KR100606919B1 - 컬러필터 물질을 채우기 위한 씨모스 이미지 센서 및 그제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 질화막의 표면을 일정한 깊이로 식각시켜 컬러필터 물질을 채워 동작특성을 개선하기 위한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서는 절연층 위에 형성된 보호막; 상기 보호막 층에 형성된 패턴; 및 상기 패턴이 되지 않은 부위가 식각되어 컬러필터 물질이 채워지고, 불필요하게 채워진 부위의 컬러필터 물질이 제거되어 형성된 복수의 컬러필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
컬러필터, CMOS, 이미지 센서
Description
도 1은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타내는 도면.
도 2는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타내는 도면.
도 3은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타내는 도면.
도 4는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제4공정을 나타내는 도면.
도 5는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제5공정을 나타내는 도면.
도 6은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제6공정을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서의 제4공정을 나타내는 도면.
도 11은 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서 및 제5공정을 나타내는 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
210 : 보호막 층 220 : 컬러필터 물질
본 발명은 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 종래의 질화막의 표면을 일정한 깊이로 식각시켜 컬러필터 물질을 채워 동작특성을 개선하기 위한 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
CMOS 이미지 센서는 빛을 감지하는 광 감지부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직(logic)회로 부분으로 구성되어 있다. 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지 센서 소자에서 광 감지부분의 면적이 차지하는 비율을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적 하에서는 이러한 노력에 있어 한계가 있다. 따라서, 광감도를 높여주기 위하여 광 감지부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꾸어 광 감지부분으로 모으는 집광기술이 등장하였다. 이러한 기술이 바로 마이크로 렌즈 형성기술이다. 또한, 컬러 이미지를 구현하기 위한 이미지 센서는 외부로부터의 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광 감지부분 상부에 컬러 필터가 배열되어 있다. 컬러 필터 어레이(CFA, color filter array)는 레드(red), 그린(green), 블루(blue)의 3가지의 컬러로 이루어지거나, 옐로우(yellow), 마젠타(magenta) 및 시안(cyan) 의 3가지의 컬러로 이루어진다.
도 1은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타내는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 단위 화소영역과 패드부위의 주변영역을 동시에 나타내고 있다. 실리콘 기판에 선택적으로 붕소(boron)이온을 주입하여 p-well(50) 및 n-well을 형성하고, 트렌치(60)소자 분리공정을 사용하여 필드 산화막을 형성한다. 이 후, 원하는 문턱전압을 형성하기 위한 소정두께의 게이트 산화막을 형성하고, 그 위에 게이트 전극으로 사용할 폴리 실리콘막(40)과 텅스텐 실리사이드막(80)을 형성하며, 선택적 식각공정으로 소자의 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 선택적 이온주입에 의해서 실리콘 기판에 n-이온주입영역(20)과 p-이온주입영역(10)을 형성하여 포토다이오드를 형성한다. 이어서, well 지역 내 트랜지스터의 소스 드레인을 LDD(Lightly Doped Drain) 구조로 만들기 위하여 저농도 소스/드레인 이온주입을 실시하고, 저압 화학증착(LPCVD) 방법을 이용하여 TEOS 산화막 또는 SiN을 증착한 후, 전면 식각하면 게이트 전극 측벽에 스페이서(70)를 형성한 다음, 고농도 소스/드레인 이온주입을 실시하여 N형(30) 및 P형 접합영역을 형성한다.
도 2는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타내는 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 금속배선 절연막(pre-metal dielectric: 이하 PMD)으로 LPCVD 방법으로 TEOS 산화막을 1000Å 정도로 증착하고, 그 위에 상압 화학증착방법으로 PBSG를 증착한다. 이후, BPSG 막의 플로우 목적으로 열처리를 한다. 이후, PMD층 (90)을 선택적으로 식각하여 소정의 접합영역과 게이트 전극이 노출되는 콘택홀(100)을 형성한 다음, 글루층인 티타늄(Ti, 110), 배선용 알루미늄(Al, 120) 비반사 티타늄타이트라이드(TiN, 130)을 각각 증착한 다음, 선택적 식각에 의해 제1금속배선을 형성한다. 여기서, 상기 콘택홀(100) 형성은 플라즈마 식각 공정으로 진행하여 형성한다.
도 3은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타내는 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이 플라즈마 화막증착(plasma enhanced chemical vapor deposition ; PECVD) 방법을 이용하여 TEOS 산화막(150) 및 SOG(Spin On Glass) 산화막(140)을 코팅한 후에 열처리를 하고 평탄화 공정를 거친다. 이어서, 그 위에 PECVD 방법으로 산화막(160)을 증착하여 제1금속간 절연층(inter-metal dielectric: 이하 PMD, 90)을 형성한다.
도 4는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제4공정을 나타내는 도면이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 선택적으로 제1IMD층을 식각하여 비아홀(Via hole)을 형성하고, 글루층인 티타늄(Ti), 배선용 알루미늄(Al) 비반사 티타늄 나이트라이드(TiN)을 적층한 후 플라즈마 식각 공정을 통하여 제2금속배선을 형성한다. 이어서, 제1IMD층 형성방법과 동일하게 TEOS 산화막(150), SOG 산화막(140) 및 산화막(160)을 형성하여 제2IMD층을 형성한다. 상기 설명한 과정과 같은 프로세스(process)를 반복하여 필요한 금속배선층의 적층 수를 만들게 된다.
도 5는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제5공정을 나타내는 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 최상층의 금속배선을 형성한 후에는 소자보호막으로서 PECVD 방 법으로, 8000Å의 산화막을 증착하고 주변영역의 패드부위 금속을 드러내어 전극단자로 사용하기 위한 패드오픈공정을 실시한다. 즉, 소자보호막용 산화막 및 TiN 막을 식각하여 패드오픈부를 형성한다.
도 6은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제6공정을 나타내는 도면이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 컬러필터(170) 어레이(color filter array)를 형성하고, 평탄화 층인 PL층(180)을 형성한다. 그 위에 마이크로 렌즈(micro lens, 190)를 형성한다.
그러나, 종래의 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법은 평탄화 공정을 별도로 진행해야 하는 단점이 있고, 저조도 동작하는 CMOS 이미지 센서의 동작특성을 개선할 수 있는 방안도 제시하지 못하며, 실제적인 레지스트의 두께를 관리할 수 없는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 질화막의 표면을 일정한 깊이로 식각하여 컬러필터 물질을 채워 동작특성을 개선하기 위한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서는 절연층 위에 형성된 보호막; 상기 보호막 층에 형성된 패턴; 및 상기 패턴이 되지 않은 부위가 식각되어 컬러필터 물질이 채워지고, 불필요하게 채워진 부위의 컬러필터 물질이 제거되어 형성된 복수의 컬러 필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서 제조방법은 절연층 위에 보호막 층을 형성하는 제1공정; 상기 보호막 층에 컬러필터가 채워질 깊이만큼 식각 스토핑 층(etch stopping layer)을 형성하고, 상기 컬러필터가 채워질 부위를 식각하는 제2공정; 상기 컬러필터의 깊이만큼 패턴이 되지 않는 부위를 식각하여 컬러필터 물질을 채우는 제3공정; 및 노광공정으로 상기 컬러필터의 부위 중에서 불필요하게 채워진 부위의 컬러필터 물질을 제거하는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 발명의 바람직한 실시 예에 따른 구성 및 작용을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 7은 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서의 제1공정을 나타내는 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이 일반적으로 형성되는 산화막/질화막이나 대체물질을 이용하여 절연층(200) 위에 보호막 층(passivation layer, 210)을 형성한다. 보호막 층(210)에는 컬러필터가 채워질 깊이만큼 식각 스토핑 층(etch stopping layer)을 형성한다.
도 8은 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서의 제2공정을 나타내는 도면이다. 도 8에 도시된 바와 같이 컬러필터가 채워질 부위의 패턴을 형성한다. 보호막 층(210)의 2곳에 패턴이 형성되어 있다.
도 9는 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서의 제3공정을 나타내는 도면이다. 도 9에 도시된 바와 같이 컬러필터의 깊이만큼 패턴이 되지 않는 부위를 식각하여 컬러필터 물질(220)을 채운다. 도 8에서 형성된 패턴에 컬러필터 물질(220)이 채워져 보호막 층(210)을 덮고 있다.
도 10은 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서의 제4공정을 나타내는 도면이다. 도 10에 도시된 바와 같이 노광공정으로 컬러필터 물질이 채워진 부위 중에서 불필요하게 채워진 부위의 컬러필터 물질을 제거한다. 한 가지 색깔의 컬러필터(230)를 형성하기 위해 왼쪽의 패턴에 채워진 컬러필터 물질은 남기고, 그 주위와 오른쪽 패턴에 채워진 컬러필터 물질은 모두 제거한다.
도 11은 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서 및 제5공정을 나타내는 도면이다. 도 11에 도시된 바와 같이 오른쪽의 컬러필터(240)가 채워질 부분에 컬러필터 물질을 채우고, 노광공정으로 불필요하게 채워진 부위의 컬러필터 물질을 제거하였다. 만약, 상기의 2곳 이외에 컬러필터를 형성하는 경우에는 다른 패턴을 더 만들고, 상기와 같이 컬러필터 물질을 채우고 불필요하게 채워진 부위를 노광공정으로 컬러필터 물질을 제거하는 과정을 반복함으로써 다수의 컬러필터 형성이 가능하다.
상기의 공정을 통해 제조된 본 발명의 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서는 다음을 포함하여 구성된다. 보호막 층(210)이 절연층(200) 위에 형성되어 있고, 패턴이 상기 보호막 층(210)에 형성된다. 그리고, 패턴이 되지 않은 부위가 식각되어 컬러필터 물질이 채워지고, 불필요하게 채워진 부위의 컬러필터 물질이 제거되어 컬러필터(220)가 형성된다. 또한, 불필요하게 채워진 부위의 컬러필터 물질이 제거된 곳에는 다른 색의 컬러필터 물질을 채워 다른 색의 컬러필터(230)를 형성할 수 있다.
상기와 같은 방법으로 하나의 컬러필터를 형성한 후, 다른 색의 컬러필터를 형성하고, 또 다른 색의 컬러필터를 형성하는 식으로 레드(red), 그린(green) 및 블루(blue)와 같은 3가지 색깔의 컬러필터를 형성할 수 있다.
따라서, 종래의 컬러필터 제조공정은 장비 측면에서 요구하는 다양한 컬러 레지스트를 스핀 코팅(spin coating)시킨 후 노광과 현상공정을 거쳐 컬러필터를 형성시키고 있고, 필요에 따라서는 평탄화를 향상시키기 위해 평탄화 층을 동일한 공정으로 컬러필터공정 전에 만들고 있는 반면에, 본 발명은 컬러필터 물질을 채워넣는 공정을 통해 평탄화 공정을 별도로 진행할 필요가 없고, 평탄화 공정을 통해 막이 두꺼워지면서 발생하는 빛의 손실을 줄여 저조도 동작하는 CMOS 이미지 센서의 동작특성을 개선할 수 있으며, 스토핑 층(stopping layer)을 두는 깊이에 따라 실제적인 레지스트의 두께를 관리할 수 있다.
이상에서 설명한 내용을 통해 본 업에 종사하는 당업자라면 본 발명의 기술사상을 이탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용만으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의하여 정해져야 한다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법은 컬러필터 물질을 채워넣는 공정을 통해 평탄화 공정을 별도로 진행할 필요가 없고, 평탄화 공정을 통해 막이 두꺼워지면서 발생하는 빛의 손실을 줄여 저조도 동작하는 CMOS 이미지 센서의 동작특성을 개선 할 수 있으며, 스토핑 층(stopping layer)을 어떤 깊이에 두느냐에 따라 실제적인 레지스트의 두께를 관리할 수 있다.
Claims (4)
- 절연층 위에 형성된 보호막;상기 보호막 층에 형성된 패턴; 및상기 패턴이 되지 않은 부위가 식각되어 컬러필터 물질이 채워지고, 불필요하게 채워진 부위의 컬러필터 물질이 제거되어 형성된 복수의 컬러필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서.
- 절연층 위에 보호막 층을 형성하는 제1공정;상기 보호막 층에 컬러필터가 채워질 깊이만큼 식각 스토핑 층(etch stopping layer)을 형성하고, 상기 컬러필터가 채워질 부위를 식각하는 제2공정;상기 식각된 부위에 컬러필터 물질을 채우는 제3공정; 및노광공정으로 상기 컬러필터의 부위 중에서 불필요하게 채워진 부위의 컬러필터 물질을 제거하는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서 제조방법.
- 청구항 2에 있어서,복수의 컬러필터를 형성하는 경우에는 상기 제3공정과 제4공정을 반복하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러필터 물질을 채우기 위한 CMOS 이미지 센서 제조방법.
- 삭제
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