TWI540599B - 導電膜及其製造方法，使用該導電膜之觸控式螢幕 - Google Patents

Description

導電膜及其製造方法，使用該導電膜之觸控式螢幕

本發明涉及觸控式螢幕技術領域，特別係涉及一種導電膜、導電膜之製造方法以及使用該導電膜之觸控式螢幕。

觸控式螢幕係可接收觸摸等輸入信號之感應式裝置。觸控式螢幕賦予資訊交互嶄新之面貌，係極富吸引力之全新資訊交互設備。觸控式螢幕技術之發展引起國內外資訊傳媒界之普遍關注，已成為光電行業異軍突起之朝陽高新技術產業。

導電層係觸控式螢幕模組中至關重要之組成部分。雖然觸控式螢幕之製造技術一日千里飛速發展著。惟，以投射式電容屏為例，導電層之基礎製造流程近年來並未發生太大之改變。總不可避免地需要形成導電層，導電層圖形化及電極銀引線製作等工序。而導電層圖形化過程中還不可避免地需要用到曝光、顯像、刻蝕及清洗等多道工序，於刻蝕過程中，一般將導電層中不需要之部分蝕刻掉，從而於基片之表面形成固定之導電區域和空白區域，使得導電區有特定之形狀。

惟，由於導電區之附加遮光比會讓光透過率衰減，而絕緣區之空白區沒有類似導電區之光透過率衰減，會造成導電膜上絕緣區之透過率大於導電區，進而於導電膜上形成明暗交替之色塊。

有鑑於此，實有必要提供一種可避免導電膜形成明暗交替之色塊之導電膜、導電膜之製造方法以及使用該導電膜之觸控式螢幕。

一種導電膜，包括： 基片，包括相對設置之第一表面與第二表面；第一導電層，設於該基片之第一表面，該第一導電層以單一金屬形成金屬網格，該金屬網格被定義有複數第一導電區及複數第一絕緣區，其中每一該第一絕緣區位於相鄰二該第一導電區之間，該第一導電區包括由金屬所形成之金屬網格，該金屬網格於該第一絕緣區的部分以一硫化氫進行反應為絕緣金屬硫化物而為絕緣網格。

於其中一實施例中，其中該第一導電層直接形成於該基片之第一表面。

於其中一實施例中，其中該基片之第一表面設有第一基質層，該第一導電層嵌設於該第一基質層中。

於其中一實施例中，其中該第一基質層遠離該基片之表面設有第一凹槽，該第一導電層收容於該第一凹槽中。

於其中一實施例中，其中該基片之第一表面設有第一凹槽，該第一導電層收容於該第一凹槽中。

於其中一實施例中，其中該第一導電區之金屬網格和該第一絕緣區之絕緣網格形狀互補。

於其中一實施例中，其中該第一導電區包括第一軸向導電列及第二軸向導電列；該第一軸向導電列包括第一軸向導電單元及電連接第一軸向導電單元之第一連接部，該第二軸導電列包括第二軸向導電單元及電連接第二軸向導電單元之第二連接部，該第一連接部與第二連接部之間設有絕緣件，該絕緣件使所第一連接部與該第二連接部相互絕緣。

於其中一實施例中，還包括第二導電層，該第二導電層與該第一導電層於該基片之厚度方向上相互間隔且絕緣，該第二導電層以單一金屬形成金屬網格，該第二導電層的該金屬網格被定義有複數第二導電區及複數第二絕緣區，其中每一該第二絕緣區位於相鄰二該第二導電區之間，該第二導電層的該金屬網格於該第二絕緣區的部分以一硫化氫進行反應為絕緣金屬硫化物而為絕緣網格。

於其中一實施例中，該第二導電區之金屬網格和該第二絕緣區之絕緣網格形狀互補。

於其中一實施例中，還包括第二基質層，該第二導電層嵌設於該第二基質層中。

於其中一實施例中，其中該第二基質層覆蓋該第一導電層，該第二基質層位於該第一導電層與該第二導電層之間，且該第二基質層、第一導電層及該第二導電層同位於該基片之同側。

於其中一實施例中，其中該第二基質層設於該基片之第二表面。

於其中一實施例中，其中該第二基質層遠離該基片之表面設有第二凹槽，該第二導電層收容於該第二凹槽中。

於其中一實施例中，其中該基片之第二表面設有第二凹槽，該第二導電層收容於該第二凹槽中。

於其中一實施例中，其中該第二導電層直接形成於該基片之第二表面。

一種觸控式螢幕，包括透明面板、電極引線與導電線路，還包括如以上所述之導電膜，該透明面板覆蓋於該第一導電層表面，該電極引線與第一導電區之金屬網格連接，該導電線路與電極引線連接。

一種觸控式螢幕，包括透明面板、電極引線和導電線路，還包括如以上所述之導電膜，該透明面板覆蓋於該第一導電層表面，該電極引線包括第一電極引線及第二電極引線，該第一電極引線與第二電極引線於該基片之厚度方向上相互間隔，該第一電極引線與第一導電層之金屬網格之金屬線連接，該第二電極引線與第二導電層之金屬網格之金屬線連接，該導電線路與電極引線連接。

一種導電膜之製造方法，包括以下步驟：提供一基片，該基片包括相對設置之第一表面和第二表面；於該基片之第一表面形成金屬網格，構成第一導電層；於該第一導電層表面進行圖形化遮蔽以形成保護層，被該保護層覆蓋之區域為第一導電區，未被保護層覆蓋之區域為第一絕緣區；氧化第一導電層，以使未被保護層覆蓋之金屬網格被氧化；及 置於H₂S氛圍中，使該第一絕緣區之金屬網格反應生成絕緣之金屬硫化物，形成絕緣網格，得到該導電膜。

於其中一實施例中，其中該形成金屬網格具體包括以下步驟：於該基片壓印以形成第一凹槽；於該第一凹槽填充金屬漿並燒結，形成金屬網格，構成第一導電層。

於其中一實施例中，其中該形成金屬網格具體包括以下步驟：於該述基片之第一表面進行塗布，以形成第一基質層；於該第一基質層壓印以形成第一凹槽；於該第一凹槽填充金屬漿並燒結，以形成嵌入第一基質層中之金屬網格，構成第一導電層。

於其中一實施例中，其中該形成金屬網格具體包括以下步驟：於該基片之第一表面塗布納米金屬漿；將基片進行烘烤，以烘乾第一表面塗布之納米金屬漿中溶劑，使納米金屬漿中納米金屬線相互搭接，形成第一導電層；對第一導電層進行壓實，以使納米金屬漿中納米金屬線相互連接形成金屬網格。

於其中一實施例中，其中於該置於H₂S氛圍中步驟後，還包括形成第二導電層之步驟，具體包括以下步驟：於該基片之第一導電層表面或該基片之第二表面形成金屬網格，構成第二導電層；於該第二導電層表面進行圖形化遮蔽以形成保護層，被該保護層覆蓋之區域為第二導電區，未被保護層覆蓋之區域為第二絕緣區；氧化第二導電層，以使未被保護層覆蓋之金屬網格被氧化；置於H₂S氛圍中，使該第二導電層未被保護層覆蓋之金屬網格反應生成絕緣之金屬硫化物，形成絕緣網格，得到第二導電區由金屬 網格形成，第二絕緣區由不導電之絕緣網格形成之導電膜。

於其中一實施例中，其中對圖形化遮蔽後之第一導電層和第二導電層進行氧化之方式包括：將第一導電層和第二導電層置於氧化氛圍中，該氧化氛圍包括過氧化氫、稀硝酸、熱濃硫酸或者鹽酸；或於第一導電層和第二導電層表面塗布氧化材質，形成第一絕緣區和第二絕緣區。

於其中一實施例中，其中該保護層藉由塗布光刻膠、噴墨列印或圖形化絲網印刷形成。

100、200‧‧‧導電膜

110‧‧‧基片

112‧‧‧第一表面

114‧‧‧第二表面

120‧‧‧第一基質層

130‧‧‧第一導電層

132‧‧‧第一導電區

134‧‧‧第一絕緣區

132a‧‧‧金屬網格

134a‧‧‧絕緣網格

140‧‧‧第一凹槽

1322‧‧‧第一軸向導電列

1324‧‧‧第二軸向導電列

13222‧‧‧第一軸向導電單元

13224‧‧‧第一連接部

13242‧‧‧第二軸向導電單元

13244‧‧‧第二連接部

1326‧‧‧絕緣件

210‧‧‧第二基質層

220‧‧‧第二凹槽

230‧‧‧第二導電層

232‧‧‧第二導電區

234‧‧‧第二絕緣區

300、400‧‧‧觸控式螢幕

310、410‧‧‧透明面板

420‧‧‧電極引線

422‧‧‧第一電極引線

424‧‧‧第二電極引線

S110~S460‧‧‧步驟

為了更清楚地說明本發明實施方式或習知技術中的技術方案，下面將對實施方式或習知技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅係本發明的一些實施方式，對於本領域普通技術人員來講，於不付出創造性勞動性的前提下，還可根據該等附圖獲得其他的附圖。

圖1為導電膜第一實施方式之結構示意圖；圖2為導電膜第一實施方式之另一視角之結構示意圖；圖3為導電膜第一實施方式之另一視角之結構示意圖；圖4為導電膜另一實施方式之結構示意圖；圖5為導電膜另一實施方式之結構示意圖；圖6為導電膜另一實施方式之結構示意圖；圖6A為圖6中A處之局部放大圖；圖6B為圖6中B處之局部放大圖；圖6C為圖6中C處之局部放大圖；圖7為圖6所示之導電膜應用到觸控式螢幕之結構示意圖；圖8為導電膜另一實施方式應用於觸控式螢幕之結構示意圖；圖9為導電膜另一實施方式應用到觸控式螢幕之另一種結構示意圖；圖9A為圖9中C處之局部放大圖；圖9B為圖9中D處之局部放大圖； 圖10為第一實施方式之導電膜之製造方法流程圖；圖11為第二實施方式之導電膜之製造方法流程圖；圖12為第三實施方式之導電膜之製造方法流程圖；圖13為第四實施方式之導電膜之製造方法流程圖。

下面將結合本發明實施方式中的附圖，對本發明實施方式中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施方式僅僅係本發明一部分實施方式，而非全部的實施方式。基於本發明中的實施方式，本領域普通技術人員於沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施方式，皆屬於本發明保護的範圍。

如圖1至圖3所示之第一實施方式中，導電膜100包括基片110、第一基質層120、第一導電層130和第一凹槽140。基片110包括相對設置之第一表面112和第二表面114。第一基質層120覆蓋於第一表面112，第二表面114通常用於貼附於遮罩層或顯示幕上，形成觸摸顯示幕。第一凹槽140開設於第一基質層120遠離第一表面112那面。第一導電層130收容於第一凹槽140中，形成嵌入式網格，包括複數第一導電區132和複數第一絕緣區134，其中一第一絕緣區134位於相鄰二第一導電區132之間。第一導電區132包括由金屬形成之金屬網格132a，第一絕緣區134包括由絕緣之金屬硫化物所形成之絕緣網格134a，其中絕緣之金屬硫化物係由金屬與硫化氫經過反應生成。

上述導電膜100，由於第一導電層130包括第一導電區132和第一絕緣區134，且第一導電區132由金屬網格132a形成，第一絕緣區134由該金屬與硫化氫經過反應生成之絕緣之絕緣網格134a形成，故第一絕緣區134不是空白，而係由透過率與金屬網格132a接近之絕緣網格134a構成，有利於觸控式螢幕上之透光率達成一致，避免第一導電區132和第一絕緣區134形成明暗交替之色塊，提高用戶體驗感。

於其它之實施方式中，第一凹槽140亦可直接開設於基片110之第一表面112上，第一導電層130收容於第一凹槽140中，形成嵌入式網格。所以第一基質層120並不是必須的。第一導電區132和第一絕緣 區134形成嵌入式網格，有利於節約金屬材質，節約製造成本，而且當第一導電層130中之金屬網格和絕緣網格於10微米~20微米之間，可滿足視覺上之透明。第一基質層120用於絕緣和成型。

於其它之實施方式中，還可不開設第一凹槽140，藉由直接於基片110之第一表面112形成交錯分佈之金屬網格132a，金屬網格132a由複數相互交叉之金屬細線組成。省去開設凹槽這一步驟，且藉由於基片110之第一表面112壓實形成之金屬網格132a，可以得到任意圖案。

具體地，第一導電區132之金屬材質可為金、銀、銅、鋁和鋅中其中一種或者至少二種之合金。由於金、銀、銅、鋁和鋅相對來說價格便宜，故能降低成本。於本實施方式中，主要以銀作為金屬網格之材質。

請參閱圖1或圖3，具體於本實施方式中，相鄰第一導電區132之金屬網格132a和第一絕緣區134之絕緣網格134a可形狀互補。使得第一導電區132和第一絕緣區134之網格類型和密度完全相同，不會出現空白區，其透過率完全一致，故不會形成明暗交替之色塊。當然，於其它之實施方式中，第一絕緣區134之絕緣網格134a也可不與第一導電區132之金屬網格132a互補，例如第一絕緣區134之絕緣網格134a可與第一導電區132之金屬網格132a出現肉眼不可見之空白區域，亦能實現透過率相同。還可將絕緣網格134a劃分開，使不導電絕緣網格134a之間形成肉眼不可見之間隔，亦能使透過率相同。故第一導電區132之金屬網格132a和所述第一絕緣區134之絕緣網格134a形狀互補並不是必須的。

具體於第一實施方式中，第一凹槽140之深度大於或者等於第一導電層130之厚度。於先利用壓印凹槽，再填充金屬漿來形成金屬導電格線之過程中，由於金屬漿於燒結過程中，溶劑會揮發，故第一導電層130之厚度小第一凹槽140之深度。

於第一實施方式中，基片110之材質皆為對苯二甲酸乙二酯。於其它之實施方式中，該基片110還可為其它材質，例如聚對苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯塑膠以及玻璃等，以透明絕緣材質為佳。

請參閱圖6、圖6A和圖6B，於其中一實施方式中，第一導 電區132包括第一軸向導電列1322及第二軸向導電列1324。第一軸向導電列1322包括第一軸向導電單元13222及電連接第一軸向導電單元13222之第一連接部13224，第二軸向導電列1324包括第二軸向導電單元13242及電連接第二軸向導電單元13242之第二連接部13244，第一連接部13224與第二連接部13244之間設有絕緣件1326，絕緣件1326使第一連接部13224與第二連接部13244相互絕緣。以二維坐標系中之Y軸為第一軸向導電列1322，以X軸為第二軸向導電列1324。於本實施方式中，第一軸向導電單元13222和第二軸向導電單元13242為菱形網格，當然，於其它之實施方式中，也可為長方形、正方形、矩形等形狀。

如圖4和圖5所示，第二實施方式中，一種導電膜200，包括圖1至圖3中所示實施方式中之基片110、第一基質層120和第一導電層130，還包括第二基質層210、第二凹槽220和第二導電層230。第二基質層210覆蓋於第一導電層130，且第二基質層210開設有第二凹槽220。第二導電層230收容於第二凹槽220中，形成嵌入式網格。第二導電層230包括複數第二導電區232和複數第二絕緣區234，其中一第二絕緣區234位於相鄰二第二導電區232之間。第二導電區232包括由金屬所形成之金屬網格132a，第二絕緣區234包括由絕緣之金屬硫化物所形成之絕緣網格134a，其中絕緣之金屬硫化物由金屬與硫化氫反應產生，第二基質層210、第一導電層130及其第二導電層230同位於該基片110之同側。

上述導電膜200，由於第一導電層130和第二導電層230皆包括導電區和絕緣區，且導電區由金屬網格132a形成，絕緣區由該金屬與硫化氫經過反應生成之絕緣之絕緣網格134a形成，故該絕緣區不是空白，使得該絕緣區被光透過率與金屬網格132a接近之絕緣網格134a覆蓋，故有利於觸控式螢幕上之透光率達成一致，避免導電區和絕緣區形成明暗交替之色塊，保證第一導電層130和第二導電層230之透過率一致，提高用戶體驗感。

於第二實施方式中，金屬材質與第一實施方式中相同，皆取自金、銀、銅、鋁和鋅中其中一種或者任意二種之合金，且凹槽之深度皆大於或者等於導電層之厚度，這裡不再詳述。

第二實施方式中基片110與第一實施方式中相同，這裡不再贅述。

第二實施方式中，第一基質層120和第二基質層210皆為透明絕緣材質且異於基片110，用於金屬網格成型。第一基質層120和第二基質層210可為UV固化膠一一無溶劑紫外固化亞克力樹脂。於其它實施方式中，該UV固化膠還可為其它成份，一般包括預聚物、單體、光引發劑及助劑，各組份摩爾配比為：30%~50%：40%~60%：1%~6%：0.2%~1%。其中，預聚物選自：環氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯及丙烯酸樹脂等；單體選自：單官能、二官能及三官能及多官能；引發劑選自：二苯甲酮，二苯乙酮等；助劑可加可不加，一般作為黏接劑使用，常用助劑包括：對苯二酚、對甲氧基苯酚、對苯醌及2，6一二叔丁基甲苯酚等。

於其它實施方式中，第一基質層120和第二基質層210還可為其它光固膠、熱固膠或自幹膠等。第二基質層210上形成網格狀凹槽，用於容納第二導電層230。基片110、第一基質層120材質儘量選取透光率高之材質，透光率應為85%以上。

於其它實施方式中，第二導電層230還可設置於基片110之第二表面114。即第二導電層230可收容於直接開設於基片之第二表面114之第二凹槽220，這樣亦能使第二導電層230位於第二表面114。

於其它實施方式中，還可不開設第二凹槽220，藉由直接於基片之第二表面114形成交錯分佈之金屬網格132a，金屬網格132a由複數相互交叉之金屬細線組成。省去開設第二凹槽220這一步驟，且藉由於基片之第二表面114壓實形成之金屬網格，可得到任意圖案。

請參閱圖6、圖7，為觸控式螢幕之第一實施方式，一種觸控式螢幕300，包括透明面板310，還包括圖6至圖6C所示之實施方式中之導電膜100，透明面板310覆蓋於第一導電層130表面。

上述觸控式螢幕300，即通常所說之單層多點結構之觸控式螢幕，以橫向為X軸，縱向為Y軸，以Y軸為第一軸向導電列1322，以X軸為第二軸向導電列1324。第一導電區132包括第一軸向導電列1322及第 二軸向導電列1324；第一軸向導電列1322包括第一軸向導電單元13222及電連接第一軸向導電單元13222之第一連接部13224，第二軸向導電列1324包括第二軸向導電單元13242及電連接第二軸向導電單元13242之第二連接部13244，第一連接部13224與第二連接部13244之間設有絕緣件1326，絕緣件1326使所第一連接部13224與第二連接部13244相互絕緣。第一軸向導電列1322和第二軸向導電列1324分別構成觸控式螢幕之感應電極和驅動電極。第一軸向導電列和第二軸向導電列以外之區域為覆蓋有由金屬硫化物形成之絕緣網格134a之第一絕緣區134。

由於第一導電區132包括由金屬形成之金屬網格132a，第一絕緣區134包括由絕緣之金屬硫化物形成之絕緣網格134a，其中絕緣之金屬硫化物係由金屬與硫化氫經過反應生成。故第一絕緣區134不是空白，使得第一絕緣區134被透過率與金屬網格132a接近之絕緣網格134a覆蓋，故有利於觸控式螢幕上之透光率達成一致，避免導電區和絕緣區形成明暗交替之色塊，保證第一導電層130之透過率一致，提高用戶體驗感。

請參閱圖8、圖9、圖9A和圖9B，為觸控式螢幕之第二實施方式，一種觸控式螢幕400，還包括圖4和圖5所示之實施方式中之導電膜200，透明面板410覆蓋於第二導電層230表面，電極引線420包括及第二電極引線424，第一電極引線422與於基片110之厚度方向上相互間隔，第一電極引線422與第一導電層130之金屬網格132a之金屬線連接，第二電極引線424與第二導電層230之金屬網格132a之金屬線連接，導電線路與電極引線420連接。

於沒有具體指明第一導電區、第一絕緣區、第二導電區和第二絕緣區之情況下，導電區為第一導電區和第二導電區之統稱，絕緣區為第一絕緣區和第二絕緣區之統稱。

上述觸控式螢幕400，第一導電層130和第二導電層230之導電區和絕緣區呈條形，且第一導電層130和第二導電層230之條形相互垂直。第一導電層130和第二導電層230之導電區被電極引線420引出，與導電線路連接，形成感應電極和驅動電極。由於第一導電區132和第二導電區232皆包括由金屬形成之金屬網格132a，第一絕緣區134和第二絕 緣區234皆包括由絕緣之金屬硫化物形成之絕緣網格134a，其中絕緣之金屬硫化物係由金屬與硫化氫經過反應生成。故絕緣區不是空白，由於金屬網格132a之遮光比會讓透過率衰減，故將絕緣區設置成不導電之絕緣網格134a，有利於觸控式螢幕上之透光率達成一致，避免導電區和絕緣區形成明暗交替之色塊，保證第一導電層130和第二導電層230之透過率一致，提高用戶體驗感。

請參閱圖10，還提供製造導電膜之方法，於導電膜之製造方法之第一實施方式中，包括以下步驟：

步驟S110，提供一基片110。基片110包括相對設置之第一表面112和第二表面114。基片110之厚度可為125微米。基片110之材質皆為對苯二甲酸乙二酯。於其它之實施方式中，該基片110還可為其它材質，例如聚對苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯塑膠以及玻璃等，以透明絕緣材質為佳。

步驟S120，於基片110之第一表面112形成金屬網格132a，構成第一導電層130。金屬網格132a形成於基片110之第一表面112，構成第一導電層130。具體包括以下步驟：步驟S122，於基片110表面壓印形成第一凹槽140。第一凹槽140為網格狀，第一凹槽140之深度可為3微米，寬度可為2.2微米。

步驟S124，於第一凹槽140中填充金屬漿，並進行燒結，形成金屬網格132a，構成第一導電層130。本實施方式中使用刮塗技術於網格狀之凹槽中填充納米銀墨水，然後於150攝氏度之條件下燒結，使納米銀墨水中之銀單質燒結成導電銀細線，其中銀墨水之固含量為35%，溶劑於燒結中揮發，所以導電銀細線之厚度小於第一凹槽140。

步驟S130，於第一導電層130表面進行圖形化遮蔽以形成保護層，被保護層覆蓋之區域為第一導電區132，未被保護層覆蓋之區域為第一絕緣區134。於第一導電層130表面藉由圖形化遮蔽形成被保護層覆蓋之第一導電區132和未被保護層覆蓋之第一絕緣區134。圖形化後可形成例如菱形網格、正方形網格、長方形網格等圖形。

步驟S140，氧化第一導電層130，以使未被保護層覆蓋之 金屬網格132a被氧化。

步驟S150，置於H₂S氛圍中，使第一導電層130未被保護層覆蓋之金屬網格132a反應生成不導電之金屬硫化物，形成絕緣之絕緣網格134a，得到第一導電區132由金屬網格132a形成，第一絕緣區134由不導電之絕緣網格134a形成之導電膜100。即第一絕緣區134形成難溶且不導電的Ag₂S。

由於進行圖形化遮蔽後再經過氧化，然後再置於H₂S氛圍中，故不必將導電層不需要之絕緣區刻蝕掉，故可避免刻蝕過程中產生大量之金屬鹽廢液，造成重金屬污染，同時將第一絕緣區之金屬網格132a氧化成金屬硫化物形成之絕緣網格134a，有利於觸控式螢幕上之透光率達成一致，避免形成明暗交替之色塊，提高用戶體驗感。其中保護層可通過習知工藝除去。

請參閱圖11，於導電膜之製造方法之第二實施方式中，包括以下步驟：

步驟S210，提供一基片110，基片110包括相對設置之第一表面112和第二表面114。

步驟S220，於基片110之第一表面112形成金屬網格132a，構成第一導電層130。具體包括以下步驟：步驟S222，於基片110之第一表面112進行塗布，以形成第一基質層120。

步驟S224，於第一基質層120表面壓印以形成第一凹槽140。

步驟S226，於第一凹槽140填充金屬漿，並進行燒結，形成嵌入第一基質層120中之金屬網格，構成第一導電層130。

步驟S230，於第一導電層130表面進行圖形化遮蔽以形成保護層，被保護層覆蓋之區域為第一導電區132，未被保護層覆蓋之區域為第一絕緣區134。於第一導電層130表面通過圖形化遮蔽形成被保護層覆蓋之第一導電區132和未被保護層覆蓋之第一絕緣區134。圖形化後可形成例如菱形網格、正方形網格、長方形網格等圖形。

步驟S240，氧化第一導電層130，以使未被保護層覆蓋之 金屬網格132a被氧化。

步驟S250，置於H₂S氛圍中，使第一導電層130未被保護層覆蓋之金屬網格132a反應生成絕緣之金屬硫化物，形成絕緣網格134a，得到第一導電區132由金屬網格132a形成，第一絕緣區134由絕緣之絕緣網格134a形成之導電膜。即第一絕緣區134形成難溶且不導電的Ag₂S。

於本實施方式中，步驟S210、步驟S230、步驟S240和步驟S250與導電膜之製造方法之第一實施方式中之步驟S110、步驟S130、步驟S140、步驟S150相同，步驟S224、步驟S226與導電膜之製造方法之第一實施方式中之步驟S122、步驟S124相同，這裡不再贅述。

由於進行圖形化遮蔽後再經過氧化，然後再置於H₂S氛圍中，故不必將導電層不需要之絕緣區刻蝕掉，故可避免刻蝕過程中產生大量金屬鹽廢液，造成重金屬污染，同時將絕緣區之金屬網格132a氧化成金屬硫化物形成之絕緣網格134a，有利於觸控式螢幕上之透光率達成一致，避免形成明暗交替之色塊，提高用戶體驗感。

請參閱圖12，於導電膜之製造方法之第三實施方式中，包括以下步驟：

步驟S310，提供一基片110，基片110包括相對設置之第一表面112和第二表面114。

步驟S320，於基片110第一表面112形成金屬網格132a，構成第一導電層130。具體包括以下步驟：步驟S322，於基片110之第一表面112塗布納米金屬漿。具體為於基片110上塗布納米銀墨水，銀墨水為納米銀材質親水性溶劑形成，其中溶質為直徑20納米~40納米，長10微米~20微米之單質銀線。

步驟S324，將基片110進行烘烤，以將第一表面112之金屬漿烘乾使納米金屬漿中納米金屬線相互搭接，形成第一導電層130。其中金屬細線為納米銀線，且納米印象相互交錯分佈。

步驟S326，對第一導電層130進行壓實，使納米金屬漿中納米金屬線相互連接形成金屬網格132a，可形成任意圖案。

步驟S330，於第一導電層130表面進行圖形化遮蔽以形成 保護層，被保護層覆蓋之區域為第一導電區132，未被保護層覆蓋之區域為第一絕緣區134。於第一導電層130表面通過圖形化遮蔽形成被保護層覆蓋之第一導電區132和未被保護層覆蓋之第一絕緣區134。圖形化後可形成例如菱形網格、正方形網格、長方形網格等圖形。

步驟S340，氧化第一導電層130，以使未被保護層覆蓋之金屬網格132a被氧化。

步驟S350，置於H₂S氛圍中，使第一導電層130未被保護層覆蓋之金屬網格132a反應生成絕緣之金屬硫化物形成之絕緣網格134a，得到第一導電區132由金屬網格132a形成，第一絕緣區134由絕緣之金屬硫化物之絕緣網格134a形成之導電膜。即第一絕緣區134a形成難溶且不導電的Ag₂S。

於本實施方式中，步驟S310、步驟S330、步驟S340和步驟S350皆與第一實施方式中步驟S110、步驟S130、步驟S140、步驟S150相同，這裡不再贅述。

由於進行圖形化遮蔽後再經過氧化，然後再置於H₂S氛圍中，故不必將導電層不需要之絕緣區刻蝕掉，故可避免刻蝕過程中產生大量金屬鹽廢液，造成重金屬污染，同時將絕緣區之金屬網格氧化成金屬化合物網格，有利於觸控式螢幕上之透光率達成一致，避免形成明暗交替之色塊，提高用戶體驗感。

請參閱圖13，於第四實施方式中，還包括形成第二導電層230之步驟，具體包括以下步驟：

步驟S410，提供一基片110，基片110包括相對設置之第一表面112和第二表面114。

步驟S420，於基片110之第一表面112形成金屬網格132a，構成第一導電層130。步驟S420與第一實施方式中步驟S120、第二實施方式中步驟S220或者第三實施方式中步驟S320任意一個相同，這裡不再贅述。

步驟S430，於第一導電層130表面進行圖形化遮蔽以形成保護層，被保護層覆蓋之區域為第一導電區132，未被保護層覆蓋之區域為 第一絕緣區134。於第一導電層130表面通過圖形化遮蔽形成被保護層覆蓋之第一導電區132和未被保護層覆蓋之第一絕緣區134。圖形化後可形成例如條狀圖形。

步驟S440，氧化第一導電層130，以使未被保護層覆蓋之金屬網格132a被氧化。

步驟S450，置於H₂S氛圍中，使第一導電層130未被保護層覆蓋之金屬網格132a反應生成絕緣之金屬硫化物，形成不導電絕緣網格134a，得到第一導電區132由金屬網格132a形成，第一絕緣區134由不導電之絕緣網格134a形成。即第一絕緣區134形成難溶且不導電之Ag₂S。

步驟S460，於第一導電層130表面或基片110之第二表面114形成金屬網格132a，構成第二導電層230。即第二導電層230可位於第一導電層130表面，亦可位於基片之第二表面114。第二導電層230與第一導電層130結構相同。

重複步驟S430~步驟S450，於第二導電層230表面進行圖形化遮蔽以形成保護層，被保護層覆蓋之區域為第二導電區232，未被保護層覆蓋之區域為第二絕緣區234。於第二導電層230表面通過圖形化遮蔽形成被保護層覆蓋之第二導電區232和未被保護層覆蓋之第二絕緣區234。圖形化後可形成例如條狀等圖形。

步驟S440，氧化第二導電層230，以使未被保護層覆蓋之金屬網格132a被氧化。

步驟S450，置於H₂S氛圍中，使第二導電層230未被保護層覆蓋之金屬網格132a反應生成不導電之金屬硫化物，形成不導電絕緣網格134a，得到第二導電區232之金屬網格132a形成，第二絕緣區234由不導電之絕緣網格134a形成之導電膜。

於本實施方式中，其它步驟例如S410至S450與第一實施方式中步驟S110至步驟S150、第二實施方式中步驟S210至步驟S250或者第三實施方式中步驟S310至步驟S350相同，這裡不再贅述。

上述實施方式中，對圖形化遮蔽後之第一導電層130和第二導電層230進行氧化之方式包括：將第一導電層130和第二導電層230置 於氧化氛圍中，氧化氛圍包括過氧化氫、稀硝酸、熱濃硫酸或者鹽酸；或於第一導電層130和第二導電層230表面塗布氧化材質，形成第一絕緣區134和第二絕緣區234。

其中，保護層通過光刻膠、噴墨列印或者圖形化絲網印刷形成。

綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，舉凡熟悉本案技藝之人士，在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。

100‧‧‧導電膜

110‧‧‧基片

130‧‧‧第一導電層

132‧‧‧第一導電區

134‧‧‧第一絕緣區

132a‧‧‧金屬網格

134a‧‧‧絕緣網格

Claims (24)

1. 一種導電膜，包括：基片，包括相對設置之第一表面與第二表面；第一導電層，設於該基片之第一表面，該第一導電層以單一金屬形成金屬網格，該金屬網格被定義有複數第一導電區及複數第一絕緣區，其中每一該第一絕緣區位於相鄰二該第一導電區之間，該金屬網格於該第一絕緣區的部分以一硫化氫進行反應為絕緣金屬硫化物而為絕緣網格。
2. 如請求項1所述之導電膜，其中該第一導電層直接形成於該基片之第一表面。
3. 如請求項2所述之導電膜，其中該基片之第一表面設有第一基質層，該第一導電層嵌設於該第一基質層中。
4. 如請求項3所述之導電膜，其中該第一基質層遠離該基片之表面設有第一凹槽，該第一導電層收容於該第一凹槽中。
5. 如請求項2所述之導電膜，其中該基片之第一表面設有第一凹槽，該第一導電層收容於該第一凹槽中。
6. 如請求項1至請求項5任意一項所述之導電膜，其中該第一導電區之金屬網格和該第一絕緣區之絕緣網格形狀互補。
7. 如請求項6所述之導電膜，其中該第一導電區包括第一軸向導電列及第二軸向導電列；該第一軸向導電列包括第一軸向導電單元及電連接第一軸向導電單元之第一連接部，該第二軸導電列包括第二軸向導電單元及電連接第二軸向導電單元之第二連接部，該第一連接部與第二連接部之間設有絕緣件，該絕緣件使所第一連接部與該第二連接部相互絕緣。
8. 如請求項6所述之導電膜，還包括第二導電層，該第二導電層與該第一導電層於該基片之厚度方向上相互間隔且絕緣，該第二導電層以單一金屬形成金屬網格，該第二導電層的該金屬網格被定義有複數第二導電區及複數第二絕緣區，其中每一該第二絕緣區位於相鄰二該第二導電區之間，該第二導電層的該金屬網格於該第二絕緣區的部分以一硫化氫進行反應為絕緣金屬硫化物而為絕緣網格。
9. 如請求項8所述之導電膜，該第二導電區之金屬網格和該第二絕緣區之絕緣網格形狀互補。
10. 如請求項9所述之導電膜，還包括第二基質層，該第二導電層嵌設於該第二基質層中。
11. 如請求項10所述之導電膜，其中該第二基質層覆蓋該第一導電層，該第二基質層位於該第一導電層與該第二導電層之間，且該第二基質層、第一導電層及該第二導電層同位於該基片之同側。
12. 如請求項10所述之導電膜，其中該第二基質層設於該基片之第二表面。
13. 如請求項11或請求項12所述之導電膜，其中該第二基質層遠離該基片之表面設有第二凹槽，該第二導電層收容於該第二凹槽中。
14. 如請求項12所述之導電膜，其中該基片之第二表面設有第二凹槽，該第二導電層收容於該第二凹槽中。
15. 如請求項12所述之導電膜，其中該第二導電層直接形成於該基片之第二表面。
16. 一種觸控式螢幕，包括透明面板、電極引線和導電線路，還包括如請求項1至請求項7中任意一項所述之導電膜，該透明面板覆蓋於該第一導電層表面，該電極引線與第一導電區之金屬網格連接，該導電線路與電極引線連接。
17. 一種觸控式螢幕，包括透明面板、電極引線和導電線路，還包括如請求項8至請求項15中任意一項所述之導電膜，該透明面板覆蓋於該第一導電層表面，該電極引線包括第一電極引線及第二電極引線，該第一電極引線與第二電極引線於該基片之厚度方向上相互間隔，該第一電極引線與第一導電層之金屬網格之金屬線連接，該第二電極引線與第二導電層之金屬網格之金屬線連接，該導電線路與電極引線連接。
18. 一種導電膜之製造方法，包括以下步驟：提供一基片，該基片包括相對設置之第一表面和第二表面；於該基片之第一表面形成金屬網格，構成第一導電層；於該第一導電層表面進行圖形化遮蔽以形成保護層，被該保護層覆蓋之區域為第一導電區，未被保護層覆蓋之區域為第一絕緣區；氧化第一導電層，以使未被保護層覆蓋之金屬網格被氧化；及置於H₂S氛圍中，使該第一絕緣區之金屬網格反應生成絕緣之金屬硫化物，形成絕緣網格，得到該導電膜。
19. 如請求項18所述之導電膜之製造方法，其中該形成金屬網格具體包括以下步驟：於該基片壓印以形成第一凹槽；於該第一凹槽填充金屬漿並燒結，形成金屬網格，構成第一導電層。
20. 如請求項18所述之導電膜之製造方法，其中該形成金屬網格具體包括以下步驟：於該述基片之第一表面進行塗布，以形成第一基質層；於該第一基質層壓印以形成第一凹槽；於該第一凹槽填充金屬漿並燒結，以形成嵌入第一基質層中之金屬網格，構成第一導電層。
21. 如請求項18所述之導電膜之製造方法，其中該形成金屬網格具體包括以下步驟：於該基片之第一表面塗布納米金屬漿；將基片進行烘烤，以烘乾第一表面塗布之納米金屬漿中溶劑，使納米金屬漿中納米金屬線相互搭接，形成第一導電層；對第一導電層進行壓實，以使納米金屬漿中納米金屬線相互連接形成金屬網格。
22. 如請求項18至請求項21任意一項所述之導電膜之製造方法，其中於該置於H₂S氛圍中步驟後，還包括形成第二導電層之步驟，具體包括以下步驟：於該基片之第一導電層表面或該基片之第二表面形成金屬網格，構成第二導電層；於該第二導電層表面進行圖形化遮蔽以形成保護層，被該保護層覆蓋之區域為第二導電區，未被保護層覆蓋之區域為第二絕緣區；氧化第二導電層，以使未被保護層覆蓋之金屬網格被氧化；置於H₂S氛圍中，使該第二導電層未被保護層覆蓋之金屬網格反應生成絕緣之金屬硫化物，形成絕緣網格，得到第二導電區由金屬網格形成，第二絕緣區由不導電之絕緣網格形成之導電膜。
23. 如請求項18所述之導電膜之製造方法，其中對圖形化遮蔽後之第一導電層和第二導電層進行氧化之方式包括：將第一導電層和第二導電層置於 氧化氛圍中，該氧化氛圍包括過氧化氫、稀硝酸、熱濃硫酸或者鹽酸；或於第一導電層和第二導電層表面塗布氧化材質，形成第一絕緣區和第二絕緣區。
24. 如請求項18所述之導電膜之製造方法，其中該保護層藉由塗布光刻膠、噴墨列印或圖形化絲網印刷形成。