JP2011186484A - 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板の上に形成されているデータ配線と、画素に形成されている赤、緑、青のカラーフィルターと、データ配線及びカラーフィルターを覆う絶縁膜と、データ線と交差して画素を定義するゲート線及びゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、ゲート配線を覆っており絶縁膜と共にデータ線の一部を露出させる第1接触孔を有するゲート絶縁膜と、ゲート電極のゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層パターンと、第1接触孔を通じてデータ線と連結されているソース用電極とゲート電極を中心にしてソース用電極と分離されて対向するドレーン用電極とドレーン用電極と連結されており画素に形成されている画素電極とを含む画素配線を含む。
【選択図】図4
Description
10 下部絶縁基板
22 ブラックマトリックス
25 共通信号線
26 ゲートパッド
27 共通パッド
29、39 整列キー
31、32、33 カラーフィルター
40 有機絶縁膜
42、46、102、106、108 接触孔
52 ゲート線
56 ゲート電極
58 維持電極
60 ゲート絶縁膜
70 半導体層
82、112 画素電極
80、85、86 抵抗性接触層
92 データ線
95 ソース電極
96 ドレーン電極
98 データパッド
100 保護膜
116 補助ゲートパッド
118 補助データパッド
500 シャドーマスク
Claims (25)
- 絶縁基板の上に形成されているデータ線を含むデータ配線と、
前記基板の上部の画素に形成されている赤、緑、青のカラーフィルターと、
前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の上部に形成されており、前記データ線と交差して前記画素を定義するゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、
前記絶縁膜の上部に形成されて前記ゲート配線を覆っており前記絶縁膜と共に前記データ線の一部を露出させる第1接触孔を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層パターンと、
前記半導体層パターンの上部に形成されており、前記第1接触孔を通じて前記データ線と連結されているソース用電極と前記ゲート電極を中心にして前記ソース用電極と分離されて対向するドレーン用電極と前記ドレーン用電極と連結されており前記画素に形成されている画素電極とを含む画素配線と、
を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。 - 前記赤、緑、青のカラーフィルターの端部は、前記データ線の端部を覆っていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記絶縁膜は有機絶縁物質からなることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記ゲート配線は前記ゲート線に連結されて外部から信号の伝達を受けるゲートパッドをさらに含み、前記データ配線は前記データ線に連結されて外部から信号の伝達を受けるデータパッドをさらに含み、
前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜は前記ゲートパッド及び前記データパッドを露出させる第2接触孔及び第3接触孔を有しており、
前記第2接触孔及び第3接触孔を通じて前記ゲートパッド及び前記データパッドと連結され前記画素電極と同一の層で形成されている補助ゲートパッド及び補助データパッドをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。 - 前記データ配線と同一の層で形成されている第1補助ゲートパッドをさらに含み、
前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜は前記第1補助ゲートパッドをそれぞれ露出させる第2接触孔及び第3接触孔と前記データパッドを露出させる第4接触孔とを有しており、
前記ゲート配線は前記ゲート線に連結されて外部から信号の伝達を受け、前記第2接触孔を通じて前記第1補助ゲートパッドと連結されているゲートパッドをさらに含み、前記データ配線は前記データ線に連結されて外部から信号の伝達を受けるデータパッドをさらに含み、
前記第3接触孔及び第4接触孔を通じて前記第1補助ゲートパッド及び前記データパッドと連結され前記画素電極と同一の層で形成されている第2補助ゲートパッド及び補助データパッドをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。 - 前記データ配線と同一の層で形成されており、前記半導体層パターンまたは前記ゲート配線に対応する部分に位置する光遮断膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 少なくとも前記ソース用電極と前記ドレーン用電極との間の前記半導体層パターンの上部に形成されている保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記保護膜の上部に形成されている間隔維持材をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記間隔維持材は感光性有機絶縁物質からなることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記間隔維持材は黒い色顔料を含むことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記半導体層パターンは二重層構造で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記二重層構造の半導体層パターンは、第1非晶質ケイ素膜と、前記第1非晶質ケイ素膜の上に位置し第1非晶質ケイ素膜のバンドギャップより低い第2非晶質ケイ素膜とを含むことを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記ゲート絶縁膜は、下部ゲート絶縁膜及び上部ゲート絶縁膜を含む二重層構造で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記上部及び下部ゲート絶縁膜は、有機絶縁膜、非晶質酸化ケイ素、非晶質窒化ケイ素のうちの一つからなることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 第1絶縁基板の上に形成され一方向にのびているデータ線を含むデータ配線と、前記第1基板の上部の画素に形成されている赤、緑、青のカラーフィルターと、前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上部に形成されており前記データ線と交差して前記画素を定義するゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、前記絶縁膜の上部に形成されて前記ゲート配線を覆っており前記絶縁膜と共に前記データ線の一部を露出させる第1接触孔を有するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層パターンと、前記半導体層パターンの上部に形成されており前記第1接触孔を通じて前記データ線と連結されているソース用電極と前記ゲート電極を中心にして前記ソース用電極と分離されて対向するドレーン用電極と前記ドレーン用電極と連結されており前記画素に形成されている画素電極とを含む画素配線とを含む下部絶縁基板と、
前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板の上部に形成されている共通電極を含む上部絶縁基板と、
を含む液晶表示装置。 - 少なくとも前記ソース用電極と前記ドレーン用電極との間の前記半導体層パターンの上部に形成されており、前記第1基板及び前記第2基板を支持する間隔維持材をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記間隔維持材は黒い色顔料を含む感光性有機絶縁物質からなることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
- ゲート線とデータ線とが交差して多数個の画素領域を定義し、多数個の画素領域に前記ゲート線及びデータ線に電気的に連結される薄膜トランジスタと画素電極が形成されている薄膜トランジスタ基板において、
前記薄膜トランジスタの半導体層はバンドギャップが互いに異なる二重層構造の非晶質ケイ素膜からなる薄膜トランジスタ基板。 - 前記二重層構造の半導体層は、前記ゲート絶縁膜の上に位置する第1非晶質ケイ素膜と、前記第1非晶質ケイ素膜の上に位置し前記第1非晶質ケイ素膜よりバンドギャップが低い第2非晶質ケイ素膜とからなることを特徴とする請求項18に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 互いに交差して画素を定義するゲート線及びデータ線と、前記画素に形成されている画素電極及び前記ゲート線及びデータ線と前記画素電極とを電気的に連結する薄膜トランジスタとを含む薄膜トランジスタ基板において、
前記薄膜トランジスタの一構成をなすゲート絶縁膜は上部及び下部絶縁膜の二重構造で形成される薄膜トランジスタ基板。 - 前記上部及び下部絶縁膜は、有機絶縁膜、非晶質酸化ケイ素、非晶質窒化ケイ素のうちの一つであることを特徴とする請求項20に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 絶縁基板の上にデータ線を含むデータ配線を形成する段階と、
前記基板の上部に赤、緑、青のカラーフィルターを形成する段階と、
前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜の上部にゲート線及びゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、
前記絶縁膜の上部に前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の上に半導体層パターンを形成すると共に前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜に前記データ線の一部を露出させる第1接触孔を形成する段階と、
前記半導体層パターンの上に互いに分離されて形成されており同一の層で形成されているソース用電極及びドレーン用電極と、前記ドレーン用電極と連結された画素電極を含む画素配線を形成する段階と、
を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記半導体パターンは二重層構造で形成することを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜は、下部ゲート絶縁膜及び前記下部ゲート絶縁膜の上部に形成されている上部ゲート絶縁膜を含む二重層構造で形成することを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 絶縁基板の上にデータ線を含むデータ配線を形成する段階と、
前記基板の上部に赤、緑、青のカラーフィルターを形成する段階と、
前記データ配線及び前記カラーフィルターを覆う絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜をパターニングして前記データ線を露出させる第1接触孔を形成する段階と、
前記絶縁膜の上部にゲート線及び前記ゲート線と連結されているゲートパッドを含むゲート配線を形成する段階と、
前記絶縁膜の上部に前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の上に半導体層パターンを形成すると共に前記第1接触孔を通じて前記データ線を露出させる段階と、
前記半導体層パターンの上部に抵抗性接触層パターンを形成する段階と、
前記接触層パターンの上に互いに分離されて形成されており同一の層で形成されたソース用電極及びドレーン用電極と、前記ドレーン用電極と連結された画素電極を含む画素配線とを形成する段階と、
を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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