KR102025975B1 - 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 상의 임프린트재에 몰드를 사용하여 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치를 제공하고, 장치는 임프린트 처리가 수행되는 동안 에러의 발생을 검지하도록 구성되는 검지 유닛, 및 기판 상의 임프린트재가 경화되기 전에 검지 유닛이 에러의 발생을 검지하는 경우, 임프린트 처리를 중단하고 기판 상의 임프린트재를 경화시켜서 기판을 임프린트 장치로부터 반출하는 에러 처리를 수행하도록 구성되는 제어 유닛을 포함한다.

Description

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 미세화에 대한 요구가 증가함에 따라, 종래의 포토리소그래피 기술에 추가로, 몰드를 사용하여 기판 상의 임프린트재(수지)에 패턴을 형성하는 임프린트 장치가 주목 받고 있다. 임프린트 장치는 기판 상에 대략 수 nm의 미세 패턴(구조체)을 형성할 수 있다.
임프린트 장치에서 임프린트재를 경화하는 일 방법으로서, 자외선 등의 광의 조사에 의해 임프린트재를 경화시키는 광경화법이 이용 가능하다. 광경화법을 사용하는 임프린트 장치는 기판의 샷 영역(임프린트 영역) 상의 임프린트재를, 임프린트재가 몰드와 접촉한 상태에서 광으로 임프린트재를 조사함으로써 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 이형시키고, 이에 의해 패턴을 형성한다.
추가로, 임프린트 장치는 가끔씩 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 실행하는 동안 임프린트 처리의 계속(속행)을 불가능하게 하는, 여러 가지 요인에 의해 발생되는 에러가 발생하는 경우가 있다. 일본 특허 공개 제2011-49405호는 주 본체 유닛에서 발생하는 에러에 관한 복구 방법의 정보, 복구 방법에 대응하는 복수 유형의 평가값의 정보를 구비하고 우선 순위에 기초하여 주 본체 유닛을 복구하는, 반도체 노광 장치의 제어를 실행하는 기술을 개시한다.
상술된 바와 같이, 임프린트 장치는 기판(샷 영역)에 임프린트재를 공급(도포)하고 임프린트재가 몰드와 접촉한 상태에서 광에 의한 조사에 의해 임프린트재를 경화한다. 몇몇 경우, 따라서, 임프린트 처리의 계속을 불가능하게 하는 에러가 임프린트 장치에서 발생하고, 기판은 임프린트재가 경화되지 않은 상태에서 장치로부터 반출된다. 미경화된 임프린트재로부터 방출되는 화학 물질은 기판을 반송하는 장치, 임프린트 장치로부터 반출된 기판이 반입되는 외부 장치 등을 오염시킨다. 일본 특허 공개 제2011-49405호에 개시된 기술은 반도체 노광 장치의 복구에는 유리하지만, 임프린트 장치에 대해 특유한 상술된 문제점을 해결하는 것이 아니다.
본 발명은 기판 상의 미경화된 임프린트재에 의해 발생되는 오염을 저감하는 데 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 기판 상의 임프린트재에 몰드를 사용하여 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치가 제공되고, 장치는 임프린트 처리가 수행되는 동안 에러의 발생을 검지하도록 구성되는 검지 유닛, 및 기판 상의 임프린트재가 경화되기 전에 검지 유닛이 에러의 발생을 검지하는 경우, 임프린트 처리를 중단하고 기판 상의 임프린트재를 경화시켜서 기판을 임프린트 장치로부터 반출하는 에러 처리를 수행하도록 구성되는 제어 유닛을 포함한다.
본 발명의 추가 양태는 첨부 도면을 참조하여 이하의 예시적인 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 2는 도 1에 도시된 임프린트 장치에서의 임프린트 처리 및 에러 처리를 설명하기 위한 흐름도.
도 3은 도 2에 도시된 에러 처리의 상세를 나타내는 흐름도.
도 4는 도 2에 도시된 에러 처리의 상세를 도시하는 흐름도.
도 5는 도 2에 도시된 에러 처리의 상세를 나타내는 흐름도.
본 발명의 바람직한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 이하에서 설명될 것이다. 도면에 걸쳐 동일한 참조 번호는 동일한 부재를 나타내고, 그 반복적인 설명은 제공되지 않는 점에 유의한다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따르는 임프린트 장치(1)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(1)는 물품으로서 반도체 디바이스 등의 디바이스의 제조에 사용되는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(1)는 기판의 임프린트재 상에 몰드를 사용하여 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행한다. 임프린트 장치(1)는 기판 상의 임프린트재가 몰드와 접촉한 상태에서 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재를 몰드로부터 이형시킴으로써 기판 상에 몰드에 형성된 패턴을 전사한다. 본 실시예는 임프린트재로서 수지를 사용하고, 수지의 경화법으로서 자외선의 조사에 의해 수지를 경화시키는 광경화법을 채용한다. 이하의 설명에서, 기판 상의 수지를 자외선으로 조사하는 조사계의 광축에 평행한 방향(몰드의 패턴이 기판 상의 임프린트재와 접촉하게 되는 방향)이 Z축으로 규정되고, Z축에 수직인 평면 내에서 서로 직교하는 2개의 방향이 X축 및 Y축으로 규정된다.
임프린트 장치(1)는 분위기를 청정 환경으로 유지하기 위한 청정 챔버(미도시) 내에 수용된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 임프린트 장치(1)는 기판 보유 유닛(2), 몰드 보유 유닛(3), 정렬 계측 시스템(4), 조사 유닛(5), 제어 유닛(6), 수지 공급 유닛(7), 가스 공급 유닛(미도시), 및 검지 유닛(30)을 포함한다. 또한, 임프린트 장치(1)는 몰드 보유 유닛(3)을 보유하기 위한 브리지 정반(14), 브리지 정반(14)을 지지하기 위한 지주(15), 및 기판 보유 유닛(2)을 보유하기 위한 베이스 정반(20)을 포함한다.
기판 보유 유닛(2)은 기판(8)을 보유하고, 기판(8)과 몰드(11) 사이의 정렬(병진 시프트 보정)을 수행하기 위한 유닛이다. 기판 보유 유닛(2)은 기판 척(9) 및 기판 스테이지(10)를 포함한다. 기판 척(9)은 진공 흡착력 또는 정전력에 의해 기판(8)을 보유한다. 기판 척(9)은 진공 흡착 패드에 의해 기판 스테이지(10) 상에 지지된다. 기판 스테이지(10)는 조도 구동계 및 미동 구동계 등 복수의 구동계를 포함하고, 기판 척(9)에 보유된 기판(8)을 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동시킨다. 또한, 기판 스테이지(10)는 기판(8)의 Z축 방향의 위치를 조정하는 기능, 기판(8)의 θ(Z축 둘레 회전) 방향의 위치를 조정하는 기능, 기판(8)의 기울기를 조정하는 기능을 구비할 수 있다.
기판(8)은 예를 들어 단결정 실리콘 기판, SOI(Silicon on Insulator) 기판, 및 유리 기판을 포함한다. 몰드(11)에 의해 성형되는 수지가 기판(8)에 공급(도포)된다.
몰드(11)는 직사각형의 외형 형상을 갖고, 기판(8)에 대향하는 면에 3차원적으로 형성되는 패턴(회로 패턴과 같이 기판(8)에 전사되는 요철 패턴)을 포함한다. 몰드(11)는 자외선을 투과시키는 재료, 예를 들어 석영으로부터 형성된다.
몰드 보유 유닛(3)은 몰드(11)를 보유하고 기판 상의 수지와 몰드(11)를 접촉시키기 위한 유닛이다. 몰드 보유 유닛(3)은 몰드 척(12), 형상 조정 유닛(13), 및 몰드 스테이지(19)를 포함한다. 몰드 척(12)은 진공 흡착력 또는 정전력에 의해 몰드(11)를 보유한다. 몰드 척(12)은 진공 흡착 패드에 의해 몰드 스테이지(19)에 지지된다. 몰드 스테이지(19)는 조도 구동계 및 미동 구동계 등 복수의 구동계를 포함하고, 몰드 척(12)에 보유된 몰드(11)를 Z축 방향으로 이동시킨다. 기판 상의 수지와 몰드(11) 상의 패턴을 접촉시키기 위해, 몰드(11)과 기판(8) 사이의 간격이 좁아지도록 제어가 수행된다. 대안적으로, 몰드 보유 유닛(3) 및 기판 보유 유닛(2)은 상대적으로 또는 순차적으로 이동될 수 있다. 추가로, 몰드 보유 유닛(3) 및 기판 보유 유닛(2) 중 적어도 하나가 이동될 수 있다. 또한, 몰드 스테이지(19)는 몰드(11)의 X축 방향, Y축 방향, 및 θ(Z축 둘레 회전) 방향의 위치를 조정하는 기능, 몰드(11)의 기울기를 조정하는 기능 등을 구비할 수 있다. 형상 조정 유닛(13)은 몰드 척(12)에 배열되고 예를 들어 몰드 척(12)에 의해 보유되는 몰드(11)의 측면에 힘(변위)을 인가함으로써 몰드(11)(의 패턴)의 형상을 조정(보정)한다.
정렬 계측 시스템(4)은 기판(8)에 형성된 정렬 마크 및 몰드(11)에 형성된 정렬 마크를 검지하고, 기판(8)과 몰드(11) 사이의 X축 방향 및 Y축 방향으로의 위치 어긋남 및 기판(8)과 몰드(11) 사이의 형상 차이(예를 들어, 배율)를 계측한다.
조사 유닛(5)은 기판 상의 수지를 자외선(즉, 기판 상의 수지를 경화시키기 위한 광)으로 조사한다. 조사 유닛(5)은 광원(16), 광원(16)로부터의 자외선을 적절한 광으로 조정하기 위한 광학계(17), 광원(16)로부터의 자외선을 기판 상의 수지를 향해서 반사하는 미러(18)를 포함한다.
수지 공급 유닛(7)은 기판(8)에 수지를 공급(도포)한다. 본 실시예에 따르면, 수지 공급 유닛(7)은 수지 토출 노즐(미도시)을 포함하고, 수지 토출 노즐로부터 기판(8)으로 수지를 토출한다. 수지 공급 유닛(7)로부터 공급되는 수지의 공급량은 예를 들어 기판(8)에 형성되는 수지의 패턴의 두께(잔여막 두께) 또는 밀도에 따라서 설정된다.
가스 공급 유닛은 몰드(11)의 근방에 배열되는 가스 공급 노즐을 개재하여 기판 상의 수지와 몰드(11) 사이의 공간으로 가스를 공급한다. 즉, 가스 공급 유닛은 기판 상의 수지와 몰드(11) 사이의 공간의 대기를 원하는 가스로 교체한다. 이러한 가스는 예를 들어 높은 확산성을 갖는 헬륨 가스를 포함한다.
검지 유닛(30)은 임프린트 처리가 수행되는 동안 에러를 검지한다. 이러한 에러는, 예를 들어 임프린트 처리의 계속(속행)을 불가능하게 하는 에러이고, 특히, 임프린트 처리가 행해지는 기판(8)을 즉시 임프린트 장치(1)로부터 반출할 필요가 있는 에러이다. 추가로, 이러한 에러는 임프린트 장치(1)의 내부 및 외부의 이상에 의해 발생된다.
검지 유닛(30)은 임프린트 장치(1)의 내부 환경의 변화를 검지함으로써 에러의 발생을 검지하는 제1 검지 유닛(22), 및 임프린트 장치(1)의 외부 환경의 변화를 검지함으로써 에러의 발생을 검지하는 제2 검지 유닛(21)을 포함한다. 추가로, 본 실시예에서, 검지 유닛(30)은 임프린트 장치(1)의 내부 환경의 변화 및 임프린트 장치(1)의 외부 환경의 변화 모두를 검지할 수 있다. 그러나, 검지 유닛(30)은 임프린트 장치(1)의 내부 환경의 변화 및 임프린트 장치(1)의 외부 환경의 변화 중 적어도 하나를 검지할 수 있다.
제1 검지 유닛(22)은, 예를 들어 온도 센서, 압력 센서, 유량 센서, 변위 센서, 광량 센서를 포함하고, 임프린트 처리가 수행되는 공간에서의 온도, 압력 및 기체의 성분 농도 중 적어도 하나를 검지한다. 제2 검지 유닛(21)은, 예를 들어 임프린트 장치(1)의 외부로부터의 이상 신호를 수신하는 수신 유닛을 포함하고, 임프린트 장치(1)에 전달되는 진동을 검지한다. 외부로부터의 이상 신호로서, 진원지로부터의 진동(흔들림)의 전달 이전에, 지진 조기 경고 등의 정보를 사용함으로써 임프린트 장치(1)의 안전한 상태로의 이행을 위한 신호를 사용할 수 있다. 추가로, 제2 검지 유닛(21)에 의해 수신되는 외부 이상 신호로서, 정전 또는 화재를 통지하는 신호를 사용할 수 있다. 이들 외부 이상 신호는 제2 검지 유닛(21)을 통하지 않고 제어 유닛(6)에 입력될 수 있는 점에 유의한다.
제어 유닛(6)은 CPU 및 메모리를 포함하고, 임프린트 장치(1)의 전체 동작을 제어한다. 제어 유닛(6)은 임프린트 장치(1)의 각 유닛의 동작, 조정 등을 제어함으로써 임프린트 처리를 수행한다. 또한, 기판 상의 수지가 경화되기 전에 검지 유닛(30)이 에러의 발생을 검지하는 경우, 제어 유닛(6)은 임프린트 처리를 중단하고, 기판 상의 수지를 경화시켜서 기판(8)을 임프린트 장치(1)로부터 반출하는 에러 처리를 수행한다.
도 2를 참조하여, 임프린트 장치(1)에서의 임프린트 처리 및 에러 처리가 설명될 것이다. 상술한 바와 같이, 제어 유닛(6)은 임프린트 장치(1)의 각각의 유닛을 포괄적으로 제어함으로써 임프린트 처리 및 에러 처리를 수행한다.
단계(S1)에서, 제어 유닛(6)은 기판 반송 기구(미도시)가 기판(8)을 임프린트 장치(1)로 반입하고, 기판 보유 유닛(2)이 기판(8)을 보유하도록 한다. 단계(S2)에서, 제어 유닛(6)은 수지 공급 유닛(7)이 기판(8)의 대상 샷 영역(임프린트 처리가 수행되는 샷 영역)에 수지를 공급하도록 한다.
단계(S3)에서, 제어 유닛(6)은 기판(8)의 대상 샷 영역을 몰드(11)와 접촉시킨다(압인 처리). 단계(S4)에서, 제어 유닛(6)은 정렬 계측 시스템(4)에 의해 획득되는 계측 결과에 기초하여, 기판(8)에 형성된 정렬 마크와 몰드(11)에 형성된 정렬 마크를 일치시키도록, 기판(8)을 몰드(11)와 정렬시킨다. 그러나, 기판(8) 및 몰드(11)에 대한 정렬 방식으로서 글로벌 정렬 방식이 채용되는 경우, 기판(8)과 몰드(11) 사이의 정렬(단계(S4))을 생략할 수 있는 점에 유의한다. 또한, 본 실시 형태에서 압인 처리 이후 정렬이 수행되지만, 단계(S2)에서 기판 상에 수지를 공급한 후 단계(S3)에서의 압인 처리 이전에, 정렬 계측 시스템(4)에 의해 획득되는 계측 결과에 기초하여 정렬이 수행될 수 있다. 게다가, 단계(S3)의 압인 처리를 도중 정렬이 수행될 수 있다.
단계(S5)에서, 제어 유닛(6)은 몰드(11)의 패턴에 수지를 충전한 후, 조사 유닛(5)이 몰드(11)를 개재해서 수지를 자외선으로 조사함으로써 기판(8)의 대상 샷 영역 상의 수지를 경화시키도록 한다(경화 처리). 단계(S6)에서, 제어 유닛(6)은 기판(8)의 대상 샷 영역 상의 경화된 수지로부터 몰드(11)를 이형시킨다(이형 처리). 이 처리에 의해, 몰드(11)의 패턴에 대응하는 수지 패턴이 기판(8)의 대상 샷 영역 상에 형성된다.
단계(S7)에서, 제어 유닛(6)은 기판(8)의 모든 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 수행되었는지 여부를 판정한다. 기판(8)의 모든 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 수행되지 않은 경우, 임프린트 처리가 수행되지 않은 샷 영역을 대상 샷 영역으로서 설정하기 위해 처리는 단계(S2)로 이행한다. 기판(8)의 복수의 샷 영역 상에 수지가 공급되지 않은 경우, 단계(S2)에서 수지를 공급하는 단계를 생략할 수 있는 점에 유의한다. 단계(S2)로부터 단계(S7)까지의 처리를 반복함으로써, 기판(8)의 모든 샷 영역에 수지의 패턴이 형성된다. 이에 비해, 기판(8)의 모든 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 수행된 경우, 처리는 단계(S8)로 이행한다. 단계(S8)에서, 제어 유닛(6)은 기판 반송 기구가 모든 샷 영역에 임프린트 처리가 행해진 기판(8)을 임프린트 장치(1)로부터 반출하도록 한다.
이 경우, 기판 상의 수지가 경화되기 전에, 더 구체적으로, 기판 상에 수지를 공급하고 나서 수지가 경화될 때까지의 사이(단계(S2)로부터 단계(S5)의 개시까지) 동안에, 검지 유닛(30)은 에러, 즉, 임프린트 처리의 계속을 불가능하게 하는 에러의 발생을 검지하는 경우를 상정한다. 이 경우, 제어 유닛(6)은 상술된 바와 같이, 임프린트 처리를 중단하고 에러 처리를 수행한다.
더 구체적으로, 단계(S9)에서, 제어 유닛(6)은 검지 유닛(30)로부터 에러 검지 정보를 획득한다. 에러 검지 정보는 에러 발생의 검지를 나타내는 정보뿐만 아니라, 에러 발생시 임프린트 처리의 상태를 나타내는 정보, 예를 들어 기판 상의 수지와 몰드(11) 사이의 접촉 이전 또는 이후 에러가 발생되었는지 여부를 나타내는 정보를 포함한다.
단계(S10)에서, 제어 유닛(6)은 단계(S9)에서 취득된 에러 검지 정보에 기초하여, 조사 유닛(5)이 수지를 자외선으로 조사함으로써 기판(8) 상의 대상 샷 영역 상의 수지를 경화시키도록 한다(에러 처리). 이 경우, 후술되는 바와 같이, 제어 유닛(6)은 에러 발생시 임프린트 처리의 상황에 따라서 기판(8)의 대상 샷 영역 상의 수지를 경화시킨다(즉, 임프린트 처리의 상황에 따라서 에러 처리를 수행한다).
단계(S11)에서, 제어 유닛(6)은 기판(8)의 다음 대상 샷 영역에 대한 임프린트 처리를 수행할지 여부를 판정한다. 기판(8)의 다음의 대상 샷 영역에 대한 임프린트 처리가 수행되는 경우, 처리는 단계(S7)로 이행한다. 기판(8)의 다음의 대상 샷 영역에 대한 임프린트 처리가 수행되지 않은 경우, 처리는 단계(S8)로 이행한다.
에러 처리(단계(S10))의 상세에 대해서 이하에서 설명될 것이다. 도 3은 기판 상에 공급된 수지가 몰드(11)와 접촉하게 되기 전에 검지 유닛(30)이 에러의 발생을 검지한 경우 에러 처리의 상세를 도시하는 흐름도이다. 기판 상에 공급된 수지가 몰드(11)와 접촉하게 되기 전에(즉, 단계(S2)로부터 단계(S3)의 개시까지의 사이) 검지 유닛(30)이 에러의 발생을 검지한 경우, 제어 유닛(6)은 에러 처리로서 단계(S31)를 수행한다. 이 경우 발생하는 에러는 수지 공급 유닛(7)의 이상, 기판 보유 유닛(2)의 이상, 몰드 보유 유닛(3)의 이상, 및 외부 이상 신호를 포함한다. 이러한 이상은 제1 검지 유닛(22) 및 제2 검지 유닛(21) 중 적어도 하나에 의해 에러로서 검지될 수 있다.
단계(S31)에서, 제어 유닛(6)은 기판(8)의 대상 샷 영역 상의 수지를 몰드(11)와 접촉시키지 않고서, 조사 유닛(5)이 수지를 자외선으로 조사함으로써 수지를 경화시키도록 한다. 이 경우, 에러 처리(단계(S31))에서의 자외선의 조도는 경화 처리(단계(S5))에서의 자외선의 조도와 상이할 수 있다.
상술된 바와 같이, 기판 상에 공급되는 수지가 몰드(11)와 접촉하게 되기 전에 에러의 발생이 검지되는 경우, 수지는 기판 상의 수지가 몰드(11)와 접촉하지 않고서 경화되고, 기판 상의 수지가 경화된 상태에서 기판(8)은 임프린트 장치(1)로부터 반출된다. 이는 기판 상의 미경화된 수지로부터의 화학 물질에 의한 오염을 저감(방지)할 수 있다.
도 4는 기판 상에 공급된 수지가 몰드(11)와 접촉하게 된 이후 검지 유닛(30)이 에러의 발생을 검지한 경우 에러 처리의 상세를 도시하는 흐름도이다. 기판 상에 공급된 수지가 몰드(11)와 접촉하게 된 이후에(즉, 단계(S3)로부터 단계(S5)의 개시까지의 사이) 검지 유닛(30)이 에러의 발생을 검지한 경우, 에러 처리로서 단계(S41 및 S42)가 수행된다. 이 경우 발생하는 에러는 기판 보유 유닛(2)의 이상, 몰드 보유 유닛(3)의 이상, 정렬 계측 시스템(4)의 이상, 및 외부 이상 신호를 포함한다. 이러한 이상은 제1 검지 유닛(22) 및 제2 검지 유닛(21) 중 적어도 하나에 의해 에러로서 검지될 수 있다.
단계(S41)에서, 제어 유닛(6)은 기판(8)의 대상 샷 영역 상의 수지와 몰드(11) 사이의 접촉을 유지하면서(즉, 기판 상의 수지로부터 몰드(11)를 분리하기 전에), 조사 유닛(5)이 수지를 자외선으로 조사함으로써 수지를 경화시키도록 한다. 이 경우, 에러 처리(단계(S41))에서의 자외선의 조도는 경화 처리(단계(S5))에서의 자외선의 조도와 상이할 수 있다. 단계(S42)에서, 몰드(11)는 기판(8)의 대상 샷 영역 상의 경화된 수지로부터 이형된다.
상술된 바와 같이, 기판 상의 수지가 몰드(11)와 접촉되어 경화되기 이전에 에러의 발생이 검지되는 경우, 수지와 몰드(11) 사이의 접촉이 유지되는 상태에서 수지가 경화되고, 기판(8)은 기판 상의 수지가 경화된 상태에서 임프린트 장치(1)로부터 반출된다. 이는 기판 상의 미경화된 수지로부터의 화학 물질에 의한 오염을 저감(방지)할 수 있다.
도 5는 기판 상에 수지가 공급되고, 수지가 몰드(11)와 접촉된 이후 검지 유닛(30)이 에러의 발생을 검지한 경우 에러 처리의 다른 예의 상세를 도시하는 흐름도이다. 기판 상에 공급된 수지가 몰드(11)와 접촉하게 된 이후(즉, 단계(S3)로부터 단계(S5)의 개시까지의 사이)에 검지 유닛(30)이 에러의 발생을 검지한 경우, 에러 처리로서 단계(S51 및 S52)가 수행된다. 이 경우 발생하는 에러는 기판 보유 유닛(2)의 이상, 몰드 보유 유닛(3)의 이상, 정렬 계측 시스템(4)의 이상, 및 외부 이상 신호를 포함한다. 이러한 이상은 제1 검지 유닛(22) 및 제2 검지 유닛(21) 중 적어도 하나에 의해 에러로서 검지될 수 있다.
단계(S51)에서, 몰드(11)는 기판(8)의 대상 샷 영역 상의 미경화된 수지로부터 이형된다. 단계(S52)에서, 제어 유닛(6)은 기판(8)의 대상 샷 영역 상의 미경화된 수지로부터 몰드(11)가 이형된 상태에서, 조사 유닛(5)이 수지를 자외선으로 조사함으로써 수지를 경화시키도록 한다. 이 경우, 에러 처리(단계(S52))에서의 자외선의 조도는 경화 처리(단계(S5))에서의 자외선의 조도와 상이할 수 있다.
상술된 바와 같이, 기판 상의 수지가 몰드(11)와 접촉하여 경화되기 전에 에러의 발생이 검지되는 경우, 수지는 몰드(11)가 기판 상의 미경화된 수지로부터 이형된 이후에 경화되고, 기판(8)은 기판 상의 수지가 경화된 상태에서 임프린트 장치(1)로부터 반출된다. 이는 기판 상의 미경화된 수지로부터의 화학 물질에 의한 장치(반송 기구 및 외부 장치) 상의 오염을 저감(방지)할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 임프린트 처리의 계속을 불가능하게 하는 에러가 발생되는 경우, 기판(8)이 임프린트 장치(1)로부터 반출되기 전에 기판(8) 상의 미경화된 수지를 경화시키도록 에러 처리가 수행된다. 본 실시예는 1개의 샷 영역에 수지를 공급함으로써 임프린트 처리가 반복되는 경우를 예시하였다. 그러나, 복수의 샷 영역에 수지를 미리 공급한 이후 압인 처리 및 경화 처리를 반복함으로써 패턴이 기판 상에 형성될 수 있다. 이 경우, 임프린트 처리 대상으로서 샷 영역 상의 수지뿐만 아니라, 미리 공급된 미경화된 수지(임프린트재) 전체를 경화시키도록 에러 처리가 수행된다. 따라서, 임프린트 장치(1)는 수지가 미경화된 상태로 기판(8)을 반출하지 않는다. 이는 미경화된 수지로부터 방출되는 화학 물질이 기판(8)을 반송하는 장치 및 기판(8)이 반입되는 장치 등의 장치를 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
추가로, 본 실시예에서, 에러의 발생이 검지될 때마다, 기판(8)의 대상 샷 영역 상의 수지가 경화된다. 그러나, 에러 검지 정보는 미리 저장될 수 있고, 에러 처리는 미리 정해진 수의 임프린트 처리가 완료된 이후 통합해서 수행될 수 있는 점에 유의한다(즉, 각각에서 에러의 발생이 검지되는 복수의 샷 영역 상의 수지가 통합해서 경화될 수 있다).
물품으로서의 디바이스(반도체 디바이스, 자기 기억 매체, 액정 표시 소자, 등)의 제조 방법이 설명될 것이다. 이 제조 방법은 임프린트 장치(1)를 사용함으로써 패턴을 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름 형상 기판, 등)에 형성하는 공정을 포함한다. 제조 방법은 패턴을 형성된 기판을 처리하는 공정을 더 포함한다. 이 공정에서의 단계는 패턴의 잔여막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 추가로, 단계는 마스크로서 패턴을 사용함으로써 기판을 에칭하는 단계 등의 다른 공지된 단계를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따르는 물품 제조 방법은 종래 기술에 비해, 물품의 성능 및 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나의 면에서 더욱 유리하다.
본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예에 제한되지 않는다는 점이 이해되어야 한다. 이하의 청구항의 범위는 그러한 변경예 및 등가적 구조예 및 기능예 모두를 포함하도록 가장 광의의 해석에 따라야 한다.

Claims (9)

  1. 기판 상의 임프린트재에 몰드를 사용하여 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치이며,
    상기 임프린트재가 상기 기판 상에 공급된 후 상기 임프린트 처리의 계속을 불가능하게 하는 에러의 발생을 검지하도록 구성된 검지 유닛; 및
    조사 유닛이 상기 기판 상의 임프린트재를 경화시키기 전에 상기 검지 유닛이 에러의 발생을 검지하는 경우, 상기 몰드를 이용하여 상기 기판 상에 상기 패턴을 형성함 없이 상기 기판 상의 임프린트재를 경화시키도록 상기 조사 유닛을 제어하고, 상기 기판 상의 임프린트재를 경화시킨 후 상기 임프린트 장치로부터 상기 기판을 반출하도록 기판 반송 유닛을 제어함으로써 상기 임프린트 처리를 중단하는 에러 처리를 수행하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 임프린트재가 상기 기판에 공급되고 상기 임프린트재가 상기 몰드와 접촉하게 되기 전에 상기 검지 유닛이 상기 에러의 발생을 검지하는 경우, 상기 제어 유닛은 상기 기판 상의 임프린트재를 상기 몰드와 접촉시키지 않고서 상기 임프린트재를 경화시키도록 상기 조사 유닛을 제어하는, 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 임프린트재가 상기 기판에 공급되고 상기 임프린트재가 상기 몰드와 접촉하게 된 후에 상기 검지 유닛이 상기 에러의 발생을 검지하는 경우, 상기 제어 유닛은 상기 기판 상의 임프린트재와 상기 몰드 사이의 접촉을 유지하면서 상기 임프린트재를 경화시키도록 상기 조사 유닛을 제어하는, 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 임프린트재가 상기 기판에 공급되고 상기 임프린트재가 상기 몰드와 접촉하게 된 후에 상기 검지 유닛이 상기 에러의 발생을 검지하는 경우, 상기 제어 유닛은 상기 기판 상의 임프린트재로부터 상기 몰드를 이형한 후 상기 임프린트재를 경화시키도록 상기 조사 유닛을 제어하는, 임프린트 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 임프린트재가 상기 기판 상의 복수의 샷 영역에 공급되는 경우, 상기 제어 유닛은, 상기 검지 유닛이 상기 에러의 발생을 검지할 때 상기 임프린트 처리가 수행된 샷 영역 상의 임프린트재를 경화시킨 후 상기 임프린트 처리가 수행된 샷 영역과는 상이한 샷 영역 상의 임프린트재를 경화시키도록 상기 조사 유닛을 제어하는, 임프린트 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 검지 유닛은 상기 임프린트 장치의 내부 환경의 변화 및 상기 임프린트 장치의 외부 환경의 변화 중 하나 이상을 검지함으로써 상기 에러의 발생을 검지하는, 임프린트 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 내부 환경은 상기 임프린트 처리가 수행되는 공간에서의 온도, 압력, 및 기체의 성분 농도 중 하나 이상을 포함하는, 임프린트 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 외부 환경은 상기 임프린트 장치에 전달되는 진동을 포함하는, 임프린트 장치.
  9. 물품 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 패턴이 형성되어 있는 상기 기판을 처리하여 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는, 상기 기판 상의 임프린트재에 몰드를 사용하여 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하고,
    상기 임프린트 장치는,
    상기 임프린트재가 상기 기판 상에 공급된 후 상기 임프린트 처리의 계속을 불가능하게 하는 에러의 발생을 검지하도록 구성된 검지 유닛; 및
    조사 유닛이 상기 기판 상의 임프린트재를 경화시키기 전에 상기 검지 유닛이 에러의 발생을 검지하는 경우, 상기 몰드를 이용하여 상기 기판 상에 상기 패턴을 형성함 없이 상기 기판 상의 임프린트재를 경화시키도록 상기 조사 유닛을 제어하고, 상기 기판 상의 임프린트재를 경화시킨 후 상기 임프린트 장치로부터 상기 기판을 반출하도록 기판 반송 유닛을 제어함으로써 상기 임프린트 처리를 중단하는 에러 처리를 수행하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하는, 물품 제조 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6333039B2 (ja) 2013-05-16 2018-05-30 キヤノン株式会社 インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法
JP6315904B2 (ja) * 2013-06-28 2018-04-25 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法
JP6942487B2 (ja) * 2017-03-03 2021-09-29 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法
US11681216B2 (en) * 2017-08-25 2023-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, article manufacturing method, molding apparatus, and molding method
JP6979845B2 (ja) * 2017-10-11 2021-12-15 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
JP7015147B2 (ja) * 2017-11-06 2022-02-02 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
JP7558696B2 (ja) * 2020-07-06 2024-10-01 キヤノン株式会社 成形装置及び物品の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026462A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Canon Inc 微細加工方法及び微細加工装置
JP2011009250A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Toshiba Corp 基板処理方法、半導体装置の製造方法及びインプリント装置
US20110206852A1 (en) 2010-02-24 2011-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, template of imprint apparatus, and article manufacturing method
JP2012142542A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Canon Inc リソグラフィーシステム、及びそれを用いた物品の製造方法
JP2012227488A (ja) * 2011-04-22 2012-11-15 Canon Inc インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10319022B4 (de) * 2003-04-28 2009-10-15 Fette Gmbh Anlage zur Herstellung von Tabletten
JP5268239B2 (ja) * 2005-10-18 2013-08-21 キヤノン株式会社 パターン形成装置、パターン形成方法
WO2011064020A1 (en) * 2009-11-24 2011-06-03 Asml Netherlands B.V. Alignment and imprint lithography
JP5455583B2 (ja) * 2009-11-30 2014-03-26 キヤノン株式会社 インプリント装置
JP2012084732A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Canon Inc インプリント方法及び装置
JP5850717B2 (ja) * 2010-12-02 2016-02-03 キヤノン株式会社 インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法
JP5674445B2 (ja) * 2010-12-13 2015-02-25 東芝機械株式会社 マスター型製造装置
US8842294B2 (en) * 2011-06-21 2014-09-23 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus, imprint apparatus, and position detection method
JP5706861B2 (ja) * 2011-10-21 2015-04-22 キヤノン株式会社 検出器、検出方法、インプリント装置及び物品製造方法
JP5813603B2 (ja) * 2012-09-04 2015-11-17 株式会社東芝 インプリント装置およびインプリント方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026462A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Canon Inc 微細加工方法及び微細加工装置
JP2011009250A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Toshiba Corp 基板処理方法、半導体装置の製造方法及びインプリント装置
US20110206852A1 (en) 2010-02-24 2011-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, template of imprint apparatus, and article manufacturing method
JP2012142542A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Canon Inc リソグラフィーシステム、及びそれを用いた物品の製造方法
JP2012227488A (ja) * 2011-04-22 2012-11-15 Canon Inc インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法

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