JPH04116848A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04116848A JPH04116848A JP23769090A JP23769090A JPH04116848A JP H04116848 A JPH04116848 A JP H04116848A JP 23769090 A JP23769090 A JP 23769090A JP 23769090 A JP23769090 A JP 23769090A JP H04116848 A JPH04116848 A JP H04116848A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体ウェハ上に、個々のＩＣに分離するた
めのスクライブラインを有する半導体装置の製造方法に
関する。
めのスクライブラインを有する半導体装置の製造方法に
関する。
［発明の概要］
本発明は、ＩＣの製造工程において、クラッキングによ
るベレット形成前のスクライプ溝な形成する部分、ある
いはペレットを形成するため９ダイシング箇所に複数の
穴形のラインでスクライブラインを形成することにより
、ウェハ上に形成したＩＣの酸化膜等の、スクライブラ
インにおけるはがれを防止することを目的とするもので
ある。
るベレット形成前のスクライプ溝な形成する部分、ある
いはペレットを形成するため９ダイシング箇所に複数の
穴形のラインでスクライブラインを形成することにより
、ウェハ上に形成したＩＣの酸化膜等の、スクライブラ
インにおけるはがれを防止することを目的とするもので
ある。
［従来の技術］
従来、−枚の半導体ウェハ上に複数個のＩＣを形成する
時、第２図に示すように、ＩＣの形成されない部分すな
わちスクライブラインを縦横に直交させて形成し、個々
のＩＣを分離形成する。こののち、ダイヤモンドカッタ
等により、スクライブラインに添ってスクライプ溝をス
クライブして形成したあとでクラッキングするか、ある
いはスクライブラインをグイシングすることにより半導
体ペレットを形成していた。
時、第２図に示すように、ＩＣの形成されない部分すな
わちスクライブラインを縦横に直交させて形成し、個々
のＩＣを分離形成する。こののち、ダイヤモンドカッタ
等により、スクライブラインに添ってスクライプ溝をス
クライブして形成したあとでクラッキングするか、ある
いはスクライブラインをグイシングすることにより半導
体ペレットを形成していた。
［発明が解決しようとする課題１
しかし、従来の半導体装置の製造方法においては、ＩＣ
の製造過程においてスクライブラインを凹形のラインで
形成していたため、半導体ウェハの一主面を拡散、蒸着
、酸化、熱処理等を経て多数の素子を含むＩＣを配列的
に形成した時、スクライブラインにおいて、ウェハ上に
形成したＩＣの酸化膜等のはがれが起きるという課題が
あった。
の製造過程においてスクライブラインを凹形のラインで
形成していたため、半導体ウェハの一主面を拡散、蒸着
、酸化、熱処理等を経て多数の素子を含むＩＣを配列的
に形成した時、スクライブラインにおいて、ウェハ上に
形成したＩＣの酸化膜等のはがれが起きるという課題が
あった。
［課題を解決するための手段〕
本発明は、これらの課題を解決するために、半導体装置
の製造課程において、スクライブラインを凹形の溝では
なく、複数個の穴で形成することによって、個々のＩＣ
を形成する際に積層された酸化膜等のスクライブライン
におけるはがれをなくすようにした。
の製造課程において、スクライブラインを凹形の溝では
なく、複数個の穴で形成することによって、個々のＩＣ
を形成する際に積層された酸化膜等のスクライブライン
におけるはがれをなくすようにした。
このような半導体装置の製造方法においては、半導体ウ
ェハ上に個々のＩＣをスクライブ穴を設けながら形成し
ていく過程において、ＩＣを組立てるために積層されて
いく酸化膜等のスクライブラインにおけるはがれを起こ
すことがない。
ェハ上に個々のＩＣをスクライブ穴を設けながら形成し
ていく過程において、ＩＣを組立てるために積層されて
いく酸化膜等のスクライブラインにおけるはがれを起こ
すことがない。
［実施例］
第１図は、本発明による半導体製造装置の製造方法の一
実施例である。半導体ウェハｌの一主面に拡散、蒸着、
酸化、熱処理等の各処理を経て多数の素子を含むＩＣを
配列的に形成する過程において、後でダイシング等によ
って個々のＩＣに分断する箇所に、複数個の穴をシリコ
ン基板上に形成していく。この後、この複数個の穴で形
成したスクライブラインに従ってダイヤモンドカッター
等により各ＩＣ間を方形に縦横に区切るスクライブ溝を
形成した後クラッキングするか、あるいは回転砥石を使
用してダイシングするかによって、個々の半導体ベレッ
トに分断する。第１図において、円形の穴でスクライブ
ラインを形成しであるがもちろん矩形の穴でもかまわな
い。
実施例である。半導体ウェハｌの一主面に拡散、蒸着、
酸化、熱処理等の各処理を経て多数の素子を含むＩＣを
配列的に形成する過程において、後でダイシング等によ
って個々のＩＣに分断する箇所に、複数個の穴をシリコ
ン基板上に形成していく。この後、この複数個の穴で形
成したスクライブラインに従ってダイヤモンドカッター
等により各ＩＣ間を方形に縦横に区切るスクライブ溝を
形成した後クラッキングするか、あるいは回転砥石を使
用してダイシングするかによって、個々の半導体ベレッ
トに分断する。第１図において、円形の穴でスクライブ
ラインを形成しであるがもちろん矩形の穴でもかまわな
い。
［発明の効果］
この発明は、以上説明したように、半導体ウェハ上に半
導体装置を製造する過程において、従来の凹形のスクラ
イブラインのかわりに、複数個の穴によるスクライブラ
インを形成したことにより、半導体装置のスクライブラ
インにおける酸化膜等のはがれを防止し、歩留りの向上
をはかるという効果がある。
導体装置を製造する過程において、従来の凹形のスクラ
イブラインのかわりに、複数個の穴によるスクライブラ
インを形成したことにより、半導体装置のスクライブラ
インにおける酸化膜等のはがれを防止し、歩留りの向上
をはかるという効果がある。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法によったスクラ
イブラインを示す半導体ウェハの正面図、第２図は従来
技術でのスクライブラインを示す半導体ウェハの正面図
である。 ・・ウェハ ・弓Ｃ ・・複数個の穴で形成したスクライブライン・・凹形の
スクライブライン 以上 第１０ 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助第２図
イブラインを示す半導体ウェハの正面図、第２図は従来
技術でのスクライブラインを示す半導体ウェハの正面図
である。 ・・ウェハ ・弓Ｃ ・・複数個の穴で形成したスクライブライン・・凹形の
スクライブライン 以上 第１０ 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助第２図
Claims (1)
- 半導体ウェハ上に個々の素子を形成し、ＩＣを製造す
る工程において、複数個の穴でスクライブラインを形成
したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23769090A JPH04116848A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23769090A JPH04116848A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116848A true JPH04116848A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17019071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23769090A Pending JPH04116848A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116848A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
-
1990
- 1990-09-06 JP JP23769090A patent/JPH04116848A/ja active Pending
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