JPS59152581A - バブル装置の製造法 - Google Patents
バブル装置の製造法Info
- Publication number
- JPS59152581A JPS59152581A JP58026081A JP2608183A JPS59152581A JP S59152581 A JPS59152581 A JP S59152581A JP 58026081 A JP58026081 A JP 58026081A JP 2608183 A JP2608183 A JP 2608183A JP S59152581 A JPS59152581 A JP S59152581A
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- JP
- Japan
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- substrate
- warp
- ion
- bubble
- film
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はバブル装置の製造法に係り、ハードバブル抑制
のためのイオン注入による結晶基板の反りによる障害を
取り除こうとするものである。
のためのイオン注入による結晶基板の反りによる障害を
取り除こうとするものである。
従来技術と問題点
バブルメモリなどの磁気バブル利用装置における１つの
問題点は磁界勾配に対して斜めに移動するバードバブル
（異品バブル）である。これを抑制する方法には結晶基
板表面に水素（ＴＩ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎ
ｅ）などのイオンを打込む、結晶基板表面にパーマロイ
薄膜を蒸着する、などの方法があるが、デバイス特性即
ち実用面から一般にはイオン注入法が用いられζいる。
問題点は磁界勾配に対して斜めに移動するバードバブル
（異品バブル）である。これを抑制する方法には結晶基
板表面に水素（ＴＩ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎ
ｅ）などのイオンを打込む、結晶基板表面にパーマロイ
薄膜を蒸着する、などの方法があるが、デバイス特性即
ち実用面から一般にはイオン注入法が用いられζいる。
しかしイオンを打込むと結晶基板は反り返り、歪みを生
じる。即ち第１図の１０はＧＧＧ非磁性基板１２の表面
に磁性膜１４を液相エピタキシャル成長させてなるバブ
ル用結晶基板を示すが、ノ１−ドパプル抑制のためＬＰ
Ｅ膜１４にイオン打込みを行なうと結晶基板１０は第２
図に示すように反り返る。反りの程度は２インチ（５，
０８ｃｍ）ウェハで１〜２μｍ程度であり、これにより
１０７ｄｙｎｅ／ｃｎｌ程度の応力が生じる。この歪み
の大きさは結晶基板上に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を
０．５〜１μｍ程度の厚さにスパッタした場合と同しで
あり、無視できない。例えばバブルが転送されなくなっ
たりする。
じる。即ち第１図の１０はＧＧＧ非磁性基板１２の表面
に磁性膜１４を液相エピタキシャル成長させてなるバブ
ル用結晶基板を示すが、ノ１−ドパプル抑制のためＬＰ
Ｅ膜１４にイオン打込みを行なうと結晶基板１０は第２
図に示すように反り返る。反りの程度は２インチ（５，
０８ｃｍ）ウェハで１〜２μｍ程度であり、これにより
１０７ｄｙｎｅ／ｃｎｌ程度の応力が生じる。この歪み
の大きさは結晶基板上に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を
０．５〜１μｍ程度の厚さにスパッタした場合と同しで
あり、無視できない。例えばバブルが転送されなくなっ
たりする。
発明の目的
本発明はハードバブル抑制のためのイオン注入で生じる
結晶基板の反りを除き、反り又は歪みによるバブル動作
特性の劣化を防止しようとするものである。
結晶基板の反りを除き、反り又は歪みによるバブル動作
特性の劣化を防止しようとするものである。
発明の構成
本発明はバブル用結晶基板の表面にハードバブル抑制の
ためのイオン注入をするバブル装置の製造法において、
該基板の裏面にも、該イオン注入による基板の反りを補
正するイオン注入を行なうことを特徴とするが、次に実
施例を参照しながらこれを説明する。
ためのイオン注入をするバブル装置の製造法において、
該基板の裏面にも、該イオン注入による基板の反りを補
正するイオン注入を行なうことを特徴とするが、次に実
施例を参照しながらこれを説明する。
発明の実施例
バブルメモリ用結晶基板ば通雷次のように製作される。
即ち研磨されたＧＣ；Ｇ （ガドリニウム・ガリウム・
ガーネット：組成式Ｃｄ ３ Ｇａ ５０，２）基板上
に例えば（ＹＳｍＬｕＣａ”＞３ （ＦｅＧｅ）。
ガーネット：組成式Ｃｄ ３ Ｇａ ５０，２）基板上
に例えば（ＹＳｍＬｕＣａ”＞３ （ＦｅＧｅ）。
０１２なる組成の磁性膜を液相エビクキシャル成長させ
る。第３図ｔａ＋はこうして作られた結晶基板１０を示
す。次に基板表面にバードバブル抑制のためにネオンイ
オン（Ｎｅ’）を例えば加速電圧５０ＫｅＶ、ドーズ量
′１０１４／ｃＩ１１で打込む。これにより第３回Ｔｈ
ｌに示すように反りが発生ずる。そこで本発明では第３
図（Ｃ１に示すように基板裏面側にもイオン打込みし、
基板の反り、ひいては歪みをなくす。
る。第３図ｔａ＋はこうして作られた結晶基板１０を示
す。次に基板表面にバードバブル抑制のためにネオンイ
オン（Ｎｅ’）を例えば加速電圧５０ＫｅＶ、ドーズ量
′１０１４／ｃＩ１１で打込む。これにより第３回Ｔｈ
ｌに示すように反りが発生ずる。そこで本発明では第３
図（Ｃ１に示すように基板裏面側にもイオン打込みし、
基板の反り、ひいては歪みをなくす。
基板の反りをとるイオン打込みは逆にしてもよい。即ち
第３図ｔａ）の基板１０を製作したら裏面にイオン打込
みを行ない、表面が凹に反った基板とする。この基板の
表面にバートバブル抑制のためのイオン打込みを行なう
と平坦な基板が得られる。
第３図ｔａ）の基板１０を製作したら裏面にイオン打込
みを行ない、表面が凹に反った基板とする。この基板の
表面にバートバブル抑制のためのイオン打込みを行なう
と平坦な基板が得られる。
バブルメモリを作るには基板表面にバブル発生器、トラ
ンスファゲート、バブル伝播路などの各種素子を作るが
、これらは上記のようにして平坦にした基板に対して製
作する。
ンスファゲート、バブル伝播路などの各種素子を作るが
、これらは上記のようにして平坦にした基板に対して製
作する。
結晶基板表面にバブル装置として必要な各種素子を製作
する際には眉間絶縁膜が必要であり、また表面保護膜な
ども必要である。これらの絶縁膜や保護膜としては二酸
化シリコンや樹脂などが用いられる。二酸化シリコンを
用いると、これはＧＧＧより熱膨張力が小さいので、基
板１０は第４図に示すように表面が凸に反る。即ち二酸
化シリコン膜１６をスパックなどにより被着する工程で
は基板１０は昇温し、この状態で該膜１６が被着 −し
、被着完了でスパッタを中止して基板をスパッタリング
装置から取出し、放置すると基板は冷却し、基板１０お
よび二酸化シリコン膜１６は収縮するがその度合は基板
ｌＯの方が大きいので第４図に示すように基板表面側が
凸に彎曲する。歪力は膜１６が圧縮力、基板１０が張力
であり、これによってもバブル特性が悪影響を受ける。
する際には眉間絶縁膜が必要であり、また表面保護膜な
ども必要である。これらの絶縁膜や保護膜としては二酸
化シリコンや樹脂などが用いられる。二酸化シリコンを
用いると、これはＧＧＧより熱膨張力が小さいので、基
板１０は第４図に示すように表面が凸に反る。即ち二酸
化シリコン膜１６をスパックなどにより被着する工程で
は基板１０は昇温し、この状態で該膜１６が被着 −し
、被着完了でスパッタを中止して基板をスパッタリング
装置から取出し、放置すると基板は冷却し、基板１０お
よび二酸化シリコン膜１６は収縮するがその度合は基板
ｌＯの方が大きいので第４図に示すように基板表面側が
凸に彎曲する。歪力は膜１６が圧縮力、基板１０が張力
であり、これによってもバブル特性が悪影響を受ける。
これを防ぐには基板１０の裏面にイオン打込みしく第３
図の補正を考えると、第３図より多口にイオン打込めし
）で予め基板表面を凹に彎曲させておくとよい。
図の補正を考えると、第３図より多口にイオン打込めし
）で予め基板表面を凹に彎曲させておくとよい。
絶縁膜や保護膜に樹脂例えばＰ’ＬＯ３（ボリラダーオ
ルガノオシラキ号ン、またはＰｆＱを用いるとこれらは
ＧＧＧより熱膨張率が大きいので被着（スピンコード）
後に基板は第５図に示すように表面が凹に反る。１８は
上記の樹脂膜である。
ルガノオシラキ号ン、またはＰｆＱを用いるとこれらは
ＧＧＧより熱膨張率が大きいので被着（スピンコード）
後に基板は第５図に示すように表面が凹に反る。１８は
上記の樹脂膜である。
これを防ぐには逆の操作、つまり基板表面にイオン打込
めして（基板裏面のイオン打込み量を減らす又はイオン
打込みしない）予め基板を表面が凸になるように変形さ
せておくとよい。
めして（基板裏面のイオン打込み量を減らす又はイオン
打込みしない）予め基板を表面が凸になるように変形さ
せておくとよい。
発明の詳細
な説明したように本発明では基板裏側にイオン打込みし
てハードバブル抑制のためのイオン打込みによる基板の
反りをとるようにしたので、簡単な手段でバブル特性の
劣化を阻止することができ、甚だ有効である。また保護
膜や絶縁膜の被着による基板の反りを回避でき、この点
でも有効である。
てハードバブル抑制のためのイオン打込みによる基板の
反りをとるようにしたので、簡単な手段でバブル特性の
劣化を阻止することができ、甚だ有効である。また保護
膜や絶縁膜の被着による基板の反りを回避でき、この点
でも有効である。
第１図はバブル用結晶基板の説明図、第２図は基板の反
りを説明する図、第３図は本発明の実施例を示す説明図
、第４図および第５図は基板保護膜または眉間絶縁膜に
よる基板の反りを説明する図である。 図面で、１０は結晶基板、矢印はイオン打込めを示す。 出 願 人 冨 士 通 株式会社 代理人弁理士 青 柳 稔 第３図 （ａ） 今 拳 令 ；）） 番 令Ｎｌ”ｒｓ
りを説明する図、第３図は本発明の実施例を示す説明図
、第４図および第５図は基板保護膜または眉間絶縁膜に
よる基板の反りを説明する図である。 図面で、１０は結晶基板、矢印はイオン打込めを示す。 出 願 人 冨 士 通 株式会社 代理人弁理士 青 柳 稔 第３図 （ａ） 今 拳 令 ；）） 番 令Ｎｌ”ｒｓ
Claims (1)
- バブル用結晶基板の表面にハードバブル抑制のためのイ
オン注入をするバブル装置の製造法において、該基板の
裏面にも、該イオン注入による基板の反りを補正するイ
オン注入を行なうことを特徴とするバブル装置の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026081A JPS59152581A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | バブル装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026081A JPS59152581A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | バブル装置の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152581A true JPS59152581A (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=12183675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58026081A Pending JPS59152581A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | バブル装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152581A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20200258742A1 (en) * | 2019-02-07 | 2020-08-13 | Cree, Inc. | Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation |
| US11034056B2 (en) | 2019-05-17 | 2021-06-15 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| CN113053747A (zh) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 改善SiC晶圆翘曲的方法及SiC半导体器件的制备方法 |
| US11219966B1 (en) | 2018-12-29 | 2022-01-11 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US11826846B2 (en) | 2018-12-29 | 2023-11-28 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US11901181B2 (en) | 2018-12-29 | 2024-02-13 | Wolfspeed, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP58026081A patent/JPS59152581A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11219966B1 (en) | 2018-12-29 | 2022-01-11 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US11826846B2 (en) | 2018-12-29 | 2023-11-28 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US11901181B2 (en) | 2018-12-29 | 2024-02-13 | Wolfspeed, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
| US11911842B2 (en) | 2018-12-29 | 2024-02-27 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US20200258742A1 (en) * | 2019-02-07 | 2020-08-13 | Cree, Inc. | Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation |
| US10867797B2 (en) * | 2019-02-07 | 2020-12-15 | Cree, Inc. | Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation |
| US11034056B2 (en) | 2019-05-17 | 2021-06-15 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| US11654596B2 (en) | 2019-05-17 | 2023-05-23 | Wolfspeed, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| US12070875B2 (en) | 2019-05-17 | 2024-08-27 | Wolfspeed, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| CN113053747A (zh) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 改善SiC晶圆翘曲的方法及SiC半导体器件的制备方法 |
| CN113053747B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-09-09 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 改善SiC晶圆翘曲的方法及SiC半导体器件的制备方法 |
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