JPS6242390A - 誘起異方性磁界増大法 - Google Patents
誘起異方性磁界増大法Info
- Publication number
- JPS6242390A JPS6242390A JP60181071A JP18107185A JPS6242390A JP S6242390 A JPS6242390 A JP S6242390A JP 60181071 A JP60181071 A JP 60181071A JP 18107185 A JP18107185 A JP 18107185A JP S6242390 A JPS6242390 A JP S6242390A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- crystal
- ion implantation
- induced
- anisotropic magnetic
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気バブル結晶に対する誘起異方性磁界増大法であって
、高ドーズイオン注入後、高温でアニールした磁気バブ
ル結晶の成長誘導異方性が小さくなることを利用し、こ
の結晶を希ガスプラズマにさらすか、又は再度通常のイ
オン注入を行なってから希ガスプラズマにさらすことに
より大きな誘起異方性磁界を得ることを可能とする。
、高ドーズイオン注入後、高温でアニールした磁気バブ
ル結晶の成長誘導異方性が小さくなることを利用し、こ
の結晶を希ガスプラズマにさらすか、又は再度通常のイ
オン注入を行なってから希ガスプラズマにさらすことに
より大きな誘起異方性磁界を得ることを可能とする。
本発明は磁気バブルメモリ素子に用いるバブル結晶の誘
起異方性磁界の増大法に関するものである。
起異方性磁界の増大法に関するものである。
磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行なう
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信鯨性を有し
ている。このような磁気バブルメモリ装置においては最
近の情報量の増加、装置の小型化要求などにより記憶密
度の増加が求められている。このため最近はバブル転送
路をイオン注入法により形成し、記憶密度を高度化する
方法が用いられている。このイオン注入法によるイオン
注入バブルデバイスは第４図ａの平面図及び第４図すの
断面図に示す如く、ガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
ト（Ｇ Ｇ Ｇ）基板１の上に液相エピタキシャル成長
させた磁性ガーネットのバブル用結晶２に対しバブル転
送用パターン３以外の領域４に水素、ネオン、ヘリウム
等のイオンを注入するのである。このようにパターン３
を形成した素子は、イオンが注入された領域４の磁化容
易軸方向が矢印Ａの如く面内方向と一致し、パターン３
の非イオン注入領域の磁化容易軸方向は矢印Ｂの如くも
とのまま面内方向と垂直である。
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信鯨性を有し
ている。このような磁気バブルメモリ装置においては最
近の情報量の増加、装置の小型化要求などにより記憶密
度の増加が求められている。このため最近はバブル転送
路をイオン注入法により形成し、記憶密度を高度化する
方法が用いられている。このイオン注入法によるイオン
注入バブルデバイスは第４図ａの平面図及び第４図すの
断面図に示す如く、ガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
ト（Ｇ Ｇ Ｇ）基板１の上に液相エピタキシャル成長
させた磁性ガーネットのバブル用結晶２に対しバブル転
送用パターン３以外の領域４に水素、ネオン、ヘリウム
等のイオンを注入するのである。このようにパターン３
を形成した素子は、イオンが注入された領域４の磁化容
易軸方向が矢印Ａの如く面内方向と一致し、パターン３
の非イオン注入領域の磁化容易軸方向は矢印Ｂの如くも
とのまま面内方向と垂直である。
従ってバブル５は回転磁界によってパターン３の周縁に
沿って転送される。そしてこのパターン３は円形や四角
形をその一部が重なるようにして列状に配列した形状で
あるため、ギャップを必要とした従来のパーマロイパタ
ーンに比し寸法精度が緩くとも良く、従ってパターンが
小さくでき高密度化が実現される。
沿って転送される。そしてこのパターン３は円形や四角
形をその一部が重なるようにして列状に配列した形状で
あるため、ギャップを必要とした従来のパーマロイパタ
ーンに比し寸法精度が緩くとも良く、従ってパターンが
小さくでき高密度化が実現される。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕従来
このようなイオン注入バブルデバイスにおいて、そのイ
オン注入層にバブルの転送に十分な誘起異方性磁界を得
る方法としては、イオン注入後Ａ、プラズマにさらす方
法があった。この方法では誘起異方性磁界（ΔＨＫ）は
増大するが、最近の微細化が進められているイオン注入
バブル素子に対する誘起異方性磁界としては十分と言え
ない。
このようなイオン注入バブルデバイスにおいて、そのイ
オン注入層にバブルの転送に十分な誘起異方性磁界を得
る方法としては、イオン注入後Ａ、プラズマにさらす方
法があった。この方法では誘起異方性磁界（ΔＨＫ）は
増大するが、最近の微細化が進められているイオン注入
バブル素子に対する誘起異方性磁界としては十分と言え
ない。
本発明はこのような点にかんがみて創作されたもので、
簡易な方法で大きな誘起異方性磁界が得られる誘起異方
性磁界増大法を提供することを目的としている。
簡易な方法で大きな誘起異方性磁界が得られる誘起異方
性磁界増大法を提供することを目的としている。
このため本発明においては、磁気バブル結晶に高ドーズ
イオン注入を行ない、次いで高温アニールを行なって成
長誘導異方性を小さくしたのち、プラズマにさらすか、
又は通常のイオン注入を施してからプラズマにさらすこ
とを特徴としている。
イオン注入を行ない、次いで高温アニールを行なって成
長誘導異方性を小さくしたのち、プラズマにさらすか、
又は通常のイオン注入を施してからプラズマにさらすこ
とを特徴としている。
磁気バブル結晶に高ドーズイオン注入を行ない、且つこ
れを高温アニールすることにより結晶自身の持っている
垂直磁化膜となるはずの高い成長誘導異方性が壊れ、そ
の分の歪がイオン注入によって生ずる誘起異方性磁界に
プラスされるため高い誘起異方性磁界が得られる。
れを高温アニールすることにより結晶自身の持っている
垂直磁化膜となるはずの高い成長誘導異方性が壊れ、そ
の分の歪がイオン注入によって生ずる誘起異方性磁界に
プラスされるため高い誘起異方性磁界が得られる。
実施例１゜
第１図はイオン注入によって生じる歪と成長誘導異方性
の抑制の関係を示す図である。この図より成長誘導異方
性の抑制には２．５％以上の歪（Δｄ／ｄ）を与えるド
ーズ量が必要であることがわかる。イオン注入バブル素
子では０．５％〜１．０％程度の格子歪が必要であるか
ら熱処理により歪をこの範囲まで減少させる必要がある
。
の抑制の関係を示す図である。この図より成長誘導異方
性の抑制には２．５％以上の歪（Δｄ／ｄ）を与えるド
ーズ量が必要であることがわかる。イオン注入バブル素
子では０．５％〜１．０％程度の格子歪が必要であるか
ら熱処理により歪をこの範囲まで減少させる必要がある
。
第２図は歪（Δｄ／ｄ）のアニール温度による変化を示
す。この図において、第１図より得られた結果に近いΔ
ｄ／ｄ＝２．４７がΔｄ／ｄ＝０．５％〜１．０％にな
る部分は６００℃以上である。この後プラズマ処理を行
なうことにより更にΔＨＫを増大させることができる。
す。この図において、第１図より得られた結果に近いΔ
ｄ／ｄ＝２．４７がΔｄ／ｄ＝０．５％〜１．０％にな
る部分は６００℃以上である。この後プラズマ処理を行
なうことにより更にΔＨＫを増大させることができる。
この１例としてドーズ量８ Ｘ １０ ”Ｎ、’／ｃＩ
Ｉ！、１８０ＫＶでイオン注入を行ない、この後７００
℃で１時間のアニールを行ない、更にこのウェハーをガ
ス圧０．１５Ｔ、、、 、高周波出力４００ＷのＡ、（
又はＮ、 、Ｈ等）ガスプラズマに２０分間さらすこと
により歪０．８％でΔＨＫ ５１０００．を得ることが
できた。
Ｉ！、１８０ＫＶでイオン注入を行ない、この後７００
℃で１時間のアニールを行ない、更にこのウェハーをガ
ス圧０．１５Ｔ、、、 、高周波出力４００ＷのＡ、（
又はＮ、 、Ｈ等）ガスプラズマに２０分間さらすこと
により歪０．８％でΔＨＫ ５１０００．を得ることが
できた。
実施例２゜
第３図はドーズ量８ Ｘ １０１’ＮＩＩ”／ａｎｔ、
熱処理１０００℃×１時間の試料（ΔＨＫ ＝ ２７０
００゜、Δｄ／ｄ＝０）に再びイオン注入を行ない、さ
らにこのウェハーをガス圧０．１５Ｔ、、、 、高周波
出力４００ＷのＡ、（又はＮ、、Ｈ等）ガスプラズマに
２０分間さらしたもののΔＨ，を従来例（イオン注入子
Ａ、プラズマ処理したもの）と比較して示したもので、
横軸に歪（Δｄ／ｄ）を、縦軸にΔＨＫをとり、曲線Ａ
で本実施例を、曲＆’ｉＢで従来例を示した。本実施例
によれば６０００〜７００００゜のΔＨＸが得られる。
熱処理１０００℃×１時間の試料（ΔＨＫ ＝ ２７０
００゜、Δｄ／ｄ＝０）に再びイオン注入を行ない、さ
らにこのウェハーをガス圧０．１５Ｔ、、、 、高周波
出力４００ＷのＡ、（又はＮ、、Ｈ等）ガスプラズマに
２０分間さらしたもののΔＨ，を従来例（イオン注入子
Ａ、プラズマ処理したもの）と比較して示したもので、
横軸に歪（Δｄ／ｄ）を、縦軸にΔＨＫをとり、曲線Ａ
で本実施例を、曲＆’ｉＢで従来例を示した。本実施例
によれば６０００〜７００００゜のΔＨＸが得られる。
以上述べてきたように、本発明によれば、極めて簡易な
方法により誘起異方性磁界を増大することができ、実用
的には極めてを用である。
方法により誘起異方性磁界を増大することができ、実用
的には極めてを用である。
第１図はイオン注入によって生じる歪と成長誘導異方性
の抑制の関係を示す図、 第２図は歪（Δｄ／ｄ）のアニール温度による変化を示
す図、 第３図は本発明の実施例２の歪（Δｄ／ｄ）とΔＨＫの
関係を従来例と比較して示した図、第４図は従来のイオ
ン注入磁気バブルメモリ素子を説明するための図である
。 ０ ＋、０ ２．０ ３．０Δ
ｄ／ｄ （’／、） イオン注入によって生じる歪と成長誘導異方性の抑制の
関係を示す図 第１図 アニール温度 （０Ｃ） 歪（Δｄ／ｄ ）のアニール温度による変化を示す同第
２図 ０ １．０ ２．０ ３．
０ΔｄＡ（０１０） 本発明の実施例２の歪（Δｄ／′ｄ）とΔＨｋの関係を
従来例と比較して示した図 第３図 を説明するための図 ＄４図 ５１−バグル
の抑制の関係を示す図、 第２図は歪（Δｄ／ｄ）のアニール温度による変化を示
す図、 第３図は本発明の実施例２の歪（Δｄ／ｄ）とΔＨＫの
関係を従来例と比較して示した図、第４図は従来のイオ
ン注入磁気バブルメモリ素子を説明するための図である
。 ０ ＋、０ ２．０ ３．０Δ
ｄ／ｄ （’／、） イオン注入によって生じる歪と成長誘導異方性の抑制の
関係を示す図 第１図 アニール温度 （０Ｃ） 歪（Δｄ／ｄ ）のアニール温度による変化を示す同第
２図 ０ １．０ ２．０ ３．
０ΔｄＡ（０１０） 本発明の実施例２の歪（Δｄ／′ｄ）とΔＨｋの関係を
従来例と比較して示した図 第３図 を説明するための図 ＄４図 ５１−バグル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気バブル結晶に高ドーズイオン注入を行ない、次
いで高温アニールを行なって成長誘導異方性を小さくし
たのち、プラズマにさらすことを特徴とする誘起異方性
磁界増大法。 ２、磁気バブル結晶に高ドーズイオン注入を行ない、次
いで高温アニールを行なって成長誘導異方性を小さくし
たのち、通常のイオン注入を施し、次いでプラズマにさ
らすことを特徴とする誘起異方性磁界増大法。 ３、プラズマとしてＡｒ、Ｎｅなどの希ガスあるいはＨ
＿２ガスを用いることを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の異方性磁界増大法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181071A JPS6242390A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 誘起異方性磁界増大法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181071A JPS6242390A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 誘起異方性磁界増大法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242390A true JPS6242390A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16094291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181071A Pending JPS6242390A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 誘起異方性磁界増大法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242390A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7400556B2 (en) | 2003-01-23 | 2008-07-15 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic timepiece with solar cell |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60181071A patent/JPS6242390A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7400556B2 (en) | 2003-01-23 | 2008-07-15 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic timepiece with solar cell |
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