KR20230170804A - 캐리어를 이용하여 레이저 손상 영역을 따라 결정질 물질을 분할하는 방법 - Google Patents

캐리어를 이용하여 레이저 손상 영역을 따라 결정질 물질을 분할하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230170804A
KR20230170804A KR1020237041805A KR20237041805A KR20230170804A KR 20230170804 A KR20230170804 A KR 20230170804A KR 1020237041805 A KR1020237041805 A KR 1020237041805A KR 20237041805 A KR20237041805 A KR 20237041805A KR 20230170804 A KR20230170804 A KR 20230170804A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carrier
crystalline material
substrate
rigid carrier
crystalline
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
KR1020237041805A
Other languages
English (en)
Korean (ko)
Inventor
매튜 도노프리오
존 에드몬드
화수앙 콩
엘리프 발카스
Original Assignee
크리,인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 크리,인코포레이티드 filed Critical 크리,인코포레이티드
Publication of KR20230170804A publication Critical patent/KR20230170804A/ko
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/11—Separation of active layers from substrates
    • H10P95/112—Separation of active layers from substrates leaving a reusable substrate, e.g. epitaxial lift off
    • H01L21/7806—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P10/00—Bonding of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P10/12—Bonding of semiconductor wafers or semiconductor substrates to semiconductor wafers or semiconductor substrates
    • H10P10/128—Bonding of semiconductor wafers or semiconductor substrates to semiconductor wafers or semiconductor substrates by direct semiconductor to semiconductor bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/11—Separation of active layers from substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/06—Joining of crystals
    • H01L21/02002—
    • H01L21/6835—
    • H01L21/76254—
    • H01L23/544—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2921—Materials being crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P54/50—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices by scoring, breaking or cleaving
    • H10P54/52—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices by scoring, breaking or cleaving by cleaving
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0442—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H10P90/1914—Preparing SOI wafers using bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H10P90/1914—Preparing SOI wafers using bonding
    • H10P90/1916—Preparing SOI wafers using bonding with separation or delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/181—Semiconductor-on-insulator [SOI] isolation regions, e.g. buried oxide regions of SOI wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic materials other than metals or composite materials
    • B23K2103/56—Inorganic materials other than metals or composite materials being semiconducting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/02—Heat treatment
    • H01L2221/68327—
    • H01L2221/6835—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7426—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • H10W46/401—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for identification or tracking

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
KR1020237041805A 2018-12-29 2019-12-27 캐리어를 이용하여 레이저 손상 영역을 따라 결정질 물질을 분할하는 방법 Pending KR20230170804A (ko)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862786335P 2018-12-29 2018-12-29
US62/786,335 2018-12-29
US201962803333P 2019-02-08 2019-02-08
US62/803,333 2019-02-08
US16/274,045 2019-02-12
US16/274,045 US11024501B2 (en) 2018-12-29 2019-02-12 Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
KR1020217024119A KR102611959B1 (ko) 2018-12-29 2019-12-27 캐리어를 이용하여 레이저 손상 영역을 따라 결정질 물질을 분할하는 방법
PCT/IB2019/061409 WO2020136621A1 (en) 2018-12-29 2019-12-27 Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217024119A Division KR102611959B1 (ko) 2018-12-29 2019-12-27 캐리어를 이용하여 레이저 손상 영역을 따라 결정질 물질을 분할하는 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230170804A true KR20230170804A (ko) 2023-12-19

Family

ID=71123078

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237041805A Pending KR20230170804A (ko) 2018-12-29 2019-12-27 캐리어를 이용하여 레이저 손상 영역을 따라 결정질 물질을 분할하는 방법
KR1020217024119A Active KR102611959B1 (ko) 2018-12-29 2019-12-27 캐리어를 이용하여 레이저 손상 영역을 따라 결정질 물질을 분할하는 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217024119A Active KR102611959B1 (ko) 2018-12-29 2019-12-27 캐리어를 이용하여 레이저 손상 영역을 따라 결정질 물질을 분할하는 방법

Country Status (6)

Country Link
US (3) US11024501B2 (https=)
EP (2) EP4403678A3 (https=)
JP (2) JP7372332B2 (https=)
KR (2) KR20230170804A (https=)
CN (2) CN118824948A (https=)
WO (1) WO2020136621A1 (https=)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118321755A (zh) * 2024-06-13 2024-07-12 通威微电子有限公司 碳化硅激光冷裂方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017007586A1 (de) * 2017-08-11 2019-02-14 Siltectra Gmbh Fertigungsanlage zum Abtrennen von Wafern von Spendersubstraten
JP7147847B2 (ja) * 2018-07-25 2022-10-05 株式会社ニコン 接合方法および接合装置
JP7128067B2 (ja) * 2018-09-14 2022-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
US11024501B2 (en) * 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
CN115335965B (zh) * 2020-03-24 2025-10-14 东京毅力科创株式会社 基板处理方法和基板处理装置
CN113972160A (zh) * 2020-07-24 2022-01-25 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种固体材料的激光分片方法
DE102021109459A1 (de) * 2021-04-15 2022-10-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Verfahren zur Fixierung eines Materialblocks zur mechanischen Bearbeitung
US12394659B2 (en) * 2021-04-30 2025-08-19 Asm Ip Holding B.V. Susceptors with film deposition control features
US12249504B2 (en) 2021-10-22 2025-03-11 Infineon Technologies Ag Manufacturing and reuse of semiconductor substrates
CN114937620B (zh) * 2022-05-05 2025-02-21 浙江同芯祺科技有限公司 半导体器件的制备方法
CN115138987A (zh) * 2022-06-29 2022-10-04 浙江同芯祺科技有限公司 一种碳化硅晶圆剥离方法
JP7818228B2 (ja) * 2022-07-05 2026-02-20 株式会社デンソー 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US20240014063A1 (en) * 2022-07-11 2024-01-11 Innolux Corporation Method of manufacturing a semiconductor device
CN115513043B (zh) * 2022-10-14 2025-03-14 江苏优普纳科技有限公司 一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置
CN116072520A (zh) * 2023-03-06 2023-05-05 北京科里特科技有限公司 一种制备半导体衬底的方法
CN119340198A (zh) * 2023-11-02 2025-01-21 西湖仪器(杭州)技术有限公司 一种晶圆片冷冻剥离方法
US12521840B2 (en) 2024-03-07 2026-01-13 Wolfspeed, Inc. Two component chemical mechanical polishing
US12610767B2 (en) 2024-03-07 2026-04-21 Wolfspeed, Inc. Additives for grinding semiconductor workpieces
US12533767B2 (en) 2024-03-07 2026-01-27 Wolfspeed, Inc. Grind wheel design for low edge-roll grinding
US12525457B2 (en) 2024-06-05 2026-01-13 Wolfspeed, Inc. Surface processing of semiconductor workpieces
US20260021609A1 (en) * 2024-07-19 2026-01-22 Wolfspeed, Inc. Boules with boule-handling carrier processing methods
US12454768B1 (en) 2024-11-08 2025-10-28 Wolfspeed, Inc. Hybrid seed structure for crystal growth system

Family Cites Families (342)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3105623A (en) 1959-05-12 1963-10-01 Philips Corp Method of separating into pieces plates of brittle material
NL299821A (https=) 1962-10-31 1900-01-01
US3421208A (en) 1965-01-21 1969-01-14 Gen Electric Methods for separating electrically conductive and adjacent elements
JPS4837320B1 (https=) 1968-09-12 1973-11-10
JPS5025876B1 (https=) 1970-05-27 1975-08-27
JPS5037082B1 (https=) 1970-12-31 1975-11-29
US3743809A (en) 1971-06-09 1973-07-03 Park Ohio Industries Inc Method and apparatus for inductively heating valve seats
JPS5117806B2 (https=) 1973-04-03 1976-06-04
JPS5620553B2 (https=) 1973-08-17 1981-05-14
JPS5312761B2 (https=) 1973-12-10 1978-05-04
JPS5322418B2 (https=) 1973-12-21 1978-07-08
US3970819A (en) 1974-11-25 1976-07-20 International Business Machines Corporation Backside laser dicing system
JPS5917862B2 (ja) 1975-09-01 1984-04-24 三菱電機株式会社 半導体スイツチ素子
NL7609815A (nl) 1976-09-03 1978-03-07 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
JPS5844089B2 (ja) 1977-11-18 1983-09-30 哲夫 坂本 噴霧乾燥装置に於ける微粒化装置
JPS57141204A (en) 1981-02-21 1982-09-01 Aiken Denkou Kk Seeding device for nursery plant growing box
JPS595274B2 (ja) 1981-12-11 1984-02-03 財団法人工業開発研究所 けい藻類の増殖方法
JPS5982007A (ja) 1982-10-30 1984-05-11 住友化学工業株式会社 種籾の直播方法
JPS59152581A (ja) 1983-02-18 1984-08-31 Fujitsu Ltd バブル装置の製造法
JPS61106652A (ja) 1984-10-30 1986-05-24 Denki Kagaku Kogyo Kk 熱可塑性樹脂組成物
JPH02179708A (ja) 1989-01-05 1990-07-12 Kawasaki Steel Corp 半導体ウエハの破折分離方法
JPH04116848A (ja) 1990-09-06 1992-04-17 Seiko Instr Inc 半導体装置の製造方法
US6958093B2 (en) 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5597767A (en) 1995-01-06 1997-01-28 Texas Instruments Incorporated Separation of wafer into die with wafer-level processing
US5786560A (en) 1995-03-31 1998-07-28 Panasonic Technologies, Inc. 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses
KR970008386A (ko) 1995-07-07 1997-02-24 하라 세이지 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치
JPH0929472A (ja) 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
WO1997029509A1 (en) 1996-02-09 1997-08-14 Philips Electronics N.V. Laser separation of semiconductor elements formed in a wafer of semiconductor material
US5761111A (en) 1996-03-15 1998-06-02 President And Fellows Of Harvard College Method and apparatus providing 2-D/3-D optical information storage and retrieval in transparent materials
US6087617A (en) 1996-05-07 2000-07-11 Troitski; Igor Nikolaevich Computer graphics system for generating an image reproducible inside optically transparent material
US6210479B1 (en) * 1999-02-26 2001-04-03 International Business Machines Corporation Product and process for forming a semiconductor structure on a host substrate
IL127387A0 (en) 1998-12-03 1999-10-28 Universal Crystal Ltd Laser image formation in multiple transparent samples
IL127388A0 (en) 1998-12-03 1999-10-28 Universal Crystal Ltd Material processing applications of lasers using optical breakdown
US6555781B2 (en) 1999-05-10 2003-04-29 Nanyang Technological University Ultrashort pulsed laser micromachining/submicromachining using an acoustooptic scanning device with dispersion compensation
US6555447B2 (en) 1999-06-08 2003-04-29 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for laser scribing of wafers
JP3867109B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867003B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4664140B2 (ja) 2000-09-13 2011-04-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867102B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体材料基板の切断方法
JP3761567B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4142694B2 (ja) 2000-09-13 2008-09-03 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964376B2 (ja) 2000-09-13 2012-06-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP3751970B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3626442B2 (ja) 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867107B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867103B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体材料基板の切断方法
JP3935187B2 (ja) 2000-09-13 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4663952B2 (ja) 2000-09-13 2011-04-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4762458B2 (ja) 2000-09-13 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5025876B2 (ja) 2000-09-13 2012-09-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4095092B2 (ja) 2000-09-13 2008-06-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体チップ
JP3867110B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867108B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3867101B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体材料基板の切断方法
JP3761565B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3935188B2 (ja) 2000-09-13 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4837320B2 (ja) 2000-09-13 2011-12-14 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4128204B2 (ja) 2000-09-13 2008-07-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP3876628B2 (ja) 2001-02-07 2007-02-07 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶
JP4659301B2 (ja) 2001-09-12 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867105B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4509573B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板、半導体チップ、及び半導体デバイスの製造方法
JP4463796B2 (ja) 2002-03-12 2010-05-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
AU2003211581A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting processed object
JP3869850B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4527098B2 (ja) 2002-03-12 2010-08-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3935189B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4509719B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4050534B2 (ja) 2002-03-12 2008-02-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4509720B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3670267B2 (ja) 2002-03-12 2005-07-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3867100B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3935186B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4146863B2 (ja) 2002-03-12 2008-09-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3822626B2 (ja) 2002-03-12 2006-09-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
JP3990711B2 (ja) 2002-03-12 2007-10-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4409840B2 (ja) 2002-03-12 2010-02-03 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4851060B2 (ja) 2002-03-12 2012-01-11 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP3761566B2 (ja) 2002-03-12 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 半導体チップの製造方法
JP3624909B2 (ja) 2002-03-12 2005-03-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867104B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3990710B2 (ja) 2002-03-12 2007-10-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN101335235B (zh) 2002-03-12 2010-10-13 浜松光子学株式会社 基板的分割方法
US7601441B2 (en) 2002-06-24 2009-10-13 Cree, Inc. One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
JP4167094B2 (ja) 2003-03-10 2008-10-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
WO2004080642A1 (ja) 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
DE60315515T2 (de) 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
FR2856192B1 (fr) * 2003-06-11 2005-07-29 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation de structure heterogene et structure obtenue par un tel procede
EP2269765B1 (en) 2003-07-18 2014-10-15 Hamamatsu Photonics K.K. Cut semiconductor chip
JP4703983B2 (ja) 2003-07-18 2011-06-15 浜松ホトニクス株式会社 切断方法
US7052978B2 (en) 2003-08-28 2006-05-30 Intel Corporation Arrangements incorporating laser-induced cleaving
JP4440582B2 (ja) 2003-09-10 2010-03-24 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4584607B2 (ja) 2004-03-16 2010-11-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US7202141B2 (en) 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
CN1938827B (zh) 2004-03-30 2010-05-26 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
EP1742253B1 (en) 2004-03-30 2012-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101190454B1 (ko) 2004-08-06 2012-10-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
JP4732063B2 (ja) 2004-08-06 2011-07-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
TW200707799A (en) 2005-04-21 2007-02-16 Aonex Technologies Inc Bonded intermediate substrate and method of making same
JP4776994B2 (ja) 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR100766727B1 (ko) 2005-08-19 2007-10-15 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
KR20130086057A (ko) 2005-09-16 2013-07-30 크리 인코포레이티드 실리콘 카바이드 전력 소자들을 그 상에 가지는 반도체 웨이퍼들의 가공방법들
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP4322881B2 (ja) 2006-03-14 2009-09-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US7547897B2 (en) 2006-05-26 2009-06-16 Cree, Inc. High-temperature ion implantation apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using high-temperature ion implantation
JP5003033B2 (ja) * 2006-06-30 2012-08-15 住友電気工業株式会社 ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法
JP5269356B2 (ja) 2006-07-03 2013-08-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP1875983B1 (en) 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
US8980445B2 (en) 2006-07-06 2015-03-17 Cree, Inc. One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
EP1901345A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-19 Siltronic AG Multilayered semiconductor wafer and process for manufacturing the same
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5322418B2 (ja) 2006-09-19 2013-10-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
EP2065120B1 (en) 2006-09-19 2015-07-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP5037082B2 (ja) 2006-10-02 2012-09-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5117806B2 (ja) 2006-10-04 2013-01-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US8735770B2 (en) 2006-10-04 2014-05-27 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for forming a modified region in an object
JP5177992B2 (ja) 2006-10-27 2013-04-10 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5122161B2 (ja) 2007-03-07 2013-01-16 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2008146744A1 (ja) 2007-05-25 2008-12-04 Hamamatsu Photonics K.K. 切断用加工方法
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5312761B2 (ja) 2007-08-09 2013-10-09 浜松ホトニクス株式会社 切断用加工方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2009061353A2 (en) 2007-11-02 2009-05-14 President And Fellows Of Harvard College Production of free-standing solid state layers by thermal processing of substrates with a polymer
JP5094337B2 (ja) 2007-11-05 2012-12-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
WO2009094558A2 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Brewer Science Inc. Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate
US20120000415A1 (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Soraa, Inc. Large Area Nitride Crystal and Method for Making It
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5632751B2 (ja) 2009-02-09 2014-11-26 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5446325B2 (ja) 2009-03-03 2014-03-19 豊田合成株式会社 レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法
US8288220B2 (en) 2009-03-27 2012-10-16 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor devices including epitaxial layers and related structures
KR101769158B1 (ko) 2009-04-07 2017-08-17 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
US8764026B2 (en) 2009-04-16 2014-07-01 Suss Microtec Lithography, Gmbh Device for centering wafers
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5476063B2 (ja) 2009-07-28 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5451238B2 (ja) 2009-08-03 2014-03-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5775265B2 (ja) 2009-08-03 2015-09-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体装置の製造方法
KR101770836B1 (ko) 2009-08-11 2017-08-23 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
TWI463053B (zh) 2009-09-09 2014-12-01 Mitsubishi Rayon Co 碳纖維束及其製造方法
JP5148575B2 (ja) 2009-09-15 2013-02-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP5410250B2 (ja) 2009-11-25 2014-02-05 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5479924B2 (ja) 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5479925B2 (ja) 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工システム
US8950217B2 (en) 2010-05-14 2015-02-10 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member
JP5670647B2 (ja) 2010-05-14 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5552373B2 (ja) 2010-06-02 2014-07-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
DE102010030358B4 (de) * 2010-06-22 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Abtrennen einer Substratscheibe
JP5597051B2 (ja) 2010-07-21 2014-10-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5597052B2 (ja) 2010-07-21 2014-10-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP5771391B2 (ja) 2010-12-22 2015-08-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2012146876A (ja) 2011-01-13 2012-08-02 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP5775312B2 (ja) 2011-01-13 2015-09-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5670765B2 (ja) 2011-01-13 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5670764B2 (ja) 2011-01-13 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2013042119A (ja) 2011-07-21 2013-02-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法
JP5140198B1 (ja) 2011-07-27 2013-02-06 東芝機械株式会社 レーザダイシング方法
JP5844089B2 (ja) 2011-08-24 2016-01-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5917862B2 (ja) 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP2013063454A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2013063455A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP5840215B2 (ja) 2011-09-16 2016-01-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5894754B2 (ja) 2011-09-16 2016-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5864988B2 (ja) 2011-09-30 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板切断方法
JP2013126682A (ja) 2011-11-18 2013-06-27 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP5255109B2 (ja) 2011-12-05 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP2013124206A (ja) 2011-12-15 2013-06-24 Panasonic Corp ウエハ切断方法および装置
KR20130073473A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성코닝정밀소재 주식회사 지지기판 형성방법 및 이에 사용되는 지지기판 제조용 접합제
JP6076601B2 (ja) 2012-01-30 2017-02-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、半導体デバイスの製造方法及びレーザ加工装置
JP5905274B2 (ja) 2012-01-30 2016-04-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP5969214B2 (ja) 2012-01-30 2016-08-17 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP6012185B2 (ja) 2012-01-30 2016-10-25 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP6050002B2 (ja) 2012-01-31 2016-12-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP6012186B2 (ja) 2012-01-31 2016-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US9214353B2 (en) 2012-02-26 2015-12-15 Solexel, Inc. Systems and methods for laser splitting and device layer transfer
JP6009225B2 (ja) 2012-05-29 2016-10-19 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板の切断方法
JP2014041927A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041924A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041926A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041925A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
FR2995447B1 (fr) 2012-09-07 2014-09-05 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation d'au moins deux substrats selon une interface choisie
US8946731B2 (en) * 2012-09-24 2015-02-03 International Business Machines Corporation OLED display with spalled semiconductor driving circuitry and other integrated functions
FR2998089A1 (fr) * 2012-11-09 2014-05-16 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert de couche
JP2016511934A (ja) * 2013-01-16 2016-04-21 キューマット インコーポレイテッドＱｍａｔ， Ｉｎｃ． 光電子デバイスを形成する技術
JP6030470B2 (ja) 2013-02-14 2016-11-24 株式会社熊谷組 トンネル施工方法
JP2014156689A (ja) 2013-02-14 2014-08-28 Kumagai Gumi Co Ltd 管
JP5923799B2 (ja) 2013-02-14 2016-05-25 新日鐵住金株式会社 光伝播機能を備えた建造物骨組み要素からなる建造物
DE112014001676B4 (de) 2013-03-27 2024-06-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
CN105102178B (zh) 2013-03-27 2018-03-13 浜松光子学株式会社 激光加工装置及激光加工方法
WO2014156689A1 (ja) 2013-03-27 2014-10-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
WO2014156687A1 (ja) 2013-03-27 2014-10-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6059059B2 (ja) 2013-03-28 2017-01-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
DE102013007672A1 (de) 2013-05-03 2014-11-06 Siltectra Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Waferherstellung mit vordefinierter Bruchauslösestelle
JP6163035B2 (ja) 2013-07-18 2017-07-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
US9768259B2 (en) 2013-07-26 2017-09-19 Cree, Inc. Controlled ion implantation into silicon carbide using channeling and devices fabricated using controlled ion implantation into silicon carbide using channeling
JP5620553B2 (ja) 2013-08-01 2014-11-05 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置
WO2015073089A1 (en) * 2013-08-26 2015-05-21 The Regents Of The University Of Michigan Thin film lift-off via combination of epitaxial lift-off and spalling
US20160197698A1 (en) 2013-09-06 2016-07-07 Danmarks Tekniske Universitet All-optical orthogonal frequency division multiplexing (ofdm) demultiplexer
CN105518189B (zh) 2013-09-06 2019-10-15 Gtat公司 使用硅碳化物晶种来生产大块硅碳化物的方法和器具
DE102013016669A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Kombiniertes Herstellungsverfahren zum Abtrennen mehrerer dünner Festkörperschichten von einem dicken Festkörper
US20150158117A1 (en) 2013-12-05 2015-06-11 David Callejo Muñoz System and method for obtaining laminae made of a material having known optical transparency characteristics
US9219049B2 (en) * 2013-12-13 2015-12-22 Infineon Technologies Ag Compound structure and method for forming a compound structure
DE102015000449A1 (de) 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
JP6353683B2 (ja) 2014-04-04 2018-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6272145B2 (ja) 2014-05-29 2018-01-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6258787B2 (ja) 2014-05-29 2018-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5931124B2 (ja) 2014-06-01 2016-06-08 株式会社シーエンジ 立体網状構造体、立体網状構造体製造方法及び立体網状構造体製造装置
JP5863891B2 (ja) 2014-07-01 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置、レーザ加工装置の制御方法、レーザ装置の制御方法、及び、レーザ装置の調整方法
US9757815B2 (en) 2014-07-21 2017-09-12 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
JP6327519B2 (ja) * 2014-07-30 2018-05-23 日立金属株式会社 炭化珪素単結晶基板の加工方法、及び治具付き炭化珪素単結晶基板
JP6483974B2 (ja) 2014-07-31 2019-03-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP6390898B2 (ja) 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
JP6506520B2 (ja) 2014-09-16 2019-04-24 株式会社ディスコ ＳｉＣのスライス方法
JP6328534B2 (ja) 2014-09-30 2018-05-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN107073653B (zh) 2014-10-13 2019-11-26 艾维纳科技有限责任公司 用于劈开或切割基板的激光加工方法
CN107000125B (zh) 2014-11-27 2022-08-12 西尔特克特拉有限责任公司 基于激光器的分离方法
EP4122633B1 (de) 2014-11-27 2025-03-19 Siltectra GmbH Festkörperteilung mittels stoffumwandlung
JP6358940B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6366486B2 (ja) 2014-12-04 2018-08-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6418927B2 (ja) 2014-12-04 2018-11-07 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399914B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6355540B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-11 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358941B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6366485B2 (ja) 2014-12-04 2018-08-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
US20160189954A1 (en) 2014-12-31 2016-06-30 Cree, Inc. Methods of performing semiconductor growth using reusable carrier substrates and related carrier substrates
JP6395613B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6391471B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395634B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6444207B2 (ja) 2015-02-17 2018-12-26 株式会社ディスコ 六方晶単結晶基板の検査方法及び検査装置
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6429715B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
DE102015006971A1 (de) * 2015-04-09 2016-10-13 Siltectra Gmbh Verfahren zum verlustarmen Herstellen von Mehrkomponentenwafern
JP6444249B2 (ja) 2015-04-15 2018-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6456228B2 (ja) 2015-04-15 2019-01-23 株式会社ディスコ 薄板の分離方法
JP6482389B2 (ja) 2015-06-02 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472333B2 (ja) 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6478821B2 (ja) 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6552898B2 (ja) 2015-07-13 2019-07-31 株式会社ディスコ 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494457B2 (ja) 2015-07-16 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6482425B2 (ja) 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
DE102015112649B4 (de) 2015-07-31 2021-02-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum bilden eines halbleiterbauelements und halbleiterbauelement
JP6486240B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486239B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6597052B2 (ja) 2015-08-21 2019-10-30 住友大阪セメント株式会社 光変調器
JP6572694B2 (ja) * 2015-09-11 2019-09-11 信越化学工業株式会社 ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法
JP6633326B2 (ja) 2015-09-15 2020-01-22 株式会社ディスコ 窒化ガリウム基板の生成方法
JP6562819B2 (ja) 2015-11-12 2019-08-21 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
CN105436710B (zh) 2015-12-30 2019-03-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种硅晶圆的激光剥离方法
KR101799085B1 (ko) * 2015-12-31 2017-11-20 국민대학교산학협력단 기판의 제조 방법
JP6602207B2 (ja) 2016-01-07 2019-11-06 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6654435B2 (ja) 2016-01-07 2020-02-26 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6604891B2 (ja) 2016-04-06 2019-11-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6690983B2 (ja) 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
JP6669594B2 (ja) 2016-06-02 2020-03-18 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6678522B2 (ja) 2016-06-10 2020-04-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び剥離装置
JP6698468B2 (ja) 2016-08-10 2020-05-27 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6723877B2 (ja) 2016-08-29 2020-07-15 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6773506B2 (ja) 2016-09-29 2020-10-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP2018093046A (ja) 2016-12-02 2018-06-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6773539B2 (ja) 2016-12-06 2020-10-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
US10577720B2 (en) 2017-01-04 2020-03-03 Cree, Inc. Stabilized, high-doped silicon carbide
JP6831253B2 (ja) 2017-01-27 2021-02-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6781639B2 (ja) * 2017-01-31 2020-11-04 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6858586B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6858587B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6797481B2 (ja) 2017-03-01 2020-12-09 株式会社ディスコ 半導体インゴットの検査方法、検査装置及びレーザー加工装置
US12159805B2 (en) 2017-04-20 2024-12-03 Siltectra Gmbh Method for producing wafers with modification lines of defined orientation
JP6935224B2 (ja) 2017-04-25 2021-09-15 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6923877B2 (ja) 2017-04-26 2021-08-25 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
CN107170668B (zh) 2017-06-01 2020-06-05 镓特半导体科技（上海）有限公司 一种自支撑氮化镓制备方法
JP6904793B2 (ja) 2017-06-08 2021-07-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP6976745B2 (ja) 2017-06-30 2021-12-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP6994852B2 (ja) 2017-06-30 2022-01-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP6946153B2 (ja) 2017-11-16 2021-10-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハ生成装置
JP6974133B2 (ja) 2017-11-22 2021-12-01 株式会社ディスコ ＳｉＣインゴットの成型方法
JP6976828B2 (ja) 2017-11-24 2021-12-08 株式会社ディスコ 剥離装置
JP7034683B2 (ja) 2017-11-29 2022-03-14 株式会社ディスコ 剥離装置
JP6959120B2 (ja) 2017-12-05 2021-11-02 株式会社ディスコ 剥離装置
JP7009194B2 (ja) 2017-12-12 2022-01-25 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置および搬送トレー
JP7009224B2 (ja) 2018-01-16 2022-01-25 株式会社ディスコ 平坦化方法
JP7123583B2 (ja) 2018-03-14 2022-08-23 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7027215B2 (ja) 2018-03-27 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7073172B2 (ja) 2018-04-03 2022-05-23 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
JP7137992B2 (ja) 2018-08-02 2022-09-15 株式会社ディスコ 加工装置及び剥離装置
JP7235456B2 (ja) 2018-08-14 2023-03-08 株式会社ディスコ 半導体基板の加工方法
JP7106217B2 (ja) 2018-08-22 2022-07-26 株式会社ディスコ ファセット領域の検出方法及び検出装置
JP7187215B2 (ja) 2018-08-28 2022-12-12 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の加工方法
JP7201367B2 (ja) 2018-08-29 2023-01-10 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の加工方法
JP7128067B2 (ja) 2018-09-14 2022-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
JP7164396B2 (ja) 2018-10-29 2022-11-01 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP7229729B2 (ja) 2018-11-08 2023-02-28 株式会社ディスコ Ｆａｃｅｔ領域の検出方法および検出装置ならびにウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
JP7166893B2 (ja) 2018-11-21 2022-11-08 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP7285636B2 (ja) 2018-12-06 2023-06-02 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
US11024501B2 (en) * 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10867797B2 (en) 2019-02-07 2020-12-15 Cree, Inc. Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation
JP7308652B2 (ja) 2019-04-26 2023-07-14 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7321022B2 (ja) 2019-07-29 2023-08-04 株式会社ディスコ レーザー加工装置およびレーザー加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118321755A (zh) * 2024-06-13 2024-07-12 通威微电子有限公司 碳化硅激光冷裂方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020136621A1 (en) 2020-07-02
CN118824948A (zh) 2024-10-22
JP2024001234A (ja) 2024-01-09
US11024501B2 (en) 2021-06-01
US20210225652A1 (en) 2021-07-22
EP3903337A1 (en) 2021-11-03
CN113228232A (zh) 2021-08-06
EP4403678A2 (en) 2024-07-24
JP7372332B2 (ja) 2023-10-31
EP3903337B1 (en) 2024-06-12
JP2022515871A (ja) 2022-02-22
KR20210105993A (ko) 2021-08-27
US11901181B2 (en) 2024-02-13
EP4403678A3 (en) 2024-10-23
JP2024174923A (ja) 2024-12-17
US20200211850A1 (en) 2020-07-02
JP7550946B2 (ja) 2024-09-13
US20240128085A1 (en) 2024-04-18
KR102611959B1 (ko) 2023-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102611959B1 (ko) 캐리어를 이용하여 레이저 손상 영역을 따라 결정질 물질을 분할하는 방법
KR102644548B1 (ko) 결정질 재료의 이형을 위한 레이저 보조 방법
KR102611962B1 (ko) 결정질 재료의 이형을 위한 레이저 보조 방법
EP3544065A1 (en) Bond and release layer transfer process
CN1816908B (zh) 芯片焊接
KR20180033153A (ko) 복합 기판 및 복합 기판의 제조 방법
JP2009266892A (ja) 化合物半導体結晶基材の製造方法
KR20190027821A (ko) 재생을 거친 도너 기판의 방법
JP7855036B2 (ja) 結晶材料をレーザ・ダメージ領域に沿って切り分けるための担体アシスト法
US20260021609A1 (en) Boules with boule-handling carrier processing methods
JP2009081285A (ja) 基板およびその製造方法
WO2018011731A1 (en) Method of a donor substrate undergoing reclamation

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
PA0104 Divisional application for international application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A18-div-PA0104

St.27 status event code: A-0-1-A10-A16-div-PA0104

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

D21 Rejection of application intended

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-1-2-D10-D21-EXM-PE0902 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11 Amendment of application requested

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-2-P10-P11-NAP-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000