KR100718877B1 - 이미지센서의 칼라필터 형성방법 및 이를 이용하여 제조된이미지 센서 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이미지센서의 픽셀간의 광 크로스토크를 방지하고, 광 효율을 향상시키기 위한 칼라필터 형성방법 및 이를 이용하여 제조된 이미지 센서에 관한 것이다.
본 발명에 의한 이미지센서의 칼라필터 형성방법은 (a)상기 이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층을 형성한 이후에 소정영역에 트렌치 영역을 형성하는 단계; (b)상기 트렌치 영역에 칼라필터를 형성하는 단계; 및 (c)열처리에 의해 상기 칼라필터의 일부를 볼록하게 형성하는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.
또한, 상기 칼라필터는 열처리에 의해 상기 칼라필터의 일부를 볼록하게 형성하여 마이크로렌즈 대용으로 사용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 칼라필터가 트렌치 영역 내에 형성되므로써 광 크로스토크를 방지할 수 있으며, 광 효율을 향상시킬 수 있다.
Description
도 1은 종래의 이미지센서의 구조를 도시한 것이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 의한 이미지 센서의 칼라필터 형성방법을 도시한 일실시예이다.
도 3은 본 발명에 의한 이미지 센서의 구조의 일실시예를 도시한 것이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 의한 이미지 센서의 칼라필터 형성방법을 도시한 다른 일실시예이다.
도 5는 트렌치 영역의 측벽의 매질에 따른 전반사를 나타낸 것이다.
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 특히 이미지센서의 칼라필터형성방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 이미지센서의 구조를 도시한 것이다.
실리콘기판에 이온을 주입하여 P-웰(Well) 층을 형성하고, 선택적 산화 공정인 LOCOS 또는 트렌치 소자분리 공정 등을 사용하여 필드 산화막을 형성한다.
이후, 선택적 식각 공정으로 소자의 게이트전극을 형성하고, 선택적 이온주입에 의해 실리콘기판에 N-이온주입영역과 P0이온주입영역을 형성하여 포토다이오드(Photo diode)를 형성하고, 나머지 화소영역을 통상의 반도체 공정을 통해 형성한다.
이어서, 광차단막도 만들고 화소 어레이 부분의 광감지영역에서 불필요한 산화막들도 제거할 수 있다. 그리고, 제2 IMD층에 SOG 산화막을 사용하지 않았기 때문에 SOG 산화막이 노출되지 않는다.
이어서, 소자보호막으로서 산화막을 증착하고 주변영역에서 제2 금속배선이 노출되는 패드 오픈부를 형성하기 위하여, 산화막과 그 하부의 광차단막인 티타늄나이트라이드막, 산화막, TEOS 산화막 및 비반사층인 티타늄나이트라이드막을 선택적으로 식각한다.
이어서, 화소영역에 칼라필터(color filter)를 형성하고, 평탄화 목적의 포토레지스트층을 형성한 다음, 마이크로렌즈를 각각 통상의 방법으로 형성한다.
종래의 이미지 센서는 동일한 픽셀간의 이웃하는 픽셀과의 광 크로스토크(optical cross talk)가 많이 발생하였으며, 이로 인하여 칼라품질이 떨어지는 경향이 있어왔다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이미지센서의 픽셀간의 광 크로스토크를 방지하고, 광 효율을 향상시키기 위한 칼라필터 형성방법 및 이를 이용하여 제조된 이미지 센서를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 이미지 센서의 칼라필터형성방법은 (a)이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층을 형성한 이후에 소정영역에 트렌치 영역을 형성하는 단계; 및 (b)상기 트렌치 영역에 칼라필터를 형성하는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 이미지 센서의 칼라필터 형성방법은 (a)이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층을 형성한 이후에 소정영역에 트렌치 영역을 형성하는 단계; (b)상기 트렌치 영역에 칼라필터를 형성하는 단계; 및 (c)열처리에 의해 상기 칼라필터의 일부를 볼록하게 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 이미지 센서의 칼라필터 형성방법은 (a)이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층을 오목하게 형성하는 단계; 및 (b)상기 최상층부 메탈층의 오목한 영역에 칼라필터를 형성하는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 이미지 센서의 칼라필터 형성방법은 (a)상기 이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층을 형성한 이후에 소정영역에 트렌치 영역을 형성하는 단계; (b)상기 트렌치 영역에 칼라필터를 형성하는 단계; (c)열처리에 의해 상기 칼라필터의 일부를 볼록하게 형성하는 단계; (d)상기 칼라필터를 절연시키는 단계; 및 (e)상기 절연된 칼라필터 상에 보호층을 형성하는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.
상기 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 이미지 센서는 광 크로스토크를 방지하고, 광 효율을 향상시키는 이미지 센서에 있어서, 이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층; 상기 최상층부 메탈층의 소정영역이 식각되어 형성된 트렌치 영역; 상기 트렌치 영역에 형성된 칼라필터; 및 상기 칼라필터 상에 형성된 보호층;을 포함하고 상기 칼라필터는 중앙의 소정 영역이 볼록한 영역으로 형성되어 마이크로렌즈 대용으로 사용가능함을 특징으로 한다.
상기 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 이미지 센서는 광 크로스토크를 방지하고, 광 효율을 향상시키는 이미지 센서에 있어서, 일부가 오목한 형태로 형성된 이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층; 상기 최상층부 메탈층의 오목한 영역에 형성된 칼라필터; 및 상기 칼라필터 상에 형성된 보호층;을 포함함을 특징으로 한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 의한 이미지 센서의 칼라필터 형성방법을 도시한 일실시예이다.
먼저, 기판에 포토다이오드를 형성하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
실리콘기판(201)에 이온을 주입하여 P-웰(Well) 층(202)을 형성하고, 선택적 산화 공정인 LOCOS 또는 트렌치 소자분리 공정 등을 사용하여 필드 산화막을 형성한다.
이후, 선택적 식각 공정으로 소자의 게이트 전극을 형성하고, 게이트전극상부표면이 보호 산화막으로 덮이도록 하고, 게이트 전극의 양측벽에 산화막 스페이서를 형성한다.
상기 게이트 전극을 형성한 후 선택적 이온주입에 의해 실리콘기판에 N-이온주입영 역과 Po이온주입영역을 형성하여 포토다이오드(Photo Diode)를 형성하고, 나머지 화소영역을 통상의 반도체 공정을 통해 형성한다.
그리고, 칼라필터가 형성되기 이전의 최상층부(230)과 최상층부(230) 하부에 있는 제1 메탈층(210)과 제2 메탈층(220)을 형성된다.
그리고 나서 도 2a에 도시된 바와 같이 상기 최상층부(230)와 그 하부에 있는 제1 메탈층(210)과 제2 메탈층(220) 중앙의 소정영역을 식각한다.
도 2b에 도시된 바와 같이 상기 식각된 영역에 스페이서 나이트라이드를 형성하여 트렌치 영역을 형성한다. 그리고, 상기 트렌치 영역에 칼라필터(240)를 형성한다.
도 2c에서는 상기 칼라필터(240)가 절연된 상태를 도시한 것으로, 상기 형성된 칼라필터(240)를 빛에 노출시키거나, 화학-기계적 연마(CMP) 공정을 통해 칼라필터(240)의 상부를 연마하거나, 상기 화학-기계적 연마(CMP) 공정 후 칼라필터의 소정두께를 식각하는 방법 중에서 어느 하나의 방법을 사용하여 상기 칼라필터(2400를 절연시킨다.
도 2d는 상기 절연된 칼라필터(240) 상에 보호층(250)을 형성된 상태를 도시한 것으로, 상기 보호층은 LTO 또는 폴리이미드(polyimide)로 형성한다.
도 3은 본 발명에 의한 이미지 센서의 전체 구조를 도시한 것으로, 상기 도 2a 내지 도 2d의 과정을 거쳐 제조된 이미지 센서를 도시한 것이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 의한 이미지 센서의 칼라필터 형성방법을 도시한 다른 일실시예이다.
먼저, 상기 도 2a에서 기술된 바와 같이 기판(401)에 포토다이오드(403)가 형성되고, 그리고, 칼라필터가 형성되기 이전의 최상층부(430)와 최상층부(430) 하부에 있는 제1 메탈층(410)과 제2 메탈층(420)을 형성된다.
그리고 나서 도 4a에 도시된 바와 같이 상기 최상층부(430)과 그 하부에 있는 제2 메탈층(420) 중앙의 소정영역을 식각한다.
도 4b에 도시된 바와 같이 상기 식각된 영역에 스페이서 나이트라이드를 형성하여 트렌치 영역을 형성한다. 그리고, 상기 트렌치 영역에 칼라필터(440)를 형성한다.
도 4c에서는 상기 칼라필터(440)가 절연된 상태를 도시한 것으로, 상기 형성된 칼라필터(440)를 빛에 노출시키거나, 화학-기계적 연마(CMP) 공정을 통해 칼라필터(440)의 상부를 연마하거나, 상기 화학-기계적 연마(CMP) 공정 후 칼라필터(440)의 소정두께를 식각하는 방법 중에서 어느 하나의 방법을 사용하여 상기 칼라필터(440)를 절연시킨다.
도 4d에서는 상기 절연된 칼라필터(440) 상에 보호층(450)과 마이크로렌즈(460)가 형성된 상태를 도시한 것으로, 상기 보호층(450)은 LTO 또는 폴리이미드(polyimide)로 형성한다.
또한, 본 발명에 의한 이미지 센서의 칼라필터를 형성하는 또 다른 방법으로는 상기 이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층을 형성한 이후에 소정영역에 트렌치 영역을 형성하고, 상기 트렌치 영역에 칼라필터를 형성하고, 열처리에 의해 상기 칼라필터의 일부를 볼록하게 형성하는 방법이다. 이러한 방법은 상기 일부 볼록한 영역을 마이크로렌즈 대용으로 사용할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 의한 이미지 센서의 칼라필터를 형성하는 또 다른 방법으로는 상기 이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층을 오목하게 형성하고, 상기 최상층부 메탈층의 오목한 영역에 칼라필터를 형성하는 방법이다. 이러한 방법은 상기 메탈층을 식각하여 트렌치 영역을 만들 필요가 없는 장점이 있다.
도 5는 트렌치 영역의 측벽의 매질에 따른 전반사를 나타낸 것이다.
트렌치 식각후 필드 산화막(SiO2, 매질 1)보다 굴절율이 큰 물질(매질 2)을 측벽에 형성하여 빛이 매질 2에서 매질 1로 입사할 때 전반사가 일어나게 하여 픽셀간 광 크로스토크를 최소화하여 감도를 증가시킬 뿐만 아니라 칼라 재현성을 향상시킨다.
이상으로, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 의하면, 칼라필터가 트렌치 영역 내에 형성되므로써 광 크로스토크를 방지할 수 있으며, 광 효율을 향상시킬 수 있다.
Claims (15)
- 삭제
- 이미지 센서의 칼라필터를 형성하는 방법에 있어서,(a)상기 이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층을 형성한 이후에 소정영역에 트렌치 영역을 형성하는 단계;(b)상기 트렌치 영역에 칼라필터를 형성하는 단계; 및(c)열처리에 의해 상기 칼라필터의 일부를 볼록하게 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 칼라필터 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 트렌치 영역은식각하는 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 칼라필터 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 트렌치 영역은(a)식각하는 단계; 및(a2)상기 식각 단계 이후에 질화층(nitride layer)를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 칼라필터 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 트렌치 영역은그 측벽이 필드 산화막(SiO2,)보다 굴절율이 큰 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 칼라필터 형성방법.
- 삭제
- 이미지 센서의 칼라필터를 형성하는 방법에 있어서,(a)상기 이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층을 형성한 이후에 소정영역에 트렌치 영역을 형성하는 단계; 및(b)상기 트렌치 영역에 칼라필터를 형성하는 단계;(c)열처리에 의해 상기 칼라필터의 일부를 볼록하게 형성하는 단계;(d)상기 칼라필터를 절연시키는 단계; 및(e)상기 절연된 칼라필터 상에 보호층을 형성하는 단계;를 포함함을 특징으로 하는 이미지 센서의 칼라필터 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 (d)단계는상기 형성된 칼라필터를 빛에 노출시켜서 절연하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 칼라필터 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 (d)단계는화학-기계적 연마(CMP) 공정을 통해 상기 칼라필터의 상부를 연마하여 절연하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 칼라필터 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 (d)단계는화학-기계적 연마(CMP) 공정 후 칼라필터의 소정두께를 식각하여 절연하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 칼라필터 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 보호층은폴리이미드(polyimide) 또는 LTO로 형성함을 특징으로 하는 이미지 센서의 칼라필터 형성방법.
- 광 크로스토크를 방지하고, 광 효율을 향상시키는 이미지 센서에 있어서,이미지 센서 픽셀의 최상층부 메탈층;상기 최상층부 메탈층의 소정영역이 식각되어 형성된 트렌치 영역;상기 트렌치 영역에 형성된 칼라필터; 및상기 칼라필터 상에 형성된 보호층;을 포함하고상기 칼라필터는 중앙의 소정 영역이 볼록한 영역으로 형성되어 마이크로렌즈 대용으로 사용가능함을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제12항에 있어서, 상기 트렌치 영역은그 측벽이 필드 산화막(SiO2,)보다 굴절율이 큰 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 삭제
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| US8048708B2 (en) * | 2008-06-25 | 2011-11-01 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing an imager module with a permanent carrier |
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| CN104009048A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Cmos图像传感器及其制备方法 |
| US9129876B2 (en) * | 2013-05-28 | 2015-09-08 | United Microelectronics Corp. | Image sensor and process thereof |
| TWI701820B (zh) * | 2016-09-02 | 2020-08-11 | 聯華電子股份有限公司 | 彩色濾光片裝置及形成方法 |
| CN114388548A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-04-22 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 图像传感器及其制作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010061339A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 박종섭 | 이미지센서의 제조 방법 |
| JP2002118245A (ja) | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH10332920A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Sony Corp | カラー固体撮像装置のカラーフィルタの形成方法 |
| CN1195243C (zh) * | 1999-09-30 | 2005-03-30 | 三星电子株式会社 | 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法 |
| US7180100B2 (en) * | 2001-03-27 | 2007-02-20 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US7193289B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-03-20 | International Business Machines Corporation | Damascene copper wiring image sensor |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010061339A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 박종섭 | 이미지센서의 제조 방법 |
| JP2002118245A (ja) | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
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