JP2019024088A - 有機エレクトロニクス材料、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、照明装置、表示素子、並びに表示装置 - Google Patents

有機エレクトロニクス材料、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、照明装置、表示素子、並びに表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】電荷輸送性化合物と、溶剤への溶解度が高く電子受容性を有するイオン性化合物とを含む有機エレクトロニクス材料を提供する。【解決手段】電荷輸送性化合物とイオン性化合物とを含有し、該イオン性化合物の少なくとも一つが下記一般式(1b)〜(3b)で表される化合物のいずれか1種であることを特徴とする有機エレクトロニクス材料。(式中、Y1〜Y6はそれぞれ独立に二価の連結基、R1〜R6はそれぞれ独立に、電子求引性の有機置換基を表す。L+は一価のカチオンを表す。)【選択図】なし

Description

本発明は、有機エレクトロニクス材料、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、
有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素
子(以下、有機EL素子ということもある)、照明装置、表示素子、並びに表示装置に関
する。
有機エレクトロニクス素子は、有機物を用いて電気的な動作を行う素子であり、省エネ
ルギー、低価格、柔軟性といった特長を発揮できると期待され、従来のシリコンを主体と
した無機半導体に替わる技術として注目されている。
有機エレクトロニクス素子の一例として有機EL素子、有機光電変換素子、有機トラン
ジスタなどが挙げられる。
有機エレクトロニクス素子の中でも有機EL素子は、例えば、白熱ランプ、ガス充填ラ
ンプの代替えとして、大面積ソリッドステート光源用途として注目されている。また、フ
ラットパネルディスプレイ(FPD)分野における液晶ディスプレイ(LCD)に置き換
わる最有力の自発光ディスプレイとしても注目されており、製品化が進んでいる。
近年、有機EL素子の発光効率・寿命を改善する目的で、電荷輸送性の化合物に電子受
容性化合物を混合して用いる試みがなされている。
例えば、特許文献1には、正孔輸送性高分子化合物に、電子受容性化合物としてトリス
(4−ブロモフェニルアミニウムヘキサクロロアンチモネート)(tris(4-bromophenylam
inium hexachloroantimonate):TBPAH)を混合することで、低電圧駆動が可能な有
機電界発光素子が得られることが開示されている。
また、特許文献2には、正孔輸送性化合物に、電子受容性化合物として塩化鉄(III
)(FeCl)を真空蒸着法により混合して用いることが開示されている。
また、特許文献3には、正孔輸送性高分子化合物に、電子受容性化合物としてトリス(
ペンタフルオロフェニル)ボラン(tris(pentafluorophenyl)borane:PPB)を、湿式
成膜法により混合して正孔注入層を形成することが開示されている。
このように、電荷輸送性化合物へ電子受容性化合物を混合したときに生成する、電荷輸
送性化合物のラジカルカチオンと対アニオンからなる化合物を生成させることが重要であ
ると考えられる。
また、特許文献4には、電荷輸送膜用組成物として、特定のアミニウムカチオンラジカ
ルからなる組成物が開示されている。
しかしながら、これら文献において、本発明に係るイオン性化合物を電子受容性化合物
として利用した旨については記載されていない。
一方、有機EL素子は、用いる材料及び製膜方法から低分子型有機EL素子、高分子型
有機EL素子の2つに大別される。高分子型有機EL素子は、有機材料が高分子材料によ
り構成されており、真空系での成膜が必要な低分子型有機EL素子と比較して、印刷やイ
ンクジェットなどの簡易成膜が可能なため、今後の大画面有機ELディスプレイには不可
欠な素子である。
低分子型有機EL素子、高分子型有機EL素子とも、これまで精力的に研究が行われて
きたが、未だに発光効率の低さ、素子寿命の短さが大きな問題となっている。この問題を
解決する一つの手段として、低分子型有機EL素子では多層化が行われている。
図1に多層化された有機EL素子の一例を示す。図1において、発光を担う層を発光層
1、それ以外の層を有する場合、陽極2に接する層を正孔注入層3、陰極4に接する層を
電子注入層5と記述する。さらに、発光層1と正孔注入層3の間に異なる層が存在する場
合、正孔輸送層6と記述、さらに発光層1と電子注入層5の間に異なる層が存在する場合
、電子輸送層7と記述する。なお、図1において、8は基板である。
低分子型有機EL素子は蒸着法で製膜を行うため、用いる化合物を順次変更しながら蒸
着を行うことで容易に多層化が達成できる。一方、高分子型有機EL素子は印刷やインク
ジェットといった湿式プロセスを用いて製膜を行うため、上層を塗布する際に下層が溶解
してしまうという課題が生じる。そのため、高分子型有機EL素子の多層化は低分子型有
機EL素子に比べ困難であり、発光効率の向上、寿命の改善効果を得ることができなかっ
た。
この問題に対処するために、これまでにいくつかの方法が提案されている。一つは、溶
解度の差を用いる方法である。例えば、水溶性であるポリチオフェン:ポリスチレンスル
ホン酸(PEDOT:PSS)からなる正孔注入層、トルエン等の芳香族系有機溶媒を用
いて製膜された発光層の2層構造からなる素子である。この場合、PEDOT:PSS層
はトルエン等芳香族溶媒に溶解しないため、2層構造を作製することが可能となっている
また、非特許文献1には、溶解度の大きく異なる化合物を利用した3層構造の素子が提
唱されている。
また、特許文献5には、PEDOT:PSS上にインターレイヤー層と呼ばれる層を導
入した3層構造の素子が開示されている。
また、非特許文献2〜4、特許文献6にはこのような課題を克服するために、シロキサ
ン化合物やオキセタン基、ビニル基などの重合反応を利用して化合物の溶解度を変化させ
、薄膜を溶剤に対して不溶化する方法が開示されている。
これらの多層化を図る方法は重要であるが、水溶性のPEDOT:PSSを使用すると
薄膜中に残存する水分を除去する必要があることや、溶解度差を利用するには使用できる
材料が限られてしまう、シロキサン化合物が空気中の水分に不安定といった問題点や素子
特性が十分ではない問題点があった。
上記重合反応を利用するには、光や熱などの刺激により反応・分解して酸や塩基、ラジ
カル等を発生する適切な重合開始剤を添加する必要がある。
特許文献7、特許文献8、特許文献9にはフッ素を含有した光酸発生剤あるいは開始剤
が開示されている。
しかしながら、これら文献においてフッ素を含有した光酸発生剤あるいは開始剤を用い
た有機エレクトロニクス材料に関する記載はない。
特許第3748491号公報 特開平11−251067号公報 特許第4023204号公報 特開2006−233162号公報 特開2007−119763号公報 国際公開第2008/010487号 特開2003−215791号公報 特開2009−242391号公報 日本国特許第3985020号公報
Y. Goto, T. Hayashida, M. Noto, IDW ‘04 Proceedings of The 11th International Display Workshop, 1343-1346(2004) H. Yan, P. Lee, N. R. Armstrong, A. Graham, G. A. Evemenko, P. Dutta, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc., 127, 3172-4183(2005) E. Bacher, M.Bayerl, P. Rudati, N. Reckfuss, C. David, K. Meerholz, O. Nuyken, Macromolecules, 38, 1640(2005) M. S. Liu, Y. H. Niu, J. W. Ka, H. L. Yip, F. Huang, J. Luo, T. D. Wong, A. K. Y. Jen, Macromolecules, 41, 9570(2008)
有機EL素子の高効率化、長寿命化のためには、有機層を多層化し、各々層の機能を分
離することが望ましいが、大面積でも製膜が容易な湿式プロセスを用いて有機層を多層化
するためには、上述のように、下層が上層製膜時に溶解しないようにする必要があり、重
合反応を利用した溶剤への溶解度の変化が用いられてきた。
また、有機EL素子の低駆動電圧化のため、電荷輸送性化合物に電子受容性化合物を混
合する試みがなされているが、特性はいまだ十分なものではなかった。また、電子受容性
化合物の多くは溶剤への溶解度が低く、扱いづらいものであった。
本発明は、上記した問題に鑑み、安定的かつ容易に薄膜を形成、あるいは有機薄膜層の
多層化を容易に行うことができ、有機エレクトロニクス素子、特に高分子型有機EL素子
の生産性を向上させる上で有用な有機エレクトロニクス材料、該有機エレクトロニクス材
料を含むインク組成物、該有機エレクトロニクス材料、及び該インク組成物から形成され
た有機薄膜を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、従来よりも駆動電圧が低く、長い発光寿命を有する有機エレクトロ
ニクス素子及び有機EL素子、照明装置、表示素子を提供することを目的とするものであ
る。
本発明者らは、鋭意検討した結果、電荷輸送性化合物とイオン性化合物とを含む有機エ
レクトロニクス材料、イオン性化合物を含む重合開始剤、さらに該有機エレクトロニクス
材料を含むインク組成物、さらに該有機エレクトロニクス材料または該インク組成物を用
いて形成された有機薄膜が、有機EL素子の高効率化・長寿命化に有用であることを見出
し、本研究を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、下記(1)〜(28)の事項をその特徴とするものである。
(1)電荷輸送性化合物とイオン性化合物とを含有し、該イオン性化合物の少なくとも一
つが下記一般式(1b)〜(3b)で表される化合物のいずれか1種であることを特徴と
する有機エレクトロニクス材料。

(式中、Y〜Yはそれぞれ独立に二価の連結基、R〜R6はそれぞれ独立に、電子
求引性の有機置換基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていてもよく、
また、R、R及びR、又はR4〜R6はそれぞれが結合して環状あるいはポリマー状
になってもよい。)を表す。Lは一価のカチオンを表す。)
(2)前記イオン性化合物がハロゲン原子を有することを特徴とする前記(1)に記載の
有機エレクトロニクス材料。
(3)前記イオン性化合物が、炭素数1〜20のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐
状もしくは環状の、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルキルスルホニル基、パー
フルオロアルキルオキシスルホニル基、パーフルオロアリールスルホニル基、パーフルオ
ロアリールオキシスルホニル基、パーフルオロアシル基、パーフルオロアルコキシカルボ
ニル基、パーフルオロアシルオキシ基、パーフルオロアリールオキシカルボニル基、パー
フルオロアルケニル基、及びパーフルオロアルキニル基からなる群より選択される1種を
有することを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の有機エレクトロニクス材料。
(4)前記Y〜Yが下記一般式(4b)〜(14b)のいずれか1種であることを特
徴とする前記(1)〜(3)のいずれか1項に記載の有機エレクトロニクス材料。

(式中、Rは任意の有機基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていても
よい)を表す。)
(5)前記一般式(1b)〜(3b)におけるLが下記一般式(15b)〜(17b)
で表されるカチオンのうちのいずれか1種であることを特徴とする前記(1)〜(4)の
いずれかに記載の有機エレクトロニクス材料。

(式中、R11〜R34は、各々独立に、任意の有機基を表す。R11〜R34のうち隣
接する2以上の基が、互いに連結して環を形成していてもよい。Aは長周期型周期表の
第17族または第14族に属する元素を表し、Aは長周期型周期表の第16族または第
14族に属する元素を表し、Aは長周期型周期表の第15族に属する元素を表す。)
(6)一般式(15b)〜(17b)におけるR11〜R34が、各々独立に、置換され
ていてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基または芳香
族複素環基であることを特徴とする前記(5)に記載の有機エレクトロニクス材料。
(7)一般式(15b)におけるAが臭素原子、ヨウ素原子または炭素原子であり、一
般式(16b)におけるAが酸素原子、炭素原子、硫黄原子またはセレン原子であり、
一般式(17b)におけるAが窒素原子、リン原子、ヒ素原子またはアンチモン原子で
あることを特徴とする前記(5)又は(6)に記載の有機エレクトロニクス材料。
(8)前記電荷輸送性化合物が、芳香族アミン、カルバゾールまたはチオフェン化合物を
少なくとも一つ含むことを特徴とする前記(1)〜(7)のいずれかに記載の有機エレク
トロニクス材料。
(9)前記芳香族アミン、カルバゾールまたはチオフェン化合物が、ポリマーまたはオリ
ゴマーであることを特徴とする前記(8)に記載の有機エレクトロニクス材料。
(10)前記ポリマーまたはオリゴマーの数平均分子量が、1,000以上100,00
0以下である前記(9)に記載の有機エレクトロニクス材料。
(11)前記ポリマーまたはオリゴマーが一つ以上の重合可能な置換基を有することを特
徴とする前記(9)又は(10)に記載の有機エレクトロニクス材料。
(12)前記重合可能な置換基がオキセタン基、エポキシ基、ビニル基、ビニルエーテル
基、アクリレート基、メタクリレート基のいずれかであることを特徴とする前記(11)
に記載の有機エレクトロニクス材料。
(13)前記イオン性化合物が重合開始剤として機能することを特徴とする前記(1)〜
(12)のいずれかに記載の有機エレクトロニクス材料。
(14)下記一般式(1b)〜(3b)で表されるイオン性化合物の少なくとも1種を含
むことを特徴とする重合開始剤。

(式中、Y〜Yはそれぞれ独立に二価の連結基、R〜R6はそれぞれ独立に、電子
求引性の有機置換基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていてもよく、
また、R、R及びR、又はR4〜R6はそれぞれが結合して環状あるいはポリマー状
になってもよい。)を表す。Lは一価のカチオンを表す。)
(15)下記一般式(1b)〜(3b)で表されるイオン性化合物の少なくとも1種を含
むことを特徴とする熱重合開始剤。

(式中、Y〜Yはそれぞれ独立に二価の連結基、R〜R6はそれぞれ独立に、電子
求引性の有機置換基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていてもよく、
また、R、R及びR、又はR4〜R6はそれぞれが結合して環状あるいはポリマー状
になってもよい。)を表す。Lは一価のカチオンを表す。)
(16)前記(14)に記載の重合開始剤を用いて有機薄膜に耐溶剤性を付与する工程を
含むことを特徴とする有機薄膜の製造方法。
(17)前記(1)〜(12)のいずれかに記載の有機エレクトロニクス材料と溶媒とを
含むインク組成物。
(18)前記(1)〜(12)のいずれかに記載の有機エレクトロニクス材料を用いて形
成された有機薄膜。
(19)前記(17)に記載のインク組成物を用いて形成された有機薄膜。
(20)前記(18)又は(19)に記載の有機薄膜を含むことを特徴とする有機エレク
トロニクス素子。
(21)前記(18)又は(19)に記載の有機薄膜を含むことを特徴とする有機エレク
トロルミネセンス素子。
(22)前記有機薄膜が正孔注入層であることを特徴とする前記(21)に記載の有機エ
レクトロルミネセンス素子。
(23)前記有機薄膜が正孔輸送層であることを特徴とする前記(21)に記載の有機エ
レクトロルミネセンス素子。
(24)基板が、フレキシブル基板であることを特徴とする前記(21)〜(22)のい
ずれかに記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
(25)基板が、樹脂フィルムであることを特徴とする前記(21)〜(23)のいずれ
かに記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
(26)前記(21)〜(25)のいずれかに記載の有機エレクトロルミネセンス素子を
備えた表示素子。
(27)前記(21)〜(25)のいずれかに記載の有機エレクトロルミネセンス素子を
備えた照明装置。
(28)前記(27)に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子と、を備えた表示装
置。
本発明によれば、安定的かつ容易に薄膜を形成でき、また重合反応によって溶解度が変
化するため、有機薄膜層の多層化を容易に行うことができ、それゆえ、有機エレクトロニ
クス素子、特に高分子型有機EL素子の生産性を向上させる上で極めて有用な有機エレク
トロニクス材料を提供することができる。
さらには、該有機エレクトロニクス材料がイオン性化合物を含むことにより従来よりも
駆動電圧が低く、長い発光寿命を有する有機エレクトロニクス素子及び有機EL素子を提
供することができる。
多層化された有機EL素子の一例を示す模式図である。 比較例3において、ホールオンリー素子のITOを正極、Auを陰極として電圧を印加した時の印加電圧−電流密度の関係をグラフで示す図である。
本発明の有機エレクトロニクス材料は、電荷輸送性化合物とイオン性化合物とを含有し
、該イオン性化合物の少なくとも一つが下記一般式(1b)〜(3b)で表される化合物
の1種であることを特徴としている。

(式中、Y〜Yはそれぞれ独立に二価の連結基、R〜R6はそれぞれ独立に、電子
求引性の有機置換基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていてもよく、
また、R、R及びR、又はR4〜R6はそれぞれが結合して環状あるいはポリマー状
になってもよい。)を表す。Lは一価のカチオンを表す。)
ここで、本発明において、「イオン性化合物」とは、カチオンとアニオンからなる化合
物であって、アニオンが電子求引性の有機置換基(上記式中のR〜R6)を含むもので
あり、その例示としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、シアノ基
、チオシアノ基、ニトロ基、メシル基等のアルキルスルホニル基、トシル基等のアリール
スルホニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等の炭素数が通常1以上12以下
、好ましくは6以下のアシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素
数が通常2以上10以下、好ましくは7以下のアルコキシカルボニル基、フェノキシカル
ボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等の炭素数が通常3以上好ましくは4以上25以
下好ましくは15以下の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を有するアリールオキシカ
ルボニル基、アセトキシ等の炭素数が通常2以上20以下のアシルオキシ基、アルキルオ
キシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオ
ロエチル基等の炭素数が通常1以上10以下、好ましくは6以下の直鎖状、分岐鎖状又は
環状のアルキル、アルケニル、アルキニル基にフッ素原子、塩素原子などのハロゲン原子
が置換したハロアルキル、ハロアルケニル、ハロアルキニル基、ペンタフルオロフェニル
基などの炭素数が通常6以上20以下のハロアリール基などが挙げられる。これらの中で
も、負電荷を効率よく非局在化できる観点から、より好ましくは、上記有機基のうち水素
原子を有する基の水素原子の一部または全てをフッ素等のハロゲン原子で置換した基、例
えば、炭素数1〜20のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状もしくは環状のパーフ
ルオロアルキル基、パーフルオロアルキルスルホニル基、パーフルオロアルキルオキシス
ルホニル基、パーフルオロアリールスルホニル基、パーフルオロアリールオキシスルホニ
ル基、パーフルオロアシル基、パーフルオロアルコキシカルボニル基、パーフルオロアシ
ルオキシ基、パーフルオロアリールオキシカルボニル基、パーフルオロアルケニル基、パ
ーフルオロアルキニル基であり、下記構造式群(1)で表されるが、これに限定されるも
のではない。
構造式群(1)
また、一般式(1b)〜(3b)におけるY〜Yは2価の連結基を示すが、下記一
般式(4b)〜(14b)のいずれか1種であることが好ましい。

(式中、Rは任意の有機基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていても
よい)を表す。)
一般式(10b)〜(14b)におけるRは、電子受容性の向上、溶媒への溶解性の観
点から、各々独立に、置換されていてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基
、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基であることが好ましく、より好ましくは前記置換基
のうち、電子求引性の置換基を有する有機基であり、例えば、前記構造式群(1)の基が
挙げられる。
また、本発明におけるアニオンは負電荷が主として酸素原子、窒素原子、または炭素原
子上にあるものが好ましく、特に限定されないが、より好ましくは窒素原子または炭素原
子上にあるものであり、最も好ましくは下記一般式(18b)、(19b)で表されるも
のである。

(式中、RF1〜RF5はそれぞれ独立に電子求引性の有機置換基(これらの構造中にさ
らに置換基、ヘテロ原子をもっていてもよく、またRF1〜RF5はそれぞれが結合して
環状あるいはポリマー状になってもよい。)を表し、特に限定されないが、例えば、前記
構造式群(1)で示される基があげられる。)
また、本発明に係るイオン性化合物のカチオン、すなわち式(1b)〜(3b)のL
は一価のカチオンであり、特に限定されないが、下記一般式(15b)〜(17b)で表
されるいずれか1種が好ましい。

(式中、R11〜R34は、各々独立に、任意の有機基を表す。R11〜R34のうち隣
接する2以上の基が、互いに連結して環を形成していても良い。Aは長周期型周期表の
第17族または第14族に属する元素を表し、Aは長周期型周期表の第16族または第
14族に属する元素を表し、Aは長周期型周期表の第15族に属する元素を表す。)
一般式(15b)〜(17b)におけるR11〜R34は、化合物の安定性、溶媒への
溶解性の観点から、各々独立に、置換されていてもよい、アルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。
化合物の安定性、合成及び精製のし易さから、前記一般式(15b)におけるAが臭
素原子、ヨウ素原子または炭素原子であり、前記一般式(16b)におけるAが酸素原
子、炭素原子、硫黄原子またはセレン原子であり、前記一般式(17b)におけるA
窒素原子、リン原子、ヒ素原子またはアンチモン原子であることが好ましい。
すなわち、本発明におけるイオン性化合物のカチオンは、より好ましくは、ヨードニウ
ム、スルホニウム、ホスホニウム、カルベニウム(トリチル)、アニリニウム、ビスムト
ニウム、アンモニウム、セレニウム、ピリジニウム、イミダゾリウム、オキソニウム、キ
ノリニウム、ピロリジニウム、アミニウム、イモニウム、トロピリウムなどである。
例えば、スルホニウムとしては、トリフェニルスルホニウム、トリ−p−トリルスルホ
ニウム、トリ−o−トリルスルホニウム、トリス(4−メトキシフェニル)スルホニウム
、1−ナフチルジフェニルスルホニウム、2−ナフチルジフェニルスルホニウム、トリス
(4−フルオロフェニル)スルホニウム、トリ−1−ナフチルスルホニウム、トリ−2−
ナフチルスルホニウム、トリス(4−ヒドロキシフェニル)スルホニウム、4−(フェニ
ルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、4−(p−トリルチオ)フェニルジ−p−トリ
ルスルホニウム、4−(4−メトキシフェニルチオ)フェニルビス(4−メトキシフェニル
)スルホニウム、4−(フェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェニル)スルホニウ
ム、4−(フェニルチオ)フェニルビス(4−メトキシフェニル)スルホニウム、4−(フ
ェニルチオ)フェニルジ−p−トリルスルホニウム、ビス[4−(ジフェニルスルホニオ)
フェニル]スルフィド、ビス〔4−{ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]ス
ルホニオ}フェニル〕スルフィド、ビス{4−[ビス(4−フルオロフェニル)スルホニオ
]フェニル}スルフィド、ビス{4−[ビス(4−メチルフェニル)スルホニオ]フェニル
}スルフィド、ビス{4−[ビス(4−メトキシフェニル)スルホニオ]フェニル}スルフ
ィド、4−(4−ベンゾイル−2−クロロフェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェ
ニル)スルホニウム、4−(4−ベンゾイル−2−クロロフェニルチオ)フェニルジフェニ
ルスルホニウム、4−(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェニ
ル)スルホニウム、4−(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム
、7−イソプロピル−9−オキソ−10−チア−9,10−ジヒドロアントラセン−2−
イルジ−p−トリルスルホニウム、7−イソプロピル−9−オキソ−10−チア−9,1
0−ジヒドロアントラセン−2−イルジフェニルスルホニウム、2−[(ジ−p−トリル
)スルホニオ]チオキサントン、2−[(ジフェニル)スルホニオ]チオキサントン、4
−[4−(4−tert−ブチルベンゾイル)フェニルチオ]フェニルジ−p−トリルスルホニ
ウム、4−[4−(4−tert−ブチルベンゾイル)フェニルチオ]フェニルジフェニルスル
ホニウム、4−[4−(ベンゾイルフェニルチオ)]フェニルジ−p−トリルスルホニウ
ム、4−[4−(ベンゾイルフェニルチオ)]フェニルジフェニルスルホニウム、5−(
4−メトキシフェニル)チアアンスレニウム、5−フェニルチアアンスレニウム、5−ト
リルチアアンスレニウム、5−(4−エトキシフェニル)チアアンスレニウム、5−(2,
4,6−トリメチルフェニル)チアアンスレニウムなどのトリアリールスルホニウム;ジ
フェニルフェナシルスルホニウム、ジフェニル4−ニトロフェナシルスルホニウム、ジフ
ェニルベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウムなどのジアリールスルホニ
ウム;フェニルメチルベンジルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルス
ルホニウム、4−メトキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、4−アセトカルボニル
オキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、2−ナフチルメチルベンジルスルホニウム
、2−ナフチルメチル(1−エトキシカルボニル)エチルスルホニウム、フェニルメチルフ
ェナシルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、4−メ
トキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、4−アセトカルボニルオキシフェニルメ
チルフェナシルスルホニウム、2−ナフチルメチルフェナシルスルホニウム、2−ナフチ
ルオクタデシルフェナシルスルホニウム、9−アントラセニルメチルフェナシルスルホニ
ウムなどのモノアリールスルホニウム;ジメチルフェナシルスルホニウム、フェナシルテ
トラヒドロチオフェニウム、ジメチルベンジルスルホニウム、ベンジルテトラヒドロチオ
フェニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウムなどのトリアルキルスルホニウ
ムなどが挙げられ、これらは以下の文献に記載されている。
トリアリールスルホニウムに関しては、米国特許第4231951号、米国特許第42
56828号、特開平7−61964号、特開平8−165290号、特開平7−109
14号、特開平7−25922号、特開平8−27208号、特開平8−27209号、
特開平8−165290号、特開平8−301991号、特開平9−143212号、特
開平9−278813号、特開平10−7680号、特開平10−287643号、特開
平10−245378号、特開平8−157510号、特開平10−204083号、特
開平8−245566号、特開平8−157451号、特開平7−324069号、特開
平9−268205号、特開平9−278935号、特開2001−288205号、特
開平11−80118号、特開平10−182825号、特開平10−330353、特
開平10−152495、特開平5−239213号、特開平7−333834号、特開
平9−12537号、特開平8−325259号、特開平8−160606号、特開20
00−186071号(米国特許第6368769号)など;ジアリールスルホニウムに
関しては、特開平7−300504号、特開昭64−45357号、特開昭64−294
19号など;モノアリールスルホニウムに関しては、特開平6−345726号、特開平
8−325225号、特開平9−118663号(米国特許第6093753号)、特開
平2−196812号、特開平2−1470号、特開平2−196812号、特開平3−
237107号、特開平3−17101号、特開平6−228086号、特開平10−1
52469号、特開平7−300505号、特開2003−277353、特開2003
−277352など;トリアルキルスルホニウムに関しては、特開平4−308563号
、特開平5−140210号、特開平5−140209号、特開平5−230189号、
特開平6−271532号、特開昭58−37003号、特開平2−178303号、特
開平10−338688号、特開平9−328506号、特開平11−228534号、
特開平8−27102号、特開平7−333834号、特開平5−222167号、特開
平11−21307号、特開平11−35613号、米国特許第6031014号などが
挙げられる。
ヨードニウムイオンとしては、ジフェニルヨードニウム、ジ−p−トリルヨードニウム
、ビス(4−ドデシルフェニル)ヨードニウム、ビス(4−メトキシフェニル)ヨードニ
ウム、(4−オクチルオキシフェニル)フェニルヨードニウム、ビス(4−デシルオキシフ
ェニル)ヨードニウム、4−(2−ヒドロキシテトラデシルオキシ)フェニルフェニルヨ
ードニウム、4−イソプロピルフェニル(p−トリル)ヨードニウム、イソブチルフェニ
ル(p−トリル)ヨードニウムなどが挙げられ、これらは、Macromolecules,10,1307(197
7)、特開平6−184170号、米国特許第4256828号、米国特許第435170
8号、特開昭56−135519号、特開昭58−38350号、特開平10−1951
17号、特開2001−139539号、特開2000−510516号、特開2000
−119306号などに記載されている。
セレニウムイオンとしては、トリフェニルセレニウム、トリ−p−トリルセレニウム、
トリ−o−トリルセレニウム、トリス(4−メトキシフェニル)セレニウム、1−ナフチ
ルジフェニルセレニウム、トリス(4−フルオロフェニル)セレニウム、トリ−1−ナフ
チルセレニウム、トリ−2−ナフチルセレニウム、トリス(4−ヒドロキシフェニル)セ
レニウム、4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルセレニウム、 4−(p−トリルチオ)
フェニルジ−p−トリルセレニウムなどのトリアリールセレニウム;ジフェニルフェナシ
ルセレニウム、ジフェニルベンジルセレニウム、ジフェニルメチルセレニウムなどのジア
リールセレニウム;フェニルメチルベンジルセレニウム、4−ヒドロキシフェニルメチル
ベンジルセレニウム、フェニルメチルフェナシルセレニウム、4−ヒドロキシフェニルメ
チルフェナシルセレニウム、4−メトキシフェニルメチルフェナシルセレニウムなどのモ
ノアリールセレニウム;ジメチルフェナシルセレニウム、フェナシルテトラヒドロセレノ
フェニウム、ジメチルベンジルセレニウム、ベンジルテトラヒドロセレノフェニウム、オ
クタデシルメチルフェナシルセレニウムなどのトリアルキルセレニウムなどが挙げられ、
これらは特開昭50−151997号、特開昭50−151976号、特開昭53−22
597号などに記載されている。
アンモニウムイオンとしては、例えば、テトラメチルアンモニウム、エチルトリメチル
アンモニウム、ジエチルジメチルアンモニウム、トリエチルメチルアンモニウム、テトラ
エチルアンモニウム、トリメチル−n−プロピルアンモニウム、トリメチルイソプロピル
アンモニウム、トリメチル−n−ブチルアンモニウム、トリメチルイソブチルアンモニウ
ム、トリメチル−t−ブチルアンモニウム、トリメチル−n−ヘキシルアンモニウム、ジ
メチルジ−n−プロピルアンモニウム、ジメチルジイソプロピルアンモニウム、ジメチル
−n−プロピルイソプロピルアンモニウム、メチルトリ−n−プロピルアンモニウム、メ
チルトリイソプロピルアンモニウムなどのテトラアルキルアンモニウム;N,N−ジメチ
ルピロリジニウム、N−エチル−N−メチルピロリジニウム、N,N−ジエチルピロリジ
ニウムなどのピロリジニウム;N,N'−ジメチルイミダゾリニウム、N,N'−ジエチル
イミダゾリニウム、N−エチル−N'−メチルイミダゾリニウム、1,2,3−トリメチ
ルイミダゾリニウム、1,3,4−トリメチルイミダゾリニウム、1,3−ジエチル−2
−メチルイミダゾリニウム、1,3−ジエチル−4−メチルイミダゾリニウム、1,2,
3,4−テトラメチルイミダゾリニウムなどのイミダゾリニウム;N,N'−ジメチルテ
トラヒドロピリミジニウム、N,N'−ジエチルテトラヒドロピリミジニウム、N−エチ
ル−N'−メチルテトラヒドロピリミジニウム、1,2,3−トリメチルテトラヒドロピ
リミジニウムなどのテトラヒドロピリミジニウム;N,N'−ジメチルモルホリニウム、
N−エチル−N−メチルモルホリニウム、N,N−ジエチルモルホリニウムなどのモルホ
リニウム;N,N−ジメチルピペリジニウム、N−エチル−N'−メチルピペリジニウム
、N,N'−ジエチルピペリジニウムなどのピペリジニウム;N−メチルピリジニウム、
N−エチルピリジニウム、N−n−プロピルピリジニウム、N−イソプロピルピリジニウ
ム、N−n−ブチルピリジニウム、N−ベンジルピリジニウム、N−フェナシルピリジウ
ムなどのピリジニウム;N,N'−ジメチルイミダゾリウム、N−エチル−N−メチルイ
ミダゾリウム、N,N'−ジエチルイミダゾリウム、1,2−ジエチル−3−メチルイミ
ダゾリウム、1,3−ジエチル−2−メチルイミダゾリウム、1−メチル−3−n−プロ
ピル−2,4−ジメチルイミダゾリウムなどのイミダゾリウム;N−メチルキノリウム、
N−エチルキノリウム、N−n−プロピルキノリウム、N−イソプロピルキノリウム、N
−n−ブチルキノリウム、N−ベンジルキノリウム、N−フェナシルキノリウムなどのキ
ノリウム;N−メチルイソキノリウム、N−エチルイソキノリウム、N−n−プロピルイ
ソキノリウム、N−イソプロピルイソキノリウム、N−n−ブチルイソキノリウム、N−
ベンジルイソキノリウム、N−フェナシルイソキノリウムなどのイソキノリウム;ベンジ
ルベンゾチアゾニウム、フェナシルベンゾチアゾニウムなどのチアゾニウム;ベンジルア
クリジウム、フェナシルアクリジウムなどのアクリジウムが挙げられる。
これらは、米国特許第4069055号、特許第2519480号、特開平5−222
112号、特開平5−222111号、特開平5−262813号、特開平5−2552
56号、特開平7−109303号、特開平10−101718号、特開平2−2681
73号、特開平9−328507号、特開平5−132461号、特開平9−22165
2号、特開平7−43854号、特開平7−43901号、特開平5−262813号、
特開平4−327574、特開平2−43202号、特開昭60−203628号、特開
昭57−209931号、特開平9−221652号などに記載されている。
ホスホニウムイオンとしては、例えば、テトラフェニルホスホニウム、テトラ−p−ト
リルホスホニウム、テトラキス(2−メトキシフェニル)ホスホニウム、テトラキス(3
−メトキシフェニル)ホスホニウム、テトラキス(4−メトキシフェニル)ホスホニウム
などのテトラアリールホスホニウム;トリフェニルベンジルホスホニウム、トリフェニル
フェナシルホスホニウム、トリフェニルメチルホスホニウム、トリフェニルブチルホスホ
ニウムなどのトリアリールホスホニウム;トリエチルベンジルホスホニウム、トリブチル
ベンジルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、テトラ
ヘキシルホスホニウム、トリエチルフェナシルホスホニウム、トリブチルフェナシルホス
ホニウムなどのテトラアルキルホスホニウムなどが挙げられる。これらは、特開平6−1
57624号、特開平5−105692号、特開平7−82283号、特開平9−202
873号などに記載されている。
オキソニウムイオンとしては、トリメチルオキソニウム、トリエチルオキソニウム、ト
リプロピルオキソニウム、トリブチルオキソニウム、トリヘキシルオキソニウム、トリフ
ェニルオキソニウム、ピリリニウム、クロメニリウム、キサンチリウムが挙げられる。
ビスムトニウムイオンとしては、例えば、特開2008−214330に記載されてい
る。
トロピリウムイオンとしては、例えば、J. Polym. Sci. Part A
;Polym. Chem.,42,2166(2004)に記載されている。
ここで、本発明において、「電荷輸送性化合物」とは、電荷輸送性ユニットを有する化
合物を言う。
ここで、本発明において「電荷輸送性ユニット」とは、正孔または電子を輸送する能力
を有した原子団であり、以下、その詳細について述べる。
上記電荷輸送性ユニットは、正孔または電子を輸送する能力を有していればよく、特に
限定されないが、芳香環を有するアミンやカルバゾール、チオフェンであることが好まし
く、例えば、下記一般式(1)〜(58)で表される部分構造を有することが好ましい。
(式中、Eはそれぞれ独立に−R1、−OR2、−SR3、−OCOR4、−COOR5、−
SiR678または一般式(59)〜(61)(ただし、R〜R11は、水素原子、炭
素数1〜22個の直鎖、環状もしくは分岐アルキル基、または炭素数2〜30個のアリー
ル基もしくはヘテロアリール基を表し、aおよびbおよびcは、1以上の整数を表す。こ
こで、アリール基とは、芳香族炭化水素から水素原子一個を除いた原子団であり、置換基
を有していてもよく、ヘテロアリール基とは、ヘテロ原子を有する芳香族化合物から水素
原子1個を除いた原子団であり、置換基を有していてもよい。)、または置換基群(A)
〜置換基群(N)において表される基のいずれかを表す。Arは、それぞれ独立に炭素数
2〜30個のアリーレン基、もしくはヘテロアリーレン基を表す。アリーレン基とは芳香
族炭化水素から水素原子2個を除いた原子団であり置換基を有していてもよく、例えば、
フェニレン、ビフェニル−ジイル、ターフェニル−ジイル、ナフタレン−ジイル、アント
ラセン−ジイル、テトラセン−ジイル、フルオレン−ジイル、フェナントレン−ジイル等
が挙げられる。ヘテロアリール基とは、ヘテロ原子を有する芳香族化合物から水素原子2
個を除いた原子団であり置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン−ジイル、ピラジ
ン−ジイル、キノリン−ジイル、イソキノリン−ジイル、アクリジン−ジイル、フェナン
トロリン−ジイル、フラン−ジイル、ピロール−ジイル、チオフェン−ジイル、オキサゾ
ール−ジイル、オキサジアゾール−ジイル、チアジアゾール−ジイル、トリアゾール−ジ
イル、ベンゾオキサゾール−ジイル、ベンゾオキサジアゾール−ジイル、ベンゾチアジア
ゾール−ジイル、ベンゾトリアゾール−ジイル、ベンゾチオフェン−ジイル等が挙げられ
る。XおよびZはそれぞれ独立に二価の連結基で、特に制限はないが、前記Rのうち水素
原子を1つ以上有する基から、さらに1つの水素原子を除去した基や後記連結基群(A)
で例示される基が好ましい。xは0〜2の整数を表す。Yは前記三価の連結基であり、前
記Rのうち、水素原子を2つ以上有する基から2つの水素原子を除去した基を表す。)
置換基群(A)
置換基群(B)
置換基群(C)
置換基群(D)
置換基群(E)
置換基群(F)
置換基群(G)
置換基群(H)
置換基群(I)
置換基群(J)
置換基群(K)
置換基群(L)
置換基群(M)
置換基群(N)
連結基群(A)
また、本発明における電荷輸送性化合物は、市販のものでもよく、当業者公知の方法で
合成したものであってもよく、特に制限はない。
また、本発明におけるイオン性化合物は、電荷輸送性向上の観点からオニウム塩である
ことが好ましい。
ここで、本発明においてオニウム塩とは、例えば、スルホニウムイオン、ヨードニウム
イオン、セレニウムイオン、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオン、オキソニウムイ
オン、ビスムトニウムイオン等のカチオンと対アニオンからなる化合物を言う。アニオン
の例としては、F-、Cl-、Br-、I-などのハロゲンイオン;OH-;ClO4 -;FS
3 -、ClSO3 -、CH3SO3 -、C65SO3 -、CF3SO3 -などのスルホン酸イオン類
;HSO4 -、SO4 2-などの硫酸イオン類;HCO3 -、CO3 2-などの炭酸イオン類;H2
PO4 -、HPO4 2-、PO4 3-などのリン酸イオン類; PF6 -、PF5OH-などのフルオ
ロリン酸イオン類;BF4 -、B(C654 -、B(C64CF34 -などのホウ酸イオン
類;AlCl4 -;BiF6 -;SbF6 -、SbF5OH-などのフルオロアンチモン酸イオン
類;AsF6 -、AsF5OH-などのフルオロヒ素酸イオン類などが挙げられる。
前記カチオンの例は、既述の式(8b)〜(10b)の例示と同様である。
また、本発明において電荷輸送性化合物は、高効率な電荷輸送性のため芳香族アミン、
カルバゾールあるいはチオフェン化合物を少なくとも一つ含むことが好ましい。
また、本発明において、これらの電荷輸送性化合物は溶解度、成膜性の観点からポリマ
ー又はオリゴマーであることが好ましい。
また、前記電荷輸送性化合物がポリマー又はオリゴマーである場合、溶剤への溶解性、
成膜性の観点から数平均分子量が、1,000以上1,000,000以下であることが
好ましい。より好ましくは2,000以上900,000以下、さらに好ましくは3,0
00以上800,000以下である。1,000より小さいと化合物が結晶化しやすくな
り、成膜性に劣ってしまう。また、1,000,000より大きいと溶剤への溶解度が低
下し、塗布溶液や塗布インクを作製するのが困難になる。
また、前記ポリマー又はオリゴマーは下記一般式(1a)〜(84a)で表される繰り
返し単位を含むことが好ましい。
また上記ポリマー又はオリゴマーは溶解度を変化させるため、一つ以上の「重合可能な
置換基」を有することが好ましい。ここで、上記「重合可能な置換基」とは、重合反応を
起こすことにより2分子以上の分子間で結合を形成可能な置換基のことであり、以下、そ
の詳細について述べる。
上記重合可能な置換基としては、炭素−炭素多重結合を有する基(例えば、ビニル基、
アセチレン基、ブテニル基、アクリル基、アクリレート基、アクリルアミド基、メタクリ
ル基、メタクリレート基、メタクリルアミド基、アレーン基、アリル基、ビニルエーテル
基、ビニルアミノ基、フリル基、ピロール基、チオフェン基、シロール基等を挙げること
ができる)、小員環を有する基(たとえばシクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ
基、オキセタン基、ジケテン基、エピスルフィド基等)、ラクトン基、ラクタム基、また
はシロキサン誘導体を含有する基等が挙げられる。また、上記基の他に、エステル結合や
アミド結合を形成可能な基の組み合わせなども利用できる。例えば、エステル基とアミノ
基、エステル基とヒドロキシル基などの組み合わせである。重合可能な置換基としては、
特に、オキセタン基、エポキシ基、ビニル基、ビニルエーテル基、アクリレート基、メタ
クリレート基が反応性の観点から好ましく、オキセタン基が最も好ましい。重合性置換基
の自由度を上げ、硬化反応を生じさせやすくする観点からは、ポリマー又はオリゴマーの
主鎖と重合性置換基が、炭素数1〜8のアルキル鎖で連結されていることがより好ましい
。また、ITOなどの親水性電極との親和性を上げる観点からは、前記アルキル鎖がエチ
レングリコールやジエチレングリコールなどの親水性基であるとより好ましい。また、対
応するモノマーの調製が容易になる観点からは、前記アルキル鎖の末端部、すなわち重合
性置換基との連結部、ポリマー又はオリゴマー主鎖との連結部において、エーテル結合を
有していてもよく、具体的には前記置換基群(A)〜(C)で表される。
また、本発明におけるポリマー又はオリゴマーは、溶解度や耐熱性、電気的特性の調整
のため、上記繰り返し単位の他に、上記アリーレン基、ヘテロアリーレン基として下記構
造式群(X)で表される構造を共重合繰り返し単位として有する共重合体であってもよい
。この場合、共重合体では、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよい
し、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体
であってもよい。また、本発明で用いるポリマー又はオリゴマーは、主鎖中に枝分かれを
有し、末端が3つ以上あってもよい。
構造式群(X)
また、本発明に係るイオン性化合物は単独で重合開始剤として用いることができる。つ
まり、本発明の重合開始剤は、既述の本発明に係る一般式(1b)〜(3b)で表される
イオン性化合物の少なくとも1種を含むことを特徴としている。
重合を開始させる契機としては、熱、光、マイクロ波、放射線、電子線等の印加によっ
て、重合可能な置換基を重合させる能力を発現するものであればよく、特に限定されない
が、光照射および/または加熱によって重合を開始させるものであることが好ましく、加
熱によることが最も好ましい。すなわち、本発明に係るイオン性化合物は、熱重合開始剤
として使用することができ、本発明の熱重合開始剤は、既述の本発明に係る一般式(1b
)〜(3b)で表されるイオン性化合物の少なくとも1種を含むことを特徴としている。
また、本発明に係るイオン性化合物は、重合反応により有機薄膜に耐溶剤性を付与する
重合開始剤として用いることができる。
この重合開始剤の作用を有機薄膜の製造方法に適用したのが本発明の有機薄膜の製造方
法である。すなわち、本発明の有機薄膜の製造方法は、上述の本発明の重合開始剤を用い
て有機薄膜に耐溶剤性を付与する工程を含むことを特徴としている。
本発明の有機薄膜の製造方法において、本発明の重合開始剤を用いて有機薄膜に耐溶剤
性を付与するに際し、重合開始剤を用いる条件は、電荷輸送性化合物に対し、0.1〜5
0質量%の重合開始剤を用いて薄膜を形成したのち、真空中、大気下あるいは窒素雰囲気
下で加熱すればよい。加熱温度・時間は、重合反応を十分に進行させられればよく、特に
制限はないが、温度については、種々の基板を適用できることから、好ましくは300℃
以下、より好ましくは200℃以下、さらに好ましくは150℃以下である。時間は、生
産性を上げる観点から、好ましくは2時間以下、より好ましくは1時間以下、さらに好ま
しくは30分以下である。
また、本発明の有機エレクトロニクス材料は、重合反応による溶解度の差を利用するた
めに、重合開始剤を含むことが好ましい。
この重合開始剤としては、熱、光、マイクロ波、放射線、電子線等の印加によって、重
合可能な置換基を重合させる能力を発現するものであればよく、特に限定されないが、光
照射および/または加熱によって重合を開始させるものであることが好ましい。
本発明における電荷輸送膜中の重合開始剤の割合は、重合が十分に進行する量であれば
よく、特に限定されないが、0.1質量%〜50質量%であることが好ましい。これより
少ない場合、重合が効率よく進行せず溶解度を十分に変化させることができない。また、
これより多い場合には、多量の重合開始剤および/または分解物が残存することで、洗浄
による効果が低くなってしまう。
また、本発明の重合開始剤は、上記重合開始剤の他、感光性および/または感熱性を向
上させるための増感剤を含んでいてもよい。
また、電荷輸送性向上機能と重合開始機能を持たせられる観点から、本発明における重
合開始剤は上記イオン性化合物であることが好ましい。
また、本発明のインク組成物は、既述の本発明の有機エレクトロニクス材料と溶媒とを
含むことを特徴としており、その他の添加剤、例えば重合禁止剤、安定剤、増粘剤、ゲル
化剤、難燃剤、酸化防止剤、還元防止剤、酸化剤、還元剤、表面改質剤、乳化剤、消泡剤
、分散剤、界面活性剤などを含んでいてもよい。前記溶媒としては、水やメタノール、エ
タノール、イソプロピルアルコール等のアルコール、ペンタン、ヘキサン、オクタン等の
アルカン、シクロヘキサン等の環状アルカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレ
ン、テトラリン、ジフェニルメタン等の芳香族溶媒、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエー
テルアセタート等の脂肪族エーテル、1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシ
ベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、
4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の
芳香族エーテル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族
エステル、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安
息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、その他、ジメチルスルホキシド、
テトラヒドロフラン、アセトン、クロロホルム、塩化メチレンなどが挙げられるが、好ま
しくは芳香族溶媒、脂肪族エステル、芳香族エステル、脂肪族エーテル、芳香族エーテル
を使用することができる。
本発明のインク組成物において、溶媒に対する有機エレクトロニクス材料の含有量は、
種々の塗布プロセスに適用できる観点から0.1〜30質量%とすることが好ましい。
さらに、本発明の有機エレクトロニクス素子は、上記有機エレクトロニクス材料および
/または上記インク組成物から形成された有機薄膜を含む。
同様に、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)は、上記有機エレ
クトロニクス材料および/または上記インク組成物から形成された有機薄膜を含む。
いずれの素子も、有機薄膜として、本発明の有機エレクトロニクス材料を用いて形成さ
れた優れた有機薄膜を含み、従来よりも駆動電圧が低く、長い発光寿命を有する。
以下に、本発明のEL素子について詳述する。
[有機EL素子]
本発明の有機エレクトロニクス素子は、電荷輸送性化合物とイオン性化合物とを含む有
機エレクトロニクス材料からなる有機薄膜を含むことをその特徴とするものである。本発
明の有機EL素子は、発光層、重合層、陽極、陰極、基板を備えていれば特に限定されず
、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層などの他の層を有していてもよい。
また、正孔注入層又は正孔輸送層に、本発明の有機薄膜を適用することが好ましい。
以下、各層について詳細に説明する。
[発光層]
発光層に用いる材料としては、低分子化合物であっても、ポリマーまたはオリゴマーで
あってもよく、デンドリマー等も使用可能である。蛍光発光を利用する低分子化合物とし
ては、ペリレン、クマリン、ルブレン、キナクドリン、色素レーザー用色素(例えば、ロ
ーダミン、DCM1等)、アルミニウム錯体(例えば、Tris(8-hydroxyquinolinato)alum
inum(III)(Alq))、スチルベン、これらの誘導体があげられる。蛍光発光を利用
するポリマーまたはオリゴマーとしては、ポリフルオレン、ポリフェニレン、ポリフェニ
レンビニレン(PPV)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、フルオレンーベンゾチア
ジアゾール共重合体、フルオレン−トリフェニルアミン共重合体、及びこれらの誘導体や
混合物が好適に利用できる。
一方、近年有機EL素子の高効率化のため、燐光有機EL素子の開発も活発に行われて
いる。燐光有機EL素子では、一重項状態のエネルギーのみならず三重項状態のエネルギ
ーも利用することが可能であり、内部量子収率を原理的には100%まで上げることが可
能となる。燐光有機EL素子では、燐光を発するドーパントとして、白金やイリジウムな
どの重金属を含む金属錯体系燐光材料を、ホスト材料にドーピングすることで燐光発光を
取り出す(M.A.Baldo et al.,Nature,vol.395,p.151(1998)、M.A.Baldo et al.,Apllied
Physics Letters,vol.75,p.4(1999)、M.A.Baldo et al.,Nature,vol.403,p.750(2000)参
照。)。
本発明の有機EL素子においても、高効率化の観点から、発光層に燐光材料を用いるこ
とが好ましい。燐光材料としては、IrやPtなどの中心金属を含む金属錯体などが好適
に使用できる。具体的には、Ir錯体としては、例えば、青色発光を行うFIr(pic
)〔イリジウム(III)ビス[(4,6-ジフルオロフェニル)-ピリジネート-N,C2]ピコリネート
〕、緑色発光を行うIr(ppy)〔ファク トリス(2−フェニルピリジン)イリジ
ウム〕(前記M.A.Baldo et al.,Nature,vol.403,p.750(2000)参照)又はAdachi e
tal.,Appl.Phys.Lett.,78no.11,2001,1622に示
される赤色発光を行う(btp)Ir(acac){bis〔2−(2’−ベンゾ[4
,5−α]チエニル)ピリジナート−N,C3〕イリジウム(アセチル−アセトネート)
}、Ir(piq)〔トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム〕等が挙げられ
る。
Pt錯体としては、例えば、赤色発光を行う2、3、7、8、12、13、17、18
−オクタエチル−21H、23H−フォルフィンプラチナ(PtOEP)等が挙げられる

燐光材料は、低分子又はデンドライド種、例えば、イリジウム核デンドリマーが使用さ
れ得る。またこれらの誘導体も好適に使用できる。
また、発光層に燐光材料が含まれる場合、燐光材料の他に、ホスト材料を含むことが好
ましい。
ホスト材料としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよく、デンド
リマーなども使用できる。
低分子化合物としては、例えば、CBP(4,4'-Bis(Carbazol-9-yl)-biphenyl)、mCP
(1,3-bis(9-carbazolyl)benzene)、CDBP(4,4'-Bis(Carbazol-9-yl)-2,2’-dimeth
ylbiphenyl)などが、高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール、ポリフ
ェニレン、ポリフルオレンなどが使用でき、これらの誘導体も使用できる。
発光層は、蒸着法により形成してもよく、塗布法により形成してもよい。
塗布法により形成する場合、有機EL素子を安価に製造することができ、より好ましい
。発光層を塗布法によって形成するには、燐光材料と、必要に応じてホスト材料を含む溶
液を、例えば、インクジェット法、キャスト法、浸漬法、凸版印刷、凹版印刷、オフセッ
ト印刷、平板印刷、凸版反転オフセット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷等の印刷法
、スピンコーティング法などの公知の方法で所望の基体上に塗布することで行うことがで
きる。
[陰極]
陰極材料としては、例えば、Li、Ca、Mg、Al、In、Cs、Ba、Mg/Ag
、LiF、CsF等の金属又は金属合金であることが好ましい。
[陽極]
陽極としては、金属(例えば、Au)又は金属導電率を有する他の材料、例えば、酸化
物(例えば、ITO:酸化インジウム/酸化錫)、導電性高分子(例えば、ポリチオフェ
ン−ポリスチレンスルホン酸混合物(PEDOT:PSS))を使用することもできる。
[電子輸送層、電子注入層]
電子輸送層、電子注入層としては、例えば、フェナントロリン誘導体(例えば、2,9-di
methyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP))、ビピリジン誘導体、ニトロ置
換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレ
ンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメ
タン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体(2-
(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazole) (PBD))、アルミニウ
ム錯体(例えば、Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(III)(Alq))などが挙げ
られる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子
を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリ
ン環を有するキノキサリン誘導体も用いることができる。
[基板]
本発明の有機EL素子に用いることができる基板として、ガラス、プラスチック等の種
類は特に限定されることはなく、また、透明のものであれば特に制限は無いが、ガラス、
石英、光透過性樹脂フィルム等が好ましく用いられる。樹脂フィルムを用いた場合には、
有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能であり、特に好ましい。
樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン
ナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポ
リカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテート
プロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。
また、樹脂フィルムを用いる場合、水蒸気や酸素等の透過を抑制するために、樹脂フィ
ルムへ酸化珪素や窒化珪素等の無機物をコーティングして用いてもよい。
[発光色]
本発明の有機EL素子における発光色は特に限定されるものではないが、白色発光素子
は家庭用照明、車内照明、時計や液晶のバックライト等の各種照明器具に用いることがで
きるため好ましい。
白色発光素子を形成する方法としては、現在のところ単一の材料で白色発光を示すこと
が困難であることから、複数の発光材料を用いて複数の発光色を同時に発光させて混色さ
せることで白色発光を得ている。複数の発光色の組み合わせとしては、特に限定されるも
のではないが、青色、緑色、赤色の3つの発光極大波長を含有するもの、青色と黄色、黄
緑色と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有するものが挙げられる。
また発光色の制御は、燐光材料の種類と量を調整することによって行うことができる。
<表示素子、照明装置、表示装置>
本発明の表示素子は、既述の本発明の有機EL素子を備えたことを特徴としている。
例えば、赤・緑・青(RGB)の各画素に対応する素子として、本発明の有機EL素子
を用いることで、カラーの表示素子が得られる。
画像の形成には、マトリックス状に配置した電極でパネルに配列された個々の有機EL
素子を直接駆動する単純マトリックス型と、各素子に薄膜トランジスタを配置して駆動す
るアクティブマトリックス型とがある。前者は、構造は単純ではあるが垂直画素数に限界
があるため文字などの表示に用いる。後者は、駆動電圧は低く電流が少なくてすみ、明る
い高精細画像が得られるので、高品位のディスプレイ用として用いられる。
また、本発明の照明装置は、既述の本発明の有機EL素子を備えたことを特徴としてい
る。さらに、本発明の表示装置は、照明装置と、表示手段として液晶素子と、を備えたこ
とを特徴としている。バックライト(白色発光光源)として上述の本発明の照明装置を用
い、表示手段として液晶素子を用いた表示装置、すなわち液晶表示装置としてもよい。こ
の構成は、公知の液晶表示装置において、バックライトのみを本発明の照明装置に置き換
えた構成であり、液晶素子部分は公知技術を転用することができる。
以下に、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限
定されるものではない。
<イオン性化合物の合成>
(イオン性化合物合成例1)
ナス型フラスコに、カリウム トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチド(1.
01g,2.24mmol)を加え、酢酸エチル(20mL)に溶解した。ここに、トリ
チル テトラフルオロボレート(0.73g,2.21mmol)の酢酸エチル懸濁溶液
(20mL)をゆっくりと滴下し、室温下で1時間攪拌した。有機層を水でよく洗浄した
後、溶媒を留去して乾固させることで目的のイオン性化合物Aを黄色粉末として1.31
g得た。収率90.5%。
本合成例の反応式を以下に示す。
(イオン性化合物合成例2)
前記イオン性化合物合成例1のカリウム トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メ
チドを、リチウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドに代えた以外はイオン
性化合物合成例1と同様にして合成を行った。目的のイオン性化合物Bを黄色粉末として
得た。収率85.9%
本合成例の反応式を以下に示す。
(イオン性化合物合成例3)
ナス型フラスコに、カリウム トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチド(0.
57g,1.34mmol)を加え、酢酸エチル(10mL)に溶解した。ここに、ジフ
ェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート(0.60g,1.33mmol)の酢
酸エチル溶液(10mL)をゆっくりと滴下し、室温下で1時間攪拌した。有機層を水で
よく洗浄したのち、溶媒を留去することで目的のイオン性化合物Cを白色粉末として0.
90g得た。収率97.0%
本合成例の反応式を以下に示す。
(イオン性化合物合成例4)
前記イオン性化合物合成例3のカリウム トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メ
チドを、リチウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドに変えた以外は同様に
して合成を行った。目的のイオン性化合物Dを白色粉末として得た。収率89.8%
本合成例の反応式を以下に示す。
(イオン性化合物合成例5)
ナス型フラスコに、カリウム トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチド(0.
76g,1.69mmol)を加え、酢酸エチル(10mL)に溶解した。ここに、トリ
フェニルスルホニウム テトラフルオロボラート(0.59g、1.69mmol)の酢
酸エチル溶液(10mL)をゆっくりと滴下し、室温で1時間攪拌した。有機層を水でよ
く洗浄した後、溶媒を留去することで目的のイオン性化合物Eを白色粉末として1.04
g得た。収率91.2%
本合成例の反応式を以下に示す。
(イオン性化合物合成例6)
前記イオン性化合物合成例5のカリウム トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メ
チドをリチウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドに変えた以外は同様にし
て合成を行った。目的のイオン性化合物Fを白色粉末として得た。収率83.4%
本合成例の反応式を以下に示す。
(イオン性化合物合成例7)
ナス型フラスコに、カリウム トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチド(0.
52g,1.14mmol)を加え、酢酸エチル(10mL)に溶解した。ここに、テト
ラフェニルホスホニウムブロミド(0.48g,1.14mmol)の酢酸エチル溶液(
10mL)をゆっくりと滴下し、室温で1時間攪拌した。有機層を水でよく洗浄した後、
溶媒を留去することで、目的のイオン性化合物Gを白色粉末として0.84g得た。収率
98.2%
本合成例の反応式を以下に示す。
(イオン性化合物合成例8)
前記イオン性化合物合成例7のカリウム トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メ
チドをリチウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドに変えた以外は同様にし
て合成を行った。目的のイオン性化合物Hを白色粉末として得た。収率85.2%
本合成例の反応式を以下に示す。
(イオン性化合物合成例9)
ナス型フラスコに、カリウム トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチド(4.
50g,10.0mmol)を加え、酢酸エチル(10mL)に溶解した。ここに、トリ
メチルフェニルアンモニウムクロリド(1.72g,10.0mmol)の酢酸エチル溶
液(10mL)をゆっくりと滴下し、室温で1時間攪拌した。有機層を水でよく洗浄した
後、溶媒を留去することで、目的のイオン性化合物Iを白色粉末として4.94g得た。
収率90.2%
本合成例の反応式を以下に示す。
<モノマーの合成>
(モノマー合成例1)
丸底フラスコに、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン(50mmol)、4
−ブロモベンジルブロミド(50mmol)、n−ヘキサン(200mL)、テトラブチ
ルアンモニウムブロミド(2.5mmol)及び50質量%水酸化ナトリウム水溶液(3
6g)を加え、窒素下、70℃で6時間加熱攪拌した。
室温(25℃)まで冷却後、水200mLを加え、n−ヘキサンで抽出した。溶媒留去
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーと減圧蒸留によって精製し、重合可能な置換基
を有するモノマーAを無色油状物として9.51g得た。収率67%。
本合成例の反応式を以下に示す。
H−NMR(300MHz,CDCl,δppm);0.86(t,J=7.5H
z,3H),1.76(t,J=7.5Hz,2H),3.57(s,2H),4.39
(d,J=5.7Hz,2H),4.45(d,J=5.7Hz,2H),4.51(s
,2H),7.22(d,J=8.4Hz,2H),7.47(d,J=8.4Hz,2
H)。
<電荷輸送性化合物の合成>
(合成例1)
密閉可能なフッ素樹脂製容器に、2,7−ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,
3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン(0.4mmo
l)、4,4’−ジブロモ−4’−n−ブチルトリフェニルアミン(0.32mmol)
、重合可能な置換基を有するモノマーA(0.16mmol)、テトラキストリフェニル
ホスフィンパラジウム(0.008mmol)、2M炭酸カリウム水溶液(5.3ml)
、Aliquat336(0.4mmol)及びアニソール(4ml)を入れ、窒素雰囲
気下、密閉容器中、マイクロ波を照射して90℃、2時間加熱撹拌した。
本合成例の反応式を以下に示す。
反応溶液をメタノール/水混合溶媒(9:1)に注ぎ、析出したポリマーをろ別した。
再沈殿を2回繰り返し行って精製し、重合可能な置換基を有しかつ正孔輸送性を有する繰
り返し単位を有するオリゴマーAを得た。得られたオリゴマーAの数平均分子量はポリス
チレン換算で4652であった。
<インク組成物の調製>
[実施例1]
上記で得たオリゴマーA(4.5mg)をトルエン(465μL)に溶解し、前記イオ
ン性化合物Gの酢酸エチル溶液(イオン性化合物G10μg/1μL、50μL)を加え
本発明の有機エレクトロニクス材料を含むインク組成物を調製した。オリゴマーAおよび
イオン性化合物Gが溶け残ることはなく、均一な溶液が得られた。
[比較例1]
実施例1におけるイオン性化合物Gをテトラフェニルホスホニウム ヘキサフルオロア
ンチモネート(Alfa Easer製)に代えた以外は同様にしてインク組成物を調製
した。しかしながら、溶け残りが発生して均一な溶液を得ることができず、塗布インクと
して適するものではなかった。
実施例1および比較例1の比較により、本発明の有機エレクトロニクス材料は溶剤への
溶解度が高く均一な溶液およびインク組成物を調製可能であることがわかる。
<耐溶剤性を有する有機薄膜の作製>
[実施例2]
上記で得たオリゴマーA(4.5mg)をトルエン(465μL)に溶解し、前記イオ
ン性化合物Cの酢酸エチル溶液(イオン性化合物C10μg/1μL、50μL)を加え
、インク組成物を調製した。この溶液を用いて石英ガラス板上に3000min−1でス
ピンコートし、ホットプレート上で180℃ 10分間加熱して硬化させ、有機薄膜(膜
厚:60nm)を形成した。この有機薄膜を石英ガラス板ごとトルエン中でリンスし、リ
ンス前後の薄膜の吸光度の比より薄膜の残存率(残膜率)を求めたところ、残膜率は98
%であった。
[実施例3]
実施例2におけるイオン性化合物Cをイオン性化合物Dの酢酸エチル溶液に変えた以外
は実施例2と同様にして薄膜を作製し、残膜率を求めたところ99%であった。
[実施例4]
実施例2におけるイオン性化合物Cをイオン性化合物Eに変えた以外は実施例2と同様
にして薄膜を作製し、残膜率を求めたところ91%であった。
[実施例5]
実施例2におけるイオン性化合物Cをイオン性化合物Fに変えた以外は実施例2と同様
にして薄膜を作製し、残膜率を求めたところ70%であった。
[実施例6]
実施例2におけるイオン性化合物Cをイオン性化合物Gに変えた以外は実施例2と同様
にして薄膜を作製し、残膜率を求めたところ86%であった。
[実施例7]
実施例2におけるイオン性化合物Cをイオン性化合物Hに変えた以外は実施例2と同様
にして薄膜を作製し、残膜率を求めたところ75%であった。
[実施例8]
実施例2におけるイオン性化合物Cを下記イオン性化合物Jに変えた以外は実施例2と
同様にして薄膜を作製し、残膜率を求めたところ99%であった。
[実施例9]
実施例2におけるイオン性化合物Cを下記イオン性化合物Kに変えた以外は実施例2と
同様にして薄膜を作製し、残膜率を求めたところ99%であった。
[実施例10]
実施例2におけるイオン性化合物Cを下記イオン性化合物Lに変えた以外は実施例2と
同様にして薄膜を作製し、残膜率を求めたところ94%であった。
[実施例11]
実施例2におけるイオン性化合物Cを下記イオン性化合物Mに変えた以外は実施例2と
同様にして薄膜を作製し、残膜率を求めたところ80%であった。
[比較例2]
実施例2におけるイオン性化合物Cをジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェ
ート(Aldrich製)に変えた以外は実施例2と同様にして薄膜を作製し、残膜率を
求めたところ、10%であった。
[比較例3]
実施例2におけるイオン性化合物Cをトリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラー
ト(東京化成工業製)に変えた以外は実施例2と同様にして薄膜を作製し、残膜率を求め
たところ、8%であった。
[比較例4]
実施例2におけるイオン性化合物Cをトロピリウムヘキサフルオロホスファート(東京
化成工業製)に変えた以外は同様にして薄膜を作製し、残膜率を求めたところ、13%で
あった。
以上の実施例と比較例の残膜率を表1に示す。
実施例2〜11および比較例2〜4の比較により、本発明の有機エレクトロニクス材料
は硬化により十分な耐溶剤性を発現できる。また、本発明のイオン性化合物は低温で硬化
可能な重合開始剤として機能していることがわかる。また、これにより、有機薄膜の積層
構造を作製可能であることがわかる。
<ホールオンリー素子の作製>
[実施例12]
ITOを1.6mm幅にパターニングしたガラス基板上に、オリゴマーA(20mg)
のトルエン(525μL)溶液と前記イオン性化合物Eの酢酸エチル溶液(イオン性化合
物E10μg/1μL、222μL)の混合溶液を2000min−1でスピン塗布し、
ホットプレート上で180℃、10分間加熱した。次に得られたガラス基板を真空蒸着機
中に移し、金(膜厚30nm)を蒸着した。
金を蒸着後、大気開放することなく、乾燥窒素環境中に基板を移動し、0.7mmの無
アルカリガラスに0.4mmのザグリを入れた封止ガラスとITO基板を、光硬化性エポ
キシ樹脂を用いて貼り合わせることにより封止を行い、ホールオンリー素子を作製した。
[比較例5]
実施例12におけるイオン性化合物Eを加えないこと以外は実施例12と同様にしてホ
ールオンリー素子を作製した。以後の実験は大気中、室温(25℃)で行った。
これらホールオンリー素子のITOを正極、Auを陰極として電圧を印加した時の印加
電圧−電流密度のグラフを図2に示す。図2より、実施例12の素子は、比較例5の素子
と比較して正孔電流が著しく流れやすくなっていることがわかる。
<有機EL素子の作製>
[実施例13]
ITOを1.6mm幅にパターニングしたガラス基板上に、上記で得たオリゴマーA(
4.5mg)、前記イオン性化合物E(0.45mg)、トルエン(1.2ml)を混合
した塗布溶液を、3000min−1でスピンコートした後、ホットプレート上で180
℃、10分間加熱して硬化させ、正孔注入層(40nm)を形成した。
次に、窒素中、CDBP(15mg)、FIr(pic)(0.9mg)、Ir(pp
y)3(0.9mg)、(btp)2Ir(acac)(1.2mg)、ジクロロベンゼ
ン(0.5mL)の混合物を、3000rpmにてスピンコートし、次いで80℃で5分
間乾燥させて発光層(40nm)を形成した。さらに、実施例1と同様にして、BAlq
(10nm)、Alq(30nm)、LiF(膜厚0.5nm)、Al(膜厚100n
m)の順に蒸着し、封止処理して有機EL素子および照明装置を作製した。
この白色有機EL素子および照明装置に電圧を印加したところ、3.5Vで白色発光が
観測された。
[比較例6]
正孔注入層の形成時に前記イオン性化合物を加えなかった以外、実施例13と同様にし
て白色有機EL素子および照明装置を作製した。
この白色有機EL素子および照明装置に電圧を印加したところ、10.0Vで白色発光
が観測されたが、発光寿命は実施例13の1/3であった。
[実施例14]
上記で得たオリゴマーA(10mg)をトルエン(728μL)に溶解し、前記イオン
性化合物Cの酢酸エチル溶液(イオン性化合物C10μg/1μL、31μL)を加えた
塗布溶液を調製した。ITOを1.6mm幅にパターニングしたガラス基板上に、窒素雰
囲気下で塗布溶液を3000min−1でスピンコートした後、ホットプレート上で18
0℃、10分間加熱して硬化させ、正孔注入層(60nm)を形成した。
次に、窒素雰囲気下で下記黄緑色発光ポリマ(10mg)、トルエン(566μL)の
混合物を4000min−1でスピンコートし、次いで80℃で5分間乾燥させて発光層
(100nm)を形成した。次に得られたITOガラス基板を真空蒸着機中に移し、Ba
(3nm)、Al(100nm)を順に蒸着した。
Alを蒸着後、大気開放することなく、乾燥窒素環境中に基板を移動し、0.7mmの
無アルカリガラスに0.4mmのザグリを入れた封止ガラスとITOガラス基板を、光硬
化性エポキシ樹脂を用いて貼り合わせることにより封止を行い、有機EL素子を作製した
この有機EL素子に電圧を印加したところ、3.5Vで黄緑色発光が観測され、初期輝
度1000cd/mにおける発光寿命は、655時間であった。
[比較例7]
実施例14におけるイオン性化合物Cを下記イオン性化合物Nに変えた以外は同様にし
て有機EL素子を作製し、電圧を印加したところ、6.0Vで黄緑色発光が観測され、初
期輝度1000cd/mにおける発光寿命は、194時間であった。
以上の実施例13と比較例6、実施例14と比較例7を比較することで、本発明におけ
る有機エレクトロニクス材料を適用することで電荷輸送性が向上し、有機EL素子および
照明装置を低電圧かつ長寿命で駆動できることがわかる。
1 発光層
2 陽極
3 正孔注入層
4 陰極
5 電子注入層
6 正孔輸送層
7 電子輸送層
8 基板

Claims (28)

  1. 電荷輸送性化合物とイオン性化合物とを含有し、該イオン性化合物の少なくとも一つが
    下記一般式(1b)〜(3b)で表される化合物のいずれか1種であることを特徴とする
    有機エレクトロニクス材料。

    (式中、Y〜Yはそれぞれ独立に二価の連結基、R〜R6はそれぞれ独立に、電子
    求引性の有機置換基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていてもよく、
    また、R、R及びR、又はR4〜R6はそれぞれが結合して環状あるいはポリマー状
    になってもよい。)を表す。Lは一価のカチオンを表す。)
  2. 前記イオン性化合物がハロゲン原子を有することを特徴とする請求項1に記載の有機エ
    レクトロニクス材料。
  3. 前記イオン性化合物が、炭素数1〜20のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状も
    しくは環状の、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルキルスルホニル基、パーフル
    オロアルキルオキシスルホニル基、パーフルオロアリールスルホニル基、パーフルオロア
    リールオキシスルホニル基、パーフルオロアシル基、パーフルオロアルコキシカルボニル
    基、パーフルオロアシルオキシ基、パーフルオロアリールオキシカルボニル基、パーフル
    オロアルケニル基、及びパーフルオロアルキニル基からなる群より選択される1種を有す
    ることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロニクス材料。
  4. 前記Y〜Yが下記一般式(4b)〜(14b)のいずれか1種であることを特徴と
    する請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロニクス材料。

    (式中、Rは任意の有機基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていても
    よい)を表す。)
  5. 前記一般式(1b)〜(3b)におけるLが下記一般式(15b)〜(17b)で表
    されるカチオンのうちのいずれか1種であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1
    項に記載の有機エレクトロニクス材料。

    (式中、R11〜R34は、各々独立に、任意の有機基を表す。R11〜R34のうち隣
    接する2以上の基が、互いに連結して環を形成していてもよい。Aは長周期型周期表の
    第17族または第14族に属する元素を表し、Aは長周期型周期表の第16族または第
    14族に属する元素を表し、Aは長周期型周期表の第15族に属する元素を表す。)
  6. 一般式(15b)〜(17b)におけるR11〜R34が、各々独立に、置換されてい
    てもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基または芳香族複
    素環基であることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロニクス材料。
  7. 一般式(15b)におけるAが臭素原子、ヨウ素原子または炭素原子であり、一般式
    (16b)におけるAが酸素原子、炭素原子、硫黄原子またはセレン原子であり、一般
    式(17b)におけるAが窒素原子、リン原子、ヒ素原子またはアンチモン原子である
    ことを特徴とする請求項5又は6に記載の有機エレクトロニクス材料。
  8. 前記電荷輸送性化合物が、芳香族アミン、カルバゾールまたはチオフェン化合物を少な
    くとも一つ含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロニ
    クス材料。
  9. 前記芳香族アミン、カルバゾールまたはチオフェン化合物が、ポリマーまたはオリゴマ
    ーであることを特徴とする請求項8に記載の有機エレクトロニクス材料。
  10. 前記ポリマーまたはオリゴマーの数平均分子量が、1,000以上100,000以下
    である請求項9に記載の有機エレクトロニクス材料。
  11. 前記ポリマーまたはオリゴマーが一つ以上の重合可能な置換基を有することを特徴とす
    る請求項9又は10に記載の有機エレクトロニクス材料。
  12. 前記重合可能な置換基がオキセタン基、エポキシ基、ビニル基、ビニルエーテル基、ア
    クリレート基、メタクリレート基のいずれかであることを特徴とする請求項11に記載の
    有機エレクトロニクス材料。
  13. 前記イオン性化合物が重合開始剤として機能することを特徴とする請求項1〜12のい
    ずれか1項に記載の有機エレクトロニクス材料。
  14. 下記一般式(1b)〜(3b)で表されるイオン性化合物の少なくとも1種を含むこと
    を特徴とする重合開始剤。

    (式中、Y〜Yはそれぞれ独立に二価の連結基、R〜R6はそれぞれ独立に、電子
    求引性の有機置換基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていてもよく、
    また、R、R及びR、又はR4〜R6はそれぞれが結合して環状あるいはポリマー状
    になってもよい。)を表す。Lは一価のカチオンを表す。)
  15. 下記一般式(1b)〜(3b)で表されるイオン性化合物の少なくとも1種を含むこと
    を特徴とする熱重合開始剤。

    (式中、Y〜Yはそれぞれ独立に二価の連結基、R〜R6はそれぞれ独立に、電子
    求引性の有機置換基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていてもよく、
    また、R、R及びR、又はR4〜R6はそれぞれが結合して環状あるいはポリマー状
    になってもよい。)を表す。Lは一価のカチオンを表す。)
  16. 請求項14に記載の重合開始剤を用いて有機薄膜に耐溶剤性を付与する工程を含むこと
    を特徴とする有機薄膜の製造方法。
  17. 請求項1〜12のいずれか1項に記載の有機エレクトロニクス材料と溶媒とを含むイン
    ク組成物。
  18. 請求項1〜12のいずれか1項に記載の有機エレクトロニクス材料を用いて形成された
    有機薄膜。
  19. 請求項17に記載のインク組成物を用いて形成された有機薄膜。
  20. 請求項18又は19に記載の有機薄膜を含むことを特徴とする有機エレクトロニクス素
    子。
  21. 請求項18又は19に記載の有機薄膜を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネセ
    ンス素子。
  22. 前記有機薄膜が正孔注入層であることを特徴とする請求項21に記載の有機エレクトロ
    ルミネセンス素子。
  23. 前記有機薄膜が正孔輸送層であることを特徴とする請求項21に記載の有機エレクトロ
    ルミネセンス素子。
  24. 基板が、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項21〜23のいずれか1項に
    記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
  25. 基板が、樹脂フィルムであることを特徴とする請求項21〜23のいずれか1項に記載
    の有機エレクトロルミネセンス素子。
  26. 請求項21〜25のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子を備えた表
    示素子。
  27. 請求項21〜25のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子を備えた照
    明装置。
  28. 請求項27に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子と、を備えた表示装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101537654B1 (ko) 2010-04-22 2015-07-17 히타치가세이가부시끼가이샤 유기 일렉트로닉스 재료, 중합 개시제 및 열중합 개시제, 잉크 조성물, 유기 박막 및 그 제조 방법, 유기 일렉트로닉스 소자, 유기 일렉트로 루미네센스 소자, 조명 장치, 표시 소자, 및 표시 장치
KR101722302B1 (ko) 2011-11-30 2017-03-31 히타치가세이가부시끼가이샤 유기 일렉트로닉스 재료, 잉크 조성물 및 유기 일렉트로닉스 소자
KR101695139B1 (ko) * 2011-11-30 2017-01-10 히타치가세이가부시끼가이샤 유기 일렉트로닉스 재료, 잉크 조성물 및 유기 일렉트로닉스 소자
WO2013142870A1 (en) * 2012-03-23 2013-09-26 The University Of Akron Broadband polymer photodetectors using zinc oxide nanowire as an electron-transporting layer
JP6098042B2 (ja) * 2012-04-24 2017-03-22 日立化成株式会社 色変化防止剤、該色変化防止剤を含むインク組成物、該インク組成物を用いて形成した有機薄膜、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、表示素子、照明装置、及び表示装置
JP5982990B2 (ja) * 2012-04-25 2016-08-31 日立化成株式会社 有機エレクトロニクス材料及びその製造方法、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、照明装置、表示素子、並びに表示装置
EP2894942A4 (en) * 2012-09-04 2015-10-07 Mitsubishi Chem Corp ORGANIC ELECTROLUMINESCENZING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
EP2966942A4 (en) * 2013-03-08 2016-12-07 Hitachi Chemical Co Ltd TREATMENT SOLUTION CONTAINING ION COMPOUND, ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT
JP2015012105A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 日立化成株式会社 有機発光素子
JP6520914B2 (ja) 2014-02-24 2019-05-29 株式会社リコー 固体型光電変換素子及び太陽電池
US11018303B2 (en) 2014-06-05 2021-05-25 Nissan Chemical Industries, Ltd. Charge-transporting varnish
CN106575718A (zh) * 2014-08-21 2017-04-19 陶氏环球技术有限责任公司 聚合电荷转移层和含有其的有机电子装置
EP3133664A1 (en) * 2015-08-18 2017-02-22 Novaled GmbH Triaryl amine thick layer doped with metal amides for use as hole injection layer for an organic light-emitting diode (oled)
EP3133663B1 (en) * 2015-08-18 2022-06-15 Novaled GmbH Metal amides for use as hole injection layer for an organic light-emitting diode (oled)
KR20180095854A (ko) 2015-12-15 2018-08-28 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전자 제형을 위한 용매로서의 방향족기를 함유하는 에스테르
US20210210691A1 (en) * 2015-12-24 2021-07-08 Dow Global Technologies Llc Polymeric layer and organic electronic device comprising same.
TWI619699B (zh) * 2015-12-31 2018-04-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光酸產生劑
CN108431985B (zh) * 2016-01-08 2020-06-23 日立化成株式会社 有机电子材料、有机电子元件及有机电致发光元件
JP2019519943A (ja) * 2016-06-28 2019-07-11 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 有機電荷輸送膜を作製するためのプロセス
US20200044154A1 (en) 2016-10-13 2020-02-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Organic electronic material, ink composition, organic electronic element, and organic electronic element production method
KR102425602B1 (ko) 2016-12-14 2022-07-26 에이지씨 가부시키가이샤 전하 수송층 및 유기 광전자 소자
EP3581623A4 (en) * 2017-02-08 2020-11-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. LOAD TRANSPORT MATERIAL AND ITS USE
JP6946657B2 (ja) * 2017-02-15 2021-10-06 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 有機電界発光素子用の組成物、電荷輸送性膜、及び有機電界発光素子
JP2018181872A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 日立化成株式会社 電荷輸送性材料、インク組成物、及び有機エレクトロニクス素子
JP7163907B2 (ja) * 2017-04-05 2022-11-01 日産化学株式会社 電荷輸送性ワニス
EP3731290A4 (en) 2017-12-20 2021-09-29 Nissan Chemical Corporation CHARGE TRANSPORT VARNISH
DE102018118278A1 (de) * 2018-07-27 2020-01-30 Novaled Gmbh Elektronische Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, Verfahren zum Herstellen derselben und eine Verbindung
JP7133437B2 (ja) * 2018-10-26 2022-09-08 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP2021027078A (ja) * 2019-07-31 2021-02-22 株式会社リコー 光電変換素子、電子機器、及び電源モジュール
EP4064379A1 (en) * 2021-03-24 2022-09-28 Novaled GmbH Organic electronic device, display device comprising the organic electronic device as well as compounds for use in organic electronic devices

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10226658A (ja) * 1996-10-03 1998-08-25 Alain Vallee フッ素化されたイオン性スルホニルイミド及びスルホニルメチリド、それらの製造方法並びに光開始剤としての使用
JPH11501909A (ja) * 1995-03-06 1999-02-16 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー フルオロカーボンアニオンを有するエネルギー活性塩
JP2006233162A (ja) * 2004-03-11 2006-09-07 Mitsubishi Chemicals Corp 電荷輸送膜用組成物及びイオン化合物、それを用いた電荷輸送膜及び有機電界発光素子、並びに、有機電界発光素子の製造方法及び電荷輸送膜の製造方法
JP2007219516A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Samsung Electronics Co Ltd フォトレジスト組成物、これを利用した薄膜パターニング方法及びこれを利用した液晶表示パネルの製造方法
JP2007238777A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Fujifilm Corp インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版
JP2007241121A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Lion Corp 極端紫外線用レジスト組成物
JP2007279271A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Fujifilm Corp 光学補償シート、光学補償シートを有する偏光板、および液晶表示装置
JP2008227483A (ja) * 2007-02-15 2008-09-25 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子及び有機デバイスの製造方法
WO2009126918A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Plextronics, Inc. Doped conjugated polymers, devices, and methods of making devices
JP2009267392A (ja) * 2008-04-02 2009-11-12 Hitachi Chem Co Ltd 有機エレクトロニクス用材料
GB2460402A (en) * 2008-05-27 2009-12-02 Polymertronics Ltd UV curable material for coloured and white light OLED active layer fabrication
JP2010034496A (ja) * 2008-06-25 2010-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子、並びにこれを備えた表示素子、照明装置、及び表示装置
JP5696723B2 (ja) * 2010-04-22 2015-04-08 日立化成株式会社 有機エレクトロニクス材料、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、照明装置、表示素子、並びに表示装置

Family Cites Families (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS494653B1 (ja) * 1970-10-27 1974-02-02
US4250311A (en) * 1974-05-02 1981-02-10 General Electric Company P, As, and Sb hexafluoride onium salts as photoinitiators
GB1512981A (en) 1974-05-02 1978-06-01 Gen Electric Curable epoxide compositions
GB1516512A (en) 1974-05-02 1978-07-05 Gen Electric Chalcogenium salts
GB1518141A (en) 1974-05-02 1978-07-19 Gen Electric Polymerizable compositions
US4031036A (en) * 1975-06-09 1977-06-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Use of bis(fluoroaliphaticsulfonyl) imides in cationic polymerization
US4256828A (en) 1975-09-02 1981-03-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photocopolymerizable compositions based on epoxy and hydroxyl-containing organic materials
AU517415B2 (en) 1976-07-09 1981-07-30 General Electric Company Curable polymer composition
US4231951A (en) 1978-02-08 1980-11-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company Complex salt photoinitiator
US4351708A (en) 1980-02-29 1982-09-28 Ciba-Geigy Corporation Photochemically or thermally polymerizable mixtures
GB2099825B (en) 1981-06-04 1984-12-05 Ciba Geigy Ag Photopolymerisable mixtures and processes for the photopolymerisation of cationically polymerisable compounds
JPS5838350A (ja) 1981-08-28 1983-03-05 Toyota Motor Corp 車輌用ク−ラコンプレツサの運転制御方法
JPH0237924B2 (ja) 1981-08-28 1990-08-28 Asahi Denka Kogyo Kk Netsukokaseisoseibutsu
JPS59230106A (ja) 1983-06-11 1984-12-24 Shimadzu Corp 伸び計
JPS60203628A (ja) 1984-03-29 1985-10-15 Toshiba Corp 光重合性組成物
JPS6429419A (en) 1987-07-23 1989-01-31 Wako Pure Chem Ind Ltd Cationic photopolymerization initiator
JPH0713057B2 (ja) 1987-08-12 1995-02-15 和光純薬工業株式会社 新規なスルホニウム塩
JP2519480B2 (ja) 1987-10-09 1996-07-31 日本ペイント株式会社 新規ベンジルピリジニウム塩
JP2699188B2 (ja) 1988-03-15 1998-01-19 三新化学工業株式会社 カチオン重合性組成物、重合触媒および重合方法
JPH0670005B2 (ja) 1988-03-03 1994-09-07 三新化学工業株式会社 スルホニウム化合物およびその製造方法
JP2777388B2 (ja) 1988-04-15 1998-07-16 広栄化学工業株式会社 重合触媒およびそれを含有する硬化性組成物
JP2742594B2 (ja) 1988-12-29 1998-04-22 広栄化学工業株式会社 光重合触媒およびそれを含有する硬化性組成物
US4983481A (en) * 1989-01-03 1991-01-08 Xerox Corporation Electrostatographic imaging system
JP2648961B2 (ja) 1989-04-08 1997-09-03 三新化学工業株式会社 ベンゾチアゾリウム化合物及びその製造方法
JP2709625B2 (ja) 1989-06-14 1998-02-04 三新化学工業株式会社 カチオン重合触媒および重合性組成物、その重合方法
JP2706833B2 (ja) 1990-02-14 1998-01-28 三新化学工業株式会社 カチオン重合開始剤および重合性組成物
JP2827567B2 (ja) 1991-04-03 1998-11-25 日本曹達株式会社 新規スルホニウム塩及び重合開始剤
JP3269110B2 (ja) 1991-04-12 2002-03-25 日本曹達株式会社 硬化性組成物
JPH04327574A (ja) 1991-04-25 1992-11-17 Nippon Soda Co Ltd 新規ピリジニウム塩化合物および重合開始剤
EP0527107B1 (de) 1991-06-19 1997-08-13 Ciba SC Holding AG Neue Harzsysteme mit niedrigeren Formtemperaturen
JPH05105692A (ja) 1991-10-15 1993-04-27 Hokko Chem Ind Co Ltd 新規ベンジルホスホニウム塩および、それを含む熱硬化性樹脂組成物
JP3082373B2 (ja) 1991-11-08 2000-08-28 日本曹達株式会社 新規ピリジニウム塩化合物及び重合開始剤
JP3211311B2 (ja) 1991-11-15 2001-09-25 日本曹達株式会社 新規スルホニウム塩化合物及び重合開始剤
JP3211310B2 (ja) 1991-11-15 2001-09-25 日本曹達株式会社 新規スルホニウム塩化合物及び重合開始剤
JP3269106B2 (ja) 1992-02-10 2002-03-25 日本曹達株式会社 ピリジニウム塩化合物を含有する硬化性組成物
JP3353323B2 (ja) 1992-02-10 2002-12-03 日本曹達株式会社 ベンゾチアゾリウム塩化合物を含有する硬化性組成物
JPH05230189A (ja) 1992-02-25 1993-09-07 Nippon Soda Co Ltd スルホニウム塩及び増感剤を含有する硬化性組成物
JP3123724B2 (ja) 1992-02-29 2001-01-15 財団法人生産開発科学研究所 ポリ(アルキル−p−チオフェノキシフェニルスルホニウム塩)化合物
JPH05255256A (ja) 1992-03-13 1993-10-05 Cosmo Sogo Kenkyusho:Kk ピリジニウム塩および光硬化性組成物
FR2688783A1 (fr) 1992-03-23 1993-09-24 Rhone Poulenc Chimie Nouveaux borates d'onium ou de complexe organometallique amorceurs cationiques de polymerisation.
JPH06157624A (ja) 1992-11-09 1994-06-07 Ajinomoto Co Inc ホスホニウム塩およびそれを含有する光硬化型カチオン重合性樹脂
JPH06228086A (ja) 1993-02-02 1994-08-16 Sanshin Chem Ind Co Ltd モノマーおよびその重合体
JP3512437B2 (ja) 1993-03-15 2004-03-29 日本曹達株式会社 新規スルホニウム塩化合物および重合開始剤
JPH06345726A (ja) 1993-06-15 1994-12-20 Nippon Soda Co Ltd 新規スルホニウム塩化合物および重合開始剤
JP3625219B2 (ja) 1993-06-18 2005-03-02 日本化薬株式会社 新規オニウム塩、光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JPH0710914A (ja) 1993-06-24 1995-01-13 Nippon Kayaku Co Ltd 光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JPH0725922A (ja) 1993-07-15 1995-01-27 Nippon Kayaku Co Ltd エネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JPH0743854A (ja) 1993-07-26 1995-02-14 New Oji Paper Co Ltd シート状光記録材料
JPH0743901A (ja) 1993-07-30 1995-02-14 New Oji Paper Co Ltd 光硬化性組成物およびそれを用いたシート状光記録材料
DE4325885A1 (de) * 1993-08-02 1995-02-09 Basf Ag Elektrolumineszierende Anordnung
JPH0782283A (ja) 1993-09-14 1995-03-28 Hokko Chem Ind Co Ltd ホスホニウム塩およびそれを含有するカチオン重合性組成物
JP3436954B2 (ja) 1993-10-08 2003-08-18 日本曹達株式会社 硬化性組成物
JP2827938B2 (ja) 1994-03-29 1998-11-25 信越化学工業株式会社 新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3923096B2 (ja) 1994-03-09 2007-05-30 日本曹達株式会社 新規スルホニウム塩化合物および重合開始剤およびそれらを含有する硬化性組成物
JP3555119B2 (ja) 1994-03-09 2004-08-18 日本曹達株式会社 新規スルホニウム塩化合物及び重合開始剤
JP2964874B2 (ja) 1994-06-10 1999-10-18 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP2770740B2 (ja) 1994-07-14 1998-07-02 日本電気株式会社 橋かけ環式アルキル基を有するスルホニウム塩化合物および光酸発生剤
JP3402520B2 (ja) 1994-07-15 2003-05-06 日本化薬株式会社 エネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JP3424771B2 (ja) 1994-07-20 2003-07-07 日本化薬株式会社 光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JP3198845B2 (ja) 1994-12-05 2001-08-13 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP2827940B2 (ja) 1994-12-05 1998-11-25 信越化学工業株式会社 新規スルホニウム塩及びその製造方法
JPH08157510A (ja) 1994-12-09 1996-06-18 Nippon Kayaku Co Ltd 光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JP3942202B2 (ja) 1994-12-15 2007-07-11 日本化薬株式会社 光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JPH08245566A (ja) 1995-03-07 1996-09-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規スルホニウム塩
JPH08301991A (ja) 1995-05-12 1996-11-19 Nippon Kayaku Co Ltd 光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JP3741387B2 (ja) 1995-05-26 2006-02-01 日本曹達株式会社 新規スルホニウム塩化合物および重合開始剤およびそれらを含有する硬化性組成物
JP3601548B2 (ja) 1995-05-30 2004-12-15 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩及び化学増幅型ポジ型レジスト材料
JP3606291B2 (ja) 1995-06-29 2005-01-05 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩
JPH09118663A (ja) 1995-08-22 1997-05-06 Nippon Soda Co Ltd 新規スルホニウム塩化合物、重合開始剤、該化合物を含有する硬化性組成物および硬化方法
EP0846681B1 (en) 1995-08-22 2003-12-03 Nippon Soda Co., Ltd. Novel sulfonium salt compounds, polymerization initiator, curable composition, and curing method
JPH09143212A (ja) 1995-11-27 1997-06-03 Nippon Kayaku Co Ltd 光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JPH09202873A (ja) 1996-01-29 1997-08-05 Toyo Ink Mfg Co Ltd 感エネルギー線酸発生剤、感エネルギー線酸発生剤組成物、硬化性組成物およびその硬化物
JP3924801B2 (ja) 1996-02-19 2007-06-06 東洋インキ製造株式会社 感エネルギー線酸発生剤、感エネルギー線酸発生剤組成物、硬化性組成物およびその硬化物
JPH09268205A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Asahi Denka Kogyo Kk 光学的立体造形用樹脂組成物および光学的立体造形法
JP3849989B2 (ja) 1996-04-09 2006-11-22 株式会社Adeka 光学的立体造形用樹脂組成物および光学的立体造形法
JPH09278813A (ja) 1996-04-12 1997-10-28 Nippon Kayaku Co Ltd 光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JPH09328506A (ja) 1996-06-10 1997-12-22 Toyo Ink Mfg Co Ltd 重合開始剤、重合開始剤組成物、重合性組成物およびその硬化物
JPH09328507A (ja) 1996-06-10 1997-12-22 Toyo Ink Mfg Co Ltd 重合開始剤、重合性組成物およびその硬化物
JPH107680A (ja) 1996-06-18 1998-01-13 Nippon Kayaku Co Ltd 光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JP3954701B2 (ja) 1996-09-26 2007-08-08 日本曹達株式会社 スルホニウム塩化合物、カチオン重合開始剤、及び硬化性組成物
JPH10101718A (ja) 1996-10-02 1998-04-21 Nippon Kayaku Co Ltd エネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JPH10152495A (ja) 1996-11-21 1998-06-09 Nippon Kayaku Co Ltd 光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JP3160214B2 (ja) 1996-12-27 2001-04-25 科学技術振興事業団 ポリ(アリーレンスルホニウム塩)化合物の製造法
JPH10195117A (ja) 1996-12-27 1998-07-28 Nippon Soda Co Ltd 光硬化性組成物および硬化方法
JPH10204083A (ja) 1997-01-20 1998-08-04 Nippon Kayaku Co Ltd 新規スルホニウム塩、光重合開始剤、エネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
JPH10245378A (ja) 1997-02-28 1998-09-14 Nippon Kayaku Co Ltd 新規スルホニウム塩、それからなる光重合開始剤及びエネルギー線硬化性組成物
JPH10338688A (ja) 1997-04-09 1998-12-22 Nippon Steel Corp 新規なスルホニウム塩及びこれを用いた感光性樹脂組成物
JPH10287643A (ja) 1997-04-10 1998-10-27 Nippon Kayaku Co Ltd 新規オニウム塩、光重合開始剤、これを含有するエネルギー線硬化性組成物及びその硬化物
FR2762001B1 (fr) 1997-04-11 1999-07-02 Rhodia Chimie Sa Amorceurs non toxiques, resines a groupements organofonctionnels reticulables comprenant les amorceurs, et leur utilisation pour la preparation de polymeres stables et non toxiques
JP3798115B2 (ja) 1997-05-27 2006-07-19 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩及びそれを含有する化学増幅ポジ型レジスト材料
DE59802875D1 (de) 1997-06-30 2002-03-14 Siemens Ag Initiatoren für die kationische Polymerisation
DE59802943D1 (de) 1997-06-30 2002-03-14 Siemens Ag Reaktionsharzmischungen und deren Verwendung
JPH1180118A (ja) 1997-09-05 1999-03-26 Nippon Kayaku Co Ltd 新規スルホニウム塩、カチオン重合性組成物及びその硬化物
JP4204113B2 (ja) 1997-12-04 2009-01-07 株式会社Adeka 新規な芳香族スルホニウム化合物、これからなる光酸発生剤およびこれを含む光重合性組成物、光造形用樹脂組成物ならびに光学的立体造形法
JPH11228534A (ja) 1998-02-12 1999-08-24 Sanwa Chemical:Kk オキシカルボニルメチル基を有する新規なスルホニウム塩化合物
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11258802A (ja) * 1998-03-16 1999-09-24 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型レジスト組成物
JP2000119306A (ja) 1998-03-20 2000-04-25 Nippon Soda Co Ltd ヨ―ドニウム塩化合物を含有する光硬化性組成物
JPH11282163A (ja) * 1998-03-26 1999-10-15 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JP3748491B2 (ja) 1998-03-27 2006-02-22 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6031014A (en) 1998-12-08 2000-02-29 Crivello; James V. Initiator compositions and methods for their synthesis and use
AU5649400A (en) 1999-09-21 2001-10-11 Goldschmidt Ag Photoinitiators containing urethane groups for cationic curing
JP4090180B2 (ja) * 2000-03-16 2008-05-28 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP2001288205A (ja) 2000-04-03 2001-10-16 Nippon Kayaku Co Ltd 光カチオン重合開始剤及びそれを含有する光硬化性樹脂組成物
JP2002139836A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型レジスト組成物
JP2002202601A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Photo Film Co Ltd 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物
JP2002214768A (ja) * 2001-01-18 2002-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd 感放射線性ポジ型レジスト組成物
JP4023204B2 (ja) 2001-05-02 2007-12-19 淳二 城戸 有機電界発光素子
JP2003215791A (ja) 2002-01-18 2003-07-30 Central Glass Co Ltd 超強酸オニウム塩化合物および感放射線性樹脂組成物
JP2003277352A (ja) 2002-03-19 2003-10-02 San Apro Kk スルホニウム塩、カチオン重合開始剤、硬化性組成物、硬化方法および硬化物
JP2003277353A (ja) 2002-03-19 2003-10-02 San Apro Kk スルホニウム塩、カチオン重合開始剤、硬化性組成物、硬化方法および硬化物
JP4381298B2 (ja) * 2002-05-01 2009-12-09 日産化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその材料
TW200517469A (en) 2003-10-30 2005-06-01 Nissan Chemical Ind Ltd Charge-transporting compound, charge-transporting material, charge-transporting varnish, charge-transporting thin film, and organic electroluminescent device
CN100486396C (zh) 2004-03-11 2009-05-06 三菱化学株式会社 电荷输送膜用组合物和离子化合物、电荷输送膜和有机电致发光器件及其制造方法
EP2325191A1 (en) 2004-03-11 2011-05-25 Mitsubishi Chemical Corporation Composition for charge-transporting film and ion compound, charge-transporting film and organic electroluminescent device using same
JP4701923B2 (ja) 2005-08-26 2011-06-15 トヨタ自動車株式会社 イオン伝導材料およびその利用
JP2007119763A (ja) 2005-09-29 2007-05-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子材料及び高分子発光素子
US7618683B2 (en) * 2006-01-12 2009-11-17 Fujifilm Corporation Ink composition, inkjet recording method, printed material, process for producing lithographic printing plate, and lithographic printing plate
KR101440410B1 (ko) * 2006-07-18 2014-09-15 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 전하수송성 바니시
KR101256301B1 (ko) 2006-07-19 2013-04-18 히타치가세이가부시끼가이샤 유기 일렉트로닉스용 재료, 유기 일렉트로닉스 소자 및 유기 일렉트로루미네센스 소자
JP2008214330A (ja) 2007-03-06 2008-09-18 Tokyo Kasei Kogyo Kk ビスムトニウム塩を用いたアルコールの選択的酸化方法
JP2008256754A (ja) 2007-03-30 2008-10-23 Fujifilm Corp グラフトポリマーパターン形成方法、導電性パターン形成方法、及び有機el表示装置
US9673394B2 (en) 2007-10-18 2017-06-06 Merck Patent Gmbh Conducting formulation
CN101970400B (zh) 2008-03-13 2015-04-22 中央硝子株式会社 具有含氟碳负离子结构的盐及其衍生物、光产酸剂以及使用其的抗蚀材料和图案形成方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11501909A (ja) * 1995-03-06 1999-02-16 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー フルオロカーボンアニオンを有するエネルギー活性塩
JPH10226658A (ja) * 1996-10-03 1998-08-25 Alain Vallee フッ素化されたイオン性スルホニルイミド及びスルホニルメチリド、それらの製造方法並びに光開始剤としての使用
JP2006233162A (ja) * 2004-03-11 2006-09-07 Mitsubishi Chemicals Corp 電荷輸送膜用組成物及びイオン化合物、それを用いた電荷輸送膜及び有機電界発光素子、並びに、有機電界発光素子の製造方法及び電荷輸送膜の製造方法
JP2007219516A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Samsung Electronics Co Ltd フォトレジスト組成物、これを利用した薄膜パターニング方法及びこれを利用した液晶表示パネルの製造方法
JP2007238777A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Fujifilm Corp インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版
JP2007241121A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Lion Corp 極端紫外線用レジスト組成物
JP2007279271A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Fujifilm Corp 光学補償シート、光学補償シートを有する偏光板、および液晶表示装置
JP2008227483A (ja) * 2007-02-15 2008-09-25 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子及び有機デバイスの製造方法
JP2009267392A (ja) * 2008-04-02 2009-11-12 Hitachi Chem Co Ltd 有機エレクトロニクス用材料
WO2009126918A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Plextronics, Inc. Doped conjugated polymers, devices, and methods of making devices
JP2011516695A (ja) * 2008-04-11 2011-05-26 プレックストロニクス インコーポレーティッド ドープ処理された共役ポリマー、デバイス、およびデバイスを作製する方法
GB2460402A (en) * 2008-05-27 2009-12-02 Polymertronics Ltd UV curable material for coloured and white light OLED active layer fabrication
JP2010034496A (ja) * 2008-06-25 2010-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子、並びにこれを備えた表示素子、照明装置、及び表示装置
JP5696723B2 (ja) * 2010-04-22 2015-04-08 日立化成株式会社 有機エレクトロニクス材料、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、照明装置、表示素子、並びに表示装置
JP6064892B2 (ja) * 2010-04-22 2017-01-25 日立化成株式会社 有機エレクトロニクス材料、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、照明装置、表示素子、並びに表示装置

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