WO2006126604A1 - 透明面状体及び透明タッチスイッチ - Google Patents

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Abstract

　視認性を向上させることができる透明面状体及び透明タッチスイッチを提供する。 　透明基板（１１）の少なくとも一方面にパターニングされた透明導電膜（１２）を有する透明面状体（１）であって、透明基板（１１）を介して透明導電膜（１２）が形成されているパターン形成領域を透過した光の透過スペクトルと、透明基板（１１）を介して透明導電膜（１２）が形成されていない非パターン形成領域を透過した光の透過スペクトルとを近似させる透過率調節層を備えている透明面状体（１）。

Description

明 細 書
透明面状体及び透明タツチスィッチ
技術分野
[0001] 本発明は、透明面状体及び透明タツチスィッチに関する。
背景技術
[0002] 入力位置を検出するための透明タツチスィッチの構成は、従来力 種々検討されて いるが、一例として静電容量式の透明タツチスィッチが知られている。例えば、特許 文献 1に開示された透明タツチスィッチは、それぞれ所定のパターン形状を有する透 明導電膜を備えた一対の透明面状体の間に誘電体層が介在されて構成されており 、指などが操作面に触れると、人体を介して接地されることによる静電容量の変化を 利用して、タツチ位置を検出することができる。
[0003] この透明タツチスィッチは、液晶表示装置や CRTなどの表面に装着して用いられる 力 透明面状体に形成された透明導電膜のパターン形状が目立ってしまい、視認性 の低下を招いていた。
[0004] また、従来の透明面状体としては、特許文献 2に開示された透明導電性フィルムが 知られている。この透明導電性フィルムは、導電層形成フィルムと導電層との間にァ ンダーコート層が形成されている。アンダーコート層は、屈折率が異なる 2つの層から 構成されており、具体例として、導電層形成フィルム側に、厚みが 600 Aで高屈折率 の酸化亜鉛一酸化錫系の膜を配し、導電層側に、厚み力 50Aで低屈折率の酸ィ匕 珪素の膜を配した構成が開示されている。
[0005] ところが、この透明導電性フィルムを静電容量式の透明タツチスィッチに用いた場 合、やはり導電層のパターン形状が目立ってしまい、この点で改良の余地があった。 特許文献 1 :特開 2003— 173238号公報（図 1、図 5)
特許文献 2：特開 2003— 197035号公報 (表 1)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] そこで、本発明は、視認性を向上させることができる透明面状体及び透明タツチス イッチの提供を目的とする。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明の前記目的は、透明基板の少なくとも一方面にパターユングされた透明導 電膜を有する透明面状体であって、前記透明基板を介して前記透明導電膜が形成 されて ヽるパターン形成領域を透過した光の透過スペクトルと、前記透明基板を介し て前記透明導電膜が形成されて ヽな 、非パターン形成領域を透過した光の透過ス ベクトルとを近似させる透過率調節層を備えている透明面状体により達成される。
[0008] この透明面状体において、前記透過率調節層は、前記透明基板の一方面を略均 一な厚みで覆うオーバコート層を有しており、前記オーバコート層は、厚みが前記透 明導電膜の厚みよりも大きぐ且つ、屈折率が前記透明導電膜の屈折率よりも小さい ことが好ましい。
[0009] また、前記オーバコート層は、シリコン錫酸ィ匕物からなることが好ましい。
[0010] また、前記オーバコート層は、厚みが 70〜80nmであることが好ましい。
[0011] また、前記透明導電膜の屈折率と、前記オーバコート層の屈折率との差が、 0. 03
〜0. 4であることが好ましい。
[0012] また、前記透明基板と前記透明導電膜との間にアンダーコート層が介在されており 、前記アンダーコート層は、光屈折率が異なる 2以上の層の積層体力 構成され、低 屈折率層側に前記透明導電膜が形成されていることが好ましい。
[0013] また、本発明の前記目的は、前記透明面状体を複数備え、前記各透明面状体は、 粘着層を介して貼着された静電容量式の透明タツチスィッチであって、前記粘着層 は、屈折率が前記透明導電膜の屈折率よりも小さ 、ことを特徴とする透明タツチスィ ツチにより達成される。
[0014] この透明タツチスィッチにおいて、表面側に直線偏光板を備えることが好ましい。
[0015] また、表面側に直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを備えると共に、裏面側に λ Ζ4位 相差板を備えることが好まし 、。
[0016] また、前記透明基板は、 λ Ζ4位相差板であることが好ま 、。
[0017] また、前記透明面状体において、前記透過率調節層は、低屈折率層と、該低屈折 率層よりも光屈折率が高い高屈折率層とを含む積層体力ゝら構成されたアンダーコー ト層を備え、前記アンダーコート層は、前記低屈折率層側に前記透明導電膜が形成 されるように、前記透明基板と前記透明導電膜との間に介在されており、前記高屈折 率層の厚みは、前記低屈折率層の厚みよりも小さいことが好ましい。
[0018] また、前記高屈折率層の厚みは、 10〜25nmであり、前記低屈折率層の厚みは、 2
5〜45nmであることが好まし!/、。
[0019] また、前記高屈折率層は、シリコン錫酸ィ匕物からなり、前記低屈折率層は、酸ィ匕珪 素からなることが好ましい。
[0020] また、前記透明導電膜の厚みは、 10〜25nmであることが好ましい。
[0021] また、本発明の前記目的は、前記透明面状体を複数備え、前記各透明面状体は、 粘着層を介して貼着された静電容量式の透明タツチスィッチにより達成される。
[0022] また、本発明の前記目的は、前記透明面状体を複数備える静電容量式の透明タツ チスィッチであって、前記各透明面状体は、前記透明導電膜が互いに対向するよう に配置され、粘着層を介して貼着されており、前記透明導電膜の厚みは、 20ηπ！〜 2
5nmであり、前記粘着層の屈折率は、 1. 6以上である静電容量式の透明タツチスィ ツチにより達成される。
[0023] また、本発明の前記目的は、前記透明面状体を複数備える静電容量式の透明タツ チスィッチであって、 前記各透明面状体は、前記透明導電膜が互いに対向するよう に配置され、粘着層を介して貼着されており、前記透明導電膜の厚みは、 25ηπ！〜 3 Onmであり、前記粘着層の屈折率は、 1. 7以上である静電容量式の透明タツチスィ ツチにより達成される。
[0024] これらの透明タツチスィッチにお 、て、表面側に直線偏光板を備えることが好ま ヽ
[0025] また、表面側に直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを備えると共に、裏面側に λ Ζ4位 相差板を備えることが好まし 、。
[0026] また、前記透明基板は、 λ Ζ4位相差板であることが好ま 、。
[0027] また、前記透明面状体において、前記透過率調節層は、前記透明基板の一方面 における前記透明導電膜が形成されていない露出部を覆う被覆層を備えており、前 記被覆層は、表面が前記透明導電膜の表面と略面一になるように形成されており、 且つ、屈折率が前記透明導電膜の屈折率と同等であることが好ましい。
[0028] また、前記被覆層は、シリコン錫酸ィ匕物からなることが好ましい。
[0029] また、前記透明導電膜は、カーボンナノチューブ複合材からなることが好ま ヽ。
[0030] また、低屈折率層と、該低屈折率層よりも光屈折率が高い高屈折率層とを含む積 層体力も構成されたアンダーコート層を更に備え、前記アンダーコート層は、前記低 屈折率層側に前記透明導電膜および前記被覆層が形成されるように、前記透明導 電膜および前記被覆層と、前記透明基板との間に介在されていることが好ましい。
[0031] また、前記透明導電膜および被覆層の表面を覆うオーバコート層を更に備えており
、前記オーバコート層の表面は、平坦に形成されていることが好ましい。
[0032] また、本発明の前記目的は、前記透明面状体を複数備え、前記各透明面状体は、 粘着層を介して貼着された静電容量式の透明タツチスィッチにより達成される。
[0033] また、本発明の前記目的は、前記透明面状体を複数備え、前記各透明面状体は、 前記透明導電膜が互いに対向するように、スぺーサーを介して所定間隔を空けて配 置された抵抗膜式の透明タツチスィッチにより達成される。
[0034] これらの透明タツチスィッチにお 、て、表面側に直線偏光板を備えることが好ま ヽ
[0035] また、表面側に直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを備えると共に、裏面側に λ Ζ4位 相差板を備えることが好まし 、。
[0036] また、前記透明基板は、 λ Ζ4位相差板であることが好ま 、。
[0037] また、前記透明導電膜は、間隔をあけて複数配置される帯状透明導電部を備えて おり、前記透過率調節層は、隣接する前記各帯状透明導電部の間に絶縁スリットを 介して配置される帯状透明調整部を備え、前記帯状透明調整部は、前記帯状透明 導電部と同一材料力もなると共に、複数の抵抗スリットを備えていることが好ましい。
[0038] また、前記複数の抵抗スリットは、前記各帯状透明調整部に隣接する前記絶縁スリ ット同士を接続するように構成されて 、ることが好ま U、。
[0039] また、前記絶縁スリットに沿って、前記各帯状透明調整部を分離する分離スリットを 更に備えて 、ることが好ま 、。
[0040] また、本発明の前記目的は、前記透明面状体を複数備え、前記各透明面状体は、 粘着層を介して貼着された静電容量式の透明タツチスィッチにより達成される。
[0041] また、本発明の前記目的は、前記透明面状体を複数備え、前記各透明面状体は、 前記帯状透明導電体が互いに対向するように、スぺーサーを介して所定間隔を空け て配置された抵抗膜式の透明タツチスィッチにより達成される。
[0042] これらの透明タツチスィッチにお 、て、表面側に直線偏光板を備えることが好ま ヽ
[0043] また、表面側に直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを備えると共に、裏面側に λ Ζ4位 相差板を備えることが好まし 、。
[0044] また、前記透明基板は、 λ Ζ4位相差板であることが好ま 、。
発明の効果
[0045] 本発明によれば、視認性を向上させることができる透明面状体及び透明タツチスィ ツチを提供することができる。
図面の簡単な説明
[0046] [図 1]本発明に係る透明タツチスィッチの第 1実施形態を示す概略断面図である。
[図 2]図 1に示す透明タツチスィッチの一部を示す平面図である。
[図 3]図 1に示す透明タツチスィッチの他の一部を示す平面図である。
[図 4]図 1に示す透明タツチスィッチの変形例の一部を示す平面図である。
[図 5]図 1に示す透明タツチスィッチの変形例の他の一部を示す平面図である。
[図 6]本発明の実施例に係る測定用サンプルの概略構成を示す断面図である。
[図 7]図 6に示す測定用サンプルの分光透過スペクトルを示す図である。
[図 8]本発明の比較例の分光透過スペクトルを示す図である。
[図 9]本発明に係る透明タツチスィッチの第 2実施形態を示す概略断面図である。
[図 10]透明導電膜の厚みを 30nmとした場合における、透明導電膜の有無による反 射率差のシミュレーション結果を示す図である。
[図 11]透明導電膜の厚みを 15nmとした場合における、透明導電膜の有無による反 射率差のシミュレーション結果を示す図である。
[図 12]透明導電膜の厚みを 20nmとした場合における、透明導電膜の有無による反 射率差のシミュレーション結果を示す図である。 圆 13]透明導電膜の厚みを 25nmとした場合における、透明導電膜の有無による反 射率差のシミュレーション結果を示す図である。
圆 14]透明導電膜の有無による反射率差のシミュレーション結果を示す図である。 圆 15]透明導電膜の有無による反射率差の他のシミュレーション結果を示す図であ る。
[図 16]透明導電膜の有無による反射率差の更に他のシミュレーション結果を示す図 である。
[図 17]透明導電膜の有無による反射率差の更に他のシミュレーション結果を示す図 である。
圆 18]本発明に係る透明タツチスィッチの第 3実施形態を示す概略断面図である。 圆 19]ドライコーティング法を用いた被覆層の形成方法を説明する説明図である。 圆 20]図 18に示す透明タツチスィッチの変形例を示す概略断面図である。
圆 21]透明導電膜の有無による反射率差のシミュレーション結果を示す図である。 圆 22]透明導電膜の有無による反射率差の他のシミュレーション結果を示す図であ る。
圆 23]図 18に示す透明タツチスィッチの変形例を示す概略断面図である。
圆 24]本発明に係る静電容量式のタツチスィッチの第 4実施形態を示す概略断面図 である。
[図 25]図 24に示す静電容量式のタツチスィッチの一部を示す平面図である。
[図 26]図 24に示す静電容量式のタツチスィッチの他の一部を示す平面図である。
[図 27]図 24に示す静電容量式のタツチスィッチの変形例の一部を示す平面図である
[図 28]図 24に示す静電容量式のタツチスィッチの変形例の他の一部を示す平面図 である。
[図 29]図 24に示す静電容量式のタツチスィッチの変形例を示す概略断面図である。
[図 30]抵抗スリットの種々の変形例を示す要部拡大平面図である。
[図 31]抵抗スリットの種々の変形例を示す要部拡大平面図である。
[図 32]分離スリットの種々の変形例を示す要部拡大平面図である。 [図 33]透明面状体の変形例を示す概略断面図である。
符号の説明
101 透明タツチスィッチ
1 第 1の透明面状体
2 第 2の透明面状体
11, 21 透明基板
12, 22 透明導電膜
13, 23 アンダーコート層
14, 24 ォーノ コート層
15 粘着層
16, 26 被覆層
32, 42 帯状透明導電部
33, 43 帯状透明調整部
34, 44 絶 リット
35, 45 抵抗スリット
36, 46 分離スリット
発明を実施するための最良の形態
[0048] (第 1実施形態）
以下、本発明の第 1実態形態について添付図面を参照して説明する。尚、各図面 は、構成の理解を容易にするため、模式的に表すと共に、実寸比ではなく部分的に 拡大又は縮小されている。
[0049] 図 1は、本発明に係る透明タツチスィッチの第 1実施形態を示す概略断面図である 。この透明タツチスィッチ 101は、静電容量式のタツチスィッチであり、透明基板 11に アンダーコート層 13を介して透明導電膜 12が形成された第 1の透明面状体 1と、透 明基板 21にアンダーコート層 23を介して透明導電膜 22が形成された第 2の透明面 状体 2とを備えている。第 1の透明面状体 1と第 2の透明面状体 2とは、それぞれの透 明導電膜 12, 22が対向するようにして、粘着層 15を介して貼着されている。
[0050] 透明基板 11, 21ίま、基材層 111, 211の表裏面【こノヽードコート層 112, 112 ; 212 , 212を備えて構成されている。基材層 111, 211は、透明性が高い材料力もなるこ と力 子ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレンナフタレ ート（PEN)、ポリエーテルサルフォン（PES)、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK) 、ポリカーボネイト（PC)、ポリプロピレン（PP)、ポリアミド（PA)、ポリアクリル（PAC)、 エポキシ榭脂、フエノール榭脂、脂肪族環状ポリオレフイン、ノルボルネン系の熱可塑 性透明榭脂などの可撓性フィルムやこれら 2種以上の積層体、或いは、ガラス板など を挙げることができる。基材層 111, 211の厚みは、 20〜500 m程度が好ましぐ ノヽードコー卜層 112, 212の厚み ίま、 3〜5 111程度カ好まし1ヽ0基材層 111, 211ίま 、剛性を付与するために支持体を貼着してもよい。
[0051] アンダーコート層 13, 23は、光屈折率が異なる 2以上の層の積層体から構成され ており、低屈折率層側に透明導電膜 12, 22が形成されるように配置され、透明性を 向上させている。
[0052] アンダーコート層 13, 23の積層体を構成する各層の材料としては、酸化珪素、酸 化チタン、酸ィ匕錫などを例示することができ、好ましい組み合わせとして、酸化錫— 酸化ハフニウム系、酸化珪素一酸化錫系、酸化亜鉛一酸化錫系、酸化錫一酸化チ タン系などを挙げることができる。アンダーコート層 13, 23は、スパッタリング法、抵抗 蒸着法、電子ビーム蒸着法などにより形成することができる。
[0053] 透明導電膜 12, 22の材料としては、インジウム錫酸化物 (ΙΤΟ)、酸化亜鉛、酸ィ匕 インジウム、アンチモン添加酸ィ匕錫、フッ素添加酸ィ匕錫、アルミニウム添加酸ィ匕亜鉛 、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛一酸化錫系、酸化イン ジゥム 酸化錫系、酸化亜鉛 酸化インジウム 酸ィ匕マグネシウム系などの金属酸 化物を例示することができ、これら 2種以上を複合して形成してもよい。透明導電膜 1 2, 22の形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの PVD法や、 CVD法、塗工法、印刷法などを例示することができる。透明導電膜 12, 22の厚みは、通常 10〜50nm程度である。
[0054] 透明導電膜 12, 22は、図 2及び図 3に示すように、平行に延びる複数の帯状導電 部 12a, 22aの集合体としてそれぞれ形成されており、各透明導電膜 12, 22の帯状 導電部 12a, 22aは、互いに直交するように配置されている。透明導電膜 12, 22は、 導電性インクなど力もなる引き廻し回路（図示せず)を介して外部の駆動回路（図示 せず）に接続される。透明導電膜 12, 22のノターン形状は、本実施形態のものに限 定されず、指などの接触ポイントを検出可能である限り、任意の形状とすることが可能 である。例えば、図 4及び図 5に示すように、透明導電膜 12, 22を、複数の菱形状導 電部 12b, 22bが直線状に連結された構成とし、各透明導電膜 12, 22における菱形 状導電部 12b, 22bの連結方向が互いに直交し、且つ、平面視において上下の菱形 状導電部 12b, 22bが重なり合わないように配置してもよい。
[0055] 透明導電膜 12, 22のパターユングは、透明基板 11, 21にアンダーコート層 13, 2 3を介してそれぞれ形成された透明導電膜 12, 22の表面に、所望のパターン形状を 有するマスク部を形成して露出部分を酸液などでエッチング除去した後、アルカリ液 などによりマスク部を溶解させて、行うことができる。このように透明導電膜 12, 22の パター-ングをエッチングにより行う方法は、不要な透明導電膜 12, 22は除去できる 一方、アンダーコート層 13, 23は全て残存させることができる。但し、パター-ングの 方法はこれに限定されるものではなぐ他の公知の方法で行ってもよい。また、不要 な透明導電膜 12, 22を除去する際に、アンダーコート層 13, 23も併せて除去するこ とも可能である。
[0056] 本実施形態の透明タツチスィッチにおける第 1の透明面状体 1及び第 2の透明面状 体 2は、それぞれの対向面 (透明導電膜 12, 22が形成された面）に、オーバコート層 14, 24が形成されている。オーバコート層 14, 24の材料としては、酸化珪素、酸ィ匕 チタン、酸ィ匕錫などを例示することができる力 特に、シリコン錫酸ィ匕物（silicon-tin ox ide)を好ましく用いることができる。オーバコート層 14, 24の厚みは、通常 10〜500n m程度であり、屈折率は 1. 3〜2. 3程度である。
[0057] 第 1の透明面状体 1におけるオーバコート層 14の厚みは、透明導電膜 12の厚みよ りも大きいことが好ましぐオーバコート層 14の屈折率は、透明導電膜 12の屈折率よ りも小さいことが好ましい。第 2の透明面状体 2におけるオーバコート層 24についても 同様であり、透明導電膜 22よりも厚みが大きぐ且つ、透明導電膜 22よりも屈折率が 小さいことが好ましい。オーバコート層 14の屈折率は、例えばシリコン錫酸ィ匕物から なる場合に、シリコンと錫の成分比を変えることにより適宜調整可能である。オーバコ ート層 14, 24の厚み及び屈折率を上記のように設定することにより、第 1の透明面状 体 1及び第 2の透明面状体 2の透過スペクトル及び反射スペクトルの形状を、透明導 電膜 12, 22が形成されて 、る部分と形成されて!ヽな!、部分とで近似させることが可 能になり、色目（濃淡)の差異を小さくすることができる。この結果、第 1の透明面状体 1及び第 2の透明面状体 2において、透明導電膜 12, 22のパターン形状を目立たな くすることができ、視認性を向上させることができる。
[0058] より具体的に説明すると、透明導電膜 12, 22が形成されていない部分の透過スぺ タトル (又は反射スペクトル）の形状は、オーバコート層 14, 24の厚みが増加するに つれて、透明導電膜 12, 22が形成されている部分の透過スペクトル (又は反射スぺ タトル）の形状に徐々に近づいていく。したがって、両者のスペクトル形状が略一致す るように、オーバコート層 14, 24の厚みを適宜設定することにより、良好な視認性を 得ることができる。例えば、オーバコート層 14, 24がシリコン錫酸ィ匕物（屈折率:約 1. 7)からなる場合、後述する実験結果に示すように、オーバコート層 14, 24の厚みを 7 0〜80nmとすることが好まし!/、。
[0059] また、オーバコート層 14, 24の屈折率は、上述したように透明導電膜 12, 22の屈 折率よりも小さいことが好ましいが、この屈折率の差が小さすぎるとオーバコート層 14 , 24を設けた効果が十分得られない一方、屈折率の差が大きすぎると、界面での反 射が大きくなり透過率が低下する傾向にあることから、両者の屈折率の差は、 0. 03 〜0. 4であること力 S好ましく、 0. 1〜0. 3であることがより好ましい。
[0060] オーバコート層 14, 24の形成方法としては、スパッタリング法、抵抗蒸着法、電子ビ ーム蒸着法などのドライコーティング法を挙げることができ、これによつて、第 1の透明 面状体 1及び第 2の透明面状体 2におけるアンダーコート層 13, 23の露出面、及び、 透明導電膜 12, 22の表面に、オーバコート層 14, 24を略同じ厚みで形成することが できる。
[0061] 第 1の透明面状体 1と第 2の透明面状体 2との貼着は、空気層が介在しないように、 粘着層 15を全体に介在させて行うことが好ましい。粘着層 15は、エポキシ系やアタリ ル系など、一般的な透明接着剤を用いることができ、ノルボルネン系榭脂の透明性フ イルムからなる芯材を含むものであってもよい。粘着層 15の厚みは、通常 25〜75 mであり、屈折率は、 1. 4〜1. 6である。
[0062] 粘着層 15の屈折率は、オーバコート層 14, 24の屈折率よりも小さいことが好ましい 。これにより、透明導電膜 12 (又は 22)、オーバコート層 14 (又は 24)及び粘着層 15 が積層された順序で、屈折率が徐々に小さくなるように構成することができ、透明タツ チスィッチ全体の透過スペクトル及び反射スペクトルの形状を、透明導電膜 12, 22 が形成されている部分と形成されていない部分とで近似させて、色目（濃淡)の差異 を小さくすることができる。この結果、透明導電膜 12, 22のパターン形状を目立たな くすることができ、視認性を向上させることができる。
[0063] 以上の構成を備える透明タツチスィッチにおいて、タツチ位置の検出方法は、従来 の静電容量式のタツチスィッチと同様であり、第 1の透明面状体 1の表面側における 任意の位置を指などで触れると、透明導電膜 12, 22は接触位置において人体の静 電容量を介して接地され、このときに透明導電膜 12, 22を流れる電流値を検出する ことにより、接触位置の座標が演算される。オーバコート層 14, 24の表面抵抗値は、 静電容量式タツチスィッチとして正常に作動する絶縁性を確保できるように十分大き いことが好ましぐ例えば、 1 Χ 1012( ΩΖ口）以上である。
[0064] 本第 1実施形態の透明タツチスィッチ 101において、第 1の透明面状体 1の表面側
(透明導電膜 12が形成された面と反対側）には、直線偏光板を設けてもよい。直線偏 光板を設ける場合は、透明基板 11, 21を光等方性材料で構成する必要がある。直 線偏光板は、ヨウ素や二色性染料などの二色性色素を吸着配向させたポリビニルァ ルコール（PVA)の延伸フィルムを例示することができ、このフィルムの両面を、保護 フィルムとしてのトリァセチルアセテート（TAC)フィルムで挟持するように貼り合わせ たものを使用してもよい。光等方性材料は、入射する全ての光に対して、偏光性を有 しない材料で、例えば、ポリカーボネート（PC)、ポリエーテルサルフォン（PES)、ポリ アクリル (PAC)、非晶質ポリオリフィン系榭脂、環状ポリオリフィン系榭脂、脂肪族環 状ポリオレフイン、ノルボルネン系の熱可塑性透明榭脂、ガラス材料などを例示する ことができる。これらの材料を用いて透明基板 11, 21を形成する方法としては、キヤ ストや押し出しと!/、う手法を用いることができる。
[0065] このような構成により、タツチスィッチ内部へ入射される可視光に起因する反射光量 を当該直線偏光板を設けていない場合に比べて約半分以下に抑制することができる
。また、透明導電膜 12, 22をより目立ちに《することができ、視認性をより向上させ ることがでさる。
[0066] 更に、直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを全面貼りし、タツチスィッチ 101の反対面（ 第 2の透明面状体 2の裏面側）に λ Ζ4位相差板を全面貼りすることにより、円偏光 構成を形成してもよ 、。 λ Ζ4位相差板は、ポリビュルアルコール (PVA)やポリカー ボネート (PC)、ノルボルネン系の熱可塑性榭脂、環状ポリオレフイン榭脂などのフィ ルムを延伸して複屈曲性を付与したものを例示することができる。直線偏光板への λ Ζ4位相差板の貼着についても、粘着層 15と同様の材料カゝらなる粘着層を介して、 空気層が介在しないように全面貼着により行われることが好ましい。また、第 2の透明 面状体裏面側への λ Ζ4位相差板の貼着についても、粘着層 15と同様の材料から なる粘着層を介して、空気層が介在しないように全面貼着により行われることが好まし V、。この場合、各 λ Ζ4位相差板は、一方の λ Ζ4位相差板の光学軸が他方の λ / 4位相差板の光学軸に対して直交するように配置されることが好ま 、。
[0067] このように、円偏光構成を形成することにより、反射光を円偏光化し、 2つの λ Ζ4 位相差板で挟まれた部分のタツチスィッチの内面反射をカットして良好な低反射性を 付与することが可能である。これにより、透明導電膜 12, 22をより目立ちにくくするこ とができ、視認性をより向上させることができる。尚、透明基板 11, 21自体を λ Ζ4位 相差板として、これに直線偏光板を積層した構成にすることも可能である。
実施例
[0068] 以下、実施例及び比較例に基づき本発明をより詳細に説明する。但し、本発明が、 以下の実施例に限定されるものではない。
[0069] (実施例）
まず、実施例として、図 1に示す構成の透明タツチスィッチにおいて、透明導電膜 1 2が形成された部分と、透明導電膜 12が形成されていない部分との透過率の差を調 ベるため、図 6 (a)及び (b)に示す 2種類の測定用サンプル (サイズ:縦 5cm、横 7cm )を作製した。図 6 (a)に示すサンプル Aは、透明基板 11と、アンダーコート層 13と、 オーバコート層 14と、粘着層 15とがこの順で積層され、透明導電膜を有しない積層 体である。透明基板 11は、厚みが 200 mの PETフィルム力 なる基材層 111の表 裏面に、厚みが 3〜5 111のハードコート層 112, 112が形成されたものである。アン ダーコート層 13は、厚み 30nmの酸化シリコン層と、厚み 70nmのシリコン錫酸化物 層とが透明基板 11にこの順で積層されて構成されている。オーバコート層 14は、シリ コン錫酸ィ匕物をスパッタリング法により厚みが 70nmとなるように形成されており、屈折 率は 1. 7である。粘着層 15は、リンテック (株)製のアクリル系粘着剤「P043FP」で形 成され、厚みは 20〜30 μ mである。
[0070] 一方、図 6 (b)に示すサンプル Bは、図 6 (a)に示すサンプル Aにお!/、て、アンダー コート層 13と、オーバコート層 14との間に、 ITOからなる厚みが 30nmの透明導電膜 12が形成されたものである。透明導電膜 12の屈折率は、 1. 95である。
[0071] これら 2種類のサンプル A, Bに対して、透明基板 11の表面側から分光透過スぺク トルを測定した。分光透過率の測定には、（株）日立製作所の分光光度計 (U— 331 0)を用いた。サンプル A及び Bの分光透過スペクトルは、図 7 (a)に示すように、両者 が近似する結果となった。
[0072] また、図 1に示す透明タツチスィッチにおいて、オーバコート層 14の厚みを上記のよ うに 70nmとして、 24Wの 3波長形蛍光灯を照射し、照射角度を変えながら目視検査 を行ったところ、導電パターンの形状はほとんど視認できず、良好な結果が得られた
[0073] 次に、サンプル A, Bにおけるオーバコート層 14の厚みを 80nmとして、上記と同様 の試験を行った。分光透過スペクトルは、図 7 (b)に示すように、高波長側で若干の 差があるものの、低波長側では略一致しており、視認性に影響を与えやすい波長 55 Onm付近においても、透過率の差は小さカゝつた。この場合も、タツチスィッチでの目 視検査の結果は良好であった。
[0074] (比較例）
上記実施例に対する比較例として、図 6 (a)及び (b)のサンプル A, Bの構成にぉ ヽ て、オーバコート層 14を設けないサンプル C, Dを作製した。そして、上記実施例と同 様に、サンプル C, Dの分光透過スペクトルの測定を行った。透過スペクトルの形状は 、図 8に示すように、特に低波長側において大きな差が生じる結果となった。 [0075] また、タツチスィッチでの目視検査の結果は、透明導電膜を有しな 、サンプル こ 対し、透明導電膜を有するサンプル Dは、紫色がかった色目を有しており、透明導電 膜の有無が、反射光の色目の違いとしてはっきり認識された。
(第 2実施形態）
次に、本発明の第 2実態形態について添付図面を参照して説明する。尚、各図面 は、構成の理解を容易にするため、模式的に表すと共に、実寸比ではなく部分的に 拡大又は縮小されている。
[0076] 図 9は、本発明に係る透明タツチスィッチの第 2実施形態を示す概略断面図である 。この透明タツチスィッチ 101は、静電容量式のタツチスィッチであり、透明基板 11に アンダーコート層 13を介して透明導電膜 12が形成された第 1の透明面状体 1と、透 明基板 21にアンダーコート層 23を介して透明導電膜 22が形成された第 2の透明面 状体 2とを備えている。第 1の透明面状体 1と第 2の透明面状体 2とは、それぞれの透 明導電膜 12, 22が対向するようにして、粘着層 15を介して貼着されている。
[0077] 透明基板 11, 21ίま、基材層 111, 211の表裏面【こノヽードコート層 112, 112 ; 212 , 212を備えて構成されている。基材層 111, 211は、透明性が高い材料力もなるこ と力 子ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレンナフタレ ート（PEN)、ポリエーテルサルフォン（PES)、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK) 、ポリカーボネイト（PC)、ポリプロピレン（PP)、ポリアミド（PA)、ポリアクリル（PAC)、 エポキシ榭脂、フエノール榭脂、脂肪族環状ポリオレフイン、ノルボルネン系の熱可塑 性透明榭脂、シロキサン架橋型アクリルシリコン榭脂などの可撓性フィルムやこれら 2 種以上の積層体、或いは、ガラス板などを挙げることができる。基材層 111, 211の 厚み ίま、 20〜500 111程度カ^好ましく、ノヽードコート層112, 212の厚み ίま、 3〜5 m程度が好ましい。基材層 111, 211は、剛性を付与するために支持体を貼着しても よい。
[0078] ハードコート層 112, 212は、耐久性及びアンダーコート層 13, 23の密着性を高め るために、基材層 111, 211の表裏面に設けることが好ましいが、いずれか一方であ つてもよぐ更には、ハードコート層 112, 212を全く設けずに透明基板 11, 21を構 成することも可能である。 [0079] アンダーコート層 13, 23は、それぞれ低屈折率層 13a, 23aと、低屈折率層 13a, 23aよりも光屈折率が高い高屈折率層 13b, 23bとの積層体力も構成されており、低 屈折率層 13a, 23a側に透明導電膜 12, 22が形成されるように配置され、透明性を 向上させている。
[0080] アンダーコート層 13, 23の積層体を構成する各層の材料としては、酸化珪素、酸 化チタン、酸ィ匕錫などを例示することができ、好ましい組み合わせとして、酸化錫— 酸化ハフニウム系、酸化珪素一酸化錫系、酸化亜鉛一酸化錫系、酸化錫一酸化チ タン系などを挙げることができる。視認性向上の観点力も特に好ましいのは、低屈折 率層 13a, 23aが酸化珪素（SiOn、n= 1.7〜2.0)力 なり、高屈折率層 13b, 23b力 S シリコン錫酸化物（silicon- tin oxide)からなる組み合わせである。アンダーコート層 13 , 23は、スパッタリング法、抵抗蒸着法、電子ビーム蒸着法などにより形成することが できる。
[0081] 後述する本発明者らのシミュレーション結果によれば、高屈折率層 13b, 23bの厚 みは、低屈折率層 13a, 23aの厚みよりも小さいことが好ましぐこれによつて、アンダ 一コート層 13, 23の表面に形成した透明導電膜 12, 22のパターン形状を目立ちに くくして、視認性を高めることができる。高屈折率層 13b, 23bの厚みは、 10〜25nm であることが好ましぐこの場合において、低屈折率層 13a, 23aの厚みは、 25〜45 nmであることが好ましい。
[0082] 透明導電膜 12, 22の材料としては、インジウム錫酸化物 (ITO)、酸化亜鉛、酸ィ匕 インジウム、アンチモン添加酸ィ匕錫、フッ素添加酸ィ匕錫、アルミニウム添加酸ィ匕亜鉛 、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛一酸化錫系、酸化イン ジゥム 酸化錫系、酸化亜鉛 酸化インジウム 酸ィ匕マグネシウム系などの金属酸 化物を例示することができ、これら 2種以上を複合して形成してもよい。透明導電膜 1 2, 22の形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの PVD法や、 CVD法、塗工法、印刷法などを例示することができる。
[0083] 透明導電膜 12, 22は、上述の第 1実施形態と同様に図 2及び図 3に示すように、平 行に延びる複数の帯状導電部 12a, 22aの集合体としてそれぞれ形成されており、 各透明導電膜 12, 22の帯状導電部 12a, 22aは、互いに直交するように配置されて いる。透明導電膜 12, 22は、導電性インクなど力もなる引き廻し回路（図示せず)を 介して外部の駆動回路（図示せず）に接続される。透明導電膜 12, 22のパターン形 状は、本実施形態のものに限定されず、指などの接触ポイントを検出可能である限り 、任意の形状とすることが可能である。例えば、図 4及び図 5に示すように、透明導電 膜 12, 22を、複数の菱形状導電部 12b, 22bが直線状に連結された構成とし、各透 明導電膜 12, 22における菱形状導電部 12b, 22bの連結方向が互いに直交し、且 つ、平面視において上下の菱形状導電部 12b, 22bが重なり合わないように配置し てもよい。
[0084] 透明導電膜 12, 22のパターユングは、透明基板 11, 21にアンダーコート層 13, 2 3を介してそれぞれ形成された透明導電膜 12, 22の表面に、所望のパターン形状を 有するマスク部を形成して露出部分を酸液などでエッチング除去した後、アルカリ液 などによりマスク部を溶解させて、行うことができる。このように透明導電膜 12, 22の パター-ングをエッチングにより行う方法は、不要な透明導電膜 12, 22は除去できる 一方、アンダーコート層 13, 23は全て残存させることができる。但し、パター-ングの 方法はこれに限定されるものではなぐ他の公知の方法で行ってもよい。
[0085] 透明導電膜 12, 22の厚みは、通常 10〜50nm程度である。透明導電膜 12, 22の ノターン形状を目立ちに《して視認性を向上させる観点力もは、透明導電膜 12, 2 2の厚みはできる限り小さいことが好ましいが、薄くなりすぎると膜の良好な結晶性や 必要な耐久性 '耐候性を得ることが困難になることから、好ましくは 10〜25nm程度 である。
[0086] 第 1の透明面状体 1と第 2の透明面状体 2との貼着は、空気層が介在しないように、 粘着層 15を全体に介在させて行うことが好ましい。粘着層 15は、エポキシ系やアタリ ル系など、一般的な透明接着剤を用いることができ、ノルボルネン系榭脂の透明性フ イルムからなる芯材を含むものであってもよい。粘着層 15の厚みは、通常 25〜75 mであり、屈折率は、 1. 4〜1. 6である。
[0087] また、本発明者らのシミュレーション結果によれば、粘着層 15の屈折率を適宜変更 することにより、透明タツチスィッチ 101の視認性を更に向上させることができる。この シミュレーションについて以下に説明する。透明基板 11, 21は、 PETフィルム力もな る基材層（厚み： 188 μ m、屈折率： 1. 65)の表裏面にハードコート層（各厚み： 5 μ m、屈折率： 1. 52)が形成されたものとし、アンダーコート層 13, 23は、高屈折率層 力 Sシリコン錫酸ィ匕物膜 (厚み : 25nm、屈折率： 1. 7)、低屈折率層が酸化珪素膜 (厚 み： 30nm、屈折率： 1. 43)とした。また、透明導電膜 12, 22は、 ITO膜 (厚み： 30η m、屈折率： 1. 95)とした。粘着層 15の厚みは、 25 mとした。この粘着層 15の屈 折率をパラメータにとり、その値を変化させて、透明導電膜 12, 22が形成された部分 と、透明導電膜 12, 22が形成されていない部分 (被覆層 16, 26が形成されている部 分)との反射率 (％)の差をシミュレーションにより求めた。反射率の算出は、サイバネ ットシステム (株)製薄膜設計ソフトウェア（OPTAS-FILM)を用いて行った。このシミュ レーシヨンによって算出した反射率（％)の差の絶対値を図 10に示す。なお、このシミ ユレーシヨンにおいては、ナノオーダーの厚みを有するアンダーコート層 13, 23や透 明導電膜 12, 22等に比べて、極めて厚みの大きい部材である透明基板 11, 21や 粘着層 15等の部材については、その厚みを∞ (無限大）として反射率の算出を行つ た。
[0088] 透明導電膜 12, 22のノターン形状の目立ちにくさは、透明導電膜 12, 22が形成 されている部分と形成されていない部分との反射率差と相関性を有しており、可視領 域全体 (波長:約 400〜800nm)における反射率差の絶対値が小さいほど、パター ン形状が目立ちにくぐ視認性を良好にすることができる。図 10に示すように、反射 率差の絶対値は、いずれも粘着層 15の屈折率が高くなるほど小さくなつており、視認 性の観点からは粘着層 15の屈折率を大きくするほど良いことがわかる。
[0089] また、透明導電膜 12, 22の厚みをそれぞれ 15nm、 20nm及び 25nmとした場合 において、粘着層 15の屈折率をパラメータにとりその値を変化させて、透明導電膜 1 2, 22が形成された部分と、透明導電膜 12, 22が形成されていない部分 (被覆層 16 , 26が形成されている部分）との反射率（％)の差の絶対値をシミュレーションにより 求めた。これらのシミュレーション結果を図 11〜図 13に示す。なお、図 11は、透明導 電膜 12, 22の厚みを 15nmに設定した場合の結果、図 12は、同厚みを 20nmに設 定した場合、図 13は、同厚みを 25nmとした場合におけるシミュレーション結果である [0090] また、図 10〜図 13において示す各シミュレーション結果において、入力光波長え = 550nmでの粘着層 15の各屈折率における反射率差の絶対値を抽出したものを 表 1に示す。
[0091] [表 1]
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[0092] 図 11〜図 13および表 1から、透明導電膜 12, 22の厚みを 15nm、 20nmまたは 25 nmとした場合であっても、透明導電膜 12, 22の厚みが 30nmの場合のシミュレーシ ヨン結果と同様に、反射率差の絶対値は、いずれも粘着層 15の屈折率が高くなるほ ど小さくなつており、視認性の観点からは粘着層 15の屈折率を大きくするほど良いこ とがわかる。
[0093] また、表 1のデータから、透明導電膜 12, 22の厚みが 20nm〜25nmである場合に は、屈折率が 1. 6以上の粘着層 15を用いることにより、反射率差の絶対値を 0. 5程 度よりも小さくできることがわ力る。したがって、図 9に示す構成の透明タツチスィッチ 1 01において、透明導電膜 12, 22の厚みを 20nm〜25nmとし、屈折率が 1. 6以上 の粘着層 15を用いることにより、透明導電膜 12, 22のパターン形状が目立ちにくい 視認性が良好な透明タツチスィッチ 101を得ることが可能になる。
[0094] 更に、表 1のデータから、透明導電膜 12, 22の厚みが、耐久性の観点力も好ましい 厚みである 25nm〜30nmであっても、屈折率が 1. 7以上の粘着層 15を用いること により、反射率差の絶対値を 0. 5程度よりも小さくできることがわかる。したがって、図 9に示す構成の透明タツチスィッチ 101において、透明導電膜 12, 22の厚みを 25η m〜30nmとし、屈折率が 1. 7以上の粘着層 15を用いることにより、透明導電膜 12, 22の耐久性を確保しつつ、透明導電膜 12, 22のパターン形状が目立ちにくい視認 性が良好な透明タツチスィッチ 101を得ることが可能になる。 [0095] 以上の構成を備える透明タツチスィッチにおいて、タツチ位置の検出方法は、従来 の静電容量式のタツチスィッチと同様であり、第 1の透明面状体 1の表面側における 任意の位置を指などで触れると、透明導電膜 12, 22は接触位置において人体の静 電容量を介して接地され、このときに透明導電膜 12, 22を流れる電流値を検出する ことにより、接触位置の座標が演算される。
[0096] 本第 2実施形態の透明タツチスィッチ 101において、第 1の透明面状体 1の表面側
(透明導電膜 12が形成された面と反対側）には、直線偏光板を設けてもよい。直線偏 光板を設ける場合は、透明基板 11, 21を光等方性材料で構成する必要がある。直 線偏光板は、ヨウ素や二色性染料などの二色性色素を吸着配向させたポリビニルァ ルコール（PVA)の延伸フィルムを例示することができ、このフィルムの両面を、保護 フィルムとしてのトリァセチルアセテート（TAC)フィルムで挟持するように貼り合わせ たものを使用してもよい。光等方性材料は、入射する全ての光に対して、偏光性を有 しない材料で、例えば、ポリカーボネート（PC)、ポリエーテルサルフォン（PES)、ポリ アクリル (PAC)、非晶質ポリオリフィン系榭脂、環状ポリオリフィン系榭脂、脂肪族環 状ポリオレフイン、ノルボルネン系の熱可塑性透明榭脂、ガラス材料などを例示する ことができる。これらの材料を用いて透明基板 11, 21を形成する方法としては、キヤ ストや押し出しと!/、う手法を用いることができる。
[0097] このような構成により、タツチスィッチ内部へ入射される可視光に起因する反射光量 を当該偏光板を設けていない場合に比べて約半分以下に抑制することができる。ま た、透明導電膜 12, 22をより目立ちに《することができ、視認性をより向上させるこ とがでさる。
[0098] 更に、直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを全面貼りし、タツチスィッチ 101の反対面（ 第 2の透明面状体 2の裏面側）に λ Ζ4位相差板を全面貼りすることにより、円偏光 構成を形成してもよ 、。 λ Ζ4位相差板は、ポリビュルアルコール (PVA)やポリカー ボネート (PC)、ノルボルネン系の熱可塑性榭脂、環状ポリオレフイン榭脂などのフィ ルムを延伸して複屈曲性を付与したものを例示することができる。直線偏光板への λ Ζ4位相差板の貼着についても、粘着層 15と同様の材料カゝらなる粘着層を介して、 空気層が介在しないように全面貼着により行われることが好ましい。また、第 2の透明 面状体裏面側への λ Ζ4位相差板の貼着についても、粘着層 15と同様の材料から なる粘着層を介して、空気層が介在しないように全面貼着により行われることが好まし V、。この場合、各 λ Ζ4位相差板は、一方の λ Ζ4位相差板の光学軸が他方の λ / 4位相差板の光学軸に対して直交するように配置されることが好ま 、。
[0099] このように、円偏光構成を形成することにより、反射光を円偏光化し、 2つの λ Ζ4 位相差板で挟まれた部分のタツチスィッチの内面反射をカットして良好な低反射性を 付与することが可能である。これにより、透明導電膜 12, 22をより目立ちにくくするこ とができ、視認性をより向上させることができる。尚、透明基板 11, 21自体を λ Ζ4位 相差板として、これに直線偏光板を積層した構成にすることも可能である。
[0100] また、本第 2実施形態においては、 2つの透明面状体が粘着層を介して貼着された 静電容量式の透明タツチスィッチに本発明を適用した場合について説明したが、 2つ の透明面状体が空気層を介して貼着される抵抗膜式のマトリクス式タツチスィッチに 本発明を適用することも可能である。
例
[0101] 以下、実施例に基づき本発明をより詳細に説明する。但し、本発明が、以下の実施 例に限定されるものではない。
[0102] (試験 1)
まず、透明導電膜の最適な厚みを検討するため、透明基板にアンダーコート層を 介さずに直接透明導電膜を形成した構成にお！、て、透明導電膜が形成された部分 と、透明導電膜が形成されていない部分との反射率 (％)の差を、シミュレーションに より求めた。
[0103] 透明基板は、 PETフィルム力もなる基材層（厚み： 188 μ m、屈折率： 1. 65)の表 裏面にハードコート層（各厚み： 5 m、屈折率： 1. 52)が形成されたものとし、透明 導電膜は、 ITO膜 (屈折率： 1. 95)とした。また、透明基板における透明導電膜側に は、アクリル系榭脂からなる粘着層（厚み：25 m、屈折率： 1. 52)を形成した。反射 率の算出は、サイバネットシステム (株)製薄膜設計ソフトウェア（OPTAS— FILM)を用 いて行った (ただし、 PET層等での吸収は無いものと仮定して計算している)。この構 成において、透明導電膜の厚みをパラメータとして算出した反射率 (％)の差を図 14 に示す。
[0104] 透明導電膜のパターン形状の目立ちにくさは、透明導電膜が形成された部分と形 成されて 、な 、部分との反射率差と相関性を有しており、可視領域全体 (波長：約 40 0〜800nm)における反射率差の絶対値及び変化率が小さいほど、パターン形状が 目立ちにくぐ視認性を良好にすることができる。図 14に示すように、反射率差の絶 対値及び変化率は、いずれも透明導電膜の厚みが薄くなるほど小さくなつており、視 認性の観点力 は透明導電膜の厚みを小さくするほど良いことがわかる。但し、透明 導電膜の結晶性や耐久性，耐候性を高めるためには、ある程度の厚みが必要になる ことから、透明導電膜の厚みは、 10〜25nmが好ましぐ約 15nmとするのが最適で ある。
[0105] (試験 2)
次に、透明基板と透明導電膜との間にアンダーコート層が形成された構成（図 9参 照）において、アンダーコート層を構成する低屈折率層及び高屈折率層の最適厚み を検討した。透明基板の厚み'屈折率及び透明導電膜の屈折率は、試験 1と同様と し、透明導電膜の厚みは、試験 1の結果力も 15nmとした。また、透明導電膜の表面 側には粘着層を形成し、この粘着層の厚み及び屈折率も、試験 1と同様とした。アン ダーコート層は、屈折率が 1. 43の酸化珪素からなる低屈折率層と、屈折率が 1. 7の シリコン錫酸ィ匕物力もなる高屈折率層との積層体とした。
[0106] この構成にぉ 、て、まず、低屈折率層の厚みを 30nmに設定し、高屈折率層の厚 みをパラメータとして、透明導電膜が形成されていない部分との反射率の差を、シミュ レーシヨンにより求めた。この結果を図 15に示す。
[0107] 図 15に示すように、高屈折率層の厚みが 0の場合 (即ち、高屈折率層が存在しな い場合）には、可視領域の低波長側 (約 400〜500nm)において反射率差の絶対値 及び変化率が大きくなつており、良好な視認性が得られていない。これに対し、高屈 折率層の厚みが 10〜20nmの場合には、可視領域の全体において反射率差の絶 対値及び変化率がいずれも小さぐ良好な視認性が得られている。高屈折率層の厚 み力 低屈折率層の厚みである 30nmよりも大きくなると、反射率差の絶対値及び変 化率は再び増加する傾向にあり、視認性が悪化する傾向にある。 [0108] 次に、高屈折率層の厚みを 15nmに設定し、低屈折率層の厚みをパラメータとして 、透明導電膜が形成されていない部分との反射率の差を、シミュレーションにより求 めた。この結果を図 16に示す。
[0109] 図 16に示すように、低高屈折率層の厚みが 0の場合 (即ち、低屈折率層が存在し ない場合）には、可視領域の低波長側 (約 400〜500nm)において反射率差の絶対 値及び変化率が大きくなつており、良好な視認性が得られていない。これに対し、低 屈折率層の厚みが大きくなるにつれて、反射率差の絶対値及び変化率は小さくなる 傾向にあり、低屈折率層の厚みが、高屈折率層の厚みである 15nmよりも大きくなる と、反射率差の絶対値及び変化率はいずれも十分小さくなり、良好な視認性が得ら れている。低屈折率層の厚みが、 50nmになると、反射率差の絶対値は小さい一方 で、可視領域の低波長側における反射率差の変化率が大きくなり、視認性が徐々に 悪化する傾向にある。
[0110] このようなシミュレーション結果から、アンダーコート層における高屈折率層の厚み は、低屈折率層の厚みよりも小さいことが好ましいことがわ力つた。より具体的には、 高屈折率層の厚みは、 10〜25nmであることが好ましぐこの場合において、低屈折 率層の厚みは、 25〜45nmであることが好ましい。
[0111] このシミュレーション結果に基づき、高屈折率層の厚みを 15nm、低屈折率層の厚 みを 35nmとして実際に透明面状体を試作したところ、導電層のパターン形状を視認 することができず良好な視認性が得られており、上記シミュレーション結果の有効性 を確認した。
[0112] (試験 3)
試験 2で求めたアンダーコート層における低屈折率層及び高屈折率層の好ま Uヽ 厚みは、アンダーコート層以外の他の層の厚みなどが変化しても、ほぼ同様の傾向 にある。例えば、試験 2において透明導電膜の厚みが大きくなると、低屈折率層及び 高屈折率層の好まし 、厚みの数値範囲はほとんど変化しな 、が、好まし 、条件から 外れた場合の視認性の悪化がより顕著となる。一例として、試験 2の構成 (低屈折率 層の厚み：30nm)において、透明導電膜の厚みを 15nmから 20nmに変えた場合に 、高屈折率層の厚みをパラメータとした反射率差を図 17に示す。 [0113] また、透明基板において基材層の表裏面に形成したハードコート層の一方又は双 方を設けない構成の場合には、アンダーコート層における高屈折率層及び低屈折率 層の好ましい厚み範囲は、試験 2における数値範囲よりも拡がる傾向にあり、例えば 、高屈折率層を設けずに低屈折率層のみカゝらアンダーコート層を構成した場合でも 、ある程度の視認性を得ることができる。
(第 3実施形態）
次に、本発明の第 3実態形態について添付図面を参照して説明する。尚、各図面 は、構成の理解を容易にするため、模式的に表すと共に、実寸比ではなく部分的に 拡大又は縮小されている。
[0114] 図 18は、本発明に係る透明タツチスィッチの第 3実施形態を示す概略断面図であ る。この透明タツチスィッチ 101は、静電容量式のタツチスィッチであり、透明基板 11 の一方面にパターユングされた透明導電膜 12が形成された第 1の透明面状体 1と、 透明基板 21の一方面にパターユングされた透明導電膜 22が形成された第 2の透明 面状体 2とを備えている。第 1の透明面状体 1と第 2の透明面状体 2とは、それぞれの 透明導電膜 12, 22が対向するようにして、粘着層 15を介して貼着されている。
[0115] 透明基板 11, 21ίま、基材層 111, 211の表裏面【こノヽードコート層 112, 112 ; 212 , 212を備えて構成されている。基材層 111, 211は、透明性が高い材料力もなるこ と力 子ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレンナフタレ ート（PEN)、ポリエーテルサルフォン（PES)、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK) 、ポリカーボネート（PC)、ポリプロピレン（PP)、ポリアミド（PA)、ポリアクリル（PAC) 、エポキシ榭脂、フエノール榭脂、脂肪族環状ポリオレフイン、ノルボルネン系の熱可 塑性透明榭脂などの可撓性フィルムやこれら 2種以上の積層体、或いは、ガラス板な どを挙げることができる。基材層 111, 211の厚みは、 20〜500 m程度が好ましぐ ノヽードコー卜層 112, 212の厚み ίま、 3〜5 111程度カ好まし1ヽ0基材層 111, 211ίま 、剛性を付与するために支持体を貼着してもよい。
[0116] 透明導電膜 12, 22の材料としては、インジウム錫酸化物 (ΙΤΟ)、酸化インジウム、 アンチモン添加酸ィ匕錫、フッ素添加酸ィ匕錫、アルミニウム添加酸ィ匕亜鉛、カリウム添 加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛一酸化錫系、酸化インジウム 酸 化錫系、酸化亜鉛一酸化インジウム一酸化マグネシウム系、酸化亜鉛などの金属酸 化物を例示することができ、これら 2種以上を複合して形成してもよ 、。
[0117] また、カーボンナノチューブやカーボンナノホーン、カーボンナノワイヤ、カーボン ナノファイバー、グラフアイトフイブリルなどの極細導電炭素繊維をバインダーとして機 能するポリマー材料に分散させた複合材を透明導電膜 12, 22の材料として用いるこ ともできる。ここでポリマー材料としては、ポリア二リン、ポリピロール、ポリアセチレン、 ポリチォフェン、ポリフエ二レンビニレン、ポリフエ二レンスルフイド、ポリ p—フエ二レン 、ポリ複素環ビ-レン、 PEDOT： poly(3,4- ethylenedioxythiophene)などの導電性ポリ マーを採用することができる。また、ポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレン ナフタレート（PEN)、ポリエーテルサルフォン（PES)、ポリエーテルエーテルケトン（ PEEK)、ポリカーボネート (PC)、ポリプロピレン（PP)、ポリアミド（PA)、ポリアクリル (PAC)、ポリイミド、エポキシ榭脂、フエノール榭脂、脂肪族環状ポリオレフイン、ノル ボルネン系の熱可塑性透明榭脂などの非導電性ポリマーを採用することができる。
[0118] 透明導電膜 12, 22の材料として、特にカーボンナノチューブを非導電性ポリマー 材料に分散させたカーボンナノチューブ複合材を採用した場合、カーボンナノチュー ブは、直径が一般的には 0. 8nm〜l. 4nm(lnm前後)と極めて細いので、 1本或い は 1束ずつ非導電性ポリマー材料中に分散することでカーボンナノチューブが光透 過を阻害することが少なくなり透明導電膜 12, 22の透明性を確保する上で好ましい
[0119] 透明導電膜 12, 22の形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーテ イング法などの PVD法や、 CVD法、塗工法、印刷法などを例示することができる。透 明導電膜 12, 22の厚みは、通常 10〜50nm程度である。
[0120] 透明導電膜 12, 22は、上述の第 1実施形態と同様に図 2及び図 3に示すように、平 行に延びる複数の帯状導電部 12a, 22aの集合体としてそれぞれ形成されており、 各透明導電膜 12, 22の帯状導電部 12a, 22aは、互いに直交するように配置されて いる。透明導電膜 12, 22は、導電性インクなど力もなる引き廻し回路（図示せず)を 介して外部の駆動回路（図示せず）に接続される。透明導電膜 12, 22のパターン形 状は、本実施形態のものに限定されず、指などの接触ポイントを検出可能である限り 、任意の形状とすることが可能である。例えば、図 4及び図 5に示すように、透明導電 膜 12, 22を、複数の菱形状導電部 12b, 22bが直線状に連結された構成とし、各透 明導電膜 12, 22における菱形状導電部 12b, 22bの連結方向が互いに直交し、且 つ、平面視において上下の菱形状導電部 12b, 22bが重なり合わないように配置し てもよい。
[0121] 透明導電膜 12, 22のパターユングは、透明基板 11, 21にそれぞれ形成された透 明導電膜 12, 22の表面に、所望のパターン形状を有するマスク部を形成して露出部 分を酸液などでエッチング除去した後、アルカリ液などによりマスク部を溶解させて、 行うことができる。但し、パターユングの方法はこれに限定されるものではなぐ他の 公知の方法で行ってもよ!、。
[0122] 本第 3実施形態の透明タツチスィッチにおける第 1の透明面状体 1及び第 2の透明 面状体 2の透明基板 11, 21の一方面 (透明導電膜 12, 22が形成された面）におい て、透明導電膜 12, 22が形成されていない露出部 11a, 21aには、当該露出部 11a , 21aを覆う被覆層 16, 26が設けられている。この被覆層 16, 26は、表面が透明導 電膜 12, 22の表面と略面一になるように形成されている。被覆層 16, 26の材料とし ては、シリコン錫酸化物、酸化珪素、酸化チタン、酸化錫、酸化セリウム、五酸化-ォ ブ、五酸化タンタル、酸化ジルコニウム、また複合酸化物として酸化ジルコニウム 酸 化珪素、酸化ジルコニウム一酸化錫、酸ィ匕ジルコニウム一二酸ィ匕チタンなどを例示 することができるが、特に、シリコン錫酸ィ匕物を好ましく用いることができる。
[0123] また、被覆層 16, 26の屈折率は、透明導電膜 12, 22の屈折率と同等であり、例え ばシリコン錫酸ィ匕物力もなる場合に、シリコンと錫の成分比を変えることにより適宜調 整可能である。ここで、被覆層 16, 26と透明導電膜 12, 22との屈折率が同等である とは、被覆層 16, 26と透明導電膜 12, 22との屈折率が完全に一致する場合のみな らず、透明導電膜 12, 22のパターン形状を目立たなくできる範囲で、被覆層 16, 26 と透明導電膜 12, 22との屈折率に差がある場合をも含む概念である。具体的には、 例えば、被覆層 16, 26の屈折率と透明導電膜 12, 22の屈折率との差の絶対値が、 0. 08以内であることが好ましぐ 0. 03以内であることがより好ましい。
[0124] また、透明導電膜 12, 22の材料としてカーボンナノチューブ複合材を選択した場 合、カーボンナノチューブ複合材の屈折率は、インジウム錫酸ィヒ物 (ITO)の屈折率 よりも低いため（カーボンナノチューブ複合材の屈折率は例えば約 1. 6程度であるの に対し、インジウム錫酸ィ匕物の屈折率は 1. 9〜2. 0)、透明導電膜 12, 22の屈折率 と同等な屈折率を有する被覆層 16, 26の材料の選定が容易となる。
[0125] 被覆層 16, 26の形状及び屈折率を上記のように設定することにより、第 1の透明面 状体 1及び第 2の透明面状体 2の透過スペクトル及び反射スペクトルの形状を、透明 導電膜 12, 22が形成されて 、る部分と形成されて!、な 、部分とで略同一にすること が可能になり、色目（濃淡)の差異を小さくすることが可能となる。この結果、第 1の透 明面状体 1及び第 2の透明面状体 2において、透明導電膜 12, 22のパターン形状を 目立たなくすることができ、視認性を向上させることができる。
[0126] 被覆層 16, 26の形成方法としては、スパッタリング法、抵抗蒸着法、電子ビーム蒸 着法などのドライコーティング法を挙げることができる。このドライコーティング法を用 いた被覆層 16, 26の形成方法について具体的に説明すると、まず、図 19 (a)に示 すように、透明基板 11 (21)に形成された透明導電膜 12 (22)の表面に所望のバタ ーン形状を有するマスク部 50を形成する。そして、マスク部 50が形成されていない透 明導電膜 12 (22)の露出部分 51をエッチング除去することにより露出部 11a (21a)を 形成する（図 19 (b)参照)。次に、被覆層を構成する材料をドライコーティング法によ つて、露出部 11a (21a)およびマスク部 50上にコーティングする。このとき、露出部 1 la (21a)上にコーティングされる被覆層の厚みが透明導電膜 12 (22)の厚みと略同 一となるようにする（図 19 (c)参照)。その後、マスク部 50を除去することにより、透明 導電膜 12 (22)の表面と略面一なる被覆層 16 (26)を露出部 1 la (21a)に形成する ことができる（図 19 (d)参照)。また、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、バーコート法 、スピンコート法、ダイコート法、スプレーコート法などのウエットコーティング法により、 透明導電膜 12, 22及び露出部 11a, 21aを埋没するように被覆層の材料でコーティ ングした後、エッチングを行い、第 1の透明面状体 1及び第 2の透明面状体 2におけ る被覆層 16, 26の表面を透明導電膜 12, 22の表面と略面一になるように形成する ことちでさる。
[0127] 第 1の透明面状体 1と第 2の透明面状体 2との貼着は、空気層が介在しないように、 粘着層 15を全体に介在させて行うことが好ましい。粘着層 15は、エポキシ系やアタリ ル系など、一般的な透明接着剤を用いることができ、ノルボルネン系榭脂の透明性フ イルムからなる芯材を含むものであってもよい。粘着層 15の厚みは、通常 25〜100 μ mであ 。
[0128] 以上の構成を備える透明タツチスィッチにおいて、タツチ位置の検出方法は、従来 の静電容量式のタツチスィッチと同様であり、第 1の透明面状体 1の表面側における 任意の位置を指などで触れると、透明導電膜 12, 22は接触位置において人体の静 電容量を介して接地され、このときに透明導電膜 12, 22を流れる電流値を検出する ことにより、接触位置の座標が演算される。被覆層 16, 26の表面抵抗値は、静電容 量式タツチスィッチとして正常に作動する絶縁性を確保できるように十分大き 、ことが 好ましぐ例えば、 1 Χ 1012( ΩΖ口）以上である。
[0129] 以上、本発明に係る第 3実施形態について説明したが、本発明の具体的な態様は 上記第 3実施形態に限定されない。例えば、図 20に示すように、第 1の透明面状体 1 および第 2の透明面状体 2において、それぞれ透明導電膜 12, 22及び被覆層 16, 26の表面を覆うオーバコート層 14, 24を更に備える構成を採用してもよい。このォー バコート層 14, 24の表面 14a, 24aは、全体にわたって平坦となるように形成されて いる。このような構成を採用することにより、透明導電膜 12, 22のパターン形状を目 立たなくする効果を維持しつつ、第 1の透明面状体 1及び第 2の透明面状体 2の透明 導電膜 12, 22を保護することができる。オーバコート層 14, 24の表面抵抗値は、静 電容量式タツチスィッチとして正常に作動する絶縁性を確保できるように十分大き ヽ ことが好ましぐ例えば、 1 Χ 1012( ΩΖ口）以上である。
[0130] オーバコート層 14, 24の形成方法としては、スパッタリング法、抵抗蒸着法、電子ビ ーム蒸着法などのドライコーティング法、或いは、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、 バーコート法、スピンコート法、ダイコート法、スプレーコート法などのウエットコーティ ング法を挙げることができる。
[0131] オーバコート層 14, 24の材料として、例えば、被覆層 16, 26の材料と同じものを使 用する場合、スクリーン印刷法などにより被覆層 16, 26およびオーバコート層 14, 2 4を同時に形成することができ、効率的に透明面状体 1, 2を製造することが可能とな る。なお、オーバコート層 14, 24の材料として、被覆層 16, 26の材料と異なる材料を 使用することちできる。
[0132] また、本発明者らのシミュレーション結果によれば、オーバコート層 14, 24の厚み は、スパッタ薄膜として形成する場合における製膜条件として現実的に可能な下限 膜厚である lOnmから 30nm程度、或いは、 1 m以上であることが好ましい。このシミ ユレーシヨンについて以下に説明する。透明基板 11, 21は、 PETフィルム力もなる基 材層（厚み： 188 m、屈折率： 1. 65)の表裏面にハードコート層（各厚み： 5 m、 屈折率： 1. 52)が形成されたものとした。透明導電膜 12, 22は、 ITO膜 (厚み：30η m、屈折率： 1. 95)とし、被覆層 16, 26は、シリコン錫酸ィ匕物 (厚み： 30nm、屈折率 : 1. 9)とした。粘着層 15は、アクリル系榭脂 (厚み：25 m、屈折率： 1. 52)とした。 オーバコート層の屈折率は 1. 9とし、このオーバコート層の厚みをパラメータにとり、 その値を変化させて、透明導電膜 12, 22が形成された部分と、透明導電膜 12, 22 が形成されて ヽな ヽ部分 (被覆層 16, 26が形成されて ヽる部分)との反射率 (％)の 差をシミュレーションにより求めた。反射率の算出は、サイバネットシステム (株)製薄 膜設計ソフトウェア（OPTAS-FILM)を用いて行った。このシミュレーションによって算 出した反射率（％)の差を図 21及び図 22に示す。図 21は、オーバコート層 14, 24の 厚みを nmオーダーとした場合、図 22は、その厚みを/ z mオーダーとした場合の結果 である。
[0133] 透明導電膜のパターン形状の目立ちにくさは、透明導電膜 12, 22が形成された部 分と形成されていない部分との反射率差と相関性を有しており、可視領域全体 (波長 ：約 400〜800nm)における反射率差の絶対値及び変化率が小さいほど、パターン 形状が目立ちにくぐ視認性を良好にすることができる。なお、一般的に、反射率差 の絶対値が 0. 5程度よりも小さいと、ノターン形状が目立ちに《なる。図 21におい ては、オーバコート層 14, 24の厚みが 45nm以上の場合には、反射率差の変化率 が大きいのに対し、厚みが 30nmの場合には、変化率が小さいことがわかる。このこと から、オーバコート層 14, 24の厚みを 30nm以下とすることが視認性の観点からは好 ましいことがわ力る。
[0134] また、オーバコート層 14, 24の厚みが μ mオーダーの場合の結果を示す図 22に おいては、オーバコート層 14, 24の厚みが 1 μ m以上であれば反射率差の絶対値 が 0. 5程度と小さぐ視認性の観点力も好ましいことがわかる。
[0135] また、本実施形態においては、第 1の透明面状体 1および第 2の透明面状体 2を粘 着層 15を介して貼着することにより、静電容量式の透明タツチスィッチ 101を構成し ているが、以下のようにして抵抗膜式の透明タツチスィッチを構成することもできる。 すなわち、第 1の透明面状体 1および第 2の透明面状体 2を、それぞれの透明導電膜 12, 22が互いに対向するように、スぺーサーを介して所定間隔を空けて配置するこ とにより抵抗膜式の透明タツチスィッチを構成することもできる。
[0136] この抵抗膜式の透明タツチスィッチにおけるタツチ位置の検出方法は、従来の抵抗 膜式のタツチスィッチと同様であり、第 1の透明面状体 1の表面側における任意の位 置を指などで押圧することで、透明導電膜 12, 22は接触し、その接点の抵抗値を横 方向と縦方向に時分割的測定をすることで接触位置の座標が演算される。
[0137] また、本実施形態において、図 23に示すように、低屈折率層と、この低屈折率層よ りも光屈折率が高い高屈折率層とを含む積層体から構成されたアンダーコート層 13 , 23を更に備える構成を採用してもよい。アンダーコート層 13, 23は、低屈折率層側 に透明導電膜 12, 22および被覆層 16, 26が形成されるように、透明導電膜 12, 22 および被覆層 16, 26と、透明基板 11, 21との間に介在されている。このような構成 により、透明タツチスィッチ 101の透明性を向上させることができる。
[0138] アンダーコート層 13, 23の積層体を構成する各層の材料としては、シリコン錫酸ィ匕 膜、酸化珪素、酸化チタン、酸ィ匕錫などを例示することができ、好ましい組み合わせ として、酸化錫一酸化ハフニウム系、酸化珪素一酸化錫系、酸化亜鉛一酸化錫系、 酸ィ匕錫一酸ィ匕チタン系などを挙げることができる。アンダーコート層 13, 23は、スパッ タリング法、抵抗蒸着法、電子ビーム蒸着法などにより形成することができる。
[0139] また、本第 3実施形態の透明タツチスィッチ 101において、第 1の透明面状体 1の表 面側 (透明導電膜 12が形成された面と反対側）には、直線偏光板を設けてもよい。直 線偏光板を設ける場合は、透明基板 11, 21を光等方性材料で構成する必要がある 。直線偏光板は、ヨウ素や二色性染料などの二色性色素を吸着配向させたポリビニ ルアルコール（PVA)の延伸フィルムを例示することができ、このフィルムの両面を、 保護フィルムとしてのトリァセチルアセテート (TAC)フィルムで挟持するように貼り合 わせたものを使用してもよい。光等方性材料は、入射する全ての光に対して、偏光性 を有しない材料で、例えば、ポリカーボネート（PC)、ポリエーテルサルフォン（PES) 、ポリアクリル (PAC)、非晶質ポリオリフィン系榭脂、環状ポリオリフィン系榭脂、脂肪 族環状ポリオレフイン、ノルボルネン系の熱可塑性透明榭脂、ガラス材料などを例示 することができる。これらの材料を用いて透明基板 11, 21を形成する方法としては、 キャストや押し出しと 、う手法を用いることができる。
[0140] このような構成により、タツチスィッチ内部へ入射される可視光に起因する反射光量 を当該偏光板を設けていない場合に比べて約半分以下に抑制することができる。ま た、透明導電膜 12, 22をより目立ちに《することができ、視認性をより向上させるこ とがでさる。
[0141] 更に、直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを全面貼りし、タツチスィッチ 101の反対面（ 第 2の透明面状体 2の裏面側）に λ Ζ4位相差板を全面貼りすることにより、円偏光 構成を形成してもよ 、。 λ Ζ4位相差板は、ポリビュルアルコール (PVA)やポリカー ボネート (PC)、ノルボルネン系の熱可塑性榭脂、環状ポリオレフイン榭脂などのフィ ルムを延伸して複屈曲性を付与したものを例示することができる。直線偏光板への λ Ζ4位相差板の貼着についても、粘着層 15と同様の材料カゝらなる粘着層を介して、 空気層が介在しないように全面貼着により行われることが好ましい。また、第 2の透明 面状体裏面側への λ Ζ4位相差板の貼着についても、粘着層 15と同様の材料から なる粘着層を介して、空気層が介在しないように全面貼着により行われることが好まし V、。この場合、各 λ Ζ4位相差板は、一方の λ Ζ4位相差板の光学軸が他方の λ / 4位相差板の光学軸に対して直交するように配置されることが好ま 、。
[0142] このように、円偏光構成を形成することにより、反射光を円偏光化し、 2つの λ Ζ4 位相差板で挟まれた部分のタツチスィッチの内面反射をカットして良好な低反射性を 付与することが可能である。これにより、透明導電膜 12, 22をより目立ちにくくするこ とができ、視認性をより向上させることができる。尚、透明基板 11, 21自体を λ Ζ4位 相差板として、これに直線偏光板を積層した構成にすることも可能である。
(第 4実施形態） 次に、本発明の第 4実態形態について添付図面を参照して説明する。尚、各図面 は、構成の理解を容易にするため、模式的に表すと共に、実寸比ではなく部分的に 拡大又は縮小されている。
[0143] 図 24は、本発明に係るタツチスィッチの第 4実施形態を示す概略断面図である。こ の透明タツチスィッチ 101は、静電容量式のタツチスィッチであり、透明基板 11の一 方面に間隔をあけて複数配置される帯状透明導電部 32を有する第 1の透明面状体 1と、透明基板 21の一方面に間隔をあけて複数配置される帯状透明導電部 42を有 する第 2の透明面状体 2とを備えている。第 1の透明面状体 1と第 2の透明面状体 2と は、それぞれの帯状透明導電部 32, 42が互いに対向するようにして、粘着層 15を 介して貼着されている。
[0144] 透明基板 11, 21は、透明性が高い材料力もなることが好ましぐ具体的には、ポリ エチレンテレフタレート（PET)、ポリイミド（PI)、ポリエチレンナフタレート（PEN)、ポ リエーテルサルフォン（PES)、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK)、ポリカーボネ ート（PC)、ポリプロピレン（PP)、ポリアミド（PA)、ポリアクリル（PAC)、アクリル、非晶 質ポリオリフィン系榭脂、環状ポリオリフィン系榭脂、脂肪族環状ポリオレフイン、ノル ボルネン系の熱可塑性透明榭脂などの可撓性フィルムやこれら 2種以上の積層体、 或いは、ソーダガラス、無アルカリガラス、ホウケィ酸ガラス、石英ガラスなどのガラス 板などを挙げることができる。透明基板 11, 21の厚みは、 20〜500 m程度が好ま しい。また、透明基板 11, 21の片面又は両面には、ペンや指が前記表面に接触す ることがある場合には、透明性、耐擦傷性、耐摩耗性、ノングレア性等向上のため、 ハードコート加工を施してもよ ヽ。
[0145] また、可撓性を有する材料カゝら透明基板 11, 21を形成した場合、当該透明基板 1 1, 21に剛性を付与するために支持体を貼着してもよい。支持体としては、ガラス板 や、ガラスに準ずる硬度を有する榭脂材料を例示することができ、その厚さは 100 m以上であることが好ましぐ 0. 2mn！〜 0. 5mmであることがより好ましい。
[0146] 第 1及び第 2の透明面状体 1, 2は、それぞれ上述のように透明基板 11, 21の一方 面に間隔をあけて複数配置される帯状透明導電部 32, 42を有すると共に、帯状透 明導電部 32, 42と同一材料からなり、各帯状透明導電部 32, 42の間に配置される 帯状透明調整部 33, 43を備えている。このように、第 1及び第 2の透明面状体 1, 2 において、各帯状透明導電部 32, 42の間に帯状透明導電部 32, 42と同一材料か らなる帯状透明調整部 33, 43を配置しているので、帯状透明導電部 32, 42の形状 を目立たなくすることができ、視認性を向上させることができる。
[0147] 帯状透明導電部 32, 42および帯状透明調整部 33, 43は、図 25及び図 26の平面 図に示すように、それぞれ矩形状に形成されると共に、透明基板 11, 21が露出する 絶 リット 34, 44を介在させて両者が非接触で交互に隣接するように配置されて いる。帯状透明導電部 32, 42には、導電性インクなど力もなる引き廻し回路（図示せ ず)を介して外部の駆動回路（図示せず)が接続されて電圧が印加される。第 1の透 明面状体 1の帯状透明導電部 32 (帯状透明調整部 33)と、第 2の透明面状体 2の帯 状透明導電部 42 (帯状透明調整部 43)とは、互 ヽに直行するように配置されて 、る。
[0148] また、各帯状透明調整部 33, 43は、帯状透明導電部 32, 42と帯状透明調整部 33 , 43との隣接方向に沿って延びると共に、隣接する絶& ^リット 34, 44同士を接続す る複数の抵抗スリット 35, 45を備えている。更に、各帯状透明調整部 33, 43は、絶 リット 34, 44に沿って各帯状透明調整部 33, 43を分離する分離スリット 36, 46 とを備えている。
[0149] 帯状透明導電部 32, 42の形状は、本実施形態のものに限定されず、指などの接 触ポイントを検出可能である限り、任意の形状とすることが可能である。例えば、図 27 及び図 28に示すように、帯状透明導電部 32, 42を、複数の菱形状導電部が直線状 に連結された構成とし、各帯状透明導電部 32, 42における菱形状導電部の連結方 向が互いに直交し、且つ、平面視において上下の菱形状導電部が重なり合わないよ うに配置してもよい。なお、透明タツチスィッチ 101の分解能などの動作性能につい ては、第 1の透明面状体 1と第 2の透明面状体 2とを重ね合わせた場合に、帯状透明 導電部 32, 42が存在しない領域を少なくする構成を採用する方が優れている。この ような観点から、帯状透明導電部 32, 42の形状として、矩形状の構成よりも、複数の 菱形状導電部が直線状に連結された構成の方が望ましい。
[0150] このように、平面視において、上下の菱形状導電部が重なり合わないように配置し、 且つ、導電部のない部分を少なくする構成とすることで、透明タツチスィッチ 101の分 解能などの性能を向上させることができ、より精度よくタツチ位置を検出することがで きる。なお、図 27及び図 28においては、帯状透明調整部 33, 43に分離スリット 36, 46を形成して 、な 、形態を示して!/、る。
[0151] 帯状透明導電部 32, 42および帯状透明調整部 33, 43の材料としては、インジウム 錫酸ィ匕物 (ITO)、酸化インジウム、アンチモン添加酸ィ匕錫、フッ素添加酸ィ匕錫、アル ミニゥム添加酸ィ匕亜鉛、カリウム添加酸ィ匕亜鉛、シリコン添加酸ィ匕亜鉛や、酸化亜鉛 一酸化錫系、酸化インジウム一酸化錫系、酸化亜鉛一酸化インジウム一酸化マグネ シゥム系、酸化亜鉛、スズ酸ィ匕膜等の透明導電材料、或いは、スズ、銅、アルミニウム 、ニッケル、クロムなどの金属材料、金属酸化物材料を例示することができ、これら 2 種以上を複合して形成してもよい。また、酸やアルカリに弱い金属単体でも導電材料 として使用できる。
[0152] また、酸化亜鉛 (ZnO)は、タツチスィッチや液晶用透明導電体等にぉ 、て、現在、 一番多く使用されている ITOに比べて、コストが低いことから、帯状透明導電部 32, 4 2および帯状透明調整部 33, 43の材料として好ましい。特に、静電容量式のタツチ スィッチに使用する場合、第 1の透明面状体 1と第 2の透明面状体 2との間には、粘 着層 15が存在し、空気層が介在していないため、酸化亜鉛 (ZnO)により構成した帯 状透明導電部 32, 42および帯状透明調整部 33, 43が直接空気に触れることはな い。これにより、酸化亜鉛 (ZnO)が酸化作用によって劣化することを防止することが でき、低コストで製品（タツチスィッチ）を製造することができる。
[0153] また、カーボンナノチューブやカーボンナノホーン、カーボンナノワイヤ、カーボン ナノファイバー、グラフアイトフイブリルなどの極細導電炭素繊維を非導電性ポリマー 材料に分散させた複合材を帯状透明導電部 32, 42および帯状透明調整部 33, 43 の材料として用いることもできる。また、帯状透明導電部 32, 42および帯状透明調整 部 33, 43を形成する前に、透明基板 11, 21の表面に透明性や密着性等を向上さ せる為のアンダーコート層を設けても良い。
[0154] 帯状透明導電部 32, 42および帯状透明調整部 33, 43の形成方法について説明 すると、まず、上述の材料を用いて、透明基板 11, 21の一方面に所定厚さの導電膜 を形成する。この導電膜の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオン プレーティング法などの PVD法や、 CVD法、塗工法、印刷法などを例示することが できる。導電膜の厚みは、通常 5〜： LOOnm程度である。
[0155] 次に、透明基板 11 , 21にそれぞれ形成された導電膜の表面にレーザー光を照射 しながら、透明基板 11 , 21又はレーザー光を移動し、導電膜を剥離することにより、 帯状透明導電部 32, 42および帯状透明調整部 33, 43に分離する。レーザー光に より導電膜が剥離された部分が、絶縁スリット 34, 44に相当する。レーザー光を照射 する装置として YAGレーザー装置や炭素レーザー装置などを例示することができる 。このようにレーザー光により帯状透明導電部 32, 42と帯状透明調整部 33, 43とを 分離する絶縁スリット 34, 44を形成した場合、絶縁スリット 34, 44の幅を例えば、 5 μ πι〜400 /ζ πιとすることができ、帯状透明導電部 32, 42と帯状透明調整部 33, 43と の境界を目立たなくすることが可能となり、視認性を向上させることができる。特に、 絶縁スリット 34, 44の幅を例えば、 20 /z m以下に形成することにより、目視によって 絶^リット 34, 44を識別することが困難になるため、視認性を向上させるという観点 力 は好ましい。
[0156] また、抵抗スリット 35, 45および分離スリット 36, 46も、上記と同様に、各帯状透明 調整部 33, 43の表面にレーザー光を照射して導電膜を剥離することにより、幅が 5 m〜400 mのスリットとして形成することができる。この結果、帯状透明調整部 33 , 43において、抵抗スリット 35, 45及び分離スリット 36, 46が形成されている部分と、 形成されていない部分との境界を目立たなくすることが可能になる。なお、抵抗スリツ ト 35, 45および分離スリット 36, 46の幅についても、視認性を向上させるという観点 力もは 20 m以下に形成することが特に好ましい。また、後述のように、帯状透明調 整部 33, 43を高インピーダンス状態とし、帯状透明調整部 33, 43に電流が流れにく くするという観点から、抵抗スリット 35, 45及び分離スリット 36, 46の数を多く形成し、 帯状透明調整部 33, 43を抵抗スリット 35, 45及び分離スリット 36, 46により細力ゝく分 割することが好ましい。例えば、長手方向の長さが 60581. 8 mであり、幅力 880 μ mの帯状透明調整部 33, 43に対して、例えば、幅が 5 μ mの抵抗スリットを 5 μ m 間隔で形成した場合、最大で 6058個の抵抗スリットを形成することができる。なお、 抵抗スリットの幅としては 9 mとし、 9個から 3366個の抵抗スリットを形成することが 好ましい。また、同一寸法の帯状透明調整部 33, 43に対して、例えば、幅が 5 mの 分離スリットを 5 μ m間隔で形成した場合、最大で 486個の分離スリットを形成するこ とができる。なお、分離スリットの幅としては 9 μ mとし、 0個から 269個の分離スリットを 形成することが好ましい。
[0157] このように、 6058個の抵抗スリットを形成し、 486個の分離スリットを形成することに より、帯状透明調整部 33, 43を最大 2,949,759個の領域に分割することができる。 なお、帯状透明調整部 33, 43を 8個から 908,550個の領域に分割することが好まし い。
[0158] 第 1の透明面状体 1と第 2の透明面状体 2との貼着は、空気層が介在しないように、 粘着層 15を全体に介在させて行うことが好ましい。粘着層 15は、エポキシ系やアタリ ル系など、一般的な透明接着剤を用いることができ、ノルボルネン系榭脂の透明性フ イルムからなる芯材を含むものであってもよい。粘着層 15の厚みは、例えば 500 /z m 以下であることが好ましぐ特に、 20 m〜80 mであることが好ましい。更に、 50 πι〜80 /ζ πιであることがより好ましい。また、シート状粘着材を複数枚重ね合わせるこ とにより粘着層を形成してもよぐ更に、複数種類のシート状粘着材を重ね合わせて 形成してちょい。
[0159] 以上の構成を備える透明タツチスィッチ 101において、タツチ位置の検出方法は、 従来の静電容量式のタツチスィッチと同様であり、第 1の透明面状体 1の表面側にお ける任意の位置を指などで触れると、帯状透明導電部 32, 42は接触位置において 人体の静電容量を介して接地され、帯状透明導電部 32, 42を流れる電流値を検出 することにより、接触位置の座標が演算される。
[0160] 本実施形態に係る透明タツチスィッチ 101においては、帯状透明調整部 33, 43が 複数の抵抗スリット 35, 45を備えているので、第 1の透明面状体 1の表面側へのタツ チ時において、帯状透明導電部 32, 42と当該帯状透明導電部 32, 42に隣接する 帯状透明調整部 33, 43との間で容量結合が発生し、帯状透明調整部 33, 43に電 流が流れたとしても、帯状透明調整部 33, 43の途中で高インピーダンスとなり、帯状 透明調整部 33, 43に電流が流れにくくなる。この結果、タツチ位置の検出に用いら れる帯状透明導電部 32, 42に流れる電流量を十分に確保できるため、第 1の透明 面状体 1の表面側への指などによるタツチ時と、非タツチ時とにおける帯状透明導電 部 32, 42を流れる電流の差を確実に検知でき、タツチ位置の座標を精度よく検出す ることがでさる。
[0161] 特に、本第 4実施形態においては、抵抗スリット 35, 45が、各帯状透明調整部 33, 43に隣接する絶 リット 34, 44同士を接続するように構成されているため、帯状透 明調整部 33, 43の長手方向に電流が流れることを確実に防止することができる。こ れにより、帯状透明導電部 32, 42に流れる電流量をより一層確保することができるた め、第 1の透明面状体 1の表面側へのタツチ時と、非タツチ時とにおける帯状透明導 電部 32, 42を流れる電流の差をより確実に検知でき、タツチ位置の座標を精度よく 検出することができる。
[0162] また、本第 4実施形態においては、帯状透明調整部 33, 43が、絶縁スリット 34, 44 に沿って当該帯状透明調整部 33, 43を分離する分離スリット 36, 46を備えているた め、帯状透明調整部 33, 43における帯状透明導電部 32, 42と帯状透明調整部 33 , 43との隣接方向への電流の流れを防止することができ、帯状透明調整部 33, 43を より一層高インピーダンス状態とすることができ、タツチ位置を精度よく検出することが できる。
[0163] 以上、本発明の第 4実施形態について説明したが、本発明の具体的な態様は上記 実施形態に限定されない。本実施形態においては、第 1の透明面状体 1および第 2 の透明面状体 2において、それぞれの帯状透明調整部 33, 43に抵抗スリット 35, 45 および分離スリット 36, 46を形成する構成を採用しているが、例えば、図 29に示すよ うに、第 2の透明面状体 2における帯状透明調整体 23に抵抗スリット 25および分離ス リット 26を形成することを省略した構成を採用することもできる。このような構成であつ ても、指などが触れられる第 1の透明面状体 1の帯状透明調整体 13において、抵抗 スリット 15および分離スリット 16が形成されているので、帯状透明調整体 13は高イン ピーダンス状態となり、当該帯状透明調整体 13に電流が流れにくくなる。その結果、 タツチ位置を検出するために用いられる帯状透明導電部 32, 42に流れる電流量を 確保することができ、第 1の透明面状体 1の表面側への指などによるタツチ時と、非タ ツチ時とにおける帯状透明導電部 32, 42を流れる電流の差を確実に検知でき、タツ チ位置の座標を精度よく検出することができる。
[0164] また、本第 4実施形態における抵抗スリット 35, 45の形状は、上述した形状に特に 限定されるものではなぐ図 30の（a)から（c)、あるいは、図 31の（a)又は（b)の要部 拡大図に示すように種々の形状を採用することができる。なお、図 30においては、帯 状透明導電部 32, 42を矩形状に構成した場合を示しており、図 31においては、帯 状透明導電部 32, 42を複数の菱形状導電部が直線状に連結された形状に構成し た場合を示している。
[0165] また、分離スリット 36, 46の形状も、上述した形状に特に限定されるものではなぐ 図 32の（a)又は (b)の要部拡大図に示すように種々の形状を採用することもできる。 なお、図 32においては、帯状透明導電部 32, 42の形状を複数の菱形状導電部が 直線状に連結された形状としている。また、分離スリット 36, 46を形成しない構成を 採用することちできる。
[0166] また、本実施形態においては、第 1の透明面状体 1および第 2の透明面状体 2を粘 着層 15を介して貼着することにより、静電容量式のタツチスィッチ 101を構成して!/、る 力 以下のようにして抵抗膜式のタツチスィッチを構成することもできる。すなわち、第 1の透明面状体 1および第 2の透明面状体 2を、それぞれの帯状透明導電部 32, 42 が互いに対向するように、スぺーサーを介して所定間隔を空けて配置することにより 抵抗膜式のタツチスィッチを構成することもできる。
[0167] この抵抗膜式のタツチスィッチにおけるタツチ位置の検出方法は、従来の抵抗膜式 のタツチスィッチと同様であり、第 1の透明面状体 1の表面側における任意の位置を 指などで押圧することで、帯状透明導電部 32, 42は接触し、その接点の抵抗値を横 方向と縦方向に時分割的測定をすることで接触位置の座標が演算される。
[0168] また、本第 4実施形態の透明タツチスィッチ 101において、第 1の透明面状体 1の表 面側 (帯状透明導電体 12が形成された面と反対側）には、直線偏光板を設けてもよ い。直線偏光板を設ける場合は、透明基板 11, 21を光等方性材料で構成する必要 力ある。直線偏光板は、ヨウ素や二色性染料などの二色性色素を吸着配向させたポ リビュルアルコール（PVA)の延伸フィルムを例示することができ、このフィルムの両 面を、保護フィルムとしてのトリァセチルアセテート（TAC)フィルムで挟持するように 貼り合わせたものを使用してもよい。光等方性材料は、入射する全ての光に対して、 偏光性を有しない材料で、例えば、ポリカーボネート (PC)、ポリエーテルサルフォン（ PES)、ポリアクリル (PAC)、非晶質ポリオリフィン系榭脂、環状ポリオリフィン系榭脂 、脂肪族環状ポリオレフイン、ノルボルネン系の熱可塑性透明榭脂、ガラス材料など を例示することができる。これらの材料を用いて透明基板 11, 21を形成する方法とし ては、キャストや押し出しと 、う手法を用いることができる。
[0169] このような構成により、タツチスィッチ内部へ入射される可視光に起因する反射光量 を当該偏光板を設けていない場合に比べて約半分以下に抑制することができる。ま た、帯状透明導電部をより目立ちに《することができ、視認性をより向上させることが できる。
[0170] 更に、直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを全面貼りし、タツチスィッチ 101の反対面（ 第 2の透明面状体 2の裏面側）に λ Ζ4位相差板を全面貼りすることにより、円偏光 構成を形成してもよ 、。 λ Ζ4位相差板は、ポリビュルアルコール (PVA)やポリカー ボネート (PC)、ノルボルネン系の熱可塑性榭脂、環状ポリオレフイン榭脂などのフィ ルムを延伸して複屈曲性を付与したものを例示することができる。直線偏光板への λ Ζ4位相差板の貼着についても、粘着層 15と同様の材料カゝらなる粘着層を介して、 空気層が介在しないように全面貼着により行われることが好ましい。また、第 2の透明 面状体裏面側への λ Ζ4位相差板の貼着についても、粘着層 15と同様の材料から なる粘着層を介して、空気層が介在しないように全面貼着により行われることが好まし V、。この場合、各 λ Ζ4位相差板は、一方の λ Ζ4位相差板の光学軸が他方の λ / 4位相差板の光学軸に対して直交するように配置されることが好ま 、。
[0171] このように、円偏光構成を形成することにより、反射光を円偏光化し、 2つの λ Ζ4 位相差板で挟まれた部分のタツチスィッチの内面反射をカットして良好な低反射性を 付与することが可能である。これにより、帯状透明導電部 32, 42をより目立ちに《す ることができ、視認性をより向上させることができる。尚、透明基板 11, 21自体を λ Ζ 4位相差板として、これに直線偏光板を積層した構成にすることも可能である。
[0172] また、図 33の概略断面図に示すように、一つの透明基板 31の両面にそれぞれ所 定間隔をあけて帯状透明導電部 32, 42を複数配置し、複数の抵抗スリット 35, 45及 び複数の分離スリット 36, 46を備える帯状透明調整部 33, 43を各帯状透明導電部 32, 42の間に配置すると共に、帯状透明導電部 32, 42と帯状透明調整部 33, 43と が絶& ^リット 34, 44を介在させて隣接するように透明面状体 30を構成することもで きる。透明基板 31の両面にそれぞれ形成される帯状透明導電部 32, 42および帯状 透明調整部 33, 43は、その長手方向が互いに直交するよう配置される。このような構 成の透明面状体 30を用いて静電容量式のタツチスィッチを形成した場合、粘着層 1 5を介して 2つの透明面状体 (第 1の透明面状体 1及び第 2の透明面状体 2に相当）を 貼り合わせる必要が無くなり、製造上の作業性を高めることができる。また、タツチスィ ツチが備える透明基板 31は一枚だけであると共に、粘着層 15を必要としないので、 タツチスィッチの厚みを薄くすることが可能になる。
このような透明面状体 30を形成するには、まず、一枚の透明基板 31の両面に、導 電膜を形成する。その後、透明基板 31の一方面にレーザー光を照射しながら、導電 膜を剥離し、帯状透明導電部 32と帯状透明調整部 33とを形成する。そして、透明基 板 31の他方面にも同様にしてレーザー光を照射しながら、導電膜を剥離し、帯状透 明導電部 42と帯状透明調整部 43とを形成する。なお、透明基板 31の両面に帯状透 明導電部 32, 42等を形成する場合、両面に形成した導電膜を傷つけないよう、成膜 工程、加工工程での透明基板の取り扱いに注意する必要がある。

Claims

請求の範囲
[1] 透明基板の少なくとも一方面にパターニングされた透明導電膜を有する透明面状 体であって、
前記透明基板を介して前記透明導電膜が形成されているパターン形成領域を透 過した光の透過スペクトルと、前記透明基板を介して前記透明導電膜が形成されて
Vヽな 、非パターン形成領域を透過した光の透過スペクトルとを近似させる透過率調 節層を備えている透明面状体。
[2] 前記透過率調節層は、前記透明基板の一方面を略均一な厚みで覆うオーバコート 層を有しており、
前記オーバコート層は、厚みが前記透明導電膜の厚みよりも大きぐ且つ、屈折率 が前記透明導電膜の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項 1に記載の透明面 状体。
[3] 前記オーバコート層は、シリコン錫酸ィ匕物力 なる請求項 2に記載の透明面状体。
[4] 前記オーバコート層は、厚みが 70〜80nmである請求項 3に記載の透明面状体。
[5] 前記透明導電膜の屈折率と、前記オーバコート層の屈折率との差が、 0. 03〜0. 4 である請求項 2から 4のいずれかに記載の透明面状体。
[6] 前記透明基板と前記透明導電膜との間にアンダーコート層が介在されており、 前記アンダーコート層は、光屈折率が異なる 2以上の層の積層体力 構成され、低 屈折率層側に前記透明導電膜が形成されている請求項 2から 5のいずれかに記載 の透明面状体。
[7] 請求項 2から 6のいずれかに記載の透明面状体を複数備え、
前記各透明面状体は、粘着層を介して貼着された静電容量式の透明タツチスイツ チであって、
前記粘着層は、屈折率が前記透明導電膜の屈折率よりも小さいことを特徴とする透 明タツチスィッチ。
[8] 表面側に直線偏光板を備えることを特徴とする請求項 7に記載の透明タツチスイツ チ。
[9] 表面側に直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを備えると共に、裏面側に λ Ζ4位相差 板を備えることを特徴とする請求項 7に記載の透明タツチスィッチ。
[10] 前記透明基板は、 λ Ζ4位相差板である請求項 8に記載の透明タツチスィッチ。
[11] 前記透過率調節層は、低屈折率層と、該低屈折率層よりも光屈折率が高い高屈折 率層とを含む積層体力も構成されたアンダーコート層を備え、
前記アンダーコート層は、前記低屈折率層側に前記透明導電膜が形成されるよう に、前記透明基板と前記透明導電膜との間に介在されており、
前記高屈折率層の厚みは、前記低屈折率層の厚みよりも小さいことを特徴とする請 求項 1に記載の透明面状体。
[12] 前記高屈折率層の厚みは、 10〜25nmであり、前記低屈折率層の厚みは、 25〜4
5nmである請求項 11に記載の透明面状体。
[13] 前記高屈折率層は、シリコン錫酸ィ匕物力 なり、前記低屈折率層は、酸化珪素から なる請求項 12に記載の透明面状体。
[14] 前記透明導電膜の厚みは、 10〜25nmである請求項 11から 13のいずれかに記載 の透明面状体。
[15] 請求項 11から 14のいずれかに記載の透明面状体を複数備え、
前記各透明面状体は、粘着層を介して貼着された静電容量式の透明タツチスイツ チ。
[16] 請求項 11から 14のいずれかに記載の透明面状体を複数備える静電容量式の透 明タツチスィッチであって、
前記各透明面状体は、前記透明導電膜が互いに対向するように配置され、粘着層を 介して貼着されており、
前記透明導電膜の厚みは、 20nm〜25nmであり、
前記粘着層の屈折率は、 1. 6以上である静電容量式の透明タツチスィッチ。
[17] 請求項 11から 14のいずれかに記載の透明面状体を複数備える静電容量式の透 明タツチスィッチであって、
前記各透明面状体は、前記透明導電膜が互いに対向するように配置され、粘着層 を介して貼着されており、
前記透明導電膜の厚みは、 25nm〜30nmであり、 前記粘着層の屈折率は、 1. 7以上である静電容量式の透明タツチスィッチ。
[18] 表面側に直線偏光板を備えることを特徴とする請求項 15から 17にいずれかに記載 の透明タツチスィッチ。
[19] 表面側に直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを備えると共に、裏面側に λ Ζ4位相差 板を備えることを特徴とする請求項 15から 17のいずれかに記載の透明タツチスイツ チ。
[20] 前記透明基板は、 λ Ζ4位相差板である請求項 18に記載の透明タツチスィッチ。
[21] 前記透過率調節層は、前記透明基板の一方面における前記透明導電膜が形成さ れていない露出部を覆う被覆層を備えており、
前記被覆層は、表面が前記透明導電膜の表面と略面一になるように形成されてお り、且つ、屈折率が前記透明導電膜の屈折率と同等である請求項 1に記載の透明面 状体。
[22] 前記被覆層は、シリコン錫酸ィ匕物力もなる請求項 21に記載の透明面状体。
[23] 前記透明導電膜は、カーボンナノチューブ複合材カもなる請求項 21又は 22に記 載の透明面状体。
[24] 低屈折率層と、該低屈折率層よりも光屈折率が高い高屈折率層とを含む積層体か ら構成されたアンダーコ一ト層を更に備え、
前記アンダーコート層は、前記低屈折率層側に前記透明導電膜および前記被覆 層が形成されるように、前記透明導電膜および前記被覆層と、前記透明基板との間 に介在されている請求項 21から 23のいずれかに記載の透明面状体。
[25] 前記透明導電膜および被覆層の表面を覆うオーバコート層を更に備えており、前 記オーバコート層の表面は、平坦に形成されている請求項 21から 24のいずれかに 記載の透明面状体。
[26] 請求項 21から 25のいずれかに記載の透明面状体を複数備え、
前記各透明面状体は、粘着層を介して貼着された静電容量式の透明タツチスイツ チ。
[27] 請求項 21から 24のいずれかに記載の透明面状体を複数備え、
前記各透明面状体は、前記透明導電膜が互いに対向するように、スぺーサーを介 して所定間隔を空けて配置された抵抗膜式の透明タツチスィッチ。
[28] 表面側に直線偏光板を備えることを特徴とする請求項 26又は 27に記載の透明タツ チスィッチ。
[29] 表面側に直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを備えると共に、裏面側に λ Ζ4位相差 板を備えることを特徴とする請求項 26又は 27に記載の透明タツチスィッチ。
[30] 前記透明基板は、 λ Ζ4位相差板である請求項 28に記載の透明タツチスィッチ。
[31] 前記透明導電膜は、間隔をあけて複数配置される帯状透明導電部を備えており、 前記透過率調節層は、隣接する前記各帯状透明導電部の間に絶縁スリットを介し て配置される帯状透明調整部を備え、
前記帯状透明調整部は、前記帯状透明導電部と同一材料からなると共に、複数の 抵抗スリットを備えて ヽる請求項 1に記載の透明面状体。
[32] 前記複数の抵抗スリットは、前記各帯状透明調整部に隣接する前記絶縁スリット同 士を接続するように構成されて ヽる請求項 31に記載の透明面状体。
[33] 前記絶 リットに沿って、前記各帯状透明調整部を分離する分離スリットを更に 備えている請求項 31又は 32に記載の透明面状体。
[34] 請求項 31から 33のいずれかに記載の透明面状体を複数備え、
前記各透明面状体は、粘着層を介して貼着された静電容量式の透明タツチスイツ チ。
[35] 請求項 31から 33のいずれかに記載の透明面状体を複数備え、
前記各透明面状体は、前記帯状透明導電体が互いに対向するように、スぺーサー を介して所定間隔を空けて配置された抵抗膜式の透明タツチスィッチ。
[36] 表面側に直線偏光板を備えることを特徴とする請求項 34又は 35に記載の透明タツ チスィッチ。
[37] 表面側に直線偏光板と λ Ζ4位相差板とを備えると共に、裏面側に λ Ζ4位相差 板を備えることを特徴とする請求項 34又は 35に記載の透明タツチスィッチ。
[38] 前記透明基板は、 λ Ζ4位相差板である請求項 36に記載の透明タツチスィッチ。
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