JPS6212650B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6212650B2 JPS6212650B2 JP53086249A JP8624978A JPS6212650B2 JP S6212650 B2 JPS6212650 B2 JP S6212650B2 JP 53086249 A JP53086249 A JP 53086249A JP 8624978 A JP8624978 A JP 8624978A JP S6212650 B2 JPS6212650 B2 JP S6212650B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- heat treatment
- magnetic
- ions
- bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バルブ用磁性ガーネツトエピタキ
シヤル膜の一軸磁気異方性エネルギーを局所的に
変化させる熱処理方法を利用した円筒磁区素子の
製造方法に関するものである。
シヤル膜の一軸磁気異方性エネルギーを局所的に
変化させる熱処理方法を利用した円筒磁区素子の
製造方法に関するものである。
円筒磁区素子（以下バルブ素子と称す。）は近
年、新しいメモリ素子として急速に開発が進めら
れており、この開発過程で、バルブ材料には希土
類イオンを多種類含む鉄ガーネツトのエピタキシ
ヤル膜が用いられているが、はじめは鉄の一部を
Gaで置換したGa―系磁性ガーネツトが用いられ
ていた。しかしこの材料はバブル転送の温度特性
がバイアスマグネツトと一致しないことおよび高
周波転送特性が良くないなどの欠点のためにFe
の一部をGe4+で置換し、希土類イオンをCa2+で
置換したいわゆるCaGe―系材料が広く用いられ
るようになつた。しかしこのCaGe―系ガーネツ
トはGa―系ガーネツトに較べて熱処理特性がこ
となり一軸磁気異方性エネルギー（Ku）が900〜
1000℃の熱処理で減少する膜がいろいろな成長条
件に依存して育成されることが知られている。例
えばウオルフエ等はエー・アイ・ピー・コンフア
レンス・プロシーデイング誌上（AIP Conf.Pr―
oc.34（1976）172）でLPE法によつて835℃で育
成された（EuCa）3（FeSi）5O12膜が900℃での焼
鈍でそのKuが容易に減少することを報告してい
る。Ca―系ガーネツトにおいてKuが減少する焼
純温度が1200℃〜1300℃であることを考えると、
この現象はCaGe―系におけるきわめて特異な現
象である。
年、新しいメモリ素子として急速に開発が進めら
れており、この開発過程で、バルブ材料には希土
類イオンを多種類含む鉄ガーネツトのエピタキシ
ヤル膜が用いられているが、はじめは鉄の一部を
Gaで置換したGa―系磁性ガーネツトが用いられ
ていた。しかしこの材料はバブル転送の温度特性
がバイアスマグネツトと一致しないことおよび高
周波転送特性が良くないなどの欠点のためにFe
の一部をGe4+で置換し、希土類イオンをCa2+で
置換したいわゆるCaGe―系材料が広く用いられ
るようになつた。しかしこのCaGe―系ガーネツ
トはGa―系ガーネツトに較べて熱処理特性がこ
となり一軸磁気異方性エネルギー（Ku）が900〜
1000℃の熱処理で減少する膜がいろいろな成長条
件に依存して育成されることが知られている。例
えばウオルフエ等はエー・アイ・ピー・コンフア
レンス・プロシーデイング誌上（AIP Conf.Pr―
oc.34（1976）172）でLPE法によつて835℃で育
成された（EuCa）3（FeSi）5O12膜が900℃での焼
鈍でそのKuが容易に減少することを報告してい
る。Ca―系ガーネツトにおいてKuが減少する焼
純温度が1200℃〜1300℃であることを考えると、
この現象はCaGe―系におけるきわめて特異な現
象である。
本発明においてこのCaGe―系の熱処理特性に
ついて新しい現象を見い出した。それはCaGe―
系ガーネツトエピタキシヤル膜の熱処理による減
少は熱処理の酸素圧に著しく依存するということ
である。第１図にその実験事実を示す。これは
LPE法で育成された（YSmLuCa）3（FeGe）5O12
なるCaGe―系を酸素圧をいろいろに変化させて
1023℃で熱処理してKuの変化を熱処理時間につ
いて調べたものである。縦軸は熱処理後のKuの
値を成長直後（as―grown）膜のKuで規格化し
たもので成長直後膜のKuの何パーセントが消失
したかを示す。これから熱処理の酸素圧が高いほ
うがKuの減少速度が早いことが判る。また窒素
中の熱処理においては熱処理初期に成長直後膜に
比較して15％ほど増加してそれ以後若干減少する
が６時間の熱処理においても成長直後膜の値より
小さくはならなかつた。
ついて新しい現象を見い出した。それはCaGe―
系ガーネツトエピタキシヤル膜の熱処理による減
少は熱処理の酸素圧に著しく依存するということ
である。第１図にその実験事実を示す。これは
LPE法で育成された（YSmLuCa）3（FeGe）5O12
なるCaGe―系を酸素圧をいろいろに変化させて
1023℃で熱処理してKuの変化を熱処理時間につ
いて調べたものである。縦軸は熱処理後のKuの
値を成長直後（as―grown）膜のKuで規格化し
たもので成長直後膜のKuの何パーセントが消失
したかを示す。これから熱処理の酸素圧が高いほ
うがKuの減少速度が早いことが判る。また窒素
中の熱処理においては熱処理初期に成長直後膜に
比較して15％ほど増加してそれ以後若干減少する
が６時間の熱処理においても成長直後膜の値より
小さくはならなかつた。
またKu以外の磁気特性としては、成長直後膜
において飽和磁化４πMs＝315ガウス、バブル消
滅磁場Hcol＝147Oe、特性長ｌ＝0.33μｍであつ
たものが酸素１気圧、１時間の熱処理で４πMs
＝320ガウス、Hcol＝169Oe ｌ＝0.29μｍとな
り、Kuの減少にともなつてHcolが22Oe増加し、
ｌが減少したが４πMsは若干増加の傾向である
がほとんど変化しなかつた。
において飽和磁化４πMs＝315ガウス、バブル消
滅磁場Hcol＝147Oe、特性長ｌ＝0.33μｍであつ
たものが酸素１気圧、１時間の熱処理で４πMs
＝320ガウス、Hcol＝169Oe ｌ＝0.29μｍとな
り、Kuの減少にともなつてHcolが22Oe増加し、
ｌが減少したが４πMsは若干増加の傾向である
がほとんど変化しなかつた。
一方窒素ガス中３時間の熱処理においては
Hcol＝145Oe、４πMs＝312ガウスと僅かに変化
したのみでほとんど成長直後膜と同じであつた。
Hcol＝145Oe、４πMs＝312ガウスと僅かに変化
したのみでほとんど成長直後膜と同じであつた。
以上の熱処理結果はCaGe―系ガーネツトエピ
タキシヤル膜においては酸化雰囲気において一軸
磁気異方性が速く減少するが還元雰囲気ではほと
んど減少せず、また４πMsはいずれの場合もほ
とんど変化せず、Hcolは前者においてはKuの減
少にともなつて増加することを示している。
タキシヤル膜においては酸化雰囲気において一軸
磁気異方性が速く減少するが還元雰囲気ではほと
んど減少せず、また４πMsはいずれの場合もほ
とんど変化せず、Hcolは前者においてはKuの減
少にともなつて増加することを示している。
本発明は以上のCaGe―系ガーネツトエピタキ
シヤル膜の熱処理特性を利用することによつてバ
ブル材料のKuを選択的に変化させて特性の良い
バブル素子を得る方法提示するものである。
シヤル膜の熱処理特性を利用することによつてバ
ブル材料のKuを選択的に変化させて特性の良い
バブル素子を得る方法提示するものである。
まず、選択的にKuを変化させる方法について
説明する。上記Kuの熱処理雰囲気依存性をもつ
CaGe―系材料にSiO2、Al2O3などの化学的に安
定な酸化物またはSiまたはAuなどの高融点金属
をKuを変化させたい部分を除いて蒸着し、これ
を所定の温度、所定の酸素圧のもとで熱処理する
と蒸着膜に被われていない部分は酸素雰囲気にさ
らされているので、酸素圧、熱処理温度、熱処理
時間に依存してKuが減少する。しかし蒸着膜に
被われている部分は気相から遮断されているため
Kuの変化は起らないことになる。かくして選択
的に材料のKuを変化させることが可能になる。
説明する。上記Kuの熱処理雰囲気依存性をもつ
CaGe―系材料にSiO2、Al2O3などの化学的に安
定な酸化物またはSiまたはAuなどの高融点金属
をKuを変化させたい部分を除いて蒸着し、これ
を所定の温度、所定の酸素圧のもとで熱処理する
と蒸着膜に被われていない部分は酸素雰囲気にさ
らされているので、酸素圧、熱処理温度、熱処理
時間に依存してKuが減少する。しかし蒸着膜に
被われている部分は気相から遮断されているため
Kuの変化は起らないことになる。かくして選択
的に材料のKuを変化させることが可能になる。
磁気バブル素子においてKuが大きくｑ＝Ku／
２πMs2なるｑ値が大きくなるとバブルが安定に
なつてバブル転送マージンは良くなる。しかし素
子機能の中でニユークリエイトジユネレイターや
ストレツチヤーなどでは、ｑ値を大きくしようと
してKu値を大きくすると、例えば前者において
はニユークリエイト電流を大きくしなければなら
ずその結果導体パターンが断線しやすくなるなど
の問題がでてくる。
２πMs2なるｑ値が大きくなるとバブルが安定に
なつてバブル転送マージンは良くなる。しかし素
子機能の中でニユークリエイトジユネレイターや
ストレツチヤーなどでは、ｑ値を大きくしようと
してKu値を大きくすると、例えば前者において
はニユークリエイト電流を大きくしなければなら
ずその結果導体パターンが断線しやすくなるなど
の問題がでてくる。
また後者のストレツチヤーにおいてはKuの増
大にともなつてバブル移動度、バブル最大速度が
減少しストリツプアウトしにくくなるという懸念
もある。とくに高集積化に伴なつてバブル径が２
μｍ、１μｍと小さくなるに伴なつて、より大き
なｑ値をとるためにKuを著しく大きくしなけれ
ばならなくなつてきており部分的にKuを減少さ
せて素子特性を改善する必要性が大きくなりつつ
ある。
大にともなつてバブル移動度、バブル最大速度が
減少しストリツプアウトしにくくなるという懸念
もある。とくに高集積化に伴なつてバブル径が２
μｍ、１μｍと小さくなるに伴なつて、より大き
なｑ値をとるためにKuを著しく大きくしなけれ
ばならなくなつてきており部分的にKuを減少さ
せて素子特性を改善する必要性が大きくなりつつ
ある。
本発明はバブル材料のKuを選択的に変化させ
る方法とそれを用いたバブル素子の製造によつて
Kuが大きすぎることによる素子機能の低下を防
止しようとするものである。
る方法とそれを用いたバブル素子の製造によつて
Kuが大きすぎることによる素子機能の低下を防
止しようとするものである。
以下本発明を実施例を用いてさらに詳細に説明
する。
する。
実施例 １
LPE法で育成した（YSmLuCa）3（FeGe）5O12
なる磁性ガーネツトのエピタキシヤル膜のKuを
選択的に減少させた。第２図は本実施例に用いた
試料の構成を示すものである。直径38mmの
Gd3Ga5O12基板単結晶１上に上記CaGe―系エピ
タキシヤル膜２を成長した。膜特性は膜厚ｈ＝
2.7μｍ、飽和磁化４πMs＝315ガウス、特性長
ｌ＝0.38μｍ、バブル消滅磁場Hcol＝147Oe、Ku
＝2.1×104erg／cm3であつた。このLPE膜の上に
10mm×10mmの領域を除いてスパツター法によつて
１μｍの厚さでSiO23を蒸着した。この試料を
1023℃、１気圧の酸素中で１時間熱処理した。
SiO2の付いた部分と付いていない部分の磁性ガ
ーネツト膜の特性を測定した結果、SiO2の付い
た部分は成長直後膜の磁気特性とほとんど同じで
あつたが、SiO2の付いていない部分は気相との
反応によつてHcol＝169Oe、ｌ＝0.30μｍ、４π
Ms＝320ガウス、Ku＝1.3×104erg／cm3とKuが減
少をきたしHcolが増加した。
なる磁性ガーネツトのエピタキシヤル膜のKuを
選択的に減少させた。第２図は本実施例に用いた
試料の構成を示すものである。直径38mmの
Gd3Ga5O12基板単結晶１上に上記CaGe―系エピ
タキシヤル膜２を成長した。膜特性は膜厚ｈ＝
2.7μｍ、飽和磁化４πMs＝315ガウス、特性長
ｌ＝0.38μｍ、バブル消滅磁場Hcol＝147Oe、Ku
＝2.1×104erg／cm3であつた。このLPE膜の上に
10mm×10mmの領域を除いてスパツター法によつて
１μｍの厚さでSiO23を蒸着した。この試料を
1023℃、１気圧の酸素中で１時間熱処理した。
SiO2の付いた部分と付いていない部分の磁性ガ
ーネツト膜の特性を測定した結果、SiO2の付い
た部分は成長直後膜の磁気特性とほとんど同じで
あつたが、SiO2の付いていない部分は気相との
反応によつてHcol＝169Oe、ｌ＝0.30μｍ、４π
Ms＝320ガウス、Ku＝1.3×104erg／cm3とKuが減
少をきたしHcolが増加した。
実施例 ２
実施例１におけるSiO2の代りにSiを蒸着して他
の条件は実施例１と同じにして実験を行なつた。
その結果Siの表面にはSiO2が形成されたが、ほぼ
実施例１と同じにSiがついていない部分のみKu
が2.1×1.04erg／cm3から1.3×104erg／cm3に減少し
た。
の条件は実施例１と同じにして実験を行なつた。
その結果Siの表面にはSiO2が形成されたが、ほぼ
実施例１と同じにSiがついていない部分のみKu
が2.1×1.04erg／cm3から1.3×104erg／cm3に減少し
た。
ただしSiのついている部分はKuが2.3×
104erg／cm3と若干増加した。４πMs、ｌ、Hcol
についてはほとんど変化しなかつた。
104erg／cm3と若干増加した。４πMs、ｌ、Hcol
についてはほとんど変化しなかつた。
実施例１及び２においてLPE膜を被う蒸着膜は
SiO2とSiを用いたが、これらは熱処理において安
定な被膜を形成するものであればよいので上記以
外にAl2O3などの化学的に安定な酸化物やAu、Pt
などの高融点金属を用いることができる。
SiO2とSiを用いたが、これらは熱処理において安
定な被膜を形成するものであればよいので上記以
外にAl2O3などの化学的に安定な酸化物やAu、Pt
などの高融点金属を用いることができる。
実施例 ３
本発明による熱処理によつて選択的にKuを減
少させた部分にバブル発生器を形成した。
少させた部分にバブル発生器を形成した。
すなわちYIG膜でハードバブルが抑制された実
施例１及び２と同じ特性をもつ（YSmLuCa）3
（FeGe）5O12なるLPE膜上に厚さ500ÅのSiO2を蒸
着した。次にイオンエツチング法でSiO2をバブ
ル素子チツプ上でバブル発生器が形成されるべき
領域を含んで、直径20μｍの円状に選択的に取り
除いた後、1020℃酸素１気圧中で40分間熱処理
し、SiO2を取り除いた部分のKuを選択的に減少
させた。
施例１及び２と同じ特性をもつ（YSmLuCa）3
（FeGe）5O12なるLPE膜上に厚さ500ÅのSiO2を蒸
着した。次にイオンエツチング法でSiO2をバブ
ル素子チツプ上でバブル発生器が形成されるべき
領域を含んで、直径20μｍの円状に選択的に取り
除いた後、1020℃酸素１気圧中で40分間熱処理
し、SiO2を取り除いた部分のKuを選択的に減少
させた。
次にその上に9000ÅのSiO2を蒸着法によつて
被覆し、その上にバブル発生器を含むＹ―Ｙパタ
ーンからなるバブル転送路を形成した。第３図は
本実施例に用いられたニユークリエイトバブル発
生器で金の導体パターン４とＹ―Ｉ―Ｙのパーマ
ロイパターン５，６から構成されている。７は転
送パターンを省略して示したものである。以上の
ように構成されたバブル素子によつて
300KHz60Oeの回転駆動磁場のかけられている状
態で発生器のニユークリエイト電流（ＩN）は
100mAで安定なバブル発生ができた。同じLPE
膜を用いて従来通り作られたバブル素子において
は安定なＩNは200mAであつたので本発明による
バブル発生器は特性的には著しく改善された。
被覆し、その上にバブル発生器を含むＹ―Ｙパタ
ーンからなるバブル転送路を形成した。第３図は
本実施例に用いられたニユークリエイトバブル発
生器で金の導体パターン４とＹ―Ｉ―Ｙのパーマ
ロイパターン５，６から構成されている。７は転
送パターンを省略して示したものである。以上の
ように構成されたバブル素子によつて
300KHz60Oeの回転駆動磁場のかけられている状
態で発生器のニユークリエイト電流（ＩN）は
100mAで安定なバブル発生ができた。同じLPE
膜を用いて従来通り作られたバブル素子において
は安定なＩNは200mAであつたので本発明による
バブル発生器は特性的には著しく改善された。
実施例 ４
本発明による熱処理によつて選択的にKuを減
少させた部分にバブルストレツチヤーを形成し
た。すなわち実施例３と同じ方法によつて
（YSmLuCa）3（FeGe）5O12膜を用いて素子チツプ
上1.5mm×３mmの領域を選択的にKuを減少させて
第４図に示すようなシエブロンストレツチヤー８
を含むYY―転送ループ１０（略して一本の線で
示してある）を形成した。９はシエブロンストレ
ツチヤー８を部分的に拡大して示したものであ
る。このときストレツチヤーは選択的にKuを減
少させた部分にくるように設計した。このストレ
ツチヤー部分の転送マージンを１Hz50Oeの準静
的回転駆動磁場によつて転送させながら検討し
た。その結果25Oeの転送マージンが得られた。
同じLPE膜同じ転送ループを用いて通常の方法で
形成されたチツプにおいては転送マージンが
20Oeであつたので本発明によつてストレツチヤ
ー特性が改善された。
少させた部分にバブルストレツチヤーを形成し
た。すなわち実施例３と同じ方法によつて
（YSmLuCa）3（FeGe）5O12膜を用いて素子チツプ
上1.5mm×３mmの領域を選択的にKuを減少させて
第４図に示すようなシエブロンストレツチヤー８
を含むYY―転送ループ１０（略して一本の線で
示してある）を形成した。９はシエブロンストレ
ツチヤー８を部分的に拡大して示したものであ
る。このときストレツチヤーは選択的にKuを減
少させた部分にくるように設計した。このストレ
ツチヤー部分の転送マージンを１Hz50Oeの準静
的回転駆動磁場によつて転送させながら検討し
た。その結果25Oeの転送マージンが得られた。
同じLPE膜同じ転送ループを用いて通常の方法で
形成されたチツプにおいては転送マージンが
20Oeであつたので本発明によつてストレツチヤ
ー特性が改善された。
以上の実施例は3.5μｍバブルで行なわれたが
今後、バブルの高密度化が進行するにともなつて
２μｍ、１μｍバブルになつたときに高ｑ値を保
つためにはKuを大きくしなければならず、した
がつて本発明の有効性は今後ますます増大するこ
とになり、その工業的価値は大きい。
今後、バブルの高密度化が進行するにともなつて
２μｍ、１μｍバブルになつたときに高ｑ値を保
つためにはKuを大きくしなければならず、した
がつて本発明の有効性は今後ますます増大するこ
とになり、その工業的価値は大きい。
第１図はLPE法で育成された（YSmLuCa）3
（FeGe）5O12なるCaGe―系エピタキシヤル膜の一
軸磁気異方性の熱処理による雰囲気依存性を示す
図、第２図はCaGe―系LPE膜のKuを選択的に変
化させるための試料の構成を示す部分断面図、第
３図は本発明の一実施例として用いたニユクリエ
イトジエネレイターを示す平面図、第４図は本発
明の他の実施例として用いたストレツチヤーを示
す平面図である。 １…基板単結晶、２…CaGe―系エピタキシヤ
ル膜、３…部分的被覆膜、４…導体パターン、
５，６…パーマロイパターン、８…ストレツチヤ
ー。
（FeGe）5O12なるCaGe―系エピタキシヤル膜の一
軸磁気異方性の熱処理による雰囲気依存性を示す
図、第２図はCaGe―系LPE膜のKuを選択的に変
化させるための試料の構成を示す部分断面図、第
３図は本発明の一実施例として用いたニユクリエ
イトジエネレイターを示す平面図、第４図は本発
明の他の実施例として用いたストレツチヤーを示
す平面図である。 １…基板単結晶、２…CaGe―系エピタキシヤ
ル膜、３…部分的被覆膜、４…導体パターン、
５，６…パーマロイパターン、８…ストレツチヤ
ー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式がR3Fe5O12（式中Ｒはイツトリウム
および希土類元素よりなる群より選ばれた１種以
上の元素である）で示される磁性ガーネツトの
Feイオンの一部をGeイオン、Siイオンのいずれ
かまた両者で置換し、Ｒイオンの一部をCaイオ
ンで置換した磁性ガーネツトエピタキシヤル膜の
表面の一部を化学的な安定な酸化物または高融点
金属で被い、それを酸素圧をコントロールした雰
囲気中で熱処理することによつて被覆されていな
い部分の磁性ガーネツト膜の一軸磁気異方性エネ
ルギーを変化させることを特徴とする円筒磁区素
子の製造方法。 ２ 一軸磁気異方性エネルギーを変化させる部分
にニユークリエイトジエネレイターを含む特許請
求の範囲第１項に記載の円筒磁区素子の製造方
法。 ３ 一軸磁気異方性エネルギーを変化させる部分
にバブルストレツチヤーを含む特許請求の範囲第
１項に記載の円筒磁区素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8624978A JPS5512790A (en) | 1978-07-14 | 1978-07-14 | Producing method of cylindrical magnetic domain element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8624978A JPS5512790A (en) | 1978-07-14 | 1978-07-14 | Producing method of cylindrical magnetic domain element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5512790A JPS5512790A (en) | 1980-01-29 |
| JPS6212650B2 true JPS6212650B2 (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=13881535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8624978A Granted JPS5512790A (en) | 1978-07-14 | 1978-07-14 | Producing method of cylindrical magnetic domain element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5512790A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715279A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-26 | Nec Corp | Manufacture of contiguous disk bubble element |
| JPS5715280A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-26 | Nec Corp | Manufacture of contiguous disk bubble element |
| JPS58153308A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Nec Corp | 非晶質軟磁性薄膜パタ−ンの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5121158A (en) * | 1974-08-14 | 1976-02-20 | Hitachi Ltd | Rireekairono intaarotsukukairo |
| JPS5251600A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-25 | Agency Of Ind Science & Technol | Garnet film for magnetic bubbles |
-
1978
- 1978-07-14 JP JP8624978A patent/JPS5512790A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5121158A (en) * | 1974-08-14 | 1976-02-20 | Hitachi Ltd | Rireekairono intaarotsukukairo |
| JPS5251600A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-25 | Agency Of Ind Science & Technol | Garnet film for magnetic bubbles |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5512790A (en) | 1980-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Prosen et al. | Rotatable anisotropy in thin permalloy films | |
| Allegranza et al. | Effect of substrate and antiferromagnetic film’s thickness on exchange‐bias field | |
| US5372698A (en) | High magnetic moment thin film head core | |
| US3421933A (en) | Spinel ferrite epitaxial composite | |
| JPS6212650B2 (ja) | ||
| JPS6011450B2 (ja) | 泡磁区素子用ガ−ネツト単結晶膜 | |
| JPS647518Y2 (ja) | ||
| CA1059624A (en) | Characteristic temperature-derived hard bubble suppression | |
| LeCraw et al. | Suppression of hard bubbles in LPE garnet films by inert atmosphere annealing | |
| US4227947A (en) | Method for modifying the easy direction of magnetization of an amorphous magnetic film | |
| US3645788A (en) | Method of forming multiple-layer structures including magnetic domains | |
| Park et al. | Chemical composition, microstructure and magnetic characteristics of yttrium iron garnet (YIG, Ce: YIG) thin films grown by rf magnetron sputter techniques | |
| JPS6347908A (ja) | ニツケルフエライト系スピネル薄膜 | |
| US3837911A (en) | Magnetic devices utilizing garnet epitaxial materials and method of production | |
| US4219610A (en) | Treatment of magnetic garnet film | |
| JP2763920B2 (ja) | ブロッホラインメモリデバイス | |
| SU1647648A1 (ru) | Способ получени магнитооптического носител информации | |
| CA1235825A (en) | Method of making magnetic bubble devices containing bismuth-containing garnet films | |
| JPH0354454B2 (ja) | ||
| JPS55108990A (en) | Production of magnetic bubble material | |
| Gomi et al. | Formation of Bi-substituted Garnet Films with Perpendicular Magnetization by Thermal Decomposition Method | |
| JPH0457637B2 (ja) | ||
| Gyorgy et al. | Local control of uniaxial anisotropy in LPE bubble garnet films | |
| JPS5923506A (ja) | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 | |
| JP3324304B2 (ja) | 静磁波素子用磁性ガーネット単結晶膜の処理方法およびその処理手段を備えた磁性ガーネット単結晶膜の製造装置 |