JPS6289295A - 磁気記憶素子及びその作製方法 - Google Patents
磁気記憶素子及びその作製方法Info
- Publication number
- JPS6289295A JPS6289295A JP60231658A JP23165885A JPS6289295A JP S6289295 A JPS6289295 A JP S6289295A JP 60231658 A JP60231658 A JP 60231658A JP 23165885 A JP23165885 A JP 23165885A JP S6289295 A JPS6289295 A JP S6289295A
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- JP
- Japan
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- film
- pattern
- bloch
- pair
- vbl
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は不揮発性の超高密度固体磁気記憶素子に関する
。
。
（従来の技術）
高密度固体磁気記憶素子を目指すものとして磁気バブル
素子が主流である。しかし、現在使用されているガーネ
ット材料では、到達可能な最小バブル径カ０．３μｍと
いわれている。したがって、０．３μｍμｍ下のバブル
を保持するバブル材料はガーネット材料以外に求めなけ
ればなら々い。これは容易ではなく、ここがバブル高密
度化の限界であるとさえ考えられている。
素子が主流である。しかし、現在使用されているガーネ
ット材料では、到達可能な最小バブル径カ０．３μｍと
いわれている。したがって、０．３μｍμｍ下のバブル
を保持するバブル材料はガーネット材料以外に求めなけ
ればなら々い。これは容易ではなく、ここがバブル高密
度化の限界であるとさえ考えられている。
このようなバブル保持層の特性に基〈高密度化限界を大
幅に改善し、かつ、情報読出し時間は従来の素子と同程
度に保つことができる超高密度磁気記憶素子として膜面
垂直方向を磁化容易方向とする強磁性体（ツーり磁性体
を含む）膜に形成されるストライプドメインの境界を形
成するブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在する垂直ブ
ロッホライン２個からなるブロッホライン対（以下、Ｖ
ＢＬ対と称する。）を記憶単位として用いる素子が発明
された（特願昭５７−１８２３４６）。
幅に改善し、かつ、情報読出し時間は従来の素子と同程
度に保つことができる超高密度磁気記憶素子として膜面
垂直方向を磁化容易方向とする強磁性体（ツーり磁性体
を含む）膜に形成されるストライプドメインの境界を形
成するブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在する垂直ブ
ロッホライン２個からなるブロッホライン対（以下、Ｖ
ＢＬ対と称する。）を記憶単位として用いる素子が発明
された（特願昭５７−１８２３４６）。
本素子においてもっとも重要な部分の一つは情報’１Ｖ
ＢＬ対の形でストライプドメイン磁壁内に安定化し、か
つ、該ＶＢＬ対をブロッホ磁壁内で転送する手段である
。
ＢＬ対の形でストライプドメイン磁壁内に安定化し、か
つ、該ＶＢＬ対をブロッホ磁壁内で転送する手段である
。
ＶＢＬ対安定保持法については、特願昭５８−０６５８
２６に述べられたように、マイナーループを構成するス
トライプドメイン周辺のブロッホ磁壁に沿って、膜面内
の磁気異方性の向きを局所的に変化させることにより、
ストライプドメイン磁壁に沿って、ＶＢＬ対が安定に存
在する位置とそうで々い位置を作りつけられることを示
されている。
２６に述べられたように、マイナーループを構成するス
トライプドメイン周辺のブロッホ磁壁に沿って、膜面内
の磁気異方性の向きを局所的に変化させることにより、
ストライプドメイン磁壁に沿って、ＶＢＬ対が安定に存
在する位置とそうで々い位置を作りつけられることを示
されている。
（発明が解決しようとする間ｍ点）
特、頚昭５８−０６５８２６に述べられている膜面内の
磁気異方性の向き全局所的に変化させる具体的な方法は
膜への選択的イオン注入てよる格子歪（で基づく逆磁歪
効果を利用するとかまたは、内部応力が大きい材料を用
いて膜表面てパターンを形成し、膜に応力分布を与え、
それに基づく逆磁歪効果を利用するなどである。これら
はいずれも膜表面置部ておいてのみ、膜面内磁気嚢方性
の向きを制御している。この膜面内磁気嚢方性の局所変
化は磁壁の移動速度はほとんど変えず、単にＶＢＬ対の
移動の難易全制御する方法である。したがって、膜厚方
向に亘って均一に面内磁気異方性が制御されていれば問
題ないが、一部だけ面内磁気異方性が変えであると、与
えらａ７’２磁壁移動速度に対して発生するジャイロ力
は一定であるから必然的ＫＶＢＬ対の移動の様子は膜厚
方向に沿って不均一になる。その結果、場合によっては
ＶＢＬが膜厚の中間部で分断されてしまい、ＶＢＬ対の
消滅に至ることがある。これは素子の信頼性の上から犬
き々問題に々る。この障害’ｔｌｌ＆除くためには、膜
厚方向に均一にイオン注入することが望ましいが、イオ
ン注入法の本質的特性またはイオン注入装置の性能彦ど
のため、かかり難しい点がある。
磁気異方性の向き全局所的に変化させる具体的な方法は
膜への選択的イオン注入てよる格子歪（で基づく逆磁歪
効果を利用するとかまたは、内部応力が大きい材料を用
いて膜表面てパターンを形成し、膜に応力分布を与え、
それに基づく逆磁歪効果を利用するなどである。これら
はいずれも膜表面置部ておいてのみ、膜面内磁気嚢方性
の向きを制御している。この膜面内磁気嚢方性の局所変
化は磁壁の移動速度はほとんど変えず、単にＶＢＬ対の
移動の難易全制御する方法である。したがって、膜厚方
向に亘って均一に面内磁気異方性が制御されていれば問
題ないが、一部だけ面内磁気異方性が変えであると、与
えらａ７’２磁壁移動速度に対して発生するジャイロ力
は一定であるから必然的ＫＶＢＬ対の移動の様子は膜厚
方向に沿って不均一になる。その結果、場合によっては
ＶＢＬが膜厚の中間部で分断されてしまい、ＶＢＬ対の
消滅に至ることがある。これは素子の信頼性の上から犬
き々問題に々る。この障害’ｔｌｌ＆除くためには、膜
厚方向に均一にイオン注入することが望ましいが、イオ
ン注入法の本質的特性またはイオン注入装置の性能彦ど
のため、かかり難しい点がある。
本発明の目的はこのような従来の問題点を除去したＶＢ
Ｌ対安定化法を施したストライプドメイン磁壁を有して
いる超高密度記憶素子を提供することにある。
Ｌ対安定化法を施したストライプドメイン磁壁を有して
いる超高密度記憶素子を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
すなわち、本発明は情報読出し手段、情報書込み手段お
よび情報蓄積手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁
化容易方向とする強磁性体（フーリ磁性体を含む）膜に
存在するストライプドメインの境界のブロッホ磁壁中に
つくった相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる垂直
ブロッホライン対を記憶情報単位として用い、該垂直ブ
ロッホライン対を記憶情報単位として用い、該垂直ブロ
ッホライン対をブロッホ磁壁内で転送する手段を有する
素子において、ストライプドメイン磁壁に沿って膜厚を
局所的に変化させていることを特徴とする磁気記憶素子
と、 またこの素子の製造方法としてバブル材料ＦＩ上にフォ
トレジストパターンを形成する工程、該フォトレジスト
パターンが熱変形を起す温度でベイキングする工程、さ
らに全面に有機膜を塗布する工程、前記７ｔ）レジスト
及び該有機膜を貫通するエネルギーを有するイオンを全
面に照射する工程及び前記フォトレジストを含む有機膜
を除去した後、リン酸を含むエツチング液でイオン注入
されたバブル材料層を選択的にエツチングする工程とを
備え几ことを特徴とする磁気記憶素子の作製方法である
。
よび情報蓄積手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁
化容易方向とする強磁性体（フーリ磁性体を含む）膜に
存在するストライプドメインの境界のブロッホ磁壁中に
つくった相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる垂直
ブロッホライン対を記憶情報単位として用い、該垂直ブ
ロッホライン対を記憶情報単位として用い、該垂直ブロ
ッホライン対をブロッホ磁壁内で転送する手段を有する
素子において、ストライプドメイン磁壁に沿って膜厚を
局所的に変化させていることを特徴とする磁気記憶素子
と、 またこの素子の製造方法としてバブル材料ＦＩ上にフォ
トレジストパターンを形成する工程、該フォトレジスト
パターンが熱変形を起す温度でベイキングする工程、さ
らに全面に有機膜を塗布する工程、前記７ｔ）レジスト
及び該有機膜を貫通するエネルギーを有するイオンを全
面に照射する工程及び前記フォトレジストを含む有機膜
を除去した後、リン酸を含むエツチング液でイオン注入
されたバブル材料層を選択的にエツチングする工程とを
備え几ことを特徴とする磁気記憶素子の作製方法である
。
（作用）
本発明は上述の構成をとることにより、ストライプドメ
イン磁壁に沿っτ情報であるＶＢＬ対の転送全安定して
行々えることを示した。以下、本発明の構成例の詳細力
説明をする。第１図は本発明ておけるストライプドメイ
ン磁壁部における膜厚の変化の与え方を示している。ス
トライプドメイン３の両側の磁壁（ブロッホ磁壁）中の
ＶＢＬ対６は膜厚が薄い部分に安定化される。これはＶ
ＢＬが周囲のブロッホ磁壁に比べてエネルギー密度が高
いため、ＶＢＬ自体の占有容積が小さいところ（膜厚が
小さいところ）に安定化されやすいためである。このＶ
ＢＬ対６はストライプドメインを形成する強磁性体膜の
膜面に垂直な方向に加えられたパルスバイアス磁界によ
り生じるジャイロ力に従って、ブロッホ磁壁中を移動す
ることができるが、情報列を正確に保持するためにＶＢ
Ｌ対の安定位置を用意しておく必要がある。
イン磁壁に沿っτ情報であるＶＢＬ対の転送全安定して
行々えることを示した。以下、本発明の構成例の詳細力
説明をする。第１図は本発明ておけるストライプドメイ
ン磁壁部における膜厚の変化の与え方を示している。ス
トライプドメイン３の両側の磁壁（ブロッホ磁壁）中の
ＶＢＬ対６は膜厚が薄い部分に安定化される。これはＶ
ＢＬが周囲のブロッホ磁壁に比べてエネルギー密度が高
いため、ＶＢＬ自体の占有容積が小さいところ（膜厚が
小さいところ）に安定化されやすいためである。このＶ
ＢＬ対６はストライプドメインを形成する強磁性体膜の
膜面に垂直な方向に加えられたパルスバイアス磁界によ
り生じるジャイロ力に従って、ブロッホ磁壁中を移動す
ることができるが、情報列を正確に保持するためにＶＢ
Ｌ対の安定位置を用意しておく必要がある。
本発明におけるＶＢＬ対安定化法においてはＶＢＬ対そ
のもノ〕のエネルギー密度は膜厚が薄いところでも厚い
ところでも変ら々い。単にＶＢＬＩ本あたりのエネルギ
ーが膜厚に応じて変化するだけである。従来の方法では
ＶＢＬのエネルギー密度を磁壁に沿って局所的に変化さ
せている。この変化を与えるため、具体的にはイオン注
入等全利用する。これらの方法では、膜厚方向に特性の
不均一を生じることを避けられない。したがって、ＶＢ
Ｌの移動速度が膜厚方向に沿って不均一になり、ＶＢＬ
が分断されたりする。本発明では、このようか従来法の
欠点を取除くことができる。
のもノ〕のエネルギー密度は膜厚が薄いところでも厚い
ところでも変ら々い。単にＶＢＬＩ本あたりのエネルギ
ーが膜厚に応じて変化するだけである。従来の方法では
ＶＢＬのエネルギー密度を磁壁に沿って局所的に変化さ
せている。この変化を与えるため、具体的にはイオン注
入等全利用する。これらの方法では、膜厚方向に特性の
不均一を生じることを避けられない。したがって、ＶＢ
Ｌの移動速度が膜厚方向に沿って不均一になり、ＶＢＬ
が分断されたりする。本発明では、このようか従来法の
欠点を取除くことができる。
第２図を用いてその原理全説明する。第２図（ａ）は第
１図の一部をストライプドメイン磁壁を含む平面でカッ
トした断面を表わしている。ＶＢＬ対６が膜厚が薄い領
域に安定化されている。このＶＢＬ対を転送するため、
膜面に垂直方向にパルスバイアス磁界を加えて、それに
よって生じるジャイロ力を利用する。ジャイロ力の大き
さをどのように評価するかについて述べる。第２図（ｂ
）にはＶＢＬのエネルギー％ＢｐＩＣ方向依存を第２図
（ａ）に対応して定性的に示している。ＥＶＢＬが最低
のところに安定化されているＶＢＬはその隣のＥｖＢＬ
が最大になる山を乗り越えてとなりの谷へ移動する。
１図の一部をストライプドメイン磁壁を含む平面でカッ
トした断面を表わしている。ＶＢＬ対６が膜厚が薄い領
域に安定化されている。このＶＢＬ対を転送するため、
膜面に垂直方向にパルスバイアス磁界を加えて、それに
よって生じるジャイロ力を利用する。ジャイロ力の大き
さをどのように評価するかについて述べる。第２図（ｂ
）にはＶＢＬのエネルギー％ＢｐＩＣ方向依存を第２図
（ａ）に対応して定性的に示している。ＥＶＢＬが最低
のところに安定化されているＶＢＬはその隣のＥｖＢＬ
が最大になる山を乗り越えてとなりの谷へ移動する。
し九がって、ＶＢＬ対に働くジャイロ力はエネルギーの
谷と山との間のＥＶＢＬの変化の勾配の最大値に比べて
大きくする必要がある。
谷と山との間のＥＶＢＬの変化の勾配の最大値に比べて
大きくする必要がある。
第２図（ａ）の破線は膜厚変化領域を非常に狭くし几場
合を示している。これに対応してＶＢＬのエネルギーＥ
Ｖ’ＢＬのＸ方向依存も第２図（ｂ）に破線で示すよう
に変ってくる。この場合、エネルギーが低いところに安
定化されたＶＢＬ対をとなりの谷まで移動させるのに゛
必要々ジャイロカは実線の場合に比べて非常に大きく々
す、実際上、制御しＫくくなる。したがって、実線で示
した波型構造が実用上使いやすい。
合を示している。これに対応してＶＢＬのエネルギーＥ
Ｖ’ＢＬのＸ方向依存も第２図（ｂ）に破線で示すよう
に変ってくる。この場合、エネルギーが低いところに安
定化されたＶＢＬ対をとなりの谷まで移動させるのに゛
必要々ジャイロカは実線の場合に比べて非常に大きく々
す、実際上、制御しＫくくなる。したがって、実線で示
した波型構造が実用上使いやすい。
この方法では膜厚変化に伴うＶＢＬのエネルギー変化が
ＶＢＬのエネルギー密度の変化を伴わないため、ＶＢＬ
対のジャイロ力に対する応答が膜厚方向に亘って不連続
的に変化するといったことが生じない。したがって、Ｖ
ＢＬが膜厚の中間部で転送中にビット間障壁を乗り越え
るとき分断されるといった不安定性の生じる確率を非常
に低く抑えられ、安定したＶＢＬ対転送が得られる。
ＶＢＬのエネルギー密度の変化を伴わないため、ＶＢＬ
対のジャイロ力に対する応答が膜厚方向に亘って不連続
的に変化するといったことが生じない。したがって、Ｖ
ＢＬが膜厚の中間部で転送中にビット間障壁を乗り越え
るとき分断されるといった不安定性の生じる確率を非常
に低く抑えられ、安定したＶＢＬ対転送が得られる。
以下実施例を使って発明の内容を具体的に示す。
（実施例１）
この波型パターンの製造法を第３図を用いて説明する。
バブル材料膜ｌｌ上にポジ型フォトレジストＭＰ１３０
０（シプレージャパン、商品名）で、巾５μｍ。
０（シプレージャパン、商品名）で、巾５μｍ。
周期１０μ扉膜厚１μｍのパターン１２を形成する（第
３図ａ）。パターン形成後１３５℃で１時間ポストベイ
クを行々う。するとパターンは１２′のような形状にな
る。この温度以上でベイキングを行なうと、パターン巾
が変動し、好ましくない。
３図ａ）。パターン形成後１３５℃で１時間ポストベイ
クを行々う。するとパターンは１２′のような形状にな
る。この温度以上でベイキングを行なうと、パターン巾
が変動し、好ましくない。
逆に、温度が低すぎても、パターンの断面形状が矩形の
ま＼であるので好ましく々い（第３図ｂ）。
ま＼であるので好ましく々い（第３図ｂ）。
次に分子ｔ１７５００のポリスチレンを、キシレン全溶
剤として塗布する。１０重量パーセントのスチレンを溶
解した液を用い、スピン塗布回転数３０００ｒ−で、平
坦部で約３０００１のポリスチレン塗膜１３が得られる
。塗布後の表面はゆるやか々波形と々っ之。波形形状の
高低差は約１．３μｍであり之。塗布工程の前後でポジ
型フォトレジストパターンの変形心なかった（第３図ｃ
）。次にイオン注入全行なり。注入条件は厚さ１．３μ
ｍの有機膜をイオンが貫通するように決めた。
剤として塗布する。１０重量パーセントのスチレンを溶
解した液を用い、スピン塗布回転数３０００ｒ−で、平
坦部で約３０００１のポリスチレン塗膜１３が得られる
。塗布後の表面はゆるやか々波形と々っ之。波形形状の
高低差は約１．３μｍであり之。塗布工程の前後でポジ
型フォトレジストパターンの変形心なかった（第３図ｃ
）。次にイオン注入全行なり。注入条件は厚さ１．３μ
ｍの有機膜をイオンが貫通するように決めた。
ここでは１３０ＫｅＶ／Ｈｅ／４．８ Ｘ １０”（［
１！／讐、５０Ｋｅｙ／Ｈｅ ／ １．７ Ｘ ｌ ０
１５個／ｄとした。第３図（ｄ）の１１′で示すバブル
材料膜の部分にイオン注入が々される。バブル材料にイ
オン注入全行なうと、格子歪が注入層に誘起されるため
、一般に化学エツチング耐性が変化することが知られて
いるが、前記手１呵で作製した試料を酸素プラズマにさ
らし、有機膜を除去した後、９０℃のリン酸に１０分間
侵積したところ第３図（ｅ）に示すように高低差０．４
μｍの波形形状にバブル材料層が加工できた。
１！／讐、５０Ｋｅｙ／Ｈｅ ／ １．７ Ｘ ｌ ０
１５個／ｄとした。第３図（ｄ）の１１′で示すバブル
材料膜の部分にイオン注入が々される。バブル材料にイ
オン注入全行なうと、格子歪が注入層に誘起されるため
、一般に化学エツチング耐性が変化することが知られて
いるが、前記手１呵で作製した試料を酸素プラズマにさ
らし、有機膜を除去した後、９０℃のリン酸に１０分間
侵積したところ第３図（ｅ）に示すように高低差０．４
μｍの波形形状にバブル材料層が加工できた。
前記のバブル材料？１Ｇｄ３０ａ５０＋ｚ（１１１）基
板ＫＬＰＩ３成長した５ μｍバブル材料（ＹＳｍＬｕ
Ｃａ）３（ＦｅＧｅ）ｓＯａ２膜（膜厚＝３．８８μｍ
、ストライプ幅＝５．０μ扉。
板ＫＬＰＩ３成長した５ μｍバブル材料（ＹＳｍＬｕ
Ｃａ）３（ＦｅＧｅ）ｓＯａ２膜（膜厚＝３．８８μｍ
、ストライプ幅＝５．０μ扉。
４πＭｓ ＝ ２０２ Ｇａｕｓｓ）である。第１図に
示す波型構造として５μｍ周期（マスクパターン幅３μ
ｍ−４たけ２μｍ）、山の高さＱ、 ４ ／ＺＦＫに力
るように形成した試料について、この領域にストライプ
ドメインを配し、ＶＢＬ対の安定性を調べ、ＶＢＬ対が
波型構造の谷部に安定化されていることが確認された。
示す波型構造として５μｍ周期（マスクパターン幅３μ
ｍ−４たけ２μｍ）、山の高さＱ、 ４ ／ＺＦＫに力
るように形成した試料について、この領域にストライプ
ドメインを配し、ＶＢＬ対の安定性を調べ、ＶＢＬ対が
波型構造の谷部に安定化されていることが確認された。
また、谷部に安定化されでいるＶＢＬ対に＠ １０ ｎ
ｓの矩形波状パルスバイアス磁界を加えていくと、振＠
２５０ｅ付近で、ＶＢＬ対が波型構造の山を乗り趙えた
。
ｓの矩形波状パルスバイアス磁界を加えていくと、振＠
２５０ｅ付近で、ＶＢＬ対が波型構造の山を乗り趙えた
。
（発明の効果）
本発明にエリ、ブロッホラインメモリでもっとも重要な
要素の一つであるストライプドメイン磁壁上へのブロッ
ホライン対の安定化訃よび磁壁に沿っての転送の安定性
を従来の方法にくらべて改善できた。
要素の一つであるストライプドメイン磁壁上へのブロッ
ホライン対の安定化訃よび磁壁に沿っての転送の安定性
を従来の方法にくらべて改善できた。
第１図は本発明による垂直ブロッホラインの安定化保持
手段の概観図、第２図オ楡ソ４ａ） 、 （ｂ）けそれ
ぞれ磁壁面を含む面で切断したときのストライプドメイ
ン保持層の断面とブロッホラインエネルギーＥＶＢＬの
位置依存を示す図である。第３図は素子を形成する過程
の実施例を示す図。 １・・・ストライプドメイン保持層、２・・・基板、３
・・・ストライプドメイン、４・・・ストライプドメイ
ン磁壁、５・・・磁化、６・・・垂直ブロッホライン対
、１１・・・バブル材料膜、１２・・・ポジ型フォトレ
ジスト、１２’・・・ボストベイク後の７オトレジスト
パターン、１３・・・ポリスチレン、１１′・・・イオ
ン注入されタハブル材料膜。 代理人弁理士 内 原 晋 −一 第２図 （ｎ） 工 招３図 ＜６）
手段の概観図、第２図オ楡ソ４ａ） 、 （ｂ）けそれ
ぞれ磁壁面を含む面で切断したときのストライプドメイ
ン保持層の断面とブロッホラインエネルギーＥＶＢＬの
位置依存を示す図である。第３図は素子を形成する過程
の実施例を示す図。 １・・・ストライプドメイン保持層、２・・・基板、３
・・・ストライプドメイン、４・・・ストライプドメイ
ン磁壁、５・・・磁化、６・・・垂直ブロッホライン対
、１１・・・バブル材料膜、１２・・・ポジ型フォトレ
ジスト、１２’・・・ボストベイク後の７オトレジスト
パターン、１３・・・ポリスチレン、１１′・・・イオ
ン注入されタハブル材料膜。 代理人弁理士 内 原 晋 −一 第２図 （ｎ） 工 招３図 ＜６）
Claims (2)
- （１）情報読出し手段と情報書き込み手段と情報蓄積手
段を備え、膜面に垂直な方向を磁化容易方向とする強磁
性体膜に存在するストライプドメイン周辺のブロッホ磁
壁の中に作った相隣る垂直ブロッホライン対を記憶情報
単位として用いる磁気記憶素子において、ブロッホ磁壁
に沿って、膜厚が局所的に変化していることを特徴とす
る磁気記憶素子。 - （２）バブル材料層上にフォトレジストパターンを形成
する工程、該フォトレジストパターンが熱変形を起す温
度でベイキングする工程、さらに全面に有機膜を塗布す
る工程、前記フォトレジスト及び該有機膜を貫通するエ
ネルギーを有するイオンを全面に照射する工程及び前記
フォトレジストを含む有機膜を除去した後イオン注入さ
れたバブル材料層の一部分を選択的にエッチングする工
程とを備えたことを特徴とする磁気記憶素子の作製方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231658A JPS6289295A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 磁気記憶素子及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231658A JPS6289295A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 磁気記憶素子及びその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289295A true JPS6289295A (ja) | 1987-04-23 |
| JPH0366755B2 JPH0366755B2 (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=16926944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60231658A Granted JPS6289295A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 磁気記憶素子及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6289295A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2618013A1 (fr) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Canon Kk | Procede pour transferer des lignes de bloch et memoire a lignes de bloch |
| US7909563B2 (en) | 2004-11-30 | 2011-03-22 | Cascade Corporation | Fork positioner |
| US8403618B2 (en) | 2004-11-30 | 2013-03-26 | Cascade Corporation | Lift truck load handler |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP60231658A patent/JPS6289295A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2618013A1 (fr) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Canon Kk | Procede pour transferer des lignes de bloch et memoire a lignes de bloch |
| US7909563B2 (en) | 2004-11-30 | 2011-03-22 | Cascade Corporation | Fork positioner |
| US8403618B2 (en) | 2004-11-30 | 2013-03-26 | Cascade Corporation | Lift truck load handler |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0366755B2 (ja) | 1991-10-18 |
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