JP2022515871A - 結晶材料をレーザ・ダメージ領域に沿って切り分けるための担体アシスト法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2019年3月5日に出願された米国特許出願第16/274,045号、2019年2月8日に出願された米国仮特許出願第62/803,333号、および2018年12月29日に出願された米国仮特許出願第62/786,335号に対する優先権を主張し、上記出願の開示の全体がこれにより参照によって本明細書に組み込まれる。
本開示は結晶材料を加工するための方法に関し、より詳細には、表面下レーザ・ダメージのあるブールまたはウエハなどの基板から、結晶材料の比較的薄い層を切り分けるまたは除去するための、担体アシスト法に関する。
マイクロ電子、光電子、およびマイクロ加工の様々な用途において、様々な有用なシステムを製作するための開始構造として結晶材料の薄層が必要とされている。結晶材料の大径の結晶インゴットから薄層(例えば、ウエハ)を切り出すための従来の方法には、ワイヤ・ソーの使用が含まれている。ワイヤ・ソーイング技術は、シリコン、サファイア、および炭化ケイ素などの様々な結晶材料に適用されている。ワイヤ・ソー・ツールは、1つまたは多数のガイド・ローラの溝に通される極細の鋼線(典型的には直径0.2mm以下)を含む。2つのスライシング方法が存在する、すなわち、遊離砥粒スライシングと固定砥粒スライシングである。遊離砥粒スライシングは高速移動中の鋼線にスラリー(典型的には油中に砥粒を懸濁させたもの)を付着させることを含み、ワイヤと被加工物の間で砥粒が転動する結果インゴットが切断される。残念ながらスラリーの環境的影響は無視できない。そのような影響を低減するために、固定砥粒スライシング法としてダイヤモンド砥粒を固定したワイヤを使用する場合があるが、これには水溶性冷却液(スラリーではない)しか必要とされない。高効率の平行スライシングによって、単一のスライシング手順で多数のウエハを生産することが可能になる。図1は、ローラ4A~4Cの間に延び、インゴット2をインゴット2の端面6と略平行な面を各々有する複数の薄い切片(例えば、ウエハ8A~8G)へと同時にソーイングするように配置されている、平行なワイヤ区域3を含む、従来のワイヤ・ソー・ツール1を示す。ソーイング工程中、ローラ4A~4Cによって支持されたワイヤ区域3を、インゴット2の下にあるホルダ7に向かって下向き方向5に押すことができる。端面6がインゴット2の結晶学上のc面と平行であり、ワイヤ区域3がインゴット2を端面6と平行にソーイングした場合、結果的に得られる各ウエハ8A~8Gは、結晶学上のc面と平行な「オンアクシス(on-axis)」端面6’を有することになる。
技法は、基板の表面(例えば、Ge(001))に引っ張りストレッサ層(例えば、ニッケル)を成長させ、基板のエッジ付近にクラックを導入し、クラックを(例えば、テープなどの可撓性のハンドル層を使用して)表面に沿った単一の破砕前縁として機械的に導くことによって機能する(Bedellら、J. Phys. D: Appl. Phys. 46 (2013)を参照)。しかしながら、そのような技法は結果的に、非常に高い応力の適用および除去される層の過剰なボウイングをもたらす場合がある。より大きい結晶からの炭化ケイ素の層の除去を含む別の技法が、Kimら、「4H-SiC wafer slicing by using femtosecond laser double pulses」、Optical Materials Express 2450頁、vol. 7、no. 7(2017年)に記載されている。そのような技法は、レーザ・パルスを炭化ケイ素に衝突させて表面下ダメージを誘起し、続いてロック用治具に結晶を接着し引っ張り力を加えて表面下ダメージ・ゾーンに沿った破砕を生じさせることで、レーザ書き込みトラックを形成することを含む。レーザを使用して材料の特定のエリアを弱化し、続いてこれらのエリア間で破砕を行うことによって、レーザ走査時間が短くなる。しかしながら、上記の破砕技法を、インゴットから薄いウエハを破損させることなく確実に除去するように適用できるか、および/または工業向けの体積にまで拡張できるかには、疑問の余地がある。結晶材料のレーザが誘起した表面下ダメージ・ゾーンに沿って破砕を生じさせるための当技術分野で知られている別の技法には、結晶材料に超音波エネルギーを適用することが含まれるが、超音波破砕は必要なレーザ・ダメージの程度がより高く、薄いウエハに適用すると結果的にウエハ破損率がより高くなる可能性があるため、そのような方法で薄い(例えば、350ミクロン以下の)ウエハを得ることに関する信頼性には、疑問が呈されている。
本開示は、表面に対して非ゼロの深さに表面下レーザ・ダメージのある結晶材料の表面に担体(例えば、剛性担体)を結合し、その後で表面下レーザ・ダメージ領域に沿って結晶材料を破砕することを含む、結晶材料加工方法に関し、様々な態様をとる。そのような破砕によって、担体と基板から除去された結晶材料の一部とを含む、接合された組立体が得られる。この破砕は、担体を覆うように配置される別個の応力生成層を必要とすることなく行われる。インゴットから結晶材料の薄い層を連続的に除去してウエハを形成するために、上記したステップを繰り返すことができる。特定の実施形態では、担体は結晶のような特性を有してもよい。特定の実施形態では、剛性担体を接着剤接合によって結晶材料の表面に結合することができ、剛性担体は800ミクロンよりも大きい厚さを有することができ、剛性担体は、少なくとも20GPa(または本明細書で開示する別の閾値)の弾性率を有し得る。特定の実施形態では、接着材料は、25℃(または本明細書で指定する別の閾値)よりも大きいガラス転移温度Tgを有する。基板から除去された結晶材料の一部はウエハを具現化し得るもので、この部分が接合された組立体の一部である間に更なる加工ステップを受けることのできる状態である。特定の実施形態では、破砕前に基板の両面に第1および第2の剛性担体が接合され得る。特定の実施例では、結晶材料の破砕は、(i)担体の少なくとも一部に曲げモーメントを付与するために、担体の少なくとも1つのエッジに近接して、(例えば、任意選択的に1つまたは複数の箇所に局所化された)機械的な力を適用すること、(ii)担体が結晶材料よりも大きい熱膨張係数を有する場合に、担体を冷却すること、および/または(iii)結晶材料に超音波エネルギーを適用すること、によって促進され得る。
を備える接合された組立体が得られるように、表面下レーザ・ダメージ領域に沿ってまたは近接して結晶材料を破砕することを更に含む。
を含み、機械的な力は、第1の結晶担体の少なくとも一部に曲げモーメントを付与するように構成される。特定の実施形態では、結晶材料は六方晶構造を含み、曲げモーメントは、基板の表面と平行な六方晶構造の<11-20>方向に対する垂直方向から±5度以内に配向される。
ダメージ領域に沿ってまたは近接して結晶材料を破砕するために、剛性担体の少なくとも1つのエッジに近接して機械的な力を適用すること、を更に含む。
いウエハは、第1の表面、第1の表面の反対側の第2の表面、および第1の表面上にまたはこれを覆うように成長させた少なくとも1つのエピタキシャル層を含み、第1の剛性担体と少なくとも1つのエピタキシャル層の間に配置されている接着材料を用いて、少なくとも1つのエピタキシャル層を覆うように第1の剛性担体が一時的に接合される、研削することと、垂直なエッジ・プロファイルの形成後に、厚いウエハ内に表面下レーザ・ダメージ領域を形成するために、厚いウエハの第2の表面を通してレーザ放射を当てることと、を含む、方法、に関する。
ト、7000グリット、8000グリット、10,000グリット、15,000グリット、20,000グリット、25,000グリット、30,000グリットなど)の研削表面を有する、少なくとも1つの研削ホイールを備える。
レーザ・ダメージ領域を形成するように構成されている、レーザ加工ステーションと、レーザ加工ステーションによって加工された結晶材料基板を受けるように配置されており、結晶材料基板から除去された結晶材料部分を形成するために、表面下レーザ・ダメージ領域に沿って結晶材料基板を破砕するように構成されている、破砕ステーションであって、各結晶材料部分は表面ダメージを備える、破砕ステーションと、破砕ステーションの下流に並列に配置されており結晶材料部分から表面ダメージの第1の部位を除去するように構成されている、複数の粗研削ステーションであって、複数の粗研削ステーションのうちの少なくとも第1および第2の粗研削ステーションは、異なる結晶材料部分の表面ダメージの第1の部位を除去するために、同時に操作されるように構成されている、複数の粗研削ステーションと、複数の粗研削ステーションの下流に配置されており、結晶材料部分から表面ダメージの第2の部位を、各結晶材料部分の少なくとも一方の表面を化学機械平坦化による更なる加工に適したものにするのに十分な程度に除去するように構成されている、少なくとも1つの精密研削ステーションと、を備える、材料加工装置、に関する。
破砕されて、担体と基板から除去された結晶材料の一部とを含む接合された組立体が提供される、結晶材料加工方法が提供される。この破砕は、担体を覆うように配置される別個の応力生成層を必要とすることなく行われる。インゴットから結晶材料の薄い層を連続的に除去してウエハを形成するために、上記したステップを繰り返すことができる。特定の実施形態では、担体は結晶材料を含む。特定の実施形態では、剛性担体を接着剤接合によって結晶材料の表面に結合することができ、剛性担体は、少なくとも20GPaの弾性率を有し得る。接着材料は、25℃(または本明細書で指定する別の閾値)よりも大きいガラス転移温度Tgを有し得る。基板から除去された結晶材料の一部はウエハを具現化し得るもので、この部分が接合された組立体の一部である間に更なる加工ステップを受けることのできる状態である。特定の実施形態では、結晶材料の破砕は、(i)担体の少なくとも1つのエッジに近接して(例えば、任意選択的に1つまたは複数の箇所に局所化された)機械的な力を適用して、担体の少なくとも一部に曲げモーメントを付与すること、(ii)担体が結晶材料よりも大きい熱膨張係数を有する場合に担体を冷却すること、および/または(iii)接合された組立体の少なくとも一部に超音波エネルギーを適用すること、によって促進され得る。
c面からの意図的な角度の偏向を有さず、非ドープまたは半絶縁性材料を形成するのに好適である)、または、オフアクシスで(典型的にはc軸などの成長軸から、典型的には0.5から10度までの範囲(または2から6度などのその下位範囲)内の非ゼロの角度で離れていくものであり、これはNドープされたまたは高導電性の材料を形成するのに好適であり得る)、行うことができる。本明細書で開示する実施形態は、オンアクシスおよびオフアクシスの結晶材料、ならびに、ドープされたおよび意図せずドープされた結晶材料に適用可能である。本明細書で開示する特定の実施形態は、オンアクシス4H-SiC、あるいは、1から10度までのもしくは2から6度までの範囲内のまたは約4度のオフカットを有する微斜面(オフアクシス)4H-SiCを利用できる。
本明細書で開示するような、表面下レーザ・ダメージ領域に沿って結晶材料を切り分けるための様々な担体アシスト法で使用される担体が企図される。本明細書に開示する結晶材料を切り分ける(すなわち、破砕する)ための様々な方法を考慮すると、望ましい担体特性は具体的な破砕方法によって異なり得る。
い(すなわち、高弾性率の)担体が表面下レーザ・ダメージ領域に沿って破砕されるべき結晶材料に接合されていると、この担体によって、再現性の高い結晶材料分離結果が得られると同時に、ウエハのボウイングおよび/または破損を低減できると考えられている。分離(例えば、機械的な、CTE不整合の、および/または超音波の手段による)に必要な機械的側面に加えて、担体は、分離中および分離後の機械的支持も提供する。このことは分離後の加工に有用であるが、その理由は、分離された結晶材料を、剛性担体に取り付けられこれによって支持されたままである間に、研削、研磨、等することができるからである。このことにより、1つまたは複数の分離後の加工ステップを行うために、破砕後にウエハを剛性担体に接合する必要性が回避される。
フラットを含み、剛性担体のエッジ(または少なくとも1つのエッジ)の少なくとも一部は、ノッチまたはフラットを越えて横方向に延在する。
特定の実施形態では、第1の熱膨張係数すなわちCTE1を有する剛性担体が、第2の熱膨張係数すなわちCTE2を有する、表面下レーザ・ダメージのある結晶材料の表面に接合または結合され、このとき所望の温度において(例えば、25℃において)または所望の温度範囲にわたって)、CTE1>CTE2である。その後、少なくとも担体は冷却され、これにより、担体のサイズがCTE差に起因して結晶材料よりも迅速に収縮する。そのような差のある収縮によって、担体および結晶材料に応力(例えば、せん断応力)が生じ、そのような応力によって、表面下レーザ・ダメージ領域に沿った結晶材料の破砕が引き起こされる。発明者らはSiC基板とサファイア担体の組合せを幅広く試験したが、本開示の利益のある他のCTE不整合のある材料の組合せを、当業者は容易に判断し得る。
はニッケル含有金属(担体として使用可能)とSiC(結晶材料として使用可能)の間のCTE不整合率は少なくとも5以上であり得、ポリマーとSiCの間のCTE不整合率は10から100またはそれ以上のオーダーであり得る。
表面下ダメージに沿って破砕を促進する目的で、表面下ダメージのある結晶材料の表面に剛性担体を接合または結合するために、様々な方法を使用できる。1つの方法は接着剤接合を含み、これには、剛性担体の近位の表面に接着材料を適用すること、接着剤を表面下レーザ・ダメージのある結晶材料の表面と密着させること、および(例えば、担体/接着剤/結晶材料の積層体を高温および高圧に曝すことによって)接着剤を硬化させることが含まれ得る。
れた結晶材料部分の間のCTE不整合によって分離を達成するのに必要な温度差を小さくするために、この残留応力が望ましい場合がある。
は「EXP((Durometer+50)*0.0235-0.6403)」であり、この式でDurometerはショアDデュロメータ値を指す。第4の接着材料(Crystalbond(商標)509)のショアDデュロメータ値73.2は、丈夫なトラック用タイヤ(ショアD値は約50)および高密度ポリエチレン製ヘルメット(ショアD値は約75)のショアDデュロメータ値の間にある。また、第4の接着材料のショアDデュロメータ値は、測定したワックス(すなわち、日化精工株式会社から市販されているSHIFTWAX7607、および、Galaxy Technologiesから市販されているGalaxy Waxのそれぞれ)のショアDデュロメータ値50.51および54.25よりも顕著に高いが、これらのワックスは、出願人が試験し、本明細書に記載する熱誘起の自然発生的な分離方法および機械的に誘起される分離方法を使用して表面下ダメージ領域に沿って結晶材料の破砕を誘起するには、適していないと判断されたものである。ワックス材料は、ワックス材料がワックス自体の中で分離するのが観察され、破砕を誘起するには凝集力が不十分であると判断された。このことは、ワックスが有する分子間引力(ロンドン力)は非常に弱いため、他の分子をそれほど強くは捉えないことを示唆するオンラインの記載と一致する。
多成分接合剤(例えば、二成分エポキシ)が使用され得る。
度まで加熱して、接着材料を軟化および/または流動させることが含まれ、結晶材料の一部には外部せん断応力をかけて、その部分を剛性担体から横方向にスライドさせることができる。特定の実施形態では、接着剤はUV吸収材料を含有してもよく、この場合、結晶材料部分の除去を可能にするべく結晶材料部分と担体の間の接着剤の(例えば、加熱による)分解を引き起こすために、切り分け後の接着剤へのUV放射の照射が使用され得る。接着剤の化学的除去には、接着力を低下させるおよび/または接着材料を分解するのに十分な、任意の好適な化学薬品が利用され得る。化学的な接合解除を使用する場合には、化学物質が接着材料に接触できるように、担体に1つまたは複数のアクセス開口部(例えば、穿孔)を設けることができる。
当技術分野では結晶材料にレーザ表面下ダメージを形成するためのツールが知られており、株式会社ディスコ(東京、日本)などの様々な供給者から市販されている。そのようなツールによって、結晶材料基板の内部にレーザ放射を集束することができ、基板に対するレーザの横方向移動が可能になる。典型的なレーザ・ダメージ・パターンは、結晶材料基板内のある深さで互いに対して横方向に離間されている平行線の形成を含む。レーザ・ダメージを付与するために集束深さ、レーザ出力、並進速度、および表面下ダメージ線間隔などのパラメータを調節することができるが、特定の因子の調節にはトレードオフが伴う。レーザ出力を上げるとより大きい表面下ダメージが付与される傾向があり、このことは(例えば、破砕を完了するために必要な応力を小さくすることによって)破砕の容易さを向上させ得るが、より大きい表面下ダメージによって、破砕によって露出した表面に沿った表面不規則性が大きくなり、この結果、そのような表面を次の加工のために(例えば、電子デバイスに組み込むために)十分に平滑にするためには、追加の加工が必要になる場合がある。表面下レーザ・ダメージ線間の横方向間隔を小さくすることによって破砕の容易さを向上させることもできるが、レーザ・ダメージ線間の間隔が小さくなることによって基板とレーザの間の並進経路の数が増え、このことによりツールのスループットが低下する。
材料がツール部分に対して移動される。図8Aは、第1の結晶材料50A内に横方向に離間した平行線のパターンの表面下ダメージを形成するのに適した、y方向の直線的な走査の動き52を示す。図8Bは、第2の結晶材料50B内での、横方向に離間した平行線の第1のグループが横方向に離間した平行線の第2のグループと交差するパターンとなる表面下ダメージの形成に適した、y方向の直線的な走査の動き52およびx方向の直線的な走査の動き54を示す。図8Cは、第3の結晶材料50C内での、同心円のパターンとなる表面下ダメージの形成に適した円形の動き56を示す。図8Dは、結晶材料50Dにわたって分配された平行な表面下レーザ・ダメージ線を形成するのに十分な、結晶材料50Dの表面全体にわたる(およびそれを越える)y方向の直線的な走査の動き56を示し、これらのダメージ線は結晶材料50Dの六方晶構造の[11-20]方向に対して垂直である。所望であれば、他の表面下ダメージ・パターン(例えば、渦巻状、ハチの巣状、矢筈模様、等)を形成してもよい。
冷却液)または状態に曝すことで少なくとも剛性担体72(または担体および基板60)を冷却することによって、開始され得る。
図10A~図10Fは、結晶材料に結合されたCTE不整合のある剛性担体を利用する、本開示の一実施形態に係る半導体加工方法のステップを示す。図10Aは、剛性担体72の第1の表面73に結合された接着材料68の層を有する、および第1の表面73の反対側の第2の表面74を有する、剛性担体72の、側方概略断面図である。第1の表面73へのより良好な接着を促進するために、かかる表面を接着材料68の適用前に(例えば、反応性イオンエッチングによって)エッチングしてもよい。接着材料68は、スピン・コーティング、吹き付け、ディッピング、ローリング、または類似のものなど、任意の好適な方法によって適用することができる。
℃超では流動性が維持される)を使用して維持され得る。担体、接着剤、および基板を-20℃に維持された冷凍庫内で冷却することによっても好ましい分離結果が得られたが、この場合、そのような温度は単相気化冷却システムを使用して維持され得る。液体窒素ではなく単相気化冷却システムまたは二相ポンプ式気化冷却システムを使用できることによって、運用コストが大きく低減される。
たは液体窒素)の槽79内に配置されている冷却したチャック76Aの形態の冷却装置上にある、図10Cに係る組立体の概略断面図である。接着材料68が、剛性担体72と表面下レーザ・ダメージ領域66のある結晶材料基板60との間に配置されており、表面下レーザ・ダメージ領域66は基板60の反対側の第2の表面64よりも第1の表面62の近くにあり、第1の表面62は接着材料68に接触している。剛性担体72は、接着材料68に接触している第1の表面73と、冷却したチャック76Aの支持表面78Aと接触するように配置されている反対側の第2の表面74と、を含む。冷却したチャック76Aは、剛性担体72の直径よりも小さい直径を有する。冷却したチャック76Aは、冷却したチャック76Aの温度を冷媒温度までまたはその付近まで下げるのに十分な冷媒槽(例えば、液体窒素槽)内に配置されている。特定の実施形態では、冷却したチャック76Aおよび冷媒槽79は閉鎖可能な絶縁容器(図示せず)内に配置されてもよく、単一の結晶材料基板60を表面下レーザ・ダメージ領域66に沿って迅速に破砕するために、この容器を選択的に開いて、取り付けられた接着材料68と表面下レーザ・ダメージ66のある結晶材料基板60とを有する剛性担体72を、冷却したチャック76Aと接触させて設置できるようにしてもよい。
既に指摘したように、剛性担体は望ましくは、本明細書に開示するような方法と一緒に使用されるとき、そこに接合された基板の対応する寸法と少なくとも同じ大きさの、またはそれを上回る横方向の寸法(例えば、直径、または長さおよび幅)を有し得る。図13A~図13Eは、結晶材料の基板に各々結合された様々な形状の担体を含む、接合された組立体の上面図であり、図13Fおよび図13Gは、それぞれ図13Dおよび図13Eの、接合された組立体の側方断面図を提供する。図13Aは、フラット114とフラット114の反対側の丸味のある部分116とを有する略円形の基板112を含む、第1の接合された組立体110を示し、基板112は、基板112と実質的に同心である正方形形状の担体118に接合されている。図13Bは、フラット124とフラット124の反対側の丸味のある部分126とを有する略円形の基板122を含む、第2の接合された組立体120を示し、基板122は、基板122と実質的に同心である丸形の担体128に接合されている。基板122の直径を局所的に小さくするフラット124の存在に起因して、フラット124に近接して担体128のより大きい境界部分129が提供される。図13Cは、フラット134とフラット134の反対側の丸味のある部分136とを有する略円形の基板132を含む、第3の接合された組立体130を示し、基板132は、基板132と非同心である丸形の担体138に接合されており、基板132の丸味のある部分136は、基板132の残りの部分よりも担体138のエッジに実質的により近くなっている
。フラット134は存在しない場合であっても、丸味のある部分136の反対側には担体138のより大きい境界部分139が存在することになるが、フラット134が存在する場合、担体138の境界部分139は、図13Bに示す境界部分129よりも更に大きくなる。図13Cに示すように、ある領域に局所的に大きくなった境界部が、および反対側のある領域に局所的に小さくなった境界部が存在することは、特定の実施形態において、担体138に接合された基板132の機械的な破砕を可能にするために有利な場合があり、このとき、局所的に大きくなった境界部はこじりツール(図示せず)の存在を受け入れ、局所的に小さくなった境界部は、(分離装置の幾何形状によって決まる)上側基板の傾斜の動きにさもなければ抵抗する可能性のある張り出しを限定する。
剛性担体に接合された結晶材料のレーザが誘起した表面下ダメージ・ゾーンに沿って破砕を生じさせるための別の方法は、接合された状態にある間に結晶材料に超音波エネルギ
ーを適用することを含む。図14は、介在する接着材料68Aを使用して剛性担体72Aに接合された表面下レーザ・ダメージ66A’のある結晶材料60Aを含む、組立体58Aの概略断面図であり、組立体58Aは超音波発生器装置160の液槽165内に配置されている。装置は、超音波生成要素164と接触させて配置されている容器162を更に含み、容器162は液槽165を収容している。剛性担体72Aの存在によって、特に分離前に残留応力が(例えば、CTE不整合に起因して)剛性担体72Aと結晶材料60Aの間に留まる場合に、超音波エネルギーを受けたときの結晶材料60Aの破損を低減または排除できる。そのような残留応力によって、結晶材料の破砕を開始するために必要な超音波エネルギーの量を低減させることができ、このことにより、材料破損の可能性が低減される。この点に関して、2つ以上の破砕技法を組み合わせること(例えば、CTE不整合および超音波誘起の破砕、またはCTE不整合および機械的作用誘起の破砕、または超音波誘起および機械的作用誘起の破砕)が特に企図されることが留意される。特定の実施形態では、超音波エネルギーの適用前または適用中に、超音波槽の液体を冷却することができる。
特定の実施形態では、剛性担体に接合された結晶材料の破砕は、担体の少なくとも1つのエッジに近接した、(例えば、任意選択的に1つまたは複数の箇所に局所化された)機械的な力の適用、によって促進され得る。そのような力は、担体の少なくともの一部に曲げモーメントを付与することができ、そのような曲げモーメントは破砕を開始するために表面下レーザ・ダメージ領域に伝達される。
の配向は、基板142がオンアクシス材料を含む場合にはそれほど重要ではなくなる場合がある。図15Cは、表面下レーザ・ダメージ領域143に沿った結晶材料基板142の最初の破砕後の状態を示し、この場合、結晶材料の上側部分142Aは上側担体148に接合されたままであり、結晶材料の下側部分142Bは下側担体148’に接合されたままであり、上側担体148は下側担体148’に対して上向きに傾斜している。図15Dは、破砕が完了しツール166が取り除かれた後の状態を示し、そのような破砕によって、第2の接合された組立体168B(下側担体148’と結晶材料の下側部分142Bとを含む)から分離された、第1の接合された組立体168A(上側担体148と結晶材料の上側部分142Aとを含む)が得られる。
剛性担体への接合前に結晶材料基板にレーザ表面下ダメージを形成することは本明細書で既に記載したが、特定の実施形態では、所望の波長のレーザ放射に対して透過性の剛性担体が、表面下レーザ・ダメージ形成前の結晶材料基板に接合される場合がある。そのような実施形態では、レーザ放射は、剛性担体を通して結晶材料基板の内部へと伝達され得る。異なる担体-基板表面下レーザ形成構成を、図17A~図17Cに示す。図17Aは、基板182内に表面下レーザ・ダメージ183を形成するべくベア基板182の表面を通って集束されている、レーザ放射181の概略図であり、基板182には表面下レーザ・ダメージの形成後に剛性担体が付着され得る。図17Bは、基板182内に表面下レー
ザ・ダメージ183を形成するべく基板182の表面を通って集束されている、レーザ放射181の概略図であり、基板182は事前に接着材料184を使用して剛性担体186に接合されている。図17Cは、剛性担体186に事前に接合された基板182内に表面下レーザ・ダメージ183を形成するべく剛性担体186および接着剤184を通して集束されている、レーザ放射181の概略図である。特定の実施形態では、担体186から遠位の基板182の表面は、1つまたは複数のエピタキシャル層および/または金属化層を含むことができ、基板182は表面下レーザ・ダメージ183の形成前の動作可能な電気デバイスを具現化している。図17Dは、剛性担体186に(例えば、陽極接合または他の接着剤不使用の手段を介して)事前に接合された基板182内に表面下レーザ・ダメージ183を形成するべく、剛性担体186を通して(介在する接着剤層を有さない)基板182内へと集束されている、レーザ放射181の概略図である。
特定の実施形態では、結晶材料に動作可能な半導体ベースのデバイスの一部として少なくとも1つのエピタキシャル層(および任意選択的に少なくとも1つの金属層)を形成した後で、その結晶材料にレーザ・アシストおよび担体アシストの分離方法を適用することができる。そのようなデバイス・ウエハ分割工程は、デバイス形成後に基板材料を研削して除去する必要性を大きく低減することによって、結晶材料の歩止まりを高める(および廃棄を減らす)ことができるため、特に有利である。
。
準備するべく第2の担体210を除去した後の、第2の薄いウエハ部分192B。
図19は、本開示に係る方法のステップを概略的に説明するフローチャートである。左上から始めて、レーザ216は、厚い結晶材料基板220(例えば、SiCインゴット)の第1の表面222よりも下にレーザ放射を集束させて、表面下レーザ・ダメージ領域218を作り出すことができる。基板220がSiC材料である場合には、レーザ放射はSiC基板220のC終端面に当てられる。その後、担体ウエハ224を結晶材料基板220の第1の表面222に接合することができ、担体ウエハ224は、(基板220の第1の表面222から近位の)第1の表面226と、担体ウエハ224の第1の表面226の反対側の第2の表面228と、を含む。担体ウエハ224と結晶材料基板220の間のそのような接合は、接着剤接合または陽極接合などの、本明細書で開示するいずれかの方法によって実行され得る。その後、本明細書で開示する破砕工程(例えば、CTE不整合の担体の冷却、超音波エネルギーの適用、および/または機械的な力の適用)が、表面下レーザ・ダメージ領域218に沿って結晶材料220の破砕に適用されて、担体ウエハ224に固着された結晶材料部分230を結晶材料基板220Aの残りの部分から分離させる。残留レーザ・ダメージを有する結晶材料基板220Aの残りの部分の新たに露出した表面232Aは、平滑に研削され、洗浄され、工程の始め(図19における左上)に戻される。また、除去した結晶材料230の新たに露出した表面234は、担体224に取り付けられたまま平滑に研削される。その後、担体ウエハ224を結晶材料230の除去した部分から分離することができ、結晶材料230に1つまたは複数の層のエピタキシャル成長を行ってエピタキシャル・デバイス230’を形成することができ、一方で担体ウエハ224は洗浄されて、結晶材料基板220の別の比較的薄い切片の除去を行わせるために、(図19の左上の)工程の始めに戻される。
特定の実施形態では、レーザ加工および破砕を受ける結晶材料を、表面下ダメージを除去するための複数の表面研削ステップ、および、面取りされたまたは丸められたエッジ・プロファイルを付与するためのエッジ研削で、更に加工することができ、この場合、追加の表面ダメージを付与する可能性を低くするように、および、結晶材料ウエハを化学機械平坦化に向けて準備するように、研削ステップの順序が選択される、および/または、保護表面コーティングが採用される。そのようなステップは、例えば、本明細書で開示する実施形態に係る材料加工装置を使用して実行することができ、この場合、例示の装置は、レーザ加工ステーションと、破砕ステーションと、破砕ステーションの下流に並列に配置された複数の粗研削ステーションと、粗研削ステーションの下流に配置された少なくとも1つの精密研削ステーションと、を含む。ワイヤ・ソーイングで切断したウエハを加工するときは、ワイヤ・ソーイングの表面ダメージを除去するために、表面の研削または研磨の前にエッジ研削を実行するのが一般的である。しかしながら、レーザ・ダメージを有す
る基板部分(例えば、ウエハ)のエッジ研削を破砕ダメージと組み合わせると、基板部分にクラックが発生する可能性が高まることが、発明者らによって見出されている。この現象の理由に関する何らかの特定の理論に縛られることを望むものではないが、少なくとも何らかの表面加工(研削および/または研磨)の前にエッジ研削が行われる場合、表面破砕の結果生じる露出した劈開面によって、表面はクラックを生じ易くなると考えられている。この理由により、エッジ研削の前に少なくともある程度の表面加工(例えば、研削および/または研磨)を実行するのが有益であることが見出されている。
る役割を果たす。担体除去ステーション313の下流には、基板部分を洗浄およびエピタキシャル成長などの更なる処理に向けて準備するための、化学機械平坦化(CMP)ステーション314が配置されている。CMPステーション314は精密研削後に残るダメージを除去するように機能するが、精密研削自体は粗研削後に残るダメージを除去するものである。特定の実施形態では、各粗研削ステーション308A、308Bは、5000グリット未満の研削表面を有する少なくとも1つの研削ホイールを備え、精密研削ステーション312は、少なくとも5000グリットの研削表面を有する少なくとも1つの研削ホイールを備える。特定の実施形態では、各粗研削ステーション308A、308Bは、結晶材料部分(例えば、ウエハ)から20ミクロンから100ミクロンの厚さの結晶材料を除去するように構成されており、精密研削ステーション312は、3から15ミクロンの厚さの結晶材料を除去するように構成されている。特定の実施形態では、各粗研削ステーション308A、308Bおよび/または精密研削ステーション312は複数の研削サブステーションを含むことができ、異なるサブステーションは異なるグリットの研削ホイールを備える。
28Bにおいて具現化することができ、エッジ研削はエッジ研削ステーション332によって実行することができ、第2の研削装置は精密研削ステーション312において具現化され得る。特定の実施形態では、少なくとも1つの第1の研削装置を用いた第1の表面の研削の後で、および、面取りされたまたは丸められたエッジ・プロファイルを形成するためにエッジをエッジ研削する前に、担体除去ステップを実行することができる。
開始材料として厚さ640μm、直径150mmの単結晶SiC基板を使用した。厚さ10μmのSiCエピタキシャル層をSiC基板の第1の面上で成長させて、650μmのSiC構造を得た。レーザ放射をSiC表面から240μmの深さに集束させて、その深さに複数の実質的に平行な表面下レーザ・ダメージ線を作り出した。WaferBOND(登録商標)HT-10.10熱可塑性接着剤(Brewer Science, Inc.、 Rolla、ミズーリ州、USA)を使用して、SiC基板の反対側の第2の面に単結晶サファイア担体を接着し、熱圧縮工程(1800Nの力の適用および180℃の維持を含む)を適用して、接着剤硬化を完了させた。液体窒素で冷却して-70℃に維持した真空チャックにサファイア担体を接触させて、熱誘起の破砕を行った。破砕によって、SiCの厚さ410μmの部分から分離した、サファイア担体に固着されたSiCの厚さ240μmの部分(接合された組立体を形成する)を得た。ラッピングおよびCMPによって、SiCの厚さ410μmの部分上の残留レーザ・ダメージを除去して、エピタキシの準備のできた厚さ350μmのSiCウエハを得た。これとは別に、厚さ240μmのSiCを含む接合された組立体にもラッピングおよびCMPを行い、このSiCを180μmの厚さまで小さくした。その後接合された組立体に担体除去を行ったが、これには、熱的スライド・オフの工程に従い、担体を加熱した真空チャックに接触させて接着剤を軟化させ、その間にSiCに横方向の力を加えることが含まれている。得られた厚さ180μmのSiCウエハはこの時点でSiCエピタキシャル層を有しており、MOSFETの製作に好適である。この工程の結果、開始材料として使用される640ミクロン厚さのSiC基板から、エピタキシの準備のできた厚さ350μmのSiCウエハと、この時点で表面にSiCエピタキシャル層を有している厚さ180μmのSiCウエハと、が形成される。
開始材料として厚さ570μm、直径150mmの単結晶SiC基板を使用した。厚さ2μmのSiCエピタキシャル層をSiC基板の第1の面上で成長させて、572μmのSiC構造を得た。レーザ放射をSiC表面から160μmの深さに集束させて、その深さに複数の実質的に平行な表面下レーザ・ダメージ線を作り出した。実施例1と同じ接着工程を使用して、単結晶サファイア担体をSiC基板の反対側の第2の面に接着した。液体窒素で冷却して-70℃に維持した真空チャックにサファイア担体を接触させて、熱誘起の破砕を行った。破砕によって、SiCの厚さ412μmの部分から分離した、サファイア担体に固着されたSiCの厚さ160μmの部分(接合された組立体を形成する)を得た。ラッピングおよびCMPによって、SiCの厚さ412μmの部分上の残留レーザ・ダメージを除去して、エピタキシの準備のできた厚さ350μmのSiCウエハを得た。これとは別に、厚さ160μmのSiCを含む接合された組立体にもラッピングおよびCMPを行い、このSiCを100μmの厚さまで小さくした。その後接合された組立体に担体除去を行ったが、これには、熱的スライド・オフの工程に従い、担体を加熱した真空チャックに接触させて接着剤を軟化させ、その間にSiCに横方向の力を加えることが含まれている。得られた厚さ100μmのSiCウエハはこの時点でSiCエピタキシャル層を有しており、RFデバイスの製作に好適である。この工程の結果、開始材料として使用される570ミクロン厚さのSiC基板から、エピタキシの準備のできた厚さ350μmのSiCウエハと、この時点で表面にSiCエピタキシャル層を有している厚さ100μmのSiCウエハと、が形成される。
355ミクロンの厚さを有するSiCウエハを生産するための開始材料として、10mm超の厚さを有する直径150mmの単結晶SiC基板(インゴット)が使用される。表
面下レーザ・ダメージを形成するために、SiC基板のC終端上面を通してレーザ放射が当てられる。本明細書で開示する熱可塑性接着材料を使用してSiC基板の上面にサファイア担体が接合され、インゴットの残りの部分からSiCの上側(ウエハ)部分を分離するために、熱誘起の破砕が実行される。分離されたウエハ部分のSi終端面およびインゴットの残りの部分のC終端面はいずれも、目に見える全てのレーザおよび破砕のダメージを除去するために、2000グリット研削ホイール(例えば、金属、ガラス質、または樹脂結合型研削ホイール)を使用して粗研削される。その後、分離されたウエハ部分のSi終端面およびインゴットの残りの部分のC終端面はいずれも、好ましくは4nm未満の平均粗さ(Ra)、より好ましくは1~2nmRaの範囲内のより平滑な表面が得られるように、(例えば、ガラス質研削表面を使用して)7000以上のグリット(例えば、30,000グリット以上まで)で精密研削される。インゴット残りの部分には、次のレーザ加工へのどのような影響も回避するために、平滑な表面が要求される。ウエハはCMPの準備ができているものとし、必要なCMP除去量を最小限にするのに十分な平滑さのものとするが、その理由は、CMPが一般によりコストの高い工程だからである。粗研削による全ての残留表面下ダメージおよびあらゆる残りのレーザ・ダメージ(裸眼で可視のものおよび不可視のものの両方)を除去するための、精密研削加工中の典型的な材料除去は、5から10ミクロンの厚さ範囲内であり得る。その後、インゴットの残りの部分は更なる処理のためにレーザに戻され、ウエハはエッジ研削され、エピタキシャル成長に向けた準備を行うために化学機械平坦化(CMP)を施される。精密研削されたSi面に掻き傷を付けるリスクを全て回避するために、粗表面研削と精密表面研削の間でエッジ研削を行うことができる。CMP中の材料除去は約2ミクロンの厚さ範囲内であり得る。基板(インゴット)から消費される全材料は475ミクロン未満であり得る。最終ウエハ厚さが355ミクロンである場合、カーフ・ロスは120ミクロン未満である。
Claims (88)
- 介在する接着材料を用いて結晶材料の第1の表面に剛性担体を一時的に接合することであって、前記結晶材料は、前記第1の表面に対するある深さに表面下レーザ・ダメージ領域のある基板を備え、前記接着材料は25℃よりも大きいガラス転移温度Tgを有する、一時的に接合することと、
前記剛性担体、前記接着材料、および前記基板から除去された前記結晶材料の部分を備える接合された組立体が得られるように、前記表面下レーザ・ダメージ領域に沿ってまたは近接して前記結晶材料を破砕することと、
を含む、結晶材料加工方法。 - 前記剛性担体は800ミクロンよりも大きい厚さを有し、
前記剛性担体は少なくとも20GPaの弾性率を有し、
前記接合された組立体において、前記基板から除去された前記結晶材料の前記部分は少なくとも160μmの厚さを備える、
請求項1に記載の結晶材料加工方法。 - 前記接着材料は熱可塑性材料を含む、請求項1または2に記載の結晶材料加工方法。
- 前記接着材料は少なくとも35℃のガラス転移温度Tgを有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記接着材料は、前記接着材料が25℃であるときに少なくとも約70のショアDデュロメータ値を有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記接着材料は約50ミクロン未満の厚さを有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記剛性担体は第1の面と前記第1の面の反対側の第2の面とを備え、
前記接着材料は前記第1の面と接触させて配置されており、
前記第2の面は接着材料を全く含まずかつ応力生成材料を全く含まない、
請求項1から6のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。 - 前記剛性担体は結晶材料を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 25℃において前記剛性担体の熱膨張係数(CTE)は前記基板のCTEよりも大きく、前記破砕は、前記表面下レーザ・ダメージ領域に沿ったまたは近接した前記結晶材料の破砕を促進するために少なくとも前記剛性担体を冷却することを含む
請求項1から8のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。 - 前記破砕は、前記剛性担体または前記基板のうちの少なくとも一方に超音波エネルギーを適用することを含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記剛性担体の少なくとも一部の最大長さまたは最大幅のうちの少なくとも一方は、前記基板の対応する最大長さまたは最大幅を上回っており、前記破砕は前記剛性担体の少なくとも1つのエッジに近接して機械的な力を適用することを含み、前記機械的な力は前記剛性担体の少なくとも一部に曲げモーメントを付与するように構成されている、請求項1から8のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記結晶材料の前記部分が前記接合された組立体の一部のままである間に、前記結晶材料の前記部分に対して少なくとも1つの追加の加工ステップを実行することを更に含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記破砕の前に、前記第1の表面の反対側の前記結晶材料の第2の表面に追加の剛性担体を接合することを更に含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記結晶材料はSiCを含む、請求項1から13のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記接着材料を用いた結晶材料の前記第1の表面への前記剛性担体の前記一時的な接合の前に、(i)前記結晶材料の前記第1の表面、または(ii)前記剛性担体の隣接する表面のうちの少なくとも一方を、粗化、テクスチャ化、および/またはエッチングすることを更に含む、請求項1から14のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記基板から除去された前記結晶材料の前記部分は、少なくとも1つのエピタキシャル層をその上に成長させるように構成されている自立できるウエハを備える、請求項1から15のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記基板から除去された前記結晶材料の前記部分は、その上に成長させた少なくとも1つのエピタキシャル層を含むデバイス・ウエハを備える、請求項1から15のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 結晶材料の第1の表面に第1の結晶担体を接合することであって、前記結晶材料は、第1の表面に対するある深さに表面下レーザ・ダメージ領域のある基板を備える、接合することと、
前記結晶材料の第2の表面に第2の結晶担体を接合することと、
前記接合するステップの後で、前記第1の結晶担体と前記基板から除去された前記結晶材料の部分とを備える接合された組立体が得られるように、前記表面下レーザ・ダメージ領域に沿ってまたは近接して前記結晶材料を破砕することと、
を含む、結晶材料加工方法。 - 前記第1の結晶担体を前記結晶材料の前記第1の表面に前記接合すること、または前記第2の結晶担体を前記結晶材料の前記第2の表面に前記接合することのうちの、少なくとも一方は、陽極接合を含む、請求項18に記載の結晶材料加工方法。
- 前記第1の結晶担体を前記結晶材料の前記第1の表面に前記接合すること、または前記第2の結晶担体を前記結晶材料の前記第2の表面に前記接合することのうちの、少なくとも一方は、接着材料を利用する接着剤接合を含む、請求項18に記載の結晶材料加工方法。
- 前記第1の結晶担体は第1の面と前記第1の面の反対側の第2の面とを備え、
前記接着材料は前記第1の面と接触させて配置されており、
前記第2の面は接着材料を全く含まずかつ応力生成材料を全く含まない、
請求項20に記載の結晶材料加工方法。 - 前記接着材料は、以下の特性(a)から(c):(a)前記接着材料が熱可塑性材料を含む、(b)前記接着材料が、前記接着材料が25℃であるときに少なくとも約70のショアDデュロメータ値を有する、または(c)前記接着材料が、前記接着材料が25℃で
あるときに少なくとも約7MPaの弾性率を有する、のうちの少なくとも1つを含む、請求項20に記載の結晶材料加工方法。 - 結晶材料の第1の表面に剛性担体を接合することであって、前記結晶材料は、前記第1の表面に対するある深さに表面下レーザ・ダメージ領域のある基板を備え、前記剛性担体は850ミクロンよりも大きい厚さを備え、前記剛性担体は、以下の特徴(i)または(ii):前記担体が結晶担体を含む、または(ii)前記担体が少なくとも20GPaの弾性率を有する、のうちの少なくとも一方を備える、接合することと、
前記剛性担体および前記基板から除去された前記結晶材料の部分を備える接合された組立体が得られるように、前記表面下レーザ・ダメージ領域に沿ってまたは近接して前記結晶材料を破砕することと、
を含む、結晶材料加工方法。 - 前記剛性担体は結晶担体を含む、請求項23に記載の結晶材料加工方法。
- 前記剛性担体を前記結晶材料に前記接合することは、前記剛性担体と前記結晶材料の間に配置されている接着材料を利用する接着剤接合を含む、請求項23または24に記載の結晶材料加工方法。
- 前記接着材料は、以下の特性(a)から(d):(a)前記接着材料が25℃よりも大きいガラス転移温度Tgを有する、(b)前記接着材料が前記接着材料が25℃であるときに少なくとも約70のショアDデュロメータ値を有する、(c)前記接着材料が前記接着材料が25℃であるときに少なくとも約7MPaの弾性率を有する、または(d)前記接着材料が熱可塑性材料を含む、のうちの少なくとも1つを含む、請求項25に記載の結晶材料加工方法。
- 前記結晶材料の前記部分が前記接合された組立体の一部のままである間に、前記結晶材料の前記部分に対して少なくとも1つの追加の加工ステップを実行することを更に含む、請求項23から26のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記破砕の前に、前記第1の表面の反対側の前記結晶材料の第2の表面に追加の剛性担体を接合することを更に含む、請求項23から26のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 結晶材料の第1の表面に第1の結晶担体を接合することであって、前記結晶材料は、第1の表面に対するある深さに表面下レーザ・ダメージ領域のある基板を備える、接合することと、
前記結晶材料の第2の表面に第2の結晶担体を接合することと、
前記接合するステップの後で、前記第1の結晶担体および前記基板から除去された前記結晶材料の部分を備える接合された組立体が得られるように、前記表面下レーザ・ダメージ領域に沿ってまたは近接して前記結晶材料を破砕することと、
を含む、結晶材料加工方法。 - 前記第1の結晶担体または前記第2の結晶担体のうちの少なくとも一方は、少なくとも100GPaの弾性率を備える、請求項29に記載の結晶材料加工方法。
- 前記第1の結晶担体または前記第2の結晶担体のうちの少なくとも一方は、800ミクロンよりも大きい厚さを備える、請求項29または30に記載の結晶材料加工方法。
- 25℃において前記第1の結晶担体の熱膨張係数(CTE)は前記基板のCTEよりも
大きく、
前記破砕は、前記表面下レーザ・ダメージ領域に沿ったまたは近接した前記結晶材料の破砕を促進するために少なくとも前記第1の結晶担体を冷却することを含む、
請求項29から31のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。 - 前記破砕は、前記第1の結晶担体または前記基板のうちの少なくとも一方に超音波エネルギーを適用することを含む、請求項29から32のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記第1の結晶担体の少なくとも一部の最大長さまたは最大幅のうちの少なくとも一方は、前記基板の対応する最大長さまたは最大幅を上回っている、請求項29から33のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記基板は前記基板の少なくとも1つのエッジに沿ってノッチまたはフラットを備え、前記第1の結晶担体の少なくとも1つのエッジの少なくとも一部は前記ノッチまたはフラットを越えて横方向に延在する、請求項34に記載の結晶材料加工方法。
- 前記破砕は、前記第1の結晶担体の少なくとも1つのエッジに近接して機械的な力を適用することを含み、前記機械的な力は前記第1の結晶担体の少なくとも一部に曲げモーメントを付与するように構成されている、請求項34または35に記載の結晶材料加工方法。
- 前記結晶材料は六方晶構造を含み、
前記曲げモーメントは、前記六方晶構造の<11-20>方向に対する垂直方向から±5度以内に配向される、
請求項36に記載の結晶材料加工方法。 - 前記第1の結晶担体を前記結晶材料の前記第1の表面に前記接合すること、または前記第2の結晶担体を前記結晶材料の前記第2の表面に前記接合することのうちの、少なくとも一方は、陽極接合を含む、請求項29から37のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記第1の結晶担体を前記結晶材料の前記第1の表面に前記接合すること、または前記第2の結晶担体を前記結晶材料の前記第2の表面に前記接合することのうちの、少なくとも一方は、接着材料を利用する接着剤接合を含む、請求項29から37のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記接着材料は25℃よりも大きいガラス転移温度Tgを有する、請求項39に記載の結晶材料加工方法。
- 前記第1の結晶担体は第1の面と前記第1の面の反対側の第2の面とを備え、
前記接着材料は前記第1の面と接触させて配置されており、
前記第2の面は接着材料を全く含まずかつ応力生成材料を全く含まない、
請求項39に記載の結晶材料加工方法。 - 前記接着材料は熱可塑性材料を含む、請求項39から41のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記接着材料は、前記接着材料が25℃であるときに少なくとも約70のショアDデュロメータ値を有する、請求項39から42のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記接着材料は、前記接着材料が25℃であるときに少なくとも約7MPaの弾性率を有する、請求項39から43のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記結晶材料の前記部分が前記接合された組立体の一部のままである間に、前記結晶材料の前記部分に対して少なくとも1つの追加の加工ステップを実行することを更に含む、請求項29から44のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記表面下レーザ・ダメージ領域は複数の実質的に平行な表面下レーザ・ダメージ線を備える、請求項29から45のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記接合された組立体から前記結晶材料の前記部分を除去することを更に含む、請求項29から46のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記結晶材料はSiCを含む、請求項39から47のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記基板から除去された前記結晶材料の前記部分は、少なくとも1つのエピタキシャル層をその上に成長させるように構成されている自立できるウエハを備える、請求項39から48のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記基板から除去された前記結晶材料の前記部分は、その上に成長させた少なくとも1つのエピタキシャル層を含むデバイス・ウエハを備える、請求項39から48のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 結晶材料の第1の表面に剛性担体を接合することであって、前記結晶材料は、前記第1の表面に対するある深さに表面下レーザ・ダメージ領域のある基板を備え、前記剛性担体の少なくとも1つのエッジの少なくとも一部は、対応する前記基板の少なくとも1つのエッジを越えて横方向に延在する、接合することと、
前記剛性担体および前記基板から除去された前記結晶材料の部分を含む接合された組立体を得る目的で、前記剛性担体の少なくとも一部に曲げモーメントを付与し前記表面下レーザ・ダメージ領域に沿ってまたは近接して前記結晶材料を破砕するために、前記剛性担体の少なくとも1つのエッジに近接して機械的な力を適用することと、
を含む、結晶材料加工方法。 - 前記剛性担体の前記少なくとも1つのエッジに近接して機械的な力を前記適用することは、前記剛性担体の前記少なくとも1つのエッジに近接した単一の場所において、機械的な力を局所的に適用することから成る、請求項51に記載の結晶材料加工方法。
- 前記剛性担体の前記少なくとも1つのエッジに近接して機械的な力を前記適用することは、前記剛性担体の前記少なくとも1つのエッジに近接した複数の空間的に隔離された場所において、機械的な力を局所的に適用することと、前記剛性担体の中央の場所において対向する機械的な力を作用させることと、を含む、請求項51に記載の結晶材料加工方法。
- 前記剛性担体の前記少なくとも1つのエッジの前記少なくとも一部は、前記基板の前記対応する少なくとも1つのエッジを越えて横方向に少なくとも約100ミクロン延在する、請求項51から53のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記剛性担体の前記少なくとも1つのエッジの前記少なくとも一部は、前記基板の前記
対応する少なくとも1つのエッジを越えて横方向に少なくとも約500ミクロン延在する、請求項51から53のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。 - 前記基板は前記基板の前記少なくとも1つのエッジに沿ってノッチまたはフラットを備え、前記剛性担体の前記少なくとも1つのエッジの前記少なくとも一部は前記ノッチまたはフラットを越えて横方向に延在する、請求項51から55のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記結晶材料は六方晶構造を含み、
前記曲げモーメントは、前記六方晶構造の<11-20>方向に対する垂直方向から±5度以内に配向される、
請求項51から56のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。 - 前記剛性担体を前記結晶材料の前記表面に前記接合することは、前記剛性担体と前記結晶材料の前記表面の間に配置されている接着材料を利用する接着剤接合を含む、請求項51から57のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 機械的な力の前記適用の前に、前記第1の表面の反対側の前記結晶材料の第2の表面に追加の剛性担体を接合することを更に含む、請求項51から58のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 機械的な力の前記適用は、前記第1の剛性担体と前記追加の剛性担体の間の分離を大きくするために、前記第1の剛性担体と前記追加の剛性担体の間に局所化されたこじり力を作用させることを含む、請求項59に記載の結晶材料加工方法。
- 前記結晶材料はSiCを含む、請求項51から60のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記基板から除去された前記結晶材料の前記部分は、少なくとも1つのエピタキシャル層をその上に成長させるように構成されている自立できるウエハを備える、請求項51から61のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 前記基板から除去された前記結晶材料の前記部分は、その上に成長させた少なくとも1つのエピタキシャル層を含むデバイス・ウエハを備える、請求項51から61のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 非垂直なエッジ・プロファイルを排除し垂直なエッジ・プロファイルを形成するために、結晶材料の厚いウエハのエッジを研削することであって、前記厚いウエハは、第1の表面、前記第1の表面の反対側の第2の表面、および前記第1の表面上にまたはこれを覆うように成長させた少なくとも1つのエピタキシャル層を含み、第1の剛性担体と前記少なくとも1つのエピタキシャル層の間に配置されている接着材料を用いて、前記少なくとも1つのエピタキシャル層を覆うように第1の剛性担体が一時的に接合される、研削することと、
前記垂直なエッジ・プロファイルの形成後に、前記厚いウエハ内に表面下レーザ・ダメージ領域を形成するために、前記厚いウエハの前記第2の表面を通してレーザ放射を当てることと、
を含む、方法。 - 前記結晶材料の主表面に前記第1の剛性担体を接合することであって、前記結晶材料は前記主表面に対する所定の深さに初期表面下レーザ・ダメージ領域を有する基板を含む、
接合することと、
前記第1の剛性担体および前記基板から除去された前記結晶材料の部分を備える初期の接合された組立体が得られるように、前記初期表面下レーザ・ダメージ領域に沿ってまたは近接して前記結晶材料を破砕することと、
前記厚いウエハを作り出すために、前記第1の接合された組立体から前記結晶材料の前記部分を除去することであって、前記厚いウエハは前記結晶材料の前記部分を含む、除去することと、
を更に含む、請求項64に記載の方法。 - 前記厚いウエハの前記第2の表面に第2の剛性担体を接合することと、
(i)前記第1の剛性担体、前記接着材料、前記少なくとも1つのエピタキシャル層、および前記厚いウエハから分割された第1の薄いウエハを含む、第1の接合された組立体、ならびに、(ii)前記第2の剛性担体および前記厚いウエハから分割された第2の薄いウエハを含む、第2の接合された組立体、が得られるように、前記表面下レーザ・ダメージ領域に沿ってまたは近接して前記厚いウエハを破砕することと、
を更に含む、請求項64または65に記載の方法。 - 前記厚いウエハの前記非垂直なウエハ・エッジを形成することと、
前記非垂直なウエハ・エッジを作り出した後で、前記厚いウエハの前記第1の表面上にまたはこれを覆うように前記少なくとも1つのエピタキシャル層をエピタキシャル成長させることと、
を更に含む、請求項66に記載の方法。 - 前記第1の薄いウエハまたは前記第2の薄いウエハのうちの少なくとも一方は、250ミクロンよりも小さい厚さを備える、請求項66または67に記載の結晶材料加工方法。
- 前記結晶材料はSiCを含む、請求項64から68のいずれか一項に記載の結晶材料加工方法。
- 表面ダメージのある第1の表面を備える結晶材料ウエハを加工するための方法であって、前記第1の表面はエッジを境界としており、前記方法は、
前記表面ダメージの第1の部分を除去するために、前記第1の表面を少なくとも1つの第1の研削装置を用いて研削することと、
前記少なくとも1つの第1の研削装置を用いた前記第1の表面の前記研削の後で、面取りされたまたは丸められたエッジ・プロファイルを形成するために前記エッジをエッジ研削することと、
前記エッジ研削後に、前記表面ダメージの第2の部分を前記第1の表面を化学機械平坦化による更なる加工に適したものにするのに十分な程度に除去するために、少なくとも1つの第2の研削装置を用いて前記第1の表面を研削することと、を含む、方法。 - 前記少なくとも1つの第2の研削装置を用いた前記第1の表面の前記研削の後で、前記第1の表面を、その上で半導体材料の1つまたは複数の層をエピタキシャル成長させることができるようにするために、前記第1の表面を化学機械平坦化によって加工することを更に含む、請求項70に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの第1の研削装置は、5000グリット未満の研削表面を有する少なくとも1つの研削ホイールを備え、前記少なくとも1つの第2の研削装置は、少なくとも5000グリットの研削表面を有する少なくとも1つの研削ホイールを備える、請求項70または71に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの第1の研削装置を用いた前記第1の表面の前記研削は、20ミクロンから100ミクロンまでの厚さの前記結晶材料の除去を含み、前記少なくとも1つの第2の研削装置を用いた前記第2の表面の前記研削は、3から15ミクロンまでの厚さの前記結晶材料の除去を含む、請求項70から72のいずれか一項に記載の方法。
- 前記表面ダメージはレーザ・ダメージと破砕ダメージとを含む、請求項70から73のいずれか一項に記載の方法。
- 前記結晶材料は炭化ケイ素材料を含み、前記第1の表面は前記炭化ケイ素材料のSi終端面を含む、請求項70から74のいずれか一項に記載の方法。
- 表面ダメージのある第1の表面を備える結晶材料ウエハを加工するための方法であって、前記第1の表面はエッジを境界としており、前記方法は、
前記表面ダメージの第1の部分を除去するために、前記第1の表面を少なくとも1つの第1の研削装置を用いて研削することと、
前記少なくとも1つの第1の研削装置を用いた前記第1の表面の前記研削の後で、前記表面ダメージの第2の部分を、前記第1の表面を化学機械平坦化による更なる加工に適したものにするのに十分な程度に除去するために、少なくとも1つの第2の研削装置を用いて前記第1の表面を研削することと。
前記少なくとも1つの第2の研削装置を用いた前記第1の表面の前記研削の後で、前記第1の表面上に保護コーティングを形成することと、
前記第1の表面上で前記犠牲材料を前記成長させた後で、面取りされたまたは丸められたエッジ・プロファイルを形成するために前記エッジをエッジ研削することと、
前記エッジ研削後に、前記第1の表面から前記保護コーティングを除去することと、を含む、方法。 - 前記第1の表面からの前記犠牲材料の前記除去の後で、前記第1の表面を、その上で半導体材料の1つまたは複数の層をエピタキシャル成長させることができるようにするために、前記第1の表面を化学機械平坦化によって加工することを更に含む、請求項76に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの第1の研削装置は、5000グリット未満の研削表面を有する少なくとも1つの研削ホイールを備え、前記少なくとも1つの第2の研削装置は、少なくとも5000グリットの研削表面を有する少なくとも1つの研削ホイールを備える、請求項76または77に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの第1の研削装置を用いた前記第1の表面の前記研削は、20ミクロンから100ミクロンまでの厚さの前記結晶材料の除去を含み、前記少なくとも1つの第2の研削装置を用いた前記第2の表面の前記研削は、3から15ミクロンまでの厚さの前記結晶材料の除去を含む、請求項76から78のいずれか一項に記載の方法。
- 前記保護コーティングはフォトレジストを含む、請求項76から79のいずれか一項に記載の方法。
- 前記表面ダメージはレーザ・ダメージと破砕ダメージとを含む、請求項76から80のいずれか一項に記載の方法。
- 前記結晶材料は炭化ケイ素材料を含み、前記第1の表面は前記炭化ケイ素材料のSi終端面を含む、請求項76から81からのいずれか一項に記載の方法。
- レーザ加工ステーションに供給される結晶材料基板に表面下レーザ・ダメージ領域を形成するように構成されている、前記レーザ加工ステーションと、
前記レーザ加工ステーションによって加工された結晶材料基板を受けるように配置されており、前記結晶材料基板から除去された結晶材料部分を形成するために、前記表面下レーザ・ダメージ領域に沿って前記結晶材料基板を破砕するように構成されている、破砕ステーションであって、各結晶材料部分は表面ダメージを備える、破砕ステーションと、
前記破砕ステーションの下流に並列に配置されており、前記結晶材料部分から前記表面ダメージの第1の部位を除去するように構成されている、複数の粗研削ステーションであって、複数の粗研削ステーションのうちの少なくとも第1および第2の粗研削ステーションは、異なる結晶材料部分の表面ダメージの第1の部位を除去するために、同時に操作されるように構成されている、前記複数の粗研削ステーションと、
前記複数の粗研削ステーションの下流に配置されており、前記結晶材料部分から前記表面ダメージの第2の部位を、各結晶材料部分の少なくとも一つの表面を化学機械平坦化による更なる加工に適したものにするのに十分な程度に除去するように構成されている、少なくとも1つの精密研削ステーションと、
を備える、材料加工装置。 - 前記少なくとも1つの精密研削ステーションの下流に配置されており、各結晶材料部分の少なくとも一つの表面を化学機械平坦化による更なる加工に適したものにするように構成されている、少なくとも1つの化学機械平坦化ステーションを更に備える、請求項83に記載の材料加工装置。
- 面取りされたまたは丸められたエッジ・プロファイルを形成するために各結晶材料部分のエッジを研削するように構成されている、少なくとも1つのエッジ研削ステーションを更に備える、請求項83または84に記載の材料加工装置。
- 各粗研削ステーションは、5000グリット未満の研削表面を有する少なくとも1つの研削ホイールを備え、前記少なくとも1つの精密研削ステーションは、少なくとも5000グリットの研削表面を有する少なくとも1つの研削ホイールを備える、請求項83から85のいずれか一項に記載の材料加工装置。
- 各粗研削ステーションは、各結晶材料部分から20ミクロンから100ミクロンまでの厚さの結晶材料を除去するように構成されており、各精密研削ステーションは、各結晶材料部分から3から15ミクロンまでの厚さの結晶材料を除去するように構成されている、請求項83から86のいずれか一項に記載の材料加工装置。
- 前記レーザ加工ステーションは、複数の結晶材料基板に表面下レーザ・ダメージ領域を同時に形成するように構成されている、請求項83から87のいずれか一項に記載の材料加工装置。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016032062A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-07 | 日立金属株式会社 | 炭化珪素単結晶基板の加工方法、及び治具付き炭化珪素単結晶基板 |
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Family Cites Families (335)
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JPS5982007A (ja) | 1982-10-30 | 1984-05-11 | 住友化学工業株式会社 | 種籾の直播方法 |
JPS59152581A (ja) | 1983-02-18 | 1984-08-31 | Fujitsu Ltd | バブル装置の製造法 |
JPS61106652A (ja) | 1984-10-30 | 1986-05-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 熱可塑性樹脂組成物 |
JPH02179708A (ja) | 1989-01-05 | 1990-07-12 | Kawasaki Steel Corp | 半導体ウエハの破折分離方法 |
JPH04116848A (ja) | 1990-09-06 | 1992-04-17 | Seiko Instr Inc | 半導体装置の製造方法 |
US6958093B2 (en) | 1994-01-27 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same |
US5631190A (en) | 1994-10-07 | 1997-05-20 | Cree Research, Inc. | Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures |
US5597767A (en) | 1995-01-06 | 1997-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Separation of wafer into die with wafer-level processing |
US5786560A (en) | 1995-03-31 | 1998-07-28 | Panasonic Technologies, Inc. | 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses |
KR970008386A (ko) | 1995-07-07 | 1997-02-24 | 하라 세이지 | 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치 |
JPH0929472A (ja) | 1995-07-14 | 1997-02-04 | Hitachi Ltd | 割断方法、割断装置及びチップ材料 |
WO1997029509A1 (en) | 1996-02-09 | 1997-08-14 | Philips Electronics N.V. | Laser separation of semiconductor elements formed in a wafer of semiconductor material |
US5761111A (en) | 1996-03-15 | 1998-06-02 | President And Fellows Of Harvard College | Method and apparatus providing 2-D/3-D optical information storage and retrieval in transparent materials |
US6087617A (en) | 1996-05-07 | 2000-07-11 | Troitski; Igor Nikolaevich | Computer graphics system for generating an image reproducible inside optically transparent material |
IL127387A0 (en) | 1998-12-03 | 1999-10-28 | Universal Crystal Ltd | Laser image formation in multiple transparent samples |
IL127388A0 (en) | 1998-12-03 | 1999-10-28 | Universal Crystal Ltd | Material processing applications of lasers using optical breakdown |
US6555781B2 (en) | 1999-05-10 | 2003-04-29 | Nanyang Technological University | Ultrashort pulsed laser micromachining/submicromachining using an acoustooptic scanning device with dispersion compensation |
US6555447B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-04-29 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Method for laser scribing of wafers |
JP3935188B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4762458B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP3867101B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体材料基板の切断方法 |
JP3867108B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP3867109B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3761565B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4142694B2 (ja) | 2000-09-13 | 2008-09-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5025876B2 (ja) | 2000-09-13 | 2012-09-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4128204B2 (ja) | 2000-09-13 | 2008-07-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3867103B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体材料基板の切断方法 |
JP4095092B2 (ja) | 2000-09-13 | 2008-06-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体チップ |
JP3935187B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3626442B2 (ja) | 2000-09-13 | 2005-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3867110B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3867003B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4837320B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-12-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP3751970B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4964376B2 (ja) | 2000-09-13 | 2012-06-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP3867102B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体材料基板の切断方法 |
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP3761567B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4663952B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP3867107B2 (ja) | 2000-09-13 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4664140B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP3876628B2 (ja) | 2001-02-07 | 2007-02-07 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶 |
JP4659301B2 (ja) | 2001-09-12 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4463796B2 (ja) | 2002-03-12 | 2010-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4527098B2 (ja) | 2002-03-12 | 2010-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
JP3867105B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP3761566B2 (ja) | 2002-03-12 | 2006-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP3990710B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-10-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3867100B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP3935186B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4409840B2 (ja) | 2002-03-12 | 2010-02-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP4851060B2 (ja) | 2002-03-12 | 2012-01-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
EP2216128B1 (en) | 2002-03-12 | 2016-01-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting object to be processed |
JP3990711B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-10-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4050534B2 (ja) | 2002-03-12 | 2008-02-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4146863B2 (ja) | 2002-03-12 | 2008-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4509720B2 (ja) | 2002-03-12 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4358502B2 (ja) | 2002-03-12 | 2009-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
EP3664131A3 (en) | 2002-03-12 | 2020-08-19 | Hamamatsu Photonics K. K. | Substrate dividing method |
WO2003076118A1 (fr) | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrat semi-conducteur, puce a semi-conducteur et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
JP3935189B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3670267B2 (ja) | 2002-03-12 | 2005-07-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3822626B2 (ja) | 2002-03-12 | 2006-09-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP3869850B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-01-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3867104B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP3624909B2 (ja) | 2002-03-12 | 2005-03-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4509719B2 (ja) | 2002-03-12 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US7601441B2 (en) | 2002-06-24 | 2009-10-13 | Cree, Inc. | One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer |
TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
JP4167094B2 (ja) | 2003-03-10 | 2008-10-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
FR2852250B1 (fr) | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
CN1758986B (zh) | 2003-03-12 | 2012-03-28 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
US8685838B2 (en) | 2003-03-12 | 2014-04-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |
JP4703983B2 (ja) | 2003-07-18 | 2011-06-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断方法 |
EP1649965B1 (en) | 2003-07-18 | 2012-10-24 | Hamamatsu Photonics K. K. | Method of laser beam machining a machining target |
US7052978B2 (en) | 2003-08-28 | 2006-05-30 | Intel Corporation | Arrangements incorporating laser-induced cleaving |
JP4440582B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-03-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4601965B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4598407B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4509578B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4584607B2 (ja) | 2004-03-16 | 2010-11-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
US7202141B2 (en) | 2004-03-29 | 2007-04-10 | J.P. Sercel Associates, Inc. | Method of separating layers of material |
WO2005098916A1 (ja) | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法及び半導体チップ |
CN1938827B (zh) | 2004-03-30 | 2010-05-26 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法及半导体芯片 |
JP4536407B2 (ja) | 2004-03-30 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び加工対象物 |
JP4634089B2 (ja) | 2004-07-30 | 2011-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4732063B2 (ja) | 2004-08-06 | 2011-07-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
CN101434010B (zh) | 2004-08-06 | 2011-04-13 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法及半导体装置 |
JP4754801B2 (ja) | 2004-10-13 | 2011-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4781661B2 (ja) | 2004-11-12 | 2011-09-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4917257B2 (ja) | 2004-11-12 | 2012-04-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4198123B2 (ja) | 2005-03-22 | 2008-12-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
WO2006116030A2 (en) | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Aonex Technologies, Inc. | Bonded intermediate substrate and method of making same |
JP4776994B2 (ja) | 2005-07-04 | 2011-09-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP4749799B2 (ja) | 2005-08-12 | 2011-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
KR100766727B1 (ko) | 2005-08-19 | 2007-10-15 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 |
KR20080046658A (ko) | 2005-09-16 | 2008-05-27 | 크리 인코포레이티드 | 실리콘 카바이드 전력 소자들을 그 상에 가지는 반도체웨이퍼들의 가공방법들 |
JP4762653B2 (ja) | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4237745B2 (ja) | 2005-11-18 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4907965B2 (ja) | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP4322881B2 (ja) | 2006-03-14 | 2009-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
US7547897B2 (en) | 2006-05-26 | 2009-06-16 | Cree, Inc. | High-temperature ion implantation apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using high-temperature ion implantation |
JP5003033B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2012-08-15 | 住友電気工業株式会社 | GaN薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにGaN系半導体デバイスおよびその製造方法 |
US7897487B2 (en) | 2006-07-03 | 2011-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
JP5269356B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-08-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US8980445B2 (en) | 2006-07-06 | 2015-03-17 | Cree, Inc. | One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed |
EP1901345A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-19 | Siltronic AG | Multilayered semiconductor wafer and process for manufacturing the same |
US8993410B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-03-31 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving under controlled stress conditions |
JP5322418B2 (ja) | 2006-09-19 | 2013-10-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
US8188404B2 (en) | 2006-09-19 | 2012-05-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5037082B2 (ja) | 2006-10-02 | 2012-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP5132911B2 (ja) | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4964554B2 (ja) | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
CN101522362B (zh) | 2006-10-04 | 2012-11-14 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
JP5117806B2 (ja) | 2006-10-04 | 2013-01-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP5177992B2 (ja) | 2006-10-27 | 2013-04-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5122161B2 (ja) | 2007-03-07 | 2013-01-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5197586B2 (ja) | 2007-05-25 | 2013-05-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断用加工方法 |
JP5336054B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
JP4402708B2 (ja) | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
JP5312761B2 (ja) | 2007-08-09 | 2013-10-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断用加工方法 |
JP5225639B2 (ja) | 2007-09-06 | 2013-07-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP5342772B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5449665B2 (ja) | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
AU2008325223A1 (en) | 2007-11-02 | 2009-05-14 | President And Fellows Of Harvard College | Production of free-standing solid state layers by thermal processing of substrates with a polymer |
JP5094337B2 (ja) | 2007-11-05 | 2012-12-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5134928B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5054496B2 (ja) | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5111620B2 (ja) * | 2008-01-24 | 2013-01-09 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | デバイスウェーハーをキャリヤー基板に逆に装着する方法 |
US20120000415A1 (en) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Soraa, Inc. | Large Area Nitride Crystal and Method for Making It |
JP5254761B2 (ja) | 2008-11-28 | 2013-08-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
CN102307699B (zh) | 2009-02-09 | 2015-07-15 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物的切断方法 |
JP5446325B2 (ja) | 2009-03-03 | 2014-03-19 | 豊田合成株式会社 | レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法 |
US8288220B2 (en) | 2009-03-27 | 2012-10-16 | Cree, Inc. | Methods of forming semiconductor devices including epitaxial layers and related structures |
US9035216B2 (en) | 2009-04-07 | 2015-05-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method and device for controlling interior fractures by controlling the laser pulse width |
US8950459B2 (en) | 2009-04-16 | 2015-02-10 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Debonding temporarily bonded semiconductor wafers |
CN102460677A (zh) | 2009-04-16 | 2012-05-16 | 休斯微技术股份有限公司 | 用于临时晶片接合和剥离的改进装置 |
JP5491761B2 (ja) | 2009-04-20 | 2014-05-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5537081B2 (ja) | 2009-07-28 | 2014-07-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5476063B2 (ja) | 2009-07-28 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5775265B2 (ja) | 2009-08-03 | 2015-09-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5451238B2 (ja) | 2009-08-03 | 2014-03-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5580826B2 (ja) | 2009-08-11 | 2014-08-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP5379604B2 (ja) | 2009-08-21 | 2013-12-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びチップ |
CN102597360B (zh) | 2009-09-09 | 2014-12-03 | 三菱丽阳株式会社 | 碳纤维束及其制造方法 |
JP5148575B2 (ja) | 2009-09-15 | 2013-02-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
JP5410250B2 (ja) | 2009-11-25 | 2014-02-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP5479925B2 (ja) | 2010-01-27 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工システム |
JP5479924B2 (ja) | 2010-01-27 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5670647B2 (ja) | 2010-05-14 | 2015-02-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
US8950217B2 (en) | 2010-05-14 | 2015-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member |
JP5552373B2 (ja) | 2010-06-02 | 2014-07-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US8852391B2 (en) * | 2010-06-21 | 2014-10-07 | Brewer Science Inc. | Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate |
DE102010030358B4 (de) * | 2010-06-22 | 2014-05-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Abtrennen einer Substratscheibe |
JP5597052B2 (ja) | 2010-07-21 | 2014-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5597051B2 (ja) | 2010-07-21 | 2014-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US8722516B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-05-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device |
JP5771391B2 (ja) | 2010-12-22 | 2015-08-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5670764B2 (ja) | 2011-01-13 | 2015-02-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2012146876A (ja) | 2011-01-13 | 2012-08-02 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP5480169B2 (ja) | 2011-01-13 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5670765B2 (ja) | 2011-01-13 | 2015-02-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5775312B2 (ja) | 2011-01-13 | 2015-09-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2013042119A (ja) | 2011-07-21 | 2013-02-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法 |
JP5140198B1 (ja) | 2011-07-27 | 2013-02-06 | 東芝機械株式会社 | レーザダイシング方法 |
JP5844089B2 (ja) | 2011-08-24 | 2016-01-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5917862B2 (ja) | 2011-08-30 | 2016-05-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2013063454A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
US9821408B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-11-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining method and laser machining device |
JP5894754B2 (ja) | 2011-09-16 | 2016-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2013063455A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP5864988B2 (ja) | 2011-09-30 | 2016-02-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 強化ガラス板切断方法 |
JP5930811B2 (ja) | 2011-11-18 | 2016-06-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP5255109B2 (ja) | 2011-12-05 | 2013-08-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
JP2013124206A (ja) | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Panasonic Corp | ウエハ切断方法および装置 |
KR20130073473A (ko) * | 2011-12-23 | 2013-07-03 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 지지기판 형성방법 및 이에 사용되는 지지기판 제조용 접합제 |
JP5969214B2 (ja) | 2012-01-30 | 2016-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
JP6076601B2 (ja) | 2012-01-30 | 2017-02-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、半導体デバイスの製造方法及びレーザ加工装置 |
JP6012185B2 (ja) | 2012-01-30 | 2016-10-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
JP5905274B2 (ja) | 2012-01-30 | 2016-04-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
JP6012186B2 (ja) | 2012-01-31 | 2016-10-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP6050002B2 (ja) | 2012-01-31 | 2016-12-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US9214353B2 (en) | 2012-02-26 | 2015-12-15 | Solexel, Inc. | Systems and methods for laser splitting and device layer transfer |
JP6009225B2 (ja) | 2012-05-29 | 2016-10-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 強化ガラス板の切断方法 |
JP2014041924A (ja) | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP2014041925A (ja) | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP2014041927A (ja) | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP2014041926A (ja) | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
FR2995447B1 (fr) * | 2012-09-07 | 2014-09-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de separation d'au moins deux substrats selon une interface choisie |
US8946731B2 (en) * | 2012-09-24 | 2015-02-03 | International Business Machines Corporation | OLED display with spalled semiconductor driving circuitry and other integrated functions |
WO2014113503A1 (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-24 | QMAT, Inc. | Techniques for forming optoelectronic devices |
JP2014156689A (ja) | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Kumagai Gumi Co Ltd | 管 |
JP6030470B2 (ja) | 2013-02-14 | 2016-11-24 | 株式会社熊谷組 | トンネル施工方法 |
JP5923799B2 (ja) | 2013-02-14 | 2016-05-25 | 新日鐵住金株式会社 | 光伝播機能を備えた建造物骨組み要素からなる建造物 |
DE112014001676B4 (de) | 2013-03-27 | 2024-06-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren |
DE112014001688B4 (de) | 2013-03-27 | 2024-06-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren |
KR102226815B1 (ko) | 2013-03-27 | 2021-03-11 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 |
JP6272300B2 (ja) | 2013-03-27 | 2018-01-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP6059059B2 (ja) | 2013-03-28 | 2017-01-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
DE102013007672A1 (de) | 2013-05-03 | 2014-11-06 | Siltectra Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Waferherstellung mit vordefinierter Bruchauslösestelle |
JP6163035B2 (ja) | 2013-07-18 | 2017-07-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
US9768259B2 (en) | 2013-07-26 | 2017-09-19 | Cree, Inc. | Controlled ion implantation into silicon carbide using channeling and devices fabricated using controlled ion implantation into silicon carbide using channeling |
JP5620553B2 (ja) | 2013-08-01 | 2014-11-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置 |
JP2016532303A (ja) * | 2013-08-26 | 2016-10-13 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | エピタキシャルリフトオフおよび剥離の組み合わせによる薄膜リフトオフ |
CN110578172B (zh) | 2013-09-06 | 2022-10-28 | Gtat公司 | 使用硅碳化物晶种来生产大块硅碳化物的方法和器具 |
EP3042459A1 (en) | 2013-09-06 | 2016-07-13 | Danmarks Tekniske Universitet | All-optical orthogonal frequency division multiplexing (ofdm) demultiplexer |
DE102013016669A1 (de) | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Kombiniertes Herstellungsverfahren zum Abtrennen mehrerer dünner Festkörperschichten von einem dicken Festkörper |
US20150158117A1 (en) | 2013-12-05 | 2015-06-11 | David Callejo Muñoz | System and method for obtaining laminae made of a material having known optical transparency characteristics |
US9219049B2 (en) * | 2013-12-13 | 2015-12-22 | Infineon Technologies Ag | Compound structure and method for forming a compound structure |
WO2016083610A2 (de) | 2014-11-27 | 2016-06-02 | Siltectra Gmbh | Festkörperteilung mittels stoffumwandlung |
DE102015000449A1 (de) | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Siltectra Gmbh | Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung |
JP6353683B2 (ja) | 2014-04-04 | 2018-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP6272145B2 (ja) | 2014-05-29 | 2018-01-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP6258787B2 (ja) | 2014-05-29 | 2018-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP5931124B2 (ja) | 2014-06-01 | 2016-06-08 | 株式会社シーエンジ | 立体網状構造体、立体網状構造体製造方法及び立体網状構造体製造装置 |
JP5863891B2 (ja) | 2014-07-01 | 2016-02-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工装置の制御方法、レーザ装置の制御方法、及び、レーザ装置の調整方法 |
US9757815B2 (en) | 2014-07-21 | 2017-09-12 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials |
JP6483974B2 (ja) | 2014-07-31 | 2019-03-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP6390898B2 (ja) | 2014-08-22 | 2018-09-19 | アイシン精機株式会社 | 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置 |
JP6506520B2 (ja) | 2014-09-16 | 2019-04-24 | 株式会社ディスコ | SiCのスライス方法 |
JP6328534B2 (ja) | 2014-09-30 | 2018-05-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
LT3206829T (lt) | 2014-10-13 | 2019-03-12 | Evana Technologies, Uab | Lazerinio apdorojimo būdas perskelti arba perpjauti ruošinį, formuojant "adatos" formos pažeidimus |
EP4234156A3 (de) | 2014-11-27 | 2023-10-11 | Siltectra GmbH | Laserbasiertes trennverfahren |
JP6399914B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6399913B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6366485B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-08-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6418927B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-11-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6358940B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6358941B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6366486B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-08-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6355540B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-07-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
US20160189954A1 (en) | 2014-12-31 | 2016-06-30 | Cree, Inc. | Methods of performing semiconductor growth using reusable carrier substrates and related carrier substrates |
JP6391471B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2018-09-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395613B2 (ja) | 2015-01-06 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395633B2 (ja) | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395632B2 (ja) | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395634B2 (ja) | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6444207B2 (ja) | 2015-02-17 | 2018-12-26 | 株式会社ディスコ | 六方晶単結晶基板の検査方法及び検査装置 |
JP6425606B2 (ja) | 2015-04-06 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6429715B2 (ja) | 2015-04-06 | 2018-11-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6494382B2 (ja) | 2015-04-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
DE102015006971A1 (de) | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Siltectra Gmbh | Verfahren zum verlustarmen Herstellen von Mehrkomponentenwafern |
JP6456228B2 (ja) | 2015-04-15 | 2019-01-23 | 株式会社ディスコ | 薄板の分離方法 |
JP6444249B2 (ja) | 2015-04-15 | 2018-12-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6472333B2 (ja) | 2015-06-02 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6482389B2 (ja) | 2015-06-02 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6478821B2 (ja) | 2015-06-05 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6552898B2 (ja) | 2015-07-13 | 2019-07-31 | 株式会社ディスコ | 多結晶SiCウエーハの生成方法 |
JP6482423B2 (ja) | 2015-07-16 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6494457B2 (ja) | 2015-07-16 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6482425B2 (ja) | 2015-07-21 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
JP6472347B2 (ja) | 2015-07-21 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
JP6486240B2 (ja) | 2015-08-18 | 2019-03-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6486239B2 (ja) | 2015-08-18 | 2019-03-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6597052B2 (ja) | 2015-08-21 | 2019-10-30 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
JP6633326B2 (ja) | 2015-09-15 | 2020-01-22 | 株式会社ディスコ | 窒化ガリウム基板の生成方法 |
JP6562819B2 (ja) | 2015-11-12 | 2019-08-21 | 株式会社ディスコ | SiC基板の分離方法 |
CN105436710B (zh) | 2015-12-30 | 2019-03-05 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种硅晶圆的激光剥离方法 |
KR101799085B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2017-11-20 | 국민대학교산학협력단 | 기판의 제조 방법 |
JP6654435B2 (ja) | 2016-01-07 | 2020-02-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP6602207B2 (ja) | 2016-01-07 | 2019-11-06 | 株式会社ディスコ | SiCウエーハの生成方法 |
JP6604891B2 (ja) | 2016-04-06 | 2019-11-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6690983B2 (ja) | 2016-04-11 | 2020-04-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法及び実第2のオリエンテーションフラット検出方法 |
JP6669594B2 (ja) | 2016-06-02 | 2020-03-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP6678522B2 (ja) | 2016-06-10 | 2020-04-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法及び剥離装置 |
JP6698468B2 (ja) | 2016-08-10 | 2020-05-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP6723877B2 (ja) | 2016-08-29 | 2020-07-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP6773506B2 (ja) | 2016-09-29 | 2020-10-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP2018093046A (ja) | 2016-12-02 | 2018-06-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP6773539B2 (ja) | 2016-12-06 | 2020-10-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
US10577720B2 (en) | 2017-01-04 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Stabilized, high-doped silicon carbide |
JP6831253B2 (ja) | 2017-01-27 | 2021-02-17 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP6858587B2 (ja) | 2017-02-16 | 2021-04-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP6858586B2 (ja) | 2017-02-16 | 2021-04-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP6797481B2 (ja) | 2017-03-01 | 2020-12-09 | 株式会社ディスコ | 半導体インゴットの検査方法、検査装置及びレーザー加工装置 |
KR20200008566A (ko) | 2017-04-20 | 2020-01-28 | 실텍트라 게엠베하 | 구성요소가 제공되는 솔리드 스테이트 층의 두께를 감소시키는 방법 |
JP6935224B2 (ja) | 2017-04-25 | 2021-09-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6923877B2 (ja) | 2017-04-26 | 2021-08-25 | 国立大学法人埼玉大学 | 基板製造方法 |
CN107170668B (zh) | 2017-06-01 | 2020-06-05 | 镓特半导体科技(上海)有限公司 | 一种自支撑氮化镓制备方法 |
JP6904793B2 (ja) | 2017-06-08 | 2021-07-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成装置 |
JP6994852B2 (ja) | 2017-06-30 | 2022-01-14 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
JP6976745B2 (ja) | 2017-06-30 | 2021-12-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成装置 |
JP6946153B2 (ja) | 2017-11-16 | 2021-10-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法およびウエーハ生成装置 |
JP6974133B2 (ja) | 2017-11-22 | 2021-12-01 | 株式会社ディスコ | SiCインゴットの成型方法 |
JP6976828B2 (ja) | 2017-11-24 | 2021-12-08 | 株式会社ディスコ | 剥離装置 |
JP7034683B2 (ja) | 2017-11-29 | 2022-03-14 | 株式会社ディスコ | 剥離装置 |
JP6959120B2 (ja) | 2017-12-05 | 2021-11-02 | 株式会社ディスコ | 剥離装置 |
JP7009194B2 (ja) | 2017-12-12 | 2022-01-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成装置および搬送トレー |
JP7009224B2 (ja) | 2018-01-16 | 2022-01-25 | 株式会社ディスコ | 平坦化方法 |
JP7123583B2 (ja) | 2018-03-14 | 2022-08-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置 |
JP7027215B2 (ja) | 2018-03-27 | 2022-03-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置 |
JP7073172B2 (ja) | 2018-04-03 | 2022-05-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
US10896815B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-01-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate singulation systems and related methods |
JP7137992B2 (ja) | 2018-08-02 | 2022-09-15 | 株式会社ディスコ | 加工装置及び剥離装置 |
JP7235456B2 (ja) | 2018-08-14 | 2023-03-08 | 株式会社ディスコ | 半導体基板の加工方法 |
JP7106217B2 (ja) | 2018-08-22 | 2022-07-26 | 株式会社ディスコ | ファセット領域の検出方法及び検出装置 |
JP7187215B2 (ja) | 2018-08-28 | 2022-12-12 | 株式会社ディスコ | SiC基板の加工方法 |
JP7201367B2 (ja) | 2018-08-29 | 2023-01-10 | 株式会社ディスコ | SiC基板の加工方法 |
JP7128067B2 (ja) | 2018-09-14 | 2022-08-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置 |
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JP7229729B2 (ja) | 2018-11-08 | 2023-02-28 | 株式会社ディスコ | Facet領域の検出方法および検出装置ならびにウエーハの生成方法およびレーザー加工装置 |
JP7166893B2 (ja) | 2018-11-21 | 2022-11-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP7285636B2 (ja) | 2018-12-06 | 2023-06-02 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) * | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10867797B2 (en) | 2019-02-07 | 2020-12-15 | Cree, Inc. | Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation |
JP7308652B2 (ja) | 2019-04-26 | 2023-07-14 | 株式会社ディスコ | デバイスチップの製造方法 |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
JP7321022B2 (ja) | 2019-07-29 | 2023-08-04 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置およびレーザー加工方法 |
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2021
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2023
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016032062A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-07 | 日立金属株式会社 | 炭化珪素単結晶基板の加工方法、及び治具付き炭化珪素単結晶基板 |
JP2017034255A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフトInfineon Technologies AG | 半導体デバイスの形成方法および半導体デバイス |
JP2018125390A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
Also Published As
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