KR102282943B1 - 표시장치 및 그 리페어 방법 - Google Patents

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Abstract

표시장치는 불량 화소의 유기 발광 소자, 제1 더미화소 및 제2 더미화소에 연결되는 리페어선, 상기 제1 더미 화소 및 상기 제2 더미 화소에 연결된 리페어 변조회로를 포함하며, 상기 제1 더미 화소는, 제1 발광 제어 신호에 응답하여 상기 불량 화소의 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어선으로 출력하는 제1 더미 화소 구동 회로를 포함하고, 상기 리페어 변조회로는, 상기 제1 더미 화소 구동 회로에서 상기 구동 전류가 출력되기 전에 초기화되고, 상기 제1 더미 화소 구동 회로에서 상기 구동 전류가 출력될 때 상기 구동 전류에 의해 충전되고 상기 리페어선의 기생 커패시턴스 성분과 전하 공유가 일어나는 커패시터를 포함한다.

Description

표시장치 및 그 리페어 방법{DISPLAY DEVICE AND REPAIRING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시장치 및 그 리페어 방법에 관한 것이다.
여러 표시장치 중 표시장치(organic light emitting diode display)는 자체 발광형으로 별도의 광원이 필요 없으므로 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 대비비(contrast ratio)도 우수하다.
표시장치는 적색 화소, 청색 화소, 녹색 화소 및 백색 화소 등의 복수의 화소(pixel)를 포함하며, 이들 화소를 조합하여 풀 컬러(full color)를 표현할 수 있다. 각 화소는 유기 발광 소자(organic light emitting element)와 이를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다.
표시장치의 발광 소자는 화소 전극, 공통 전극, 그리고 두 사이에 위치하는 발광층을 포함한다. 화소 전극 및 공통 전극 중 한 전극은 애노드 전극이 되고 다른 전극은 캐소드 전극이 된다. 캐소드 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다. 공통 전극은 복수의 화소에 걸쳐 형성되어 있으며 일정한 공통 전압을 전달할 수 있다.
이러한 표시장치는 화소 회로가 복잡하고 제작 공정이 까다롭기 때문에 제작 과정에서 불량 화소가 발생할 수 있다. 따라서 수율을 높이기 위해서 제작 과정에서 발생한 불량 화소를 정상적인 화소로 활용할 수 있는 리페어(repair) 공정이 요구된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 불량 화소를 정상적인 화소로 리페어할 수 있는 표시장치 및 그 리페어 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시 예에 따른 표시장치는 불량 화소의 유기 발광 소자, 제1 더미화소 및 제2 더미화소에 연결되는 리페어선, 상기 제1 더미 화소 및 상기 제2 더미 화소에 연결된 리페어 변조회로를 포함하며, 상기 제1 더미 화소는, 제1 발광 제어 신호에 응답하여 상기 불량 화소의 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어선으로 출력하는 제1 더미 화소 구동 회로를 포함하고, 상기 리페어 변조회로는, 상기 제1 더미 화소 구동 회로에서 상기 구동 전류가 출력되기 전에 초기화되고, 상기 제1 더미 화소 구동 회로에서 상기 구동 전류가 출력될 때 상기 구동 전류에 의해 충전되고 상기 리페어선의 기생 커패시턴스 성분과 전하 공유가 일어나는 커패시터를 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 제1 더미화소, 상기 제2 더미 화소, 및 상기 리페어 변조회로는 보조 리페어선에 연결되고, 상기 제1 더미화소, 상기 제2 더미 화소는 상기 보조 리페어선을 통해 상기 리페어 변조회로를 공유한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 제2 더미 화소는, 제2 발광 제어 신호에 응답하여 제1 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어 선으로 인가하는 제2 더미 화소 구동회로를 포함하고, 상기 제1 데이터 전압은 흑색 계조 데이터 전압이다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 리페어 변조회로는, 상기 커패시터와 상기 리페어선 사이에 연결되며 상기 제1 발광 제어 신호에 따라 턴 온 또는 턴 오프 되는 트랜지스터를 더 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 리페어 변조회로는, 상기 커패시터와 초기화 전압을 공급하는 전압선 사이에 연결되어 있으며, 제1 초기화 신호에 따라 턴 온 또는 턴 오프되는 초기화 트랜지스터를 더 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 리페어 변조회로는, 상기 리페어선으로 상기 구동 전류를 출력하기 전에 상기 제1 초기화 신호의 전압이 제1 레벨에서 제2 레벨로 변경되어 상기 초기화 트랜지스터가 턴 온 된다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 초기화 트랜지스터가 턴 온된 후에 상기 제1 더미 화소 구동 회로가 상기 리페어선으로 상기 구동 전류를 출력한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치는 리페어선에 연결된 제3 더미 화소를 더 포함하고, 상기 제3 더미 화소는, 제3 발광 제어 신호에 응답하여 제2 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어 선으로 인가하는 제3 더미화소 구동회로를 포함하고, 상기 제2 데이터 전압은 흑색 계조 데이터 전압이다.
또한, 불량 화소의 유기 발광 소자, 제1 더미 화소 및 제2 더미 화소에 연결되는 리페어선, 상기 제1 더미 화소 및 상기 제2 더미 화소에 연결된 리페어 변조회로를 포함하며, 상기 제1 더미 화소는, 제1 더미 화소 구동 회로를 포함하고, 상기 리페어 변조회로는 커패시터를 포함하는 표시장치의 리페어 방법에 있어서, 리페어선을 불량 화소의 유기 발광 소자에 연결하는 단계; 상기 커패시터를 초기화하는 단계; 상기 제1 더미 화소에서 상기 불량 화소의 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어선으로 출력하는 단계; 상기 제1 더미 화소 구동 회로에서 상기 구동 전류가 출력될 때 상기 구동 전류에 의해 상기 커패시터를 충전하는 단계; 및 상기 충전된 커패시터와 상기 리페어선의 기생 커패시턴스 성분과 전하 공유가 일어나는 단계를 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 리페어 방법은, 제1 더미화소, 상기 제2 더미 화소, 및 상기 리페어 변조회로를 보조 리페어선에 연결하는 단계; 및 상기 제1 더미화소, 상기 제2 더미 화소가 상기 리페어 변조회로를 공유하는 단계를 더 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 리페어 방법의 상기 제2 더미 화소는, 제2 더미 화소 구동회로를 포함하고, 제2 발광 제어 신호에 응답하여 제1 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어 선으로 인가하는 단계를 포함하고, 상기 제1 데이터 전압은 흑색 계조 데이터 전압이다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 리페어 방법의 리페어 변조회로는, 상기 커패시터와 상기 리페어선 사이에 연결되며 상기 제1 발광 제어 신호에 따라 턴 온 또는 턴 오프 되는 트랜지스터를 더 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 리페어 방법의 리페어 변조회로는, 상기 커패시터와 초기화 전압을 공급하는 전압선 사이에 연결되어 있으며, 제1 초기화 신호에 따라 턴 온 또는 턴 오프되는 초기화 트랜지스터를 더 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 리페어 방법의 커패시터를 초기화하는 단계는, 상기 제1 초기화 신호의 전압이 제1 레벨에서 제2 레벨로 변경되어 상기 초기화 트랜지스터가 턴 온 되는 단계를 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 리페어 방법의 구동 전류를 상기 리페어선으로 출력하는 단계는, 상기 초기화 트랜지스터가 턴 온 된 후에 상기 제1 더미 화소 구동 회로가 상기 리페어선으로 상기 구동 전류를 출력하는 단계를 포함한다.
또한, 실시 예에 따른 표시장치의 리페어 방법은, 상기 리페어선에 연결된 제3 더미 화소, 및 상기 제3 더미 화소는, 제3 더미화소 구동회로를 포함하며, 표시장치의 리페어 방법은, 제3 발광 제어 신호에 응답하여 제2 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어 선으로 인가하는 단계를 포함하고, 상기 제2 데이터 전압은 흑색 계조 데이터 전압이다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 불량 화소를 정상적인 화소로 리페어할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 실시 예에 따른 표시장치의 블록도이다.
도 2는 도 1의 화소를 예시하는 등가 회로도이다.
도 3은 도 2의 화소의 신호 타이밍이다.
도 4는 실시 예에 따른 불량 화소 리페어를 나타낸 블록도이다.
도 5는 도 4의 불량 화소 리페어 회로도이다.
도 6은 도 5의 불량 화소 리페어 신호 타이밍이다.
도 7은 실시 예의 다른 양태의 불량 화소 리페어 회로도이다.
도 8은 실시 예의 또 다른 양태의 불량 화소 리페어 회로도이다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 불량 화소 리페어를 나타낸 블록도이다.
도 10은 도 9의 불량 화소 리페어 회로도이다.
도 11은 도 10의 불량 화소 리페어 신호 타이밍이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 동일하거나 유사한 구성요소에는 동일, 유사한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해 되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함한다." 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 실시 예에 따른 표시장치의 블록도 이고, 도 2는 도 1의 화소를 예시하는 등가 회로도이다.
도 1을 참조하면, 실시 예에 따른 표시장치는 표시판(display panel)(300), 주사 구동부(400), 데이터 구동부(500), 발광 구동부(600) 및 신호 제어부(700)를 포함한다.
표시판(300)은 더미 영역(310)과 표시영역(320)을 포함한다. 더미 영역(310)은 복수의 신호선(GI1-GWn, GW1-GWn, GB1-GBn) 및 더미 신호선(DL)과 이에 연결된 복수의 더미 화소(DPx)를 포함한다. 표시 영역(320)은 복수의 신호선(GI1-GWn, GW1-GWn, GB1-GBn, E1-En, D1-Dm)에 연결되어 있으며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소(PX)를 포함한다.
신호선(GI1-GIn, GW1-GWn, GB1-GBn, E1-En, D1-Dm)은 주사 신호를 전달하는 복수의 주사선(GI1-GIn, GW1-GWn, GB1-GBn), 입력 영상 신호에 따른 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(D1-Dm) 및 발광 제어를 위한 발광 주사 신호(E1-En)를 전달하는 복수의 발광 주사선(E1-En)을 포함한다. 주사선(GI1-GIn, GW1-GWn, GB1-GBn)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로 거의 평행하고, 데이터선(D1-Dm)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로 거의 평행하며, 발광 주사선(E1-En)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로 거의 평행하다. 복수의 화소(PX)는 주사선(G1-Gn)과 데이터선(D1-Dm)에 의해 정의되는 영역에 각각 형성되어 있다.
더미 신호선(DL)은 리페어할 화소에 대응하는 데이터 신호를 전달하며 대략 열 방향으로 뻗어 있다. 복수의 더미 화소(DPx)는 더미 신호선(DL)에 연결되어 있으며, 복수의 주사선(GI1-GIn, GW1-GWn, GB1-GBn)과 복수의 발광 주사선(E1-En) 중 대응하는 주사선 및 대응하는 발광 주사선에도 연결되어 있다.
주사 구동부(400)는 표시판(300)의 주사선(GI1-GIn, GW1-GWn, GB1-GBn)과 연결되어 있으며, 화소(PX) 및 더미 화소(DPx)의 스위칭 트랜지스터를 턴온시킬 수 있는 전압과 턴오프시킬 수 있는 저전압의 조합으로 이루어진 주사 신호를 주사선(GI1-GIn, GW1-GWn, GB1-GBn)에 인가한다.
데이터 구동부(500)는 표시판(300)의 데이터선(D1-Dm)과 연결되어 있으며, 데이터 신호를 데이터선(D1-Dm)에 인가한다. 이러한 데이터 구동부(500)는 화소(PX)의 휘도와 관련된 전체 계조 전압에서 데이터 신호를 선택할 수 있으며, 또는 한정된 수효의 계조 전압을 분압하여 원하는 데이터 신호를 생성할 수도 있다.
발광 구동부(600)는 표시판(300)의 발광 주사선(E1-En)과 연결되어 있으며, 화소(PX) 및 더미 화소(DPx)의 발광 트랜지스터를 턴온시킬 수 있는 전압과 턴오프시킬 수 있는 저전압의 조합으로 이루어진 발광 주사 신호를 발광 주사선(E1-En)에 인가한다.
신호 제어부(700)는 주사 구동부(400), 데이터 구동부(500) 및 발광 구동부(600)를 제어한다.
이러한 구동 장치(400, 500, 600, 700) 각각은 적어도 하나의 집적 회로 칩의 형태로 표시판(300) 위에 직접 장착되거나, 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되어 TCP(tape carrier package)의 형태로 표시판(300)에 부착되거나, 별도의 인쇄 회로 기판(printed circuit board)(도시하지 않음) 위에 장착될 수도 있다.
이와는 달리, 이들 구동 장치(400, 500, 600, 700)가 신호선(GI1-GIn, GW1-GWn, GB1-GBn, D1-Dm, E1-En) 및 트랜지스터 따위와 함께 표시판(300)에 집적될 수도 있다. 또한, 구동 장치(400, 500, 600, 700)는 단일 칩으로 집적될 수 있으며, 이 경우 이들 중 적어도 하나 또는 이들을 이루는 적어도 하나의 회로 소자가 단일 칩 바깥에 있을 수 있다.
도 2를 참조하면, 각 화소(PX)는, 예를 들면 i번째(i=1, 2, …, n) 주사선(GIi, GWi)과 j번째(j=1, 2, …, m) 데이터선(Dj)에 연결된 화소(PX)는 유기 발광 소자(LD), 구동 트랜지스터(T1), 유지 커패시터(Cst) 및 복수의 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6, T7)를 포함한다. 도 2에 도시한 화소(PX)는 데이터 신호로서 데이터 전압을 사용하는 화소의 한 예이다.
구동 트랜지스터(T1) 및 복수의 스위칭 트랜지스터(T2-T7)는 제어 단자 및 두 개의 입출력 단자를 가진다. 구동 트랜지스터(T1) 및 복수의 스위칭 트랜지스터(T2-T7)는 비정질 규소 또는 다결정 규소로 만들어진 p-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이며, 제어 단자 및 두 입출력 단자는 각각 게이트, 소스 및 드레인일 수 있다. 그러나 구동 트랜지스터(T1)와 복수의 스위칭 트랜지스터(T2-T7) 중 적어도 하나는 n-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, 아래에서 설명하는 구동 트랜지스터(T1), 복수의 스위칭 트랜지스터(T2-T7), 커패시터(Cst) 및 유기 발광 소자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T2)의 제어 단자는 주사선(GWi)과 연결되어 있고, 제1 입출력 단자는 데이터선(Dj)과 연결되어 있으며, 제2 입출력 단자는 구동 트랜지스터(T1)의 제1 입출력 단자와 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T2)는 주사선(GWi)에 인가되는 저전압의 주사 신호에 응답하여 데이터선(Dj)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)을 전달한다.
스위칭 트랜지스터(T3)의 제어 단자도 주사선(GWi)과 연결되어 있고, 제1 입출력 단자와 제2 입출력 단자는 각각 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자와 제2 입출력 단자에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T3)는 주사선(GWi)에 인가되는 저전압의 주사 신호에 응답하여 구동 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결한다.
유지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자와 구동 전압(ELVDD)을 공급하는 구동 전압선 사이에 연결되어 있다. 주사선(GWi)에 인가되는 저전압의 주사 신호에 응답하여 스위칭 트랜지스터(T2, T3)가 턴 온되는 경우, 다이오드 연결되는 구동 트랜지스터(T1)를 통해 데이터 전압(Vdata)에 대응하는 전압을 충전하고, 스위칭 트랜지스터(T2, T3)가 턴 오프된 뒤에도 이를 유지한다.
스위칭 트랜지스터(T4)는 제어 단자가 제1 제1 초기화 주사선(GIi)에 연결되어 있고, 제1 입출력 단자가 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자에 연결되어 있으며, 제2 입출력 단자가 초기화 전압(Vint)을 공급하는 초기화 전압선에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T4)는 제1 제1 초기화 주사선(GIi)에 인가되는 저전압의 초기화 주사 신호에 응답하여 턴 온되어 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자와 커패시터(Cst)가 만나는 노드의 전압을 초기화 전압(Vint)으로 초기화한다.
스위칭 트랜지스터(T5, T6)의 제어 단자는 발광 주사선(Ei)에 연결되어 있다. 그리고 스위칭 트랜지스터(T5)의 제1 입출력 단자는 구동 전압선(ELVDD)에 연결되어 있고 제2 입출력 단자는 구동 트랜지스터(T1)의 제1 입출력 단자에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T6)의 제1 입출력 단자는 구동 트랜지스터(T1)의 제2 입출력 단자에 연결되어 있고 제2 입출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T5, T6)는 발광 주사선(Ei)에 인가되는 저전압의 발광 주사 신호에 응답하여 턴 온되어, 구동 전압선(ELVDD), 구동 트랜지스터(T1) 및 유기 발광 소자(LD) 사이에 전류 경로를 형성한다. 따라서 구동 트랜지스터(T1)는 제어 단자와 제1 입출력 단자 사이에 걸리는 전압, 즉 커패시터(Cst)에 충전된 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류를 유기 발광 소자(LD)로 흘린다.
유기 발광 소자(LD)는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)일 수 있으며, 스위칭 트랜지스터(T6)의 제2 입출력 단자와 연결되어 있는 애노드 및 공통 전압(ELVSS)과 연결되어 있는 캐소드를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(T1)의 출력 전류에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
유기 발광 소자(LD)는 기본색(primary color) 중 하나의 빛을 낼 수 있다. 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색의 삼원색을 들 수 있으며 이들 삼원색의 공간적 합 또는 시간적 합으로 원하는 색상을 표시한다. 이 경우에 일부 유기 발광 소자(LD)는 백색의 빛을 낼 수 있으며 이렇게 하면 휘도가 높아진다. 이와는 달리, 모든 화소(PX)의 유기 발광 소자(LD)가 백색의 빛을 낼 수 있으며, 일부 화소(PX)는 유기 발광 소자(LD)에서 나오는 백색광을 기본색 광 중 어느 하나로 바꿔주는 색 필터(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다.
이때, 원하는 색상을 표시하는 화소 묶음은 적색, 녹색, 청색을 각각 표시하는 세 개의 화소를 포함할 수 있으며, 또는 백색을 표시하는 화소를 더 포함할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T7)의 제어 단자는 제2 제1 초기화 주사선(GBi)에 연결되어 있고, 제1 입출력 단자는 초기화 전압선(Vint)에 연결되어 있으며, 제2 입출력 단자는 스위칭 트랜지스터(T6)의 제2 입출력 단자, 즉 유기 발광 소자(LD)의 애노드에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T7)는 제2 제1 초기화 주사선(GBi)에 인가되는 저전압의 초기화 주사 신호에 응답하여 턴 온되어 유기 발광 소자(LD)의 애노드 전압을 초기화 전압(Vint)으로 초기화한다.
다음, 실시 예에 따른 표시장치의 구동에 대해서 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 도 2의 화소의 신호 타이밍이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 주사선(Ei)에 고전압(Vgh)의 발광 주사 신호(Emit[i])가 인가되는 동안, 제1 초기화 주사선(GIi), 및 제2 초기화 주사선(GBi)에 저전압(Vgl)의 초기화 주사 신호(Init[i])가 인가된다. 그러면 스위칭 트랜지스터(T4)가 턴 온 되어 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자와 커패시터(Cst)가 만나는 노드가 초기화 전압(Viint)으로 초기화된다. 또한, 스위칭 트랜지스터(T7)가 턴 온 되어 유기 발광 소자(LD)의 애노드와 스위칭 트랜지스터(T6)가 만나는 노드가 초기화 전압(Vint)으로 초기화된다. 따라서 커패시터(Cst)의 전압과 유기 발광 소자(LD)의 기생 커패시턴스 성분(이하, 기생 커패시터라 함)에 충전된 전압이 초기화될 수 있다. 이상에서 설명의 편의를 위해 제1 초기화 주사선(GIi), 및 제2 초기화 주사선(GBi)에 초기화 주사 신호(Init[i])가 동시에 인가되는 것으로 설명하였으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
다음 발광 주사선(Ei)에 고전압(Vgh)의 발광 주사 신호(Emit[i])가 인가되면서 제1 초기화 주사선(GIi)의 제1 초기화 주사 신호(Init[i])가 고전압(Vgh)으로 전환되고 주사선(GWi)에 저전압(Vgl)의 주사 신호(Scan[i])가 인가된다. 그러면 스위칭 트랜지스터(T3)가 턴 온되어 구동 트랜지스터(T1)가 다이오드 연결된다. 또한, 스위칭 트랜지스터(T2)가 턴 온되어 구동 트랜지스터(T1)의 제1 입출력 단자에 데이터선(Dj)으로부터의 데이터 전압(Vdata)이 전달된다. 이때, 다이오드 연결된 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이 Vth인 경우, 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자에는 (Vdata-Vth) 전압이 걸린다. 따라서 커패시터(Cst)에는 [ELVDD-(Vdata-Vth)] 전압이 저장된다.
다음 주사선(GWi)의 주사 신호(Scan[i])가 고전압(Vgh)으로 전환되고, 발광 주사선(Ei)의 발광 주사 신호(Emit[i])가 저전압(Vgl)으로 전환된다. 따라서 스위칭 트랜지스터(T5, T6)가 턴 온되어 구동 트랜지스터(T1)로부터의 전류(ILD)가 유기 발광 소자(LD)로 흘러서 유기 발광 소자(LD)가 전류에 대응하는 밝기로 발광한다. 이때, 구동 트랜지스터(T1)로부터 출력되는 전류(ILD)는 수학식 1과 같이 결정되므로, 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압의 편차에 영향을 받지 않을 수 있다.
[수학식 1]
ILD=β/2(Vgs-Vth)^2=β/2((ELVDD-(Vdata-Vth)-Vth))^2=β/2(ELVDD-(Vdata))^2
여기서, Vgs는 구동 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압차이고, β는 구동 트랜지스터(T1)의 특성에 따라 결정되는 파라미터이다.
어떤 실시 예에서 화소(PX)의 스위칭 트랜지스터(T4, T7)의 제어 단자에 제1 초기화 주사선(GIi)을 연결하지 않고, 이전 행의 주사선[S(i-1)]을 연결할 수 있다. 그러면 스위칭 트랜지스터(T4, T7)는 주사선(GWi)의 주사 신호(Scan[i]) 이전에 인가되는 이전 주사선[S(i-1)]의 주사 신호(Scan[i-1])의 저전압에 응답하여서 턴 온될 수 있다. 다른 실시 예에서 스위칭 트랜지스터(T4)의 제어 단자와 스위칭 트랜지스터(T7)의 제어 단자에 서로 다른 신호선을 연결할 수도 있다.
이하, 실시 예에 따른 불량 화소 리페어를 설명한다.
도 4는 실시 예에 따른 불량 화소 리페어를 나타낸 블록도이다.
도 5는 도 4의 불량 화소 리페어 회로도이다.
도 6은 도 5의 불량 화소 리페어 신호 타이밍이다.
도 4를 참조하면, 복수의 더미 화소(DPx1) 및 복수의 더미 화소(DPx2) 각각은 복수의 리페어선(RPLk, RPLk+1, RPLk+2, RLk+3) 중 대응하는 복수의 리페어선에 연결되어 있다. 복수의 리페어 변조회로(RMv, RMv+1) 각각은 복수의 더미 화소(DPx2)와 각각 연결되어 있다.
복수의 더미 화소(DPx1), 복수의 더미 화소(DPx2) 각각은 복수의 보조 리페어선(SRPLs, SRPLs+1)과 각각 연결되어 있다. 또한, 리페어선(RPLk)에 연결된 더미 화소(DPx2)와 리페어선(RPLk+1)에 연결된 더미 화소(DPx1)는 리페어 변조회로(RMv)를 공유하며, 리페어선(RPLk+2)에 연결된 더미 화소(DPx2)와 리페어선(RPLk+3)에 연결된 더미 화소(DPx1)는 리페어 변조회로(RMv+2)를 공유한다.
복수의 화소(PX) 및 불량 화소(BPX)는 복수의 제2 초기화 배선(GBk, GBk+1, GBk+2, GBk+3) 중 대응하는 제2 초기화 배선과 각각 연결되어 있다.
실시 예에 따른 더미 화소(DPx1)는 적색 또는 청색 유기 발광 소자(LD)를 구동하는 화소 회로일 수 있으며, 제2더미 화소(DPx2)는 녹색 유기 발광 소자(LD)를 구동하는 화소 회로일 수 있으나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
리페어선(RPLk)에 연결된 더미 화소(DPx1)는 발광 주사선(EMk), 더미 신호선(DL), 주사선(GWk) 및 제1 초기화 주사선(GIk)에 연결되어 있다.
리페어 변조회로(RMv)는 리페어선(RPLk), 발광 주사선(EMk),) 및 제2 초기화 주사선(GBk)에 연결되어 있다.
리페어선(RPLk+1)에 연결된 더미 화소(DPx2)는 발광 주사선(EMk+1), 더미 신호선(DL), 주사선(GWk+1) 및 초기화 주사선(GIk+1)에 연결되어 있다.
리페어선(RPLk+2)에 연결된 더미 화소(DPx1)는 리페어선(RPLk+2), 발광 주사선(EMk+2), 더미 신호선(DL), 주사선(GWk+2) 및 초기화 주사선(GIk+2)에 연결되어 있다.
리페어 변조회로(RMv+2)는 리페어선(RPLk+2), 발광 주사선(EMk+2), 및 제2 초기화 주사선(GBk+1)에 연결되어 있다.
리페어선(RPLk+3)에 연결된 더미 화소(DPx2)는 발광 주사선(EMk+3), 더미 신호선(DL), 주사선(GWk+3) 및 초기화 주사선(GIk+3)에 연결되어 있다.
이하, 도 5를 참조하여 불량 화소(BPX)를 더미 화소(DPx2)와 연결하고, 더미 화소 (DPx1), 리페어 변조회로(RMv) 및 더미 화소(DPx2)를 이용하여 불량 화소(BPX)를 리페어하는 방법에 대하여 설명한다.
도 5를 참조하면, 더미 화소 (DPx1)¸더미 화소(DPx2)는 더미 화소 구동 회로를 포함한다.
더미 화소(DPx1)의 더미 화소 구동 회로는 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)를 포함한다.
더미 화소(DPx2)의 더미 화소 구동 회로는 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)를 포함한다.
리페어 변조회로(RMv)는 스위칭 트랜지스터(T8, T9) 및 커패시터(Cp1)를 포함한다.
더미 화소(DPx1)의 더미 화소 구동 회로의 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)와 더미 화소(DPx2)의 더미 화소 구동 회로는 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)는 도 2에 도시한 화소(DPx)의 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)의 대응하는 구성은 동일하게 연결되어 있다.
더미 화소(DPx1)의 스위칭 트랜지스터(T2)의 제어 단자는 주사선(GWk)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T3)의 제어 단자는 주사선(GWk)에 연결되어 있다.
더미 화소(DPx1)의 스위칭 트랜지스터(T4)의 제어 단자는 제1 초기화 주사선(GIk)에 연결되어 있고 스위칭 트랜지스터(T6)의 제2 입출력 단자는 노드(Ak)에 연결되어 있다.
더미 화소(DPx2)의 스위칭 트랜지스터(T2)의 제어 단자는 주사선(GWk+1)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T3)의 제어 단자는 주사선(GWk+1)에 연결되어 있다.
더미 화소(DPx2)의 스위칭 트랜지스터(T4)의 제어 단자는 제1 초기화 주사선(GIk+1)에 연결되어 있고, 스위칭 트랜지스터(T6)의 제2 입출력 단자는 노드(Ak+1)에 연결되어 있다.
스위칭 트랜지스터(T8)는 제어 단자가 발광 신호선(EMk)에 연결되어 있으며, 제1 입출력 단자가 리페어선(RPLk)과 제6 스위칭 트랜지스터(T6)의 제2 입출력 단자의 연결 노드(AK)에 연결되어 있고, 제2 입출력 단자가 커패시터(Cp1)와 스위칭 트랜지스터(T9)의 연결 노드(P1)에 연결되어 있다.
스위칭 트랜지스터(T9)는 제어 단자가 제2 초기화 주사선(GBk)에 연결되어 있으며, 제1 입출력 단자가 연결 노드(P1)에 연결되어 있고, 제2 입출력 단자가 초기화 전압(VINT)을 공급하는 초기화 전압선에 연결되어 있다.
커패시터(Cp1)는 한 단자가 노드(P1)에 연결되어 있으며, 다른 단자가 초기화 전압(VINT)을 공급하는 초기화 전압선에 연결되어 있다.
리페어선(RPLk)은 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 애노드에 연결되어 있고, 보조 리페어선(SRPLs)를 통해 노드(Ak)와 노드(Ak+1)가 연결된다.
도 5를 참조하면, 예를 들면 k번째 주사선(GWk)과 p번째 데이터선(Dp)에 연결된 화소(BPX)에 불량이 발생한 경우에, 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 애노드와 스위칭 트랜지스터(T6) 사이의 배선을 단선하고, 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 애노드와 노드(Ak)를 리페어선(RPLk)으로 연결한다. 그리고 더미 신호선(DL)으로 데이터선(Dp)에서 공급되는 데이터 신호를 전달한다. 그러면 더미 화소(DPx2)의 구동 트랜지스터(T1)에서 전달되는 전류에 의해 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)가 정상적으로 발광할 수 있다.
또한, 더미화소(DPx2)의 스위칭 트랜지스터(t2)의 제1 입출력 단자에는 더미 신호선(DL)으로 흑색 계조에 해당하는 데이터 신호가 인가되어, 트랜지스터(T1)에서 전달되는 전류는 0이 된다.
이때, 리페어 배선(RPLk)과 k번째 라인(불량 화소(BPX)와 동일한 라인)의 정상화소들(PX, 도 4 참조)의 애노드 배선(ALk) 에 의해 기생 커패시터(Ca1)가 형성될 수 있다. 리페어 배선(RPLk)과 불량 화소(BPX)의 트랜지스터(T4)의 제어단에 연결된 제1초기화 주사선(GIk)에 의해서 기생 커패시터(Ci1)가 형성될 수 있다. 리페어 배선(RPLk)과 리페어 변조회로(RMv)의 트랜지스터(T9)의 제어단에 연결된 제2 초기화 주사선(GBk)에 의해 기생 커패시터(Cb1)가 형성될 수 있다.
또한, 리페어 배선(RPLk+1)과 k+1번째 라인의 정상화소들(PX, 도 4 참조)의 애노드 배선(ALk+1)에 의해 기생 커패시터(Ca2)가 형성될 수 있다. 리페어 배선(RPLk+1)과 k+1번째 라인의 정상화소들(PX, 도 4 참조)의 트랜지스터(T7)의 제어단에 연결된 제1초기화 주사선(GIk)에 의해서 기생 커패시터(Ci2)가 형성될 수 있다. 리페어 배선(RPLk)과 k+1번째 라인의 정상 화소들(PX, 도 4 참조)의 스위칭 트랜지스터(T7)의 제어단에 연결된 제2 초기화 주사선(GBk+1)에 의해 기생 커패시터(Cb2)가 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 시점(t1)에서 발광 신호(Emit[k])가 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 전환되면, 불량 화소(BPX)의 스위칭 트랜지스터(T5, T6)가 턴 오프된다. 그러면 불량 화소(BPX) 유기 발광 소자(LD)의 기생 커패시터(Coled)에 충전된 전압이 감소하여 애노드 전압(Vak)이 감소한다. 이때, 애노드 전압(Vak)은 k번째 행에 위치하는 복수의 화소들(PX, 도 4 참조)의 대표적인 애노드 전압이다.
또한, 더미 화소(DPx2)의 스위칭 트랜지스터(T5, T6)와 리페어 변조회로(RMv)의 스위칭 트랜지스터(T8)가 턴 오프되고, 이에 따라 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 기생 커패시터(Coled)에 충전된 전압이 감소하여 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)이 감소한다.
시점(t2)에서, 제1 초기화 신호(GI[k])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환되어 감소한 애노드 전압(Vak)이 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다. 이후, 발광 신호(Emit[k])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 으로 전환되는 시점(t11)까지 애노드 전압(Vak)은 초기화 전압(VINT)을 유지한다.
또한, 더미 화소(DPx1)의 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자 전압이 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다. 따라서, 제1초기화 주사선(GIk)에 의해서 형성되는 기생 커패시터(Ci1)에 의해 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)도 같이 감소한다. 예를 들어, 전압(Vrpk)은 ΔV2 전압만큼 감소하여 대략 (ELVSS+Vth_LD)에 해당하는 전압까지 감소한다.
시점(t3)에서, 발광 신호(Emit[k+1])가 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 전환되면, 더미 화소(DPx2)의 스위칭 트랜지스터(T5, T6) 및 k+1번째 행의 모든 화소의 스위칭 트랜지스터(T5, T6)가 턴 오프되고, k+1번째 행의 모든 화소의 유기 발광 소자의 기생 커패시터(Coled)에 충전된 전압이 감소한다. 이에 따라 애노드 전압(Vak+1), 및 리페어선(RPLk+1)의 전압(Vrpk+1)도 감소한다.
시점(t4)에서, 제1 초기화 신호(GI[k+1])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환되어 더미화소(DPx2)의 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자 전압이 초기화 전압(VINT)로 초기화된다. 따라서, 제1초기화 주사선(GIk+1)에 의해서 형성되는 기생 커패시터(Ci2)에 의해 리페어선(RPLk+1)의 전압(Vrpk+1)도 ΔV2 전압만큼 감소한다.
또한, 애노드 전압(Vak+1)이 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다. 이후, 발광 신호(Emit[k+1])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환되는 시점(t12)까지 애노드 전압(Vak+1)은 초기화 전압(VINT)을 유지한다.
또한, 더미 신호선(DL)으로 데이터선(Dp)에서 공급되는 데이터 신호를 전달한다.
시점(t5)에서, 더미 화소(DPx2)에는 더미 신호선(DL)으로 흑색 계조의 데이터 신호를 전달한다.
시점(t2, t5, t6)에서 초기화 주사 신호(Gi[k])의 전압이 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 반복 전환되고, 시점(t4, t6, t8)에서 주사 신호(GW[k])의 전압이 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 반복 전환된다.
시점(t4, t5, t8)에서 초기화 주사 신호(Gi[k+1])의 전압이 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 반복 전환되고, 시점(t5, t6, t7)에서 주사 신호(Gi[k+1])의 전압이 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 반복 전환된다.
이는 블랙 영상 또는 화이트 영상으로 표시될 때 장시간 구동되는 경우, 구동 트랜지스터(T1)에 인가되는 전압 레벨이 지속되어 그에 따른 히스테리시스 현상을 방지하기 위함이다.
시점(t9)에서, k 번째 행의 정상 화소(PX, 도 4 참조)에 인가되는 제2 초기화 신호(GB[k])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환된다. 초기화 신호(GB[k])가 저전압(Vgl)으로 감소하면 리페어 변조회로(RMv)의 스위칭 트랜지스터(t9)가 턴 온 되고 커패시터(Cp1)가 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다. 이때, 제2 초기화 주사선(GBk)에 의해 형성된 기생 커패시터(Cb1)에 의해 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)이 ΔV1 전압만큼 감소할 수 있다. 또한, 노드(P1)의 전압(Vp1)이 초기화 전압(VINT)으로 감소한다.
시점(t10)에서, 제2 초기화 신호(GB[k])가 고전압(Vgh)으로 증가해서, 기생 커패시터(Cb1)에 의해 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)이 ΔV1 전압만큼 증가할 수 있다.
시점(t11)에서, k+1 번째 행의 정상 화소(PX, 도 4 참조)에 인가되는 제2 초기화 신호(GB[k+1])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환된다. 이때, 제2 초기화 주사선(GBk+1)에 의해 형성된 기생 커패시터(Cb2)에 의해 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)이 ΔV1 전압만큼 감소할 수 있다.
또한, 발광 신호(Emit[k])가 저전압으로 전환된다. 그러면 더미 신호선(DL)으로 데이터선(Dp)에서 공급되는 데이터 신호에 대응하는 구동 전류가 더미 화소(DPx2)의 구동 트랜지스터(T1)로부터 리페어선(RPLk)에 출력된다. 더미 화소(DPx2)의 구동 트랜지스터(T1)로부터 출력되는 전류의 일부는 초기화 전압(VINT)으로 초기화된 커패시터(Cp1)의 전압을 보상하는데 사용된다. 기생 커패시터(Ci1, Cb1, Coled)와 커패시터(Cp1)의 전하 공유에 의해 기생 커패시터(Ci1, Cb1, Coled)에 충전된 전하가 커패시터(Cp1)로 이동되어 리페어선(RPLk)의 전압(Vprk)이 ΔVc만큼 감소한다.
또한, 불량 화소(BPX)에서도 구동 트랜지스터(T1)를 통해 전류가 공급되어 유기 발광 소자(LD)의 기생 커패시터(Coled)가 충전되어서 유기 발광 소자(LD)의 애노드 전압(Vak)이 증가한다. 이에 따라 기생 커패시터(Ca1)에 의해 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)이 ΔV2 전압만큼 증가할 수 있다. 이때, 턴 온된 스위칭 트랜지스터(T8)에 의해 노드(P1)의 전압(Vp1)도 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)을 따라 증가한다.
시점(t12)에서, 제2 초기화 신호(GB[k+1])가 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 전환된다. 이에 따라 기생 커패시터(Cb2)에 의해 리페어선(RPLk+1)의 전압(Vrpk+1)이 ΔV1 전압만큼 증가할 수 있다.
또한, 더미 화소(DPx1)에서 구동 트랜지스터(T1)를 통해 전류가 공급되어 유기 발광 소자(LD)의 기생 커패시터(Coled)가 충전되어서 유기 발광 소자(LD)의 애노드 전압(Vak+1)이 증가한다. 이에 따라 기생 커패시터(Ca2)에 의해 리페어선(RPLk+1)의 전압(Vrpk+1)이 ΔV2 전압만큼 증가할 수 있다. 이때, 턴 온된 스위칭 트랜지스터(T8)에 의해 노드(P1)의 전압(Vp1)도 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)을 따라 증가한다. 제2 초기화 신호(GB[k+1])가 저전압(Vgl)으로 감소함에 따라 제2 초기화 주사선(GBk+1)에 의해 형성된 기생 커패시터(Cb2)에 의해 리페어선(RPLk+1)의 전압(Vrpk+1)이 ΔV1 전압만큼 감소할 수 있다.
또한, 발광 신호(Emit[k+1])가 저전압으로 전환된다. 이에 따라 더미화소(DPx_c) 구동 트랜지스터(T1)를 통해 전류가 공급되어 애노드 전압(Vak+1)이 증가한다. 이에 따라 기생 커패시터(Ca2)에 의해 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)이 ΔV2 전압만큼 증가할 수 있다. 이때, 노드(P2)의 전압(Vp1)도 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)을 따라 증가한다.
한편, 전하 공유가 완료된 시점(ts1) 이후부터 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 기생 커패시터(Coled) 및 리페어선(RPLk)의 기생 커패시터(Ca1)는 더미 화소(DPx2)의 구동 트랜지스터(T1)에서 출력되는 일부 전류에 의해 충전되어, 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)이 저계조에 해당하는 전압만큼 증가한다.
이와 같이 도 4 내지 도 8을 참조하여 설명한 실시 예에 따르면, 구동 트랜지스터(T1)에서 출력되는 전류의 일부가 커패시터(Cp1)와 기생 커패시터(Ci1, Cb1, Coled)의 전하 공유에 의해서 감소하는 전압을 보상하는데 사용되므로, 기생 커패시터(Ci1, Cb1, Coled)에 의한 부스트에 의한 효과를 상쇄할 수 있다.
또한, 노드(P1)의 전위를 리페어선(RPLk)의 전위(Vrpk)와 동일하게 할 수 있다.
이하, 도 7을 이용하여 실시 예의 다른 양태의 불량 화소 리페어 방법에 대하여 설명한다.
도 7은 실시 예의 다른 양태의 불량 화소 리페어 회로도이다.
도 5 및 도 6의 실시 예에 따른 불량 화소의 리페어 방법과 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 번호를 붙였으며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
도 7을 참조하면, 예를 들면 주사선(GWk+1)과 데이터선(Dp+1)에 연결된 화소(BPX)에 불량이 발생한 경우에, 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 애노드와 스위칭 트랜지스터(T6) 사이의 배선을 단선하고, 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 애노드와 노드(Ak)를 리페어선(RPLk+1)으로 연결한다. 그리고 더미 신호선(DL)으로 데이터선(Dp+1)에서 공급되는 데이터 신호를 전달한다. 그러면 더미 화소(DPx1)의 구동 트랜지스터(T1)에서 전달되는 전류에 의해 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)가 정상적으로 발광할 수 있다.
또한, 더미화소(DPx2)의 스위칭 트랜지스터(T2)의 제1 입출력 단자에는 더미 신호선(DL)으로 흑색 계조에 해당하는 데이터 신호가 인가되어, 더미화소(DPx2)의 트랜지스터(T1)에서 전달되는 전류는 0이 된다.
불량 화소(BPX)를 더미 화소(DPx1)와 연결하고, 더미 화소 (DPx1), 리페어 변조회로(RMv) 및 더미 화소(DPx2)를 이용하여 불량 화소(BPX)를 리페어하는 방법은 상술한 도 5 및 도 6을 이용하여 설명한 실시 예와 동일하므로 생략한다.
이하, 도 8을 이용하여 실시 예의 또 다른 양태의 불량 화소 리페어 방법에 대하여 설명한다.
도 8은 실시 예의 또 다른 양태의 불량 화소 리페어 회로도이다.
도 5 및 도 6의 실시 예에 따른 불량 화소의 리페어 방법과 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 번호를 붙였으며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
도 8을 참조하면, 예를 들면 주사선(GWk)과 데이터선(Dp)에 연결된 화소(BPX)에 불량이 발생한 경우에, 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 애노드와 스위칭 트랜지스터(T6) 사이의 배선을 단선하고, 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 애노드와 노드(Ak)를 리페어선(RPLk)으로 연결한다. 그리고 더미 신호선(DL)으로 데이터선(Dp)에서 공급되는 데이터 신호를 전달한다. 그러면 더미 화소(DPx1)의 구동 트랜지스터(T1)에서 전달되는 전류에 의해 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)가 정상적으로 발광할 수 있다.
또한, 더미화소(DPx1)의 스위칭 트랜지스터(t2)의 제1 입출력 단자에는 더미 신호선(DL)으로 흑색 계조에 해당하는 데이터 신호가 인가되어, 더미화소(DPx1)의 트랜지스터(T1)에서 전달되는 전류는 0이 된다.
불량 화소(BPX)를 더미 화소(DPx1)와 연결하고, 더미 화소 (DPx1), 리페어 변조회로(RMv) 및 더미 화소(DPx2)를 이용하여 불량 화소(BPX)를 리페어하는 방법은 상술한 도 5 및 도 6을 이용하여 설명한 실시 예와 동일하므로 생략한다.
이하, 다른 실시 예에 따른 불량 화소 리페어방법에 대해서 설명한다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 불량 화소 리페어를 나타낸 블록도이다.
도 10은 도 9의 불량 화소 리페어 회로도이다.
도 11은 도 10의 불량 화소 리페어 신호 타이밍이다.
도 9를 참조하면, 더미 화소(DPxa), 더미 화소(DPxb) 및 더미 화소(DPxc) 각각은 복수의 리페어선(RPLr, RPLr+1, RPLr+2, RLr+3, RLr+4, RLr+5) 중 대응하는 복수의 리페어선에 연결되어 있다. 복수의 리페어 변조회로(RMu, RMu+1) 각각은 복수의 더미 화소(DPxb)와 각각 연결되어 있다.
복수의 더미 화소(DPxa), 복수의 더미 화소(DPxb), 및 더미 화소(DPxc) 각각은 복수의 보조 리페어선(SRPLg, SRPLg+1)과 각각 연결되어 있다. 또한, 리페어선(RPLr)에 연결된 더미 화소(DPxa)와 리페어선(RPLr+1)에 연결된 더미 화소(DPxb), 및 리페어선(RPLr+2)에 연결된 더미 화소(DPxc)는 리페어 변조회로(RMu)를 공유하며, 리페어선(RPLr+3)에 연결된 더미 화소(DPxa)와 리페어선(RPLk+4)에 연결된 더미 화소(DPxb), 및 리페어선(RPLk+5)에 연결된 더미 화소(DPxc)는 리페어 변조회로(RMv+4)를 공유한다.
복수의 화소(PX) 및 불량 화소(BPX)는 복수의 제2 초기화 배선(GBr, GBr+1, GBr+2, GBr+3, GBr+4, GBr+5) 중 대응하는 제2 초기화 배선과 각각 연결되어 있다.
다른 실시 예에 따른 복수의 더미 화소(DPxa), 복수의 더미 화소(DPxb), 및 더미 화소(DPxc) 각각은 적색, 청색, 또는 녹색 유기 발광 소자(LD)를 구동하는 화소 회로일 수 있다.
리페어선(RPLr)에 연결된 더미 화소(DPxc)는 발광 주사선(EMr), 더미 신호선(DL), 주사선(GWr) 및 제1 초기화 주사선(GIr)에 연결되어 있다.
리페어 변조회로(RMu)는 리페어선(RPLr), 발광 주사선(EMr), 및 제2 초기화 주사선(GBr)에 연결되어 있다.
리페어선(RPLr+1)에 연결된 더미 화소(DPxb)는 발광 주사선(EMr+1), 더미 신호선(DL), 주사선(GWr+1) 및 초기화 주사선(GIr+1)에 연결되어 있다.
리페어선(RPLk+2)에 연결된 더미 화소(DPxa)는 리페어선(RPLk+2), 발광 주사선(EMk+2), 더미 신호선(DL), 주사선(GWk+2) 및 초기화 주사선(GIk+2)에 연결되어 있다.
리페어선(RPLr+3)에 연결된 더미 화소(DPxc)는 발광 주사선(EMr+3), 더미 신호선(DL), 주사선(GWr+3) 및 제1 초기화 주사선(GIr+3)에 연결되어 있다.
리페어 변조회로(RMu+1)는 리페어선(RPLr+4), 발광 주사선(EMr+4), 및 제2 초기화 주사선(GBr+1)에 연결되어 있다.
리페어선(RPLr+4)에 연결된 더미 화소(DPxb)는 발광 주사선(EMr+4), 더미 신호선(DL), 주사선(GWr+4) 및 초기화 주사선(GIr+4)에 연결되어 있다.
리페어선(RPLr+5)에 연결된 더미 화소(DPxa)는 리페어선(RPLr+5), 발광 주사선(EMr+5), 더미 신호선(DL), 주사선(GWr+5) 및 초기화 주사선(GIr+5)에 연결되어 있다.
이하, 도 10을 참조하여 불량 화소(BPX)를 더미 화소(DPxb)와 연결하고, 더미 화소 (DPxa), 리페어 변조회로(RMu), 더미 화소(DPxb), 및 더미 화소(DPxc)를 이용하여 불량 화소(BPX)를 리페어하는 방법에 대하여 설명한다.
도 10을 참조하면, 더미 화소 (DPxa)¸더미 화소(DPxb), 더미 화소(DPxc)는 더미 화소 구동 회로를 포함한다.
더미 화소(DPxa)의 더미 화소 구동 회로는 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)를 포함한다.
더미 화소(DPxb)의 더미 화소 구동 회로는 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)를 포함한다.
더미 화소(DPxc)의 더미 화소 구동 회로는 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)를 포함한다.
리페어 변조회로(RMu)는 스위칭 트랜지스터(T8, T9) 및 커패시터(Cp2)를 포함한다.
더미 화소(DPxa), 더미 화소(DPxb), 및 더미 화소(DPxc)의 더미 화소 구동 회로의 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)와 더미 화소(DPx2)의 더미 화소 구동 회로는 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)는 도 5에 도시한 더미화소(DPx1)의 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 스위칭 트랜지스터(T2, T3, T4, T5, T6)와 대응하는 구성은 동일하게 연결되어 있다.
또한, 리페어 변조회로(RMu)의 스위칭 트랜지스터(T8, T9) 및 커패시터(Cp2)는 도 5의 리페어 변조회로(RMv)의 스위칭 트랜지스터(T8, T9) 및 커패시터(Cp1)와 동일하게 연결되어 있다.
더미 화소(DPxa)의 스위칭 트랜지스터(T4)의 제어 단자는 제1 초기화 주사선(GIr)에 연결되어 있고, 스위칭 트랜지스터(T6)의 제2 입출력 단자는 노드(Ar)에 연결되어 있다.
더미 화소(DPxb)의 스위칭 트랜지스터(T4)의 제어 단자는 제1 초기화 주사선(GIr+1)에 연결되어 있고, 스위칭 트랜지스터(T6)의 제2 입출력 단자는 노드(Ar+1)에 연결되어 있다.
더미 화소(DPxc)의 스위칭 트랜지스터(T4)의 제어 단자는 제1 초기화 주사선(GIr+2)에 연결되어 있고, 스위칭 트랜지스터(T6)의 제2 입출력 단자는 노드(Ar+2)에 연결되어 있다.
리페어선(RPLr)은 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 애노드에 연결되어 있고, 보조 리페어선(SRPLg)를 통해 노드(Ar), 노드(Ar+1), 및 노드(Ar+2)가 연결된다.
도 10을 참조하면, 예를 들면 r번째 주사선(GWr)과 p번째 데이터선(Dp)에 연결된 화소(BPX)에 불량이 발생한 경우에, 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 애노드와 스위칭 트랜지스터(T6) 사이의 배선을 단선하고, 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 애노드와 노드(Ar)를 리페어선(RPLr)으로 연결한다. 그리고 더미 신호선(DL)으로 데이터선(Dp)에서 공급되는 데이터 신호를 전달한다. 그러면 더미 화소(DPx2)의 구동 트랜지스터(T1)에서 전달되는 전류에 의해 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)가 정상적으로 발광할 수 있다.
또한, 더미화소(DPxb)의 스위칭 트랜지스터(T2), 및 더미화소(DPxc)의 스위칭 트랜지스터(T2)의 제1 입출력 단자에는 더미 신호선(DL)으로 흑색 계조에 해당하는 데이터 신호가 인가되어, 더미화소(DPxb)의 구동 트랜지스터(T1) 및 더미화소(DPxc)의 구동 트랜지스터(T1)에서 전달되는 전류는 0이 된다.
이때, 리페어 배선(RPLr)과 r번째 라인(불량 화소(BPX)와 동일한 라인)의 정상 화소들(PX, 도 9 참조)의 애노드 배선(ALr)에 의해 기생 커패시터(Ca_a)가 형성될 수 있다. 리페어 배선(RPLr)과 불량 화소(BPX)의 트랜지스터(T4)의 제어단에 연결된 제1초기화 주사선(GIr)에 의해서 기생 커패시터(Ci_a)가 형성될 수 있다. 리페어 배선(RPLr)과 리페어 변조회로(RMu)의 트랜지스터(T9)의 제어단에 연결된 제2 초기화 주사선(GBr)에 의해 기생 커패시터(Cb_a)가 형성될 수 있다.
또한, 리페어 배선(RPLr+1)과 r+1번째 라인의 정상 화소들(PX, 도 9 참조)의 애노드 배선(ALr+1)에 의해 기생 커패시터(Ca_b)가 형성될 수 있다. 리페어 배선(RPLr+1)과 r+1번째 라인의 정상 화소들(PX, 도 9 참조)의 트랜지스터(T4)의 제어단에 연결된 제1초기화 주사선(GIr+1)에 의해서 기생 커패시터(Ci_b)가 형성될 수 있다. 리페어 배선(RPLr+1)과 r+1번째 라인의 정상 화소들(PX, 도 4 참조)의 스위칭 트랜지스터(T7)의 제어단에 연결된 제2 초기화 주사선(GBr+1)에 의해 기생 커패시터(Cb_b)가 형성될 수 있다.
또한, 리페어 배선(RPLr+2)과 r+2번째 라인의 정상 화소들(PX, 도 9 참조)의 애노드 배선(ALr+2)에 의해 기생 커패시터(Ca_c)가 형성될 수 있다. 리페어 배선(RPLk+2)과 r+2번째 라인의 정상 화소들(PX, 도 9 참조)의 트랜지스터(T4)의 제어단에 연결된 제1초기화 주사선(GIr+2)에 의해서 기생 커패시터(Ci_c)가 형성될 수 있다. 리페어 배선(RPLr+2)과 r+2번째 라인의 정상 화소들(PX, 도 4 참조)의 스위칭 트랜지스터(T7)의 제어단에 연결된 제2 초기화 주사선(GBr+2)에 의해 기생 커패시터(Cb_c)가 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 시점(t1)에서 발광 신호(Emit[r])가 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 전환되면, 불량 화소(BPX)의 스위칭 트랜지스터(T5, T6)가 턴 오프된다. 그러면 불량 화소(BPX) 유기 발광 소자(LD)의 기생 커패시터(Coled)에 충전된 전압이 감소하여 애노드 전압(Vak)이 감소한다. 이때, 애노드 전압(Var)은 r번째 행에 위치하는 복수의 화소들(PX, 도 4 참조)의 대표적인 애노드 전압이다.
또한, 더미 화소(DPxa)의 스위칭 트랜지스터(T5, T6)와 리페어 변조회로(RMu)의 스위칭 트랜지스터(T8)가 턴 오프되고, 이에 따라 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 기생 커패시터(Coled)에 충전된 전압이 감소하여 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)이 감소한다.
시점(t2)에서, 제1 초기화 신호(GI[r])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환되어 더미 화소(DPxa)의 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자 전압이 초기화 전압(VINT)로 초기화된다. 따라서, 제1초기화 주사선(GIr)에 의해서 형성되는 기생 커패시터(Ci_a)에 의해 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)도 같이 감소한다. 예를 들어, 전압(Vrpk)은 ΔV2 전압만큼 감소하여 대략 (ELVSS+Vth_LD)에 해당하는 전압까지 감소한다.
또한, 애노드 전압(Var)이 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다. 이후, 발광 신호(Emit[r])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환되는 시점(t12)까지 애노드 전압(Vak)은 초기화 전압(VINT)을 유지한다.
시점(t3)에서, 발광 신호(Emit[r+1])가 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 전환되면, 더미 화소(DPxb)의 스위칭 트랜지스터(T5, T6) 및 r+1번째 행의 모든 화소의 스위칭 트랜지스터(T5, T6)가 턴 오프되고. r+1번째 행의 모든 화소의 유기 발광 소자의 기생 커패시터(Coled)에 충전된 전압이 감소한다. 이에 따라 애노드 전압(Var+1) 및 리페어선(RPLr+1)의 전압(Vrpr+1)도 감소한다.
시점(t4)에서, 제1 초기화 신호(GI[r+1])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환되어 더미 화소(DPxb)의 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자 전압이 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다. 따라서, 제1초기화 주사선(GIr+1)에 의해서 형성되는 기생 커패시터(Ci_b)에 의해 리페어선(RPL)의 전압(Vrp)도 ΔV2 전압만큼 감소한다.
또한, 애노드 전압(Var+1)이 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다. 이후, 발광 신호(Emit[r+1])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환되는 시점(t14)까지 애노드 전압(Var+1)은 초기화 전압(VINT)을 유지한다.
또한, 더미 신호선(DL)으로 데이터선(Dp)에서 공급되는 데이터 신호를 전달한다.
시점(t5)에서, 발광 신호(Emit[r+2])가 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 전환되면, 더미 화소(DPxc)의 스위칭 트랜지스터(T5, T6) 및 r+2번째 행의 모든 화소의 스위칭 트랜지스터(T5, T6)가 턴 오프되고, r+2번째 행의 모든 화소의 유기 발광 소자의 기생 커패시터(Coled)에 충전된 전압이 감소한다. 이에 따라 애노드 전압(Var+2), 및 리페어선(RPLr+2)의 전압(Vrpr+2)도 감소한다.
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시점(t6)에서, 제1 초기화 신호(GI[r+2])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환되어 더미 화소(DPxc)의 구동 트랜지스터(T1)의 제어 단자 전압이 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다. 따라서, 제1초기화 주사선(GIr+2)에 의해서 형성되는 기생 커패시터(Ci_c)에 의해 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)도 ΔV2 전압만큼 감소한다.
또한, 애노드 전압(Var+2)이 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다. 이후, 발광 신호(Emit[r+2])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환되는 시점(t16)까지 애노드 전압(Var+1)은 초기화 전압(VINT)을 유지한다.
또한, 더미 화소(DPxb)에는 더미 신호선(DL)으로 흑색 계조의 데이터 신호를 전달한다.
시점(t7)에서, 더미 화소(DPxc)에는 더미 신호선(DL)으로 흑색 계조의 데이터 신호를 전달한다.
시점(t2, t6, t8)에서 초기화 주사 신호(Gi[r])의 전압이 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 반복 전환되고, 시점(t4, t7, t9)에서 주사 신호(GW[r])의 전압이 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 반복 전환된다.
시점(t4, t7, t9)에서 초기화 주사 신호(Gi[r+1])의 전압이 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 반복 전환되고, 시점(t6, t8, t10)에서 주사 신호(GW[r+1])의 전압이 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 반복 전환된다.
시점(t6, t8, t10)에서 초기화 주사 신호(Gi[r+1])의 전압이 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 반복 전환되고, 시점(t7, t9, t12)에서 주사 신호(GW[r+1])의 전압이 저전압(Vgl)에서 고전압(Vgh)으로 반복 전환된다.
이는 블랙 영상 또는 화이트 영상으로 표시될 때 장시간 구동되는 경우, 구동 트랜지스터(T1, T1)에 인가되는 전압 레벨이 지속되어 그에 따른 히스테리시스 현상을 방지하기 위함이다.
시점(t10)에서, r 번째 행의 정상 화소(PX, 도 9 참조)에 인가되는 제2 초기화 신호(GB[r])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환된다. 초기화 신호(GB[r])가 저전압(Vgl)으로 감소하면 리페어 변조회로(RMu)의 스위칭 트랜지스터(t9)가 턴 온 되고 커패시터(Cp2)가 초기화 전압(VINT)으로 초기화된다. 이때, 제2 초기화 주사선(GBr)에 의해 형성된 기생 커패시터(Cb_a)에 의해 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)이 ΔV1 전압만큼 감소할 수 있다. 또한, 노드(P2)의 전압(Vp2)이 초기화 전압(VINT)으로 감소한다.
시점(t11)에서, 제2 초기화 신호(GB[r])가 고전압(Vgh)으로 증가해서, 기생 커패시터(Cb_a)에 의해 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)이 ΔV1 전압만큼 증가할 수 있다.
시점(t12)에서, r+1 번째 행의 정상 화소(PX, 도 9 참조)에 인가되는 제2 초기화 신호(GB[r+1])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환된다. 이때, 제2 초기화 주사선(GBr+1)에 의해 형성된 기생 커패시터(Cb_b)에 의해 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)이 ΔV1 전압만큼 감소할 수 있다.
또한, 발광 신호(Emit[r])가 저전압으로 전환된다. 그러면 더미 신호선(DL)으로 데이터선(Dp)에서 공급되는 데이터 신호에 대응하는 구동 전류가 더미 화소(DPxa)의 구동 트랜지스터(T1)로부터 리페어선(RPLr)에 출력된다. 더미 화소(DPxa)의 구동 트랜지스터(T1)로부터 출력되는 전류의 일부는 초기화 전압(VINT)으로 초기화된 커패시터(Cp2)의 전압을 보상하는데 사용된다. 기생 커패시터(Ci_a, Cb_a, Coled)와 커패시터(Cp2)의 전하 공유에 의해 기생 커패시터(Ci_a, Cb_a, Coled)에 충전된 전하가 커패시터(Cp2)로 이동되어 리페어선(RPLk)의 전압(Vprk)이 ΔVc만큼 감소한다.
또한, 불량 화소(BPX)에서도 구동 트랜지스터(T1)를 통해 전류가 공급되어 유기 발광 소자(LD)의 기생 커패시터(Coled)가 충전되어서 유기 발광 소자(LD)의 애노드 전압(Vak)이 증가한다. 이에 따라 기생 커패시터(Ca_a)에 의해 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)이 ΔV2 전압만큼 증가할 수 있다. 이때, 턴 온된 스위칭 트랜지스터(T8)에 의해 노드(P2)의 전압(Vp2)도 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)을 따라 증가한다.
시점(t13)에서, 제2 초기화 신호(GB[r+1])가 고전압(Vgh)으로 증가해서, 기생 커패시터(Cb_b)에 의해 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)이 ΔV1 전압만큼 증가할 수 있다.
시점(t14)에서, R+2 번째 행의 정상 화소(PX, 도 9 참조)에 인가되는 제2 초기화 신호(GB[r+2])가 고전압(Vgh)에서 저전압(Vgl)으로 전환된다. 이때, 제2 초기화 주사선(GBr+2)에 의해 형성된 기생 커패시터(Cb_c)에 의해 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)이 ΔV1 전압만큼 감소할 수 있다.
또한, 발광 신호(Emit[r+1])가 저전압으로 전환된다. 이에 따라 더미화소(DPx_b) 구동 트랜지스터(T1)를 통해 전류가 공급되어 애노드 전압(Var+1)이 증가한다. 이에 따라 기생 커패시터(Ca_b)에 의해 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)이 ΔV2 전압만큼 증가할 수 있다. 이때, 노드(P2)의 전압(Vp2)도 리페어선(RPLk)의 전압(Vrpk)을 따라 증가한다.
시점(t15)에서, 제2 초기화 신호(GB[r+2])가 고전압(Vgh)으로 증가해서, 기생 커패시터(Cb_c)에 의해 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)이 ΔV1 전압만큼 증가할 수 있다.
시점(t16)에서, 발광 신호(Emit[r+2])가 저전압으로 전환된다. 이에 따라 더미화소(DPx_c) 구동 트랜지스터(T1)를 통해 전류가 공급되어 애노드 전압(Var+2)이 증가한다. 이에 따라 기생 커패시터(Ca_c)에 의해 리페어선(RPLr+2)의 전압(Vrpr+2)이 ΔV2 전압만큼 증가할 수 있다. 이때, 노드(P2)의 전압(Vp2)도 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)을 따라 증가한다.
한편, 전하 공유가 완료된 시점(t2s) 이후부터 불량 화소(BPX)의 유기 발광 소자(LD)의 기생 커패시터(Coled) 및 리페어선(RPLr)의 기생 커패시터(Ca_a, Ca_b, Ca_c)는 더미 화소(DPx2)의 구동 트랜지스터(T1)에서 출력되는 일부 전류에 의해 충전되어, 리페어선(RPLr)의 전압(Vrpr)이 저계조에 해당하는 전압만큼 증가한다.
이와 같이 도 9 내지 도 11을 참조하여 설명한 실시 예에 따르면, 구동 트랜지스터(T1)에서 출력되는 전류의 일부가 커패시터(Cp2)와 기생 커패시터(Ci1, Cb1, Coled)의 전하 공유에 의해서 감소하는 전압을 보상하는데 사용되므로, 기생 커패시터(Ci1, Cb1, Coled)에 의한 부스트에 의한 효과를 상쇄할 수 있다.
또한, 노드(P2)의 전위를 리페어선(RPLk)의 전위(Vrpk)와 동일하게 할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니 되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.

Claims (16)

  1. 불량 화소의 유기 발광 소자, 제1 더미화소 및 제2 더미화소에 연결되는 리페어선, 상기 제1 더미 화소 및 상기 제2 더미 화소에 연결된 리페어 변조회로를 포함하며,
    상기 제1 더미 화소는,
    제1 발광 제어 신호에 응답하여 상기 불량 화소의 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어선으로 출력하는 제1 더미 화소 구동 회로를 포함하고,
    상기 리페어 변조회로는,
    상기 제1 더미 화소 구동 회로에서 상기 구동 전류가 출력되기 전에 초기화되고, 상기 제1 더미 화소 구동 회로에서 상기 구동 전류가 출력될 때 상기 구동 전류에 의해 충전되고 상기 리페어선의 기생 커패시턴스 성분과 전하 공유가 일어나는 커패시터를 포함하는 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 더미화소, 상기 제2 더미 화소, 및 상기 리페어 변조회로는 보조 리페어선에 연결되고,
    상기 제1 더미화소, 상기 제2 더미 화소는 상기 보조 리페어선을 통해 상기 리페어 변조회로를 공유하는 표시장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 더미 화소는,
    제2 발광 제어 신호에 응답하여 제1 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어 선으로 인가하는 제2 더미 화소 구동회로를 포함하고,
    상기 제1 데이터 전압은 흑색 계조 데이터 전압인 표시장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 리페어 변조회로는,
    상기 커패시터와 상기 리페어선 사이에 연결되며 상기 제1 발광 제어 신호에 따라 턴 온 또는 턴 오프 되는 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 리페어 변조회로는,
    상기 커패시터와 초기화 전압을 공급하는 전압선 사이에 연결되어 있으며, 제1 초기화 신호에 따라 턴 온 또는 턴 오프되는 초기화 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 리페어 변조회로는,
    상기 리페어선으로 상기 구동 전류를 출력하기 전에 상기 제1 초기화 신호의 전압이 제1 레벨에서 제2 레벨로 변경되어 상기 초기화 트랜지스터가 턴 온 되는 표시장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 초기화 트랜지스터가 턴 온된 후에 상기 제1 더미 화소 구동 회로가 상기 리페어선으로 상기 구동 전류를 출력하는 표시장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 리페어선에 연결된 제3 더미 화소를 더 포함하고,
    상기 제3 더미 화소는,
    제3 발광 제어 신호에 응답하여 제2 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어 선으로 인가하는 제3 더미화소 구동회로를 포함하고,
    상기 제2 데이터 전압은 흑색 계조 데이터 전압인 표시장치.
  9. 불량 화소의 유기 발광 소자, 제1 더미 화소 및 제2 더미 화소에 연결되는 리페어선, 상기 제1 더미 화소 및 상기 제2 더미 화소에 연결된 리페어 변조회로를 포함하며, 상기 제1 더미 화소는, 제1 더미 화소 구동 회로를 포함하고, 상기 리페어 변조회로는 커패시터를 포함하는 표시장치의 리페어 방법에 있어서,
    리페어선을 불량 화소의 유기 발광 소자에 연결하는 단계;
    상기 커패시터를 초기화하는 단계;
    제1 발광 제어 신호에 응답하여 상기 제1 더미 화소에서 상기 불량 화소의 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어선으로 출력하는 단계;
    상기 제1 더미 화소 구동 회로에서 상기 구동 전류가 출력될 때 상기 구동 전류에 의해 상기 커패시터를 충전하는 단계; 및
    상기 충전된 커패시터와 상기 리페어선의 기생 커패시턴스 성분과 전하 공유가 일어나는 단계
    를 포함하는 표시장치의 리페어 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 더미화소, 상기 제2 더미 화소, 및 상기 리페어 변조회로를 보조 리페어선에 연결하는 단계; 및
    상기 제1 더미화소, 상기 제2 더미 화소가 상기 리페어 변조회로를 공유하는 단계를 더 포함하는 표시장치의 리페어 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 더미 화소는, 제2 더미 화소 구동회로를 포함하고,
    제2 발광 제어 신호에 응답하여 제1 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어 선으로 인가하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 데이터 전압은 흑색 계조 데이터 전압인 표시장치의 리페어 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 리페어 변조회로는,
    상기 커패시터와 상기 리페어선 사이에 연결되며 상기 제1 발광 제어 신호에 따라 턴 온 또는 턴 오프 되는 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치의 리페어 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 리페어 변조회로는,
    상기 커패시터와 초기화 전압을 공급하는 전압선 사이에 연결되어 있으며, 제1 초기화 신호에 따라 턴 온 또는 턴 오프되는 초기화 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치의 리페어 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 커패시터를 초기화하는 단계는,
    상기 제1 초기화 신호의 전압이 제1 레벨에서 제2 레벨로 변경되어 상기 초기화 트랜지스터가 턴 온 되는 단계를 포함한 표시장치의 리페어 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 구동 전류를 상기 리페어선으로 출력하는 단계는,
    상기 초기화 트랜지스터가 턴 온 된 후에 상기 제1 더미 화소 구동 회로가 상기 리페어선으로 상기 구동 전류를 출력하는 단계를 포함한 표시장치의 리페어 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 리페어선에 연결된 제3 더미 화소, 및 상기 제3 더미 화소는, 제3 더미화소 구동회로를 포함하며,
    표시장치의 리페어 방법은,
    제3 발광 제어 신호에 응답하여 제2 데이터 전압에 대응하는 구동 전류를 상기 리페어 선으로 인가하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 데이터 전압은 흑색 계조 데이터 전압인 표시장치의 리페어 방법.
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