TWI264691B - Driver circuit of EL display panel and EL display device using the circuit - Google Patents

Driver circuit of EL display panel and EL display device using the circuit Download PDF

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TWI264691B
TWI264691B TW092104945A TW92104945A TWI264691B TW I264691 B TWI264691 B TW I264691B TW 092104945 A TW092104945 A TW 092104945A TW 92104945 A TW92104945 A TW 92104945A TW I264691 B TWI264691 B TW I264691B
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driving
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Hiroshi Takahara
Hitoshi Tsuge
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Toshiba Matsushita Display Tec
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1264691 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明） 【發明所屬^技冬好領域】 技術領域 本發明係有關於使用有機或無機電場發光（EL)元件之 5 EL顯示面板等自發光顯示面板。又，有關於該等顯示面板 之驅動電路（1C)。且有關於EL顯示面板之驅動方法與驅動 電路及使用該等電路之資訊顯示裝置等。 【先前技術3 背景技術 1〇 一般而言，主動矩陣型顯示裝置係將多數像素排成矩 陣狀，且依照所賦予之影像信號而每像素控制光強度，藉 此顯示圖像。例如，使用液晶作為電光學物質時係依照寫 入各像素之電壓來改變像素之透過率。使用有機電場發光 (EL)材料作為電光學變換物質之主動矩陣型圖像顯示裝置 15則依照寫入像素之電流來改變發光亮度。 液晶顯示面板係各像素作為閘而動作，且藉像素之閘 來開關來自背光之光，藉此顯示圖像。有機EL顯示面板 係於各像素具有發光元件之自發光型顯示面板。因此，有 機EL顯示面板相較於液晶顯示面板具有圖像之辨識性高 2〇 、不需要背光、反應速度快等優點。 有機EL顯示面板係各發光元件（像素）之亮度藉由電流 里來控制。即，在發光元件為電流驅動型或電流控制型這 一點與液晶顯示面板大異其趣。 有機EL顯示面板亦可為單純矩陣方式與主動矩陣方 1264691 玖、發明說明 式之構造。雖然前者之構造單純，但實現大型且高精密之 顯示面板是困難的，不過很便宜。後者則可實現大型、高 精始、之顯不面板，但，有控制方法在技術上困難、較昂貴 等問題。現今，主動矩陣方式之開發正大力地進行。主動 5矩陣方式係藉由設於像素内部之薄膜電晶體（電晶體）來控 制流向設於各像素之發光元件之電流。 該主動矩陣方式之有機el顯示面板係揭示於日本專 利公開公報特開平第8— 234683號。於第62圖顯示該顯示 面板之一像素份之等效電路。像素16係由發光元件之el 10兀件15、第1電晶體11a、第2電晶體lib及蓄積電容19 所構成，EL元件15為有機電場發光（EL)元件。於本說明 書中將用以將電流供給（控制）至EL元件15之電晶體 稱作驅動用電晶體11。又，如第62圖之電晶體nb，將作 為開關而動作之電晶體稱作開關用電晶體U。 15 由於有機EL元件15通常具整流性，故有時稱作 OLED(有機發光二極體）。第62圖中係使用二極體之記號 作為EL元件15。 但，本說明書之EL元件15並不限於〇led，亦可為 藉由流向元件15之電流量來控制亮度者，例如，無機el 20兀件。除此以外，例如，由半導體所構成之白色發光二極 體。又，例如，一般的發光二極體，其他如發光電晶體亦 可。又，EL兀件15並不一定要有整流性，亦可為雙向性 二極體。本說明書之EL元件15可為前述任何一者。 第62圖之例子中，將P通道型電晶體lu之源極端子 1264691 玖、發明說明 (s)設為vdd(電源電位），且EL元 地電位_相連接。另—方面，2負極（陰極)與接 5 10 15 t()相連接。另外，P通道型電晶體Ub之開極 知子係與細§纽17a相連接，”極端子則與源極传 號線1"目，接，而没極端子則與蓄積…及電晶體 11 a之閘極端子（G)相連接。 為了使像素16動作，料，將閘極信號線m設為選 擇狀態，且於源極錢線18施加用以顯示亮度資訊之影像 信號。如此一來’電晶體lla導通，且蓄積電容19會充電 或放電，而電晶體llb之閘極電位則與影像信號之電位一 致。若將閘極信號、線17a設為非選擇狀態，則電晶體ιι& 關閉，且電晶體lib與源極信號線18斷電。但，電晶體 11a之閘極電位係藉由蓄積電容（電容器）19而穩定地維持 。透過電晶體11a而流向EL元件15之電流成為符合電晶 體11 a之閘極/源極端子間電壓Vgs之值，且EL元件15係 以符合通過電晶體11 a而供給之電流量的亮度而持續發光 由於液晶顯示面板並非自發光元件，故有不使用背光 則無法顯示圖像之問題。由於欲構成背光則需要一定之厚 20 度，故有顯示面板之厚度變厚的問題。又，藉液晶顯示面 板進行色彩顯示需要使用濾色器，因此，有所謂光利用效 率低之問題。又，有灰階再現範圍狹窄之問題。 有機EL顯示面板利用低溫多晶矽電晶體陣列來構成 面板，但，由於有機EL元件藉由電流來發光，故若於電 1264691 玖、發明說明 晶體之特性上有不均，則有顯示濃淡不均產生之問題。 顯示濃淡不均可藉由採用於像素進行電流程式化之方 式的構造來降低。為了實施電流程式化，電流驅動方式之 驅動電路是必要的。但，於電流驅動方式之驅動電路亦會 5在用以構成電流輪出段之電晶體元件發生不均。因此，有 於來自各輸出端子之灰階輸出電流產生不均，且無法達成 良好的圖像顯示之問題。 t ^^明内溶L】 發明揭示 1〇 為達成上述目的，本發明之EL·顯示面板（EL·顯示裝置 )之驅動電路係具有多數用以輸出單位電流之電晶體，且藉 由改變該電晶體之個數以輸出輸出電流。又，EL顯示面板 之驅動電路亦由多段電流鏡構成。㈣之傳送成為電壓傳 送之電aa體群係緊密地形成，而與電流鏡電路群之信號傳 15送則採用電流傳送之構造。又，基準電流係於多數電晶體 進行流動。 本發明之第1態樣係EL顯示面板之驅動電路包含有 •基準電流產生機構，係用以產生基準電流； 第1電流源，係輸入有來自前述基準電流產生機構之 20基準電流，且將與前述基準電流相對應之帛1 €流輸出至 多數第2電流源； 第2電流源，係輸入有從前述第丨電流源輸出之第1 電流，且將與前述第1電流相對應之第2電流輸出至多數 第3電流源；及 1264691 玖、發明說明 第3電流源，係輸入有從前述第2電流源輸出之第2 電流，且將與前述第2電流相對應之第3電流輸出至多數 第4電流源， 又，前述第4電流源係選自於與輸入圖像資料相對應 5 之個數的單位電流源。 本發明之第2態樣係EL顯示面板之驅動電路包含有 :多數電流產生電路，係具有與二的倍數相對應之個數的 單位電晶體； 開關電路，係與前述各電流產生電路相連接； 10 内部電路，係與輸出端子相連接；及 控制電路，係對應於輸入資料而使前述開關電路開關 ， 又，前述開關電路之一端係與前述電流產生電路相連 接，而另一端則與前述内部電路相連接。 15 本發明之第3態樣係如第2態樣之EL顯示面板之驅 動電路，其中前述單位電晶體之通道寬度W為2//m以上 9/zm以下，且前述單位電晶體之尺寸（WL)為4平方/zm 以上。 本發明之第4態樣係如第2態樣之EL顯示面板之驅 20 動電路，其中前述單位電晶體之通道長度L/通道寬度W為 2以上，且所使用之電源電壓為2.5(V)以上9(V)以下。 本發明之第5態樣係EL顯示面板之驅動電路包含有 :第1輸出電流電路，係由流過第1單位電流之複數個單 位電晶體所構成， 10 1264691 玫、發明說明 ⑽第2輸出電流電路’係由流過第2單位電流之複數個 單位電晶體所構成；及 —輪出段’係將前述第】輸出電流電路之輸出電流與前 述第2輸出電流電路之輸出電流相加且輸出， 5 且，前述第1單位電流係較前述第2單位電流更小， 並且前述第1冑出電流電路係依照灰階而於低灰階領 域與高灰階領域動作， 、 &述帛2輸出電流電路係依照灰階而於高灰階領 域動作，且當前述第2輸出電流電路動作之際，前述第1 輸出電机電路於面灰階領域中，其輸出電流值不會改變。 本發明之第6態樣係EL顯示面板之驅動電路包含有 耘式電机產生電路，係於每一輸出端子具有複數的單位 電晶體； 第1電晶體，係用以產生用來規定流過前述單位電晶 15體之電流之第1基準電流； 閑極配線’係與前述複數的帛1電晶體之閘極端子相 連接；及 弟3電曰曰體’係將閘極端子連接於前述閘極配 、良且一岫述第1電晶體形成電流鏡電路，又，於前述第 2〇 2及第3電晶體供給有第2基準電流。 本發明之第7態樣係如第6態樣之EL顯示面板之驅 動電路，更包括··程式電流產生電路，係於每輸出端子具 有複數的單位電晶體； 多數第1電晶體，係與前述單位電晶體構成電流鏡電 11 1264691 玖、發明說明 路；及 弟2電晶體，係用以產生流過第1電晶體之基準電流 月Ή第2電晶體產生之基準電流分歧而流通至前 述多數第1電晶體。 本發明之第8態樣係如第6或第7祕之EL顯示面 板之驅動電路’其中前述第3電晶體係與在内含驅動電路 °動曰曰片内，岫述第1基準電流供給電路所配置之領 10 15 s、中配線於該領域之基準電流供給電路群中配置於最外 側之兩條配線電連接。 本發月之第9態樣係EL顯示裝置包含有：第工基板 ，具有將驅動用電晶體配置成矩陣狀，且對應於前述驅動 用電晶體而形成EL元件之顯示領域； 源極驅動1C，係施加程式電流或電壓於前述驅動用電 晶體； 第1配線細> 成在位於前述源極驅動下方之前述 第1基板上； 第2配線，係與前述第1配線電連接，且形成於前述 源極驅動1C與顯示領域間；及 20 雜配線，係、從前述第2配線分歧，且將陽極電壓供 給至前述顯示領域之像素。 本發明之第1G態樣係、如第9態樣之EL顯示裝置，其 中第1配線具有遮光功能。 本發明之帛11恶樣係EL _示裝置包含有：顯示領域 12 1264691 玖、發明說明 ，係具有EL元件之像素形成為矩陣狀者； 驅動用電晶體，用以將發光電流供給至前述EL元件 ;及 源極驅動電路，用以將程式電流供給至前述驅動用電 5 晶體， 且’前述驅動用電晶體為P通道電晶體’ 又，用以產生前述源極驅動電路之程式電流之電晶體 為N通道電晶體。 本發明之第12態樣係EL顯示裝置包含有：顯示領域 10 ，係EL元件、用以將發光電流供給至前述EL元件之驅動 用電晶體、用以形成前述驅動用電晶體與前述EL元件間 之通路之第1開關元件及用以形成前述驅動用電晶體與源 極信號線間之通路之第2開關元件形成為矩陣狀者； 第1閘極驅動電路，用以控制前述第1開關元件開關 15 ； 第2閘極驅動電路，用以控制前述第2開關元件開關 ;及 源極驅動電路，用以將程式電流供給至前述驅動用電 晶體， 20 且，前述驅動用電晶體為P通道電晶體， 又，用以產生前述源極驅動電路之程式電流之電晶體 為N通道電晶體。 本發明之第13態樣係EL顯示裝置包含有：EL元件 13 1264691 玖、發明說明
、道驅動用電晶體，用以將發光電流供給至前述EL 元件； 開關電晶體，形成於EL元件與前述驅動用電晶體之 間； 5 源極艇動電路，用以供給程式電流；及 問極驅動電路’係將前述開關電晶體控制成於1幀期 間内，有2水平掃瞄期間以上呈關閉狀態者。 圖式簡單說明 第1圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 10 第2圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 苐3(a)圖、第3(b)圖係本發明之顯示面板之動作的說 明圖。 第4圖係本發明之顯示面板之動作的說明圖。 第5(a)圖、第5(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法 15 的說明圖。 第6圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第7圖係本發明之顯示面板之製造方法的說明圖。 第8圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第9圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 20 第10圖係本發明之顯示面板的截面圖。 第11圖係本發明之顯示面板的截面圖。 第12圖係本發明之顯示面板的說明圖。 第13(a)圖、第13(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 14 1264691 玖、發明說明 第14圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第15圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第16(a)圖、第16(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 5 第17圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第18圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第19(al)圖至第19(a3)圖、第19(bl)圖至第l9(b3)圖 、第19(cl)圖至第19(C3)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 10 第20(a)圖、第20(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 第21圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第22(a)圖、第22(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 15 第23圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第24(a)圖、第24(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 弟25圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第26圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 2〇 第27(a)圖、第27(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 第28圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第29(a)圖、第29(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 15 1264691 玖、發明說明 第30㈣圖、第30(a2)圖、第3〇(M)圖、第释2)圖 係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第31圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第32圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第33⑷圖、第33⑻圖、第33⑷圖係本發明之顯示裝 置之驅動方法的說明圖。 第34圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第35圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第36圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第37圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第38圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第39⑷圖、第39_、第％⑷圖係本發明之顯示裝 置之驅動方法的說明圖。 第 15 第 第 構造圖 40圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 41圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 42⑷圖、第42(b)圖係本發明之顯示面板之像素的 〇 =43圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 弟44(a)圖、第44_、第44(c)圖係本發明之顯示裝 20置之驅動方法的說明圖。 、 :45圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 弟/6圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 f 7圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 第48圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 16 1264691 玫、發明說明 第49圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第50圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 第51圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 第52圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 5 第53(a)圖、第53(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 第54圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 第55(a)圖、第55(b)圖係本發明之顯示装置之驅動方 法的說明圖。 0 第56(a)圖、第56(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 第57圖係本發明之行動電話的說明圖。 第58圖係本發明之觀景器的說明圖。 第59圖係本發明之視訊攝影機的說明圖。 5 第60圖係本發明之數位相機的說明圖。 第61圖係本發明之電視機（螢幕）的說明圖。 第62圖係習知顯示面板的像素構造圖。 第63圖係本發明之驅動電路的功能方塊圖。 第64圖係本發明之驅動電路的說明圖。 0 第65圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第66圖係電壓傳送方式之多段式電流鏡電路之說明圖 〇 苐67圖係電流傳送方式之多段式電流鏡電路之說明圖 17 1264691 玖、發明說明 第68圖係本發明另一實施例之驅動電路的說明圖。 第69圖係本發明另一實施例之驅動電路的說明圖。 第70圖係本發明另一實施例之驅動電路的說明圖。 第71圖係本發明另一實施例之驅動電路的說明圖。 5 第72圖係習知驅動電路之說明圖。 第73圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第74圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第75圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第76圖係本發明之驅動電路的說明圖。 10 第77圖係本發明之驅動電路之控制方法的說明圖。 第78圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第79圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第80(a)圖、第80(b)圖係本發明之驅動電路的說明圖 〇 15 第81(a)圖、第8Ub)圖係本發明之驅動電路的說明圖 〇 第82圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第83圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第84圖係本發明之驅動電路的說明圖。 20 第85圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第86圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第87圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第88圖係本發明之驅動方法的說明圖。 第89圖係本發明之驅動電路的說明圖。 18 1264691 玖、發明說明 第90圖係本發明之驅動方法的說明圖。 第91圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第92圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第93圖係本發明之驅動電路的說明圖。 5 第94圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第95圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第96圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第97圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第98(a)圖、第98(b)圖、第98(c)圖係本發明之EL顯 10 示裝置的構造圖。 第99圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第100(a)圖、第100(b)圖係本發明之EL顯示裝置的截 面圖。 第101圖係本發明之EL顯示裝置的截面圖。 15 第102圖係本發明之EL顯示裝置的截面圖。 第103圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第104圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第105圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第106圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 20 第107圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第108圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第109圖係本發明之EL顯示裝置的構造圖。 第110圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第111圖係本發明之閘極驅動電路的方塊圖。 19 1264691 玖、發明說明 第112圖係第111圖之閘極驅動電路的時點圖。 第113圖係本發明之閘極驅動電路之一部份的方塊圖 〇 第114圖係第113圖之閘極驅動電路的時點圖。 5 第115(幻圖、第115(b)圖係本發明之EL顯示裝置之驅 動方法的說明圖。 第116圖係本發明之el顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第117圖係本發明之EL顯示裝置之驅動電路的說明 10圖。 第118圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 第119圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 第120圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第121圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 15 第122⑷圖、第122(b)圖、第122(c)圖係本發明之源 極驅動1C的說明圖。 第123圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第124圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第125圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 20 第126圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第127圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第128圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第129圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第130(a)圖、第130(1))圖係本發明之源極驅動ic的說 20 1264691 玖、發明說明 明圖。 第131(a)圖、第13(b)圖係本發明之源極驅動1C的說 明圖。 第132圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 5 第133圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第134圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第 135(a)圖、第 135(b)圖、第 135(c)圖、第 135(d)圖 係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第136圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 10 第137圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第138圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第139(a)圖、第139(b)圖係本發明之顯示面板的說明 圖。 第140圖係本發明之顯示面板的說明圖。 15 第141圖係本發明之顯示面板的說明圖。 第142圖係本發明之顯示面板的說明圖。 第143圖係本發明之顯示面板的說明圖。 第144圖係本發明之顯示面板的像素構造的說明圖。 第145圖係本發明之顯示面板的像素構造的說明圖。 20 第146圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第147圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第148圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第149圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第150圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 21 1264691 玖、發明說明 第151圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第152圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第153圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第154圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 5 第155圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第156圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第157圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第158圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第159圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 10 第160圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第161圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第162圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第163圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第164圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 15 第165圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第166圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第167圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第168圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第169(a)圖、第169(b)圖係本發明之源極驅動1C的說 20 明圖。 第170圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第171圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第172圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第173圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 22 1264691 玖、發明說明 第174圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第175圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。
5 弟176(a)圖' 苐176(b)圖、第176(c)圖係本發明之EL 顯示裝置之驅動電路的說明圖。
苐177(a)圖、第177(b)圖、第177(c)圖係本發明之EL 顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第178(a)圖、第178(b)圖係本發明之EL·顯示裝置之驅 10 動方法的說明圖。 第179(a)圖、第179(b)圖係本發明之El顯示裝置之驅 動電路的說明圖。 第180(a)圖、第180(b)圖係本發明之El顯示裝置之驅 動方法的說明圖。 15 第181圖係本發明之EL·顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第182圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第183圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第184圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第185圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第186(al)圖、第186(a2)圖、第186(b)圖係本發明之 EL顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第187圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 23 1264691 玖、發明說明 第188(a)圖、第188(b)圖係本發明之EL顯示裝置之驅 動電路的說明圖。 第 189(al)圖至第 189(a3)圖、第 189(bl)圖至第 189(b3)圖、第189(d)圖至第189(c3)圖係本發明之EL顯 5 示裝置之驅動方法的說明圖。 第190(al)圖至第190(a3)圖、第190(bl)圖至第 190(b3)圖、第190(d)圖至第190(c3)圖係本發明之EL顯 示裝置之驅動方法的說明圖。 第191(bl)圖至第191(b3)圖、第191(d)圖至第 10 191(c3)圖係本發明之EL顯示裝置之驅動電路的說明圖。 第192(bl)圖至第192(b3)圖、第192(d)圖至第 192(c3)圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第193(al)圖至第193(a3)圖、第193(bl)圖至第 193(b3)圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明圖。 15 第194圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第195圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第196圖係本發明之EL顯示裝置之驅動電路的說明 20 圖。 第197圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第198圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 24 1264691 玖、發明說明 第199圖係本發明之el顯示裝置之驅動電路的說明 圖。
第200⑷圖、第200(b)圖、第200(c)圖係本發明之EL 顯示裝置之驅動方法的說明圖。 5 第201圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第202圖係本發明之el顯示裝置的說明圖。 第203圖係本發明之el顯示裝置的說明圖。 第204圖係本發明之el顯示裝置的說明圖。 第205圖係本發明之el顯示裝置的說明圖。 1〇 第206圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第207(a)圖、第207(b)圖係本發明之EL顯示裝置的說 明圖。 第208圖係本發明之el顯示裝置的說明圖。 第209圖係本發明之el顯示裝置的說明圖。 15 第210圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第211圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 弟212圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 第213圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第214圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 2〇 第215圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第216圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第217圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第218圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第219圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 25 1264691 玖、發明說明 第220圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第221圖係本發明之顯示裝置的說明圖。 第222圖係本發明之顯示裝置的說明圖。 第223圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 第224(a)圖、第224(b)圖係本發明之源極驅動1C的說 明圖。 第225圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第226圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第227圖係本發明之顯示裝置的說明圖。 第228圖係本發明之顯示裝置的說明圖。 ^ 方包】 實施發明之最佳形態 15 20 於本說明書中，各圖式為了容易理解或/及容易作圖， 有省略或/及放大縮小之處。例如，第u圖所示之顯示面 板=截面圖中’薄膜密賴ill冑財常厚的方式顯示。 另—方面’第10圖中，密封蓋85則以薄的方式顯示。又 :也有省略之處。例如，本發明之顯示面板等需要圓偏光 反等相位薄膜來防止反射，❻，本說明書之各圖式皆省略 二，形於以下的圖式亦相同。又，職予同—標號或記 /之处則具有相同或類似之形態或材料或者功能或動作 ’各圖式等所說明之内容即使沒有特別事先聲明， 亦可與其他實施例等組合。例如，於第8圖 加觸摸面板等，且可你或— -員不面板附 作為弟19圖、第59圖至第61圖所示 26 1264691 玖、發明說明 之資訊顯示裝置。又，亦可用以構成安裝放大鏡582且用 在視訊攝影機（參照第59圖等）等之觀景器（參照第58圖）。 又，第4圖、第15圖、第18圖、第21圖、第23圖等所 說明之本發明之驅動方法可適用於本發明任一顯示裝置或 5 顯示面板。 另，本說明書中雖然說明驅動用電晶體11、開關用電 晶體11為薄膜電晶體，但並不限於此，亦可由薄膜二極體 (TFD)、環形二極體等構成。又，並不限於薄膜元件，亦可 為形成於矽晶圓之電晶體，或者以矽晶圓來形成基板71， 10 當然，FET、MOS —FET、MOS電晶體、雙極電晶體亦可 。該等電晶體基本上亦為薄膜電晶體。除此以外，當然變 阻、閘流電晶體、壞形二極體、光二極體、光電晶體、 PLZT元件等亦可。即，本發明之電晶體11、閘極驅動電 路12、源極驅動電路14等可使用前述任何一者。 15 以下，一面參照圖式，一面就本發明之EL面板作說 明。有機EL顯示面板係如第10圖所示，於形成有作為像 素電極之透明電極105之玻璃板71(陣列基板）上積層有由 電子輸送層、發光層、孔輸送層等所構成之至少一層之有 機功能層（EL層）15以及金屬電極（反射膜）（陰極）106。於透 20 明電極（像素電極）105之正極（陽極）施加正電壓，且於金屬 電極（反射電極）1〇6之負極（陰極）施加負電壓，即，於透明 電極105及金屬電極106間施加直流電流，藉此有機功能 層（EL層）15發光。 於金屬電極106宜使用鋰、銀、鋁、鎂、銦、銅或各 27 1264691 玖、發明說明 5 lo 15 们金屬之合金等功函數小之金屬，舉例來說，特別是使用 A1 — Li合金最佳。又，於透明電極1〇5可使用ιτ〇等功函 =大之導電性材料或者金等。另，當使用金作為電極材料 時’電極成為半透日綠態。此外，ΙΤ◦亦可為ιζ〇等其他 材料。上述事項對其他像素電極1〇5亦相同。 另’於密封蓋85與陣列基板71間之空間配置乾燥劑 ，此係由於有機EL膜15禁不起濕度的影響之故。藉 由乾燥劑107來吸收渗透密封劑之水分’而防止有機扯 膜15劣化。 雖然第10圖為利用玻璃密封蓋85來密封之構造，但 亦可如第11圖所示為利用膜（薄膜亦可，即，薄膜密封膜 )U1之密封構造。例如，使用將DLC(類鑽碳膜）蒸鍍於電 解電容器之薄膜者作為密封膜（薄膜密封膜）m。該膜之水 分滲透性極差（防濕性能佳），故以該膜作為薄膜密封膜ui 使用。又，當然亦可使用將DLC(類鑽碳膜）膜等直接蒸鍍 於金屬電極106表面之構造。另外，亦可積層多層樹脂薄 膜與金屬薄膜而構成薄膜密封膜。 薄膜之膜厚為η · d(n為薄膜之折射率，當積層有多數 /專膜日守，則總合計算（計算各薄膜之n ·句該等複數薄膜之 2〇膜厚與折射率。d為薄膜之膜厚，當積層有多數薄膜時， 則總合計算該等薄膜之折射率。），而EL元件15之發光主 波長可在λ以下。藉由滿足該條件，來自EL元件丨5之光 取出效率相較於用玻璃基板密封時為兩倍以上。又，亦可 形成鋁與銀之合金或混合物或者積層物。 28 1264691 玖、發明說明 如上所述’將不使用密封蓋 — 了盍85而以薄膜密封膜】n來 费封之構造稱作薄膜密封。從其 從基板71側取出光「向下取出 (參照第10圖，光取出方向Λ筮 令 Π為弟10圖之箭頭方向）」時之 薄膜岔封係在形成EL膜後，於 於tX胰上形成成為陰極之鋁 5電極。接著，於該1呂膜上形成作為緩衝層之樹脂層。缓衝 層為例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂等有機材料。又，膜厚宜 為以上以下之厚度，更理想的是膜厚為 以上6"m以下之厚度。於該緩衝膜（緩衝層）上形成密 封膜⑴，若無緩衝膜，則EL膜之構造會因為應力而瓦解 1〇，且產生筋狀缺陷。薄膜密封膜⑴係如上所述為DLC(類 鑽碳膜）’或者電場電容器之層構造（交互地蒸鍍多層介電 質薄膜與鋁薄膜之構造）。 從EL層15側取出光「向上取出（參照第n圖，光取 出方向為第11圖之箭頭方向）」時之薄膜密封係在形成此 15膜15後，於扯膜15上，以20埃以上300埃以下之膜厚 來形成成為陰極（陽極）之Ag 一 Mg膜。於EL膜15上形成 ITO等透明電極以降低電阻。接著，於該電極膜上形成作 為緩衝層之樹脂層，且於該緩衝膜上形成薄膜密封膜lu 產生自有機EL層15之光的一半係藉金屬電極1〇6反 射，且透過陣列基板71射出。但，金屬電極1〇6因反射外 光而產生光透入，使得顯示對比降低。為解決該問題，於 陣列基板71配置有λ/4相位板1〇8及偏光板（偏光膜）1〇9 ’而這些板一般稱作圓偏光板（圓偏光墊）。 29 1264691 玖、發明說明 又，像素為反射電極時，產生自EL層15之光會朝上 方射出。因此，相位板108及偏光板109當然亦可配置於 光射出側。此外，反射型像素係由銘、鉻、銀等來構成像 素電極105而得。又，藉由於像素電極1〇5表面設置凸部（ 5或凹凸部），可使像素電極105與有機EL層15之界面變廣 ，且發光面積變大，又，發光效率亦提高。此外，當可將 成為陰極106(陽極1〇5)之反射膜形成為透明電極，或者將 反射率降低至3G%以下時，則不需要圓偏光板，此係由於 光透入大幅減少之故，又，光干涉亦可望減少。 1〇 電晶體11採用LDD(低摻雜汲極）構造為佳。又，雖然 本說明書中舉有機EL元件（以〇EL、隱、pled、沉耶 等各式各樣的簡稱來描述)15作為EL元件為例，但並不限 於此’當然亦可適用於無機EL元件。 首先，使用於有機EL顯示面板之主動矩陣方式必須 15滿足可選出特定像素且賦予必要的顯示資訊及可於工幢期 間内使電流流入EL元件之兩個條件。 為了滿足該兩個條件，於第62圖所示之習知有機el 之像素構造中’第i電晶體llb作為用以選擇像素之開關 用電晶體’而第2電晶體lla則作為用以將電流供給至仙 20元件（EL膜）15之驅動用電晶體。 當利用該構造來顯示灰階時，必須施加符合灰階之電 壓作為驅動用電晶體lla之間極電堡。因此，驅動用電晶 體lla之開啟電流的不均會就此顯現在顯示上。 電晶體之開啟電流若流過由單結晶所形成之電晶體， 30 1264691 坎、發明說明 則電流會極為均一，但於藉可形成於廉價玻璃基板之形成 溫度為450度以下之低溫多晶矽技術所形成之低溫多結晶 電晶體中，其臨界值之誤差於士 〇·2ν〜〇·5ν之範圍内。因 此，流過驅動用電晶體lla之開啟電流會對應於此而不均 且於顯示產生/辰淡不均。該等不均不僅發生在臨界值電 壓之不均，亦發生在電晶體之移動度、閘極絕緣膜之厚度 等上。又，因電晶體11之劣化亦會改變特性。 此現象並不限於低溫多晶矽技術，於處理溫度為45〇 度（攝氏）以上之尚溫多晶石夕技術、利用經固相長晶（CGS ; 1〇連續結晶技術）之半導體膜來形成電晶體等亦會發生。除此 以外，於有機電晶體亦會發生，又，於非晶矽電晶體亦會 發生。 以下所說明之本發明係可對應於該等技術而予以解決 之構造或方式。另，於本說明書中，以藉低溫多晶石夕技術 15所形成之電晶體為主加以說明。 因此，如第62圖所示，於藉由寫入電壓來顯示灰階之 方法中，為了獲得均一的顯示，必須嚴密地控制元件之特 性。但，現今的低溫多結晶多晶矽電晶體等並無法滿足所 謂將其不均抑制在一定範圍以内之標準。 本發明之EL顯示裝置之像素構造具體而言係如第i 圖所示，藉由由最少四個單位像素所構成之多數電晶體u 及EL 70件來形成。像素電極係構成為與源極信號線重疊 。即’於源極信號線18上形成絕緣膜或者形成由丙婦酸材 料所構成之平坦膜而產生絕緣，且於該絕緣膜上形成像素 31 1264691 玖、發明說明 電極105。如此一來，將像素電極重疊於源極信號線18上 至少一部份之構造稱作高孔徑（HA)構造。藉此可減少不需 要的干涉光等，而可望得到良好的發光狀態。 藉由使閘極信號線（第1掃猫線）17a活化（施加on電 5壓），且透過EL元件15之驅動用電晶體1 ia及開關用電晶 體11c ’使應流向前述EL元件15之電流值從源極驅動電 路14流出。又，為了使電晶體lla之閘極與汲極間短路， 電曰a體11 b藉由使閘極信號線17a活化（施加ON電壓）而開 啟，同時將電晶體lla之閘極電壓（或汲極電壓）記憶於連 10接在電晶體lla之閘極與源極間之電容器（電容、蓄積電容 、附加電容）(參照第3(勾圖）。 又’電容器（蓄積電容）19的大小宜為〇.2pF以上2pF 以下，尤其是在〇.4pF以上1·2ρΡ以下更佳。考量像素尺 寸來決定電容器19之電容，若將丨像素所需之電容設為 15 Cs(PF)，且將1像素所佔之面積（並非開口率）設為Sp(平方 // m)，則500/Sp $ Cs $ 20000/Sp為佳，更理想的是 1000/SpSCsSl〇〇〇〇/Sp。另，由於電晶體之閘極電容小， 故此處所謂的Cs是蓄積電容（電容器）19單獨的電容。 使閘極信號線17a非活化（施加〇FF電壓），且使閘極 20信號線171)活化，而動作成使電流所流過之通路轉換成包 含前述第1電晶體lla及與EL元件15相連接之電晶體 lidEL元件15之通路，並使所記憶之電流流入 前述EL元件15(參照第3(b)圖）。 該電路於1像素内具有四個電晶體U，且電晶體I。 32 1264691 玖、發明說明 之間極與㈣llb之源極相連接。又，電晶體仙及電
晶體UC之閉極與間極信號線…相連接。電晶體llb之 汲極與電晶體llc之源極及電B 。 叹奄日日體lid之源極相連接，且 電晶體山之沒極與源極信號線18相連接。電晶體lld之 閘極與閉極信號線17b相連接’且電晶體lld之没極與肌 元件15之陽極電極相連接。 10 15 又，於第1圖中，所有電晶體係以p通道構成。雖然 P通道電晶體之移動性較N通道電晶體猶低，但由於耐壓 性強’又不易發生品質低劣之情形，故較理想。但，本發 明並非僅限於以P通道構成EL元件構造，僅以N通道構 成亦可。又，亦可使用Nit道與p通道兩者來構成。 最適當的是全部以P通道來形成用以構成像素之電晶 體1卜且内藏之閘極驅動12亦以P通道形成。如此一來 ’藉由僅以p通道電晶體來形成陣列，掩模片數變成五片 ’而可實現低成本、高產率。 以下，為了更容易理解本發明，利用第3圖針對本發 明之EL元件構造加以說明。本發明之虹元件構造係由兩 個時點來控制。第i時點係記憶必要之電流值的時點。於 該時點開啟電晶體11b及電晶體lle，藉此成為第3⑷圖之 2〇等效電路。於此，由信號線寫入預定電流Iw。藉此，電晶 體11a成為閘極與汲極相連接之狀態，且電流^透過該電 晶體11a與電晶體llc流動。如此一來，電晶豸⑴之間 極一源極的電壓則成為如丨〜所流動之電壓。 第2時點係關閉電晶體lla與電晶體Uc且開啟電晶 33 1264691 玫、發明說明 體lid之時點，此時之等效電路則變成第3(b)圖。電晶體 11a之源極一閘極間之電壓仍保持不變。此時，由於電晶 體Ua通常在飽和領域動作，故Iw電流成為一定。 阳 若如上所述地動作，則變成第5圖所示之情形。即， 5第5⑷圖之51a表示顯示晝面5〇中於某時刻之經電流程式 化之像素(行)（寫入像素行）。該像素（行係如第$⑻圖 所示設為非亮燈（非顯示像素（行)）。其他像素（行）則設為顯 不像素（仃）53(電流流向顯示像素53之EL元件Η，而el 元件15發光）。 弟1圖之像素構造的情形係如第3⑷圖所示當進行 電流程式化時，程式電流Iw流向源極信號線18。該電流 Iw抓過電曰曰體lla ’而為了保持使流動之電流於電容 器19進行電麼設定（程式化）。此時，電晶體叫為打開狀 恶（關閉狀態）。 15 20 _接著，使電流流入EL元件15之期間係如第_圖所 不’電晶體11c、11b關閉，且電晶體Ud動作。即，於閘 極信號線17a施加關閉電壓（Vgh)，且電晶體爪、山關 閉。另一方面’於間極信號線17b施加開啟電麼（Vgl)，且 電晶體lid開啟。 於第4圖顯示該時點圖。另，第4圖等中，括弧内之 尾置（4 (1)等）表不像素行之編號。即，所謂間極信號 線17a(l)表不像素行⑴之間極信號線心又，帛4圖上 方的（於*」適用任何記號、數值，且用以表示水平 掃猫線之編號)則表示水平掃_間。即，所謂m係第1 34 1264691 玖、發明說明 水平掃瞒期間。此外，上述事項是為了容易說明，而不是 要限定（1H的編號、1H週期、像素行編號之順序等）。 由帛4圖可知，於各選出之像素行（選擇期間設為_ 中，當於閘極信號線17a施加開啟電壓時，於問極信號線 5 1713則施加關閉電壓。又，該期間内電流並未流向元件 15(非党燈狀態）。於未選擇之像素行中，於閘極信號線口 a 施加關閉電壓，而於閘極信號線17b則施加開啟電壓。又 ，該期間内電流係流向EL·元件15(亮燈狀態）。 又，電晶體1U之閘極與電晶體llc之間極係連接於 ίο同-閘極信號線17a。但，亦可將電晶體lu之間極與電 晶體11c之閘極連接於不同的閘極信號線17(參照第32圖） 。1像素之閘極信號線有三條（第丨圖之構造有兩條）。藉由 個別地控制電晶體llb之閘極的開/關時點與電晶體uc之 閘極的開/關時點，可進一步減少因電晶冑lu之不均而產 15生之EL元件15的電流值不均。 若使閘極信號線17a與閘極信號線17b通用，且電晶 體11c與lid設為不同的導電型（N通道與p通道），則可 簡化驅動電路，並且提高像素之開口率。 若如上所述地構成，則本發明之動作時點係來自信號 20線之寫入通路關閉時。即，於記憶有一定電流之際，若在 電流所流動之通路有分歧，則正確的電流值不會記憶於電 晶體11a之源極（S) 一閘極（G)間之電容（電容器）。藉由將電 晶體11c與電晶體lld設為不同的導電型，而控制互相的 臨界值，藉此於變換掃瞄線之時點，一定可在電晶體 35 1264691 玖、發明說明 關閉後’電晶體lid才開啟。 但’由於此時必須正確地控制相互的臨界值，故必須 留意製程。另，上述電路雖然可藉最少四個電晶體來實現 ’但為了達成更正確的時點控制，或者如下所述，為了降 5低反射效果’如第2圖所示，即使串聯電晶體lie，而電 晶體之總數成為四個以上，其動作原理亦相同。如此一來 ，藉由没為業已加上電晶體丨i e之構造，可使程式化之電 流透過電晶體11c更高精度地流入EL元件15。 另’本發明之像素構造並不限於第1圖、第2圖之構 10造，例如，亦可如第140圖所示地構成。相較於第丨圖之 構造，第140圖中沒有電晶體nd，取而代之的是形成或 配置有切換開關14〇1。第i圖之開關nd具有開關（流動 、不流動）控制從驅動用電晶體Ua流向eL元件15之電流 之功能。於以下之實施例亦作說明，本發明中，該電晶體 15 nd之開關控制功能是重要的構成要素。可不形成電晶體
Ud而實現開關功能之構造為第140圖之構造。 於第140圖中，切換開關14〇1之a端子與陽極電壓
Vdd相連接。另，施加於a端子之電壓並不限於陽極電壓
Vdd ’只要是可關閉流向EL元件15之電流的電壓，則任 20 一電壓皆可。 切換開關1401之b端子則與陰極電壓（第140圖中顯 示成接地電壓）相連接。另，施加於b端子之電壓並不限於 陰極電壓’只要是可開啟流向EL元件15之電流的電壓， 則任一電壓皆可。 36 1264691 玖、發明說明 於切換開關1401之C端子則連接有EL元件15之陰 極端子。另，切換開關1401只要具有用以開關流向el元 件15之電流的功能’則任何一者皆可。因此，不限於第 140圖之形成位置，只要是EL元件15之電流所流過之通 5路，則任何一者皆可。又，亦不限定開關之功能，只要可 開關流向EL元件15之電流，則任何一者皆可。即，於本 發明中，只要於EL元件15之電流通路具備可開關流向 EL元件15之電流之開關機構，則任一像素構造皆可。 又’所明關閉並非思指電流完全沒有流動之狀態。只 10要可使流向EL元件15之電流較平常更少即可。上述事項 於本發明之其他構造亦相同。 由於切換開關1401可藉由組合p通道與n通道之電 晶體而輕易地實現，故應無須說明。例如，可將類比開關 形成為2電路。當然，由於切換開關14〇丨僅用以開關流向 15 EL兀件15之電流，故可以p通道電晶體或N通道電晶體 來形成。 當切換開關1401連接於a端子時，則於EL元件15 之陰極端子施加vdd電壓。因此，無論驅動用電晶體Ua 之閘極端子G為何種電壓保持狀態，電流亦不流向EL元 20件15。如此一來，EL元件丨5成為非亮燈狀態。 當切換開關1401連接於b端子時，則於EL元件15 之陰極端子施加GND電壓。因此，電流係依照保持於驅動 用電晶體11a之閘極端子G之電壓狀態而流向EL元件15 。如此一來，EL元件15成為亮燈狀態。 37 1264691 玖、發明說明 由上述情形可知，第140圖之像素構造中，於驅動用 迅日日體lla與EL元件15間未形成開關電晶體nd。但， 可藉由控制切換開關剛來進行EL元件15之亮燈控制 〇 5 第1圖、第2圖等之像素構造中，驅動用電晶體11a 於每1像素有一個。本發明並不限於此，亦可於i像素形 成或配置多個驅動用電晶體lla，第144圖為其實施例。 第144圖中，於1像素形成有兩個驅動用電晶體Ual、 lla2 ’且兩驅動用電晶體Ual、心之閘極端子連接於共 10同的電容1 19。藉由形成多個驅動用電晶體lu，有減少 程式化電流不均之效果。由於其他構造與第丨圖等相同， 故省略其說明。 第1圖、第2圖係使驅動用電晶體Ua所輸出之電流 流入EL元件15，且藉配置於驅動用電晶體丨“與el元件 15 15間之電晶體lid來開關控制前述電流。但，本發明並不 限於此，例如第145圖之構造。 於第145圖之實施例中，藉驅動用電晶體Ua來控制 流入EL元件15之電流。開關流向EL元件15之電流則藉 配置於Vdd端子與El元件15間之電晶體Ud來控制。因 20此，本發明之電晶體lid的配置於何處皆可，只要可控制 流向EL元件15之電流即可。 電晶體lla之特性不均與電晶體尺寸有關。為了縮小 特性不均，第1電晶體1丨3之通道長度宜為5//m以上1〇〇 // m以下，更理想的是第}電晶體lla之通道長度為1〇# 38 1264691 玖、發明說明 m以上50 // m以下’此係考慮到由於增長通道長度l時， 通道所含之晶粒會增加，藉此可緩和電場且減低抑制紐結 效應之故。 如上所述，本發明係於電流流入EL元件15之通路或 電k從EL元件15流出之通路（即，el元件15之電流通路 )構成或形成或者配置有用以控制流向EL元件15之電流之 電路機構。 又，用以控制流向EL元件15之電流的通路之構造並 不限於第1圖、第140圖等電流程式化方式之像素構造， 〇例如，於第141圖之電壓程式化方式之像素構造中亦可實 施。於第141圖中，藉由將電晶體Ud配置於El元件15 與驅動用電晶體lla間，可控制流向EL元件15之電流。 S然亦可如第140圖所示配置切換電路14〇1。 又，即使是電流程式化方式之一的電流鏡方式亦如第 142圖所不，藉由於驅動用電晶體lib與EL·元件15間形 成或配置作為開關元件之電晶體llg，可開關（可控制）流向 EL兀件15之電流。當然，電晶體llg亦可置換成第14〇 圖之切換電路14〇1。 另，雖然第142圖之開關電晶體lid、11c連接於一條 20閘極信號線17a，伯f n μ - 仁亦可如弟143圖所示，構成為電晶體 C由閘極仏號線17al控制，而電晶體lid由閘極信號線 17 a2控制。笙 乐43圖之構造之像素16的控制通用性較高 〇 又亦可如第42(a)圖所示，以N通道電晶體形成電 39 1264691 玖、發明說明 晶體 lib、11c 箄。又，—Γ, 寻又亦可如第42(b)圖所示，以p通道 電晶體形成電晶體llc、lid等。 本專利發明之目的係提出電晶體特性不均不會對顯示 帶來影響之電路構造，因此需要四個以上之電晶體。當根 5據該等電晶體之特性來決定電路常數時，若四個電晶體^ 特性不相同，則不易求得適當的電路常數。當通道方向相 對於雷射照射之長軸方向為水平與垂直時，電晶體特性之 臨界值與移動度會相異而形成。此外，無論哪種情形，其 不均之程度皆相同。移動度、臨界值之數值的平均值於水 1〇平方向與垂直方向不同。因此，用以構成像素之所有電晶 體的通道方向皆相同是最理想的。 又，當將蓄積電容19之電容值設為Cs，且將第2電 晶體lib之關閉電流值設為1〇订時，宜滿足下列式子， 3<Cs/Ioff<24， 15 更理想的是滿足下列式子， 6< Cs/Ioff< 18 〇 藉由將電晶體Ub之關閉電流設為5pA以下，可將流 過EL之電流值的變化抑制在2%以下，此係由於一旦漏電 流增加，則於電壓非寫入狀態下在丨欄内無法保持儲存於 2〇閘極一源極間（電容器的兩端）之電荷。因此，電容器19之 蓄積用電容愈大，關閉電流之容許量也愈大。藉由滿足前 述式子’可將相鄰接之像素間之電流值的變動抑制在2% 以下。 又’用以構成主動矩陣之電晶體宜構成為p一通道多 40 1264691 玖、發明說明 曰曰石夕薄膜電晶體，而電晶體1 lb宜設為雙閘極以上之多閘 極構造。由於電晶體Ub作為電晶體lla之源極一没極間 之開關使用，故盡可能要求開/關比高之特性。藉由將電晶 體11b之閘極構造設為雙閘極構造以上之多閘極構造，可 5 實現開/關比高之特性。 用以構成像素16之電晶體U的半導體膜—般係藉由 低溫多晶石夕技術中雷射退火技術來形成。該雷射退火技術 條件之不均會成為電晶體丨丨特性之不均。但，若1像素 16内之電晶體U的特性一致，則於進行第丨圖等之電流 ίο程式化之方式中，可驅動成預定電流流向EL元件15。該 點係電壓程式化所沒有的優點。χ，宜湘激分子雷射作 為雷射。 又，於本發明中，半導體臈之形成並不限於雷射退火 方法’熱退火方法、根據固相長晶（CGS ;連續結晶技術） 15之方法亦可。除此以外，當然不限於低溫多晶石夕技術，亦 可利用高溫多晶矽技術。 對該課題，本發明係如第7圖所示，與源極信號線18 平打地照射退火時之雷射照射點（雷射照射範圍）72。又， 使雷射照射點72移動以與！像素列一致。當然，並不限於 20 1像素列，例如，亦可以將第72圖之RGB稱作i像素16 之單位來照射雷射（此時變成3像素列）。又，亦可同時照 射至多數像素。又，當然雷射照射範圍之移動亦可重疊（通 常，所移動之雷射光的照射範圍多半會重疊）。 像素係裝作成藉RGB3像素而成為正方形形狀。因此 41 1264691 玖、發明說明 ，R、G、B各像素呈縱長之像素形狀。如此一來，藉由使 雷射照射點72呈縱長形狀來進行退火，可使ι像素内電晶 體η之特性不均不會發生。又，可使連接於—源極信號線 18之電晶體11的特性(移動性、Vt、s值等）均—（即，雖 然有時相鄰之源極信1線18的電㈣n特性不同，但， 連接於-源極信號線之電晶體u的特性可大致相等 10 15 20 第7圖之構造中，於雷射照射點72之長度範圍内形成 有縱向配置之三個面板。用以照射雷射照射點Μ之退火裝 置係辨識玻璃基板74之定位標結H 73b(由圖案辨識而 進行之自動位置決定），且移動雷射照射點Μ。以立標鍵 73之辨識係藉圖案辨識裝置來進行。退火裝置（未圖示）係 辨識疋位^ 4 73，且推斷出像素狀位置（雷射照射範圍 72與源極信號線18平行）。以重疊於像素列位置之方式來 照射雷射照射點72，且依序進行退火。 第7圖所說明之雷射退火方法（與源極信號線a平行 地射線狀雷射點之方式）於有機EL顯示面板之電流程式 化方式日讀別適合採用，此係由於電晶體η之特性在平行 於源極信號線之方向-致之故（縱向相鄰接之像素電晶體的 特性則為近似）。因此，電流驅動時，源極信號線之電壓位 準變化小，且不易發生電流寫入不足。 例如，由於若為壳閃光顯示，則流入相鄰接之各像素 的電晶體lla之電流大致相同，故由源極驅動IC14輸出之 電机振幅的變化小。如果第i圖之電晶體⑴的特性相同 ，且於各像素進行電流程式化之電流值於像素列相等，則 42 1264691 玫、發明說明 電流程式化時之源極信號線丨8的電位為一定。因此，不合 發生源極“號線18之電位變動。若連接於一源極信號線 18之電晶體11a的特性大致相同，則源極信號線18之電 位變動會變小。此情形於第38圖等其他電流程式化方式之 5像素構造中亦相同（即，宜適用第7圖之製造方法）。 又，藉第27圖、第30圖等所說明之同時寫入多數像 素行之方式可實現均一的圖像顯示（主要是由於不易產生起 因於電晶體特性不均之顯示濃淡不均之故）。若因第27圖 等同時選擇多數像素行，而相鄰接之像素行的電晶體均一 10 ，則縱向之電晶體特性不均可藉源極驅動電路14吸收。 另，雖然第7圖顯示源極驅動電路14搭載Ic晶片， 但當然不限於此，亦可與像素16以同一製程來形成源極驅 動電路14。 本發明中，特別是驅動用電晶體llb之臨界電壓Vth2 15設定成不得較於像素内所對應之驅動用電晶體lla之臨界 電壓vthi低。例如，即使使電晶體llb之閘極長度L2較 電晶體lla之閘極長度L1長，且該等薄膜電晶體之製程參 數有所變動’ Vth2亦不得較Vthl低。藉此，可抑制微少 之電流洩漏。 20 另，上述事項亦可適用於第38圖所示之電流鏡之像素 構造。第38圖中，電流鏡之像素構造係由下列構件所構成 ，即，使信號電流流動之驅動用電晶體lla、用以控制流 向由EL元件15等所構成之發光元件的驅動電流之驅動用 電晶體lib，除此以外，藉由控制閘極信號線17al而連接 43 1264691 玖、發明說明 或隔斷像素電路與資料線data之取入用電晶體llc、藉由 控制閘極信號線17a2而於寫入期間内使電晶體Ua之閘極 •汲極短路之開關用電晶體Ud、於寫入結束後亦保持電 晶體11a之閘極一源極間電壓之電容C19及作為發光元件 5 之EL元件15等。 雖然第38圖中電晶體llc、lld以N通道電晶體構成 ，而其他電晶體以P通道電晶體構成，但這只是其中一例 ，不一定要如上所述。雖然電容以將其中一端子連接於電 晶體11a，且另一端子連接於Vdd(電源電位），但，不限於 vdd，任意之一定電位皆可。虹元件15之負極（陰極）則連 接於接地電位。 接著，就本發明之EL顯示面板或EL顯示裝置加以說 明。第6圖係以EL顯示裝置之電路為中心之說明圖。像 素16係配置或形成為矩陣狀。於各像素16連接有用以輸 15出用來進行各像素之電流程式化的電流之源極驅動電路μ 。源極驅動電路14之輸諸係形成有對應於影像信號之位 元數之電流鏡電路(後面會說明）。例如，若為Μ灰階則 構成為63個電流鏡電路形成於各源極信號線，且藉由選擇 該等電流鏡電路之個數，可將所希望之電流施加於源極信 2〇 號線18(參照第64圖）。 另，-個電流鏡電路之最小輪出電流為ι〇ηΑ以上 5〇nA以下。特別是電流鏡電路之最小輪出電流在μ以 上35nA以下最佳，此係為了魏用以構絲極驅動㈣ 内之電流鏡電路之電晶體的精度。 44 1264691 玖、發明說明 又’内藏有用以強制地放電或充電源極信號線18之電 荷之預充電或放電電路，強制地放電或充電源極信號線18 之電荷之預充電或放電電路之電壓（電流）輸出值宜構成為 於R、G、B可獨立地設定，此係由於el元件15之臨界 5 值於R、G、B不同之故（關於預充電電路則參照第70圖、 第173圖及其說明）。 有機EL元件具有大的溫度依存性特性（溫度特性）是已 知的’為了調整因該溫度特性而產生之發光亮度變化，因 此於電流鏡電路附加用以使輸出電流變化之熱阻器或正溫 10度係數熱敏電阻等非直線元件，且藉前述熱阻器等來調整 因溫度特性而產生之變化，藉此類比地調整基準電流（使其 變化）。 於本發明中，源極驅動電路14係由半導體矽晶片所形 成，且藉玻璃覆晶（COG)技術與基板71之源極信號線18 15 的知子相連接。源極驅動電路14之安裝並不限於c〇G技 術，亦可藉薄膜覆晶（COF)技術構成為搭載前述源極驅動 IC14等，且與顯示面板之信號線相連接。又，驅動1(：亦 可另外製作電源IC82，且作成三晶片構造。 在安裝源極驅動IC14前進行面板檢查，檢查係藉由於 2〇源極信號線18施加定電流來進行，定電流之施加係如第 227圖所示，從形成於源極信號線18端部之墊1522形成 引出線2271，且於其前端形成檢查墊2272。藉由形成檢查 墊2272，可不使用墊1522而實施檢查。在源極驅動IC14 女裝於基板71後，如第228圖所示，用密封樹脂2281來 45 1264691 玖、發明說明 密封1C 14之周邊部。 另一方面，閘極驅動電路12係藉低溫多晶矽技術而形 成。即，與像素之電晶體以同一製程來形成，此係由於閘 極驅動電路12之内部構造較源極驅動電路14簡單，且動 5作頻率亦較低之故。因此，即使藉低溫多晶矽技術來形成 亦可輕易地形成，又，可實現狹框化。當然，亦可以矽晶 片形成閘極驅動電路12，且利用C〇G技術等將其安裝於 基板71上。又，像素電晶體等之開關元件、閘極驅動等亦 可藉高溫多晶矽技術來形成，且亦可以有機材料（有機電晶 10體）來形成。 閘極驅動電路12内藏有閘極信號線17a用之移位暫存 态電路61a及閘極信號線17b用之移位暫存器電路61b， 各移位暫存器電路61係由正相與負相之時脈信號（cLKxp 、CLKxN)、起始脈衝（STx)來控制（參照第6圖）。除此以外 15 ，宜附加用以控制閘極信號線之輸出、非輸出之賦能 (ENABL)信號及用以上下逆轉移位方向之上下（upD wn)信 號另外，且5又置用以確認起始脈衝移位至移位暫存器而 後輸出之輸出端子等。另，移位暫存器之移位時點係由來 自控制IC81之控制信號來控制（參照第8圖、第2〇8圖）。 2〇又，閘極驅動電路12内藏有用以進行外部資料之位準移位 之位準移位電路。 由於移位暫存器電路61之緩衝電容小，故無法直接驅 動閘極信號線17。因此，於移位暫存器電路61之輸出與 用以驅動閘極信號線17之輸出閘極63間至少形成有兩個 46 1264691 玖'發明說明 以上之反向器電路62(參照帛綱圖）。 5 以驅動信號線之輪出段（有 輸出段間之反向器電路的 動電路為共同事項。 藉低皿夕B曰矽等多晶矽技術將源極驅動電路Μ直接形 成於基板71上時㈣樣於用以驅動源極㈣線μ之轉移 閉極等類比開關之閘極與源極驅動電路14之移位暫存器間 形成多數反向^路。以下的事項（移位暫存ϋ之輸出與用 關配置於輸出閘極或轉移閘極等 事項））在源極驅動電路及閘極驅 例如’雖然第6圖顯示源極驅動轉14之輸出直接連 1〇接於源極信號線18，然而，實際上，源極驅動電路之移位 暫存器之輪出連接有多段反向器電路，且反向器之輸出連 接於轉移閘極等類比開關之閘極。 反向器電路62係由Ρ通道之MOS電晶體及Ν通道之 MOS電晶體所構成。先前亦已說明，於閘極驅動電路12 15之移位暫存ϋ電路61之輸出端連接有多段反向器電路π ，且其最後之輸出係連接於輸出閘極電路63。此外，反向 為電路62亦可僅以ρ通道構成。但，此時亦可不構成為反 向器，而僅構成為閘極電路。 第8圖係本發明之顯示裝置之信號、電壓供給之構造 20圖或顯示裝置之構造圖。從控制IC81供給至源極驅動電路 14a之信號（電源配線、資料配線等）係透過撓性基板84來 供給。 於第8圖中，閘極驅動電路12之控制信號係由控制 1C產生，且於藉源極驅動電路14進行位準移位後，施加 47 1264691 玖、發明說明 14之驅動電壓為 3·3(ν)振幅之控制 於閘極驅動電路12。由於源極驅動電路 4(V)〜8(V)，故可將由控制IC81輸出之 信號變換為閘極驅動電路12所接收之5(ν)费巾s 又，雖然於第8圖料將14記載為源極驅動電路，但 不僅驅動電路’亦可内藏電源電路、輯電路（包含移位暫 存器等電路）、資料變換電路、鎖存電路、命令解碼器、移 位電路、位址變換電路、圖像記憶體等。此外，於第8圖 等所說明之構造當然亦可適用第9圖等所說明之三邊自由 構造或結構、驅動方式等。 10 當將顯示面板使用於行動電話等資訊顯示裝置時，如 第9圖所示，源極驅動IC(電路）14、閘極驅動IC(電路）12 宜安裝（形成）於顯示面板的一邊（此外，將上述將驅動IC( 電路）安裝（形成）於一邊之形態稱作三邊自由構造（結構）。 過去於顯不領域之X邊安裝有閘極驅動IC12，且於Y邊 15 安裝有源極驅動1C 14)，此係由於容易設計成晝面50之中 心線成為顯示裝置之中心，又，驅動1C之安裝亦變得容易 之故。此外，亦可藉高溫多晶矽或低溫多晶矽技術等以三 邊自由構造來製作閘極驅動電路（即，藉多晶矽技術將第9 圖之源極驅動電路14與閘極驅動電路12中至少一者直接 2〇 形成於基板71)。 又，所謂三邊自由構造不僅是將1C直接搭載或形成於 基板71之構造，亦包含將安裝有源極驅動1C(電路）14、閘 極驅動1C(電路）12等之膜（TCP、TAB技術等）貼在基板71 之一邊（或者大約一邊）之構造。即，意指於兩邊未封裝或 48 1264691 玖、發明說明 安裝1C之構造、配置或與其類似者。 如第9圖所示，若將閘極驅動電路12配置於源極驅動 電路14旁邊，則閘極信號線17必須沿著邊c來形成。 5 15 20 另，於第9圖等中，以粗實線所示之處表示間極信號 線Π並列地形成之處。因此，b的部分（畫面下方）係並列 地形成有掃瞄信號線之個數份的閘極信號線17，而a的部 分（畫面上方）則形成有一條閘極信號線17。 形成於C邊之閘極信號線17的間距係設為以上 12/zm以下。若未滿5”，則因寄生電容之影響，雜訊會 傳導至相鄰接之間極信號線。根據實驗，若間距在7” 以下’則寄生電容之影響會顯著地產生。再者，若未滿5 則顯示晝面會激烈地產生跳動狀等之圖像雜訊。特 別是雜訊的產生於畫面之左右不同，且減少該跳動狀等之 圖像雜錢困難的。又，若超過12_，則顯示面板之框 寬D會過大而不實用。 為了減少前述圖像雜訊，可藉由於形成有閘極信號線 之邛刀的下層或上層配置接地圖案(電壓固定於一定電 壓或者整體而言設定成穩定電位之導電圖案）來減少。又， 亦可將另外設置之屏蔽板（屏“（㈣固定於1電壓或 者整體而言設定成穩定電位之導電圖案））配置於間極信號 線17上。 ,雖然弟9圖C邊之閘極信號線17亦可由ιτ〇電極來 形成，但為了實現低電阻，宜積層ιτο與金屬薄膜來形成 ’又’宜由金屬膜來形成。當與ιτ〇積層時，於ιτ〇上形 49 1264691 玖、發明說明 成鈦膜，且於其上形成铭或18與錮之合金薄膜，或者於 上形成鉻膜。金屬膜則由鋁薄膜、鉻薄膜來形成。上 述事項於本發明之其他實施例亦相同。 、另’於第9圖等中，雖然閘極信號線17等配置於顯示 5領域之其中一側，但並不限於此，亦可配置於兩側。例如 ，亦可將閘極信號線l7a配置（形成）於顯示畫面5〇之右側 ，且將閘極信號線17b配置（形成）於顯示晝面5〇之左侧。 上述事項於其他實施例亦相同。 又’亦可使源極驅動IC14與閘極驅動IC12成為一晶 10片。右成為一晶片，則只需對顯示面板安裝一個1C晶片， 因此，亦可減少安裝成本。又，丨晶片驅動IC内所使用之 各種電壓亦可同時產生。 另雖然源極驅動IC14、閑極驅動I c 12以碎等半導 體晶圓來製作，且安裝於顯示面板，但當然不限於此，亦 15可藉由低溫多晶矽技術、高溫多晶矽技術而直接形成於顯 不面板71。 另’像素雖然設為R、G、B三原色，但不限於此，亦 可為青綠色、黃色、深紅色三色。又，亦可為B與黃色兩 色’當然，單色亦可。又，亦可為R、G、B、青綠色、黃 20 色、深紅色六色，或者為R、g、b、青綠色、深紅色五色 。由於該等色彩為自然色，故可擴大灰階再現範圍並實現 良好的顯示。如上所述，本發明之EL顯示裝置並不限於 以RGB三原色來進行色彩顯示。 於有機EL顯示面板之彩色化中主要有三種方式，而 50 1264691 玖、發明說明 色變換方式為其中一種。可僅形成藍色單層作為發光層， 且從藍色光藉由色變換做出純色化所需之綠色與紅色另外 兩色。因此，優點是無須分開塗布RGB各層，且無須使 RGB各色之有機EL材料齊備。色變換方式沒有如分開塗 5 布方式之產率低的缺點。本發明之EL顯示面板等可適用 上述任一方式。 又，除了三原色以外，亦可形成白色發光之像素。白 色發光之像素可藉由積層R、G、B發光構造來製作（形成 或構成）而實現。1組像素係由RGB三原色及白色發光之 10 像素16 W所構成。藉由形成白色發光之像素，可輕易顯現 白峰值亮度。因此，可實現具亮感之圖像顯示。 即使將RGB等三原色作為1組像素，亦宜使各色之像 素電極的面積不同。當然，若各色之發光效率取得平衡且 色純度亦取得平衡，則即使面積相同亦無大礙。但，若一 15 種或多種色彩失去平衡，則宜調整像素電極（發光面積）。 各色之電極面積宜以電流密度為基準來決定。即，當色溫 度於7000K(克耳文）以上12000K以下之範圍内，且已調整 白平衡時，則各色之電流密度差會在± 30%以内，更理想 的是在± 15%以内。例如，若電流密度為100A/平方公尺 20 ，則三原色皆在70A/平方公尺以上130A/平方公尺以下， 更理想的是三原色皆在85A/平方公尺以上115A/平方公尺 以下。 有機EL元件15為自發光元件。若藉由該發光而產生 之光射入作為開關元件之電晶體，則會產生光導體現象（光 51 1264691 玖、發明說明 導體）。所謂光導體意指因光激發而電晶體等開關元件於關 閉日守之)¾漏（關閉泡漏）增加之現象。 為了解決上述課題，於本發明中，形成有閑極驅動電 路12(有時為源極驅動電路14)之下層、像素電晶體η之 5下層的遮光膜。遮光膜係以鉻等金屬薄膜來形成，且其膜 厚為5〇nm以上l50nm以下。若膜厚薄，貝㈣光效果不足 ’若膜厚厚，則會產生凹凸，且上層之電晶體UAi的圖 案形成變得困難。 驅動電路12等不僅抑制來自裡面之光進入，亦應抑制 〇來自表面之光進入，此係由於因光導體的影響而產生錯誤 動作之故。因此，於本發明中，當陰極電極為金屬膜時， 則於驅動電路12等之表面亦形成陰極電極，且將該電極作 為遮光膜使用。 但，若於驅動電路12上形成陰極電極，則有可能發生 15因來自該陰極電極之電場而產生之驅動電路的錯誤動作， 或者陰極電極與驅動電路電連接。為了解決該課題，本發 明係使至少-層，最好是多層有機EL膜與像素電極上之 有機EL膜之形成同時形成於驅動電路I]等上方。 若像素之一個以上之電晶體n之端子間或者電晶體 2() U與㈣線間短路’則有時EL元件15會成為常時亮燈之 亮點。由於該亮點在視覺上很明顯，故必須使其暗點化（非 儿燈）。對该免點，係檢測出該像素16，且將雷射光照射 至電容器19’並使電容器之端子間短路。因此，由於在電 容器19無法保持電荷，故電晶體Ua可使電流不流動。另 52 1264691 玖、發明說明 ，宜預先除去位於照射雷射光之位置的陰極膜，此係由於 藉由雷射照射可防止電容器19之端子電極與陰極膜間短路 之故。 像素16之電晶體11的缺陷亦會對源極驅動IC14帶來 5影響。例如，於第56圖中，一旦於驅動用電晶體11a發生 源極一汲極（SD)短路562，則面板之Vdd電壓會施加於源 極驅動電路14。因此，源極驅動IC14之電源電壓宜與面 板之電源電壓Vdd相同或者較其為高。此外，於源極驅動 1C使用之基準電流宜預先構成為可藉電子調節器561來調 10 整（參照第148圖）。 一旦於電晶體11a發生SD短路562，則過大之電流會 流向EL元件15。即，EL元件15成為常時亮燈狀態（亮點 )。亮點容易過於明顯而成為缺陷。例如，第56圖中，一 旦電晶體11a之源極一汲極（SD)短路發生，則無論電晶體 15 lla之閘極（G)端子電位大小，電流仍從Vdd電壓常時流向 EL元件15(電晶體nd開啟時），因而成為亮點。 另一方面，若於電晶體lla發生SD短路，則當電晶 體lie為開啟狀態時，Vdd電壓會施加於源極信號線18， 且於源極驅動電路14施加Vdd電壓。若源極驅動電路14 2〇之電源電壓在Vdd以下，則有超過耐壓而破壞源極驅動電 路14之虞。因此，源極驅動電路14之電源電壓宜在v仙 電壓（面板之較高的電壓）以上。 電晶體lla之SD短路等不只造成點缺陷，更有牵涉 到破壞面板之源極驅動電路之虞，又，由於亮點過於明顯 53 1264691 玖、發明說明 ，故作為面板變得不理想。因此，必須切斷用以連接電晶 體lla與EL元件15間之配線，且使亮點成為暗點缺陷。 該切斷可利用雷射光等光學構件來切斷。 以下，就本發明之驅動方法作說明。如第丨圖所示， 5閘極信號線na於行選擇期間呈導通狀態（於此由於第1圖 之電晶體11為p通道電晶體，故呈以低位準導通之狀態） ，而閘極“號線17b則於非選擇期間呈導通狀態。 於源極偵號線18存在有寄生電容（未圖示）。寄生電容 係由源極信號線18與閘極信號線17之交叉部的電容、電 10 晶體lib、11c之通道電容等產生。 15 源極#號線18之電流值變化所需之時間t顯示出若將 雜散電容之大小設為c，且將源極信麟之電壓設為V， 並將流向源極信號線之電流設為j，則由於t=c· ν/ι，故 可將電流值增大十倍，而此亦可使電流值變化所需之時間 縮短至將近十分之-，或者即使源極信號線18之寄生電容 增為十倍，亦可變化為預定電流值。因此，在於短水平掃 瞒期間内寫人預定電流值方面，電錄增加是有效的。 ;右4，入電流增為十倍，則輸出電流亦變為十倍 ，且EL之亮度會變為十倍，故為了取得預定亮度，使第i 圖之電㈣Ud之導通時間為料的十分之―，且使發光 時間為十分之-，藉此可顯示預定亮度。此外，以十倍為 例來作說明是為了容易理解，當然不限於十倍。 即’為了充分地進行源極㈣線18之寄生電容的充放 電，且使預定電流值於像素16之電晶體iu程式化，必須 54 20 1264691 玖、發明說明 從源極驅動電路14輸出較大的電流。但，如此一來，若使 強大電流入源極仏说線1 8 ’則該電流值會於像素程式化 ’且相對於預定電流，強大電流會流向EL元件15。例如 ，若以十倍的電流進行程式化，則當然十倍的電流會流向 5 EL元件15，且EL元件15會以十倍的亮度發光。為了達 到預定之發光亮度，可使流向EL元件15之時間為1/1〇。 藉由如此地驅動，可使源極信號線18之寄生電容充分地充 放電，並可得到預定之發光亮度。 另，舉例而言，將十倍的電流值寫入像素之電晶體 10 lla(正確地說，係設定電容器19之端子電壓），且將El元 件15之開啟時間設為1/1〇。根據不同的情形，亦可將十倍 之電流值寫人像素之電晶體Ua，且將EL元件15之開啟 了間叹為1/5。相反地，應該也有將十倍之電流值寫入像素 之電晶體iu，且將EL元件15之開啟時間設為ι/2倍之 15 情形。 20 + ¾明之特徵在於將朝像素 ’ ’ H V < 巧"IL 5又阿i 外之值，且使流向EL元件15之電流為間歇狀態並驅動〜 。本說明書為了容易說明，以將N倍電流值寫入像素之電 晶體U ’且將EL元件15之開啟時間設為_倍來說明。 但’當然:不限於此，亦可將N1 #之電流值寫人像素之電 晶體U’且將EL树15之開啟時間設為寧愈 N2相異）。 之 5〇之1攔（幀）期間之 16之亮度B1較平均 於亮閃光顯示中，假定顯示畫面 平均売度為B0。此時，為了使各像素 55 1264691 玖、發明說明 亮度B0更高，本發明為進行電流（電壓）程式之驅動方法， 且，為於至少1攔（幀）期間產生非顯示領域52之驅動方法 。因此，於本發明之驅動方法中，1欄（幀）期間之平均亮度 較B1更低。 5 又，所間歇之間隔（非顯示領域52/顯示領域53)並不限 於等間隔，例如，隨機亦可（整體而言，顯示期間或非顯示 期間可為預定值（一定比例））。又，亦可於RGB分別不同。 即，為了使白色（白）平衡最為適當，可調整（設定）成R、G 、B顯示期間或非顯示期間為預定值（一定比例）。 10 為了容易說明本發明之驅動方法，所謂1/N係以1F(1 欄或1幀）為基準且將該1/F設為1/N來作說明。但，當然 選擇1像素行且使電流值程式化需要時間（通常是1水平掃 瞄期間（1H))，又，因掃瞄狀態的不同也會產生誤差。 例如，亦可以N=10倍之電流於像素16進行電流程 15 式化，且於1/5之期間内使EL元件15亮燈，此時，EL元 件15係以10/5 = 2倍之亮度亮燈。亦可以N=2倍之電流 於像素16進行電流程式化，且於1/4之期間内使EL元件 15亮燈，此時，EL元件15則以2/4=0.5倍之亮度亮燈。 即，本發明係以N不等於1倍之電流進行程式化，且實施 20 常時亮燈（1/1，即，並非間歇顯示）狀態以外之顯示。又， 本發明係於1幀（或1欄）期間至少一次關閉供給至EL元件 15之電流之驅動方式。又，本發明係以較預定值大之電流 於像素16進行程式化，且至少實施間歇顯示之驅動方式。 有機（無機）EL顯示裝置在顯示方法基本上與如CTR用 56 1264691 玖、發明說明 電子㈣為線顯示之集合來顯示圖像之顯示器不同之點也 有問題即，EL顯示裝置中，於1F(1攔或1 _間内保 持業已寫入像素之電流（電壓）。因此，會產生若進行動畫 顯不則會發生顯示圖像之輪摩模糊的問題。 5 於本發明中，僅於1F/N之期間内使電流流入EL元件 15，其他期間（卿—1)/N)則不使電流流入。彳量實施該 驅動方式而觀測到晝面上出現一點之情形。該顯示狀態下 每1F反覆顯不圖像資料顯示、暗顯示（非亮燈）。即，圖 像負料頋示狀恶成為時間上間歇顯示狀態。若以間歇顯示 1〇狀悲作為動晝資料顯示，則圖像之輪廓模糊會消失而可實 現良好的顯示狀態。即’可實現接近CRT之動晝顯示。 本發明之驅動方法係實現間歇顯示。但，間歇顯示可 僅於1H週期開關控制電晶體nd。因此，由於電路之主時 脈與過去相同，故亦不增加電路之消耗電力。於液晶顯示 15面板中，為了實現間歇顯示，需要圖像記憶體。本發明中 ，圖像資料係保持於各像素16，因此，不需要用以實施間 歇顯示之圖像記憶體。 本發明係僅藉由開關開關電晶體11(1或電晶體lle等 來控制流入EL元件15之電流。即，即使關閉流向El元 2〇件15之電流Iw，圖像資料亦仍舊保持於電容器μ。因此 ’若於下一時點開啟電晶體lid等，且使電流流入EL元 件15，則該流動之電流會與之前流動之電流值相同。於本 發明中’即使在實現暗插入（暗顯示等之間歇顯示）之際， 亦無須增加電路之主時脈。又，由於亦無須實施時間軸延 57 1264691 玖、發明說明 長，故亦不需要圖像記憶體。又，有機EL元件15從施加 電流至發光之時間變短，且快速地反應。因此，適合動畫 顯示，再者，藉由實施間歇顯示，可解決過去資料保持型 顯示面板（液晶顯示面板、EL顯示面板等）之動晝顯示的問 5 題。 再者，於大型顯示裝置中，當源極信號線18之配線長 度變長，且源極信號線18之寄生電容變大時，可藉由增大 N值來對應。當使施加於源極信號線18之程式電流值增加 N倍時，可將閘極信號線17b(電晶體ud)之導通期間設為 10 iF/N。藉此，亦可適用於電視、監視器等大型顯示裝置等 〇 又，源極驅動電路14之輸出段係由定電流電路7〇4( 參照第70圖）構成。由於是定電流電路，故如同液晶顯示 面板之源極驅動電路，無須依照顯示面板之大小來改變輪 15 出段之緩衝尺寸。 以下，一面參照圖式，一面就本發明之驅動方法更詳 細地說明。源極信號線18之寄生電容係由相鄰接之源極信 號線18間之結合電容、源極驅動Ic(電路）14之緩衝輸出 電容、閘極信號線17與源極信號線18之交叉電容等所產 20生該寄生電谷通常在10pF以上。電壓驅動時，由於電壓 k源極驅動IC14以低阻抗施加於源極信號線18，故即使 寄生電容有點大，在驅動上亦不成問題。 但，電流驅動時，特別是暗位準之圖像顯示時，則必 須藉20nA以下之微小電流使像素之電容器19程式化。因 58 1264691 玖、發明說明 2若寄生電容以預定值以上之大小產生，職法在於1 “丁私式化之時間(通常在1H以内，但由於也有同時 :二像素行之情形，故不限於1Η以⑴内充放電寄生電 合右無法於1Η期間充放電，則朝像素之寫入會不足， 且解析度無法呈現。 、第1圖之像素構造的情形係如第3⑷圖所示，電流程 、蚪私式電流Iw係流向源極信號線18。為了使該電 :IW机過電晶體lla，且保持使1w流動之電流，因而於 、w I9進仃電壓設定（程式化），。此時，電晶體⑴為 10打開狀態（關閉狀態）。 接著，使電流流入EL元件15之期間係如第3(b)圖所 示’電晶體11c、llb關閉，且電晶體Ud動作。即，於閘 極信號線17a施加關閉電壓（vgh)，且電晶體llb、llc關 1另方面，於閘極#號線17b施加開啟電壓（Vgi)，且 15 電晶體lid開啟。 現在，若電流1w為本來流入之電流（預定值）的N倍， 則流向第3(b)圖之EL元件15之電流亦成為Iw。因此， EL元件15會以預定值之十倍亮度發光。即，如第12圖所 不’愈提高倍率N，則像素16之顯示亮度B亦愈高。因 20此’倍率與像素16之亮度成為比例關係。 因此，若使電晶體lid僅開啟原來開啟時間（約iF)2 1/N期間，而其他時間（n— 1)/n期間使其關閉，則if整體 之平均梵度會成為預定亮度。該顯示狀態係與CRT用電子 搶掃瞄畫面之情形類似，而不同點為畫面整體之1/N(將全 59 1264691 玖、發明說明 畫面視為υ為亮燈狀態（於CRT巾，亮燈範圍為i像素行( 嚴格來說是1像素））。 该1F/N之圖像顯示領域53係如第I3(b) 50上方朝下方移動。於本發明中，僅 於本發明中， 圖所示，從畫面 1F/N之期間内電流流向EL元件15，其他時間仰j — _)則電流不流動。因此，各像素16成為間歇顯示。但
Hx人類的眼睛來看會因殘留影像而呈保持圖像之狀 態，故可看到全晝面均一地顯示。 另’如第13圖所示，寫人像素行51a設為非亮燈顯示 10 15 仏，但，此係第i圖、第2圖等之像素構造的情形。於第 38圖等所示之電流鏡像素構造巾，寫人像素行…亦可設 為亮燈狀態。但，於本說明書中，為了容易說明主要以 第1圖之像素構造為例來作說明。又，將藉較第13圖第 16圖等之預定驅動電流Iw更大之電流進行程式化且間歇 驅動之驅動方法稱作N倍脈衝驅動。 於該顯示狀態中，每1F反覆顯示圖像資料顯示、暗顯 示（非亮燈）。即，圖像資料顯示狀態呈時間上任意跳動之 顯示（間歇顯示）狀態。於液晶顯示面板（本發明以外之 顯示面板）中，由於IF期間内於像素保持有資料，故動書 20顯示時，即使圖像資料有所變化，亦無法跟隨該變化，而 成為動畫模糊（圖像之輪廓模糊）。但，於本發明中，由於 間歇顯示圖像’故圖像之輪廓模糊會消失，而可實現良好 的顯示狀態。即，可實現接近CRT之動晝顯示。 又，如第13圖所示，為了驅動，必須獨立地控制像素 60 1264691 玖、發明說明 16之電流程式化期間（於第丨圖之像素構造中，為開啟電 壓Vgl施加於閘極信號線17a之期間）與關閉或開啟控制 EL元件15之期間（於第！圖之像素構造中，為施加開啟電 壓vgi或關閉電壓Vgh於閘極信號線17b之期間）。因此， 5閘極信號線17a與閘極信號線17b必須分開。 例如，當從閘極驅動電路12配線至像素16之閘極信 號線17為1條時，在將施加於閘極信號線17之邏輯電壓 (vgh或vgi)施加於電晶體llb，且以反向器變換或 vgh)施加於閘極信號線17之邏輯電壓並施加於電晶體ud 10之構造中無法實施本發明之驅動方法。因此，本發明需要 用以操作閘極仏號線17a之閘極驅動電路12a與用以操作 閘極#號線17b之閘極驅動電路丨2b。 又，本發明之驅動方法於第1圖之像素構造，或者於 電流程式化期間（1H)以外之期間皆為設為非亮燈顯示之驅 15 動方法。 於第14圖顯不第13圖之驅動方法的時點圖。此外， 於本發明等中，無特別聲明時之像素構造係第1圖之構造 第4圖可知，於各選出之像素行（選擇期間設為1H) 中田於閘極偽號線17a施加開啟電壓（Vgl)時（參照第 14(a)圖），於閘極信號線丨几則施加關閉電壓（乂妙)（參照第 14(b)圖）。又，該期間於el元件15並無電流流動（非亮燈 狀^於未選擇之像素行中，於閘極信號線 17 a施加關閉 電壓（Vgh) ’且於閘極信號線l7b施加開啟電壓（vy)。又 該期間於EL凡件15有電流流動（亮燈狀態）。又，於亮 61 1264691 玖、發明說明 燈狀態下，EL元件15係以預定之N倍亮度（N · B)亮燈， 且其亮燈期間為1F/N。因此，平均1F後之顯示面板的顯 示亮度為（N · Β)χ(1/Ν) = Β(預定亮度）。 第15圖係將第14圖之動作適用於各像素行之實施例 5 ，且顯示施加於閘極信號線17之電壓波形。電壓波形係將 關閉電壓設為Vgh(H位準），且將開啟電壓設為Vgl(L位準 )。（1)(2)等尾置則表示所選擇之像素行編號。 於第15圖中，選擇閘極信號線17a(l)(Vgl電壓），且 程式電流從所選出之像素行的電晶體11a朝源極驅動電路 10 14流向源極信號線18。該程式電流為預定值之N倍（為了 容易說明，以N=10來說明。當然，由於所謂預定值係顯 示圖像之資料電流，故不是亮閃光顯示等，則不是固定值） 。因此，於電容器19進行程式化以使電流以10倍流量流 向電晶體11a。當選擇像素行（1)時，於第1圖之像素構造 15 中，於閘極信號線17b(l)施加關閉電壓（Vgh)，而於EL元 件15則沒有電流流動。 於1H後，選擇閘極信號線17a(2)(Vgl電壓），且程式 電流從所選出之像素行的電晶體11a朝源極驅動電路14流 向源極信號線18。該程式電流為預定值之N倍（為了容易 20 說明，以N= 10來說明）。因此，於電容器19進行程式化 以使電流以10倍流量流向電晶體11a。當選擇像素行（2)時 ，於第1圖之像素構造中，於閘極信號線17b(2)施加關閉 電壓（Vgh)，而於EL元件15則沒有電流流動。但，由於 在前述像素行（1)之閘極信號線17a(l)施加關閉電壓（Vgh)， 62 1264691 玖、發明說明 且於閘極信號線17b(l)施加開啟電壓（Vgl)，故呈亮燈狀態 〇 於下一 1H後，選擇閘極信號線17a(3)，且於閘極信 號線17b(3)施加關閉電壓（Vgh)，而於像素行（3)之EL元件 5 15則沒有電流流動。但，由於在之前的像素行（1)(2)之閘 極信號線17a(l)(2)施加關閉電壓（Vgh)，且於閘極信號線 17b(l)(2)施加開啟電壓（Vgl)，故呈亮燈狀態。 使上述動作與1H同步信號同步而顯示圖像。但，於 第15圖之驅動方式中，於EL元件15有10倍的電流流動 10 。因此，顯示晝面50則以約10倍的亮度來顯示。當然， 為了於該狀態下進行預定之亮度顯示，可先將程式電流設 為1/10。但，若是1/10之電流，則會因寄生電容等而產生 寫入不足，故本發明之基本宗旨為藉高電流進行程式化， 且藉由非亮燈領域52之插入來取得預定亮度。 15 另，於本發明之驅動方法中，其概念在於使較預定電 流更高之電流流向EL元件15，且使源極信號線18之寄生 電容充分地充放電。即，亦可不使N倍之電流流入EL元 件15。例如，亦可並列於EL元件15而形成電流通路（形 成假EL元件，且該EL元件形成遮光膜而不發光等），並 20 且使電流分流流入假EL元件與EL元件15。例如，信號 電流為0.2/z A時，將程式電流設為2.2//A，且使2.2//A 流入電晶體11 a。例如，有該電流中使信號電流0·2 /z A流 入EL元件15且使2//A流入假EL元件等之方式。即，將 第27圖之假像素行281設為常時選擇狀態。此外，假像素 63 1264691 玖、發明說明 订係構成為不發光，或者形成遮光膜等 而即使發光在視覺 上亦看不出來。 藉由如上所述地構成，使流入源極信號線18之電流增 倍藉此可進行程式化使N倍電流流向驅動用電晶體 5 1U且可使倍小很多之電流流入電流EL元件15。 於上述方法中’如第5圖所示，可不設非亮燈領域52，而 將全顯示晝面5〇設為圖像顯示領域53。 第U⑷圖顯示朝顯示晝面5〇之寫入狀態。於第i3(a) 圖中5U為寫入像素行。程式電流係從源極驅動IC14供 10…至各源極心號線18。此外，第13圖等中，於m期間所 寫入之像素行為！行。但，完全不限於ιη，〇 π期間亦 可，2H朗亦可。又，雖然設為將程式電流寫人源極信號 線18,但本發明並不限於電流程式化方式，亦可為寫入源 極信號線18的是電壓之電壓程式化方式（第62圖等）。 15 於第13⑷圖中，一旦選擇閘極信號線17a，則流向源 極信號線18之電流會於電晶體lu程式化。此時，於閘極 信號線17b施加關閉電壓，而於EL元件15則沒有電流流 動，此係由於若於EL元件15側電晶體nd為開啟狀態， 則從源極信號線18可看出EL元件15之電容成分，而受 20該電谷之衫響，於電容器19無法進行十分正確的電流程式 化。因此，若以第1圖之構造為例，則如第13(b)圖所示， 寫入電流之像素行成為非亮燈領域52。 現在若以N(於此，如上所述地將N設為1〇)倍電流進 行程式化’則畫面亮度增為1〇倍。因此，可將顯示書面 64 1264691 玖、發明說明 50之90%的範圍設為非亮燈領域52。如此一來，若圖像 顯示領域之水平掃瞄線設為QCIF之220條（S= 220)，則可 將22條設為顯示領域53，且將220 — 22 = 198條設為非顯 示領域52。一般而言，若將水平掃瞄線（像素行數）設為S 5 ，則將S/N之領域設為顯示領域53，且以N倍亮度使該顯 示領域53發光。並且，於畫面之上下方向掃瞄該顯示領域 53。因此，S(N—1)/N之領域為非亮燈領域52，該非亮燈 領域為暗顯示（非發光）。又，該非發光部52係藉由關閉電 晶體lid來實現。此外，雖然以N倍亮度亮燈，但當然可 10 藉由明亮度調整、伽馬調整來調整N倍的值。 又，於上述實施例中，若以10倍電流進行程式化，則 畫面亮度變為10倍，且可將顯示畫面50之90%的範圍設 為非亮燈領域52。但，此並不限於將RGB之像素一同設 為非亮燈領域52，例如，R之像素將1/8設為非亮燈領域 15 52，且G之像素將1/6設為非亮燈領域52，而B之像素將 1/10設為非亮燈領域52，且依照各自的顏色使其變化亦可 。又，亦可以RGB之顏色個別地調整非亮燈領域52(或亮 燈領域53)。為了實現該等事項，於R、G、B需要個別的 閘極信號線17b。但，藉由達成上述RGB之個別調整，可 20 調整白平衡，且各灰階中色彩之平衡調整變得容易（參照第 41 圖）。 如第13(b)圖所示，包含寫入像素行51a之像素行設為 非亮燈領域52，且將較寫入像素行51a更位於畫面上方之 S/N(時間上為1F/N)之範圍設為顯示領域53(寫入掃瞄從畫 65 1264691 玖、發明說明 面時，則成為其相 呈帶狀，且由畫面 面亡方朝下方時，而當由下往上掃瞄晝 反h形）。圖像顯示狀態係顯示領域％ 上方向下移動。 方移動。綠… ……3從畫面上方朝下 右中貞逮率低，則顯示領域 坟53所移動之情形在視覺 上了辨識。特別是在閉上 , Ί良目月蚪，或者使臉部上下移動時 等更谷易辨識。 10 15 對該課題，如第16圖所示，可將顯示領域53分割為 右該分割後之總和為S(N—_之面積則會等同 黧二3圖之明亮度。此外，經分割之顯示領域53無須相 、刀)。又’經分割之非顯示領域％亦無須相等。 如上所述’藉由將顯示領域53分割為多數晝面之忽 明心暗會減少’如此—來’不會發生閃爍而可實現良好 的圖像顯示。此外，分割亦可分得更細，但，愈分割，動 畫顯不性能則愈低。 第Π圖顯示閘極信號線17之電壓波形及扯之發光 亮度。由第17圖可知，將使閘極信號線m & W之期間 (剛分割（分割數K)為多數。即，設為Vgl之期間係實施 κ次m(K . N)之期間。若如此地控制，則可抑制閃燦發 生’亚可實現低Ψ貞速率之圖像顯示。χ，宜構成為該圖像 之分割數亦可改變者。例如，使用者藉由按壓明亮度調整 開關’或者轉動明亮度調節器，而檢測出其變化，且變更 之值亦可又，亦可構成為使用者調整亮度，或者構成 為依照所顯示之圖像的内容、轉，以手動或者自動地使 66 20 1264691 玖、發明說明 其變化。 另，於第17圖等中，雖然將使閘極信號線17b為Vgl 之期間（1F/N)分割（分割數κ)為多數，且設為Vgi之期間係 貫施K次1F/(K · N)之期間，但，並不限於此，亦可實施 5 L(L#K)次1F/(K · N)之期間。即，本發明係藉由控制流入 EL元件15之期間（時間）來顯示顯示晝面5〇。因此，實施 L(L孕K)次1F/(K . N)之期間包含在本發明之技術性思想内 。又，藉由改變L之值，可數位地變更顯示畫面5〇之亮 度。例如，當L=2與L=3時，會有50%之亮度（對比）變 1〇化。又，當分割圖像之顯示領域53時，將閘極信號線17b 設為Vgl之期間並不限於同一期間。 上述實施例係藉由隔斷流向EL元件15之電流以及連 接流向EL元件之電流，來開關（亮燈、非亮燈）顯示晝面 50。即，藉由保持於電容器19之電荷，使大約同一電流多 15次流入電晶體lla。但，本發明並不限於此，例如，藉由 充放電保持於電容器19之電荷來開關（亮燈、非亮燈）顯示 晝面50之方式亦可。 第18圖為用以實現第15圖之圖像顯示狀態之施加於 閘極信號線17之電壓波形。第18圖與第15圖之差異為閘 2〇極信號線17b之動作。閘極信號線17b係對應於分割畫面 之個數，而僅該個數份進行開關（Vg丨與Vgh)動作。由於其 他部分與第15圖相同，故省略其說明。 於EL顯示裝置中，由於暗顯示為完全地非亮燈，故 如同於液晶顯示面板進行間歇顯示時，亦無對比降低之問 67 1264691 玖、發明說明 題。又，於第1圖之構造中，僅藉開關操作電晶體lld則 可貫現間歇顯示。又，於第38圖、第51圖之構造中，僅 藉開關操作電晶體lie則可實現間歇顯示，此係由於在電 容器19記憶（由於是類比值，故灰階數為無限大）有圖像資 5料之故。即，1F期間中，於各像素16保持有圖像資料。 藉由控制電晶體lid、lie來實現是否使相當於前述所保持 之圖像負料之電流流入EL元件15。 因此，上述驅動方法並不限於電流驅動方式，亦可適 用於電壓驅動方式。即，於流入EL元件15之電流保存於 10各像素内之構造中，藉由開關驅動用電晶體u來開關與 EL元件15間之電流通路，可實現間歇驅動。 維持電容器19之端子電壓是重要的。若於丨欄（幀）期 間内改變（充放電）電容器19之端子電壓，則畫面亮度會改 變。這疋因為若晝面党度改變，幀速率降低時忽明忽暗（閃 15爍等）會發生之故。由電晶體Ua於1幀（1攔）期間内流入 EL元件15之電流必須至少不能低於65%以下。所謂該& %係當寫入像素16且流入EL元件15之電流最初設為1〇〇 %時，則於下一幀（攔）寫入前述像素16前流入元件15 之電流設為65%以上。 20 於第1圖之像素構造中，在實現間歇顯示時與不實現 時，於用以構成1像素之電晶體u的個數沒有改變。即， 像素構造係維持不變且排除源極信號線18之寄生電容的影 響，而實現良好的電流程式化。除此以外，亦實現接近 CRT之動畫顯示。 68 1264691 玫、發明說明 又由於相較於源極驅動電路14之動作時脈，閘極驅 動電=12之動作時脈十分慢，故沒有所謂電路之㈣脈變 尚之情形。又，N之值的變更亦容易。 另，圖像顯示方向（圖像寫入方向）亦可於第丨攔（丨幀） 5從畫面上方朝下方，而於接著的第2欄咖畫面下方朝 上方。即，交互地反覆由上方朝下方與由下方朝上方。 再者亦可於第1欄（1幀）從畫面上方朝下方，且一度 使整個晝面為暗顯示（非顯示）後，於接著的第2攔⑽從晝 面下方朝上方，又，亦可再度使整個晝面為暗顯示(非顯示 15 又，於上述驅動方法之說明中，雖然將畫面之寫入方 =設為從晝面上方朝下或者從下方朝上，但並不限於此， 晝面寫入方向φ可固冑為不斷地從晝面上方朝了或者從下 方朝上，並使非顯示領域52之動作方向於第1襴從晝面上 方朝下，亚且於接著的第2欄從晝面下方朝上。又，亦可 们幢分割為3攔，且將第！欄設為R，帛2襴設為G， 弟3搁設為B ’而以3攔形成1鴨。X，亦可每1水平掃 猫期間（1H)切換R、〇、b 而顯示（參照第 20 圖等）。上述事項於本發明其他實施例亦相同。 175圖至第 180 非顯不領域52無須為完全性非亮燈狀態。即使有微弱 的發光或者低亮度之圖像顯示，在實用上亦沒有問題。即 _’、、具不⑽52應解釋為顯示亮度較圖像顯示領域53低 八員或又，所明非顯示領域52亦包含R、G、B圖像顯 丁中僅一色或兩色為非顯示狀態之情形。X，亦包含R、 69 1264691 玖、發明說明 G、B圖像顯示中僅一色或兩色為低亮度之圖像顯示狀態 之情形。 基本上，當顯示領域53之亮度（明亮度）維持於預定值 時，顯示領域53之面積愈大，畫面50之亮度則愈高。例 5 如，當顯示領域53之亮度為100(nt)時，若顯示領域53佔 全畫面50之比例從10%變為20%，則晝面之亮度會變為 兩倍。因此，藉由改變顯示領域53佔全畫面50之面積， 可改變畫面之顯示亮度。畫面50之顯示亮度與顯示領域 5 3佔全畫面5 0之比例成正比。 10 顯示領域53之面積藉由控制朝移位暫存器電路61輸 入之資料脈衝（ST2)，可任意地設定。又，藉由改變資料脈 衝之輸入時點、週期，可變換第16圖之顯示狀態與第13 圖之顯示狀態。於1F週期之資料脈衝數愈多，畫面50則 愈亮，若愈少，晝面50則愈暗。又，若連續施加資料脈衝 15 ，則呈第13圖之顯示狀態，且若間歇地輸入資料脈衝，則 呈第16圖之顯示狀態。 第19(a)圖係如第13圖所示顯示領域53為連續時之亮 度調整方式。第19(al)圖之畫面50的顯示亮度最亮，且第 19(a2)圖之晝面50的顯示亮度次亮，而第19(a3)圖之畫面 20 50的顯示亮度最暗。第19(a)圖最適合動畫顯示。 從第19(al)圖至第19(a3)圖之變化（或者順序相反）如上 所述藉由控制閘極驅動電路12之移位暫存器電路61等， 可輕易地實現。此時，第1圖之Vdd電壓無須改變。即， 不改變電源電壓即可實施顯示畫面50之亮度變化。又，當 70 1264691 玖、發明說明 從第19(al)圖朝第19(a3)圖變化時畫面之伽馬特性完全 沒有改變。因此，非取決於晝面5G之亮度，而可維持顯示 圖像之對比、灰階特性。此係本發明具效果之特徵。 在過去的畫面亮度調整中，當畫面5〇之亮度低時，灰 5階性能則降低。@，即使高亮度顯示時可實;見64灰階顯示 ，低亮度顯示時多半僅可顯示一半以下的灰階數。相較於 此，於本發明之驅動方法中，無關畫面之顯示亮度，可實 現最多的64灰階顯示。 第19(b)圖係如第16圖所示顯示領域兄分散時之明亮 1〇度调整方式。帛19(bl)圖之晝面50的顯示亮度最亮，且第 19(b2)圖之畫面50的顯示亮度次亮，而帛19(b3)圖之晝面 5〇的顯示亮度最暗。從第19(bl)圖朝第19(b3)圖之變化（或 者順序相反）如上所述藉由控制閘極驅動電路12之移位暫 存器電路61等，可輕易地實現。若如第19(b)圖所示使顯 15示領域53分散，則即使低幀速率亦不發生閃爍。 為了達成即使更低幀速率亦不發生閃爍可如第19(幻圖 所示，使顯示領域53分散得更細。但，動晝之顯示性能會 下降。因此，在顯示動畫時，第19(a)圖之驅動方法較適合 。在顯示靜止畫面且希望達到低消耗電力時，則第l9(c)圖 20之驅動方法較適合。從第19(a)圖至第19(c)圖之驅動方法 的變換亦可藉由控制移位暫存器電路61而輕易地實現。 上述實施例主要是N= 2倍、4倍等之實施例。但，當 然本發明並不限於整數倍，又，亦不限於以上。例 如，有時於某時刻將顯示領域50 —半以下之領域設為非亮 71 1264691 玖、發明說明 燈領域52。若藉預定值之5/4倍的電流Iw進行電流程式 化，且使其亮燈1F之4/5期間，則可實現預定亮度。 本發明並不限於此，舉例而言，也有以10/4倍的電流 Iw進行電流程式化，且使其亮燈1F之4/5期間之方法， 5 此時則以預定亮度的兩倍亮燈。又，也有以5/4倍的電流 Iw進行電流程式化，且使其亮燈1F之2/5期間之方法， 此時則以預定亮度的1/2倍亮燈。又，也有以5/4倍的電 流Iw進行電流程式化，且使其亮燈1F之1/1期間之方法 ，此時則以預定亮度的5/4倍亮燈。 10 即，本發明係藉由控制程式電流的大小與1F之亮燈期 間來控制顯示晝面之亮度的方式。且，藉由使其亮燈較1F 期間更短的期間，可插入非亮燈領域52，並可提高動晝顯 示性能。藉由於1F期間使其常時亮燈，可顯示明亮的晝面 〇 15 寫入像素之電流（由源極驅動電路14所輸出之程式電 流）當像素尺寸為A平方mm且將亮閃光顯示預定亮度設為 B(nt)時，程式電流 I(/zA)宜設為（ΑχΒ)/20<=Ι<=(ΑχΒ) 之範圍，此時發光效率良好，且可解決電流寫入不足。更 理想的是程式電流1(//Α)設為（ΑχΒ)/10< = Ι< =(ΑχΒ)之 20 範圍。 第20圖係增大流向源極信號線18之電流的另一實施 例之說明圖。基本上係同時選擇多數像素行，且藉結合了 多數像素行之電流來充放電源極信號線18之寄生電容等， 並大幅改善電流寫入不足之方式。但，由於同時選擇多數 72 1264691 玖、發明說明 像素行，故可減少每1像素所驅動之電流。因此，可減少 流向EL元件15之電流。於此，為了容易說明，舉例而言 ，以N = 10來說明（將流入源極信號線ι8之電流增加1〇倍 )° 5 第20圖所說明之本發明係像素行同時選擇μ像素行 。從源極驅動IC14將預定電流之Ν倍電流施加於源極信 唬線18。於各像素使流入EL元件15之電流的ν/Μ倍電 流程式化。舉例而言，為了使EL元件15為預定發光亮度 ，將於EL元件15中流動之時間設為i幀（1攔）之Μ/Ν時 1〇間（但，並不限於Μ/Ν，設為Μ/Ν是為了容易理解。先前 亦已說明，當然可依據所顯示之畫面5〇的亮度來自由地設 定。）。藉由如上所述地驅動，可充分地充放電源極信號線 18之寄生電容，且可得到預定發光亮度而得到良好的解析 度。
15 又，顯示成僅1幢（1欄）之順時間内使電流流入EL 兀件15 ’而其他期間（1f(n__1)m/n)則不使電流流入。於 該顯不狀態中，| 1F反覆顯示圖像資料顯示、暗顯示（非 冗燈）°即’圖像資料顯示狀態呈時間上任意跳動之顯示（ 間歇顯示）狀態。因此，圖像之輪廓模糊會消失而可實現良 2〇妤的動畫顯示。又，由於在源極信號線18|^倍電流驅 動把故可不受寄生電容之影響，且亦可對應於高精度顯示 面扳。 十、明F1 1圖係用以實現第Μ圖之驅動方法的驅動波形之 Λ…“號波形係將關閉電壓設為Vgh(H位準），且將 73 1264691 玖、發明說明 開啟電壓設為Vgl(L位準）。各信號線之尾置則記載有像素 行之編號（（1)(2)(3)等）。此外，行數於QCIF顯示面板時為 220條，而於VGA面板則為480條。 第21圖中，選擇閘極信號線17a(l)(Vgl電壓），且程 5 式電流從所選出之像素行的電晶體11a朝源極驅動電路14 流向源極信號線18。於此為了容易說明，首先，以寫入像 素行51a為第（1)像素行來說明。 又，流向源極信號線18之程式電流為預定值之N倍（ 為了容易說明，以N=10來說明。當然，由於所謂預定值 10 係顯示圖像之資料電流，故不是亮閃光顯示等，則不是固 定值）。又，以同時選擇5像素行（M= 5)來作說明。因此， 理想而言，於1個像素之電容器19進行程式化以使電流以 2倍(N/M= 10/5 = 2)流量流向電晶體11a。 當寫入像素行為第（1)像素行時，則如第21圖所示， 15 閘極信號線17a係選出（1)(2)(3)(4)(5)。即，像素行 (1)(2)(3)(4)(5)之開關電晶體lib、電晶體11c為開啟狀態 。又，閘極信號線17b成為閘極信號線17a之逆相位。因 此，像素行（1)(2)(3)(4)(5)之開關電晶體lid為關閉狀態， 且於所對應之像素行的EL元件15則無電流流動，即，為 20 非亮燈狀態52。 理想而言，5像素之電晶體11a分別使Iwx 2之電流 流入源極信號線18(即，於源極信號線18流過Iwx2xN = Iwx2x5 = IwxlO之電流。因此，若未實施本發明之N倍脈 衝驅動時設為預定電流Iw，則Iw的10倍電流會流向源極 74 1264691 玖、發明說明 信號線18)。 猎由上述動作（驅動方法），於各像素16之電容器 使2倍之電流進行程式化。於此，為了容易理解以各電 晶體11a之特性（vt、s值）為一致來作說明。 10 由於同時選擇之像素行為5像素行(M=5)，故5個驅 動用電晶體lla動作。即，每i像素有1〇/5 = 2倍之電流 流向電晶體Ua。於源極信號線18則流過已相加5個電晶 體11a之程式電流的電流。例如，於寫入像素行化本來 寫入電流為Iw’則於源極信號線18會流人^ 之電流 。由於在寫人像素行⑴後寫人圖像資料之寫人像素行51b 可增加朝源極信號線18輸人之電流量，故為輔助用像素行 。但’由於寫入像素行51b後來會寫入正規的圖像資料， 故沒有問題。 因此’於4像素行训中，在1H期間内與51a為同 -顯示。因此，至少將寫入像素及為增加電流而選 擇之像素行5lb設為非顯示狀態52。但於第38圖之電 流鏡像素構造、其他電壓程式化方式之像素構造則亦可設 為顯不狀態。 於m後，閘極信號線17a⑴成為非選擇，且於間極 信號線m施加開啟電壓（Vgl)。又，同時，選擇間極信號 線師胸電壓），且程式電流從所選出之像素行⑹之 電晶體lla朝源極驅動電路14流向源極信號線a。藉由 如上所述地動作，於像素行⑴可保持正規的圖像資料。 ' Η後閘極L唬線17a(2)成為非選擇，且於 75 1264691 玖、發明說明 閘極信號線17b施加開啟電壓（Vgl)。又，同時，選擇閘極 信號線17a(7)(Vgl電壓），且程式電流從所選出之像素行 ⑺之電晶體11a朝源極驅動電路14流向源極信號線。 藉由如上所述地動作，於像素行⑺可保持正規之圖像資料 5。藉由上述動作及-面i像素行i像素行地移位—面婦瞒 ，而改寫1晝面。 於第20圖之驅動方法中’由於在各像素以2倍之電流 (電塵m行程式化，故各像素之EL元件15的發光亮度: 想而言增為2倍。因此，顯示畫面之亮度則較預定值增為 1〇 2倍。為了使其為狀亮度，如第16圖所示，可包含寫入 像素行51且將顯示畫面5〇之1/2範圍設為非顯示領域u 〇 ”第u ®同樣地’如第2〇圖所示’當一個顯示領域 53從晝面上方朝下方移動時，若幀速率低’則顯示領域η Μ所移動之情形在視覺上可辨識。特別是在閉上眼睛時，或 者使臉部上下移動時等更容易辨識。 夕^課題，如第22圖所示，可將顯示領域53分割為 夕數右加上分割後之非顯示領域52的部分為S(H)爪 之面積，則會與未分割時相同。 —第23圖係施加於閘極信號線η之電壓波形。第b圖 與弟23圖之差異基本上是閘極信號線17b之動作。閘極信 號線17b係對應於八宅1 + -、刀-I旦面之個數，而僅該個數份進行開 關（vgi與Vgh)動作。由於其他部分與第η圖大致相同或 者可類推，故省略其說明。 76 1264691 玖、發明說明 如上所述，藉由將顯示領域53分割為多數，畫面之忽 明忽暗會減少’因而不發生閃爍，而可實現良好的圖像顯 不此夕卜刀副亦可分得更細，但，愈分割，閃燦則愈少 特别疋由於EL元件15之反應性快速，故即使於較5 # sec更短的時間進行開關，顯示亮度亦不會降低。 於本發明之驅動方法中，EL元件15之開關可藉_ 施加於閘極信號線17b之信號來控制。因此，於本發明之 驅動方法中，可藉KHz階之低頻率來控制。又，在實現暗 畫面插入（非顯示領姨$ 9 ^千X、l ^ 10 15 20 貝砍插入）上，不需要圖像記憶體等。 因此’可以低成本實現本發明之驅動電路或方法。 第24圖係同時選擇之像素行為2像素行之情形。根據 所檢討之結果1藉低溫多㈣技術形成之顯示面板中， 同時選擇2像切之方法在顯㈣—性上是實㈣，且推 斷此係由於相鄰接之像素的驅動用電晶體iu之特性極為 致^故。又，於進行雷射敎之際，條紋狀雷射之照射 方向藉由與源極信號線18平行地照射，可得到良好的結果 〇 此係由於在同一時間進行退火之範圍的半導體膜之特 性均-之故1 ’於條紋狀雷射照射範圍内，可均—地制 作半導體膜’且利用該半導體膜之電晶體的vt、移動性: 致相等之故。因此’藉由平行於源極信號線18之形成方向 7照射條紋狀雷射照射，且移動該照射位置，沿著源師 1線18之像素(像㈣、畫面上下方向之像旬的特… 致相等地製作。因此，當同時開啟多數像素行 77 1264691 玖、發明說明 程式化時，係同時選擇程式電流，且以所選擇之像素數來 分割程式電流之電流於多數像素中大致一致地進行電流程 式化。因此，可實施接近目標值之電流程式化，並可實現 均一顯示。因此，雷射照射方向與第24圖等所說明之驅動 5 方式具相乘效果。 如上所述’藉由使雷射照射方向與源極信號線18之形 成方向大約-致（參照第7圖），像素上下方向之電晶體山 的特性可大致相同，並可實施良好的電流程式化（即使像素 左右方向之電晶體lla的特性不一致）。上述動作係與 10卿水平掃_間）时，且每丨像素行或每多像素行地 錯開選擇像素行位置而實施。 另，雖然如第8圖所說明之，使雷射照射方向與源極 信號線18平行，但不一定要不平行，此係由於即使於對源 極信號線18斜向之方向照射雷射照射，沿著一源極信號線 15 18之像素上下方向之電晶體Ua的特性亦大致一致而形成 之故。因此，所謂平行於源極信號線而照射雷射照射係形 成為使相鄰接於沿著源極信號線18之任意像素上方或下方 之像素進入一個雷射照射範圍。又，所謂源極信號線丨8 一 般而言係用以傳達成為影像信號之程式電流或電壓之配線 20 ° 另，於本發明之實施例中，雖然每1H使寫入像素行 位置移位，但並不限於此，亦可每2H使其移位（每2像素 行），又’亦可每2像素行以上之像素行使其移位。又，亦 可以任意的時間單位進行移位，或者以跳過丨像素行的方 78 1264691 坎、發明說明 式進行移位。 亦可依照畫面位置來改變所移位之時間。例如，亦可 縮短於畫面中央部之移位時間，且增加於晝面上下部之移 位捋間。例如，晝面5〇之中央部係每2〇〇#咖移位丄像 5 =行，而畫面5G之上下部則每⑽移位ι像素行。 藉由如上所述地移位，可提高晝面50中央部的發光亮度， 並降低周邊（晝面50之上部與下部）的發光亮度。此外，當 ^可使晝面50中央部與晝面上部之移位時間、晝面刈中 央部與晝面下部之移位時間平順地隨時間變化，且控制成 10 不出現亮度輪廓。 另，亦可使源極驅動電路14之基準電流對應於畫面 5〇之掃瞄位置而變化（參照第146圖等）。例如，將晝面刈 中央部之基準電流設為1〇/z A，且將晝面5〇上下部之基準 電流設為5//A。如此一來，藉由對應於晝面5〇之位置來 5改變基準電流，可提高晝面％中央部之發光亮度，並降低 周邊（晝面50之上部與下部）之發光亮度。此外，當然可使 基準電流使畫面50中央部與晝面上部間之基準電流、畫面 5〇中央部與晝面下部間之基準電流的值平順地隨時間變化 ’且控制成不出現亮度輪廓。 2〇 又，當然亦可組合依照晝面位置來控制移位像素行之 時間的驅動方法與對應於畫面5〇之位置而改變基準電流的 驅動方法來進行圖像顯示。 亦可每幢改變移位時間。又，並不限於選擇連續的多 數像素行，例如，亦可選擇隔著〗像素行之像素行。 79 1264691 玖、發明說明 即，上述驅動方法係於第 素行與第”象素行，且於第2水二= 田期間選擇第"象 行與第4像素行，並於第3水 二間選擇弟2像素 血第5德丰/ 田4間選擇第3像素<一 5 ” 素仃，而於第4水平掃瞄期間選擇第“、丁 第6像素行。當然，於第1水平掃㈣擇弟4像素行與 盥第3德去μ 传#田期間選擇第1像素行 :弟=素行與第5像素行之驅動方法亦為 订 虽然，亦可選擇隔著多數像素行之像素行位置。“ 2上述雷射照射方向與同時選擇多條像素行之组人 10 15 20 弟1圖、第2圖、第32圖之像素構造，當铁亦 可適用於電流鏡像素構造之第3 、 甘π + ★ 口弟42圖、第50圖等 二他電„驅動方式之像素構造。又，亦可適用於第43圖、 2 51圖、第54圖 '第62圖等電壓驅動之像素構造。即， 若像素上下之電晶體的特性一致，則藉由施加於同一源極 信號線18之電黯，可實施良好的電Μ程式化。 於第24圖中，當寫入像素行為第⑴像素行時，則選 擇閘極信號線17a(D(2)(參照第25圖）。即，像素行⑴⑺ 之開關電晶體lib、電晶體llc為開啟狀態。因此，至少 像素行（1)(2)之開關電晶體Ud為關閉狀態，且於所對應之 像素行的EL^ 15沒有電流流動，即，為非亮燈狀態％ 。此外’於第24圖中’為了減少閃爍的發生，將顯示領域 53分割為5份。 理想而言，2像素（行）之電晶體Ua係分別使—5(當 N 10日寸即由於K 一 2，故流向源極信號線1 $之電流 為Iwx Kx 5 = IWxl〇)之電流流入源極信號線18。並且，於 80 1264691 玖、發明說明 各像素16之電容器19使5倍之電流程式化。 由於同時選擇之像素行為2像素行（K= 2)，故兩個驅 動用電晶體11a動作。即，每1像素有10/2=5倍之電流 流向電晶體11a。於源極信號線18則流過已相加兩個電晶 5 體11 a之程式電流的電流。 例如，於寫入像素行51a本來寫入電流為Iw，則於源 極信號線18會流入Iwx 10之電流。由於寫入像素行51b 後來會寫入正規的圖像資料，故沒有問題。像素行51b於 1H期間内與51a為同一顯示。因此，至少將寫入像素行 10 51a與為增加電流而選出之像素行51b設為非顯示狀態52 〇 於下一 1H後，閘極信號線17a(l)成為非選擇，且於 閘極信號線17b施加開啟電壓（Vgl)。又，同時，選擇閘極 信號線17a(3)(Vgl電壓），且程式電流從所選出之像素行 15 (3)的電晶體11a朝源極驅動電路14流向源極信號線18。 藉由如上所述地動作，於像素行（1)可保持正規之圖像資料 〇 於下一 1H後，閘極信號線17a(2)為非選擇，且於閘 極信號線17b施加開啟電壓（Vgl)。又，同時，選出閘極信 20 號線17a(4)(Vgl電壓），且程式電流從所選出之像素行（4) 的電晶體11a朝源極驅動電路14流向源極信號線18。藉 由如上所述地動作，於像素行（2)可保持正規之圖像資料。 藉由上述動作及一面1像素行1像素行地移位（當然，亦可 每多像素行地移位，例如，若為偽交錯驅動，則應每兩行 81 1264691 玖、發明說明 地移位。又，從圖像顯示之觀點來看，應該也有將同一圖 像寫入多數像素行之情形）一面掃瞄，而改寫1畫面。 與第16圖相同，於第24圖之驅動方法中，為了於各 像素以5倍電流（電壓）進行程式化，各像素之EL元件15 5 的發光亮度理想而言增為5倍。因此，顯示領域53之亮度 較預定值增為5倍。為了使其為預定亮度，如第16圖等所 示，可包含寫入像素行51且將顯示畫面50之1/5範圍設 為非顯示領域52。 如第27圖所示，選擇兩條寫入像素行51(5la、51b)， 10 且從畫面50上方朝下方依序選擇（亦參照第26圖，於第 26圖則選擇像素16a與16b)。但，如第27(b)圖所示，一 旦選擇至晝面下方，則雖然寫入像素行51a存在，但51b 會消失，即，所選擇之像素行僅剩一條。因此，施加於源 極信號線18之電流會全部寫入像素行51 a。如此一來，相 15 較於像素行51a，2倍之電流會於像素進行程式化。 對該課題，本發明係如第27(b)圖所示，於畫面50下 方形成（配置）假像素行281。因此，當選擇選擇像素行至畫 面50下方時，則選擇畫面50之最後像素行與假像素行 281。因此，於第27(b)圖之寫入像素行會寫入依規定之電 20 流。 另，雖然圖式顯示假像素行281鄰接於顯示畫面50上 端或下端而形成，但並不限於此，亦可形成於遠離顯示畫 面50之位置。又，假像素行281無須形成第1圖之開關電 晶體lid、EL元件15等。由於不形成，故假像素行281 82 1264691 玖、發明說明 之尺寸會變小。 第28圖係顯示第27(b)圖之狀態。由第28圖可知，當 選擇選擇像素行至畫面50下方之像素16c行時，則選擇畫 面50之最後像素行（假像素行）281。假像素行281係配置 5 於顯示畫面50外。即，假像素行（假像素）281係構成為不 亮燈或不使其亮燈，或者即使亮燈在顯示上亦看不出來。 例如，使像素電極105與電晶體11之接觸孔洞消失，或者 於假像素行281不形成EL膜15等。又，例如於假像素行 之像素電極105上形成絕緣膜之構造等。 10 於第27圖中，雖然於畫面50下方設置（形成、配置） 假像素（行）281，但並不限於此，例如，如第29(a)圖所示 ，當從畫面下方朝上方掃瞄（上下逆轉掃瞄）時，應如第 29(b)圖所示於晝面50上方亦形成假像素行281。即，分別 於畫面50上方與下方形成（配置）假像素行281。藉由如上 15 所述地構成，亦可對應於畫面之上下反轉掃瞄。上述實施 例為同時選擇2像素行之情形。 本發明並不限於此，例如，亦可為同時選擇5像素行 之方式（參照第23圖）。即，當同時驅動5像素行時，假像 素行281可形成4行份。因此，假像素行281可形成同時 20 選擇之像素行一 1像素數份。但，此情形係每1像素行地 移位所選擇之像素行。當每多像素行地移位時，若將所選 擇之像素數設為Μ，且將所移位之像素行數設為L，則可 形成（Μ — l)xL像素行份。 本發明之假像素行構造或假像素行驅動係至少利用一 83 1264691 玖、發明說明 個以上假像素行之方式。當然，更理想的是組合假像素行 驅動方法與N倍脈衝驅動而利用之。 於同時選擇多條像素行之驅動方法中，同時選擇之像 素行數愈多，吸收電晶體11a之特性不均則愈困難。但， 5 若同時選擇像素行數Μ減少，則於1像素進行程式化之電 流會變大，且使強大電流流入EL元件15。若流入EL元 件15之電流大，則EL元件15容易劣化。 第30圖可解決上述課題。第30圖之基本概念係如第 22圖、第29圖所說明之，於1/2Η(水平掃瞄期間之1/2)同 10 時選擇多數像素行之方法。其後之（1/2)Η(水平掃瞄期間之 1/2)則如第5圖、第13圖等所說明之，為組合選擇1像素 行之方法。藉由如上所述地組合，可吸收電晶體11a之特 性不均，並可更快速且使面内均一性良好。此外，雖然為 了容易理解而以於（1/2)H進行操作來作說明，但並不限於 15 此，亦可將最初之期間設為（1/4)H，且將後半段之期間設 為（3/4)H 。 於第30圖中，為了容易說明，以在第1期間同時選擇 5像素行，且在第2期間選擇1像素行來作說明。首先， 於第1期間（前半的1/2H)，如第30(al)圖所示，同時選擇 20 5像素行。由於該動作已利用第22圖作說明，故省略之。 舉例而言，流入源極信號線18之電流設為預定值的25倍 。因此，於各像素16之電晶體11a(第1圖之像素構造的情 形）使5倍之電流（25/5像素行二5)進行程式化。由於是25 倍的電流，故於源極信號線18等所產生之寄生電容會在極 84 1264691 玖、發明說明 短的時間内充放電。因此，源極信號線18之電位會在短時 間内成為目標電位，且各像素16之電容器19的端子電壓 亦進行程式化使25倍電流流動。該25倍電流之施加時間 設為前半的1/2H(1水平掃瞄期間之1/2)。 5 當然，由於寫入像素行之5像素行會寫入同一圖像資 料，故為了不顯示，5像素行之電晶體lid會呈關閉狀態 。因此，顯示狀態成為第30(a2)圖。 接著後半的1/2H期間則選擇1像素行，且進行電流（ 電壓）程式化，又，於第30(bl)圖顯示該狀態。寫入像素行 10 51 a與先前同樣地進行電流（電壓）程式化使5倍電流流動。 第30(al)圖與第30(bl)圖中，使流入各像素之電流相同係 為了縮小經程式化之電容器19的端子電壓之變化，且更快 速地使目標電流流動。 即，於第30(al)圖中，使電流流入多數像素且快速地 15 接近概略之電流流動值。該第1階段中，由於在複數電晶 體11a進行程式化，故相對於目標值而產生因電晶體之不 均所造成之誤差。接著之第2階段中，僅選擇寫入資料且 加以保持之像素行，並從概略目標值進行完整的程式化以 達預定目標值。 20 另，從畫面上方朝下方掃瞄非亮燈領域52，且寫入像 素行51a亦從畫面上方朝下方掃瞄，由於此與第13圖等之 實施例相同，故省略其說明。 第3 1圖係用以實現第30圖之驅動方法的驅動波形。 由第31圖可知，1H(1水平掃瞄期間）係由兩個相位所構成 85 1264691 玖、發明說明 。該兩相位係藉ISEL信號來轉換。ISEL信號則顯示於第 31圖。 首先，先就ISEL信號作說明。實施第30圖之驅動電 路14係具有電流輸出電路A及電流輸出電路B。各個電 5 流輸出電路係由用以DA變換8位元灰階資料之DA電路 及運算放大器等所構成。於第30圖之實施例中，電流輸出 電路A構成為輸出25倍電流者，另一方面，電流輸出電 路B則構成為輸出5倍電流者。電流輸出電路A與電流輸 出電路B之輸出係藉由ISEL信號來控制形成（配置）於電流 10 輸出部之開關電路，且施加於源極信號線18。該電流輸出 電路係配置於各源極信號線。 ISEL信號於L位準時，選擇輸出25倍電流之電流輸 出電路A，且源極驅動1C 14會吸收來自源極信號線18之 電流（更適當地說，是由形成於源極驅動電路14内之電流 15 輸出電路A來吸收）。25倍、5倍等電流輸出電路的電流大 小調整是容易的，此係由於藉多數電阻與類比開關可輕易 地構成之故。 如第30圖所示，當寫入像素行為第（1)像素行時（參照 第 31 圖之 1H 的欄），則選出閘極信號線 20 17a(l)(2)(3)(4)(5)(第1圖之像素構造的情形）。即，像素行 (1)(2)(3)(4)(5)之開關電晶體lib、電晶體11c為開啟狀態 。又，由於ISEL為L位準，故選擇輸出25倍電流之電流 輸出電路A，且與源極信號線18相連接。又，於閘極信號 線17b施加關閉電壓（Vgh)。因此，像素行（1)(2)(3)(4)(5)之 86 1264691 玖、發明說明 間關冤 儿於所對應之像素行的 元件15中沒有電流流動’即’為非亮燈狀態52 理想上’ 5像素之雷晶辦 %日日體lla係分別使Iwx 2之電流 流入源極信號線18。並且，^ i4b ^ 且於各像素16之電容器19使5 倍之電流進行程式化。於此 么 此為了容易理解，以各電晶體 lla之特性（Vt、S值）為一致來作說明。 10 15 由於同時選則之像素行為5像素行(κ=5)，故五個驅 動用電晶體⑴動作。即，每1像素有25/5 = 5倍之電々 流向電晶體1U。於源極信號線18則流過已相加五個電晶 體⑴之程式電流的電流。例如，當於寫入像素行51a在 過去的驅動方法寫人像素之電流設為Iw時，則於源極作號 線18會有1歡25之電流流動。由於在寫入像素行⑴後寫 入圖像資料之寫人像素行51b可增加朝源極信號線Μ輸入 之電流量，故為補助用傻音并 , A ^ 市屻用像素仃。但，由於寫入像素行5b 後來會寫入正規的圖像資料，故沒有問題。 因此，像素行训在1H期間内與川為同一顯示。 因此，至少將寫入像素行51a與為增加電流而選擇之像素 行51 b設為非顯示狀態52。 ” 於下-1/2H(水平掃_間之1/2)中，僅選擇寫入像素 20行5U，即，僅選擇第⑴像素行。由第31圖可知，僅問極 信號線17a(l)施加開啟電壓（Vgl)，而閘極信號線 17a(2)(3)(4)(5)則施加關閉電壓（Vgh)。因此，像素行⑴之 電晶體lla為動作狀態（將電流供給至源極信號線u之狀 悲）’而像素仃（2)(3)(4)(5)之開關電晶體Ub、電晶體uc 87 1264691 玖、發明說明 則為關閉狀態，即，為非選擇狀態。 又，由於ISEL為Η位準，故選擇輸出5倍電流之電 流輸出電路Β，且該電流輸出電路Β與源極信號線18相連 接。又，閘極信號線17b之狀態與先前之1/2Η之狀態相同 5 ，且施加關閉電壓（Vgh)。因此，像素行（1)(2)(3)(4)(5)之開 關電晶體lid為關閉狀態，且於所對應之像素行的EL元 件15中沒有電流流動，即，為非亮燈狀態52。 由上述情形可知，像素行（1)之電晶體11a係分別使Iw X 5之電流流入源極信號線18。並且，於像素行（1)之電容 10 器19使5倍之電流程式化。 於下一水平掃瞄期間，寫入像素行移位1像素行。即 ，下一寫入像素行為（2)。於最初的1/2H期間内，如第31 圖所示，當寫入像素行為第（2)像素行時，則選擇閘極信號 線 17a(2)(3)(4)(5)(6)。即，像素行（2)(3)(4)(5)(6)之開關電 15 晶體lib、電晶體11c為開啟狀態。又，由於ISEL為L位 準，故選擇輸出25倍電流之電流輸出電路A，且與源極信 號線18相連接。又，於閘極信號線17b施加關閉電壓 (Vgh) 〇 因此，像素行（2)(3)(4)(5)(6)之開關電晶體lid為關閉 20 狀態，且於所對應之像素行的EL元件15中沒有電流流動 ，即，為非亮燈狀態52。另一方面，由於在像素行（1)之閘 極信號線17b(l)施加Vgl電壓，故電晶體lid為開啟狀態 ，且像素行（1)之EL元件15會亮燈。 由於同時選擇之像素行為5像素行（K =5)，故五個驅 88 1264691 玖、發明說明 動用電晶體lla動作。即，每1像素有25/5 = 5倍之電流 流向電晶體11a。於源極信號線18則流過已相加五個電晶 體11 a之程式電流的電流。 於下一 1/2H(水平掃瞄期間之1/2)内，僅選擇寫入像素 5 行51a，即，僅選擇第（2)像素行。由第31圖可知，僅於閘 極信號線17a(2)施加開啟電壓（Vgl)，而於閘極信號線 17a(3)(4)(5)(6)則施加關閉電壓（Vgh)。 因此，像素行（1)(2)之電晶體lla為動作狀態（像素行 (1)為使電流流入EL元件15之狀態，而像素行（2)則為將 10 電流供給至源極信號線18之狀態），而像素行（3)(4)(5)(6) 之開關電晶體lib、電晶體11c則為關閉狀態，即，為非 選擇狀態。 又，由於ISEL為Η位準，故選擇輸出5倍電流之電 流輸出電路Β，且該電流輸出電路Β與源極信號線18相連 15 接。又，閘極信號線17b之狀態與先前之1/2Η之狀態相同 ，且施加關閉電壓（Vgh)。因此，像素行（2)(3)(4)(5)(6)之開 關電晶體lid為關閉狀態，且於所對應之像素行的EL元件15 則無電流流動，即，為非亮燈狀態52。 由上述情形可知，像素行（2)之電晶體lla係分別使Iw 20 X 5之電流流入源極信號線18。並且，於各像素行（2)之電 容器19使5倍之電流程式化。藉由依序實施上述動作，可 顯示1畫面。 第30圖所說明之驅動方法係於第1期間選擇G像素 行（G為2以上），且於各像素行進行程式化使N倍電流流 89 1264691 玖、發明說明 動，而於第1期間後之第2期間則選擇B像素行（B較G 小，且為1以上），且於像素進行程式化使N倍電流流動之 方式。 但，也有其他方法，例如，於第1期間選擇G像素行 5 (G為2以上），且進行程式化使各像素行之總合電流為N 倍電流，而於第1期間後之第2期間則選擇B像素行（B較 G小，且於1以上），且進行程式化使所選擇之像素行的總 合電流（但，選擇像素行為1時，則為1像素行之電流）為 N倍之方式。例如，於第30(al)圖中，同時選擇5像素行 10 ，且使2倍電流流入各像素之電晶體11a。因此，於源極 信號線18則流過5x 2=10倍之電流。於接著的第2期間 内，於第30(bl)圖中，則選擇1像素行，且使10倍電流流 入該1像素之電晶體11a。 另，於第31圖中，雖然將同時選擇多數像素行之期間 15 設為1/2H，且將選擇1像素行之期間設為1/2H，但並不限 於此，亦可將同時選擇多數像素行之期間設為1/4H，且將 選擇1像素行之期間設為3/4H。又，雖然將同時選擇多數 像素行之期間與選擇1像素行之期間相加後之期間設為1H ，但並不限於此，例如，亦可為2H期間，或者為1.5H期 20 間。 又，於第30圖中，亦可將同時選擇5像素行之期間設 為1/2H，且於接著的第2期間同時選擇2像素行。此情形 在實用上亦可實現沒有問題之圖像顯示。 又，於第30圖中，雖然設定將同時選擇5像素行之第 90 1264691 玖、發明說明 1期間設為1/2H，且將選擇1像素行之第2期間設為1/2H 之2階段，但並不限於此，例如，亦可設定第1階段同時 選擇5像素行，且第2期間在前述5像素行中選擇2像素 行，而最後選擇1像素行之3階段。即，亦可以複數階段 5 將圖像資料寫入像素行。 上述實施例為依序選擇1像素行且於像素進行電流程 式化之方式，或者依序選擇多數像素行且於像素進行電流 程式化之方式。但，本發明並不限於此，亦可依照圖像資 料來組合依序選擇1像素行且於像素進行電流程式化之方 10 式與依序選擇多數像素行且於像素進行電流程式化之方式 〇 第186圖係顯示組合依序選擇1像素行之驅動方式與 依序選擇多數像素行之驅動方式。為了容易理解，如第 186(a2)圖所示，同時選擇多數像素行時係以2像素行為例 15 來作說明。因此，假像素行281於畫面上方與下方各形成 1行。依序選擇1像素行之驅動方式的情形亦可不使用假 像素行。 另，為了容易理解，無論第186(al)圖（選擇1像素行） 與第186(a2)圖（選擇2像素行）任一驅動方式，源極驅動 20 IC14所輸出之電流皆設為相同。因此，如第186(a2)圖所 示，同時選擇2像素行之驅動方式的畫面亮度為依序選擇 1像素行之驅動方式（第186(al)圖）的1/2。當欲使畫面亮度 一致時，可使第186(a2)圖之duty增為2倍（例如，若第 186(al)圖為 dutyl/2，則使第 186(a2)圖之 duty 為 l/2x 2 = 91 1264691 玫、發明說明 1/1)。又’亦可使輸入源極驅動IC14之基準電流的大小增 為2倍，或者，使程式電流增為2倍。 第186(al)圖為本發明普通的驅動方式。當所輸入之影 像信號為非交錯（遞增）信號時，則實施第186(al)圖之驅動 5方式’而當所輸入之影像信號為交錯信號時，則實施第 186(a2)圖。又，當無影像信號之圖像解析度時，則實施第 186(a2)圖。又，亦可控制成動晝時實施第186(a幻圖，而 靜止晝面則實施第186(al)圖。第186(al)圖與第186(a2)圖 之變換藉由控制朝閘極驅動電路12輸入之起始脈衝可輕易 10 地變更。 &題疋如第186(a2)圖所示，同時選擇2像素行之驅動 方式的畫面亮度為依序選擇丨像素行之驅動方式（第 ()圖）的1/2。當欲使晝面亮度一致時可使第脱㈤） 圖之duty增為2倍（例如，若第186(ai)圖為，則使 15 第ι_)圖之duty為1/2χ2=ι/ι)。即亦可改變第 186(b)圖之非顯示領域52與顯示領域53之比例。 非顯示領域52與顯示領域53之比例藉由控制閘極驅 動電路12之起始脈衝可輕易地實現。即，可依照第 帅”圖與第186(a2)圖之顯示狀態來改變 20 動狀態。 、 就本毛明之父錯驅動更詳細地說明。第187圖 係如又錯驅動之本發明顯示面板之構造。於第IN圖中 ’可數像素行之閘極㈣線i7a係連接於間極驅動電路 12al偶數像素行之閘極信號線17a則連接於閉極驅動電 92 1264691 玖、發明說明 路12a2。另一方面，奇數像素行之閘極信號線17b係連接 於閘極驅動電路12bl。偶數像素行之閘極信號線17b則連 接於閘極驅動電路12b2。 因此，藉由閘極驅動電路12a 1之動作（控制），可依序 5 改寫奇數像素行之圖像資料。奇數像素行係藉由閘極驅動 電路12bl之動作（控制）來進行EL元件之亮燈、非亮燈控 制。又，藉由閘極驅動電路12a2之動作（控制），可依序改 寫偶數像素行之圖像資料。又，偶數像素行係藉由閘極驅 動電路12b2之動作（控制）來進行EL元件之亮燈、非亮燈 10 控制。 第188(a)圖係於第1欄之顯示面板的動作狀態。第 188(b)圖係於第2欄之顯示面板的動作狀態。於第188圖 中，畫上斜線之閘極驅動電路12表示尚未進行資料之掃瞄 動作。即，於第188(a)圖之第1欄中，閘極驅動電路12al 15 動作係作為程式電流之寫入控制，而閘極驅動電路12b2動 作則作為EL元件15之亮燈控制。於第188(b)圖之第2攔 中，閘極驅動電路12a2動作係作為程式電流之寫入控制， 而閘極驅動電路12bl動作則作為EL元件15之亮燈控制 。上述動作係於傾内反覆進行。 20 第189圖係於第1欄之圖像顯示狀態。第189(a)圖係 顯示寫入像素行（進行電流（電壓）程式化之奇數像素行位置） 。寫入像素行位置以第189(al)圖—第189(a2)圖—第 189(a3)圖依序移位。於第1欄中，係依序改寫奇數像素行（ 偶數像素行之圖像資料則保持不變）。第189(b)圖係顯示奇 93 1264691 玖、發明說明 數像素行之顯示狀態。此外，第189(b)圖僅顯示奇數像素 行，而偶數像素行則於第189(c)圖顯示。由第189(b)圖亦 可知，對應於奇數像素行之像素的EL元件15為非亮燈狀 態。另一方面，偶數像素行則如第189(c)圖所示，掃瞄顯 5 示領域53與非顯示領域52(N倍脈衝驅動）。 第190圖係於第2欄之圖像顯示狀態。第190(a)圖係 顯示寫入像素行（進行電流（電壓）程式之奇數像素行位置）。 寫入像素行位置以第190(al)圖—第190(a2)圖—第190(a3) 圖依序移位。於第2欄中，係依序改寫偶數像素行（奇數像 10 素行之圖像資料則保持不變）。第190(b)圖係顯示奇數像素 行之顯示狀態。此外，第190(b)圖僅顯示奇數像素行，而 偶數像素行則於第190(c)圖顯示。由第190(b)圖亦可知， 對應於偶數像素行之像素的EL元件15為非亮燈狀態。另 一方面，奇數像素行則如第190(c)圖所示，掃瞄顯示領域 15 53與非顯示領域52(N倍脈衝驅動）。 藉由如上所述地驅動，可於EL顯示面板輕易地實現 交錯驅動。又，藉由實施N倍脈衝驅動，寫入不足亦不發 生，而動畫模糊亦不發生。又，電流（電壓）程式化之控制 與EL元件15之亮燈控制亦更容易，且電路亦可輕易地實 20 現。 又，本發明之驅動方式並不限於第189圖、第190圖 之驅動方式，例如，第191圖之驅動方式亦為其中一例。 第189圖、第190圖中，進行電流（電壓）程式化之奇數像 素行或偶數像素行設為非顯示領域52(非亮燈、暗顯示）。 94 1264691 玖、發明說明 第191圖之實施例則使用以進行EL元件15之亮燈控制之 閘極驅動電路12b 1、12b2兩者同步動作。但，當然進行電 流（電壓）程式化之像素行51係控制成非顯示領域（第38圖 之電流鏡像素構造則不需要）。於第191圖中，由於奇數像 5 素行與偶數像素行之亮燈控制相同，故無須設置閘極驅動 電路12bl與12b2兩個，可藉一個來亮燈控制閘極驅動電 路 12b。 第191圖係使奇數像素行與偶數像素行之亮燈控制相 同之驅動方法。但，本發明並不限於此，第192圖為使奇 10 數像素行與偶數像素行之亮燈控制相異之實施例。特別是 第192圖為將奇數像素行之亮燈狀態（顯示領域53、非顯 示領域52)的相反圖案設為偶數像素行之亮燈狀態。因此 ，可使顯示領域53之面積與非顯示領域52之面積相同。 當然，並不限於使顯示領域53之面積與非顯示領域52之 15 面積相同。 上述實施例為每1像素行地實施電流（電壓）程式之驅 動方法。但，本發明之驅動方法並不限於此，當然亦可如 第193圖所示，使2像素（多像素）同時進行電流（電壓）程式 化。又，於第190圖、第189圖中，於奇數像素行或偶數 20 像素行並不限於使所有像素行為非亮燈狀態。 於本發明之N倍脈衝驅動方法中，於各像素行，使閘 極信號線17b之波形相同，且以1H之間隔移位像素行而 進行施加。藉由如上所述地掃瞒，可一面將EL元件15發 亮之時間規定在1F/N，一面依序移位欲亮燈之像素行。如 95 1264691 玖、發明說明 此一來，於各像素行，實現使閘極信號線17b之波形相同 並移位像素行是容易的，此係由於可控制施加於第6圖之 移位暫存器電路61a、61b的資料之ST1、ST2之故。例如 ，若輸入ST2為L位準時Vgl輸出至閘極信號線17b，而 5 輸入ST2為Η位準時Vgh輸出至閘極信號線17b，則僅 1F/N之期間以L位準輸入施加於移位暫存器61b之ST2， 其他時間則為Η位準。僅以與1H同步之時脈CLK2移位 所輸入之ST2。 又，開關EL元件15之週期必須在0.5msec以上。若 10 該週期短，則因人類眼睛的殘留影像特性而無法成為完全 的暗顯示狀態，且圖像會變得不清楚，而如同解析度下降 。又，會變成資料保持型之顯示面板的顯示狀態。但，若 使開關週期在100msec以上，則看起來為忽明忽暗之狀態 。因此，EL元件之開關週期應為0.5msec以上100msec以 15 下。更理想的是應將開關週期設為2msec以上30msec以 下。又，最理想的是應將開關週期設為3msec以上20msec 以下。 先前亦已記載之，若暗畫面152之分割數設為1個則 可實現良好的動畫顯示，但容易看見畫面之忽明忽暗。因 20 此，宜將暗插入部分割為多數。但，若使分割數過多，則 會產生動畫模糊。故分割數應設為1以上8以下，更理想 的是設為1以上5以下。 又，暗畫面之分割數宜構成為依靜止畫面與動畫可變 更者。所謂分割數係N=4時，75%為暗畫面，而25%為 96 1264691 玖、發明說明 圖像顯示。發栌-,Λ / 卜 匕守，於乃％之暗帶狀態下朝畫面之上下方向 知瞄75%之β 1 Π 〇之暗顯不部者為分割數！，而於25%之暗晝面與 …。之顯不畫面的三區塊掃瞒者則為分割數3。靜止晝面 '、刀』數’而動晝則減少分割數。變換亦可依照輸入 圖像而自動地(動晝檢測等)進行，或者使用者以手動來進 行。又，可構成為依照顯示裝置之影像等輸入内容來變換 /如行動電洁等中’桌面顯示、輸入畫面係將分割 數。又為ίο以上（極端而言，亦可每ιη進行開啟關閉）。當 10顯* NTSC之動晝時，則將分割數設為1以上5以下。此 外，/刀剔數宜構成為可3以上之多階段地變換者，例如， 無分割數、2、4、8等。 又，當將全晝面之面積設為丨時，暗畫面相對於全顯 不畫面之比例宜為〇·2以上0·9以下（若以N表示，則為 15 1.2以上9以下）。又，特別是在〇·25以上〇6以下（若以n 表示，則為1·25以上6以下）為佳。若於〇·2〇以下，則在 動畫顯示之改善效果低。若於〇 9以上，則顯示部分之亮 度會變高，且顯示部分上下移動之情形在視覺上容易辨識 又’每1秒之幀數宜為10以上1〇〇以下（1〇Ηζ以上 100Hz以下），更理想的是在12以上65以下（12Ηζ以上 65Hz以下）。若幀數少，則晝面之忽明忽暗變得明顯，若 幀數過多，則來自驅動電路14等之寫入會變得困難且解析 度低劣。 97 1264691 玖、發明說明 於本發明中，可藉由控制閘極信號線17來改變圖像之 明亮度。但，當然圖像之明亮度亦可藉由改變施加於源極 信號線18之電流（電壓）來進行改變。又，當然亦可藉由組 合前述（利用第33圖、第35圖等）控制閘極信號線17之方 法與改變施加於源極信號線18之電流（電壓）之方法來進行 改變。 10 15 又，當然上述事項亦可適用於第38圖等電流程式化之 像素構造及第43圖、第51圖、第54圖等電壓程式化之像 素構造。於第38圖中，可開關控制電晶體Ud，且於第43 圖中，可開關控制電晶體lid，而於第51圖中，可開關控 制電晶體lie。如此一來，藉由開關使電流流人扯元件 15之配線，可輕易地實現本發明之N倍脈衝驅動。 又，僅於閘極信號線171)之1F/N期間，設為Vgl之時 刻為1F(並不限於1F，單位期間即可。）期間中任一時刻皆 可，此係由於藉由單位時間中僅預定期間開啟元件Η 可得到預定平均亮度之故。㉟，更理想的是在電流程式化 期間_後，立刻將閘極信號線m設為^卜而使仙元 件15發光’此係由於不易受到第】同 勿又巧弟1圖之電容器19的保持 率特性影響之故。 又，該圖像之分割數亦宜構成為可改變。例如，使用 者藉由按壓明亮度調整開關，或者轉動明亮度調節器，而 檢測其變化且變更K之值。亦可構成為根據所顯示之圖像 内容、資料，以手動或者自動地使其變化。 如此-來’改變K之值(圖像顯示部53之分割數)亦可 98 1264691 坎、發明說明 輕易地實現，此係由於可構成為第6圖中可調整或改變施 加於ST之資料的時點（可1F之某一時點設為L位準）之故 Ο 又，於第16圖等中，雖然將使閘極信號線17b為Vgl 5之期間分割為多數（分割數M)，且設為％之期間係 實施K * 1F/(K.N)之期間，但並不限於此，亦可實施 L(L关K)次1F/(K · N)之期間。即，本發明係藉由控制流入 EL元件15之期間（時間）來顯示顯示晝面5〇。因此，實施 L(L关K)次1F/(K · N)之期間亦包含在本發明之技術性思想 10内。又，藉由改變L之值，可數位地變更顯示晝面5〇之 亮度。例如，當L二2與L=3時，會有5〇%之亮度（對比） 變化。當然該等控制亦可適用於本發明之其他實施例（當然 ，亦可適用於下面所說明之本發明）。該等亦為本發明之N 倍脈衝驅動。 15 上述實施例係藉由於EL元件15與驅動用電晶體lla 間配置（形成）作為開關元件之電晶體丨1(1，且控制該電晶體 lid，而使晝面50進行開關顯示。藉由該驅動方法，可解 決於電流程式化方式之暗顯示狀態的電流寫入不足，並實 現良好的解析度或暗顯示。即，於電流程式化方式中，實 20 現良好的暗顯示是重要的。以下說明之驅動方法則重設驅 動用電晶體1 la，而實現良好的暗顯示。以下，利用第32 圖，就該實施例作說明。 第32圖基本上是第1圖之像素構造。於第32圖之像 素構造中，經程式化之Iw電流會流入EL元件15，而使 99 1264691 玖、發明說明 EL元件15奄光。即，驅動用電晶體11 a係藉由程式化而 保持使電流流動之能力。利用該使電流流動之能力而重設（ 關閉狀悲）電晶體1丨a之方式為第32圖之驅動方式。以下 ，將該驅動方式稱作重設驅動。 為了於弟1圖之像素構造實現重設驅動，必須構造成 可獨立開關控制電晶體llb與電晶體llc者。即，如第32 圖所示，可獨立控制用以開關控制電晶體nb之閘極信號 線17a(閘極信號線WR)、用以開關控制電晶體Uc之閘極 h號線17c(閘極信號線EL)。閘極信號線17a與閘極信號 1〇線17c之控制如第6圖所示，可藉獨立的兩個移位暫存器 電路61來進行。 可改變用以驅動電晶體Hb之閘極信號線17a與用以 驅動電晶體lid之閘極信號線17b的驅動電壓（第1圖之像 素構造的情形）。使閘極信號線17a之振幅值（開啟電壓與 15關閉電壓之差）較閘極信號線17b之振幅值小。 若閘極信號線17之振幅值大，則閘極信號線17與像 素16之衝穿電壓會變大，而發生泛白的現象。閘極信號線 17a之振幅宜控制源極信號線18之電位不施加（進行施加（ 選擇日守）)於像素16。由於源極信號線18之電位變動小，故 20閘極信號線17&之振幅值可縮小。 另一方面’閘極信號線17b必須實施EL之開關控制 ，因此，振幅值會變大。為了對應於此，而改變移位暫存 裔61a與61b之輪出電壓。當像素以p通道電晶體形成時 ，則使移位暫存器電路61a與61b之Vgh(關閉電壓）大致 100 1264691 玖、發明說明 相同，且使移位暫存器電路61a之Vgl(開啟電壓）較移位暫 存器電路61a之Vgl(開啟電壓）低。 以下，一面參照第33圖，一面就重設驅動方式作說明 。第33圖為重設驅動之原理說明圖。首先，如第33(4圖 5所示，使電晶體Ik、電晶體lid為關閉狀態，且使電晶 體11 b為開啟狀態。如此一來，驅動用電晶體丨1 a之汲極 (D)端子與閘極（G)端子成為短路狀態，且Ib電流流動。一 般而言，電晶體11a係於前一攔（幀）進行電流程式化。於 該狀態下，若電晶體lid為關閉狀態，且電晶體llb為開 10啟狀態，則驅動電流Ib會流向電晶體iia之閘極（G)端子 。因此’電晶體11a之閘極（G)端子與沒極（D)端子成為同 一電位，且重設電晶體lla(不使電流流動之狀態）。 該電晶體11a之重設狀態（不使電流流動之狀態）係與 第51圖等所說明之電壓偏移補償方式所保持之偏移電壓的 15狀態等效。即，於第33(a)圖之狀態中，在電容器19之端 子間保持有偏移電壓。該偏移電壓為依電晶體i la之特性 而不同之電壓值。因此，藉由實施第33(a)圖之動作，電晶 體11a則不使電流流入各像素之電容器19(即，保持暗顯示 電流（幾乎等於0))。 20 另，於第33(a)圖之動作前，宜實施使電晶體lib、電 曰曰體11 c為關閉狀悲’且使電晶體11 d為開啟狀態，並使 電流流入驅動用電晶體11 a之動作。該動作宜在極短的時 間内完成，此係由於有電流流向EL元件15而使EL元件 15亮燈且降低顯示對比之虞。該動作時間宜設為1H(1水 101 1264691 玖、發明說明 平掃瞄期間）之0.1%以上10%以下，更理想的是在0.2% 以上2%以下，或者在0.2//sec以上5//sec以下。又，亦 可匯總於全畫面之像素16而實施前述動作（第33(a)圖前所 進行的動作）。藉由實施上述動作，驅動用電晶體11a之汲 5 極（D)端子電壓會降低，且於第33(a)圖之狀態下，可使平 順之lb電流流動。此外，上述事項亦適用於本發明之其他 重設驅動方式。 第33(a)圖之實施時間愈長，則有lb電流流動且電容 器19之端子電壓變小的傾向。因此，第33(a)圖之實施時 10 間必須設為固定值。根據實驗及檢討，第33(a)圖之實施時 間宜設為1H以上5H以下。 另，該期間在R、G、B之像素宜不同，此係由於EL 材料在各色之像素不同5且在該EL材料之升兩電壓等有 差異之故。於RGB之各像素，符合EL材料來設定最適當 15 的期間。此外，於實施例中，雖然該期間設為1H以上5H 以下，但在以暗插入（寫入暗畫面）為主之驅動方式中，當 然亦可設為5以上。此外，該期間愈長，像素之暗顯示狀 態愈好。 實施第33(a)圖後，於1H以上5H以下之期間内，成 20 為第33(b)圖之狀態。第33(b)圖係開啟電晶體11c、電晶 體lib且關閉電晶體lid之狀態。第33(b)圖之狀態於先前 亦已說明，為進行電流程式化之狀態。即，由源極驅動電 路14輸出（或吸收）程式電流Iw，且使該程式電流Iw流入 驅動用電晶體11a。設定驅動用電晶體11a之閘極（G)端子 102 1264691 玖、發明說明 的電位（設定電位係保持於電容器19)，使該程式電流^流 動。 若程式電流Iw為0(A)，由於電晶體Ua會持續保持 第33⑷圖中不使電流流動之狀態，故可實現良好的暗顯示 5。又’即便在第33⑻圖中進行亮顯示之電流程式化，就算 產生各像素之驅動用電晶體的特性不均，亦可完全地由暗 顯示狀態之偏移電壓進行電流程式化。因此，程式化至達 到目標電流值的時間因應灰階而變為相等。故，因電晶體
Ua之特性不均而產生之灰階誤差消失，而可實現良好的 10 圖像顯示。 在第33(b)圖之電流程式化後，如第33(e)圖所示，關 閉電晶體lib、電晶體lle，且開啟電晶體叫，並使來自 驅動用電晶體11a之程式電流Iw(=Ie)流入EL元件15， 而使EL兀件I5發光。關於第33(c)圖亦由於先前面藉第】 15圖等業已說明，故省略其詳細說明。 即’第33圖所說明之驅動方式（重設驅動）係實施切斷 驅動用電晶體11a與EL元件15間（電流未流動之狀態）， 且使驅動用電晶體之汲極（D)端子與閘極（G)端子（或者源極 (S)端子與閘極（G)端子’更一般性地表達，則為含有驅動 20用電晶體之閘極(G)端子的2端子）間短路之第i動作，及 在前述動作後，於驅動用電晶體進行電流（電壓）程式化之 第2動作。且，第2動作至少在第i動作後進行。此外， 為了實施重設驅動，如第32圖之構造，必須先構造成可獨 立地控制電晶體lib與電晶體ilc者。 103 1264691 玖、發明說明 圖像顯示狀態係（若可觀察瞬間的變化）首先，進行電 流程式化之像素行為重設狀態（暗顯示狀態），且在1H後進 行電流程式化（此時亦為暗顯示狀態，此係由於電晶體1 Id 關閉之故。）。接著，電流供給至EL元件15，且像素行以 5 預定亮度（經程式化之電流）發光。即，應可看出暗顯示之 像素行從畫面上方朝下方移動，且圖像在該像素行所通過 之位置會改寫。 另，重設後，雖然於1H後進行電流程式化，但該期 間亦可設為5H以内，此係由於第33(a)圖之重設要完全地 10 進行需要較長時間之故。若將該期間設為5H，則應該5像 素行會成為暗顯示（若電流程式化之像素行亦加上，則為6 像素行）。 又，重設狀態並不限於1像素行1像素行地進行，亦 可每多像素行同時設為重設狀態。又，亦可每多像素行同 15 時設為重設狀態，且一面重疊一面掃瞄。例如，若同時重 設4像素行，則於第1水平掃瞄期間（1單位），使像素行 (1)(2)(3)(4)為重設狀態，且於接著的第2水平掃瞄期間， 使像素行（3)(4)(5)(6)為重設狀態，並於接著的第3水平掃 瞄期間，使像素行（5)(6)(7)(8)為重設狀態，又，於接著的 20 第4水平掃瞄期間，使像素行（7)(8)(9)(10)為重設狀態之驅 動狀態。此外，當然，第33(b)圖、第33(c)圖之驅動狀態 亦與第33(a)圖之驅動狀態同步實施。 又，當然亦可使1畫面之所有像素同時或者在掃瞄狀 態下設為重設狀態後，實施第33(b)(c)圖之驅動。又，當 104 1264691 坎、發明說明 然亦可以交錯驅動狀態（跳過！像素行或多像素行來掃聪) ^吏其為重設狀態（跳過丨像素行❹像素行）。又，亦可 貫施隨機的重設狀態。又，本發明 d疋室5又驅動的說明為操 作像素行之方式（即，畫面上下方向之控制）。但重設驅 5動的概念係控制方向不限於像素行，例如，當然亦可於像 素列方向實施重設驅動。 又’第33圖之重設驅動藉由與本發明之n倍脈衝驅 動等組合，或者與交錯驅動組合，可實現更良好的圖像顯 不。特別是由於第22圖之構造可輕易地實現間歇Ν/κ倍 10脈衝驅動（為i晝面中設有多數亮燈領域之驅動方法。該驅 動方法可藉由控制閘極信號線17b且使電晶體lld進行開 關動作而輕易地實現。此事項在前面業已說明。），故閃爍 亦不發生，而可實現良好的圖像顯示。 又’藉由與例如下面會說明之逆偏壓驅動方式、預充 15電驅動方式、衝穿電壓驅動方式等其他驅動方法組合，當 然可貫現更良好之圖像顯示。如上所述，與本發明同樣地 ’重没驅動當然亦可與本說明書之其他實施例組合而實施 〇 第34圖係用以實現重設驅動之顯示裝置的構造圖。閘 20 極驅動電路12a係控制第32圖中閘極信號線17a及閘極信 號線17b。藉由將開關電壓施加於閘極信號線17a，而開關 控制電晶體lib。又，藉由將開關電壓施加於閘極信號線 17b，而開關控制電晶體lld。閘極驅動電路12b則控制第 32圖中閘極信號線17C。藉由於閘極信號線17c施加開關 105 1264691 玖、發明說明 電壓，而開關控制電晶體1 lc。 因此，閘極信號線17a藉閘極驅動電路12a操作，而 閘極k 3虎線17c則措閘極驅動電路12b操作。故，可自由 地设定開啟電晶體11 b且重設驅動用電晶體11 a之時點及 開啟電晶體11c且於驅動用電晶體lla進行電流程式化之 時點。其他構造等則由於與先前所說明的相同或類似，故 省略其說明。 第35圖係重設驅動之時點圖。當於閘極信號線丨％施 加開啟電壓，且開啟電晶體llb，並重設驅動用電晶體na 1〇時，於閘極信號線17b則施加關閉電壓，且使電晶體lld 為關閉狀態。如此-來，會成為第32⑷圖之狀態，且於該 期間内lb電流會流動。 於第35圖之時點圖中，雖然重設時間設為2H(於間極 ㈣線17a施加開啟電壓，而電晶體仙開啟），但並不限 15 於此，亦可設為2H以上。又，當重設可極為快速地進行 時，重設時間亦可未滿1H。 20 使重設期間為幾Η _可藉輸人祕㈣電路12之 DATA(ST)脈衝期間輕易地變 入ST端子之DATA設為Η 輸出之重設期間為2Η期間。 ST端子之DATA設為Η位準 之重設期間為5Η期間。 更。例如，若於2Η期間將輸 位準，則從各閘極信號線17a 同樣地，若於5H期間將輪入 ’則從各閘極信號線17a輸出 a不ι仃之閘極信號線 17c(l)施加開啟電壓。藉 、 日日體11 c開啟，施加於源極 106 1264691 玖、發明說明 信號線18之程式電流Iw會透過電晶體iic寫入驅動用電 晶體11 a。 在進行電流程式化後，於像素（1)之閘極信號線17c施 加關閉電壓，且電晶體11c關閉，而像素會與源極信號線 5 分開。同時，於閘極信號線17a亦施加關閉電壓，且解除 驅動用電晶體11a之重設狀態（此外，該期間呈現電流程式 化狀態較呈現重設狀態更適當）。又，於閘極信號線丨7b則 施加開啟電壓，且電晶體lid開啟，而於驅動用電晶體 11a經程式化之電流會流向EL元件15。此外，就像素行 10 (2)以後而言亦與像素行（1)相同，又，由於從第35圖可清 楚明白其動作，故省略其說明。 於第35圖中，重設期間為m期間。第36圖為將重 没期間設為5H之實施例。使重設期間為幾H期間可藉輸 入閘極驅動電路12之DATA(ST)脈衝期間輕易地變更。第 15 36圖係於5H期間將輸入閘極驅動電路12a之ST1端子的 DATA設為Η位準，且將從各閘極信號線17a輸出之重設 期間設為5H期間之實施例。重設期間愈長，則可完全地 進打重設，而實現良好的暗顯示。但，重設期間之比例部 分會使顯示亮度降低。 20 第36圖為將重設期間設為5H之實施例。又，該重設 狀態為連續狀態。但，重設狀態並不限於連續進行，例如 ’亦可每1H使由各閘極信號線17a輸出之信號進行開關 動作。该開關動作可藉由操作形成於移位暫存器之輸出段 的賦能電路（未圖示）而輕易地實現。又，藉控制輸人問極 107 ^64691 玖、發明說明 動電路12之DATA(ST)脈衝可輕易地實現。 5 10 15 於第34圖之電路構造中，閘極驅動電路…至少需要 個移位暫存器電路(一個為間極信號線⑺控制用，另一 個為閘極信號、線17b控制用)。因此，有閘極驅動電路心 電路規拉變大的問題。第37圖係將間極驅動電路心之 移位暫存器設為-個之實施例。使第37圖之電路動作之輸 :信號的時點圖則如第35圖所示。此外，由於第％圖與 弟37圖之由閉極驅動電路12&、⑶輸出之閘極信號線η 的記號不同，故必須注意。 ”從第37圖附加有〇R電路371可清楚明白，各間極信 就線17a之輸出係藉由與移位暫存器電路化的前段輸出 R來輸出。即’ 2H #月間内，從閘極信號線17a會輸 出開啟電壓。另—方面，閘極信號線He則繼續輸出對移 位暫存器電路6U的輸出。因此，於m期間内，施加開 啟電壓。 例如，當Η位準信號輸出至第2移位暫存器電路 時’開啟電壓則輸出至像素16(1)之閘極信號線nc，而像 素16(1)為電流（電壓）程式化之狀態。同時，開啟電壓亦輸 出至像素16(2)之閘極信號線17a，而像素16(2)之電晶體 20 lib為開啟狀態，且重設像素16⑺之驅動用電晶體⑴。 同樣地，s Η位準信號輸出至第3移位暫存器電路 61a時，則開啟電壓會輸出至像素10(2)之閘極信號線nc ，且像素16(2)為電流（電壓）程式化之狀態。同時，開啟電 壓亦輸出至像素16(3)之閘極信號線17a，且像素16(3)之 108 1264691 玖、發明說明 電晶體11 b為開啟狀態’並重設像素16(3)之驅動用電晶體 11 a。即’ 2H期間内從閘極信號線17a輸出開啟電壓，且 開啟電壓在1H期間内會輸出至閘極信號線17c。 若程式化狀態時’電晶體11 b與電晶體11 c同時成為 5開啟狀態（第33(b)圖）’而轉移至非程式化狀態（第33(c)圖 )之際，電晶體1 lc較電晶體1 lb先成為關閉狀態，則呈 第33(b)圖之重設狀態。為了防止該情況，電晶體11〇必須 在電晶體11 b之後成為關閉狀態。因此，必須控制成閘極 信號線17a較閘極信號線17c先施加開啟電壓。 10 上述實施例為第32圖（基本上是第丨圖）之像素構造相 關的實施例，但，本發明並不限於此，例如，第38圖所示 之電流鏡像素構造亦可實施。此外，於第3 8圖中，藉由開 關控制電晶體11 e，可實現第13圖、第15圖等所示之N 倍脈衝驅動。第39圖為第38圖之電流鏡像素構造之實施 15例的說明圖。以下，一面參照第39圖，一面就電流鏡像素 構造中重設驅動方式作說明。 如第39(a)圖所示，使電晶體lie、電晶體lle為關閉 狀悲’且使電晶體11 d為開啟狀態。如此一來，電流程式 化用電晶體1 la之沒極（D)端子與閘極（G)端子會成為短路 20 狀態，且如圖所示lb電流會流過。一般而言，電晶體llb 係於前一攔（幀）進行電流程式化，且具使電流流動之能力（ 由於閘極電位保持於電容器191F期間，且進行圖像顯示， 故具使電流流動之能力是理所當然的。但，當進行完全性 暗顯示時，電流則不流動）。於該狀態下，若電晶體ne為 109 1264691 玖、發明說明 關閉狀態，且電晶體lid為開啟狀態，則驅動電流lb會流 向電晶體11a之閘極（G)端子的方向（閘極（G)端子與汲極（D) 端子呈短路狀態）。因此，電晶體11a之閘極（G)端子與汲 極（D)端子會成為同一電位’且會重設電晶體11 a(不使電流 5 流動之狀態）。又，由於驅動用電晶體lib之閘極（G)端子 與電流程式化用電晶體11a之閘極（G)端子通用，故驅動用 電晶體lib亦為重設狀態。 該電晶體11 a、電晶體11 b之重設狀態（不使電流流動 之狀態）係與第51圖等所說明之電壓偏移補償方式所保持 10 之偏移電壓的狀態等效。即，於第39(a)圖之狀態中，在電 容器19之端子間保持有偏移電壓（電流開始流動之開始電 壓。藉由施加該電壓之絕對值以上的電壓，電流會流向電 晶體11)。該偏移電壓為依電晶體11a、電晶體lib之特性 而不同之電壓值。因此，藉由實施第39(a)圖之動作，可保 15 持電晶體11a、電晶體lib不使電流流入各像素之電容器 19之狀態（即，暗顯示電流（幾乎等於0))(重設成電流開始 流動之開始電壓）。 又，於第39(a)圖亦與第33(a)圖同樣地，重設之實施 時間愈長，則有lb電流流動且電容器19之端子電壓變小 20 的傾向。因此，第39(a)圖之實施時間必須設為固定值。根 據實驗及檢討，第39(a)圖之實施時間宜設為1H以上 10H(10水平掃瞄期間）以下，更理想的是在1H以上5H以 下，或者在20 // sec以上2msec以下。此事項於第33圖之 驅動方式亦相同。 110 1264691 玖、發明說明 雖然第33(a)圖亦相同，但當同步進行第39(a)圖之重 設狀態與第39(b)圖之電流程式化狀態時，由於從第39(a) 圖之重設狀態至第39(b)圖之電流程式化狀態之期間成為固 定值（一定值），故沒有問題（成為固定值）。即，從第33(a) 5 圖或第39(a)圖之重設狀態至第33(b)圖或第39(b)圖之電流 程式化狀態之期間宜為1H以上10H(10水平掃瞄期間）以 下。更理想的是在1H以上5H以下，或者在20//sec以上 2msec以下。若該期間短，則驅動用電晶體11無法完全地 重設。又，若該期間過長^則驅動用電晶體11會完全成為 10 關閉狀態，使得下次使電流程式化需要長時間。又，晝面 50之亮度亦降低。 在實施第39(a)圖之後，會成為第39(b)圖之狀態。第 39(b)圖係使電晶體11c、電晶體lid開啟，且使電晶體lie 關閉之狀態。第39(b)圖之狀態係進行電流程式化之狀態。 15 即，從源極驅動電路14輸出（或吸收）程式電流Iw，且使該 程式電流Iw流入電流程式化用電晶體11a。將驅動用電晶 體lib之閘極（G)端子的電位設定於電容器19，使該程式 電流Iw流過。 若程式電流Iw為0(A)(暗顯示），則電晶體lib會持續 20 保持不使第33(a)圖之電流流動之狀態，故可實現良好的暗 顯示。又，當於第39(b)圖進行亮顯示之電流程式化時，即 使發生各像素之驅動用電晶體的特性不均，亦從完全性暗 顯示狀態之偏移電壓（依照各驅動用電晶體之特性而設定之 電流所流動之開始電壓）進行電流程式化。因此，程式化至 111 1264691 玖、發明說明 達到目標電流值的時間會因應灰階而相等。故，因電晶體 lla或電晶體lib之特性不均而產生之灰階誤差會消失， 而可實現良好的圖像顯示。 在第39(b)圖之電流程式化後，如第39(c)圖所示，關 5閉電晶體llc、電晶體lid，且開啟電晶體ue，並使來自 驅動用電晶體lib之程式電流Iw(二ie)流入EL元件15， 而使EL元件15發光。關於第39(c)圖亦由於之前業已說 明，故省略其詳細說明。 第33圖、第39圖所說明之驅動方式（重設驅動）係實 1〇施切斷驅動用電晶體lla或電晶體llb與EL元件15間（電 流未流動之狀態。以電晶體lle或電晶體Ud來進行），且 使驅動用電晶體之汲極（D)端子與閘極（G)端子（或者源極 端子與閘極（G)端子，更一般性地表達，為含有驅動用電晶 體之閘極（G)端子的2端子）間短路之第i動作，及在前述 15動作後，於驅動用電晶體進行電流（電壓）程式化之第2動 作。 又’至少第2動作在第丨動作後進行。此外，第1動 作中所明切斷驅動用電晶體丨i a或電晶體n b與EL元件 15間之動作並一定是必要條件，此係由於有時即使進行第 20 1動作中不切斷驅動用電晶體lla或電晶體lib與EL·元件 15間而使驅動用電晶體之汲極（D)端子與閘極（G)端子間短 路之第1動作，在些許重設狀態之不均發生之程度下亦可 兀成之故。此係檢討所製作之陣列的電晶體特性而決定。 第39圖之電流鏡像素構造係藉由重設電流程式化電晶 112 1264691 玖、發明說明 體11a，結果重設驅動用電晶體1 lb之驅動方法。 於第39圖之電流鏡像素構造中，在重設狀態下，不一 定要切斷驅動用電晶體lib與EL元件15間。因此，實施 使電流程式化用電晶體11a之汲極（D)端子與閘極（g)端子（ 5 或者源極（S)端子與閘極（G)端子，更一般性地表達，則為 含有電流程式化用電晶體之閘極（G)端子的2端子，或者含 有驅動用電晶體之閘極（G)端子的2端子）間短路之第！動 作及在前述動作後，於電流程式化用電晶體進行電流（電壓 )程式化之第2動作。且，第2動作至少在第丨動作後進行 10 〇 圖像顯示狀態係（若可觀察瞬間的變化）首先，進行電 流程式化之像素行為重設狀態（暗顯示狀態），且在預定h 後進行電流程式化。應可看出暗顯示之像素行從畫面上方 朝下方移動，且圖像在該像素行所通過之位置會改寫。 15 上述實施例係以電流程式化像素構造為中心來作說明 ，但本發明之重設驅動亦可適用於電壓程式化像素構造。 第43圖為可實施電壓程式化像素構造之重設驅動之本發明 像素構造（面板構造）的說明圖。 於第43圖之像素構造中，形成有可使驅動用電晶體 20 Ha進行重設動作之電晶體lle。藉由於閘極信號線…施 加開啟電壓’電晶體Ue開啟，且使驅動用電晶體⑴之 閘極⑼端子與汲極(D)端子間短路。又，形成有用以切斷 EL元件15與驅動用電晶體lu間之電流通路之電晶體 d以下，一面參照第44圖，一面就電壓程式化像素構 113 1264691 玖、發明說明 造中本發明之重設驅動方式加以說明。 如第44(a)圖所示，將電晶體Ub、電晶體Ud設為關 閉狀態，且將電晶體lle設為開啟狀態。驅動用電晶體 11a之汲極（D)端子與閘極（G)端子會成短路狀態，且如圖所 5示，1b電流會流過。因此，電晶體lla之閘極（G)端子與汲 極（D)端子會成為同一電位，且會重設電晶體(不使電流 流動之狀態）。此外，在重設電晶體Ua之前，如第33圖 或第39圖所說明之，與HD同步信號同步，且最初使電晶 體lid開啟，且使電晶體lle關閉，並先使電流流入電晶 10 體lla。而後，實施第44(a)圖之動作。 該電晶體lla、電晶體lib之重設狀態（不使電流流動 之狀態）係與第41圖等所說明之電壓偏移補償方式所保持 之偏移電壓的狀態等效。即，於第44(a)圖之狀態中，在電 容為19之端子間保持有偏移電壓（重設電壓）。該重設電壓 15為依驅動用電晶體lla之特性而不同之電壓值。即，藉由 實施第44(a)圖之動作，可保持電晶體Ua不使電流流入各 像素之電谷裔19之狀態（即，暗顯示電流（幾乎等於〇))(重 設成電流開始流動之開始電壓）。 又，於電壓程式化之像素構造亦與電流程式化之像素 20構造同樣地，第44(a)圖之重設的實施時間愈長，則有化 電流流動且電容器19之端子電壓變小的傾向。因此，第 44(a)圖之實施時間必須設為固定值。實施時間宜為〇.2h 以上5H(5水平掃瞄期間）以下。更理想的是在〇 5H以上 4H以下，或者在2 /z sec以上400 // sec以下。 114 1264691 玖、發明說明 17a ^閘極信I線176宜先與前段像素行之閘極信號線 以短路狀態形成閘極信料…與前段像 極信號線W。將該構造稱作前段閉極控制方式 於所謂前段閘極㈣方式係抑較定位像素行至少 :_上所選擇之像素行的閘極信號線波形。因此， =於1像素行前。例如，亦可利用2像素行前之閉極 :線的信號波形來實㈣位像素之驅動用電晶體⑴的 重設。 欲更具體地記載前段閘極控制方式，則如下所述。所 10，位之像素行設為(N)像素行，且其閘極信號線設為 閘極信 號線l7e(N)、閘極信號線17a(N)。1H前所選擇之前段像 素饤係像素行設為(N-1)像素行，且其閉極信號線設為閉 極信號線17e(N—υ、閘極信號線17a(Nn，定位像 素行的下- m後所選擇之像素行係像素行設為(N+1)像 5素行且其閘極k说線設為閘極信號線i7e(N+1)、閘極 信號線17 a(N + 1)。 於第（N-1)H期間内，若於^Ν—υ像素行之間極信 號線17a(N-1)施加開啟電壓，則於第（Ν)像素行之問極信 號線17e(N)亦施加開啟電壓。此係由於閘極信號線 17e(N) 20與前段像素行之閘極信號線17a(N—1}以短路狀態形成之 故。因此，第（N— 1)像素行之像素的電晶體nb(N—丨）開啟 ，且源極k號線18之電壓會寫入驅動用電晶體Ua(N__ i) 之閘極（G)端子。同時，第（N)像素行之像素的電晶體 lle(N)開啟，且驅動用電晶體Ua(N)之閘極（G)端子與汲極 115 1264691 玖、發明說明 (D)端子間短路，並重設驅動用電晶體lla(N)。 於第（N— 1)H期間之下一第（N)期間内，若於第（N)像 素行之閘極信號線17a(N)施加開啟電壓，則於第（N+1)像 素行之閘極信號線17e(N+l)亦施加開啟電壓。因此，第 5 (N)像素行之像素的電晶體llb(N)開啟，且施加於源極信號 線18之電壓會寫入驅動用電晶體lla(N)之閘極（G)端子。 同時，第（N+1)像素行之像素的電晶體lle(N+l)開啟，且 驅動用電晶體lla(N+l)之閘極（G)端子與汲極（D)端子間短 路，並重設驅動用電晶體lla(N+l)。 10 以下同樣地，於第（N)H期間之下一第（N+1)期間内， 若於第（N+ 1)像素行之閘極信號線17a(N+ 1)施加開啟電壓 ，則於第（N+2)像素行之閘極信號線17e(N+2)亦施加開啟 電壓。因此，第（N+1)像素行之像素的電晶體llb(N+l)開 啟，且施加於源極信號線18之電壓會寫入驅動用電晶體 15 lla(N+ 1)之閘極（G)端子。同時，第（N+2)像素行之像素 的電晶體lle(N+2)開啟，且驅動用電晶體lla(N+2)之閘 極（G)端子與汲極（D)端子間短路，並重設驅動用電晶體 lla(N+2) 〇 於上述本發明之前段閘極控制方式中，在1H期間内 20 ，重設驅動用電晶體11a，而後，實施電壓（電流）程式化。 雖然第33(a)圖亦相同，但當同時進行第44(a)圖之重 設狀態與第44(b)圖之電壓程式化狀態時，由於從第44(a) 圖之重設狀態至第4 4 (b)圖之電壓程式化狀態之期間設為固 定值（預定值），故沒有問題（成為固定值）。若該期間短，則 116 1264691 玖、發明說明 驅動用電晶體1 1無法完全地重設。又，若該期間過長，則 驅動用電晶體lla會完全成為關閉狀態，使得下次使電流 程式化需要長時間。又，晝面50之亮度亦降低。 在貫施第44(a)圖之後，會成為第44(b)圖之狀態。第 5 44(b)圖係使電晶體llb開啟，且使電晶體Ue、電晶體nd 關閉之狀態。第44(b)圖之狀態係進行電壓程式化之狀態。 即，從源極驅動電路14輸出程式電壓，且將該程式電壓寫 入驅動用電晶體lla之閘極（G)端子（將驅動用電晶體Ua 之閘極（G)端子的電位設定於電容器19)。此外，電壓程式 ίο化方式之情形在電壓程式化時不一定要關閉電晶體lld。 又，若無須實施與第13圖、第15圖等1^倍脈衝驅動等組 合之方法或者前述間歇N/K倍脈衝驅動（為於i晝面設有多 數壳燈領域之驅動方法，該驅動方法藉由使電晶體丨“開 關動作可輕易地實現），則不需要電晶體Ue。由於該事項 15 在前面已說明，故省略其說明。 當以第43圖之構造或第44圖之驅動方法進行亮顯示 之電壓程式化時，即使發生各像素之驅動用電晶體的特性 不均，亦從完全性暗顯示狀態之偏移電壓（依照各驅動用電 曰曰體之特性而没疋之電流流動的開始電壓）進行電壓程式化 2〇 。因此，程式化至達到目標電流值的時間會因應灰階而相 等。故，因電晶體11 a之特性不均而產生之灰階誤差會消 失，而可實現良好的圖像顯示。 在第44(b)圖之電流程式化後，如第44(c)圖所示，關 閉電晶體lib，且開啟電晶體lld，並使來自驅動用電晶體 117 1264691 玖、發明說明 11 a之程式電流流入EL元件15，而使EL元件15發光。 如上所述，第43圖之電壓程式化中本發明之重設驅動 係首先與HD同步信號同步，且最初實施開啟電晶體lid ，關閉電晶體lie，並使電流流入電晶體11a之第1動作 5 及切斷驅動用電晶體11a與EL元件15間，且使驅動用電 晶體11a之汲極（D)端子與閘極（G)端子（或者源極（S)端子與 閘極（G)端子，更一般性地表達，則為含有驅動用電晶體之 閘極（G)端子的2端子）間短路之第2動作及在前述動作後 ，於驅動用電晶體11a進行電壓程式化之第3動作。 10 於上述實施例中，在控制從驅動用電晶體元件lla(第 1圖之像素構造的情形）流入EL元件15之電流時係開關電 晶體lid來進行。欲開關電晶體ud，必須掃瞄閘極信號 線17b，而欲掃瞄，則需要移位暫存器電路61(閘極驅動電 路12)。但，移位暫存器電路61之規模大，且於閘極信號 15線171)之控制上利用移位暫存器電路61則無法實現狹框化 。第40圖所說明之方式可解決該課題。 又，雖然本發明主要是以第丨圖等所示之電流程式化 之像素構造為例來作說明，但並不限於此，當然第38圖等 所說明之其他電流程式化構造（電流鏡之像素構造）亦可適 2〇用。又，當然以區塊進行開關之技術性概念亦可適用於第 41圖等之電壓程式化像素構造。又，由於本發明為使於 EL元件15中流動之電流間歇的方式，故當然亦可與第5〇 圖等所說明之施加逆偏壓電壓的方式組合。如上所述，本 發明可與其他實施例組合而實施。 118 1264691 玖、發明說明 第40圖縣塊驅動方式之實施例。首先，為了容易說 明’以_驅動電路12直接形成於基板71，或者 片之閉極驅動IC12搭載於基板71來作說明。又，由於: 極驅動電路14及源極信號線18會使圖面複雜，故省略之 5 〇 於第40圖中，閘極信號線…係與間極驅動電路η 相連接。另-方面，各像素之閘極信號線m則與亮燈控 制線4〇1相連接。於第40圖中，四條閘極信號線17b係與 一條亮燈控制線401相連接。 1〇 又’所謂以四條閘極信號線Μ進行區塊化並不限於 此，當然亦可以四條以上來進行區塊化。一般而言，顯示 畫面50至少宜分割為5份以上，更理想的是分割為⑺份 以上，最理想的是分割為2〇份以上。若分割數少，則容易 看見閃爍，若分割數過多，則亮燈控制線4〇1的個數變多 15 ，而凴燈控制線401之佈置會變得困難。 因此，QCIF顯不面板之情形係由於垂直掃瞄線的個數 為220條，故至少必須以22〇/5 = 44條以上來進行區塊化 ，更理想的是以220/10 = 22條以上來進行區塊化。但，由 於以奇數行與偶數行進行兩區塊化時，即使低幀速率，相 20較之下，閃爍的發生亦不多，故有時以兩區塊化即足夠。 於第40圖之實施例中，對亮燈控制線4〇1&、4〇ib、 401c、401d·.·.··401n依序施加開啟電壓（Vgl)，或者施加關 閉電壓（vgh)，且每一區塊皆開關於EL元件15中流動之 電流。 119 1264691 玖、發明說明 又，於第40圖之實施例中，閘極信號線17b與亮燈控 制線401並未相交。因此，閘極信號線17b與亮燈控制線 401之短路缺陷不會發生。又，由於閘極信號線17b與亮 燈控制線401並未電容結合，故由亮燈控制線401觀測閘 5 極信號線17b側時可知其電容負荷極小。因此，容易驅動 亮燈控制線401。 於閘極驅動電路12連接有閘極信號線17a。藉由將開 啟電壓施加於閘極信號線17a，而選擇像素行，且所選擇 之各像素的電晶體lib、11c開啟，並使施加於源極信號線 10 18之電流（電壓）於各像素之電容器19程式化。另一方面， 閘極信號線17b則與各像素之電晶體lid的閘極（G)端子相 連接。因此，當於亮燈控制線401施加開啟電壓（Vgl)時， 係形成驅動用電晶體11a與EL元件15間之電流通路，相 反地，當施加關閉電壓（Vgh)時，則打開EL元件15之陽 15 極端子。 又，施加於亮燈控制線401之開關電壓的控制時點與 閘極驅動電路12輸出至閘極信號線17a之像素行選擇電壓 (Vgl)的時點宜與1水平掃瞄時脈（1H)同步。但，並不限於 此。 20 施加於亮燈控制線401之信號僅開關朝EL元件15輸 入之電流。又，亦無須與源極驅動電路14所輸出之圖像資 料同步。此係由於施加於亮燈控制線401之信號係用以控 制於各像素16之電容器19經程式化之電流之故。因此， 不一定要與像素行之選擇信號同步。又，即使同步，時脈 120 1264691 玖、發明說明 亦不限於1H信號，1/2H或者1/4H皆可。 第38圖所示之電流鏡像素構造亦藉由將間極信號線 17b連接於亮燈控制線4()1，可開關控制電晶體仏。因此 ，可實現區塊驅動。 5 又’於第32圖中，若將閘極信號線％連接於亮燈控 制線401且實施重設’則可實現區塊驅動。即，本發明之 區塊驅動係以-條控制線使多數像素行同時為非亮燈（或暗 顯示）之驅動方法。 上述實施例絲i像素行皆配置（形成）—條選擇間極 H)信號線之構造。本發明並錢於此，亦可於錢像素行配 置（形成）一條選擇閘極信號線。 第41圖為其實施例。此外，為了容易說明，像素構造 主要以第1圖為例來作說明。於第41圖中，像素行之選擇 閘極信號線Ha係同時選擇三個像素（16R、16g、i叫。r 之記號表社色的像素關連，G^記絲㈣色的像素關 連，而B之記號則表示藍色的像素關連。 因此’藉由閘極信號線l7a的選擇，而同時選擇像素 腿、像素16G及像素16B且成為資料寫入狀態。像素 腿係從源極信號線18R將資料寫入電容器㈣，而像素 2〇 1犯則從源極信號線观將資料寫入電容器⑽，又，像 素16B則從源極信號線㈣將資料寫入電容器刚。 像素服之電晶體lld係連接於閘極信號線丨窥。又 像素16G之電晶體lld係連接於間極信號線i7bG，而 像素16B之電θθ體11 d則連接於閘極信號線^ 。因此， 121 1264691 玖、發明說明 像素16R之EL元件15R、像素16G之EL元件15G、像素 16B之EL元件15B可個別地開關控制。即，EL元件15R 、EL元件15G、EL元件15B分別藉由控制閘極信號線 17bR、17bG、17bB，可個別地控制亮燈時間、亮燈週期。 5 為了實現該動作，於第6圖之構造中，形成（配置）用 以掃瞄閘極信號線17a之移位暫存器電路61、用以掃瞄閘 極信號線17bR之移位暫存器電路61、用以掃瞄閘極信號 線17bG之移位暫存器電路61及用以掃瞄閘極信號線 17bB之移位暫存器電路61四個是適當的。 10 又，雖然使預定電流之N倍電流流入源極信號線18， 且使預定電流之N倍電流於1/N期間流入EL元件15，但 實用上並無法實現。此係由於實際上施加於閘極信號線17 之信號脈衝會衝穿電容器19,而無法於電容器19設定所 希望之電壓值（電流值）之故。一般而言，於電容器19會設 15 定較所希望之電壓值（電流值）更低的電壓值（電流值）。例如 ，即使進行驅動以設定10倍的電流值，於電容器19亦僅 會設定5倍的電流。例如，即使N = 10，但實際上於EL 元件15中流動之電流與N= 5時相同。因此，本發明為設 定N倍之電流值且進行驅動以使與N倍成比例或者對應於 20 N倍之電流流入EL元件15之方法，或者為將較所希望之 值更大的電流以脈衝狀施加於EL元件15之驅動方法。 又，藉由依所希望之值的電流（若直接使電流連續流入 EL元件15，則成為較所希望之亮度更高之電流）於驅動用 電晶體11a(以第1圖為例時）進行電流（電壓）程式化，且使 122 1264691 玖、發明說明 電流間歇流向EL元件15，可得到所希望之元件的發 光亮度。 又，因應朝該電容器19之衝穿而形成之補償電路係導 入源極驅動電路14内。關於該事項則留待後述。 5 又，第1圖等之開關電晶體lib、11C等宜以n通道 形成。此係由於朝電容器19之衝穿電壓減少之故。又，由 於電谷為19之關閉）¾漏亦減少，故亦可適用於1 〇Hz以下 之低幀速率。 又’依像素構造的不同，當衝穿電壓在增加流向EL 10元件15的電流之方向起作用時，白峰值電流會增加，且圖 像顯不之對比感會增強。因此，可實現良好的圖像顯示。 相反地，因將第1圖之開關電晶體llb、nc設為p通 道而發生衝穿因而使暗顯示更加良好之方法也很有效。p 通道電晶體lib關閉時則為Vgh電壓。因此，電容器19 15之端子電壓會稍微移位至Vdd側。如此一來，電晶體11 a 之閘極（G)端子電壓會上升，且成為更良好之暗顯示。又， 由於可增加作為第1灰階顯示之電流值（可流通一定的基極 電流到達灰階1為止），故於電流程式化方式可減少寫入電 流不足。 20 以下，一面參照圖式，一面就本發明之其他驅動方式 作說明。第174圖係可實施本發明序列驅動之顯示面板的 說明圖。源極驅動電路14係切換r、G、B資料且輸出至 連接端子761。因此，源極驅動電路14之輸出端子數相較 於第48圖等，有1/3輸出端子數即足夠。 123 1264691 玖、發明說明
從源極驅動電路14輸出至連接端子761之信號係藉由 輪出切換電路1741而分配至源極信號線18R、18G、18B 。輪出切換祕174丨係藉多w技術直接形成於基板71 又，輸出切換電路1741亦可以矽晶片形成，且藉c〇G 5技術安裝於基板71。又，輸出切換電路1741亦可以輸出 切換電路1741作為源極驅動電路14之電路，且内藏於源 極驅動電路14。 當切換開關1742連接於R端子時，來自源極驅動電 路Μ之輸出信號則施加於源極信號線18R。當切換開關 1〇 1742連接於G端子時，來自源極驅動電路14之輸出信號 則施加於源極信號線18G。當切換開關1742連接於B端 子％，來自源極驅動電路14之輸出信號則施加於源極信號 線 18B。 又，於第175圖之構造中，當切換開關1742連接於R 15鈿子時，切換開關之G端子及B端子為打開狀態。因此， 輸入源極信號線18G及18B之電流為0A。因此，連接於 源極#號線18G及18B之像素16成為暗顯示。 當切換開關1742連接於G端子時，切換開關之r端 子及B端子為打開狀態。因此，輸入源極信號線18R及 20 18B之電流為0A。因此，連接於源極信號線18R及18β 之像素16成為暗顯示。 又，於第175圖之構造中，當切換開關1742連接於B 端子時’切換開關之R端子及G端子為打開狀態。因此， 輸入源極信號線18R及18G之電流為〇A。因此，連接於 124 1264691 玖、發明說明 源極信號線服及18G之像素16成為暗顯示。 基本上，當1幀以3欄構成時 丁 ^ * , , _ . $ 1攔在顯示晝面 之像素16依序寫入R圖像資料。於 、第2攔則在顯示書 面50之像素16依序寫入G圖像資料。 一 一 、 又’於第3攔則在 5顯不畫面50之像素16依序寫入β圖像資料。 、 如上所述，每攔依序改寫R資 次 G資料資料― R資料—……，而實現序列驅動。如笛！向 a 3 如弟1圖所示開啟關閉 開關電晶體lid而實現N倍脈衝驅動 〃 卜 罘匕糟第5圖、 第13圖、第16圖等作說明。當铁 、T將該4驅動方法與序 10 列驅動組合。 又，於上述實施例中，當將圖像資料寫人r像素α 時，於G像素及B像素則寫入暗資料。當將圖像資料寫入 CM象素16時，於R像素及B像素則寫人暗資料。當將圖 15 像資料寫人B像素16時’⑨R像素及G像素則寫入暗資 料。但，本發明並不限於此。 例如，當將圖像資料寫入R像素16時，G像素及B 像素之圖像資料亦可維持已在前攔改寫之圖像資料:、如上 所述地驅動，可使晝面50之亮度變亮。當將圖像資料寫入 G像素16時，R像素及β像素之圖像資料則維持已在前搁 20改寫之圖像資料。當將圖像資料寫入B像素16時，G像 素及R像素之圖像資料則維持已在前攔改寫之圖像資料。 如上所述，欲維持所改寫之色彩像素以外的像素之圖 像資料時，於RGB像素可獨立地控制閘極信號線丨以即可 。例如，如第174圖所示，閘極信號線17aR作為用以控 125 1264691 玖、發明說明 5 10 15 制R像素之電晶體llb、電晶體Uc之開關的信號線。又 ’閉極信號線⑽作為用以控制G像素之電晶體m、電 晶體山之開關的信號線。閘極信號線湖作為用以控制 B像素之電晶體m、電晶體Uc之開關的信號線。另一方 面，間極信號線m則作為用以共同地開關r像素、g像 素、B像素的電晶體lld之信號線。 如上所述地構成，當源極驅動電路14輪出r之圖像 資料’且切換„ 1742切換至R接點時，則可於間極信 號線17aR施加開啟電壓，且於 於間極“遽線aG與閘極信號 施加關閉電壓。因此，將R之圖像資料寫入R像素 16’而〇像素MB像素16可繼續維持先前所保持之攔 的圖像資料。 當於第2欄源極驅動電路14輪出G之圖像資料，且 切換開關Π42切換至G接點時，則可於間極信號線⑽ 施加開啟電壓，且於問極信號線aR與間極信號線沾施加 關閉電壓。因此，將G之圖像資料寫以⑽Μ，而r 像素及B像素16可繼續維持先前所保持之攔的圖像資 料。 當於第3攔源極驅動電路14輪出β之圖像資料，且 切換開關1742切換至B接點時，則可於閘極信號線17aB 施加開啟電壓，且於閉極信號線aR與間極信號線W 關閉電壓。因此，將B之圖像資料寫入b像素Μ，而& 像素16及G像素16可繼續維持先前所保持之攔的圖像資 料0 126 20 1264691 玖、發明說明 於第174圖之實施例中，每rgB形成或配置有用以開 關像素16之電晶體lib之閘極信號線17a。但，本發明並 不限於此，例如，如第175圖所示，亦可為於RGB之像素 16形成或配置通用之閘極信號線17a的構造。 5 於第174圖等之構造中，業已說明當切換開關1742選 擇R源極信號線時，則G源極信號線與B源極信號線成為 打開狀態。但，打開狀態為電浮動狀態，故並不理想。 第175圖係為了消除該浮動狀態而進行因應對策之構 造。輸出切換電路1741之切換開關1742的a端子係連接 10於vaa電壓（成為暗顯示之電壓）。}3端子則與源極驅動電路 14之輸出端子相連接。切換開關1742係分別設於RgB。 於第175圖之狀態中，切換開關1742R係連接於 ‘子因此，於源極信號線18R則施加vaa電壓（暗電壓） 。切換開關1742G係連接於Vaa端子。因此，於源極信號 15線18<3則施加Vaa電壓（暗電壓）。切換開關1742B係連接 於源極驅動電路14之輸出端子。因此，於源極信號線18B 則施加B之影像信號。 上述狀態係B像素之改寫狀態，而於R像素與G像素 則施加暗顯示電壓。如上所述，藉由控制切換開關1742， 2〇可改寫像素16之圖像。此外，_於閘極信號線m之控制 等由於與先前說明之實施例相同，故省略其說明。 於上述實施例中，於第1欄改寫R像素16，且於第2 攔改寫G像素16，並於第3攔改寫B像素16。即，每丄 曰文變所改寫之像素的顏色。本發明並不限於此，亦可 127 1264691 玖、發明說明 每1水平掃猫期間⑽改變所改寫之像素的顏色。例如， 為馬6動成於第1H改寫R像素，於第π改寫G像素，於 第3H改寫B像素，於第4H改寫r像素，·····.之方法。當 。亦可每2H以上之多數水平掃瞒期間改變所改寫之像 素的顏色，或者每1/3攔改變所改寫之像素的顏色。 10 弟176圖係每1H改變所改寫之像素的顏色之實施例 一於第176圖至第178圖中，以斜線標示之像素^係 表不未改寫像素而保持前攔之圖像資料或者為暗顯示者。 當然’亦可反覆實施使像素暗顯示與保持前攔之資料。 〜外於第174圖至第178圖之驅動方式中，當然亦可 貝也第13目等之N倍脈衝驅動或m行同時驅動。第μ 圖至第」78圖等係說明像素16之寫入狀態。雖然EL元件 之儿燈控制亚未祝明’但當然可組合先前或之後說明之 實施例。 15 20 又，"貞並不限於以3攔來構成，2攔，或者4欄以上 2可…貞為2欄，且有RGB三原色時，於第ι攔改寫r ”像# 於第2攔改寫B像素之實施例為其中一例。 幢為4搁’且有職三原色時，於第】攔改寫R像 f第2攔改寫G像素，並於第3欄與第*攔改寫b :之實施例亦為其中—例。該等序列藉由考慮並檢討 之扯元件15的發光效率，可高效率地取得白平衡。 於上述實施财，係於第1攔改寫r像素Μ，且於第 2攔改寫G像素，並於第3搁 改變所改寫之像素的顏色。像素。即，每1攔會 128 1264691 巩、發明說明 5 於第176圖之實施例中，為驅動成於第！攔之出改 寫R像素，於第2H改寫G像素，於第3H改寫B像素， 於夕第4H改寫R像素，……之方法。當然，亦可每扭以上 之多數水平掃_間改變所改寫之像素的顏色，或者每Μ 攔改變所改寫之像素的顏色。 於第m圖之實施例中，於第i搁之第m改寫尺像 ’、’且於第2Η改寫G像素，並於第3Η改寫β像素 且於第4Η改寫R像素。於第2搁之第m改寫象、’ 10 且於第2Η改寫Β像素，並於第3 象素 ^ ^ K像素，並且於 弟4Η改寫G像素。”⑽ 筮OtT , a 叹局ΰ像素，且於 Η改寫R像素，並於第3η 改寫Β像素。 文寫G像素’並且於第祀 如上所述，藉由於各搁 改寫R r “ 襴任忍地或者以-定的規則性來 15 20 文寫RU像素，可防止r、g、b< 亦可抑制閃爍發生。 刀 又’ 於第177圖中，每m 。於第176圖中，在第^ /之像素16的色數呈多數 僮去 襴，弟1Η所改寫之像辛16 A p
像素，而第2H所改寫之 4 R 改曾 、6為G像素。又，第3H张 改寫之像素16為B像^ 弟3H所
像素。 ’、4H所改寫之像素16為R 於第177圖中，备 同。藉由於各攔使R、G使所改寫之像素的色彩位置不 規則性）且依序改寫，可防丨像素不同（當然亦可依—定的 亦可抑制閃爍發生。 R、G、B之色彩分離。又， 129 1264691 玖、發明說明 又，於第177圖之實施例亦在各像素（RGB像素之組） 使RGB之亮燈時間或發光強度一致。此事項當然亦於第 175圖、第176圖等之實施例實施，此係由於會模糊之故 〇 5 如第177圖所示，使每1H所改寫之像素的色數（第 177圖之第1欄的第1H係改寫R、G、B三色）為多數可構 造成於第174圖中，源極驅動電路14可將任意（亦可具一 定的規則性）色彩的影像信號輸出至各輸出端子，亦可構造 成切換開關1742可任意地（亦可具一定的規則性）連接接點 10 R、G、B 〇 於第178圖之實施例的顯示面板中，除了 RGB三原色 ，還具有W(白）之像素16W。藉由形成或配置像素16W， 可實現良好的色峰值亮度。又，可實現高亮度顯示。第 178(a)圖係於1像素行形成R、G、B、W像素16之實施例 15 。第178(b)圖為業已於每1像素行配置RGBW像素16之 構造。 於第178圖之驅動方法當然亦可實施第176圖、第 177圖等之驅動方式。又，當然亦可實施N倍脈衝驅動或 Μ像素行同時驅動等。由於該等事項若是在所屬領域具有 20 通常知識者則可輕易地藉由本說明書而具體表現，故省略 其說明。
又，本發明為了容易說明，故本發明之顯示面板以具 有RGB三原色來作說明，但並不限於此，除了 RGB以外 ，亦可加上青綠色、黃色、深紅色，或者為利用R、G、B 130 1264691 玖、發明說明 其中一色、或R、G、B其中兩色之顯示面板。 又，於上述序列驅動方式中，雖然1欄1欄地操作 RGB，但本發明當然不限於此。又，第174圖至第178圖 之實施例係就將圖像資料寫入像素16之方法作說明，而並 5 非說明操作第1圖等之電晶體lid且使電流流入EL元件 15而顯示圖像之方式（當然，有所關連）。流向EL元件15 之電流在第1圖之像素構造中係藉由控制電晶體lid來進 行。 又，於第176圖、第177圖等之驅動方法中，藉由控 10 制電晶體lid(第1圖之情形），可依序顯示RGB圖像。例 如，第179(a)圖係於1幀（1欄）期間從畫面上方朝下方（亦 可從下方朝上方）掃瞄R顯示領域53R、G顯示領域53G、 B顯示領域53B。RGB之顯示領域以外的領域則設為非顯 示領域52。即，實施間歇驅動。
15 第179(b)圖係實施成於1欄（1幀）期間產生多數RGB 顯示領域53之實施例。該驅動方法係與第16圖之驅動方 法類似。因此，應無說明之必要。於第179(b)圖藉由將顯 示領域53分割為多數，因而即使更低幀速率，亦不會發生 閃爍。 20 第180(a)圖係於RGB之顯示領域53使顯示領域53之 面積相異（當然顯示領域53之面積係與亮燈期間成正比）。 於第180(a)圖中，使R顯示領域53R與G顯示領域53G 之面積相同。又，使B顯示領域53B之面積較G顯示領域 53G大。於有機EL顯示面板中，B的發光效率多半不佳。 131 1264691 玖、發明說明 如第180(a)圖所示，藉由使B顯示領域53B較其他色彩之 顯示領域53更大，可高效率地取得白平衡。 第180(b)圖係1欄（幀）期間内，B顯示領域53B為多 數（53B1、53B2)之實施例。第180(a)圖係改變1個B顯示 5 領域53B之方法，且藉由改變可好好地調整白平衡。第 180(b)圖則藉由顯示多數同一面積之B顯示領域53B，而 使白平衡良好。 本發明之驅動方式並不限於第180(a)圖與第180(b)圖 中任一者，而是以藉由產生R、G、B之顯示領域53，又 10 ，進行間歇顯示，結果，可因應動晝模糊並改善對像素16 之寫入不足為目的。此外，於第16圖之驅動方法中，不會 發生R、G、B為獨立的顯示領域53之情形。RGB係同時 顯示（應表現為顯示W顯示領域53)。此外，當然亦可組合 第180(a)圖與第180(b)圖。例如可實施改變第180(a)圖之 15 RGB顯示面積53，且產生多數第180(b)圖之RGB顯示領 域53之驅動方法。 又，第179圖至第180圖之驅動方式並不限於第174 圖至第178圖之本發明的驅動方式。若為第41圖所示可以 每RGB地來控制流向EL元件15(EL元件15R、EL元件 20 15G、EL元件15B)之電流之構造，則當然可輕易地實施第 80圖、第81圖之驅動方式。若如第41圖所示，為可每 RGB控制流向EL元件15(EL元件15R、EL元件15G、EL 元件15B)之電流之構造，則當然可輕易地實施第179圖、 第180圖之驅動方式。藉由於閘極信號線17bR施加開啟 132 1264691 玖、發明說明 關閉電壓，可開關控制素16R。藉由於閘極信號線 17bG施加開啟關閉電壓，可開關控制G像素i6G。藉由於 閘極仏唬線17bB施加開啟關閉電壓，可開關控制b像素 16B 〇 5 又，為了實現上述驅動，如第181圖所示，形成或配 置用以控制閘極^號線17bR之閘極驅動電路12bR、用以 控制閘極信號線17bG之閘極驅動電路12bG及用以控制閘 極信號線17bB之閘極驅動電路12bB即可。藉由以第6圖 等所况明之方法來驅動第181圖之閘極驅動電路i2bR、 12bG及12bB，可實現第179圖、第18〇圖之驅動方法。 當然，以第181圖之顯示面板的構造亦可實現第16圖之驅 動方法等。 又，若藉第174圖至第177圖之構造而為於改寫圖像 資料之像素16以外的像素16改寫暗圖像資料之方式，則 15即使不分成用以控制EL元件15R之閘極信號線mR、用 以控制EL元件15G之閘極信號線17bG及用以控制el元 件15B之閘極信號線17bB，而為於RGB像素共用之間極 信號線17b，亦可實現第179圖、第18〇圖之驅動方式。 於第15圖、第18圖、第21圖等中，業已說明間極信 20號線17b(EL側選擇信號線）以1水平掃瞄期間（1H)為單位 ，而施加開啟電壓（vgi)、關閉電壓（Vgh)。但，EL元件15 之發光量當所流過之電流為定電流時，則與所流過之時間 成正比。因此，所流過之時間無須限定於1H單位。 第194圖為l/4duty驅動。4H期間中1H期間内，於 133 1264691 玖、發明說明 閘極is號線17b(EL侧選擇信號線）施加開啟電壓，且與水 平同步信號（HD)同步掃猫施加開啟電壓之位置。因此，開 啟期間為1H單位。 但，本發明並不限於此，亦可如第197圖所示，設為 5未滿1Η(第197圖為1/2H)，又，亦可設為1H以上。即， 亚不限於1H單位，發生1H單位以外亦是容易的。可利用 形成或配置於閘極驅動電路12b(為用以控制閘極信號線 17b之電路）之輸出段的〇EV2電路。 為了導入輸出賦能（OVE)之概念，規定如下。藉由進 ίο行oev控制，於！水平掃瞎期間⑽以内可於像素16將 開關電壓（vgi電壓、Vgh電壓）施加於閘極信號線17狂、 17b ° 為了谷易4明，於本發明之顯示面板中，以用以選擇 進行電机私式化之像素行的閘極信號線^(第^圖之情形） 作兄月。又，將用以控制閘極信號、線17a之閘極驅動電路 仏的輸出稱作WR側選擇信號線。以選擇EL元件15之 間極信號線!圖之情形）作說明。又，將用以控制間 〇』、友％之閘極驅動電路12b的輸出稱作EL·側選擇 信號線。
r 1極驅動電路12係輸入起始脈衝，且所輸入之起始脈 衝作為保持資料依序於移位暫存器内移位。藉由閘極驅動 “ 之移位暫存裔内的保持資料，來決定輸出至WR 1 n線之電壓為開啟電壓㈤）或關電壓（¥)。 動電路12a之輸出段則形成或配置有強制 134 Ϊ264691 玖、發明說明 性地使輸出關閉之〇EV1電路（未圖示）。當〇evi電 位準時，則將閘極驅動電路12a之輪 ’、、、 獅出之WR側選擇信號 5 10 原封不動地輸出至閉極信號線17a。若邏輯性地顯示上述 關係’則成為帛224⑷圖之關係。此外，將開啟電壓 邏輯位準之L(G)，且將關閉電壓設為邏輯電壓之η⑴。’"、 即，當間極驅動電路12a輸出關閉電屢時，於閑極传 號線W則施加關刪。而當間極驅動電路輸㈣ 啟電壓（邏輯上為L位準）時，關⑽電路而利用 電路之輸出與OR而輪出至間極信號線17a。即，〇evi電 路於Η位準時，將輪出至間極信號線…之電塵設為關閉 電壓（Vgh)(參照第224圖之時點圖的例子）。 藉由間極驅動電路12b之移位暫存器内之保持資料， 來决疋輸出至閘極信號線17b(EL側選擇信號線）之電麼為 開啟電愿㈤）或關閉電塵（Vgh)。再者，於間極驅動電路 b 12b之輸出段則形成或配置有強制性地使輸出關閉之卿2 電路（未圖不）。當OEV2電路為L位準時則將閘極驅動 電路12b之輸出原封不動地輸出至間極信號線17b。若邏 輯性地顯示上述關係’則成為第224⑷圖之關係。此外， 將開啟電壓設為邏輯位準之L(〇)，且將關閉電壓設為邏輯 20 電壓之H(l)。 即，當閘極驅動電路12b輸出關閉電壓時（EL側選擇 信號為關閉電壓)，於閘極信號線17b則施加關閉電壓。而 當閘極驅動電路12b輪出開啟電壓（邏輯上為[位準）時， 則藉OR電路而利〇EV2電路之輸出與〇R而輸出至間 135 1264691 玖、發明說明 極信號線17b。即，OEV2電路於輸入信號為Η位準時， 將輸出至閘極信號線17b之電壓設為關閉電壓（Vgh)。因此 ，即使EL側選擇信號藉由OEV2電路而為開啟電壓輸出 狀態，強制性地輸出至閘極信號線17b之信號亦成為關閉 5 電壓。此外，若0EV2電路之輸入為L，則EL側選擇信號 會以直通的方式輸出至閘極信號線17b(參照第224圖之時 點圖的例子）。 又，藉由0EV2之控制來調整畫面亮度。依畫面亮度 而可變化之亮度有其容許範圍。第223圖係顯示容許變化（ 10 %)與畫面亮度（nt)之關係。由第223圖可知，在較暗的圖 像上，其容許變化量較小。因此，依OEV2所進行之控制 或依duty比控制而進行之畫面50的亮度調整係考慮畫面 50之亮度來控制，且依控制而產生之容許變化使畫面暗時 較亮時為小。 15 第195圖顯示閘極信號線17b(EL側選擇信號線）之開 啟時間不以1H為單位。奇數像素行之閘極信號線17b(EL 侧選擇信號線）於未滿1H之期間施加開啟電壓。偶數像素 行之閘極信號線17b(EL侧選擇信號線）則於極短的期間施 加開啟電壓。又，使將施加於奇數像素行之閘極信號線 20 17b(EL側選擇信號線）之開啟電壓時間T1與施加於偶數像 素行之閘極信號線17b(EL側選擇信號線）之開啟電壓時間 T2相加之時間為1H期間。將第195圖視為第1欄之狀態 〇 於第1攔之接著的第2欄中，偶數像素行之閘極信號 136 1264691 玖、發明說明 線17b(EL側選擇信號線）於未滿1H之期間施加開啟電壓 。奇數像素行之閘極信號線17b(EL側選擇信號線）則於極 短的期間施加開啟電壓。又，使將施加於偶數像素行之閘 極信號線17b(EL侧選擇信號線）之開啟電壓時間T1與施加 5 於奇數像素行之閘極信號線17b(EL侧選擇信號線）之開啟 電壓時間T2相加之時間為1H期間。 如上所述，可使多數像素行之施加於閘極信號線17b 之開啟時間的和一定，又，亦可於多欄使各像素行之EL 元件15的亮燈期間一定。 10 第196圖係將閘極信號線17b(EL侧選擇信號線）之開 啟時間設為1.5H。又，A點上之閘極信號線17b(EL側選 擇信號線）的上升與下降呈重疊狀態。閘極信號線17b(EL 側選擇信號線）與源極信號線18呈耦合狀態。因此，若閘 極信號線17b(EL側選擇信號線）之波形改變，則波形之變 15 化會衝穿源極信號線18。若因該衝穿而於源極信號線18 發生電位變動，則電流（電壓）程式化之精度會下降，且顯 現出驅動用電晶體11 a之特性不均。 於第196圖中，在A點上，閘極信號線17b(EL侧選 擇信號線）（1)從開啟電壓（Vgl)施加狀態變化為關閉電壓 20 (Vgh)施加狀態。閘極信號線17b(EL側選擇信號線）(2)則從
關閉電壓（Vgh)施加狀態變化為開啟電壓（Vgl)施加狀態。 因此，於A點上，閘極信號線17b(EL側選擇信號線）（1)之 信號波形與閘極信號線17b(EL侧選擇信號線）(2)之信號波 形會抵銷。故，即使源極信號線18與閘極信號線17b(EL 137 1264691 玖、發明說明 側ϋ擇線）主輕合狀態，閘極信號線侧選擇信 號線）之波形變化亦不會衝穿源極信1線18。因此，可^ 到良好的電流（電壓）程式化精度，而可實現均—的圖像顯 示。 5 此外，第196圖係開啟時間為15H之實施例。但，本 發明並不限於此，如第198圖所示 之施加時間設為1H以下。 當然亦可將開啟電壓 藉由凋整將開啟電壓施加於閘極信號線丨7b(EL側選擇 信號線）之期間，可線性地調整顯示晝面5〇之亮度。此事 10項藉由控制〇EV2電路可輕易地實現。例如，於第199圖 中，第199(b)圖之顯示亮度較第199(a)圖低，又，第 199(c)圖之顯示亮度則較第199(b)圖低。 又，如第200圖所示，亦可於1H期間内設多次施加 開啟電壓之期間與施加關閉電壓之期間的組。第2〇〇(勾圖 15為設6次之實施例，而第200(b)圖為設3次之實施例，又 ，第200(c)圖為設1次之實施例。於第2〇〇圖中，第 200(b)圖之顯示亮度較第200(a)圖低。又，第2〇〇(c)圖之顯 示亮度較第200(b)圖低。因此，藉由控制開啟期間之次數 ，可輕易地調整（控制）顯示亮度。 2〇 本發明之N倍脈衝驅動的課題中，雖然施加於el元 件15之電流是瞬間性的，但與過去相較之下，有 > 大n 倍之問題。若電流大，則有減少EL元件之壽命的情形。 為了解決該課題’於EL元件15施加逆偏壓電壓η有 效的。 138 1264691 玖、發明說明 若施加逆偏壓電壓，則會施加逆方向電流，因而所注 入之電子及電洞會分別被陰極及陽極吸引。藉此，因解除 有機層中之空間電荷形成，且抑制分子之電化學性劣化， 而可增長壽命。 5 第45圖係顯示逆偏壓電壓Vm與EL元件15之端子 電壓的變化。該端子電壓係將額定電流施加於El元件15 時之電壓。第45圖係流入EL元件15之電流為電流密度 loo/A平方公尺之情形，但第45圖的情形與電流密度 50〜100/A平方公尺的情形幾乎沒有差異。因此，推定其可 10適用於大範圍之電流密度。 縱轴係2500小時後之端子電壓與初期的EL元件15 之端子電壓的比。例如，若在經過時間為〇小時時，施加 電流密度100A/平方公尺之電流後的端子電壓為8(v)，而 在經過蚪間為2500小時時，施加電流密度ι〇〇Α/平方公尺 15之電流後的端子電壓為1〇(v)，則端子電壓比為ι〇/8=ι·25 〇 検軸係逆偏壓電壓▽㈤與丨週期内施加逆偏壓電壓後 之時間ti的乘積相對於額定端子電壓vq之比。例如，若 乂 60Hz(60Hz無特別意思）施加逆偏壓電壓Vm之時間為 1/2(一半）’則U==0·5。而，t2為定格端子電壓之施加時間 又若在經過時間為0時，施加電流密度ι〇〇Α/平方公 尺之電流後的端子電壓（額定端子電壓）為8(v)，且將逆偏 壓電壓Vm設為一 8(v)，則逆偏壓電壓X u丨/(額定端子 電壓X t2卜卜 8(V)x〇.5 | /(8(V)x〇.5)=l.〇。 139 1264691 玖、發明說明 根據第45圖，若|逆偏壓電壓X tl | /(額定端子電壓 X t2)為1·〇以上，則端子電壓比沒有改變（從初期的額定端 子電壓即未改變）。可充分發揮因施加逆偏壓電壓Vm而產 生之效果。但，若|逆偏壓電壓X tl | /(額定端子電壓X t2) 5 為丨·75以上，則端子電壓比有增加的傾向。因此，決定逆 偏壓電壓Vm的大小及施加時間比tl (或t2，或者tl與t2 之比率）’以達成|逆偏壓電壓>< tl | /(額定端子電壓X t2) 為1.0以上。又，更理想的是決定逆偏壓電壓Vm的大小 及施加時間比tl等，以達成|逆偏壓電壓x tl | /(額定端 10 子電壓X t2)為1·75以下。 但，當進行偏壓驅動時，必須交互地施加逆偏壓Vm 與額疋電流。若欲如第46圖所示使樣本A與B之每單位 時間的平均亮度相等，則施加逆偏壓電壓時必須較未施加 時瞬間流過較高電流。因此，施加逆偏壓電壓Vm時（第46 15圖之樣本A)之EL元件15的端子電壓亦變高。 然而，於第45圖施加逆偏壓電壓之驅動方法中，所謂 額定端子電壓V0亦設為滿足平均亮度之端子電壓（即，使 EL το件15亮燈之端子電壓）(若根據本說明書之具體例， 則為施加電流密度100A/平方公尺之電流後的端子電壓。 20 但，由於是H2功率，故1调4日夕亚仏丄 V千筑1週期之千均觉度為電流密度 200A/平方公尺時之亮度）。 -般而言，當進行影像顯示時，施加於各el元件15 之電流（所流過之電流）約為白峰值電流（為額定端子電壓時 所流過之電流。根據本說明書之具體例，為電流密度 140 1264691 玖、發明說明 100A/平方公尺之電流）的〇.2倍。 因此，於第45圖之實施例中，進行影像顯示時必須於 橫軸的值乘上〇·2。因此，決定逆偏壓電壓Vm的大小及施 加時間比tl(或t2，或者tl與t2之比率等），以達成|逆偏 5壓電壓x U丨/(額定端子電壓X t2)為0.2以上。又，更理想 的是決定逆偏壓電壓Vm的大小及施加時間比u等，以達 成丨逆偏壓電壓X tl | /(額定端子電壓χ 12)為175χ 〇·2 = 0·35以下。 即，於第45圖之橫軸（|逆偏壓電壓χ u | /(額定端子 10電壓X t2))，必須將L0之值設為0.2。因此，當於顯示面 板顯示衫像（通常為此使用狀態，而並非常時顯示亮閃光） 時，施加逆偏壓電壓Vm預定時間u，使丨逆偏壓電壓χ tl I /(額定端子電壓X t2)大於〇·2。又，即使丨逆偏壓電壓 X tl I /(額定端子電壓X t2)之值變大，如第45圖所示，端 15子電壓比之增加亦不會變大。因此，上限值亦考慮到實施 壳閃光顯不之情形，而I逆偏壓電壓X tl丨/(額定端子電壓 χ t2)之值滿足1.75以下即可。 以下，一面參照圖式，一面就本發明之逆偏壓方式作 說明。於逆偏壓驅動之像素構造中，如第47圖所示，將電 20曰曰體Ug設為N通道，當然，亦可設為P通道。 於第47圖中，藉由使施加於閘極電位控制線473之電 壓較施加於逆偏壓線471之電壓高，電晶體llg(N)開啟， 於EL元件15之陽極電極施加逆偏壓電壓乂瓜。 又，第47圖之像素構造等中，亦可使閘極電位控制線 141 1264691 玖、發明說明 473常時電位固定而動作。例如，於第47圖中，當％電 壓為〇(v)時，則將閘極電位控制線473之電位設為〇(ν)以 上（更理想的是設為2(V)以上）。此外，將該電位設為Μ 。於該狀態下，若將逆偏壓、線471之電位設為逆偏壓電壓 5 Vm(〇00以下，更理想的是設為較Vk小一 5(v)以上之電壓 )’則電晶體11_開啟，且於EL元件15之陽極施加逆 偏壓電壓Vm。若使逆偏壓線471之電壓較閘極電位控制 線473之電壓（即，電晶體Ug之閘極⑹端子電壓）高，則 由於電晶體iig為關閉狀態，故逆偏壓電壓Vm不會施加 10於EL元件15。當然，此狀態下，亦可將逆偏壓線仍設 為高阻抗狀態（打開狀態等）。 又，亦可如帛48圖所示，另外形成或配置用以控制逆 偏壓線471之閘極驅動電路12c。閘極驅動電路i2c係與 閘極驅動電路12a同樣地依序進行移位動作，且與移位動 15 作同步而移位施加逆偏壓電壓之位置。 於上述驅動方法中，電晶體llg之閘極（G)端子電位固 定，而只要藉由改變逆偏壓線471之電位，則可於EL元 件15施加逆偏壓電壓Vm。因此，逆偏壓電壓Vm之施加 控制是容易的。 2〇 又，逆偏壓電壓Vm之施加係在未使電流流入元 件15時進行。因此，可在電晶體ud未開啟時，藉由開啟 電晶體llg來進行。即，可將電晶體lld之開關邏輯電壓 的逆電壓施加於閘極電位控制線473。例如，於第47圖中 ，可將電晶體lid及電晶體ilg之閘極端子連接於閘極 142 !26469l 玖、發明說明 信號線17b。由於電晶體Ud a ^ 馬P通迢，而電晶體 N通道，故開關動作會相反。 第49圖係逆偏壓驅動之時點圖。此外，圖中⑴⑽ 5尾置係表示像素行。雖然為了容易說明’而以⑴表示第！ 素仃且以（2)表不第2像素行來作說明但並不限於此 ，亦可認為⑴表示第N像素行，而(2)表示第(n+i)像素行 。上述事項在其他實施例除了特例以外亦相同。又，於第 2圖等之實_中’雖然以第i圖等之像素構造為例來作 -兄明，但亚不限於此’例如，於帛41圖第Μ圖等之像 1〇 素構造亦可適用。 S於第1像素行之閘極信I線17a⑴施加開啟電壓 (Vgi)時，於第i像素行之閘極信號線I7b⑴則施加關閉電 壓（Vgh)。即’電晶體lld關閉，且EL㈣15中沒有電流 流動。 15 於逆偏壓線471(1)係施加Vsl電壓（開啟電晶體llg之 電壓）。因此，電晶體Ug開啟，且於EL元件15施加逆偏 壓電壓。逆偏壓電壓係在於閘極信號線1?b施加關閉電壓 (Vgh)後，於預定期間（出之1/2〇〇以上的期間，或者〇 5# sec)後施加逆偏壓電壓。又，在於閘極信號線nb施加開 20啟電壓（Vgl)之預定期間（1H2 1/200以上的期間，或者〇·5 // sec)韵關閉逆偏壓電壓，此係由於要避免電晶體1 id與 電晶體llg同時開啟之故。 於下一水平掃瞄期間（1H)係於閘極信號線17a施加關 閉電壓（Vgh)，且選擇第2像素行。即，於閘極信號線 143 1264691 玫、發明說明 17a(2)施加開啟電壓。另一方面，於閘極信號線i7fc施加 開啟電壓（Vgl)，且電晶體lld開啟，並且電流從電晶體 11a流向EL元件15，而使EL元件15發光。又，於逆偏 壓線471(1)施加關閉電壓（Vgh)，且不於第卫像素行⑴之 5 EL元件15施加逆偏壓電壓。於第2像素行之逆偏壓線 471(2)則施加Vsl電壓（逆偏壓電壓）。 藉由依序反覆上述動作，1畫面之圖像會改寫。上述 實施例係在於各像素進行程式化之期間内施加逆偏壓電壓 之構造。但，第48圖之電路構造並不限於此，清楚的是亦 10可於多數像素行連續施加逆偏壓電壓。又，清楚的是亦可 與區塊驅動（參照弟40圖）或]Sf倍脈衝驅動、重設驅動、假 像素驅動組合。 又，逆偏壓電壓之施加並不限於在圖像顯示之途中實 施，亦可構成為在EL·顯示裝置之電源關閉後，於一定期 15 間内施加逆偏壓電壓。 雖然上述實施例為第1圖之像素構造的情形，但於其 他構造當然亦可適用第38圖、第41圖等施加逆偏壓電壓 之構造。例如’第50圖為電流程式化方式之像素構造。 第50圖係電流鏡之像素構造。電晶體lld在選擇該像 素的1H(1水平掃瞄期間，即，1像素行）以上之前開啟， 更理想的是在3H之前開啟。若設為3H前，則在3H前電 晶體lid開啟，且電晶體lla之閘極（G)端子與汲極（D)端 子短路。因此，電晶體11a關閉。如此一來，電流不會流 向電晶體Ub，而EL元件15成為非亮燈。 144 1264½ i 玖、發明說明 當EL元件15為非亮燈狀態時，電晶體11 g開啟，且 於EL元件15施加逆偏壓電壓。因此，逆偏壓電壓於電晶 體11 d開啟之期間進行施加。故，邏輯上電晶體11 d與電 晶體llg會同時開啟。 電晶體1 lg之閘極（G)端子係施加Vsg電壓而固定。藉 由將較Vsg電壓小很多的逆偏壓電壓施加於逆偏壓線471 ’電晶體llg開啟。 而後，一旦前述於該像素施加（寫入）影像信號之水平 掃猫期間到來’則於閘極信號線17al施加開啟電壓，而電 晶體11c開啟。因此，從源極驅動電路14輸出至源極信號 線18之影像信號電壓會施加於電容器19(電晶體ud係維 持開啟狀態）。 一旦開啟電晶體1 id，則成為暗顯示。電晶體丨ld之 15 20 開啟期間佔1攔（1幀）期間愈長，暗顯示期間之比例則愈長 。因此，即使暗顯示期間存在，為了使丨攔^幀）之平均亮 度為所希望之值，故亦必須提高顯示期間之亮度。即，必 須增加顯示期間内流人EL元件15之電流。該動作係本發 明之N倍脈衝驅動。因此，組合N倍脈衝驅動與開啟電晶 體lid而成為暗顯示之驅動係本發明之一項具特徵之動作 。又’在EL το件15為非亮燈狀態τ，將逆偏壓電壓施加 於EL兀件15係本發明具特徵之構造（方式）。 Ν倍脈衝驅動係1攔（1 +貞）期間内，即使-度暗顯示， 亦可再度使預定電流(經程式化之電流(根據保持於電容器 19之電壓））流入el元件 15。但，於第5〇圖之構造中 若 145 1264691 玖、發明說明 一度開啟電晶體lld，則由於電容 合口σ 19之電荷會放電（包 以幻，故無法使預定電流（經程式化之電流）流入虹元 件15。但有電路動作較容易之特徵。 另’雖然上述實施例係像素為電流程式化之像素構造 ，但，本發明並不限於此，亦可適用於如第38圖第50 圖之其他電流方式的像素構造。又，第51圖、第54圖、 第62圖所示之電壓程式化的像素構造亦可適用。 第51圖—般而言係最簡單的電壓程式化之像素構造。 電晶體lib為選擇開關元件，而電晶體Ua為將電流施加 10 於EL元件15之驅動用電晶體。該構造中，於证元件15 之陽極配置(形成)有逆偏壓電壓施加用電晶體(開關元件 )iig。 於第51圖之像素構造中，流入EL元件15之電流係 施加於源極信號線18，且藉由選擇電晶體llb，而施加於 15電晶體11a之閘極（G)端子。 首先，為了說明第51圖之構造，利用第52圖針對基 本動作來作說明。第51圖之像素構造係所謂電壓偏移補償 之構造，且以初期化動作、重設動作、程式化動作、發光 動作四階段來動作。 〇 於水平同步信號（HD)後實施初期化動作。於閘極信號 線17b施加開啟電壓，而電晶體llg開啟。又，於閘極信 號線17a亦施加開啟電壓，而電晶體llc開啟。此時，於 源極信號線18則施加Vdd電壓。因此，於電容器19b之a 端子會施加Vdd電壓。此狀態下，驅動用電晶體lla開啟 146 1264691 玖、發明說明 ，且於EL元件15流過些許電流。因該電流，驅動用電晶 體11a之汲極（D)端子會成為至少較電晶體lla之動作點大 之絕對值的電壓值。 接著，實施重設動作。於閘極信號線17b施加關閉電 5壓，而電晶體lle關閉。另一方面，於閘極信號線17c施 加開啟電壓T1期間，而電晶體1 lb開啟。該τΐ期間為重 設期間。又，於閘極信號線17a則連續施加開啟電壓iH 期間。此外，T1宜為1H期間之20%以上90%以下之期間 ’或者為20/z sec以上160//sec以下之時間。又，電容器 10 19b(Cb)與電容器19a(Ca)之電容比率宜為cb : Ca= 6 : 1 以上1 : 2以下。 於重設期間内，由於開啟電晶體丨lb，驅動用電晶體 lla之閘極（G)端子與汲極（D)端子間會短路。因此，電晶體 lla之閘極（G)端子電壓與汲極（D)端子電壓會相等，且電晶 15體lla會成為偏移狀態（重設狀態··電流不流動之狀態）。 該重5又狀態係電晶體11 a之閘極（G)端子成為開始使電流流 動之開始電壓附近之狀態。維持該重設狀態之閘極電壓係 保持於電容器19b之b端子。因此，於電容器19則保持有 偏移電壓（重設電壓）。 20 接著之程式化狀態下，於閘極信號線17c施加關閉電 壓’而電晶體lib關閉。另一方面，於源極信號線π則施 加DATA電壓Td期間。因此，於驅動用電晶體lla之閘極 (G)端子則施加已加上〇αΤΑ電壓+偏移電壓（重設電壓）之 電壓。如此一來，驅動用電晶體lla會使經程式化之電流 147 1264691 玖、發明說明 流動。 在程式化期間後，於閘極信號線17a係施加關閉電壓 ，而電晶體11c呈關閉狀態，且驅動用電晶體lla則與源 極信號線18分開。又，於閘極信號線17c亦施加關閉電壓 5 ，而電晶體nb關閉，且該關閉狀態維持1F期間。另一方 面’於閘極信號線17b ^因應所需週期性地施加開啟電壓 與關閉電壓。即’藉由與第13圖、第15圖等脈衝驅 動等組合，或者與交錯驅動組合，可實現良好的圖像顯示 〇 10 於第52圖之驅動方式中，在重設狀態下，電晶體lla 之開始電流電壓（偏移電壓、重設電壓）係保持於電容器 。因此，該重設電壓施加於電晶體lla之閘極（G)端子時為 最暗的暗顯不狀態。但，因源極信號線18與像素16之耦 合、朝電容器19之衝穿電壓或者電晶體之衝穿，會產生泛 15白（對比下降）的現象。因此，於第53圖所說明之驅動方法 中’無法提高顯示對比。 為了將逆偏壓電壓Vm施加於EL元件15，必須關閉 電晶體lla。而為了關閉電晶體na，可使電晶體lu之源 極端子與閘極（G)端子間短路。關於該構造，在後面會利用 2〇 第53圖作說明。 又，亦可於源極信號線丨8施加vdd電壓或用以關閉 電晶體lla之電壓，且開啟電晶體nb而將該電壓施加於 電晶體lla之閘極（G)端子。因該電壓，電晶體丨以關閉（ 或者呈幾乎沒有電流流過之狀態（略關閉狀態··電晶體lla 148 1264691 玖、發明說明 為高阻抗狀態））。而後，開啟電晶體llg，且於EL元件15 施加逆偏壓電壓。 接著，就第51圖之像素構造的重設驅動作說明。第 53圖為其實施例。如第53圖所示，連接於像素l6a之電 5晶體llc的閘極（G)端子之閘極信號線17a亦連接於下一段 像素16b之重設用電晶體ub的閘極（G)端子。同樣地，連 接於像素16b之電晶體iie的閘極⑹端子之閘極信號線 17a則連接於下一段像素16c之重設用電晶體的閘極 (G)端子。 1〇 因此，若於連接於像素之電晶體iic的閘極端 子之閘極信號線l7a施加開啟電壓，則像素16a會成為電 壓程式化狀態，同時下一段像素16b之重設用電晶體m 開啟，且像素16b之驅動用電晶體11a成為重設狀態。同 樣地，右於連接於像素16b之電晶體Uc的閘極（G)端子之 15閘極信號線17a施加開啟電壓，則像素會成為電流程 式化狀悲’同時下一段像素16c之重設用電晶冑llb開啟 ，且像素16c之驅動用電晶體11a成為重設狀態。因此， 可輕易地實現依前段閘極控制方式而進行之重設驅動。又 ，可減少各像素之引出閘極信號線的數量。 '〇 更詳細地說明之。如第53⑷圖所示，於閘極信號線 17知加電壓。即，於像素16a之閘極信號線17a施加開啟 電壓’且於其他像素16之閘極信號線I”施加關閉電壓。 又’間極信號線17b於像素16a、161)係施加關閉電壓，而 於像素16c、16d則施加開啟電壓。 149 1264691 玖、發明說明 此狀態下，像素16a為電壓程式化狀態且為非亮燈， 像素16b為重設狀態且為非亮燈，像素16c為程式電流之 保持狀態且為亮燈，而像素16d為程式電流之保持狀態且 為亮燈狀態。 5 於1H後，控制用閘極驅動電路12之移位暫存器電路 61内的資料會移位1位元，而成為第53(b)圖之狀態。第 53(b)圖之狀態係像素16a為程式電流保持狀態且為亮燈， 像素16b為電流程式化狀態且為非亮燈，像素16c為重設 狀態且非為亮燈，而像素16d為程式保持狀態且為亮燈狀 10 態。由上述情形可知，各像素藉由前段所施加之閘極信號 線17a的電壓，而重設下一段像素之驅動用電晶體11a， 且於下一水平掃瞄期間依序進行電壓程式化。 第43圖所示之電壓程式化的像素構造亦可實現前段閘 極控制。第54圖係將第43圖之像素構造構成為前段閘極 15 控制方式之連接之實施例。 如第54圖所示，連接於像素16a之電晶體lib的閘極 (G)端子之閘極信號線17a係連接於下一段像素16b之重設 用電晶體lie的閘極（G)端子。同樣地，連接於像素16b之 電晶體lib的閘極（G)端子之閘極信號線17a則連接於下一 20 段像素16c之重設用電晶體lie的閘極（G)端子。 因此，若於連接於像素16a之電晶體lib的閘極（G)端 子之閘極信號線17a施加開啟電壓，則像素16a會成為電 壓程式化狀態，同時下一段像素16b之重設用電晶體lie 開啟，且像素16b之驅動用電晶體11a成為重設狀態。同 150 1264691 玖、發明說明 樣地，若於連接於像素16b之電晶體ub的閘極（G)端子之 閘極信號線17a施加開啟電壓，則像素16b會成為電壓程 式化狀態，同時下一段像素16c之重設用電晶體lle開啟 ，且像素16c之驅動用電晶體Ua成為重設狀態。因此， 5可輕易地實現依前段閘極控制方式而進行之重設驅動。 更詳細地說明之。如第55⑷圖所示，於閘極信號線 17施加龟壓即，於像素16a之閘極信號線17a施加開啟 電壓，且於其他像素16之閘極信號線丨7a施加關閉電壓。 又，所有逆偏壓用電晶體llg皆為關閉狀態。 1〇 此狀態下，像素16&為電壓程式化狀態，像素16b為 重設狀態，像素16c為程式電流之保持狀態，而像素l6d 為程式電流之保持狀態。 於1H後，控制用閘極驅動電路12之移位暫存器電路 61内的資料會移位丨位元，而成為第55(1))圖之狀態。第 15 55(b)圖之狀態係像素16a為程式電流保持狀態，像素16b 為電流程式化狀態，像素16c為重設狀態，而像素i6d為 程式保持狀態。 由上述情形可知，各像素藉由前段所施加之閘極信號 線17a的電壓，而重設下一段像素之驅動用電晶體iia， 20且於下一水平掃瞄期間依序進行電壓程式化。 電流驅動方式中，完全暗顯示時，於像素之驅動用電 晶體11程式化之電流為0。即，從源極驅動電路14沒有 電流流出。若電流沒有流出，則無法充放電於源極信號線 18產生之可生電容，而無法改變源極信號線18之電位。 151 1264691 玖、發明說明
W且以完全亮顯示為第63灰階（64灰階顯示時）。關於預充電 則在之後詳細地作說明。 因此，驅動用電晶體之閘極電位亦不會變化 )(1F)前之電位會繼續儲存於電容器Μ。例女 為亮顯示’而下一幀為完全暗顯示， 以下，就本發明之電流驅動方式之源極驅動1(：(電路 )14作說明。本發明之源極驅動IC係為了實現前述本發明 之驅動方法、驅動電路而使用，又，係與本發明之驅動方 15法、驅動電路、顯示裝置組合而使用。此外，雖然以ic晶 片來作况明，但並不限於此，當然亦可利用低溫多晶矽技 術等而製作於顯示面板上。 首先，於第72圖顯示習知電流驅動方式之驅動電路的 一例。但’第72圖係用以說明本發明電流驅動方式之源極 20驅動1C(源極驅動電路）之原理圖。 第72圖中，721為d/a變換器。於D/A變換器721 係輸入n位元之資料信號，且根據所輸入之資料，從D/A 變換輪出類比信號。該類比信號係輸入運算放大器722 。來自運算放大器722之信號則輸入Ν通道電晶體631a， 152 1264691 玖、發明說明 而流向電晶體63 1 a之電流則流向電阻691。電阻R之端子 電壓成為運算放大器722之一輸入，而該一端子之電壓與 運算放大器722之+端子則為同一電壓。因此，D/A變換 器721之輸出電壓成為電阻691之端子電壓。 5 若電阻691之電阻值為1ΜΩ，且D/A變換器721之 輸出為1(V)，則於電阻691會流過1(ν)/1ΜΩ二1(//A)之 電流，且成為定電流電路。因此，依照資料信號之值， D/A變換器721之類比輸出會改變，且根據該類比輸出之 值，預定電流會流向電阻691，而成為程式電流Iw。 10 但，D/A變換器721之電路規模大。又，運算放大器 722之電路規模亦大。若於一輸出電路形成D/A變換器 721與運算放大器722，則源極驅動IC14之尺寸會很大。 因此，實用上是不可能製作的。 本發明有鑑於此點，故，本發明之源極驅動電路14具 15 有可使電流輸出電路之規模小型化，且將電流輸出端子間 之輸出電流不均盡可能縮到最小限度之電路構造、佈置構 造。 於第63圖顯示本發明電流驅動方式之源極驅動1C(電 路）14的構造圖。第63圖顯示舉例而言將電流源設為3段 20 構造（631、632、633)時之多段式電流鏡電路。 第63圖中，第1段電流源631之電流值係藉由電流鏡 電路複製至N個（但，N為任意整數）第2段電流源632。 再者，第2段電流源632之電流值則藉由電流鏡電路複製 至Μ個（但，Μ為任意整數）第3段電流源633。藉由該構 153 Ϊ264691 玖、發明說明 U、、Ό果第Μ又電流源631之電流值會複製至NxM個 弟3段電流源6 3 3。 例如，當於QCIF形式之顯示面板的源極信號線18以 1個驅動IC14驅動時’會成為176輸出（由於源極信號線 5在各RGB需要176輸出）。此時，將N設為16個，且將 Μ設為11個。因此，16χ 11=176，而可對應於I%輸出 。如此一來，藉由將Ν或Μ中其中一者設為8或16或者 其倍數’驅動1C之電流源的佈置設計會較容易。 於依本發明多段式電流鏡電路而進行之電流驅動方式 10之源極驅動1c(電路）14中，如上所述，由於並非直接藉電 流鏡電路將第1段電流源631之電流值複製至第3段電流 源633，而是在中間備有第2段電流源632，因此可吸收電 晶體特性之不均。 特別是本發明具有緊密地配置第1段電流鏡電路（電流 15 源631)與第2段電流鏡電路（電流源632)之特徵。若為第1 段電流源631至第3段電流源633(即，電流鏡電路之2段 構造），則與第1段電流源631相連接之第3段電流源633 的個數多，而無法緊密地配置第1段電流源631與第3段 電流源633。 20 如同本發明之源極驅動電路14，為將第1段電流鏡電 路（電流源631)之電流複製至第2段電流鏡電路（電流源 632)，且將第2段電流鏡電路（電流源632)之電流複製至第 3段電流鏡電路（電流源633)之構造。於該構造中，連接於 第1段電流鏡電路（電流源631)之第2段電流鏡電路（電流 154 1264691 玖、發明說明 源632)的個數少。因此，可緊密地配置第1段電流鏡電路（ 電流源631)與第2段電流鏡電路（電流源632)。 若可緊密地配置用以構成電流鏡電路之電晶體，則當 然電晶體之不均會變少，因而所複製之電流值的不均亦會 5 變少。又，連接於第2段電流鏡電路（電流源632)之第3段 電流鏡電路（電流源633)的個數亦變少。因此，可緊密地配 置第2段電流鏡電路（電流源632)與第3段電流鏡電路（電 流源633)。 即，整體而言，可緊密地配置第1段電流鏡電路（電流 10 源631)、第2段電流鏡電路（電流源632)、第3段電流鏡電 路（電流源633)之電流接收部的電晶體。因此，可緊密地配 置用以構成電流鏡電路之電晶體，因而電晶體之不均變少 ，且來自輸出端子之電流信號的不均會極為減少（精度高） 〇 15 又，雖然本例子中為求簡單以3段構造來說明多段式 電流鏡電路，但當然其段數愈大，電流驅動型顯示面板之 源極驅動IC14之電流不均則愈小。因此，電流鏡電路之段 數並不限於3段，亦可為3段以上。 於本發明中表現為電流源631、632、633 ’或者表現 20 為電流鏡電路，而該等皆同義，即，此係由於所謂電流源 係本發明之基本的構造概念，且若具體地構成電流源則成 為電流鏡電路之故。因此，電流源並不僅限於電流鏡電路 ，亦可如第72圖所示，為由運算放大器722及電晶體 631a及電阻R之組合所構成之電流電路。 155 1264691 玖、發明說明 第64圖係更具體之源極驅動1C(電路）14的構造圖。 第64圖係顯示第3電流源633的部分，即，為連接於1源 極信號線18之輸出部。由多數同一尺寸之電流鏡電路（電 流源634(1單位）)構成作為最後段之電流鏡構造，且其個數 5 對應於圖像資料之位元，且進行位元加權。 另，用以構成本發明源極驅動IC (電路）14之電晶體並 不限於MOS型，亦可為雙極型。又，並不限於矽半導體， 亦可為砷化鎵半導體，或者鍺半導體。又，亦可藉低溫多 晶矽等多晶矽技術、非晶矽技術直接形成於基板。 10 由第64圖可知，顯示6位元之數位輸入的情形作為本 發明之1實施例。即，由於是2的6次方，故為64灰階顯 示。藉由將該源極驅動IC14搭載於陣列基板，而紅（R)、 綠（G)、藍（B)各為64灰階，因此可顯示64x 64x 64二約 26萬色。 15 64灰階之情形係D0位元之單位電晶體634為1個， D1位元之單位電晶體634為2個，D2位元之單位電晶體 634為4個，D3位元之單位電晶體634為8個，D4位元 之單位電晶體634為16個，D5位元之單位電晶體634為 32個，故總計單位電晶體634為63個。即，本發明係將 20 灰階之表現數（此實施例之情形為64灰階）一 1個單位電晶 體634構成（形成）為1輸出。此外，即使1個單位電晶體 分割為多數伺服單位電晶體，亦單純只是單位電晶體分割 為伺服單位電晶體。因此，本發明與由灰階之表現數一1 個單位電晶體來構成並無差異（同義）。 156 1264691 玖、發明說明 第64圖中，DO表示LSB輸入，而D5表示MSB輸入 。當DO輸入端子為Η位準（正邏輯時）時，開關641a(為開 關機構。當然，亦可由單位電晶體構成，或者為組合P通 道電晶體與N通道電晶體之類比開關等）開啟。如此一來， 5 電流會朝用以構成電流鏡之電流源（1單位）634流動。該電 流會流向1C 14内之内部配線643。由於該内部配線643透 過IC14之端子電極而連接於源極信號線18，故流向該内 部配線643之電流會成為像素16之程式電流。 例如，當D1輸入端子為Η位準（正邏輯時）時，開關 10 641b開啟。如此一來，電流會朝用以構成電流鏡之2個電 流源（1單位）634流動。該電流會流向IC14内之内部配線 643。由於該内部配線643透過IC14之端子電極而連接於 源極信號線18，故流向該内部配線643之電流會成為像素 16之程式電流。 15 於其他開關641亦相同。當D2輸入端子為Η位準（正 邏輯時）時，開關641c開啟。如此一來，電流會朝用以構 成電流鏡之4個電流源（1單位）634流動。於D5輸入端子 ，當Η位準（正邏輯時）時，開關64If開啟。如此一來，電 流會朝用以構成電流鏡之32個電流源（1單位）634流動。 20 如上所述，電流係依照來自外部之資料（D0〜D5)，而 朝與其相對應之電流源（1單位）流動。因此，依照資料，構 成為電流流向0個至63個電流源（1單位）。 又，本發明為了容易說明，將電流源設為6位元之63 個，但並不限於此，當8位元時，亦可形成（配置）255個單 157 1264691 玖、發明說明 位電晶體634。又，當4位元時，亦可形成（配置）15個單 位電晶體634。用以構成單位電流源之電晶體634係設為 相同的通道寬度W、通道長度L。如此一來，藉由以相同 的電晶體來構成，可構成差異少之輸出段。 5 又，電流源634並不限於全部皆使同一電流流動，例 如，亦可加權各電流源634。例如，亦可摻雜丨單位之電 桃源634與2倍之電流源634與4倍之電流源634等而構 成電流輸出電路。但，若加權電流源634而構成，則可能 各所加權之電流源會不符合加權後之比例，而產生不均。 W因。此，即使進行加權時，各電流源亦宜藉由形成多個成為 1單位電流源之電晶體來構成。 15 20 用以構成單位電晶體634之電晶體的大小必須為一定 、上之大小。電Ba體尺寸愈小，輸出電流之不均則愈大。 所謂電晶體634的大小意指將通道長度[與通道寬度|相 乘之尺寸。例如，若W，m，而L = 4//m，則用以構成 1個單位電流源之電晶體634的尺寸為WxL==i2 丁 乃 /z m 。一般認為電晶體尺寸愈小不均則愈大係由㈣晶圓之处 晶界面的狀態有所影響之故。因此，若1個電晶體橫跨多° 數結晶界面而形成，則電晶體之輸出電流不均會變小。 >於第117圖顯示電晶體尺寸與輸出電流之不均的_ 。第117圖圖表之橫軸為電晶體尺寸(平方㈣，而縱軸為 以％表示輪出電流之不均。但，輸出電流之不均％係以63 個之組形成單位電流源（1個單位電晶體）634，且將該組形 成於多組晶圓上，而求出輪出電流之不均。因此，雖然圖 158 1264691 玖、發明說明 表的橫軸係以用以構成1個單位電流源之電晶體尺寸來圖 示，但由於實際上所並列之電晶體有63個，故面積為63 倍。但，本發明係以單位電晶體634之大小為單位來檢討 。因此，第117圖中顯示當形成63個3〇平方# m之單位 5電晶體634時’此時之輸出電流的不均為〇.5%。 64灰階時，輸出電流的不均為ι〇〇/64=ι 5%。因此 ’輸出電流不均必須在1 ·5%以内。由第117圖可知，為了 達成1.5%以下，單位電晶體之尺寸必須在2平方#爪以上 (64灰階係63個2平方之單位電晶體作動）。另一方面 10 ，在電晶體尺寸上有所限制。此係由於在IC晶片尺寸變大 之點與每一輸出之橫向寬度上有所限制之故。由此點看來 ，單位電晶體634之尺寸的上限為3〇〇平方。因此， 於64灰階顯示中，單位電晶體634之尺寸必須在2平方“ m以上300平方#m以下。 15 128灰階時’輸出電流的不均為100/128 = 1%。因此 ，輸出電流不均必須在1%以内。由第117圖可知，為了 達成1%以下，單位電晶體之尺寸必須在8平方以上 。因此，於128灰階顯示中，單位電晶體634之尺寸必須 在8平方//m以上3〇〇平方# m以下。 2〇 般而口，s將灰階數設為K，且將單位電晶體634 之大小設為St(平方//m)時，係滿足40SK//~(St)且Stg 300之關係。更理想的是滿足12(^K/，（St)x %3〇〇之 關係。 上述例子係64灰階中形成63個電晶體之情形。當以 159 1264691 玖、發明說明 127個單位電晶體634構成64灰階時，所謂單位電晶體 634之尺寸則為相加2個單位電晶體634之尺寸。例如， 64灰階中，若單位電晶體634之尺寸為1〇平方“爪，且形 成127個，則第117圖中，單位電晶體之尺寸必須設為 5 X 2 = 20攔。同樣地，64灰階中，若單位電晶體634之尺 寸為10平方，且形成255個，則第117圖中，單位電 晶體之尺寸必須設為10x 4 = 40攔。 單位電晶體634不僅大小，亦必須考慮形狀。此係為 了減少紐結的影響。所謂紐結意指在將單位電晶體634之 10閘極電壓維持於一定之狀態下，當改變單位電晶體咖之 源極（S)—汲極（D)電壓時，流向單位電晶體634之電流會 有所i：化之現象。在沒有紐結之影響時（理想狀態），即使 改變施加於源極⑻—汲極（D)間之電壓，流向單位電晶體 634之電流亦不會改變。 15 紐、、Ό的衫響會發生係當因第1圖等之驅動用電晶體 11a的Vt不均，而源極信號線18之電位相異時。驅動電 路14係使程式電流流人源極信號線18，以使程式電流流 向像素之驅動用電晶體lla。因該程式電流，驅動用電晶 體Ha之閘極端子電壓會改變，且程式電流會流向驅動用 20電晶體11a。由第3圖可知，當所選擇之像素16為程式化 狀悲時，驅動用電晶體lla之閘極端子電壓=源極信號線 18之電位。 因此’因各像素I6之驅動用電晶體Ua的vt不均， 源極信號線18之電位會不同。源極信號線18之電位係成 160 1264691 坎、發明說明 為驅動電路14之單位電晶體634的源極—沒極電塵。即， T像素16之驅動用電晶體⑴的vt不均，施加於單位電 晶體634之源極一汲極電壓會不同，且因該源極—汲極間 電摩，於單位電晶體634會產生因紐結而造成之輪出電流 5不均。 第118圖係將該現象圖表化。縱軸為將預定電壓施加 於閑極端子時之單位電晶體634的輸出電流。橫軸為源極 (S)〜汲極（D)間之電壓。L/w之L為單位電晶體634之通 道長度，而W為單位電晶體634之通道寬度。又，l、w 1〇為輪出1灰階份之電流的單位電晶體634之尺寸。因此， 田以夕數伺服單位電晶體輸出1灰階份之電流時，必須代 換成同等的單位電晶體634而算出W、L。基本上，係考 慮電晶體尺寸與輸出電流而算出。 當L/W為5/3時，即使源極—汲極電壓變高，輸出電 15流亦幾乎不變。但，當L/W為1/1時，則輸出電流會與源 極一汲極電壓大致成比例而增加。因此，L/W愈大愈好。 第172圖係單位電晶體之l/W與距離目標值之偏差（ 不均）的圖表。單位電晶體之L/W比為2以下時，距離目 標值之偏差大（直線的傾斜度大）。但，隨著L/W變大，目 20 標值之偏差有變小的傾向。當單位電晶體之L/W為2以上 時，距離目標值之偏差的變化則變小。又，當W/L=2以 上，則距離目標值之偏差（不均）為0.5%以下。因此，電晶 體之精度可於源極驅動電路14中採用。 由上述情形可知，單位電晶體之L/W宜為2以上。但 161 1264691 玖、發明說明 ，由於L/W大表示L長，故電晶體尺寸會變大。因此， L/W宜為40以下。 又，L/W的大小與灰階數亦有關。由於灰階數少時， 灰階與灰階之差大，故即使因紐結的影響造成單位電晶體 5 634之輸出電流不均，亦沒有問題。但，若是灰階數多之 顯示面板，則由於灰階與灰階之差小，故一旦因紐結的影 響使得單位電晶體634之輸出電流些許不均，灰階數則減 少 〇 考量上述情形，當將灰階數設為K，且設定單位電晶 10 體634之L/W(L為單位電晶體634之通道長度，W為單位 電晶體634之通道寬度）時，則本發明之驅動電路14係構 成（形成）為滿足（'（K/16))S L/WS且（/(Κ/16))χ20之關係 。於第119圖顯示該關係。第119圖之直線上侧為本發明 之實施範圍。 15 為第63圖所示之第3段電流鏡部。因此，另外形成第 1段電流源361與第2段電流源632，且緊密地（緊密連接 或相鄰接）配置該等電流源。又，用以構成第2段電流源 362與第3段電流源633之電流鏡電路的電晶體633a亦緊 密地（緊密連接或相鄰接）配置。 20 單位電晶體634之輸出電流的不均與源極驅動IC14之 耐壓亦有關。所謂源極驅動1C之耐壓一般而言意指1C之 電源電壓。例如，所謂5(V)耐壓係以標準電壓5(V)來使用 電源電壓。此外，所謂1C耐壓亦可說成最大使用電壓。該 等耐壓係半導體1C製造商以5(V)耐壓製程、10(V)耐壓製 162 1264691 玖、發明說明 程來標準化而保有者。 1C耐壓對單位電晶體634之輸出不均帶來的影響係根 據單位電晶體634之閘極絕緣膜的膜質、膜厚來考量。以 1C耐壓高之製程所製造之電晶體634的閘極絕緣膜厚。此 5 係為了即使施加高電壓亦不發生絕緣破壞。若絕緣膜厚， 則閘極絕緣膜厚之控制會變困難，又，閘極絕緣膜之膜質 不均亦變大。因此，電晶體之不均會變大。又，以高耐壓 製程所製造之電晶體的移動性變低。若移動性低，則只要 注入電晶體之閘極的電子稍微改變，特性即不同。因此， 10 電晶體之不均變大。如此一來，為了減少單位電晶體634 之不均，宜採用1C耐壓低之1C製程。 第170圖係顯示1C耐壓與單位電晶體之輸出不均的關 係。所謂縱軸之不均比率係以1.8(V)耐壓製程製作而將單 位電晶體634之不均設為1。此外，第170圖係將單位電 15 晶體634之形狀L/W設為12(// m)/6(/z m)，而顯示以各耐 壓製程所製造之單位電晶體364的輸出不均。又，藉各1C 耐壓製程形成多數單位電晶體，且求出輸出電流不均。但 ，耐壓製程係1.8(V)耐壓、2.5(V)耐壓、3.3(V)耐壓、5(V) 耐壓、8(V)耐壓、10(V)耐壓、15(V)耐壓等任意跳動。但 20 ，為了容易說明，將以各耐壓所形成之電晶體的不均記入 圖表，並以直線相連。 由第170圖亦可知，1C耐壓在9(V)之前，相對於1C 製程之不均比率（單位電晶體634之輸出電流不均）的增加 比例小。但，一旦1C耐壓在10(V)以上，相對於1C财壓 163 1264691 玖、發明說明 之不均比率的傾斜度則變大。 第170圖中不均比率在3以内為64灰階至256灰階顯 示時之不均容許範圍。但，該不均比率會因單位電晶體 634之面積、L/w而不同。然而，即使改變單位電晶體州 5之形狀等，相對於1^^耐壓之不均比率的變化傾向亦幾乎沒 有差異。1C耐壓在9〜10(v)以上時，不均比率會有變大的 傾向。 另方面，第64圖之輸出端子64的電位會因像素16 之驅動用電晶體lla的程式電流而有所變化。將像素Μ之 W驅動用電晶體Ua使亮閃光(最大亮顯示)之電流流動時之 閘極端子電壓設為Vw，而將像素16之驅動用電晶體iu 使暗閃光（完全暗顯示）之電流流動時之閘極端子電壓設為 vb。Vw—Vb之絕對值必須在2(v)以上。又，當vw電壓 施加於端子761時，則單位電晶體634之通道間電壓必須 15 為 〇.5(V)。 因此，於端子761(端子761係與源極信號線18相連 接，且電流程式化時，係施加像素16之驅動用電晶體 的閘極端子電壓）係施加〇·5(ν)至（(Vw — vb) + 〇·5)(ν)之電 Μ。由於Vw—Vb為2(V)，故端子761最大會施加2(ν) + 2〇 〇·5(ν) = 2·5(ν)。因此，即使源極驅動IC14之輸出電慶（電 流）為rail —to —rail(軌對執）輸出，1(：耐壓亦必須為2 5(ν) ，而端子761之振幅必要範圍則必須在2 5(ν)以上。 由上述情形可知，源極驅動IC14之耐壓宜使用2 5(ν) 以上10(V)以下之製程，更理想的是使用3(ν)以上9(ν)以 164 1264691 玖、發明說明 下之製程。 另’上述說明係源極驅動IC14之使用耐壓製程使用 2.5(V)以上10(v)以下之製程。但，該耐壓亦適用於直接於 陣列基板71形成源極驅動電路14之實施例（低溫多晶矽製 5 &等）。形成於陣列基板71之源極驅動電路14的使用耐壓 有日守局到15(V)以上。此時亦可將源極驅動電路14中使用 之電源電壓置換成第170圖所示之1C耐壓。又，於源極驅 動IC14亦可不使用ic耐壓，而置換成所使用之電源電壓 〇 1〇 單位電晶體634之面積與輸出電流之不均有相互關連 。第Π1圖係將單位電晶體634之面積設為一定，而改變 皁位電晶體634之通道寬度W時之圖表。第m圖係將單 位電晶體634之通道寬度W=2(//m)之不均設為i。 如第171圖所示，不均比率之增加當單位電晶體之w 15從2(/Zm)至9〜10(#m)時會緩慢地增加，而100m)以上 時，則有變大的傾向。又，通道寬度w=2(//m)以下時， 不均比率有增加的傾向。 第Π!圖中不均比率在3以内為料灰階至…灰階顯 示時之不均容許範圍。但，該不均比率會因單位電晶體 ㈣之形狀而不同。然而，即使改變單位電晶體咖之形 狀，相對於通道寬度W之不均比率的變化傾向亦幾乎 差異。 由上述情形可知’單位電晶體634之通道寬度w宜為 2(鋒)以上10(#m)以下，更理想的是在2(#m)以上心 165 1264691 玖、發明說明 m)以下。 如第68圖所示，流過第2段電流鏡電路632b之電流 係複製至用以構成第3段電流鏡電路之電晶體633a，而當 電流鏡倍率為1倍時，該電流會流向電晶體633b。該電流 5 係複製至最後段之單位電晶體634。 由於對應於DO之部分係由1個單位電晶體634構成 ，故為流向最後段電流源之單位電晶體634之電流值。由 於對應於D1之部分係由2個單位電晶體634構成，故為 最後段電流源之2倍的電流值。由於對應於D2之部分係 10 由4個單位電晶體634構成，故為最後段電流源之4倍的 電流值，…，由於對應於D5之部分係由32個單位電晶體 634構成，故為最後段電流源之32倍的電流值。因此，程 式電流Iw係透過由6位元之圖像資料DO、D1、D2、…、 D5控制之開關而輸出至源極信號線（引入電流）。因此，依 15 照6位元之圖像資料DO、Dl、D2、…、D5的ON、OFF ，於輸出線相加最後段電流源633的1倍、2倍、4倍、… 、32倍之電流並輸出之。即，依照6位元之圖像資料D0 、Dl、D2、…、D5，由輸出線輸出最後段電流源633之 0〜63倍的電流值（從源極信號線18引入電流）。
20 實際上，如第146圖所示，於源極驅動1C 14内，每R 、G、B中基準電流（IaR、IaG、IaB)係構成為可藉可變電 阻651(651R、651G、651B)調整者。藉由調整基準電流la ，可輕易地調整為白平衡。 如上所述，藉由最後段電流源633之整數倍的構造， 166 1264691 玖、發明說明 相較於過去的W/L之比例分配，可更高精度地控制電流值 (各端子之輸出不均會消失）。 但，該構造係用以構成像素16之驅動用電晶體11a以 P通道構成，且，用以構成源極驅動IC14之電流源（1單位 5 電晶體）634以N通道構成之情形。當然其他情形（例如， 像素16之驅動用電晶體11a以N通道晶體構成時等）時， 程式電流Iw成為放電電流之構造亦可實施。 於此，就基準電流之產生電路先詳細地說明。本發明 源極驅動電路（I C) 14之電流輸出方式（液晶顯不面板之源極 10 驅動則為電壓輸出方式（信號為電壓之階段）)係以基準電流 為基準，且組合多數與該基準電流成比例之單位電流，而 輸出程式電流Iw。 第144圖為其實施例。於第67圖、第68圖、第76圖 等中，以可變電阻651作成基準電流。第144圖則以電晶 15 體631a代替第68圖的可變電阻651，且利用運算放大器 722等來控制流向該電晶體631a與用以形成電流鏡電路之 電晶體1444之電流。電晶體1444與電晶體631a係形成電 流鏡電路。若電流鏡倍率為1，則流過電晶體1443之電流 成為基準電流。 20 運算放大器722之輸出電壓係輸入N通道電晶體1443
，而流向電晶體1443之電流則流向外電阻691。此外，電 阻691a為固定晶片電阻。基本上，僅電阻691a即可。電 阻691b係電阻值相對於正溫度係數熱敏電阻或熱阻器等之 溫度會變化之電阻元件，而該電阻691a則是用以補償EL 167 1264691 玖、發明說明 =之溫度特性而使用。電…係符合(用以補償 肌疋件15之溫度特性，且與電阻㈣並列或者直列地 或配置。此外，下面為了容易說明，電阻69U與電阻 691b係作為！個電阻691來進行說明。 5 10 另’可輕易地取得精度1%以上之電阻691。電阻剛 亦可將藉擴散電阻技術而形成之電阻或者由多晶石夕圖案而 形成之電阻形成於源極驅動IC14内㈣藏之。晶片電阻 691係安裝於輸入端子㈣。特別是&顯示面板中， 腦中EL元件15之溫度特性皆不同。因此，需要三個外 電阻691分別配置於rgb。 電阻691之端子電壓成為運算放大器722之一輸入， 且該-端子之電壓與運算放大器722 4 +端子為同一電壓 因此，右運异放大器722之+輸入電壓設為V1，則將該 電壓除以電阻691之電阻值者會成為流向電晶體1444之電 15 流。該電流成為基準電流。 如今，若電阻691之電阻值為1〇〇ΚΩ，而運算放大器 722之+端子的輸入電壓為V1= 1(ν)，則於電阻691會流 過1(V)/100KQ = 10(//Α)之基準電流。基準電流的大小宜 没疋在20//A以上30//A以下，更理想的是設定在5//A 20以上20//A以下。若流入母電晶體631之基準電流小，則 單位電流源634之精度會變差。若基準電流過大，則於IC 内部變換之電流鏡倍率（此時為減少方向）會變大，且於電 流鏡電路之不均會變大，而與先前同樣地，單位電流源 634之精度會變差。 168 1264691 玖、發明說明 根據上述構造，若運算放大器722之+輸入端子的精 度良好且電阻691之精度良好，則可形成精度極為良好之 基準電流（大小、不均精度）。當將電阻691内藏於源極驅 動電路（IC)14内時，則可藉由微調所内藏之電阻而高精度 5 地形成。 於運异放大态722之+端子施加來自基準電壓電路 1441之基準電壓Vref。用以輸出基準電壓之基準電壓電路 1441的1C由馬克辛（γ年シ厶；maxim)公司等販售多種產 品。又，基準電壓Vref亦可形成於源極驅動電路14内（内 10藏基準電壓Vref)。基準電壓Vref之範圍宜為2(v)以上陽 極電壓Vdd(V)以下。 15 20 基準電壓係由連接端子761a輸入。基本上，可將該 電麼輸入運算放大益722之+端子。於連接端子7仏 與+端子間配置有電子調節器電路561係由於肌元件Μ 之發光效率在RGB不同之故。即，為了調整流入RGB之 各EL元件15的電流且取得白平衡之故。當然，當藉電阻 691之值可調整時，則不需要藉電子調節器電路⑹來調 整。舉例而言，可由可變調節器構成電阻691。 電子調節器電路561的活用方法之-為因EL元件15 f刪劣化速度不同而再度調整白平衡。el元件μ特別 疋在B谷易劣化。因此，若使用EL顯示面板，則經年累 月下，b^el元件15會變暗，且晝面會變成黃色。此時 則调整B用電子調節器電路56ι而實施白平衡。當然，亦 可使電子調節器電路561與溫度感測器781(參照第Μ圖 169 1264691 玖、發明說明 及其說明）互鎖，而實施EL元件之亮度補償或白平衡補償
電子調節器電路561係内藏於1C(電路）14内，或者利 用低溫多晶矽技術直接形成於陣列基板71。藉由圖案形成 5 多晶石夕，而形成多個單位電阻（R1、R2、R3、R4、…Rn)， 並使其直列地連接。又，於各單位電阻間配置類比開關（S1 、S2、S3、...Sn+ 1)，且使基準電壓Vref分壓而輸出電壓 〇 於第148圖等中，雖然電晶體1443為雙極電晶體，但 10 並不限於此，亦可為FET、MOS電晶體。當然電晶體1443 無須内藏於IC14内，亦可配置於1C外部。又，亦可將電 源等產生電路内藏於閘極驅動電路12内，又，亦可内藏電 晶體1443。
於EL顯示面板，為了實現純色顯示，於RGB必須分 15 別形成（作成）基準電流。藉RGB之基準電流的比率可調整 白平衡。又，電流驅動方式時，本發明係由1個基準電流 來決定單位電流源634所流出之電流值。因此，若決定基 準電流的大小，則可決定單位電流源634所流出之電流。 因此，若設定R、G、B各個的基準電流，則可取得所有灰 20 階之白平衡。上述事項係由於源極驅動電路14為電流刻度 輸出（電流驅動）而發揮之效果。因此，總之，是否RGB分 別可設定基準電流的大小成為重點。 EL元件之發光效率係由所蒸鍍或塗布之EL材料的膜 厚來決定，或者，為支配性要因。膜厚每批大致一定。因 170 1264691 玖、發明說明 此，若批式管理EL元件15之形成膜厚，則可決定流入 EL元件15之電流與發光免度之關係。即，每批可取得白 平衡之電流值是固定的。 例如，若將流入R之EL元件15的電流設為Ir(A)， 5且將流入G之EL元件15的電流設為Ig(A)，並將流入b 之EL元件15的電流δ又為Ib(A) ’則可知每批可取得白平 衡之基準電流的比例。因此，舉例而言，當Ir : Ig ·此—1 :2 : 4時，可知可取得白平衡。若設定白平衡，則本發明 之duty驅動等中，全灰階皆可取得白平衡。此事項係本發 10明之驅動方法與本發明之源極驅動電路的相乘效果所發揮 之事項。 於第148圖之構造中，藉由每批變更用以產生R、6 、B之基準電流之電路之電阻691的值，可取得白平衡。 但，會產生所謂每批皆要變更電阻691之作業。 15 於第148圖中，從源極驅動電路(IC)14外部控制電子 調節器電路561，且切換電子調節器電路561之開關Sx， 而變更基準電Ha之值。第149圖係構成為可將電子調節 益電路561之設定值記憶於快閃記憶體1491者。快閃記憶 體1491之值則構成為於各RGB之電子調節器電路丨可 獨立地又疋者。快閃記憶體1491之值係例如每批EL顯示 面板皆設定，且於源極驅動IC14之電源輸入時讀取，而設 定電子調節器電路561之開關Sx。 第150圖係使第149圖之電子調節器電路π〗成為電 阻陣列電路1503之構造圖。此外，帛150圖中，Rr為外 171 1264691 玖、發明說明 電阻。當然，Rr亦可内藏於源極驅動電路（IC)14内。電阻 陣列1503係内藏於源極驅動電路（IC)14内。用以構成電阻 陣列之電阻（R1〜Rn)係直列地連接，且各電阻（R1〜Rn)間以 短路配線連結。藉由切斷該連結線之第150圖所示之a點 5 、b點等，流過電阻陣歹，J 1503之電流Ir會改變。由於藉由 電流Ir之變化，施加於運算放大器722之+端子的電壓會 改變，故基準電流la會有所變化。欲切斷之點係觀察流過 電阻Rr之電流，且決定成為目標之基準電流之點來進行。 電阻陣列1503之微調可藉由利用雷射裝置1501而照 10 射雷射光1502來進行。 又，第148圖中，於RGB藉由變更電阻691之值，可 變更各RGB之基準電流。又，第149圖中，藉由以快閃記 憶體1491來設定電子調節器電路561之開關Sx，可變更 各RGB之基準電流。又，第150圖中，藉由微調電阻陣列 15 1503之電阻值來變更，可變更各RGB之基準電流。但， 本發明並不限於此。 例如，第149圖、第150圖中，即使藉由變更各RGB 之基準電壓（VrefR、VrefG、VrefB)的電壓值，當然亦可調 整基準電流。各RGB之基準電壓Vref藉由運算放大器電 20 路等可輕易地產生。又，第148圖、第149圖、第150圖 等中，藉由以電阻Rr作為調節器，結果，可變更施加於源 極驅動電路（IC)14之基準電壓。 雖然設為輸出最後段電流源633之0〜63倍的電流，但 此係最後段電流源633之電流鏡倍率為1倍時之情形。當 172 1264691 玖、發明說明 電流鏡倍率為2倍時，則輸出最後段電流源633之0〜126 倍的電流，而當電流鏡倍率為0.5倍時，則輸出最後段電 流源633之0〜3 1.5倍的電流。 如上所述，本發明藉由改變最後段電流源633或較其 5 前段之電流源（631、632等）的電流鏡倍率，可輕易地變更 輸出之電流值。又，上述事項亦宜R、G、B分別變更（使 其不同）電流鏡倍率。例如，亦可僅R相對於其他顏色（相 對於對應於其他顏色之電流源電路）而改變（使其不同）任一 電流源之電流鏡倍率。特別是EL顯示面板係各色（R、G、 10 B或青綠色、黃色、深紅色）之發光效率等皆不同。因此， 藉由在各色改變電流鏡倍率，可使白平衡良好。 使電流源之電流鏡倍率相對於其他顏色（相對於對應於 其他顏色之電流源電路）變化（使其不同）之事項並不限於固 定性事項，亦包含可變之事項。可變可藉由預先於電流源 15 形成多數用以構成電流鏡電路之電晶體，且依照來自外部 之信號而變換用以使電流流動之前述電晶體的個數來實現 。藉由如上所述地構成，可一面觀察所製作之EL顯示面 板之各色的發光狀態，一面調整成最適當的白平衡。 特別是本發明為多段地連結電流源（電流鏡電路）之構 20 造。因此，若改變第1段電流源631與第2段電流源632 之電流鏡倍率，則藉由些許連結部（電流鏡電路等）即可輕 易地改變多數輸出之輸出電流。當然，相較於改變第2段 電流源632與第3段電流源633之電流鏡倍率，藉由些許 連結部（電流鏡電路等）即可輕易地改變多數輸出之輸出電 173 1264691 玖、發明說明 流0 又’改變電流鏡倍率之概念係改變（調整）電流倍率。 因此，不僅限於電流鏡電路，例如，電流輸出之運算放大 器電路、電流輸出之D/A電路等亦可實現。當然上述事項 5 就本發明之其他實施利而言亦適用。 於第65圖顯示由3段式電流鏡電路而構成之176輸出 (ΝχΜ= 176)之電路圖的一例。第65圖中，將第1段電流 鏡電路之電流源631記成母電流源，且將第2段電流鏡電 路之電流源632記成子電流源，並將第3段電流鏡電路之 10 電流源633記成孫電流源。藉由最後段電流鏡電路之第3 段電流鏡電路的電流源之整數倍的構造，可極力抑制176 出之不均，並實現高精度之電流輸出。當然，不可忘記所 謂密集地配置電流源631、632、633之構造。 又，所謂密集地配置意指將第1電流源631與第2電 15 流源632至少配置於8mm以内之距離（電流或電壓之輸出 侧與電流或電壓之輸入侧），更理想的是配置於5mm以内 。此係由於在該範圍内，根據檢討，配置於矽晶片内而電 晶體的特性（Vt、移動性（// ))差異幾乎不會發生之故。又， 同樣地，第2電流源632與第3電流源633亦至少配置於 20 8mm以内之距離，更理想的是配置於5mm以内之位置。 當然上述事項於本發明之其他實施例亦適用。 前述所謂電流或電壓之輸出側與電流或電壓之輸入側 意指下述關係。當進行第66圖之電壓傳送時，為密集地配 置第⑴段電流源之電晶體631(輸出侧）與第（1+ 1}段電流源 174 1264691 玖、發明說明 之電晶體632a(輸入側）之關係。而當進行第67圖之電流傳 送時，則為密集地配置第（I)段電流源之電晶體63 la(輸出 側）與第（1+1)段電流源之電晶體632b(輸入側）之關係。 又，第65圖、第66圖等中，雖然電晶體631設為一 5 個，但並不限於此，例如，亦可形成多個小的次電晶體 63 1，且使該多個次電晶體之源極或汲極端子與可變電阻 651相連接而構成單位電晶體。藉由並列地連接多個小的 次電晶體，可減少單位電晶體之不均。 同樣地，雖然電晶體632a設為一個，但並不限於此， 10 例如，亦可形成多個小的電晶體632a，且使該電晶體632a 之多個閘極端子與電晶體631之閘極端子相連接。藉由並 列地連接多個小的電晶體632a，可減少電晶體632a之不 均。 因此，本發明之構造舉例而言為連接1個電晶體631 15 與多個電晶體632a之構造、連接多個電晶體631與1個電 晶體632a之構造、連接多個電晶體631與多個電晶體 632a之構造。上述實施例在後面會詳細地說明。 上述事項亦適用於第68圖之電晶體633a與電晶體 633b之構造。例如，連接1個電晶體633a與多個電晶體 20 633b之構造、連接多個電晶體633a與1個電晶體633b之 構造、連接多個電晶體633a與多個電晶體633b之構造。 藉由並列地連接多個小的電晶體633，可減少電晶體633 之不均。 上述事項亦可適用於與第68圖之電晶體632a、632b 175 1264691 玖、發明說明 之關係。又，第64圖之電晶體633b亦宜由多個電晶體構 成。就第73圖、第74圖之電晶體633而言，亦同樣地宜 由多個電晶體構成。 於此，雖然以矽晶片來說明，但此係半導體晶片之意 5 。因此，形成於鎵基板之晶片、形成於鍺基板等之其他半 導體晶片亦相同。故，源極驅動IC14以任一半導體基板製 作皆可。又，單位電晶體634為雙極電晶體、CMOS電晶 體、雙CMOS電晶體、DMOS電晶體任一者皆可。但，由 減少單位電晶體634之輸出不均的觀點來看，單位電晶體 10 634宜由CMOS電晶體構成。 單位電晶體634宜以N通道構成。以P通道電晶體構 成之單位電晶體的輸出不均為以N通道電晶體構成之單位 電晶體的1.5倍。
由於源極驅動IC14之單位電晶體634宜以N通道電 15 晶體構成，故源極驅動IC14之程式電流成為自像素16朝 源極驅動1C之引入電流。因此，像素16之驅動用電晶體 11a以P通道構成。又，第1圖之開關用電晶體lid亦以P 通道電晶體構成。 由上述情形可知，所謂以N通道電晶體構成源極驅動 20 1C(電路）14之輸出段的單位電晶體634，且以P通道電晶 體構成像素16之驅動用電晶體11a之構造為具本發明之特 徵的構造。此外，若所有用以構成像素16之電晶體11皆 為P通道電晶體，可減少用以製作像素16之製程掩模，故 為更理想之構造。 176 1264691 玖、發明說明 若以P通道構成用以構成像素16之電晶體11，則程 式電流會構成為從像素16流出至源極信號線18之方向。 因此，源極驅動電路之單位電晶體634(參照第73圖、第 74圖、第126圖、第129圖等）必須以N通道之電晶體構 5成。即，源極驅動電路14必須電路構成為引入程式電流 Iw者。 因此，當像素16之驅動用電晶體lla(第丨圖之情形） 為P通道電晶體時，源極驅動電路14為了引入程式電流 Iw，必須以n通道電晶體構成單位電晶體634。在將源極 1〇驅動電路14形成於陣列基板71時，必須使用N通道用掩 模（製程）與P通道用掩模（製程）兩者。若概念化地敘述，則 本發明之顯示面板（顯示裝置）係以p通道電晶體構成像素 16與閘極驅動電路12，而源極驅動電路之引入電流源的電 晶體則以N通道構成。 15 门 因此’以P通道電晶體形成像素16之電晶體11，且 以P通道電晶體形成閘極驅動電路12。如此一來，藉由以 p通道電晶體形成像素16之電晶體11與閘極驅動電路12 兩者’可使基板71低成本化。但，源極驅動電路μ必須 以N通道電晶體形成單位電晶體634。因此，源極驅動電 2〇 14無法直接形成於基板71。因此，另外藉矽晶片等製 作源、極驅動電路14，並載置於基板71。即，本發明為外附 振拖驅動電路14(用以輸出作為影像信號之程式電流的機 構）之構造。 又’源極驅動電路14雖然以石夕晶片構成，但並不限於 177 1264691 玖、發明說明 此’例如，介# 、可精低溫多晶矽技術等將多個同時形成於玻 璃基板，# > 刀成晶片狀，且載置於基板71。此外，雖然業 ' 、原極驅動電路載置於基板71，但並不限於載置， 若將源極驅動雷 電路14之輸出端子681連接於基板71之源 °〜線18，則任何一種形態皆可。例如，藉TAB技術 將源極驅動電路14連接於源極信號線18之方式為其中一 “藉由於石夕晶片等另外形成源極驅動電路14，可減少輸 出電现之不均，並實現良好的圖像顯示。又，可達成低成 本化。
10 又，所謂以P通道構成像素16之選擇電晶體，且以P 通道電晶體構成閘極驅動電路之構造並不限於有機EL等 自發光元件（顯示面板或顯示裝置）。例如，亦可適用於液 晶顯示裝置、FED(場發射顯示器）。 若像素16之開關用電晶體llb、llc以p通道電晶體 15形成，則於vgh像素16成為選擇狀態，而於Vg丨像素16 則成為非選擇狀態。先前亦已說明，閘極信號線17a從開 啟（Vgl)曼:為關閉（Vgh)時電壓會衝穿（衝穿電壓）。若像素 16之驅動用電晶體11a以P通道電晶體形成，則穿電壓， 電晶體11a會更加沒有電流流過。因此，可實現良好的暗 20顯示。實現暗顯示是困難的之點為電流驅動方式之課題。 於本發明中’藉由以P通道電晶體構成閘極驅動電路 12，開啟電壓成為Vgh。因此，與以p通道電晶體所形成 之像素16匹配性佳。又，為了發揮使暗顯示良好之效果， 如同第1圖、第2圖、第32圖、第140圖、第142圖、第 178 1264691 玖、發明說明 144圖、第145圖之像素16的構造，構成為程式電流Iw 從陽極電壓Vdd透過驅動用電晶體11 a、源極信號線18流 入源極驅動電路14之單位電晶體634是重要的。因此，以 P通道電晶體構成閘極驅動電路12及像素16，並將於源極 5 驅動電路14載置於基板，且以N通道電晶體構成源極驅 動電路14之單位電晶體634可發揮良好的相乘效果。又， 以N通道形成之單位電晶體634的輸出電流不均較以P通 道形成之單位電晶體634的輸出電流不均小。以相同面積 (W · L)之電晶體634比較時，N通道之單位電晶體634的 10 輸出電流不均相較於P通道之單位電晶體634的輸出電流 不均為1/1.5至1/2。由該理由亦知，源極驅動IC14之單 位電晶體634宜以N通道形成。 又，於第42(b)圖亦相同。第42(b)圖中電流並非透過 驅動用電晶體11 b流入源極驅動電路14之早位電晶體6 3 4 15 。但構成為程式電流Iw從陽極電壓Vdd透過程式用電晶 體11 a、源極信號線18流入源極驅動電路14之早位電晶 體634。因此，與第1圖同樣地，以P通道電晶體構成閘 極驅動電路12及像素16，並將源極驅動電路14載置於基 板，且以N通道電晶體構成源極驅動電路14之單位電晶 20 體634可發揮良好的相乘效果。 又，於本發明中，以P通道構成像素16之驅動用電晶 體11a，且以P通道構成開關電晶體lib、11c。又，以N 通道構成源極驅動電路14之輸出段之單位電晶體634。又 ，更理想的是閘極驅動電路12設為以P通道電晶體構成。 179 1264691 玖、發明說明 當然前述之相反的構造亦可 像素16之驅動用電曰體" 軍文果。以N通道構成 〜 > 軔用冤日日體！ la，且 nh、η π 通道構成開闕電晶體 c。又，以P通道構成源極 位電晶體634。此外，更理、是m=4之輸出段之單 5 心的疋閘極驅動電路12以N通 道電晶體«。該構造亦為本㈣之構造。 上述事項中，單位電晶體634並不限於由】個單位電 晶體634構成之IC。亦適用於由電流輪出段電路由多數電 晶體構成者、由電流鏡構成者等其他構造所構成之源極驅 動 IC14 〇 再者亦適用於藉由低溫多晶石夕、高溫多晶石夕或固相 長晶而形成之半導體膜(CGS)，或者利用非晶石夕技術而適 用:源極驅動電路14。但，此情形多半是面板為較大型時 右面板為大型面板’則即使有些許來自源極信號線之 輸出不均，視覺上亦不易辨識。 15 日此’於與像素電晶體同時將源極驅動電路14形成於 則述玻璃基板等之顯不面板中，所謂密集地配置意指將第 1電/爪源631與第2電流源632至少配置於％削^以内之 距離(電流之輪出側與電流之輸入側)，更理想的是配置於 20mm以内。此係由於在該範圍内，根據檢討，配置於矽 20晶片内而電晶體的特性（Vt、移動性（/z))差異幾乎不會發生 之故。又’同樣地，第2電流源632與第3電流源633亦 至少配置於30mm以内之距離，更理想的是配置於20mm 以内之位置。 上述說明為了容易理解或者容易說明，以電流鏡電路 180 1264691 玖、發明說明 間藉由電壓來傳送信號作說明。但，藉由設為電流傳送構 成，可實現不均更小之電流驅動型顯示面板的驅動用驅動 電路（IC)14。 第67圖為電流傳送構造之實施例。此外，第66圖為 5電壓傳送構造之實施例。第66圖、第67圖就電路圖而言 是相同的，但配置構造，即，配線之穿引方式不同。第66 圖中，631為第1段電流源用N通道電晶體，632α為第2 段電流源用N通道電晶體，而632b為第2段電流源用p 通道電晶體。 10 第67圖中，63 ia為第1段電流源用n通道電晶體， 632a為第2段電流源用N通道電晶體，而632b為第2段 電流源用P通道電晶體。 於第66圖中，由於由可變電阻651 (為了改變電流而 使用者）與N通道電晶體631構成之第1段電流源的閘極電 15 壓傳送至第2段電流源之N通道電晶體632a的閘極，故 成為電壓傳送方式之配置構造。 另一方面，於第67圖中，由於由可變電阻651與N 通道電晶體631a構成之第1段電流源的閘極電壓施加於相 鄰接之第2段電流源之N通道電晶體632a的閘極，結果 20 ，流向電晶體之電流值會傳送至第2段電流源之p通道電 晶體632b，故成為電流傳送方式之配置構造。 另，雖然本發明之實施例為了容易說明，或者為了容 易理解，以第1電流源與第2電流源之關係為中心來作說 明，但並不限於此，當然於第2電流源與第3電流源之關 181 1264691 玖、發明說明 係，或者與除此以外之電流源的關係亦適用（可適用）。 於第66圖所示之電壓傳送方式之電流鏡電路的配置構 造中，由於用以構成電流鏡電路之第1段電流源的N通道 電晶體631與第2段電流源的N通道電晶體632a呈分散 5狀態（應該說容易呈分散狀態），故在兩者的電晶體特性上 容易產生相異點。因此，第1段電流源之電流值無法正確 地傳達至第2段電流源，而容易產生不均。 相對於此，於第67圖所示之電流傳送方式之電流鏡電 路的配置構造中，由於用以構成電流鏡電路之第丨段電流 10源的N通道電晶體63 la與第2段電流源的N通道電晶體 632a相鄰接（容易相鄰而配置），故在兩者的電晶體特性上 不易產生相異點，且第1段電流源之電流值可正確地傳達 至弟2段電流源，而不易產生不均。 由上述情形可知，藉由將本發明多段式電流鏡電路之 15電路構造（本發明之電流驅動方式之源極驅動電路（1C) 14)設 為成為電流傳送而非電壓傳送之配置構造，可更加減少不 均且理想。當然上述實施例亦可適用於本發明之其他實施 例。 另’雖然為了方便說明而顯示第1段電流源至第2段 20電流源之情形，但當然第2段電流源至第3段電流源、第 3丰又電流源至弟4段電流源、…之情形亦相同。 第68圖係顯示將第65圖之3段構造的電流鏡電路（3 段構造之電流源）設為電流傳送方式時之例子（因此，第65 圖為電壓傳送方式之電路構造）。 182 1264691 玖、發明說明 於第68圖中，首先，由可變電阻651與N通道電晶 體63 1作成基準電流。此外，雖然業已說明藉可變電阻 651調整基準電流，但實際上係構成為藉由形成（或配置）於 源極驅動1C(電路）14内之電子調節器電路來設定電晶體 5 631之源極電壓，而加以調整，或者藉由直接將從由第64 圖所示之多數電流源（1單位）634所構成之電流方式之電子 調節器輸出之電流供給至電晶體631之源極端子來調整基 準電流（參照第69圖）。 由電晶體6 31構成之笫1段電流源的閘極電壓係施加 10 於相鄰接之第2段電流源的N通道電晶體632a之閘極， 結果，流向電晶體之電流值會傳送至第2段電流源之P通 道電晶體632b。又，第2段電流源之電晶體632b的閘極 電壓係施加於相鄰接之第3段電流源的N通道電晶體633a 之閘極，結果，流向電晶體之電流值會傳送至第3段電流 15 源之N通道電晶體633b。於第3段電流源之N通道電晶 體633b的閘極則因應所需之位元數而形成（配置）第64圖 所示之多數電流源634。 第69圖中，以於前述多段式電流鏡電路之第1段電流 源631具有電流值調整用元件為特徵。根據該構造，藉由 20 改變第1段電流源63 1之電流值，可控制輸出電流。 電晶體之Vt不均（特性不均）於1晶圓内有10(mV)左 右之不均。但，接近100//以内而形成之電晶體之Vt不均 則至少在10(mV)以下（實際檢測）。即，藉由緊密地形成電 晶體而構成電流鏡電路，可減少電流鏡電路之輸出電流不 183 1264691 玖、發明說明 均。因此，可減少源極驅動Ic 又，雜妙φ 的輪出電流不均。 電晶體之不均以Vt來說明 不只是Vt，然而，由於v —電曰曰體之不均 要因辛杜或 、 ：’、、、電晶體之特性不均的主 要因素，故為了容易理解，因而以力不均的主 作說明。 電⑽體不均來 第110圖顯示電晶體 曰辨… ^曰體之形成面積(平方公厘)與單位電 日日體之輸出電流不均的測定 的K果。所謂輸出電流不均係在 Vt電壓之電流不均。里 糸在 Μ …4預U成面積内所製作之估計 10 15 樣本（10—綱個）的電晶體輪出電流不均。在第U0圖之A 領域（形成面積0.5平方公厘以内）内所形成之電晶體則幾乎 沒有輸出電流不均（幾乎只有誤差範圍之輪出電流不均，即 ’輸出一定的輪出電流）。相反地，c領域（形成面積^平 方公厘以上）中，輸出電流不均相對於形成面積有急遽增大 的傾向。而B領域（形成面積〇 5平方公厘以上2 4平方公 厘以下）中’輸出電流不均相對於形成面積則為大致成比例 之關係。 然而，輸出電流之絕對值會依晶圓而不同。但，該問 題在本發明之源極驅動電路(IC)14中，可藉由調整基準電 流或者將基準電流設為預定值來解決。又，藉電流鏡電路 2〇 等電路亦可對應（可解決）。 本發明係根據輸入數位資料（D)，來變換流向單位電晶 體634之電流數，藉此改變（控制）流向源極信號線18之電 流量。若灰階數為64灰階以上，則由於1/64 = 0 015，故 理論上，必須在1〜2%以内之輸出電流不均以内。此外，1 184 1264691 玖、發明說明 %以内之輸出不均在視覺上不易判別’而〇 5%以下則幾乎 無法判別（看起來均一）。 為了使輸出電流不均（％)在1 %以内，必須如第丨丨〇圖 之結果所示，使電晶體群（可抑制不均發生之電晶體）之形 5成面積於2平方公厘以内。更理想的是使輸出電流不均（即 ，電晶體之Vt不均）在〇·5%以内。可如第11〇圖之結果所 示’使電晶體群681之形成面積於ι·2平方公厘以内。此 外，所謂形成面積係縱χ橫之長度的面積。例如，舉例而 己’ 1 ·2平方公厘則是imrnx 1 2mm。 1〇 又，上述特別是8位元（256灰階）以上之情形。若在 256灰階以下，例如，6位元（64灰階）時，則輸出電流不均 亦可為2%左右（圖像顯示上，實際上沒有問題）。此時，電 晶體群681可形成於5平方公厘以内。又，電晶體群681( 弟68圖中，為電晶體群681a與681b兩者）兩者無須皆滿 15足該條件。若構成為至少其中一方（當有3個以上時，則1 個以上之電晶體群681)滿足該條件，則可發揮本發明之效 果。特別是關於下位之電晶體群681(681a為上位，而681b 為下位之關係）宜滿足該條件。此係由於在圖像顯示上不易 發生問題之故。 本發明之源極驅動電路(IC)14係如第68圖所示，如同 母、子、孫般至少多段連接多數電流源，且緊密配置各電 流源（當然，亦可為母、子之兩段連接）。又，於各電流源 間（電晶體群681間）進行電流傳送。具體而言，使第68圖 中以虛線框住之範圍（電晶體681群）緊密地配置。該電晶 185 1264691 玖、發明說明 體群681為電壓傳送之關係。又，母電流源631與子電流 源632a係形成或配置於源極驅動IC14晶片的約中央部。 此係由於可較縮短配置於晶片左右之用以構成子電流源之 電晶體632a與用以構成子電流源之電晶體632b的距離之 5故。即’將最上位之電晶體群681a配置於1C晶片之約中 央部。並且，於1C晶片14的左右配置下位之電晶體群 681b。更理想的是配置或形成或者製作成該下位電晶體群 681b之個數在ic晶片的左右大約相等。此外，上述事項 並不限於1C晶片14，亦適用於藉低溫或高溫多晶矽技術 10直接形成於陣列基板71之源極驅動電路14。其他事項亦 相同。 本發明中，於1C晶片14之約中央部構成或配置或形 成或者製作1個電晶體群68la，而於晶片的左右分別形成 有8個電晶體群681b(N=8+8，參照第63圖）。子電晶體 15群681b宜構成為在晶片的左右相等，或者，相對於晶片中 央之母電晶體所形成的位置而形成或配置於左侧之電晶體 群681b的個數與形成或配置於晶片右側之電晶體群68ib 的個數之差在4個以内。更理想的是構成為形成或配置於 晶片左侧之電晶體群681b的個數與形成或配置於晶片右側 20之電晶體群681b的個數之差在1個以内。上述事項就相當 於孫之電晶體群（雖然第68圖中省略之）而言亦相同。 母電流源631與子電流源632a間係進行電壓傳送（電 壓連接）。因此，容易受到電晶體之Vt不均的影響。故， 緊密配置電晶體群681a的部分。將該電晶體群68U之形 186 1264691 玖、發明說明 成面積如第110圖所示形成於2平方公厘以内之面積，更 理想的是形成於i.2平方公厘以内。當然，當灰階數為64 灰階以下時，亦可於5平方公厘以内。 由於電晶體群681a與子電晶體632b間藉電流進行資 5料傳送（電流傳送），故即使多少有些距離亦無大礙。該距 離之範圍（例如，上位之電晶體群681a的輸出端至下位之 電晶體群681b的輸入端之距離）係如上所述，將用以構成 第2電流源（子）之電晶體632a與用以構成第2電流源（子） 之電晶體632b至少配置於l〇mm以内之距離，更理想的是 10配置或形成於8mm以内，而最理想的是配置於5mm以内 〇 此係由於該祐圍内’根據檢討，配置於秒晶片内而電 晶體之特性（Vt、移動性（#))差於電流傳送上幾乎沒有影響 之故。特別是該關係宜在下位之電晶體群實施。例如，若 15電晶體群681a為上位，且於其下位有電晶體群681b，並 且於電晶體群681b之下位有電晶體群681e，則使電晶體 群681b與電晶體群681c之電流傳送滿足該關係。因此， 在所有電晶體群681皆滿足該關係上，本發明並不加以限 定。至少1組電晶體群681滿足該關係即可。特別是由於 2〇 下位之電晶體群681的個數變多。 就用以構成第3電流源（孫）之電晶體633a與用以構成 第3電流源之電晶體633b而言亦相同。此外，即使是電壓 傳送，當然亦大致可適用。 電晶體群681b係形成或製作或者配置於晶片之左右方 187 1264691 玖、發明說明 向（長度方向，即，與輸出端子761相對之位置）。該電晶 體群681b之個數M於本發明為u個（參照第63圖）。 子電流源632b與孫電流源633a間係進行電壓傳送（電 望連接）口此，與電晶體群681a同樣地，緊密配置電晶 5體群681b的部分。將該電晶體群⑽化之形成面積如第 11 〇圖所示形成於2平方公厘以内之面積，更理想的是形 成於1.2平方公厘以内。但，一旦該電晶體群68ib部分之
Vt有些許不均，則圖像上容易辨識。因此，為了完全不發 生不均，形成面積宜為第11〇圖之A領域（〇5平方公厘以 10 内）。 由於電晶體群681b與孫電晶體633a和電晶體633b間 藉電流進行資料傳送（電流傳送），故即使多少有些距離亦 無大礙。關於該距離之範圍亦與先前之說明相同。將用以 構成第3電流源（孫）之電晶體633a與用以構成第3電流源（ 15孫）之電晶體633b至少配置於8mm以内之距離，更理想的 是配置於5mm以内。 於第69圖顯示前述電流值控制用元件由電子調節器構 成之情形。電子調節器係由電阻691(作成電流限制及各基 準電壓電阻691係以多晶石夕形成）、解碼器電路692、位 20準移位電路693等構成。此外’電子調節器係輸出電流。 電晶體641具有類比開關電路之功能。 又，於源極驅動1C(電路）14中，有時將電晶體記載成 電流源。此係由於由電晶體構成之電流鏡電路等具有電流 源之功能。 188 1264691 玖、發明說明 又’電子調節器電路係依照EL冑示面板之色數而形 成（或配置）。例如，若為RGB三原色，則宜形成（或配置） 二個對應於各色之電子調節器電路，且可獨立地調整各色 。但，當以1個顏色為基準（固定丨個顏色）時，則形成（或 5配置）色數—1份之電子調節器電路。 第76圖為使RGB三原色獨立形成（配置）用以控制基 準電級之電阻元件651的構造。當然，電阻元件651亦可 替換成電子調節。電流源631、電流源632等母電流源 、子電流源等成為基本（根本）之電流源係於第76圖所示之 10領域中與輸出電流電路704密集地配置。藉由密集地配置 ，可減少來自各源極信號線18之輸出不均。如第76圖所 不，藉由於1C晶片（電路）14之中央部配置於輸出電流電路 704(並不限於電流輪出電路，亦可為基準電流產生電路部 、控制部。即，所謂704係尚未形成輸出電路之領域），從 15電流源631、632等將電流均等地分配至1C晶片（電路）14的 左右。如此一來，不易發生左右的輸出不均。 但，並不限於在中央部配置於輸出電流電路7〇4，亦 可形成於1C晶片的一端或兩端，又，亦可與輸出電流電路 704平行地形成或配置。 2〇 由於在IC晶片14之中央部形成控制部或輸出電流電 路704容易受到1C晶片14之單位電晶體634之Vt分布的 景> 響’故稱不上完全理想（晶圓之Vt於晶圓内發生平順的 分布）。 以第120圖說明該理由。若於ic晶片14之中央部形 189 1264691 玖、發明說明 成控制部或輪出電流雷 成由單位電日體… 央部則無法形成或構 電0曰體634所構成之輸出電流電路。另—方而 顯示面板之Si - I 吩乃方面， h5G係以矩陣狀形成有像素16。像素 係專間隔地形成為棋盤狀' 曰 如弟圖所不，於Ic 日日 之中央部沒有輪出電流電路之輸出端子761b。故 ’於面板之顯示晝面50的中央部則從EL元件15之中央 部以外的輸出端子761a、761c引入配線。 10 然而，與輪出端子祕、心相連接之輸出電路之單 位電曰曰體的Vt有可能不同。即使各輸出端子之單位電晶體 634的閘極端子電塵相同，輸出電流亦會因單位電晶體634 “ 1刀布而不同。因此’於面板之中央部有可能發生輸出 電机之差異。一旦產生輸出電流差異，則於畫面中央部左 右的亮度會不同。 於第122圖顯示用以解決該課題之構造。帛122⑷圖 15係將輸出電流電路704構成於IC晶片的一侧之例。第 122(b)圖係將輸出電流電路7〇4分開構成於ic晶片兩側之 例。第122(c)圖係將輸出電流電路7〇4構成於IC晶片的輸 入端子侧之例。因此，於輸出電流電路7〇4以外的領域規 則性地形成有輸出端子。 於第68圖之電路構造中，1個電晶體633a與1個電 晶體633b係以一對一的關係相連接。於第67圖中，1個 電晶體632a與1個電晶體632b亦以一對一的關係相連接 。於第65圖等亦相同。 但，若1個電晶體與1個電晶體以一對一的關係相連 190 1264691 玖、發明說明 接，則當所對應之電晶體的特性（vt等）不均時，於與該電 晶體相連接之電晶體的輸出會發生不均。 用以解決該課題之構造的實施例係第123圖之構造。 第123圖之構造係舉例而言由四個電晶體633a所構成之傳 5 輸電晶體群681b(681bl、681b2、681b3)與由四個電晶體 633b所構成之傳輸電晶體群681c(681cl、681c2、681c3)相 連接。然而，雖然傳輸電晶體群681b、傳輸電晶體群681c 分別由四個電晶體633構成，但並不限於此，當然亦可為 三個以下、五個以上。即，藉用以構成電晶體633a與電流 10 鏡電路之多數電晶體633來輸出流向電晶體633a之基準電 流lb，且藉多數電晶體633b來接收該輸出電流。宜設定 成多數電晶體633a與多數電晶體633b大約同一尺寸，且 相同個數。又，用以構成1輸出之單位電晶體634的個數（ 如第124圖所示，64灰階時為63個）與用以構成單位電晶 15 體634與電流鏡電路之電晶體633b的個數宜大約同一尺寸 ，且相同個數。若如上所述地構成，則可高精度地設定電 流鏡倍率，又，輸出電流之不均亦會變少。 又’相對於流入電晶體6 3 3 b之電流I c 1 ’流向6 3 2 b之 電流lb宜設定為5倍以上。此係由於電晶體633a之閘極 20 電位安定，且可抑制因輸出電流而產生之過渡現象的發生 之故。 又，雖然形成為於傳輸電晶體群681bl相鄰地配置四 個電晶體633a，且與傳輸電晶體群681bl相鄰而配置傳輸 電晶體群681b2，並於該傳輸電晶體群681b2相鄰地配置 191 1264691 玖、發明說明 四個電晶體633a，但並不限於此，例如，亦可配置或形成 為傳輸電晶體群681M之電晶體633a與傳輪電晶體群 68lb2之電晶體633a互相地交錯位置關係。藉由使位置關 係交錯（於傳輸電晶體群681間改換電晶體633之配置）， 5 可更減少於各端子之輸出電流（程式電流）的不均。 如此一來，藉由以多數電晶體構成電流傳送電晶體， 就電晶體群全體而言，可減少輸出電流之不均，並可更減 少於各端子之輸出電流（程式電流）的不均。 用以構成傳輸電晶體群681之電晶體633的形成面積 10 之總和為重要項目。基本上’電晶體633之形成面積的總 和愈大，輸出電流（從源極信號線18流入之程式電流）之不 均則愈小。即，傳輸電晶體群681之形成面積（電晶體633 之形成面積的總和）愈大，不均則愈小。但，若電晶體6% 之形成面積變大，則晶片面積會變大，而IC晶片14之價 15 格會變高。 又’所謂傳輸電晶體群681之形成面積係用以構成傳 輸電晶體群681之電晶體633的面積總和。又，所謂電晶 體633之面積意指將電晶體633之通道長度L與電晶體 633之通道寬度w相乘後之面積。因此，若電晶體群681 20由1〇個電晶體633構成，且電晶體633之通道長度L為 10/z m，並且電晶體633之通道寬度w為5/z m，則傳輪 電晶體群681之形成面積Tm(平方//m)為lo^/mx 5“mx 10 個= 500(平方 /zm)。 傳輸電晶體群681之形成面積必須使與單位電晶體 192 1264691 玖、發明說明 634之關係維持一定的關係。又，傳輸電晶體群681a與傳 輸電晶體群6 81 b必須維持一定的關係。 就傳輸電晶體群681之形成面積與單位電晶體634之 關係作說明。如第64圖所示，相對於1個電晶體633b連 5 接有多數單位電晶體634。64灰階時，對應於1個電晶體 633b之單位電晶體634為63個（第64圖之構造的情形）。 若電晶體633之通道長度L為10//m，且電晶體633之通 道寬度W為10//m，則該單位電晶體群之形成面積Ts(平 方 // m)為 10 /z mx 10 // mx 63 個=6300 平方 /z m。 10 第64圖之電晶體633b相當於第123圖中之傳輸電晶 體群681c。單位電晶體群之形成面積Ts與傳輸電晶體群 681c之形成面積Tm為以下的關係。 l/4^Tm/Ts^6 更理想的是單位電晶體群之形成面積Ts與傳輸電晶體 15 群681c之形成面積Tm為以下的關係。 l/2^Tm/Ts^4 藉由滿足上述關係，可減少於各端子之輸出電流（程式 電流）的不均。 又，傳輸電晶體群681b之形成面積Tmm與傳輸電晶 20 體群681c之形成面積Tms為以下的關係。 l/2^Tmm/Tms^ 8 更理想的是單位電晶體群之形成面積Ts與傳輸電晶體 群681 c之形成面積Tm為以下的關係。 l^Tm/Ts^4 193 1264691 玖、發明說明 藉由滿足上述關係，可減少於各端子之輸出電流（程式 電流）的不均。 當設定來自電晶體群681M之輸出電流Icl、來自電 晶體群681b2之輸出電流Ic2、來自電晶體群681b3之輸出 5 電流Ic3時，輸出電流Icl、輸出電流Ic2及輸出電流Ic3 必須一致。於本發明中，由於電晶體群681由多數電晶體 633構成，故即使各個電晶體633不均，就電晶體群681 而言，亦不會發生輸出電流Ic不均。 又，上述實施例並不限於如第68圖所示為3段電流 10 鏡連接（多段電流鏡連接）之構造，當然亦可適用於1段電 流鏡連接。又，第123圖之實施例係連接由多數電晶體 633a 所構成之電晶體群 681b(681bl、681b2、681b3......)與 由多數電晶體633b所構成之電晶體群681c(681cl、681c2 、681c3......)之實施例。但，本發明並不限於此，亦可連 15 接1個電晶體633a與由多數電晶體633b所構成之電晶體 群681c(681cl、681c2、681c3......)。又，亦可連接由多數 電晶體633a所構成之電晶體群681b(681bl、681b2、 681b3......)與1個電晶體633b。 第64圖中，開關641a對應於第0位元，開關641b 20 對應於第1位元，開關641c對應於第2位元，......開關 641f對應於第5位元。第0位元係由1個單位電晶體構成 ，第1位元係由2個單位電晶體構成，第2位元係由4個 單位電晶體構成，……第5位元係由32個單位電晶體構成 。為了容易說明，以源極驅動電路14為6位元以對應64 194 1264691 玖、發明說明 灰階顯示來作說明。 於本發明之驅動14構造中，第1位元相對於第0位 元輸出2倍的程式電流。第2位元相對於第1位元輸出2 倍的程式電流。第3位元相對於第2位元輸出2倍的程式 5 電流。第4位元相對於第3位元輸出2倍的程式電流。第 5位元相對於第4位元輸出2倍的程式電流。反過來說， 各相鄰接之位元必須構成為可正確地輸出2倍的程式電流 〇 然而，實際上，因構成各位元之單位電晶體634的 10 不均，各端子不易（並非無法之意）構成為正確地輸出2倍 的程式電流。用以解決該課題之1實施例為第124圖之構 造。 於第124圖之構造中，除了各位元之單位電晶體 634以外，更形成或配置有調整用電晶體。調整用電晶體 15 1241係於第5位元（對應開關641f)與第4位元（對應開關 641e)作用。 第124圖之實施例中，於第5位元（相當於與開關 641f相連接之單位電晶體634部分）、第4位元（相當於與 開關641e相連接之單位電晶體634部分）配置或形成或者 20 構成有調整用電晶體1241。調整用電晶體1241於第5位 元與第4位元各配置4個。但，本發明並不限於此，亦可 改變附加於各位元之調整用電晶體1241的個數，又，亦可 於所有位元附加（形成或構成或者配置）調整用電晶體1241 。使調整用電晶體1241之尺寸較單位電晶體634為小，或 195 1264691 玖、發明說明 者，使調整用電晶體1241之輸出電流較單位電晶體634為 少。即使電晶體尺寸相同，亦可藉由改變W/L比，而使輸 出電流不同。 又，調整用電晶體1241之閘極端子係與單位電晶體 5 634之閘極端子共用，且構成或連接成施加相同的閘極電 壓。因此，一旦lb電流流向電晶體633，則設定單位電晶 體634之閘極電壓，且規定單位電晶體634所輸出的電流 。同時亦規定調整用電晶體1241之輸出電流。即，調整用 電晶體1241之輸出電流與單位電晶體634之輸出電流成比 10 例。又，輸出電流可藉流入與單位電晶體634成對之電晶 體633的lb電流來控制。 本發明係構成為1個單位電晶體634之尺寸為加上 2個以上調整用電晶體之尺寸的尺寸以上之關係。即，構 成為單位電晶體634尺寸〉調整用電晶體1241尺寸之關係 15 。又，總合2個以上之調整用電晶體1241時，則構成或形 成為總和之尺寸超過單位電晶體634尺寸。藉由控制調整 用電晶體1241之動作個數，可稍微調整於各位元之輸出電 流的不均。 又，於其他實施例中，本發明係構成為1個單位電 20 晶體634之輸出電流為相加2個以上調整用電晶體之輸出 電流後之電流的總和以上之關係。即，為單位電晶體634 之輸出電流 > 調整用電晶體1241之輸出電流的關係。措由 控制調整用電晶體1241之動作個數，可稍微調整於各位元 之輸出電流的不均。 196 1264691 玖、發明說明 第125圖係說明藉調整用電晶體1241進行各位元之 輸出電流㈣整方法之說明圖。帛125圖顯示形成4個調 整用電晶體1241之情形。 又為了合易5兒明’將成為輸出電流調整對象之位 5元的目標輸出電流設為匕，而目前的輸出電流ib|jj設為以 相對於目標輸出電流Ia僅少Ie之狀態來製作者卜齡 Ie)。又’構成為將4個調整用電晶體1241全部正常地動 作時之電流設為Ig，且即使電晶體在程式化中有不均亦必 須滿足Ig>Ie。因此，於4個調整用電晶體i24i進行動作 ίο之狀態下，輸出電流Ib會超過目標輸出電流ia(ib>⑷。 上述狀恶下，使調整用電晶體1241與共同端子 1252刀開而達成目標輸出電流以。調整係雷射切割調整用 電晶體1241來進行。雷射切割利用yag雷射是適當的。 除此以外，亦可利用氖—氦雷射、二氧化碳雷射。又，藉 15 喷砂等機械加工亦可實現。 刀斷第125圖中2處切割處1251，而使電晶體 1241a 1241b與共同端子1252分開。因此，^電流變成 1/2。如此一來，使調整用電晶體1241與共同端子1252分 ’且調整成目標輸出電流Ia。輸出電流藉微量電流計測 20定，當測定值到達目標值時，則停止切斷欲切斷之調整用 電晶體1241。 又，雖然第125圖之說明中係藉由雷射切斷切割處 1252來調整輪出電流，但並不限於此，例如，亦可直接於 調整用電日日日體1241照射雷射光’而破壞調整用電晶體 197 1264691 玖、發明說明 1241來調整輸出電流。又，亦可先於切割冑咖形成類 比開關等，且根據來自外部之控制信號而開關該類比開關 ，來改變連接於§點之調整用電晶體1241的個數。即，本 發明係藉由形成調整用電晶體1241’且開關來自該調整用 5電晶體1241之電流，以達成目標之輸出電流。因此，當然 其他構造亦可。又，並不限於在切割處i25i切斷，亦可預 先使切副處呈打開狀態，且藉由於該切割處堆積金屬膜等 來連接。 ' 10 15 20 个⑹兀风硐登用電晶體1241，但並不限 於此’例如，亦可藉由微調單位電晶體634的一部份而 =整單位電晶體634的輸出電流，藉此達成目標之輸出電 流。又，亦可藉由個別地調整構成各位元之單位電晶體 6^4的閘極端子電壓，而使各位元之輪出電流成為目標電 例如舉例而s ,可藉由微調連接於單位電晶體6料 之閘極端子的g己線，且進行高電阻化來達成。 第166圖顯示調整用電晶體1241或單位電晶體㈣ 的4伤。夕數單位電晶體634(調整用電晶體DU)係藉 内部配線1662相連接。調整用電晶體1241為了容易進行 微調’於源極端子（s端子）放入缺口。調整用電晶體ΐ24ι 係藉由切斷切斷處1661b來限制流過調整用電晶體⑽之 通道間的電流。因此，電流輸出段7〇4之輸出電流變少。 此外，形絲ϋ之處並不限於源極端子，沒極端子亦可， 閑極端子亦可。又，即使不形成缺口，當然亦可切斷調整 用電晶體1241的一部份。又，調整用電晶體1241亦可先 198 1264691 玖、發明說明 形成多個形狀不同者，待測量輸出電流後，藉由微調調整 用電晶體1241，而選擇最接近目標輸出電流之電晶體，且 進行微調。 又，雖然上述實施例係微調單位電晶體634或調整 5 用電晶體1241來調整輸出電流之實施例，但本發明並不限 於此，例如，亦可使調整用電晶體1241孤立而形成，且藉 由FIB加工，使前述調整用電晶體1241之源極端子等與輸 出電流電路704相連接，藉此調整輸出電流。但，調整用 電晶體1241無須完全地孤立，例如，亦可構成為於連接輸 10 出電流電路704與調整用電晶體1241之閘極端子與源極端 子之狀態下形成，且藉由FIB加工，而連接調整用電晶體 1241之汲極端子。 又，調整用電晶體1241之閘極端子亦可與用以構成 輸出電流電路704之單位電晶體634的閘極端子分開而構 15 成，或者連接前述調整用電晶體1241與前述單位電晶體 634之源極端子及汲極端子而形成或配置。單位電晶體634 之閘極端子電位亦如第164圖等所示由電流Ic來決定。由 於調整用電晶體1241之閘極端子電位構成為可自由地調整 ，故藉由調整調整用電晶體1241之閘極端子電位，可變更 20 調整用電晶體1241之輸出電流。因此，藉由調整調整用電 晶體1241之閘極端子電位，可調整所謂單位電晶體634與 調整用電晶體1241之輸出電流的總和之輸出電流電路704 的輸出電流。該方式中，不需要微調加工、FIB加工。調 整用電晶體1241之閘極端子電壓的調整亦可藉電子調節器 199 1264691 玖、發明說明 等來進行。雖然上述實施例中調整用電晶體之輸出電 •的调整藉由閘極端子電位之調整來進行，但並不限於此 亦可藉由凋整施加於調整用電晶體1241之源極端子的電 壓或施加於汲極端子的電壓來進行。該等端子電壓之調整 5亦可藉電子调節器等來進行。X，施加於調整用電晶體 1241之各端子的電壓並不限於直流電壓，亦可施加矩形電 壓（脈衝狀電壓等），且藉時間控制來調整輸出電流。 當大幅調整輸出電流之大小時，亦可如第166圖所 示從切斷處1661a切斷調整用電晶體1241。如上所述，藉 10由微調單位電晶體634或調整用電晶體1241全部或者一部 份，可輕易地進行輸出電流之調整。此外，為了防止來自 微凋處之劣化，於微調後，宜先將無機材料蒸鍍或塗布或 者將有機材料蒸鍍或塗布於微調處，藉此實施密封製程， 以使微調處不與外在空氣接觸。 15 特別疋且構成為於1C晶片14兩端的輸出電流電路 704附加有微調功能。此係由於當顯示面板為大型面板時 ，必須串聯多數源極驅動IC14，而串聯後，若在相鄰接之 1C的輸出電流有差異，則會明顯而為交界處。如第1圖 所示，藉由微調電晶體等，可修正相鄰接之輸出電流電路 20 的輸出電流不均。 當然上述事項於本發明其他實施例亦可適用。 第123圖之構造係藉多數電晶體633b來接收多數電 晶體633a之輸出電流，藉此減少各端子之輸出電流的不均 。第126圖係由電晶體群之兩側供給電流，藉此減少輪出 200 1264691 玖、發明說明 電流之不均的構造。即，設置多數電流la之供給源。於本 發明中，電流Ial與電流Ia2係設為同一電流值，且用以 產生電流Ial之電晶體與用以產生電流Ia2之電晶體以成 對的電晶體來構成電流鏡電路。 5 因此，本發明為形成或配置有多個用以產生用來規 定單位電晶體634之輸出電流的基準電流之電晶體（電流產 生機構）之構造。更理想的是為將來自多數電晶體之輸出電 流連接至用以構成電流鏡電路之電晶體等之電流接收電路 ，且藉由該多數電晶體所產生之閘極電壓來控制單位電晶 10 體634之輸出電流之構造。 又，第126圖之實施例中，於單位電晶體634群兩 側形成有用以構成電流鏡之電晶體633b。但’本發明並不 僅限於此，於電晶體群681b兩侧配置用以構成電流鏡之電 晶體632a之構造亦為本發明之範疇。 15 由第126圖可知，於電晶體群681b形成有多個用以 輸出電流之電晶體633a。於電晶體群681b兩側使電晶體 群681b之閘極端子共用，且形成或配置有電晶體633a與 用以構成電流鏡電路之電晶體632a(632al、632a2)。於電 晶體632al係流過基準電流Ial，而於電晶體632a2則流過 20 基準電流Ia2。因此，電晶體633a(電晶體633al、633a2、 633a3、633a4、......）之閘極端子電壓由電晶體632al、 632a2來規定，同時規定電晶體633a所輸出之電流。 使基準電流Ial、Ia2的大小一致。此可藉用以輸出 基準電流Ial、Ia2之電流鏡電路等定電流電路來進行。又 201 1264691 玖、發明說明 ，即使基準電流Ial、Ia2多少有偏差亦可互相補正，故為 不易發生問題之構造。 雖然上述實施例中使電流Ial與電流Ia2大約一致 ，但本發明並不限於此，例如，亦可使電流Ial與電流Ia2 5 相異。例如，當設為電流Ial〈電流Ia2時，電晶體633al 所輸出之電流Ibl可較電晶體633an所輸出之電流Ibn小 (Ibl<Ibn)。若電流Ibl變小，則電晶體群681cl所輸出之 電流亦變小。若電流Ibn變大，則電晶體群681cn所輸出 之電流亦變大。電晶體群681係配置或形成於電晶體群 10 68lcl與電晶體群68lcn間，而成為其中間之輸出電流。 藉由如上所述使電流Ial與電流Ia2相異，可於電 晶體群681之輸出電流產生傾斜。於電晶體群681之輸出 電流賦予傾斜會在源極驅動1C 14之串聯發揮效果。此係由 於藉由調整1C晶片的兩個基準電流Ial與Ia2可調整輸出 15 電流電路704之輸出電流之故。因此，可調整成於相鄰接 之1C晶片14的輸出沒有輸出電流差。 即便使電流Ial與電流Ia2不同，一旦各電晶體群 681之單位電晶體634的閘極端子電位相同，則無法於電 晶體群681之輸出電流產生傾斜。此係由於欲於各電晶體 20 群681之輸出電流產生傾斜，單位電晶體634之閘極端子 電壓必須相異之故。為了使閘極端子電壓相異，必須將電 晶體群681b之閘極配線1261設為高電阻。具體而言，以 多晶矽來形成閘極配線1261。又，電晶體632al與電晶體 632an間之閘極配線的電阻值設為2ΚΩ以上2ΜΩ以下。 202 1264691 玖、發明說明 如上所述，藉由將閘極配線1261設為高電阻，可於各電晶 體群681c之輸出電流產生傾斜。 當1C晶片為矽晶片時，電晶體633a之閘極端子電 壓宜設定於0.52以上0.68(V)以下之範圍。若於該範圍内 5 ，則電晶體633a之輸出電流不均會變少。上述事項於本發 明其他實施例亦相同。 當然上述事項於本發明其他實施例亦可適用。 第126圖之構造中，於電流鏡電路形成2個以上（多 個）與電晶體633a成對之電晶體632a。因此，由於成為基 10 準電流之兩侧供電，故電晶體633a之閘極端子電壓於電晶 體群681b内良好地維持於一定。因此，電晶體633a所輸 出之電流不均極為減少。因此，輸出至源極信號線18之程 式電流或從源極信號線18吸收之程式電流的不均會極為減 〇 15 於第126圖中，電晶體633al係構成與電晶體 633bl電流傳送狀態，而電晶體633a2則構成與電晶體 633b2電流傳送狀態。因此，電晶體群681cl亦為兩侧供 電之構造。同樣地，電晶體633a3係構成與電晶體633b3 電流傳送狀態，而電晶體633a4則構成與電晶體633b4電 20 流傳送狀態。又，電晶體633a5係構成與電晶體633b5電 流傳送狀態，而電晶體633a6則構成與電晶體633b6電流 傳送狀態。 電晶體群681c為與各源極信號線18相連接之輸出 段電路。因此，藉由兩側供電至電晶體群681c，且使單位 203 1264691 玖、發明說明 電晶體634之閘極端子無電壓下降或電位散佈，可解決各 源極信號線18之輸出電流不均。 於電晶體群681c形成有多個用以輸出電流之單位電 晶體634。於電晶體群681c兩側使電晶體634之閘極端子 5 共用，且形成或配置有電晶體634與用以構成電流鏡電路 之電晶體633b(633bl、633b2)。於電晶體633bl係流過基 準電流Ibl，而於電晶體633b2則流過基準電流Ib2。因此 ，單位電晶體634之閘極端子電壓由電晶體633bl、633b2 來規定，同時規定單位電晶體634所輸出之電流。 10 使基準電流Ial、Ia2的大小一致。此可藉用以輸出 基準電流Ial、Ia2之電晶體633a等定電流電路來進行。又 ，即使基準電流Ial、Ia2多少有偏差亦可互相補正，故為 不易發生問題之構造。 第127圖為第126圖變形後之實施例。第127圖中 15 ’於電晶體群6 81 b中’不僅在兩侧配置用以構成電流鏡電 路之電晶體632a，亦於電晶體群681b之中途配置有用以 構成電流鏡電路之電晶體632。因此，相較於第126圖之 構造，電晶體633a之閘極端子電壓更為一定，且電晶體 633a之輸出不均變少。當然上述事項亦可適用於電晶體群 20 681c。 第128圖亦為第126圖變形後之實施例。第126圖 係依序將用以構成電晶體群681b之電晶體633a連接於用 以構成電晶體群681c與電流鏡電路之電晶體633b之構造 。但，第128圖之實施例則使電晶體633a之連接順序不同 204 1264691 玖、發明說明 〇 第128圖係電晶體633al與用以構成電晶體群 681cl與電流鏡電路之電晶體633bl進行電流傳送。電晶 體633a2與用以構成電晶體群681c2與電流鏡電路之電晶 5 體633b3進行電流傳送。電晶體633a3與用以構成電晶體 群681cl與電流鏡電路之電晶體633b2進行電流傳送。電 晶體6 3 3 a4與用以構成電晶體群681c3與電流鏡電路之電 晶體633b5進行電流傳送。電晶體633a5與用以構成電晶 體群681c2與電流鏡電路之電晶體633b4進行電流傳送。 10 若如第126圖所示地構成，一旦發生電晶體633a之 特性散佈，則由電晶體633a供給電流之電晶體群681c容 易成區塊而發生輸出電流變化。因此，於EL顯示面板會 顯示區塊狀交界處。 不如第128圖所示使電晶體633a連續，而改換電晶 15 體群681c與用以構成電流鏡電路之電晶體633之連接順序 ，藉此即使發生電晶體633a之特性散佈，電晶體群681c 亦不易成區塊而發生輸出電流變化。因此，於EL顯示面 板不會顯示區塊狀交界處。 當然，電晶體633a與電晶體633b之連接無須有規 20 則地進行，亦可隨機地進行。又，如第128圖所示，電晶 體633a亦可不隔著一個，而是隔著兩個以上來與電晶體 633b相連接。 上述實施例如第68圖所示，為多段地連接電流鏡電 路之構造。但，電路構造並不限於多段連接，亦可如第 205 1264691 玖、發明說明 129圖所示，為1段構造。 第129圖中，係藉基準電流調整機構651來控制或 調整基準電流（當然不限於可變調節器，電子調節器亦可。 )。單位電晶體634係構成電晶體633b與電流鏡電路。藉 5 由基準電流lb來規定單位電晶體634之輸出電流的大小。 第129圖之構造係藉由基準電流lb來控制各電晶體 群681c之單位電晶體634的電流。反過來說，藉由電晶體 633b來規定電晶體群681cl至電晶體群681cn之單位電晶 體634的程式電流。 10 但，電晶體群681cl之單位電晶體634的閘極端子 電壓與電晶體群681c2之單位電晶體634的閘極端子電壓 多半些微地不同，一般認為是受到流向閘極配線之電流等 之電壓下降等的影響。在電壓即使是微妙的變化量，輸出 電流（程式電流）亦會數％不同。於本發明中，64灰階時， 15 灰階差為100/64=1.5%。因此，輸出電流至少必須在1% 左右以下。 於第130圖顯示用以解決該課題之構造。第130圖 係形成2個基準電流lb之產生電路。基準電流產生電路1 係使基準電流Ibl流動，而基準電流產生電路2則使基準 20 電流Ib2流動。基準電流Ibl與基準電流Ib2係設為同一電 流值。藉基準電流調整機構651來控制或調整基準電流（當 然不限於可變調節器，電子調節器亦可。又，亦可藉由變 更固定電阻來調整）。此外，電晶體群681c之輸出端子係 連接於源極信號線18。又，構造係電流鏡電路之一段構造 206 1264691 玖、發明說明 〇 然而，若先構成為可個別地調整基準電流Ibl與基 準電流Ib2，則當共同端子1253之a點的電壓與b點的電 壓不同，且電晶體群68 lcl之單位電晶體634的輸出電流 5 與電晶體群681c2之單位電晶體634的輸出電流不同時， 可調整成使輸出電流（程式電流）均一。又，由於單位電晶 體之Vt在1C晶片14的左右不同，故輸出電流之傾斜發生 時亦可補正，且可消除輸出電流之傾斜。 雖然第130圖顯示個別地形成2個基準電流電路， 10 但並不限於此，亦可由第128圖所示之電晶體群681b之電 晶體633a來構成。藉由採用第128圖之構造，來控制（調 整）流入用以構成電流鏡之電晶體632a的電流，藉此可同 時地控制（調整）第128圖之基準電流Ibl與Ib2。即，使電 晶體633bl與電晶體633b2作為電晶體群而控制之（參照第 15 130(b)圖）。 藉由採用第130之構造，可使共同端子1253(閘極 配線1261)之a點的電壓與b點的電壓相同。因此，可使電 晶體群681cl之單位電晶體634的輸出電流與電晶體群 681c2之單位電晶體634的輸出電流相同，並可均一地將 20 沒有不均的程式電流供給至各源極信號線18。 第130圖為形成2個基準電流源之構造。第131圖 則為於共同端子1253之中央部亦施加用以構成基準電流源 之電晶體633b的閘極電壓之構造。 基準電流產生電路1係使基準電流Ibl流動，基準 207 1264691 玖、發明說明 電流產生電路2係使基準電流Ib2流動，而基準電流產生 電路3則使基準電流Ib3流動。基準電流Ibl、基準電流 Ib2及基準電流Ib3係設為同一電流值。藉基準電流調整機 構651來控制或調整基準電流（當然不限於可變調節器，電 5 子調節器亦可。）。 若先構成為可個別地調整基準電流Ibl、基準電流 Ib2、基準電流Ib3，則可調整各電晶體633M、電晶體 633b2、電晶體633b3之閘極端子電壓。又，可調整共同端 子1253之a點的電壓、b點的電壓、c點的電壓。因此， 10 可進行因電晶體群68lcl之單位電晶體634的Vt變化、電 晶體群681c2之單位電晶體634的Vt變化、電晶體群 681cn之單位電晶體634的Vt變化而產生之輸出電流（程式 電流）的補正（不均補正）。 雖然第13 1圖中顯示個別地形成3個基準電流電路 15 ，但並不限於此，亦可為4個以上。亦可由第128圖所示 之電晶體群681b之電晶體633a來構成。藉由採用第128 圖之構造，來控制（調整）流入用以構成電流鏡之電晶體 632a的電流，藉此可同時地控制（調整）第130圖之基準電 流Ibl、Ib2及Ib3。即，使電晶體633bl、電晶體633b2、 20 電晶體633b3作為電晶體群而控制之（參照第131(b)圖）。 第130圖係於電晶體633bl形成或配置有電流調整 機構651a，且於電晶體633b2形成或配置有電流調整機構 651b。第132圖係使電晶體633bl、電晶體633b2之源極 端子通用，且形成或配置有電流調整機構651之構造。藉 208 1264691 玖、發明說明 由電流調整機構651之控制（調整）來改變基準電流Ibl與 Ib2。單位電晶體634所輸出之程式電流會與基準電流Ibl 與Ib2之變化成比例而改變。電晶體633M與電晶體 633b2之連接構造與第123圖之電晶體群681c之電晶體 5 633b的連接狀態相同。 藉基準電流調整機構651來控制或調整基準電流 Ibl、Ib2(當然不限於可變調節器，電子調節器亦可。）。各 電晶體群681c之單位電晶體634係構成電晶體633b(633bl 、633b2)與電流鏡電路。藉由基準電流Ibl、Ib2來規定單 10 位電晶體634之輸出電流的大小。 第129圖之構造係藉由基準電流Ibl主要將a點之 閘極端子電壓調整為預定值，且藉由基準電流Ib2主要將 b點之閘極端子電壓調整為預定值。基準電流Ibl與Ib2基 本上為同一電流。又，由於電晶體633bl與633b2鄰近地 15 形成，故電晶體Vt相等。 因此，電晶體633bl之閘極端子與電晶體633b2之 閘極端子相等，且a點與b點之電壓相等。如此一來，由 於共同端子1253從兩側供給電壓，故於1C晶片左右之共 同端子1253的電壓會均一。若共同端子1253之電壓均一 20 ，則各電晶體群681c之單位電晶體634的閘極端子會全部 一致。因此，於單位電晶體634所輸出之朝源極信號線18 輸出之程式電流不會發生不均。 第132圖為形成2個用以產生基準電流之電晶體 633b的構造。第133圖為於共同端子1253之中央部亦施 209 1264691 玖、發明說明 加用以構成基準電流源之電晶體633b2的閘極電壓之構造 〇 基準電流產生電路1係使基準電流Ibl流動，基準 電流產生電路2係使基準電流Ib2流動，而基準電流產生 5 電路3則使基準電流Ib3流動。基準電流Ibl、基準電流 Ib2與基準電流Ib3係設為同一電流值。藉基準電流調整機 構651來控制或調整基準電流（當然不限於可變調節器，電 子調節器亦可。）。 雖然第133圖中顯示個別地形成3個基準電流電路 10 ，但並不限於此，4個以上亦可。 又，第126圖、第127圖、第128圖等係於閘極配 線1261兩側配置或形成用以使基準電流流動之電晶體的構 造。但，本發明並不限於此，當然亦可不配置電晶體，而 於閘極配線1261直接施加定電壓。上述事項於本發明其他 15 實施例亦適用。 上述實施例係以電流或電壓之傳送為1段構造為中 心來進行說明。但，本發明並不限於此，例如，如第146 圖所示，當然亦適用於第68圖之多段連接方式。 第147圖係於電晶體群681a兩端（1C晶片的左右端 20 或其附近）形成或配置有電晶體631a、631b。又，形成或配 置有可變電阻651作為基準電流之調整機構。此外，基準 電流Ial與Ia2亦可設為固定。又，當然基準電流Ial = Ia2 亦可。 若藉基準電流調整機構651來調整基準電流Ial、 210 1264691 玖、發明說明
Ia2，則可調整電晶體群681a之電晶體632的輸出電流lb 。該電流lb係傳送至電晶體632b，且電流流向用以構成 電流鏡電路之電晶體群681b的電晶體633a，並決定單位 電晶體634之輸出電流。由於其他事項與第68圖等相同， 5 故省略其說明。 雖然流向配置於晶片兩侧之電晶體的基準電流之大 小設為藉電子調節器等來調整，但本發明並不限於此，例 如，如第165圖所示，藉由微調基準電流之調整用電阻 Rm亦可對應之。即，藉來自雷射裝置1501之雷射光1502 10 來微調電阻Rm，藉此增大電阻值。藉由增大電阻Rm之電 阻值，可改變基準電流la。藉由微調電阻Rml或電阻Rm2 ，可調整基準電流Ial、Ia2。 欲傳送用以構成電流鏡電路之電晶體所產生之電流 宜藉多數電晶體來傳送。於形成於1C晶片14内之電晶體 15 會發生特性不均。在抑制電晶體之特性不均上，有增大電 晶體尺寸之方法。但，有時即使增大電晶體尺寸，電流鏡 電路之電流鏡倍率亦極為偏差。為了解決該課題，可構成 為藉多數電晶體來進行電流或電壓傳送。若由多數電晶體 構成，則即使各電晶體之特性不均，整體之特性不均也會 20 變小，又，亦提高電流鏡倍率之精度。整體而言，亦縮小 1C晶片之面積。第156圖為其實施例。此外，上述事項可 適用於電流或電壓之多段傳送、電流或電壓之1段傳送兩 者。 第156圖係由電晶體群681a與電晶體群681b構成 211 1264691 玖、發明說明 電流鏡電路。電晶體群681a則由多數電晶體632b構成。 另一方面，電晶體群681b則由多數電晶體633a構成。同 樣地，電晶體群681c亦由多數電晶體633b構成。 用以構成電晶體群681bl、電晶體群681b2、電晶體 5 群681b3、電晶體群681b4......之電晶體633a係形成為相 同個數。又，各電晶體群681b之電晶體633a的總面積（電 晶體群681b内之電晶體633a的WL尺寸X電晶體633a的 個數）係形成為（大約）相等。對電晶體群681c而言亦相同。 將電晶體群681c之電晶體633b的總面積（電晶體群 10 681c内之電晶體633b的WL尺寸X電晶體633b的個數）設 為Sc。又，將電晶體群681b之電晶體633a的總面積（電晶 體群681b内之電晶體633a的WL尺寸X電晶體633a的個 數）設為Sb。將電晶體群681a之電晶體632b的總面積（電 晶體群681a内之電晶體632b的WL尺寸X電晶體632b的 15 個數）設為Sa。又，將1輸出之單位電晶體634的總面積 設為Sd。 總面積Sc與總面積Sb宜形成為大約相等。宜將用 以構成電晶體群681b之電晶體633a的個數與電晶體群 681c之電晶體633b的個數設為相同個數。但，從1C晶片 20 14之配置的限制等來看，亦可使用以構成電晶體群681b 之電晶體633a的個數較電晶體群681c之電晶體633b的個 數少，或者使用以構成電晶體群681b之電晶體633a的尺 寸較電晶體群681c之電晶體633b的尺寸大。於第157圖 顯示其實施例。電晶體群681a係由多數電晶體632b構成 212 1264691 玖、發明說明 。電晶體群681a與電晶體633a則構成電流鏡電路。電晶 體633a係產生電流ie。；[個電晶體6咖係驅動電晶體群 681c之多數電晶體633b(來自丨個電晶體633&之電流^係 分流至多數電晶體633b)。-般而言，電晶體633a之個數 5係配置或形成輸出電路份的個數。例如，QCIF +面板時， 於R、G、B電路形成或配置各176個電晶體633&。 總面積Sd與總面積Sc之關係在輸出不均上有關連 於第210圖顯示該關係。此外，關於不均比率等則參照 第170圖。不均比率在總面積Sd :總面積“Μ : 1〇 =1/2)時為1。由第21〇圖亦可知，若8_小，則不均比 率會急遽地i：差。特別是在Se/Sd=1/2以下有變差的傾向 Sc/Sd在1/2以上時’輸出不均會減少。其減少效果變緩 k又Sc/Sd — 1/2左右時，輪出不均為容許範圍。由上 述情形可知，宜形成為1/2<=Se/Sd之關係。但，若以 15變大，則1C晶片尺寸亦變大。因此，上限宜為Sc/Sd = 4 即，滿足1/2< =Sc/Sd< = 4之關係。
又A > — B意指a在B以上。A > B意指a較B 為大。A<=B意指以下。a<b意指八較6為小 〇 20 a 土 ’總面積Sd與總面積Sc宜大約相等。另，宜 輸出之單位電晶體634的個數與電晶體群Μ。之電晶 體咖的個數為相同個數。即，若為64灰階顯示，則工 輸出之早位電晶體634係形成63個。因此，用以構成電晶 體群681〇之電晶體633b形成63個。 213 1264691 玖、發明說明 又更理想的疋電晶體群681a、電晶體群681b、電 晶體群681c、單位電晶體634宜由WL面積為4倍以内之 電晶體構成。更理想的是由WL面積為2倍以内之電晶體 構成。最理想的是由全部同一尺寸之電晶體構成。即，宜 5由大致同一形狀之電晶體來構成電流鏡電路、輸出電流電 路 704。 總面積Sa設為較總面積Sb大。更理想的是構成為 滿足200Sb> =Sa> = 4Sb之關係。又，構成為所有用以 構成電晶體群681b之電晶體633a的總面積與sa大約相等 10 〇 又，如第164圖所示，用以構成電晶體群681b與電 流鏡電路之電晶體632b亦可不構成為電晶體群681a(參照 第156圖）。 第126圖、第127圖、第128圖、第147圖等係於 15 閘極配線1261兩側配置或形成用以使基準電流流動之電晶 體的構造。將該構造（方式）適用於第157圖之構造的構造 為第158圖之實施例。第158圖中，於閘極配線1261兩侧 配置或形成有電晶體群681al、電晶體群681a2。由於其他 事項與第126圖、第127圖、第128圖、第147圖等相同 20 、故省略其說明。 第126圖、第127圖、第128圖、第147圖、第 158圖等係於閘極配線1261兩端配置電晶體或電晶體群之 構造。因此，配置於閘極配線1261兩側之電晶體為2個， 又，電晶體群為2組。但，本發明並不限於此，亦可如第 214 1264691 玖、發明說明 159圖所示，於閘極配線1261之中央部等亦配置或形成電 晶體或電晶體群。於第159圖中，形成有3個電晶體群 681 a。本發明具有形成於閘極配線1261之電晶體或電晶體 群681為多數形成之特徵。藉由多數形成，可使閘極配線 5 1261低阻抗化，並提高安定度。 再者’為了提高安定度，如第160圖所示，宜於閘 極配線1261形成或配置電容器16〇1。電容器16〇1亦可形 成於1C晶片14或源極驅動電路14内，亦可作為JC14之 外電谷裔而配置或搭載於晶片外部。當使電容器為外 10電容為時’則於1C晶片之端子配置電容器連接端子。 上述貝施例係使基準電流流動且藉電流鏡電路複製 該基準電流並傳達至最後段單位電晶體634之構造。當圖 像顯示為暗顯示（完全的暗閃光）時，於任何一個單位電晶 體634皆沒有電流流過，此係由於任一開關641皆打開之 15故。因此，流向源極信號線18之電流為〇(A)，故電力不 會消耗。 但，即使是暗閃光顯示，基準電流亦流動，例如， 第161圖之電流此及電流Ic。該電流為無效電流。基準電 流若構成為於電流程式化時流動，則效率佳。因此，限制 20基準電流在圖像之垂直遮沒期間、水平遮沒期間流動。又 ，限制基準電流在等待期間等亦流動。 欲使基準電流不流動，可如第161圖所示，使睡眠 開關16U打開。睡眠開關1611為類比開關。類比開關係 形成於源極驅動電路或源極驅動IC14内。當然，亦可將睡 215 1264691 玖、發明說明 眠開關1611配置於IC14外部且控制該睡眠開關1611。 藉由關閉睡眠開關1611，則基準電流lb不會流動。 因此’電流不會流向電晶體群681al内之電晶體633a，而 基準電机Ic亦成為〇(A)。如此一來，於電晶體群之 電晶體633b亦沒有電流流過，因而提高電力效率。 第162圖為時點圖。遮沒信號與水平同步信號 同γ產生田遮沒k號為Η位準時，則為遮沒期間，而為 L位準蚪，則為施加有影像信號之期間。當睡眠開關μ 11 為L位準日$ ’則關閉（打開），而為Η位準時，則開啟。 因此，由於遮沒期間Α之時，睡眠開關1611關閉 故基準電机不會流動。而D之期間，睡眠開關MU開 啟，故產生基準電流。 另’亦可依照圖德咨粗戒％匕& _ _ _____
依照圖像資料來開關控制開關641，而 )日日體634。暗閃光顯示時，所有開關 使電流流向各單位電晶體 641皆打開。即使開闕64 基準電流lb流動，故單付 5闕641打開，由於在電晶體633亦有 故單位電晶體634會使電流流動。因 216 1264691 玖、發明說明 '早位電晶體634之通道間電M(Vsd)變小（源極電位與沒 極電位之電位差消失）。同時，單位電晶體634之閘極配線 1261的電位亦下降。若圖像從暗閃光變化至亮閃光，則開 關641開啟，且產生單位電晶體634之vsd電壓。又，於 5閘極配線1261與内部配線643(源極信號線18)間有寄生電 容。 因閘極配線1261與内部配線643(源極信號線18)間 之寄生電容及單位電晶體634之Vsd的產生，閘極配線 1261會發生電位變動。一旦發生電位變動，單位電晶體 1〇 634之輸出電流會變動。一旦輸出電流變動，則圖像上會 產生橫線等。該橫線會發生在圖像從亮顯示變化至暗顯示 之處、圖像從暗顯示變化至亮顯示之處。 第151圖係顯示閘極配線〖261之電位變動。於圖像 變化點（圖像從亮顯示變化至暗顯示之處、圖像從暗顯示變 15 化至亮顯示之處等）產生閃爍。 第152圖係解決該課題之方法的說明圖。於選擇開 關641形成或配置有電阻R。具體而言，並非形成電阻r ，而疋變更類比開關641之尺寸。因此，第丨52圖為開關 641之等效電路圖。 20 開關641之電阻呈以下之關係。 R1<R2<R3<R4<R5< R6 DO係構成1個單位電晶體634。D1係構成2個單 位電晶體634。D2係構成4個單位電晶體634。D3係構成 8個單位電晶體634。D4係構成16個單位電晶體634。仍 217 1264691 坎、發明說明 係構成32個單位電晶體634。因此，隨著DO至D5，流過 開關641之電流會增加。由於增加，因此開關之開啟電阻 亦必須降低。另一方面，如第151圖所示，亦必須抑制連 結的發生。藉由如第152圖所示地構成，可進行連結之抑 5 制與開關之開啟電阻的調整。 閘極配線1261如第151圖所示地進行連結係在於產 生所有單位電晶體634成為關閉之圖像，及即使所有單位 電晶體634為關閉狀態基準電流ib(參照第153圖等）仍流 動之點。因上述事項，單位電晶體634之閘極配線容易發 1〇 生電位變動。 第127圖等為多段電流鏡連接之構造。又，第129 圖至第133圖則為丨段構造。藉第151圖針對閘極配線 1261振動之課題作說明。該振盪係受到源極驅動IC14之 電源電壓的影響，此係由於產生至最大電壓之振幅之故。 15第211圖係以源極驅動1C 14之電源電壓為ι·8(ν)時為基準 之閘極配線的電位變動比率。變動比率係隨著源極驅動 IC14之電源電壓變高變動比率亦變大。變動比率之容許範 圍在3左右。一旦變動比率大於3，則會發生橫向串音。 又，變動比率在1C電源電壓為10〜12(ν)以上時，相對於 20電源電壓之變化比例有變大的傾向。因此，源極驅動ICM 之電源電壓必須在12(V)以下。 另一方面，為了令驅動用電晶體Ua使亮顯示至暗 顯示之電流流動，源極信號線18之電位必須進行一定的振 幅變化。該振幅必要範圍必須在2·5(ν)以上，又，振幅必 218 1264691 玖、發明說明 18之輸出電
要範圍在電源電壓以下。此係由於源極信號線 壓不可超過1C之電源電壓之故。 由上述情形可知， 2.5(V)以上12(V)以下。 1261之變動抑制於規定| 良好的圖像顯示。 所謂閘極配 633M至電 閘極配線1261之配線電阻亦成為問題。 線1261之配線電阻R(q)係第215圖中電晶體 晶體633b2之配線全長的電阻，或者閘極配線全長之電阻 10 。第m圖之過渡現象的大小亦與1水平掃瞄期間（1H)有 關。1H期間愈短，過渡現象之影響亦愈大。配線電阻R( Ω)愈高，第151圖之過渡現象愈容易發生。該現象特別是 在第129圖至第133圖、第215圖至第220圖之構造成為 問題，此係由於閘極配線1261長，且連接於丨閘極配線 15 1261之單位電晶體634的數量多之故。 第212圖為橫軸表示閘極配線1261之配線電阻R( Ω)與1H期間T(sec)之乘積（R· T)，而縱軸表示變動比率 之圖表。變動比率1係以R · T=100為基準。由第212圖 可知，R · Τ在5以下時，變動比率有變大的傾向。又，r 20 · T在1〇〇〇以上時，變動比率有變大的傾向。因此，R · T宜為5以上1000以下。 於第153圖顯示用以解決該課題之其他方法。第 153圖係形成或配置有用以使電流穩定地流動之單位電曰 體1531。將該電晶體1531稱作穩定電晶體1531。 219 1264691 玖、發明說明 ^定電晶體1531在基準電流lb流動時通常係使電 流1S流動，因此，與程式電流Iw的大小無關。藉由電流 Is流動’可抑制閘極配線1261之電位變動。&宜設定為單 位電aa體634所流出之電流的2倍以上8倍以下◦又，穩 5定電晶體1531係配置多個與單位電晶體634同一 WL之電 晶體而構成。此外，穩定電晶體1531宜形成於離用以使基 準電流lb流動之電晶體633之位置最遠的位置。 雖然於第153圖形成多個穩定電晶體1531，但本發 明並不限於此，亦可如第155圖所示，形成丨個穩定電晶 10體丨531。又，如第154圖所示，穩定電晶體ι531形成於 多處亦可。第154圖中，於電晶體633附近形成1個穩定 電晶體1531a，且於離電晶體633最遠的位置形成4個穩 定電晶體1531b。 第154圖係於穩定電晶體1531b形成有開關si。開 15 關S1係依照圖像資料(D0〜D5)進行開關控制。圖像資料為 暗閃光（亦包含接近暗閃光時，（D之上位位元為0))時， NOR電路1541之輸出成為Η位準，且開關S1開啟，而 I s 2電流流向穩疋電晶體15 31。除此以外的時候，開關s 1 為關閉狀態，而於穩定電晶體1531沒有電流流過。藉由如 20 上所述地構成，可抑制消耗電力。 第163圖為具有穩定電晶體1531與睡眠開關1611 兩者之構造。如上所述，本說明書所說明之内容當然可組 合而構成。 於位於晶片1C兩端之電晶體群681cl、電晶體群 220 1264691 玖、發明說明 681cn外側先形成或配置假電晶體群681c。假電晶體群 681c於晶片1C之左右（最外側）宜形成2電路，更理想的是 形成3電路以上6電路以下。若沒有假電晶體群681c，則 製造1C時，在擴散製程、蝕刻製程中，會發生外側的電晶 5 體群681c之單位電晶體634的Vt與1C晶片14之中央部 不同的問題。若Vt不同，則於單位電晶體634之輸出電流 (程式電流）會發生不均。 第129圖至第133圖為1段電流鏡構造之驅動1C的 構造圖。進一步就該1段構造作說明。第215圖為1段構 10 造之驅動電路構造。第215圖之電晶體群681c係由第214 圖之單位電晶體634所構成之輸出段構造（亦可參照第129 圖至第133圖）。 電晶體632b與兩個電晶體633a係構成電流鏡電路 。電晶體633al與電晶體633a2為同一尺寸。因此，電晶 15 體633al所流出之電流Ic與電晶體633a2所流出之電流Ic 相同。 由第214圖之單位電晶體634所構成之電晶體群 681c與電晶體633bl及電晶體633b2係構成電流鏡電路。 於電晶體群681c之輸出電流會產生不均。但，鄰近而用以 20 構成電流鏡電路之電晶體群681的輸出則向精度地規定電 流。電晶體633bl與電晶體群681cl係接近而構成電流鏡 電路。又，電晶體633b2與電晶體群681cn係接近而構成 電流鏡電路。因此，若流向電晶體633bl之電流與流向電 晶體633b2之電流相等，則電晶體群681cl之輸出電流與 221 1264691 玖、發明說明 電曰曰體群681 en之輸出電流會相等。若在各…晶片高精度 地產生電流Ie，則無論哪—IC晶片，輸出段兩端之電晶體 群681c的輸出電流皆相等。因此，即使串聯…晶片，亦 可使1C與1C之接頭不明顯。 5 1晶體㈠扑亦可與第⑵圖同樣地由多數電晶體形 成，且作為電晶體群681M、電晶體群681b2。又，電晶體 633a亦可與第123圖同樣地作為電晶體群681&。 又，雖然電晶體632b之電流由電阻R1來規定，但 並不限於此’亦可如第218圖所示，由電子調節器15〇3a 10、1503b來規疋。於第218圖之構造中，可使電子調節器 1503a與電子調節器15〇3b獨立地動作。因此，可變更電 晶體632al與電晶體632a2所流出之電流的值。如此一來 ，可凋整晶片左右之輪出段681c的輸出電流傾斜。此外， 電子調節器1503亦可構成為如第219圖所示，設為i個， 15 且控制2個運算放大器722。 又，藉第161圖針對睡眠開關1611作說明。同樣地 ，當然亦可如第220圖所示配置或形成睡眠開關。又，於 第153圖、第154圖、第155圖、第163圖中，雖然業已 形成或配置穩定電晶體1531，但，亦可如第225圖所示， 2〇於A區塊形成或配置第226(b)圖之穩定電晶體1531。 又，雖然於第160圖中為了安定化將電容器16〇1連 接於閘極配線1261，但，於第225圖中，當然亦可將第 226(a)圖之安定化電容器16〇1配置於a區塊。 又於弟165圖專中，為了電流調整而微調電阻等 222 1264691 玖、發明說明 。同樣地，如第225圖所示，當然亦可微調電阻ri或電 阻R2等。 於第210圖關於構成電晶體群681之面積說明其條 件。但，於第129圖至第133圖、第215圖至第22〇圖之 5電流鏡的1段構造中，由於單位電晶體634的個數非常多 ，故與第210圖之條件不同。以下先針對丨段構造之驅動 電路輸出段加以說明。此外，為了容易說明，以第216圖 第217圖為例來作說明。但，由於說明係關於電晶體 633b之個數與其總面積、單位電晶體634之個數與總面積 1〇的事項，故當然亦可適用於其他實施例。 第216圖、第217圖中，將電晶體群681b之電晶體 633b的總面積（電晶體群681b内之電晶體633b的wl尺 寸X電晶體633b的個數）設為Sb。此外，如第216圖、第 2Π圖所示，當閘極配線1261之左右有電晶體群68ib時 15 則將面積设為2倍。如第129圖所示，當電晶體群681b 為1個日守，則為電晶體633b之面積。此外，當電晶體群 681b由1個電晶體633b構成時，面積當然為i個電晶體 633b之尺寸。 又，將電晶體群681c之單位電晶體634的總面積（ 2〇電0曰體群68lc内之電晶體634的尺寸X電晶體634的 個數）ό又為Sc。將電晶體群681c之個數設為η。n在QCIF +面板時為176(當RGB分別形成有基準電流電路時）。 第213圖之橫軸為Scxn/Sb，縱軸為變動比率，且 將變動比率最佳之狀況設為10。如第213圖所示，隨著 223 1264691 玖、發明說明 SCXn/Sb變大，變動比率會變差。Sexn/Sb變大表示若將輸 出端子數n設為一定，則電晶體群681c之單位電晶體634 的〜、面積相對於電晶體群681b之電晶體633b的總面積為 廣。此時之變動比率則變差。
Scxn/Sb變小表示若將輸出端子數n設為一定，則 電β曰體群681c之單位電晶體634的總面積相對於電晶體群 681b之電晶體633b的總面積為窄。此時之變動比率則變 /Jn 〇 ft:動容許範圍為Scxn/Sb在50以下。若Scxn/Sb在 ίο 50以下，則變動比率在容許範圍内，且閘極配線1261之 電位變動變得極小。因此，亦不發生橫向串音，且輸出不 均亦在容許範圍内，而可實現良好的圖像顯示。雖然 Scxn/Sb在50以下則為容許範圍，但即使將Scxn/Sb設為 5以下亦幾乎沒有效果，相反地，Sb會變大，且ICM之晶 15片面積會增加。因此，Scxn/Sb宜為5以上50以下。 又，在電晶體群681c内之單位電晶體634的配置上 亦需要考量。電晶體群681c必須規則性地配置。一旦單位 電晶體634有遺漏，則其周邊的單位電晶體634之特性會 與其他單位電晶體634之特性不同。 20 第134圖係模式地顯示於輸出段之電晶體群681e之 單位電晶體634的配置。用以表現64灰階之63個單位電 晶體634係規則性地配置成矩陣狀。然而，若為64個單位 電曰a體634 ’則可配置成4列X 16行，但由於單位電晶體 634為63個，故產生1處未形成之處（斜線部）。如此一來 224 1264691 玖、發明說明 ，會製作成斜線部周邊之單位電晶體634a、634b、634c之 特性與其他單位電晶體634不同。 為了解決該課題，本發明係於斜線部形成或配置假 電晶體1341。如此一來，單位電晶體634a、單位電晶體 5 634b、單位電晶體634c之特性會與其他單位電晶體634 — 致。即，本發明藉由形成假電晶體1341，使單位電晶體 634構成為矩陣狀。又，使單位電晶體634沒有缺口地配 置成矩陣狀。又，單位電晶體634係配置成具線對稱性。 雖然為了表現64灰階，而將63個單位電晶體634 10 配置於電晶體群681c，但本發明並不限於此，單位電晶體 634亦可進一步由多數次電晶體構成。 第135(a)圖為單位電晶體634。第135(b)圖係由4 個次電晶體1352來構成單位電晶體（1單位）1351。單位電 晶體（1單位）1351之輸出電流與單位電晶體634相同。即 15 ，由4個次電晶體1352構成單位電晶體634。此外，本發 明並不限於由4個次電晶體1352構成單位電晶體634，只 要由多數次電晶體1352構成單位電晶體634，則任何構造 皆可。但，次電晶體1352係構造成相同尺寸或輸出相同的 輸出電流。 20 第135圖中，S表示電晶體之源極端子，G表示電 晶體之閘極端子，而D則表示電晶體之汲極端子。第 135(b)圖中，次電晶體1352係配置於同一方向。第135(c) 圖中，次電晶體1352在橫行方向則配置於不同方向。又， 第135(d)圖中，次電晶體1352在直列方向配置於不同方向 225 1264691 玖、發明說明 ’且配置成點對稱。第出⑻圖、第lb⑷圖、第出⑷ 圖任何一者皆有規則性。 若改變單位電晶體634或次電晶體1352之形成方向 ，則特性多半會不同。例如，帛135⑷圖中，次電晶體 5 1352a與次電晶體1352b即使施加於間極端子之電塵相同 ，輸出電流亦不同。但，於第135(c)圖中，不同特性之次 電晶體1352分別形成同樣數量。因此，電晶體（單位）之不 均會減少。又，藉由改變形成方向不同之單位電晶體 或次電晶體1352的方向，而發揮特性差相互内插，且電晶 1〇體（1單位）之不均減少之效果。上述事項當然亦符合第 135(d)圖之配置。 因此，如第136圖等所示，藉由改變單位電晶體 634之方向，且相互内插作為電晶體群681c形成於縱方向 之單位電晶體634的特性與形成於橫方向之單位電晶體 15 634的特性，可減少單位電晶體群681()之不均。 第136圖係電晶體群681c内每列改變單位電晶體 634之形成方向的實施例。第137圖係電晶體群68^内每 行改變單位電晶體634之形成方向的實施例。第138圖係 電晶體群681 c内每行及每列改變單位電晶體634之形成方 20向的實施例。此外，形成或配置假電晶體1341時亦依照該 構成要件而構成。 上述實施例係將相同尺寸或同一電流輸出之單位電 晶體構成或形成於電晶體群681c内之構造（參日声第139(b) 圖）。但，本發明並不限於此，亦可如第139(a)圖所示，第 226 1264691 玖、發明說明 0位元（開關641a)係連接（形成）1單位之單位電晶體634a。 第1位元（開關641b)係連接（形成）2單位之單位電晶體 634b。第2位元（開關641c)係連接（形成）4單位之單位電晶 體634c。第3位元（開關641d)係連接（形成）8單位之單位 5 電晶體634d。第4位元（未圖示）係連接（形成）16單位之單 位電晶體634e。第5位元（未圖示）係連接（形成）32單位之 單位電晶體634f。此外，例如，所謂16單位之單位電晶 體係用以輸出單位電晶體634之16個份的電流之電晶體。 *單位（*為整數）之單位電晶體可藉由成比例地改 10 變通道寬度W(將通道長度L設為一定）而輕易地形成。但 ，事實上，即使將通道寬度W增為2倍，輸出電流亦多半 不會變為2倍。此係實際地製作電晶體且根據實驗來決定 通道寬度W。但，本發明中，即使通道寬度W多少偏離比 例條件，亦以成比例來表現。 15 以下針對基準電流電路作說明。輸出電流電路704 係分別形成（配置）於R、G、B，且，該RGB之輸出電流電 路704R、704G、704B亦鄰近地配置。又，於各色（R、G 、：B)調整第73圖所示之低電流領域之基準電流INL，又， 調整第74圖所示之高電流領域之基準電流INH(亦可參照 20 第79圖）。 因此，於R輸出電流電路704R係配置用以調整低 電流領域之基準電流INL的調節器（或者，電壓輸出或電流 輸出之電子調節器）651RL，且配置用以調整高電流領域之 基準電流INH的調節器（或者，電壓輸出或電流輸出之電 227 1264691 玖、發明說明
子調節器）651RH。同樣地， 置用以调整低電流領域之基準電流INL的調節器（或者，電
用以调整⑥電流領域之基準電流麵的調節器（或者，電 壓輸出或電流輸出之電子調節器）651BH。 壓輸出或電流輪出之電子調節器）651GL 高電流領域之基準電流INH的調節哭f 1〇 又，調節器651等宜構成為依溫度而變化以可補償 EL兀件15之溫度特性。又，第79圖之伽馬特性中，當折 相有2點以上時，用以調整各色之基準電流的電子調節 益或電阻等當然亦可設為3個以上。 於1c晶片之輸出端子形成或配置有輸出墊（輸出端 15子）761。該輪出墊與顯示面板之源極信號線18相連接。 輸出塾761藉由電錢技術或針頭式接合技術形成有凸塊（突 起）。犬起之鬲度係設為1〇//m以上4〇#m以下之高度。 前述凸塊與各源極信號線18係透過導電性接合層（ 未圖示）電連接。導電性接合層係以環氧系、㈣等為主劑 20 ，且混合了銀（Ag)、金（Au)、鎳（Ni)、碳（c)、氧化錫 (Sn〇2)等之小片者，或者紫外線硬化樹脂等以作為黏著劑 。導電性接合層係藉轉寫等技術形成於凸塊上。又，藉 ACF樹脂熱壓著凸塊與源極信號線18。此外，凸塊或輪出 墊761與源極信號線18之連接並不限於上述方式。又，亦 228 1264691 玖、發明說明 可不將1C 14載置於陣列基板上，而利用膜載體技術。又， 亦可利用聚醯亞胺薄膜等與源極信號線18等相連接。 第69圖中，所輸入之4位元的電流值控制用資料 (DI)係藉4位元解碼器電路692解碼（若分割數必須為64， 5則當然設為6位元。此處係為了容易說明，而以4位元來 作說明）。該輸出係藉由位準移位電路693而從邏輯位準之 電壓值升壓至類比位準之電壓值，且輸入類比開關641。 電子凋節态電路之主構造部係由固定電阻R〇(69 ^ ^ 與16個單位電阻r(691b)構成。解碼器電路692之輸出係 10構成為連接於16個類比開關641任何一個，且由解碼器電 路692之輸出來決定電子調節器之電阻值。例如，若解碼 器電路692之輸出為4，則電子調節器之電阻值成為r〇 + 5r。該電子調節器之電阻係成為第i段電流源634之負荷 ，且提升至類比電源AVdd。因此，若該電子調節器之電阻 15值有所變化，則第1段電流源631之電流值會改變，結果 ，第2段電流源632之電流值會改變，結果，第3段電流 源633之電流值亦改變，而驅動IC之輸出電流受到控制。 另，在說明的方便上，雖然電流值控制用資料設為 4位元但其當然不固定於4位元，而是位元數愈多，電 20流值之可變數則t多。χ，雖然將多段式電流鏡之構造設 為3段來說明，但其當然亦不固定於3段，而是任何段數 皆可。 又，對藉由溫度變化來改變EL元件之發光亮度的 課題，作為電子調節器電路之構造宜具備依溫度來改變電 229 1264691 玖、發明說明 阻值之外電阻691 a。所謂依溫度來改變電阻值之外電阻係 例如正溫度係數熱敏電阻、熱阻器等。一般而言，依照流 向元件之電流而改變亮度之發光元件具有溫度特性，且即 使流過同一電流值，其發光亮度亦會因溫度而改變。因此 5 ，藉由將依溫度來改變電阻值之外電阻691a安裝於電子調 節器’可藉由溫度來改變定電流輸出之電流值，且即使溫 度改變，亦通常可將發光亮度維持於一定。 又’前述多段式電流鏡電路宜分成紅（R)用、綠（G) 用、藍（B)用3系統。一般而言，於有機El等電流驅動型 1〇發光元件中，發光特性於R、G、B不同。因此，為了在以 、G、B達成相同亮度，必須在R、G、B分別調整流向發 光兀件之電流值。又，於有機EL顯示面板等電流驅動型 發光兀件中，溫度特性於R、G、B不同。因此，為了修正 /JEL度特〖生而开》成或配置之正溫度係數熱敏電阻等外部補助 15元件之特性亦必須於R、G、B分別調整。 於本發明中，由於前述多段式電流鏡電路分成R用 G用、B用3系統，故可於R、G、B分別調整發光特性 與溫度特性，而可取得最適當的白平衡。 先珂亦已說明之，電流驅動方式中，於暗顯示時， 2〇寫入像素之電流小。因此，若於源極信號線18等有寄生電 容’則有1水平掃猫期間（1H)内無法將充分之電流寫入像 素丨6的問題。一般而言，於電流驅動型發光元件中，由於 暗位準之電流值為數nA左右般微弱，故欲藉其信號值來 驅動有數10pF左右之寄生電容（配線負荷電容）是困難的。 230 1264691 玖、發明說明 為了解決該課題，在將圖像資料寫人源極信號線18前，施 加預充電㈣，且將源極信號線18之電位位準設為像素: 電晶體iu的暗顯示電流（基本上電晶體lla為關閉狀態）是 有效的。於該預充電電Μ之形成（作成）上，藉由解碼圖^ 5資料之上位位元，而進行暗位準之定電壓輸出是有效的。 於第70圖顯示本發明具預充電功能之電流輪出方式 之源極驅動電路（IC)14的一例。於第7〇圖顯示於6位元之 定電流輸出電路的輸出段搭載有預充電功能之情形。第川 圖中，預充電控制信號係構成為當圖像資料D〇〜D5之上位 1〇 3位元D3、D4、D5全部為〇時藉N〇R電路7〇2解碼，且 以AND電路703擷取具依水平同步信號HD而產生之重設 功能之點時脈CLK之計數器電路7〇1的輸出以及與該結果 之AND，而於一定期間輸出暗位準電壓Vp。其他情況則 是第68圖等所說明之來自電流輸出段7〇4之輸出電流施加 15於源極信號線18(由源極信號線18吸收程式電流Iw)。藉 由該構造，當圖像資料為接近暗位準之第〇灰階至第7灰 階時，可僅1水平期間剛開始的一定期間寫入相當於暗位 準之電壓，且減輕電流驅動的負擔，並彌補寫入不足。此 外，將完全暗顯示設為第〇灰階，且將完全亮顯示設為第 2〇 63灰階（64灰階顯示時）。 另’進行預充電之灰階應限定於暗顯示領域。即， 判定寫入圖像資料，且選擇暗領域灰階（低亮度，即，電流 驅動方式中寫入電流小（微小）），而進行預充電（選擇預充電 )。若對全灰階資料進行預充電，則下次於亮顯示領域會發 231 1264691 玖、發明說明 生亮度降低（沒有達到目標亮度）。又，於圖像會顯示出縱 紋。 較理想的是在灰階資料之灰階〇至1/8領域之灰階 進订選擇預充電（例如，於64灰階時，在第〇灰階至第7 5灰階之圖像資料時進行預充電，然後寫入圖像資料），更理 想的是在灰階資料之灰階〇至1/16領域之灰階進行選擇預 充電（例如，於64灰階時，在第〇灰階至第3灰階之圖像 貧料時進行預充電，然後寫入圖像資料）。 特別疋在暗顯示中，為了提高對比，僅檢測灰階〇 1〇而進行預充電之方式也是有效的。暗顯示會變得極為良好 。問題是畫面整體在灰階丨、2時晝面會看見泛白。因此， 於一定範圍内，例如在灰階資料之灰階〇至1/8領域之灰 階進行選擇預充電。僅預充電灰階〇之方法對圖像顯示帶 來的弊害少。因此，最好以採用預充電技術為宜。 另’依R、G、B而使預充電電壓、灰階範圍不同也 疋有效的，此係由於EL元件15之發光開始電壓、發光亮 度在R、G、B不同之故。例如，進行尺於灰階資料之灰 P白0至1/8領域之灰階進行選擇預充電（例如，於64灰階 日守，在第0灰階至第7灰階之圖像資料時進行預充電，然 2 0 y 後寫入圖像資料），而其他顏色（G、B)則於灰階資料之灰階 〇至1/16領域之灰階進行選擇預充電（例如，於64灰階時 在第0灰階至第3灰階之圖像資料時進行預充電，然後 寫入圖像資料）等之控制。又，預充電電壓亦構成為當&為 7(V)時’其他顏色（G、B)則是將7·5(Υ)之電壓寫入源極信 232 1264691 玖、發明說明 万虎線18。隶適^之預充電電壓常因el顯示面板之製造抵 量而不同，因此，預充電電壓宜先構成為可藉由外部調節 器等來調整。該調整電路亦可藉由電子調節器電路而輕易 地實現。 5 又，預充電電壓宜為第1圖之陽極電壓Vdd — 〇.5(V)以下、陽極電壓Vdd—2.5(V)以上。 於僅預充電灰階0之方法中，選擇r、G、β之一色 或兩色而進行預充電之方法也是有效的，且對圖像顯示帶 來的弊害少。 10 又’宜構成為設定完全未預充電之第0模態、僅預 充電灰階0之第1模態、於灰階〇至灰階3之範圍預充電 之第2模態、於灰階〇至灰階7之範圍預充電之第3模態 、於全灰階0之範圍預充電之第4模態等，且依命令切換 该等模態。該等模態於源極驅動電路（IC)i4内藉由構成（設 15 計）邏輯電路可輕易地實現。 第75圖係選擇預充電電路部之具體化構成圖。pv 為預充電電壓之輸入端子。藉由外部輸入或電子調節器電 路’於R、G、B設定個別的預充電電壓。此外，雖然於r 、G、B設定個別的預充電電壓，但並不限於此，欲充電 電壓於R、G、B相同亦可。此係由於預充電電壓與像素 16之驅動用電晶體11a的Vt有關，且該像素16在r、G 、B像素相同之故。相反地，當使像素16之驅動用電晶體 lla的W/L比等於R、G、B不同（成為不同之設計）時，宜 對應於不同的設計來調整預充電電壓。例如，L愈大，電 233 1264691 玖、發明說明 晶體11a之二極體特性則愈差，且源極一汲極（SD)電壓會 愈大。因此，預充電電壓必須設定成較源極電位（Vdd)低。 預充電電壓PV係輸入類比開關731。該類比開關之 W(通道寬度）為了減少開啟電阻，必須在1〇 am以上，但 5 ，由於一旦W過大則寄生電容亦變大，故必須在1〇〇//m 以下。更理想的是通道寬度W為15/zm以上60//m以下 。上述事項亦適用於第75圖之開關641a的類比開關731 、第73圖之類比開關731。 開關641a係由預充電賦能（PEN)信號、選擇預充電 10信號（PSL)及第74圖之邏輯信號的上位3位元（H5、H4、 H3)來控制。所舉例之邏輯信號的上位3位元（H5、H4、 H3)意指於上位3位元為“〇，，時實施選擇預充電之意。即， 構成為選擇下位3位元為“1”之時（灰階〇至灰階7)實施預 充電。 15 另’該選擇預充電雖然固定僅預充電灰階0或者固 定於灰階0至灰階7之範圍進行預充電，但亦可與低灰階 領域互鎖，以選擇預充電低灰階領域（第79圖之灰階〇至 灰階R1或灰階（Rl — 1))。即，選擇預充電係互鎖成低灰階 領域為灰階0至灰階R1時於該範圍實施，且低灰階領域 20為灰階0至灰階R2時於該範圍實施而實施之。此外，該 控制方式相較於其他方式，其硬體規模較小。 依據以上之信號的施加狀態來開關控制開關641a， 當開關641a開啟時，預充電電壓Pv則施加於源極信號線 18。此外，施加預充電電壓Pv之時間則由另外形成之計 234 1264691 玖、發明說明 數器（未圖示）來設定。該計數器係構成為可依命令來設定 。又’預充電電壓之施加時間宜設定為〗水平掃猫期間 (1H)之1/100以上1/5以下之時間。例如，若ih為1〇以 sec，則設為1//Sec以上20#sec以下（1H的ι/ι〇〇以上ih 5的1/5以下），更理想的是設為2^ec以上心咖以下 (1H的2/100以上1H的1/1〇以下）。 第173圖為第70圖或第75圖之變形例。第173圖 係判定是否依照輸入圖像資料來進行預充電，且進行預充 電控制之預充電電路。例如，可進行僅於圖像資料為灰階 10 〇時進行預充電之設定、僅圖像資料為灰階〇、丨時進行預 充電之設定、灰階0則一定進行預充電且於灰階丨連續產 生一定Η以上時進行預充電之設定。 第173圖係顯示本發明具預充電功能之電流輸出方 式之源極驅動電路（IC)14的一例。第173圖中顯示於6位 15元之定電流輸出電路的輸出段搭載有預充電功能之情形。 第173圖中，符合電路1731係依照圖像資料D〇〜D5來解 碼，且判定是否於具依水平同步信號HD而產生之重設功 能之REN端子輸入、點時脈CLK端子輸入進行預充電。 又，符合電路1731係具有記憶體，而保持有依照數H或 20數攔（幀）之圖像資料而進行之預充電的輸出結果，且具有 根據保持結果來判定是否進行預充電且進行預充電控制之 功能。例如，可進行灰階〇則一定進行預充電且於灰階i 連續產生6H(6水平掃瞄期間）以上時進行預充電之設定。 又，可進行灰階0、1則一定進行預充電且於灰階2連續產 235 1264691 玖、發明說明 生3F(3幀期間）以上時進行預充電之設定。 符合電路1731之輸出與計數 冤路701之輪出係構 成為藉AND電路7G3串聯，且於_定期間輸出暗位準電壓 VP。其他情形則是第68圖等所說明之來自電流輸出段彻 之輸出電纽加於源極信號線18(由祕錢線Μ吸收程 式電流岭由於其他構造與第7〇圖、第75圖等相同或 類似，故省略其說明。此外，雖然第173目中預充電電壓 施加於A點，但當然亦可施加Η點（亦參照第乃圖）。 10 15 20 藉由依照施加於源極信號線18之圖像資料而改變預 充電電壓PV之施加時間，亦可得到良好的結果。例如， 完全暗顯示之灰階0係增加施加時間，而灰階4則較前者 更縮短時料。又，考i 1Η前之圖像資料與接著所施加 之圖像資料的差而設定施加時間亦可得到良好的結果。例 如，當1Η前於源極信號線寫入使像素為亮顯示之電流且 下一 1Η寫入使像素為暗顯示之電流時，係增加預充電時 間，此係由於暗顯示之電流微小之故。相反地，當ιη前 於源極信號線寫入使像素為暗顯示之電流且下一 1Η寫入 使像素為亮顯示之電流時，則縮短預充電時間，或者停止（ 不進行）預充電，此係由於亮顯示之寫入電流大之故。 依照所施加之圖像資料來改變預充電電壓也是有效 的此係由於暗顯不之寫入電流微小’而免顯示之寫入電 流大之故。因此，隨著變為低灰階領域，則提高預充電電 壓（相對於Vdd。此外，像素電晶體lla為Ρ通道時），而 隨著變為高灰階領域，則降低預充電電壓（像素電晶體Ua 236 1264691 玖、發明說明 為P通道時）。 以第75圖為中心來作說明。 以下，為了容易理解 此外，以下所說明之事項去 只田然亦可適用於第70圖、第175 圖之預充電電路。 5 當程式電流打開端子（P0端子）為“〇，，時，開關 ⑽成為關閉狀態’且IL端子及IH端子與源極信號線18 10 分開（1_端子與源極信號線18相連接）。因此，程式電流 1W不會流向源極信料18。P Q端子在將程式電流！ w施 加於源極信號線時設為丫，且開啟開關i52i，並使程 式電流Iw流入源極信號線18。 於p〇端子施加“〇，，，且使開關1521打開時係未 k擇顯不領域之任-像素行時。單位電晶體634係根據輸 入資料(DG〜D5)不斷地從源極信號線18引人電流。該電流 係從所選擇之像素16的Vdd端子透過電晶體iu流入源 15極信號線18之電流。因此，未選擇任—像素行時則沒有電 流從像素16流向源極錢線18之通路。所謂未選擇任一 像素行之柃係發生在選擇任意之像素行至選擇下一像素行 之間。此外，將上述未選擇任一像素（像素行）而沒有流入（ 流出）源極信號線18之通路的狀態稱作全非選擇期間。 2〇 該狀態下，若IOUT端子連接於源極信號線18，則 電ML會流向開啟之單位電晶體634(雖然實際上開啟的是由 D0〜D5端子之資料來控制之開關641)。因此，業已於源極 信號線18之寄生電容充電之電荷會放電，而源極信號線 18之電位則急遽地下降。如此一來，一旦源極信號線Μ 237 1264691 玖、發明說明 之電位下降’則藉由本來寫入源極信號線18之電流而恢復 至原本的電位需要時間。 為了解決該課題，本發明係於全非選擇期間於p〇 端子施加“〇” ，而使第75圖之開關1521關閉，並使 5 I〇UT端子與源極信號線18分開。藉由分開，電流則不會 k源極偽號線18流入單位電晶體634，因此全非選擇期間 内不會發生源極信號線丨8之電位變化。如上所述，藉由於 全非選擇期間控制p〇端子，且使電流源與源極信號線18 分開，可實施良好的電流寫入。 1〇 又’當於晝面摻雜亮顯示領域（具一定亮度之領域） 之面積（亮面積）與暗顯示領域（預定亮度以下之領域）之面積 (暗面積），且亮面積與暗面積之比例於一定範圍時，附加 所謂停止預充電之功能是有效的（適當預充電），此係由於 在該一定範圍内，於圖像會產生縱紋之故。當然，相反地 15 ，於一定範圍内，也有進行預充電之情形。又，此係由於 圖像移動時，圖像會成為雜訊之故。適當預充電藉演算電 路來计异（>貞异）相當於亮面積與暗面積之像素的資料，藉 此可輕易地實現。 使預充電控制於R、G、B不同也是有效的，此係由 20於EL元件15之發光開始電壓、發光亮度於尺、〇、b不 同之故。例如，構成為r於預定亮度之亮面積：預定亮度 之暗面積之比為1 : 20以上時停止或開始預充電，而G與 β則於預定亮度之亮面積··預定亮度之暗面積之比為i ·· 16以上時停止或開始預充電。此外，根據實驗及檢討結果 238 1264691 玖、發明說明 ’有機EL面板則宜於預定亮度之亮面積：預定亮度之暗 面積之比為i ·· 100以上（即，暗面積為亮面積之100倍^ 上）時停止預充電。更理想的是於預定亮度之亮面積：預定 亮度之暗面積之比為200以上（即，暗面積為亮面積之 5 200倍以上）時停止預充電。 當像素16之驅動用電晶體lla為p通道時，預充電 電壓PV則必須從源極驅動電路（IC)14輸出接近(參照 第1圖）之電壓。但，該預充電電壓pv愈接近_，源極 驅動電路（IC)14則必須使用愈高耐壓製程之半導體（雖說高 1。耐壓，但僅為5(v)〜10(v)，然而，一旦超過5(v)耐壓，： 半導體製程價格變高之點成為問題。因此，藉由採用聊 耐壓之製程，可使用高精細、低價格之製程）。 當像素16之驅動電晶體lla的二極體特性良好且已 確保儿顯示之開啟電流時，若二極體特性為5(v)以下，則 15源極驅動1C14亦可使用5(V)製程，因此不會發生問題。 然而，一旦二極體特性超過5(v)，則成為問題。特別是由 於預充電必須施加接近電晶體lla之源極電壓Vdd的預充 電電壓PV ’因此變得無法由IC14輸出。 第92圖為解決該課題之面板構造。第92圖中，於 車歹】基板71側形成有開關電路641。由源極驅動ic 14輸 出開關641之開關信號。該開關信號藉形成於陣列基板71 之位準移位電路693升壓，而使開關641進行開關動作。 此外，開關641及位準移位電路693係於形成像素之電晶 體之衣耘同時或者依序地形成。當然，亦可藉外電路(ic) 239 1264691 玖、發明說明 另外形成，且安裝於陣列基板71上等。 件 由 開關信號係根據先前所說明（第75圖等）之預充電條 IC14之端子761a輸出。因此，預充電電壓之施加 5 10 '驅動方法於第92圖之實施例當然亦可適用。由端子 76U輸出之電壓（信號）為5(v)以下般低。該電壓（信號）藉 位準移位電路693增加振幅至開關641之開關邏輯位準。 藉由如上所述地構成，源極驅動電路（Ic)i4藉可驅 動程式電流Iw之動作電壓範圍的電源電壓即足夠。預充電 電壓pv於動作電壓高之陣列基板71則沒有問題。因此， 預充電亦可充分施加至陽極電壓（Vdd)為止。 若第89圖之開關1521亦形成於源極驅動電路 (IC)14内，則耐壓會成為問題，此係由於例如像素μ之 Vdd電壓較IC14之電源電壓高時，則有於IC14之端子 761施加會破壞ic 14之電壓的危險。 15 用以解決該課題之實施例為第91圖之構造。於陣列 基板71形成（S己置）有開關電路⑷。開關電路⑷之構造 等與第92圖所說明之構造、試樣等相同或近似。 開關641係較iC14之輸出為前，且配置於源極信號 線18途中。藉由開啟開關641，於像素16程式化之電流 20 I*會流入源極驅動電路（IC)M。藉由開啟開關641，源極 驅動電路(IC)14會與源極信號線18分開。藉由控制該開關 641 ’可貫施第90圖所示之驅動方式等。 與第92圖同樣地，由端子76u輸出之電壓（信號） 為5(V)以下般低。該電壓（信號）藉位準移位電路693增加 240 1264691 玖、發明說明 振幅至開關641之開關邏輯位準。 藉由如上所述地構成，源極驅動電路（IC)14藉可驅 動程式電流Iw之動作電壓範圍的電源電壓即足夠。又，由 於開關641亦藉陣列基板71之電源電壓動作，故即使vdd 5電壓從像素16施加於源極信號線18，亦不破壞開關041， 又，也不會破壞源極驅動電路(Ic)14。 另’當然亦可將第91圖中配置（形成）於源極信號線 18途中之開關641與預充電電壓pv施加用開關641兩者 形成（配置）於陣列基板71(例如第91圖+第92圖之構造） 10 〇 先丽亦已說明之，如第i圖所示，當像素16之驅動 用電晶體11a、選擇電晶體⑴b、llc)為p通道電晶體時， 會產生衝穿電壓，此係由於閘極信號線na之電位變動透 過k擇電晶體（lib、11c)之G-S電容（寄生電容）而衝穿電 合w 19之端子之故。P通道電晶體nb關閉時則成為v钟 電壓。因此，電容器19之端子電壓會稍微移位至vdd侧 因而，驅動用電晶體lla之閘極（G)端子電壓會上升，而 成為更佳之暗顯示。如此一來，可實現良好的暗顯示。 然而，雖然第0灰階之完全暗顯示可實現，但第i 20灰階等則變得不易顯示，或者，帛G灰階至第i灰階發生 大的灰1¾不連接’或者於特定之灰階範圍產生曝光不足 之現象。 用以解決該課題之構造為第71圖之構造。該構造以 具有增高輸出電流值之功能為特徵。增高電路7ιι之主要 241 1264691 玖、發明說明 目的為補償衝穿電壓。又，即使圖像資料為暗位準〇，為 了流過某種程度（數ΙΟηΑ)之電流，亦可使用於暗位準之調 整。 基本上，第71圖係於第64圖之輸出段追加增高電 5 路（第71圖中以虛線框住的部分）。第71圖為假定3位元 (KO、ΚΙ、K2)作為電流值增高控制信號，且藉由該3位元 之控制信號’可將孫電流源之電流值的0〜7倍電流值加到 輸出電流。 上述係本發明源極驅動電路（IC)14之基本性概要。 10 以下針對本發明源極驅動電路（IC)14更詳細地作說明。 流入EL元件15之電流1(A)與發光亮度B(nt)有線 形關係。即，流入EL元件15之電流1(A)與發光亮度 B(nt)成比例。電流驅動方式中，1階段（灰階刻度）為電流（ 單位電晶體634(1單位））。 15 人類對亮度之視覺具平方特性。即，以平方之曲線 變化時，可辨識出明亮度係直線地變化。但，若為第83圖 之關係，則無論低亮度領域或高亮度領域，流入EL元件 15之電流1(A)與發光亮度B(nt)皆成比例。因此，若每1 階段（1灰階）每1階段地變化，則低灰階部（暗領域）中，相 20 對於1階段之亮度變化大（發生對比差過大）。高灰階部（亮 領域）則由於大致與平方曲線之直線領域一致，故可辨識出 相對於1階段之亮度變化係以等間隔變化。由上述情形可 知，電流驅動方式（1階段為每1電流時）中（電流驅動方式 之源極驅動電路（IC)14中），暗顯示領域之顯示特別成為問 242 1264691 玖、發明說明 題。 對該課題，本發明係如第79圖所示，減少低灰階領 域（灰階〇(完全暗顯示）至灰階（R1))之輸出電流的傾斜，且 增加高灰階領域（灰階（R1)至最大灰階（R))之輸出電流的傾 5 斜。即，低灰階領域中，減少每1灰階（1階段）所增加之電 流量。高灰階領域中，增加每1灰階（1階段）所增加之電流 量。藉由使第79圖之兩灰階領域中每1階段所變化之電流 量相異，灰階特性會接近平方曲線，且不會發生於低灰階 領域之對比差過大。將第79圖等所示之灰階一電流特性曲 10 線稱作伽馬曲線。 又，雖然上述實施例設為低灰階領域與高灰階領域 2階段之電流傾斜，但並不限於此，當然3階段以上亦為 。但，由於2階段時電路構造簡單，因此較為理想。更理 想的是構成伽馬電路以可產生5階段以上之傾斜。 15 本發明之技術性思想係電流驅動方式之源極驅動電 路（1C)等中（基本上為藉電流輸出來進行灰階顯示之電路。 因此，顯示面板並不限於主動矩陣型，亦包含單純矩陣型 。），每1灰階階段之電流增加量複數存在。 EL等電流驅動型之顯示面板係顯示亮度與所施加之 20 電流量成比例地變化。因此，於本發明之源極驅動電路 (IC)14中，藉由調整流向1個電流源（1單位電晶體）634之 成為基準之基準電流，可輕易地調整顯示面板之亮度。 於EL顯示面板中，發光效率於R、G、B不同，又 ，相對於NTSC標準之色純度有偏差。因此，為了使白平 243 1264691 玖、發明說明 衡更為適當，必須適當地調整RGB之比率。調整係藉由調 整RGB個別的基準電流來進行。例如，將R之基準電流 設為2//A，且將G之基準電流設為ι·5#α，並將B之基 準電流設為3.5//Α。如上所述，至少多數顯示色之基準電 5 /;,L中，至少1色之基準電流宜構成為可變更或調整或者控 制者。 於本發明之源極驅動電路（源極驅動IC)14中，可縮 小第67圖、第148圖等中第1段電流源631之電流鏡倍率 (例如，若基準電流為i β A，則將流向電晶體632b之電流 10設為1/:l〇〇nA等），並使由外部調整之基準電流的調整精度 粗略，且，構成為可高效率地調整晶片内之微小電流的精 度。上述事項當然亦適用於第147圖之基準電流比、第 157圖、第158圖、第159圖、第16〇圖、第i6i圖、第 163圖、第164圖、第165圖等之基準電流几、仂。 15 ^ 了可實現第79圖之伽馬曲線’具備有低灰階領域 之基準電流的調整電路與高灰階領域之基準電流的調整電 路此外，第79圖為藉一點折彎伽馬電路所產生之灰階控 制方法’此係為了容易說明，但，本發明並不限於此，當 然亦可為多點折彎伽馬電路。 20 又，雖然未圖示，但為了可於RGB獨立地調整，因 此職分別具備有低灰階領域之基準電流的調整電路舆高 灰階領域之基準電流的調整電路。當然’當藉由固定】色 而調整其他顏色之基準電流來調整白平衡時可具備用以 S色(例如固定G ¥，為R、B)之低灰階領域之基準 244 1264691 玖、發明說明 電流的調整電路與高灰階領域之基準電流的調整電路。 電流驅動方式亦如第83圖所示，流入EL之電流I 與亮度之關係有直線關係。因此，由RGB之混合而產生之 白平衡的調整可僅以預定亮度此點來調整RGB之基準電流 5 。即，若以預定亮度此點來調整RGB之基準電流，且調整 白平衡，則基本上全灰階皆可取得白平衡。因此，本發明 在具備可調整RGB之基準電流的調整機構之點、具備1點 折彎或多點折彎伽馬曲線產生電路（產生機構）之點具有特 徵。上述事項並非液晶顯示面板之電路，而是在電流控制 10 之EL顯示面板特有的電路方式。 第79圖之伽馬曲線的情形在液晶顯示面板會發生問 題。首先，為了取得RGB之白平衡，必須將伽馬曲線之折 彎位置（灰階R1)於RGB設為相同。對該課題，由於本發 明之電流驅動方式可使伽馬曲線之相對性關係在RGB相同 15 ，故可解決該課題。又，必須將低灰階領域之傾斜與高灰 階領域之傾斜的比率在RGB設為一定。對該課題，由於本 發明之電流驅動方式可使伽馬曲線之相對性關係在RGB相 同，故可解決該課題。 如上所述，雖然如第83圖所示傾斜於R、G、B不 20 同，但本發明之電流驅動方式係利用施加於像素16之電流 與EL元件15之發光亮度為直線關係之點。藉由利用該關 係，可發揮各灰階中白平衡偏差消失且藉簡單的電路規模 可實現伽馬電路之特徵。 於本發明之伽馬電路中，舉例而言，低灰階領域中 245 1264691 玖、發明說明 每1灰階增加ΙΟηΑ(於低灰階領域之伽馬曲線的傾斜）。又 ，高灰階領域中每1灰階增加50nA(於高灰階領域之伽馬 曲線的傾斜）。 另，將高灰階領域中每1灰階之電流增加量/低灰階 5 領域中每1灰階之電流增加量稱作伽馬電流比率。該實施 例中，伽馬電流比率為50nA/10nA= 5。RGB之伽馬電流 比率設為相同。即，於RGB中，在將伽馬電流比率設為相 同之狀態下控制流向EL元件15之電流（=程式電流）。 第80圖為該伽馬曲線之例子。第80(a)圖中，低灰 10 階部、高灰階部皆每1灰階之電流增加大。而第80(b)圖中 ，低灰階部與高灰階部皆每1灰階之電流增加較第80(a)圖 小。但，第80(a)圖之RGB的伽馬電流比率與第80(b)圖之 RGB的伽馬電流比率設為相同。 如上所述，若將伽馬電流比率在RGB持續維持於相 15 同而調整，則電路構造會變得簡單，此係由於可於各色製 作用以產生施加於低灰階部之基準電流的定電流電路與用 以產生施加於高灰階部之基準電流的定電流電路，且製作（ 配置）用以調整相對地流入該等定電流電路之電流的調節器 〇 20 第77圖為持續維持伽馬電流比率且改變輸出電流之 電路構造。藉電流控制電路772持續維持低電流領域之基 準電流源771L與高電流領域之基準電流源771H之伽馬電 流比率，且改變流向電流源633L、633H之電流。 又，如第78圖所示，宜藉形成於1C晶片（電路）14 246 1264691 玖、發明說明 内之溫度檢測電路781來檢測顯示面板之溫度，此係由於 有機EL兀件因構成RGB之材料的不同，溫度特性會不同 之故。該溫度之檢測係利用形成於溫度檢測電路781之雙 極電晶體來進行，其係利用雙極電晶體之接合部的狀態會 口 /1EL度而變化，且雙極電晶體之輸出電流會因溫度而變化 。將所檢測出之溫度反饋至配置（形成）於各色之溫度控制 電路782，且藉由電流控制電路772進行溫度補償。 另，伽馬比率為3以上10以下之關係是適當的，更 理想的是為4以上8以下之關係。特別是伽馬比率宜滿足 1〇 5以上7以下之關係。將此稱作第1關係。 又’低灰階部與高灰階部之變化點（第79圖之灰階 R1)設定在最大灰階數K之1/32以上1/4以下是適當的（例 如，若最大灰階數K設為6位元之64灰階，則設為64/32 一第2灰階以上、64/4=第16灰階以下），更理想的是低 15灰階部與高灰階部之變化點（第79圖之灰階R1)設定在最 大灰1¾數K之1/16以上1/4以下（例如，若最大灰階數κ 設為6位元之64灰階，則設為64/16=第4灰階以上、 64/4=第16灰階以下），最理想的是設定在最大灰階數κ 之1/10以上1/5以下（此外，因計算而產生小數點以下時則 20捨去。例如’若最大灰階數Κ設為6位元之64灰階，則 設為64/10=第6灰階以上、64/5=第12灰階以下）。將上 述關係稱作第2關係。 另，上述說明為兩電流領域之伽馬電流比率之關係 。但，上述第2關係亦適用於有3個以上電流領域之伽馬 247 1264691 玖、發明說明 電流比率時（即，折彎點有2處以上）。即，對3個以上之 斜率，可適用於相對於任意2個斜率之關係。 藉由同時滿足上述第1關係與第2關係兩者，則對 比差過大之情形消失，而可實現良好的圖像顯示。 5 第82圖係於1個顯示面板使用多個本發明之電流驅 動方式之源極驅動電路（IC)14之實施例。本發明之源極驅 動IC14係假定使用多數驅動IC14。於源極驅動1〇14具備 有從/主（S/Μ)端子。 藉由將S/Μ端子設為η位準，而以主晶片動作，且 10從基準電流輸出端子（未圖示）輸出基準電流。該電流成為 流向從屬IC14(14a、He)之第圖、第μ圖之INL、ΙΝη 端子之電流。藉由將S/Μ端子設為L位準，IC14會以從屬 晶片動作，且從基準電流輸入端子（未圖示）接收主晶片之 基準電流。該電流成為流向第73圖、第74圖之INL、 15 WH端子之電流。 於基準電流輸入端子、基準電流輸出端子間傳送之 基準電流為各色之低灰階領域與高灰階領域2系統。因此 ，若為RGB三色，則因3x 2而成為6系統。此外，雖然 上述實施例設為各色2系統，但並不限於此，各色3系統 20 以上亦可。 本發明之電流驅動方式係如第81圖所示，構成為可 變更折彎點（灰階R1等）。第81(a)圖係於灰階ri改變低灰 階部與高灰階部，而第81(b)圖則於灰階R2改變低灰階部 與高灰階部。如上所述，可在多處改變折彎位置。 248 1264691 玖、發明說明 具體而言，本發明係可實現64灰階顯示。折彎點 (R1)係設為無、第2灰階、第4灰階、第8灰階、第16灰 階。此外，由於將完全暗顯示設為灰階0，故折彎點成為2 、4、8、16，而若將完全性暗顯示之灰階設為灰階1，貝J 5 折彎點會成為3、5、9、17、33。如上所述，藉由構成為 使折彎點可於2的倍數之處（或者2的倍數+1之處：將完 全暗顯示設為灰階1時），會產生電路構造變得簡單之效果 〇 第73圖為低電流領域之電流源電路部的構造圖。又 10 ^第74圖為雨電流領域之電流源部及增南電流電路部的構 造圖。如第73圖所示，低電流源電路部係施加基準電流 INL，且基本上該電流成為單位電流，並根據輸入資料L0 至L4，必要個數之單位電晶體634動作，且以其總和低電 流部之程式電流IwL流動。 15 又，如第74圖所示，高電流源電路部係施加基準電 流INH ’且基本上該電流成為早位電流’並根據輸入資料 H0至H5，必要個數之單位電晶體634動作，且以其總和 而使高電流部之程式電流IwH流動。 提高電流電路部亦相同，如第74圖所示，施加基準 20 電流INH，且基本上該電流成為單位電流，並根據輸入資 料ΑΚ0至AK2，必要個數之單位電晶體634動作，且以其 總和而使對應於提高電流之電流IwK流動。 流向源極信號線18之程式電流Iw為Iw = IwH +
IwL + IwK。IwH與IwL之比率，即，伽馬電流比率係滿足 249 1264691 玖、發明說明 先前亦已說明之第1關係。 如第73圖、第74圖所示，開啟關閉開關641係以 由變換器732及P通道電晶體及N通道電晶體所構成之類 比開關731構成。如上所述，藉由以由變換器732及P通 5 道電晶體及N通道電晶體所構成之類比開關731構成開關 641，可降低開啟電阻，並可使單位電晶體634與源極信號 線18間之電壓下降極度減少。當然該事項於本發明之其他 實施例亦適用。 針對第73圖之低電流電路部與第74圖之高電流電 10 路部的動作加以說明。本發明之驅動電路（IC)14係由低電 流電路部L0〜L4之5位元構成，且由高電流電路部H0〜H5 之6位元構成。此外，由電路外部輸入之資料為D0〜D5之 6位元（各色64灰階）。將該6位元資料變換為L0〜L4之5 位元、高電流電路部H0〜H5之6位元，且將對應於圖像資 15 料之程式電流Iw施加於源極信號線。即，將輸入6位元資 料變換為5+6 = 11位元資料。因此，可形成高精度之伽馬 曲線。 如上所述，將輸入6位元資料變換為5+6 = 11位元 資料。於本發明中，高電流領域之電路的位元數(H)係設為 20 與輸入資料（D)之位元數相同，而低電流領域之電路的位元 數（L)則設為輸入資料（D)之位元數一1。此外，低電流領域 之電路的位元數（L)亦可設為輸入資料（D)之位元數一2。藉 由如上所述地構成，低電流領域之伽馬曲線與高電流領域 之伽馬曲線成為最適合EL顯示面板之圖像顯示。 250 1264691 玖、發明說明 以下，針對低電流領域之電路控制資料（L0〜L4)與高 電流領域之電路控制資料（H0〜H4)的控制方法一面參照第 84圖至第86圖加以說明。 本發明於第73圖中連接於第73圖之L4端子之單 5位電晶體634a的動作具有特徵。該634a係由成為1單位 電流源之1個電晶體構成。藉由開關該電晶體，程式電流 Iw之控制（開關控制）會變得容易。 第84圖係於灰階4切換低電流領域與高電流領域時 之低電流侧信號線（L)與高電流侧信號線（H)之施加信號。 10此外，雖然第84圖至第86圖中顯示灰階〇至18，但實際 上是到第63灰階為止。因此，各圖式中，灰階μ以上係 省略。又，於圖表之“厂，時，開關641設為開啟，且該單 位電晶體634與源極信號線18相連接，而於圖表之“〇，， 時’開關641則設為關閉。 15 第84圖中，完全暗顯示之灰階〇的情形係（L0〜L4) =(〇、〇、0、0、〇)，而（H0〜H5)= (0、0、0、〇、〇)。因此 ’所有開關641為關閉狀態，且源極信號線18中程式電流 Iw 〇 灰階 1 中，（L0 〜L4)=(l、0、0、0、0)，而（H0 〜H5) 20二㈧、0、〇、〇、〇)。因此，低電流領域之1個單位電晶體 634連接於源極信號線18。高電流領域之單位電流源則未 連接於源極信號線18。 灰階 2 中，（L0〜L4)=(0、1、0、0、0)，而（H0〜H5) (〇、〇、0、0、0)。因此，低電流領域之2個單位電晶體 251 1264691 玖、發明說明 634連接於源極信號線18。高電流領域之單位電流源則未 連接於源極信號線18。 灰階 3 中，（L0〜L4)=(l、1、0、〇、0)，而（H0〜H5) =(0、0、0、0、0)。因此，低電流領域之2個開關641La 5 、64lLb開啟，且3個單位電晶體634連接於源極信號線 18。高電流領域之單位電流源則未連接於源極信號線18。 灰階 4 中，（L0〜L4)=(l、1、0、0、1)，而（H0〜H5) =(0、0、0、0、0)。因此，低電流領域之3個開關641La 、641Lb、641Lc開啟，且4個單位電晶體634連接於源極 10 信號線18。高電流領域之單位電流源則未連接於源極信號 線18。 灰階5以上時，低電流領域(L0〜L4)=(l、1、0、〇 、1)沒有改變。但，於高電流領域，灰階5中，（H0〜H5) = (1、0、0、0、0)，而開關641Ha開啟，且高電流領域之1 15 個單位電流源634與源極信號線18相連接。又，灰階6中 ，（H0〜H5)= (0、1、〇、〇、〇)，而開關 641Hl)開啟，且高 電流領域之2個單位電流源634與源極信號線18相連接。 同樣地，灰階7中，（H0〜H5)=(l、1、〇、〇、〇)，而2個 開關641Ha、開關641Hb開啟，且高電流領域之3個單位 20 電流源634與源極信號線18相連接。再者，灰階8中， (H0〜H5)= (0、〇、i、〇、〇)，而 1 個開關 641Hc 開啟，且 而電流領域之4個單位電流源641與源極信號線18相連接 。以下’如第84圖所示，依序開啟關閉開關641，且程式 電流Iw施加於源極信號線丨8。 252 1264691 玖、發明說明 上述動作中具特徵的是折彎點中，於高灰階部之灰 階加上低灰階部之電流，且符合高灰階部之階段（灰階）的 電流成為程式電流Iw。另’低電流領域與南電流領域之轉 換點中，正確來說，由於在高電流領域之灰階加上了低電 5 流IwL而作為程式電流Iw，故所謂轉換點之表現並不正確 。又，亦加上了提高電流IwK。 又，具特徵的是以1階段之灰階（應該說電流改變之 點或處所或者位置）為分界，且低電流領域之控制位元（L) 不會改變。又，具特徵的是此時，於第73圖之L4端子成 10 為“Γ ，而開關641e開啟，且電流流向單位電晶體634a 〇 因此，於第84圖之灰階4時，4個低灰階部之單位 電晶體（電流源）634動作。並且，灰階5時，4個低灰階部 之單位電晶體（電流源）634動作，且1個高灰階部之單位電 15 晶體（電流源）634動作。以下同樣地，灰階6時，4個低灰 階部之單位電晶體（電流源）634動作，且2個高灰階部之單 位電晶體（電流源）634動作。因此，折彎點之灰階5以上時 ，灰階份（此時為4個）之折彎點以下之低灰階領域的電流 源634開啟，此外，高灰階部之電流源634依序開啟符合 20 灰階之個數。 已知第73圖中L4端子之1個單位電晶體634a有用 地作用著。若無該單位電晶體634a，則灰階3之下一階段 ，高灰階部之單位電晶體634成為1個進行開啟之動作。 因此，切換點無法如4、8、16成為之2的倍數（累乘）。2 253 1264691 玖、發明說明 的倍數為僅1信號成為“Γ之狀態。 由上述理由可知，所謂2之加權信號線成為“Γ之 條件判定容易達成。因此，可縮小條件判定之硬體規模。 即’ 1C晶片之邏輯電路可簡化，結果，可設計出晶片面積 5 小之1C(可實現低成本化）。 第85圖係於灰階8切換低電流領域與高電流領域時 之低電流側信號線（L)與高電流側信號線（Η)之施加信號的 說明圖。 第85圖中，完全暗顯示之灰階〇的情形與第84圖 10 相同，為（L0〜L4)=(0、0、〇、〇、〇)，而（Η0〜Η5)=(0、0 、0、0、0)。因此，所有開關641為關閉狀態，且源極信 號線18中程式電流Iw = 0。 同樣地，灰階 1 中，（L0〜L4)=(l、0、0、0、0)， 而（H0〜H5)=(〇、〇、〇、〇、〇)。因此，低電流領域之1個 15 單位電晶體634連接於源極信號線18。高電流領域之單位 電流源則未連接於源極信號線18。 灰階 2 中，（L0〜L4)=(〇、1、0、0、0)，而（H0〜H5) =(0、0、0、〇、〇)。因此，低電流領域之2個單位電晶體 634連接於源極信號線18。高電流領域之單位電流源則未 20 連接於源極信號線18。 灰階 3 中，（L0〜L4)=(l、1、0、0、0)，而（H0〜H5) =(0、0、0、0、〇)。因此，低電流領域之2個開關641La 、641Lb開啟，且3個單位電晶體634連接於源極信號線 18。高電流領域之單位電流源則未連接於源極信號線a。 254 1264691 玖、發明說明 以下亦同樣地，灰階4中，（L0〜L4)二（0、0、1、〇 、〇)，而（H0〜H5)=(0、0、0、〇、〇)。又，灰階 5 中， (L0〜L4)= (1、0、1、〇、〇)，而（H0〜H5)=(0、0、〇、〇、〇) 。灰階 6 中，（L0〜L4)=(0、1、1、〇、〇)，而（HO〜H5)二（〇 5 、0、〇、〇、〇)。又，灰階 7 中，（L0〜L4)= (1、1、1、〇、 〇)，而（HO〜H5)=(0、〇、〇、〇、〇) 〇 灰階8為切換點（折彎位置）。灰階8中，（L0〜L4) = (1、1、1、0、1)，而（H0~H5)= (0、0、0、0、0)。因此， 低電流領域之4個開關641La、641Lb、641Lc、641Le開 10 啟，且8個單位電晶體634連接於源極信號線18。高電流 領域之單位電流源則未連接於源極信號線18。 灰階8以上時，低電流領域（L0〜L4)=(l、1、1、〇 、1)沒有改變。但，於高電流領域，灰階9中，（HO〜H5)二 (1、0、0、0、0)，而開關641Ha開啟，且高電流領域之1 15 個單位電流源634與源極信號線18相連接。 以下同樣地，依照灰階階段，高電流領域之單位電 晶體634的個數1個1個增加。即，灰階1〇中，（H〇〜H5) =(〇、1、0、0、0)，而開關641Hb開啟，且高電流領域之 2個單位電流源634與源極信號線18相連接。同樣地，灰 20 階 11 中 ’（H0〜H5)= (1、1、〇、〇、〇)，而 2 個開關 641Ha 、開關641Hb開啟，且高電流領域之3個單位電流源634 與源極信號線18相連接。再者，灰階12中，（H〇〜h5)=(〇 、〇、1、0、0)，而1個開關641 He開啟，且高電流領域之 4個單位電流源634與源極信號線18相連接。而後，如第 255 1264691 玫、發明說明 84圖所示，依序開啟關閉開關641，且程式電流Iw施加於 極信號線18。 第86圖係於灰階16切換低電流領域與高電流領域 時之低電流侧#號線（L)與高電流侧信號線（H)之施加信號 5的說明圖。此時之基本動作亦與第84圖、第85圖相同。 即，第86圖中，完全暗顯示之灰階〇的情形與第 85 圖相同’為（L0〜L4) — (〇、〇、〇、〇、〇)，而（H〇〜H5) = (〇 、0、0、0、0)。因此，所有開關641為關閉狀態，且源極 信號線18中程式電流Iw == 0。同樣地，灰階1至灰階16 10中，高灰階領域之(H0〜H5)=(〇、〇、〇、〇、〇)。因此，低 電流領域之1個單位電晶體634連接於源極信號線丨8。高 電流領域之單位電流源則未連接於源極信號線18。即，僅 低灰階領域之（L0〜L4)改變。 即，灰階 1 中，（L0〜L4)二（1、〇、〇、〇、〇)，灰階 2 15 中，（L0〜L4)=(〇、1、〇、〇、〇)，灰階 3 中，（l〇〜L4)=(l 、1、0、0、0)，灰階 4 中，（L0〜L4)=(〇、〇、！、〇、〇)。 以下至灰階16依序計算。即，灰階15中，（L〇〜L4)=(l、 1、1、1、0)，灰階 16 中，（L0〜L4)=(l、iii。灰 階16中，由於僅用以表示灰階之DO〜D5的第5位元（D4)1 2〇 條開啟，故所謂資料D0〜D5所表現之内容為16可藉i資 料信號線(D4)之判定來決定。因此，邏輯電路之硬體規模 可縮小。 灰階16為切換點（折彎位置）。或者，或許應該說灰 階17為切換點。灰階16中，（L0〜L4)=(i、iiiu 256 1264691 玖、發明說明 ，而（H0〜H5)=(0、0、〇、〇、0)。因此，低電流領域之5 個開關 641La、641Lb、641Lc、641Ld、641Le 開啟，且 16個單位電晶體634連接於源極信號線18。高電流領域之 單位電流源則未連接於源極信號線18。 5 灰階16以上時，低電流領域（L0〜L4)二（1、1、1、0 、1)沒有改變。但，於高電流領域，灰階17中，（h〇〜h5) =(1、0、0、0、0)，且開關641Ha開啟，而高電流領域之 1個單位電流源634與源極信號線18相連接。 以下同樣地，依照灰階階段，高電流領域之單位電 10晶體634的個數1個1個增加。即，灰階18中，（H〇〜H5) =(〇、1、0、0、〇)，而開關641Hb開啟，且高電流領域之 2個單位電流源634與源極信號線18相連接。同樣地，灰 階 19 中 ’（H0〜H5)= (1、1、〇、〇、〇)，而 2 個開關 641Ha 、開關641Hb開啟，且高電流領域之3個單位電流源634 15與源極信號線18相連接。再者，灰階20中，（H0〜H5) = (0 、〇、1、0、0)，而1個開關641Hc開啟，且高電流領域之4 個單位電流源634與源極信號線18相連接。 如此一來’構成為於切換點（折彎位置），2的倍數之 個數的電流源（1單位電晶體）634開啟或者與源極信號線18 20相連接（相反地，關閉之構造亦可）之邏輯處理等變得極為 容易。 例如構成為如第84圖所示，若折彎位置為灰階4(4 為2的倍數），則4個電流源（1單位）634動作等，且構成為 灰階4以上之灰階則加上高電流領域之電流源單位）634 257 1264691 玖、發明說明 〇 、 又，構成為如第85圖所示，若折彎位置為灰階8(8 為2的倍數），則8個電流源（1單位)634動作等，且構成為 白^上之灰階則加上高電流領域之電流源（1單位）634 右私用本發明之構造，則不限於64灰階（M灰階：柳6 色256灰P白· 1670萬色等），而可於所有灰階表現構成硬 體構造小之伽馬控制電路。 另，雖然第84圖、第85圖、第86圖所說明之實施 例設定切換點之灰階為2的倍數，但此係完全暗顯示設為 1〇灰P白0之情形。當將灰階1設為完全暗顯示時，則必須加 1 ° 本卷明中重點在於構成為具有多數電流領域（低電流 項域回電流領域等），且信號輸入少即可判定（處理）其切 換點。此係所謂舉例而言，由於若為2的倍數則可僅檢測 15 1信號線，故硬體規模變得極小之技術性思想。又，為了 使該處理較為容易，因而附加電流源 634a。 若為負邏輯，則可不以2、4、8···，而以灰階1、3 、7、15···作為切換點。又，雖然將灰階〇設為完全暗顯示 並不限於此，例如，若為灰階顯示，則亦可將灰階 20 63没為完全暗顯示狀態、，而將灰階G設為最大之亮顯示。 此日守可延向思考來處理切換點。因此，在由2的倍數來處 理上，有時會成為不同的構成。 切換點（折彎位置）並不限於1伽馬曲線。即使折彎 位置多數存在，亦可構成本發明之電路。例如，折彎位置 258 1264691 玖、發明說明 可設定為灰階4與灰階16。又，亦可如灰階4與灰階16 與灰階32設定為3點以上。 上述實施例雖然以灰階設定為2的倍數來作說明， 但本發明並不限於此，例如，亦可以2的倍數之2與 5 8(2+8 =第10灰階，即，判定所需之信號線為2條）來設定 折彎點。亦可以其上之2的倍數之2與8與16(2+8 + 16 = 第26灰階，即，判定所需之信號線為3條）來設定折彎點 。此時雖然判定或處理所需之硬體規模多少會變大，但電 路構造上可充分地對應。又，以上所說明之事項當然包含 10 在本發明之技術性範疇。 如第87圖所示，本發明之源極驅動電路（IC)14係由 3個部分之電流輸出電路704構成，該3部分之電流輸出 電路704為於高灰階領域動作之高電流領域電流輸出電路 704a、於低電流領域動作之低電流領域電流輸出電路704b 15 、用以輸出提高電流之電流提高電流輸出電路704c。 高電流領域電流輸出電路704a與電流提高電流輸出 電路704c係以用以輸出高電流之基準電流源771a為基準 電流來動作，而低電流領域電流輸出電路704b則以用以輸 出低電流之基準電流源771b為基準電流來動作。 20 先前亦已說明之，電流輸出電路704並不限於高電 流領域電流輸出電路7〇4a、低電流領域電流輸出電路704b 、電流提高電流輸出電路704c三個，亦可為高電流領域電 流輸出電路704a與低電流領域電流輸出電路704b兩個， 又，亦可由3個以上之電流輸出電路704來構成。又，基 259 1264691 玖、發明說明 準電流源771亦可對應於各個電流領域電流輸出電路綱 而配置或形成，又，亦可於所有電流領域電流輸出電路 704共用。 上述電流輸出電路7〇4係對應於灰階資料，且内部 5之早位電晶體634動作，並由源極信號線18吸收電流。前 述單位電晶體634係與水平同步信號同步動作。即，期 間内，輸入依據所符合之灰階資料的電流（單位電晶體 為N通道時）。 另一方面，閘極驅動電路12亦與m信號同步，且 1〇基本上是依序選擇1條閘極信號線17a。即，與1H信號同 步，且於第1H期間選擇閘極信號線17a(1)，於第2h期間 選擇閘極信號線17a(2)，於第3H期間選擇閘極信號線 PaQ)，於第4H期間選擇閘極信號線17a(4)。 但，選擇第1閘極信號線17a後，於接下來選擇第 15 2閘極信號、線17a之期間則設置未選擇任一間極信號線… 之期間（非選擇期間，參照第88圖之⑴。非選擇期間必須 為間極信號線17a之上升期間、下降期間，且是為了確保 選擇電晶體11 d之開關控制期間而設。 若於任一閘極信號線17a施加開啟電壓，而像素^ 6 2〇之電晶體llb '選擇電晶體llc開啟，則程式電流Iw會從 vdd電源（陽極電壓）透過驅動用電晶體Ua流向源極信號 線18。該程式電流Iw係流向單位電晶體634(第88圖之u 期間）。此外，於源極信號線18則產生有寄生電容因閘 極信號線與源極信號線之交叉點的電容等而產生寄生電容） 260 1264691 玖、發明說明 但，未選擇任-閘極信號線17a(非選擇期間，第μ 圖之tl期間）則沒有電流流過電晶體lla之電流通路。單 位電晶體634使電流流動後，從源極信號線18之寄生電容 吸收電荷。因此，源極信號線18之電位下降（第Μ圖之A 的部分）。-旦源極信號線18之電位下降，則在寫入對應 於下一圖像資料之電流上要花時間。 10 為了解決該課題，如第89圖所示，於與源極端子 761之輸出端形成開關641a。又，於電流提高電流輸出電 路704c之輸出段形成或配置開關6Wb。 於非選擇期間tl，於控制端子S1施加控制信號， 而使開關開關641a為關閉狀態。於選擇期間t2則使開關 641a為開啟狀態（導通狀態）。開啟狀態時係流過程式電流 Iw二IwH+IwL+IwK。若使開關641a關閉，Iw電流則不流 15動。因此，如第90圖所示，下降至如第88圖之A的電位（ 沒有變化）。此外，開關641之類比開關731的通道寬度w 為10/zm以上i00/zm以下。該類比開關之w(通道寬度） 為了減少開啟電阻，必須為10//m以上，但，由於W過 大則寄生電容亦會變大，故為1〇〇#m以下，更理想的是 20通道覓度1為丨5#111以上60/zm以下。 開關641b為僅於低灰階顯示用以控制之開關。低灰 p白顯不（暗顯不）時，像素16之電晶體Ua的閘極電位必須 接近vdd(因此，暗顯示時，源極信號線18之電位必須接 近Vdd)。又，暗顯示時，程式電流iw小，且一旦電位如 261 1264691 玖、發明說明 第88圖之A —度下降，則欲恢復至正規的電位需要長時 間0 因此，低灰階顯示時，必須避免非選擇期間u發生 。相反地，高灰階顯示時，由於程式電流Iw大，故即使非 5選擇期間U發生，亦多半沒有問題。因此，本發明中，即 使高灰階顯示之圖像寫入為非選擇期間，亦先開啟開關 64ia、開關641b兩者。又，提高電流IwK亦必須先切斷 ，此係為了極力實現暗顯示。而低灰階顯示之圖像寫入則 驅動成於非選擇期間先開啟開關641a，且開關64ib關閉 10 。開關641b由端子S2控制。 另，亦可實施於低灰階顯示與高灰階顯示兩者，於 非選擇期間tl持續使開關641a關閉（非導通狀態），且使開 關641b開啟（導通）之驅動。當然，亦可實施於低灰階顯示 與高灰階顯示兩者，於非選擇期間tl使_ 6仏、開關 15 641b兩者關閉（非導通）之驅動。無論如何皆可藉控制控制 端子SI、S2來控制開關641。此外，控制端子si、幻係 由命令控制來控制。 20 例如，控制端子S2將t3期間設為“〇”邏輯位準以 重璺非選擇期間u。藉由如上所述地控制，第88圖之A 的狀態則不會發生。又，當灰階為m之暗顯示位準 時，則將控制端子S1設為“〇，’冑輯位準。如此—來提 高電流IwK會停止，而可實現更良好之暗顯示。 普通的驅動1C係於輸出附近形成有保護二極體 剛參照第167圖）。保護二極體1671係為了防止從IC14 262 1264691 玖、發明說明 外部由靜電來破壞IC14而形成。一般而言，保護二極體 1671係形成於輪出配線643與電源Vcc間、輪出配線643 與接地間。 保護二極體1671在防止因靜電而造成之破壞上是有 5效的。但，於等效電路圖則被視為電容器（寄生電容）。電 流驅動方式中，若於輸出端子643有寄生電容，則電流寫 入會變得困難。 本發明為解決該課題之方法。源極驅動IC14係以於 輸出段形成有保護二極體1671之狀態來製造。所製造之源 10極驅動IC14係搭載或配置於陣列基板71，且輸出端子761 與源極信號線18相連接。輸出端子761與源極信號線18 之連接後，如第169(a)圖所示，藉雷射光15〇2切斷a點及 b點，而保護二極體1671與輸出配線643分開。或者，如 第169(b)圖所示，於c點及d點照射雷射光⑽而切斷之 15 。因此，保護二極體1671成為浮動狀態。 如上所述，猎由保護二極體1671與輸出配線Μ]分 開，或者，藉由使保護二極體1671為浮動狀態，可防止因 保護二極體1671而產生之寄生電容的發生，又，於IC14 之安裝後，由於藉由保護二極體1671與輸出配線643分開 2〇 ，或者，使保護二極體1671為浮動狀態，故因靜電而造成 之破壞的問題亦不會發生。 另，雷射光1502之照射係如第168圖所示，從陣列 基板71之裡面進行。陣列基板71為玻璃基板，且具有光 透過性。因此，雷射光1502可透過陣列基板71。 263 1264691 玖、發明說明 上述實施例係作為以於顯示面板搭載1個源極驅動 IC14為前提之實施例來作說明。但，本發明並不限於該構 造，亦可為將源極驅動IC14多數搭載於1個顯示面板之構 造。例如，第93圖係搭載有3個源極驅動1C 14之顯示面 5 板的實施例。 如於第82圖亦已說明，本發明之電流驅動方式之源 極驅動電路（IC)14係對應於利用多數驅動IC14者。因此， 具備有從/主（S/Μ)端子。藉由將S/Μ端子設為Η位準，而 以主晶片動作，且從基準電流輸出端子（未圖示）輸出基準 10 電流。當然，S/Μ端子之邏輯電壓亦可為逆極性。 從/主（S/Μ)之切換亦可依照朝源極驅動IC14輸出之 命令來切換。基準電流係藉串聯電流連接線931傳達。藉 由將S/Μ端子設為L位準，IC14則以從屬晶片動作，且從 基準電流輸入端子（未圖示）接收主晶片之基準電流。該電 15 流成為流向第73圖、第74圖之INL、ΙΝΗ端子之電流。 舉例而言，基準電流藉1C晶片14中央部（正中央部 分）之電流輸出電路704產生。主晶片之基準電流係由外部 藉由外電阻，或者藉由配置或構成於1C内部之電流刻度方 式之電子調節器來調整基準電流並施加之。 20 又，於1C晶片14之中央部亦形成（配置）控制電路（ 命令解碼器等）等。將基準電流源形成於晶片之中央部係為 了極力縮短基準電流產生電路與程式電流輸出端子761間 之距離。 於第93圖之構造中，基準電流從主晶片14b傳達至 264 1264691 玖、發明說明 2個從屬晶片（14a、14c)。從屬晶片係接收基準電流，且以 該電流為基準，而產生母、子、孫電流。此外，主晶片 14b傳送至從屬晶片之基準電流係猎由電流鏡電路之電流 傳送來進行（參照第67圖）。藉由進行電流傳送，多數晶片 5 中，基準電流之偏差會消失，且畫面之分割線不會顯現。 第94圖係概念性顯示基準電流之傳送端子位置。信 號輸入端子941i係配置於1C晶片之中央部且連接有基準 電流信號線932。施加於該基準電流信號線932之電流（另 ，有時是電壓，參照第76圖）係進行EL材料之溫度特性補 10 償，又，進行因EL材料之壽命劣化而造成之補償。 根據施加於基準電流信號線932之電流（電壓），而 於晶片14内驅動各電流源（631、632、633、634)。該基準 電流透過電流鏡電路且作為朝從屬晶片輸出之基準電流而 輸出。朝從屬晶片輸出之基準電流係由端子941〇輸出。端 15 子941〇於基準電流產生電路704之左右至少配置（形成）1 個以上。第94圖則於左右分別配置（形成）有2個。該基準 電流藉串聯信號線931al、931a2、931M、931b2傳達至從 屬晶片14a。此外，亦可構成電路以將施加於從屬晶片14a 之基準電流反饋至主晶片14b，且補正偏差量。 20 當使有機EL顯示面板模組化之際，於成為問題之 事項有陽極配線951、陰極配線之穿引（配置）之電阻值的課 題。有機EL顯示面板係EL元件15之驅動電壓較低，但 流向EL元件15之電流大。因此，必須使用以將電流供給 至EL元件15之陽極配線、陰極配線變粗。舉例而言，即 265 1264691 玖、發明說明 使疋2对級之EL顯示面板’為高分子el材料時，亦必須 使200mA以上之電流流入陽極配線95 i。因此，為了防止 陽極配線951之電壓下降，陽極配線必須進行1Ω以下之 低電阻化。但，陣列基板71中，由於配線藉薄膜蒸鍍形成 5 ，故低電阻化是困難的。因此，必須使圖案寬度變寬。但 ’有為了在幾乎沒有電壓降低下傳達200mA之電流因而配 線寬度成為2mm以上之問題。 弟105圖為習知EL顯示面板之構造。於顯示書面 50之左右形成（配置）有内藏閘極驅動電路i2a、12b。又， 10源極驅動電路14P亦與像素之電晶體藉同一製程形成（ 内藏源極驅動電路）。 陽極配線951係配置於面板之右侧。於陽極配線 951施加有Vdd電壓。陽極配線951之寬度舉例而言為 2mm以上。陽極配線951係從畫面下端分歧至晝面上端， 15且分歧數為像素列數。例如，QCIF面板中，為176列父 RGB= 528條。另一方面，源極信號線18由内藏源極驅動 電路14p輸出。源極信號線18係從畫面上端配置（形成）至 晝面下端。又，内藏閘極驅動電路12之電源配線1〇51亦 配置於畫面左右。 20 因此，無法使顯示面板右侧之框狹窄。如今，行動 電話等所使用之顯示面板中，狹框化是重要的。又，使畫 面左右之框均等也是重要的。但，第1〇5圖之構造不易實 現狹框化。 為了解決該課題，本發明之顯示面板係如第1〇6圖 266 1264691 玖、發明說明 所示，陽極配線951配置（形成）於位於源極驅動IC14裡面 之處，且配置（形成）於陣列表面。源極驅動電路（IC)14係 藉半導體晶片形成（製作），且藉COG(玻璃覆晶）技術安裝 於陣列基板71。於源極驅動1C 14裡面可配置（形成）陽極配 5 線951係由於晶片14的裡面於基板上在垂直方向有10// m〜3 0 // m之空間之故。 如第105圖所示，若將源極驅動電路14p直接形成 於陣列基板71，則從掩模數的問題或產率的問題、雜訊的 問題來看，於源極驅動電路14p之下層或上層形成陽極配 10 線（基本陽極線、陽極電壓線、基幹陽極線)951是困難的。 又，如第106圖所示，形成共同陽極線962，且藉 連接陽極線961使基本陽極線951與共同陽極線962短路 。特別是形成1C晶片中央部之連接陽極線961之點為重點 。藉由形成連接陽極線961，基本陽極線951與共同陽極 15 線962間之電位差會消失。又，使陽極配線952從共同陽 極線962分出之點為重點。藉由採用上述構造，如第105 圖所示，陽極配線951之穿引消失，而可實現狹框化。 若共同陽極線962長度設為20mm，且配線寬度設 為150/zm，並將配線之薄板電阻設為0.05 Ω/□，則電阻 20 值為 20000(// m)/l50(// ιη)χ〇·05Ω =約 7Ω。若藉連接陽極 線961c使共同陽極線962之兩端與基本陽極線951相連接 ，則由於在共同陽極線962會兩側供電，故虛擬之電阻值 為7Ω/2=3·5Ω，又，若重置於集中散佈定數，則虛擬之 共同陽極線962的電阻值變為1/2，故至少變成2Ω以下。 267 1264691 玖、發明說明 即使陽極電流為l〇〇mA，於該共同陽極線962之電壓下降 亦成為0.2V以下。再者，若藉中央部之連接陽極線961b 形成短路，則電壓下降可幾乎不發生。 本發明係將基本陽極線951形成於1C 14下，且形成 5 共同陽極線962並電連接該共同陽極線962與基本陽極線 951(連接陽極線961)，並使陽極配線952從共同陽極線 962分出。 另，本發明中，像素構造係以第1圖為例來作說明 。因此，以將陰極電極視為全電極（於像素16通用的電極） 10 ，且藉配線穿引陽極來作說明。但，依驅動用電晶體11a 之構造(N通道或P通道）、像素構造的不同，有時必須將 陽極電極視為全電極，且藉由配線穿引陰極。因此，本發 明並不限於穿引陽極，而為關於必須穿引之陽極或陰極之 發明。因此，當為以配線穿引陰極之構造時，可將本發明 15 所記載之陽極替換成陰極。 為了使陽極線（基本陽極線951、共同陽極線962、 連接陽極線961、陽極配線952等）低電阻化，亦可在形成 薄膜之配線後或形成圖案前，利用無電鍍技術、電鍍技術 等，積層導電性材料而進行厚膜化。藉由進行厚膜化，配 20 線之截面積變廣，而可低電阻化。上述事項就陰極而言亦 相同。又，亦可適用於閘極信號線17、源極信號線18。 形成共同陽極線962，且藉連接陽極線961使該共 同陽極線962進行兩側供電之構造的效果佳，又，藉由於 中央部形成連接陽極線961b(961c)，效果會更好。又，由 268 1264691 玖、發明說明 於藉基本陽極線951、共同陽極線962、連接陽極線961構 成迴路，故可抑制輸入IC14之電場。 共同陽極線962與基本陽極線951宜由同一金屬材 料形成，又，連接陽極線961亦宜由同一金屬材料形成。 5 又，該等陽極線係藉用以形成陣列之電阻值最低的金屬材 料或構造來實現。一般而言，藉源極信號線18之金屬材料 及構造（SD層）來實現。共同陽極線962與源極信號線18 所交叉之處無法由同一材料形成。因此，所交叉之處由其 他金屬材料（與閘極信號線17相同材料及構造、GE層）形 10 成，且藉絕緣膜進行電絕緣。當然，陽極線亦可積層由源 極信號線18之構成材料所構成之薄膜與由閘極信號線17 之構成材料所構成之薄膜而構成。 另，雖然於源極驅動IC14之裡面舖設（配置、形成） 用以將電流供給至陽極配線（陰極配線）等之EL元件15的 15 配線，但並不限於此，例如，亦可以1C晶片形成閘極驅動 電路12，且COG安裝該1C。於該閘極驅動1C 12之裡面配 置（形成）陽極配線、陰極配線。 如上所述，本發明於EL顯示裝置等中，以半導體 晶片形成（製作）驅動1C，並將該1C直接安裝於陣列基板 20 71等基板，且，於1C晶片之裡面的空間部形成（製作）陽極 配線、陰極配線等之電源或接地圖案。 一面使用其他圖式更詳細地說明上述事項。第95圖 係本發明顯示面板之一部份的說明圖。第95圖中，虛線為 配置1C晶片14之位置。即，基本陽極線（陽極電壓線，即 269 1264691 玖、發明說明 ，分歧前之陽極配線）形成（配置）於1C晶片14之裡面且形 成（配置）於陣列基板71上。此外，雖然本發明之實施例中 ，針對於1C晶片（12、14)之裡面形成分歧前之陽極配線 951作說明，但此係為了容易說明。例如，亦可形成（配置） 5 分歧前之陰極配線或陰極膜來取代分歧前之陽極配線95 1 。除此以外，亦可配置或形成閘極驅動電路12之電源配線 1051。 1C晶片14藉由COG技術與電流輸出（電流輸入）端 子741及形成於陣列基板71之連接端子953相連接。連接 10 端子953係形成於源極信號線18之一端。又，連接端子 953係如953a與953b般錯縱配置。此外，於源極信號線 之一端形成有連接端子953,且於另一端亦形成有檢查用 端子電極。 又，雖然本發明之1C晶片設為電流驅動方式之驅動 15 1C(藉電流於像素進行程式化之方式），但並不限於此，例 如，亦可適用於搭載有用以驅動第43圖、第53圖等之電 壓程式化的像素之電壓驅動方式的驅動1C之EL顯示面板（ 裝置）等。 於連接端子953a與953b間係配置陽極配線952(分 20 歧後之陽極配線）。即，由粗且低電阻之基本陽極線951分 出之陽極配線952形成於連接端子953間，且沿著像素16 列配置。因此，陽極配線952與源極信號線18係平行地形 成（配置）。藉由如上所述地構成（形成），則無須如第105圖 所示將基本陽極線951朝畫面橫向穿引，而可將Vdd電壓 270 1264691 玖、發明說明 供給至各像素。 第96圖係更具體地圖示。與第95圖之差異在於未 將陽極配線配置於連接端子953間，而使其從另外形成之 共同陽極線962分出。共同陽極線962與基本陽極線951 5 係藉連接陽極線961連接。 第96圖係記載成透視1C晶片14而顯示裡面的樣子 。1(：晶片14係配置有用以將程式電流Iw輸出至輸出端子 761之電流輸出電路704。基本上，輸出端子761與電流輸 出電路704係規則性地配置。於1C晶片14之中央部則形 10 成有用以製作母電流源之基本電流的電路、控制部（控制） 電路。因此，於1C晶片之中央部則未形成輸出端子761， 此係由於電流輸出電路704無法形成於1C晶片之中央部。 本發明中，於第96圖之高電流領域電流輸出電路 704部係未將輸出端子761製作於1C晶片，此係由於沒有 15 輸出電路之故。此外，於源極驅動等1C晶片之中央部形成 控制電路等，而未形成輸出電路之例子很多。本發明之1C 晶片係著眼於該點，而於1C晶片之中央部未形成（配置）輸 出端子761。當然，於1C晶片之中央部形成（配置）輸出端 子761時則不在此限。 20 本發明係於1C晶片之中央部形成有連接陽極線961 。但，當然連接陽極線961係形成於陣列基板71面。連接 陽極線961之寬度為50# m以上1000/z m以下。又，對長 度之電阻（最大電阻）值為100Ω以下。 藉連接陽極線961使基本陽極線951與共同陽極線 271 1264691 玖、發明說明 962短路，藉此極力抑制因電流流向共同陽極線962而產 生之電壓下降。即，本發明之構成要素之連接陽極線961 係有效地利用著於1C晶片之中央部沒有輸出電路之點。又 ，過去，藉由刪除形成於IC晶片中央部作為假墊之輸出端 5子761，來防止因該假墊與連接陽極線961接觸而對1C晶 片帶來電影響。 然而，當該假墊與IC晶片之基本基板（晶片之接地） 、其他構造電絕緣時，即使假墊與連接陽極線961相接觸 亦兀全/又有問題。因此，當然亦可繼續將假墊形成於IC晶 10 片之中央部。 更具體而言，如第99圖所示，形成（配置）有連接陽 極線961、共同陽極線962。首先，連接陽極線961有粗的 部分（961a)與細的部分（961b)。粗的部分（961a)係為了減低 電阻值，而細的部分（961b)則是為了於輸出端子963間形 15成連接陽極線961b且與共同陽極線962相連接。 又，基本陽極線951與共同陽極線962之連接不僅 中央部之連接陽極線961b，藉左右之連接陽極線961c亦 可形成短路。即，共同陽極線962與基本陽極線951係藉 3條連接陽極線961而短路。即使因該構造而於共同陽極 20線962流過大的電流，於共同陽極線962亦不易發生電壓 下降。此係由於ic晶片14之寬度通常在2mm以上，而可 使形成於該IC14下之基本陽極線951的線寬變粗（可低阻 抗化）之故。因此，藉由連接陽極線961於多處使低阻抗之 基本陽極線951與共同陽極線962短路，因而共同陽極線 272 1264691 玖、發明說明 962之電壓下降會變小。 如上所述，可減少於共同陽極線962之電壓下降係 在於可於1C晶片14下配置（形成）基本陽極線951之點、 可利用1C晶片14左右的位置來配置（形成）連接陽極線 5 961c之點、可於1C晶片14之中央部配置（形成）連接陽極 線961b之點。 又，於第99圖中，透過絕緣膜102來積層基本陽極 線951與陰極電源線（基本陰極線）991。該積層處則形成電 容器。將該構造稱作陽極電容器構造。該電容器具有電源 10 旁通電容器之功能。因此，可吸收基本陽極線951急遽的 電流變化。當將EL顯示裝置之顯示面積設為Μ平方公厘 ，且將電容器之電容設為C(pF)時，電容器之電容宜滿足 M/200$C$M/10以下之關係，更理想的是滿足M/IOO^C $M/20以下之關係。若C小，則吸收電流變化不易，而一 15 旦C大，則電容器之形成面積會過大而不實用。 又，雖然第99圖等之實施例中於1C晶片14下配置 (形成）基本陽極線951，但當然亦可將陽極線替換成陰極線 。又，第99圖中，亦可替換基本陰極線991與基本陽極線 951。本發明之技術性思想在於以半導體晶片形成驅動電路 20 ，且將半導體晶片安裝於陣列基板71或撓性基板，並於半 導體晶片下面配置（形成）用以供給EL元件15等之電源或 接地電位（電流）之配線等。 因此，半導體晶片並不限於源極驅動1C 14，閘極驅 動電路12亦可，又，電源1C亦可。又，亦包含將半導體 273 1264691 玖、發明說明 晶片安裝於撓性基板，並於該撓性基板面且於半導體晶片 下面配線（形成）EL元件15等之電源或接地圖案之構造。 當然，亦可由半導體晶片構成源極驅動IC14與閘極驅動 IC12兩者，且於陣列基板71進行COG安裝。而且，亦可 5 於前述晶片下面形成電源或接地圖案。又，雖然設定朝EL 元件15設置之電源或接地圖案，但並不限於此，亦可為朝 源極驅動電路14設置之電源配線、朝閘極驅動電路12設 置之電源配線。又，並不限於EL顯示裝置，亦可適用於 液晶顯示裝置。除此以外，亦可適用於FED、PDP等顯示 10 面板。上述事項於本發明之其他實施例亦相同。 第97圖為本發明之其他實施例。主要與第95圖、 第96圖、第99圖之差異在於相對於第95圖在輸出端子 953間配置陽極配線952，第97圖則從基本陽極配線951 分出多數（複數）細的連接陽極線961d，且使該連接陽極線 15 961d與共同陽極線962短路。又，差異在於透過絕緣膜 102積層細的連接陽極線961d及與連接端子952相連接之 源極信號線18。 陽極配線961d藉基本陽極線951與接觸孔洞971a 取得連接，而陽極配線952則藉共同陽極線962與接觸孔 20 洞971b取得連接。由於其他點（連接陽極線961a、961b、 961c、陽極電容器構造等）等與第96圖、第99圖相同，故 省略其說明。 於第98圖顯示第99圖之A—A’線的截面圖。於第 98(a)圖中，透過絕緣膜102a積層大約同一寬度之源極信 274 1264691 玖、發明說明 號線18與連接陽極線96Id。 絕緣膜102a之膜厚為500埃以上3000埃（A)以下， 更理想的是為800埃以上2000埃（A)以下。若膜厚薄，則 連接陽極線961d與源極信號線18之寄生電容變大，又， 5 連接陽極線961d與源極信號線18之短路變得容易發生而 不理想。相反地，若膜厚厚，則絕緣膜之形成時間上需要 長時間，且製造時間變長而成本變高。又，上側之配線的 形成會變困難。 絕緣膜102舉例而言與聚乙烯醇（PVA)樹脂、環氧樹 10 脂、聚丙烯樹脂、酚樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺樹脂 等有機材料同一材料，另外，例如Si〇2、SiNx等無機材料 ，除此以外，當然Al2〇3、Ta203等亦可。又，如第98(a) 圖所示，於最表面形成絕緣膜102b，而防止配線961等之 腐蝕、機械性損傷。 15 於第98(b)圖中，於源極信號線18上透過絕緣膜 102a積層有線寬較源極信號線18窄之連接陽極線961d。 藉由如上所述地構成，可抑制因源極信號線18之段差而造 成之源極信號線18與連接陽極線961d之短路。第98(b)圖 之構造中，連接陽極線961d之線寬宜較源極信號線18之 20 線寬窄0.5/zm以上，更理想的是連接陽極線961d之線寬 較源極信號線18之線寬窄0.8//m以上。 雖然第98(b)圖中於源極信號線18上透過絕緣膜 102a積層有線寬較源極信號線18窄之連接陽極線961d， 但亦可如第98(c)圖所示，於連接陽極線961d上透過絕緣 275 1264691 玖、發明說明 膜102a積層線寬較連接陽極線961d窄之源極信號線18。 由於其他事項與其他實施例相同，故省略其說明。 第100圖係1C晶片14部之截面圖。雖然基本上係 以第99圖之構造為基準，但於第96圖、第97圖等亦可同 5 樣地適用，或者可類似地適用。 第100(b)圖為於第99圖之AA’的截面圖。由第 100(b)圖亦可知，於1C晶片14之中央部並未形成（配置）輸 出墊761。該輸出墊與顯示面板之源極信號線18相連接。 輸出墊761係藉由電鍍技術或釘頭式接合技術形成有凸塊（ 10 突起）。突起之高度為10//m以上40/zm以下之高度。當 然，亦可藉由金電鍍技術（電解、無電解）形成突起。 前述突起與各源極信號線18係透過導電性接合層（ 未圖示）電連接。導電性接合層係以環氧系、酚系等為主劑 ，且混合了銀（Ag)、金（Au)、鎳（Ni)、碳（C)、氧化錫 15 (Sn02)等之小片者，或者紫外線硬化樹脂等以作為黏著劑 。導電性接合層（連接樹脂）1001係藉轉寫等技術形成於凸 塊上，或者，藉ACF樹脂1001熱壓著突起與源極信號線 18 ° 另，突起或輸出墊761與源極信號線18之連接並不 20 限於以上之方式。又，亦可不將IC14搭載於陣列基板上， 而利用薄膜載體技術。又，亦可利用聚醯亞胺薄膜等與源 極信號線18等相連接。第100(a)圖係源極信號線18與共 同陽極線962重疊部分之截面圖（參照第98圖）。 陽極配線952係從共同陽極線962分出。陽極配線 276 1264691 玖、發明說明 952於QCIF面板時為176x RGB= 528條。透過陽極配線 952來供給第1圖等所示之Vdd電壓（陽極電壓）。當EL元 件15為低分子材料時，於1條陽極配線952最大會流過 200 // A之電流。因此，於共同陽極線962則因200 // 5 Αχ528而流過約100mA之電流。 因此，欲使於共同陽極線962之電壓下降在0.2(V) 以内，電流所流過之最大通路的電阻值必須於2Ω(作為流 過100mA)以下。本發明中，由於如第99圖所示，於3處 形成有連接陽極線961，故若重置於集中散佈電路，則共 10 同陽極線962之電阻值可輕易地設計成極小。又，若如第 97圖所示形成多數連接陽極線961d，則於共同陽極線962 之電壓下降會大致消失。 成為問題的是共同陽極線962與源極信號線18之重 疊部分之寄生電容（稱作共同陽極寄生電容）的影響。基本 15 上，電流驅動方式中，一旦於寫入電流之源極信號線18有 寄生電容，則不易寫入暗顯示電流。因此，寄生電容必須 盡量減少。 共同陽極寄生電容至少必須在1源極信號線18於顯 示領域内所產生之寄生電容（稱作顯示寄生電容）的1/10以 20 下，例如，若顯示寄生電容為10(pF)，則必須在l(pF)以下 ，更理想的是必須在顯示寄生電容的1/20以下，若顯示寄 生電容為10(pF)，則必須在0.5(pF)以下。考量該點而決定 共同陽極線962之線寬（第103圖之M)、絕緣膜102之膜 厚（參照第101圖）。 277 1264691 玖、發明說明 基本陽極線95 1係形成（配置）於ic晶片μ下戶斤 形成之線寬從低電阻化之觀點來看，當然宜盡量粗。此外 ’基本陽極配線951宜具有遮光功能。 於第102圖顯示其說明圖。此外，若用金屬材料形 5成一定膜厚之基本陽極配線951，則當然有遮光效果。又 ，當基本陽極線951無法變粗，或者用IT〇等透明材料形 成時’則將光吸收膜或光反射膜積層於基本陽極線951或 者多層地形成於1C晶片14下（基本上是陣列基板71之表 面）。又，第102圖之遮光膜（基本陽極線951)無須為完全 1〇性遮光膜，亦可部分具有開口部。又，亦可為可發揮繞射 效果、散射效果之遮光膜。又，亦可形成或配置由光學干 涉多層膜所構成之遮光膜且積層於基本陽極線951。 當然，亦可於陣列基板71與1C晶片14間之空間配 置或插入或者形成由金屬箔或板或薄板所構成之反射板（薄 15板)、光吸收板（薄板）。又，當然不限於金屬箔，亦可配置 或插入或者形成由以有機材料或無機材料構成之箔或板或 者薄板所構成之反射板（薄板）、光吸收板（薄板）。又，亦可 於陣列基板71與1C晶片14間之空間注入或配置由凝膠或 液體所構成之光吸收材料、光反射材料。再者，宜藉由加 2〇熱或者藉由光照射，使由凝膠或液體所構成之光吸收材料 、光反射材料硬化。此外，於此為了容易說明，將基本陽 極線951作為遮光膜（反射膜）來作說明。 如第102圖所示，基本陽極線951形成於陣列基板 71之表面（另，並不限於表面，為了滿足所謂作為遮光膜/ 278 1264691 玖、發明說明 反射膜之思想，光不射入1C晶片14之裡面即可。因此， 當然亦可將基本陽極線951等形成於陣列基板71之内面或 内層。又，若藉由將基本陽極線951(具反射膜、光吸收膜 之功能的構造或結構）形成於陣列基板71之裡面，可防止 5 或抑制光射入IC14，則陣列基板71之裡面亦可）。 又，雖然第102圖等中遮光膜等係形成於陣列基板 71，但並不限於此，亦可直接將遮光膜等形成於1C晶片 14之裡面。此時係於1C晶片14之裡面形成絕緣膜102(未 圖示），且於該絕緣膜上形成遮光膜或反射膜等。又，當源 10 極驅動電路14為直接形成於陣列基板71之構造（藉低溫多 晶秒技術、南溫多晶碎技術、固相長晶技術、非晶碎技術 而形成之驅動構造）時，可將遮光膜、光吸收膜或反射膜形 成於陣列基板71，且於其上形成（配置）驅動電路14。 於1C晶片14大量形成電流源634等使微小電流流 15 動之電晶體元件（第102圖之電路形成部1021)。一旦光射 入使微小電流流動之電晶體元件（單位電晶體634等），則 發生光導體現象，且輸出電流（程式電流Iw)、母電流量、 子電流量等成為異常之值（發生不均等）。特別是有機EL等 自發光元件由於在陣列基板71内由EL元件15產生之光 20 會不規則反射，故從顯示畫面50以外之處放射強光。該放 射出之光一旦射入1C晶片14之電路形成部1021，則發生 光導體現象。因此，光導體現象之對策為EL顯示裝置中 特有課題之對策。 對應於該課題，本發明係將基本陽極線951構成於 279 1264691 玖、發明說明 陣列基板71上而作為遮光膜。基本陽極線951之形成領域 係如第102圖所示，覆蓋電路形成部1〇21。如上所述，藉 由形成遮光膜（基本陽極線951)，可完全地防止光導體現象 。特別是基本陽極配線951等EL電源線隨著畫面改寫， 5 電流會流動而電位多少會改變。但，由於電位之變化量於 1H時點慢慢地改變，故視為接地電位（電位未變化之意）。 因此，基本陽極線951或基本陰極線不僅遮光功能，亦發 揮屏蔽板之效果。 有機EL等自發光元件由於在陣列基板71内由el 1〇元件15產生之光會不規則反射，故從顯示晝面50以外之 處放射強光。為了防止或抑制該不規則反射光，如第1〇1 圖所示，於對圖像顯示有效的光未通過之處（無效領域）形 成光吸收膜1011(相反地，所謂有效領域係顯示晝面5〇及 其附近）。形成光吸收膜之處為密封蓋85之外面（光吸收膜 15 la)、饴封蓋85之内面（光吸收膜ιοί ic)、陣列基板71 之側面（光吸收膜l〇lld)、基板之圖像顯示領域以外（光吸 收膜1011b)等。另，並不限於光吸收膜，亦可安裝光吸收 薄板，又，光吸收壁亦可。又，於光吸收之概念亦包含藉 由使光散射而使光發散之方式或構造，又，廣義上，亦包 20含藉由反射來封閉光之方式或構造。 構成光吸收膜之物質舉例而言為於丙稀酸樹脂等有 機材料含有碳者、使黑色色素或顏料於有機樹脂中分散者 、如同濾色器藉黑色之酸性染料將明膠或酪蛋白染色者。 另，亦可單單使成為黑色之螢烧系色素顯色而利用，亦可 280 1264691 玖、發明說明 利用混合了綠色系色素與紅色系色素之配色黑染料。又， 例如藉由㈣而形成之P亀〇3 Μ、藉由電漿聚合而形成 之酞菁膜等。 上述材料雖然全部為黑色材料，但亦可利㈣顯示 5兀件所產生之光色為補色關係之材料作為光吸收膜。例如 ’可使濾色n用之光吸收材料改良成可得到所希望之光吸 收特性並利用之。基本上，亦可與前述黑色吸收材料同樣 地利用使用色素來染色天然樹脂之材料。又，可利用已將 色素分散至合成樹脂中之材料。色素之選擇範圍可較黑色 10色素更為廣泛，組合偶氮染料、€酉昆染料、敗菁染料、三 苯甲烧染料等中適當的丄種、或者組合該等染料中2種類 以上。 又，亦可使用金屬材料作為光吸收膜，例如，六價 鉻。六價鉻為黑色，且具有光吸收膜之功能。另外，乳白 15玻璃、氧化鈦等光散射材料亦可。藉由使光散射，結果多 半成為與吸收光等效之情形。 另，密封蓋85係利用含有4//m以上15/zm以下之 樹脂珠1012之密封樹脂1013來黏著陣列基板71與密封蓋 85 °密封蓋85係未加壓而配置並加以固定。 2〇 第99圖之實施例雖然顯示將共同陽極線962形成（ 配置）於1C晶片14附近，但並不限於此，例如，如第103 圖所不，亦可形成於顯示畫面50附近。又，形成於顯示畫 面50附近較理想，此係由於源極信號線18與陽極配線 952間距離短，且減少平行地配置（形成）之部分，而這是因 281 1264691 玖、發明說明 為若源極信號線18與陽極配線952間距離短，且平行地配 置，則源極信號線18與陽極配線952間會產生寄生電容。 如第103圖所示，若於顯示面板50附近配置共同陽極線 962，則沒有該問題。共同陽極線962離顯示晝面5〇之距 5 離K(參照第103圖）宜為lmm以下。 共同陽極線962為了極力低電阻化，宜由形成源極 仏號線18之金屬材料來形成。本發明則由以Cu薄膜、Ai 薄膜或Ti/Al/Ti之積層構造或合金或者汞齊所構成之金屬 材料（SD金屬）來形成。因此，源極信號線18與共同陽極 1〇線962所相交之處為了防止短路，故置換成構成閘極信號 線Π之金屬材料（GE金屬）。閘極信號線則由以M〇/w之 積層構造所構成之金屬材料來形成。 一般而言，閘極信號線17之薄板電阻較源極信號線 18之薄板電阻高。此在液晶顯示裝置是一般的情形。但， 15於有機EL顯示面板，且於電流驅動方式中，流過源極信 號線18之電流則為1〜5 v A般微少。因此，即使源極信號 線18之配線電阻高，電壓下降亦幾乎不會發生，而可實現 良好的圖像顯示。於液晶顯示裝置中，職電壓將圖像資 料寫入源極信號線18。因此，若源極信號線18之電阻值 20高’則無法於1水平掃瞄期間寫入圖像。 然而，於本發明之電流驅動方式中，即使源極信號 線18之電阻值高（即，薄板電阻值高），亦不成問題。因此 ，即使源極信號線18之薄板電阻較閘極信號線17之薄板 電阻高亦可。如此一來，本發明之EL顯示面板中，如第 282 1264691 玖、發明說明 刚圖所示’亦可用仙金屬來製作（形成）源極信號線I 用SD金屬來製作（形成）間極信號線η(與液晶顯示面板 相反）。廣義而言，電流驅動方式之EL顯示面板中，源極 信號線18钱線電阻具有為較閘極信號線17之配線電阻 5 高之構造的特徵。 第107圖係除了第99圖、第103圖之構造以外，另 配置有用以驅動閘極驅動電路12之電源配線腦之構造 。電源配線1051 #而祐夕姑-4 1糸面板之顯不晝面50的右端—下邊—顯 示旦面50之左端地穿引。即，閘極驅動電路ΐ2&與⑶之 1〇 電源成為相同。 仁用以選擇閘極信號線1?a之間極驅動電路Ua( 間極信號線17a係控制選擇電晶體nb、選擇電晶體nc) 與用以選擇閘極就線17b之閘極驅動電路⑶（間極信號 線17b係控制電晶體Ud，且控制流向紅元件15之電流) 15宜使電源電壓相異。特別是閘極信號線17&之振幅（開啟電 壓-關閉電壓）宜小。此係由於閘極信號線na之振幅愈小 ，朝像素16之電容器19之衝穿電壓則愈少之故（參照第i 圖等）。另一方面，閘極信號線17b由於必須控制E]L元件 15，故振幅無法變小。 20 因此，如第丨〇8圖所示，閘極驅動電路12a之施加 電壓5又為Vha(閘極信號線17a之關閉電壓）與vla(閘極信 號線17a之開啟電壓），且閘極驅動電路12b之施加電壓設 為Vhb(閘極信號線17b之關閉電壓）與vlb(閘極信號線 之開啟電壓），且設為Vla<vlb之關係。此外，vha與 283 1264691 玖、發明說明
Vhb亦可大約一致。 雖然間極驅動電路12通常以N通道電晶體與p通 道電晶體構成，但僅以P通道電晶體形成較理想。此係由 於可減少陣列製作上所需之掩模數，且期待製^產率提高 5、通量提高之故。因此，如第10、第2圖等所示，將: 以構成像素16之電晶體設為p通道電晶體，同時閘極驅動 電路12亦以P通道電晶體形成或構成。若以n通道電晶 體與p通道電晶體構成間極驅動電路，則所需之掩模數成 為10片，但若僅以p通道電晶體形成，則掩模數變成5片 10 〇 然而，若僅以P通道電晶體構成閘極驅動電路12等 ，則無法將位準移位電路形成於陣列基板71。此係由於位 準移位電路以N通道電晶體與P通道電晶體構成之故。 對應於該課題，本發明係將位準移位電路功能内藏 15於電源IC1091。第109圖為其實施例。電源IC1091係產 生閘極驅動電路12之驅動電壓、EL元件15之陽極、陰極 電壓、源極驅動電路14之驅動電壓。 電源1C 1091為了產生EL元件15的陽極電壓、陰 極電壓，必須使用高耐壓之半導體製程。若有該耐壓，則 2〇可位準移位至閘極驅動電路12所驅動之信號電壓。 又’如第205圖所示，亦可於源極驅動IC14内形成 位準移位電路2041。位準移位電路2〇41係形成於源極驅 動1C 14之左右端。如第205圖所示，使用多個源極驅動 IC14時係使用各源極驅動IC14 一端之位準移位電路2041 284 1264691 玖、發明說明 〇 第205圖係使用源極驅動IC14a之位準移位電路 2041a。閘極控制資料藉位準移位電路2041a升壓，而成為 閘極驅動控制信號2043a，並控制閘極驅動電路12a。又， 5 使用源極驅動IC14b之位準移位電路2041b。閘極控制資 料藉位準移位電路2041b升壓，而成為閘極驅動控制信號 2043b，並控制閘極驅動電路12b。 位準移位及閘極驅動電路12之驅動係藉第109圖之 構造來實施。輸入資料（圖像資料、命令、控制資料）992係 10 輸入源極驅動IC14。於輸入資料亦包含閘極驅動電路12 之控制資料。源極驅動IC14之耐壓（動作電壓）為5(V)。另 一方面，閘極驅動電路12之動作電壓為15(V)。由源極驅 動電路14朝閘極驅動電路12輸出之信號必須從5(V)位準 移位至15(V)。藉電源電路（IC)1091來進行該位準移位。 15 於第109圖中，用以控制閘極驅動電路12之資料信號亦設 為電源1C控制信號1092。 電源電路1091係藉所内藏之位準移位電路來位準移 位業已輸入之用以控制閘極驅動電路12之資料信號1092 ，且作為閘極驅動電路控制信號1093而輸出，並控制閘極 20 驅動電路12。
以下，針對内藏於陣列基板71之僅以P通道電晶體 構成閘極驅動電路12之本發明之閘極驅動電路12作說明 。先前亦已說明之，藉由僅以P通道電晶體形成像素16與 閘極驅動電路12(即，形成於陣列基板71之電晶體全為P 285 1264691 玖、發明說明 通道電晶體。反過來說，為未使用N通道電晶體之狀態）， 可減少製作陣列時所需之掩模數，且期待製造產率提高、 通量提高之故。又，由於可僅致力於P通道電晶體之性能 的提高，結果，特性改善較為容易。例如，較CMOS構造（ 5 使用P通道與N通道電晶體之構造）更可輕易地實施Vt電 壓之減低（更接近0(v)等）、Vt不均之減少。 舉例而言，如第106圖所示，本發明係於顯示晝面 50之左右各配置或形成或構成有1相（移位暫存器）閘極驅 動電路12。雖然說明閘極驅動電路12等（亦包含像素16 10 之電晶體）係藉製程溫度為450度（攝氏）以下之低溫多晶矽 技術來形成或構成，但並不限於此，亦可利用製程溫度為 450度（攝氏）以上之高溫多晶矽技術來構成，又，亦可利用 使用業經固相（CGS)長晶之半導體膜來形成電晶體等者。 除此以外，亦可藉有機電晶體來形成。又，藉非晶矽技術 15 而形成或構成之電晶體亦可。 形成於顯示畫面50左右之閘極驅動電路12之其中 一個為選擇侧之閘極驅動電路12a，其係於閘極信號線17a 施加開關電壓，且控制像素電晶體11。另一個閘極驅動電 路12b則開關控制流入EL元件15之電流。 20 雖然本發明之實施例主要以第1圖之像素構造為例 來作說明，但並不限於此。當然於第50圖、第51圖、第 54圖等之其他像素構造亦可適用。又，本發明之閘極驅動 電路12之構造或其驅動方式於與本發明之顯示面板、顯示 裝置或資訊顯示裝置之組合中發揮更具特徵之效果。但， 286 1264691 玖、發明說明 當然於其他構造亦可發揮具特徵之效果。 — 卜所說明之間極驅動電路U之構造或配置型 恶並不限於有機EL顯示面杯蓉白 知面板4自發光元件，於液晶顯示 5 10 =或電磁浮動顯示面板等亦可採用。例如，液晶顯示面 反，亦可採用本發明之閉極驅動電路12之構造或方式作 為像素之選擇開闕元件的控制。x，當使用2相開極驅動 電路12時，亦可利用1相作為像素之«元件的選擇用， 且將另—個於像素巾連接於㈣電容之其巾—端子。該方 式稱作獨立CC驅動。又，第U1圖、帛113_等所說明 之構造不僅閘極驅動祕12，當然於源極驅動電路14之 移位暫存器電路等亦可採用。 本發明之閘極驅動電路12宜作為先前說明之第6圖 、第13 ®、第16圖、帛20圖、帛22圖、帛24圖、第 1 26圖、第27圖、第28圖、第29圖、第34圖第37圖 15 '第40 S、第41 、第48 s、第82目、第μ圖、第 92圖、第93圖、第103圖、第104圖、第1〇5圖、第繼 圖、第1〇7圖、第108圖、第109圖1 176圖第i8i 圖、第187圖 '第188圖、第208圖等之閘極驅動電路12 而實施或採用。 20 ^ 弟111圖係本發明之閘極驅動電路12的方塊圖。雖 然為了容易說明，僅顯示4段部分，但基本上，係形成或 配置對應於閘極信號線π數量之單位閘極輸出電路uii 如第ill圖所示，本發明之閘極驅動電路i2(i2a 287 1264691 玖、發明說明 12b)係由 4 個時脈端子（SCKO、SCK1、SCK2、SCK3)及 1 個起始端子（資料信號（SSTA))及用以上下反轉控制移位方 向之2個反轉端子（DIRA、DIRB，該等係施加逆相之信號） 的信號端子所構成。又，電源端子則由L電源端子（VBB) 5 及Η電源端子（Vd)等所構成。 由於本發明之閘極驅動電路12全部以P通道電晶體 (電晶體）構成，故無法將位準移位電路（將低電壓之邏輯信 號變換成高電壓之邏輯信號的電路）内藏於閘極驅動電路。 因此，於第109圖等所示之電源電路（IC)1091内配置或形 10 成有位準移位電路。 電源電路(IC)1091係作成從閘極驅動12輸出至閘極 信號線17之開啟電壓（像素16電晶體之選擇電壓）、關閉 電壓（像素16電晶體之非選擇電壓）所需之電位的電壓。因 此，電源（1C)電路1091所使用之半導體之耐壓製程具有充 15 分的耐壓。故，於電源IC1091位準移位（LS)邏輯信號是理 想的。因此，由控制器（未圖示）輸出之閘極驅動電路12之 控制信號係輸入電源1C 1091，且進行位準移位，而後輸入 本發明之閘極驅動電路12。由控制器（未圖示）輸出之源極 驅動電路14之控制信號則直接輸入本發明之源極驅動電路 20 14等（無須位準移位）。 但，本發明並不限於使形成於陣列基板71之電晶體 全部以P通道形成。藉由如下面所說明之第111圖、第 113圖所示，以P通道形成閘極驅動電路12，可實現狹框 化。2.2吋之QCIF面板時，閘極驅動電路12之寬度在採 288 1264691 玖、發明說明 用6/zm規則時可以600/zm來構成。即使包含所供給之閘 極驅動電路12之電源配線的穿引，亦可構成為7〇〇/zm。 若以CM〇S(N通道與P通道電晶體）構成同樣的電路構造 ，則變成1.2mm。因此，藉由以P通道形成閘極驅動電路 5 12，可發揮具所謂狹框化之特徵的效果。 又，以P通道電晶體構成像素16，藉此與以p通道 電晶體形成之閘極驅動電路12的匹配變得良好。p通道電 晶體（第1圖之像素構造中，為選擇電晶體llb、uc、電晶 體iid)係藉L電壓開啟。另一方面，間極驅動電路i2亦 1〇以L電壓為選擇電壓。p通道之間極驅動藉第ιΐ3圖之構 造亦可知，若將L位準設為選擇位準，則匹配良好，此係 由於L位準無法長期保持之故。另一方面，η電壓可長期 保持。 / 又，用以將電流供給至EL元件15之驅動用電晶體（ 15弟1圖中為電晶體Ua)亦以p通道構成，藉此EL元件15 之陰極可構成為金屬薄膜之全電極。又，可從陽極電位 Wd依順時針方向使電流流人EL元件15。由上述事項可 將像素16之電晶體設為p通道，且閘極驅動電路 之電晶體亦設為P通道是理想的。由上述情形可知，所謂 20 X P通道形成本發明用以構成像素16之電晶體（驅動用電 曰曰體、開關用電晶體），且以p通道構成間極驅動電路12 之電日日體之事項並非單純的設計事項。 %、未著亦可將位準移位（LS)電路直接形成於陣列 P以N通道與p通道電晶體形成位準移位（LS) 289 1264691 玖、發明說明 電路。來自控制器（未圖示）之邏輯信號係藉直接形成於陣 列基板71之位準移位電路而升壓至適合於以P通道電晶體 形成之閘極驅動電路12的邏輯位準。將該升壓後之邏輯電 壓施加於前述閘極驅動電路12。
5 另，亦可以半導體晶片形成位準移位電路，且COG 安裝於陣列基板71。又，源極驅動電路14於第109圖等 亦圖示，基本上以半導體晶片形成，且COG安裝於陣列基 板71。但，並不限於以半導體晶片形成源極驅動電路14， 亦可利用多晶矽技術直接形成於陣列基板71。若以P通道 10 構成用以構成像素16之電晶體11，則程式電流會構成為 從像素16流出至源極信號線18之方向。因此，源極驅動 電路之單位電晶體（單位電流源）634(參照第73圖、第 74圖等）必須以N通道電晶體構成。即，源極驅動電路14 必須電路構成為可引入程式電流Iw。 15 因此，當像素16之驅動用電晶體11a(第1圖之情形 )為P通道電晶體時，源極驅動電路14為了引入程式電流 Iw，必須以N通道電晶體構成單位電晶體634。將源極驅 動電路14形成於陣列基板71必須利用N通道用掩模（製程 )與P通道用掩模（製程）兩者。概念性地描述之，以P通道 20 電晶體構成像素16與閘極驅動電路12，且源極驅動之引 入電流源的電晶體以N通道構成者為本發明之顯示面板（顯 示裝置）。 另，為了容易說明，本發明之實施例係以第1圖之 像素構造為例來作說明。但，所謂以P通道構成像素16之 290 1264691 玖、發明說明 選擇電晶體（第1圖中為電晶體11C)，且以P通道電晶體構 成閘極驅動電路12等本發明之技術性思想並不限於第1圖 之像素構造。例如，電流驅動方式之像素構造中，當然亦 可適用於第42圖所示之電流鏡之像素構造。又，電壓驅動 5 方式之像素構造中，亦可適用於第62圖所示之兩個電晶體 (選擇電晶體為電晶體lib，驅動用電晶體為電晶體11a)。 當然，第111圖、第113圖之閘極驅動電路12之構造亦可 適用，又，可組合而構成裝置等。因此，以上所說明之事 項、以下所說明之事項並不限於像素構造等。 10 又，所謂以P通道構成像素16之選擇電晶體，且以 P通道電晶體構成閘極驅動電路之構造並不限於有機EL等 自發光元件（顯示面板或顯示裝置）。例如，亦可適用於液 晶顯示裝置。 反轉端子（DIRA、DIRB)對各單位閘極輸出電路1111 15 施加共同的信號。此外，看第113圖之等效電路圖則可理 解，反轉端子（DIRA、DIRB)係互相輸入逆極性之電壓值。 又，當反轉移位暫存器之掃瞄方向時，會反轉施加於反轉 端子（DIRA、DIRB)之電壓的極性。 另，第111圖之電路構造中，邏輯信號線數為4條 20 。雖然4條在本發明為最適當的數量，但本發明並不限於 此，4條以下、4條以上皆可。 時脈信號（SCK0、SCK1、SCK2、SCK3)之輸入於相 鄰接之單位閘極輸出電路1111不同。例如，於單位閘極輸 出電路1111a中，時脈端子之SCK0輸入OC，而SCK2輸 291 1264691 玖、發明說明 入RST。該狀態於單位閘極輸出電路1111C亦相同。與單 位問極輸出電路lllla相鄰接之單位閘極輸出電路lmb( 次段之單位閘極輸出電路）則是時脈端子之Scki輸入〇c ，而SCK3輸入rst。因此，構成為輸入單位閘極輸出電 5路1111之時脈端子係SCKO輸入〇C，且SCK2輸入RST ’次段係時脈端子之SCK1輸入〇c，且SCK3輸入RST， 而輸入再下一段之單位閘極輸出電路1111之時脈端子則是 SCKO輸入0C，且SCK2輸入RST般交互地相異。 第113圖係單位閘極輸出電路mi之電路構造。所 10構成之電晶體僅以P通道構成。第114圖係用以說明第 U3圖之電路構造的時點圖。此外，第112圖係顯示第113 圖之多段份之時點圖。因此，藉由理解第113圖，可理解 整體之動作。由於動作之理解較藉文章來說明更可藉由一 面參照第113 Η之等效電路圖，—面理解第114圖之時點 15圖來達成，故省略各電晶體之動作的詳細說明。 右僅以Ρ通道作成驅動電路構造，則基本上可將閘 極信號線17維持於η位準（第U3圖中為vd電壓）。然而 ’長期維持於L位準（第113目中為vBB電壓）是困難的。 但’選擇像素行時等短時間則可充分地維持。因輪入取端 2〇子之仏號與輸入RST端子之SCK時脈，nl會改變，且以 成為n 1之反轉钨號狀態。雖然n2之電位與n4之電位為 =:極性，但因輸入0C端子之SCK時脈，n4之電位位準 曰變件更低。對應於該變低之位準，Q端子於該期間維持 ;L位準（開啟電壓從閘極信號線ρ輸出）。輸入sq或卩 292 1264691 玖、發明說明 端子之信號則轉送至次段之單位閘極輸出電路1111。 於第111圖、第113圖之電路構造中，藉由控制 IN(INA、INB)端子、時脈端子之施加信號的時點，可利用 同一電路構造來實現第115(a)圖所示之選擇1閘極信號線 5 17之狀態與第115(b)圖所示之選擇2閘極信號線17之狀 態。 選擇侧之閘極驅動電路12a中，第115(a)圖之狀態 為同時選擇1像素行（51a)之驅動方式（正常驅動）。又，選 擇像素行係1行1行地移位。第115(b)圖為選擇2像素行 10 之構造。該驅動方式係第27圖、第28圖所說明之多數像 素行（51a、51b)之同時選擇驅動（構成假像素行之方式）。選 擇像素行係1像素行1像素行地移位，且同時選擇相鄰接 之2像素行。特別是第115(b)圖之驅動方法係像素行51b 相對於保持最終的影像之像素行（51a)進行預備充電。因此 15 ，像素16會變得容易寫入。即，本發明藉由施加於端子之 信號，可切換並實現2個驅動方式。 又，雖然第115(b)圖為選擇相鄰接之像素16行之方 式，但亦可如第116圖所示，選擇相鄰接以外之像素16行 (第116圖係選擇隔3像素行之位置的像素行之實施例）。 20 又，第113圖之構造係以4像素行之組來控制。可實施4 像素行中選擇1像素行，或者選擇連續的2像素行之控制 。此係因所使用之時脈（SCK)為4條而產生之必要條件。 若時脈（SCK)為8條，則可以8像素行之組實施控制。 選擇側之閘極驅動電路12a的動作為第115圖之動 293 1264691 玖、發明說明 作。如第115(a)圖所示，選擇1像素行，且使選擇位置與 1水平同步信號同步1像素行1像素行地移位。又，如第 115(b)圖所示，選擇2像素行，且使選擇位置與1水平同 步信號同步1像素行1像素行地移位。 5 如第182圖所示，從陽極連接端子1821配線連接陽 極線961，而形成於源極驅動IC14兩側之連接陽極線961 則藉形成於IC14下之開關2021電連接。 於源極驅動1C 14之輸出側形成或配置有共同陽極線 962。從共同陽極線962分出陽極配線952。陽極配線952 10 於QCIF面板時為176x RGB= 528條。透過陽極配線952 來供給第1圖等所示之Vdd電壓（陽極電壓）。當EL元件 15為低分子材料時，於1條陽極配線952最大會流過200 //A之電流。因此，於共同陽極配線833因200//Αχ528 而流過約100mA之電流。 15 為了抑制共同連接陽極線961之電壓下降、陽極配 線952之電壓下降，如第183圖所示，可於顯示晝面50之 上側形成共同連接陽極線961a，且於顯示畫面50之下侧 形成共同接陽極線961b，並於陽極配線952之上下呈短路 狀態。 20 又，如第184圖所示，亦可於畫面50之上下配置源 極驅動電路14。又，如第185圖所示，亦可將顯示畫面50 分割為顯示晝面50a與顯示畫面50b，且藉源極驅動電路 14a驅動顯示晝面50a，並藉源極驅動電路14b驅動顯示晝 面 50b。 294 1264691 玖、發明說明 第201圖為本發明之電源電路的構造圖。2〇丨2為控 制電路’且用以控制電阻2015a與2015b之中點電位，並 輸出電晶體2016之閘極信號。於變壓器2〇 11之1次側施 加電源Vpc，且1次侧之電流藉由電晶體2〇16之開關控制 5而傳達至2次侧。2013為整流二極體，而2〇14為平滑化 電容器。 陽極電壓Vdd於電阻2015b調整輸出電壓。Vss為 陰極電壓。陰極電壓Vss係如第202圖所示，構成為可選 擇2個電壓並輸出者。選擇係藉開關2〇21來進行。第2〇2 10 圖中，係藉由開關2021而選擇—9(V)。 開關2021之選擇係依據來自溫度感測器2〇22之輸 出結果。當面板溫度低時，則選擇—9(v)作為Vss電壓。 當面板溫度於一定以上時，則選擇一 6(v)。此係由於el 元件15具溫度特性，且於低溫側EL元件15之端子電壓 15會變高之故。此外，第202圖中，雖然從2個電壓選擇i 個電壓，且δ又為Vss(陰極電壓），但並不限於此，亦可構成 為可從3個以上之電壓選擇Vss電壓。上述事項就Vdd而 言亦同樣適用。 如第202圖所示，藉構成為可依據面板溫度來選擇 2〇多數電i，可減少面板之消耗電力，&係由於在一定溫度 以下日寸可降低Vss電壓之故。通常可使用電壓低之= 6(v)。此外，開關2021亦可如第2〇2圖所示地構成。另 欲產生多數陰極電壓Vss可藉由從第2〇2圖之變壓器 2011取出中間分接頭而輕易地實現。陽極電壓vdd之情形 295 1264691 玖、發明說明 亦相同。 第205圖係電位設定之說明圖。源極驅動IC14係以 GND為基準。源極驅動IC14之電源為Vcc。Vcc亦可與陽 極電壓（Vdd)—致。本發明中，從消耗電力之觀點來看，設 5 為 Vcc < Vdd。 閘極驅動電路12之關閉電壓Vgh在Vdd電壓以上 ，更理想的是滿足 乂(1(1+0.5(¥)<¥§11<¥(1(1+2.5(¥)之關 係。開啟電壓Vgl亦可與Vss —致，但更理想的是滿足 Vss<Vgl<—0.5(V)之關係。 10 來自EL顯示面板之發熱的因應對策是重要的。為 了因應發熱對策，如第206圖所示，於面板之裡面（來自顯 示畫面50之光不會透出之面）安裝由金屬材料所構成之底 盤2062。為了使散熱良好，於底盤2062形成凹凸2063。 又，於底盤2062與面板（第206圖中為密封蓋85)間配置黏 15 著層。黏著層係利用熱傳導性佳之材料，例如，由石夕樹脂 或矽材料所構成之塗膠。該等塗膠通常作為調整器1C與散 熱板間之粘著劑（緊密接著劑）來利用。此外，粘著層2061 並不限於粘著之功能，亦可僅具緊密接合底盤2062與面板 之功能。 20 於底盤2062之裡面係如第207(a)圖所示開有孔穴 2071。孔穴2071係為了在黏合底盤2062與面板時排除多 餘的樹脂而使用。又，如第207(a)圖所示，藉由於面板之 中央部與周邊部改變孔穴之開口形狀，可調整底盤2062之 熱電阻，且面板之溫度可均一。於第207(a)圖中，藉由使 296 1264691 玖、發明說明 形成於面板周邊部之孔穴2071c較形成於面板中央部之孔 穴2071 a大，於面板周邊部可增加熱電阻。因此，於面板 周邊部，熱不易失去。如此一來，面板整面可達成均一的 溫度分布。此外，如第207(b)圖所示，孔穴2071亦可為圓 5 形等。 第208圖係顯示本發明之顯示面板的構造。於陣列 基板71之一邊安裝有撓性基板84。於撓性基板84則配置 有電源電路82。第209圖係於第208圖之AA’之截面圖。 但，第209圖係折彎撓性基板84，且安裝底盤2062之圖 10 式。由第209圖亦可知，電源電路82之變壓器2011係配 置成收納於密封蓋85之空間。藉由如此地配置，可使EL 顯示面板（EL顯示面板模組）薄型化。 接著，針對關於用以實施本發明之驅動方式之本發 明之顯示機器的實施例作說明。第57圖係作為資訊終端裝 15 置一例之行動電話的平面圖。於框體573安裝有天線571 、十鍵572等。572等為顯示色切換鍵或電源開關、幀速 率切換鍵。 亦可編排順序為按壓十鍵572 —次則顯示色為8色 模態，接著按壓同一十鍵572則顯示色為4096色模態，再 20 次按壓十鍵572則顯示色為26萬色模態。鍵為每按壓一次 顯示色模態則改變之雙態觸變開關。此外，亦可另外設置 對顯示色之變更鍵。此時，十鍵572為3個（以上）。 十鍵572除了按鈕開關，亦可為滑動開關等其他機械式 開關，又，亦可為藉音聲辨識等來切換者。例如，以音聲輸入 297 1264691 玖、發明說明 來實施對4096色之變更，例如，構成為以「高品位顯示」、「 4096色模態」或者「低顯示色模態」音聲輸入至受話器，藉此 顯示面板之顯示畫面50所顯示之顯示色會改變。此可藉由採 用現行之音聲辨識技術而輕易地實現。 5 又，顯示色之切換亦可為電切換開關，亦可為藉由 觸碰顯示於顯示面板之顯示部21之選項單來選擇之觸摸面 板。又，亦可構成為藉按壓開關之次數來切換，或者如選 擇球（clickball)藉旋轉或方向來切換。 572雖然作為顯示色切換鍵，但亦可作為切換幀速 10 率之鍵等。又，亦可作為切換動畫與靜止畫面之鍵等。又 ，亦可同時切換動畫與靜止畫面與幀速率等多數要件。又 ，亦可構成為繼續按壓則幀速率會緩慢地（連續地）變化。 此時可藉由用以構成振動器之電容器C、電阻R中，將電 阻R設為可變電阻或者設為電子調節器來實現。又，電容 15 器可藉由設為微調電容器來實現。又，亦可藉由先於半導 體晶片形成多數電容器，且選擇1個以上之電容器，並電 路式並列地連接該等電容器來實現。 再者，針對採用本發明之EL顯示面板或EL顯示裝 置或驅動方法之實施形態，一面參照圖式一面說明。 20 第58圖係本發明之實施形態中觀景器之截面圖。但 ，為了容易說明，係模式性地描繪。又，有一部份放大或 縮小之處，也有省略之處。例如，第58圖中，省略了目鏡 遮光罩。上述事項於其他圖式亦相同。 使框體573之裡面為暗色或黑色，此係為了防止由 298 1264691 玖、發明說明 EL顯示面板（顯示裝置）574射出之雜散光在框體573内面 不規則反射而顯示對比下降。又，於顯示面板之光射出侧 配置有相位板（λ/4板等）108、偏光板109等。此事項於第 10圖、第11圖亦作說明。 5 於目鏡環581安裝有放大鏡582。觀察者係改變目 鏡環581在框體573内之插入位置，而調整成與顯示面板 574之顯示晝面50對準焦距。 又，若因應所需於顯示面板574之光射出侧配置正 透鏡583，則可使射入放大鏡582之主光線聚焦。因此， 10 可縮小放大鏡582之透鏡直徑，並可使觀景器小型化。 第59圖係視訊攝影機之侧視圖。視訊攝影機係具備 攝影（攝像）透鏡部592及視訊攝影機框體573，且攝影透鏡 部592與框體（觀景器部）573背靠背。又，於框體（亦參照 第58圖）573安裝有目鏡遮光罩。觀察者（使用者）係從該目 15 鏡遮光罩部觀察顯示面板574之晝面50。 另一方面，本發明之EL顯示面板亦作為顯示監視 器使用。顯示晝面50藉支點591可自由地調整角度。不使 用顯示晝面50時，則收納於收納部593。 開關594為實施以下功能之切換或控制開關。開關 20 594為顯示模態切換開關。開關594亦宜安裝於行動電話 等。針對該顯示模態切換開關594作說明。 於本發明之驅動方法之一有使Ν倍電流流入EL元 件15，且僅1F之1/Μ期間亮燈之方法。藉由改變該亮燈 之期間，可數位地變更明亮度。例如，Ν = 4，則於EL元 299 1264691 玖、發明說明 件15會流過4倍之電流。將亮燈期間設為"M ’且】 、2、3、4地切換，則可切換i倍至4倍之明亮度。此外 ，亦可構成為可變更為M=1、1>5、2、3、4、5、6等。 上述切換動作係使用於開啟行動電話之電源時使顯 5示畫面5〇非常明亮地顯示，而經過一定時間後為了節省電 力使顯示亮度下降之構造。又，亦可作為設定成使用者所 希望之明亮度之功能而使用。例如，於戶外等，使晝面極 為明亮，此係、由於在戶外周邊亮，❿畫面會完全看不見之 故。但’若以高亮度持續顯示’則EL元件15會急遽地劣 1〇化。因此，欲使其極為明亮時，先構成為短時間内可恢復 至平常的亮度。再者，當以高亮度顯示時，先構成為使用 者可藉由按壓按鈕來提高顯示亮度。 因此，宜先構成為使用者可藉開關594切換，或者 可藉設定模式自動地變更，檢測出外在光線之明亮度後自 15動地切換。x，宜先構成為使用纟等可將顯示亮度設定為 50%、60%、80% 〇 又，顯示晝面50宜設為高斯分布顯示。所謂高斯分 布顯示係中央部之明亮度亮，且使周邊部較暗之方式。視 覺上，若中央部明亮，則即使周邊部暗亦覺得明亮。根據 20主觀評價，若周邊部相較於中央部保持7〇%之亮度，則視 覺上笔不遜色。即使進一步減少而設為50%之亮度，亦大 致沒有問題。本發明之自發光型顯示面板係利用前述N倍 脈衝驅動（使N倍電流流入EL元件15，且僅1F之1/M期 間亮燈之方法）而從畫面上方至下方產生高斯分布。 300 1264691 玖、發明說明 具體而言，於晝面之上部與下部係增加M之值，而 於中央部則減少Μ之值。此係藉由調制間極驅動電路 之移位暫存器的動作速度等來實現。畫面左右之明亮度調 制係藉由相乘表之資料與影像資料而產生。藉由上述動作 5，當使周邊亮度（畫肖0·9)為50%時，則相較於100%亮度 時，可實現約20%之低消耗電力化。當使周邊亮度（畫角 〇·9)為70%時，則相較於1〇〇%亮度時，可實現約_之 低消耗電力化。 又，高斯分布顯示為了可開啟關閉，宜設置切換開 關等，此係由於例如在戶外等，若進行高斯顯示則畫面 周邊部會完全看不見之故。因此，宜先構成為使用者可藉 按紐切換，或者可藉設定模式自動地變更檢測出外在光 線之明亮度後自動地切換。又，宜先構成為使用者等可將 顯示壳度設定為50%、60%、80%。 15 液晶顯示面板會因背光而產生固定的高斯分布。因 此，無法進行高斯分布之開關。可開關高斯分布係自發光 型顯示裝置特有的效果。
又，當幀速率為一定時，有時會與室内之螢光燈等 之亮燈狀態干擾而發生閃爍。即，當螢光燈以6〇Ηζ之交 20流電亮燈時，若EL元件15以幀速率6〇Ηζ動作，則有時 會產生微妙的干擾，且感覺晝面慢慢地忽亮忽滅。欲避免 該情況，可變更幀速率。本發明係附加有幀速率之變更功 能。又，於Ν倍脈衝驅動（使Ν倍電流流入el元件15， 且僅1F之1/M期間亮燈之方法）中，構成為可變更N或M 301 1264691 玖、發明說明 之值。 藉開關594可實現以上之功能。開關594係藉由依 照顯示畫面50之選項單而多次按壓，來切換實現上述功能 〇 5 另，上述事項並不僅限於行動電話，當然可使用於 電視、監視器等。X，為了使用者可立即辨識於哪一顯示 狀I且先於顯示畫面進行圖像顯示。上述事項對以下之 事項亦相同。 本實施形態之EL顯示裝置料僅視訊攝影機，亦 可適用於第60圖所示之電子照相機。顯示裝置係作為附屬 於照相機本體6〇1之顯示畫面來使用。於照相機本體6〇1 除了快門603，另安裝有開關594。 以上係顯示面板之顯示領域較小型之情形，若為 叶以上般大型，則顯示畫面5G容易彎曲。為了因應該問題 15 ’本發明係如第61圖所示，於顯示面板附上外框川，且 為了懸掛藉固定構件…裝配外框011。利用該固定構件 614，安裝於牆壁等。 然而，若顯示面板之晝面尺寸變大，則重量亦變重 。因此，可於顯示面板之下側配置腳安裝部613，且藉多 20 數腳612來保持顯示面板之重量。 腳612係構成為可如a所示朝左右移動，又腳 6i2構成為可如B所示收縮。因此，即使是狹窄的場所， 亦可輕易地設置顯示裝置。 第61圖之電視機係藉保護膜（保護板亦可）來覆蓋書 302 1264691 玫、發明說明 面表面，其一個目的係防止物體碰撞顯示面板之表面而損 壞之。於保護膜之表面形成有AIR塗層，又，藉由浮花壓 製法加工表面來抑制外在情況（外在光線）透入顯示面板。 另，構成為藉由於保護膜與顯示面板間散佈樹脂珠 5 等而配置一定的空間。又，於保護膜之裡面形成微小的凸 部，且藉該凸部於顯示面板與保護膜間保持空間。如此一 來，藉由保持空間而抑制來自保護膜之衝擊傳達至顯示面 板。 又，於保護膜與顯示面板間配置或注入乙醇、乙二 10 醇等液體或凝膠狀之丙烯樹脂或環氧等固體樹脂等光結合 劑亦有效果，此係由於前述光結合劑可防止介面反射同時 具緩衝材料之功能。 保護膜係例如，聚碳酸酯膜（板）、聚丙烯膜（板）、丙 烯酸膜（板）、聚酯膜（板）、PVA膜（板）等。除此以外當然可 15 使用工程樹脂膜（ABS等）。又，由強化玻璃等無機材料所 構成者亦可。取代配置保護膜，而用環氧樹脂、酚樹脂、 丙烯酸樹脂以0.5mm以上2.0mm以下之厚度來塗布顯示面 板之表面亦具相同效果。又，於該等樹脂表面進行浮花壓 製法加工等也是有效的。 20 又，氟塗布保護膜或塗布材料之表面亦具效果，此 係由於藉洗滌劑等可輕易地擦掉附著於表面之污垢之故。 又，亦可厚厚地形成保護膜，且兼作前光源使用。 本發明之實施例之顯示面板與三邊自由之構造組合 當然也是有效的。特別是當三邊自由之構造為利用非晶矽 303 1264691 玖、發明說明 技術來製作像素時最為有效。又，於以非晶石夕技術形成之 面板中，由於電晶體元件之特性不均的製程控制是不可能 的故且貝施本發明之N倍脈衝驅動、重設驅動、假像素 驅動等#，本發明中之電晶體等並不限於藉多晶石夕技術 5而形成者，亦可為藉非晶矽技術而形成者。 另，本發明之N倍脈衝驅動（第13圖、第16圖、第 19 ® '第20圖 ' 第22圖、第24圖、第3〇圖等博在藉 非晶石夕技術來形成電晶體u之顯示面板上較藉低溫多晶石夕 技術來形成電晶體U之顯示面板更有效，此係由於非晶石夕 之電晶體11中’相鄰接之電晶體的特性大致—致之故。因 此，即使藉相加後之電流來驅動，各個電晶體之驅動電流 亦大致成為目標值（特別是第22圖、第24圖、第3〇圖之 N倍脈衝驅動在藉非晶⑦而形成之電晶體的像素構造是有 效的）。 15 Duty比控制驅動、基準電流控制、^^倍脈衝驅動等 本說明書所記載之本發明之驅動方法及驅動電路等並不限 於有機EL顯不面板之驅動方法及驅動電路等。如第 圖所不’當然亦可適用於場發射顯示器（FED)等其他顯示器 〇 “〇 帛221圖之FED巾，於基板71上以矩陣狀形成有 用以放出電子之電子放出突起2213(相#於第ig圖中之像 素電極1G5)。於像素形成有用以保持來自影像信號電路 2212(相當於第1圖中之源極驅動電路14)之圖像資料之保 持電路2214(相當於第1 _中之電容器）。又，於電子放出 304 1264691 玖、發明說明 突起2213之前面配置有控制電極2211。於控制電極2211 則藉由開關控制電路2215(相當於第1圖中之閘極驅動電 路12)施加電壓信號。 右猎弟221圖之像素構造’且如第222圖所示構成 5 周邊電路，則可實施duty比控制驅動或N倍脈衝驅動等。 由影像信號電路2212施加圖像資料信號至源極信號線μ 。由開關控制電路2215a施加像素16選擇信號至選擇信號 線2221且依序選擇像素16，而寫入圖像資料。又，由開 關控制電路2215b施加開關信號至開關信號線2222，而開 1〇 關控制FED之像素（duty比控制）。 本發明之實施例所說明之技術性思想可適用於視訊 攝影機、投影機、立體電視機、投影電視機等。又，亦可 適用於觀景器、行動電話之電腦螢幕、PHS、攜帶型資訊 終端及其電腦螢幕、數位相機及其電腦螢幕。 又，亦可適用於電子照相系統、頭盔顯示器、直視 監控顯示器、筆記型個人電腦、視訊攝影機、電子靜態相 機。又，亦可適用於提款機之電腦螢幕、公共電話、視訊 電話、個人電腦、手錶及其顯示裝置。 再者，當然亦可適用或應用發展於家庭電器機器之 2〇顯，電腦螢幕、掌上型遊戲機器及其電腦榮幕、顯示面板 用背光或者家庭用或業務用照明裝置等。照明裝置宜構成 為可改變色溫度。此藉由使RGB之像素形成紐紋狀或點 矩陣狀，且調整流入該等像素之電流，可變更色溫度。又 ，亦可應用於廣告或海報等之顯示裝置、職之信號器、 305 1264691 玖、發明說明 警報顯示燈等。 又，有機EL顯示面板作為掃瞄器之光源也是有效 的。將RGB之點矩陣作為光源，且將光照射至對象物，並 讀取圖像。當然，單色亦可。又，並不限於主動矩陣，單 5純矩陣亦可。若構成為可調整色溫度，則圖像讀取精度亦 提高。 又’有機EL顯示裝置於液晶顯示裝置之背光也是 有效的。精由使EL顯示裝置（背光）之RGB像素形成為條 紋狀或點矩陣狀，且調整流入該等像素之電流，可變更色 1°溫度，又，明亮度之調整亦變得容易。除此以外，由於為 面光源，故可輕易地構成使畫面之中央部明亮且使周邊部 暗之高斯分布。又，作為交互地掃瞄R、G、B光之攔順序 方式之液晶顯示面板之背光也是有效的。又，即使背光忽 明忽暗，藉由暗插入，亦可作為動晝顯示用等之液晶顯示 15 面板之背光使用。 本發明之源極驅動電路由於形成為用以構成電流鏡 電路之電晶體相鄰接，故因臨界值之偏差而產生之輸出電 流的不均小。因此，可抑制EL顯示面板之亮度不均的發 生，且其實用性效果大。 20 又’本發明之顯示面板、顯示裝置等因應高書質、 良好的動畫顯示性能、低消耗電力、低成本化、高亮度化 等各種構造而發揮具特徵之效果。 另，由於利用本發明可構成低消耗電力之資訊顯示 裝置等，故不消耗電力。又，由於可達成小型輕量化，故 306 1264691 玖、發明說明 不✓肖耗資源又’即使是高精細之顯示面板亦可充分地對 應。因此，對地球環境、宇宙環境無不良影響。 【圖式簡單明】 第1圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 5 第2圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 第3(a)圖、第3(b)圖係本發明之顯示面板之動作的說 明圖。 第4圖係本發明之顯示面板之動作的說明圖。 第5(a)圖、第5(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方法 10 的說明圖。 第6圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第7圖係本發明之顯示面板之製造方法的說明圖。 第8圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第9圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 15 第10圖係本發明之顯示面板的截面圖。 第11圖係本發明之顯示面板的截面圖。 第12圖係本發明之顯示面板的說明圖。 第13(a)圖、第13(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 20 第14圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第15圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第16(a)圖、第16(b)圖係本發明之顯示裴置之驅動方 法的說明圖。 第17圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 307 1264691 玖、發明說明 第18圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第19(al)圖至第19(a3)圖、第19(bl)圖至第19(b3)圖 、第19(cl)圖至第19(c3)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 5 第20(a)圖、第20(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 第21圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第22(a)圖、第22(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 10 第23圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第24(a)圖、第24(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 第25圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第26圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 15 第27(a)圖、第27(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 第28圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第29(a)圖、第29(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 20 第 30(al)圖、第 30(a2)圖、第 30(bl)圖、第 30(b2)圖 係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第31圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第32圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第33(a)圖、第33(b)圖、第33(c)圖係本發明之顯示裝 308 1264691 玖、發明說明 置之驅動方法的說明圖。 第34圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第35圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第36圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 5 第37圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第38圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第39(a)圖、第39(b)圖、第39(c)圖係本發明之顯示裝 置之驅動方法的說明圖。 第40圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 10 第41圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 第42(a)圖、第42(b)圖係本發明之顯示面板之像素的 構造圖。 第43圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 第44(a)圖、第44(b)圖、第44(c)圖係本發明之顯示裝 15 置之驅動方法的說明圖。 第45圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第46圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第47圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 第48圖係本發明之顯示裝置的構造圖。 20 第49圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第50圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 第51圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 第52圖係本發明之顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第53(a)圖、第53(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 309 1264691 玖、發明說明 法的說明圖。 第54圖係本發明之顯示面板之像素的構造圖。 第55(a)圖、第55(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 5 第56(a)圖、第56(b)圖係本發明之顯示裝置之驅動方 法的說明圖。 第57圖係本發明之行動電話的說明圖。 第58圖係本發明之觀景器的說明圖。 第59圖係本發明之視訊攝影機的說明圖。 10 第60圖係本發明之數位相機的說明圖。 第61圖係本發明之電視機（螢幕）的說明圖。 第62圖係習知顯示面板的像素構造圖。 第63圖係本發明之驅動電路的功能方塊圖。 第64圖係本發明之驅動電路的說明圖。 15 第65圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第66圖係電壓傳送方式之多段式電流鏡電路之說明圖 〇 第67圖係電流傳送方式之多段式電流鏡電路之說明圖 〇 20 第68圖係本發明另一實施例之驅動電路的說明圖。 第69圖係本發明另一實施例之驅動電路的說明圖。 第70圖係本發明另一實施例之驅動電路的說明圖。 第71圖係本發明另一實施例之驅動電路的說明圖。 第72圖係習知驅動電路之說明圖。 310 1264691 玖、發明說明 第73圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第74圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第75圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第76圖係本發明之驅動電路的說明圖。 5 第77圖係本發明之驅動電路之控制方法的說明圖。 第78圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第79圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第80(a)圖、第80(b)圖係本發明之驅動電路的說明圖 〇 10 第8i(a)圖、第81(b)圖係本發明之驅動電路的說明圖 〇 第82圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第83圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第84圖係本發明之驅動電路的說明圖。 15 第85圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第86圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第87圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第88圖係本發明之驅動方法的說明圖。 第89圖係本發明之驅動電路的說明圖。 20 第9〇圖係本發明之驅動方法的說明圖。 第91圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第92圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第93圖係本發明之驅動電路的說明圖。 第94圖係本發明之驅動電路的說明圖。 311 1264691 玖、發明說明 第95圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第96圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第97圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第98(a)圖、第98(b)圖、第98(c)圖係本發明之EL顯 5 示裝置的構造圖。 第99圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第100(a)圖、第i00(b)圖係本發明之EL顯示裝置的截 面圖。 第101圖係本發明之EL顯示裝置的截面圖。 10 第1〇2圖係本發明之el顯示裝置的截面圖。 第103圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第104圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第105圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第106圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 15 第丨〇7圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第108圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第109圖係本發明之el顯示裝置的構造圖。 第110圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第111圖係本發明之閘極驅動電路的方塊圖。 20 第112圖係第111圖之閘極驅動電路的時點圖。 第113圖係本發明之閘極驅動電路之一部份的方塊圖 〇 弟114圖係第113圖之閘極驅動電路的時點圖。 第115(a)圖、第115(b)圖係本發明之EL顯示裝置之驅 312 1264691 玖、發明說明 動方法的說明圖。 第116圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第117圖係本發明之EL顯示裝置之驅動電路的說明 5 圖。 第118圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第119圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第120圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第121圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 10 第122(a)圖、第122(b)圖、第122(c)圖係本發明之源 極驅動1C的說明圖。 第123圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第124圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第125圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 15 第126圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第127圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第128圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第129圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第130(a)圖、第130(b)圖係本發明之源極驅動1C的說 20 明圖。 第131(a)圖、第13(b)圖係本發明之源極驅動1C的說 明圖。 第132圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第133圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 313 1264691 玖、發明說明 第134圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 第 135(a)圖、第 135(b)圖、第 135(c)圖、第 135(d)圖 係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第136圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 5 第137圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 第13 8圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 第139(a)圖、第139(b)圖係本發明之顯示面板的說明 圖。 第140圖係本發明之顯示面板的說明圖。 10 第141圖係本發明之顯示面板的說明圖。 第142圖係本發明之顯示面板的說明圖。 第143圖係本發明之顯示面板的說明圖。 第144圖係本發明之顯示面板的像素構造的說明圖。 第145圖係本發明之顯示面板的像素構造的說明圖。 15 第146圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 弟147圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 弟148圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 第149圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 第150圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 20 第151圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第152圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 第153圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第154圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第155圖係本發明之源極驅動ic的說明圖。 314 1264691 玖、發明說明 第156圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第157圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第158圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第159圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 5 第160圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第161圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第162圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第163圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第164圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 10 第165圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第166圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第167圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第168圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第169(a)圖、第169(b)圖係本發明之源極驅動1C的說 15 明圖。 第170圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第171圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第172圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 第173圖係本發明之源極驅動IC的說明圖。 20 第174圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第175圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。
第176(a)圖、第176(b)圖、第176⑷圖係本發明之EL 315 1264691 玖、發明說明 顯示裝置之驅動電路的說明圖。
第177(a)圖、第177(b)圖、第177(c)圖係本發明之eL 顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第178(a)圖、第178(b)圖係本發明之el顯示裝置之驅 5 動方法的說明圖。 第179(a)圖、第179(b)圖係本發明之El顯示裝置之驅 動電路的說明圖。 第180(a)圖、第180(b)圖係本發明之El顯示裝置之驅 動方法的說明圖。 ° 第181圖係本發明之EL·顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第182圖係本發明之el顯示裝置的說明圖。 第183圖係本發明之el顯示裝置的說明圖。 第184圖係本發明之el顯示裝置的說明圖。 5 第185圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第186(al)圖、第186(a2)圖、第186(b)圖係本發明之 EL顯示裝置之驅動方法的說明圖。 苐187圖係本發明之el顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 -° 第188(a)圖、第U8(b)圖係本發明之EL·顯示裝置之驅 動電路的說明圖。 第189(al)圖至第189(a3)圖、第ι89(μ)圖至第 189(b3)圖、第189(d)圖至第189(c3)圖係本發明之El顯 示裝置之驅動方法的說明圖。 316 1264691 玖、發明說明 第190(al)圖至第190(a3)圖、第190(bl)圖至第 190(b3)圖、第190(cl)圖至第190(c3)圖係本發明之EL·顯 示裝置之驅動方法的說明圖。 第191(bl)圖至第191(b3)圖、第i91(cl)圖至第 5 191 (c3)圖係本發明之EL顯示裝置之驅動電路的說明圖。 第192(bl)圖至第192(b3)圖、第192(cl)圖至第 192(c3)圖係本發明之El顯示裝置之驅動方法的說明圖。 第193(al)圖至第193(a3)圖、第193(bl)圖至第 193(b3)圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明圖。 10 第I94圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第195圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 第196圖係本發明之甚s -壯班> & 乃< 顯不裝置之驅動電路的說明 15 圖。 弟197圖係本發明之el显g -壯堪 > 庄广去 < bL顯不裝置之驅動方法的說明 圖。 第198圖係本發明之EL顯示裝置之驅動方法的說明 圖。 20 第199圖係本發明之FT如-#职 土 顯示裝置之驅動電路的說明 圖。
第2〇0⑷圖、第200(b)圖、第200⑷圖係本發明之EL 顯示裝置之驅動方法的說明圖。
第201圖係本發明之F 知月之EL顯示裝置的說明圖。 317 1264691 玖、發明說明 第202圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第203圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第204圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第205圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 5 第206圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第207(a)圖、第207(b)圖係本發明之EL顯示裝置的說 明圖。 第208圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第209圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 10 第210圖係本發明之EL顯示裝置的說明圖。 第211圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第212圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第213圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第214圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 15 第215圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第216圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第217圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第218圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第219圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 20 第220圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第221圖係本發明之顯示裝置的說明圖。 第222圖係本發明之顯示裝置的說明圖。 第223圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第224(a)圖、第224(b)圖係本發明之源極驅動1C的說 318 1264691 玖、發明說明 明圖。 第225圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第226圖係本發明之源極驅動1C的說明圖。 第227圖係本發明之顯示裝置的說明圖。 5 第228圖係本發明之顯示裝置的說明圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 11…電晶體(薄膜電晶體） 62...反向器電路 12...閘極驅動1C(電路） 63...輸出閘極 14…源極驅動1C(電路） 71...陣列基(顯示面板） 14b…主晶片 72.··雷射照射範圍(雷射點) 14a、14c...從屬晶片 73…定位標諸 15…EL元件(發光元件） 74…玻璃基板(陣列基板） 16…像素 81...控制1C(電路） 17…閘極信號線 82...電源1C(電路） 18…源掘言號線 84…撓性基板 19...蓄積電容(附加電容器、附加電 85...密封蓋 容） 102…絕緣膜 21...顯示部 105…像素電極 50...顯示畫面 106...陰極電極 51…寫入像素(行） 107…乾燥劑 52...非顯示像素(非顯示領域、非亮 108... λ/4相位板 燈領域） 109".偏光板 53…顯示像素(顯示領域、亮燈領） 111…薄膜密封膜 61…移位暫存器電路 152...暗畫面 319 1264691 玖、發明說明 281…假像素(行） 371.. .0. 電路 401.. .亮燈控制線 4Ή...逆偏壓線 473.. .閘極電位控制線 561.. .電子調節器 562…電晶體之SD(源極一沒極)短路 571…天線 572…十鍵 573…框體 574.. .顯不面板 581…目鏡環 582.. .放大鏡 583…正透鏡 591…支點(旋轉部） 592.. .攝影透鏡部 593…收納部 594…開關 601.. .照相機本體 603.. .快門 611…外框 612…腳 613.. .腳安裝部 614…固定構件 631.. .第1段電流源 632.. .第2段電流源 633.. .第3段電流源 634.. .電流源(1單位） 641…開關(開關機構） 643.. .輸出配線 651.. .可變電阻(電流調整機構） 681.. .電晶體群 691.. .電阻(電流限制機構、預定電壓 產生機構） 692.. .解碼器電路 693.. .位準移位電路 701.. .計數器電路(計數機構） 702.. .NOR 電路 703.. .AND 電路 704…電流輸出電路 704a...高電流領域電流輸出電路 704b...低電流領域電流輸出電路 704c...電流提南電流輸出電路 Ή1...增高電路 721.. .D/A變換器 722.. .運算放大器 320 1264691 玖、發明說明 731…類比開關(開關機構） 1012…樹脂珠 732...變換器 1013…密封樹脂 761··.輸出墊(輸出信號端子） 1021...電路形成部 7Ή...基準電流源 1051...電源配線 772…電流控制電路 1091...電源 1C 781...温度檢測電路 1092...控制信號 782...溫度控制電路 1093...閘極驅動電路控制信號 833...共同陽極配線 1111...單位閘極輸出電路 931...串聯電流連接線 1222b...電流輸出電路 932…基準電流信號線 1241...調整用電晶體 941L.信號輸入端子 1251...切割處 941〇…電流輸出端子 1252...共同端子 951…基本陽極線(陽極電壓線） 1341...假電晶體 952…陽極配線 1351…電晶體(1單位電晶體） 953…連接端子 1352...次電晶體 961…連接陽極線 1401…類比開關(切換開關） 962…共同陽極線 1441...基準電壓電路 971...接觸孔洞 1443...電晶體 991…基本陰極線 1444...電晶體 992…輸入資料 1491…快閃記憶體 1001…連接樹脂(導電性接合層、異 1501...雷射裝置 方向性導電樹脂） 1502…雷射光 1011…光吸收膜 1503…電阻陣列(調整用電阻)
321 1264691 玖、發明說明 1611...睡眠開關(開關控制機構、基 1521···開關(開關機構) 1522…墊 1531…穩定電晶體 1541.. .NOR 電路 1601.. .電容器 準電流開關機才冓） 1661a、1661b...切斷處 1662…内部配線 1671.. .保護二^虽體 1731.. .符合電路 1741.. 輪出切換電路 1742.. .切換開關 1821.. .陽極連接端子 2011.. .變壓器 2012.. .控制電路 2013…整流二^亟體 2014.··平滑化電容器 2015.. .電阻 2016.. .電晶體 2021…開關 2022.. .溫度感測器 2041.. .位準移位電路 2043.. .閘極驅動控制信號 2061.. .粘著層 2062.. .底盤 2063.. .凹凸 2071.. .孔穴 2211.. .控制電極 2212.. .影像信號電路 2213.. .電子放出突起 2214…保持電路 2215.. .開關控制電路 2221…選擇信號線 2222.. .開關信號線 22Ή...引出線 2272.. .檢查墊 2281.. .密封樹脂 Vdd...電源電壓 Iw...電流
322

Claims (1)

  1. 拾、申請專利範圍 1 · 一種EL顯示面板之驅動電路，包含有： 基準電流產生機構，係用以產生基準電流； 弟1電流源’係輸入有來自前述基準電流產生機構 之基準電流，且將與前述基準電流相對應之第1電流輸 出至多數第2電流源； 弟2電流源，係輸入有從前述第1電流源輸出之第1 電流，且將與前述第1電流相對應之第2電流輸出至多 數第3電流源；及 第3電流源，係輸入有從前述第2電流源輸出之第2 電流，且將與前述第2電流相對應之第3電流輸出至多 數第4電流源， 又，前述第4電流源係選自於與輸入圖像資料相對 應之個數的單位電流源。 .一種EL顯示面板之驅動電路，包含有： 多數電流產生電路，係具有與二的倍數相對應之 個數的單位電晶體； 開關電路，係與前述各電流產生電路相連接； 内部電路，係與輸出端子相連接；及 控制電路，係對應於輸入資料而使前述開關電路 開關， 又’别述開關電路之一端係與前述電流產生電路 相連接’而另一端則與前述内部電路相連接。 如申請專利範圍第2項之EL顯示面板之驅動電路，其 中則述單位電晶體之通道寬度W為以上9//m Ϊ264691 拾、申請專利範圍 以下， 且前述單位電晶體之尺寸（WL)為4平方//m以上。 申明專利範圍第2項之el顯示面板之驅動電路，其 5 中$述單位電晶體之通道長度L/通道寬度W為2以上 且所使用之電源電壓為2·5(ν)以上9(v)以下。 5·—種顯示面板之驅動電路，包含有： 第1輸出電流電路，係由流過第1單位電流之複數 個單位電晶體所構成； 第2輸出電流電路，係由流過第2單位電流之複數 個單位電晶體所構成；及 輸出段，係將前述第1輸出電流電路之輸出電流與 前述第2輸出電流電路之輸出電流相加且輸出， 且，前述第1單位電流係較前述第2單位電流更小 15 ， 並且别述第1輸出電流電路係依照灰階而於低灰階 領域與高灰階領域動作， 又，Sil述弟2輸出電流電路係依照灰階而於高灰階 7員域動作，且當别述弟2輸出電流電路動作之際，前述 20 第1輸出電流電路於高灰階領域中，其輸出電流值不會 改變。 6· —種EL顯示面板之驅動電路，包含有： 私式電流產生電路’係於每一輸出端子具有複數 的單位電晶體； 324 1264691 尹曰、申請專利範圍 第1電晶體，係用以產生用來規定流過前述單位電 晶體之電流之第1基準電流； 閘極配線，係與前述複數的第丨電晶體之閘極端子 相連接；及 5 ^ 十 第2及第3電晶體，係將閘極端子連接於前述閘極 配線，且與前述第1電晶體形成電流鏡電路， 又’於前述第2及第3電晶體供給有第2基準電流。 如申明專利範圍弟6項之EL顯示面板之驅動電路，更 包括： 10 、 程式電流產生電路，係於每輸出端子具有複數的 單位電晶體； 多數第1電晶體，係與前述單位電晶體構成電流鏡 電路；及 第2電晶體，係用以產生流過第i電晶體之基準電 /；IL ， 又，前述第2電晶體產生之基準電流分歧而流通至 前述多數第1電晶體。 8·如申請專利範圍第6或第7項之EL·顯示面板之驅動電 路’其中刖述第3電晶體係與在内含驅動電路之驅動 2〇 1C晶片内，前述第1基準電流供給電路所配置之領域 中’配線於該領域之基準電流供給電路群中配置於最 外側之兩條配線電連接。 9· 一種EL顯示裝置，包含有： 第1基板，具有將驅動用電晶體配置成矩陣狀，且 325 1264691 拾 5 ίο 10. 11. 15 申5靑專利範匱 對應於前述驅動用電晶體而形成EL元件之顯示領域； 源極驅動1C，係施加程式電流或電壓於前述驅動 用電晶體； 第1配線，係形成在位於前述源極驅動1C下方之前 述弟1基板上； 第2配線’係與前述第1配線電連接，且形成於前 述源極驅動1C與顯示領域間；及 陽極配線，係從前述第2配線分歧，且將陽極電壓 供給至前述顯示領域之像素。 如申请專利範圍第9項之EL顯示裝置，其中第1配線 係具有遮光功能。 種EL顯不裝置’包含有： 顯示領域，係具有EL元件之像素形成為矩陣狀者 驅動用電晶體，用以將發光電流供給至前述EL元 件；及 源極驅動電路，用以將程式電流供給至前述驅動 用電晶體’ 且，前述驅動用電晶體為P通道電晶體， 又，用以產生前述源極驅動電路之程式電流之電 晶體為N通道電晶體。 一種EL顯示裝置，包含有： 顯示領域，係EL元件、用以將發光電流供給至前 述EL元件之驅動用電晶體、用以形成前述驅動用電晶 326 20 12. 1264691 Μ'申請專利範圍 形成前 關元件 體輿前述EL元件間之通路之第1開關元件及用以 迷驅動用電晶體與源極信號線間之通路之第2開 办成為矩陣狀者； 第1閘極驅動電路，用以控制前述第1開關元件 關； # 第2閘極驅動電路，用以控制前述第2開關元件開 關；及 源極驅動電路，用以將程式電流供給至前述驅動 用電晶體， 10 15 20 且’前述驅動用電晶體為p通道電晶體， 又，用以產生前述源極驅動電路之程式電流之電 晶體為N通道電晶體。 13· 一種EL顯示裝置，包含有： EL元件； P通道驅動用電晶體，用以將發光電流供給至前述 EL元件； 開關電曰曰體’形成於EL元件與前述驅動用電晶體 之間； 源極_電路’用以供給程式電流；及 閘極驅動電路，係將前述開關電晶體控制成於1幀 』門内有2水平掃瞒期間以上呈關閉狀態者。 327
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