JP2012142603A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012142603A5 JP2012142603A5 JP2012078251A JP2012078251A JP2012142603A5 JP 2012142603 A5 JP2012142603 A5 JP 2012142603A5 JP 2012078251 A JP2012078251 A JP 2012078251A JP 2012078251 A JP2012078251 A JP 2012078251A JP 2012142603 A5 JP2012142603 A5 JP 2012142603A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stages
- optical system
- projection optical
- stage
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (100)
- 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ前記投影光学系の下方に位置付けられる第１、第２ステージと、
前記第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動し、前記第１領域から前記第２領域への移動経路を前記第１ステージと前記第２ステージとで異ならせる駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域を維持する前記第１、第２ステージの一方が他方に置き換えられるように前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージを移動する。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ前記投影光学系の下方に位置付けられる第１、第２ステージと、
前記第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動し、前記第１領域から前記第２領域への移動経路を前記第１ステージと前記第２ステージとで異ならせる駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域に対して、一方が前記投影光学系と対向して配置される前記第１、第２ステージを移動し、この移動により前記一方のステージの代わりに前記投影光学系と対向して配置される前記第１、第２ステージの他方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持される。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ前記投影光学系の下方に位置付けられる第１、第２ステージと、
前記第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動し、前記第１領域から前記第２領域への移動経路を前記第１ステージと前記第２ステージとで異ならせる駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記投影光学系と前記第１、第２ステージの一方との間に維持される第１状態から、前記液浸領域が前記投影光学系と前記第１、第２ステージの他方との間に維持される第２状態に遷移するように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージを移動する。 - 請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１ステージと前記第２ステージとは前記第２領域から前記第１領域への移動経路が互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ前記投影光学系の下方に位置付けられる第１、第２ステージと、
前記第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動するとともに、前記第１領域から前記第２領域への移動と、前記第２領域から前記第１領域への移動とで逆の経路を辿るように移動する駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域を維持する前記第１、第２ステージの一方が他方に置き換えられるように前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージを移動する。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ前記投影光学系の下方に位置付けられる第１、第２ステージと、
前記第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動するとともに、前記第１領域から前記第２領域への移動と、前記第２領域から前記第１領域への移動とで逆の経路を辿るように移動する駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域に対して、一方が前記投影光学系と対向して配置される前記第１、第２ステージを移動し、この移動により前記一方のステージの代わりに前記投影光学系と対向して配置される前記第１、第２ステージの他方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持される。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ前記投影光学系の下方に位置付けられる第１、第２ステージと、
前記第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動するとともに、前記第１領域から前記第２領域への移動と、前記第２領域から前記第１領域への移動とで逆の経路を辿るように移動する駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記投影光学系と前記第１、第２ステージの一方との間に維持される第１状態から、前記液浸領域が前記投影光学系と前記第１、第２ステージの他方との間に維持される第２状態に遷移するように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージを移動する。 - 請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージが移動される所定方向に関する位置関係が前記第１ステージの前記第２ステージへの置換と前記第２ステージの前記第１ステージへの置換とで同一となるように配置される。 - 請求項８に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、その端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動され、前記対向する第１、第２ステージの端部が、前記第１ステージの前記第２ステージへの置換と、前記第２ステージの前記第１ステージへの置換とで同一である。 - 請求項８又は９に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、前記第１ステージの前記第２ステージへの置換と、前記第２ステージの前記第１ステージへの置換とで、前記液浸領域に対して、前記所定方向に関して逆向きに移動される。 - 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動による、前記第１、第２ステージの一方の他方への置換において、前記液浸領域は、前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動によって、前記液浸領域は、前記第１、第２ステージの少なくとも一方によって前記投影光学系の下に維持されつつ前記第１、第２ステージの一方から他方に移動する。 - 請求項１２に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動の途中で、前記液浸領域は、前記１、第２ステージの両方によって前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、その少なくとも一方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように、互いに近接または接触した状態が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項１〜１４のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記駆動システムは、前記投影光学系の下に前記液浸領域が実質的に維持されるように近接した状態、または前記第１、第２ステージの間隙からの液体の漏出が防止又は抑制されるように近接した状態、または接触した状態で、前記第１、第２ステージを前記液浸領域に対して移動する。 - 請求項１４又は１５に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、所定方向に関して前記近接または接触した状態で、その境界またはその間隙が前記液浸領域の下を通るように移動されるとともに、前記所定方向に関する位置関係が前記第１ステージの前記第２ステージへの置換と前記第２ステージの前記第１ステージへの置換とで異なるように配置される。 - 請求項１６に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、前記所定方向に関して並置され、前記液浸領域が前記対向した端部を横切るように前記所定方向に移動される。 - 請求項１〜１７のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して前記他方のステージが接近するように相対移動され、前記接近した第１、第２ステージが前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項１８に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージが移動される所定方向に関して互いに接近し、前記第１ステージの前記第２ステージへの置換と前記第２ステージの前記第１ステージへの置換とで前記所定方向に関して前記第１、第２ステージの配置が同一となるように相対移動される。 - 請求項１９に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、前記所定方向と交差する方向に関しても接近するように相対移動される。 - 請求項１〜２０のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージが移動される所定方向と交差する方向に関してその位置関係が調整されるように相対移動される。 - 請求項１〜２１のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージはその位置関係が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項２２に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージが移動される所定方向に関して実質的にその位置関係が維持される。 - 請求項１〜２３のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージの少なくとも一方は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して、前記基板の露光に用いられるエネルギビームを検出する計測部材を有する。 - 請求項１〜２４のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ、上面の一部に配置される前記基板の載置領域を有し、前記上面と、前記載置領域に載置される基板との少なくとも一方によって、前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持可能である。 - 請求項２５に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ、前記基板の表面が前記上面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項２５又は２６に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ、前記上面の一部に配置される基準部材を有し、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して、前記基板の露光に用いられるエネルギビームが前記基準部材に照射されるように移動される。 - 請求項２７に記載の露光装置において、
前記基準部材はその表面が前記上面とほぼ面一となるように設けられる。 - 請求項２７又は２８に記載の露光装置において、
前記基準部材は、前記基板の露光に用いられるマスクのマーク検出で用いられる。 - 請求項１〜２９のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ、前記基板の載置領域と、内部に前記載置領域が配置される補助部材と、を有し、その上面が前記補助部材によって実質的に同一面となるように設定される。 - 請求項１〜３０のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１ステージに載置される基板の露光動作と、前記第２ステージに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動はその露光動作の間に行われる。 - 請求項１〜３１のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージを交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項１〜３２のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動の前後の少なくとも一方において、前記第１ステージと前記第２ステージとで互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項１〜３３のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ基板を載置し、前記基板の計測、露光、及び交換が行われるように移動され、
前記基板の露光前後でそれぞれ、前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動が行われる。 - 請求項３４に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動に先立ち、前記第１、第２ステージの一方に載置される基板の露光と並行して、前記第１、第２ステージの他方に載置される基板の計測又は交換が行われる。 - 請求項３５に記載の露光装置において、
前記計測が行われた基板を載置する前記他方のステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して接近するように相対移動され、前記液浸領域に対する前記接近した第１、第２ステージの移動に続いて、前記他方のステージに載置される基板の露光動作が開始される。 - 請求項３６に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記接近した第１、第２ステージの移動によって前記投影光学系の下から離脱した前記一方のステージは、前記露光された基板の交換が行われる。 - 請求項１〜３７のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板のマークを検出するマーク検出系を、さらに備え、
前記第１、第２ステージはそれぞれ基板を載置し、前記基板の露光に先立ち、前記マーク検出系によるマーク検出を含む前記基板の計測が行われるように移動される。 - 請求項３８に記載の露光装置において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ基準部材を有し、前記マーク検出系によって前記基板のマークと前記基準部材とが検出される。 - 請求項１〜３９のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われるとともに、前記液体を介すことなくマーク検出が行われる。 - 請求項１〜４０のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して、前記走査露光時に前記基板が移動される走査方向と交差する所定方向に移動される。 - 請求項１〜４１のいずれか一項に記載の露光装置において、
所定方向と交差する方向に関して前記投影光学系と位置が異なるマーク検出系を、さらに備え、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項１〜４２のいずれか一項に記載の露光装置において、
所定方向と交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置で、前記第１、第２ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項１〜４３のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２領域は、所定方向と交差する方向に関して位置が異なり、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項１〜４１のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して位置が異なるマーク検出系を、さらに備え、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項１〜４１、４５のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置で、前記第１、第２ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項１〜４１、４５、４６のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１、第２領域は、所定方向に関して位置が異なり、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項１〜４７のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第２領域において、前記基板のマーク検出と交換との少なくとも一方が行われる。 - 請求項１〜４８のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸システムは、少なくとも前記基板の露光動作において、前記液浸領域への液体供給と、前記液浸領域からの液体回収とを常時行う。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項１〜４９のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域を維持する前記第１、第２ステージの一方が他方に置き換えられるように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージを移動することと、を含み、
前記第１ステージと前記第２ステージとは前記第１領域から前記第２領域への移動経路が互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域に対して、一方が前記投影光学系と対向して配置される前記第１、第２ステージを移動することと、を含み、
この移動により前記一方のステージの代わりに前記投影光学系と対向して配置される前記第１、第２ステージの他方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持され、
前記第１ステージと前記第２ステージとは前記第１領域から前記第２領域への移動経路が互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記投影光学系と前記第１、第２ステージの一方との間に維持される第１状態から、前記液浸領域が前記投影光学系と前記第１、第２ステージの他方との間に維持される第２状態に遷移するように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージを移動することと、を含み、
前記第１ステージと前記第２ステージとは前記第１領域から前記第２領域への移動経路が互いに異なる。 - 請求項５１〜５３のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１ステージと前記第２ステージとは前記第２領域から前記第１領域への移動経路が互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域を維持する前記第１、第２ステージの一方が他方に置き換えられるように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージを移動することと、を含み、
前記第１、第２ステージはそれぞれ、前記第１領域から前記第２領域への移動と、前記第２領域から前記第１領域への移動とで逆の経路を辿るように移動される。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域に対して、一方が前記投影光学系と対向して配置される前記第１、第２ステージを移動することと、を含み、
この移動により前記一方のステージの代わりに前記投影光学系と対向して配置される前記第１、第２ステージの他方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持され、
前記第１、第２ステージはそれぞれ、前記第１領域から前記第２領域への移動と、前記第２領域から前記第１領域への移動とで逆の経路を辿るように移動される。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
第１、第２ステージをそれぞれ、前記投影光学系が配置される第１領域と、前記第１領域と異なる第２領域との一方から他方に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記投影光学系と前記第１、第２ステージの一方との間に維持される第１状態から、前記液浸領域が前記投影光学系と前記第１、第２ステージの他方との間に維持される第２状態に遷移するように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージを移動することと、を含み、
前記第１、第２ステージはそれぞれ、前記第１領域から前記第２領域への移動と、前記第２領域から前記第１領域への移動とで逆の経路を辿るように移動される。 - 請求項５１〜５７のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージが移動される所定方向に関する位置関係が前記第１ステージの前記第２ステージへの置換と前記第２ステージの前記第１ステージへの置換とで同一となるように配置される。 - 請求項５８に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、その端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動され、前記対向する第１、第２ステージの端部が、前記第１ステージの前記第２ステージへの置換と、前記第２ステージの前記第１ステージへの置換とで同一である。 - 請求項５８又は５９に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、前記第１ステージの前記第２ステージへの置換と、前記第２ステージの前記第１ステージへの置換とで、前記液浸領域に対して、前記所定方向に関して逆向きに移動される。 - 請求項５１〜６０のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動による、前記第１、第２ステージの一方の他方への置換において、前記液浸領域は、前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項５１〜６１のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動によって、前記液浸領域は、前記第１、第２ステージの少なくとも一方によって前記投影光学系の下に維持されつつ前記第１、第２ステージの一方から他方に移動する。 - 請求項６２に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動の途中で、前記液浸領域は、前記１、第２ステージの両方によって前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項５１〜６３のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、その少なくとも一方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように、互いに近接または接触した状態が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項５１〜６４のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、前記投影光学系の下に前記液浸領域が実質的に維持されるように近接した状態、または前記第１、第２ステージの間隙からの液体の漏出が防止又は抑制されるように近接した状態、または接触した状態で前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項６４又は６５に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、所定方向に関して前記近接または接触した状態で、その境界またはその間隙が前記液浸領域の下を通るように移動されるとともに、前記所定方向に関する位置関係が前記第１ステージの前記第２ステージへの置換と前記第２ステージの前記第１ステージへの置換とで異なるように配置される。 - 請求項６６に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、前記所定方向に関して並置され、前記液浸領域が前記対向した端部を横切るように前記所定方向に移動される。 - 請求項５１〜６７のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して前記他方のステージが接近するように相対移動され、前記接近した第１、第２ステージが前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項６８に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージが移動される所定方向に関して互いに接近し、前記第１ステージの前記第２ステージへの置換と前記第２ステージの前記第１ステージへの置換とで前記所定方向に関して前記第１、第２ステージの配置が同一となるように相対移動される。 - 請求項６９に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、前記所定方向と交差する方向に関しても接近するように相対移動される。 - 請求項５１〜７０のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージが移動される所定方向と交差する方向に関してその位置関係が調整されるように相対移動される。 - 請求項５１〜７１のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージはその位置関係が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項７２に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記第１、第２ステージが移動される所定方向に関して実質的にその位置関係が維持される。 - 請求項５１〜７３のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージの少なくとも一方に設けられる計測部材によって、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して、前記基板の露光に用いられるエネルギビームを検出する。 - 請求項５１〜７４のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ、一部に前記基板の載置領域が配置される上面と、前記載置領域に載置される基板との少なくとも一方によって、前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持可能である。 - 請求項７５に記載の露光方法において、
前記基板はその表面が前記上面とほぼ面一となるように前記載置領域に載置される。 - 請求項７５又は７６に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ、前記上面の一部に配置される基準部材に、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して、前記基板の露光に用いられるエネルギビームが照射されるように移動される。 - 請求項７７に記載の露光方法において、
前記基準部材はその表面が前記上面とほぼ面一となるように設けられる。 - 請求項７７又は７８に記載の露光方法において、
前記基準部材は、前記基板の露光に用いられるマスクのマーク検出で用いられる。 - 請求項５１〜７９のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ、内部に前記基板の載置領域が配置される補助部材によって、その上面が実質的に同一面となるように設定される。 - 請求項５１〜８０のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１ステージに載置される基板の露光動作と、前記第２ステージに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動はその露光動作の間に行われる。 - 請求項５１〜８１のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージを交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項５１〜８２のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動の前後の少なくとも一方において、前記第１ステージと前記第２ステージとで互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項５１〜８３のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ基板を載置し、前記基板の計測、露光、及び交換が行われるように移動され、
前記基板の露光前後でそれぞれ、前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動が行われる。 - 請求項８４に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第１、第２ステージの移動に先立ち、前記第１、第２ステージの一方に載置される基板の露光と並行して、前記第１、第２ステージの他方に載置される基板の計測又は交換が行われる。 - 請求項８５に記載の露光方法において、
前記計測が行われた基板を載置する前記他方のステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して接近するように相対移動され、前記液浸領域に対する前記接近した第１、第２ステージの移動に続いて、前記他方のステージに載置される基板の露光動作が開始される。 - 請求項８６に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記接近した第１、第２ステージの移動によって前記投影光学系の下から離脱した前記一方のステージは、前記露光された基板の交換が行われる。 - 請求項５１〜８７のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ基板を載置し、前記基板の露光に先立ち、前記基板のマーク検出を含む前記基板の計測が行われるように移動される。 - 請求項８８に記載の露光方法において、
前記第１、第２ステージはそれぞれ基準部材を有し、前記基板のマークを検出するマーク検出系によって前記基準部材の検出が行われる。 - 請求項５１〜８９のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われるとともに、前記液体を介すことなくマーク検出が行われる。 - 請求項５１〜９０のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して、前記走査露光時に前記基板が移動される走査方向と交差する所定方向に移動される。 - 請求項５１〜９１のいずれか一項に記載の露光方法において、
所定方向と交差する方向に関して前記投影光学系と位置が異なるマーク検出系によって、前記基板のマーク検出が行われ、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項５１〜９２のいずれか一項に記載の露光方法において、
所定方向と交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置で、前記第１、第２ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項５１〜９３のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２領域は、所定方向と交差する方向に関して位置が異なり、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項５１〜９１のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と所定方向に関して位置が異なるマーク検出系によって前記基板のマーク検出が行われ、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項５１〜９１、９５のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置で、前記第１、第２ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項５１〜９１、９５、９６のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１、第２領域は、所定方向に関して位置が異なり、
前記第１、第２ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項５１〜９７のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第２領域において、前記基板のマーク検出と交換との少なくとも一方が行われる。 - 請求項５１〜９８のいずれか一項に記載の露光方法において、
少なくとも前記基板の露光動作において、前記液浸領域への液体供給と、前記液浸領域からの液体回収とが常時行われる。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項５１〜９９のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012078251A JP5344061B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004025837 | 2004-02-02 | ||
| JP2004025837 | 2004-02-02 | ||
| JP2004300566 | 2004-10-14 | ||
| JP2004300566 | 2004-10-14 | ||
| JP2012078251A JP5344061B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011028991A Division JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012142603A JP2012142603A (ja) | 2012-07-26 |
| JP2012142603A5 true JP2012142603A5 (ja) | 2013-06-13 |
| JP5344061B2 JP5344061B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=34829444
Family Applications (16)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005517477A Expired - Fee Related JP4910394B2 (ja) | 2004-02-02 | 2005-01-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2010012364A Expired - Fee Related JP4952803B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2010012363A Expired - Fee Related JP4952802B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2011028992A Expired - Fee Related JP5287897B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2011028991A Expired - Fee Related JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2011127624A Expired - Fee Related JP5287932B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-06-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2012078281A Expired - Fee Related JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2012078251A Expired - Fee Related JP5344061B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2013080851A Expired - Fee Related JP5488741B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2013268680A Expired - Fee Related JP5630557B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-12-26 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2014122324A Expired - Fee Related JP5761430B2 (ja) | 2004-02-02 | 2014-06-13 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2015006834A Expired - Fee Related JP5930083B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2015124507A Expired - Fee Related JP5935929B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-06-22 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2016006012A Expired - Fee Related JP6052439B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-01-15 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2016132653A Expired - Fee Related JP6222301B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-07-04 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2017105222A Expired - Fee Related JP6327385B2 (ja) | 2004-02-02 | 2017-05-29 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Family Applications Before (7)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005517477A Expired - Fee Related JP4910394B2 (ja) | 2004-02-02 | 2005-01-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2010012364A Expired - Fee Related JP4952803B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2010012363A Expired - Fee Related JP4952802B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2011028992A Expired - Fee Related JP5287897B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2011028991A Expired - Fee Related JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2011127624A Expired - Fee Related JP5287932B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-06-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2012078281A Expired - Fee Related JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (8)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013080851A Expired - Fee Related JP5488741B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2013268680A Expired - Fee Related JP5630557B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-12-26 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2014122324A Expired - Fee Related JP5761430B2 (ja) | 2004-02-02 | 2014-06-13 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2015006834A Expired - Fee Related JP5930083B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2015124507A Expired - Fee Related JP5935929B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-06-22 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2016006012A Expired - Fee Related JP6052439B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-01-15 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2016132653A Expired - Fee Related JP6222301B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-07-04 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2017105222A Expired - Fee Related JP6327385B2 (ja) | 2004-02-02 | 2017-05-29 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (15) | US7589822B2 (ja) |
| EP (9) | EP2287894B1 (ja) |
| JP (16) | JP4910394B2 (ja) |
| KR (16) | KR20180011877A (ja) |
| CN (1) | CN101685263B (ja) |
| AT (1) | ATE493753T1 (ja) |
| DE (1) | DE602005025596D1 (ja) |
| HK (8) | HK1093606A1 (ja) |
| IL (7) | IL177221A (ja) |
| SG (5) | SG185342A1 (ja) |
| TW (14) | TW201823875A (ja) |
| WO (1) | WO2005074014A1 (ja) |
Families Citing this family (193)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG139736A1 (en) | 2003-04-11 | 2008-02-29 | Nikon Corp | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
| KR101289979B1 (ko) | 2003-06-19 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
| SG145780A1 (en) * | 2003-08-29 | 2008-09-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US20070030467A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
| JP4220423B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
| EP1737024A4 (en) * | 2004-03-25 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICES, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
| EP1783822A4 (en) * | 2004-06-21 | 2009-07-15 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE DEVICE ELEMENT CLEANING METHOD, EXPOSURE DEVICE MAINTENANCE METHOD, MAINTENANCE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| EP1806772B1 (en) | 2004-10-15 | 2014-08-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8330939B2 (en) * | 2004-11-01 | 2012-12-11 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage |
| TW201837984A (zh) | 2004-11-18 | 2018-10-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 |
| EP1833082A4 (en) * | 2004-12-06 | 2010-03-24 | Nikon Corp | SUBSTRATE PROCESSING METHOD, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
| US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20070258068A1 (en) * | 2005-02-17 | 2007-11-08 | Hiroto Horikawa | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method |
| USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2006118258A1 (ja) | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| CN101138070B (zh) * | 2005-08-05 | 2011-03-23 | 株式会社尼康 | 载台装置及曝光装置 |
| JP5055579B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US7633073B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7871933B2 (en) * | 2005-12-01 | 2011-01-18 | International Business Machines Corporation | Combined stepper and deposition tool |
| US8953148B2 (en) | 2005-12-28 | 2015-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and making method thereof |
| WO2007077926A1 (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Nikon Corporation | パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007080523A1 (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Maglev object positioning apparatus and method for positioning an object and maintaining position with high stability |
| TWI538012B (zh) | 2006-01-19 | 2016-06-11 | 尼康股份有限公司 | 移動體驅動方法及移動體驅動系統、圖案形成方法及圖案形成裝置、曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法 |
| EP2003679B1 (en) | 2006-02-21 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| EP3279739A1 (en) | 2006-02-21 | 2018-02-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| JP5115859B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2013-01-09 | 株式会社ニコン | パターン形成装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007102484A1 (ja) | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Nikon Corporation | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 |
| US7230676B1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7310132B2 (en) * | 2006-03-17 | 2007-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7760324B2 (en) * | 2006-03-20 | 2010-07-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI454859B (zh) | 2006-03-30 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | 移動體裝置、曝光裝置與曝光方法以及元件製造方法 |
| CN101410948B (zh) | 2006-05-18 | 2011-10-26 | 株式会社尼康 | 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法 |
| EP2034514A4 (en) | 2006-05-22 | 2012-01-11 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, MAINTENANCE METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE THEREFOR |
| SG172613A1 (en) | 2006-05-23 | 2011-07-28 | Nikon Corp | Maintenance method, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| JPWO2007139017A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2009-10-08 | 株式会社ニコン | 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| TWI425318B (zh) | 2006-06-09 | 2014-02-01 | 尼康股份有限公司 | 移動體裝置、曝光裝置和曝光方法以及元件製造方法 |
| CN100456138C (zh) * | 2006-06-13 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 浸没式光刻机浸液流场维持系统 |
| WO2008001871A1 (fr) | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Nikon Corporation | Procédé de maintenance, procédé d'exposition et procédé de fabrication d'appareil et de dispositif |
| US8570484B2 (en) * | 2006-08-30 | 2013-10-29 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus, device manufacturing method, cleaning method, and cleaning member to remove foreign substance using liquid |
| EP2071612B1 (en) | 2006-08-31 | 2017-10-04 | Nikon Corporation | Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| KR101711323B1 (ko) | 2006-08-31 | 2017-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| CN104460241B (zh) | 2006-08-31 | 2017-04-05 | 株式会社尼康 | 移动体驱动系统及方法、图案形成装置及方法、曝光装置及方法、组件制造方法 |
| KR101529851B1 (ko) | 2006-09-01 | 2015-06-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| TWI434326B (zh) | 2006-09-01 | 2014-04-11 | 尼康股份有限公司 | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, and correcting method |
| US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
| WO2008044612A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US20080158531A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| JP5055971B2 (ja) | 2006-11-16 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7973910B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-07-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus and exposure apparatus |
| JP5089143B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
| US20080156356A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
| JP2009033111A (ja) * | 2007-05-28 | 2009-02-12 | Nikon Corp | 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法 |
| US8164736B2 (en) | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| US7737515B2 (en) * | 2007-06-20 | 2010-06-15 | New Jersey Institute Of Technology | Method of assembly using array of programmable magnets |
| WO2009011119A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Nikon Corporation | パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイス |
| US9025126B2 (en) | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
| US8421994B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US8279399B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| JP4986185B2 (ja) * | 2007-11-07 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| KR20100091885A (ko) | 2007-12-11 | 2010-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 노광 장치 및 패턴 형성 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US8964166B2 (en) | 2007-12-17 | 2015-02-24 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method of producing device |
| SG183057A1 (en) * | 2007-12-17 | 2012-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| US20090153824A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Multiple chuck scanning stage |
| WO2009084244A1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Nikon Corporation | 露光装置、移動体駆動システム、パターン形成装置、及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US8269945B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
| US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| JP5369443B2 (ja) | 2008-02-05 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| WO2009098891A1 (ja) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Nikon Corporation | 位置計測システム及び位置計測方法、移動体装置、移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、パターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2009218564A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-09-24 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20100039628A1 (en) * | 2008-03-19 | 2010-02-18 | Nikon Corporation | Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method |
| WO2009125867A1 (ja) | 2008-04-11 | 2009-10-15 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US8654306B2 (en) * | 2008-04-14 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method |
| US8786829B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8228482B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8817236B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| KR101651810B1 (ko) * | 2008-05-22 | 2016-08-30 | 마이크로닉 마이데이타 에이비 | 공작물 상에 연속적으로 패터닝된 층들 사이의 오버레이를 보상하기 위한 방법 및 장치 |
| EP2128703A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
| WO2010005081A1 (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | 株式会社ニコン | 変形計測装置、露光装置、変形計測装置用治具、位置計測方法、及びデバイス製造方法 |
| TW201017347A (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-01 | Nikon Corp | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
| EP2189849B1 (en) | 2008-11-21 | 2015-12-16 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus provided with a swap bridge |
| EP2196857A3 (en) | 2008-12-09 | 2010-07-21 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9062260B2 (en) | 2008-12-10 | 2015-06-23 | Chevron U.S.A. Inc. | Removing unstable sulfur compounds from crude oil |
| US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
| US8760629B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
| US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8902402B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8896806B2 (en) | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US20100196832A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, liquid immersion member and device fabricating method |
| JP5482784B2 (ja) | 2009-03-10 | 2014-05-07 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| US8202671B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-06-19 | Nikon Corporation | Protective apparatus, mask, mask forming apparatus, mask forming method, exposure apparatus, device fabricating method, and foreign matter detecting apparatus |
| US20100296074A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-25 | Nikon Corporation | Exposure method, and device manufacturing method |
| US20110085152A1 (en) * | 2009-05-07 | 2011-04-14 | Hideaki Nishino | Vibration control apparatus, vibration control method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| TW201115280A (en) | 2009-05-15 | 2011-05-01 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US20100323303A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-12-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
| US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8970820B2 (en) * | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| IT1399285B1 (it) * | 2009-07-03 | 2013-04-11 | Applied Materials Inc | Sistema di lavorazione substrato |
| KR20140108348A (ko) * | 2009-08-07 | 2014-09-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US20110032495A1 (en) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8514395B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
| US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
| US20110199591A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-08-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method |
| JP5861642B2 (ja) | 2009-11-09 | 2016-02-16 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、露光装置のメンテナンス方法、露光装置の調整方法、デバイス製造方法、及びダミー基板 |
| US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
| US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
| DE102009054653A1 (de) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
| KR20120112615A (ko) | 2009-12-28 | 2012-10-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 부재, 액침 부재의 제조 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| EP2523210A1 (en) | 2010-01-08 | 2012-11-14 | Nikon Corporation | Liquid-immersion member, exposing device, exposing method, and device manufacturing method |
| JP2011156678A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sony Corp | ３次元造形装置、３次元造形物の製造方法及び３次元造形物 |
| JP5842808B2 (ja) | 2010-02-20 | 2016-01-13 | 株式会社ニコン | 瞳強度分布を調整する方法 |
| US20110222031A1 (en) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| NL2006506A (en) * | 2010-04-28 | 2011-10-31 | Asml Netherlands Bv | A component of an immersion system, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| US20120013863A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| US8937703B2 (en) | 2010-07-14 | 2015-01-20 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120013864A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120012191A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120019802A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120019803A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120019804A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
| US8418773B2 (en) | 2010-09-10 | 2013-04-16 | Jason Cerrano | Fire-fighting control system |
| JP5510299B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2014-06-04 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置および露光方法 |
| EP2469339B1 (en) * | 2010-12-21 | 2017-08-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20120188521A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-07-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium |
| US20120162619A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium |
| US9030057B2 (en) | 2011-06-24 | 2015-05-12 | Nikon Corporation | Method and apparatus to allow a plurality of stages to operate in close proximity |
| US20130016329A1 (en) | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, measurement method, and device manufacturing method |
| US9329496B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium |
| US9256137B2 (en) | 2011-08-25 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method |
| US20130050666A1 (en) | 2011-08-26 | 2013-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method |
| US8794610B2 (en) * | 2011-09-20 | 2014-08-05 | Mitutoyo Corporation | Two-dimension precision transfer equipment, three-dimension precision transfer equipment, and coordinate measuring machine |
| NL2009345A (en) * | 2011-09-28 | 2013-04-02 | Asml Netherlands Bv | Method of applying a pattern to a substrate, device manufacturing method and lithographic apparatus for use in such methods. |
| JP6156147B2 (ja) | 2011-11-17 | 2017-07-05 | 株式会社ニコン | エンコーダ装置、光学装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US20130135594A1 (en) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
| US20130169944A1 (en) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
| US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
| CN103199046B (zh) * | 2012-01-05 | 2015-09-09 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 晶圆缺口边缘中心预对准方法 |
| US9323160B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-04-26 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium |
| US9268231B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-02-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
| CN104364881A (zh) * | 2012-04-13 | 2015-02-18 | 株式会社尼康 | 移动体装置、曝光装置以及器件制造方法 |
| US9823580B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-11-21 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
| KR102311833B1 (ko) | 2012-10-02 | 2021-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US9494870B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-11-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
| US9568828B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
| US9772564B2 (en) * | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| WO2014080957A1 (ja) | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 株式会社ニコン | 露光装置、移動体装置、及びデバイス製造方法 |
| JP6429017B2 (ja) | 2012-11-30 | 2018-11-28 | 株式会社ニコン | 搬入方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| KR101450713B1 (ko) * | 2012-12-05 | 2014-10-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| WO2014096299A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and table for use in such an apparatus |
| US9720331B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-08-01 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
| US9651873B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-05-16 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
| JP6119242B2 (ja) | 2012-12-27 | 2017-04-26 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| US9057955B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-06-16 | Nikon Corporation | Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9352073B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-05-31 | Niko Corporation | Functional film |
| JP5979302B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-08-24 | 株式会社ニコン | 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法 |
| JP5344105B1 (ja) | 2013-03-08 | 2013-11-20 | ウシオ電機株式会社 | 光配向用偏光光照射装置及び光配向用偏光光照射方法 |
| JP6178092B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-08-09 | 株式会社荏原製作所 | ステージ装置及び電子線応用装置 |
| CN104377101B (zh) | 2013-08-14 | 2017-08-08 | Fei 公司 | 用于带电粒子束系统的电路探头 |
| EP3057122B1 (en) | 2013-10-08 | 2018-11-21 | Nikon Corporation | Immersion member, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| NL2013457A (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-13 | Asml Netherlands Bv | Polarization independent interferometer. |
| US20150187540A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Drawing apparatus and method of manufacturing article |
| JP6481242B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2019-03-13 | 新シコー科技株式会社 | レンズ駆動装置、カメラ装置及び電子機器 |
| KR102574558B1 (ko) | 2015-02-23 | 2023-09-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 관리 방법, 중첩 계측 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR102552792B1 (ko) | 2015-02-23 | 2023-07-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| EP3680717A1 (en) | 2015-02-23 | 2020-07-15 | Nikon Corporation | Substrate processing system and substrate processing method, and device manufacturing method |
| US9927723B2 (en) * | 2015-03-24 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for on-the-fly digital exposure image data modification |
| EP3291011A4 (en) | 2015-03-25 | 2019-02-27 | Nikon Corporation | LAYOUT METHOD, BRAND DETECTION METHOD, LIGHT EXPOSURE METHOD, MEASURING APPARATUS, LIGHT EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| JP6700932B2 (ja) * | 2016-04-20 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 検出装置、検出方法、プログラム、リソグラフィ装置、および物品製造方法 |
| JP6353487B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2018-07-04 | 株式会社サーマプレシジョン | 投影露光装置及びその投影露光方法 |
| US10845720B2 (en) * | 2016-05-31 | 2020-11-24 | Nikon Corporation | Mark detection apparatus, mark detection method, measurement apparatus, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| JP6929024B2 (ja) * | 2016-07-06 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 光学装置、露光装置及び物品の製造方法 |
| KR102566162B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2023-08-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 검사 방법 |
| JP7081490B2 (ja) | 2016-09-27 | 2022-06-07 | 株式会社ニコン | レイアウト情報提供方法、レイアウト情報、決定方法、プログラム、並びに情報記録媒体 |
| JP6883655B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2021-06-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 露光装置 |
| US11125814B2 (en) * | 2017-02-22 | 2021-09-21 | Sintokogio, Ltd. | Test system |
| US10009119B1 (en) * | 2017-03-06 | 2018-06-26 | The Boeing Company | Bandgap modulation for underwater communications and energy harvesting |
| WO2019012495A1 (ja) | 2017-07-14 | 2019-01-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 計測装置 |
| JP6985102B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2021-12-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| JP7060995B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-04-27 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
| CN112204707A (zh) * | 2018-05-31 | 2021-01-08 | 应用材料公司 | 数字光刻系统的多基板处理 |
| CN110773513B (zh) * | 2018-07-30 | 2022-12-20 | 佳能株式会社 | 清洁设备和清洁设备的控制方法 |
| JP2020022010A (ja) | 2018-07-30 | 2020-02-06 | キヤノン株式会社 | 清掃装置及び清掃方法 |
| TWI721307B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-03-11 | 禾宬科技有限公司 | 半導體清洗裝置及方法 |
| CN113490886A (zh) * | 2019-02-28 | 2021-10-08 | Asml荷兰有限公司 | 平台系统和光刻装置 |
| US11094499B1 (en) * | 2020-10-04 | 2021-08-17 | Borries Pte. Ltd. | Apparatus of charged-particle beam such as electron microscope comprising sliding specimen table within objective lens |
Family Cites Families (345)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US478661A (en) | 1892-07-12 | Henri tudor | ||
| US723963A (en) * | 1902-10-01 | 1903-03-31 | Howard H Willson | Temporary binder. |
| GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
| US3626560A (en) | 1970-06-04 | 1971-12-14 | Cogsdill Tool Prod | Sizing and finishing device for external surfaces |
| US4026653A (en) | 1975-05-09 | 1977-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Proximity printing method |
| US4341164A (en) | 1980-06-13 | 1982-07-27 | Charles H. Ruble | Folding camp table |
| US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
| US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
| JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
| JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
| US4465363A (en) | 1981-11-27 | 1984-08-14 | Hoechst Aktiengesellschaft | Cleaning device for cleaning the peripheral surface of a photoconductive drum in an electrophotographic copier |
| JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
| JPS59228356A (ja) | 1983-06-09 | 1984-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空気電池の収納ケ−ス |
| DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
| US4650983A (en) | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
| DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
| JPS6122249A (ja) | 1984-07-11 | 1986-01-30 | Tokyo Keiki Co Ltd | 超音波探傷器 |
| US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
| JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
| JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
| JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
| JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置 |
| US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
| JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
| JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
| JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
| JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系 |
| JP3203719B2 (ja) | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
| US5469963A (en) | 1992-04-08 | 1995-11-28 | Asyst Technologies, Inc. | Sealable transportable container having improved liner |
| JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
| JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
| KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
| JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
| JPH06208058A (ja) | 1993-01-13 | 1994-07-26 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡対物レンズ |
| US5591958A (en) | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
| US5636066A (en) | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
| JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
| JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
| JPH09311278A (ja) | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JP3747951B2 (ja) | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
| US5534970A (en) | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
| JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
| EP0631340B1 (en) | 1993-06-18 | 2001-11-21 | Hitachi Maxell Ltd. | Organic electrolytic solution cell |
| JP3212199B2 (ja) | 1993-10-04 | 2001-09-25 | 旭硝子株式会社 | 平板型陰極線管 |
| JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
| US7365513B1 (en) | 1994-04-01 | 2008-04-29 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
| US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
| US6989647B1 (en) | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
| US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
| JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
| JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| US5715064A (en) * | 1994-06-17 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput |
| KR0124189B1 (ko) * | 1994-07-29 | 1997-11-25 | 배순훈 | 다중광학계를 갖춘 광픽업장치 |
| USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
| JPH0883753A (ja) | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
| US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
| JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
| JP3387075B2 (ja) | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
| JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| US5677758A (en) | 1995-02-09 | 1997-10-14 | Mrs Technology, Inc. | Lithography System using dual substrate stages |
| US6008500A (en) | 1995-04-04 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame |
| DE69604524T2 (de) * | 1995-04-25 | 2000-04-13 | Canon Kk | Abtastbelichtungsapparat und Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben |
| JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| US5751404A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates |
| JP3526042B2 (ja) | 1995-08-09 | 2004-05-10 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JPH0954443A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-02-25 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
| JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US5964441A (en) | 1996-04-01 | 1999-10-12 | Lear Corporation | Linkage assembly with extruded hole member |
| JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| JP4029181B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| JP4029180B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| ATE404906T1 (de) | 1996-11-28 | 2008-08-15 | Nikon Corp | Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren |
| US5815246A (en) | 1996-12-24 | 1998-09-29 | U.S. Philips Corporation | Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device |
| DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands Bv | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
| JPH10209039A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
| JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
| US6262796B1 (en) * | 1997-03-10 | 2001-07-17 | Asm Lithography B.V. | Positioning device having two object holders |
| JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
| JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
| JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
| JPH1116816A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
| US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
| AU9095798A (en) | 1997-09-19 | 1999-04-12 | Nikon Corporation | Stage device, a scanning aligner and a scanning exposure method, and a device manufactured thereby |
| JP2000106340A (ja) | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
| JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| WO1999027568A1 (fr) | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
| JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US6897963B1 (en) * | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
| JP4264676B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
| KR20010033118A (ko) * | 1997-12-18 | 2001-04-25 | 오노 시게오 | 스테이지 장치 및 노광장치 |
| US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
| AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
| JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
| KR20010075157A (ko) | 1998-09-17 | 2001-08-09 | 오노 시게오 | 투영광학계의 조정방법 |
| WO2000033359A2 (en) | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Kensington Laboratories, Inc. | Specimen holding robotic arm end effector |
| JP2000187338A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2000216082A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Nikon Corp | ステ―ジ装置および露光装置 |
| AU2325900A (en) | 1999-03-12 | 2000-10-04 | Nikon Corporation | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
| JP4365934B2 (ja) | 1999-05-10 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
| JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
| JP2001118773A (ja) | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
| TWI223734B (en) | 1999-12-21 | 2004-11-11 | Asml Netherlands Bv | Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus |
| TW546551B (en) | 1999-12-21 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
| EP1111471B1 (en) | 1999-12-21 | 2005-11-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with collision preventing device |
| US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
| JP2001267239A (ja) | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
| JP2001241439A (ja) | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Canon Inc | 静圧軸受を備えた移動装置 |
| SG107560A1 (en) | 2000-02-25 | 2004-12-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
| KR100945707B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2010-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지장치와 홀더, 및 주사형 노광장치 그리고 노광장치 |
| JP2001244177A (ja) | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nikon Corp | ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置 |
| JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
| US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
| AU2001259331A1 (en) | 2000-05-03 | 2001-11-12 | Silicon Valley Group Inc | Non-contact seal using purge gas |
| TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
| JP4405071B2 (ja) | 2000-10-23 | 2010-01-27 | パナソニック株式会社 | 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置 |
| KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
| JP2002305140A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
| WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
| JP2002339853A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Nissan Motor Co Ltd | 充電ステーション |
| KR100423783B1 (ko) * | 2001-06-13 | 2004-03-22 | 제일모직주식회사 | 인조 대리석의 제조 공정 |
| US6788385B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
| TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
| JPWO2003010802A1 (ja) * | 2001-07-26 | 2004-11-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US6680774B1 (en) | 2001-10-09 | 2004-01-20 | Ultratech Stepper, Inc. | Method and apparatus for mechanically masking a workpiece |
| US6665054B2 (en) | 2001-10-22 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Two stage method |
| US7134668B2 (en) | 2001-10-24 | 2006-11-14 | Ebara Corporation | Differential pumping seal apparatus |
| JP2003249443A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| CN100389480C (zh) * | 2002-01-29 | 2008-05-21 | 株式会社尼康 | 曝光装置和曝光方法 |
| US20050003048A1 (en) * | 2002-02-11 | 2005-01-06 | Edizone, Lc | Electrolyte-containing orally soluble films |
| US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
| DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
| US7154676B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
| US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
| DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
| DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
| TW200305927A (en) * | 2002-03-22 | 2003-11-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device |
| JPWO2003085708A1 (ja) | 2002-04-09 | 2005-08-18 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| KR20040104691A (ko) | 2002-05-03 | 2004-12-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈 |
| JP4360064B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | ステージ装置および露光装置 |
| KR20050035890A (ko) | 2002-08-23 | 2005-04-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법 |
| TW559895B (en) * | 2002-09-27 | 2003-11-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Exposure system and exposure method thereof |
| US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
| US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
| US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
| US7383843B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
| US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
| US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
| US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG2010050110A (en) | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
| DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
| SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
| DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
| JP4701606B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2011-06-15 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
| AU2003289239A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure system and device producing method |
| DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
| JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
| JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP4645027B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2011-03-09 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| AU2003276569A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
| ES2268450T3 (es) | 2002-12-19 | 2007-03-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Metodo y dispositivo para irradiar puntos en una capa. |
| US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
| AU2003295177A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
| US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
| US7090964B2 (en) * | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
| JP4604452B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
| US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
| US7029832B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
| US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
| WO2004090956A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
| CN105700301B (zh) | 2003-04-10 | 2018-05-25 | 株式会社尼康 | 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统 |
| KR20140139139A (ko) | 2003-04-10 | 2014-12-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
| JP4656057B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
| EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
| SG139736A1 (en) * | 2003-04-11 | 2008-02-29 | Nikon Corp | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
| SG185136A1 (en) | 2003-04-11 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Cleanup method for optics in immersion lithography |
| WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
| ATE542167T1 (de) | 2003-04-17 | 2012-02-15 | Nikon Corp | Lithographisches immersionsgerät |
| JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
| JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR20060009356A (ko) * | 2003-05-15 | 2006-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| TWI282487B (en) | 2003-05-23 | 2007-06-11 | Canon Kk | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| TWI424470B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
| JP2004349645A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
| TWI442694B (zh) * | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
| US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP2261742A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
| KR101289979B1 (ko) | 2003-06-19 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
| JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
| JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
| EP1491956B1 (en) | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
| JP4697138B2 (ja) | 2003-07-08 | 2011-06-08 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法 |
| US7738074B2 (en) * | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
| EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
| US7309345B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-12-18 | Boston Scientific-Scimed, Inc. | Method and system for delivering an implant utilizing a lumen reducing member |
| KR101785707B1 (ko) | 2003-07-28 | 2017-11-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
| JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
| US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
| EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
| US7779781B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7145643B2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method |
| US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
| US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
| US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
| US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
| US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
| US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
| US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
| TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI245163B (en) * | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
| KR101590686B1 (ko) | 2003-09-03 | 2016-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
| JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP3870182B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US6961186B2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
| EP1519230A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7158211B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1519231B1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
| JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
| EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
| US7352433B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
| US20070105050A1 (en) | 2003-11-05 | 2007-05-10 | Dsm Ip Assets B.V. | Method and apparatus for producing microchips |
| US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
| JP2005150290A (ja) | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Canon Inc | 露光装置およびデバイスの製造方法 |
| EP1531362A3 (en) * | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
| JP4295712B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
| US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1695148B1 (en) | 2003-11-24 | 2015-10-28 | Carl Zeiss SMT GmbH | Immersion objective |
| DE10355301B3 (de) * | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie |
| US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
| JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
| WO2005059617A2 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
| KR100965330B1 (ko) | 2003-12-15 | 2010-06-22 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈 |
| JP4308638B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
| US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
| JP4323946B2 (ja) | 2003-12-19 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| JP2005183656A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Canon Inc | 露光装置 |
| US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
| DE10360788A1 (de) | 2003-12-23 | 2005-07-28 | Marconi Communications Gmbh | Optisches Kommunikationsnetz und Komponente dafür |
| US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
| US7088422B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
| JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
| KR101309242B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2013-09-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
| KR101233879B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-02-15 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
| WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
| KR101135232B1 (ko) | 2004-01-20 | 2012-04-12 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 |
| US7026259B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
| US7391501B2 (en) * | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8054947B2 (en) * | 2004-02-02 | 2011-11-08 | Eicon Networks Corporation | Apparatus and method for multiplexing communication signals |
| KR20070039869A (ko) | 2004-02-03 | 2007-04-13 | 브루스 더블유. 스미스 | 용액을 사용한 포토리소그래피 방법 및 관련 시스템 |
| KR101276392B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
| WO2005081067A1 (en) | 2004-02-13 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
| JP2007523383A (ja) | 2004-02-18 | 2007-08-16 | コーニング インコーポレイテッド | 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系 |
| JP2005236087A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
| US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
| JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| US7027125B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
| JP2005285881A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| US7084960B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
| US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
| US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
| US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
| US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060244938A1 (en) | 2004-05-04 | 2006-11-02 | Karl-Heinz Schuster | Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
| WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
| US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
| KR20170129271A (ko) | 2004-05-17 | 2017-11-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
| US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4845880B2 (ja) | 2004-06-04 | 2011-12-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学結像系の像品質測定システム |
| WO2005119369A1 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor |
| US7057702B2 (en) | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP3919782B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2007-05-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP1806772B1 (en) | 2004-10-15 | 2014-08-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7700365B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-04-20 | Mayo Foundation For Medical Education And Research | Vitamin D deficiencies |
| US7583357B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE102004061462A1 (de) * | 2004-12-17 | 2006-07-06 | Delphi Technologies, Inc., Troy | Verfahren und Vorrichtung zur Motorsteuerung bei einem Kraftfahrzeug |
| US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG172613A1 (en) | 2006-05-23 | 2011-07-28 | Nikon Corp | Maintenance method, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| JP4442904B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP5304072B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-10-02 | ヤマハ株式会社 | 力覚制御装置、鍵盤楽器、力覚制御方法およびプログラム |
| TWI452546B (zh) * | 2012-12-28 | 2014-09-11 | Univ Chienkuo Technology | Hybrid large - scale collapse model |
-
2004
- 2004-02-02 US US10/588,029 patent/US7589822B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-27 EP EP10186147.4A patent/EP2287894B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020187002348A patent/KR20180011877A/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP10186153.2A patent/EP2284866B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 EP EP15171838.4A patent/EP2960927B1/en active Active
- 2005-01-27 EP EP10186134.2A patent/EP2267759B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117026306A patent/KR101276512B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP05704182A patent/EP1713113B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 DE DE602005025596T patent/DE602005025596D1/de active Active
- 2005-01-27 KR KR1020117003625A patent/KR101187614B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP15179672.9A patent/EP2980834B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117003628A patent/KR101191061B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG2012080495A patent/SG185342A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020147017029A patent/KR101590742B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP10186140.9A patent/EP2287893B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020127019814A patent/KR101288139B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020117003627A patent/KR101187615B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020117003587A patent/KR101235523B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020137031485A patent/KR101539877B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 WO PCT/JP2005/001076 patent/WO2005074014A1/ja active Application Filing
- 2005-01-27 EP EP15185639.0A patent/EP2998982B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117003626A patent/KR101187618B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG200903003-2A patent/SG152294A1/en unknown
- 2005-01-27 EP EP16186291.7A patent/EP3139401A1/en not_active Withdrawn
- 2005-01-27 AT AT05704182T patent/ATE493753T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-01-27 JP JP2005517477A patent/JP4910394B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-27 CN CN2009101689947A patent/CN101685263B/zh active Active
- 2005-01-27 KR KR1020127019812A patent/KR101476015B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG2013076823A patent/SG195559A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020067012095A patent/KR101187616B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG2012080503A patent/SG185343A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020177000846A patent/KR101824373B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020157028041A patent/KR101698290B1/ko active Application Filing
- 2005-01-27 SG SG200903000-8A patent/SG152291A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020127015767A patent/KR101276423B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020157001506A patent/KR101673826B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-02 TW TW107106822A patent/TW201823875A/zh unknown
- 2005-02-02 TW TW098120058A patent/TWI437375B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW104127655A patent/TWI578114B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW106100843A patent/TWI627511B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120060A patent/TWI437376B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101103186A patent/TWI499870B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW103100487A patent/TWI564673B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120057A patent/TWI437374B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101146582A patent/TWI498680B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098115103A patent/TWI443475B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101103185A patent/TWI521312B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120061A patent/TWI436170B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW094103146A patent/TWI390358B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW104118470A patent/TWI596440B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-08-01 IL IL177221A patent/IL177221A/en active IP Right Grant
- 2006-08-01 IL IL226838A patent/IL226838A/en active IP Right Grant
- 2006-08-01 IL IL226841A patent/IL226841A/en active IP Right Grant
- 2006-10-23 HK HK06111676.2A patent/HK1093606A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-20 US US11/785,860 patent/US8045136B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-22 US US11/812,919 patent/US9632431B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-08 US US12/453,386 patent/US20090231564A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-05 US US12/461,246 patent/US8547528B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-05 US US12/461,244 patent/US8553203B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-22 JP JP2010012364A patent/JP4952803B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-22 JP JP2010012363A patent/JP4952802B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-24 US US12/659,894 patent/US9665016B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-18 HK HK10106066.4A patent/HK1139469A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2010-10-07 US US12/923,786 patent/US8736808B2/en active Active
- 2010-10-07 US US12/923,784 patent/US8711328B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-07 US US12/923,783 patent/US8724079B2/en active Active
- 2010-10-07 US US12/923,785 patent/US8705002B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-14 JP JP2011028992A patent/JP5287897B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-14 JP JP2011028991A patent/JP5287896B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-23 HK HK11105039.9A patent/HK1151144A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK11105679.4A patent/HK1151630A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK16104747.0A patent/HK1217249A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK16109044.9A patent/HK1221071A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK11105685.6A patent/HK1151631A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 JP JP2011127624A patent/JP5287932B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078281A patent/JP5333622B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-29 JP JP2012078251A patent/JP5344061B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-30 US US13/435,780 patent/US9684248B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-08 JP JP2013080851A patent/JP5488741B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-09 IL IL226840A patent/IL226840A/en active IP Right Grant
- 2013-06-09 IL IL226841A patent/IL226841A0/en unknown
- 2013-06-09 IL IL226839A patent/IL226839A/en active IP Right Grant
- 2013-06-09 IL IL226838A patent/IL226838A0/en unknown
- 2013-12-26 JP JP2013268680A patent/JP5630557B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-13 JP JP2014122324A patent/JP5761430B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015006834A patent/JP5930083B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-19 US US14/663,084 patent/US10007196B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-22 JP JP2015124507A patent/JP5935929B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-08 US US14/847,746 patent/US10139737B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-15 JP JP2016006012A patent/JP6052439B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-06-21 HK HK16107103.1A patent/HK1219172A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-07-04 JP JP2016132653A patent/JP6222301B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-29 JP JP2017105222A patent/JP6327385B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-11-20 US US16/196,416 patent/US20190086815A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012142603A5 (ja) | ||
| JP2012142604A5 (ja) | ||
| JP2011097112A5 (ja) | ||
| JP2011124606A5 (ja) | ||
| JP2011109138A5 (ja) | ||
| JP2011211222A5 (ja) | ||
| JP2010098333A5 (ja) | ||
| JP2012138617A5 (ja) | ||
| JP2011109137A5 (ja) | ||
| JP2009117877A5 (ja) | ||
| JP2012094902A5 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| JP2012138618A5 (ja) | ||
| JP2012074729A5 (ja) | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 | |
| JP2010118687A5 (ja) | ||
| JP2012084927A5 (ja) | ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| JP5687640B2 (ja) | インプリント装置およびインプリント方法 | |
| JP2012103269A5 (ja) | ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| KR101869671B1 (ko) | 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
| JP2011146689A (ja) | インプリント装置及びパターン転写方法 | |
| JP2011155285A5 (ja) | 交換方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
| JP2014229883A5 (ja) | ||
| JP2007305647A (ja) | ナノインプリント装置及びナノインプリント方法 | |
| JP2011097114A5 (ja) | 露光装置及び液体供給方法 | |
| JP2013197107A (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
| JP2012169491A (ja) | インプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法 |