiv, ein Begriff oder eine Formulierung in einer Weise weiter charakterisiert, spezifiziert oder eingeengt werden soll, enthält dieses Substantiv, dieser Begriff oder diese Formulierung somit explizit zusätzliche Adjektive, beschreibende Begriffe oder andere Attribute in Übereinstimmung mit den normalen Regeln der englischen Grammatik. Ohne die Verwendung solcher Adjektive, beschreibenden Begriffe oder Attribute sollen diese Substantive, Begriffe oder Formulierungen ihre einfache und normale englische Bedeutung haben, die der Fachmann auf den anwendbaren Gebieten wie oben dargelegt kennt.
- Die vorstehenden und andere Aspekte, Merkmale und Vorteile gehen für den Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet aus der BESCHREIBUNG und aus den ZEICHNUNGEN sowie aus den PATENTANSPRÜCHEN hervor.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen beschrieben, wobei gleiche Bezeichnungen gleiche Elemente bezeichnen und wobei:
-
1 schematisch eine Substratverarbeitungskammer zeigt, die ein erstes Dichtungselement und ein zweites Dichtungselement in einer Substratbeschickungsstellung enthält. -
2 schematisch eine Substratverarbeitungskammer mit einem Suszeptor, einem ersten Dichtungselement und einem zweiten Dichtungselement in einer Verarbeitungsstellung zeigt. -
3 schematisch eine perspektivische Unteransicht eines Abschnitts des Suszeptors und der Dichtungselemente zeigt. -
4 schematisch eine perspektivische Explosionsdarstellung des Suszeptors und der Dichtungselemente zeigt. -
5 schematisch eine Schnittansicht des in2 mit5 bezeichneten Bereichs zeigt. -
6 schematisch eine Schnittansicht des in2 mit5 bezeichneten Bereichs mit einer zweiten Implementierung eines Dichtungselements zeigt. -
7 schematisch eine Substratverarbeitungskammer, die ein erstes Dichtungselement und ein zweites Dichtungselement enthält, in einer Substratbeschickungsstellung zeigt. -
8 schematisch eine Substratverarbeitungskammer mit einem Suszeptor, mit einem ersten Dichtungselement und mit einem zweiten Dichtungselement in einer Verarbeitungsstellung zeigt. -
9 schematisch eine perspektivische Ansicht einer dritten Implementierung eines zweiten Dichtungselements zeigt. -
10 schematisch eine Schnittansicht des in8 mit10 bezeichneten Bereichs zeigt. -
11 schematisch eine perspektivische Ansicht einer vierten Implementierung eines zweiten Dichtungselements zeigt. -
12 schematisch eine Schnittansicht des in8 mit10 bezeichneten Bereichs mit einer vierten Implementierung des zweiten Dichtungselements zeigt, wobei das erste und das zweite Dichtungselement gelöst sind. -
13 schematisch eine Schnittansicht allgemein längs der Linie 13-13 in12 zeigt. -
14 schematisch eine Schnittansicht allgemein längs der Linie 14-14 in13 zeigt. -
15 schematisch eine Schnittansicht des in8 mit10 bezeichneten Bereichs mit einer vierten Implementierung des zweiten Dichtungselements zeigt, wobei das erste und das zweite Dichtungselement in Eingriff sind. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Die vorliegenden Aspekte und Implementierungen können hinsichtlich Funktionsblockkomponenten und verschiedenen Verarbeitungsschritten beschrieben sein. Solche Funktionsblöcke können durch irgendeine Anzahl von Hardware- oder Softwarekomponenten verwirklicht werden, die dafür konfiguriert sind, die spezifizierten Funktionen auszuführen und die verschiedenen Ergebnisse zu erzielen. Zum Beispiel können die vorliegenden Aspekte verschiedene Sensoren, Detektoren, Flusssteuervorrichtungen, Heizeinrichtungen und dergleichen nutzen, die eine Vielzahl von Funktionen ausführen können. Außerdem können die vorliegenden Aspekte und Implementierungen in Verbindung mit irgendeiner Anzahl von Verarbeitungsverfahren ausgeübt werden und können die beschriebenen Vorrichtungen und Systeme irgendeine Anzahl von Verarbeitungsverfahren nutzen und sind die beschriebenen Vorrichtungen und Systeme lediglich Beispiele für die Anwendungen der Erfindung.
- Die
1 und2 veranschaulichen Ansichten einer Reaktionskammer20 in einer Beschickungs/Ausgabe-Stellung bzw. in einer Verarbeitungsstellung. Die Reaktionskammer20 kann ein oberes Gebiet22 und ein unteres Gebiet24 , die durch eine Zwischenplatte26 getrennt sein können, enthalten. Im Allgemeinen findet die Verarbeitung innerhalb des oberen Gebiets22 statt, während die Substratbeschickung und -ausgabe innerhalb des unteren Gebiets24 stattfindet. Ein Suszeptor28 enthält eine Substratmontagefläche30 und ist mit einem vertikal beweglichen Teileheber32 verbunden, um den Suszeptor zwischen der Substratbeschickungsstellung und der Substratverarbeitungsstellung zu verlagern. Wenn der positionierte Suszeptor28 in Richtung der Pfeile38 wie in2 gezeigt nach oben bewegt wird, kann auf der Substratmontagefläche30 ein Substrat34 positioniert sein und in einem Verarbeitungsgebiet36 gelegen sein, wobei ein Sprühkopf40 eine obere Oberfläche des Verarbeitungsgebiets definiert. Wie im Folgenden ausführlicher beschrieben wird, kann auf dem Suszeptor28 und von ihm abnehmbar ein erstes Dichtungselement42 positioniert sein, während zwischen dem oberen Gebiet22 und dem unteren Gebiet24 ein zweites Dichtungselement44 positioniert sein kann. Genauer kann das zweite Dichtungselement44 so positioniert sein, dass es wenigstens teilweise an der Zwischenplatte26 anliegt, oder kann es mit der Zwischenplatte oder mit irgendeinem anderen geeigneten Abschnitt der Reaktionskammer20 verbunden sein, ohne von dem Erfindungsgedanken und Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. - Nun in
3 und4 ist ein Suszeptor28 gezeigt, wobei das erste Dichtungselement42 und das zweite Dichtungselement44 befestigt bzw. gelöst sind. Der Suszeptor28 enthält eine Außenoberfläche46 und einen vorspringenden Rand48 , der von der Außenoberfläche46 nach außen verläuft. Der vorspringende Rand48 kann allgemein nahe einer unteren Oberfläche50 des Suszeptors positioniert sein und ist so angeordnet, dass er das erste Dichtungselement42 darauf aufnimmt. Das erste Dichtungselement42 enthält einen unteren Abschnitt52 und einen oberen Abschnitt54 , wobei der untere Abschnitt in einer Implementierung allgemein radial innerhalb des oberen Abschnitts54 positioniert ist, obgleich irgendwelche geeignete Anordnungen genutzt werden können. Der untere Abschnitt52 kann eine untere Oberfläche56 enthalten, die so ausgelegt ist, dass sie an dem vorspringenden Rand48 des Suszeptors28 anliegt, wenn das erste Dichtungselement zum Trennen des oberen Gebiets22 und des unteren Gebiets24 verwendet wird. Wie im Folgenden ausführlicher diskutiert ist, kann der obere Abschnitt54 eine obere Oberfläche58 enthalten, die durch Ausbildung eines Abschnitts eines gewundenen Wegs beim Abdichten hilft. Ferner kann der untere Abschnitt52 eine Innenoberfläche60 und eine Außenoberfläche62 enthalten, während der obere Abschnitt54 eine Innenoberfläche64 und eine Außenoberfläche66 enthalten kann. Dementsprechend fungiert der obere Abschnitt54 als ein Vorsprung, indem er von dem unteren Abschnitt52 als Teil des ersten Dichtungselements42 nach oben verläuft. - Das zweite Dichtungselement
44 kann einen äußeren Montagering68 mit einer unteren Oberfläche70 enthalten, wobei der äußere Montagering68 teilweise einen Kanal72 definiert. Wenn das zweite Dichtungselement44 verwendet wird, um eine Trennung zwischen dem oberen Gebiet22 und dem unteren Gebiet24 bereitzustellen, steht die untere Oberfläche70 allgemein in Kontakt mit der Zwischenplatte26 . Der Außenring68 kann außerdem mehrere Kerben74 enthalten, die dafür verwendet werden, eine konstante und gleichbleibende Ausrichtung auf die anderen Komponenten in der Reaktionskammer sicherzustellen. Außerdem kann das zweite Dichtungselement44 einen äußeren Vorsprung76 und einen inneren Vorsprung78 , die allgemein nach unten verlaufen, enthalten. Der äußere Vorsprung76 kann eine Außenoberfläche80 und eine Innenoberfläche82 enthalten, während der innere Vorsprung78 eine Außenoberfläche84 und eine Innenoberfläche86 enthalten kann. In dieser Anordnung definiert die Außenoberfläche80 des äußeren Vorsprungs76 in dem zweiten Dichtungselement44 ferner einen Kanal72 , während die Außenoberfläche84 des inneren Vorsprungs78 und die Innenoberfläche82 des äußeren Vorsprungs76 wenigstens teilweise einen Kanal88 zur Aufnahme des oberen Abschnitts54 des ersten Dichtungselements42 , wenn der Suszeptor28 in die Verarbeitungsstellung nach oben läuft, definieren. In einer Implementierung können der innere Vorsprung78 und der äußere Vorsprung76 über die untere Oberfläche70 hinaus nach unten verlaufen, da die untere Oberfläche auf einer Zwischenplatte innerhalb der Reaktionskammer positioniert ist. In einer anderen Implementierung kann der innere Vorsprung78 über eine kürzere Strecke als der äußere Vorsprung76 nach unten verlaufen. Der Fachmann auf dem Gebiet wird sofort würdigen, dass an den Dichtungselementen eine Anzahl von Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Erfindungsgedanken und Schutzumfang der Offenbarung abzuweichen. -
5 veranschaulicht eine vergrößerte Schnittansicht des ersten Dichtungselements42 , das innerhalb eines Abschnitts des zweiten Dichtungselements44 ineinandergreift, wenn der Suszeptor28 in eine Verarbeitungsstellung nach oben bewegt wird. Genauer ist der obere Abschnitt54 des ersten Dichtungselements42 innerhalb eines wenigstens teilweise zwischen dem äußeren Vorsprung76 , dem inneren Vorsprung78 und einer Wand90 gebildeten Kanals88 positioniert gezeigt. Wegen des durch das erste und durch das zweite Dichtungselement erzeugten gewundenen Wegs ist ein durch die Pfeile92 angegebener Gasweg allgemein weniger anfällig dafür, Gase aus dem oberen Gebiet22 in das untere Gebiet24 zu übertragen. Das Gas muss durch den durch einen zwischen den Innenoberflächen60 und64 des ersten Dichtungselements42 und einer Außenoberfläche46 des Suszeptors28 gebildeten Zwischenraum94 definierten gewundenen Weg, durch einen Kanal88 mit dem darin positionierten oberen Abschnitt54 und schließlich in das untere Gebiet24 laufen. Die Breite und die Längen des gewundenen Wegs können so optimiert sein, dass je nach den Verarbeitungsanforderungen eine veränderliche Länge der Verbindung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet oder keine Verbindung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet zuzulassen ist. - Sowohl das erste Dichtungselement
42 als auch das zweite Dichtungselement44 können aus Quarz, Rutil, Yttriumoxid, Zirkoniumdioxid, Inconel, Titan, Beryllium-Kupfer oder aus irgendeinem anderen geeigneten Material bestehen. In einigen Implementierungen können die Größen des ersten und des zweiten Dichtungselements in Anhängigkeit von der Temperatur innerhalb der Reaktionskammer20 zunehmen oder abnehmen. Zum Beispiel neigt das erste Dichtungselement42 dazu, sich auszudehnen oder anzuwachsen, wenn die Temperatur innerhalb der Reaktionskammer zunimmt und insbesondere, wenn die Temperatur nahezu 400 Grad C zunimmt, wenn das erste Dichtungselement42 aus Quarz besteht. Ferner kann der Zwischenraum94 verringert werden und stellt das erste Dichtungselement42 eine Selbstzentrierungsfunktion an dem Suszeptor28 bereit, wenn das erste Dichtungselement42 anwächst. - Anhand von
6 ist nun ein anderer Aspekt des ersten Dichtungselements42 und des zweiten Dichtungselements44 im Schnitt gezeigt, wobei das erste Dichtungselement42 einteilig mit dem Suszeptor28 gebildet ist. Genauer ist in dem zweiten Dichtungselement44 außer den Vorsprüngen98 ,100 und102 , die von dem Suszeptor28 nach oben verlaufen, ein mittlerer Vorsprung96 enthalten. In dieser Anordnung ist der vorspringende Rand48 des ersten Aspekts durch drei Vorsprünge98 ,100 und102 ersetzt worden, die innerhalb der Kanäle88 ineinandergreifen, die zwischen jedem der verschiedenen von dem zweiten Dichtungselement44 nach unten verlaufenden Vorsprünge gebildet sind. In dieser Anordnung muss der Gasweg92 einem gewundenen Weg durch mehrere Kanäle88 folgen, die darin Vorsprünge98 ,100 und102 aufweisen, um den Gasströmungsweg weiter zu begrenzen. Dementsprechend wird noch weniger Gasströmungsverbindung zwischen dem oberen Abschnitt22 und dem unteren Abschnitt24 erhalten, wenn zusätzliche Vorsprünge in dem gewundenen Weg enthalten sind. Somit ist zu sehen, dass in dem ersten und in dem zweiten Dichtungselement in Abhängigkeit von den durch das Werkzeug oder durch den Prozess geforderten Drosselungen der Gasströmung irgendeine Anzahl von Vorsprüngen genutzt werden können. Ferner können die Entfernungen zwischen den Vorsprüngen und den offenen Räumen dazwischen nach Bedarf optimiert werden. Ferner können die Vorsprünge in dem ersten Dichtungselement42 nach Bedarf als Teil eines separaten abnehmbaren Stücks gebildet sein oder können sie einteilig mit dem Suszeptor gebildet sein, während die Vorsprünge des zweiten Dichtungselements44 als ein getrenntes abnehmbares Stück gebildet sein können oder einteilig mit der Reaktionskammer20 oder mit einer Zwischenplatte, wie es geeignet sein kann. - Nun anhand von
7 –15 ist eine Kammerabdichtvorrichtung eines anderen Aspekts gezeigt, obgleich die verbleibenden Komponenten dieselben und/oder ähnliche sind. Ein erstes Dichtungselement104 ist abnehmbar an dem vorspringenden Rand48 des Suszeptors28 positioniert, während ein zweites Dichtungselement106 allgemein innerhalb des unteren Gebiets24 positioniert ist und abnehmbar an der Zwischenplatte26 befestigt ist. Genauer kann das zweite Dichtungselement106 mit einer Montageplatte108 und mehreren Schrauben110 abnehmbar an der Zwischenplatte26 befestigt sein. Das zweite Dichtungselement106 kann entweder in dem unteren Gebiet24 oder in dem oberen Gebiet22 an einem Außenumfang112 eines Federdichtungselements114 mit der Montageplatte befestigt sein. Das Federdichtungselement114 kann außerdem einen Innenumfang116 enthalten, der durch das erste Dichtungselement104 durchgebogen werden kann, wenn der Suszeptor28 in die den Pfeilen38 zugeordnete Richtung bewegt wird, bis eine Verarbeitungsstellung erreicht ist. - In
9 und11 sind Federdichtungselemente114 mit Kerben118 an dem Außenumfang112 des Federdichtungselements gezeigt. In einer Implementierung sind 24 Kerben enthalten und wird eine Schraube verwendet, um das Federdichtungselement an jeder der Kerben und zwischen der Zwischenplatte26 und der Montageplatte108 an der Montageplatte108 zu befestigen. Wie in11 ebenfalls zu sehen ist, können um den Innenumfang116 des Federdichtungselements114 mehrere Schlitze120 enthalten sein, um eine minimale und gesteuerte Übertragungsrate zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet der Reaktionskammer bereitzustellen. In einer Implementierung können die Schlitze120 entlang des Innenumfangs116 radial ausgerichtet sein und können sie näherungsweise 100 Schlitze oder irgendeine andere geeignete Anzahl enthalten. Der Fachmann auf dem Gebiet wird würdigen, dass irgendeine geeignete Anzahl von Kerben oder Schlitzen genutzt werden können, solange das Federdichtungselement richtig befestigt ist und der Gasdurchfluss zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet gesteuert wird. -
7 ,8 und10 veranschaulichen Ansichten des Federdichtungselements114 in einer unbelasteten Stellung (7 ) und in einer belasteten oder durchgebogenen Stellung (8 und10 ). In den belasteten oder durchgebogenen Ansicht ist das Federdichtungselement114 durch eine obere Oberfläche122 des ersten Dichtungselements104 federnd nach oben gebogen. Genauer ist die obere Oberfläche122 durch den Abstandshalterabschnitt126 getrennt von dem vorspringenden Rand48 auf einen flachen Abschnitt des Vorsprungs124 positioniert. In dieser Anordnung ist das Federdichtungselement114 durch den Kontakt bei der oberen Oberfläche122 nach oben gebogen und begrenzt dadurch die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet. In dem Bereich zwischen dem Durchflusssteuerungsring128 , dem Federdichtungselement114 , dem Suszeptor28 und dem Zwischenraum94 kann sich ein Teil eines Verarbeitungs- oder Spülgases ansammeln, wobei dieses aber schließlich durch Unterdruckmaßnahmen, Spülen oder die Trennung zwischen dem ersten und dem zweiten Dichtungselement, wenn das Substrat ausgegeben wird, abgeleitet werden kann. - Anhand von
11 –15 sind nun zwei Federdichtungselemente114 , wie insbesondere in12 gezeigt ist, übereinander positioniert. Genauer sind die zwei Federdichtungselemente114 zwischen der Montageplatte108 und der Zwischenplatte26 positioniert, wobei Schrauben110 die Beziehung zwischen den Komponenten aufrechterhalten.13 und14 veranschaulichen die Anordnung der zwei Federdichtungselemente114 , wobei die Schlitze120 in jedem Dichtungselement in der Weise versetzt gegeneinander ausgerichtet sind, dass die Schlitze120 an einem oberen Federdichtungselement zwischen den Schlitzen120 in dem unteren Federdichtungselement positioniert sind. Wie anhand von7 –10 bis auf die Schlitze120 diskutiert ist, wird in dieser Anordnung verhindert, dass die Gasströmung in dem oberen Gebiet in das untere Gebiet strömt, wenn der Suszeptor28 in einer Verarbeitungsstellung ist. Zum Beispiel kann die wie in14 gezeigte Orientierung der zwei Federdichtungselemente114 eine Gasströmung von dem oberen Gebiet durch das obere Federdichtungselement der Schlitze120 und daraufhin durch die Schlitze120 in dem unteren Federdichtungselement zulassen. In dieser Anordnung ist wieder ein gewundener Weg gebildet, wodurch eine begrenzte und gesteuerte Gasströmungsmenge zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet in Verbindung stehen kann, wie es der Prozess erfordern kann. Die Doppelfeder-Dichtungselementanordnung fungiert ähnlich wie ein wie oben diskutiertes Einzelfederdichtungselement und begrenzt und/oder verhindert nur die Gasströmung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet, wenn der Suszeptor28 und das erste Dichtungselement104 in der dem Pfeil38 zugeordneten Richtung nach oben bewegt werden und der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist. Der Fachmann auf dem Gebiet wird sofort würdigen, dass in Abhängigkeit von der gewünschten Verbindung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet irgendeine Anzahl von Schlitzen120 genutzt werden können, ohne von dem Erfindungsgedanken und Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. - Überall in der Beschreibung muss irgendeine Gasströmungsverbindung auf gesteuerte und/oder beschränkte Weise von dem oberen Gebiet
22 zu dem unteren Gebiet24 verlaufen. Dennoch liegt es im Erfindungsgedanken und Schutzumfang dieser Offenbarung, eine Gasströmung von dem unteren Gebiet zu dem oberen Gebiet bereitzustellen. Zum Beispiel kann irgendeine Spül-, Inert- oder andere Gasströmung innerhalb des unteren Gebiets mit einem Druck, der höher als der Gasströmungsdruck in dem oberen Gebiet ist, bereitgestellt werden. In diesem Fall würde der höhere Druck in dem unteren Gebiet durch die verschiedenen oben beschriebenen und definierten gewundenen Wege eine Gasströmung von dem unteren Gebiet zur Verbindung in das obere Gebiet zulassen. Diese Anordnung kann nützlich sein, um durch Begrenzen der Resonanz innerhalb von Taschen und Zwischenräumen in dem oberen Gebiet die Spülzeiten zu verringern oder um die Zunahme von Partikeln in dem unteren Gebiet zu verringern. Ungeachtet dessen kann die Gasströmungsverbindung der verschiedenen Dichtungselemente wahlweise abgestimmt werden, um die Menge und Richtung der Gasströmung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet zu steuern. - Im Betrieb wird das erste Dichtungselement
42 oder104 auf dem Suszeptor28 positioniert und kann es, falls anwendbar, insbesondere auf einem vorspringenden Rand48 positioniert werden. Daraufhin wird das zweite Dichtungselement44 oder106 allgemein zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet oder in Kontakt mit einer Zwischenplatte26 entweder, im Fall des zweiten Dichtungselements44 , darüber oder, im Fall des zweiten Dichtungselements106 , darunter positioniert. Wenn das erste und das zweite Dichtungselement an der richtigen Stelle sind, wird der Suszeptor28 in die Substratbeschickungsstellung abgesenkt, wo ein Substrat auf Hubstiften positioniert wird. Nachfolgend wird der Suszeptor in der den Pfeilen38 zugeordneten Richtung nach oben bewegt, bis das erste Dichtungselement mit dem zweiten Dichtungselement einen gewundenen Weg bildet. In einigen Implementierungen berühren sich das erste und das zweite Dichtungselement, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist, während in anderen Implementierungen zwischen dem ersten und dem zweiten Dichtungselement ein kleiner Zwischenraum verbleibt, der aber allgemein in den gewundenen Weg integriert ist. Unabhängig davon, welcher Aspekt oder welche Implementierung genutzt wird, wird die Gasströmung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet gesteuert und/oder minimiert, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist. Nachdem der Prozess abgeschlossen ist, wird der Suszeptor in das untere Gebiet abgesenkt und kann die reguläre Verbindung zwischen dem oberen und dem unteren Gebiet wiederhergestellt werden, bis ein weiteres Substrat auf den Suszeptor beschickt wird und der Suszeptor erneut in die Verarbeitungsstellung bewegt wird. - Diese und andere Ausführungsformen für Verfahren und Vorrichtungen für ein Kammerdichtungselement können Konzepte, Ausführungsformen und Konfigurationen enthalten, wie sie in Bezug auf die oben beschriebenen Ausführungsformen von Vorrichtungen für Kammerdichtungselemente beschrieben sind. Die besonderen gezeigten und beschriebenen Implementierungen dienen zur Veranschaulichung der Erfindung und ihrer besten Ausführungsart und sollen den Schutzumfang der Aspekte und Implementierungen ansonsten in keiner Weise einschränken. Tatsächlich können der Kürze halber herkömmliche Herstellungs-, Verbindungs-, Vorbereitungs- und andere Funktionsaspekte des Systems nicht ausführlich beschrieben sein. Darüber hinaus sollen die in den verschiedenen Figuren gezeigten Verbindungslinien beispielhafte Funktionsbeziehungen und/oder physikalische Kopplungen zwischen den verschiedenen Elementen repräsentieren. In dem praktischen System können viele alternative oder zusätzliche Funktionsbeziehungen oder physikalische Verbindungen vorhanden sein und/oder in anderen Ausführungsformen fehlen.
- Wie die Begriffe ”umfasst”, ”umfassend” oder irgendeine Änderung davon hier verwendet sind, sollen sie sich auf einen nicht ausschließenden Einschluss beziehen, sodass ein Prozess, ein Verfahren, ein Artikel, eine Zusammensetzung oder eine Vorrichtung, der/das/die eine Liste von Elementen umfasst, nicht nur die aufgeführten Elemente enthält, sondern außerdem andere Elemente enthalten kann, die für diesen Prozess, dieses Verfahren, diesen Artikel, diese Zusammensetzung oder diese Vorrichtung nicht explizit aufgeführt oder inhärent sind. Außer den nicht spezifisch genannten können andere Kombinationen und/oder Änderungen der oben beschriebenen Strukturen, Anordnungen, Anwendungen, Proportionen, Elemente, Materialien oder Komponenten, die in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet werden, geändert oder auf andere Weise besonders an spezifische Umgebungen, Herstellungsspezifikationen, Entwurfsparameter oder andere Betriebsanforderungen angepasst werden, ohne von deren allgemeinen Prinzipien abzuweichen.
- Selbstverständlich sind die hier beschriebenen Konfigurationen und/oder Herangehensweisen dem Wesen nach beispielhaft und sollen diese spezifischen Ausführungsformen oder Beispiele nicht in beschränkendem Sinn verstanden werden, da zahlreiche Änderungen möglich sind. Diese hier beschriebenen spezifischen Routinen oder Verfahren können eine oder mehrere irgendeiner Anzahl von Verarbeitungsstrategien repräsentieren. Somit können die verschiedenen dargestellten Tätigkeiten in der dargestellten Abfolge ausgeführt werden, in anderen Abfolgen ausgeführt werden oder in einigen Fällen weggelassen sein.
- Der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung enthält alle neuen und nicht offensichtlichen Kombinationen und Unterkombinationen der verschiedenen Prozesse, Systeme und Konfigurationen und anderer hier offenbarter Merkmale, Funktionen, Tätigkeiten und/oder Eigenschaften sowie alle Entsprechungen davon.
Claims (25)
- Reaktionskammer, die umfasst: ein oberes Gebiet zum Verarbeiten eines Substrats; ein unteres Gebiet zum Beschicken eines Substrats; einen Suszeptor, der innerhalb der Reaktionskammer beweglich ist; ein erstes Dichtungselement, das an einem Umfang des Suszeptors positioniert ist; ein zweites Dichtungselement, das zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet positioniert ist; wobei das erste und das zweite Dichtungselement wahlweise miteinander in Eingriff sind, um die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet zu begrenzen.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das erste Dichtungselement abnehmbar an dem Suszeptor positioniert ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das zweite Dichtungselement abnehmbar zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet positioniert ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, die ferner zwischen einem Umfang des Suszeptors und dem ersten Dichtungselement einen Zwischenraum umfasst.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 4, wobei der Zwischenraum abnimmt, wenn die Reaktionskammer auf einer Verarbeitungstemperatur ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das erste Dichtungselement vertikal mit dem Suszeptor läuft.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, die ferner in dem oberen Gebiet einen Sprühkopf umfasst, wobei das zweite Dichtungselement zwischen dem Sprühkopf und dem ersten Dichtungselement befestigt ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei ein Verarbeitungsgas zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement läuft, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das erste Dichtungselement und das zweite Dichtungselement aus Quarz bestehen.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das Dichtungselement an dem Suszeptor selbstzentrierend ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das erste Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung umfasst, der nach oben verläuft.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 11, wobei das zweite Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung umfasst, der nach unten verläuft.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 12, wobei der wenigstens eine Vorsprung des ersten Dichtungselements und der wenigstens eine Vorsprung des zweiten Dichtungselements ineinandergreifen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 13, wobei zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement ein gewundener Weg definiert ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 12, wobei die wenigstens einen Vorsprünge des ersten Dichtungselements und des zweiten Dichtungselements jeweils ferner drei Vorsprünge umfassen.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das zweite Dichtungselement biegsam ist und das erste Dichtungselement das zweite Dichtungselement durchbiegt, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 16, wobei das zweite Dichtungselement innerhalb des unteren Gebiets an der Reaktionskammer befestigt ist.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 16, wobei das zweite Dichtungselement ferner mehrere Kerben umfasst.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 16, wobei das zweite Dichtungselement ferner mehrere radial ausgerichtete Schlitze umfasst.
- Reaktionskammer gemäß Anspruch 19, wobei das zweite Dichtungselement ferner zwei zweite Dichtungselemente mit radial ausgerichteten Schlitzen, die gegeneinander versetzt positioniert sind, umfasst.
- Reaktionskammer-Trennvorrichtung, die umfasst: ein erstes Dichtungselement, das innerhalb einer Reaktionskammer beweglich ist und auf einem Suszeptor positioniert werden kann; ein zweites Dichtungselement, das innerhalb der Reaktionskammer zwischen einem oberen Gebiet und einem unteren Gebiet positioniert werden kann; und wobei das erste und das zweite Dichtungselement wahlweise miteinander in Eingriff gebracht werden können, um die Verbindung zwischen dem oberen Gebiet und dem unteren Gebiet zu begrenzen.
- Reaktionskammer-Trennvorrichtung gemäß Anspruch 21, wobei das erste Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung umfasst, der nach oben verläuft, und das zweite Dichtungselement ferner wenigstens einen Vorsprung umfasst, der nach unten verläuft.
- Reaktionskammer-Trennvorrichtung gemäß Anspruch 22, wobei der wenigstens eine Vorsprung des ersten Dichtungselements und der wenigstens eine Vorsprung des zweiten Dichtungselements ineinandergreifen, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
- Reaktionskammer-Trennvorrichtung gemäß Anspruch 23, wobei zwischen dem ersten Dichtungselement und dem zweiten Dichtungselement ein gewundener Weg definiert ist.
- Reaktionskammer-Trennvorrichtung gemäß Anspruch 21, wobei das zweite Dichtungselement biegsam ist und das erste Dichtungselement das zweite Dichtungselement durchbiegt, wenn der Suszeptor in einer Verarbeitungsstellung ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161563232P | 2011-11-23 | 2011-11-23 | |
USUS-61/563,232 | 2011-11-23 | ||
PCT/US2012/065343 WO2013078065A1 (en) | 2011-11-23 | 2012-11-15 | Chamber sealing member |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112012004880T5 true DE112012004880T5 (de) | 2014-08-28 |
Family
ID=47501408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112012004880.6T Granted DE112012004880T5 (de) | 2011-11-23 | 2012-11-15 | Kammerdichtungselement |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9005539B2 (de) |
KR (2) | KR101904855B1 (de) |
CN (1) | CN104081512B (de) |
DE (1) | DE112012004880T5 (de) |
TW (1) | TWI575106B (de) |
WO (1) | WO2013078065A1 (de) |
Families Citing this family (371)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8986456B2 (en) * | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8877655B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-11-04 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8883270B2 (en) * | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
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US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
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US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
TWI622664B (zh) | 2012-05-02 | 2018-05-01 | Asm智慧財產控股公司 | 相穩定薄膜,包括該薄膜之結構及裝置,及其形成方法 |
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US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
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2012
- 2012-11-14 US US13/677,151 patent/US9005539B2/en active Active
- 2012-11-15 CN CN201280057466.4A patent/CN104081512B/zh active Active
- 2012-11-15 KR KR1020187013945A patent/KR101904855B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-15 KR KR1020147017112A patent/KR101860924B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-15 DE DE112012004880.6T patent/DE112012004880T5/de active Granted
- 2012-11-15 TW TW101142581A patent/TWI575106B/zh active
- 2012-11-15 WO PCT/US2012/065343 patent/WO2013078065A1/en active Application Filing
-
2015
- 2015-02-27 US US14/634,342 patent/US9340874B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9340874B2 (en) | 2016-05-17 |
US20130129577A1 (en) | 2013-05-23 |
US9005539B2 (en) | 2015-04-14 |
WO2013078065A1 (en) | 2013-05-30 |
WO2013078065A8 (en) | 2014-04-03 |
KR101904855B1 (ko) | 2018-10-08 |
TW201341585A (zh) | 2013-10-16 |
KR20180056792A (ko) | 2018-05-29 |
TWI575106B (zh) | 2017-03-21 |
KR20140091766A (ko) | 2014-07-22 |
US20150167159A1 (en) | 2015-06-18 |
CN104081512A (zh) | 2014-10-01 |
CN104081512B (zh) | 2016-07-27 |
KR101860924B1 (ko) | 2018-05-24 |
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Legal Events
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R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative |
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|
R082 | Change of representative |
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|
R016 | Response to examination communication | ||
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