JPS5877222A - 磁気バルブ素子の製造方法 - Google Patents
磁気バルブ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS5877222A JPS5877222A JP56175662A JP17566281A JPS5877222A JP S5877222 A JPS5877222 A JP S5877222A JP 56175662 A JP56175662 A JP 56175662A JP 17566281 A JP17566281 A JP 17566281A JP S5877222 A JPS5877222 A JP S5877222A
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- JP
- Japan
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- film
- implanted
- magnetization
- ions
- laser
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/186—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering for applying a magnetic garnet film
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気パズル素子の製造方法に明し、詳しくは
磁気バブル用膜にイオン打込みを怖し、その磁歪効果に
よって膜の一部に面内磁化１−を形成してバブルの駆動
層とすることを特徴としたイオン打込み素子（コンティ
ギーアス・ディスク素磁気バブルが存在し得る磁性ガー
ネット嗅Ｅに数珠状に連なるバブル転送路（非イオン打
込み１＃４）をＡｕ 、Ｍｏ 等で形成した後、Ｎｅ
、 、ｆ（ｅ 、 Ｎ２などのイオンを適宜打込む。こ
のようにすΣと、上記転送路下は、Ａｕ 、Ｍｏなどの
ためイオンの打込みは阻止されるが、その他のガーネッ
ト表面にはイオンが打込まれ、格子歪を生ずる。打込み
層の磁化は、磁歪の逆効果により膜面内を向くようにな
る。面内に回転磁界を印加すると、転送路周辺の面内磁
化が集合、離散する部分に磁荷を帯びた特殊な磁９（ｃ
ｈａｒｇｅｄ ｗａｌｌ ）が生り、との磁壁の位置が
、回転磁界によって転送路上を順次移動する。パズルは
と？磁暗に引きつけられながら転送される。
磁気バブル用膜にイオン打込みを怖し、その磁歪効果に
よって膜の一部に面内磁化１−を形成してバブルの駆動
層とすることを特徴としたイオン打込み素子（コンティ
ギーアス・ディスク素磁気バブルが存在し得る磁性ガー
ネット嗅Ｅに数珠状に連なるバブル転送路（非イオン打
込み１＃４）をＡｕ 、Ｍｏ 等で形成した後、Ｎｅ
、 、ｆ（ｅ 、 Ｎ２などのイオンを適宜打込む。こ
のようにすΣと、上記転送路下は、Ａｕ 、Ｍｏなどの
ためイオンの打込みは阻止されるが、その他のガーネッ
ト表面にはイオンが打込まれ、格子歪を生ずる。打込み
層の磁化は、磁歪の逆効果により膜面内を向くようにな
る。面内に回転磁界を印加すると、転送路周辺の面内磁
化が集合、離散する部分に磁荷を帯びた特殊な磁９（ｃ
ｈａｒｇｅｄ ｗａｌｌ ）が生り、との磁壁の位置が
、回転磁界によって転送路上を順次移動する。パズルは
と？磁暗に引きつけられながら転送される。
イオン打込み層の歪を安定化させるためには、空気中、
Ｎ２中、０２中々どで３００〜３５０℃のアニールを３
０〜６０分間行々う方法が一般的であった。
Ｎ２中、０２中々どで３００〜３５０℃のアニールを３
０〜６０分間行々う方法が一般的であった。
しかし、アニール後、面内磁化層の強さは十分大きく保
たれていても転送マージンが著しく低下する現象がしば
しば生じた。
たれていても転送マージンが著しく低下する現象がしば
しば生じた。
本発明は、上記従来技術の問題点の原因追究を行まい、
マージンの維持、拡大を図ることを目的とする。
マージンの維持、拡大を図ることを目的とする。
従来用いられたアニールの方法は、恒温槽等によυウェ
ーハ全体を一様に加熱するものであった１このような方
法では、イオンを打込んでいない部分も加熱するために
、磁気バブル材料自身の特性が変化する、イオンが拡散
してイオン打込み領域と非打込み領域の境界が不明瞭に
なる等の欠点があった。
ーハ全体を一様に加熱するものであった１このような方
法では、イオンを打込んでいない部分も加熱するために
、磁気バブル材料自身の特性が変化する、イオンが拡散
してイオン打込み領域と非打込み領域の境界が不明瞭に
なる等の欠点があった。
本発明において用いられるレーザ光照射にょるアニ−ル
では、加熱は局部的かつ短時間に行なえるため、加熱す
る必要のない部分まで加熱することはなく、上記従来法
の欠点を改良することがで舞る。また、レーザ光照射で
は極めて短時間に所望部分のみを高温に加熱することが
できるので、従来よシ高温で短時間にアニールを実施す
ることができる。
では、加熱は局部的かつ短時間に行なえるため、加熱す
る必要のない部分まで加熱することはなく、上記従来法
の欠点を改良することがで舞る。また、レーザ光照射で
は極めて短時間に所望部分のみを高温に加熱することが
できるので、従来よシ高温で短時間にアニールを実施す
ることができる。
本発明の他の利点は、ウェーハとの任意の部分を選択的
に加熱することがア、きることである。これは、レーザ
光を周知の方法で走査することにょ）可能となるが、よ
抄実用的にはウェーハＥにレーザ光反射膜を形成駿て不
必要な部分ではレーザ光を反射して非打込み領域を形成
することが有用、 である。これにより、磁気バブル
材料の一部の特性を変えることができる。イオン打込み
により磁化が模面内を向いている部分をアニールすると
、歪が緩和されて磁化が模面内を向く性質が弱くなる。
に加熱することがア、きることである。これは、レーザ
光を周知の方法で走査することにょ）可能となるが、よ
抄実用的にはウェーハＥにレーザ光反射膜を形成駿て不
必要な部分ではレーザ光を反射して非打込み領域を形成
することが有用、 である。これにより、磁気バブル
材料の一部の特性を変えることができる。イオン打込み
により磁化が模面内を向いている部分をアニールすると
、歪が緩和されて磁化が模面内を向く性質が弱くなる。
十分にアニールを行なうと磁化は膜面に垂直になり、イ
オン打込み前の状態に戻る。したがって、ウェーハ全面
にイオンを打込んだ後、選択的に４体的にはコンティギ
ーアス・ディスク状にレーザ光を照射することにょシ、
選択的にイオンを打込んだのと同じ結果を得ることがで
きる。このようにしてイオン打込み素子を作成す不場合
、レーザ光反射膜はイオン打込み時のマスクに比べて薄
くてよく微細加工が容易であるという利点を有する。
オン打込み前の状態に戻る。したがって、ウェーハ全面
にイオンを打込んだ後、選択的に４体的にはコンティギ
ーアス・ディスク状にレーザ光を照射することにょシ、
選択的にイオンを打込んだのと同じ結果を得ることがで
きる。このようにしてイオン打込み素子を作成す不場合
、レーザ光反射膜はイオン打込み時のマスクに比べて薄
くてよく微細加工が容易であるという利点を有する。
、本発明において、コンティギ＆７ス状のマスクを被着
し、霧出部分にイオンを打込んでレーザ光を照射し、イ
オン打込み領域をアニールしてもよい。
し、霧出部分にイオンを打込んでレーザ光を照射し、イ
オン打込み領域をアニールしてもよい。
また、上記アスクを使用せず、コンティギーアス状の部
分にも同時にイオン打込んだ後、イオンの外方拡散を防
止するため、絶縁膜などを全面にｊ被着し、電気炉また
はレーザー光照射によって軽くアニールし歪みの分布を
均一化し、さらに、コンティギーアス部のみが４出され
るようにマスク以下、本発明を実施例を参照して詳細に
説明するＯ 実施例１゜ バブル径１μｍのバブルを保持することのできる（Ｇｄ
ＬａＬｕ Ｓｍ）３（ＷｅＧａ ）５０．２膜の全面に
、まず、ハードバブル抑制を目的としてＮｅ＋を５０
ｋｅＶ 、 １ ｘ １０” ７ｃｍ２打込んだのち。
分にも同時にイオン打込んだ後、イオンの外方拡散を防
止するため、絶縁膜などを全面にｊ被着し、電気炉また
はレーザー光照射によって軽くアニールし歪みの分布を
均一化し、さらに、コンティギーアス部のみが４出され
るようにマスク以下、本発明を実施例を参照して詳細に
説明するＯ 実施例１゜ バブル径１μｍのバブルを保持することのできる（Ｇｄ
ＬａＬｕ Ｓｍ）３（ＷｅＧａ ）５０．２膜の全面に
、まず、ハードバブル抑制を目的としてＮｅ＋を５０
ｋｅＶ 、 １ ｘ １０” ７ｃｍ２打込んだのち。
Ｍｏ／Ｓｉ ５５００λで４μｍ周期Ωコンティギー
アス・ディスク状のパターンを通して選択的にＮｅを１
８０ ｋｅＶ ｅ ２ Ｘ １０”７ｃｍ２． Ｈ２＋
を１００ ｋｅＶ＋ ４ Ｘ １０１６／ｃｍ打；Δ
んだ。その後、Ｍｏ ／ Ｓ ｉ のパタンを除去して
ＳｉＯ２を１０００λ被着してから、連１発振（ｃｗ）
モードのフルボンレーザ光を３Ｗ／１００μｍφの出力
でウェーハ全面に照射してアニールを行なってＬ記打込
みによる歪を均一化した。このようにして作製したイオ
ン打込み素子のマイナループの転送マージンを測定した
所、バブル転送に必要な最小回転磁界は３００ｅ、回転
磁界５００ｅでのバイアス磁界マージンはｌｌ’ｌであ
った。
アス・ディスク状のパターンを通して選択的にＮｅを１
８０ ｋｅＶ ｅ ２ Ｘ １０”７ｃｍ２． Ｈ２＋
を１００ ｋｅＶ＋ ４ Ｘ １０１６／ｃｍ打；Δ
んだ。その後、Ｍｏ ／ Ｓ ｉ のパタンを除去して
ＳｉＯ２を１０００λ被着してから、連１発振（ｃｗ）
モードのフルボンレーザ光を３Ｗ／１００μｍφの出力
でウェーハ全面に照射してアニールを行なってＬ記打込
みによる歪を均一化した。このようにして作製したイオ
ン打込み素子のマイナループの転送マージンを測定した
所、バブル転送に必要な最小回転磁界は３００ｅ、回転
磁界５００ｅでのバイアス磁界マージンはｌｌ’ｌであ
った。
実施例２
実施例１と同様の材料にコンティギーアス・ディスク状
Ｍｏ／Ｓｉをマスクにして同様のイオン打込みをした。
Ｍｏ／Ｓｉをマスクにして同様のイオン打込みをした。
その後、Ｍｏ ／ Ｓ ｉのコンティギーアス・ディス
ク状のパターンをそのままにしてＣＷ％−トノアルコン
レーザ光を２ 、３Ｗ／１００μｍφの出力でウェーハ
全面に照射した。とのレーザ光照射はＮ２雰囲気中にお
いて行なった。
ク状のパターンをそのままにしてＣＷ％−トノアルコン
レーザ光を２ 、３Ｗ／１００μｍφの出力でウェーハ
全面に照射した。とのレーザ光照射はＮ２雰囲気中にお
いて行なった。
Ｍｏ ／ Ｓ ｉのバタンが被着されている部分では、
レーザ光は反射され、その部分のガーネット膜は加熱さ
れない。したがう２．て、レーザ照射によりイオン打込
み部のみが選択的に加熱され、イオンが打込まれていな
い部分は加熱されない。その結果、打込まれたイオンが
イオンを打込まれていない部分中に拡散されてしまうと
いう従来の熱処理に見られた欠点が除去される。レーザ
照射後、〜ｉｏ／Ｓｉのパタンを除去し、以下、素子作
製に必要な周知の工程を経て素子を作製した。このよう
にして作製した素子のバイアス磁界マージンは（ロ）転
磁界５００ｅで１１憾と良好であった。特に、ゲート部
のマージンが広くなった。これは、本発明により熱処理
後もイオンを打込んだ部分と打込んでいない部分の境界
がはっきりしているためである。
レーザ光は反射され、その部分のガーネット膜は加熱さ
れない。したがう２．て、レーザ照射によりイオン打込
み部のみが選択的に加熱され、イオンが打込まれていな
い部分は加熱されない。その結果、打込まれたイオンが
イオンを打込まれていない部分中に拡散されてしまうと
いう従来の熱処理に見られた欠点が除去される。レーザ
照射後、〜ｉｏ／Ｓｉのパタンを除去し、以下、素子作
製に必要な周知の工程を経て素子を作製した。このよう
にして作製した素子のバイアス磁界マージンは（ロ）転
磁界５００ｅで１１憾と良好であった。特に、ゲート部
のマージンが広くなった。これは、本発明により熱処理
後もイオンを打込んだ部分と打込んでいない部分の境界
がはっきりしているためである。
本実施例では、レーザ照射後反射膜となる＼４ｏ／Ｓｉ
のパタンを除去したが、反射膜が十分に薄ければこれを
除去する必要はない。例えば、第１図（１）に示すよう
にイオン打込みのマスクとしてＣ「膜３（３００人）、
Ｍｏ膜２（５ｏｏｏ人）の積層構造をガーネット膜４ト
に被着して用い、イオン１を打込んだ後、第１図（２）
に示すようにりん酸硝酸水溶液でＭｏ膜２のみを除去す
る。す・ると、イオンを打込んでいない部分の上に厚さ
３００λのＣｒ反射膜３が形成される。この状態でレー
ザー照射してアニールしてもよいが第１図（３）に示す
ように、５ｉｎ２膜６を被着後レーザ５を照射すれば、
イオンの外方拡散を効果的に防とできるので、実用上極
めて好ましい。
のパタンを除去したが、反射膜が十分に薄ければこれを
除去する必要はない。例えば、第１図（１）に示すよう
にイオン打込みのマスクとしてＣ「膜３（３００人）、
Ｍｏ膜２（５ｏｏｏ人）の積層構造をガーネット膜４ト
に被着して用い、イオン１を打込んだ後、第１図（２）
に示すようにりん酸硝酸水溶液でＭｏ膜２のみを除去す
る。す・ると、イオンを打込んでいない部分の上に厚さ
３００λのＣｒ反射膜３が形成される。この状態でレー
ザー照射してアニールしてもよいが第１図（３）に示す
ように、５ｉｎ２膜６を被着後レーザ５を照射すれば、
イオンの外方拡散を効果的に防とできるので、実用上極
めて好ましい。
実施例３゜
第２図（１）に示すように、バブル径１μｍのバブルを
保持できる（ ＹＳｍＬｕ Ｉａ）３（Ｆｅ Ｇｅ ）
、 ０．２膜４のウェーハ全面に打込みイオン１とし
てＮｅ＋を１８０ｋｅＶｅ ２Ｘ１０”７ｃｍ２．Ｈ
２＋を１００ ｋｅＶ 、 ４ Ｘ １０”／ｃ’ｍ２
打込み１表面の磁化７を膜面内に向かせる。その後、第
２図（２）に示すように、イオン打込み素子において表
面磁化が膜面内になるべき部分に、厚さ５００λのＣｒ
パタン３を形成する。すなわち、とのＣｒ＝パタン３は
、実施例１におけるＭｏ ／ Ｃｒパタンに相当する部
分のＭＯが抜けたものになっている。この。
保持できる（ ＹＳｍＬｕ Ｉａ）３（Ｆｅ Ｇｅ ）
、 ０．２膜４のウェーハ全面に打込みイオン１とし
てＮｅ＋を１８０ｋｅＶｅ ２Ｘ１０”７ｃｍ２．Ｈ
２＋を１００ ｋｅＶ 、 ４ Ｘ １０”／ｃ’ｍ２
打込み１表面の磁化７を膜面内に向かせる。その後、第
２図（２）に示すように、イオン打込み素子において表
面磁化が膜面内になるべき部分に、厚さ５００λのＣｒ
パタン３を形成する。すなわち、とのＣｒ＝パタン３は
、実施例１におけるＭｏ ／ Ｃｒパタンに相当する部
分のＭＯが抜けたものになっている。この。
よりなＣ「パタン３を形成した後、Ｃ′Ｗモードのアル
ゴンレーザを４ｗ／ｌｏｏμｍφの出力でウェーハ全面
にわたって照射する。レーザ照射された４出部分では歪
がなくなり、第２図（３）に示すように、表面磁化７の
磁化容易軸は喚４に垂直となり磁化は膜に垂直方向を向
く。したがって、選択的にイオン打込みをしたのと同じ
表面ｉ化層を作ることができる。このようにして作った
転送路は、回転磁界３００ｅ以上でバブルを転送し、回
転磁界５００ｅで１０憾以上のバイアス磁界マージンを
得ることができた。
ゴンレーザを４ｗ／ｌｏｏμｍφの出力でウェーハ全面
にわたって照射する。レーザ照射された４出部分では歪
がなくなり、第２図（３）に示すように、表面磁化７の
磁化容易軸は喚４に垂直となり磁化は膜に垂直方向を向
く。したがって、選択的にイオン打込みをしたのと同じ
表面ｉ化層を作ることができる。このようにして作った
転送路は、回転磁界３００ｅ以上でバブルを転送し、回
転磁界５００ｅで１０憾以上のバイアス磁界マージンを
得ることができた。
力お、上記Ｃｒパタン３の形成に先立って、絶縁膜など
によってイオン打込み領域を覆い、電気炉やレーザー照
射によって軽くアニールし、歪の分布を均一化すれば、
打込みイオンの外方拡散を防止でき、とくに１水素イオ
ンを打込んだときに、極めて有効である。
によってイオン打込み領域を覆い、電気炉やレーザー照
射によって軽くアニールし、歪の分布を均一化すれば、
打込みイオンの外方拡散を防止でき、とくに１水素イオ
ンを打込んだときに、極めて有効である。
第１図は薄い反射膜を用いた実施例２の説−図、第２図
は一施例３の説明図である。 図中１はＮ ｅ ” ＊ ｋｌ ２＋等の打込みイオン
、２はＭｏ、３はＣｒ、４はバブル材料、５はレーザ光
、６゛は５ｉｎ２．７はバブル材料の磁化向きをそれぞ
れ示す。 第 Ｉ Ｖ
は一施例３の説明図である。 図中１はＮ ｅ ” ＊ ｋｌ ２＋等の打込みイオン
、２はＭｏ、３はＣｒ、４はバブル材料、５はレーザ光
、６゛は５ｉｎ２．７はバブル材料の磁化向きをそれぞ
れ示す。 第 Ｉ Ｖ
Claims (1)
- １、磁気バブル用薄膜の所望部分にイオン打込みを行な
ってイオン打込み層を形成する工程とＥ記イオン打込み
層の少なくとも一部にレーザ光を照射し、ト記イオン打
込み層の歪を低減もしくは緩和する工程とを含むことを
特徴とする磁気ノ（プル素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175662A JPS5877222A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 磁気バルブ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175662A JPS5877222A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 磁気バルブ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877222A true JPS5877222A (ja) | 1983-05-10 |
Family
ID=16000020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175662A Pending JPS5877222A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 磁気バルブ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877222A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59227080A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-20 | Fujitsu Ltd | イオン注入バブルデバイスの作製法 |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP56175662A patent/JPS5877222A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59227080A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-20 | Fujitsu Ltd | イオン注入バブルデバイスの作製法 |
| JPS6326478B2 (ja) * | 1983-06-06 | 1988-05-30 | Fujitsu Ltd |
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