CN111757856B - 具有低的hf蚀刻后粗糙度的不含碱性硼硅酸盐玻璃 - Google Patents

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Abstract

制品包括玻璃基材。玻璃基材具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面，所述第一表面在其中具有多个孔。所述第一表面和第二表面中的至少一个是表面粗糙度(Ra)为0.75nm或更小的经蚀刻的表面。以氧化物的摩尔％计，玻璃基材包含：65摩尔％≤SiO2≤75摩尔％；7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；26.25摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3；0摩尔％≤R2O≤2摩尔％。RO＝MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO。R2O＝Li2O+Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O。

Description

具有低的HF蚀刻后粗糙度的不含碱性硼硅酸盐玻璃
本申请要求2018年2月22日提交的美国临时申请系列第62/633,835号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。
背景
技术领域
本公开内容一般地涉及制品以及在基材中形成孔(via)的方法。具体来说，本公开内容涉及制品和在基材中形成通孔的方法，该方法包括保留了基材的表面粗糙度(Ra)的蚀刻过程。
背景技术
对于许多应用，需要具有孔的玻璃基材，包括用于用作电子界面的插入物。玻璃插入物已经成为具有吸引力的硅和纤维强化聚合物的替代品。但是，用于生产具有孔的玻璃基材的一些工艺导致不合乎希望的表面粗糙度。
因此，存在对于在基材中形成孔的同时保留了低表面粗糙度(Ra)的方法的需求。
发明内容
在第1个实施方式中，制品包括玻璃基材。玻璃基材具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面，所述第一表面在其中具有多个孔。所述第一表面和第二表面中的至少一个是表面粗糙度(Ra)为0.75nm或更小的经蚀刻的表面。以氧化物的摩尔％计，玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤75摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
其中，
RO＝MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO；
R2O＝Li2O+Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O
26.25mol％≤RO+Al2O3–B2O3；
0摩尔％≤R2O≤2摩尔％；以及
SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、ZnO、CaO、SrO、BaO、R2O和RO表示所代表的氧化物组分的摩尔％。
在第2个实施方式中，以氧化物的摩尔％计，玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤75摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
0摩尔％<P2O5≤2摩尔％；
0摩尔％≤MgO≤6摩尔％；
0摩尔％≤ZnO≤4摩尔％；
0摩尔％≤CaO≤6摩尔％；
0摩尔％≤SrO≤10摩尔％；
0摩尔％≤BaO≤10摩尔％；
0摩尔％≤SnO2≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤As2O3≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤Sb2O3≤0.5摩尔％；
其中，
P2O5、Na2O、K2O、SnO2、As2O3、Sb2O3表示所代表的氧化物组分的摩尔％。
在第3个实施方式中，对于第1至第2个实施方式中任一项所述的制品，第1个实施方式的制品是玻璃基材。
在第4个实施方式中，对于第1至第3个实施方式中任一项的制品，所述多个孔是从所述第一表面延伸到所述第二表面的通孔。
在第5个实施方式中，对于第1至第3个实施方式中任一项的制品，所述多个孔是从所述第一表面朝向所述第二表面延伸而没有到达所述第二表面的盲孔。
在第6个实施方式中，对于第1至第5个实施方式中任一项的制品，所述制品还包括载体。所述第一表面和第二表面中的至少一个是经过蚀刻的，具有0.75nm或更小的表面粗糙度(Ra)，并且与载体粘结。
在第7个实施方式中，对于第6个实施方式所述的制品，所述载体的表面粗糙度(Ra)是0.2nm至0.4nm。
在第8个实施方式中，对于第1至第7个实施方式中任一项所述的制品，所述玻璃基材在蚀刻后的厚度是150μm或更小。
在第9个实施方式中，对于第1至第8个实施方式中任一项所述的制品，所述玻璃基材的厚度是90μm至110μm。
在第10个实施方式中，对于第1至第9个实施方式中任一项所述的制品，69摩尔％≤SiO2≤72摩尔％。
在第11至第13个实施方式中，对于第1至第10个实施方式中任一项所述的制品，26.5摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3，或者26.75摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3，或者27.0摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3。
在第14和第15个实施方式中，对于第1至第13个实施方式中任一项所述的制品，0摩尔％≤R2O≤1摩尔％，或者0摩尔％≤R2O≤0.5摩尔％。
在第16个实施方式中，一种方法包括在具有第一表面和第二表面的玻璃基材中形成多个孔。该方法包括对所述第一表面和第二表面中的至少一个进行蚀刻以形成经蚀刻的表面。以氧化物的摩尔％计，玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤75摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
其中，
RO＝MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO；
R2O＝Li2O+Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O；
26.25摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3；
0摩尔％≤R2O≤2摩尔％；以及
SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、ZnO、CaO、SrO、BaO、R2O和RO表示所代表的氧化物组分的摩尔％。
在第17个实施方式中，以氧化物的摩尔％计，玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤75摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
0摩尔％<P2O5≤2摩尔％；
0摩尔％≤MgO≤6摩尔％；
0摩尔％≤ZnO≤4摩尔％；
0摩尔％≤CaO≤6摩尔％；
0摩尔％≤SrO≤10摩尔％；
0摩尔％≤BaO≤10摩尔％；
0摩尔％≤SnO2≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤As2O3≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤Sb2O3≤0.5摩尔％；
其中，
P2O5、Na2O、K2O、SnO2、As2O3、Sb2O3表示所代表的氧化物组分的摩尔％。
在第18个实施方式中，对于第16至第17个实施方式中任一项所述的方法，所述经蚀刻的表面具有0.75nm或更小的表面粗糙度(Ra)。
在第19个实施方式中，对于第16至第18个实施方式中任一项所述的方法，用包含氢氟酸的蚀刻剂进行蚀刻。
在第20个实施方式中，对于第16至第19个实施方式中任一项所述的方法，该方法还包括将玻璃基材的经蚀刻的表面中的一个粘结到载体。
第4至第15个实施方式中的限制可以以任意置换方式与第16至第20个实施方式中的实施方式相结合。
在说明书和附图所示的实施方式实际上是示意性和示例性的，并不旨在限制通过权利要求所限定的主题。
附图说明
图1显示具有通孔的基材。
图2显示具有盲孔的基材。
图3显示涉及蚀刻步骤的用于在基材中形成孔的工艺。
图4显示具有破坏区域的基材。
图5显示粘结到载体的具有孔的基材。
图6显示蚀刻后粗糙度(Ra)与玻璃组成参数(RO+Al2O3-B2O3)的关系图。
图7显示图6的放大部分。
具体实施方式
本文所述的制品和在基材中产生孔的方法的实施方式实现了保留基材的表面粗糙度(Ra)。这实现了例如使用范德华粘结(其最好地作用于低表面粗糙度基材)使得基材以可去除的方式粘结到载体用于进一步加工。本文所揭示的实施方式和方法可用于需要低表面粗糙度蚀刻表面的其他内容。
可以将插入物用作电子装置(包括具有射频(RF)滤波器的装置)中的电子界面，从而将电连接铺展到更宽的程度或者将电连接改线至不同电连接。玻璃插入物(即，具有孔的玻璃基材，可以通过所述孔形成电连接)已经成为具有吸引力的硅和纤维强化聚合物的替代品。这部分是由于玻璃形成为大的薄片的能力。但是，对于越来越薄的电子装置，许多应用要求插入物的厚度是300μm或更小。由于玻璃的易碎性和缺少刚度，会难以在制造过程中装卸此类薄的玻璃。为了抵消玻璃基材的易碎性和缺乏刚度，需要采用与玻璃基材进行粘结的载体的制造方法。
可以使用范德华力使得玻璃制品与载体临时性粘结。临时性粘结的能量足以经受住平板制造，同时保持可脱粘结。但是，当玻璃制品的表面粗糙度(Ra)太高时，范德华力可能产生弱粘结(如果存在的话)。
通常玻璃插入物需要孔(via)(孔(hole))填充导电材料以提供电界面化。在玻璃插入物中产生孔的一种已知方法是产生穿过玻璃插入物的厚度的破坏区域，然后将基材浸没到蚀刻剂中。然后，蚀刻剂可以从破坏区域去除材料以扩大孔。但是，蚀刻过程也可能从玻璃插入物的两个面去除材料以及扩大孔。这种蚀刻产生的玻璃插入物表面粗糙度(Ra)可能落在可以合适地形成范德华粘结的范围外。
本文所揭示的玻璃组合物可以被蚀刻同时保留适合范德华粘结的底表面粗糙度，并且用于其他应用。
降低玻璃基材的蚀刻后表面粗糙度的一种方式是增加玻璃组合物的碱性氧化物(R2O)含量。但是，碱性氧化物对于某些应用是不合乎希望的。例如，具有包含太多碱性氧化物的玻璃组合物的玻璃插入物可能对通常放置在靠近插入物的一些装置造成负面影响或者使其“中毒”。所以，使用碱性氧化物来实现较低的蚀刻后表面粗糙度对于一些应用是不合适的。
降低玻璃基材的蚀刻后表面粗糙度的另一种方式是增加玻璃组合物的Al2O3含量。但是，太多的氧化铝会具有不合乎希望的影响，例如，使得玻璃组合物的液相线温度增加太多。碱性氧化物可以用于降低液相线温度。但是，如上文所述，碱性氧化物对于一些应用是不合乎希望的。
出乎意料且令人惊讶地发现，对于低碱性氧化物玻璃，SiO2、Al2O3、B2O3和RO的特定玻璃含量导致低的蚀刻后表面粗糙度，其中，RO是MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO的玻璃含量总和。具体来说，以氧化物的摩尔％计，玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤75摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
其中，
26.25摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3；以及
0摩尔％≤R2O≤2摩尔％。
在这些组成中，玻璃的RO含量帮助降低蚀刻后表面粗糙度而没有太多Al2O3或太多R2O的不合乎希望的影响。通过适当地选择玻璃组分的量，对于具有低碱性氧化物含量的玻璃，可以实现令人惊讶的低的蚀刻后表面粗糙度。
本文所揭示的制品可以用作例如半导体封装中的插入物，制品所具有的经蚀刻的孔(例如，孔)和表面属性允许成功地进行下游加工，包括但不限于：用于半导体装置、射频(RF)装置(例如，天线和开关等)、插入物装置、微电子装置、光电子装置、微电机系统(MEMS)装置和可利用孔的其他应用的再分布层(RDL)的金属化和应用。
具有孔的基材
图1显示示例性制品100的横截面图。制品100包括基材110。基材110具有被厚度T分隔开的第一表面112和第二表面114。多个孔124从第一表面112延伸到第二表面114，即孔124是通孔。
图2显示示例性制品200的横截面图。制品200包括基材110。基材110具有被厚度T分隔开的第一表面112和第二表面114。多个孔224从第一表面112朝向第二表面114延伸，没有到达第二表面114，即孔124是盲孔。
如本文所用，“孔(via)”指的是基材中的孔(hole)或开口。虽然图1和2显示了具体的孔构造，但是可以使用各种其他孔构造。作为非限制性例子，可以使用具有沙漏形状、杠铃形状、斜角边缘或者各种其他几何形貌的孔来替代图1和2中所示的圆柱形几何形貌。孔可以是基本上圆柱形的，例如，腰(沿着孔具有最小直径的点)的直径是第一或第二表面上的孔的开口直径的至少70％、至少75％或者至少80％。孔可以一路延伸贯穿基材(例如图1)，或者可以仅部分地穿过基材(例如图2)。可以使用其他孔几何形貌。
对于希望低表面粗糙度用于与载体的可去除粘结的应用，蚀刻后厚度T范围通常是50μm至250μm。对于更高的厚度，基材110可能足够厚到不需要载体。对于更低的厚度，基材110可能在任何事件中破裂。厚度T可以是150μm或更小、100μm或者90μm至110μm，所述厚度平衡了对于薄装置的需求和对于结构完整性和绝缘性质的需求。厚度T可以是50μm、100μm、150μm、200μm、250μm，或者前述值中的任意两个作为端点的任意范围。也可以使用其他厚度。例如，可能存在对于本文所述的低表面粗糙度基材而不是与载体可去除粘结具有需求的应用。所以，厚度T可能取决于应用并且不一定受限于本公开内容。
第一表面112和第二表面114具有蚀刻前表面粗糙度(Ra)。如本文所用，“表面粗糙度”指的是算术平均表面粗糙度。对于算术平均表面粗糙度，文献通常使用符号“Ra”。表面粗糙度Ra定义为局部表面高度与平均表面高度之差的算术平均值，并且可以通过如下方程式进行描述：
式中，yi是相对于平均表面高度的局部表面高度。可以采用各种技术来测量和/或通过测量计算表面粗糙度(Ra)。除非另有说明，否则本文所述的表面粗糙度是采用VeecoDimension Icon atomic force microscope(Veeco尺寸图标原子力显微镜)(AFM)，以如下参数测得的：1Hz，512次扫描/线，以及2微米图像尺寸。
玻璃组成
本文所述的玻璃组合物是不含碱性硼硅酸盐玻璃，其大致包含SiO2、Al2O3与RO的组合，式中，RO＝MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO。不含碱性指的是玻璃最多包含少量碱性氧化物(R2O)，式中，R2O＝Li2O+Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O。此外，本文所述的玻璃组合物符合如下条件：26.25≤RO+Al2O3–B2O3。当用HF和类似的蚀刻剂进行蚀刻时，对于不含碱性玻璃组合物，玻璃组合物展现出特别低的蚀刻后表面粗糙度。
在一些实施方式中，玻璃组合物可以包含额外氧化物，例如P2O5、B2O3。可以添加这些组分用于例如对液相线粘度进行改性和/或改善玻璃的机械耐用性。在一些实施方式中，玻璃组合物还可以包含一种或多种额外氧化物，例如SnO2、As2O3或者Sb2O3等，如本文所述。可以添加这些组分作为澄清剂。
可以从各种玻璃组成形成基材110。在第1个实施方式中，以氧化物的摩尔％计，玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤75摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
0摩尔％<P2O5≤2摩尔％；
0摩尔％≤MgO≤6摩尔％；
0摩尔％≤ZnO≤4摩尔％；
0摩尔％≤CaO≤6摩尔％；
0摩尔％≤SrO≤10摩尔％；
0摩尔％≤BaO≤10摩尔％；
0摩尔％≤SnO2≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤As2O3≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤Sb2O3≤0.5摩尔％；
其中，
RO＝MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO；
R2O＝Li2O+Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O；
26.25摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3；
0摩尔％≤R2O≤2摩尔％；以及
SiO2、Al2O3、B2O3、P2O5、Na2O、K2O、MgO、ZnO、CaO、SrO、BaO、SnO2、As2O3、Sb2O3、R2O和RO表示所代表的氧化物组分的摩尔％。
二氧化硅
在本文所述的玻璃组合物的实施方式中，SiO2是组合物的最大组分，因而是所得到的玻璃网络的主要组成。SiO2增强了玻璃的化学耐用性，并且具体来说，增强了玻璃组合物对于酸中分解的抗性和玻璃组合物在水中分解的抗性。如果SiO2含量太低，可能降低玻璃的化学耐用性和化学抗性，并且玻璃可能易受腐蚀。因此，通常希望高的SiO2浓度。但是，如果SiO2的含量过高，则玻璃的可成形性可能下降，因为较高的SiO2浓度增加了使得玻璃组合物熔化的难度，这进而对玻璃的可成形性造成负面影响。在第1个实施方式中，基材110的二氧化硅含量是65摩尔％≤SiO2≤75摩尔％。在第10个实施方式中，69摩尔％≤SiO2≤72摩尔％。SiO2含量可以是65、66、67、68、69、70、71、72、73、74或75摩尔％，或者前述值中的任意两个作为端点的任意范围。
在玻璃中形成孔的许多方法涉及使用酸来蚀刻玻璃。例如，一种方法涉及用激光形成穿过玻璃的破坏迹线，以及将玻璃暴露于酸。酸渗透破坏迹线，从破坏迹线的体积去除玻璃。但是，酸也可能使得玻璃未受到破坏的区域发生蚀刻和去除。高的二氧化硅含量帮助减缓这种未破坏区域的蚀刻，这可能是合乎希望的。
Al2O3
本文所述的玻璃组合物还包含Al2O3。Al2O3结合玻璃组合物中存在的碱土氧化物和ZnO(RO)导致在用诸如HF之类的蚀刻剂进行蚀刻之后的低表面粗糙度玻璃表面。Al2O3还可以增加玻璃的硬度和抗破坏性。但是，随着玻璃组合物中Al2O3浓度的增加，玻璃的液相线粘度下降。如果玻璃组合物中的Al2O3浓度太大，则玻璃组合物的液相线粘度下降，这可能导致玻璃组合物在熔合下拉工艺中的生产过程中发生结晶。此外，包含太多的Al2O3可能使得难以在具有所希望的高SiO2含量的同时还包含所有其他所需的玻璃组分。在第1个实施方式中，基材110的Al2O3含量是7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％。Al2O3含量可以是7、8、9、10、11、12、13、14或15摩尔％，或者前述值中的任意两个作为端点的任意范围。
RO
本文所述的玻璃组合物还包含碱土氧化物和ZnO。碱土氧化物包括MgO、CaO、SrO和BaO。ZnO虽然技术上来说不是碱土氧化物，但是对于本公开内容的目的而言，相信其对于玻璃组合物具有类似的效果。“RO”用于统称MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO。并且，玻璃组合物的RO含量是MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO的玻璃含量总和，单位是摩尔％。增加RO含量是降低玻璃表面在用诸如HF之类的蚀刻剂进行蚀刻之后的蚀刻后表面粗糙度的一种途径。并且，使用RO没有R2O的中毒效果。在第1个实施方式中，26.25摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3。因为Al2O3的最大量是15摩尔％，这意味着RO含量至少是11.25摩尔％。在一些实施方式中，参数RO+Al2O3–B2O3大于或等于26.25、26.5、26.75或27.0摩尔％。对于这个参数来说，可以使用甚至更高的值。但是，对于高于27.5摩尔％的值，相信该参数使得材料的热膨胀系数(CTE)增加到对于一些应用而言不合乎希望的高水平。
添加RO氧化物来改善玻璃组合物在加工过程中的熔化性质，同时还调节了将诸如热膨胀系数(CTE)和密度之类的玻璃性质调节至所需值。少量CaO和MgO会有助于玻璃熔化并改善玻璃的液相线粘度。但是，对于高于6摩尔％的情况，CaO和MgO会对玻璃液相线性能造成不利影响，并且导致玻璃熔化过程中的失透。ZnO改善了玻璃硬度和模量。但是，ZnO也增加了玻璃密度，并且对于高于4摩尔％的量，会劣化玻璃压缩。BaO和SrO这两者对于玻璃可成形性和热稳定性都是好的。但是，BaO和SrO较为昂贵，而且也增加玻璃密度。出于这些原因，BaO和SrO不高于10摩尔％。
BeO和RaO也是碱土氧化物，它们应该以与其他RO相似的方式影响玻璃性质。但是，由于它们的高成本，通常不故意在玻璃组合物中包含它们。
R2O
玻璃组合物中的碱性氧化物的量最小化。碱性氧化物可以包括以下一种或多种：Li2O、Na2O、K2O、Rb2O和Cs2O。“R2O”用于总体上表示碱性氧化物。并且，玻璃组合物的R2O含量是Li2O、Na2O、K2O、Rb2O和Cs2O的玻璃含量总和，单位是摩尔％。增加碱性氧化物含量是降低玻璃表面在用诸如HF之类的蚀刻剂进行蚀刻之后的蚀刻后玻璃表面粗糙度的一种途径，这是合乎希望的。但是，碱性氧化物可能对于一些应用而言具有不利影响。例如，当玻璃基材用于提供贯穿玻璃的孔(TGV)时，存在碱性氧化物可能使得通常与TGV相连的装置类型中毒。对于TGV显示出前景的一种装置类型，RF(射频)装置(例如，RF天线)，存在R2O使得玻璃的透射率发生不合乎希望的下降。对于更好的信号传输，需要高的透射率。在第1个实施方式中，R2O含量是0摩尔％≤R2O≤2摩尔％。R2O含量可以是0摩尔％≤R2O≤2摩尔％，0摩尔％≤R2O≤1摩尔％，或者0摩尔％≤R2O≤0.5摩尔％。在一些实施方式中，玻璃组合物不含R2O，R2O可能仅以不确定量(tramp amount)存在。
其它组分
玻璃组合物还可以包含氧化磷(P2O5)。存在P2O5通过抑制玻璃组合物中多铝红柱石的结晶增加了玻璃组合物的液相线粘度。当玻璃组合物中Al2O3的量超过碱性氧化物(R2O摩尔％)与碱土氧化物(RO摩尔％)的量的总和达到大于2摩尔％或者甚至达到大于1摩尔％时，玻璃组合物的液相线粘度快速增加。对于具有有限量的R2O的本文所述的组合物来说，这是特别贴切的。当Al2O3(摩尔％)大于(R2O(摩尔％)+RO(摩尔％))达到超过1摩尔％时，玻璃组合物中存在的P2O5通过增加液相线温度(进而增加玻璃组合物的液相线粘度)对过量Al2O3进行了补偿。在一些实施方式中，玻璃组合物的P2O5的量可以足以补偿过量Al2O3。例如，在一些实施方式中，玻璃组合物的P2O5的量可以足以使得(Al2O3(摩尔％)–R2O(摩尔％)–RO(摩尔％)–P2O5(摩尔％))小于或等于2或者甚至小于或等于1。在一些实施方式中，玻璃组合物不包含P2O5。在这种情况下，可以是如下情况：Al2O3和RO的量使得液相线温度没有快速增加。或者，可以是如下情况：对于应用来说，能够忍受较高的液相线温度。但是，如果玻璃的P2O5含量太高，则可能导致不合乎希望的压缩，这是玻璃加热时的永久性收缩。一些孔填充工艺使用600C或更高的温度，所以压缩会是严重问题。在第2个实施方式中，P2O5含量是0摩尔％<P2O5≤2摩尔％。P2O5含量可以是0、1或2摩尔％，或者前述值中的任意两个作为端点的任意范围。
氧化硼(B2O3)是助熔剂，可以将其添加到玻璃组合物以降低玻璃在给定温度(例如，对应于200泊粘度的温度，玻璃在该温度熔化并且其通常是玻璃熔炉中的最高温度)的粘度，从而改善玻璃的质量和可成形性。存在B2O3还可以改善由玻璃组合物制造的玻璃的抗破坏性。在第1个实施方式中，B2O3含量是0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％。如同P2O5那样，如果对玻璃进行加热的话，太多的B2O3可能导致不合乎希望的压缩。B2O3含量可以是0.1、0.5、1、1.5或2摩尔％，或者前述值中的任意两个作为端点的任意范围。
除了其他任何地方所描述的组分之外，本文所述的玻璃组合物还可以任选地包含一种或多种澄清剂，例如SnO2、As2O3或Sb2O3。可以在玻璃组合物中包含澄清剂以最小化或者消除玻璃组合物在成形过程中的气泡。但是，澄清剂在玻璃组合物中通常具有低溶解性。因此，如果玻璃组合物中澄清剂的量太高，则可能在熔合成形过程中发生澄清剂的失透。并且，澄清剂可能较为昂贵。所以，当包含澄清剂时，希望以实现所需结果所需要的最低量来包含它们。当玻璃组合物中存在澄清剂时，澄清剂可以以小于或等于0.5摩尔％、小于或等于0.2摩尔％或者甚至小于或等于0.1摩尔％的量存在。在第2个实施方式中，SnO2含量是0摩尔％<SnO2≤0.5摩尔％。SnO2含量可以是0、0.1、0.2、0.3、0.4或0.5摩尔％，或者前述值中的任意两个作为端点的任意范围。在第2个实施方式中，As2O3含量是0摩尔％<As2O3≤0.5摩尔％。As2O3含量可以是0、0.1、0.2、0.3、0.4或0.5摩尔％，或者前述值中的任意两个作为端点的任意范围。在第2个实施方式中，Sb2O3含量是0摩尔％<Sb2O3≤0.5摩尔％。Sb2O3含量可以是0、0.1、0.2、0.3、0.4或0.5摩尔％，或者前述值中的任意两个作为端点的任意范围。
玻璃组合物可能包含小于0.05摩尔％的不确定化合物，例如锰化合物、铈化合物、铪化合物或其它化合物，它们可能作为组合物中有意包含的金属氧化物中的杂质进入玻璃组合物中。不确定化合物还可能通过接触加工设备(例如，熔合下拉成形工艺的耐火组件等)进入玻璃组合物中。
在基材中产生孔
图3显示用于产生和后续加工制品100的工艺300的流程图。工艺300包括工艺310，其包括在基材中产生孔从而产生制品100的步骤。工艺300还包括工艺350，其包括将制品100粘结到载体，进行额外加工，以及从载体脱粘结制品100。
工艺310依次包括：
步骤312：在基材中形成破坏区域
步骤314：对破坏区域进行蚀刻以形成孔
形成破坏区域
在步骤310中，在基材100中形成破坏区域120。可以以各种方式在基材110中形成破坏区域120。
在一些实施方式中，可以施加高能激光脉冲以产生穿过基材110的破坏区域120。破坏区域120允许下游蚀刻过程期间蚀刻剂在其中流过。在一些实施方式中，破坏区域120可以是通过脉冲激光形成的激光诱发的破坏线。脉冲激光可以通过例如非线性多光子吸收形成破坏线。当后续进行蚀刻时，此类破坏区域120中的材料去除速率比破坏区域120外的材料去除速率快。美国专利第9,278,886号以及美国公开第2015/0166395号公开了用于进行激光破坏产生和后续蚀刻的示例性方式，它们全文分别通过引用结合入本文。在一些实施方式中，可以使用激光来产生烧蚀孔来代替破坏区域，并且可以通过蚀刻使得烧蚀孔变宽。
图4显示示例性制品在步骤310之后但是在步骤320之前的横截面。在基材110中形成破坏区域120。虽然图4出于示意性目的显示的是圆柱形破坏区域120，但是破坏区域120可以具有任选的形状。破坏区域120可以比最终所需的孔124小，以补偿蚀刻过程中的材料去除。
蚀刻
在步骤320中，对破坏区域120进行蚀刻以形成孔124(或者具有其他几何形貌的孔，例如孔224)。蚀刻过程可以包括将玻璃制品100浸没在蚀刻剂180浴中。作为替代或补充，可以将蚀刻剂180喷洒到玻璃制品100上。蚀刻剂180可以从基材110去除材料以扩大破坏区域120。可以采用任意合适的蚀刻剂和蚀刻方法。蚀刻剂的非限制性例子包括：强无机酸，例如硝酸、盐酸、丙烯酸(acylic acid)或磷酸；含氟蚀刻剂，例如氢氟酸、双氟化铵和氟化钠等；及其混合物。在一些实施方式中，蚀刻剂是氢氟酸。
图1和2显示了对于不同孔几何形貌，在发生了蚀刻之后的基材100。
步骤320的蚀刻可能将基材100除了破坏区域120之外的部分暴露于蚀刻剂，包括第一表面112和第二表面114中的一个或两个。这种暴露可能导致这些其他部分发生蚀刻，这会导致增加的表面粗糙度(Ra)。当使用常规不含碱性玻璃材料用于基材110时，表面粗糙度(Ra)可能不合乎希望地增加到高于0.75nm或者甚至高于1.0nm的值。这种高的表面粗糙度可能使得基材100不适用于下文所述的范德华粘结工艺。
出乎意料的是，尽管组合物中不存在碱性氧化物或者具有少量碱性氧化物，但是本文所述的不含碱性玻璃组合物展现出低的蚀刻后粗糙度。这种低的蚀刻后粗糙度适用于下文所述的范德华粘结工艺。并且，因为玻璃组合物具有低的碱性(R2O)含量，它们特别好地适用于可能不希望存在碱性物质或者存在碱性物质破坏了最终产品的应用。例如，由本文所述的组合物制造的基材100可以具有第一表面112和/或第二表面114，具有的蚀刻后表面粗糙度(Ra)是0.75nm或更小、0.7nm或更小、0.65nm或更小、0.6nm或更小、0.55nm或更小或者0.5nm或更小。尽管玻璃组合物是低碱性的或者不含碱性的，这种低的表面粗糙度仍然可以允许使用下文所述的范德华粘结工艺。
经过蚀刻的玻璃表面具有与众不同的结构特性，并且本领域技术人员可以通过检查玻璃表面来判断该表面是否经过蚀刻。蚀刻通常改变了玻璃的表面粗糙度。所以，如果知道玻璃的来源以及该来源的粗糙度的话，则可以使用表面粗糙度的测量来确定玻璃是否经过蚀刻。此外，蚀刻通常导致玻璃中的不同材料的不同去除情况。可以通过诸如电子探针微分析(EPMA)之类的技术来检测这种差异化去除。
粘结和蚀刻后加工
图3还显示工艺350，其是使用载体的蚀刻后加工。工艺350依次包括：
步骤352：将制品100粘结到载体
步骤354：进行进一步加工
步骤356：从载体脱粘结制品100
例如，基材110可以指定用作插入物，并且可以经受其他加工步骤(步骤320)以赋予额外的插入物性质。
玻璃插入物可以是非常薄的(例如，从小于300μm到700μm的任何情况)。由于基材110的易碎性和缺乏刚性，可能难以在制造过程期间装卸此类薄材料。为了抵消易碎性和缺乏刚性，希望在形成了孔124之后将基材110以可去除的方式粘结到载体200(步骤352)，从而可以在其他加工(步骤354)期间避免对于基材110的破坏。
范德华粘结
将基材110以可去除的方式粘结到载体的一种示例性方法是采用范德华粘结，例如美国专利公开第2014/0170378号所公开的那样，其全文通过引用结合入本文。例如，范德华粘结可以包括将制品的表面布置到载体的粘结表面上以及升高制品的温度，之后将制品冷却到室温。结果是使得制品与载体以可去除的方式粘结到一起。范德华粘结对于下游加工是有利的，因为其形成的粘结能够形成经受住加工(例如，高温加工)同时当需要的时候允许基材的整个区域与载体200脱粘结(步骤356)，一次性完成或者分段完成。在脱粘结了基材110之后，载体200可以重复用于加工额外的基材。
使用范德华表粘结技术来粘结基材的挑战在于，要粘结到一起的表面的粗糙度影响表面的粘结能力。作为非限制性例子，大于0.75nm或者1.0nm的表面粗糙度(Ra)可能明显阻止自发粘结，导致基材110与载体200的弱粘结。弱粘结可能允许来自一个或多个工艺的液体在基材110与载体200之间渗透，从而导致分层或者由于来自一个工艺的残留物可能影响后续工艺而导致工艺污染。在图5所示的构造中，第二表面114和粘结表面210的表面粗糙度(Ra)影响基材110与载体200发生粘结的能力。
图5显示以可去除的方式粘结到载体200的基材110。基材110的第二表面114粘结到载体200的粘结表面210。
载体
载体200可以是任意合适的材料，例如玻璃。载体200不需要是玻璃，作为替代，可以是例如陶瓷、玻璃陶瓷或者金属。如果是由玻璃制造的话，则载体200可以是任意合适的组成，包括但不限于：铝硅酸盐、硼硅酸盐、铝硼硅酸盐、钠钙硅酸盐，并且取决于其最终用途，可以是含碱或者不含碱的。载体200可以是任意合适的厚度。可以由单层制造载体200(如所示)，或者由(例如，通过层叠)粘结在一起的多层(包括多片薄片)制造。可以使得载体200的热膨胀系数与基材110基本匹配，以防止提升温度下进行加工期间的基材110的翘曲或者基材110与载体200脱离。载体200不一定暴露于与基材110相同的蚀刻过程，因为200的目的是为基材100在蚀刻后加工期间提供支撑，载体200通常不具有孔，并且不需要暴露于用于产生孔的蚀刻工艺。所以载体200的粘结表面210可以具有比暴露于蚀刻剂的基材110的第一表面112和第二表面114低的表面粗糙度(Ra)。
当考虑形成合适的范德华粘结的能力时，基材110的表面粗糙度(Ra)与载体200的表面粗糙度加和。对于良好的范德华粘结，载体与基材的表面粗糙度之和应该是0.95nm或更小，并且优选0.9nm或更小。可以以合理成本获得的具有最低粗糙度玻璃的熔合拉制玻璃的典型表面粗糙度是0.2nm至0.4nm。可以通过对玻璃组成进行适当选择来获得具有0.2nm的表面粗糙度的熔合拉制玻璃。所以，推荐选择可以以合理成本实现的表面粗糙度尽可能低的载体，这在目前来说是约0.2nm。所以，对于基材与载体之间作用良好的范德华粘结(载体的表面粗糙度是约0.2nm)，基材的表面粗糙度应该是0.75nm或更小，并且优选0.7nm或更小。
进一步加工
步骤354的进一步加工可以包括如下步骤，例如：向基材110施加碱性清洁溶液，对基材110进行湿蚀刻，对基材110进行抛光，对基材110进行金属镀覆，通过湿蚀刻对基材110进行金属图案化，通过沉积将材料沉积到基材110上，以及对基材110进行退火。如果基材110没有粘结到载体200的话，则这种剧烈的进一步加工可能会导致破坏基材110。但是，因为基材110粘结到了载体200，这种进一步加工破坏基材110的可能性要小得多。
脱粘结
可以通过任意合适的方式完成脱粘结。例如，可以在粘结的基材110与载体200的靠外部分使用楔状物来引发脱粘结，之后进行剥离。PCT公开WO2017/127489(“Methods forProcessing a Substrate(用于加工基材的方法)”)描述了合适的脱粘结技术的例子。
实施例
以下比较例和实施例对比了作为酸蚀刻结果的表面粗糙度(Ra)的变化。
获得了通过熔合拉制工艺制备的16个玻璃样品。每个玻璃样品厚0.7mm并且没有破坏区域。在蚀刻之前测量每个样品的表面粗糙度(Ra)，如表1所示。除非另有说明，否则实施例中的表面粗糙度是采用Veeco Dimension ICON AFM，以如下参数测得的：1Hz，512次扫描/线，以及2微米图像尺寸。
表1和图6显示每个玻璃样品的RO+Al2O3–B2O3参数。样品1至7还符合如下标准：其中以氧化物的摩尔％计，玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤75摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
0摩尔％<P2O5≤2摩尔％；
0摩尔％≤MgO≤6摩尔％；
0摩尔％≤ZnO≤4摩尔％；
0摩尔％≤CaO≤6摩尔％；
0摩尔％≤SrO≤10摩尔％；
0摩尔％≤BaO≤10摩尔％；
0摩尔％≤SnO2≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤As2O3≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤Sb2O3≤0.5摩尔％；
其中，
RO＝MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO；
R2O＝Li2O+Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O；
0摩尔％≤R2O≤2摩尔％；以及
P2O5、Na2O、K2O、SnO2、As2O3、Sb2O3表示所代表的氧化物组分的摩尔％。
测试的样品都不符合如下标准：26.25摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3。但是，测试的样品确实显示出随着参数26.25摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3变化时发生的HF后表面粗糙度的趋势。
然后，用高pH去污剂清洗(2％Semiclean-KG，60℃持续4分钟)清洁玻璃样品，以及用去离子(DI)水冲洗。经过清洁的玻璃在2.5重量％HF(或者1.45M HF)中蚀刻，以去除5微米的玻璃表面。经过蚀刻的玻璃用第二次高pH去污剂清洗和DI水冲洗进行清洁。
在蚀刻和清洁之后，再次测量每个样品的表面粗糙度，如表1所示。
表1
满足26.25摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3标准的组合物包括如下：
表2
提供表2的组成作为预测实施例。表2的值的单位是摩尔％。
结论
应理解的是，本文所述的实施方式提供了在基材中形成孔而没有明显增加基材的表面粗糙度(Ra)。通过在孔形成过程中保留基材的低表面粗糙度，可以将基材以可去除的方式粘结到载体用于进一步加工。在加工之后，可以从载体去除基材，从而载体可以重复使用用于加工其他基材。除此之外，可以制造基本圆柱形的通孔，因为没有从两端对它们进行蚀刻。
虽然如本文所述的具体过程涉及孔的蚀刻和使用载体，但是本文所述的玻璃组合物可有利地用于需要低的蚀刻后表面粗糙度的各种不同工艺。
如本文所用，术语“约”表示量、尺寸、制剂、参数和其他变量和特性不是也不需要是确切的，而是可以按照需要是近似的和/或更大或更小的，反映了容差、转换因子、舍入和测量误差等，以及本领域技术人员已知的其他因素。当使用术语“约”来描述范围的值或端点时，包括了所参考的具体值或者端点。无论说明书中的数值或者范围的端点是否陈述了“约”，包括了两种实施方式：一种用“约”进行修饰，以及一种没有用“约”进行修饰。还会理解的是，每个范围的端点在与另一个端点有关及独立于另一个端点时都是重要的。
当用于描述玻璃组合物中的特定组成组分的浓度和/或不存在该特定组成组分时，术语“不含”和“基本不含”表示没有故意向玻璃组合物中添加组成组分。但是，玻璃组合物可能含有痕量的该组成组分作为污染物或含有不确定的量，它的量小于0.05摩尔％。
当用于描述玻璃组合物中的特定组成组分时，术语“不确定”指的是没有向玻璃组合物有意添加且存在的量小于0.05摩尔％的组成组分。可能作为另一组成组分中的杂质或者通过玻璃组合物的加工过程中进入组合物的不确定的组分的迁移，无意间向玻璃组合物添加了不确定的组分。
附图所示的实施方式不一定是成比例的。可能选择相对尺寸和宽度以便于显示。
对本领域的技术人员显而易见的是，可以对本文所述的实施方式进行各种修改和变动而不偏离要求保护的主题的精神和范围。因此，本说明书旨在涵盖本文所述的各个实施方式的修改和变化形式，条件是这些修改和变化形式落入所附权利要求及其等同内容的范围之内。

Claims (21)

1.一种制品，其包括：
玻璃基材，其包括：
在其中具有多个孔的第一表面；和
与所述第一表面平行的第二表面；
其中，所述第一表面和第二表面中的至少一个是表面粗糙度(Ra)为0.75nm或更小的经蚀刻的表面，所述多个孔是经所述蚀刻形成的孔；
其中，以氧化物的摩尔％计，所述玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤72摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
1摩尔％≤P2O5≤2摩尔％；
其中，
RO＝MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO；
R2O＝Li2O+Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O；
26.25摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3；
0摩尔％≤R2O≤2摩尔％；以及
SiO2、Al2O3、B2O3、P2O5、MgO、ZnO、CaO、SrO、BaO、Li2O、Na2O、K2O、Rb2O、Cs2O、R2O和RO表示所代表的氧化物组分的摩尔％。
2.如权利要求1所述的制品，其中，以氧化物的摩尔％计，所述玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤72摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
0摩尔％≤MgO≤6摩尔％；
0摩尔％≤ZnO≤4摩尔％；
0摩尔％≤CaO≤6摩尔％；
0摩尔％≤SrO≤10摩尔％；
0摩尔％≤BaO≤10摩尔％；
0摩尔％≤SnO2≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤As2O3≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤Sb2O3≤0.5摩尔％；
其中，
SnO2、As2O3、Sb2O3表示所代表的氧化物组分的摩尔％。
3.如权利要求1所述的制品，其中，所述制品是玻璃基材。
4.如权利要求1至3中任一项所述的制品，其中，所述多个孔是从所述第一表面延伸到所述第二表面的通孔。
5.如权利要求1至3中任一项所述的制品，其中，所述多个孔是从所述第一表面朝向所述第二表面延伸而没有到达所述第二表面的盲孔。
6.如权利要求1至3中任一项所述的制品，所述制品还包括载体，其中，所述第一表面和第二表面中的至少一个经过蚀刻，具有0.75nm或更小的表面粗糙度(Ra)，以及粘结到载体。
7.如权利要求6所述的制品，其中，所述载体的表面粗糙度(Ra)是0.2nm至0.4nm。
8.如权利要求1至3中任一项所述的制品，其中，所述玻璃基材具有150μm或更小的厚度。
9.如权利要求1至3中任一项所述的制品，其中，所述玻璃基材具有90μm至110μm的厚度。
10.如权利要求1至3中任一项所述的制品，其中，69摩尔％≤SiO2≤72摩尔％。
11.如权利要求1至3中任一项所述的制品，其中，26.5摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3。
12.如权利要求11所述的制品，其中，26.75摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3。
13.如权利要求11所述的制品，其中，27.0摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3。
14.如权利要求1至3中任一项所述的制品，其中，0摩尔％≤R2O≤1摩尔％。
15.如权利要求1至3中任一项所述的制品，其中，0摩尔％≤R2O≤0.5摩尔％。
16.一种在基材中形成孔同时保留低表面粗糙度的方法，其包括：
在具有第一表面和第二表面的玻璃基材中形成多个孔，包括对所述第一表面和第二表面中的至少一个进行蚀刻以形成经蚀刻的表面，其中所述经蚀刻的表面具有0.75nm或更小的表面粗糙度(Ra)；
其中，以氧化物的摩尔％计，所述玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤72摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
1摩尔％≤P2O5≤2摩尔％；
其中，
RO＝MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO；
R2O＝Li2O+Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O；
26.25摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3；
0摩尔％≤R2O≤2摩尔％；以及
SiO2、Al2O3、B2O3、P2O5、MgO、ZnO、CaO、SrO、BaO、Li2O、Na2O、K2O、Rb2O、Cs2O、R2O和RO表示所代表的氧化物组分的摩尔％。
17.如权利要求16所述的方法，其中，以氧化物的摩尔％计，所述玻璃基材包含：
65摩尔％≤SiO2≤72摩尔％；
7摩尔％≤Al2O3≤15摩尔％；
0.1摩尔％≤B2O3≤2摩尔％；
0摩尔％≤MgO≤6摩尔％；
0摩尔％≤ZnO≤4摩尔％；
0摩尔％≤CaO≤6摩尔％；
0摩尔％≤SrO≤10摩尔％；
0摩尔％≤BaO≤10摩尔％；
0摩尔％≤SnO2≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤As2O3≤0.5摩尔％；
0摩尔％≤Sb2O3≤0.5摩尔％；
其中，
SnO2、As2O3、Sb2O3表示所代表的氧化物组分的摩尔％。
18.如权利要求16至17中任一项所述的方法，其中，26.5摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3。
19.如权利要求18所述的方法，其中，26.75摩尔％≤RO+Al2O3–B2O3。
20.如权利要求16所述的方法，其中，在所述形成多个孔之前，在玻璃基材中形成破坏区域。
21.如权利要求20所述的方法，其中，对所述破坏区域进行蚀刻以形成所述多个孔。
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PCT/US2019/019120 WO2019165186A1 (en) 2018-02-22 2019-02-22 Alkali-free borosilicate glasses with low post-hf etch roughness

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111757856A CN111757856A (zh) 2020-10-09
CN111757856B true CN111757856B (zh) 2023-08-22

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Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980014910.6A Active CN111757856B (zh) 2018-02-22 2019-02-22 具有低的hf蚀刻后粗糙度的不含碱性硼硅酸盐玻璃

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US (1) US11554984B2 (zh)
JP (1) JP2021514921A (zh)
KR (1) KR20200125943A (zh)
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TW (1) TWI794417B (zh)
WO (1) WO2019165186A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3810558B1 (en) * 2018-06-19 2023-04-26 Corning Incorporated High strain point and high young's modulus glasses
CN111499211B (zh) * 2020-04-27 2022-08-05 重庆鑫景特种玻璃有限公司 一种封闭式3d曲面玻璃外壳的制备方法及玻璃外壳

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103347830A (zh) * 2011-01-25 2013-10-09 康宁股份有限公司 具有高热稳定性和化学稳定性的玻璃组合物
CN104334507A (zh) * 2012-05-31 2015-02-04 旭硝子株式会社 无碱玻璃基板及无碱玻璃基板的减薄方法
CN105859127A (zh) * 2016-04-01 2016-08-17 东旭科技集团有限公司 一种玻璃用组合物、铝硅酸盐玻璃及其制备方法和应用
CN105992749A (zh) * 2013-11-28 2016-10-05 旭硝子株式会社 无碱玻璃基板及无碱玻璃基板的减薄方法
CN106029286A (zh) * 2013-12-17 2016-10-12 康宁股份有限公司 在玻璃中进行快速激光钻孔的方法和由其制备的产品
CN107108338A (zh) * 2015-03-10 2017-08-29 日本电气硝子株式会社 玻璃基板
CN107108334A (zh) * 2014-10-31 2017-08-29 康宁股份有限公司 对玻璃进行尺寸稳定的快速蚀刻
CN107250073A (zh) * 2015-02-13 2017-10-13 日本板硝子株式会社 激光加工用玻璃及使用了其的带孔玻璃的制造方法
TW201806082A (zh) * 2016-06-01 2018-02-16 康寧公司 在基板中形成通孔的物件及方法

Family Cites Families (778)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US108387A (en) 1870-10-18 Improvement in machines for making rope
US1790397A (en) 1931-01-27 Glass workins machine
US208387A (en) 1878-09-24 Improvement in stocking-supporters
US237571A (en) 1881-02-08 messier
US2682134A (en) 1951-08-17 1954-06-29 Corning Glass Works Glass sheet containing translucent linear strips
US2749794A (en) 1953-04-24 1956-06-12 Corning Glass Works Illuminating glassware and method of making it
GB1242172A (en) 1968-02-23 1971-08-11 Ford Motor Co A process for chemically cutting glass
US3647410A (en) 1969-09-09 1972-03-07 Owens Illinois Inc Glass ribbon machine blow head mechanism
US3775084A (en) 1970-01-02 1973-11-27 Owens Illinois Inc Pressurizer apparatus for glass ribbon machine
US3729302A (en) 1970-01-02 1973-04-24 Owens Illinois Inc Removal of glass article from ribbon forming machine by vibrating force
US3695497A (en) 1970-08-26 1972-10-03 Ppg Industries Inc Method of severing glass
US3695498A (en) 1970-08-26 1972-10-03 Ppg Industries Inc Non-contact thermal cutting
US3713921A (en) 1971-04-01 1973-01-30 Gen Electric Geometry control of etched nuclear particle tracks
JPS5417765B1 (zh) 1971-04-26 1979-07-03
DE2231330A1 (de) 1972-06-27 1974-01-10 Agfa Gevaert Ag Verfahren und vorrichtung zur erzeugung eines scharfen fokus
DE2757890C2 (de) 1977-12-24 1981-10-15 Fa. Karl Lutz, 6980 Wertheim Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Behältnissen aus Röhrenglas, insbesondere Ampullen
JPS55130839A (en) 1979-03-29 1980-10-11 Asahi Glass Co Ltd Uniform etching method of article
US4395271A (en) 1979-04-13 1983-07-26 Corning Glass Works Method for making porous magnetic glass and crystal-containing structures
JPS56129261A (en) 1980-03-17 1981-10-09 Hitachi Ltd Thin film-forming coating liquid composition
JPS56160893A (en) 1980-05-16 1981-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Absorbing film for laser work
US4441008A (en) 1981-09-14 1984-04-03 Ford Motor Company Method of drilling ultrafine channels through glass
US4507384A (en) 1983-04-18 1985-03-26 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Pattern forming material and method for forming pattern therewith
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
US4547836A (en) 1984-02-01 1985-10-15 General Electric Company Insulating glass body with electrical feedthroughs and method of preparation
JPS60220340A (ja) 1984-04-17 1985-11-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 感光性樹脂組成物及びパタ−ン形成方法
US4646308A (en) 1985-09-30 1987-02-24 Spectra-Physics, Inc. Synchronously pumped dye laser using ultrashort pump pulses
AT384802B (de) 1986-05-28 1988-01-11 Avl Verbrennungskraft Messtech Verfahren zur herstellung von traegermaterialien fuer optische sensoren
US4749400A (en) 1986-12-12 1988-06-07 Ppg Industries, Inc. Discrete glass sheet cutting
JP2691543B2 (ja) 1986-12-18 1997-12-17 住友化学工業株式会社 光制御板およびその製造方法
EP0272582B1 (en) 1986-12-18 1994-05-18 Sumitomo Chemical Company, Limited Light control sheets
JPS63203775A (ja) 1987-02-19 1988-08-23 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 基板のメツキ処理方法
EP0341313B1 (en) 1987-10-01 1993-06-23 Asahi Glass Company Ltd. Alkali free glass
US4918751A (en) 1987-10-05 1990-04-17 The University Of Rochester Method for optical pulse transmission through optical fibers which increases the pulse power handling capacity of the fibers
IL84255A (en) 1987-10-23 1993-02-21 Galram Technology Ind Ltd Process for removal of post- baked photoresist layer
JPH01179770A (ja) 1988-01-12 1989-07-17 Hiroshima Denki Gakuen 金属とセラミックスとの接合方法
US4764930A (en) 1988-01-27 1988-08-16 Intelligent Surgical Lasers Multiwavelength laser source
US4907586A (en) 1988-03-31 1990-03-13 Intelligent Surgical Lasers Method for reshaping the eye
JPH0258221A (ja) 1988-08-23 1990-02-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素または炭素を主成分とするマスクを用いたエッチング方法
US5089062A (en) 1988-10-14 1992-02-18 Abb Power T&D Company, Inc. Drilling of steel sheet
US4929065A (en) 1988-11-03 1990-05-29 Isotec Partners, Ltd. Glass plate fusion for macro-gradient refractive index materials
US4891054A (en) 1988-12-30 1990-01-02 Ppg Industries, Inc. Method for cutting hot glass
US5166493A (en) 1989-01-10 1992-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method of boring using laser
US4948941A (en) 1989-02-27 1990-08-14 Motorola, Inc. Method of laser drilling a substrate
US5112722A (en) 1989-04-12 1992-05-12 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method of producing light control plate which induces scattering of light at different angles
DE69023382T2 (de) 1989-04-17 1996-06-20 Ibm Laminierungsverfahren zum Überdecken der Seitenwände einer Höhlung in einem Substrat sowie zur Füllung dieser Höhlung.
US5208068A (en) 1989-04-17 1993-05-04 International Business Machines Corporation Lamination method for coating the sidewall or filling a cavity in a substrate
US5104210A (en) 1989-04-24 1992-04-14 Monsanto Company Light control films and method of making
US5035918A (en) 1989-04-26 1991-07-30 Amp Incorporated Non-flammable and strippable plating resist and method of using same
JPH0676269B2 (ja) 1990-02-28 1994-09-28 太陽誘電株式会社 セラミック基板のレーザースクライブ方法
US5040182A (en) 1990-04-24 1991-08-13 Coherent, Inc. Mode-locked laser
JPH04349132A (ja) 1990-12-28 1992-12-03 Seikosha Co Ltd 感光性ガラスの加工方法
JPH07503382A (ja) 1991-11-06 1995-04-13 ライ，シュイ，ティー． 角膜手術装置及び方法
US5314522A (en) 1991-11-19 1994-05-24 Seikosha Co., Ltd. Method of processing photosensitive glass with a pulsed laser to form grooves
US5374291A (en) 1991-12-10 1994-12-20 Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology Method of processing photosensitive glass
GB9218482D0 (en) 1992-09-01 1992-10-14 Dixon Arthur E Apparatus and method for scanning laser imaging of macroscopic samples
US5265107A (en) 1992-02-05 1993-11-23 Bell Communications Research, Inc. Broadband absorber having multiple quantum wells of different thicknesses
JPH05323110A (ja) 1992-05-22 1993-12-07 Hitachi Koki Co Ltd 多ビーム発生素子
JPH0679486A (ja) 1992-08-25 1994-03-22 Rohm Co Ltd インクジェットヘッドの加工方法
US6016223A (en) 1992-08-31 2000-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Double bessel beam producing method and apparatus
AU5872994A (en) 1992-12-18 1994-07-19 Firebird Traders Ltd. Process and apparatus for etching an image within a solid article
DE4305764A1 (de) 1993-02-25 1994-09-01 Krupp Foerdertechnik Gmbh Verlegbare Brücke und Einrichtung zum Verlegen der Brücke
JPH06318756A (ja) 1993-05-06 1994-11-15 Toshiba Corp レ−ザ装置
EP0656241B1 (en) 1993-06-04 1998-12-23 Seiko Epson Corporation Apparatus and method for laser machining
CN1096936A (zh) 1993-07-01 1995-01-04 山东矿业学院济南分院 一种劳保饮料及其制造方法
JPH07136162A (ja) 1993-11-17 1995-05-30 Fujitsu Ltd 超音波カプラ
US6489589B1 (en) 1994-02-07 2002-12-03 Board Of Regents, University Of Nebraska-Lincoln Femtosecond laser utilization methods and apparatus and method for producing nanoparticles
US5436925A (en) 1994-03-01 1995-07-25 Hewlett-Packard Company Colliding pulse mode-locked fiber ring laser using a semiconductor saturable absorber
US5400350A (en) 1994-03-31 1995-03-21 Imra America, Inc. Method and apparatus for generating high energy ultrashort pulses
US5778016A (en) 1994-04-01 1998-07-07 Imra America, Inc. Scanning temporal ultrafast delay methods and apparatuses therefor
JP2526806B2 (ja) 1994-04-26 1996-08-21 日本電気株式会社 半導体レ―ザおよびその動作方法
WO1995031023A1 (en) 1994-05-09 1995-11-16 Massachusetts Institute Of Technology Dispersion-compensated laser using prismatic end elements
US5493096A (en) 1994-05-10 1996-02-20 Grumman Aerospace Corporation Thin substrate micro-via interconnect
JP3385442B2 (ja) 1994-05-31 2003-03-10 株式会社ニュークリエイション 検査用光学系および検査装置
US6016324A (en) 1994-08-24 2000-01-18 Jmar Research, Inc. Short pulse laser system
US5434875A (en) 1994-08-24 1995-07-18 Tamar Technology Co. Low cost, high average power, high brightness solid state laser
US5776220A (en) 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5696782A (en) 1995-05-19 1997-12-09 Imra America, Inc. High power fiber chirped pulse amplification systems based on cladding pumped rare-earth doped fibers
US6120131A (en) 1995-08-28 2000-09-19 Lexmark International, Inc. Method of forming an inkjet printhead nozzle structure
JPH09106243A (ja) 1995-10-12 1997-04-22 Dainippon Printing Co Ltd ホログラムの複製方法
US5919607A (en) 1995-10-26 1999-07-06 Brown University Research Foundation Photo-encoded selective etching for glass based microtechnology applications
US5844200A (en) 1996-05-16 1998-12-01 Sendex Medical, Inc. Method for drilling subminiature through holes in a sensor substrate with a laser
JP2873937B2 (ja) 1996-05-24 1999-03-24 工業技術院長 ガラスの光微細加工方法
US5736709A (en) 1996-08-12 1998-04-07 Armco Inc. Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power
US5746884A (en) 1996-08-13 1998-05-05 Advanced Micro Devices, Inc. Fluted via formation for superior metal step coverage
US7353829B1 (en) 1996-10-30 2008-04-08 Provectus Devicetech, Inc. Methods and apparatus for multi-photon photo-activation of therapeutic agents
US5965043A (en) 1996-11-08 1999-10-12 W. L. Gore & Associates, Inc. Method for using ultrasonic treatment in combination with UV-lasers to enable plating of high aspect ratio micro-vias
JP4237827B2 (ja) 1996-11-13 2009-03-11 コーニング インコーポレイテッド 内部にチャンネルが形成されたガラス製品の製造方法
US6140243A (en) 1996-12-12 2000-10-31 Texas Instruments Incorporated Low temperature process for post-etch defluoridation of metals
JP3118203B2 (ja) 1997-03-27 2000-12-18 住友重機械工業株式会社 レーザ加工方法
JP3644187B2 (ja) 1997-04-17 2005-04-27 三菱電機株式会社 遮断器の蓄勢装置
JP3227106B2 (ja) 1997-04-23 2001-11-12 株式会社ミツトヨ 内径測定方法および内径測定装置
US5933230A (en) 1997-04-28 1999-08-03 International Business Machines Corporation Surface inspection tool
JP3957010B2 (ja) 1997-06-04 2007-08-08 日本板硝子株式会社 微細孔を有するガラス基材
US6156030A (en) 1997-06-04 2000-12-05 Y-Beam Technologies, Inc. Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification
BE1011208A4 (fr) 1997-06-11 1999-06-01 Cuvelier Georges Procede de decalottage de pieces en verre.
DE19728766C1 (de) 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
US6078599A (en) 1997-07-22 2000-06-20 Cymer, Inc. Wavelength shift correction technique for a laser
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
GB2335603B (en) 1997-12-05 2002-12-04 Thermolase Corp Skin enhancement using laser light
US6501578B1 (en) 1997-12-19 2002-12-31 Electric Power Research Institute, Inc. Apparatus and method for line of sight laser communications
JPH11197498A (ja) 1998-01-13 1999-07-27 Japan Science & Technology Corp 無機材料内部の選択的改質方法及び内部が選択的に改質された無機材料
US6272156B1 (en) 1998-01-28 2001-08-07 Coherent, Inc. Apparatus for ultrashort pulse transportation and delivery
JPH11240730A (ja) 1998-02-27 1999-09-07 Nec Kansai Ltd 脆性材料の割断方法
JPH11269683A (ja) 1998-03-18 1999-10-05 Armco Inc 金属表面から酸化物を除去する方法及び装置
US6160835A (en) 1998-03-20 2000-12-12 Rocky Mountain Instrument Co. Hand-held marker with dual output laser
JPH11297703A (ja) 1998-04-15 1999-10-29 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6256328B1 (en) 1998-05-15 2001-07-03 University Of Central Florida Multiwavelength modelocked semiconductor diode laser
US6308055B1 (en) 1998-05-29 2001-10-23 Silicon Laboratories, Inc. Method and apparatus for operating a PLL for synthesizing high-frequency signals for wireless communications
JPH11347758A (ja) 1998-06-10 1999-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 超精密加工装置
JP3410968B2 (ja) 1998-06-22 2003-05-26 株式会社東芝 パターン形成方法および感光性組成物
US20020062563A1 (en) 1998-06-29 2002-05-30 Jun Koide Method for processing discharge port of ink jet head, and method for manufacturing ink jet head
JP4396953B2 (ja) 1998-08-26 2010-01-13 三星電子株式会社 レーザ切断装置および切断方法
US6124214A (en) 1998-08-27 2000-09-26 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for ultrasonic wet etching of silicon
DE19851353C1 (de) 1998-11-06 1999-10-07 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zum Schneiden eines Laminats aus einem sprödbrüchigen Werkstoff und einem Kunststoff
JP3178524B2 (ja) 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
WO2000032528A1 (en) 1998-11-30 2000-06-08 Corning Incorporated Glasses for flat panel displays
US7649153B2 (en) 1998-12-11 2010-01-19 International Business Machines Corporation Method for minimizing sample damage during the ablation of material using a focused ultrashort pulsed laser beam
US6445491B2 (en) 1999-01-29 2002-09-03 Irma America, Inc. Method and apparatus for optical sectioning and imaging using time-gated parametric image amplification
US6381391B1 (en) 1999-02-19 2002-04-30 The Regents Of The University Of Michigan Method and system for generating a broadband spectral continuum and continuous wave-generating system utilizing same
CN1200793C (zh) 1999-02-25 2005-05-11 精工爱普生株式会社 利用激光加工被加工物的方法
DE19908630A1 (de) 1999-02-27 2000-08-31 Bosch Gmbh Robert Abschirmung gegen Laserstrahlen
JP2001105398A (ja) 1999-03-04 2001-04-17 Seiko Epson Corp 加工方法
US6635849B1 (en) 1999-03-05 2003-10-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser beam machine for micro-hole machining
US6484052B1 (en) 1999-03-30 2002-11-19 The Regents Of The University Of California Optically generated ultrasound for enhanced drug delivery
TWI223581B (en) 1999-04-02 2004-11-01 Murata Manufacturing Co Method for machining ceramic green sheet and apparatus for machining the same
JP2000301372A (ja) 1999-04-23 2000-10-31 Seiko Epson Corp 透明材料のレーザ加工方法
JP2000302488A (ja) 1999-04-23 2000-10-31 Seiko Epson Corp ガラスの微細穴加工方法
US6338901B1 (en) 1999-05-03 2002-01-15 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6373565B1 (en) 1999-05-27 2002-04-16 Spectra Physics Lasers, Inc. Method and apparatus to detect a flaw in a surface of an article
CN2388062Y (zh) 1999-06-21 2000-07-19 郭广宗 一层有孔一层无孔双层玻璃车船窗
US6449301B1 (en) 1999-06-22 2002-09-10 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for mode locking of external cavity semiconductor lasers with saturable Bragg reflectors
US6259151B1 (en) 1999-07-21 2001-07-10 Intersil Corporation Use of barrier refractive or anti-reflective layer to improve laser trim characteristics of thin film resistors
US6573026B1 (en) 1999-07-29 2003-06-03 Corning Incorporated Femtosecond laser writing of glass, including borosilicate, sulfide, and lead glasses
CN1365500A (zh) 1999-07-29 2002-08-21 康宁股份有限公司 用飞秒脉冲激光在石英基玻璃中直接刻写光学元件
JP2001106545A (ja) 1999-07-30 2001-04-17 Hoya Corp ガラス基板、半導体センサの製造方法および半導体センサ
US6537937B1 (en) 1999-08-03 2003-03-25 Asahi Glass Company, Limited Alkali-free glass
US6391213B1 (en) 1999-09-07 2002-05-21 Komag, Inc. Texturing of a landing zone on glass-based substrates by a chemical etching process
US6344242B1 (en) 1999-09-10 2002-02-05 Mcdonnell Douglas Corporation Sol-gel catalyst for electroless plating
US6234755B1 (en) 1999-10-04 2001-05-22 General Electric Company Method for improving the cooling effectiveness of a gaseous coolant stream, and related articles of manufacture
DE19952331C1 (de) 1999-10-29 2001-08-30 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum schnellen Schneiden eines Werkstücks aus sprödbrüchigem Werkstoff mittels Laserstrahlen
US6479395B1 (en) 1999-11-02 2002-11-12 Alien Technology Corporation Methods for forming openings in a substrate and apparatuses with these openings and methods for creating assemblies with openings
JP2001138083A (ja) 1999-11-18 2001-05-22 Seiko Epson Corp レーザー加工装置及びレーザー照射方法
JP4592855B2 (ja) 1999-12-24 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6339208B1 (en) 2000-01-19 2002-01-15 General Electric Company Method of forming cooling holes
US6552301B2 (en) 2000-01-25 2003-04-22 Peter R. Herman Burst-ultrafast laser machining method
WO2001084127A1 (fr) 2000-04-27 2001-11-08 Seiko Epson Corporation Procede et dispositif pour detecter des matieres etrangeres dans des trous traversants
JP4013551B2 (ja) 2000-04-27 2007-11-28 セイコーエプソン株式会社 透孔内異物検査方法及び透孔内異物検査装置
JP2001354439A (ja) 2000-06-12 2001-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガラス基板の加工方法および高周波回路の製作方法
US6420088B1 (en) 2000-06-23 2002-07-16 International Business Machines Corporation Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer
US6399914B1 (en) 2000-07-10 2002-06-04 Igor Troitski Method and laser system for production of high quality laser-induced damage images by using material processing made before and during image creation
JP3797068B2 (ja) 2000-07-10 2006-07-12 セイコーエプソン株式会社 レーザによる微細加工方法
JP3530114B2 (ja) 2000-07-11 2004-05-24 忠弘 大見 単結晶の切断方法
JP2002040330A (ja) 2000-07-25 2002-02-06 Olympus Optical Co Ltd 光学素子切換え制御装置
US6417109B1 (en) 2000-07-26 2002-07-09 Aiwa Co., Ltd. Chemical-mechanical etch (CME) method for patterned etching of a substrate surface
JP4786783B2 (ja) 2000-08-18 2011-10-05 日本板硝子株式会社 ガラス板の切断方法及び記録媒体用ガラス円盤
KR100795714B1 (ko) 2000-08-21 2008-01-21 다우 글로벌 테크놀로지스 인크. 마이크로일렉트로닉 장치의 제조에 있어서 유기 중합체유전체용 하드마스크로서의 유기 규산염 수지
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
KR100673073B1 (ko) 2000-10-21 2007-01-22 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단 방법 및 장치
JP4512786B2 (ja) 2000-11-17 2010-07-28 独立行政法人産業技術総合研究所 ガラス基板の加工方法
US20020110639A1 (en) 2000-11-27 2002-08-15 Donald Bruns Epoxy coating for optical surfaces
US20020082466A1 (en) 2000-12-22 2002-06-27 Jeongho Han Laser surgical system with light source and video scope
JP4880820B2 (ja) 2001-01-19 2012-02-22 株式会社レーザーシステム レーザ支援加工方法
JP2002228818A (ja) 2001-02-05 2002-08-14 Taiyo Yuden Co Ltd レーザー加工用回折光学素子、レーザー加工装置及びレーザー加工方法
KR20020066005A (ko) 2001-02-08 2002-08-14 황선우 인쇄회로기판의 코팅방법
JP2002265233A (ja) 2001-03-05 2002-09-18 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザ加工用母材ガラスおよびレーザ加工用ガラス
CN100443241C (zh) 2001-04-02 2008-12-17 太阳诱电株式会社 利用激光的透光材料的加工方法
JP4092890B2 (ja) 2001-05-31 2008-05-28 株式会社日立製作所 マルチチップモジュール
US6740594B2 (en) 2001-05-31 2004-05-25 Infineon Technologies Ag Method for removing carbon-containing polysilane from a semiconductor without stripping
JP4929538B2 (ja) 2001-06-29 2012-05-09 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US6754429B2 (en) 2001-07-06 2004-06-22 Corning Incorporated Method of making optical fiber devices and devices thereof
SG108262A1 (en) 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation
TWI224382B (en) 2001-07-12 2004-11-21 Hitachi Ltd Wiring glass substrate and manufacturing method thereof, conductive paste and semiconductor module used for the same, and conductor forming method
JP3775250B2 (ja) 2001-07-12 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法及びレーザー加工装置
JP2004537175A (ja) 2001-08-02 2004-12-09 エスケーシー カンパニー，リミテッド レーザーを使用した化学的機械的研磨パッドの製造方法
WO2003015976A1 (fr) 2001-08-10 2003-02-27 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Procede et dispositif de chanfreinage de materiau friable
JP3795778B2 (ja) 2001-08-24 2006-07-12 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 水添ビスフェノールａ型エポキシ樹脂を用いたレジノイド研削砥石
ATE326558T1 (de) 2001-08-30 2006-06-15 Aktina Ltd Verfahren zur herstellung poröser keramik-metall verbundwerkstoffe und dadurch erhaltene verbundwerkstoffe
WO2006025347A1 (ja) 2004-08-31 2006-03-09 National University Corporation Tohoku University 銅合金及び液晶表示装置
JP2003114400A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ光学システムおよびレーザ加工方法
DE10153310A1 (de) 2001-10-29 2003-05-22 Infineon Technologies Ag Photolithographisches Strukturierungsverfahren mit einer durch ein plasmaunterstützes Abscheideeverfahren hergestellten Kohlenstoff-Hartmaskenschicht diamantartiger Härte
JP2003148931A (ja) 2001-11-16 2003-05-21 Sefa Technology Kk 中空透明体の内径測定方法およびその装置
JP2003154517A (ja) 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
US6720519B2 (en) 2001-11-30 2004-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. System and method of laser drilling
US6973384B2 (en) 2001-12-06 2005-12-06 Bellsouth Intellectual Property Corporation Automated location-intelligent traffic notification service systems and methods
JP3998984B2 (ja) 2002-01-18 2007-10-31 富士通株式会社 回路基板及びその製造方法
JP2003226551A (ja) 2002-02-05 2003-08-12 Nippon Sheet Glass Co Ltd 微細孔を有するガラス板およびその製造方法
JP2003238178A (ja) 2002-02-21 2003-08-27 Toshiba Ceramics Co Ltd ガス導入用シャワープレート及びその製造方法
JP4267240B2 (ja) 2002-02-22 2009-05-27 日本板硝子株式会社 ガラス構造物の製造方法
CN1328002C (zh) 2002-03-12 2007-07-25 浜松光子学株式会社 加工对象物切割方法
DE10211760A1 (de) 2002-03-14 2003-10-02 Werth Messtechnik Gmbh Anordnung und Verfahren zum Messen von Geometrien bzw. Strukturen von im Wesentlichen zweidimensionalen Objekten mittels Bildverarbeitungssenorik
US6744009B1 (en) 2002-04-02 2004-06-01 Seagate Technology Llc Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates
US6787732B1 (en) 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
CA2428187C (en) 2002-05-08 2012-10-02 National Research Council Of Canada Method of fabricating sub-micron structures in transparent dielectric materials
US6835663B2 (en) 2002-06-28 2004-12-28 Infineon Technologies Ag Hardmask of amorphous carbon-hydrogen (a-C:H) layers with tunable etch resistivity
JP2004086137A (ja) 2002-07-01 2004-03-18 Seiko Epson Corp 光トランシーバ及びその製造方法
US6992030B2 (en) 2002-08-29 2006-01-31 Corning Incorporated Low-density glass for flat panel display substrates
US6737345B1 (en) 2002-09-10 2004-05-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Scheme to define laser fuse in dual damascene CU process
US6822326B2 (en) 2002-09-25 2004-11-23 Ziptronix Wafer bonding hermetic encapsulation
US7106342B2 (en) 2002-09-27 2006-09-12 Lg Electronics Inc. Method of controlling brightness of user-selected area for image display device
US7098117B2 (en) 2002-10-18 2006-08-29 The Regents Of The University Of Michigan Method of fabricating a package with substantially vertical feedthroughs for micromachined or MEMS devices
KR100444588B1 (ko) 2002-11-12 2004-08-16 삼성전자주식회사 글래스 웨이퍼의 비아홀 형성방법
GB2395157B (en) 2002-11-15 2005-09-07 Rolls Royce Plc Laser driliing shaped holes
JP3997150B2 (ja) 2002-12-06 2007-10-24 ソニー株式会社 基板製造装置および製造方法
US7880117B2 (en) 2002-12-24 2011-02-01 Panasonic Corporation Method and apparatus of drilling high density submicron cavities using parallel laser beams
JP2004209675A (ja) 2002-12-26 2004-07-29 Kashifuji:Kk 押圧切断装置及び押圧切断方法
KR100497820B1 (ko) 2003-01-06 2005-07-01 로체 시스템즈(주) 유리판절단장치
JP3775410B2 (ja) 2003-02-03 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法、レーザー溶接方法並びにレーザー加工装置
KR100512971B1 (ko) 2003-02-24 2005-09-07 삼성전자주식회사 솔더볼을 이용한 마이크로 전자 기계 시스템의 제조 방법
US7407889B2 (en) 2003-03-03 2008-08-05 Nippon Sheet Glass Company, Limited Method of manufacturing article having uneven surface
JP4346606B2 (ja) 2003-03-03 2009-10-21 日本板硝子株式会社 凹凸のある表面を有する物品の製造方法
JP2004272014A (ja) 2003-03-10 2004-09-30 Seiko Epson Corp 光通信モジュールの製造方法、光通信モジュール、及び電子機器
DE60315515T2 (de) 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
JP3577492B1 (ja) 2003-03-24 2004-10-13 西山ステンレスケミカル株式会社 ガラスの切断分離方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びフラットパネルディスプレイ
EP1628927B1 (en) 2003-04-22 2011-01-19 The Coca-Cola Company Method and apparatus for strengthening glass
JP2004330236A (ja) 2003-05-07 2004-11-25 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レーザー孔あけ用補助シート
DE10322376A1 (de) 2003-05-13 2004-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Axiconsystem und Beleuchtungssystem damit
US7511886B2 (en) 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
FR2855084A1 (fr) 2003-05-22 2004-11-26 Air Liquide Optique de focalisation pour le coupage laser
JP4796498B2 (ja) 2003-05-23 2011-10-19 ダウ コーニング コーポレーション 高い湿式エッチング速度を持つシロキサン樹脂系反射防止被覆組成物
JP2004351494A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Seiko Epson Corp レーザーに対して透明な材料の穴あけ加工方法
JP2005019576A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Hitachi Metals Ltd スルーホール導体を持った配線基板
JP2004363212A (ja) 2003-06-03 2004-12-24 Hitachi Metals Ltd スルーホール導体を持った配線基板
JP2005000952A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザー加工方法及びレーザー加工装置
JP2005011920A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Hitachi Displays Ltd 表示装置とその製造方法
US7492948B2 (en) 2003-06-26 2009-02-17 Denmarks Tekniske Universitet Generation of a desired wavefront with a plurality of phase contrast filters
CA2530607A1 (en) 2003-06-27 2005-04-07 Purdue Research Foundation Device for detecting biological and chemical particles
ES2523432T3 (es) 2003-07-18 2014-11-25 Hamamatsu Photonics K.K. Chip semiconductor cortado
US6990285B2 (en) 2003-07-31 2006-01-24 Corning Incorporated Method of making at least one hole in a transparent body and devices made by this method
US7258834B2 (en) 2003-08-01 2007-08-21 Agilent Technologies, Inc. Methods and devices for modifying a substrate surface
TWI269684B (en) 2003-08-08 2007-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd A process for laser machining
JP4182841B2 (ja) 2003-08-28 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 単結晶基板の加工方法
JP2005104819A (ja) 2003-09-10 2005-04-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd 合せガラスの切断方法及び合せガラス切断装置
JP3974127B2 (ja) 2003-09-12 2007-09-12 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
WO2005033033A1 (ja) 2003-10-06 2005-04-14 Hoya Corporation 貫通孔を有するガラス部品およびその製造方法
JP4702794B2 (ja) 2003-10-06 2011-06-15 Ｈｏｙａ株式会社 感光性ガラス基板の貫通孔形成方法
US6992371B2 (en) 2003-10-09 2006-01-31 Freescale Semiconductor, Inc. Device including an amorphous carbon layer for improved adhesion of organic layers and method of fabrication
ES2247890B1 (es) 2003-10-10 2006-11-16 Universitat Politecnica De Catalunya Procedimiento y equipo de metrologia optica para la determinacion de la topografia tridimensional de un orificio, en particular para la medicion de boquillas micrometricas troncoconicas y similares.
JP2005138143A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用する加工装置
US7172067B2 (en) 2003-11-10 2007-02-06 Johnson Level & Tool Mfg. Co., Inc. Level case with positioning indentations
JP2005144487A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Seiko Epson Corp レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2005144622A (ja) 2003-11-18 2005-06-09 Seiko Epson Corp 構造体の製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置
JP4781635B2 (ja) 2004-03-30 2011-09-28 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
WO2005063435A1 (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Nitto Denko Corporation レーザー加工用保護シート及びレーザー加工品の製造方法
KR101035826B1 (ko) 2003-12-30 2011-05-20 코닝 인코포레이티드 고 변형점 유리
JP4349132B2 (ja) 2004-01-09 2009-10-21 アイシン精機株式会社 凹部加工装置
US7633033B2 (en) 2004-01-09 2009-12-15 General Lasertronics Corporation Color sensing for laser decoating
US7316844B2 (en) 2004-01-16 2008-01-08 Brewer Science Inc. Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates
JP4951241B2 (ja) 2004-01-16 2012-06-13 独立行政法人科学技術振興機構 微細加工方法
JP4074589B2 (ja) 2004-01-22 2008-04-09 Ｔｄｋ株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US7057135B2 (en) 2004-03-04 2006-06-06 Matsushita Electric Industrial, Co. Ltd. Method of precise laser nanomachining with UV ultrafast laser pulses
US7638440B2 (en) 2004-03-12 2009-12-29 Applied Materials, Inc. Method of depositing an amorphous carbon film for etch hardmask application
TWI250910B (en) 2004-03-05 2006-03-11 Olympus Corp Apparatus for laser machining
JP2005257339A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Heureka Co Ltd 半導体ウエハ検査装置
JP4737709B2 (ja) 2004-03-22 2011-08-03 日本電気硝子株式会社 ディスプレイ基板用ガラスの製造方法
JP4418282B2 (ja) 2004-03-31 2010-02-17 株式会社レーザーシステム レーザ加工方法
JP2005306702A (ja) 2004-04-26 2005-11-04 Namiki Precision Jewel Co Ltd テーパー形状を有する微小穴の形成方法
JP4631044B2 (ja) 2004-05-26 2011-02-16 国立大学法人北海道大学 レーザ加工方法および装置
US7985942B2 (en) 2004-05-28 2011-07-26 Electro Scientific Industries, Inc. Method of providing consistent quality of target material removal by lasers having different output performance characteristics
JP2005340835A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Hoya Corp 電子線露光用マスクブランクおよびマスク
US7804043B2 (en) 2004-06-15 2010-09-28 Laserfacturing Inc. Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser
KR20060000515A (ko) 2004-06-29 2006-01-06 대주전자재료 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 격벽용 무연 유리 조성물
US7164465B2 (en) 2004-07-13 2007-01-16 Anvik Corporation Versatile maskless lithography system with multiple resolutions
WO2006023942A2 (en) 2004-08-23 2006-03-02 Optical Research Associates Lighting systems for producing different beam patterns
US7940361B2 (en) 2004-08-31 2011-05-10 Advanced Interconnect Materials, Llc Copper alloy and liquid-crystal display device
JP3887394B2 (ja) 2004-10-08 2007-02-28 芝浦メカトロニクス株式会社 脆性材料の割断加工システム及びその方法
CN100475419C (zh) 2004-10-25 2009-04-08 三星钻石工业股份有限公司 裂痕形成方法及裂痕形成装置
JP4692717B2 (ja) 2004-11-02 2011-06-01 澁谷工業株式会社 脆性材料の割断装置
JP4222296B2 (ja) 2004-11-22 2009-02-12 住友電気工業株式会社 レーザ加工方法とレーザ加工装置
JP2006161124A (ja) 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc 貫通電極の形成方法
US7201965B2 (en) 2004-12-13 2007-04-10 Corning Incorporated Glass laminate substrate having enhanced impact and static loading resistance
CN100546004C (zh) 2005-01-05 2009-09-30 Thk株式会社 工件的截断方法和装置、划线和截断方法、以及带截断功能的划线装置
KR101170587B1 (ko) 2005-01-05 2012-08-01 티에이치케이 인텍스 가부시키가이샤 워크의 브레이크 방법 및 장치, 스크라이브 및 브레이크방법, 및 브레이크 기능을 갖는 스크라이브 장치
US20060207976A1 (en) 2005-01-21 2006-09-21 Bovatsek James M Laser material micromachining with green femtosecond pulses
EP1811547A4 (en) 2005-02-03 2010-06-02 Nikon Corp OPTICAL INTEGRATOR, OPTICAL LIGHTING DEVICE, EXPOSURE DEVICE AND EXPOSURE METHOD
JP2006248885A (ja) 2005-02-08 2006-09-21 Takeji Arai 超短パルスレーザによる石英の切断方法
JP2006290630A (ja) 2005-02-23 2006-10-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法
US7438824B2 (en) 2005-03-25 2008-10-21 National Research Council Of Canada Fabrication of long range periodic nanostructures in transparent or semitransparent dielectrics
US20090055189A1 (en) 2005-04-14 2009-02-26 Anthony Edward Stuart Automatic Replacement of Objectionable Audio Content From Audio Signals
US20060261118A1 (en) 2005-05-17 2006-11-23 Cox Judy K Method and apparatus for separating a pane of brittle material from a moving ribbon of the material
TWI394504B (zh) 2005-05-31 2013-04-21 Hitachi Via Mechanics Ltd 印刷配線板之製造方法與使用該方法製出的銅箔層積板以及處理液
CN101189097B (zh) 2005-06-01 2011-04-20 飞腾股份有限公司 激光加工装置及激光加工方法
JP4410159B2 (ja) 2005-06-24 2010-02-03 三菱電機株式会社 交流回転電機
US7425507B2 (en) 2005-06-28 2008-09-16 Micron Technology, Inc. Semiconductor substrates including vias of nonuniform cross section, methods of forming and associated structures
JP4490883B2 (ja) 2005-07-19 2010-06-30 株式会社レーザーシステム レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP4889974B2 (ja) 2005-08-01 2012-03-07 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造体及びその製造方法
US7429529B2 (en) 2005-08-05 2008-09-30 Farnworth Warren M Methods of forming through-wafer interconnects and structures resulting therefrom
US7683370B2 (en) 2005-08-17 2010-03-23 Kobe Steel, Ltd. Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
DE102005039833A1 (de) 2005-08-22 2007-03-01 Rowiak Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Materialtrennung mit Laserpulsen
JP2007067031A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Tdk Corp 配線基板の製造方法
US7772115B2 (en) 2005-09-01 2010-08-10 Micron Technology, Inc. Methods for forming through-wafer interconnects, intermediate structures so formed, and devices and systems having at least one solder dam structure
US7626138B2 (en) 2005-09-08 2009-12-01 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
US9138913B2 (en) 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
JP5308669B2 (ja) 2005-09-12 2013-10-09 日本板硝子株式会社 中間膜分離方法
CN1761378A (zh) 2005-09-20 2006-04-19 沪士电子股份有限公司 直接co2激光钻孔方法
JP4650837B2 (ja) 2005-09-22 2011-03-16 住友電気工業株式会社 レーザ光学装置
JP4424302B2 (ja) 2005-11-16 2010-03-03 株式会社デンソー 半導体チップの製造方法
JP2007142001A (ja) 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
US20070111480A1 (en) 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
US7838331B2 (en) 2005-11-16 2010-11-23 Denso Corporation Method for dicing semiconductor substrate
US7678529B2 (en) 2005-11-21 2010-03-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing film forming composition, silicon-containing film serving as etching mask, substrate processing intermediate, and substrate processing method
JP4708428B2 (ja) 2005-11-22 2011-06-22 オリンパス株式会社 ガラス基材の加工方法
US7977601B2 (en) 2005-11-28 2011-07-12 Electro Scientific Industries, Inc. X and Y orthogonal cut direction processing with set beam separation using 45 degree beam split orientation apparatus and method
WO2007069516A1 (en) 2005-12-16 2007-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device
JP4483793B2 (ja) 2006-01-27 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法及び製造装置
US8007913B2 (en) 2006-02-10 2011-08-30 Corning Incorporated Laminated glass articles and methods of making thereof
US7418181B2 (en) 2006-02-13 2008-08-26 Adc Telecommunications, Inc. Fiber optic splitter module
JP2007220782A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｓｏｉ基板およびｓｏｉ基板の製造方法
JP5245819B2 (ja) 2006-02-15 2013-07-24 旭硝子株式会社 ガラス基板の面取り方法および装置
US7535634B1 (en) 2006-02-16 2009-05-19 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Optical device, system, and method of generating high angular momentum beams
US20090013724A1 (en) 2006-02-22 2009-01-15 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass Processing Method Using Laser and Processing Device
JP4672689B2 (ja) 2006-02-22 2011-04-20 日本板硝子株式会社 レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置
EP1991388A2 (en) 2006-02-23 2008-11-19 Picodeon Ltd OY Surface treatment technique and surface treatment apparatus associated with ablation technology
GB0605576D0 (en) 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
JP2007253203A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ加工用光学装置
KR101530379B1 (ko) 2006-03-29 2015-06-22 삼성전자주식회사 다공성 글래스 템플릿을 이용한 실리콘 나노 와이어의제조방법 및 이에 의해 형성된 실리콘 나노 와이어를포함하는 소자
US7777275B2 (en) 2006-05-18 2010-08-17 Macronix International Co., Ltd. Silicon-on-insulator structures
KR101419068B1 (ko) 2006-05-18 2014-07-11 아사히 가라스 가부시키가이샤 투명 전극 부착 유리 기판과 그 제조 방법
JP2007307599A (ja) 2006-05-20 2007-11-29 Sumitomo Electric Ind Ltd スルーホール成形体およびレーザー加工方法
US20070298529A1 (en) 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
US7981810B1 (en) 2006-06-08 2011-07-19 Novellus Systems, Inc. Methods of depositing highly selective transparent ashable hardmask films
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
WO2008007622A1 (fr) 2006-07-12 2008-01-17 Asahi Glass Company, Limited substrat de verre avec verre de protection, processus de fabrication d'UN affichage EN utilisant un SUBSTRAT DE VERRE AVEC VERRE DE PROTECTION, et silicone pour papier détachable
DE102006035555A1 (de) 2006-07-27 2008-01-31 Eliog-Kelvitherm Industrieofenbau Gmbh Anordnung und Verfahren zur Verformung von Glasscheiben
WO2008018490A1 (en) 2006-08-10 2008-02-14 Ulvac, Inc. Method for forming conductive film, thin film transistor, panel with thin film transistor, and method for manufacturing thin film transistor
US8168514B2 (en) 2006-08-24 2012-05-01 Corning Incorporated Laser separation of thin laminated glass substrates for flexible display applications
KR101428823B1 (ko) 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP2008094641A (ja) 2006-10-06 2008-04-24 Ohara Inc 基板の製造方法
US7534734B2 (en) 2006-11-13 2009-05-19 Corning Incorporated Alkali-free glasses containing iron and tin as fining agents
US20080118159A1 (en) 2006-11-21 2008-05-22 Robert Wendell Sharps Gauge to measure distortion in glass sheet
JP4355743B2 (ja) 2006-12-04 2009-11-04 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金配線膜とそのＣｕ合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子、及びそのＣｕ合金配線膜を作製するためのＣｕ合金スパッタリングターゲット
WO2008088407A1 (en) 2006-12-20 2008-07-24 Dow Corning Corporation Glass substrates coated or laminated with multiple layers of cured silicone resin compositions
US8277939B2 (en) 2006-12-20 2012-10-02 Dow Corning Corporation Glass substrates coated or laminated with cured silicone resin compositions
AT504726A1 (de) 2007-01-05 2008-07-15 Lisec Maschb Gmbh Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines trennspalts in einer glasscheibe
US8344286B2 (en) 2007-01-18 2013-01-01 International Business Machines Corporation Enhanced quality of laser ablation by controlling laser repetition rate
US20080194109A1 (en) 2007-02-14 2008-08-14 Renesas Technology Corp. Method of fabricating a semiconductor device
US20100029460A1 (en) 2007-02-22 2010-02-04 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass for anodic bonding
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
JP5483821B2 (ja) 2007-02-27 2014-05-07 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 表示装置用ガラス基板および表示装置
TWI486320B (zh) 2007-03-02 2015-06-01 Nippon Electric Glass Co 強化板玻璃及其製造方法
CN101021490B (zh) 2007-03-12 2012-11-14 3i系统公司 平面基板自动检测系统及方法
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
US8096147B2 (en) 2007-03-28 2012-01-17 Life Bioscience, Inc. Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for shaped glass structures
JP5154814B2 (ja) 2007-03-29 2013-02-27 東ソー・クォーツ株式会社 石英ガラス材料の製造方法
WO2008126742A1 (ja) 2007-04-05 2008-10-23 Cyber Laser Inc. レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法
DE102007018674A1 (de) 2007-04-18 2008-10-23 Lzh Laserzentrum Hannover E.V. Verfahren zum Bilden von Durchgangslöchern in Bauteilen aus Glas
JP2008288577A (ja) 2007-04-18 2008-11-27 Fujikura Ltd 基板の処理方法、貫通配線基板及びその製造方法、並びに電子部品
JP4882854B2 (ja) 2007-04-27 2012-02-22 セントラル硝子株式会社 ガラス用コーティング組成物
JP5172203B2 (ja) 2007-05-16 2013-03-27 大塚電子株式会社 光学特性測定装置および測定方法
JP2009013046A (ja) 2007-06-05 2009-01-22 Asahi Glass Co Ltd ガラス基板表面を加工する方法
US8236116B2 (en) 2007-06-06 2012-08-07 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Method of making coated glass article, and intermediate product used in same
JP5435394B2 (ja) 2007-06-08 2014-03-05 日本電気硝子株式会社 強化ガラス基板及びその製造方法
DK2165362T3 (da) 2007-07-05 2012-05-29 Aaac Microtec Ab Through-wafer-via ved lav modstand
US20090029189A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Fujifilm Corporation Imprint mold structure, and imprinting method using the same, as well as magnetic recording medium, and method for manufacturing magnetic recording medium
US8169587B2 (en) 2007-08-16 2012-05-01 Apple Inc. Methods and systems for strengthening LCD modules
JP5113462B2 (ja) 2007-09-12 2013-01-09 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の面取り方法
US8192642B2 (en) 2007-09-13 2012-06-05 Brewer Science Inc. Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates
US20100276505A1 (en) 2007-09-26 2010-11-04 Roger Earl Smith Drilling in stretched substrates
CN100494879C (zh) 2007-10-08 2009-06-03 天津大学 基于线结构光视觉传感器实现空间圆孔几何参数测量方法
KR101235617B1 (ko) 2007-10-16 2013-02-28 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성 재료 기판의 ｕ자 형상 홈 가공 방법 및 이것을 사용한 제거 가공 방법 및 도려내기 가공 방법 및 모따기 방법
US20090219491A1 (en) 2007-10-18 2009-09-03 Evans & Sutherland Computer Corporation Method of combining multiple Gaussian beams for efficient uniform illumination of one-dimensional light modulators
TWI450666B (zh) 2007-11-22 2014-08-21 Ajinomoto Kk 多層印刷配線板之製造方法及多層印刷配線板
EP3392220A1 (en) 2007-11-29 2018-10-24 Corning Incorporated Glasses having improved toughness and scratch resistance
KR20090057161A (ko) 2007-12-01 2009-06-04 주식회사 이엔팩 초발수성 좌변기 시트
KR100868228B1 (ko) 2007-12-04 2008-11-11 주식회사 켐트로닉스 유리 기판용 식각액 조성물
IL188029A0 (en) 2007-12-10 2008-11-03 Nova Measuring Instr Ltd Optical method and system
US7749809B2 (en) 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
US8722189B2 (en) 2007-12-18 2014-05-13 Hoya Corporation Cover glass for mobile terminals, manufacturing method of the same and mobile terminal device
CN101462822B (zh) 2007-12-21 2012-08-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有通孔的脆性非金属工件及其加工方法
KR100930672B1 (ko) 2008-01-11 2009-12-09 제일모직주식회사 실리콘계 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법
US20090183764A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Tenksolar, Inc Detachable Louver System
JP5432547B2 (ja) 2008-02-28 2014-03-05 株式会社ウェーブロック・アドバンスト・テクノロジー 貫通孔形成方法、及び、貫通孔形成加工品
JP4423379B2 (ja) 2008-03-25 2010-03-03 合同会社先端配線材料研究所 銅配線、半導体装置および銅配線の形成方法
US8237080B2 (en) 2008-03-27 2012-08-07 Electro Scientific Industries, Inc Method and apparatus for laser drilling holes with Gaussian pulses
FR2929449A1 (fr) 2008-03-28 2009-10-02 Stmicroelectronics Tours Sas S Procede de formation d'une couche d'amorcage de depot d'un metal sur un substrat
JP5345334B2 (ja) 2008-04-08 2013-11-20 株式会社レミ 脆性材料の熱応力割断方法
JP5274085B2 (ja) 2008-04-09 2013-08-28 株式会社アルバック レーザー加工装置、レーザービームのピッチ可変方法、及びレーザー加工方法
US8358888B2 (en) 2008-04-10 2013-01-22 Ofs Fitel, Llc Systems and techniques for generating Bessel beams
TWI414502B (zh) 2008-05-13 2013-11-11 Corning Inc 含稀土元素之玻璃材料及基板及含該基板之裝置
HUE037068T2 (hu) 2008-05-14 2018-08-28 Gerresheimer Glas Gmbh Eljárás és berendezés automatikus gyártórendszeren szennyezõ szemcsék tartályokból való eltávolítására
US8053704B2 (en) 2008-05-27 2011-11-08 Corning Incorporated Scoring of non-flat materials
JP2009297734A (ja) 2008-06-11 2009-12-24 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法
US8514476B2 (en) 2008-06-25 2013-08-20 View, Inc. Multi-pane dynamic window and method for making same
US7810355B2 (en) 2008-06-30 2010-10-12 Apple Inc. Full perimeter chemical strengthening of substrates
US9010153B2 (en) 2008-07-02 2015-04-21 Corning Incorporated Method of making shaped glass articles
US8535997B2 (en) 2008-07-03 2013-09-17 Kobe Steel, Ltd. Wiring structure, thin film transistor substrate, method for manufacturing thin film transistor substrate, and display device
CN102149649A (zh) 2008-08-08 2011-08-10 康宁股份有限公司 强化的玻璃制品及其制造方法
JP5155774B2 (ja) 2008-08-21 2013-03-06 株式会社ノリタケカンパニーリミテド プラトー面加工用レジノイド超砥粒砥石ホイール
US8257603B2 (en) 2008-08-29 2012-09-04 Corning Incorporated Laser patterning of glass bodies
US8426985B2 (en) 2008-09-04 2013-04-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. Positive-type photosensitive resin composition, method for producing resist pattern, and electronic component
US20100068453A1 (en) 2008-09-18 2010-03-18 Hirofumi Imai Method for producing processed glass substrate
JP5339830B2 (ja) 2008-09-22 2013-11-13 三菱マテリアル株式会社 密着性に優れた薄膜トランジスター用配線膜およびこの配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP2010075991A (ja) 2008-09-29 2010-04-08 Fujifilm Corp レーザ加工装置
JP5015892B2 (ja) 2008-10-02 2012-08-29 信越化学工業株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法
US8445394B2 (en) 2008-10-06 2013-05-21 Corning Incorporated Intermediate thermal expansion coefficient glass
JP5297139B2 (ja) 2008-10-09 2013-09-25 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
US8455357B2 (en) 2008-10-10 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of plating through wafer vias in a wafer for 3D packaging
EP2338171B1 (en) 2008-10-15 2015-09-23 ÅAC Microtec AB Method for making an interconnection via
CN101722367A (zh) 2008-10-17 2010-06-09 华通电脑股份有限公司 印刷电路板的激光钻孔方法
US8895892B2 (en) 2008-10-23 2014-11-25 Corning Incorporated Non-contact glass shearing device and method for scribing or cutting a moving glass sheet
JP5360959B2 (ja) 2008-10-24 2013-12-04 三菱マテリアル株式会社 バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスター
US20100119808A1 (en) 2008-11-10 2010-05-13 Xinghua Li Method of making subsurface marks in glass
US8092739B2 (en) 2008-11-25 2012-01-10 Wisconsin Alumni Research Foundation Retro-percussive technique for creating nanoscale holes
US9346130B2 (en) 2008-12-17 2016-05-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser processing glass with a chamfered edge
EP2202545A1 (en) 2008-12-23 2010-06-30 Karlsruher Institut für Technologie Beam transformation module with an axicon in a double-pass mode
US8367516B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Laser bonding for stacking semiconductor substrates
KR101020621B1 (ko) 2009-01-15 2011-03-09 연세대학교 산학협력단 광섬유를 이용하는 광소자 제조 방법, 광섬유를 이용하는 광소자 및 이를 이용한 광 트위저
JP4567091B1 (ja) 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置
CN102300820B (zh) 2009-02-02 2014-02-26 旭硝子株式会社 半导体器件构件用玻璃基板及半导体器件构件用玻璃基板的制造方法
US8347651B2 (en) 2009-02-19 2013-01-08 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8341976B2 (en) 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8327666B2 (en) 2009-02-19 2012-12-11 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8245540B2 (en) 2009-02-24 2012-08-21 Corning Incorporated Method for scoring a sheet of brittle material
US8728916B2 (en) 2009-02-25 2014-05-20 Nichia Corporation Method for manufacturing semiconductor element
CN201357287Y (zh) 2009-03-06 2009-12-09 苏州德龙激光有限公司 新型皮秒激光加工装置
CN101502914A (zh) 2009-03-06 2009-08-12 苏州德龙激光有限公司 用于喷油嘴微孔加工的皮秒激光加工装置
JP5300544B2 (ja) 2009-03-17 2013-09-25 株式会社ディスコ 光学系及びレーザ加工装置
KR101446971B1 (ko) 2009-03-19 2014-10-06 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 무알칼리 유리
JP5201048B2 (ja) 2009-03-25 2013-06-05 富士通株式会社 半導体装置とその製造方法
KR101041140B1 (ko) 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 방법
US20100252959A1 (en) 2009-03-27 2010-10-07 Electro Scientific Industries, Inc. Method for improved brittle materials processing
US20100279067A1 (en) 2009-04-30 2010-11-04 Robert Sabia Glass sheet having enhanced edge strength
KR101561729B1 (ko) 2009-05-06 2015-10-19 코닝 인코포레이티드 유리 기판의 캐리어
EP2251310B1 (en) 2009-05-13 2012-03-28 Corning Incorporated Methods and systems for forming continuous glass sheets
US8132427B2 (en) 2009-05-15 2012-03-13 Corning Incorporated Preventing gas from occupying a spray nozzle used in a process of scoring a hot glass sheet
US8269138B2 (en) 2009-05-21 2012-09-18 Corning Incorporated Method for separating a sheet of brittle material
DE102009023602B4 (de) 2009-06-02 2012-08-16 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Vorrichtung zum industriellen Herstellen elastisch verformbarer großflächiger Glasplatten in hoher Stückzahl
US8925192B2 (en) 2009-06-09 2015-01-06 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing the same
TWI395630B (zh) 2009-06-30 2013-05-11 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 使用雷射光之玻璃基板加工裝置
JP5416492B2 (ja) 2009-06-30 2014-02-12 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ光によるガラス基板加工装置
JP5594522B2 (ja) 2009-07-03 2014-09-24 日本電気硝子株式会社 電子デバイス製造用ガラスフィルム積層体
US8592716B2 (en) 2009-07-22 2013-11-26 Corning Incorporated Methods and apparatus for initiating scoring
CN101637849B (zh) 2009-08-07 2011-12-07 苏州德龙激光有限公司 皮秒激光加工设备的高精度z轴载物平台
CN201471092U (zh) 2009-08-07 2010-05-19 苏州德龙激光有限公司 皮秒激光加工设备的高精度z轴载物平台
JP5500914B2 (ja) 2009-08-27 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置
US8932510B2 (en) 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
JP2013503105A (ja) 2009-08-28 2013-01-31 コーニング インコーポレイテッド 化学強化ガラス基板からガラス品をレーザ割断するための方法
KR101094284B1 (ko) 2009-09-02 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
JP5510901B2 (ja) 2009-09-18 2014-06-04 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの製造方法及びガラスフィルムの処理方法並びにガラスフィルム積層体
DE112010003715T8 (de) 2009-09-20 2013-01-31 Viagan Ltd. Baugruppenbildung von elektronischen Bauelementen auf Waferebene
JP2011079690A (ja) 2009-10-06 2011-04-21 Leo:Kk 回折格子を用いた厚板ガラスのレーザ熱応力割断
US20110088324A1 (en) 2009-10-20 2011-04-21 Wessel Robert B Apparatus and method for solar heat gain reduction in a window assembly
WO2011053551A1 (en) 2009-10-28 2011-05-05 Dow Corning Corporation Polysilane - polysilazane copolymers and methods for their preparation and use
KR101117573B1 (ko) 2009-10-29 2012-02-29 한국기계연구원 하이브리드 공정을 이용한 ｔｓｖ 가공방법
TWI472494B (zh) 2009-11-03 2015-02-11 Corning Inc 對以非固定速度移動的玻璃帶進行雷射刻痕
US8338745B2 (en) 2009-12-07 2012-12-25 Panasonic Corporation Apparatus and methods for drilling holes with no taper or reverse taper
US20120234807A1 (en) 2009-12-07 2012-09-20 J.P. Sercel Associates Inc. Laser scribing with extended depth affectation into a workplace
US20110132883A1 (en) 2009-12-07 2011-06-09 Panasonic Corporation Methods for precise laser micromachining
WO2011070855A1 (ja) 2009-12-11 2011-06-16 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2011143434A (ja) 2010-01-14 2011-07-28 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザ穴あけ方法
TWI438162B (zh) 2010-01-27 2014-05-21 Wintek Corp 強化玻璃切割方法及強化玻璃切割預置結構
US8048810B2 (en) 2010-01-29 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for metal gate N/P patterning
MX2012009047A (es) 2010-02-04 2012-11-12 Echelon Laser Systems Lp Sistema y metodo de grabado por laser.
US8709702B2 (en) 2010-02-10 2014-04-29 3D Glass Solutions Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for microfabrication
US9913726B2 (en) 2010-02-24 2018-03-13 Globus Medical, Inc. Expandable intervertebral spacer and method of posterior insertion thereof
JP5904556B2 (ja) 2010-03-03 2016-04-13 ジョージア テック リサーチ コーポレイション 無機インターポーザ上のパッケージ貫通ビア（ｔｐｖ）構造およびその製造方法
JP2011178642A (ja) 2010-03-03 2011-09-15 Nippon Sheet Glass Co Ltd 貫通電極付きガラス板の製造方法および電子部品
US8743165B2 (en) 2010-03-05 2014-06-03 Micronic Laser Systems Ab Methods and device for laser processing
US20110229687A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Qualcomm Incorporated Through Glass Via Manufacturing Process
US8654538B2 (en) 2010-03-30 2014-02-18 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
JP5513227B2 (ja) 2010-04-08 2014-06-04 株式会社フジクラ 微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板
DE102010003817B4 (de) 2010-04-09 2013-04-11 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Werkstückschutzfolie und damit folienbeschichtetes Werkstück
US20110248405A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Qualcomm Incorporated Selective Patterning for Low Cost through Vias
CN102844857A (zh) 2010-04-20 2012-12-26 旭硝子株式会社 半导体器件贯通电极用的玻璃基板
JP5676908B2 (ja) 2010-04-21 2015-02-25 上村工業株式会社 プリント配線基板の表面処理方法及び表面処理剤
KR101259349B1 (ko) 2010-04-21 2013-04-30 주식회사 엘지화학 유리시트 커팅 장치
US8389889B2 (en) 2010-04-22 2013-03-05 Lawrence Livermore National Security, Llc Method and system for laser-based formation of micro-shapes in surfaces of optical elements
DE202010006047U1 (de) 2010-04-22 2010-07-22 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Strahlformungseinheit zur Fokussierung eines Laserstrahls
SG178243A1 (en) 2010-04-27 2012-03-29 Asahi Glass Co Ltd Method for producing magnetic disk and method for producing glass substrate for information recording medium
US9476842B2 (en) 2010-05-03 2016-10-25 United Technologies Corporation On-the-fly dimensional imaging inspection
US8245539B2 (en) 2010-05-13 2012-08-21 Corning Incorporated Methods of producing glass sheets
KR20130079395A (ko) 2010-05-19 2013-07-10 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 카드용 시트 및 카드
JP5796936B2 (ja) 2010-06-01 2015-10-21 キヤノン株式会社 多孔質ガラスの製造方法
GB2481190B (en) 2010-06-04 2015-01-14 Plastic Logic Ltd Laser ablation
US9213451B2 (en) 2010-06-04 2015-12-15 Apple Inc. Thin glass for touch panel sensors and methods therefor
US8411459B2 (en) 2010-06-10 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Interposer-on-glass package structures
SG177021A1 (en) 2010-06-16 2012-01-30 Univ Nanyang Tech Micoelectrode array sensor for detection of heavy metals in aqueous solutions
US8225252B2 (en) 2010-06-25 2012-07-17 Intel Corporation Systems, methods, apparatus and computer readable mediums for use in association with systems having interference
KR101873702B1 (ko) 2010-06-29 2018-07-02 코닝 인코포레이티드 오버플로 하향인발 융합 공정을 사용해 공동인발하여 만들어진 다층 유리 시트
DE102010025967B4 (de) 2010-07-02 2015-12-10 Schott Ag Verfahren zur Erzeugung einer Vielzahl von Löchern, Vorrichtung hierzu und Glas-Interposer
DE102010025966B4 (de) 2010-07-02 2012-03-08 Schott Ag Interposer und Verfahren zum Herstellen von Löchern in einem Interposer
DE102010025965A1 (de) 2010-07-02 2012-01-05 Schott Ag Verfahren zur spannungsarmen Herstellung von gelochten Werkstücken
DE102010025968B4 (de) 2010-07-02 2016-06-02 Schott Ag Erzeugung von Mikrolöchern
DE202010013161U1 (de) 2010-07-08 2011-03-31 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Laserbearbeitung mit mehreren Strahlen und dafür geeigneter Laseroptikkopf
AU2011279374A1 (en) 2010-07-12 2013-02-07 Filaser Usa Llc Method of material processing by laser filamentation
WO2012008343A1 (ja) 2010-07-12 2012-01-19 旭硝子株式会社 インプリントモールド用ＴｉＯ２含有石英ガラス基材およびその製造方法
US8999179B2 (en) 2010-07-13 2015-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive vias in a substrate
KR20120008353A (ko) 2010-07-16 2012-01-30 삼성에스디아이 주식회사 연료 전지 시스템 및 그것에서의 전력 관리 방법
KR20120015366A (ko) 2010-07-19 2012-02-21 엘지디스플레이 주식회사 강화유리 절단방법 및 절단장치
JP5580129B2 (ja) 2010-07-20 2014-08-27 株式会社アマダ 固体レーザ加工装置
JP2012024983A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の面取り方法とその装置
JP2012027159A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP5669001B2 (ja) 2010-07-22 2015-02-12 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの割断方法、ガラスロールの製造方法、及びガラスフィルムの割断装置
JP5729932B2 (ja) 2010-07-22 2015-06-03 キヤノン株式会社 基板貫通孔内への金属充填方法
EP2600397B1 (en) 2010-07-26 2019-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing interposer
EP2599580A4 (en) 2010-07-26 2016-12-28 Hamamatsu Photonics Kk LASER PROCESSING PROCESS
KR101940332B1 (ko) 2010-07-26 2019-01-18 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 기판 가공 방법
KR101940333B1 (ko) 2010-07-26 2019-01-18 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 기판 가공 방법
EP2599576B1 (en) 2010-07-26 2019-12-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP5574866B2 (ja) 2010-07-26 2014-08-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN103025675B (zh) 2010-07-26 2015-10-14 旭硝子株式会社 无碱保护玻璃组合物及使用该玻璃组合物的光提取构件
EP2599577A4 (en) 2010-07-26 2016-06-15 Hamamatsu Photonics Kk LASER PROCESSING
JP2012031018A (ja) 2010-07-30 2012-02-16 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス基板及び強化ガラス基板の溝加工方法と強化ガラス基板の切断方法
US8604380B2 (en) 2010-08-19 2013-12-10 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for optimally laser marking articles
US20120052302A1 (en) 2010-08-24 2012-03-01 Matusick Joseph M Method of strengthening edge of glass article
US8584354B2 (en) 2010-08-26 2013-11-19 Corning Incorporated Method for making glass interposer panels
US8690342B2 (en) 2010-08-31 2014-04-08 Corning Incorporated Energy transfer in scanning laser projectors
TWI513670B (zh) 2010-08-31 2015-12-21 Corning Inc 分離強化玻璃基板之方法
TWI402228B (zh) 2010-09-15 2013-07-21 Wintek Corp 強化玻璃切割方法、強化玻璃薄膜製程、強化玻璃切割預置結構及強化玻璃切割件
GB201017506D0 (en) 2010-10-15 2010-12-01 Rolls Royce Plc Hole inspection
US8021950B1 (en) 2010-10-26 2011-09-20 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer processing method that allows device regions to be selectively annealed following back end of the line (BEOL) metal wiring layer formation
TWI576320B (zh) 2010-10-29 2017-04-01 康寧公司 用於裁切玻璃帶之方法與設備
JP5874304B2 (ja) 2010-11-02 2016-03-02 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
US20120105095A1 (en) 2010-11-03 2012-05-03 International Business Machines Corporation Silicon-on-insulator (soi) body-contact pass gate structure
JP5617556B2 (ja) 2010-11-22 2014-11-05 日本電気硝子株式会社 帯状ガラスフィルム割断装置及び帯状ガラスフィルム割断方法
US8796165B2 (en) 2010-11-30 2014-08-05 Corning Incorporated Alkaline earth alumino-borosilicate crack resistant glass
US8607590B2 (en) 2010-11-30 2013-12-17 Corning Incorporated Methods for separating glass articles from strengthened glass substrate sheets
US8616024B2 (en) 2010-11-30 2013-12-31 Corning Incorporated Methods for forming grooves and separating strengthened glass substrate sheets
US20120135853A1 (en) 2010-11-30 2012-05-31 Jaymin Amin Glass articles/materials for use as touchscreen substrates
CN106425129B (zh) 2010-11-30 2018-07-17 康宁股份有限公司 在玻璃中形成高密度孔阵列的方法
US20120142136A1 (en) 2010-12-01 2012-06-07 Honeywell International Inc. Wafer level packaging process for mems devices
CN102485405B (zh) 2010-12-02 2014-08-27 詹诺普蒂克自动化技术有限公司 用来制造用于安全气囊的单层覆盖物的方法
TW201226345A (en) 2010-12-27 2012-07-01 Liefco Optical Inc Method of cutting tempered glass
KR101298019B1 (ko) 2010-12-28 2013-08-26 (주)큐엠씨 레이저 가공 장치
KR101159697B1 (ko) 2010-12-30 2012-06-26 광주과학기술원 글래스 웨이퍼 기반의 침습형 전극 제작방법
CN103282155B (zh) 2011-01-05 2015-08-05 株式会社之技术综合 光加工装置
US20120168412A1 (en) 2011-01-05 2012-07-05 Electro Scientific Industries, Inc Apparatus and method for forming an aperture in a substrate
WO2012096053A1 (ja) 2011-01-11 2012-07-19 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法
JP2012159749A (ja) 2011-02-01 2012-08-23 Nichia Chem Ind Ltd ベッセルビーム発生装置
US8539794B2 (en) 2011-02-01 2013-09-24 Corning Incorporated Strengthened glass substrate sheets and methods for fabricating glass panels from glass substrate sheets
US8933367B2 (en) 2011-02-09 2015-01-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser processing method
US20130312460A1 (en) 2011-02-10 2013-11-28 National University Corporation Saitama University Manufacturing method of single crystal substrate and manufacturing method of internal modified layer-forming single crystal member
CN103380482B (zh) 2011-02-10 2016-05-25 信越聚合物株式会社 单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件
DE102011000768B4 (de) 2011-02-16 2016-08-18 Ewag Ag Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung mit umschaltbarer Laseranordnung
US8584490B2 (en) 2011-02-18 2013-11-19 Corning Incorporated Laser cutting method
JP5193326B2 (ja) 2011-02-25 2013-05-08 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板加工装置および基板加工方法
JP2012187618A (ja) 2011-03-11 2012-10-04 V Technology Co Ltd ガラス基板のレーザ加工装置
US20120235969A1 (en) 2011-03-15 2012-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Thin film through-glass via and methods for forming same
NL2008414A (en) 2011-03-21 2012-09-24 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for determining structure parameters of microstructures.
KR101253016B1 (ko) 2011-03-31 2013-04-15 아반스트레이트 가부시키가이샤 유리판의 제조 방법
US9639798B2 (en) 2011-04-07 2017-05-02 Nethom Wireless identification tag, electronic product PCB having same, and system for managing electronic products
KR101186464B1 (ko) 2011-04-13 2012-09-27 에스엔유 프리시젼 주식회사 Ｔｓｖ 측정용 간섭계 및 이를 이용한 측정방법
US20120276743A1 (en) 2011-04-26 2012-11-01 Jai-Hyung Won Methods of forming a carbon type hard mask layer using induced coupled plasma and methods of forming patterns using the same
JP5785121B2 (ja) 2011-04-28 2015-09-24 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
GB2490354A (en) 2011-04-28 2012-10-31 Univ Southampton Laser with axially-symmetric beam profile
US8796410B2 (en) 2011-05-23 2014-08-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer having silphenylene and siloxane structures, a method of preparing the same, an adhesive composition, an adhesive sheet, a protective material for a semiconductor device, and a semiconductor device
WO2012161317A1 (ja) 2011-05-25 2012-11-29 株式会社フジクラ 微細孔を配した基体の製造方法、及び微細孔を配した基体
US8986072B2 (en) 2011-05-26 2015-03-24 Corning Incorporated Methods of finishing an edge of a glass sheet
US20120299219A1 (en) 2011-05-27 2012-11-29 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
CN102795596B (zh) 2011-05-27 2014-12-10 中国科学院物理研究所 超小2nm直径金属纳米孔的超快激光脉冲法制备
TWI547454B (zh) 2011-05-31 2016-09-01 康寧公司 於玻璃中高速製造微孔洞的方法
DE112012002487T5 (de) 2011-06-15 2014-03-13 Asahi Glass Company, Limited Verfahren zum Schneiden einer Glasplatte
JP2013007842A (ja) 2011-06-23 2013-01-10 Toyo Seikan Kaisha Ltd 構造体形成装置、構造体形成方法及び構造体
JP5765421B2 (ja) 2011-06-28 2015-08-19 株式会社Ihi 脆性的な部材を切断する装置、方法、および切断された脆性的な部材
CN103493602B (zh) 2011-07-14 2016-06-08 株式会社岛津制作所 等离子体处理装置
CN102304323B (zh) 2011-07-22 2013-05-22 绵阳惠利电子材料有限公司 一种可室温固化的苯基硅树脂敷形涂料
TWI572480B (zh) 2011-07-25 2017-03-01 康寧公司 經層壓及離子交換之強化玻璃疊層
CN102319960A (zh) 2011-07-27 2012-01-18 苏州德龙激光有限公司 超短脉冲激光制作金属薄膜群孔的装置及其方法
WO2013016823A1 (en) 2011-07-29 2013-02-07 Ats Automation Tooling Systems Inc. Systems and methods for producing silicon slim rods
KR101120471B1 (ko) 2011-08-05 2012-03-05 (주)지엘코어 다중 초점 방식의 펄스 레이저를 이용한 취성 재료 절단 장치
US8635887B2 (en) 2011-08-10 2014-01-28 Corning Incorporated Methods for separating glass substrate sheets by laser-formed grooves
JP2013043808A (ja) 2011-08-25 2013-03-04 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板切断用保持具及び強化ガラス板の切断方法
AU2011101310A4 (en) 2011-08-26 2011-11-10 Sterlite Technologies Limited Glass composition for strengthened cover glass
JPWO2013031655A1 (ja) 2011-08-29 2015-03-23 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、および強化ガラス板切断装置
US20130050226A1 (en) 2011-08-30 2013-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Die-cut through-glass via and methods for forming same
JPWO2013031778A1 (ja) 2011-08-31 2015-03-23 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、および強化ガラス板切断装置
PH12012000258B1 (en) 2011-09-09 2015-06-01 Hoya Corp Method of manufacturing an ion-exchanged glass article
US9010151B2 (en) 2011-09-15 2015-04-21 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass sheet cutting method
CN105127603B (zh) 2011-09-15 2017-07-11 日本电气硝子株式会社 玻璃板的激光熔断方法
JP6063670B2 (ja) 2011-09-16 2017-01-18 株式会社アマダホールディングス レーザ切断加工方法及び装置
WO2013043173A1 (en) 2011-09-21 2013-03-28 Raydiance, Inc. Systems and processes that singulate materials
US10239160B2 (en) 2011-09-21 2019-03-26 Coherent, Inc. Systems and processes that singulate materials
JP2013080904A (ja) 2011-09-22 2013-05-02 Hoya Corp 基板製造方法、配線基板の製造方法、ガラス基板および配線基板
JP5864988B2 (ja) 2011-09-30 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板切断方法
FR2980859B1 (fr) 2011-09-30 2013-10-11 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de lithographie
US8894868B2 (en) 2011-10-06 2014-11-25 Electro Scientific Industries, Inc. Substrate containing aperture and methods of forming the same
DE102011084128A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Schott Ag Verfahren zum Schneiden eines Dünnglases mit spezieller Ausbildung der Kante
JP2013091578A (ja) 2011-10-25 2013-05-16 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd ガラス基板のスクライブ方法
TWI476888B (zh) 2011-10-31 2015-03-11 Unimicron Technology Corp 嵌埋穿孔中介層之封裝基板及其製法
JP5938416B2 (ja) 2011-11-04 2016-06-22 株式会社フジクラ 微細孔を備えた基板の製造方法
KR101269474B1 (ko) 2011-11-09 2013-05-30 주식회사 모린스 강화글라스 절단 방법
US20130129947A1 (en) 2011-11-18 2013-05-23 Daniel Ralph Harvey Glass article having high damage resistance
US8677783B2 (en) 2011-11-28 2014-03-25 Corning Incorporated Method for low energy separation of a glass ribbon
WO2013084879A1 (ja) 2011-12-07 2013-06-13 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断装置
WO2013084877A1 (ja) 2011-12-07 2013-06-13 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、および強化ガラス板切断装置
KR20130065051A (ko) 2011-12-09 2013-06-19 삼성코닝정밀소재 주식회사 강화 글라스의 절단 방법 및 이를 이용한 터치스크린패널의 제조방법
JP5988163B2 (ja) 2011-12-12 2016-09-07 日本電気硝子株式会社 板ガラスの割断離反方法、及び板ガラスの割断離反装置
KR101987039B1 (ko) 2011-12-12 2019-06-10 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 판유리의 할단 이반 방법
KR20130074432A (ko) 2011-12-26 2013-07-04 삼성디스플레이 주식회사 휴대형 장치용 투명패널, 이의 제조방법 및 이를 이용한 휴대형 장치
CN102540474B (zh) 2012-01-11 2014-08-13 哈尔滨工业大学 一种实现边缘陡峭且光强波动低的平顶光束整形装置的整形控制方法
JP2013152986A (ja) 2012-01-24 2013-08-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
WO2015157202A1 (en) 2014-04-09 2015-10-15 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
CN102585696A (zh) 2012-02-13 2012-07-18 江苏大学 一种甲基苯基硅树脂基耐高温涂料及其制备方法
WO2013123025A1 (en) 2012-02-14 2013-08-22 Vytran, Llc Optical element cleaver and splicer apparatus and methods
US9895771B2 (en) 2012-02-28 2018-02-20 General Lasertronics Corporation Laser ablation for the environmentally beneficial removal of surface coatings
JP2013178371A (ja) 2012-02-28 2013-09-09 Hoya Corp 薄膜付き基板の薄膜の除去方法、転写用マスクの製造方法、基板の再生方法、及びマスクブランクの製造方法
US9828277B2 (en) 2012-02-28 2017-11-28 Electro Scientific Industries, Inc. Methods for separation of strengthened glass
KR20140129055A (ko) 2012-02-28 2014-11-06 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 강화 유리를 분리하는 방법과 장치 및 이에 의해 제조된 물품
TWI614227B (zh) 2012-02-29 2018-02-11 康寧公司 低ｃｔｅ之無鹼硼鋁矽酸鹽玻璃組成物及包含其之玻璃物件
US9359251B2 (en) 2012-02-29 2016-06-07 Corning Incorporated Ion exchanged glasses via non-error function compressive stress profiles
CN104114506B (zh) 2012-02-29 2017-05-24 伊雷克托科学工业股份有限公司 加工强化玻璃的方法和装置及藉此制造的物品
US9082764B2 (en) 2012-03-05 2015-07-14 Corning Incorporated Three-dimensional integrated circuit which incorporates a glass interposer and method for fabricating the same
JP2013187247A (ja) 2012-03-06 2013-09-19 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> インターポーザおよびその製造方法
TW201343296A (zh) 2012-03-16 2013-11-01 Ipg Microsystems Llc 使一工件中具有延伸深度虛飾之雷射切割系統及方法
TW201339111A (zh) 2012-03-29 2013-10-01 Global Display Co Ltd 強化玻璃的切割方法
JP2013203631A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断装置
JP2013203630A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板の切断方法
SE538058C2 (sv) 2012-03-30 2016-02-23 Silex Microsystems Ab Metod att tillhandahålla ett viahål och en routing-struktur
JP6378167B2 (ja) 2012-04-05 2018-08-22 セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド エレクトロクロミック素子を製造するためのサーマルレーザースクライブ切断の方法及び装置、並びに対応する切断されたガラスパネル
JP2013216513A (ja) 2012-04-05 2013-10-24 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスフィルムの切断方法及びガラスフィルム積層体
JP2015120604A (ja) 2012-04-06 2015-07-02 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断システム
FR2989294B1 (fr) 2012-04-13 2022-10-14 Centre Nat Rech Scient Dispositif et methode de nano-usinage par laser
JP5942558B2 (ja) 2012-04-13 2016-06-29 並木精密宝石株式会社 微小空洞形成方法
US20130288010A1 (en) 2012-04-27 2013-10-31 Ravindra Kumar Akarapu Strengthened glass article having shaped edge and method of making
KR20130124646A (ko) 2012-05-07 2013-11-15 주식회사 엠엠테크 강화 유리 절단 방법
US9365446B2 (en) 2012-05-14 2016-06-14 Richard Green Systems and methods for altering stress profiles of glass
CN102672355B (zh) 2012-05-18 2015-05-13 杭州士兰明芯科技有限公司 Led衬底的划片方法
DE102012010635B4 (de) 2012-05-18 2022-04-07 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Verfahren zur 3D-Strukturierung und Formgebung von Oberflächen aus harten, spröden und optischen Materialien
JP6009225B2 (ja) 2012-05-29 2016-10-19 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板の切断方法
US9938180B2 (en) 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
KR20130139106A (ko) 2012-06-12 2013-12-20 삼성디스플레이 주식회사 커버 글라스 가공 방법
JP6022223B2 (ja) 2012-06-14 2016-11-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
KR20150037816A (ko) 2012-07-09 2015-04-08 아사히 가라스 가부시키가이샤 강화 유리판의 절단 방법
JP6038517B2 (ja) 2012-07-13 2016-12-07 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
AT13206U1 (de) 2012-07-17 2013-08-15 Lisec Maschb Gmbh Verfahren und Anordnung zum Teilen von Flachglas
TW201417928A (zh) 2012-07-30 2014-05-16 Raydiance Inc 具訂製邊形及粗糙度之脆性材料切割
CN104736284B (zh) 2012-07-31 2016-11-09 株式会社牧野铣床制作所 电火花加工方法
KR101395054B1 (ko) 2012-08-08 2014-05-14 삼성코닝정밀소재 주식회사 강화유리 커팅 방법 및 강화유리 커팅용 스테이지
KR20140022981A (ko) 2012-08-14 2014-02-26 (주)하드램 기판 에지 보호유닛을 포함한 강화유리 레이저 절단 장치 및 방법
KR20140022980A (ko) 2012-08-14 2014-02-26 (주)하드램 강화유리 레이저 절단 장치 및 방법
US9446590B2 (en) 2012-08-16 2016-09-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diagonal openings in photodefinable glass
US20140047957A1 (en) 2012-08-17 2014-02-20 Jih Chun Wu Robust Torque-Indicating Wrench
TW201409777A (zh) 2012-08-22 2014-03-01 Syue-Min Li 發光二極體元件
JP5727433B2 (ja) 2012-09-04 2015-06-03 イムラ アメリカ インコーポレイテッド 超短パルスレーザでの透明材料処理
JP5835696B2 (ja) 2012-09-05 2015-12-24 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP6176253B2 (ja) 2012-09-07 2017-08-09 旭硝子株式会社 インターポーザ用の中間品を製造する方法およびインターポーザ用の中間品
CN102923939B (zh) 2012-09-17 2015-03-25 江西沃格光电股份有限公司 强化玻璃的切割方法
CN102898014A (zh) 2012-09-29 2013-01-30 江苏太平洋石英股份有限公司 无接触激光切割石英玻璃制品的方法及其装置
CN102916081B (zh) 2012-10-19 2015-07-08 张立国 一种薄膜太阳能电池的清边方法
LT6046B (lt) 2012-10-22 2014-06-25 Uab "Lidaris" Justiruojamų optinių laikiklių pakeitimo įrenginys ir sistema, turinti tokių įrenginių
US20140110040A1 (en) 2012-10-23 2014-04-24 Ronald Steven Cok Imprinted micro-louver structure method
DE102012110971A1 (de) 2012-11-14 2014-05-15 Schott Ag Trennen von transparenten Werkstücken
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
KR20140064220A (ko) 2012-11-20 2014-05-28 에스케이씨 주식회사 보안필름의 제조방법
US9346706B2 (en) 2012-11-29 2016-05-24 Corning Incorporated Methods of fabricating glass articles by laser damage and etching
WO2014085660A1 (en) 2012-11-29 2014-06-05 Corning Incorporated Sacrificial cover layers for laser drilling substrates and methods thereof
WO2014085608A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Corning Incorporated Methods for glass strengthening
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
TW201429708A (zh) 2012-12-13 2014-08-01 Corning Inc 玻璃及製造玻璃物品的方法
CN203021443U (zh) 2012-12-24 2013-06-26 深圳大宇精雕科技有限公司 玻璃板水射流切割机
CN103013374B (zh) 2012-12-28 2014-03-26 吉林大学 仿生防粘疏水疏油贴膜
JP5860173B2 (ja) 2012-12-29 2016-02-16 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスク
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2950968A4 (en) 2013-02-04 2016-10-19 Newport Corp METHOD AND DEVICE FOR LASER CUTTING TRANSPARENT AND SEMITRANSPARENT SUBSTRATES
JP6801846B2 (ja) 2013-02-05 2020-12-16 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー ３ｄホログラフィックイメージングフローサイトメトリ
CN104995143B (zh) 2013-02-07 2018-04-06 日本板硝子株式会社 玻璃组合物、化学强化用玻璃组合物、强化玻璃物品及显示器用保护玻璃
KR101780136B1 (ko) 2013-02-07 2017-09-19 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 유리 조성물, 화학 강화용 유리 조성물, 강화 유리 물품, 및 디스플레이용 커버 유리
US9498920B2 (en) 2013-02-12 2016-11-22 Carbon3D, Inc. Method and apparatus for three-dimensional fabrication
JP5830044B2 (ja) 2013-02-15 2015-12-09 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
US9393760B2 (en) 2013-02-28 2016-07-19 Corning Incorporated Laminated glass articles with phase-separated claddings and methods for forming the same
CN103143841B (zh) 2013-03-08 2014-11-26 西北工业大学 一种利用皮秒激光加工孔的方法
US9784961B2 (en) 2013-03-08 2017-10-10 Church & Dwight Co., Inc. Sperm motility test device and method
KR102209964B1 (ko) 2013-03-13 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 피코초 레이저 가공 장치
WO2014144322A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Kinestral Technologies, Inc. Laser cutting strengthened glass
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
JP5779296B2 (ja) 2013-03-22 2015-09-16 日本板硝子株式会社 ガラス組成物、化学強化用ガラス組成物、強化ガラス物品、およびディスプレイ用のカバーガラス
MY178429A (en) 2013-04-04 2020-10-13 Lpkf Laser & Electronics Ag Method and device for providing through-openings in a substrate and a substrate produced in said manner
KR101857336B1 (ko) 2013-04-04 2018-05-11 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 기판을 분리시키기 위한 방법 및 장치
DE102013103370A1 (de) 2013-04-04 2014-10-09 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zum Einbringen von Durchbrechungen in ein Glassubstrat sowie ein derart hergestelltes Glassubstrat
CN103316990B (zh) 2013-05-28 2015-06-10 江苏大学 脉冲激光驱动飞片加载薄板的微冲裁自动化装置及其方法
CN103273195B (zh) 2013-05-28 2015-03-04 江苏大学 激光间接冲击下金属薄板的微冲裁自动化装置及其方法
US9745220B2 (en) 2013-06-21 2017-08-29 Corning Incorporated Etch rate enhancement at low temperatures
US9776891B2 (en) 2013-06-26 2017-10-03 Corning Incorporated Filter and methods for heavy metal remediation of water
KR101344368B1 (ko) 2013-07-08 2013-12-24 정우라이팅 주식회사 수직형 유리관 레이저 절단장치
CN103359948A (zh) 2013-07-12 2013-10-23 深圳南玻伟光导电膜有限公司 钢化玻璃的切割方法
US20150021513A1 (en) 2013-07-17 2015-01-22 Yun-jeong Kim Cmp slurry composition for polishing an organic layer and method of forming a semiconductor device using the same
KR20150014167A (ko) 2013-07-29 2015-02-06 삼성전기주식회사 유리 코어가 구비된 인쇄회로기판
US9102007B2 (en) 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
US9984270B2 (en) 2013-08-05 2018-05-29 Apple Inc. Fingerprint sensor in an electronic device
KR20220003632A (ko) 2013-08-15 2022-01-10 코닝 인코포레이티드 알칼리-도핑 및 알칼리가-없는 보로알루미노실리케이트 유리
US20160204126A1 (en) 2013-08-27 2016-07-14 Joled Inc. Thin-film transistor substrate and method for fabricating the same
US9296646B2 (en) 2013-08-29 2016-03-29 Corning Incorporated Methods for forming vias in glass substrates
CN105579621B (zh) 2013-09-26 2018-07-13 德国艾托特克公司 用于衬底表面金属化的新颖粘着促进剂
US10487404B2 (en) 2013-09-26 2019-11-26 Atotech Deutschland Gmbh Adhesion promoting process for metallisation of substrate surfaces
CN203509350U (zh) 2013-09-27 2014-04-02 东莞市盛雄激光设备有限公司 皮秒激光加工装置
US9589799B2 (en) 2013-09-30 2017-03-07 Lam Research Corporation High selectivity and low stress carbon hardmask by pulsed low frequency RF power
CN103531414B (zh) 2013-10-14 2016-03-02 南京三乐电子信息产业集团有限公司 一种栅控行波管栅网的皮秒脉冲激光切割制备方法
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
US10017410B2 (en) 2013-10-25 2018-07-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US11053156B2 (en) 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
US10005152B2 (en) 2013-11-19 2018-06-26 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses
CN106414358B (zh) 2013-11-20 2021-08-13 康宁股份有限公司 耐划痕的硼铝硅酸盐玻璃
DE102013223637B4 (de) 2013-11-20 2018-02-01 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats
WO2015077113A1 (en) 2013-11-25 2015-05-28 Corning Incorporated Methods for determining a shape of a substantially cylindrical specular reflective surface
US10144088B2 (en) 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
CN103746027B (zh) 2013-12-11 2015-12-09 西安交通大学 一种在ito导电薄膜表面刻蚀极细电隔离槽的方法
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
EP3083514B1 (en) 2013-12-17 2019-03-06 Corning Incorporated 3-d forming of glass and associated product
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US20150165563A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US20150166393A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates
US9285593B1 (en) 2013-12-20 2016-03-15 AdlOptica Optical Systems GmbH Method and apparatus for shaping focused laser beams
US10060723B2 (en) 2014-01-17 2018-08-28 Harbin Institute Of Technology Method and equipment based on multi-core fiber Bragg grating probe for measuring structures of a micro part
JP2017511756A (ja) 2014-01-27 2017-04-27 コーニング インコーポレイテッド 薄いシートの担体との制御された結合のための表面改質層の処理
US10046542B2 (en) 2014-01-27 2018-08-14 Corning Incorporated Articles and methods for controlled bonding of thin sheets with carriers
JP6273873B2 (ja) 2014-02-04 2018-02-07 大日本印刷株式会社 ガラスインターポーザー基板の製造方法
US9425125B2 (en) 2014-02-20 2016-08-23 Altera Corporation Silicon-glass hybrid interposer circuitry
CN106170678A (zh) 2014-02-24 2016-11-30 瑞尼斯豪公司 利用视觉探针检测物体的方法
WO2015127583A1 (en) 2014-02-25 2015-09-03 Schott Ag Chemically toughened glass article with low coefficient of thermal expansion
US9618331B2 (en) 2014-03-20 2017-04-11 Harbin Institute Of Technology Method and equipment based on detecting the polarization property of a polarization maintaining fiber probe for measuring structures of a micro part
KR102269921B1 (ko) 2014-03-31 2021-06-28 삼성디스플레이 주식회사 유리 강화용 조성물 및 이를 이용한 터치 스크린 글래스의 제조 방법
KR20160145801A (ko) 2014-04-30 2016-12-20 코닝 인코포레이티드 관통-유리 비아의 제조를 위한 본딩 재료의 엣칭 백 공정
US8980727B1 (en) 2014-05-07 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate patterning using hybrid laser scribing and plasma etching processing schemes
US9472859B2 (en) 2014-05-20 2016-10-18 International Business Machines Corporation Integration of area efficient antennas for phased array or wafer scale array antenna applications
WO2015192149A2 (en) 2014-06-13 2015-12-17 The Regents Of The University Of California Nanostructured carriers for guided and targeted on-demand substance delivery
US9815144B2 (en) 2014-07-08 2017-11-14 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
LT2965853T (lt) 2014-07-09 2016-11-25 High Q Laser Gmbh Medžiagos apdorojimas, naudojant pailgintuosius lazerio spindulius
CN105481236A (zh) 2014-07-14 2016-04-13 康宁股份有限公司 用于切割叠层结构的系统和方法
CN107073642B (zh) 2014-07-14 2020-07-28 康宁股份有限公司 使用长度和直径可调的激光束焦线来加工透明材料的系统和方法
JP5972317B2 (ja) 2014-07-15 2016-08-17 株式会社マテリアル・コンセプト 電子部品およびその製造方法
US9558390B2 (en) 2014-07-25 2017-01-31 Qualcomm Incorporated High-resolution electric field sensor in cover glass
WO2016015987A1 (en) 2014-07-28 2016-02-04 Asml Netherlands B.V. Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method
CN106573829B (zh) 2014-07-30 2020-05-05 康宁股份有限公司 超声槽和均匀玻璃基板蚀刻方法
DE102014113339A1 (de) 2014-09-16 2016-03-17 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Erzeugung von Ausnehmungen in einem Material
CN104344202A (zh) 2014-09-26 2015-02-11 张玉芬 一种有孔玻璃
JP6914656B2 (ja) 2014-10-03 2021-08-04 日本板硝子株式会社 貫通電極付ガラス基板の製造方法、導電部付ガラス基板、及び貫通電極付ガラス基板
US20160201474A1 (en) 2014-10-17 2016-07-14 United Technologies Corporation Gas turbine engine component with film cooling hole feature
EP3221727B1 (de) 2014-11-19 2021-03-17 Trumpf Laser- und Systemtechnik GmbH System zur asymmetrischen optischen strahlformung
DE102014116958B9 (de) 2014-11-19 2017-10-05 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optisches System zur Strahlformung eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsanlage, Verfahren zur Materialbearbeitung und Verwenden einer gemeinsamen langgezogenen Fokuszone zur Lasermaterialbearbeitung
US9548273B2 (en) 2014-12-04 2017-01-17 Invensas Corporation Integrated circuit assemblies with rigid layers used for protection against mechanical thinning and for other purposes, and methods of fabricating such assemblies
TWI506242B (zh) 2014-12-12 2015-11-01 Ind Tech Res Inst 薄膜曲率量測裝置及其方法
EP3245166B1 (en) 2015-01-12 2020-05-27 Corning Incorporated Laser cutting of thermally tempered substrates using the multi photon absorption method
US10391588B2 (en) 2015-01-13 2019-08-27 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and system for scribing brittle material followed by chemical etching
ES2784361T3 (es) 2015-01-22 2020-09-24 Becton Dickinson Co Dispositivos y sistemas para la creación de códigos de barras moleculares de dianas de ácido nucleico en células individuales
WO2016118683A1 (en) 2015-01-23 2016-07-28 Corning Incorporated Coated substrate for use in sensors
US20160219704A1 (en) 2015-01-28 2016-07-28 Rf Micro Devices, Inc. Hermetically sealed through vias (tvs)
WO2016125787A1 (ja) * 2015-02-06 2016-08-11 旭硝子株式会社 ガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
US10430933B2 (en) 2015-02-27 2019-10-01 The Bringham and Women's Hospital, Inc. Imaging systems and methods of using the same
US10082383B2 (en) 2015-03-05 2018-09-25 Harbin Institute Of Technology Method and equipment for dimensional measurement of a micro part based on fiber laser with multi-core FBG probe
HUE055461T2 (hu) 2015-03-24 2021-11-29 Corning Inc Kijelzõ üveg kompozíciók lézeres vágása és feldolgozása
US10203476B2 (en) 2015-03-25 2019-02-12 Microsoft Technology Licensing, Llc Lens assembly
US20160312365A1 (en) 2015-04-24 2016-10-27 Kanto Gakuin School Corporation Electroless plating method and electroless plating film
KR20170139680A (ko) 2015-04-28 2017-12-19 코닝 인코포레이티드 출구 희생 커버 층을 사용하여 기판에 쓰루 홀을 레이저 드릴링하는 방법 및 이에 상응하는 피가공재
WO2016178966A1 (en) 2015-05-01 2016-11-10 Corning Incorporated Method and apparatus for controlling thickness of glass sheet
CN106298467B (zh) 2015-05-28 2019-10-18 联华电子股份有限公司 半导体元件图案的制作方法
KR102515348B1 (ko) * 2015-05-28 2023-03-30 에이지씨 가부시키가이샤 유리 기판 및 적층 기판
WO2016194693A1 (ja) * 2015-06-02 2016-12-08 日本電気硝子株式会社 ガラス
TW201704177A (zh) 2015-06-10 2017-02-01 康寧公司 蝕刻玻璃基板的方法及玻璃基板
US9442377B1 (en) 2015-06-15 2016-09-13 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Wet-strippable silicon-containing antireflectant
CN104897062B (zh) 2015-06-26 2017-10-27 北方工业大学 一种零件异面平行孔形位偏差的视觉测量方法及装置
WO2017011296A1 (en) 2015-07-10 2017-01-19 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
US9741561B2 (en) 2015-07-10 2017-08-22 Uchicago Argonne, Llc Transparent nanocrystalline diamond coatings and devices
KR102552275B1 (ko) 2015-07-31 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조방법
US9832868B1 (en) 2015-08-26 2017-11-28 Apple Inc. Electronic device display vias
US20180340262A1 (en) 2015-08-31 2018-11-29 Nippon Sheet Glass Company, Limited Method for producing glass with fine structure
US20170103249A1 (en) 2015-10-09 2017-04-13 Corning Incorporated Glass-based substrate with vias and process of forming the same
US9760986B2 (en) 2015-11-11 2017-09-12 General Electric Company Method and system for automated shaped cooling hole measurement
CN105693102B (zh) 2016-01-12 2018-08-24 中国建筑材料科学研究总院 石英玻璃酸刻蚀用掩膜及石英玻璃摆片的酸刻蚀方法
TW201737766A (zh) 2016-01-21 2017-10-16 康寧公司 處理基板的方法
US10475202B2 (en) 2016-02-05 2019-11-12 Mitutoyo Corporation Image measuring device and program
US10249495B2 (en) 2016-06-28 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Diamond like carbon layer formed by an electron beam plasma process
US10134657B2 (en) 2016-06-29 2018-11-20 Corning Incorporated Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer
US10522963B2 (en) 2016-08-30 2019-12-31 Corning Incorporated Laser cutting of materials with intensity mapping optical system
US10366904B2 (en) 2016-09-08 2019-07-30 Corning Incorporated Articles having holes with morphology attributes and methods for fabricating the same
KR102078294B1 (ko) 2016-09-30 2020-02-17 코닝 인코포레이티드 비-축대칭 빔 스폿을 이용하여 투명 워크피스를 레이저 가공하기 위한 기기 및 방법
DE102018100299A1 (de) 2017-01-27 2018-08-02 Schott Ag Strukturiertes plattenförmiges Glaselement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN110382160B (zh) 2017-03-06 2022-09-27 Lpkf激光电子股份公司 用于借助电磁射线和随后的蚀刻过程将至少一个凹空开设到材料中的方法
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
JP7173018B2 (ja) 2017-08-31 2022-11-16 日本電気硝子株式会社 ガラスのエッチング方法及びエッチング処理装置並びにガラス板
US20190185373A1 (en) 2017-12-19 2019-06-20 Corning Incorporated Methods for etching vias in glass-based articles employing positive charge organic molecules
CN108191258B (zh) 2018-01-30 2020-05-05 武汉理工大学 一种dlc薄膜增硬玻璃及其制备方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103347830A (zh) * 2011-01-25 2013-10-09 康宁股份有限公司 具有高热稳定性和化学稳定性的玻璃组合物
CN104334507A (zh) * 2012-05-31 2015-02-04 旭硝子株式会社 无碱玻璃基板及无碱玻璃基板的减薄方法
CN105992749A (zh) * 2013-11-28 2016-10-05 旭硝子株式会社 无碱玻璃基板及无碱玻璃基板的减薄方法
CN106029286A (zh) * 2013-12-17 2016-10-12 康宁股份有限公司 在玻璃中进行快速激光钻孔的方法和由其制备的产品
CN107108334A (zh) * 2014-10-31 2017-08-29 康宁股份有限公司 对玻璃进行尺寸稳定的快速蚀刻
CN107250073A (zh) * 2015-02-13 2017-10-13 日本板硝子株式会社 激光加工用玻璃及使用了其的带孔玻璃的制造方法
CN107108338A (zh) * 2015-03-10 2017-08-29 日本电气硝子株式会社 玻璃基板
CN105859127A (zh) * 2016-04-01 2016-08-17 东旭科技集团有限公司 一种玻璃用组合物、铝硅酸盐玻璃及其制备方法和应用
TW201806082A (zh) * 2016-06-01 2018-02-16 康寧公司 在基板中形成通孔的物件及方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
马宏.《精密刻划与超精密特种加工技术》.《精密刻划与超精密特种加工技术》.兵器工业出版社,2008,第62-63页. *

Also Published As

Publication number Publication date
US20190256404A1 (en) 2019-08-22
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