JP2012138618A5 - - Google Patents
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- 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
それぞれ基板を載置する第1、第2テーブルと、
前記第1、第2テーブルがそれぞれ下面側に対向して配置される液浸部材を含み、前記液浸部材を介して供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域から、前記液浸部材を介して液体を回収する液浸システムと、
前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように前記第1、第2テーブルをそれぞれ前記投影光学系の下方に配置し、かつ前記載置した基板の一部に前記液浸領域が位置するように前記第1、第2テーブルをそれぞれ前記投影光学系の下方で移動するとともに、前記投影光学系と前記載置した基板の一部との間に維持される前記液浸領域と前記載置した基板とが相対移動するように前記第1、第2テーブルをそれぞれ移動する駆動装置と、を備え、
前記液浸部材はその下面側に供給口を有し、前記液浸部材と、前記液浸領域が一部に位置する前記載置した基板との間に、前記供給口を介して液体が供給され、
前記載置した基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して露光される。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に、前記エネルギビームが通過する開口部を有し、前記供給口は、前記開口部の周囲に配置される。 - 請求項2に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側で、前記供給口が環状に設けられる。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその内部に、前記供給口に接続される供給流路を有する。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に回収口を有する。 - 請求項5に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその内部に、前記回収口に接続される回収流路を有する。 - 請求項5又は6に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に形成される凹部に前記回収口が設けられる。 - 請求項7に記載の露光装置において、
前記凹部は、前記液浸部材の下面側で環状に形成される。 - 請求項5〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に、前記エネルギビームが通過する開口部を有し、前記回収口は、前記開口部の周囲に配置される。 - 請求項9に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側で、前記回収口が環状に設けられる。 - 請求項5〜10のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側で、前記エネルギビームが通過する開口部に対して前記回収口よりも外側に別の回収口を有する。 - 請求項5〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記供給口は、前記エネルギビームが通過する開口部と前記回収口との間に配置される。 - 請求項5〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記供給口は、前記エネルギビームが通過する開口部に対して前記回収口よりも外側に配置される。 - 請求項13に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側で、前記開口部に対して前記供給口よりも外側に別の回収口を有する。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材と、前記第1テーブル又は前記第2テーブルによって前記液浸部材の下面と対向して配置される前記基板との間隔を計測するセンサを、さらに備える。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
それぞれ基板を載置する第1、第2テーブルと、
前記第1、第2テーブルがそれぞれ下面側に対向して配置される液浸部材を含み、前記液浸部材を介して供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域から、前記液浸部材を介して液体を回収する液浸システムと、
前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように前記第1、第2テーブルをそれぞれ前記投影光学系の下方に配置し、かつ前記載置した基板の一部に前記液浸領域が位置するように前記第1、第2テーブルをそれぞれ前記投影光学系の下方で移動するとともに、前記投影光学系と前記載置した基板の一部との間に維持される前記液浸領域と前記載置した基板とが相対移動するように前記第1、第2テーブルをそれぞれ移動する駆動装置と、
前記液浸部材と、前記第1テーブル又は前記第2テーブルによって前記液浸部材に対してその下面側に対向して配置される前記基板との間隔を計測するセンサと、を備え、
前記載置した基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して露光される。 - 請求項15又は16に記載の露光装置において、
前記センサの計測値に基づいて前記間隔を調整する制御装置を、さらに備える。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
それぞれ基板を載置する第1、第2テーブルと、
前記第1、第2テーブルがそれぞれ下面側に対向して配置される液浸部材を含み、前記液浸部材を介して供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域から、前記液浸部材を介して液体を回収する液浸システムと、
前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように前記第1、第2テーブルをそれぞれ前記投影光学系の下方に配置し、かつ前記載置した基板の一部に前記液浸領域が位置するように前記第1、第2テーブルをそれぞれ前記投影光学系の下方で移動するとともに、前記投影光学系と前記載置した基板の一部との間に維持される前記液浸領域と前記載置した基板とが相対移動するように前記第1、第2テーブルをそれぞれ移動する駆動装置と、
前記液浸部材と、前記第1テーブル又は前記第2テーブルによって前記液浸部材に対してその下面側に対向して配置される前記基板との間隔を調整する制御装置と、を備え、
前記載置した基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して露光される。 - 請求項17又は18に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記間隔を実質的に一定とするように調整する。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材は、前記投影光学系に対して相対移動可能に設けられる。 - 請求項16又は18に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に回収口を有し、前記回収口を介して液体が回収される。 - 請求項21に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその内部に、前記回収口に接続される回収流路を有する。 - 請求項21又は22に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に形成される凹部に前記回収口が設けられる。 - 請求項23に記載の露光装置において、
前記凹部は、前記液浸部材の下面側で環状に形成される。 - 請求項21〜24のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に、前記エネルギビームが通過する開口部を有し、前記回収口は、前記開口部の周囲に配置される。 - 請求項25に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側で、前記回収口が環状に設けられる。 - 請求項21〜26のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側で、前記エネルギビームが通過する開口部に対して前記回収口よりも外側に別の回収口を有する。 - 請求項21〜27のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に供給口を有し、前記液浸部材と、前記第1テーブル又は前記第2テーブルによって前記液浸部材と対向して配置される前記基板との間に、前記供給口を介して液体が供給される。 - 請求項28に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその内部に、前記供給口に接続される供給流路を有する。 - 請求項28又は29に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に、前記エネルギビームが通過する開口部を有し、前記供給口は、前記開口部の周囲に配置される。 - 請求項30に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側で、前記供給口が環状に設けられる。 - 請求項28〜31のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記供給口は、前記エネルギビームが通過する開口部と前記回収口との間に配置される。 - 請求項28〜31のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記供給口は、前記エネルギビームが通過する開口部に対して前記回収口よりも外側に配置される。 - 請求項33に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側で、前記開口部に対して前記供給口よりも外側に別の回収口を有する。 - 請求項1〜34のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面が、前記液体と接する前記投影光学系の光学部材の射出面とほぼ同一面となるように設けられる。 - 請求項1〜35のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材は、前記エネルギビームの照射領域を囲む環状部材である。 - 請求項1〜36のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材は、前記液体と接する前記投影光学系の光学部材を囲んで設けられる。 - 請求項1〜37のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材は、その内部に前記液体と接する前記投影光学系の光学部材が位置するように設けられる。 - 請求項1〜38のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸システムは、前記投影光学系の下に前記液浸領域が形成されるように、前記液浸部材によって、前記第1、第2テーブルにそれぞれ載置される基板よりも小さい局所領域内で前記液体を保持する。 - 請求項1〜39のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸システムは、少なくとも前記基板の露光動作において前記液体の供給と回収とを常時行う。 - 請求項1〜40のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記基板の載置領域と、一部に形成される開口内に前記載置領域が位置するように設けられる補助部材と、を有し、前記開口内で前記基板が前記載置領域に載置される。 - 請求項41に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記補助部材によって、前記載置領域に載置される基板から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を保持する。 - 請求項41又は42に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記載置領域に載置される基板と前記補助部材との少なくとも一方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持する。 - 請求項41〜43のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記補助部材との隙間が3mm以下となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項41〜44のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、その表面が前記補助部材の表面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項41〜45のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記補助部材は、前記開口を含む複数の開口が形成され、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記開口と異なる開口内に配置される基準部材を有し、
前記投影光学系を介して前記基準部材を用いる計測が行われる。 - 請求項46に記載の露光装置において、
前記基準部材は、前記基板の露光で用いられるマスクのマーク検出で用いられる。 - 請求項46又は47に記載の露光装置において、
前記基板のマークを検出するマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記マーク検出系によって前記基板のマーク及び前記基準部材の検出が行われる。 - 請求項46〜48のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基準部材はその表面が前記補助部材の表面とほぼ面一となるように設けられる。 - 請求項41〜49のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記補助部材が相対移動可能に設けられる。 - 請求項1〜50のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板のマークを検出するマーク検出系を、さらに備え、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われ、かつ前記液体を介すことなくマーク検出が行われる。 - 請求項1〜51のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルの位置情報を計測するエンコーダを含む位置計測装置を、さらに備える。 - 請求項52に記載の露光装置において、
前記エンコーダは、前記第1、第2テーブルの裏面に設けられるスケールを使って位置情報を計測する。 - 請求項1〜53のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルと異なる、基板を載置する第3テーブルを、さらに備え、
前記第1、第2及び第3テーブルを用いて前記基板の露光処理シーケンスを実行する。 - 請求項54に記載の露光装置において、
前記第1、第2及び第3テーブルでは異なる動作が並行して実行される。 - 請求項1〜53のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルと異なる第3テーブルを、さらに備え、
前記第3テーブルを用いて前記基板の露光動作と異なる動作を実行する。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
第1、第2テーブルにそれぞれ基板を載置することと、
前記第1、第2テーブルがそれぞれ下面側に対向して配置される液浸部材を介して供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記載置した基板の一部に位置するように、前記第1、第2テーブルの一方を前記投影光学系の下方に配置することと、
前記投影光学系と前記載置した基板の一部との間に維持される前記液浸領域に対して前記載置した基板が相対移動するように、前記投影光学系の下方に配置される前記一方のテーブルを移動することと、
前記液浸部材と、前記液浸領域が一部に位置する前記載置した基板との間に、前記液浸部材の下面側に設けられる供給口を介して液体を供給することと、を含み、
前記載置した基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して露光され、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように前記投影光学系の下方に配置される。 - 請求項57に記載の露光方法において、
前記液浸部材の下面側で、前記エネルギビームが通過する開口部の周囲に配置される前記供給口を介して液体が供給される。 - 請求項58に記載の露光方法において、
前記液浸部材の下面側で環状に設けられる前記供給口を介して液体が供給される。 - 請求項57〜59のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその内部に、前記供給口に接続される供給流路を有する。 - 請求項57〜60のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材の下面側に設けられる回収口を介して液体が回収される。 - 請求項61に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその内部に、前記回収口に接続される回収流路を有する。 - 請求項61又は62に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその下面側に形成される凹部に前記回収口が設けられる。 - 請求項63に記載の露光方法において、
前記凹部は、前記液浸部材の下面側で環状に形成される。 - 請求項61〜64のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材の下面側で、前記エネルギビームが通過する開口部の周囲に配置される前記回収口を介して液体が回収される。 - 請求項65に記載の露光方法において、
前記液浸部材の下面側で環状に設けられる前記回収口を介して液体が回収される。 - 請求項61〜66のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその下面側で、前記エネルギビームが通過する開口部に対して前記回収口よりも外側に別の回収口を有する。 - 請求項61〜67のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記供給口は、前記エネルギビームが通過する開口部と前記回収口との間に配置される。 - 請求項61〜67のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記供給口は、前記エネルギビームが通過する開口部に対して前記回収口よりも外側に配置される。 - 請求項69に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその下面側で、前記開口部に対して前記供給口よりも外側に別の回収口を有する。 - 請求項57〜70のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材と、前記第1テーブル又は前記第2テーブルによって前記液浸部材の下面と対向して配置される前記基板との間隔が計測される。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
第1、第2テーブルにそれぞれ基板を載置することと、
前記第1、第2テーブルがそれぞれ下面側に対向して配置される液浸部材を介して供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記載置した基板の一部に位置するように、前記第1、第2テーブルの一方を前記投影光学系の下方に配置することと、
前記投影光学系と前記載置した基板の一部との間に維持される前記液浸領域に対して前記載置した基板が相対移動するように、前記投影光学系の下方に配置される前記一方のテーブルを移動することと、
前記液浸部材と、前記第1テーブル又は前記第2テーブルによって前記液浸部材に対してその下面側に対向して配置される前記基板との間隔を計測することと、を含み、
前記載置した基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して露光され、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように前記投影光学系の下方に配置される。 - 請求項71又は72に記載の露光方法において、
前記計測の結果に基づいて前記間隔が調整される。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
第1、第2テーブルにそれぞれ基板を載置することと、
前記第1、第2テーブルがそれぞれ下面側に対向して配置される液浸部材を介して供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記載置した基板の一部に位置するように、前記第1、第2テーブルの一方を前記投影光学系の下方に配置することと、
前記投影光学系と前記載置した基板の一部との間に維持される前記液浸領域に対して前記載置した基板が相対移動するように、前記投影光学系の下方に配置される前記一方のテーブルを移動することと、
前記液浸部材と、前記第1テーブル又は前記第2テーブルによって前記液浸部材に対してその下面側に対向して配置される前記基板との間隔を調整することと、を含み、
前記載置した基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して露光され、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように前記投影光学系の下方に配置される。 - 請求項73又は74に記載の露光方法において、
前記間隔は実質的に一定となるように調整される。 - 請求項57〜75のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材は、前記投影光学系に対して相対移動する。 - 請求項72又は74に記載の露光方法において、
前記液浸部材の下面側に設けられる回収口を介して液体が回収される。 - 請求項77に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその内部に、前記回収口に接続される回収流路を有する。 - 請求項77又は78に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその下面側に形成される凹部に前記回収口が設けられる。 - 請求項79に記載の露光方法において、
前記凹部は、前記液浸部材の下面側で環状に形成される。 - 請求項77〜80のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材の下面側で、前記エネルギビームが通過する開口部の周囲に配置される前記回収口を介して液体が回収される。 - 請求項81に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその下面側で、前記回収口が環状に設けられる。 - 請求項77〜82のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその下面側で、前記エネルギビームが通過する開口部に対して前記回収口よりも外側に別の回収口を有する。 - 請求項77〜83のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材と、前記第1テーブル又は前記第2テーブルによって前記液浸部材に対してその下面側に対向して配置される前記基板との間に、前記液浸部材の下面側に設けられる供給口を介して液体が供給される。 - 請求項84に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその内部に、前記供給口に接続される供給流路を有する。 - 請求項84又は85に記載の露光方法において、
前記液浸部材の下面側で、前記エネルギビームが通過する開口部の周囲に配置される前記供給口を介して液体が供給される。 - 請求項86に記載の露光方法において、
前記液浸部材の下面側で環状に設けられる前記供給口を介して液体が供給される。 - 請求項84〜87のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記供給口は、前記エネルギビームが通過する開口部と前記回収口との間に配置される。 - 請求項84〜87のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記供給口は、前記エネルギビームが通過する開口部に対して前記回収口よりも外側に配置される。 - 請求項89に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその下面側で、前記開口部に対して前記供給口よりも外側に別の回収口を有する。 - 請求項57〜90のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその下面が、前記液体と接する前記投影光学系の光学部材の射出面とほぼ同一面となるように設けられる。 - 請求項57〜91のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材は、前記エネルギビームの照射領域を囲む環状部材である。 - 請求項57〜92のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材は、前記液体と接する前記投影光学系の光学部材を囲んで設けられる。 - 請求項57〜93のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材は、その内部に前記液体と接する前記投影光学系の光学部材が位置するように設けられる。 - 請求項57〜94のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系の下に前記液浸領域が形成されるように、前記液浸部材によって、前記第1、第2テーブルにそれぞれ載置される基板よりも小さい局所領域内で前記液体を保持する。 - 請求項57〜95のいずれか一項に記載の露光方法において、
少なくとも前記基板の露光動作において前記液体の供給と回収とが常時行われる。 - 請求項57〜96のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、一部に形成される開口内に前記基板の載置領域が位置するように補助部材が設けられ、前記補助部材の開口内で前記基板が前記載置領域に載置される。 - 請求項97に記載の露光方法において、
前記投影光学系の下方に配置される前記第1テーブル又は前記第2テーブルでは、前記補助部材によって、前記載置領域に載置される基板から外れる前記液浸領域の少なくとも一部が保持される。 - 請求項97又は98に記載の露光方法において、
前記投影光学系の下方に配置される前記第1テーブル又は前記第2テーブルでは、前記載置領域に載置される基板と前記補助部材との少なくとも一方によって前記液浸領域が前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項97〜99のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記補助部材との隙間が3mm以下となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項97〜100のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、その表面が前記補助部材の表面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項97〜101のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系を介して、前記開口と異なる、前記補助部材の開口内に配置される基準部材を用いる計測が行われる。 - 請求項102に記載の露光方法において、
前記基準部材は、前記基板の露光で用いられるマスクのマーク検出で用いられる。 - 請求項102又は103に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、マーク検出系によって前記基板のマーク及び前記基準部材の検出が行われる。 - 請求項102〜104のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基準部材はその表面が前記補助部材の表面とほぼ面一となるように設けられる。 - 請求項97〜105のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記補助部材が相対移動可能に設けられる。 - 請求項57〜106のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われ、かつ前記液体を介すことなくマーク検出が行われる。 - 請求項57〜107のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記露光においてエンコーダによって位置情報が計測される。 - 請求項108に記載の露光方法において、
前記エンコーダによる計測では、前記第1、第2テーブルの裏面に設けられるスケールが用いられる。 - 請求項57〜109のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルと異なる第3テーブルに基板が載置され、前記第1、第2及び第3テーブルを用いて前記基板の露光処理シーケンスが実行される。 - 請求項110に記載の露光方法において、
前記第1、第2及び第3テーブルでは異なる動作が並行して実行される。 - 請求項57〜109のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルと異なる第3テーブルを用いて前記基板の露光動作と異なる動作が実行される。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項1〜56のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項57〜112のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012078269A JP5488635B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003174259 | 2003-06-19 | ||
JP2003174259 | 2003-06-19 | ||
JP2012078269A JP5488635B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010293650A Division JP5287845B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-12-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012138618A JP2012138618A (ja) | 2012-07-19 |
JP2012138618A5 true JP2012138618A5 (ja) | 2013-05-30 |
JP5488635B2 JP5488635B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=33534785
Family Applications (19)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005507235A Expired - Fee Related JP4437474B2 (ja) | 2003-06-19 | 2004-06-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009044470A Expired - Fee Related JP4505675B2 (ja) | 2003-06-19 | 2009-02-26 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010025992A Expired - Fee Related JP4894936B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010293650A Expired - Fee Related JP5287845B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-12-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037041A Expired - Fee Related JP5287901B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037040A Expired - Fee Related JP5287900B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078269A Expired - Fee Related JP5488635B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012077973A Expired - Fee Related JP5494708B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013080847A Expired - Fee Related JP5556925B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013272184A Expired - Fee Related JP5626443B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-12-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014076375A Expired - Fee Related JP5761418B2 (ja) | 2003-06-19 | 2014-04-02 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015006821A Expired - Fee Related JP5928618B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015127136A Expired - Fee Related JP5930102B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-06-25 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015206314A Expired - Fee Related JP6103016B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-10-20 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016003694A Active JP6123920B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-01-12 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016207355A Expired - Fee Related JP6237857B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-10-21 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017020807A Expired - Fee Related JP6264479B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017176254A Expired - Fee Related JP6512252B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-09-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2018190188A Expired - Fee Related JP6614310B2 (ja) | 2003-06-19 | 2018-10-05 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005507235A Expired - Fee Related JP4437474B2 (ja) | 2003-06-19 | 2004-06-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009044470A Expired - Fee Related JP4505675B2 (ja) | 2003-06-19 | 2009-02-26 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010025992A Expired - Fee Related JP4894936B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010293650A Expired - Fee Related JP5287845B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-12-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037041A Expired - Fee Related JP5287901B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037040A Expired - Fee Related JP5287900B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (12)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012077973A Expired - Fee Related JP5494708B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013080847A Expired - Fee Related JP5556925B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013272184A Expired - Fee Related JP5626443B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-12-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014076375A Expired - Fee Related JP5761418B2 (ja) | 2003-06-19 | 2014-04-02 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015006821A Expired - Fee Related JP5928618B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015127136A Expired - Fee Related JP5930102B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-06-25 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015206314A Expired - Fee Related JP6103016B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-10-20 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016003694A Active JP6123920B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-01-12 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016207355A Expired - Fee Related JP6237857B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-10-21 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017020807A Expired - Fee Related JP6264479B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017176254A Expired - Fee Related JP6512252B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-09-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2018190188A Expired - Fee Related JP6614310B2 (ja) | 2003-06-19 | 2018-10-05 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (22) | US7321419B2 (ja) |
EP (4) | EP2216685B1 (ja) |
JP (19) | JP4437474B2 (ja) |
KR (19) | KR101148811B1 (ja) |
CN (2) | CN100459036C (ja) |
AT (1) | ATE453209T1 (ja) |
DE (1) | DE602004024782D1 (ja) |
HK (3) | HK1145043A1 (ja) |
TW (15) | TWI564933B (ja) |
WO (1) | WO2004114380A1 (ja) |
Families Citing this family (127)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG135052A1 (en) | 2002-11-12 | 2007-09-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1571697A4 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-04 | Nikon Corp | EXPOSURE SYSTEM AND DEVICE PRODUCTION METHOD |
KR101484435B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-01-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN103383528B (zh) | 2003-04-10 | 2016-05-04 | 株式会社尼康 | 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统 |
CN101813892B (zh) | 2003-04-10 | 2013-09-25 | 株式会社尼康 | 沉浸式光刻装置及使用光刻工艺制造微器件的方法 |
KR101498405B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-03-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
KR101148811B1 (ko) | 2003-06-19 | 2012-05-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
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US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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KR101504445B1 (ko) | 2004-03-25 | 2015-03-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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WO2006007111A2 (en) | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | A dynamic fluid control system for immersion lithography |
US8169591B2 (en) | 2004-08-03 | 2012-05-01 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
EP3306647A1 (en) | 2004-10-15 | 2018-04-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
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SG124351A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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US7515281B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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TWI537687B (zh) * | 2006-08-31 | 2016-06-11 | 尼康股份有限公司 | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method |
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US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
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JP4533416B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
CN101681123B (zh) | 2007-10-16 | 2013-06-12 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
EP2179329A1 (en) | 2007-10-16 | 2010-04-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8279399B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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KR101477833B1 (ko) | 2007-12-28 | 2014-12-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
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- 2004-06-18 KR KR1020107023718A patent/KR101148811B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020107000875A patent/KR101146962B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 EP EP09015888A patent/EP2216685B1/en not_active Not-in-force
- 2004-06-18 JP JP2005507235A patent/JP4437474B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-18 KR KR1020167032936A patent/KR101830565B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW103137370A patent/TWI564933B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW102123164A patent/TWI515769B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020107023716A patent/KR101148810B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 AT AT04746097T patent/ATE453209T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW105113425A patent/TWI590306B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020157031632A patent/KR101686762B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020127016894A patent/KR101265454B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW102123393A patent/TWI536430B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020127006006A patent/KR101265450B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 CN CNB200480015978XA patent/CN100459036C/zh active Active
- 2004-06-18 WO PCT/JP2004/008595 patent/WO2004114380A1/ja active Application Filing
- 2004-06-18 KR KR1020157001442A patent/KR101674329B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020147016500A patent/KR101529844B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020117028752A patent/KR101187617B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW102123165A patent/TWI515770B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 EP EP04746097A patent/EP1635382B1/en not_active Not-in-force
- 2004-06-18 TW TW104107541A patent/TWI543235B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020137028434A patent/KR101476087B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW106105260A patent/TW201721717A/zh unknown
- 2004-06-18 DE DE602004024782T patent/DE602004024782D1/de active Active
- 2004-06-18 KR KR1020187003214A patent/KR101931923B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020117022062A patent/KR101289979B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 EP EP10185992.4A patent/EP2278401B1/en active Active
- 2004-06-18 EP EP10185953.6A patent/EP2275869B1/en not_active Not-in-force
- 2004-06-18 KR KR1020147002172A patent/KR101483916B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW103137368A patent/TWI527086B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW098146230A patent/TWI463532B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW098146233A patent/TWI433212B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020187035459A patent/KR20180132996A/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020137005135A patent/KR101475634B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 CN CN2008101846483A patent/CN101436003B/zh active Active
- 2004-06-18 TW TW098113289A patent/TWI433211B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020137005136A patent/KR101419663B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020097023978A patent/KR101134957B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW093117577A patent/TW200514132A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW099136460A patent/TWI482200B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW099136459A patent/TWI457981B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW102123163A patent/TWI540612B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-10-27 US US11/258,846 patent/US7321419B2/en active Active
- 2005-12-02 KR KR1020057023089A patent/KR101119812B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-01-26 US US11/339,683 patent/US7812925B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-27 US US11/340,680 patent/US8018575B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-21 US US11/602,371 patent/US7486385B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-19 US US11/785,716 patent/US8027027B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-16 US US11/889,733 patent/US8436978B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-26 JP JP2009044470A patent/JP4505675B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-24 US US12/382,807 patent/US8319941B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-08 JP JP2010025992A patent/JP4894936B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-05 US US12/923,717 patent/US8705001B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-05 US US12/923,718 patent/US8436979B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-10 HK HK10111515.1A patent/HK1145043A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2010-12-28 JP JP2010293650A patent/JP5287845B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-23 JP JP2011037041A patent/JP5287901B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-23 JP JP2011037040A patent/JP5287900B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-21 HK HK11106397.3A patent/HK1152392A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-06-21 HK HK11106390.0A patent/HK1152391A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-09-09 US US13/137,753 patent/US8767177B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078269A patent/JP5488635B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-29 JP JP2012077973A patent/JP5494708B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-18 US US13/449,430 patent/US8830445B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-28 US US13/852,807 patent/US8724085B2/en active Active
- 2013-03-29 US US13/853,643 patent/US8717537B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-29 US US13/853,319 patent/US8692976B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-08 JP JP2013080847A patent/JP5556925B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-12-27 JP JP2013272184A patent/JP5626443B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-31 US US14/230,377 patent/US9001307B2/en active Active
- 2014-03-31 US US14/230,537 patent/US9019473B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-02 JP JP2014076375A patent/JP5761418B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-16 US US14/305,656 patent/US9025129B2/en active Active
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015006821A patent/JP5928618B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-26 US US14/669,326 patent/US9274437B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-25 JP JP2015127136A patent/JP5930102B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-20 JP JP2015206314A patent/JP6103016B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-12 JP JP2016003694A patent/JP6123920B2/ja active Active
- 2016-02-26 US US15/054,920 patent/US9551943B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-10-21 JP JP2016207355A patent/JP6237857B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-01-17 US US15/407,597 patent/US9810995B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-02-08 JP JP2017020807A patent/JP6264479B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-09-14 JP JP2017176254A patent/JP6512252B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-10-04 US US15/724,777 patent/US10007188B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-06-20 US US16/013,131 patent/US10191388B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2018-10-05 JP JP2018190188A patent/JP6614310B2/ja not_active Expired - Fee Related
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