JPS60229293A - 磁気バブル転送路形成方法 - Google Patents
磁気バブル転送路形成方法Info
- Publication number
- JPS60229293A JPS60229293A JP8525384A JP8525384A JPS60229293A JP S60229293 A JPS60229293 A JP S60229293A JP 8525384 A JP8525384 A JP 8525384A JP 8525384 A JP8525384 A JP 8525384A JP S60229293 A JPS60229293 A JP S60229293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- transfer path
- ions
- implantation
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気バブル素子、なかんずく、イオン注入によ
り、磁気バブルの転送路を設けるイオン注入磁気バブル
素子の転送路形成方法に関する。
り、磁気バブルの転送路を設けるイオン注入磁気バブル
素子の転送路形成方法に関する。
（従来技術とその問題点）
近年、高密度の記憶容量をもつ固体ファイルメモリとし
てイオン注入方式磁気バブル素子の開発がすすめられて
いる。
てイオン注入方式磁気バブル素子の開発がすすめられて
いる。
イオン注入方式磁気バブル素子のドライブ層に必要とさ
れる特性は、該層内の磁化を面内に倒しうるように該層
内の一軸磁気異方性定数値が負になり、その下部の非注
入領域との異方性磁界の差ΔＨｋが充分大きいことであ
る。
れる特性は、該層内の磁化を面内に倒しうるように該層
内の一軸磁気異方性定数値が負になり、その下部の非注
入領域との異方性磁界の差ΔＨｋが充分大きいことであ
る。
従来、本素子ではこのΔＨｋｉイオン注入によるりト基
板の上に成長した磁性ガーネット単結晶薄膜上に典型的
な形状として数珠玉状の注入イオン遮蔽のためのマスク
パターン１を形成したうえからイオン注入することによ
りイオン注入層２を形成し、数珠玉状の非注入領域３の
外側境界に沿って磁気バブルが転送する磁気バブル転送
路を形成水素、ヘリウム、ネオンイオンが主に検討され
ているが、充分大きな・ΔＨｋを得るためＫその注入量
は水素イオンの場合は２ ｘ ＩＱ” ／ ａｌｌから
４ Ｘ １０”／（−ＩＩ＋の注入量が、一方ヘリウム
あるいはネオンイオンを用いる場合は各々、４Ｘ１０”
／σう・ら５ Ｘ １０”／ｃｄ及びｌＸ１０１４／ｉ
から２Ｘ１０’７ｃｄ必要トサレテいる。
板の上に成長した磁性ガーネット単結晶薄膜上に典型的
な形状として数珠玉状の注入イオン遮蔽のためのマスク
パターン１を形成したうえからイオン注入することによ
りイオン注入層２を形成し、数珠玉状の非注入領域３の
外側境界に沿って磁気バブルが転送する磁気バブル転送
路を形成水素、ヘリウム、ネオンイオンが主に検討され
ているが、充分大きな・ΔＨｋを得るためＫその注入量
は水素イオンの場合は２ ｘ ＩＱ” ／ ａｌｌから
４ Ｘ １０”／（−ＩＩ＋の注入量が、一方ヘリウム
あるいはネオンイオンを用いる場合は各々、４Ｘ１０”
／σう・ら５ Ｘ １０”／ｃｄ及びｌＸ１０１４／ｉ
から２Ｘ１０’７ｃｄ必要トサレテいる。
水素注入の場合は注入量が大きいため製造上のコストが
大きい。
大きい。
いずれの場合もイオン注入工程によってイオン注入量（
ドライブ層と以下では称す）のキュリ一温度はほぼ歪量
に応じて低下し、注入量を多くし歪を大きくし、磁気異
方性の変化を大きくする程、キュリ一温度の低下は大き
くなり、素子動作が良好なように磁気異方性の変化を生
じさせるために必要な注入量の注入を行なうと、５０℃
から１００℃程度キュリ一温度の低下が生じ、素子温度
特性を劣化させる問題があった、 （発明の目的） 本発明はこのような点に鑑みてなされたものでその目的
は充分大きな・ΔＨｋを有し、良、好な温度特性を有す
る磁気バブル転送路形成方法を提供するにある。
ドライブ層と以下では称す）のキュリ一温度はほぼ歪量
に応じて低下し、注入量を多くし歪を大きくし、磁気異
方性の変化を大きくする程、キュリ一温度の低下は大き
くなり、素子動作が良好なように磁気異方性の変化を生
じさせるために必要な注入量の注入を行なうと、５０℃
から１００℃程度キュリ一温度の低下が生じ、素子温度
特性を劣化させる問題があった、 （発明の目的） 本発明はこのような点に鑑みてなされたものでその目的
は充分大きな・ΔＨｋを有し、良、好な温度特性を有す
る磁気バブル転送路形成方法を提供するにある。
（発明の構成）
即ち本発明は磁性ガーネット単結晶薄膜上にイオン注入
することＫより形成する磁気バブル転送路の形成方法に
おいて、磁性ガーネット単結晶薄膜上にイオン注入した
後％ ６００℃以上の温度でアニールする工程と、この
後、該磁性ガーネット単結晶薄膜上に注入イオンを遮蔽
するマスクを形成したのちイオン注入する工程とを具え
たことを特徴とする磁気バブル転送路形成方法である。
することＫより形成する磁気バブル転送路の形成方法に
おいて、磁性ガーネット単結晶薄膜上にイオン注入した
後％ ６００℃以上の温度でアニールする工程と、この
後、該磁性ガーネット単結晶薄膜上に注入イオンを遮蔽
するマスクを形成したのちイオン注入する工程とを具え
たことを特徴とする磁気バブル転送路形成方法である。
ぐ大発明の概要）
本発明ではイオン注入方式磁気バブル素子のドライブ層
のキュリ一温度の低下を抑制するためにドライブ層とし
て必要とされる負の一軸異方性を得るために、従来のよ
うにそれを専らイオン注入による歪誘導磁気異方性によ
るので社なく、その一部を磁性ガーネット膜が有してい
る正の成長誘導磁気異方性を抑制する仁とによＶ達成す
る。
のキュリ一温度の低下を抑制するためにドライブ層とし
て必要とされる負の一軸異方性を得るために、従来のよ
うにそれを専らイオン注入による歪誘導磁気異方性によ
るので社なく、その一部を磁性ガーネット膜が有してい
る正の成長誘導磁気異方性を抑制する仁とによＶ達成す
る。
即ち、正の成長誘導磁気異方性を抑制するために、イオ
ン注入し、その徒歩くとも６００℃以上の温度でアニー
ルし、このイオン注入工程で生じた格子歪量ｆ；Ｌ：Ｏ
％ないし、小さなｊＨｃ戻すと々により、キュリー電電
も注入前のキュリ一温度ないしそれに近い温度［Ｗる。
ン注入し、その徒歩くとも６００℃以上の温度でアニー
ルし、このイオン注入工程で生じた格子歪量ｆ；Ｌ：Ｏ
％ないし、小さなｊＨｃ戻すと々により、キュリー電電
も注入前のキュリ一温度ないしそれに近い温度［Ｗる。
しかし々がら、磁気異方性のみはアニールによっても元
に戻らず磁気Ｗ方性定数値は小さくなる。これは注入に
よって、注入層内の格子が乱された結果、成長誘導磁気
異方性が抑制されたためである。この後、転送路形成用
マスクを形成する。
に戻らず磁気Ｗ方性定数値は小さくなる。これは注入に
よって、注入層内の格子が乱された結果、成長誘導磁気
異方性が抑制されたためである。この後、転送路形成用
マスクを形成する。
この工程の後、再びイオン注入を行なう。これは前工程
で磁気異方性が小さくなっており、磁気バブル転送路の
外周上に磁気異方性の面内方向による差を生じさせるに
充分な量でよく、したがって注入による歪によるキュリ
一温度の低下の程度は従来に比べ小さいため、素子温度
特性の向上が図れる。
で磁気異方性が小さくなっており、磁気バブル転送路の
外周上に磁気異方性の面内方向による差を生じさせるに
充分な量でよく、したがって注入による歪によるキュリ
一温度の低下の程度は従来に比べ小さいため、素子温度
特性の向上が図れる。
（実施例１）
以下では本発明を実施例により更に詳細に説明する。
ＧＧＧ基板上に液相法で成長した負の磁歪定数ヲモツ磁
性カーネット膜（ＹＳｍＬｕＣａＢｉ） 、 （ＰｅＣ
Ｊｅ） ａＯＩ！（膜厚１２μｍ、特性長ｌ ＝ ０．
１２ ａｍ、飽和＠束密度６６０Ｇａｕｓｓ Ｋｕ ４
６０００ｅｒｇ／ｄ、λ１．．＝２．８ ｘ １０−’
）にネオンイオンを加速エネルギー２００ＫｅＶドー
ズ量１．Ｏｘ １０ ”／ ＣＭ 及び加速エネ＃ キ
ー ８０ＫｅＶ 、ドーズｌｔ２．７ Ｘ １０’！／
ｄで注入したのち、空気中で温度１０００℃で１時間
アニールしたのも、数珠玉状の周期４μｍのバブル転送
路形成用のマスクを厚さ５０００Ａの金を用い蒸着によ
り形成したのち、ヘリウムイオンを加速エネルギーｉ
ｏ ０ＫｅＶ、ドーズ量２．２ ｘ ］ ０” ／ａｄ
及び加速エネルギー４０ＫｅＶ、ドーズ量１．ＯＸ １
０”／ｄで注入後空気中、３００℃で１時間アニールし
て磁気バブル転送路を形成した。
性カーネット膜（ＹＳｍＬｕＣａＢｉ） 、 （ＰｅＣ
Ｊｅ） ａＯＩ！（膜厚１２μｍ、特性長ｌ ＝ ０．
１２ ａｍ、飽和＠束密度６６０Ｇａｕｓｓ Ｋｕ ４
６０００ｅｒｇ／ｄ、λ１．．＝２．８ ｘ １０−’
）にネオンイオンを加速エネルギー２００ＫｅＶドー
ズ量１．Ｏｘ １０ ”／ ＣＭ 及び加速エネ＃ キ
ー ８０ＫｅＶ 、ドーズｌｔ２．７ Ｘ １０’！／
ｄで注入したのち、空気中で温度１０００℃で１時間
アニールしたのも、数珠玉状の周期４μｍのバブル転送
路形成用のマスクを厚さ５０００Ａの金を用い蒸着によ
り形成したのち、ヘリウムイオンを加速エネルギーｉ
ｏ ０ＫｅＶ、ドーズ量２．２ ｘ ］ ０” ／ａｄ
及び加速エネルギー４０ＫｅＶ、ドーズ量１．ＯＸ １
０”／ｄで注入後空気中、３００℃で１時間アニールし
て磁気バブル転送路を形成した。
比較例として、実施例と同一特性の磁性ガーネット膜十
に厚さ５０（）ＯＡの金により転送路形成用マスクを形
成したのち、ヘリウムイオンを・加速エネルギ−１００
ＫｅＶ、ドーズ量４．７ｘｌＯ”／ｍ、及び加速エネル
ギー４０ＫｅＶ、ドーズ量２．２Ｘ１０／ｄで注入した
のち、空気中３００°Ｃで １時間アニールしてバブル
転送路を形成した。
に厚さ５０（）ＯＡの金により転送路形成用マスクを形
成したのち、ヘリウムイオンを・加速エネルギ−１００
ＫｅＶ、ドーズ量４．７ｘｌＯ”／ｍ、及び加速エネル
ギー４０ＫｅＶ、ドーズ量２．２Ｘ１０／ｄで注入した
のち、空気中３００°Ｃで １時間アニールしてバブル
転送路を形成した。
本実施例による磁気バブル転送特性は、常温においては
既知の磁気バブル転送路形成方法によって形成した転送
路を有する比較例の転送特性と同程度以上のものが得ら
れ、ΔＨｋけ比較例が２６０００ｅであるの罠対し３ｓ
ｏｏｏｅ４４られた。 しかも比較例のドライブ層のキ
ュリ一温度が１４５℃であるのＫくらべ、本発明の実施
例のドライブ層のキュリ一温度は１７３℃と高かった。
既知の磁気バブル転送路形成方法によって形成した転送
路を有する比較例の転送特性と同程度以上のものが得ら
れ、ΔＨｋけ比較例が２６０００ｅであるの罠対し３ｓ
ｏｏｏｅ４４られた。 しかも比較例のドライブ層のキ
ュリ一温度が１４５℃であるのＫくらべ、本発明の実施
例のドライブ層のキュリ一温度は１７３℃と高かった。
ネオン注入工程後のアニールエ稈を実施例の１０００℃
以外でも行った結果アニール温度が低くてもΔＨｋの増
加の効果はあり、１０００℃ アニールの場合より大き
かった。キュリ一温度は若干低いが、比較例よりは大き
い。
以外でも行った結果アニール温度が低くてもΔＨｋの増
加の効果はあり、１０００℃ アニールの場合より大き
かった。キュリ一温度は若干低いが、比較例よりは大き
い。
但し、６００℃より低い温度であると結晶性が劣化する
ことがあった。１０００℃以上でも△Ｈｋ 増加の効果
けみられ、キュリ一温度は実施例以上の高い温度となり
１８０℃を越える。
ことがあった。１０００℃以上でも△Ｈｋ 増加の効果
けみられ、キュリ一温度は実施例以上の高い温度となり
１８０℃を越える。
１０５０℃以上ではバブル膜特性が変化するが、この場
合はアニールによるバブル膜特性の変化を考慮して、は
じめのバブル膜を用いれば問題はない。
合はアニールによるバブル膜特性の変化を考慮して、は
じめのバブル膜を用いれば問題はない。
又、本実施例の加速エネルギー２００ＫｅＶ及び８０Ｋ
ｅＶのネオン注入工程のかわりに。
ｅＶのネオン注入工程のかわりに。
■加速エネルギー２００Ｋｅ Ｖ、ドーズ量１．８ Ｘ
１０１４／ｄ及び加速エネルギー８０ＫｅＶ、ドーズ
量、７．６ Ｘ １０ ”／ｄのチツ素イオンを注入す
る工程を行ない磁気バブル転送路を形成した。
１０１４／ｄ及び加速エネルギー８０ＫｅＶ、ドーズ
量、７．６ Ｘ １０ ”／ｄのチツ素イオンを注入す
る工程を行ない磁気バブル転送路を形成した。
又、■加速エネルギー７０ＫｅＶ、ドーズ量、２×１０
１６ ／、、！及び加速エネルギー３５ＫｅＶ、ドーズ
量９ Ｘ １０ ” ／ｃｒｄの水素分子イオン注入す
る工程を行ない磁気バブル転送路を形成した。
１６ ／、、！及び加速エネルギー３５ＫｅＶ、ドーズ
量９ Ｘ １０ ” ／ｃｒｄの水素分子イオン注入す
る工程を行ない磁気バブル転送路を形成した。
このように、ネオン注入の工程を各々、チツ素及び水素
イオン注入で置きかえた転送路形成方法に於ても△Ｈｋ
けネオン注入の場合と同程度の値が得られ、キュリ一温
度の低下もネオン注入の場合と同程度であっｆ・。
イオン注入で置きかえた転送路形成方法に於ても△Ｈｋ
けネオン注入の場合と同程度の値が得られ、キュリ一温
度の低下もネオン注入の場合と同程度であっｆ・。
このように、イオン種はネオン、水素、チツ素の他ヘリ
ウム、ホロン等イオン種によらず同じ効果がある。
ウム、ホロン等イオン種によらず同じ効果がある。
又、本実施例のヘリウム注入工程のかわりに、水素注入
工程あるいはネオン注入工程を行なっても本発明の効果
が得られることけあきらかである。
工程あるいはネオン注入工程を行なっても本発明の効果
が得られることけあきらかである。
このように本発明によってキュリ一温度が高く温度特性
が良好かつ△Ｈｋが大きく転送特性が良好な磁気バブル
転送路を提供することができ、磁気バブル素子製造上首
する所非常に大きい。
が良好かつ△Ｈｋが大きく転送特性が良好な磁気バブル
転送路を提供することができ、磁気バブル素子製造上首
する所非常に大きい。
第１図は磁気バブル転送路の形状を示す図である。
１ 注入マスクパターン
２ イオン注入ドライブ層
３ 非注入領域
７１ 図
手続補正書０発）
５９．１１．−５
昭和 年 歯部 日
特許庁長官 殿
１、事件の表示 昭和５９年端岬 願第０８５２５３号
２．１ｅｆＪの名称 磁気バブル転送路形成方法３、補
正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目３３番１号 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第９頁第６行目〜第８行目に ［又、本実施例のヘリウム注入工程のかわりに、水素注
入工程あるいはネオン注入工程を行なっても本発明の効
果が得られることはあきらかである。］とあるのを ［又、本実施例のヘリウム注入工程のかわりに、たとえ
ば水素イオンを加速エネルギー８０ ｋａＶ。 １、３ Ｘ １０１’／（−Ｉｌｌ及び加速エネルギー
４０ ｋｅＶ、６ Ｘ １０”／ｄ注入した工程でおき
かえても同様な効果が得られる。このように本実施例の
ヘリウム注入工程のかわりに他のイオン、即ち水素イオ
ン注入工程、あるいはネオン注入工程を行なっても本発
明の効果が得られることはあきらかである。」と補正す
る。
２．１ｅｆＪの名称 磁気バブル転送路形成方法３、補
正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目３３番１号 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第９頁第６行目〜第８行目に ［又、本実施例のヘリウム注入工程のかわりに、水素注
入工程あるいはネオン注入工程を行なっても本発明の効
果が得られることはあきらかである。］とあるのを ［又、本実施例のヘリウム注入工程のかわりに、たとえ
ば水素イオンを加速エネルギー８０ ｋａＶ。 １、３ Ｘ １０１’／（−Ｉｌｌ及び加速エネルギー
４０ ｋｅＶ、６ Ｘ １０”／ｄ注入した工程でおき
かえても同様な効果が得られる。このように本実施例の
ヘリウム注入工程のかわりに他のイオン、即ち水素イオ
ン注入工程、あるいはネオン注入工程を行なっても本発
明の効果が得られることはあきらかである。」と補正す
る。
Claims (1)
- 法において、磁性ガーネット単結晶薄膜上圧イオン注入
した後、６００℃以上の温度でアニールする工程と、こ
の後該磁性ガーネ、ト単結晶薄膜上に注入イオンを遮蔽
するマスクを形成し、イオン注入する工程とを具えたこ
とを特徴とする磁気バブル転送路形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8525384A JPS60229293A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 磁気バブル転送路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8525384A JPS60229293A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 磁気バブル転送路形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229293A true JPS60229293A (ja) | 1985-11-14 |
Family
ID=13853406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8525384A Pending JPS60229293A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 磁気バブル転送路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229293A (ja) |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP8525384A patent/JPS60229293A/ja active Pending
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