KR101259190B1 - 액침 리소그래피 렌즈에 대한 유체 압력 보상 - Google Patents

액침 리소그래피 렌즈에 대한 유체 압력 보상 Download PDF

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Abstract

액침 유체에 의해 야기되는 광학계의 임의의 변위에 대해 보상하는 액침 리소그래피 시스템이 제공된다. 시스템은 레티클 (12) 에 의해 규정되는 이미지를 웨이퍼 (20) 상으로 투영하는 광학 어셈블리 (14) 를 포함한다. 광학 어셈블리는 웨이퍼로부터 갭 (24) 만큼 이격된 최종 광학 엘리먼트 (16) 를 포함한다. 액침 엘리먼트 (22) 는 액침 유체를 갭으로 제공하고, 갭을 빠져나가는 임의의 액침 유체를 회수하기 위해 제공된다. 유체 보상 시스템은, 액침 유체의 압력 변화에 의해 야기되는 광학 어셈블리의 최종 광학 엘리먼트 상의 힘에 대해 제공된다. 변화하는 압력에 의해 형성되는 결과적인 힘은 최종 광학 엘리먼트의 변위를 야기할 수도 있다. 유체 보상 시스템은 최종 광학 엘리먼트의 변위를 방지하기 위해, 실질적으로 동등한, 하지만 반대 방향의 힘을 광학 어셈블리 상에 제공하도록 구성된다.
액침 리소그래피, 액침 리소그래피 렌즈, 유체 압력 보상

Description

액침 리소그래피 렌즈에 대한 유체 압력 보상{FLUID PRESSURE COMPENSATION FOR IMMERSION LITHOGRAPHY LENS}
관련 출원
본 출원은 2004년 6월 17일 "액침 리소그래피용 유체 압력 보상 (Fluid Pressure Compensation for Immersion Lithography)" 이라는 제목으로 출원된 가출원 제 60/580,510 호에 대해 우선권을 주장하고, 그 내용은 여기에 모든 목적을 위해 참조로 통합된다.
배경
본 발명은 일반적으로 리소그래피에 관한 것이고, 더욱 상세하게는, 액침 유체에 의해 야기되는 리소그래피 렌즈 상에 가해지는 압력에 대해 보상하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 레티클 또는 프로그래머블 미러 어레이 (예를 들어, 미국 특허 제 5,296,891 호, 제 5,523,193 호 및 국제공개공보 제 98/38597 호 및 제 98/33096 호 참조. 이는 모두 여기에 참조에 의해 통합된다.) 등의 다른 패터닝 엘리먼트 에 의해 규정되는 이미지를, 제조하는 동안 반도체 웨이퍼 상으로 전사하는데 사용된다. 통상의 리소그래피 장치는 조명원, 레티클을 위치시키기 위한 레티클 스테이지 어셈블리, 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 스테이지, 및 레티클에 의해 규정되는 이미지를 웨이퍼 상으로 투영하기 위한 렌즈를 포함하는 광학 어셈블리를 포함한다. 웨이퍼의 움직임을 제어하고, 광학 어셈블리에 대한 웨이퍼의 위치를 측정하기 위해 제어 및 측정 시스템이 또한 각각 제공된다.
액침 리소그래피 시스템은 광학 어셈블리의 최종 렌즈와 웨이퍼 사이의 갭을 채우는 액침 유체층을 이용한다. 유체는, 종래의 "건식 (dry)" 리소그래피의 이론적 한계인 1 보다 더 큰 개구수 (numerical aperture; NA) 로 노광을 가능하게 함으로써 시스템의 분해능을 향상시킨다. 갭의 유체는, 다른 경우에 광학-공기 인터페이스에서 전부 내부로 반사되는 광으로 노광을 할 수 있게 한다. 액침 리소그래피를 통해, 액침 유체의 굴절 계수만큼 높은 개구수가 가능하게 된다. 유체 액침은 종래의 리소그래피 시스템에 비해, 웨이퍼의 수직 위치에서의 허용 가능 오차인 초점 심도 또한 증가시킨다. 따라서, 액침 리소그래피는 50nm 이하의 분해능을 제공할 수 있다.
액침 리소그래피에 있어 하나의 잠재적인 문제는 렌즈 상의 유체 압력이 광학 어셈블리의 최종 렌즈의 변위를 야기할 수도 있다는 것이다. 더욱 구체적으로는, 렌즈 상의 힘의 양은 유체에 의해 가해지는 압력 및 렌즈, 렌즈 마운트 하드웨어, 및 그 렌즈 마운트 하드웨어에 부착된 임의의 액침 유체 공급 노즐의 표면적의 크기에 의존한다.
유체 압력은 여러가지 이유에 의해 야기될 수도 있다. 액침 리소그래피에서, 메니스커스 (meniscus) 라 불리기도 하는, 노광 영역을 둘러싸는 공기-유체 인터페이스에서의 액체의 표면 장력은 렌즈와 광학 어셈블리를 빨아들이거나 끌어내리는 효과를 갖는다. 액침 유체의 양의 변화는 렌즈 상의 압력 변화를 또한 야기할 수도 있다. 출원인은 단지 0.02 cm3 의 정 (正) 또는 부 (負)의 변화는 80mm 직경의 렌즈 상에 약 50밀리-뉴턴의 힘의 변화를 야기할 것이라는 것을 발견하였다. 또한, 물이 갭을 빠져나감에 따라, 물의 흐름 또한 렌즈 상에 끌어내리는 힘을 형성하는 경향을 갖는다. 수평 평면에서의 웨이퍼의 동적 움직임은 렌즈 상에 압력을 가하는 전단력 (shear force) 을 야기할 수도 있다. 초점을 맞추기 위한 목적으로 수행되는 웨이퍼의 수직 움직임 또한 렌즈의 원하지 않은 진동 또는 수직 커플링을 야기할 수도 있다.
광학 어셈블리의 최종 렌즈 상에 가해지는 과도한 힘은 노광 동작 동안 여러가지 문제를 야기할 수 있다. 그 힘이 렌즈의 변위를 야기한다면, 웨이퍼 상으로 투영되어 생성된 이미지는 초점이 맞지 않을 수도 있다. 한편, 광학 어셈블리가 변위를 방지하기 위해 단단히 마운트된다면, 열팽창으로 인해 렌즈 수차 (lens aberration) 를 초래할 수도 있고, 다시 투영 이미지의 블러링 (blurring) 을 초래할 수 있다.
따라서, 액침 유체에 의해 야기되는 리소그래피 렌즈 상에 가해지는 압력에 대한 보상을 위한 장치 및 방법이 필요하다.
요약
본 발명은 액침 유체에 의해 야기되는 광학계의 임의의 변위에 대해 보상하는 액침 리소그래피 시스템에 관한 것이다. 본 시스템은 레티클에 의해 규정되는 이미지를 웨이퍼 상으로 투영하는 광학 어셈블리를 포함한다. 광학 어셈블 리는 웨이퍼로부터 갭만큼 이격된 최종 광학 엘리먼트를 포함한다. 액침 유체를 갭으로 제공하고, 그 갭을 빠져나오는 임의의 액침 유체를 회수하기 위해 액침 엘리먼트가 제공된다. 액침 유체의 압력 변화에 의해 야기되는 광학 어셈블리의 최종 광학 엘리먼트 상의 힘에 대해 보상하여 최종 광학 엘리먼트의 변위를 최소화하기 위해 유체 보상 시스템이 제공된다. 변화하는 압력에 의해 형성되는 결과적인 힘은 최종 광학 엘리먼트의 변위를 야기할 수도 있다. 광학 어셈블리 상에 실질적으로 동등한, 하지만 반대 방향의 힘을 제공하여 최종 광학 엘리먼트의 변위를 방지하기 위해 유체 보상 시스템이 구성된다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 본 발명의 특징들을 가진 액침 장치의 예시이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 액침 리소그래피 렌즈에 대한 유체 압력 보상 시스템의 확대도이다.
도 3 은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 액침 리소그래피 렌즈에 대한 유체 압력 보상의 모델 다이어그램이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 최종 광학 엘리먼트를 클램핑하는 광학 어셈블리의 다이어그램이다.
도 5a 및 도 5b 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 최종 광학 엘리먼트 및 클램프의 다이어그램이다.
도 6a 및 도 6b 는 본 발명의 액침 장치를 이용하여 반도체 디바이스를 제조하는 것을 나타낸 플로우 다이어그램이다.
도 7a 및 도 7b 는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 액침 리소그래피용 유체 압력 보상 시스템의 다이어그램이다.
도면에서 동일 참조 부호는 동일 엘리먼트를 나타낸다.
상세한 설명
도 1 을 참조하면 액침 장치가 나타내어져 있다. 액침 장치 (10) 는 레티클 스테이지 (12), 최종 광학 엘리먼트 (16) 를 포함하는 광학 어셈블리 (14), 및 웨이퍼 (20) 를 지지하기 위한 웨이퍼 스테이지 (18) 를 포함한다. 노즐로도 불리는 액침 디바이스 (22) 는 최종 광학 엘리먼트 (16) 와 웨이퍼 스테이지 (18) 상의 웨이퍼 (20) 사이에 위치한다. 액침 디바이스는 최종 광학 엘리먼트 (16) 와 웨이퍼 (20) 사이의 갭 (24) 으로 유체를 공급하도록 되어 있다. 액침 디바이스는 또한, 갭 (24) 을 빠져 나오는 액침 유체를 회수하도록 되어 있다. 다양한 실시형태들에서, 액침 유체는 물 또는 오일 등의 액체가 될 수도 있다. 액침 디바이스에 대한 더욱 상세한 내용은, 본 발명의 양수인에게 양도되고 모든 목적을 위해 여기에 참조로서 통합된, "액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 (Apparatus and Method for Providing Fluid for Immersion Lithography)" 이라는 제목의 2004년 7월 16일 출원된 PCT 출원 제 PCT/US04/22915 호 (NRCA 문서 번호 PAO645PCT/Townsend 문서 번호 011720-002310PC) 또는 역시 여기에 참조로서 통합된 유럽 공개특허공보 EP 1 420 298 A2 에 설명된 바와 같은 가스 실을 참조하기 바란다.
도 2 를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 액침 리소그래피 장치를 위한 유체 압력 보상 시스템의 확대된 단면도가 나타내어져 있다. 장치 (10) 는 최종 광학 엘리먼트 (16) 를 광학 어셈블리 (14) 에 마운트하기 위해 사용되는 렌즈 마운트 (32) 를 포함한다. 최종 광학 엘리먼트 (16) 는 웨이퍼 (20) 위에 위치한다. 액침 디바이스 (22) (간략화를 위해 도 2 에 도시하지 않았다) 는 액침 유체 (34) 를 갭 (24) 에 제공하고 회수하도록 되어 있다. 액침 유체의 메니스커스 (35) 는 렌즈 마운트 (32) 의 외곽-에지 아래의 유체-대기 인터페이스에 형성된다.
유체 (34) 의 압력의 변화에 의해 야기되는 최종 광학 엘리먼트 (16) 상의 힘의 임의의 변화에 대해 보상하기 위해 유체 보상 시스템 (36) 이 제공된다. 유체 보상 시스템 (36) 은 최종 광학 엘리먼트 (16) 를 둘러싸고, 광학 어셈블리 (14) 와 렌즈 마운트 (32) 사이에 위치하는 챔버 (38) 를 포함한다. 챔버는 액침 유체 (34) 로 채워진다. 유로 (passage; 40) 는 갭 (24) 의 액침 유체 (34) 를 챔버 (38) 와 유체적으로 연결한다. 퍼지 디바이스 (purge device; 44) 는 유로 (42) 를 통해 챔버 (38) 에 유체적으로 연결된다. 본 출원의 목적을 위해, 챔버 (38) 는 일반적으로 수평 방향이 아닌 수직 방향으로 확장 또는 수축이 가능한 디바이스로서 특징지어진다. 다양한 실시형태에서, 챔버 (38) 는 벨로우즈, 피스톤, 다이어프램, 또는 다른 수동 압력 응답 디바이스일 수도 있다. 유로 (40 및 42) 는 갭의 액침 유체 (34) 를 챔버 (38) 및 퍼지 디바이스 (44) 와 유체 접속하는 도관 또는 다른 개구일 수도 있다.
동작 동안, 액침 유체 (34) 의 압력의 변화는 최종 광학 엘리먼트 (16), 렌즈 마운트 (32), 및 액침 디바이스 상에 힘을 형성할 수도 있고, 이 모두는 최종 광학 엘리먼트 (16) 의 변위를 초래할 수도 있다. 챔버 (38) 는 액침 유체 (34) 에 의해 형성되는 힘을 보상 또는 상쇄하기 위한 동등한, 하지만 반대 방향의 힘을 형성하도록 설계되어 있다. 갭 (24) 의 액침 유체 (34) 에 의해 야기되는 압력이 증가하는 경우, 최종 광학 엘리먼트 (16) 상에 위쪽 방향으로의 힘이 형성된다. 증가된 압력은 유로 (40) 를 통해 챔버 (38) 의 압력의 대응하는 증가를 동시에 야기한다. 증가된 압력은 챔버 (38) 의 확장을 초래하여 렌즈 마운트 (32) 상에 동등한, 하지만 반대 방향의 아래쪽 방향으로의 힘을 형성한다. 그 결과, 최종 광학 엘리먼트 (16) 는 변위되지 않는다. 반대로, 액침 유체 (34) 의 압력이 갭 (24) 에서 감소된다면, 최종 광학 엘리먼트 (16) 상에 아래쪽 방향으로의 힘이 형성된다. 감소된 압력은 챔버 (38) 의 압력의 대응하는 감소를 초래한다. 결과적으로, 챔버 (38) 는 가압되고, 렌즈 마운트 (32) 상에 동등한, 하지만 반대 방향의 위쪽 방향으로의 힘을 야기한다. 그 결과, 최종 광학 엘리먼트 (16) 는 변위되지 않는다.
일 실시형태에서, 챔버 (38) 와 액침 유체 (34) 와 접촉하는 렌즈 마운트 (32) 의 상부 및 하부 표면의 수평 표면 면적은 실질적으로 동일하다. 실질적으로 동등한 표면 면적은, 액침 유체 (34) 가 마운트 (32) 의 하부 표면과 최종 광학 엘리먼트 (16) 조합에 가함에 따라, 챔버 (38) 가 렌즈 마운트 (32) 의 상부 표면 상에 동등한, 하지만 반대 방향의 힘을 가하는 것을 보장한다. 도 2 에서, 렌즈 마운트 (32) 의 하부 표면은 반경 (R1) 을 가지고, 그 내부 및 광학 어셈블리 (14) 는 외경 (R2) 및 내경 (R3) 을 각각 가진다고 가정하자. πR1 2=πR2 2-πR3 2 식이 만족된다면, 챔버 (38) 및 액침 유체 (34) 와 접촉하는 상부 및 하부 표면 면적은 실질적으로 동일하다. 예를 들어, 각각 R1=4, R2=5 및 R3=3 측정 단위일 때, 이 관계가 만족된다. 이 예에서 렌즈 마운트 (32) 및 광학 어셈블리 (14) 는 둥글지만, 이 형상은 본 발명을 한정하는 것으로 해석되어서는 아니된다. 다양한 실시형태에서, 렌즈 마운트 (32) 및 광학 어셈블리 (14) 는 사각, 직각, 타원형 등을 포함한, 그러나 여기에 한정되지 않는, 임의의 형상일 수 있다. 다른 실시형태에서, 렌즈 및 렌즈 마운트의 하부 및 상부 표면 상의 동등한, 하지만 반대 방향의 힘들은 실질적으로 수직으로 정렬된다.
도 3 을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 액침 리소그래피 장치를 위한 유체 압력 보상 시스템의 다이어그램이 나타내어져 있다. 장치 (50) 는 최종 광학 엘리먼트 (16) 를 광학 어셈블리 (14) 에 마운트하기 위해 사용되는 렌즈 마운트 (32) 를 포함한다. 최종 광학 엘리먼트 (16) 는 웨이퍼 (20) 위에 위치한다. 액침 디바이스 (22) (역시 간략화를 위해 도 3 에 도시하지 않았다) 는 갭 (24) 에 액침 유체 (34) 를 제공하고 회수하도록 되어 있다. 액침 유체의 메니스커스 (35) 는 렌즈 마운트 (32) 의 외곽-에지 아래의 유체-대기 인터페이스 아래에 형성된다.
유체 (34) 의 압력의 변화에 의해 야기되는 최종 광학 엘리먼트 (16) 상의 힘의 임의의 변화에 대해 보상하기 위해 유체 보상 시스템 (52) 이 제공된다. 유체 보상 시스템 (52) 은 렌즈 마운트 (32) 와 광학 어셈블리 (14) 의 측벽 사이에 기계적으로 연결된 한 쌍의 액츄에이터 (54) 를 포함한다. 광학 어셈블리의 측벽으로부터 확장된 지주 (strut; 58) 상에 마운트된 광학 위치 센서 (56) 는 광학 어셈블리 (14) 에 대한 렌즈 마운트 (32) 의 상대적인 위치를 측정하기 위해 제공된다. 압력 센서 (60) 는 갭 (24) 의 액침 유체 (34) 의 압력을 측정하는데 이용된다. 압력 센서 (60) 및 위치 센서 (56) 양자 모두에 연결된 제어 시스템 (62) 은 액츄에이터 (54) 를 제어하는데 이용된다.
액침 리소그래피 동안, 액침 유체 (34) 는 전술한 바와 같은 이유로 정 또는 부로 가압될 수도 있다. 이 압력은 렌즈 마운트 (32) 의 하부 표면, 최종 광학 엘리먼트 (16), 및 노즐에 인가되고, 이 모두는 최종 광학 엘리먼트 (16) 의 변위에 기여할 수도 있다. 액침 유체 (34) 의 압력 변화는 압력 센서 (60) 에 의해 측정되어 제어 시스템 (62) 에 연속적으로 제공된다. 또한, 위치 센서 (56) 는 렌즈 마운트 (32) 의 실제 위치를 측정한다. 다음으로, 제어 시스템 (62) 은, 압력 변화에 의해 야기되고 위치 센서 (56) 에 의해 검출된 최종 광학 엘리먼트 (16) 의 임의의 변위에 대해 보상하기 위해 실시간으로 액츄에이터를 제어한다. 예를 들어, 압력의 증가가 최종 광학 엘리먼트를 위쪽 방향으로 변위되게끔 하는 경우, 제어 시스템 (62) 은 액츄에이터가 렌즈 마운트 (32) 상에 동등한, 하지만 반대 방향의 힘을 가하도록 지시한다. 반대로, 센서 (60) 가 액침 유체 (34) 압력의 감소를 측정한 경우, 제어 시스템 (62) 은 액츄에이터 (54) 가 렌즈 마운트 (32) 상에 위쪽 방향의 힘을 가하도록 한다. 어느 경우에나, 액츄에이터 (54) 는 최종 광학 엘리먼트 (16) 의 변위를 방지한다. 다양한 다른 실시형태들에서, 제어 시스템 (62) 은 액츄에이터를 제어하기 위해 위치 센서 (56) 및 압력 센서 (60) 로부터의 입력을 이용할 수도 있다. 다르게는, 제어 시스템은 위치 센서 (56) 또는 압력 센서 (60) 양자 모두로부터의 입력이 아닌, 둘 중 어느 하나로부터의 입력을 이용할 수도 있다. 또 다른 실시형태에서, 액츄에이터는, 렌즈 마운트 (32) 와 광학 어셈블리 (14) 사이에 기계적으로 연결되지 않고, 렌즈 마운트 (32) 에 내장될 수도 있다.
도 4 를 참조하면, 광학 어셈블리 (14) 의 확대 다이어그램이 나타내어져 있다. 일 실시형태에서, 최종 광학 엘리먼트 (16) 를 광학 어셈블리 (14) 의 렌즈 배럴 (lens barrel; 72) 에 클램프하기 위해 카이너매틱 클램프 (kinematic clamp; 70) 가 사용된다. 도 5a 를 참조하면, 최종 광학 엘리먼트 (16) 의 상면도가 나타내어져 있다. 도면에 나타낸 바와 같이, 광학 엘리먼트는, 렌즈 부분 (16a) 과 광학 엘리먼트 (16) 의 외연 주위로 연장하는 테두리 부분 (16b) 을 포함한다. 도 5b 를 참조하면, 최종 광학 엘리먼트 (16) 및 클램프 (70) 의 단면도가 나타내어져 있다. 클램프 (70) 는 최종 광학 엘리먼트 (16) 의 테두리 부분 (16b) 상으로 클램프하여 광학 어셈블리 (14) 내의 장소에 그것을 지지하도록 구성된다. 여기서는 클램프 (70) 가 카이너매틱 클램프로서 설명되었지만, 임의의 타입의 기계적 클램프가 사용될 수도 있다. 또 다른 실시형태에서, 접착제가 최종 광학 엘리먼트 (16) 를 광학 어셈블리 (14) 의 배럴 (72) 에 고정시키기 위해 사용될 수도 있다. 간략화를 위해, 하나의 클램프 (70) 만을 나타내었다. 통상, 2 개, 3 개, 또는 그 이상의 클램프 (70) 가 최종 광학 엘리먼트 (16) 의 주위에 사용될 수도 있다. 접착제가 사용되는 실시형태에서, 도 3 의 다이어그램에 나타낸 바와 유사하게, 분리된 또는 클램프 방식이 아닌 액츄에이터가 최종 광학 엘리먼트 (16) 의 임의의 변위에 대해 보상하기 위해 사용될 수 있다.
일 실시형태에서, 클램프 (70) 는 힘 액츄에이터 (force actuator) 이고, 광학 어셈블리 (14) 내의 장소에 최종 광학 엘리먼트 (16) 를 지지하고, 도 3 의 액츄에이터 (54) 와 유사하게, 액침 유체에 의해 야기되는 임의의 변위에 대해 보상하기 위한 동등한, 하지만 반대 방향의 힘을 제공하도록 되어 있다. 다양한 실시형태에서, 힘 액츄에이터는, VCM, EI 코어, 저강성 압전 스택 (low stiffness piezo stack), 압전 바이-모프 (piezo bi-morph), 또는 다른 자기 또는 압력 구동 액츄에이터일 수도 있다. 사용된 힘 액츄에이터의 타입에 상관 없이, 클램프 (70) 에 의해 카이너매틱 마운트에 인가되는 힘은 액침 유체 (34) 에 의해 형성되는 힘과 동등하지만 반대 방향이어야만 한다. 또한, 각각의 마운트에 의해 형성되는 힘은, 작용력의 중심이 유체 힘의 중심과 일치되도록 제어 시스템 (62) 에 의해 제어될 수 있다.
전술한 실시형태들에서, 제어 시스템 (62) 은, 압력 센서 (60) 에 의해 측정되는 실제의 순시력 (瞬時力) 계산과 광학 위치 센서 (56) 에 의해 측정되는 위치 피드백 양자 모두에 의존한다. 예를 들어, 순시력은 순시 압력에, 액침 유체와 접촉하는 최종 광학 엘리먼트 (16), 렌즈 마운트 (32), 및 액침 엘리먼트 (22) 의 표면적을 곱합으로써 계산된다. 그 다음, 순시 대항력 (instantaneous counter-force) 이 계산의 결과에 기초하여 인가될 수 있다. 필요한 대항력을 조절하기 위한 피드백에 위치 센서 (61) 가 사용될 수 있다. 다른 실시형태들에서, 제어 시스템 (62) 은, 압력 센서 (60) 에 의해 측정되는 순시력 계산 (즉, 개방 루프 시스템), 또는 광학 센서에 의해 측정되는 위치 피드백 (즉, 폐쇄 루프 시스템) 의 양자 모두가 아닌, 둘 중 어느 하나에 의존할 수도 있다.
다양한 실시형태들에 따르면, 액침 장치 (10) 는, 레티클과 웨이퍼를 동기하여 움직이면서 패턴을 웨이퍼 상으로 노광하는 스캔 타입 포토리소그래피 시스템으로서 사용될 수 있다. 스캔 타입 리소그래피 장치에서, 레티클은 레티클 스테이지 어셈블리에 의해 광학 어셈블리의 광축에 수직하게 움직이고, 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지 어셈블리에 의해 광학 어셈블리 (14) 의 광축에 수직하게 움직인다. 레티클과 웨이퍼가 동기하여 움직이면서 레티클과 웨이퍼의 스캐닝이 일어난다.
다르게는, 액침 장치 (10) 는, 레티클과 웨이퍼가 정지한 상태에서 레티클을 노광하는 스텝-앤드-리피트 타입의 포토리소그래피 시스템일 수 있다. 스텝 앤드 리피트 프로세스에서, 웨이퍼는, 개별 필드의 노광 동안 레티클 및 광학 어셈블리 (14) 에 대해 일정한 위치일 것이다. 이어서, 계속되는 노광 단계들 사이에서, 웨이퍼의 다음 필드가 노광을 위해 광학 어셈블리 (14) 및 레티클에 상대적인 위치로 오게 되도록, 웨이퍼는 광학 어셈블리 (14) 의 광축에 수직하게 웨이퍼 스테이지 어셈블리와 함께 연속적으로 움직이게 된다. 이 프로세스 다음에, 레티클 상의 이미지가 웨이퍼의 필드 상으로 연속적으로 노광되고, 그 다음, 웨이퍼의 그 다음 필드가 광학 어셈블리 (14) 및 레티클에 상대적인 위치로 오게 된다.
당업계에 공지된 바와 같이, 액침 장치 (10) 는 조명원과 조명 광학 어셈블리를 갖는 조명 시스템 (미도시) 을 또한 포함한다. 조명원은 광 에너지의 빔 (광선) 을 방출한다. 조명 광학 어셈블리는 광 에너지의 빔을 조명원으로부터 광학 어셈블리 (14) 로 유도한다. 조명원은 g-라인 소스 (436nm), i-라인 소스 (365nm), KrF 엑시머 레이저 (248nm), ArF 엑시머 레이저 (193nm) 또는 F2 레이저 (157nm) 일 수 있다.
반도체 디바이스는 도 6a 에 일반적으로 나타낸 프로세스에 의해, 전술한 시스템을 이용하여 제조될 수 있다. 단계 601 에서, 디바이스의 기능 및 성능 특성들이 디자인된다. 다음으로, 단계 602 에서, 패턴을 갖는 마스크 (레티클) 가 이전의 디자인 단계에 따라 디자인되고, 병렬적인 단계 603 에서, 웨이퍼가 실리콘 재료로부터 만들어진다. 단계 602 에서 디자인된 마스크 패턴은 본 발명에 따라 전술한 포토리소그래피 시스템에 의해 단계 604 에서, 단계 603 으로부터의 웨이퍼 상으로 노광된다. 단계 605 에서, 반도체 디바이스는 조립되고 (다이싱 프로세스, 본딩 프로세스 및 패키징 프로세스 를 포함), 그 다음 최종적으로, 디바이스는 단계 606 에서 검사된다.
도 6b 는 반도체 디바이스를 제조하는 경우 전술한 단계 604 의 상세한 플로우차트 예를 나타낸다. 도 6b 에서, 단계 611 (산화 단계) 에서, 웨이퍼 표면이 산화된다. 단계 612 (CVD 단계) 에서, 절연막이 웨이퍼 표면 상에 형성된 다. 단계 613 (전극 형성 단계) 에서, 기상 증착에 의해 웨이퍼 상에 전극이 형성된다. 단계 614 (이온 주입 단계) 에서, 이온이 웨이퍼에 주입된다. 전술한 단계들 611 내지 614 는 웨이퍼 프로세싱 동안 웨이퍼에 대해 전처리 단계들을 형성하고, 프로세싱 요구에 따라 각각의 단계에서 선택이 이루어진다.
웨이퍼 프로세싱의 각각의 스테이지에서, 전술한 전처리 단계들이 완료되는 경우, 다음 후처리 단계들이 수행된다. 후처리 동안, 먼저, 단계 615 (포토레지스트 형성 단계) 에서, 포토레지스트가 웨이퍼에 도포된다. 다음으로, 단계 616 (노광 단계) 에서, 전술한 노광 디바이스가 마스크 (레티클) 의 회로 패턴을 웨이퍼로 전사하기 위해 사용된다. 그 다음, 단계 617 (현상 단계) 에서, 노광된 웨이퍼가 현상되고, 단계 618 (에칭 단계) 에서, 잔여 포토레지스트 이외의 부분들 (노광된 재료 표면) 은 에칭에 의해 제거된다. 단계 619 (포토레지스트 제거 단계) 에서, 에칭 후의 불필요한 포토레지스트 잔류물은 제거된다.
이들 전처리 및 후처리 단계들의 반복에 의해 다중 회로 패턴이 형성된다.
도 7a 를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 액침 리소그래피 장치를 위한 유체 압력 보상 시스템이 나타내어져 있다. 장치 (70) 는 최종 광학 엘리먼트 (16) 를 광학 어셈블리 (14; 미도시) 에 마운트하기 위해 사용되는 렌즈 마운트 (미도시) 를 포함한다. 최종 광학 엘리먼트 (16) 는 웨이퍼 (20) 위에 위치한다. 액침 디바이스 (22) 는 갭 (24) 에 액침 유체 (34) 를 제공하고 회수하도록 되어 있다. 액침 유체 도관 (72) 이 액침 유체를 갭 (24) 으로 공급하기 위해 제공된다. 가압된 공기 또는 가스를 제공하기 위한 에어 노즐 (76) 을 포함하는 가스 실 (gas seal; 74) 과 진공 포트 (78) 가 갭 (24) 의 외연 주위에 제공된다. 가스 실은 액침 유체 (34) 를 갭 내로 제한하거나 봉하기 위해 사용된다. 다양한 실시형태들에서, 에어 실 (74) 은 2 이상의 에어 노즐 (76) 및/또는 진공 포트 (78) 를 포함할 수도 있다. 가스 실 및/또는 베어링 (74) 은 또한 웨이퍼 (20) 위에 액침 엘리먼트 (22) 를 지지하기 위한 공기 또는 가스 베어링으로서 사용될 수도 있다. 가스 실 (74) 에 대한 더 자세한 내용은 여기에 모든 목적으로 참조로 통합된 유럽 공개특허공보 EP 1 420 298 A2 를 참조하라. 장치 (70) 는, 도관 (82) 에 의해 갭의 액침 유체 (34) 에 유체적으로 연결된 압력 센서 (80) 를 추가로 포함한다. 압력 센서 (80) 는 갭 (24) 의 액침 유체 (34) 의 압력을 측정하는데 사용된다. 그 다음, 압력 정보는, 웨이퍼 (20) 와 액침 디바이스 (22) 사이의 갭 (24) 의 높이를 선택적으로 조절하기 위해 노즐 (76) 을 빠져나오는 가스 또는 공기의 속도를 제어하는데 사용될 수 있다. 다르게 표현하면, 하나 이상의 노즐 (76) 을 빠져나오는 공기 또는 가스는 액침 디바이스 (22) 를 지지하는데 사용되는 힘을 제어하기 위해 선택적으로 조절될 수 있다.
도 7b 를 참조하면, 제어 시스템 (84) 의 블록 다이어그램이 나타내어져 있다. 압력 센서 (80) 는 순시 압력 측정치를 제어기 (86) 에 제공한다. 다음에, 제어기는 가스 흐름 제어기 (88) 에 대한 제어 신호를 생성한다. 가스 흐름 제어기 (88) 는, 가스 실 (74) 의 노즐 또는 노즐들 (76) 을 빠져나오는 가스의 속도 및 압력을 제어한다. 압력 및 속도를 제어함으로써, 웨이퍼 (20) 와 액침 디바이스 (22) 사이의 갭 (24) 은 선택적으로 제어될 수 있다. 예를 들어, 압력 및 속도는 액침 유체의 압력이 변함에 따라 일정한 갭 (24) 을 유지하기 위해 쉴새 없이 변화할 수 있다. 다르게는, 압력 및 속도는 갭의 높이를 선택적으로 제어하기 위해 변화될 수 있다. 다양한 실시형태들에서, 제어기 (86) 및 가스 흐름 제어는 하나의 디바이스 또는 분리된 디바이스들일 수 있다.
여기에 나타내고 개시된 특정 노광 장치로, 여기서 전술했던 이점들을 제공하고 목적들을 획득하는 것이 충분히 가능하지만, 이는 본 발명의 현재의 바람직한 실시형태들의 예시에 지나지 않고, 첨부된 청구항에 나타낸 바 이외 여기에 나타낸 구성 또는 디자인의 상세한 내용에 본 발명을 한정시키려는 의도가 아님을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (31)

  1. 웨이퍼를 지지하도록 구성된 웨이퍼 테이블;
    최종 광학 엘리먼트를 갖고, 이미지를 상기 웨이퍼 상으로 투영하도록 구성된 광학 어셈블리;
    액침 유체를 상기 최종 광학 엘리먼트와 상기 웨이퍼 사이의 갭으로 제공하도록 구성된 액침 엘리먼트; 및
    상기 액침 유체의 압력 변화에 의해 야기되는 상기 광학 어셈블리의 상기 최종 광학 엘리먼트로의 제 1 력 (first force) 에 대해 보상하여 상기 최종 광학 엘리먼트의 변위를 최소화하도록 구성된 유체 보상 시스템을 포함하고, 상기 유체 보상 시스템은 상기 최종 광학 엘리먼트로 제 2 력 (second force) 을 가하는, 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체 보상 시스템은, 상기 최종 광학 엘리먼트를 지지하는 렌즈 마운트에 인접하여 위치하는 챔버를 포함하는, 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 갭과 상기 챔버 사이에 유체 연결된 유로 (passage) 를 추가로 포함하는, 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 액침 유체에 의해 상기 최종 광학 엘리먼트 상으로 가해지는 상기 제 1 력에 대항하기 위해 상기 렌즈 마운트 상에 상기 제 2 력을 가함으로써, 상기 최종 광학 엘리먼트의 임의의 변위에 대해 수동적으로 보상하도록 구성되는, 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 력은 상기 제 1 력과 실질적으로 동등한, 하지만 반대 방향인, 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 렌즈 마운트는, 상기 액침 유체와 접촉하도록 구성된 제 1 표면 및 상기 챔버와 접촉하도록 구성된 제 2 표면을 갖는, 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 유체 보상 시스템은, 상기 챔버에 유체 연결된 퍼지 디바이스 (purge device) 를 추가로 포함하는, 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버는, 수직 방향으로는 확장 또는 수축하지만, 일반적으로 수평 방향으로는 확장 또는 수축하지 않도록 구성된, 장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버는 수동 압력 디바이스인, 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 수동 압력 디바이스는 벨로우즈, 피스톤, 또는 다이어프램 중 하나를 포함하는, 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체 보상 시스템은,
    상기 최종 광학 엘리먼트 상에 가해지는 상기 제 1 력을 계산하고, 그 계산된 제 1 력에 상응하는 제어 신호를 생성하도록 구성된 제어 시스템; 및
    상기 제어 신호에 응답하여, 상기 최종 광학 엘리먼트를 지지하는 렌즈 마운트로, 상기 제 1 력과 동등한, 하지만 반대 방향의 상기 제 2 력을 가하여 상기 최종 광학 엘리먼트의 변위를 방지하도록 구성된, 하나 이상의 힘 액츄에이터 (force actuator) 를 포함하는, 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 힘 액츄에이터는, 상기 광학 어셈블리와, 상기 최종 광학 엘리먼트를 지지하는 렌즈 마운트 사이에 기계적으로 연결되는, 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 액침 유체에 의해 상기 최종 광학 엘리먼트 상에 가해지는 압력을 측정하고, 그 측정된 압력에 상응하는 압력 신호를 상기 제어 시스템에 제공하도록 구성된 압력 센서를 추가로 포함하는, 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 제어 시스템에 연결되어, 상기 최종 광학 엘리먼트를 지지하는 렌즈 마운트의 위치를 측정하도록 구성된 위치 센서를 추가로 포함하는, 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 힘 액츄에이터는 상기 최종 광학 엘리먼트를 지지하는 렌즈 마운트의 내부에 있는, 장치.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 힘 액츄에이터는, VCM, EI 코어, 압전 스택 (piezo stack), 또는 자기 액츄에이터, 또는 압력 액츄에이터 중 하나의 타입의 힘 액츄에이터인, 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 력은 상기 제 1 력의 방향에 반대인 방향을 갖는, 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체 보상 시스템은, 상기 최종 광학 엘리먼트의 변위를 방지하기 위해 상기 최종 광학 엘리먼트를 지지하는 렌즈 마운트에 상기 제 2 력을 가하도록 구성된 하나 이상의 힘 액츄에이터를 포함하는, 장치.
  19. 제 1 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 유체 보상 시스템은, 상기 갭의 액침 유체의 압력을 측정하도록 구성된압력 센서를 포함하는, 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 유체 보상 시스템은, 상기 측정된 압력에 기초하여 상기 최종 광학 엘리먼트를 지지하는 렌즈 마운트에 상기 제 2 력을 가하는, 장치.
  21. 웨이퍼를 지지하도록 구성된 웨이퍼 테이블;
    최종 광학 엘리먼트를 갖고, 이미지를 상기 웨이퍼 상으로 투영하도록 구성된 광학 어셈블리;
    가스의 흐름을 제공하도록 구성된 하나 이상의 가스 노즐을 갖고, 액침 유체를 상기 최종 광학 엘리먼트와 상기 웨이퍼 사이의 갭으로 제공하도록 구성된 액침 엘리먼트;
    상기 갭의 상기 액침 유체의 압력을 측정하도록 구성된 압력 센서; 및
    상기 압력 센서에 연결되어, 상기 하나 이상의 가스 노즐로부터의 가스의 흐름의 속도를 제어하도록 구성된 가스 제어 시스템을 포함하는, 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 노즐로부터의 상기 가스 흐름은, 상기 갭에 상기 액침 유체를 실질적으로 수용하는데 사용되는, 장치.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 노즐로부터의 상기 가스 흐름은, 상기 액침 엘리먼트를 지지하는데 사용되는 에어 베어링 (air bearing) 을 형성하는데 사용되는, 장치.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 가스 제어 시스템은 또한, 상기 하나 이상의 가스 노즐을 빠져나오는 가스의 속도를 제어함으로써, 상기 액침 엘리먼트와 상기 웨이퍼 사이의 갭을 조절하도록 구성된, 장치.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 노즐은 상기 갭의 외연 주위에 제공되는, 장치.
  26. 제 21 항에 있어서,
    상기 액침 엘리먼트는 하나 이상의 진공 포트를 갖는, 장치.
  27. 제 21 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 노즐은, 상기 웨이퍼가 상기 하나 이상의 가스 노즐을 마주보도록 제공되는, 장치.
  28. 웨이퍼 테이블 상에 웨이퍼를 지지하는 단계;
    액침 엘리먼트로부터 최종 광학 엘리먼트와 상기 웨이퍼 사이의 갭으로 액침 유체를 제공하는 단계;
    상기 최종 광학 엘리먼트와 상기 웨이퍼 사이의 상기 갭의 상기 액침 유체를 통해 상기 웨이퍼 상으로 이미지를 투영하는 단계;
    상기 갭의 상기 액침 유체의 압력을 측정하는 단계;
    상기 액침 엘리먼트의 하나 이상의 가스 노즐로부터의 가스 흐름을 제공하는 단계; 및
    상기 액침 유체의 상기 측정된 압력에 기초하여 상기 하나 이상의 가스 노즐로부터의 가스 흐름의 속도를 제어하는 단계를 포함하는, 액침 리소그래피 시스템을 위한 방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 노즐로부터의 상기 가스 흐름은 실질적으로 액침 유체를 포함하도록 사용되는, 액침 리소그래피 시스템을 위한 방법.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 노즐로부터의 상기 가스 흐름은 에어 베어링 (air bearing) 을 생성하도록 사용되는, 액침 리소그래피 시스템을 위한 방법.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 노즐로부터의 상기 가스 흐름은 상기 액침 엘리먼트와 상기 웨이퍼 사이의 갭을 조절하도록 사용되는, 액침 리소그래피 시스템을 위한 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4650413B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-16 株式会社ニコン 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム
SG2012050829A (en) 2003-04-10 2015-07-30 Nippon Kogaku Kk Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
KR101851511B1 (ko) 2004-03-25 2018-04-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101259190B1 (ko) * 2004-06-17 2013-04-29 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 렌즈에 대한 유체 압력 보상
US7944628B2 (en) * 2005-03-09 2011-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical element unit
WO2006133800A1 (en) 2005-06-14 2006-12-21 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
WO2007031182A1 (de) * 2005-09-13 2007-03-22 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage und verfahren zur einstellung einer optischen abbildungseigenschaft derselben
US7649612B2 (en) * 2006-01-27 2010-01-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Phase shifting photolithography system
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8027023B2 (en) 2006-05-19 2011-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference
DE102006023876A1 (de) * 2006-05-19 2007-11-22 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung
US11136667B2 (en) * 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
WO2012144904A2 (en) 2011-04-22 2012-10-26 Mapper Lithography Ip B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
KR20140027298A (ko) 2011-04-22 2014-03-06 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 웨이퍼와 같은 타겟의 처리를 위한 리소그래피 시스템 및 웨이퍼와 같은 타겟의 처리를 위한 리소그래피 시스템 작동 방법
JP5932023B2 (ja) * 2011-05-13 2016-06-08 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ターゲットの少なくとも一部を処理するためのリソグラフィシステム
JP5993649B2 (ja) * 2012-07-31 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 プローブカードへの基板当接装置、基板当接装置を備えた基板検査装置、及びプローブカードへの基板当接方法
JP6031292B2 (ja) * 2012-07-31 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 プローブカードへの基板当接方法
NL2017691A (en) * 2015-11-20 2017-06-02 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method
US10948830B1 (en) 2019-12-23 2021-03-16 Waymo Llc Systems and methods for lithography

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0142029A2 (de) * 1983-11-05 1985-05-22 Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft Speicherzellenverbindung
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
DE59105735D1 (de) 1990-05-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
EP0956516B1 (en) 1997-01-29 2002-04-10 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
JP3977324B2 (ja) * 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
EP1420298B1 (en) * 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1571697A4 (en) 2002-12-10 2007-07-04 Nikon Corp EXPOSURE SYSTEM AND DEVICE PRODUCTION METHOD
SG2012050829A (en) * 2003-04-10 2015-07-30 Nippon Kogaku Kk Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101289979B1 (ko) 2003-06-19 2013-07-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005006417A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
CN102944981A (zh) 2003-07-09 2013-02-27 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
KR20170070264A (ko) 2003-09-03 2017-06-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
EP1524557A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
DE602004027162D1 (de) 2004-01-05 2010-06-24 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
KR101851511B1 (ko) 2004-03-25 2018-04-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7524084B2 (en) * 2004-03-30 2009-04-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Illuminating device, and projection type video display
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101259190B1 (ko) * 2004-06-17 2013-04-29 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 렌즈에 대한 유체 압력 보상
JP4565272B2 (ja) 2004-07-01 2010-10-20 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム
US7180571B2 (en) 2004-12-08 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and actuator
US7265813B2 (en) 2004-12-28 2007-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0142029A2 (de) * 1983-11-05 1985-05-22 Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft Speicherzellenverbindung
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20080316445A1 (en) 2008-12-25
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