JP5846463B2 - 容量性タッチスクリーン及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明はタッチコントロール分野に関し、特に容量性タッチスクリーン及びその製造方法に関する。

タッチスクリーンは、タッチなどの入力シグナルを受信し得る誘導装置である。タッチスクリーンは情報インタラクションに斬新な様相をもたらし、注目されている新規な情報インタラクション装置である。タッチスクリーン技術の進化は、情報メディア業界の広範な注目を集め、既に光電分野の新興先端技術産業になっている。透明導電性フィルムは、良好な導電性を有し、且つ可視光波帯に高い光透過率を有する薄膜である。現在、透明導電性フィルムは、既にパネルディスプレイ、光起電力素子、タッチコントロールパネル及び電磁遮蔽などの分野に広く応用され、非常に広範な市場空間を持っている。

従来のワン・ガラス・ソリューション（ＯＧＳ）技術では、ガラスに酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を塗布しエッチングすることで、必要なＸ、Ｙ方向のセンサーパターンを得て、最後にＭｏＡｌＭｏ（モリブデン−アルミニウム−モリブデン）によってブリッジングする。しかしながら、ＭｏＡｌＭｏによってブリッジングする場合、形成されたブリッジングは不透明であり、製品の外観にはメタルブリッジングの金属線が現れ、製品の美しさに影響を与える。

このため、透明ブリッジング構造を有する容量性タッチスクリーン及びその製造方法を提案する必要がある。

容量性タッチスクリーンはベースを含み、前記ベースにポリマー層が設置され、前記ポリマー層に、複数の第１方向に沿って設置されたグリッド状の第１方向導電パターン及び複数の第２方向に沿って設置されたグリッド状の第２方向導電パターンが埋め込まれ、前記第１方向と第２方向とは互いに交差し、前記第１方向導電パターンは連続的に設置され、前記第２方向導電パターンは前記第１方向導電パターンを間隔として複数の互いに連通しない導電ユニットに分けられ、前記第１方向導電パターンの上に設置される絶縁層及び第２方向において隣接する２つの導電ユニットを接続する導電性ブリッジングをさらに含み、前記導電性ブリッジングの各々は、中間のグリッド状を呈するブリッジングリード線と、ブリッジングリード線の両端に位置し、且つブリッジングリード線に連通する２つの導電性ブロックとを含み、前記ブリッジングリード線は前記絶縁層表面に埋め込まれ、前記２つの導電性ブロックはそれぞれ前記絶縁層を貫通し、且つそれぞれ対応する１つの導電ユニットに連通し、前記導電性ブリッジングと前記第１方向導電パターンとの間が前記絶縁層によって分離されることを特徴とする。

そのうちの一実施例において、前記ベースはアルミノケイ酸塩ガラスまたはソーダ石灰ガラスで作られる。

そのうちの一実施例において、前記第１方向導電パターン及び前記第２方向導電パターンは、前記ベース表面に付着する金属コーティングをエッチングすることによって得られ、前記第１方向導電パターン及び第２方向導電パターンは前記ポリマー層の前記ベースに近づく片側に埋め込まれる。

そのうちの一実施例において、前記金属コーティングの厚さは５〜２０ｎｍである。

そのうちの一実施例において、前記金属コーティングは銀コーティングであり、前記銀コーティングの光透過率は８０％より大きい。

そのうちの一実施例において、前記ポリマー層は、当該ベースと貼り合わせる第１表面及び当該絶縁層と貼り合わせる第２表面を含み、当該第２表面にグリッド状の凹溝が設けられ、前記第１方向導電パターン及び第２方向導電パターンは前記グリッド状の凹溝に収容される。

そのうちの一実施例において、前記ポリマー層におけるグリッド状の凹溝の深さと幅との比は１より大きい。

そのうちの一実施例において、前記ブリッジングリード線の厚さは前記絶縁層の厚さより小さい。

そのうちの一実施例において、前記絶縁層の表面にグリッド状の凹溝が設けられ、前記ブリッジングリード線は前記グリッド状の凹溝に充填される導電性材料により形成され、前記導電性材料は金属、金属合金、導電性高分子、グラフェン、カーボンナノチューブ及び導電性インクの中から選ばれる少なくとも１種である。

そのうちの一実施例において、第２方向における前記導電性ブロックの幅は１〜２０μｍである。

そのうちの一実施例において、第１方向における前記導電性ブロックの幅は２〜１０μｍである。

そのうちの一実施例において、前記ブリッジングリード線は金属グリッドリード線である。

そのうちの一実施例において、前記第１方向に、前記第２方向導電パターンは互いに隔てて配置される。

容量性タッチスクリーンの製造方法は、
ベースの表面にポリマー層を塗布するステップと、
前記ポリマー層をパターン化してグリッド状の凹溝を形成するステップと、
複数の第１方向に沿って設置されたグリッド状の第１方向導電パターン及び複数の第２方向に沿って設置されたグリッド状の第２方向導電パターンを形成するように、前記グリッド状の凹溝に導電性材料を充填して硬化するステップであって、前記第１方向と第２方向とは互いに交差し、前記第２方向導電パターンは前記第１方向導電パターンを間隔として複数の互いに連通しない導電ユニットに分けられるステップと、
前記ポリマー層の表面にフォトレジスト層を塗布し、さらにマスクプレートを利用してフォトレジスト層を露光し、且つ現像によって、隣接する２つの導電ユニット箇所でそれぞれフォトレジストマスク層を得るステップと、
前記フォトレジストマスク層で覆われたポリマー層の表面に１層のエンボス接着剤を塗布して絶縁層とするステップと、
前記絶縁層に、隣接する２つのフォトレジストマスク層の間の位置にグリッド状のブリッジングリード線の凹溝を圧印するステップと、
絶縁層表面とポリマー層の表面とを連通する導電性ブロックの凹溝を形成するように、前記フォトレジストマスク層を除去するステップと、
前記ブリッジングリード線の凹溝と前記導電性ブロックの凹溝に導電性材料を充填して硬化し、隣接する２つの導電ユニットを連通する導電性ブリッジングを得るステップと、を含む。

そのうちの一実施例において、前記ベースはアルミノケイ酸塩ガラスまたはソーダ石灰ガラスで作られる。

そのうちの一実施例において、前記ベースの表面にポリマー層を塗布するステップの前に、プラズマビームを利用して前記ベースの表面に対してボンバード処理を行う。

そのうちの一実施例において、前記ポリマー層におけるグリッド状の凹溝の深さと幅との比は１より大きい。

そのうちの一実施例において、前記第１方向に、前記第２方向導電パターンは互いに隔てて配置される。

前記容量性タッチスクリーン及びその製造方法について、導電性ブリッジングはグリッド構造を採用するため、透明度を保証することができ、製品の外観に影響を与えない。

一実施例の容量性タッチスクリーンの構造模式図である。 一実施例の容量性タッチスクリーンの第１方向導電パターン及び第２方向導電パターンの分布模式図である。 導電パターンの導電性材料の充填状態の模式図である。 容量性タッチスクリーンの製造方法の各ステップの状態図である。 容量性タッチスクリーンの製造方法の各ステップの状態図である。 容量性タッチスクリーンの製造方法の各ステップの状態図である。 容量性タッチスクリーンの製造方法の各ステップの状態図である。 容量性タッチスクリーンの製造方法の各ステップの状態図である。 容量性タッチスクリーンの製造方法の各ステップの状態図である。 容量性タッチスクリーンの製造方法の各ステップの状態図である。 容量性タッチスクリーンの製造方法の各ステップの状態図である。

図１、図２及び図１１を参照すると、一実施例の容量性タッチスクリーン１００は、ベース１１０と、ベース１１０に設置されたポリマー層１２０と、ポリマー層１２０の同じ表面に埋め込まれ且つ第１方向Ｙに沿って設置された複数のグリッド状の第１方向導電パターン１３０と、ポリマー層１２０の同じ表面に埋め込まれ且つ第２方向Ｘに沿って設置された複数のグリッド状の第２方向導電パターン１４０とを含む。第１方向Ｙと第２方向Ｘとは互いに交差し、本実施例における第１方向Ｙと第２方向Ｘとは直交設置される。第１方向導電パターン１３０及び第２方向導電パターン１４０は容量性タッチスクリーン１００の導電層を構成する。

第１方向導電パターン１３０は連続的に設置され、互いに連通する。各第２方向導電パターン１４０は、第１方向導電パターン１３０を間隔として複数の導電ユニット１４２に分けられる。第１方向導電パターン１３０と第２方向導電パターン１４０の上に絶縁層１５０がさらに設けられる。絶縁層１５０に、第２方向Ｘにおいて隣接する２つの導電ユニット１４２を接続する導電性ブリッジング１６０が埋め込まれる。各導電性ブリッジング１６０は、中間のグリッド状のブリッジングリード線１６２と、両端に位置し、且つブリッジングリード線１６２と連通する２つの導電性ブロック１６４とを含み、２つの導電性ブロック１６４はそれぞれ１つの導電ユニット１４２に連通する。このように、導電性ブリッジング１６０は隣接する２つの導電ユニット１４２を連通させる。複数の導電性ブリッジング１６０の設置によって、第２方向導電パターン１４０が連通され、導電性ブリッジング１６０は絶縁層１５０によって第１方向導電パターン１３０と隔てられる。

本実施例において、ベース１１０は透明ガラスであり、その材質はアルミノケイ酸塩ガラスまたはソーダ石灰ガラスである。電子装置の小型化、軽量化及び薄型化の要求に適応するように、ベース１１０の厚さは一般に０．３ｍｍ〜１．２ｍｍであり、好ましくは、０．５ｍｍ〜０．７ｍｍである。

ポリマー層１２０はベース１１０の１つの表面を覆い、その材質は熱可塑性ポリマー、熱硬化性ポリマーまたは紫外線（ＵＶ）硬化性ポリマーであり、電子装置の小型化、軽量化及び薄型化の要求に適応するように、厚さは１μｍ〜１０μｍであり、好ましくは、２μｍ〜５μｍである。

第１方向導電パターン１３０及び第２方向導電パターン１４０はポリマー層１２０の内部に埋め込まれる。第１方向導電パターン１３０は連続的に分布し、第１方向Ｙに導通する。第２方向導電パターン１４０は第１方向導電パターン１３０を間隔として隔てられて複数の導電ユニット１４２に分けられ、導電性ブリッジング１６０によって接続される前には導通せず、且つ第１方向Ｙにおいて、複数の第２方向導電パターン１４０は互いに連通しない。第１方向導電パターン１３０及び第２方向導電パターン１４０はいずれもグリッド状を呈し、グリッドの基本形状は、正多角形であってもよく、例えば正方形、菱形、正六角形であり、不規則な形状であってもよい。第１方向導電パターン１３０及び第２方向導電パターン１４０は、ポリマー層１２０に必要なパターンのグリッド状の凹溝を圧印し、さらにグリッド状の凹溝に導電性材料を充填して硬化することによって形成される。グリッド状の凹溝の深さと幅との比は１より大きく、このように、充填した導電性材料はグリッド状の凹溝内によりよく保持することができる。詳細に、ポリマー層１２０は、ベース１１０と貼り合わせる第１表面（番号なし）及び絶縁層と貼り合わせる第２表面（番号なし）を含み、当該第２表面にグリッド状の凹溝が設けられ、第１方向導電パターン１３０及び第２方向導電パターン１４０はグリッド状の凹溝に収容される。本実施例において、第１方向導電パターン１３０及び第２方向導電パターン１４０のグリッド線の幅は０．２μｍ〜５μｍであり、好ましくは、０．５μｍ〜２μｍである。隣接する２本のグリッド線の間の距離は５０μｍ〜８００μｍである。グリッド線内に充填される金属の厚さは１μｍ〜１０μｍであり、好ましくは、２μｍ〜５μｍである。図５に示すように、金属によって充填されるグリッド線の厚さｈと幅ｗとの比の範囲は０．５〜２であり、好ましくは、１〜２である。なお、グリッド線の密度及び充填金属の厚さは材料の所要の透過率及びシート抵抗値によって設計され得る。

絶縁層１５０は、第１方向導電パターン１３０の上に位置し、それを圧印して導電性ブリッジング１６０を得る。同時に、絶縁層１５０は、導電性ブリッジング１６０と導電性ブリッジング１６０の下の第１方向導電パターン１３０との連通を防止する。絶縁層１５０の材質も熱可塑性ポリマー、熱硬化性ポリマーまたはＵＶ硬化性ポリマーであり、ポリマー層１２０の材質と同じであってもよく、異なってもよい。

ブリッジングリード線１６２は、絶縁層１５０の表面に必要なグリッド状の凹溝を圧印し、さらにグリッド凹溝に導電性材料を充填することによって得られる。ブリッジングリード線１６２のグリッド線密度は一般的に、第１方向導電パターン１３０と第２方向導電パターン１４０のグリッド線密度以下である。ブリッジングリード線１６２のグリッド線の幅は０．２μｍ〜５μｍであり、好ましくは、０．５μｍ〜２μｍである。隣接する２本のグリッド線の間の距離は５０μｍ〜５００μｍである。グリッド線の厚さは１μｍ〜１０μｍであり、好ましくは、２μｍ〜５μｍである。同様に、ブリッジングリード線１６２のグリッドの基本形状は正多角形であってよく、例えば正方形、菱形、正六角形であり、不規則な形状であってもよい。ブリッジングリード線１６２の厚さは絶縁層１５０の厚さより小さいため、絶縁層１５０はブリッジングリード線１６２と第１方向導電パターン１３０とを隔離させ得る。

ブリッジングリード線１６２の両端の２つの導電性ブロック１６４は、各ブリッジングリード線１６２と、連続しない第２方向導電パターン１４０とを連通させ、貫通の役割を果たし、且つブリッジングリード線１６２と第１方向導電パターン１３０との連通を防止することができる。各導電性ブロック１６４の形状は直線型または不規則な曲線であってもよい。視覚的な透明性を保証するために、第２方向Ｘにおける各導電性ブロック１６４の幅ａは１μｍ〜２０μｍであり、好ましくは、２〜１０μｍである。各導電性ブロック１６４の長さｂは、第１方向Ｙにおいて導電性ブロック１６４が隣接する第２方向導電パターン１４０の導電ユニット１４２と連通しないことを保証すればよい。

ブリッジングリード線１６２と導電性ブロック１６４が使用する導電性材料は第１方向導電パターン１３０と第２方向導電パターン１４０の導電性材料と同じであってもよく、異なってもよく、それは、金、銀、銅等の金属、金属合金、カーボンナノチューブ、グラフェン及び導電性高分子材料の中から選ばれる少なくとも１種である。

図４〜１１に示すように、容量性タッチスクリーンの製造方法をさらに提供し、ステップは以下の通りである。

ステップ１：ベースの表面にポリマー層を塗布する。図４を参照すると、本実施例において、厚さが０．７ｍｍのアルミノケイ酸塩強化ガラスをベース１１０とし、その１つの表面に厚さが５μｍのＵＶ型透明エンボス接着剤を塗布し、ポリマー層１２０を得る。ガラスパネルの表面とＵＶ接着剤層との接着力を強化させるために、接着剤を塗布する前に、当該ガラスパネルの表面に対してプラズマビームでボンバード処理を行ってもよく、その効果は以下の通りである；（１）ガラス表面の油汚れなどの汚れを除去し、汚れによる接着力の劣化を防止し、（２）ガラスパネルをイオン化させ、これによって、ＵＶ接着剤の接着力を向上させる。

ステップ２：前記ポリマー層をパターン化してグリッド状の凹溝を形成する。図５を参照すると、必要な導電層パターンと一致するダイプレートを利用してポリマー層１２０にグリッド凹溝を圧印する。図１を結び付けて参照すると、グリッド凹溝は、第１方向Ｙに沿って設置された複数の第１方向凹溝１２２と複数の第２方向凹溝とを含み、第１方向凹溝１２２は連続し、第２方向凹溝は連続せず、それは第１方向凹溝１２２を間隔として複数の凹溝ユニット１２４２に分けられる。ポリマー層１２０におけるグリッド状の凹溝の深さと幅との比は１より大きく、このように、充填した導電性材料をグリッド状の凹溝内によりよく保持することができる。

ステップ３：前記グリッド状の凹溝に導電性材料を充填して硬化し、第１方向に沿って設置されたグリッド状の複数の第１方向導電パターンと第２方向に沿って設置されたグリッド状の複数の第２方向導電パターンとを形成し、前記第１方向と第２方向とは互いに交差し、前記第２方向導電パターンは、前記第１方向導電パターンを間隔として複数の導電ユニットに分けられる。図６を参照すると、ステップ２で形成したグリッド凹溝に導電性材料を充填して硬化することによって、図１に示すような第１方向導電パターン１３０と第２方向導電パターン１４０を得ることができ、そのうち、第２方向導電パターン１４０は第１方向導電パターン１３０によって複数の導電ユニット１４２に隔てられ、且つ第１方向Ｙにおいて、第２方向導電パターン１４０は互いに連通しない。第１方向導電パターン１３０及び第２方向導電パターン１４０はグリッド状であり、第１方向導電パターン１３０及び第２方向導電パターン１４０を形成するように、導電性材料を充填する時にブレード塗布技術を利用してグリッド凹溝に導電性材料、例えばナノ銀インクを充填することができ、その後、焼結する。

ステップ４：前記ポリマー層の表面にフォトレジスト層を塗布し、さらにマスクプレートを利用してフォトレジスト層を露光し、且つ現像によって、隣接する２つの導電ユニット箇所でそれぞれフォトレジストマスク層を得る。図７を参照すると、フォトレジストマスク層１７０の位置は導電ユニット１４２の位置に対応し、後続の導電性ブリッジングの導電性材料を充填する時に栓の役割を果たす。

ステップ５：前記フォトレジストマスク層で覆われたポリマー層の表面に１層のエンボス接着剤をさらに塗布して絶縁層とする。図８を参照すると、ポリマー層１２０の上に１層のエンボス接着剤をさらに塗布し、絶縁層１５０を得る。フォトレジストマスク層１７０は絶縁層１５０に埋め込まれ、今回塗布するエンボス接着剤の厚さはフォトレジストマスク層１７０の厚さより小さい。塗布はロール塗布の方式を採用することができる。この過程において、フォトレジストマスク層１７０の頂部に一部のエンボス接着剤は残留する可能性があるが、その後、フォトレジストマスク層１７０を除去する操作時にそれをともに除去することができ、後続のステップに影響を与えない。一般的には、今回、塗布するエンボス接着剤の厚さはフォトレジストマスク層１７０の厚さより小さく、その目的は、フォトレジストマスク層１７０の頂部を絶縁層１５０の上に暴露させ、その後のフォトレジストマスク層１７０の除去を容易にすることである。当然、エンボス接着剤の厚さはフォトレジストマスク層１７０の厚さより大きくてもよく、その後にフォトレジストマスク層１７０を除去する時に、まずフォトレジストマスク層１７０に覆う一部のエンボス接着剤を除去すればよい。

ステップ６：前記絶縁層に、隣接する２つのフォトレジストマスク層の間の位置にグリッド状のブリッジングリード線の凹溝を圧印する。図９を参照すると、２つのフォトレジストマスク層１７０の間の位置、即ち２つの導電ユニット１４２の間の位置にグリッド状のブリッジングリード線の凹溝１５２を圧印する。

ステップ７：絶縁層表面とポリマー層の表面とを連通する導電性ブロックの凹溝を形成するように、前記フォトレジストマスク層を除去する。図１０を参照すると、栓の役割を果たすフォトレジストマスク層１７０を除去し、絶縁層１５０の表面のブリッジングリード線の凹溝１５２とポリマー層１２０の表面の導電ユニット１４２とを連通する導電性ブロックの凹溝１５４を得る。導電性材料を充填した後に適切な幅と長さを有する導電性ブロックを得るために、第２方向Ｘにおける導電性ブロックの凹溝１５４の幅は１〜２０μｍであり、好ましくは、２〜１０μｍである。

ステップ８：前記ブリッジングリード線の凹溝と前記導電性ブロックの凹溝に導電性材料を充填して硬化し、隣接する２つの導電ユニットを連通する導電性ブリッジングを得る。図１１を参照し、同時に図１と組み合わせると、ブリッジングリード線の凹溝１５２と導電性ブロックの凹溝１５４に導電性材料を充填して硬化した後、中間のグリッド状のブリッジングリード線１６２と両端の導電性ブロック１６４を得て、これによって、導電性ブリッジング１６０を得る。導電性ブロック１６４は貫通の役割を果たし、連続しない第２方向導電パターン１４０を接続する。同様に、ブリッジングリード線１６２と両端の導電性ブロック１６４を形成するために、ブレード塗布技術を利用してブリッジングリード線の凹溝１５２と導電性ブロックの凹溝１５４に導電性材料、例えばナノ銀インクを充填し、その後、焼結する。

上記の容量性タッチスクリーン及びその製造方法において、第１方向導電パターン１３０、第２方向導電パターン１４０及びブリッジングリード線１６２はいずれも圧印方式によって得られる。なお、第１方向導電パターン１３０と第２方向導電パターン１４０とは、さらに、ベース１１０表面に付着する金属コーティングをエッチングすることによって得ることができ、第１方向導電パターン１３０及び第２方向導電パターン１４０はポリマー層１２０のベース１１０に近づく片側に埋め込まれる。例えば、金属コーティングは、厚さが５〜２０ｎｍであり、光透過率が８０％より大きい銀コーティングであってもよく、露光−現像−エッチングによって金属グリッドリード線を得る。

上記容量性タッチスクリーンの製造方法と上記方法によって製造される容量性タッチスクリーンは、以下通りの利点を有する。
（１）導電性ブリッジングのブリッジングリード線はグリッド構造を採用し、透明度を保証することができ、製品の外観に影響を与えず、
（２）容量性タッチスクリーンのベースにおける導電層と導電性ブリッジングはいずれもグリッド構造を採用するため、生産過程においていずれも圧印プロセスによって製造でき、従来のＩＴＯフィルムを導電層とするプロセスと比較して、グリッド形状はワンステップで成形することができ、プロセスが簡単であり、スパッタリングコーティング設備、蒸着設備などの高価な設備を必要とせず、歩留り率が高く、大面積スクリーン及び大量生産に適し、且つエッチングプロセスを必要としないために導電層材料の浪費が生じない、という利益を圧印プロセスは有し、
（３）導電層と導電性ブリッジングはグリッド構造を採用し、ブレード塗布プロセスを採用するのに便利であり、且つ焼結時に凝縮効果が発生することによるリード線の破断を防止し、
（４）導電層と導電性ブリッジングはいずれも金属でグリッドリード線を形成する方式によって得ることができ、ＩＴＯを使用する必要がなく、材料のコストを大幅に低下させ、ＩＴＯシート抵抗が大きすぎるために大型タッチパネルの応答が遅い等の問題をさらに解決することができ、
（５）導電性材料がポリマー層内に埋め込まれるため、導電層と導電性ブリッジングのリード線のスクラッチを回避することができる。

以上述べた実施例は本発明のいくつかの実施方式を具体的かつ詳細に表したのみであり、本発明の特許の範囲を限定するものとして理解すべきではない。本発明分野の一般的な技術者にとって、本発明の主旨から逸脱しない限り、若干の変形と改良を行うことができ、これらは全て本発明の保護の範囲内に属することが理解されよう。故に、本発明の特許の保護範囲は、添付した特許請求の範囲に準ずる。

１１０ ベース
１２０ ポリマー層
１２２ 第１方向凹溝
１２４２ 凹溝ユニット
１３０ 第１方向導電パターン
１４０ 第２方向導電パターン
１４２ 導電ユニット
１５０ 絶縁層
１５２ ブリッジングリード線の凹溝
１５４ 導電性ブロックの凹溝
１６０ 導電性ブリッジング
１６２ ブリッジングリード線
１６４ 導電性ブロック
１７０ フォトレジストマスク層

Claims (18)

1. 容量性タッチスクリーンであって、ベースを含み、前記ベースにポリマー層が設置され、前記ポリマー層に、複数の第１方向に沿って設置されたグリッド状の第１方向導電パターン及び複数の第２方向に沿って設置されたグリッド状の第２方向導電パターンが埋め込まれ、前記第１方向と第２方向とは互いに交差し、前記第１方向導電パターンは連続的に設置され、前記第２方向導電パターンは前記第１方向導電パターンを間隔として複数の互いに連通しない導電ユニットに分けられ、前記第１方向導電パターンの上に設置される絶縁層及び第２方向において隣接する２つの導電ユニットを接続する導電性ブリッジングをさらに含み、前記導電性ブリッジングの各々は、中間の位置に配置されるグリッド状を呈するブリッジングリード線と、両端に位置し、且つブリッジングリード線に連通する２つの導電性ブロックとを含み、前記ブリッジングリード線は前記絶縁層の表面に埋め込まれ、前記２つの導電性ブロックはそれぞれ前記絶縁層を貫通し、且つそれぞれ対応する１つの導電ユニットに連通し、前記導電性ブリッジングと前記第１方向導電パターンとの間が前記絶縁層によって分離されることを特徴とする容量性タッチスクリーン。
2. 前記ベースは、アルミノケイ酸塩ガラスまたはソーダ石灰ガラスで作られることを特徴とする請求項１に記載の容量性タッチスクリーン。
3. 前記第１方向導電パターン及び前記第２方向導電パターンは、前記ベース表面に付着する金属コーティングをエッチングすることによって得られ、前記第１方向導電パターン及び第２方向導電パターンは前記ポリマー層の前記ベースに近づく片側に埋め込まれることを特徴とする請求項２に記載の容量性タッチスクリーン。
4. 前記金属コーティングの厚さは５〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の容量性タッチスクリーン。
5. 前記金属コーティングは銀コーティングであり、前記銀コーティングの光透過率は８０％より大きいことを特徴とする請求項４に記載の容量性タッチスクリーン。
6. 前記ポリマー層は、当該ベースと貼り合わせる第１表面及び当該絶縁層と貼り合わせる第２表面を含み、当該第２表面にグリッド状の凹溝が設けられ、前記第１方向導電パターン及び第２方向導電パターンは前記グリッド状の凹溝に収容されることを特徴とする請求項１に記載の容量性タッチスクリーン。
7. 前記ポリマー層における各グリッド状の凹溝の深さと幅との比は１より大きいことを特徴とする請求項６に記載の容量性タッチスクリーン。
8. 前記ブリッジングリード線の厚さは前記絶縁層の厚さより小さいことを特徴とする請求項１に記載の容量性タッチスクリーン。
9. 前記絶縁層の表面にグリッド状の凹溝が設けられ、前記ブリッジングリード線は前記グリッド状の凹溝に充填される導電性材料により形成され、前記導電性材料は金属、金属合金、導電性高分子、グラフェン、カーボンナノチューブ及び導電性インクの中から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の容量性タッチスクリーン。
10. 第２方向における前記導電性ブロックの幅は１〜２０μｍであることを特徴とする請求１に記載の容量性タッチスクリーン。
11. 第１方向における前記導電性ブロックの幅は２〜１０μｍであることを特徴とする請求項１０に記載の容量性タッチスクリーン。
12. 前記ブリッジングリード線は金属グリッドリード線であることを特徴とする請求項１に記載の容量性タッチスクリーン。
13. 前記第１方向に、前記第２方向導電パターンが互いに隔てて配置されることを特徴とする請求項１に記載の容量性タッチスクリーン。
14. 容量性タッチスクリーンの製造方法であって、
    ベースの表面にポリマー層を塗布するステップと、
    前記ポリマー層をパターン化してグリッド状の凹溝を形成するステップと、
    複数の第１方向に沿って設置されたグリッド状の第１方向導電パターン及び複数の第２方向に沿って設置されたグリッド状の第２方向導電パターンを形成するように、前記グリッド状の凹溝に導電性材料を充填して硬化するステップであって、前記第１方向と第２方向とは互いに交差し、前記第２方向導電パターンは前記第１方向導電パターンを間隔として複数の互いに連通しない導電ユニットに分けられる、ステップと、
    前記ポリマー層の表面にフォトレジスト層を塗布し、さらにマスクプレートを利用してフォトレジスト層を露光し、且つ現像によって、隣接する２つの導電ユニット箇所でそれぞれフォトレジストマスク層を得るステップと、
    前記フォトレジストマスク層で覆われたポリマー層の表面に１層のエンボス接着剤をさらに塗布して絶縁層とするステップと、
    前記絶縁層に、隣接する２つのフォトレジストマスク層の間の位置にグリッド状のブリッジングリード線の凹溝を圧印するステップと、
    絶縁層表面とポリマー層の表面とを連通する導電性ブロックの凹溝を形成するように、前記フォトレジストマスク層を除去するステップと、
    前記ブリッジングリード線の凹溝と前記導電性ブロックの凹溝に導電性材料を充填して硬化し、隣接する２つの導電ユニットを連通する導電性ブリッジングを得るステップと、
    を含むことを特徴とする容量性タッチスクリーンの製造方法。
15. 前記ベースは、アルミノケイ酸塩ガラスまたはソーダ石灰ガラスで作られることを特徴とする請求項１４に記載の容量性タッチスクリーンの製造方法。
16. 前記ベースの表面にポリマー層を塗布するステップの前に、プラズマビームを利用して前記ベースの表面に対してボンバード処理を行うことを特徴とする請求項１４に記載の容量性タッチスクリーンの製造方法。
17. 前記ポリマー層におけるグリッド状の凹溝の深さと幅との比は１より大きいことを特徴とする請求項１４に記載の容量性タッチスクリーンの製造方法。
18. 前記第１方向に、前記第２方向導電パターンが互いに隔てて配置されることを特徴とする請求項１４に記載の容量性タッチスクリーンの製造方法。

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