KR102430451B1 - 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 및 이의 제조방법 - Google Patents

아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102430451B1
KR102430451B1 KR1020200102352A KR20200102352A KR102430451B1 KR 102430451 B1 KR102430451 B1 KR 102430451B1 KR 1020200102352 A KR1020200102352 A KR 1020200102352A KR 20200102352 A KR20200102352 A KR 20200102352A KR 102430451 B1 KR102430451 B1 KR 102430451B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin plate
anodized
sensor module
touch sensor
film layer
Prior art date
Application number
KR1020200102352A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220021608A (ko
Inventor
황인성
Original Assignee
황인성
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 황인성 filed Critical 황인성
Priority to KR1020200102352A priority Critical patent/KR102430451B1/ko
Publication of KR20220021608A publication Critical patent/KR20220021608A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102430451B1 publication Critical patent/KR102430451B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 및 이의 제조방법은, 아노다이징 처리 가능한 재질의 박판을 준비하는 (a)단계, 상기 박판의 적어도 어느 한 면에 아노다이징을 수행하여 양극산화피막층을 형성하는 (b)단계 및 상기 양극산화피막층 상에 커버재를 적층하는 (c)단계를 포함한다.

Description

아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 및 이의 제조방법{Touch Sensor Module Using Anodized Sheet and Its Manufacturing Method}
본 발명은 터치센서모듈 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 아노다이징 처리된 박판이 적용되어 구조가 단순하고 제조가 용이한 터치센서모듈 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근에는 기술의 발전으로 인해 다양한 디바이스에 터치패널이 적용되고 있으며, 그 정밀도 역시 점차 향상되고 있다. 이와 같은 터치패널은 직관적이고 단순한 사용성을 가지므로 선호도가 높아 수요가 점차 증가하고 있는 것은 물론, 적용 디바이스의 범위가 늘고 있어 향후에도 터치패널의 강세는 계속될 전망이다.
현재 이와 같은 터치패널은 그 메커니즘에 따라 감압식, 정전식, 적외선식을 포함하여 크게 세 가지 종류로 나뉜다. 이중 정전식 터치패널은 전기 신호의 변화를 이용하여 터치를 판정하는 방식으로, 정밀도가 높고 터치 조작에 불필요한 힘이 들어가지 않아 가장 널리 적용되고 있는 방식이다.
하지만, 정전식 터치패널은 그 제조 과정이 복잡하고, 제조 과정에서 사용되는 부품의 수가 많아 가격이 높게 형성되어 있으며, 생산성이 비교적 떨어지는 문제가 있다.
따라서 이와 같은 문제점들을 해결하기 위한 방법이 요구된다.
한국공개특허 제10-2014-0126235호
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 발명으로서, 터치센서모듈의 구조를 극히 간소화하고 생산성을 향상시킬 수 있도록 하며, 제조 비용을 최소화하기 위한 목적을 가진다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법은, 아노다이징 처리 가능한 재질의 박판을 준비하는 (a)단계, 상기 박판의 적어도 어느 한 면에 아노다이징을 수행하여 양극산화피막층을 형성하는 (b)단계 및 상기 양극산화피막층 상에 커버재를 적층하는 (c)단계를 포함한다.
이때 상기 (b)단계는, 상기 박판의 양면에 아노다이징을 수행하여 상기 박판의 양면 모두에 양극산화피막층을 형성할 수 있다.
또한 상기 (a)단계 및 상기 (b)단계 사이에는, 상기 박판의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 보호 처리를 수행하는 (ex-1)단계가 더 수행될 수 있다.
여기서 상기 (ex-1)단계는, 상기 박판의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 마스킹부재를 부착하는 것으로 상기 보호 처리를 수행할 수 있다.
또는 상기 (ex-1)단계는, 상기 박판의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하는 것으로 상기 보호 처리를 수행할 수 있다.
그리고 상기 (b)단계는, 상기 양극산화피막층의 두께가 최종적으로 제조되는 터치센서모듈의 전체 두께에 대해 20% 이상의 비율이 되도록 아노다이징을 수행할 수 있다.
더불어 상기 (a)단계 및 상기 (b)단계는, 복수 개의 박판에 대해 각각 수행되며, 상기 (c)단계는, 소정 패턴으로 배열된 상기 복수 개의 박판을 전체적으로 커버하도록 상기 커버재를 적층할 수 있다.
또한 상기 (c)단계는, 상기 양극산화피막층 상에 접착물질을 도포하여 상기 커버재를 부착하도록 할 수 있다.
그리고 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 터치센서모듈은, 상기와 같은 방법들에 의해 제조될 수 있으며, 아노다이징 처리 가능한 재질의 박판, 상기 박판의 적어도 어느 한 면에 아노다이징에 의해 형성되는 양극산화피막층 및 상기 양극산화피막층 상에 적층되는 커버재를 포함할 수 있다.
이때 상기 양극산화피막층은, 상기 박판 및 상기 양극산화피막층을 포함한 전체 두께에 대해 20% 이상의 비율을 가질 수 있다.
그리고 상기 양극산화피막층은, 상기 박판의 적어도 어느 한 면에 소정 패턴으로 배열되어 복수 개의 셀을 형성할 수 있다.
또한 상기 박판은 복수 개가 소정 패턴으로 배열되도록 형성되고, 상기 커버재는 상기 복수 개의 박판을 전체적으로 커버하도록 구비될 수 있다.
한편 상기 커버재는 강화유리, 전극이 구비된 기판, 금속, 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리스티렌(PS), 세라믹, 또는 연성회로기판(PCB) 중 어느 하나일 수 있다.
그리고 상기 박판의 두께는 2㎛ 내지 50㎛로 형성될 수 있다.
더불어 상기 박판은 알루미늄, 텅스텐 옥사이드(WOx) 또는 이산화 타이타늄(TiO2) 중 어느 하나의 재질을 가질 수 있다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 및 이의 제조방법은, 아노다이징 처리된 박판을 이용하여 표면을 터치할 경우 임피던스(Impedance)의 변화가 일어나도록 함에 따라 터치센서모듈의 구조 자체가 극히 간소화될 수 있는 장점이 있다.
이에 따라 본 발명은 적용 가능한 디바이스의 종류가 더욱 확장될 수 있으며, 해당 디바이스의 두께를 최소화할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명은 간소화된 구조로 인해 생산성을 크게 향상시킬 수 있으며, 제조 비용을 최소화할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법의 각 과정을 나타낸 도면;
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법을 도식화한 도면;
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법에 의해 제조된 터치센서모듈로서, 터치에 의해 임피던스가 변화하는 모습을 나타낸 도면;
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법에 의해 제조된 터치센서모듈의 모습을 나타낸 도면;
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법을 도식화한 도면;
도 8은 본 발명의 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법에 있어서, 아노다이징 처리 시간에 따른 양극산화피막층의 두께 변화 그래프를 나타낸 도면;
도 9는 본 발명의 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈에 있어서, 양극산화피막층의 두께 비율에 따른 임피던스 변화 경향의 그래프를 나타낸 도면; 및
도 10은 본 발명의 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈에 있어서, 표면에 인가되는 하중에 따른 임피던스 변화 경향의 그래프를 나타낸 도면이다.
이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법의 각 과정을 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법은, 아노다이징 처리 가능한 재질의 박판을 준비하는 (a)단계와, 상기 박판의 적어도 어느 한 면에 아노다이징을 수행하여 양극산화피막층을 형성하는 (b)단계와, 상기 양극산화피막층 상에 커버재를 적층하는 (c)단계를 포함한다.
그리고 상기 (a)단계 및 상기 (b)단계 사이에는, 상기 박판의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 보호 처리를 수행하는 (ex-1)단계가 더 수행될 수 있다.
이하에서는 이들 각 단계에 대해 보다 자세히 설명하도록 한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판(10)을 이용한 터치센서모듈 제조방법을 도식화한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 먼저 아노다이징 처리 가능한 재질의 박판(10)을 준비하는 (a)단계가 수행된다. 상기 박판(10)의 형상 및 두께는 제한없이 다양하게 적용될 수 있으나, 상기 박판(10)의 두께는 50㎛ 이하로 형성될 수 있으며, 특히 본 실시예의 경우 2㎛ 내지 50㎛로 형성되는 것으로 하였다.
또한 상기 박판(10)은, 아노다이징 처리 가능한 재질로서, 예컨대 알루미늄, 텅스텐 옥사이드(WOx) 또는 이산화 타이타늄(TiO2) 등이 적용될 수 있다. 본 실시예에서 상기 박판(10)은 알루미늄인 것으로 하였다.
다음으로, 상기 박판(10)의 적어도 어느 한 면에 아노다이징을 수행하여 양극산화피막층(20)을 형성하는 (b)단계가 수행된다.
본 단계에서 상기 양극산화피막층(20)은 상기 박판(10)의 어느 한 면에만 형성되는 것으로 할 수도 있으며, 또는 양면 모두에 형성되는 것으로 할 수도 있다. 본 실시예에서는, 상기 박판(10)의 양면에 아노다이징을 수행하여 상기 박판(10)의 양면 모두에 양극산화피막층(20)을 형성하는 것으로 하였다.
이때 본 단계의 아노다이징 공정은 연질 양극산화법 또는 경질 양극산화법 중 어떤 것이라도 적용될 수 있으며, 그 처리 과정 자체는 당업자에게 자명한 것이므로 자세한 설명은 생략하도록 한다.
그리고 상기 (b)단계는, 상기 양극산화피막층(20)의 두께가 최종적으로 제조되는 터치센서모듈의 전체 두께에 대해 20% 이상의 비율이 되도록 아노다이징을 수행하도록 할 수 있다. 이와 같이 하는 이유는 상기 양극산화피막층(20)의 두께가 20% 이상의 비율이 되도록 하는 시점에서부터 임피던스의 변화량을 유의미하게 감지할 수 있기 때문이며, 이에 대해서는 후술하도록 한다.
한편 이와 같은 (b)단계를 수행하기 이전에는, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 박판(10)의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 보호 처리(12)를 수행하는 (ex-1)단계가 더 수행될 수 있다.
여기서 상기 (ex-1)단계는, 상기 박판(10)의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 마스킹부재를 부착하는 것으로 상기 보호 처리(12)를 수행하거나, 상기 박판(10)의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 통해 패터닝하는 것으로 상기 보호 처리(12)를 수행할 수 있다.
이때 마스킹부재를 부착하는 방식은 상기 박판(10)의 비터치영역이 비교적 큰 소정 크기 이상인 경우 사용될 수 있으며, 패터닝 방식은 상기 비터치영역이 마이크로 단위의 미소 영역일 경우 적용될 수 있다. 더불어 상기 비터치영역이 소정 크기 이상인 경우, 상기 박판(10)을 전체 또는 작은 세부 단위로 기계적인 절단을 수행하여 사용할 수도 있다.
또한 이와 같은 각 과정은 상기 박판(10) 상에 서로 구획된 복수 개의 터치영역을 형성하고자 할 경우 수행될 수 있으며, 이를 위해 터치가 이루어지지 않을 비터치영역 부분에 보호 처리(12)를 수행하여 양극산화피막층(20)을 형성함에 따라 박판(10) 상에 복수 개의 터치 셀을 형성할 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 상기 과정 이후 상기 양극산화피막층(20) 상에 커버재(40)를 적층하는 (c)단계가 수행된다.
이와 같은 (c)단계는, 상기 양극산화피막층(20) 상에 접착물질(30)을 도포하여 상기 커버재(40)를 부착하도록 할 수 있으며, 상기 접착물질(30)은 공지된 접착수지 또는 접착필름 중 어느 것이라도 적용될 수 있다.
또한 상기 커버재(40)는 강화유리, 전극이 구비된 기판, 금속, 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리스티렌(PS), 세라믹, 또는 연성회로기판(PCB) 중 어느 하나일 수 있으며, 본 실시예의 경우 강화유리를 커버재(40)로서 적용하는 것으로 하였다.
이상의 과정에 따라, 도 4에 도시된 바와 같은 터치센서모듈이 제작될 수 있다. 도 4와 같이, 적층된 커버재(40)에 하중을 인가하거나 인가되어 있던 하중을 제거할 경우, 양극산화피막층(20)의 임피던스가 변화하게 되며, 이를 감지하여 해당 위치에 터치가 발생하였음을 판단할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 아노다이징 처리된 박판(10)을 이용하여 표면을 터치할 경우 임피던스(Impedance)의 변화가 일어나도록 함에 따라 터치센서모듈의 구조 자체가 극히 간소화될 수 있는 장점이 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법에 의해 제조된 터치센서모듈의 모습을 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 본 발명의 제2실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈의 경우, 커버재(60)가 전극(50)이 구비된 기판 형태로 형성된다.
즉 본 실시예의 경우 기판의 전극(50)이 양극산화피막층(20)에 접촉된 상태로 구비되며, 전극(50)의 크기 및 간격은 다양하게 설정될 수 있다. 본 실시예에서는 상기 전극(5)의 크기가 50㎛X50㎛인 것으로 하였으며, 또한 그 간격은 50㎛으로 하여 지문센서 등으로 활용이 가능하도록 하였다.
또한 도 5의 상부에 도시된 그림에서는 상기 박판(10) 및 양극산화피막층(20)은 전체적으로 커버재(60)와 대응되는 넓이를 가지도록 형성되는 반면, 도 5의 하부에 도시된 그림에서는 상기 박판(10)이 복수 개가 소정 패턴으로 배열되도록 형성되고, 상기 커버재(60)는 상기 복수 개의 박판(10)을 전체적으로 커버하도록 구비되는 형태를 가진다. 즉 이와 같은 형태를 통해, 도 6에 도시된 바와 같이 박판(10) 상에 복수 개의 터치 셀(C)을 형성할 수 있다
도 6의 좌측에 도시된 그림의 경우 복수 개의 셀(C)이 횡 방향 및 종 방향으로 배열된 형태를 가지며, 이와 같은 경우 각 셀(C)을 터치함으로써 해당 영역의 임피던스를 변화시켜 터치를 인식하도록 할 수 있다.
또한 도 6의 우측에 도시된 그림의 경우 복수 개의 셀이 각각 종 방향으로 배열되고, 횡 방향으로 길게 형성된 형태를 가지며, 이와 같은 경우 터치 인식과 더불어 터치한 지점을 슬라이드함으로써 임피던스의 변화 영역이 연속적으로 변화되도록 함에 따라 슬라이드 입력을 인식하도록 할 수 있다.
한편 전술한 바와 같이, 양극산화피막층(20)의 두께는 최종적으로 제조되는 터치센서모듈의 전체 두께에 대해 20% 이상의 비율이 되도록 할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법을 도식화한 도면이다. 도 7에 도시된 본 발명의 제3실시예의 경우, 대상이 되는 모재로서 기판(70)을 적용하여 터치센서모듈의 제조를 수행하게 된다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는 먼저 기판(70)을 준비하고, 상기 기판(70) 상에 알루미늄 필름 또는 일루미늄 호일(80)을 압착하게 된다.
이후 기판(70)의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 보호 처리(12)를 수행할 수 있다. 본 과정은 전술한 다른 실시예들과 같이 비터치영역에 마스킹부재를 이용하여 마스킹을 수행하거나, 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 통해 패터닝을 수행할 수 있다.
다음으로, 상기 기판(70)의 적어도 어느 한 면에 아노다이징을 수행하여 양극산화피막층(20)을 형성하고, 마스킹부재 또는 패터닝에 의해 형성된 패턴을 제거하게 된다.
본 실시예에 나타난 바와 같이, 본 발명은 대상이 되는 모재로서 기판(70)을 적용하여 터치센서모듈을 제조할 수도 있다.
도 8은 본 발명의 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법에 있어서, 아노다이징 처리 시간에 따른 양극산화피막층(20)의 두께 변화 그래프를 나타낸 도면이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 아노다이징 처리 시간을 증가시킴에 따라 양극산화피막층(20)의 두께가 점차 증가하게 됨을 확인할 수 있으며, 특히 양극산화피막층(20)의 두께가 터치센서모듈의 전체 두께에 대해 20% 이상의 비율이 되도록 하는 시점에서부터 임피던스의 변화량을 유의미하게 감지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈에 있어서, 양극산화피막층(20)의 두께 비율에 따른 임피던스 변화 경향의 그래프를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 양극산화피막층(20)의 두께 비율이 20% 미만일 경우 임피던스의 변화량이 매우 약하게 나타나는 것을 확인할 수 있으며, 양극산화피막층(20)의 두께 비율이 20% 이상인 시점으로부터 임피던스의 변화량이 크게 증가하는 것을 확인할 수 있다.
또한 본 발명의 박판을 이용한 터치센서모듈은 인가되는 하중에 따라 임피던스의 변화량이 달라지게 된다.
도 10은 본 발명의 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈에 있어서, 표면에 인가되는 하중에 따른 임피던스 변화 경향의 그래프를 나타낸 도면으로서, 박판을 이용한 터치센서모듈에 인가되는 무게가 증가할수록 임피던스의 변화량이 증가하는 것을 확인할 수 있다.
특히 1000g 미만의 하중이 인가되는 시점까지는 그 변화량이 높게 유지되고, 1000g 이상의 하중이 인가되는 시점부터는 변화량이 상대적으로 낮게 유지되는 경향을 보인다.
이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.
10: 박판
12: 마스킹부재
20: 양극산화피막층
30: 접착물질
40: 강화유리
50: 전극
60: 기판

Claims (16)

  1. 아노다이징 처리 가능한 재질의 박판을 준비하는 (a)단계;
    상기 박판의 적어도 어느 한 면에 아노다이징을 수행하여 양극산화피막층을 형성하는 (b)단계; 및
    상기 양극산화피막층 상에 커버재를 적층하는 (c)단계; 를 포함하되,
    상기 양극산화피막층의 두께는 상기 박판 전체 두께의 20% 이상인 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계는,
    상기 박판의 양면에 아노다이징을 수행하여 상기 박판의 양면 모두에 양극산화피막층을 형성하는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (a)단계 및 상기 (b)단계 사이에는,
    상기 박판의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 보호 처리를 수행하는 (ex-1)단계가 더 수행되는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 (ex-1)단계는,
    상기 박판의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 마스킹부재를 부착하는 것으로 상기 보호 처리를 수행하는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 (ex-1)단계는,
    상기 박판의 아노다이징이 수행될 면 중 비터치영역에 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하는 것으로 상기 보호 처리를 수행하는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계는,
    상기 양극산화피막층의 두께가 최종적으로 제조되는 터치센서모듈의 전체 두께에 대해 20% 이상의 비율이 되도록 아노다이징을 수행하는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 (a)단계 및 상기 (b)단계는,
    복수 개의 박판에 대해 각각 수행되며,
    상기 (c)단계는,
    소정 패턴으로 배열된 상기 복수 개의 박판을 전체적으로 커버하도록 상기 커버재를 적층하는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 (c)단계는,
    상기 양극산화피막층 상에 접착물질을 도포하여 상기 커버재를 부착하도록 하는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 제조방법에 의해 제조된 터치센서모듈.
  10. 아노다이징 처리 가능한 재질의 박판;
    상기 박판의 적어도 어느 한 면에 아노다이징에 의해 형성되는 양극산화피막층; 및
    상기 양극산화피막층 상에 적층되는 커버재;
    를 포함하 포함하되,
    상기 양극산화피막층의 두께는 상기 박판 전체 두께의 20% 이상인 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 양극산화피막층은,
    상기 박판 및 상기 양극산화피막층을 포함한 전체 두께에 대해 20% 이상의 비율을 가지는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 양극산화피막층은,
    상기 박판의 적어도 어느 한 면에 소정 패턴으로 배열되어 복수 개의 셀을 형성하는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 박판은 복수 개가 소정 패턴으로 배열되도록 형성되고,
    상기 커버재는 상기 복수 개의 박판을 전체적으로 커버하도록 구비되는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 커버재는 강화유리, 전극이 구비된 기판, 금속, 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리스티렌(PS), 세라믹, 또는 연성회로기판(PCB) 중 어느 하나인,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 박판의 두께는 2㎛ 내지 50㎛로 형성되는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 박판은 알루미늄, 텅스텐 옥사이드(WOx) 또는 이산화 타이타늄(TiO2) 중 어느 하나의 재질을 가지는,
    아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈.
KR1020200102352A 2020-08-14 2020-08-14 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 및 이의 제조방법 KR102430451B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200102352A KR102430451B1 (ko) 2020-08-14 2020-08-14 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 및 이의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200102352A KR102430451B1 (ko) 2020-08-14 2020-08-14 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220021608A KR20220021608A (ko) 2022-02-22
KR102430451B1 true KR102430451B1 (ko) 2022-08-05

Family

ID=80494196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200102352A KR102430451B1 (ko) 2020-08-14 2020-08-14 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 및 이의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102430451B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002237586A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Sharp Corp 多孔質層を用いたデバイス及びその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103412688B (zh) 2013-03-27 2014-09-17 深圳欧菲光科技股份有限公司 电容触摸屏及其制备方法
KR102290017B1 (ko) * 2015-03-24 2021-08-17 주식회사 아모센스 터치 스크린 패널의 제조 방법
KR20160116627A (ko) * 2015-03-30 2016-10-10 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002237586A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Sharp Corp 多孔質層を用いたデバイス及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220021608A (ko) 2022-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014017248A1 (ja) タッチパネルおよび表示装置
CN107003746B (zh) 输入设备、传感器、键盘和电子设备
WO2012105690A1 (ja) 静電容量式センサーシートおよびその製造方法
JP2015092422A (ja) 湾曲型タッチパネル
JP2008047026A (ja) 曲面を有するタッチパネル及びその製造方法
US20140186590A1 (en) Touch panel integrated with cover glass and manufacturing method thereof
US11494013B2 (en) Touch panel and fabricating method thereof
KR20130119763A (ko) 터치패널
JP2014529376A (ja) 薄膜センサ、それを有する容量性タッチパネル、その製造方法および端末製品
KR100974073B1 (ko) 슬림형 윈도우 터치스크린 패널의 제조 방법
EP2323025A2 (en) Flat-surface resistive touch panel
TWI453501B (zh) 觸控面板之製造方法
JP2015018532A (ja) タッチセンサ
JP2013222456A (ja) タッチパネル
KR102430451B1 (ko) 아노다이징 처리된 박판을 이용한 터치센서모듈 및 이의 제조방법
EP2685359A2 (en) Touch panel and fabrication method thereof
KR20140076174A (ko) 터치패널
US10627297B2 (en) Input device pressing unit
KR101173394B1 (ko) 터치 스크린 패널용 ｉｔｏ필름 및 그 ｉｔｏ 필름을 이용한 터치스크린패널 제조방법
TW201511943A (zh) 靜電容型觸控面板
WO2011021579A1 (ja) 入力装置
JP6364285B2 (ja) 透明電極用フィルム
CN104978067A (zh) 一种触控面板
KR20130137984A (ko) 터치패널
KR101628373B1 (ko) 터치 패널용 면상 부재 및 그 제조 방법 및 터치 패널용 면상 부재를 이용한 터치패널

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant