CN103187118B - 导电膜、导电膜的制造方法及其触摸屏 - Google Patents

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Abstract

一种导电膜，包括：基片，包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置；第一导电层，设于基片的第一表面，第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，第一导电区包括由金属所形成的金属网格，第一绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格，其中不导电金属化合物由该金属反应产生；不仅避免了传统工艺流程中将第一绝缘区部分的金属网格刻蚀掉而产生大量金属盐废液，造成重金属污染，而且将不需要的金属网格部分反应成不导电的金属化合物，使得所述绝缘区被透过率与金属网格接近的金属化合物网格覆盖，有利于触摸屏上的透光率达成一致避免形成明暗交替的色块。

Description

导电膜、导电膜的制造方法及其触摸屏
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域，特别是涉及一种导电膜、导电膜的制造方法以及应用该导电膜的触摸屏。
背景技术
触摸屏是可接收触摸等输入信号的感应式装置。触摸屏赋予了信息交互崭新的面貌，是极富吸引力的全新信息交互设备。触摸屏技术的发展引起了国内外信息传媒界的普遍关注，已成为光电行业异军突起的朝阳高新技术产业。
导电层是触摸屏模组中至关重要的组成部分。虽然触摸屏的制造技术一日千里的飞速发展着。但是以投射式电容屏为例，导电层的基础制造流程近年来并未发生太大的改变。总是不可避免的需要形成导电层，导电层图形化及电极银引线制作等工序。而导电层图形化过程中还不可避免的需要用到曝光、显像、刻蚀及清洗等多道工序，在刻蚀过程中，一般将导电层中不需要的部分蚀刻掉，从而在基片表面形成固定的导电区域和空白区域，使得导电区有特定的形状。
但是因为导电区的附加遮光比会让光透过率衰减，而绝缘区的空白区没有类似导电区的光透过率衰减，会造成导电膜上绝缘区的透过率大于导电区，进而在导电膜上形成明暗交替的色块。
发明内容
基于此，有必要针对导电膜上容易形成明暗交替的色块的问题，提供一种导电膜、导电膜的制造方法以及应用该导电膜的触摸屏。
一种导电膜，包括：
基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置；
第一导电层，设于所述基片的第一表面，所述第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，所述第一导电区包括由金属所形成的金属网格，所述第一绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生。
在其中一个实施例中，所述第一导电层直接形成于所述基片的第一表面。
在其中一个实施例中，所述基片的第一表面设有第一基质层，所述第一导电层嵌设于所述第一基质层中。
在其中一个实施例中，所述第一基质层远离所述基片的表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中。
在其中一个实施例中，所述基片的第一表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中。
在其中一个实施例中，所述第一导电区的金属网格线和所述第一绝缘区的不导电金属化合物网格线形状互补。
在其中一个实施例中，所述第一导电区包括第一轴向导电列及第二轴向导电列；所述第一轴向导电列包括第一轴向导电单元及电连接第一轴向导电单元的第一连接部，所述第二轴向导电列包括第二轴向导电单元及电连接第二轴向导电单元的第二连接部，所述第一连接部与第二连接部之间设有绝缘件，所述绝缘件使所第一连接部与所述第二连接部相互绝缘。
在其中一个实施例中，还包括第二导电层，与所述第一导电层在所述基片的厚度方向上相互间隔且绝缘，所述第二导电层包括第二导电区及第二绝缘区，所述第二导电区包括由金属所形成的金属网格线，所述第二绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格线，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生。
在其中一个实施例中，所述第二导电区的金属网格线和所述第二绝缘区的不导电金属化合物网格线形状互补。
在其中一个实施例中，还包括第二基质层，所述第二导电层嵌设于所述第二基质层中。
在其中一个实施例中，所述第二基质层覆盖所述第一导电层，所述第二基质层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，且所述第二基质层、第一导电层及所述第二导电层其同位于该基片的同侧。
在其中一个实施例中，所述第二基质层设于所述基片的第二表面。
在其中一个实施例中，所述第二基质层远离所述基片的表面设有第二凹槽，所述第二导电层收容于所述第二凹槽中。
在其中一个实施例中，所述基片的第二表面设有第二收容槽，所述第二导电层收容于所述第二收容槽中。
在其中一个实施例中，所述第二导电层直接形成于所述基片的第二表面。
一种触摸屏，包括透明面板、电极引线和导电线路，还包括以上所述的包括第一导电层的导电膜，所述透明面板覆盖于所述第一导电层表面，所述电极引线与第一导电层所述第一导电区的金属网格连接，所述导电线路与电极引线连接。
一种触摸屏，包括透明面板、电极引线和导电线路，还包括以上所述的还包括第二导电层的导电膜，所述透明面板覆盖于所述第一导电层表面，所述电极引线所述电极引线包括第一电极引线及第二电极引线，所述第一电极引线与第二电极引线在所述基片的厚度方向上相互间隔，所述第一电极引线与第一导电层的金属网格线连接，所述第二电极引线与第二导电层的金属网格线连接，所述导电线路与电极引线连接。
一种导电膜的制造方法，包括以下步骤：
提供一基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置；
形成金属网格，在所述基片的第一表面形成金属网格，构成第一导电层；
图形化遮蔽，以在所述第一导电层表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区，未被保护层覆盖的为第一绝缘区；
氧化第一导电层，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化；
置于H2S氛围中，使所述第一导电层未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区由金属网格形成，第一绝缘区由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。
在其中一个实施例中，所述形成金属网格具体包括以下步骤：
压印，在所述基片开设凹槽第一凹槽；
填充金属浆至所述第一凹槽并烧结，形成金属网格，构成第一导电层。
在其中一个实施例中，所述形成金属网格具体包括以下步骤：
涂布，在所述基片的第一表面进行涂布，形成第一基质层；
压印，在所述第一基质层开设第一凹槽；
填充金属浆至所述第一凹槽并烧结，形成嵌入第一基质层中的金属网格，构成第一导电层。
在其中一个实施例中，所述形成金属网格具体包括以下步骤：
涂布，在所述基片的第一表面涂布纳米金属浆；
烘烤，以烘干第一表面的纳米金属浆中的溶剂，使纳米金属浆中纳米金属线相互搭接，形成第一导电层；
压实，对第一导电层进行压实，使纳米金属浆中纳米金属线相互连接形成金属网格。
在其中一个实施例中，在所述置于H2S氛围中步骤后，还包括形成第二导电层的步骤，具体包括以下步骤：
形成金属网格，在所述基片的第一导电层表面或者所述基片的第二表面得到金属网格，构成第二导电层；
图形化遮蔽，在所述第二导电层表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第二导电区，未被保护层覆盖的为第二绝缘区；
氧化第二导电层，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化；
置于H2S氛围中，使所述第二导电层未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第二导电区由金属网格形成，第二绝缘区由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。
在其中一个实施例中，对图形化遮蔽后的第一导电层和第二导电层进行氧化的方式包括：将第一导电层和第二导电层置于氧化氛围中，所述氧化氛围包括过氧化氢、稀硝酸、热浓硫酸或者盐酸；或者在第一导电层和第二导电层表面涂布氧化材料，形成第一绝缘区和第二绝缘区。
在其中一个实施例中，所述保护层通过光刻胶、喷墨打印或者图形化丝网印刷形成。
上述导电膜，通过在基片的第一表面形成第一导电层，所述第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，所述第一导电区包括由金属所形成的金属网格，所述第一绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生；金属网格经过图形化遮蔽后置于氧化氛围中，再进一步地置于H2S氛围中，被保护层覆盖的金属网格未被氧化，形成第一导电区；未被保护层覆盖的金属网格被氧化，生成金属化合物，形成不导电的第一绝缘区；不仅避免了传统工艺流程中将第一绝缘区部分的金属网格刻蚀掉而产生大量金属盐废液，造成重金属污染，而且将不需要的金属网格部分反应成不导电的金属化合物，使得所述绝缘区被透过率与金属网格接近的金属化合物网格覆盖，有利于触摸屏上的透光率达成一致避免形成明暗交替的色块。
附图说明
图1为导电膜第一实施例的结构示意图；
图2为导电膜第一实施例的另一视角的结构示意图；
图3为导电膜第一实施例的另一视角的结构示意图；
图4为导电膜另一实施例的结构示意图；
图5为导电膜另一实施例的结构示意图；
图6为导电膜另一实施例的结构示意图；
图6A为图6中A的局部放大图；
图6B为图6中B的局部放大图；
图6C为图6中C的局部放大图；
图7为图6所示的导电膜应用到触摸屏的结构示意图；
图8为导电膜另一实施例应用到触摸屏的结构示意图；
图9为导电膜另一实施例应用到触摸屏的另一种结构示意图；
图9A为图9中C的局部放大图；
图9B为图9中D的局部放大图；
图10为第一实施例的导电膜的制造方法流程图；
图11为第二实施例的导电膜的制造方法流程图；
图12为第三实施例的导电膜的制造方法流程图；
图13为第四实施例的导电膜的制造方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步说明。
如图1至图3所示的第一实施例中，一种导电膜100，包括基片110、第一基质层120、第一导电层130和第一凹槽140。基片110包括第一表面112和第二表面114，第一表面112和第二表面114相对设置。第一基质层120覆盖于第一表面112，第二表面114通常用于贴附在屏蔽层或者显示屏上，形成触摸显示屏。第一凹槽140开设在第一基质层120远离第一表面112的那一面。第一导电层130收容于第一凹槽140，形成嵌入式网格，包括第一导电区132和第一绝缘区134，第一导电区132包括由金属形成的金属网格，第一绝缘区134包括由不导电金属化合物形成的不导电金属化合物网格，其中不导电金属化合物是由金属经过反应生成。
上述导电膜，因为第一导电层130包括第一导电区132和第一绝缘区134，且第一导电区132由金属网格形成，第一绝缘区134由该金属经过反应生成的不导电的金属化合物形成，故而所述第一绝缘区134不是空白，而是由透过率与金属网格接近的金属化合物网格构成，有利于触摸屏上的透光率达成一致，避免第一导电区132和第一绝缘区134形成明暗交替的色块，提高了用户体验感。
在其它的实施例中，第一凹槽140也可以开设在基片110的第一表面112，第一导电层130收容于第一凹槽140中，形成嵌入式网格。所以第一基质层120并不是必须的。第一导电区132和第一绝缘区134形成的是嵌入式网格，有利于节约金属材料，节约制造成本，而且当第一导电层130中的金属网格和金属化合物网格在10～20微米之间，可以满足视觉上的透明。所述基质层用于绝缘和成型。
在其它的实施例中，还可以不开设凹槽，通过直接在基片的第一表面112形成交错分布的金属网格，金属网格由若干相互交叉的金属细线组成。省去了开设凹槽这一步骤，且通过在基片的第一表面112压实形成的金属网格，可以得到任意图案。
具体地，所述第一导电区132的金属可以为金、银、铜、铝和锌中的其中一种或者至少两种的合金。因为所述金、银、铜、铝和锌相对来说价格便宜，故而能降低成本。本实施例中，主要以银作为金属网格的材料。
请参阅图1或图3，具体本实施例中，所述第一导电区132的金属网格和所述第一绝缘区134的不导电金属化合物网格形状互补。使得第一导电区132和第一绝缘区134的网格类型和密度完全相同，不会出现空白区，其透过率完全一致，从而不会形成明暗交替的色块。当然，在其它的实施例中，第一绝缘区134的不导电金属化合物网格也可以不与第一导电区132的金属网格互补，例如第一绝缘区134的金属化合物网格可以与导电区的金属网格出现肉眼不可见的空白区域，也能实现透过率相同。还可以将不导电金属化合物网格划分开，使不导电金属化合物网格之间形成肉眼不可见的间隔，也能使透过率相同。故而所述第一导电区132的金属网格和所述第一绝缘区134的不导电金属化合物网格形状互补并不是必须的。
具体到第一实施例中，所述第一凹槽140的深度大于或者等于所述第一导电层130的厚度。在利用先压印凹槽，再填充金属浆来形成金属导电网格线的过程中，因为金属浆在烧结过程中，溶剂会挥发，故而第一导电层130的厚度小于第一凹槽140的深度。
在第一实施例中，基片110的材料均为对苯二甲酸乙二酯。在其它的实施例中，该基片110还可以为其它材质，例如聚对苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯塑料以及玻璃等，以透明绝缘材料为佳。
请参阅图6、图6A和图6B，在其中一个实施例中，所述第一导电区132包括第一轴向导电列1322及第二轴向导电列1324；所述第一轴向导电列1322包括第一轴向导电单元13222及电连接第一轴向导电单元13222的第一连接部13224，所述第二轴向导电列1324包括第二轴向导电单元13242及电连接第二轴向导电单元13242的第二连接部13244，所述第一连接部13224与第二连接部13244之间设有绝缘件1326，所述绝缘件1326使所第一连接部13224与所述第二连接部13244相互绝缘。以Y轴为第一轴向导电列，以X轴为第二轴向导电列。在本实施例中，第一轴向导电单元和第二轴向导电单元为菱形网格，当然，在其他的实施例中，也可以为长方形、正方形、矩形等形状。
如图4和图5所示，第二实施例中，一种导电膜200，包括图1至图3中所示的实施例中的基片110、第一基质层120和第一导电层130，还包括第二基质层210、第二凹槽220和第二导电层230，所述第二基质层210覆盖于所述第一导电层130，且开设有第二凹槽220；第二导电层230收容于所述第二凹槽220，形成嵌入式网格，包括第二导电区232和第二绝缘区234，所述第二导电区232包括由金属所形成的金属网格，所述第二绝缘区234包括由不导电金属化合物所形成的不导电金属化合物网格，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生，所述第二基质层210、第一导电层120及所述第二导电层230其同位于该基片110的同侧。
上述导电膜，因为第一导电层130和第二导电层230都包括导电区和绝缘区，且导电区由金属网格形成，绝缘区由该金属经过反应生成的不导电的金属化合物形成，故而所述绝缘区不是空白，使得所述绝缘区被光透过率与金属网格接近的金属化合物网格覆盖，故而有利于触摸屏上的透光率达成一致，避免导电区和绝缘区形成明暗交替的色块，保证了第一导电层130和第二导电层230的透过率一致，提高了用户体验感。
第二实施例中，金属材料跟第一实施例中相同，都取自金、银、铜、铝和锌中的其中一种或者任意两种的合金，且凹槽的深度均大于或者等于导电层的厚度，这里不再详述。
第二实施例中的基片110与第一实施例中相同，这里不再赘述。
第二实施例中，第一基质层120和第二基质层210均为透明绝缘材料且异于基片110，用于金属网格成型。第一基质层120和第二基质层210可以为UV固化胶——无溶剂紫外固化亚克力树脂。在其它实施例中，该UV固化胶还可以为其它成份，但一般包括预聚物、单体、光引发剂及助剂，各组份摩尔配比为：30～50%：40～60%：1～6%：0.2～1%。其中，预聚物选自：环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯及丙烯酸树脂等；单体选自：单官能、二官能及三官能及多官能；引发剂选自：二苯甲酮，二苯乙酮等；助剂可加可不加，一般作为粘接剂使用，常用助剂包括：对苯二酚、对甲氧基苯酚、对苯醌及2，6一二叔丁基甲苯酚等。
在其它实施例中，第一基质层120和第二基质层210还可以为其它光固胶、热固胶或自干胶等。第二基质层210上形成网格状凹槽，用于容纳所述第二导电网层。基片110、第一基质层120的材质尽量选取透光率高的材料，透光率应在85%以上。
在其它的实施例中，第二导电层230还可以设置在基片110的第二表面114。即第二导电层230可以收容于直接开设与基片的第二表面114的第二凹槽220，这样也能使第二导电层230位于第二表面114，故而，所述第二基质层210并不是必须的。
在其它的实施例中，还可以不开设凹槽，通过直接在基片的第二表面114形成交错分布的金属网格，金属网格由若干相互交叉的金属细线组成。省去了开设凹槽这一步骤，且通过在基片的第二表面114压实形成的金属网格，可以得到任意图案。
请参阅图6、图7，为触摸屏的第一实施例，一种触摸屏300，包括透明面板310，还包括图6至图6C所示的实施例中的导电膜100，透明面板310覆盖于第一导电层130表面。
上述触摸屏，即通常所说的单层多点结构的触摸屏，以横向为X轴，纵向为Y轴，以Y轴为第一轴向导电列1322，以X轴为第二轴向导电列1324。所述第一导电区132包括第一轴向导电列1322及第二轴向导电列1324；所述第一轴向导电列1322包括第一轴向导电单元13222及电连接第一轴向导电单元13222的第一连接部13224，所述第二轴向导电列1324包括第二轴向导电单元13242及电连接第二轴向导电单元13242的第二连接部13244，所述第一连接部13224与第二连接部13244之间设有绝缘件1326，所述绝缘件1326使所第一连接部13224与所述第二连接部13244相互绝缘。第一轴向导电列1322和第二轴向导电列1324分别构成触摸屏的感应电极和驱动电极。第一轴向导电列和第二轴向导电列以外的区域为覆盖有金属化合物网格的第一绝缘区134。
因为第一导电区132包括由金属形成的金属网格，第一绝缘区134包括由不导电金属化合物形成的不导电金属化合物网格，其中不导电金属化合物是由金属经过反应生成。故而所述绝缘区不是空白，使得所述绝缘区被透过率与金属网格接近的金属化合物网格覆盖，故而有利于触摸屏上的透光率达成一致，避免导电区和绝缘区形成明暗交替的色块，保证了第一导电层130的透过率一致，提高了用户体验感。
请参阅图8、图9、图9A和图9B，为触摸屏的第二实施例，一种触摸屏400，还包括图4和图5所示的实施例中的导电膜200，所述透明面板410覆盖于所述第二导电层230表面，所述电极引线包括第一电极引线及第二电极引线，所述第一电极引线与第二电极引线在所述基片的厚度方向上相互间隔，所述第一电极引线与第一导电层的金属网格线连接，所述第二电极引线与第二导电层的金属网格线连接，导电线路与电极引线连接。
上述触摸屏，第一导电层130和第二导电层230的导电区和绝缘区呈条形，且第一导电层130和第二导电层230的条形相互垂直。第一导电层130和第二导电层230的导电区被电极引线引出，与导电线路连接，形成感应电极和驱动电极。因为第一导电区132和第二导电区232均包括由金属形成的金属网格，第一绝缘区134和第二绝缘区234均包括由不导电金属化合物形成的不导电金属化合物网格，其中不导电金属化合物是由金属经过反应生成。故而所述绝缘区不是空白，因为金属网格的遮光比会让透过率衰减，故而将绝缘区设置成不导电的金属化合物网格，有利于触摸屏上的透光率达成一致，避免导电区和绝缘区形成明暗交替的色块，保证了第一导电层130和第二导电层230的透过率一致，提高了用户体验感。
请参阅图10，还提供了制造导电膜的方法，在导电膜的制造方法的第一实施例中，包括以下步骤：
步骤S110，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相对设置。基片110厚度为125微米。基片110的材料均为对苯二甲酸乙二酯。在其它的实施例中，该基片110还可以为其它材质，例如聚对苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯塑料以及玻璃等，以透明绝缘材料为佳。
步骤S120，形成金属网格，所述金属网格形成于所述基片110的第一表面112，构成第一导电层130。具体包括以下步骤：步骤S122，压印，在所述基片110压印形成第一凹槽140。凹槽为网格状，凹槽的深度为3微米，宽度为2.2微米。
步骤S124，填充金属浆至所述第一凹槽140，并进行烧结，形成金属网格，构成第一导电层130。在所述第一凹槽140填充金属浆，然后进行烧结，得到第一导电层130。本实施例中使用刮涂技术在网格状的凹槽中填充纳米银墨水，然后在150摄氏度的条件下烧结，使纳米银墨水中的银单质烧结成导电银细线，其中银墨水的固含量为35%，溶剂在烧结中挥发，所以导电银细线的厚度小于凹槽。
步骤S130，图形化遮蔽，以在所述第一导电层130表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区132，未被保护层覆盖的为第一绝缘区134。在所述第一导电层130表面通过图形化遮蔽形成被保护层覆盖的第一导电区132和未被保护层覆盖的第一绝缘区134。图形化后可形成例如菱形网格、正方形网格、长方形网格等图形。
步骤S140，氧化第一导电层130，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化。
步骤S150，置于H2S氛围中，使所述第一导电层130未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区132由金属网格形成，第一绝缘区134由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。即绝缘区形成难溶且不导电的Ag2S。
因为将导电膜进行图形化遮蔽后再经过氧化，然后再置于H2S氛围中，故而不必将导电层不需要的绝缘区刻蚀掉，故而可避免刻蚀过程中产生大量的金属盐废液，造成重金属污染，同时将绝缘区的金属网格氧化成金属化合物网格，有利于触摸屏上的透光率达成一致，避免形成明暗交替的色块，提高用户体验感。其中保护层可通过现有的工艺除去。
请参阅图11，在导电膜的制造方法的第二实施例中，包括以下步骤：
步骤S210，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相对设置；
步骤S220，形成金属网格，所述金属网格形成于所述基片110的第一表面112，构成第一导电层130。具体包括以下步骤：步骤S222，涂布，在所述基片110的第一表面112进行涂布，形成第一基质层120。
步骤S224，压印，在所述第一基质层120压印形成第一凹槽140。
步骤S226，填充金属浆至所述第一凹槽140，进行烧结，形成嵌入第一基质层120中的金属网格，构成第一导电层130。
步骤S230，图形化遮蔽，以在所述第一导电层130表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区132，未被保护层覆盖的为第一绝缘区134。在所述第一导电层130表面通过图形化遮蔽形成被保护层覆盖的第一导电区132和未被保护层覆盖的第一绝缘区134。图形化后可形成例如菱形网格、正方形网格、长方形网格等图形。
步骤S240，氧化第一导电层130，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化。
步骤S250，置于H2S氛围中，使所述第一导电层130未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区132由金属网格形成，第一绝缘区134由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。即绝缘区形成难溶且不导电的Ag2S。
本实施例中，步骤S210、步骤S230、步骤S240和步骤S250导电膜制造方法的第一实施例中的步骤S110、步骤S130、步骤S140、步骤S150相同，步骤S224、步骤S226与导电膜制造方法的第一实施例中的步骤S122、步骤S124相同，这里不再赘述。
因为将导电膜进行图形化遮蔽后再经过氧化，然后再置于H2S氛围中，故而不必将导电层不需要的绝缘区刻蚀掉，故而可避免刻蚀过程中产生大量的金属盐废液，造成重金属污染，同时将绝缘区的金属网格氧化成金属化合物网格，有利于触摸屏上的透光率达成一致，避免形成明暗交替的色块，提高用户体验感。
请参阅图12，在导电膜的制造方法的第三实施例中，包括以下步骤：
步骤S310，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相对设置；
步骤S320，形成金属网格，所述金属网格形成于所述基片110的第一表面112，构成第一导电层130。具体包括以下步骤：步骤S322，涂布，在所述基片110的第一表面112涂布金属浆。在所述基片110的第一表面112涂布金属浆。具体的为在基片110上涂布纳米银墨水，银墨水为纳米银材料亲水性溶剂形成，其中溶质为直径20～40纳米，长10～20微米的单质银线。
步骤S324，烘烤，将第一表面112的金属浆烘干使纳米金属浆中纳米金属线相互搭接，形成第一导电层。其中金属细线为纳米银线，且纳米印象相互交错分布。
步骤S324，压实，对第一导电层进行压实，使纳米金属浆中纳米金属线相互连接形成金属网格，可形成任意图案。
步骤S330，图形化遮蔽，以在所述第一导电层130表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区132，未被保护层覆盖的为第一绝缘区134。在所述第一导电层130表面通过图形化遮蔽形成被保护层覆盖的第一导电区132和未被保护层覆盖的第一绝缘区134。图形化后可形成例如菱形网格、正方形网格、长方形网格等图形。
步骤S340，氧化第一导电层130，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化。
步骤S350，置于H2S氛围中，使所述第一导电层130未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区132由金属网格形成，第一绝缘区134由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。即绝缘区形成难溶且不导电的Ag2S。
本实施例中，步骤S310、步骤S330、步骤S340和步骤S350均与第一实施例的步骤S110、步骤S130、步骤S140、步骤S150相同，这里不再赘述。
因为将导电膜进行图形化遮蔽后再经过氧化，然后再置于H2S氛围中，故而不必将导电层不需要的绝缘区刻蚀掉，故而可避免刻蚀过程中产生大量的金属盐废液，造成重金属污染，同时将绝缘区的金属网格氧化成金属化合物网格，有利于触摸屏上的透光率达成一致，避免形成明暗交替的色块，提高用户体验感。
请参阅图13，在第四实施例中，还包括形成第二导电层230的步骤，具体包括以下步骤：
步骤S410，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相对设置；
步骤S420，形成金属网格，所述金属网格形成于所述基片110的第一表面112，构成第一导电层130。与第一实施例的步骤S120、第二实施例的步骤S220或者第三实施例中的步骤S320任意一个相同，这里不再赘述。
步骤S430，图形化遮蔽，以在所述第一导电层130表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区132，未被保护层覆盖的为第一绝缘区134。在所述第一导电层130表面通过图形化遮蔽形成被保护层覆盖的第一导电区132和未被保护层覆盖的第一绝缘区134。图形化后可形成例如条状图形。
步骤S440，氧化第一导电层130，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化。
步骤S450，置于H2S氛围中，使所述第一导电层130未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区132由金属网格形成，第一绝缘区134由不导电的金属化合物网格形成。即绝缘区形成难溶且不导电的Ag2S。
步骤S460，形成金属网格，在所述第一导电层130表面或者所述基片的第二表面114得到金属网格，构成第二导电层230。即第二导电层230可以位于第一导电层130表面，也可以位于基片的第二表面114。第二导电层230与第一导电层130结构相同。
重复步骤S430，图形化遮蔽，在所述第二导电层230表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第二导电区232，未被保护层覆盖的为第二绝缘区234。在所述第一导电层130表面通过图形化遮蔽形成被保护层覆盖的第一导电区132和未被保护层覆盖的第一绝缘区134。图形化后可形成例如条状等图形。
步骤S440，氧化第二导电层230，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化。
步骤S450，置于H2S氛围中，使所述第二导电层230未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第二导电区232由金属网格形成，第二绝缘区234由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。
在本实施例中，其它步骤例如S410至S450与第一实施例中的步骤S110至步骤S150、第二实施例中的步骤S210至步骤S250或者第三实施例中的步骤S310至步骤S350相同，这里不再赘述。
上述实施例中，对图形化遮蔽后的第一导电层130和第二导电层230进行氧化的方式包括：将第一导电层130和第二导电层230置于氧化氛围中，所述氧化氛围包括过氧化氢、稀硝酸、热浓硫酸或者盐酸；或者在第一导电层130和第二导电层230表面涂布氧化材料，形成第一绝缘区134和第二绝缘区234。
其中，所述保护层通过光刻胶、喷墨打印或者图形化丝网印刷形成。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (35)

1.一种导电膜，其特征在于，包括：
基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置；
第一导电层，设于所述基片的第一表面，所述第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，所述第一导电区包括由金属所形成的金属网格，所述第一绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生，所述第一导电区的金属网格和所述第一绝缘区的不导电金属化合物网格形状互补，所述第一导电区的金属网格的网格线与所述第一绝缘区的不导电化合物网格的网格线相互搭接；
其中，所述基片的第一表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中；
或者，还包括第一基质层，所述第一基质层设置于所述基片的第一表面，所述第一导电层嵌设于所述第一基质层中。
2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一导电区包括第一轴向导电列及第二轴向导电列；所述第一轴向导电列包括第一轴向导电单元及电连接第一轴向导电单元的第一连接部，所述第二轴向导电列包括第二轴向导电单元及电连接第二轴向导电单元的第二连接部，所述第一连接部与第二连接部之间设有绝缘件，所述绝缘件使所述第一连接部与所述第二连接部相互绝缘。
3.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，还包括第二导电层，与所述第一导电层在所述基片的厚度方向上相互间隔且绝缘，所述第二导电层包括第二导电区及第二绝缘区，所述第二导电区包括由金属所形成的金属网格，所述第二绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格线，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生。
4.根据权利要求3所述的导电膜，其特征在于，所述第二导电区的金属网格和所述第二绝缘区的不导电金属化合物网格形状互补。
5.根据权利要求4所述的导电膜，其特征在于，还包括第二基质层，所述第二导电层嵌设于所述第二基质层中。
6.根据权利要求5所述的导电膜，其特征在于，所述第二基质层覆盖所述第一导电层，所述第二基质层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，且所述第二基质层、第一导电层及所述第二导电层同位于该基片的同侧。
7.根据权利要求5所述的导电膜，其特征在于，所述第二基质层设于所述基片的第二表面。
8.根据权利要求7所述的导电膜，其特征在于，所述第二基质层远离所述基片的表面设有第二凹槽，所述第二导电层收容于所述第二凹槽中。
9.根据权利要求3所述的导电膜，其特征在于，所述基片的第二表面设有第二收容槽，所述第二导电层收容于所述第二收容槽中。
10.根据权利要求3所述的导电膜，其特征在于，所述第二导电层直接形成于所述基片的第二表面。
11.一种触摸屏，包括透明面板、电极引线和导电线路，其特征在于，还包括导电膜，所述导电膜包括：
基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置；
第一导电层，设于所述基片的第一表面，所述第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，所述第一导电区包括由金属所形成的金属网格，所述第一绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生；所述第一导电区的金属网格和所述第一绝缘区的不导电金属化合物网格形状互补，所述第一导电区的金属网格的网格线与所述第一绝缘区的不导电化合物网格的网格线相互搭接；
其中，所述透明面板覆盖于所述第一导电层表面，所述电极引线与第一导电层所述第一导电区的金属网格连接，所述导电线路与电极引线连接。
12.根据权利要求11所述的触摸屏，其特征在于，所述第一导电层直接形成于所述基片的第一表面。
13.根据权利要求11所述的触摸屏，其特征在于，所述基片的第一表面设有第一基质层，所述第一导电层嵌设于所述第一基质层中。
14.根据权利要求13所述的触摸屏，其特征在于，所述第一基质层远离所述基片的表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中。
15.根据权利要求11所述的触摸屏，其特征在于，所述基片的第一表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中。
16.根据权利要求11所述的触摸屏，其特征在于，所述第一导电区包括第一轴向导电列及第二轴向导电列；所述第一轴向导电列包括第一轴向导电单元及电连接第一轴向导电单元的第一连接部，所述第二轴向导电列包括第二轴向导电单元及电连接第二轴向导电单元的第二连接部，所述第一连接部与第二连接部之间设有绝缘件，所述绝缘件使所述第一连接部与所述第二连接部相互绝缘。
17.一种触摸屏，包括透明面板、电极引线和导电线路，其特征在于，还包括导电膜，所述导电膜包括：
基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置；
第一导电层，设于所述基片的第一表面，所述第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，所述第一导电区包括由金属所形成的金属网格，所述第一绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生；所述第一导电区的金属网格和所述第一绝缘区的不导电金属化合物网格形状互补，所述第一导电区的金属网格的网格线与所述第一绝缘区的不导电化合物网格的网格线相互搭接；
第二导电层，与所述第一导电层在所述基片的厚度方向上相互间隔且绝缘，所述第二导电层包括第二导电区及第二绝缘区，所述第二导电区包括由金属所形成的金属网格，所述第二绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格线，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生；
所述透明面板覆盖于所述第一导电层表面，所述电极引线包括第一电极引线及第二电极引线，所述第一电极引线与第二电极引线在所述基片的厚度方向上相互间隔，所述第一电极引线与第一导电层的金属网格线连接，所述第二电极引线与第二导电层的金属网格线连接，所述导电线路与电极引线连接。
18.根据权利要求17所述的触摸屏，其特征在于，所述第二导电区的金属网格和所述第二绝缘区的不导电金属化合物网格形状互补。
19.根据权利要求18所述的触摸屏，其特征在于，还包括第二基质层，所述第二导电层嵌设于所述第二基质层中。
20.根据权利要求19所述的触摸屏，其特征在于，所述第二基质层覆盖所述第一导电层，所述第二基质层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，且所述第二基质层、第一导电层及所述第二导电层同位于该基片的同侧。
21.根据权利要求19所述的触摸屏，其特征在于，所述第二基质层设于所述基片的第二表面。
22.根据权利要求21所述的触摸屏，其特征在于，所述第二基质层远离所述基片的表面设有第二凹槽，所述第二导电层收容于所述第二凹槽中。
23.根据权利要求17所述的触摸屏，其特征在于，所述基片的第二表面设有第二凹槽，所述第二导电层收容于所述第二凹槽中。
24.根据权利要求17所述的触摸屏，其特征在于，所述第二导电层直接形成于所述基片的第二表面。
25.根据权利要求17所述的触摸屏，其特征在于，所述第一导电层直接形成于所述基片的第一表面。
26.根据权利要求17所述的触摸屏，其特征在于，所述基片的第一表面设有第一基质层，所述第一导电层嵌设于所述第一基质层中。
27.根据权利要求26所述的触摸屏，其特征在于，所述第一基质层远离所述基片的表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中。
28.根据权利要求17所述的触摸屏，其特征在于，所述基片的第一表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中。
29.一种导电膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置；
形成金属网格，在所述基片的第一表面形成金属网格，构成第一导电层；
图形化遮蔽，以在所述第一导电层表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区，未被保护层覆盖的为第一绝缘区；
氧化第一导电层，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化；
置于H2S氛围中，使所述第一导电层未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区由金属网格形成，第一绝缘区由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。
30.根据权利要求29所述的导电膜的制造方法，其特征在于，所述形成金属网格具体包括以下步骤：
压印，在所述基片开设凹槽第一凹槽；
填充金属浆至所述第一凹槽并烧结，形成金属网格，构成第一导电层。
31.根据权利要求29所述的导电膜的制造方法，其特征在于，所述形成金属网格具体包括以下步骤：
涂布，在所述基片的第一表面进行涂布，形成第一基质层；
压印，在所述第一基质层开设第一凹槽；
填充金属浆至所述第一凹槽并烧结，形成嵌入第一基质层中的金属网格，构成第一导电层。
32.根据权利要求29所述的导电膜的制造方法，其特征在于，所述形成金属网格具体包括以下步骤：
涂布，在所述基片的第一表面涂布纳米金属浆；
烘烤，以烘干第一表面涂布的纳米金属浆中溶剂，使纳米金属浆中纳米金属线相互搭接，形成第一导电层；
压实，对第一导电层进行压实，使纳米金属浆中纳米金属线相互连接形成金属网格。
33.根据权利要求29至32任意一项所述的导电膜的制造方法，其特征在于，在所述置于H2S氛围中步骤后，还包括形成第二导电层的步骤，具体包括以下步骤：
形成金属网格，在所述基片的第一导电层表面或者所述基片的第二表面得到金属网格，构成第二导电层；
图形化遮蔽，在所述第二导电层表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第二导电区，未被保护层覆盖的为第二绝缘区；
氧化第二导电层，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化；
置于H2S氛围中，使所述第二导电层未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第二导电区由金属网格形成，第二绝缘区由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。
34.根据权利要求33所述的导电膜的制造方法，其特征在于，对图形化遮蔽后的第一导电层和第二导电层进行氧化的方式包括：将第一导电层和第二导电层置于氧化氛围中，所述氧化氛围包括过氧化氢、稀硝酸、热浓硫酸或者盐酸；或者在第一导电层和第二导电层表面涂布氧化材料，形成第一绝缘区和第二绝缘区。
35.根据权利要求34所述的导电膜的制造方法，其特征在于，所述保护层通过光刻胶、喷墨打印或者图形化丝网印刷形成。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103187118B (zh) * 2013-02-06 2015-02-18 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜、导电膜的制造方法及其触摸屏
CN103345331A (zh) * 2013-07-05 2013-10-09 南昌欧菲光显示技术有限公司 偏光滤光模块及触摸显示屏
CN103345007B (zh) * 2013-07-12 2016-06-29 南昌欧菲光学技术有限公司 透明基材及含有该透明基材的透明导电元件及光学器件
CN103425345B (zh) * 2013-07-31 2016-10-26 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏屏体结构、触摸显示屏及触摸按键装置
CN103440064B (zh) * 2013-07-31 2017-10-13 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏元件及触摸屏
CN103456392B (zh) * 2013-08-27 2016-04-06 南昌欧菲光科技有限公司 透明导电体及其制造方法
CN103559943B (zh) * 2013-09-27 2017-02-08 南昌欧菲光科技有限公司 可折叠导电膜和显示器
CN103558933A (zh) * 2013-09-27 2014-02-05 南昌欧菲光科技有限公司 可折叠导电膜和显示器
CN104516567B (zh) * 2013-09-29 2018-11-02 宝宸（厦门）光学科技有限公司 触控面板及其制造方法
CN103823591B (zh) * 2014-02-26 2017-07-07 南昌欧菲光科技有限公司 触控显示设备及其触控传感器
CN104952517B (zh) * 2014-03-26 2017-05-03 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜及包含有该导电膜的触摸屏
CN104020885B (zh) * 2014-05-30 2018-02-06 南昌欧菲光科技有限公司 触控基板及其制备方法
CN104345966A (zh) * 2014-05-31 2015-02-11 深圳市骏达光电股份有限公司 一种触摸屏用感应组件及其制作方法
CN104376899B (zh) * 2014-10-14 2017-01-11 业成光电（深圳）有限公司 电子装置、触控屏、透明导电膜及透明导电膜的制备方法
CN104317450A (zh) * 2014-10-27 2015-01-28 程芹 一种导电走线制作工艺
CN106155380A (zh) * 2015-03-31 2016-11-23 深圳欧菲光科技股份有限公司 触摸屏及其导电膜
CN104750346A (zh) * 2015-03-31 2015-07-01 牧东光电（苏州）有限公司 金属网格型触控面板结构及其制作工艺
CN108012586A (zh) * 2015-06-10 2018-05-08 吴铉锡 利用纳米结构物的电磁波屏蔽材料
KR102241680B1 (ko) * 2015-09-02 2021-04-16 한국전기연구원 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법
US20170075473A1 (en) 2015-09-15 2017-03-16 Hyundai Motor Company Touch input device and method for manufacturing the same
KR101778553B1 (ko) * 2015-09-15 2017-09-15 현대자동차주식회사 터치 입력장치 및 그 제조방법
KR101887134B1 (ko) * 2016-07-06 2018-08-09 현대자동차주식회사 터치 입력장치 및 그 제조방법
CN105788760B (zh) * 2016-04-22 2017-10-27 陈初群 一种制备透明导电电极的方法
CN107622817B (zh) * 2016-07-15 2020-04-07 昇印光电（昆山）股份有限公司 一种柔性电极薄膜制备方法
CN106547397B (zh) * 2016-10-19 2022-03-22 苏州维业达触控科技有限公司 一种透明导电膜的制作方法、透明导电膜和触控屏
KR101882198B1 (ko) * 2016-11-01 2018-07-26 현대자동차주식회사 차량 및 그 제어방법
CN106843625B (zh) * 2017-01-18 2020-01-14 业成科技（成都）有限公司 降低可视性之金属网格结构及其制造方法
CN107422908A (zh) * 2017-06-07 2017-12-01 江苏日久光电股份有限公司 金属网格片及其制作方法
CN108388377B (zh) * 2018-03-09 2021-03-23 业成科技（成都）有限公司 金属网格
CN108958538A (zh) * 2018-06-28 2018-12-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种触控电极层制备方法及触控电极层
CN111197153B (zh) * 2018-11-16 2023-01-10 安徽精卓光显技术有限责任公司 金属网格的制备方法及金属网格片
CN110045865A (zh) * 2019-03-06 2019-07-23 苏州蓝沛光电科技有限公司 触控屏的制备方法
CN109947294B (zh) * 2019-03-18 2023-01-24 昆山龙腾光电股份有限公司 一种触摸显示面板和触控显示模组
CN109991772B (zh) * 2019-03-29 2023-03-14 广州国显科技有限公司 显示面板膜层结构及其制备工艺
CN112799540B (zh) * 2021-02-02 2022-05-13 业成科技（成都）有限公司 触控感应模组、触控显示装置及其制造方法
CN113764137B (zh) * 2021-08-25 2024-01-09 湖南兴威新材料有限公司 纳米银线导电膜的制备方法、纳米银线导电膜及其应用
CN114049987A (zh) * 2021-10-27 2022-02-15 浙江鑫柔科技有限公司 一种金属网格导电膜及其制备方法
CN115851106B (zh) * 2022-11-15 2023-11-10 浙江鑫柔科技有限公司 组合物及其应用、触控导电膜、触控屏及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103021532A (zh) * 2011-09-27 2013-04-03 株式会社东芝 透明电极层积体

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201212990Y (zh) * 2008-04-17 2009-03-25 张树峰 触摸屏
JP5289859B2 (ja) * 2008-08-13 2013-09-11 日本写真印刷株式会社 導電性パターン被覆体の製造方法および導電性パターン被覆体
CN101859213B (zh) * 2009-04-13 2012-08-29 群康科技(深圳)有限公司 电容式触控面板的制作方法
JP2011028474A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Alps Electric Co Ltd 入力装置及びその製造方法
JP2011070820A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 透明導電膜付き基材及びその製造方法
CN103080876A (zh) * 2010-07-05 2013-05-01 Dic株式会社 带透明导电层的基体及其制造方法、以及触控面板用透明导电膜层叠体、触控面板
KR20120018059A (ko) * 2010-08-20 2012-02-29 미래나노텍(주) 터치 스크린 패널용 기판, 터치 스크린 패널 및 이들의 제조방법
JP5647864B2 (ja) * 2010-11-05 2015-01-07 富士フイルム株式会社 タッチパネル
CN102555323B (zh) * 2010-12-31 2015-01-21 财团法人工业技术研究院 具有导电膜层的基板组合及其制造方法
EP2615528B1 (en) * 2011-02-07 2016-04-06 Dexerials Corporation Transparent conductive element, input device, electronic device, and master for fabrication of transparent conductive element
JP2012209030A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Toray Advanced Film Co Ltd 透明導電積層体およびその製造方法
JP2013008131A (ja) * 2011-06-23 2013-01-10 Shin Etsu Polymer Co Ltd 絶縁部形成方法及び導電パターン形成基板の製造方法
CN102723126B (zh) * 2012-05-09 2015-10-21 南昌欧菲光科技有限公司 一种基于随机网格的图形化透明导电薄膜
CN102903423B (zh) * 2012-10-25 2015-05-13 南昌欧菲光科技有限公司 透明导电膜中的导电结构、透明导电膜及制作方法
CN103187118B (zh) * 2013-02-06 2015-02-18 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜、导电膜的制造方法及其触摸屏
CN203149517U (zh) * 2013-02-06 2013-08-21 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜及其触摸屏

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103021532A (zh) * 2011-09-27 2013-04-03 株式会社东芝 透明电极层积体

Also Published As

Publication number Publication date
KR101535537B1 (ko) 2015-07-09
JP2015515666A (ja) 2015-05-28
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