KR101869671B1 - 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101869671B1
KR101869671B1 KR1020180001169A KR20180001169A KR101869671B1 KR 101869671 B1 KR101869671 B1 KR 101869671B1 KR 1020180001169 A KR1020180001169 A KR 1020180001169A KR 20180001169 A KR20180001169 A KR 20180001169A KR 101869671 B1 KR101869671 B1 KR 101869671B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mold
pattern
shot
substrate
shot area
Prior art date
Application number
KR1020180001169A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180006468A (ko
Inventor
요시카즈 미야지마
유키오 다카바야시
신이치 슈도
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20180006468A publication Critical patent/KR20180006468A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101869671B1 publication Critical patent/KR101869671B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/58—Measuring, controlling or regulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/002—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B29C2059/023—Microembossing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Abstract

본 발명의, 몰드를 이용하여 기판 상의 복수의 샷 영역에 공급된 임프린트 재료에 패턴을 전사시키는 임프린트 방법은, 상기 복수의 샷 영역이 상기 몰드의 패턴의 일부가 형성될 수 있는 부분 샷 영역을 포함하고, 상기 부분 샷 영역에 공급된 임프린트 재료와 상기 몰드를 접촉시켜서 상기 몰드의 패턴을 기판 상에 전사시키는 방식으로, 상기 몰드의 패턴에 부착된 이물질을 제거하는 단계와, 상기 이물질을 제거하는 단계에서 이용된 상기 몰드를 이용하여, 상기 복수의 샷 영역 중 상기 부분 샷 영역 이외의 샷 영역에 패턴을 전사시키는 단계를 포함한다.

Description

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법{IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE}
본 발명은, 몰드와 기판 상의 임프린트 재료를 접촉시키고, 접촉시킨 상태로 임프린트 재료를 경화시킴으로써, 임프린트 재료에 패턴을 형성하는 임프린트 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스를 제조하기 위한 기술로서 임프린트 기술이 알려져 있다. 임프린트 기술은 패턴이 형성된 몰드를 이용하여 기판 상에 공급된 임프린트 재료에 패턴을 형성하는 기술이다.
임프린트 기술에서는, 몰드에 형성된 패턴에 이물질이 부착되어 있는 상태로 몰드와 임프린트 재료를 접촉시키면, 기판 상에 패턴을 정확하게 형성할 수 없다.
그 때문에, 임프린트 기술에서는, 몰드에 부착된 이물질을 제거하고 나서 기판 상에 패턴을 형성할 필요가 있다. 일본 특허 공개 제2009-266841호 공보에는, 더미 웨이퍼에 임프린트를 행하여 몰드에 부착된 이물질을 제거하는 임프린트 장치가 개시되어 있다.
임프린트 기술을 이용하여 기판 상의 복수의 샷 영역에 패턴을 형성할 경우, 샷 영역마다 패턴의 형성을 되풀이하여 복수의 샷 영역에 패턴을 형성한다. 복수의 샷 영역을 갖는 기판을 임프린트 장치에 반입한 후, 최초에 패턴을 형성한 샷 영역에는, 몰드에 부착된 이물질에 의해 패턴을 정확하게 형성할 수 없는 경우가 많다는 것을 알게 되었다. 이로부터, 임프린트 장치로부터 기판을 반출하고, 임프린트 장치에 새로운 기판을 반입하는 동안에 이물질이 몰드에 부착되는 경우가 많은 것을 알게 되었다.
일본 특허 공개 제2009-266841호 공보에 개시된 바와 같이, 더미 웨이퍼를 이용하여 몰드에 부착된 이물질을 제거한 경우에도, 임프린트 장치로부터 더미 웨이퍼를 반출하고, 임프린트 장치에 새로운 기판을 반입하는 동안에 이물질이 몰드에 부착될 수 있다. 그 때문에, 최초에 패턴을 형성하는 샷 영역에는 패턴을 정확하게 형성할 수 없는 우려가 있다.
본 발명은 몰드에 부착된 이물질의 영향을 억제하여 기판의 샷 영역에 몰드의 패턴을 형성할 수 있는 임프린트 방법을 제공하는 것에 관한 것이다.
본 발명에 개시된 일 양태에 따르면, 몰드를 이용하여 기판 상의 복수의 샷 영역에 패턴을 전사시키는 임프린트 방법은, 상기 복수의 샷 영역이 상기 몰드의 패턴의 일부가 형성될 수 있는 부분 샷 영역을 포함하고, 상기 부분 샷 영역에 공급된 임프린트 재료와 상기 몰드를 접촉시켜서 상기 몰드의 패턴을 기판 상에 전사시키도록 하여, 상기 몰드의 패턴에 부착된 이물질을 제거하는 단계와, 상기 이물질을 제거하는 단계에서 이용된 상기 몰드를 이용하여, 상기 복수의 샷 영역 중, 상기 부분 샷 영역 이외의 샷 영역에 패턴을 전사시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참조하여 하기의 예시적인 실시형태의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명에 개시된 예시적인 일 실시형태에 따른 임프린트 장치를 나타낸 도면.
도 2는 공급 유닛의 배치를 나타낸 도면.
도 3은 임프린트 사이클의 플로우를 나타낸 플로우차트.
도 4의 (a), (b), (c) 및 (d)는 임프린트 사이클을 행하는 임프린트 장치를 나타낸 도면.
도 5는 예시적인 제1 실시형태에 따른 기판과 샷 영역을 나타낸 도면.
도 6의 (a), (b), (c) 및 (d)는 몰드의 패턴 영역과 수지가 접촉한 영역을 나타낸 도면.
도 7의 (a) 및 (b)는 몰드의 패턴 영역과 수지가 접촉한 영역을 나타낸 도면.
도 8은 예시적인 제2 실시형태에 따른 기판과 샷 영역을 나타낸 도면.
이하, 본 발명의 다양한 실시형태, 특징 및 양태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도면에서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙이고, 그 중복하는 설명은 생략한다.
<임프린트 장치>
도 1 및 도 2를 참조하면서 본 발명의 예시적인 일 실시형태에 따른 임프린트 장치 IMP의 개요에 대해서 설명한다. 여기에서는, 광의 조사에 의해 임프린트 재료를 경화시키는 광경화형의 임프린트 방법에 대해서 설명한다. 구체적으로는, 광으로서 자외광을 이용하고, 임프린트 재료로서 자외선 경화 수지(수지, 레지스트)를 이용하는 임프린트 방법이다.
본 발명의 임프린트 장치의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 예시적인 실시형태에 따른 임프린트 장치를 나타낸다. 도 1에 도시된 바와 같이, 몰드를 기판에 가압하는 방향을 Z축으로 하고, Z축에 수직해서 기판의 면내 방향에서 서로 직교하는 방향을 X축과 Y축으로 간주한다. 임프린트 장치 IMP는 기판(1)을 흡착해서 보유 지지하는 기판 척(2), 기판 척(2)을 보유 지지해서 이동하는 기판 스테이지(3), 기판 스테이지(3)를 보유 지지해서 위치 결정하는 베이스 프레임(4)을 포함한다. 여기에서는, 기판 척(2)으로서 진공 척을 이용한다. 기판 스테이지(3)는 베이스 프레임(4) 상을 X축 및 Y축 방향으로 이동한다.
임프린트 장치 IMP는 몰드(5)를 보유 지지해서 Z축으로 구동하는 몰드 보유 지지부(5a), 자외광을 조사하는 광원(6), 기판(1)에 미경화 수지를 공급하는 공급 유닛(7)(디스펜서), 미경화 수지를 보관하는 탱크(8), 얼라인먼트 스코프(11)(검출 유닛)를 더 포함한다. 임프린트 장치 IMP는 검출 유닛으로서 오프액시스 스코프(off-axis scope)(13)를 더 포함할 수 있다. 몰드 보유 지지부(5a), 광원(6), 공급 유닛(7), 탱크(8), 얼라인먼트 스코프(11), 오프액시스 스코프(13)는 정반(12)에 의해 지지된다.
몰드(5)(원판 또는 템플릿)는, 표면에 요철 형상의 패턴이 형성되고 있고, 광원(6)으로부터 조사된 자외광을 투과시킬 수 있는 재료(석영)로 이루어진다. 이하에서는, 몰드(5)에 형성되어 있는 패턴의 위치를 패턴 영역이라고 지칭한다. 몰드 보유 지지부(5a)가 Z축 방향으로 이동함으로써, 몰드(5)에 형성된 패턴을 기판(1) 상의 미경화 수지에 접촉시킨다.
광원(6)은 자외광 발생 장치이다. 광원(6)으로부터 조사된 자외광은 몰드(5)를 투과해서 미경화 수지를 경화시킨다. 이 광원(6)에는, 예를 들면, i선, g선을 발생시키는 할로겐 램프 등의 광원 외에, 광원으로부터 조사된 광을 집광 형성하는 광학 소자(오목 거울)가 포함된다.
공급 유닛(7)은 미경화 수지를 미소 액적(fine droplet)으로 바꾸어서 이 액적을 토출함으로써, 기판(1)을 소정의 양의 미경화 수지로 피복한다. 공급 유닛(7)은 배관(9)을 통해 탱크(8)와 연결되어, 탱크(8)로부터 공급 유닛(7)에 미경화 수지가 공급된다. 공급 유닛(7)을 미경화 수지의 토출 위치와 퇴피 위치(메인터넌스 위치)의 사이에서 이동시키는 이동 유닛(10)이 구비될 수 있다.
이동 유닛(10)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 통상적인 토출 동작 시에는 공급 유닛(7)을 토출 위치에 위치 결정하고, 메인터넌스 시에는 공급 유닛(7)을 퇴피 위치로 이동시킨다. 퇴피 위치에서는 공급 유닛(7)의 노즐 등의 클리닝 및 교환을 행한다.
얼라인먼트 스코프(11)는, 기판(1) 상에 공급 유닛(7)이 미경화 수지를 공급한 후에, 몰드(5)의 위치와 기판(1)의 패턴의 위치를 정렬하는 현미경이다. 얼라인먼트 스코프(11)는 몰드(5)에 마련되어진 얼라인먼트 마크와 기판(1) 상의 얼라인먼트 마크를 검출한다. 검출 결과로부터 2개의 마크 사이의 위치 어긋남량을 구하고, 위치 어긋남량을 감소시키도록 기판 스테이지(3)가 이동함으로써 기판(1)의 위치와 몰드(5)의 위치를 정렬한다. 대안적으로, 기판 스테이지(3) 대신에 몰드 보유 지지부(5a)가 이동되어, 기판(1)의 위치와 몰드(5)의 위치를 정렬할 수 있다. 또한 대안적으로, 기판 스테이지(3)와 몰드 보유 지지부(5a)가 동시에 또는 순차적으로 이동되어 얼라인먼트를 행할 수 있다.
<임프린트 사이클>
도 3은 임프린트 사이클을 나타내는 플로우차트이다. 도 4는 임프린트 사이클을 행하는 임프린트 장치이다. 본 발명의 예시적인 일 실시형태에 따른 임프린트 장치 IMP는 임프린트 사이클을 되풀이하여 기판(1)의 복수의 샷 영역에 패턴을 형성한다. 여기서 “샷 영역”이라는 용어는, 기판(1) 상에 형성된 영역이며, 몰드(5)의 패턴 영역을 1회의 임프린트에 의해 전사시키는 영역이다. 샷 영역은 몰드(5)의 패턴 영역 전체, 또는 그 일부일 수 있다. 샷 영역에는, 임프린트 장치를 포함하는 다른 리소그래피 장치에 의해 미리 패턴이 형성되어 있을 수 있고, 또는, 패턴이 형성되지 않아도 된다.
이하, 이 임프린트 사이클은 임프린트 장치 IMP에 의해 실시되는 것으로 한다. 도 3에 나타내는 임프린트 사이클은, 도 1에서 나타낸 제어 유닛 CNT에 포함된 메모리 MRY에 저장되어 있는 프로그램을 실행함으로써 실시된다. 또한, 제어 유닛 CNT에 포함된 프로세서 PRC는 메모리 MRY에 저장된 프로그램을 처리한다. 이렇게, 본 발명의 예시적인 실시형태의 임프린트 사이클의 동작은, 제어 유닛 CNT의 메모리 MRY에 저장된 프로그램을 따라서 실행된다.
임프린트 사이클이 개시되면, 단계 S31에서, 임프린트 장치 IMP에 기판(1)이 반입된다(도 4의 (a) 참조). (도시되지 않은) 기판 반송 유닛이 임프린트 장치 IMP의 외부로부터 기판(1)을 기판 척(2)에 재치한다. 기판 척(2)에 기판(1)이 재치되면, 오프액시스 스코프(13)가 기판(1) 상에 형성된 복수의 위치 정렬 마크를 검출하고, 검출 결과로부터 기판(1) 상의 복수의 샷 영역의 배열(위치)을 취득한다. 오프액시스 스코프(13)는 몰드(5)를 통하지 않고 기판(1) 상의 위치 정렬 마크를 검출할 수 있는 스코프이다.
기판(1)이 임프린트 장치 IMP 내로 반입되면, 단계 S32에서, 몰드(5)에 이물질이 부착될 수 있기 때문에, 후술하는 이물질 제거 단계를 행한다.
단계 S32에서, 이물질 제거 단계를 행한 후, 패턴이 전사되는 샷 영역에 미경화 수지를 공급하기 위해서, 기판 스테이지(3)가 공급 유닛(7) 아래의 위치로 이동한다. 단계 S33(공급 단계)에서, 공급 유닛(7)의 토출구로부터 미경화 수지가 기판 W 위로 공급된다(도 4의 (b) 참조). 토출구로부터 미경화 수지를 토출하면서, 기판(1)을 이동시켜 샷 영역마다 임프린트 재료를 공급한다. 단계 S33(공급 단계)에서, 복수의 샷 영역에 미경화 수지가 공급될 수 있고, 또는, 기판의 전체면에 미경화 수지가 일괄 공급될 수 있다.
미경화 수지가 공급된 샷 영역은 기판(1)을 임프린트 장치 IMP 내로 반입했을 때에 취득한 샷 영역의 배열에 근거해서 패턴 P가 형성된 몰드 M 아래의 위치로 이동된다. 본 예시적인 실시형태의 위치 정렬 방식은 글로벌 얼라인먼트 방식 또는 다이바이다이 얼라인먼트 방식일 수 있다. 글로벌 얼라인먼트 방식에서는, 기판(1) 상의 샷 영역에 형성된 마크를 검출하고, 검출 결과로부터 복수의 샷 영역의 배열을 취득하고, 취득된 배열에 근거해서 몰드의 위치와 기판의 위치를 정렬한다. 다이바이다이 얼라인먼트 방식에서는, 얼라인먼트 스코프(11)가 샷 영역마다 몰드에 형성된 마크와 샷 영역에 형성된 마크를 검출하고, 검출 결과로부터 기판(1)과 몰드(5) 사이의 상대적인 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남이 없어지도록 위치 정렬을 행한다.
위치 정렬을 행한 후, 기판(1)을 몰드(5)에 더 가까이 이동시켜서(간격을 좁혀서), 기판(1) 상의 미경화 수지와 몰드(5)의 패턴을 접촉시킨다(접촉 단계). 단계 S34(임프린트 단계)에서, 미경화 수지를 몰드(5)의 패턴에 가압하여, 몰드(5)의 패턴의 오목부에 미경화 수지를 충전시킨다(도 4의 (c) 참조).
단계 S35(경화 단계)에서, 몰드(5)의 패턴의 오목부에 미경화 수지가 충전된 후, 몰드(5)의 패턴과 미경화 수지를 접촉시킨 상태로 미경화 수지에 자외광을 조사하여 미경화 수지를 경화시킨다. 몰드(5)는 자외광이 투과하는 부재(예를 들면, 석영)로 이루어진다. 광원(6)으로부터 방사된 자외광은 몰드(5)를 통과해서 미경화 수지를 조사한다.
미경화 수지를 경화시킨 후, 단계 S36(이형 단계)에서, 기판(1)과 몰드 사이의 간격을 넓혀서 경화된 수지로부터 몰드(5)를 분리시킨다. 경화된 수지로부터 몰드(5)가 분리되어 기판(1) 상에 패턴이 형성된다(또는, 패턴이 전사된다). 이형 단계에서, 몰드 보유 지지부(5a) 또는 기판 스테이지(3)를 구동시켜서 수지로부터 몰드(5)를 분리시킬 수 있다. 대안적으로, 몰드 보유 지지부(5a)와 기판 스테이지(3)를 동시에, 또는 순차적으로 구동시켜 수지로부터 몰드(5)를 분리시킬 수 있다.
단계 S36의 이형 단계에서 기판(1) 상에 패턴이 형성된 후, 단계 S37에서, 기판(1) 상의 모든 샷 영역에 패턴의 형성이 완료되었는지를 판단한다. 패턴의 형성이 완료되지 않은 경우(단계 S37에서 아니오), 상술한 단계 S33의 공급 단계를 행한다. 기판 스테이지(3)가 이동하여 다음에 패턴을 형성하는 샷 영역에 미경화 수지를 공급한다. 미리 복수의 샷 영역에 미경화 수지가 공급되거나, 기판(1)의 전체면에 일괄적으로 미경화 수지가 공급되는 경우, 단계 S33의 공급 단계를 행하지 않고, 단계 S34의 임프린트 단계로 처리가 진행될 수 있다. 패턴 형성이 완료되었을 경우(단계 S37에서 예), 단계 S38에서, 임프린트 장치 IMP로부터 기판(1)이 반출된다(도 4의 (d) 참조). (도시되지 않은) 기판 반송 유닛이 기판 W를 임프린트 장치 IMP의 기판 척(2)으로부터 외부로 반출하고, 임프린트 사이클을 종료한다.
임프린트 사이클을 행하는 임프린트 장치 IMP가 기판(1)을 장치 IMP로부터 반출하는 시간과, 임프린트 장치 IMP가 기판(1)을 장치 IMP 내로 반입하는 사이에, 몰드(5)에 이물질이 부착될 경우가 많다는 것을 알게 되었다. 그 때문에, 이물질을 제거하지 않고 임프린트 사이클을 행하면, 이물질에 의해 몰드의 패턴이 기판 상에 부정확하게 형성된다는 것을 알게 되었다.
본 발명에서 논의되는 실시형태는, 임프린트 장치 IMP에 반입된 기판(1) 상의 샷 영역을 이용하여 단계 S32의 이물질 제거 단계를 행한다. 이하, 몰드(5)에 부착된 이물질을 제거하기 위한 이물질 제거 단계에 대해서 설명한다.
단계 S32의 이물질 제거 단계를, 기판(1) 상의 샷 영역 중, 몰드(5)의 패턴 전체면이 전사될 수 있는 샷 영역(이하, 풀 샷 영역이라고 지칭한다)에서 행하면, 몰드에 부착된 이물질의 영향으로 샷 영역이 불량 샷이 되어버려, 생산성이 저하한다. 풀 샷 영역에는 몰드(5)의 패턴의 전체를 형성할 수 있다. “불량 샷”이라는 용어는, 패턴의 결함에 의해 디바이스로서 더 이상 사용할 수 없게 된 샷 영역을 말한다.
예시적인 제1 실시형태에 따른 이물질 제거 단계에서는, 기판(1) 상의 샷 영역 중 몰드(5)의 패턴의 일부만이 형성될 수 있는 샷 영역(이하, 부분 샷 영역이라고 지칭한다)에서 행한다. 이것은 기판(1)의 에지를 포함하기 때문에 에지 샷이라고 불리기도 한다. 부분 샷 영역은, 몰드(5)의 패턴의 일부를 형성할 수 있는 영역이며, 통상 디바이스의 생산에는 사용하지 않는 영역이다. 그 때문에, 부분 샷 영역을 이용하여 이물질 제거 단계를 행해도 생산성은 저하되지 않는다. 또한, 1개의 샷 영역 내에 복수의 칩 영역이 형성되어 있을 경우, 부분 샷 영역 내에 형성된 칩 영역에 패턴을 형성할 경우가 있다. 이 경우, 부분 샷 영역 위의 임프린트 재료와 몰드가 접촉한 모든 영역에 몰드의 패턴을 전사시키는 것은 아니다. 그 때문에, 이물질이 부분 샷 영역 내에, 그리고 칩 영역 외부에 존재하고, 부분 샷 영역을 이용하여 이물질 제거 단계를 행하더라도 불량 샷을 야기하지는 않는다. 그 때문에, 단계 S32의 이물질 제거 단계에 부분 샷 영역을 이용해도 생산성의 저하를 억제할 수 있다.
도 5를 참조해서 예시적인 제1 실시형태에 대해서 설명한다. 도 5는 기판(1) 상의 복수의 샷 영역(51)을 나타낸다. 도 5에 도시된 각각의 직사각형 영역이 샷 영역(51)을 나타낸다. 직사각형 영역은, 몰드(5)에 형성되어 있는 패턴 영역에 대응한다. 복수의 샷 영역(51)에는, 부분 샷 영역(52)과, 풀 샷 영역(53)이 포함된다. 부분 샷 영역(52)은 몰드(5)의 패턴의 일부(도 5에서 사선으로 나타낸 영역)가 형성될 수 있는 샷 영역을 나타낸다.
통상은, 풀 샷 영역(531, 532, 533, 534, 535)에 순서대로 패턴을 형성한다. 상기에 나타낸 과제와 같이, 최초에 패턴을 형성한 풀 샷 영역(531)에는, 몰드(5)에 부착된 이물질의 영향으로 패턴을 정확하게 형성할 수 없는 경우가 많다.
따라서, 풀 샷 영역(53)에 패턴을 형성하기 전에, 단계 S32의 이물질 제거 단계에서 부분 샷 영역(52)에 패턴을 형성한다. 단계 S32의 이물질 제거 단계에서 패턴을 형성하는 것을 종종 더미 임프린트라고 지칭한다. 더미 임프린트에서는, 정확하게 패턴을 형성할 필요는 없지만, 도 3의 단계 S33 내지 S36을 행함으로써 이물질을 제거하고 있으므로, 여기에서는 "패턴을 형성한다"라고 지칭한다. 부분 샷 영역 중에서도, 몰드(5)의 패턴의 반(하프 화각) 이상이 전사될 수 있는 부분 샷 영역(525 및 526)에 대해서는, 몰드의 패턴 영역의 일부라고 하더라도, 불량 샷이 되지 않도록 패턴을 형성하는 경우가 있다. 유효 화각(소정의 패턴 영역의 크기)을 설정하여, 유효 화각 이상의 부분 샷 영역에 대하여 몰드의 패턴을 일부라고 하더라도, 불량 샷이 되지 않도록 패턴을 형성하는 경우가 있다.
이하에서는 부분 샷 영역(521, 522, 523, 524)을 이용하여 이물질 제거 단계를 행할 경우에 대해서 설명한다. 어느 쪽의 부분 샷 영역에 패턴 결함이 생기더라도, 그것이 디바이스의 생산에 영향을 미치지 않는다. 예를 들면, 유효 화각 이하의 부분 샷 영역을 선택한다.
이물질 제거 단계에서는 부분 샷 영역(521, 522, 523, 524)의 각각에 대하여, 도 3에서 설명한 단계 S33의 공급 단계, 단계 S34의 임프린트 단계(접촉 단계), 단계 S35의 경화 단계, 단계 S36의 이형 단계를 행한다. 부분 샷 영역 위에 공급된 미경화 수지와 몰드(5)의 패턴을 접촉시키고(접촉 단계), 수지를 접촉시킨 상태로 경화시킴으로써, 몰드(5)에 부착된 이물질을 경화한 수지에 옮겨서 제거할 수 있다.
도 6의 (a), (b), (c), (d)는 몰드(5)와 몰드(5)에 형성된 패턴 영역(5b)을 나타낸다. 부분 샷 영역 위에 패턴을 전사시키기 위해 패턴 영역(5b)과 수지가 접촉한 영역을 사선으로 나타내고 있다. 일반적으로, 몰드(5)의 패턴 영역(5b)의 어느 위치에 이물질이 부착되어 있는지를 모르는 경우가 많다. 그 때문에, 이물질 제거 단계에서는 몰드(5)의 패턴 영역(5b)의 전체면에 미경화 수지와 접촉시키는 것이 바람직하다. 따라서, 부분 샷 영역(521, 522, 523, 524)에 패턴을 형성했을 경우를 상정한다. 도 6의 (a)에서, 부분 샷 영역(521)에 패턴을 전사시킬 경우, 패턴 영역(5b)이 미경화 수지와 접촉하는 영역을 사선으로 나타내고 있다. 도 6의 (b)에서, 부분 샷 영역(522)으로 패턴을 전사시킬 경우, 패턴 영역(5b)이 미경화 수지와 접촉하는 영역을 사선으로 나타내고 있다. 도 6의 (c)에서, 부분 샷 영역(523)으로 패턴을 전사시킬 경우, 패턴 영역(5b)이 미경화 수지와 접촉하는 영역을 사선으로 나타내고 있다. 도 6의 (d)에서, 부분 샷 영역(524)으로 패턴을 전사시킬 경우, 패턴 영역(5b)이 미경화 수지와 접촉하는 영역을 사선으로 나타내고 있다. 도 6의 (a) 내지 (d)에 도시된 수지가 접촉하는 영역을 결합함으로써, 몰드(5)의 패턴 영역(5b)의 전체면이 미경화 수지와 접촉된다는 것을 알 수 있다.
부분 샷 영역(52)이라면 어느 샷 영역을 선택해도 좋은 경우에는, 이물질 제거 단계로서 최초에 모든 부분 샷 영역(52)에 패턴이 형성될 수 있다.
패턴 영역(5b)의 전체면에 미경화 수지와 접촉시키는 것이 바람직하므로, 이물질 제거 단계에서, 부분 샷 영역(526 및 527)을 선택해서 임프린트를 행할 수 있다. 도 7의 (a) 및 (b)는 몰드(5)와 몰드(5)에 형성된 패턴 영역(5b)을 나타낸다. 부분 샷 영역 위에 패턴을 전사시키기 위해 패턴 영역(5b)과 수지가 접촉한 영역을 사선으로 나타내고 있다. 부분 샷 영역(526 및 527)에 임프린트를 행한 경우를 상정한다. 도 7의 (a)에서, 부분 샷 영역(526)에 패턴을 전사시킬 경우, 패턴 영역(5b)이 미경화 수지와 접촉하는 영역을 사선으로 나타내고 있다. 도 7의 (b)에서, 부분 샷 영역(527)에 패턴을 전사시킬 경우, 패턴 영역(5b)이 미경화 수지와 접촉하는 영역을 사선으로 나타내고 있다. 도 7의 (a) 및 도 7의 (b)에 도시된 수지가 접촉하는 영역을 결합하면, 몰드(5)의 패턴 영역(5b)의 전체면이 미경화 수지와 접촉하고 있다는 것을 알 수 있다.
부분 샷 영역(525)과 같이, 패턴 영역(5b)과 접촉하지 않는 영역이 작으면, 부분 샷 영역(525)에 임프린트를 행하기만 해도 된다.
이렇게, 부분 샷 영역(52)을 이용하여 단계 S32에서 이물질 제거 단계를 행하고, 처리는 단계 S33으로 진행되어, 다른 샷 영역에서 순차적으로 패턴을 형성한다. 이것은, 몰드(5)에 부착된 이물질의 영향을 저감해서 기판 상의 샷 영역에 패턴을 형성할 수 있게 한다.
임프린트 장치 IMP에 반입된 기판(1)에 이물질이나 기초층의 결함(에러)이 존재하여, 임프린트 장치로 패턴을 형성하는 경우에 불량 샷 영역이 포함되는 경우가 있다. 기판(1)의 샷 영역 중 에러를 갖는 샷 영역을 여기에서는 에러 샷 영역이라고 부르고, 에러가 없는 샷 영역을 정상 샷 영역이라고 지칭한다.
단계 S32의 이물질 제거 단계를 기판(1)의 샷 영역 중 정상 샷 영역에서 행하면, 몰드에 부착된 이물질의 영향으로 샷 영역이 불량 샷이 되어버려서 생산성이 저하된다.
예시적인 제2 실시형태에서는, 이물질 제거 단계가 기판(1)의 샷 영역 중 에러 샷 영역에서 행해진다. 단계 S32의 이물질 제거 단계에서 에러 샷 영역에 패턴을 형성함으로써, 생산성의 저하를 억제하고, 몰드(5)에 부착된 이물질을 제거할 수 있다.
도 8을 참조해서 예시적인 제2 실시형태에 대해서 설명한다. 도 8은 기판(1) 상의 복수의 샷 영역(61)을 나타낸다. 도 8에 도시된 각각의 직사각형 영역이 샷 영역(61)을 나타낸다. 직사각형 영역은 몰드(5)에 형성되어 있는 패턴 영역에 대응한다. 복수의 샷 영역(61)에는, 에러 샷 영역(62)과, 정상 샷 영역(63)이 포함된다. 이하에서는, 기판(1)이 에러 샷 영역(621 및 622)(도 8에서 사선으로 나타낸 샷 영역)을 포함하는 경우에 대해서 설명한다. 여기에서는 다른 샷 영역을 정상 샷 영역으로 간주한다. 정상 샷 영역은 예시적인 제1 실시형태에서 설명한 풀 샷 영역 뿐만 아니라 부분 샷 영역을 포함할 수 있다.
에러 샷 영역(62)은 임프린트 장치 IMP에 기판(1)이 반입되기 전에 패턴에 결함이 존재하고 있는 것을 이미 알고 있는 샷 영역이다. 예를 들면, 에러 샷 영역의 수 및 위치에 관한 정보는, 임프린트 장치 IMP에 반입하기 전에 기판(1)을 검사함으로써 사전에 얻을 수 있다. 임프린트 장치 IMP에 기판(1)을 반입하기 전에 사전에 얻어진 에러 샷 영역에 관한 정보를 제어 유닛 CNT의 메모리 MRY에 저장한다. 도 3에 나타내는 임프린트 사이클이 실시될 때, 제어 유닛 CNT의 메모리 MRY에 저장된 에러 샷 영역에 관한 정보에 기초하여, 이물질 제거 단계에서 에러 샷 영역에 최초로 패턴을 형성한다.
통상적으로, 정상 샷 영역(631, 632, 633, 634, 635)에 순서대로 패턴을 형성한다. 최초로 패턴을 형성한 정상 샷 영역(631)에는, 몰드(5)에 부착된 이물질의 영향으로 패턴을 정확하게 형성할 수 없을 수도 있다.
따라서, 정상 샷 영역(63)에 패턴을 형성하기 전에, 단계 S32의 이물질 제거 단계에서 에러 샷 영역(62)에 패턴을 형성한다. 이하에서는 에러 샷 영역(621 및 622)을 이용하여 이물질 제거 단계를 행할 경우에 대해서 설명한다. 임프린트 단계에서 어느 쪽의 에러 샷 영역에 패턴 결함이 생기더라도, 이 영역에서는 디바이스의 생산에 영향을 미치지 않는다.
이물질 제거 단계에서는 에러 샷 영역(621, 622)의 각각에 대하여, 도 3에서 설명한 단계 S33의 공급 단계, 단계 S34의 임프린트 단계(접촉 단계), 단계 S35의 경화 단계, 단계 S36의 이형 단계를 행한다. 에러 샷 영역 위에 공급된 미경화 수지와 몰드(5)의 패턴을 접촉시키고(접촉 단계), 수지를 접촉시킨 상태로 수지를 경화시킴으로써, 몰드(5)에 부착된 이물질을 경화된 수지에 옮겨서 제거할 수 있다.
단계 S32의 이물질 제거 단계를 에러 샷 영역(62)을 이용하여 수행하고, 처리는 단계 S33으로 진행되고, 정상 샷 영역에 순차적으로 패턴을 형성한다. 이것은, 몰드(5)에 부착된 이물질의 영향을 감소시켜서 기판 상의 샷 영역에 패턴을 형성할 수 있게 한다.
상기 예시적인 실시형태는 몰드(5)에 부착된 이물질을 제거하는 것을 목적으로 한 이물질 제거 단계로서 설명되었다. 그러나, 몰드(5)에 이물질이 부착되지 않고 있을 경우라도, 최초에 부분 샷 영역이나 에러 샷 영역에 패턴을 형성하는 것이 바람직하다.
수지에는 이형제 등의 성분이 일정 농도로 첨가된다. 몰드(5)는 단계 S34의 임프린트 단계 시에 미경화 수지에 대해 가압되어, 미경화 수지 내의 이형제가 수지로부터 몰드로 스며나와서 막 형상으로 부착된다. 몰드는 이형제의 막이 형성됨으로써, 단계 S36의 이형 단계 시에 경화된 수지로부터 몰드(5)가 떨어지기 쉬워진다. 이것은 이형 성능을 개선시켜 이형 시에 생기는 패턴의 결함을 감소시킬 수 있다. 단계 S34의 임프린트 시에 몰드에 막이 형성되지만, 미리 막이 형성되어 있는 몰드(5)를 미경화 수지에 대해 가압하여, 단계 S36의 이형 단계를 행함으로써, 보다 안정된 이형 성능을 확보할 수 있다.
막이 형성된 몰드가 장기간(예를 들면, 임프린트 장치로부터 기판을 반출해서 새로운 기판을 반입하는 기간) 방치된 경우에는, 이형제가 휘발해 몰드로부터 이형제의 막이 사라지는 경우가 있다. 그 때문에, 임프린트 장치에 기판이 반입된 후, 최초에 부분 샷 영역 및 에러 샷 영역에 패턴을 형성함으로써, 몰드 측에 이형제의 막을 형성할 수 있다. 풀 샷 영역이나 정상 샷 영역에 패턴을 형성할 때, 안정된 이형 성능을 확보할 수가 있고, 이형 시에 생기는 패턴 결함을 감소시킬 수도 있다.
상기 예시적인 실시형태에서, 부분 샷 영역 및 에러 샷 영역에 패턴을 형성하는 단계(더미 임프린트)를 단계 S32의 이물질 제거 단계로서 설명했다. 그러나, 이물질 제거 단계와, 그 후의 단계 S33 내지 S36 모두에서 기본적으로는 같은 순서(방법)로 패턴이 형성된다. 그 때문에, 단계 S32의 이물질 제거 단계를 특별히 마련하지 않아도 된다. 이 경우, 단계 S31에서 임프린트 장치 IMP에 기판(1)을 반입한 후, 단계 S33에서 공급 단계를 행할 때에, 부분 샷 영역 및 에러 샷 영역에 최초에 미경화 수지를 공급한다. 기판(1)의 복수의 샷 영역에 대하여, 부분 샷 영역 및 에러 샷 영역에 패턴을 먼저 형성하도록 패턴을 형성하는 순서를 결정해서 임프린트 사이클을 실행한다. 최초의 수 부분 샷 영역 및 에러 샷 영역에 패턴을 형성하여(더미 임프린트), 몰드(5)에 부착된 이물질을 제거한다.
상기 예시적인 실시형태에서, 광으로서 자외광을 이용한 임프린트 장치에 대해서 설명했다. 그러나, 광으로서 자외광에 한정되지 않고 다른 파장 영역의 광의 조사에 의해 수지를 경화시키는 다른 임프린트 방법도 이용 가능하다. 이 경우, 조사되는 광의 파장에 따라서 임프린트 재료가 적절하게 선택될 수 있다. 또한, 본 발명은, 광을 이용한 임프린트 방법 이외에, 다른 에너지(예를 들면, 열)를 이용하여 수지를 경화시키는 임프린트 방법에도 적용될 수 있다.
<디바이스 제조 방법>
물품으로서의 디바이스(반도체 집적 회로, 액정 표시 디바이스, MEMS(micro electro mechanical systems) 등)의 제조 방법은, 전술한 임프린트 장치를 이용하여 기판(웨이퍼, 글래스 플레이트, 필름 형상 기판 등)에 패턴을 전사(형성)하는 단계를 포함한다. 디바이스의 제조 방법은 패턴이 전사된 상기 기판을 에칭하는 단계를 더 포함할 수 있다. 패터닝된 매체(기록 매체)나 광학 소자 등의 다른 물품을 제조하는 경우에는, 그 제조 방법은 에칭 대신에 패턴이 전사된 기판을 가공하는 것 이외의 단계를 포함할 수 있다. 본 예시적인 실시형태의 물품 제조 방법은, 물품의 성능, 품질, 생산성, 생산 비용의 적어도 하나에서 유리하다.
본 발명이 예시적인 실시형태를 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시형태에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 특허청구범위의 범위는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.

Claims (9)

  1. 몰드를 이용하여 기판 상의 복수의 샷 영역에 공급된 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 복수의 샷 영역은 상기 기판의 외주를 포함하는 부분 샷 영역을 포함하고, 복수의 상기 부분 샷 영역에 공급된 상기 임프린트 재료와 상기 몰드에 형성된 패턴의 일부를 접촉시켜서 상기 몰드에 형성된 패턴의 일부를 상기 기판 상에 형성함으로써, 상기 몰드의 패턴에 부착된 이물질을 제거하는 단계와,
    상기 이물질을 제거한 상기 몰드를 이용하여, 상기 복수의 샷 영역 중 상기 부분 샷 영역과는 다른 샷 영역에 공급된 상기 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    복수의 상기 부분 샷 영역에 공급된 상기 임프린트 재료와 상기 몰드를 접촉시켜 상기 몰드의 패턴의 전체에 상기 임프린트 재료를 접촉시키고, 상기 몰드의 패턴의 전체를 상기 기판에 전사시킴으로써, 상기 몰드의 패턴에 부착된 이물질을 제거하는, 임프린트 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 샷 영역은 상기 몰드의 패턴의 전체가 형성될 수 있는 풀 샷 영역을 포함하고,
    상기 임프린트 방법은, 상기 이물질을 제거하는 단계에서 사용된 상기 몰드를 이용하여 상기 풀 샷 영역에 패턴을 전사시키는 단계를 더 포함하는, 임프린트 방법.
  4. 몰드를 이용하여 기판 상의 복수의 샷 영역에 공급된 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 복수의 샷 영역은 상기 기판의 외주를 포함하는 부분 샷 영역과 상기 샷 영역에 미리 형성된 패턴에 에러를 갖는 에러 샷 영역을 포함하고, 상기 부분 샷 영역과 상기 에러 샷 영역에 공급된 상기 임프린트 재료와 상기 몰드를 접촉시켜서 상기 몰드에 형성된 패턴을 상기 기판 상에 형성함으로써, 상기 몰드의 패턴에 부착된 이물질을 제거하는 단계와,
    상기 이물질을 제거한 상기 몰드를 이용하여, 상기 복수의 샷 영역 중 상기 에러 샷 영역과는 다른 샷 영역에 공급된 상기 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 샷 영역은 상기 샷 영역에 미리 형성된 패턴에 에러를 갖지 않는 정상 샷 영역을 포함하고,
    상기 임프린트 방법은, 상기 이물질을 제거하는 단계에서 사용된 상기 몰드를 이용하여 상기 정상 샷 영역에 패턴을 전사시키는 단계를 더 포함하는, 임프린트 방법.
  6. 몰드를 이용하여 기판 상의 복수의 샷 영역에 공급된 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 기판 상에 상기 임프린트 재료를 공급하는 단계와,
    상기 공급하는 단계에서 상기 기판 상에 공급된 상기 임프린트 재료와 상기 몰드의 패턴을 접촉시키는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 샷 영역은 상기 몰드의 패턴의 일부가 형성될 수 있는 부분 샷 영역을 포함하고,
    상기 접촉시키는 단계에서는, 최초에, 하나 이상의 상기 부분 샷 영역에 공급된 상기 임프린트 재료와 상기 몰드를 접촉시키는, 임프린트 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 접촉시키는 단계에서는, 최초에, 복수의 상기 부분 샷 영역에 공급된 상기 임프린트 재료와 상기 몰드를 접촉시켜서, 상기 몰드의 패턴의 전체에 상기 임프린트 재료를 접촉시키는, 임프린트 방법.
  8. 몰드를 이용하여 기판 상의 복수의 샷 영역에 공급된 임프린트 재료의 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드를 보유 지지하도록 구성되는 몰드 보유 지지부와,
    상기 기판 상에 공급된 상기 임프린트 재료와 상기 몰드의 패턴을 접촉시키도록 상기 몰드 보유 지지부를 제어하는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 복수의 샷 영역은 상기 기판의 외주를 포함하는 부분 샷 영역과 상기 샷 영역에 미리 형성된 패턴에 에러를 갖는 에러 샷 영역을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 상기 부분 샷 영역과 상기 에러 샷 영역에 공급된 상기 임프린트 재료와 상기 몰드를 접촉시켜서 상기 몰드에 형성된 패턴을 상기 기판 상에 형성함으로써, 상기 몰드의 패턴에 부착된 이물질을 제거하고, 상기 이물질을 제거한 상기 몰드를 이용하여, 상기 복수의 샷 영역 중 상기 에러 샷 영역과는 다른 샷 영역에 공급된 상기 임프린트 재료의 패턴을 형성하도록, 상기 몰드 보유 지지부를 제어하는, 임프린트 장치.
  9. 디바이스 제조 방법이며,
    제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 임프린트 방법을 이용하여 기판 상의 임프린트 재료에 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 임프린트 재료에 형성된 패턴을 이용하여 상기 기판을 가공하는 단계를 포함하며,
    상기 디바이스가 가공된 상기 기판을 포함하는, 디바이스 제조 방법.
KR1020180001169A 2013-06-28 2018-01-04 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법 KR101869671B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013136919A JP6315904B2 (ja) 2013-06-28 2013-06-28 インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法
JPJP-P-2013-136919 2013-06-28

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140079684A Division KR20150002527A (ko) 2013-06-28 2014-06-27 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180006468A KR20180006468A (ko) 2018-01-17
KR101869671B1 true KR101869671B1 (ko) 2018-06-20

Family

ID=52114822

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140079684A KR20150002527A (ko) 2013-06-28 2014-06-27 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법
KR1020180001169A KR101869671B1 (ko) 2013-06-28 2018-01-04 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140079684A KR20150002527A (ko) 2013-06-28 2014-06-27 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9952504B2 (ko)
JP (1) JP6315904B2 (ko)
KR (2) KR20150002527A (ko)
TW (1) TWI545621B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6333039B2 (ja) 2013-05-16 2018-05-30 キヤノン株式会社 インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法
WO2017099492A1 (ko) * 2015-12-08 2017-06-15 주식회사 기가레인 임프린트 장치 및 방법
CN106228913B (zh) * 2016-08-24 2022-12-30 京东方科技集团股份有限公司 转印设备及其转印方法
JP7043199B2 (ja) * 2017-08-03 2022-03-29 キヤノン株式会社 インプリント方法、プログラム、インプリント装置及び物品の製造方法
US10901327B2 (en) 2018-12-20 2021-01-26 Canon Kabushiki Kaisha Automatic defect analyzer for nanoimprint lithography using image analysis

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100916177B1 (ko) * 2006-11-22 2009-09-08 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 수지몰드 장치 및 수지몰드 방법
KR20100035111A (ko) * 2008-09-25 2010-04-02 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR20120102014A (ko) * 2011-03-07 2012-09-17 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP2012238674A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Canon Inc インプリント装置、及び、物品の製造方法
KR20120139555A (ko) * 2011-06-17 2012-12-27 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치 및 디바이스 제조 방법

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2264523A3 (en) 2000-07-16 2011-11-30 Board Of Regents, The University Of Texas System A method of forming a pattern on a substrate in imprint lithographic processes
JP2005116978A (ja) 2003-10-10 2005-04-28 Sumitomo Heavy Ind Ltd ナノインプリント装置及び方法
JP4481698B2 (ja) * 2004-03-29 2010-06-16 キヤノン株式会社 加工装置
EP1742893B1 (en) 2004-04-27 2012-10-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Composite patterning devices for soft lithography
CN105467775B (zh) * 2004-06-09 2018-04-10 株式会社尼康 曝光装置及元件制造方法
JP2006165371A (ja) 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc 転写装置およびデバイス製造方法
US8011916B2 (en) 2005-09-06 2011-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint apparatus, and process for producing structure
US7639345B2 (en) * 2005-10-18 2009-12-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4533358B2 (ja) 2005-10-18 2010-09-01 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法
US7405417B2 (en) * 2005-12-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination
US7897110B2 (en) * 2005-12-20 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. System and method for detecting at least one contamination species in a lithographic apparatus
US7690910B2 (en) 2006-02-01 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Mold for imprint, process for producing minute structure using the mold, and process for producing the mold
JP5213335B2 (ja) 2006-02-01 2013-06-19 キヤノン株式会社 インプリント用モールド、該モールドによる構造体の製造方法
US7846266B1 (en) 2006-02-17 2010-12-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Environment friendly methods and systems for template cleaning and reclaiming in imprint lithography technology
JP4185941B2 (ja) 2006-04-04 2008-11-26 キヤノン株式会社 ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
US7978308B2 (en) * 2006-05-15 2011-07-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008194838A (ja) 2007-02-08 2008-08-28 Sii Nanotechnology Inc ナノインプリントリソグラフィーのモールド検査方法及び樹脂残渣除去方法
KR101427983B1 (ko) 2007-05-25 2014-09-23 구완회 얼라인먼트 방법 및 장치
JP5037243B2 (ja) 2007-07-06 2012-09-26 富士フイルム株式会社 界面結合剤、該界面結合剤を含有するレジスト組成物、及び該界面結合剤からなる層を有する磁気記録媒体形成用積層体、並びに該界面結合剤を用いた磁気記録媒体の製造方法、及び該製造方法により製造された磁気記録媒体
JP2009088264A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Toshiba Corp 微細加工装置およびデバイス製造方法
JP5121549B2 (ja) * 2008-04-21 2013-01-16 株式会社東芝 ナノインプリント方法
JP4660581B2 (ja) 2008-09-19 2011-03-30 株式会社東芝 パターン形成方法
JP2010080631A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Canon Inc 押印装置および物品の製造方法
JP2010093187A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
NL2003421A (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of removing contamination.
JP4892026B2 (ja) 2009-03-19 2012-03-07 株式会社東芝 パターン形成方法
JP2011009250A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Toshiba Corp 基板処理方法、半導体装置の製造方法及びインプリント装置
JP5662741B2 (ja) 2009-09-30 2015-02-04 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP5697345B2 (ja) * 2010-02-17 2015-04-08 キヤノン株式会社 インプリント装置、及び物品の製造方法
NL2006458A (en) * 2010-05-05 2011-11-08 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5214683B2 (ja) * 2010-08-31 2013-06-19 株式会社東芝 インプリントレシピ作成装置及び方法並びにインプリント装置及び方法
JP2012084732A (ja) 2010-10-13 2012-04-26 Canon Inc インプリント方法及び装置
WO2012063948A1 (ja) * 2010-11-12 2012-05-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 金型の微細パターン面清掃方法とそれを用いたインプリント装置
JP2012159448A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Toshiba Corp 欠陥検査方法および半導体装置の製造方法
JP2012178470A (ja) 2011-02-25 2012-09-13 Canon Inc インプリント装置及びデバイスの製造方法
JP5836652B2 (ja) 2011-06-10 2015-12-24 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP5863286B2 (ja) * 2011-06-16 2016-02-16 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP2013008911A (ja) 2011-06-27 2013-01-10 Canon Inc クリーニング方法、それを用いたインプリント装置および物品の製造方法
JP5864929B2 (ja) 2011-07-15 2016-02-17 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP5498448B2 (ja) 2011-07-21 2014-05-21 株式会社東芝 インプリント方法及びインプリントシステム
JP5823938B2 (ja) * 2012-09-07 2015-11-25 株式会社東芝 モールド洗浄装置及びモールド洗浄方法
CN104685970B (zh) * 2012-09-28 2016-10-19 吉坤日矿日石能源株式会社 检查具有不规则凹凸表面的基板的装置及使用该装置的检查方法
JP6333039B2 (ja) 2013-05-16 2018-05-30 キヤノン株式会社 インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法
JP6120678B2 (ja) 2013-05-27 2017-04-26 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及びデバイス製造方法
JP6271875B2 (ja) * 2013-06-18 2018-01-31 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6360287B2 (ja) * 2013-08-13 2018-07-18 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、位置合わせ方法、および物品の製造方法
JP6313591B2 (ja) * 2013-12-20 2018-04-18 キヤノン株式会社 インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法
JP6278833B2 (ja) * 2014-05-21 2018-02-14 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP6399839B2 (ja) * 2014-07-15 2018-10-03 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6549834B2 (ja) * 2014-11-14 2019-07-24 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP6525628B2 (ja) * 2015-02-13 2019-06-05 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP6632234B2 (ja) * 2015-07-14 2020-01-22 キヤノン株式会社 基板処理装置、および、物品製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100916177B1 (ko) * 2006-11-22 2009-09-08 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 수지몰드 장치 및 수지몰드 방법
KR20100035111A (ko) * 2008-09-25 2010-04-02 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR20120102014A (ko) * 2011-03-07 2012-09-17 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP2012238674A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Canon Inc インプリント装置、及び、物品の製造方法
KR20120139555A (ko) * 2011-06-17 2012-12-27 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치 및 디바이스 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP6315904B2 (ja) 2018-04-25
TWI545621B (zh) 2016-08-11
US9952504B2 (en) 2018-04-24
US20150001746A1 (en) 2015-01-01
KR20150002527A (ko) 2015-01-07
TW201503233A (zh) 2015-01-16
KR20180006468A (ko) 2018-01-17
JP2015012163A (ja) 2015-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101869671B1 (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법
JP6333039B2 (ja) インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法
US9387607B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method for producing device
JP5863286B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
KR102025975B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
US10112324B2 (en) Imprint method, imprint apparatus, and production method for article
JP2020181870A (ja) 成形装置、決定方法、および物品製造方法
US20150360394A1 (en) Imprint apparatus, imprint method, method of manufacturing article, and supply apparatus
KR102317410B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법, 임프린트재의 배치 패턴의 결정 방법 및 물품의 제조 방법
KR102316054B1 (ko) 거푸집, 임프린트 장치, 및 물품의 제조 방법
KR20190022364A (ko) 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
KR20180048323A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
JP6351412B2 (ja) インプリント装置及び方法、物品の製造方法、並びにプログラム
US11567402B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP7465146B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置、判定方法及び物品の製造方法
JP2022038752A (ja) 基板処理方法、基板保持装置、成形装置、及び物品の製造方法
US20210379800A1 (en) Imprint device, article manufacturing method, and measuring method for imprint device
JP6921501B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
JP6157579B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP2019204895A (ja) 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、成形方法、基板処理方法、および、物品製造方法
JP2018092995A (ja) 塗布装置、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP2019021875A (ja) インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right