JPS59175087A - 磁気バブルメモリ素子の作成方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子の作成方法Info
- Publication number
- JPS59175087A JPS59175087A JP58047944A JP4794483A JPS59175087A JP S59175087 A JPS59175087 A JP S59175087A JP 58047944 A JP58047944 A JP 58047944A JP 4794483 A JP4794483 A JP 4794483A JP S59175087 A JPS59175087 A JP S59175087A
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- magnetic thin
- thin film
- magnetic
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は電子計算装置またはその端末機等の記憶装置と
して用いられる磁気バブルメモリ素子の作成方法に関す
るものである。
して用いられる磁気バブルメモリ素子の作成方法に関す
るものである。
（２）技術の背景
磁ヴバブルを利用して情報の蓄積・論理演算等を拘なう
磁気バブル利用装置は不揮発性、高記憶密度及び低消費
電力等積々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有し
、大容量メモリとしての将来が期待されている。
磁気バブル利用装置は不揮発性、高記憶密度及び低消費
電力等積々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有し
、大容量メモリとしての将来が期待されている。
（３）従来技術と問題点
この磁気バブルメモリ素子は例えばガドリニウム・ガリ
ウム・ガーネッ）（ＧＧＧ）単結晶等の非磁性基板の上
１ｃ［相エピタキシャル成長法にょシ磁性ガーネット等
の磁性薄膜を形成し、その表面にハードパズル抑制のた
めにＮｅ 等のイオンを注入したのち、第１層目にＳ
ｉＯ２を付着させ、次に４億を構成する層、樹脂又は８
４０層、パーマロイ層、パッシベーション層を順次形成
するといったＲ構成をとって来ている。
ウム・ガーネッ）（ＧＧＧ）単結晶等の非磁性基板の上
１ｃ［相エピタキシャル成長法にょシ磁性ガーネット等
の磁性薄膜を形成し、その表面にハードパズル抑制のた
めにＮｅ 等のイオンを注入したのち、第１層目にＳ
ｉＯ２を付着させ、次に４億を構成する層、樹脂又は８
４０層、パーマロイ層、パッシベーション層を順次形成
するといったＲ構成をとって来ている。
この層構成における歪状態はイオン注入にょシ凸状の歪
を生じ、さらにこの歪みを増大させる方向に膜が作饗さ
れている。従来技術においては、第１層目の磁性薄膜に
およぼす応力については殆んど考慮されておらず、また
第１層が磁性薄膜におよぼす応力又は歪による効果は積
極的に利用されていないという問題があった。
を生じ、さらにこの歪みを増大させる方向に膜が作饗さ
れている。従来技術においては、第１層目の磁性薄膜に
およぼす応力については殆んど考慮されておらず、また
第１層が磁性薄膜におよぼす応力又は歪による効果は積
極的に利用されていないという問題があった。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、バブル用磁性薄膜に
引張りあるいは圧縮の応力を加える−ことによシ、磁歪
現象を利用してバブル用磁性薄膜の特性に変化をもたら
し、あ不いは磁性薄膜を実際のバブルチップに作成する
プロセスにおいて生じる歪を緩和もしくはその逆に増大
させる方法を提供することを目的とするものである。
引張りあるいは圧縮の応力を加える−ことによシ、磁歪
現象を利用してバブル用磁性薄膜の特性に変化をもたら
し、あ不いは磁性薄膜を実際のバブルチップに作成する
プロセスにおいて生じる歪を緩和もしくはその逆に増大
させる方法を提供することを目的とするものである。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、非磁性基板の上にバ
ブル用磁性薄膜を被着形成した素子の表面又は裏面に、
ＳｉＯ２に代表される圧縮応力特性を有する材料、ま
たはその逆の引張シ応力特性を有するシリコン系樹脂又
はイミド系樹脂材料を被着してバブル用磁性薄膜上に生
ずる歪を加減することを特徴とする磁気バブルメモリ素
子の作成方法を提供することによって達成される。
ブル用磁性薄膜を被着形成した素子の表面又は裏面に、
ＳｉＯ２に代表される圧縮応力特性を有する材料、ま
たはその逆の引張シ応力特性を有するシリコン系樹脂又
はイミド系樹脂材料を被着してバブル用磁性薄膜上に生
ずる歪を加減することを特徴とする磁気バブルメモリ素
子の作成方法を提供することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第１図は本発明による磁気バブルメモリ素子の作成方法
を説明するための図であシ、ａはイオン注入後の磁気バ
ブルメモリ素子の断面図、ｂは本発明方法の処理後の磁
気バブルメモリ素子の断面図を示す。同図において、１
は非磁性基板（ＧＧＧ）、２．２′はバブル用磁性薄膜
、３は注入イオン、４はイオン注入層％５はポリラダー
オルガノシロキサンレジン（ＰＬＯ５樹脂〕をそれぞれ
示す。
を説明するための図であシ、ａはイオン注入後の磁気バ
ブルメモリ素子の断面図、ｂは本発明方法の処理後の磁
気バブルメモリ素子の断面図を示す。同図において、１
は非磁性基板（ＧＧＧ）、２．２′はバブル用磁性薄膜
、３は注入イオン、４はイオン注入層％５はポリラダー
オルガノシロキサンレジン（ＰＬＯ５樹脂〕をそれぞれ
示す。
一般に磁性薄膜２にイオン注入によるハードバブル抑制
処理を施した素子はａ図に示すように凸状に歪んでいる
。本実施例はｂ図の如くイオン注入Ｎ４の上にＰＬ’Ｏ
８樹脂５を被着させたものである。このようＫＰＬＯ８
樹脂５を被着すると、その硬化時に収縮することによｐ
ａ図の如く凸状であった歪を緩和することができる。従
って図中７の応力によシイオン注入層の圧縮応力は増大
し。
処理を施した素子はａ図に示すように凸状に歪んでいる
。本実施例はｂ図の如くイオン注入Ｎ４の上にＰＬ’Ｏ
８樹脂５を被着させたものである。このようＫＰＬＯ８
樹脂５を被着すると、その硬化時に収縮することによｐ
ａ図の如く凸状であった歪を緩和することができる。従
って図中７の応力によシイオン注入層の圧縮応力は増大
し。
あたかもイオン注入・鰻が変化した様な状態が達成でき
る。この時樹脂膜厚を部分的に変化させておけば、それ
に対応する各部でイオン注入量の異なった状態が実現で
きる。本発明によれば特にイオン注入でバブル伝播路を
形成するイオン注入バブル素子九対し効果的な素子作成
プロセスを提供することかできる。
る。この時樹脂膜厚を部分的に変化させておけば、それ
に対応する各部でイオン注入量の異なった状態が実現で
きる。本発明によれば特にイオン注入でバブル伝播路を
形成するイオン注入バブル素子九対し効果的な素子作成
プロセスを提供することかできる。
第２図及び第３図は他の実施例を説明するための断面図
である。各図において、１は非磁性基板（ＧＧＯ）、２
．２′はバブル用磁性薄膜、４はイ着 オン注入層、５はＰＬＯ８樹脂、６は５ｉ０２膜をそれ
ぞれ示す。
である。各図において、１は非磁性基板（ＧＧＯ）、２
．２′はバブル用磁性薄膜、４はイ着 オン注入層、５はＰＬＯ８樹脂、６は５ｉ０２膜をそれ
ぞれ示す。
第２図はイオン注入層４をもつ素子の裏面ＫＳｊＯｚ膜
を付着させたものである。このように素子裏面に５ｉ０
２膜を付着させると、Ｓ ｉｏ２は図中８の引張シ応力
特性をもっているため素子表面のイオン注入層の圧縮応
力とバランスし、イオン注入＃４の歪を減少させること
ができる。
を付着させたものである。このように素子裏面に５ｉ０
２膜を付着させると、Ｓ ｉｏ２は図中８の引張シ応力
特性をもっているため素子表面のイオン注入層の圧縮応
力とバランスし、イオン注入＃４の歪を減少させること
ができる。
第３図はイオン注入によるノー−ドパプル抑制処理をし
ない状態の素子のバブル用磁性薄膜の表面にＰＬＯ８樹
脂５を付着させて図中９の圧縮力を加え（裏面ＫＳｉＯ
２でも良い）たものであシイオン注入層 きる。
ない状態の素子のバブル用磁性薄膜の表面にＰＬＯ８樹
脂５を付着させて図中９の圧縮力を加え（裏面ＫＳｉＯ
２でも良い）たものであシイオン注入層 きる。
以上の各実施例においては、被着する樹脂又は５１０２
の膜厚の制御によってバブル用磁性薄膜に生ずる応力、
を加減することができる。
の膜厚の制御によってバブル用磁性薄膜に生ずる応力、
を加減することができる。
（７）発明の効果
以上詳細に説明したように本発明の磁気バブルメモリ素
子の作成方法は、素子作成プロセスに付随して生ずる歪
を緩和することができ、またその逆に歪を増加させるこ
とによって磁歪効果による磁気特性の変化を積局的に利
用することができる。、しかもバブル用磁性薄膜上にお
いて局所的に上記現象を生じさせることもでき、イオン
注入バブル素子の開発に有効なプロセスを提供できると
いった効果大なるものである。
子の作成方法は、素子作成プロセスに付随して生ずる歪
を緩和することができ、またその逆に歪を増加させるこ
とによって磁歪効果による磁気特性の変化を積局的に利
用することができる。、しかもバブル用磁性薄膜上にお
いて局所的に上記現象を生じさせることもでき、イオン
注入バブル素子の開発に有効なプロセスを提供できると
いった効果大なるものである。
第１図は本発明による磁気バブルメモリ素子の作成方法
を説明するための図、第２図および第３図は他の実施例
を説明するだめの図である。 図面において、１は非磁性基板％ ２．２′はノくプル
用磁性薄膜、３は注入イオン、４はイオン注入層、５は
樹脂、６は５ｉ０２膜をそれぞれ示す。 第２図 （ｂ） 第３図
を説明するための図、第２図および第３図は他の実施例
を説明するだめの図である。 図面において、１は非磁性基板％ ２．２′はノくプル
用磁性薄膜、３は注入イオン、４はイオン注入層、５は
樹脂、６は５ｉ０２膜をそれぞれ示す。 第２図 （ｂ） 第３図
Claims (1)
- １、非磁性基板の上にバブル用磁性薄膜を破着形成した
素子の表加又は裏面に、５ｉＯｚに代表される圧縮応力
特性を有する材料、またはその逆の引張り応力特性を有
するシリコン系樹脂又はイミド系樹脂材料を杉着してバ
ブル用磁性薄膜上に生ずる歪を加減することを特徴とす
る磁気バブルメモリ素子の作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58047944A JPS59175087A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 磁気バブルメモリ素子の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58047944A JPS59175087A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 磁気バブルメモリ素子の作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175087A true JPS59175087A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12789469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58047944A Pending JPS59175087A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 磁気バブルメモリ素子の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175087A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110783176A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-11 | 广西大学 | 一种低应力半导体材料制备方法 |
-
1983
- 1983-03-24 JP JP58047944A patent/JPS59175087A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110783176A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-11 | 广西大学 | 一种低应力半导体材料制备方法 |
| CN110783176B (zh) * | 2019-10-30 | 2022-07-12 | 广西大学 | 一种低应力半导体材料制备方法 |
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