KR100767354B1 - 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 절연 기판 위에 형성되는 데이터선을 포함하는 데이터 배선,상기 절연 기판 상부에 형성되어 있는 적, 녹, 청의 컬러 필터,상기 데이터 배선 및 상기 컬러 필터를 덮는 절연막,상기 절연막 상부에 형성되어 있으며, 상기 데이터선과 교차하여 상기 화소를 정의하는 게이트선 및 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,상기 게이트 배선을 덮으며 250℃ 이하로 형성한 제1 게이트 절연막, 상기 제1 게이트 절연막 위에 형성되며 300℃ 이상으로 증착하여 500 ~ 1,000Å 두께로 형성한 제2 게이트 절연막으로 이루어지는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막과 상기 절연막에 상기 데이터선의 일부를 드러내도록 형성되는 제 1 접촉 구멍,상기 게이트 전극의 상기 게이트 절연막 상부에 형성되어 있는 반도체층 패턴,상기 반도체층 패턴 상부에 형성되어 있는 저항성 접촉층 패턴,상기 저항성 접촉층 패턴 상부에 형성되어 있으며, 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스용 전극, 상기 소스용 전극과 분리되어 마주하는 드레인용 전극 및 상기 드레인용 전극과 연결되는 화소 전극을 포함하는 화소 배선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 삭제
- 제1항에서,상기 제1 게이트 절연막은 유기 절연막, 저온 비정질 산화 규소막, 저온 비정질 질화 규소막 중의 하나인 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 제2 게이트 절연막은 비정질 산화 규소막 혹은, 비정질 질화 규소막인 박막 트랜지스터 기판.
- 삭제
- 제1항에서,상기 절연막은 유기 절연 물질로 이루어진 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 게이트 배선은 상기 게이트선에 연결되어 외부로부터 신호를 전달받는 게이트 패드를 더 포함하고, 상기 데이터 배선은 상기 데이터선에 연결되어 외부로부터 신호를 전달받는 데이터 패드를 더 포함하며,상기 게이트 절연막 및 상기 절연막은 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드를 노출시키는 제2 및 제3 접촉 구멍을 가지고 있으며,상기 제2 및 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드와 연결되며 상기 화소 전극과 동일한 층으로 형성되어 있는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 데이터 배선은 상기 데이터선에 연장되어 상기 반도체층 패턴에 대응하는 부분에 위치하는 광 차단부를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제8항에서,상기 광차단부는 상기 게이트선과 상기 화소 전극 사이의 영역을 가려주도록 상기 게이트선 방향으로 더 연장되어 있는 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 소스용 전극과 상기 드레인용 전극 사이의 상기 반도체층 패턴 상부에 형성되어 있는 보호막을 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제10항에서,상기 보호막의 상부에 형성되어 있는 간격 유지재를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 절연 기판 위에 데이터선을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,상기 절연 기판 상부에 적, 녹, 청의 컬러 필터를 형성하는 단계,상기 데이터 배선 및 상기 컬러 필터를 덮는 절연막을 형성하는 단계,상기 절연막 상부에 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,상기 게이트 배선 위에 250℃ 이하의 저온 증착으로 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 제1 게이트 절연막 위에 300℃ 이상의 고온 증착으로 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 제2 게이트 절연막 위에 섬모양의 저항성 접촉층 패턴과 반도체층 패턴을 형성하는 동시에 상기 제2 및 제1 게이트 절연막과 상기 절연막에 상기 데이터선 일부를 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성하는 단계,상기 섬 모양의 저항성 접촉층 패턴 위에 서로 분리되어 형성되어 있으며 동일한 층으로 만들어진 소스용 전극 및 드레인용 전극과, 상기 드레인용 전극과 연결된 화소 전극을 포함하는 화소 배선을 형성하는 단계, 및상기 소스용 전극과 상기 드레인용 전극의 사이에 위치하는 상기 저항성 접촉층 패턴의 노출 부분을 제거하여 상기 소스용 전극과 상기 드레인용 전극 사이의 상기 반도체층 패턴을 드러내는 단계,를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 삭제
- 제12항에서,상기 제1 및 제2 게이트 절연막, 제 1 접촉 구멍, 상기 반도체층 패턴 및 상기 저항성 접촉층 패턴의 형성 단계는,상기 게이트 배선을 덮는 상기 제1 및 제2 게이트 절연막, 비정질 규소막 및 불순물이 도핑된 비정질 규소막을 차례로 증착하는 단계,상기 게이트 전극 위에 위치하는 제 1 부분 및 상기 제 1 접촉 구멍이 형성될 부분을 제외한 전 부분에 제 1 부분보다 얇게 형성되는 제 2 부분으로 이루어지는 감광막 패턴을 형성하는 단계,상기 감광막 패턴의 제 1 부분 및 제 2 부분을 마스크로 하여 그 하부의 상기 불순물이 도핑된 비정질 규소막, 상기 비정질 규소막, 상기 제2 및 제1 게이트 절연막 및 상기 절연막을 식각하여 상기 제 1 접촉 구멍을 형성하는 단계,상기 감광막 패턴의 제 2 부분을 제거하는 단계.상기 감광막 패턴의 제 1 부분을 마스크로 하여 그 하부의 상기 불순물이 도핑된 비정질 규소막, 상기 비정질 규소막을 식각하여 상기 섬 모양의 반도체층 패턴과 상기 저항성 접촉층 패턴을 형성하는 단계,상기 감광막 패턴의 제 1 부분을 제거하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제14항에서,상기 제1 게이트 절연막과 상기 제2 게이트 절연막은 불연속적으로 증착하고, 상기 비정질 규소막, 상기 불순물이 도핑된 비정질 규소막을 연속적으로 증착하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제12항에서,상기 데이터선에 연장되어 상기 반도체층에 대응하는 부분에 위치하는 광 차단부를 더 형성하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제16항에서,상기 게이트선과 상기 화소 전극 사이의 영역을 가려주도록 상기 광차단부를 상기 게이트선 방향으로 더 연장하여 형성하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제12항에서,상기 게이트 배선은 상기 게이트선에 연결되어 외부로부터 신호를 전달받는 게이트 패드를 더 포함하고, 상기 데이터 배선은 상기 데이터선에 연결되어 외부로부터 신호를 전달받는 데이터 패드를 더 포함하며,상기 제2 및 제1 게이트 절연막 및 상기 절연막은 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드를 노출시키는 제2 및 제3 접촉 구멍을 가지고 있으며,상기 제2 및 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드와 연결되며 상기 화소 전극과 동일한 층으로 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제12항에서,상기 화소 배선 형성 단계 이후, 보호막과 간격 유지재를 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 기판 위에 형성된 복수의 컬러 필터층,상기 컬러 필터층 위에 형성된 유기 절연막,상기 유기 절연막 위에 형성된 복수의 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선들,상기 게이트 배선 전극 위에 250℃ 이하의 저온 증착으로 형성된 저온 증착 절연막,상기 게이트 전극과 함께 상기 저온 증착 절연막 위에 형성된 반도체층 및 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 복수의 박막 트랜지스터,상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 복수의 화소 전극으로 이루어지는 박막 트랜지스터 기판.
- 제20항에서,상기 저온 증착 절연막은 유기 절연막인 박막 트랜지스터 기판.
- 제20항에서,상기 저온 증착 절연막 상에 형성되는 무기 절연막을 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
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