JP4862969B1 - 透明導電性素子、入力装置、電子機器および透明導電性素子作製用原盤 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明導電性素子は、第1の表面および第2の表面を有する基材と、第1の表面および第2の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部とを備える。透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、基材表面に交互に敷き詰められる。透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている。
【選択図】図2
Description
表面を有する基材と、
表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
透明導電部と透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子である。
第2の技術は、
表面を有する基材と、
表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
透明導電部と透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
ランダム形状は、孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子である。
第1の表面および第2の表面を有する基材と、
第1の表面および第2の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、第1の表面および第2の表面の少なくとも一方に平面的に交互に並べられ、
透明電極パターン部は、複数の孔部がランダムに形成された透明導電層であり、
透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子である。
第4の技術は、
第1の表面および第2の表面を有する基材と、
第1の表面および第2の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、第1の表面および第2の表面の少なくとも一方に平面的に交互に並べられ、
透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、
透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界は、ランダム形状であり、
ランダム形状は、孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子である。
表面を有する第1の基材と、第1の基材の表面に平面的に交互に並べられた第1の透明導電部および第1の透明絶縁部とを有する第1の透明導電性素子と、
表面を有する第2の基材と、第2の基材の表面に平面的に交互に並べられた第2の透明導電部および第2の透明絶縁部とを有するとともに、第1の透明導電性素子の表面に設けられた第2の透明導電性素子と
を備え、
第1の透明導電部および第2の透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
第1の透明絶縁部および第2の透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
第1の透明導電部と第1の透明絶縁部との境界線上、および第2の透明導電部と第2の透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている入力装置である。
第6の技術は、
表面を有する第1の基材と、第1の基材の表面に平面的に交互に並べられた第1の透明導電部および第1の透明絶縁部とを有する第1の透明導電性素子と、
表面を有する第2の基材と、第2の基材の表面に平面的に交互に並べられた第2の透明導電部および第2の透明絶縁部とを有するとともに、第1の透明導電性素子の表面に設けられた第2の透明導電性素子と
を備え、
第1の透明導電部および第2の透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
第1の透明絶縁部および第2の透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
第1の透明導電部と第1の透明絶縁部との境界、および第2の透明導電部と第2の透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
ランダム形状は、孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である入力装置である。
表面を有する基材と、表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
透明導電部と透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている電子機器である。
第8の技術は、
表面を有する基材と、表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
透明導電部と透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
ランダム形状は、孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である電子機器である。
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが平面的に交互に並べられた表面を有し、
透明導電部形成領域には、凹状を有する複数の孔部がランダムに設けられ、
透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子形成用原盤である。
第10の技術は、
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが平面的に交互に並べられた表面を有し、
透明導電部形成領域には、凹状を有する複数の孔部がランダムに設けられ、
透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域との境界は、ランダム形状であり、
ランダム形状は、孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子形成用原盤である。
第1の表面および第2の表面を有する基材と、
第1の表面および第2の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、第1の表面および第2の表面の少なくとも一方に交互に敷き詰められ、
透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子である。
第1の透明導電性素子と、
第1の透明導電性素子の表面に設けられた第2の透明導電性素子と
を備え、
第1の透明導電性素子および第2の透明導電性素子の少なくとも一方が、
表面を有する基材と、
表面に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、基材の表面に交互に敷き詰められ、
透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている情報入力装置である。
透明導電性素子を備え、
透明導電性素子は、
第1の表面および第2の表面を有する基材と、
第1の表面および第2の表面に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、第1の表面および第2の表面に交互に敷き詰められ、
透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている情報入力装置である。
透明電極パターン部形成領域と透明絶縁パターン部形成領域とが交互に敷き詰められた表面を有し、
透明電極パターン部形成領域には、凹状を有する複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部形成領域には、凸状を有する複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子形成用原盤である。
基材の表面に導電性塗料を印刷する工程と、
導電性塗料を乾燥および/または加熱することにより、基材の表面に透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を形成する工程と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、基材の表面に交互に敷き詰められ、
透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子の製造方法である。
基材の表面に設けられた透明導電層の表面に、レジストパターンを形成する工程と、
レジストパターンをマスクとして、透明導電層をエッチングすることにより、基材の表面に透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を形成する工程と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、基材の表面に交互に敷き詰められ、
透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子の製造方法である。
1.第1の実施形態(透明導電性素子およびそれを用いた情報入力装置の一例)
2.第2の実施形態(印刷法による透明導電性素子の製造方法の一例)
3.第3の実施形態(透明電極パターン部および透明絶縁パターン部のランダムパターンが互いに異なる例)
4.第4の実施形態(ダイヤモンドパターン状電極の例)
5.第5の実施形態(金属ナノワイヤーを用いた透明導電性素子の例)
6.第6の実施形態(透明絶縁パターン部に網目状の溝部が設けられた例)
7.第7の実施形態(透明絶縁パターン部のみにランダムパターンを設けた透明導電性素子の例)
8.第8の実施形態(透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線長さ比の数値範囲を限定した例)
9.第9の実施形態(基材の一主面にX電極が設けられ、他主面にY電極が設けられた例)
10.第10の実施形態(基材の一主面にX電極およびY電極が設けられた例)
11.第11の実施形態(電子機器への適用例)
[情報入力装置の構成]
図1は、本技術の第1の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。図1に示すように、情報入力装置10は、表示装置4の表示面上に設けられる。情報入力装置10は、例えば貼合層5により表示装置4の表示面に貼り合わされている。
図2Aは、本技術の第1の実施形態に係る第1の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図2Bは、図2Aに示したA−A線に沿った断面図である。図2Cは、図2Aに示した領域C1を拡大して示す平面図である。図2Aおよび図2Bに示すように、第1の透明導電性素子1は、表面を有する基材11と、この表面に形成された透明導電層12とを備える。透明導電層12は、透明電極パターン部13と透明絶縁パターン部14とを備える。透明電極パターン部13は、X軸方向に延在されたX電極パターン部である。透明絶縁パターン部14は、いわゆるダミー電極パターン部であり、X軸方向に延在されるとともに、透明電極パターン部13の間に介在されて、隣り合う透明電極パターン部13の間を絶縁する絶縁パターン部である。これらの透明電極パターン部13と透明絶縁パターン部14とが、基材11の表面にY軸方向に向かって交互に敷き詰められている。なお、図2A〜図2Cにおいて、領域R1は透明電極パターン部13の形成用領域を示し、領域R2は透明絶縁パターン部14の形成領域を示す。
基材11の材料としては、例えば、ガラス、プラスチックを用いることができる。ガラスとしては、例えば公知のガラスを用いることができる。公知のガラスとしては、具体的には例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなどが挙げられる。プラスチックとしては、例えば、公知の高分子材料を用いることができる。公知の高分子材料としては、具体的には例えば、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリエステル(TPEE)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)、ポリアミド(PA)、アラミド、ポリエチレン(P)、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン(PP)、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー(COP)、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。
透明導電層12の材料としては、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物、もしくは銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、又はこれらの合金などが挙げられる。カーボンナノチューブをバインダー材料に分散させた複合材料を用いてもよい。置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる1種または2種からなる(共)重合体の導電性ポリマーを使用してもよい。これら2種以上を複合して使用してもよい。
図4Aは、本技術の第1の実施形態に係る第2の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図4Bは、図4Aに示したA−A線に沿った断面図である。図4Cは、図4Aに示した領域C2を拡大して示す平面図である。図4Aおよび図4Bに示すように、第2の透明導電性素子2は、表面を有する基材21と、この表面に形成された透明導電層22とを備える。透明導電層22は、透明電極パターン部23と透明絶縁パターン部24とを備える。透明電極パターン部23は、Y軸方向に延在されたY電極パターン部である。透明絶縁パターン部24は、いわゆるダミー電極パターン部であり、Y軸方向に延在されるとともに、透明電極パターン部23の間に介在されて、隣り合う透明電極パターン部23の間を絶縁する絶縁パターン部である。これらの透明電極パターン部23と透明絶縁パターン部24とが、基材11の表面にX軸方向に向かって交互に敷き詰められている。第1の透明導電性素子1が有する透明電極パターン部13および透明絶縁パターン部14と、第2の透明導電性素子2が有する透明電極パターン部23および透明絶縁パターン部24とは、例えば互いに直交する関係にある。なお、図4A〜図4Cにおいて、領域R1は透明電極パターン部23の形成用領域を示し、領域R2は透明絶縁パターン部24の形成領域を示す。
第2の透明導電性素子2において、上記以外のことは第1の透明導電性素子1と同様である。
光学層3は、例えば、基材31と、基材31と第2の透明導電性素子2との間に設けられた貼合層32とを備え、この貼合層32を介して基材31が第2の透明導電性素子2の表面に貼り合わされる。光学層3はこの例に限定されるものではなく、SiO2などのセラミックコート(オーバーコート)とすることも可能である。
情報入力装置10が適用される表示装置4は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、CRT(Cathode Ray Tube)ディスプレイ、プラズマディスプレイ(Plasma Display Panel:PDP)、エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:EL)ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ(Surface-conduction Electron-emitter Display:SED)などの各種表示装置が挙げられる。
次に、図5A〜図5Dを参照しながら、以上のように構成される第1の導電性素子1の製造方法の一例について説明する。なお、第2の透明導電性素子2は、第1の透明導電性素子1と同様にして製造することができるので、第2の透明導電性素子2の製造方法については説明を省略する。
まず、図5Aに示すように、基材11の表面上に透明導電層12を形成する。透明導電層12を形成する際に、基材11を加熱するようにしてもよい。透明導電層12の形成方法としては、例えば、熱CVD、プラズマCVD、光CVDなどのCVD法(Chemical Vapor Deposition(化学蒸着法):化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術)のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのPVD法(Physical Vapor Deposition(物理蒸着法):真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術)を用いることができる。次に、必要に応じて、透明導電層12に対してアニール処理を施す。これにより、透明導電層12が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態、または多結晶状態となり、透明導電層12の導電性が向上する。
次に、図5Bに示すように、透明導電層12の表面上に、上述の孔部13aおよび間隙部14bに対応する部分に開口部33を有するレジスト層41を形成する。レジスト層41の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、1種または2種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。
次に、図5Cに示すように、複数の開口部33が形成されたレジスト層41をエッチングマスクとして、透明導電層12に対してエッチング処理を施す。これにより、第1の領域R1の透明導電層12には孔部13aおよび導電部13bが形成されるとともに、第2の領域R2の透明導電層12には島部14aおよび間隙部14bが形成される。エッチングとしては、例えば、ドライエッチングおよびウエットエッチングのいずも用いることができるが、設備が簡易である点からすと、ウエットエッチングを用いることが好ましい。
次に、図5Dに示すように、アッシングなどにより、透明導電層12上に形成されたレジスト層41を剥離する。
以上により、目的とする第1の透明導電性素子1が得られる。
以下、孔部13a、23a、および島部14a、24aを形成するためのランダムパターンの生成方法について説明する。ここでは、円形状のランダムパターンを生成する場合を例として説明するが、ランダムパターンの形状はこれに限定されるものではない。
円の半径を設定範囲内でランダムに変化させ、隣接した円が常に接するように円の中心座標を計算し配置することで、配置のランダム性と高密度充填を両立したパターンを生成する。以下のようなアルゴリズムにより、少ない計算量で高密度、かつ一様にランダム配置されたパターンが得られる。
(2)「ランダムな半径の円」を決定し、既存の2円に接し、他の円に重ならないよう下から順に積上げる。
以下に、ランダムパターン生成時に使用するパラメータを示す。
Xmin:円を生成する領域のX座標最大値
Ymax:円を生成する領域のY座標最大値
Rmin:生成する円の最小半径
Rmax:生成する円の最大半径
Rfill:充填率を上げるため、補助的に円を設定する場合の最小半径
Rnd:0.0〜1.0の範囲で得られる乱数値
Pn:X座標値Xn、Y座標値Yn、半径rnで定義される円
以下に、使用するパラメータを示す。
Xmin:円を生成する領域のX座標最大値
Yw:X軸上に円を配置する時に、取り得るY座標の最大値の設定
Rmin:生成する円の最小半径
Rmax:生成する円の最大半径
Rnd:0.0〜1.0の範囲で得られる乱数値
Pn:X座標値xn、Y座標値yn、半径rnで定義される円
まず、ステップS1において、必要なパラメータを設定する。次に、ステップS2において、円P0(x0,y0,r0)を以下のように設定する。
x0=0.0
y0=0.0
r0=Rmin+(Rmax−Rmin)×Rnd
rn=Rmin+(Rmax−Rmin)×Rnd
yn=Yw×Rnd
xn=xn-1+(rn−rn-1)×cos(asin(yn−yn-1)/(rn−rn-1))
以下に、使用するパラメータを示す。
Xmin:円を生成する領域のX座標最大値
Ymax:円を生成する領域のY座標最大値
Rmin:生成する円の最小半径
Rmax:生成する円の最大半径
Rfill:充填率を上げるため、補助的に円を設定する場合の最小半径
Rnd:0.0〜1.0の範囲で得られる乱数値
Pn:X座標値xn、Y座標値yn、半径rnで定義される円
まず、ステップS11において、必要なパラメータを設定する。次に、ステップS12において、円P0から円PnのうちY座標値yiが最小な円Piを求める。次に、ステップS13において、yi<Ymaxである否かを判別する。ステップS13にてyi<Ymaxであると判別された場合には、処理は終了となる。ステップS13において、yi<Ymaxでないと判別された場合には、ステップS14において、追加する円Pkの半径rkをrk=Rmin+(Rmax−Rmin)×Rndとする。次に、ステップS15において、円Pi近傍で円Piを除きY座標値yiが最小な円Pjを求める。
以下、第1の実施形態に係る第1の透明導電性素子および第2の透明導電性素子の変形例について説明する。
図13Aは、第1の透明導電性素子の透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線近傍を拡大して表す平面図である。図13Bは、第2の透明導電性素子の透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線近傍を拡大して表す平面図である。図13Aに示すように、第1の透明導電性素子の透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線L1の形状を、孔部13aおよび島部14aの形状の一部を組み合わせて得られる形状とすることが好ましい。このような形状とすることで、境界線L1をランダムな形状とすることができる。図13Bに示すように、第2の透明導電性素子の透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線L2の形状を、孔部23aおよび島部24aの形状の一部を組み合わせて得られる形状とすることが好ましい。このような形状とすることで、境界線L2をランダムな形状とすることができる。
図14Aに示すように、第2の透明導電性素子2の基材21の一方の表面に透明導電層12を形成し、他の表面に透明導電層22を形成するようにしてもよい。この場合、図1に示した情報入力装置10において、基材11の形成は省略することができる。
図14Bに示すように、第1の透明導電性素子1の両表面のうち、少なくとも一方の表面にハードコート層61を形成するようにしてもよい。これにより、基材11にプラスチック基材を用いる場合、工程上での基材11の傷付き防止、耐薬品性付与、オリゴマーなどの低分子量物の析出を抑制することができる。ハードコート材料には、光または電子線などにより硬化する電離放射線硬化型樹脂、または熱により硬化する熱硬化型樹脂を用いることが好ましく、紫外線により硬化する感光性樹脂が最も好ましい。このような感光性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリオールアクリレート、ポリエーテルアクリレート、メラミンアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。例えば、ウレタンアクリレート樹脂は、ポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、あるいはプレポリマーを反応させ、得られた生成物に、水酸基を有するアクリレートまたはメタクリレート系のモノマーを反応させることによって得られる。ハードコート層61の厚みは、1μm〜20μmであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
図14Cに示すように、第1の透明導電性素子1の基材11と透明導電層12との間に光学調整層62を介在させることが好ましい。これにより、透明電極パターン部13のパターン形状の非視認性をアシストすることができる。光学調整層62は、例えば屈折率が異なる2層以上の積層体から構成され、低屈折率層側に透明導電層12が形成される。より具体的には、光学調整層62としては、たとえば、従来公知の光学調整層を用いることができる。このような光学調整層としては、例えば、特開2008−98169号公報、特開2010−15861号公報、特開2010−23282号公報、特開2010−27294号公報に記載されているものを用いることができる。なお、上述した第1の透明導電性素子1と同様に、第2の透明導電性素子2の基材21と透明導電層22との間に光学調整層62を介在させるようにしてもよい。
図14Dに示すように、第1の透明導電性素子1の透明導電層12の下地層として密着補助層63を設けることが好ましい。これにより、基材11に対する透明導電層12の密着性を向上することができる。密着補助層63の材料としては、例えば、ポリアクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、および金属元素の塩化物や過酸化物やアルコキシドなどの加水分解・脱水縮合生成物などを用いることができる。
図14Eに示すように、第1の透明導電性素子1にシールド層64を形成することが好ましい。例えば、シールド層64が設けられたフィルムを第1の透明導電性素子1に透明粘着剤層を介して貼り合わせるようにしてもよい。また、X電極パターンおよびY電極パターンが1枚の基材11の同じ面側に形成されてある場合、それとは反対側にシールド層64を直接形成してもよい。シールド層64の材料としては、透明導電層12と同様の材料を用いることができる。シールド層64の形成方法としても、透明導電層12と同様の方法を用いることができる。但し、シールド層64はパターニングせず基材11の表面全体に形成された状態で使用される。第1の透明導電性素子1にシールド層64を形成することで、表示装置4からから発せられる電磁波などに起因するノイズを低減し、情報入力装置10の位置検出の精度を向上させることができる。なお、上述した第1の透明導電性素子1と同様に、第2の透明導電性素子2にシールド層64を形成するようにしてもよい。
本技術に係る第2の実施形態は、エッチング法に代えて印刷法を用いて第1の透明導電性素子1および第2の透明導電性素子2を作製する点において第1の実施形態とは異なっている。なお、第2の透明導電性素子2は、第1の透明導電性素子1と同様にして作製することができるので、第2の透明導電性素子2の製造方法については説明を省略する。
図15Aは、本技術の第2の実施形態に係る第1の導電性素子の製造方法で用いられる原盤の形状の一例を示す斜視図である。図15Bは、図15Aに示した第1領域R1および第2領域R2の一部を拡大して示す平面図である。原盤100は、例えば、転写面としての円柱面を有するロール原盤であり、その円柱面には第1の領域R1および第2領域R2が交互に敷き詰められている。第1の領域R1には、凹状を有する複数の孔部113aが離間して形成されており、この孔部113a間は凸部113bにより離間されている。孔部113aは透明電極パターン部13の孔部13aを印刷により形成するためのものであり、凸部113bは透明電極パターン部13の導電部13bを印刷により形成するためのものである。第2の領域R2には、凸状を有する複数の島部114aが離間して形成されており、この島部114a間は凹部114bにより離間されている。島部114aは透明絶縁パターン部14の島部14aを印刷により形成するためのものであり、凹部114bは透明絶縁パターン部14の間隙部14bを印刷により形成するためのものである。
図16Aおよび図16Bを参照しながら、本技術の第2の実施形態に係る第1の透明導電性素子の製造方法の一例について説明する。
まず、図16Aに示すように、原盤100の転写面に導電性インクを塗布し、塗布した導電性インクを基材11の表面に印刷する。印刷法としては、例えば、スクリーン印刷、水なし平板印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷、反転オフセット印刷などを用いることができる。次に、図16Bに示すように、必要に応じて、基材11の表面に印刷された導電性インクを加熱することにより、導電性インクを乾燥および/または焼成する。これにより、目的とする第1の透明導電性素子1を得ることができる。
[透明導電性素子の構成]
第3の実施形態の第1の透明導電性素子1および第2透明導電性素子2について説明する。なお、以下では、第1の透明導電性素子1、第2の透明導電性素子2をそれぞれ、透明導電性素子1、透明導電性素子2と適宜称する。
透明電極パターン部13において図20Cのようにランダムパターンを導入すると、電気抵抗が高くなる。この透明電極パターン部13の抵抗劣化(抵抗値上昇)の改善のためには、透明電極パターン部13の導電材料被覆率は大きくしたい。つまり孔部13aの面積割合を小さくし、導電部13bの面積割合を大きくしたい。ところが、そのようにした場合、透明電極パターン部13と透明絶縁パターン部14で共通のランダムパターンを用いると、透明絶縁パターン部14側では、島部14aの面積割合が小さくなり、間隙部14bの面積割合が大きくなる。結果として、透明電極パターン部13では、導電材料被覆部分である導電部13bが目立ち、透明絶縁パターン部14では、導電材料が被覆されていない間隙部14bが目立つ状態となる。つまり、透明電極パターン部13と透明絶縁パターン部14とで導電材料の被覆率差が大きくなってしまい、非視認性が阻害される。
領域AR1:80+80=160
領域AR2:50+50=100
領域AR3:80+50=130
領域AR1:80+80=160
領域AR2:65+65=130
領域AR3:80+65=145
但し、透明絶縁パターン部14、24における導電材料部(島部14a、24a)の被覆率を高くすることは、例えば後述する印刷形成の場合、それだけ導電材料の使用量が多くなり、材料コストが高くなる。そこで、各領域間の加算値の差が60を越えない範囲で、材料コストや透明電極パターン部13の抵抗値を勘案して、透明絶縁パターン部14、24における導電材料部(島部14a、24a)の被覆率を設定するとよい。
第3の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法は、ランダムパターンの形成方法以外の点では、第1の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法と同様である。第3の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法では、透明電極パターン部用のランダムパターンと透明絶縁パターン部用のランダムパターンは、パターン生成条件(半径範囲、生成した円内への図形描写条件、後述する乱数の重み付けなど)が互いに異なる条件となるように設定して生成する。
本実施形態の透明導電性素子1、2では、透明電極パターン部13、23と透明絶縁パターン部14、24とで異なるランダムパターンに基づいて導電材料部が形成されている。ここでは、このような導電材料部を形成のための元となるランダムパターン自体の形成方法の例を述べる。例として、円形状の孔部13a、23a、および島部14a、24aを形成するためのランダムパターンの生成方法について説明するが、ランダムパターンの形状はこれに限定されるものではない。
図8のように生成される円の径は、
円の径=設定最小径Rmin+(設定最大径Rmax−設定最小径Rmin)×乱数
である。
そして乱数値Rndは0.0〜1.0の範囲で得られる乱数値である。
この乱数を、計算結果が0〜1の範囲になるような計算式に代入することにより生成円径の分布に重み付けが可能となる。
例えば、(乱数)3とすることで、小さい径の分布を増やすことができる。また、(乱数)1/3とすることで、大きい径の分布を増やすことができ、ドット充填率を増加できる。図23Aに、y=x1/3、y=x3として重み付け後の乱数を示している。
このように乱数の重み付けを行った場合の円(ドット)の直径の頻度を図23Bに示す。これは生成するランダムパターンとして、以下の条件で円状のランダムパターンを生成した場合である。
・半径範囲:35〜56μm
・半径縮小値:10μm
図24Cの場合も、生成したランダムな円配置のパターンを利用する。そして、この場合は、各円の中心座標から、近接する円の中心座標を結ぶ線分を引いていく。つまり近傍の円の中心同視を結んでいく。このようにすることでもランダムメッシュパターンが生成できる。
本技術に係る第3の実施形態は、エッチング法に代えて印刷法を用いて透明導電性素子1、2を作製するようにしてもよい。印刷法に用いる原盤の転写面形状以外のことは、上述の第2の実施形態と同様とすることができるので、ここでは原盤の構成のみについて説明する。
図25Aは、原盤の形状の一例を示す斜視図である。図25Bは、図25Aに示した領域R1および領域R2の一部を拡大して示す平面図である。原盤100は、例えば、転写面としての円柱面を有するロール原盤であり、その円柱面には領域R1および領域R2が交互に敷き詰められている。
透明導電性素子1、2の第4の実施形態として、ダイヤモンド状パターン電極を有する場合を説明する。
第5の実施形態では、金属ナノワイヤーを用いた透明導電性素子1、2について説明する。透明導電層12が金属ナノワイヤーで形成される場合、透明電極パターン部13にランダムパターン処理を施すと、金属ナノワイヤー被覆面積が減少することで、導電部の反射L値の値が小さくなる。その結果、導電材料部の画面の黒表示がより沈み、直線状パターンやダイヤモンドパターンなどを使用した場合と比べてディスプレイの表示特性(コントラスト)が向上する。また、所定の表面処理を組み合わせることにより、導電材料部と非導電部ともに反射L値をより低く抑えることが可能となり、コントラストがさらに向上する。
(工程1)金属ナノワイヤーを溶剤に分散させる。分散手法としては、攪拌、超音波分散、ビーズ分散、混錬、ホモジナイザー処理などが好ましく適用できる。ワイヤーの配合量は塗料重量を100重量部とした場合、0.01〜10重量部とする。0.01重量部未満である場合、塗布で膜形成した場合に十分な目付量が得られない。一方、10重量部よりも大きい場合、ナノワイヤーの分散性が劣化する傾向にある。金属ナノワイヤーの分散性向上のため、金属ナノワイヤー塗分散液にPVP、ポリエチレンイミンなどのアミノ基含有化合物を分散剤として添加しても良い。分散剤を添加する場合は、塗膜化した際に導電性が劣化しない程度の添加量にすることが好ましい。その他、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、ビニル基、チオール基、カルビノール基などの官能基を有する化合物で金属に吸着可能なものを分散剤として用いても良い。基材80への塗布性、密着性や耐久性を向上させるため、バインダーや添加剤などを混合してもよい。
図30は、第6の実施形態の透明導電性素子の構成を説明する平面図である。図31Aは、図30における拡大部Aの拡大平面図である。図31Bは、図31Aの拡大平面図におけるA−A’部分の断面図である。これらの図に示す透明導電性素子1は、例えば表示パネルにおける表示面側に好適に配置される透明導電性素子であって、以下のように構成される。
基材11は、例えば透明材料で構成されたものであって、例えば、公知のガラスまたは公知のプラスチックを用いることができる。公知のガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなどが挙げられる。公知のプラスチックとしては、例えば、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリエステル(TPEE)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)、ポリアミド(PA)、アラミド、ポリエチレン(P)、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン(PP)、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー(COP)、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。
透明導電層12の材料としては、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。この他にも、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられる。
透明電極パターン部13は、透明導電層12に対して複数の孔部13aをランダムに設けた領域として構成されている。つまり透明電極パターン部13は、透明導電層12を用いて構成されており、ランダムパターンとしてランダムな大きさの孔部13aがランダムに配列されている。ここでは例えば、様々な直径を有する円形の孔部13aを、それぞれ独立して透明導電層12に配置されており、これによって各透明電極パターン部13が全体として導電性が確保されている。
透明絶縁パターン部14は、透明電極パターン部13に隣接して配置された領域であり、各透明電極パターン部13間を埋め込むと共に、各透明電極パターン部13間を絶縁する状態で設けられている。この透明絶縁パターン部14に配置された透明導電層12は、ランダムな方向に延設された溝部14cによって独立した島状に分割されている。つまり透明絶縁パターン部14は、透明導電層12を用いて構成されており、ランダムな方向に延設された溝部14cによって透明導電層12を分割してなる島状パターンが、ランダムパターンとして配置されているのである。これらの島状パターン(すなわちランダムパターン)は、ランダムな方向に延設された溝部14cによって、ランダムな多角形に分割されたものとなる。尚、延設方向がランダムな溝部14c自体も、ランダムパターンとなる。
第6の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法は、絶縁領域である透明絶縁パターン部14のランダムパターンの形成方法以外の点では、第1の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法と同様である。
図32Aに示すように、生成したランダムパターンにおいて、外周が接する円の中心同士を結ぶ直線を発生させる。これにより、図32Bに示すように、ランダムな方向に延設された線分によって構成された多角形のランダムパターンが生成される。次に、図32Cに示すように、多角形のランダムパターンを構成する線分を所定の線幅に太らせ、これらの太らせた線分を図31Aに示した透明絶縁パターン部14における溝部14cとすることで、透明絶縁パターン部14のランダムパターンを得る。
以上説明した構成の透明導電性素子1では、透明電極パターン部13を構成する透明導電層12に対して複数の孔部13aをランダムに設けたことにより、透明電極パターン部13においての透明導電層12による被覆率が抑えられている。一方、透明電極パターン部13に隣接する透明絶縁パターン部14には、島状に分割された透明導電層12が配置されている。これにより、透明電極パターン部13と透明絶縁パターン部14とにおいての、透明導電層12による被覆率差が小さく抑えられ、これらのパターン部13、14間のコントラストを低下させて透明電極パターン部13のパターンの視認性を低下させることができる。
本技術に係る第2の実施形態は、エッチング法に代えて印刷法を用いて透明導電性素子1、2を作製するようにしてもよい。印刷法に用いる原盤の転写面形状以外のことは、上述の第2の実施形態と同様とすることができるので、ここでは原盤の構成のみについて説明する。
図34Aは、第1の製造方法で用いられる原盤の形状の一例を示す斜視図である。図34Bは、図34Aに示した電極領域形成部R1および絶縁領域形成部R2の一部(拡大部B)を拡大して示す平面図である。これらの図に示す原盤100は、例えば、転写面としての円柱面を有するロール原盤であり、その円柱面には電極領域形成部R1および絶縁領域形成部R2が交互に敷き詰められている。
図35A、図35Bは、第7の実施形態の透明導電性素子の構成を説明するための拡大図である。図35Aは、図30における拡大部Aに対応する拡大平面図であり、図35Bは、図35Aの拡大平面図におけるA−A’部分の断面図である。これらの図に示す透明導電性素子1が、図31を用いて説明した第6の実施形態の透明導電性素子1と異なるところは、透明電極パターン部13がベタ膜状の透明導電層12で構成されているところにあり、他の構成は同様である。
このような構成の透明導電性素子2であっても、透明電極パターン部13に隣接する透明絶縁パターン部14には、ランダムな方向に延設された溝部14cによって島状に分割された透明導電層12が配置されている。このため、第6の実施形態と同様に、モアレの発生が抑制され、しかも透明電極パターン部13の輪郭が目立たない構成であるとともに、透明電極パターン部13におけるシート抵抗を低く抑えるために透明導電層12の膜厚を厚く設定した場合であっても、透明導電層12の被覆率が高い透明絶縁パターン部14を構成することができる。したがって、透明電極パターン部13のコントラストを効果的に小さくすることが可能になる。
図36Aは、本技術の第8実施形態に係る透明導電性素子の一構成例を説明するための平面図である。本技術の第8の実施形態は、透明電極パターン部13の平均境界線長さLaと、透明絶縁パターン部14の平均境界線長さLbとの平均境界線長さ比(La/Lb)の数値範囲を限定している点において、第1の実施形態とは異なっている。具体的には、第1の領域(電極領域)R1に設けられた透明電極パターン部13の平均境界線長さLaと、第2の領域(絶縁領域)R2に設けられた透明絶縁パターン部14の平均境界線長さLbとの平均境界線長さ比(La/Lb)は、0.75以上1.25以下の範囲内であることが好ましい。但し、平均境界線長さLaは、透明電極パターン部13に設けられた孔部13aと導電部13bとの平均境界線の長さであり、平均境界線の長さLbは、透明絶縁パターン部14に設けられた島部14aと間隙部14bとの平均境界線の長さである。
図36Bは、本技術の第8実施形態に係る透明導電性素子の変形例を説明するための平面図である。図36Bに示すように、透明絶縁パターン部14に網目状の溝部14cを設けた構成とした場合にも、平均境界線長さ比(La/Lb)は、0.75以上1.25以下の範囲内であることが好ましい。ここで、平均境界線の長さLbは、透明絶縁パターン部14に設けられた島部14aと、間隙部の一例である溝部14cとの平均境界線の長さである。透明絶縁パターン部14の平均境界線長さLbは、画像解析により境界線(Σli=l1+・・・+ln)を計測し、境界線長さL1、・・・・、L10[mm/mm2]を得る以外は、上述の方法と同様にして求めることができる。但し、境界線li(l1、・・・、ln)は、各島部14aと溝部14cとの境界線を意味する。
図37は、本技術の第9の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。第9の実施形態に係る情報入力装置は、基材21の一方の主面に透明導電層12を備え、他方の主面に透明導電層22を備える点において、第1の実施形態の情報入力装置とは異なっている。透明導電層12は、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とを備える。透明導電層22は、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とを備える。透明導電層12の透明電極パターン部は、X軸方向に延在されたX電極パターン部であり、透明導電層22の透明電極パターン部は、Y軸方向に延在されたY電極パターン部である。したがって、透明導電層12と透明導電層22との透明電極パターン部とは互いに直交する関係にある。
図38は、本技術の第10の実施形態に係る透明導電性素子の構成の一例を示す断面図である。図38に示すように、情報入力装置10は、基材11と、複数の透明電極パターン部13および透明電極パターン部23と、絶縁パターン部14と、透明絶縁層51とを備える。複数の透明電極パターン部13および透明電極パターン部24は、基材11の同一の表面に設けられている。絶縁パターン部14は、基材11の面内方向における透明電極パターン部13および透明電極パターン部23の間に設けられている。透明絶縁層51は、透明電極パターン部13および透明電極パターン部23の交差部間に介在されている。
透明絶縁層51は、連結部13nと連結部23nとが交差する部分より大きな面積を有していることが好ましく、例えば、交差部Cに位置するパッド部13mおよびパッド部23mの先端に被さる程度の大きさを有している。
連結部13nを構成する導電層としては、例えば、金属層または透明導電層を用いることができる。金属層は、金属を主成分として含んでいる。金属としては、導電性の高い金属を用いるこことが好ましく、このような材料としては、例えば、Ag、Al、Cu、Ti、Nb、不純物添加Siなどが挙げられるが、導電性の高さ、ならびに成膜性および印刷性などを考慮すると、Agが好ましい。金属層の材料として導電性が高い金属を用いることにより、連結部13nの幅を狭くし、その厚さを薄くし、その長さを短くすることが好ましい。これにより視認性を向上することができる。
(電子機器への適用例)
図40〜図44には、図1を用いて説明した第1の実施形態に係る情報入力装置を備えた表示装置を、表示部に適用した電子機器の一例を示す。以下に、本技術の電子機器の適用例について説明する。
以上説明した第11の実施形態の各電子機器では、第1の実施形態で説明した表示装置を表示部に用いているため、情報入力装置10を有しつつも、表示パネルにおいての高精彩な表示を行うことが可能になる。
まず、スパッタリング法により、厚み125μmのPETフィルムの表面にITO層を形成することにより、透明導電性フィルムを得た。この透明導電性フィルムのシート抵抗は254Ω/□であった。次に、透明導電性フィルムのITO層上にレジスト層を形成した後、ランダムパターンの形成されたCrフォトマスクを用いて、レジスト層を露光した。この際、Crフォトマスクのランダムパターンとしては、円形状からなるランダムパターンを採用した。次に、レジスト層を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、ITO層をウエットエッチングした後、レジスト層をアッシング処理により除去した。これにより、表2に示すパラメータを有する複数の孔部、および複数の島部がそれぞれランダムに形成された透明電極パターン部、および透明絶縁パターン部が得られた。これらのパターン部の写真を図45Aおよび図45Bに示す。図45Aおよび図45Bにおいて、第1の領域R1が、電極として機能する導電部であり、第2の領域R2が、ダミー電極として機能する非導電部である。
以上により、目的とする透明導電性フィルムが得られた。
塗布法により、厚み125μmのPETフィルムの表面に銀ナノワイヤー層を形成することにより、透明導電性フィルムを得た。この透明導電性フィルムのシート抵抗は130Ω/□であった。これ以外は、実施例1−1〜1−4と同様にして透明導電性フィルムを得た。
ランダムパターンの形成されていないCrフォトマスクを用いて透明電極パターン部、および透明絶縁パターン部を形成する以外のことは、実施例1−1と同様にして透明導電性フィルムを得た。
ランダムパターンの形成されていないCrフォトマスクを用いて透明電極パターン部、および透明絶縁パターン部を形成する以外のことは、実施例1−5と同様にして透明導電性フィルムを得た。
上述のようにして得られた透明導電性フィルムについて、透明電極パターン部の非視認性、ギラツキ、ならびにモアレおよび干渉光を、以下のようにして評価した。まず、対角3.5インチの液晶ディスプレイ上に、粘着シートを介して透明導電性フィルムのITO側または銀ワイヤー側の面が画面と対向するように貼り合わせた。次に、透明導電性フィルムの基材(PETフィルム)側に、粘着シートを介してARフィルムを貼り合わせた。その後、液晶ディスプレイを黒表示または緑色表示し、表示面を目視により観察して、非視認性、ギラツキ、ならびにモアレおよび干渉光を評価した。その結果を表2に示す。
以下に、非視認性、ギラツキ、ならびにモアレおよび干渉光の評価基準を示す。
◎:どの角度から見てもパターンを全く視認できない
○:パターンが非常に視認しにくいが、角度によっては視認可能
×:視認可能
◎:あらゆる角度から観察してギラツキが感じられない
○:正面から観察してギラツキがないが、斜めから観察してギラツキが少し感じられる
×:正面から観察してギラツキが感じられる
◎:あらゆる角度から観察してモアレおよび干渉光が感じられない
○:正面から観察してモアレおよび干渉光がないが、斜めから観察してモアレおよび干渉光が少し感じられる
×:正面から観察してモアレおよび干渉光が感じられる
孔部および島部をランダムに形成した実施例1−1〜1−8では、導電パターン部の非視認性を向上することができる。また、ぎらつきを抑制し、かつ、モアレおよび干渉光の発生も抑制することができる。これに対して、孔部および島部を形成していない比較例1−1、1−2では、導電パターン部の非視認性を向上することはできない。
まず、スパッタリング法により、厚み125μmのPETフィルムの表面にITO層を形成することにより、透明導電性フィルムを得た。この透明導電性フィルムのシート抵抗は150Ω/□であった。次に、透明導電性フィルムのITO層上にレジスト層を形成した後、ランダムパターンの形成されたCrフォトマスクを用いて、レジスト層を露光した。この際、Crフォトマスクのランダムパターンとしては、円形状からなるランダムパターンを採用した。次に、レジスト層を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、ITO層をウエットエッチングした後、レジスト層をアッシング処理により除去した。
つまり図22Bや図27Bで示した領域AR1、AR2、AR3でいうと、被覆率の加算値は、
領域AR1:66.9+66.9=133.8
領域AR2:49.8+49.8=99.6
領域AR3:66.9+49.8=116.7
となり、加算値の差の最大値は、133.8−99.6=34.2となる。
塗布法により、厚み125μmのPETフィルムの表面に銀ナノワイヤー層を形成することにより、透明導電性フィルムを得た。この透明導電性フィルムのシート抵抗は100Ω/□であった。これ以外は、実施例2−1〜2−3と同様にして評価を行った。この場合も、実施例2−6において導電材料部の被覆率の加算値の差は、最大で34.2である。表3に示すように、実施例2−4(透明導電性素子1の単体)、実施例2−5(透明導電性素子2の単体)、実施例2−6(実施例2−4、2−5を用いた図1の構成の情報入力装置10)において、モアレおよび干渉光やギラツキに関しては極めて良好で、非視認性もほぼ良好であった。
上記の実施例2−4〜2−6と同様の手法を用いて、表3に示すパラメータを有する複数の孔部13a、および複数の島部14aがそれぞれランダムに形成された透明電極パターン部、および透明絶縁パターン部の実施例2−7のX電極(透明導電性素子1)、実施例2−8のY電極(透明導電性素子2)、実施例2−9のX電極とY電極の組合せ(情報入力装置10)を得た。但し、Y電極の導電部には、ランダムパターンを配置しなかった。
上記の実施例2−4〜2−6と同様の手法を用いて、実施例2−10のX電極(透明導電性素子1)、実施例2−11のY電極(透明導電性素子2)、実施例2−12のX電極とY電極の組合せ(情報入力装置10)を得た。
図48Aに示すように、電極領域にはランダムパターンなし、絶縁領域にはランダムパターンとして溝パターンが形成されるようにパターン露光を行った。ランダムパターン生成の際に用いたパラメータは次のようである。
電極領域…なし
絶縁領域…半径範囲:25μm〜45μm、溝パターンの線幅:8μm
図48Bに示すように、電極領域にはランダムパターンとして孔パターンが形成され、絶縁領域にはランダムパターンとして溝パターンが形成されるようにパターン露光を行った。ランダムパターン生成の際に用いたパラメータは次のようである。
電極領域…半径範囲:35μm〜48μm、半径縮小値:18.5μm
絶縁領域…実施例3−1と同一
図48Cに示すように、電極領域にはランダムパターンとして帯状パターンが形成され、絶縁領域にはランダムパターンとして溝パターンが形成されるようパターン露光を行った。ランダムパターン生成の際に用いたパラメータは次のようである。
電極領域…半径範囲:25μm〜45μm、帯状パターンの線幅:30μm
絶縁領域…実施例3−1と同一
電極領域、絶縁領域とも、ランダムパターン無しとした。
以上のようにパターン露光を行った後、レジスト層を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、銀ナノワイヤー層をウエットエッチングした。エッチング終了後には、レジスト層をアッシング処理により除去した。
実施例3−1〜3−3および比較例で作製した各透明電極素子について、電極領域および絶縁領域のパターンの非視認性、モアレおよび干渉光、ギラツキを目視にて評価した。この結果を、透明導電層による各被覆率パラメータと共に下記表4に合わせて示した。各項目の評価基準は次のようである。
上述の実施例1−1〜1−8、比較例1−1、1−2と同様にして、非視認性を評価した。
上述の実施例1−1〜1−8、比較例1−1、1−2と同様にして、モアレおよび干渉光を評価した。
上述の実施例1−1〜1−8、比較例1−1、1−2と同様にして、ギラツキを評価した。
本実施例および比較例において、透明電極パターン部の平均境界線長さLaは、以下のようにして求めた。まず、デジタルマイクロスコープ(株式会社キーエンス製、商品名:VHX-900)にて観察倍率100〜500倍の範囲で透明電極パターン部を観察し、観察像を保存する。次に、保存した観察像から画像解析により境界線を計測し、境界線長さL1[mm/mm2]を得る。この計測を、透明電極パターン部から無作為に選び出された10視野について行い、境界線長さL1、・・・・、L10を得る。次に、得られた境界線長さL1、・・・・、L10を単純に平均(算術平均)して、透明電極パターン部の平均境界線長さLaを求める。
本実施例および比較例において、平均境界線長さ比は、上述の「平均境界線長さの評価方法」で求めた平均境界線長さLa、Lbを、以下の式に代入することにより求めた。
平均境界線長さの比=(平均境界線長さLa)/(平均境界線長さLb)
表5に示すパラメータを有する複数の孔部、および複数の島部をランダムに形成する以外は、実施例1−1〜1−8、比較例1−1、1−2と同様にして透明導電性フィルムを得た。
透明導電性フィルムの透明電極パターン部と透明絶縁パターン部が形成された側に黒テープを貼った状態で、黒テープを貼った側とは反対側から、JIS Z8722に従い、エックスライト社製カラーi5で測定した。この測定を、透明導電性フィルムの透明電極パターン部から無作為に選び出された5箇所で行い、測定値を単純に平均(算術平均)して、透明電極パターン部の平均反射L値を求めた。また、同様の測定を透明導電性フィルムの透明絶縁パターン部についても行い、透明絶縁パターン部の平均反射L値を求めた。
上述の「反射L値の評価」の評価で求めた反射L値を、以下の式に代入することにより反射L値の差の絶対値を求めた。
反射L値の差の絶対値=|(透明電極パターン部の反射L値)−(透明絶縁パターン部の反射L値)|
上述の実施例1−1〜1−8、比較例1−1、1−2と同様にして、非視認性を評価した。
上述の実施例1−1〜1−8、比較例1−1、1−2と同様にして、モアレおよび干渉光を評価した。
上述の実施例1−1〜1−8、比較例1−1、1−2と同様にして、ギラツキを評価した。
各実施例にて生成したランダムパターン円内に描いた図形を円から他の形状へ変更した場合でも、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との被覆率差および境界線長さの比が円の場合と同等となるようにすれば、円の場合と同様の評価結果となった。
境界線長さの比を0.75以上1.25以下の範囲内とすることで、パターンの視認を抑制できる。これに対して、境界線長さの比を0.75以上1.25以下の範囲外とすると、被覆率差が同等であってもパターンが視認されてしまう。これは、例えば、導電材料が有る部分と無い部分とで屈折率が異なることに起因する。導電材料が有る部分と無い部分とで屈折率差が大きい場合、導電材料が有る部分と無い部分との境界部で光散乱が発生する。これにより、境界線長さがより長い領域の方がより白っぽく見えてしまい、JIS Z8722に従い評価した導電部と非導電部との反射L値差の絶対値が0.3以上となり、被覆率差に依らずパターンが視認されてしまう。
(1−1)
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である透明導電性素子。
(1−2)
上記透明導電部の平均境界線長さL1と上記透明絶縁部の平均境界線長さL2との平均境界線長さ比(L1/L2)が、0.75以上1.25以下の範囲内である(1−1)記載の透明導電性素子。
(1−3)
上記透明導電部および上記透明絶縁部の反射L値の差の絶対値が、0.3未満である(1−1)または(1−2)記載の透明導電性素子。
(1−4)
上記孔部および上記島部が、ドット状を有している(1−1)〜(1−3)の何れかに記載の透明導電性素子。
(1―5)
上記ドット状は、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる少なくとも1種である(1−4)記載の透明導電性素子。
(1−6)
上記孔部間の導電部および上記島部間の間隙部が、網目状を有している(1−1)〜(1−3)の何れかに記載の透明導電性素子。
(1−7)
上記孔部がドット状を有し、上記島部間の間隙部が網目状を有している(1−1)〜(1−3)の何れかに記載の透明導電性素子。
(1−8)
上記孔部間の導電部が網目状を有し、上記島部がドット状を有している(1−1)〜(1−3)の何れかに記載の透明導電性素子。
(1−9)
上記透明導電部と上記透明絶縁部とにおけるランダムのパターンが、互いに異なるランダムのパターンである(1−1)〜(1−8)の何れかに記載の透明導電性素子。
(1−10)
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている(1−1)〜(1−9)の何れかに記載の透明導電性素子。
(1−11)
上記透明導電部および透明絶縁部における上記透明導電層の被覆率は、65%以上100%以下である(1−1)〜(1−10)の何れかに記載の透明導電性素子。
(1−12)
上記表面とは反対側となる裏面に、交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部をさらに備え、
上記表面の透明導電層の被覆率と上記裏面の透明導電層の被覆率との加算値の差が、0%以上60%以下の範囲内である(1−1)〜(1−11)の何れかに記載の透明導電性素子。
(1−13)
上記透明導電部が、複数の領域を有し、
上記領域の幅をW、上記領域の長さをLとしたとき、比率(L/W)が大きな領域ほど、上記透明導電層の被覆率が大きく設定されている(1−1)〜(1−12)の何れかに記載の透明導電性素子。
(1−14)
上記透明導電部は、透明電極パターン部である(1−1)〜(1−13)の何れかに記載の透明導電性素子。
(1−15)
第1の表面および第2の表面を有する基材と、
上記第1の表面および上記第2の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第1の表面および上記第2の表面の少なくとも一方に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、
上記透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界線の形状は、ランダム形状である透明導電性素子。
(1−16)
第1の透明導電性素子と、
上記第1の透明導電性素子の表面に設けられた第2の透明導電性素子と
を備え、
上記第1の透明導電性素子および上記第2の透明導電性素子の少なくとも一方が、
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である入力装置。
(1−17)
透明導電性素子を備え、
上記透明導電性素子は、
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である電子機器。
(1−18)
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが交互に設けられた表面を有し、
上記透明導電部形成領域には、凹状を有する複数の孔部がランダムに設けられ、
上記透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
上記透明導電部形成領域と上記透明絶縁部形成領域との境界は、ランダム形状である透明導電性素子形成用原盤。
(2−1)
第1の表面および第2の表面を有する基材と、
上記第1の表面および上記第2の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第1の表面および上記第2の表面の少なくとも一方に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子。
(2−2)
上記透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、
上記透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層である(2−1)記載の透明導電性素子。
(2−3)
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界線の形状は、ランダム形状である(2−1)または(2−2)記載の透明導電性素子。
(2−4)
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部が離間してランダムに形成されている(2−1)〜(2−3)の何れかに記載の透明導電性素子。
(2−5)
上記孔部および島部の形状は、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる少なくとも1種である(2−1)〜(2−4)の何れかに記載の透明導電性素子。
(2−6)
第1の透明導電性素子と、
上記第1の透明導電性素子の表面に設けられた第2の透明導電性素子と
を備え、
上記第1の透明導電性素子および上記第2の透明導電性素子の少なくとも一方が、
表面を有する基材と、
上記表面に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記基材の表面に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている情報入力装置。
(2−7)
透明導電性素子を備え、
上記透明導電性素子は、
第1の表面および第2の表面を有する基材と、
上記第1の表面および上記第2の表面に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第1の表面および上記第2の表面に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている情報入力装置。
(2−8)
透明電極パターン部形成領域と透明絶縁パターン部形成領域とが交互に敷き詰められた表面を有し、
上記透明電極パターン部形成領域には、凹状を有する複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部形成領域には、凸状を有する複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子形成用原盤。
(2−9)
基材の表面に導電性塗料を印刷する工程と、
上記導電性塗料を乾燥および/または加熱することにより、上記基材の表面に透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を形成する工程と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記基材の表面に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子の製造方法。
(2−10)
上記印刷の工程では、透明導電性素子形成用原盤の表面に導電性塗料を塗布し、塗布された透明導電塗料を基材の表面に印刷し、
上記透明導電性素子形成用原盤は、
透明電極パターン部形成領域と透明絶縁パターン部形成領域とが交互に敷き詰められた表面を有し、
上記透明電極パターン部には、凹状を有する複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、凸状を有する複数の島部が離間してランダムに形成されている(2−9)記載の透明導電性素子の製造方法。
(2−11)
基材の表面に設けられた透明導電層の表面に、レジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとして、上記透明導電層をエッチングすることにより、上記基材の表面に透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を形成する工程と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記基材の表面に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子の製造方法。
(3−1)
基材と、
上記基材の表面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と、
を備え、
上記透明電極パターン部および透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電部が互いに異なるパターンで形成されている透明導電性素子。
(3−2)
上記透明電極パターン部および上記透明絶縁パターン部は、上記導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている(3−1)記載の透明導電性素子。
(3−3)
上記透明電極パターン部は、上記導電材料部の形成面内で、複数の上記非導電部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部は、上記非導電部の形成面内で、上記導電材料部が離間してランダムに形成されており、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とでは、上記導電材料部と上記非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている(3−1)または(3−2)記載の透明導電性素子。
(3−4)
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とでは、異なる生成条件によって生成したランダムパターンに基づいて、上記導電材料部と上記非導電部を配置することで、互いに異なるランダムパターンとなるようにする(3−2)または(3−3)記載の透明導電性素子。
(3−5)
上記透明電極パターン部および透明絶縁パターン部における上記導電材料部の被覆率は65%以上100%以下である(3−1)〜(3−4)の何れかに記載の透明導電性素子。
(3−6)
上記透明電極パターン部は、上記導電材料部の被覆率が異なる複数の領域により形成されている(3−1)〜(3−5)の何れかに記載の透明導電性素子。
(3−7)
基材表面に所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部とを有する第1の透明導電性素子と、
基材表面に上記所定方向とは直交する方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部とを有し、入力面方向から見て上記第1の透明導電性素子と重ね合わされた位置関係で配置される第2の透明導電性素子と、
を備え、
上記第1、第2の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部および透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている入力装置。
(3−8)
上記第1、第2の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部および上記透明絶縁パターン部は、上記導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている(3−7)記載の入力装置。
(3−9)
上記第1の透明導電性素子と上記第2の透明導電性素子が重ね合わされた状態で入力面方向からみた全ての領域で、上記第1の透明導電性素子の上記導電材料部の被覆率と上記第2の透明導電性素子における導電材料部の被覆率との加算値の差が、0以上60以下である(3−7)または(3−8)記載の入力装置。
(4−1)
基材と、
前記基材上に設けられた透明導電膜と、
前記透明導電膜を用いて構成された電極領域と、
前記電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターンによって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域と
を有する透明電極素子。
(4−2)
前記電極領域と前記絶縁領域との境界には、当該領域間にわたる前記透明導電膜がランダムに配置されている(4−1)記載の透明電極素子。
(4−3)
前記絶縁領域に配置された前記各溝パターンは、同一の線幅を有する(4−1)または(4−2)記載の透明電極素子。
(4−4)
前記電極領域を構成する前記透明導電膜には、複数の孔パターンがランダムに設けられている(4−1)〜(4−3)の何れかに記載の透明電極素子。
(4−5)
前記電極領域は、前記透明導電膜によって構成された複数の帯状パターンがランダムな方向に延設して配置され、当該帯状パターンによって前記孔パターンが分割されている(4−4)記載の透明電極素子。
(4−6)
前記基材は、透明材料で構成されている(4−1)〜(4−5)の何れかに記載の透明電極素子。
(4−7)
基材と、
前記基材上に設けられた透明導電膜と、
前記透明導電膜を用いて構成された複数の電極領域と
前記複数の電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターン
によって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域と
を有する情報入力装置。
(4−8)
表示パネルと、
前記表示パネルの表示面側に設けられた透明導電膜と、
前記透明導電膜を用いて構成された複数の電極領域と
前記複数の電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターン
によって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域とを有する電子機器。
(5−1)
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である透明導電性素子。
(5−2)
上記透明導電部および上記透明絶縁部の反射L値の差の絶対値が、0.3未満である(5−1)記載の透明導電性素子。
(5−3)
上記島部が、ドット状を有している(5−1)または(5−2)記載の透明導電性素子。
(5―4)
上記ドット状は、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる少なくとも1種である(5−3)記載の透明導電性素子。
(5−5)
上記島部間の間隙部が、網目状を有している(5−1)または(5−2)の何れかに記載の透明導電性素子。
(5−6)
上記透明導電部は、一様な厚さで連続的に設けられた透明導電層である(5−1)〜(5−5)の何れかに記載の透明導電性素子。
(5−7)
上記透明導電部および透明絶縁部における上記透明導電層の被覆率は、65%以上100%以下である(5−6)の何れかに記載の透明導電性素子。
(5−8)
上記表面とは反対側となる裏面に、交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部をさらに備え、
上記表面の透明導電層の被覆率と上記裏面の透明導電層の被覆率との加算値の差が、0%以上60%以下の範囲内である(5−1)〜(5−7)の何れかに記載の透明導電性素子。
(5−9)
上記透明導電部は、透明電極パターン部である(5−1)〜(5−9)の何れかに記載の透明導電性素子。
(5−10)
第1の表面および第2の表面を有する基材と、
上記第1の表面および上記第2の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第1の表面および上記第2の表面の少なくとも一方に交互に敷き詰められ、
上記透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界線の形状は、ランダム形状である透明導電性素子。
(5−11)
第1の透明導電性素子と、
上記第1の透明導電性素子の表面に設けられた第2の透明導電性素子と
を備え、
上記第1の透明導電性素子および上記第2の透明導電性素子の少なくとも一方が、
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である入力装置。
(5−12)
透明導電性素子を備え、
上記透明導電性素子は、
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である電子機器。
(5−13)
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが交互に設けられた表面を有し、
上記透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
上記透明導電部形成領域と上記透明絶縁部形成領域との境界は、ランダム形状である透明導電性素子形成用原盤。
(5−14)
透明導電部形成領域には、一様な高さの凸状の平坦面が設けられている(5−13)記載の透明導電性素子形成用原盤。
2 第2の透明導電性素子
3 光学層
4 表示装置
5、32 貼合層
11、21、31 基材
12、22 透明導電層
13、23 透明電極パターン部
14、24 透明絶縁パターン部
13a、23a 孔部
13b、23b 導電部
14a、24a 島部
14b、24b 間隙部
15 反転部
41 レジスト層
33 開口部
L1、L2 境界線
R1 第1の領域
R2 第2の領域
Claims (21)
- 表面を有する基材と、
上記表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子。 - 表面を有する基材と、
上記表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
上記ランダム形状は、上記孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子。 - 上記透明導電部の平均境界線長さL1と上記透明絶縁部の平均境界線長さL2との平均境界線長さ比(L1/L2)が、0.75以上1.25以下の範囲内である請求項1または2記載の透明導電性素子。
- 上記透明導電部および上記透明絶縁部の反射L値の差の絶対値が、0.3未満である請求項1または2記載の透明導電性素子。
- 上記孔部および上記島部が、ドット状を有している請求項1または2記載の透明導電性素子。
- 上記ドット状は、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項5記載の透明導電性素子。
- 上記孔部間の導電部および上記島部間の間隙部が、網目状を有している請求項1または2記載の透明導電性素子。
- 上記孔部がドット状を有し、上記島部間の間隙部が網目状を有している請求項1または2記載の透明導電性素子。
- 上記孔部間の導電部が網目状を有し、上記島部がドット状を有している請求項1または2記載の透明導電性素子。
- 上記透明導電部と上記透明絶縁部とにおけるランダムのパターンが、互いに異なるランダムのパターンであり、
上記互いに異なるランダムのパターンは、互いに異なる生成条件にて生成されたランダムのパターンである請求項1または2記載の透明導電性素子。 - 上記表面とは反対側となる裏面に、交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部をさらに備え、
上記表面の透明導電層の被覆率と上記裏面の透明導電層の被覆率との加算値の差が、0%以上60%以下の範囲内である請求項1または2の透明導電性素子。 - 上記透明導電部が、複数の領域を有し、
上記領域の幅をW、上記領域の長さをLとしたとき、比率(L/W)が大きな領域ほど、上記透明導電層の被覆率が大きく設定されている請求項1または2記載の透明導電性素子。 - 上記透明導電部は、透明電極パターン部である請求項1または2記載の透明導電性素子。
- 第1の表面および第2の表面を有する基材と、
上記第1の表面および上記第2の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第1の表面および上記第2の表面の少なくとも一方に平面的に交互に並べられ、
上記透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、
上記透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子。 - 第1の表面および第2の表面を有する基材と、
上記第1の表面および上記第2の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第1の表面および上記第2の表面の少なくとも一方に平面的に交互に並べられ、
上記透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、
上記透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界は、ランダム形状であり、
上記ランダム形状は、上記孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子。 - 表面を有する第1の基材と、上記第1の基材の表面に平面的に交互に並べられた第1の透明導電部および第1の透明絶縁部とを有する第1の透明導電性素子と、
表面を有する第2の基材と、上記第2の基材の表面に平面的に交互に並べられた第2の透明導電部および第2の透明絶縁部とを有するとともに、上記第1の透明導電性素子の表面に設けられた第2の透明導電性素子と
を備え、
上記第1の透明導電部および上記第2の透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記第1の透明絶縁部および上記第2の透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記第1の透明導電部と上記第1の透明絶縁部との境界線上、および上記第2の透明導電部と上記第2の透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている入力装置。 - 表面を有する第1の基材と、上記第1の基材の表面に平面的に交互に並べられた第1の透明導電部および第1の透明絶縁部とを有する第1の透明導電性素子と、
表面を有する第2の基材と、上記第2の基材の表面に平面的に交互に並べられた第2の透明導電部および第2の透明絶縁部とを有するとともに、上記第1の透明導電性素子の表面に設けられた第2の透明導電性素子と
を備え、
上記第1の透明導電部および上記第2の透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記第1の透明絶縁部および上記第2の透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記第1の透明導電部と上記第1の透明絶縁部との境界、および上記第2の透明導電部と上記第2の透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
上記ランダム形状は、上記孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である入力装置。 - 表面を有する基材と、上記表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている電子機器。 - 表面を有する基材と、上記表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
上記ランダム形状は、上記孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である電子機器。 - 透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが平面的に交互に並べられた表面を有し、
上記透明導電部形成領域には、凹状を有する複数の孔部がランダムに設けられ、
上記透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
上記透明導電部形成領域と上記透明絶縁部形成領域との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子形成用原盤。 - 透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが平面的に交互に並べられた表面を有し、
上記透明導電部形成領域には、凹状を有する複数の孔部がランダムに設けられ、
上記透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
上記透明導電部形成領域と上記透明絶縁部形成領域との境界は、ランダム形状であり、
上記ランダム形状は、上記孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子形成用原盤。
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