JP4623095B2 - 液浸リソグラフィレンズの流体圧力補正 - Google Patents

Description

本出願は、２００４年６月１７日に出願され、「液浸リソグラフィのための流体圧力補正」と題された仮出願第６０/５８０，５１０号に基づく優先権を主張し、その内容を全ての目的のためにここに援用して本文の記載の一部とする。

本発明は、一般的にはリソグラフィに関するものであり、より詳細には、液浸流体によってリソグラフィレンズ上に及ぼされる圧力を補正する装置、及び方法に関するものである。

リソグラフィ装置は、レチクル、又はプログラム可能なミラーアレイ（例えば、米国特許第5,296,891号及び第5,523,193号、ＰＣＴ出願第98/38597号及び第98/33096号を参照。その開示の全てを援用して本文の記載の一部とする。）のような他のパターン素子によって画定された像を、製造工程において、半導体ウェハ上に転写するために使われる。典型的なリソグラフィ装置は、光源、レチクルを位置決めするためのレチクルステージアセンブリ、ウェハを支持するためのウェハステージ、及びレチクルによって画定された像をウェハ上に投影するためのレンズを含む光学アセンブリを含む。制御系、及び測定系もまた、ウェハの動きを制御するため、及び光学アセンブリに対するウェハの位置を測定するために、それぞれ備えられる。

液浸リソグラフィシステムは、ウェハと光学アセンブリの最終（終端）レンズとの間の空間（ギャップ）を満たす液浸流体の層を利用する。流体は、従来のドライリソグラフィにおける理論上の限界値よりも大きな開口数（ＮＡ）での露光を可能とすることにより、液浸リソグラフィシステムの解像度を高める。ギャップの中の流体は、さもなくば、レンズと気体の界面において全て内部に反射されたであろう光による露光を可能にする。液浸リソグラフィでは、液浸流体の屈折率と同程度の高さの開口数とすることができる。流体液浸はまた、従来のリソグラフィシステムと比べて、ウェハの垂直（上下方向の）位置における許容エラーである焦点深度も大きくすることができる。このように、液浸リソグラフィは５０ナノメートル以下の解像度を提供することができる。

液浸リソグラフィにおける潜在的な１つの問題は、レンズ上の流体圧力が、光学アセンブリの最終レンズの位置ずれを引き起こす要因となることである。より具体的には、レンズにかかる力の大きさは、流体によって及ぼされる圧力並びに、レンズ、レンズマウント、及びレンズマウントに取り付けられたいかなる液浸流体供給ノズルの表面積の大きさに依存する。

流体圧力は、様々な理由から発生し得る。液浸リソグラフィでは、露光領域を囲む気体と流体との界面における液体の表面張力は、しばしばメニスカスと呼ばれるが、レンズと光学アセンブリを吸引若しくは引き下ろす効果を有する。液浸流体の量の変動もまた、レンズ上の圧力変動を引き起こす。出願人は、わずか０．０２ｃｍ^３の正、又は負の変化が、８０ｍｍの径を有するレンズ上において約５０ミリニュートンの力の変動をもたらすことを見出した。また、流体がギャップから流出するとき、流体の流れがレンズを下に引き下ろす力を発生させる傾向がある。水平面におけるウェハの動的運動は、レンズ上に圧力を及ぼすせん断力の要因となり得る。焦点合せを行うための、ウェハの垂直方向の動きも、望ましくない振動又はレンズが垂直方向に連結する要因となり得る。

光学アセンブリの最終レンズに及ぼされる過剰な力は、露光工程中に様々な問題を引き起こし得る。その力によってレンズの位置がずれると、ウェハ上に投影される像は、焦点が合っていないものとなる。一方、位置ずれを防ぐために、光学アセンブリのマウントがきつすぎると、熱膨張によるレンズ収差が引き起こされることがあり、投影された像がぼやける結果となる。

それゆえに、液浸流体によってリソグラフィレンズ上に及ぼされる圧力を補正する装置、及び方法が必要とされている。

本発明は、液浸流体に起因する光学レンズのいかなる位置ずれを補正する液浸リソグラフィシステムに関する。該システムは、レチクルによって画定された像をウェハ上に投影する光学アセンブリを含む。光学アセンブリは、ウェハからギャップによって隔離された終端光学素子を含む。液浸素子が備えられ、液浸流体をギャップに供給し、かつギャップから流出した液浸流体を回収する。流体補正系が備えられ、液浸流体の圧力変動に起因して光学アセンブリの終端光学素子に及ぶ力を補正し、終端光学素子の位置ずれを最小限にする。変動する圧力によって生じた力は、終端光学素子の位置ずれをもたらす可能性がある。流体補正系は、光学アセンブリに対して実質的に同じ大きさだが反対向きの力を供給して、終端光学素子の位置ずれを防ぐように構成されている。

図１は、液浸装置を示す。液浸装置１０は、レチクルステージ１２と、終端光学素子１６を含む光学アセンブリ１４と、ウェハ２０を支持するウェハステージ１８とを含む。液浸デバイス２２が、ノズルとも呼ばれるが、終端光学素子１６とウェハステージ１８上のウェハ２０との間に位置する。液浸デバイスは、終端光学素子１６とウェハ２０との間のギャップ２４に、流体を供給する役割を果たす。液浸デバイスはまた、ギャップ２４から流出した液浸流体を回収する役割も果たす。様々な実施形態において液浸流体は、水又は油のような液体であってもよい。液浸デバイスについてより詳細には、２００４年７月１６日に出願され、「液浸リソグラフィのための流体供給装置及び方法」と題されたＰＣＴ出願第ＰＣＴ/ＵＳ０４/２２９１５号（ＮＲＣＡ 件名番号 ＰＡＯ６４５ＰＣＴ/Ｔｏｗｎｓｅｎｄ 件名番号 ０１１７２０−００２３１０ＰＣ）又は欧州出願第ＥＰ１４２０２９８Ａ２号において説明されているガスシールを参照。ＰＣＴ出願第ＰＣＴ/ＵＳ０４/２２９１５号は、本発明の譲受人に譲渡されており、その内容を、全ての目的のため援用して本文の記載の一部とする。欧州出願第ＥＰ１４２０２９８Ａ２号についても、その開示を援用して本文の記載の一部とする。

図２は、本発明の一実施形態に従う、液浸リソグラフィのための流体圧力補正系の拡大断面図を示す。液浸装置１０は、終端光学素子１６を光学アセンブリ１４にマウントするために使われるレンズマウント（レンズ取り付け部）３２を含む。終端光学素子１６は、ウェハ２０の上方に位置づけられる。液浸デバイス２２（図２を簡素にするために図示せず）は、ギャップ２４に液浸流体３４を供給し、ギャップ２４から液浸流体３４を回収する役割を有する。液浸流体のメニスカス３５が、レンズマウント３２の外縁下方の、流体と空気との界面に形成される。

流体補正系３６が、流体３４の圧力変化による、終端光学素子１６に及ぼされる力の変化を補正（補償）するために備えられている。流体補正系３６は、終端光学素子１６を取り囲み、光学アセンブリ１４とレンズマウント３２との間に位置するチャンバ（室）３８を含む。このチャンバは液浸流体３４で満たされる。流路４０が、ギャップ２４における液浸流体３４を、チャンバ３８と流体的に連結する。パージデバイス４４が流路４２を介してチャンバ３８と流体的に連結されている。種々の目的のため、チャンバ３８は一般的に、垂直方向に伸縮可能であるが、水平方向には伸縮しない装置としての特徴を有する。様々な実施形態において、チャンバ３８は、ベローズ、ピストン、ダイヤフラム、又は他の圧力を受けて反応する装置であってもよい。流路４０と４２は、ギャップの中の液浸流体３４をチャンバ３８とパージデバイス４４とに流体接続するダクト、又は他の開口であってもよい。

動作中、液浸流体３４の圧力変化は、終端光学素子１６、レンズマウント３２、及び液浸装置上に力を及ぼし、これら全てが、終端光学素子１６の位置ずれという結果をもたらす可能性がある。チャンバ３８は、液浸流体３４によって生じた力を補正又は相殺するための、同じ大きさであるが反対向きの力を生じるように設計されている。ギャップ２４内の液浸流体３４による圧力が増すと、終端光学素子１６には、上向きの力が生じる。増加した圧力は同時に、流路４０を介してチャンバ３８内の圧力を増加させる原因となる。増加した圧力は結果としてチャンバ３８を拡張させ、レンズマウント３２に、同じ大きさだが反対向きの下向きの力が生じる。その結果、終端光学素子１６は位置ずれすることはない。逆に、ギャップ２４内の液浸流体３４の圧力が下がった場合、終端光学素子１６には下向きの力が生じる。圧力の減少は、チャンバ３８内の圧力を減少させる結果となる。したがって、チャンバ３８は収縮し、レンズマウント３２に同じ大きさだが反対向きの上向きの力を生じさせる。その結果、終端光学素子１６は位置ずれすることはない。

一実施形態において、チャンバ３８及び液浸流体３４に接するレンズマウント３２の、上面及び下面における水平面の面積は、ほぼ同じ大きさである。表面積がほぼ同じ大きさであることにより、液浸流体３４がレンズマウント３２及び終端光学素子１６の下面に及ぼす力と同じ大きさであるが反対向きの力を、チャンバ３８がレンズマウント３２の上面に確実に及ぼす。図２において、レンズマウント３２の下面の半径をＲ_１、光学アセンブリ１４の外径及び内径をそれぞれＲ_２、Ｒ_３とすると、等式πＲ_１ ^２=πＲ_２ ^２−πＲ_３ ^２が満たされる場合、チャンバ３８及び液浸流体３４に接する上面及び下面の面積はほぼ同じである。例えば、それぞれ同じ測定単位で、Ｒ_１=４（測定単位）、Ｒ_２=５（測定単位）、及びＲ_３=３（測定単位）である場合、この関係が満たされる。この例において、レンズマウント３２と光学アセンブリ１４は円形であるが、この形状は本発明を限定するものとして解釈されるべきではない。種々の実施形態において、レンズマウント３２と光学アセンブリ１４はどのような形状もとることができ、その形状は正方形、長方形、楕円等を含むが、これらに限定されない。他の実施形態において、レンズ及びレンズマウントの上面と下面とにかかる同じ大きさであるが反対向きの力は、ほぼ垂直方向に揃えられている。

図３は、本発明の別の実施形態に従う液浸リソグラフィ装置のための流体圧力補正系を示す図である。液浸リソグラフィ装置５０は、終端光学素子１６を光学アセンブリ１４にマウントするために使われるレンズマウント３２を含む。終端光学素子１６は、ウェハ２０の上方に位置付けられる。液浸デバイス２２（図３を簡素にするため図示せず）は、ギャップ２４に液浸流体３４を供給し、かつ、ギャップ２４から液浸流体３４を回収する役割を有する。液浸流体のメニスカス３５が、レンズマウント３２の外縁の下方の流体と空気の界面に形成される。

流体補正系５２が、流体３４の圧力変化による、終端光学素子１６に及ぼされる力の変化を補正するために備えられている。流体補正系５２は、それぞれがレンズマウント３２と光学アセンブリ１４の側壁の間に機械的に連結された一組のアクチュエータ５４を含む。光学アセンブリ１４の側壁から延びる支柱５８上にマウントされた光学位置センサ５６は、レンズマウント３２の光学アセンブリ１４に対する相対位置を測定するために備えられる。圧力センサ６０は、ギャップ２４における液浸流体３４の圧力を測定するために使われる。圧力センサ６０と位置センサ５６の双方とつながる制御系６２は、アクチュエータ５４を制御するために使われる。

液浸リソグラフィの最中、液浸流体３４は、上述の理由により、正又は負に加圧され得る。この圧力は、レンズマウント３２の下面と終端光学素子１６、及びノズルに及び、これらの全てが終端光学素子１６の位置ずれの原因となる可能性がある。液浸流体３４の圧力変動は、圧力センサ６０による測定値として、連続的に制御系６２に供給される。位置センサ５６もまた、レンズマウント３２の実際の位置を測定する。これにより制御系６２は、リアルタイムでアクチュエータを制御して、圧力の変化によって生じ、位置センサ５６によって検知された終端光学素子１６の位置ずれを補正する。例えば、圧力が増加して終端光学素子が上方に位置ずれする場合、制御系６２は、アクチュエータ５４に対して、レンズマウント３２に対して同じ大きさであるが反対向きの下向きの力を働かせるよう指令を出す。または、センサ６０が液浸流体３４の圧力減少を測定した場合、制御系６２は、アクチュエータ５４を制御して、レンズマウント３２に対して上向きの力を働かせる。どちらの場合でも、アクチュエータ５４は、終端光学素子１６の位置ずれを防ぐ。他の種々の実施形態において、制御系６２は、アクチュエータを制御するために、位置センサ５６及び圧力センサ６０からの入力を使ってもよい。または、制御系は位置センサ５６又は圧力センサ６０のいずれか一方からの入力を使ってもよいが、両方からの入力は使わない。さらに他の実施形態において、アクチュエータは、レンズマウント３２と光学アセンブリ１４との間で機械的に連結されるのではなく、レンズマウント３２の内部にあってもよい。

図４に、光学アセンブリ１４の拡大図を示す。一実施形態において、キネマチッククランプ７０は、光学アセンブリ１４のレンズ鏡筒７２に終端光学素子１６を留めるために使われる。図５Ａに、終端光学素子１６の上面図を示す。この図に示されるように、終端光学素子はレンズ部１６ａと終端光学素子１６の周辺部に沿って延びるフランジ部１６ｂとを含む。図５Ｂに、終端光学素子１６とクランプ７０の断面図を示す。クランプ７０は、終端光学素子１６を光学アセンブリ１４の内部に保持するために、終端光学素子１６のフランジ部１６ｂを固締するように構成されている。なお、ここで、クランプ７０はキネマチッククランプとして説明されているが、任意のタイプの機械的なクランプを利用することができる。さらに別の実施形態においては、終端光学素子１６を光学アセンブリ１４の鏡筒７２に保持するために、接着剤が使われてもよい。なお、図を簡素にするために、１つのクランプ７０のみを示したが、終端光学素子１６の周囲に沿って、典型的には２つ、３つ、又はそれより多い数のクランプ７０が使われてもよい。接着剤が使われる実施形態においては、図３に示されたものと同様に、終端光学素子１６の位置ずれを補正するために、独立したアクチュエータ又はクランプ式ではないアクチュエータを使うことができる。

一実施形態において、クランプ７０は、力アクチュエータであって、図３のアクチュエータ５４と同様、終端光学素子１６を光学アセンブリ１４内に保持する役割と、同じ大きさであるが反対向きの力を供給して、液浸流体による位置ずれを補正する役割とを有する。様々な実施形態において、力アクチュエータは、ＶＣＭ、ＥＩコア、低剛性圧電スタック（積層体）、バイモルフ型圧電アクチュエータ、又は他の磁気駆動又は圧力駆動アクチュエータであってもよい。使われる力アクチュエータの方式に関わらず、クランプ７０によってキネマチックマウントに対して付与される力は、液浸流体３４によって発生する力と同じ大きさであるが反対方向である必要がある。さらに、各マウントによって発生する力は、力の中心が、流体の力の中心と一致するように、制御系６２によって制御され得る。

前記実施形態において、制御系６２は、圧力センサ６０によって測定された実際の瞬時の力の計算と、光学位置センサ５６によって測定された位置フィードバックとの双方に依存している。例えば、瞬時の力は、瞬時圧力と、液浸流体と接する終端光学素子１６、レンズマウント３２、及び液浸素子２２の表面積とを掛け合わせることで計算される。瞬間的な抗力は、計算結果に基づいて付与され得る。位置センサ６１は、必要に応じて抗力を調節するためのフィードバックに使われ得る。しかしながら、他の実施形態において、制御系６２は、圧力センサ６０によって測定された瞬時の力の計算（即ち、開ループ系）、又は光学位置センサ５６によって測定された位置フィードバック（即ち、閉ループ系）のいずれか一方に依存し、双方に依存しなくてもよい。

様々な実施形態に従えば、液浸装置１０は、レチクルとウェハとを同期して動かしながら、レチクルからウェハにパターンを露光する走査型フォトリソグラフィ装置として使用することもできる。走査型リソグラフィ装置において、レチクルは、レチクルステージアセンブリによって光学アセンブリ１４の光軸に対して垂直に移動され、ウェハは、ウェハステージアセンブリによって光学アセンブリ１４の光軸に対して垂直に移動される。レチクルとウェハが同期して移動される間に、レチクルとウェハのスキャンが行われる。

あるいは、液浸装置１０は、レチクルとウェハが静止した状態でレチクルを露光する、ステップ・アンド・リピート方式のフォトリソグラフィシステムにもなり得る。ステップ・アンド・リピート工程において、個々の領域の露光中、ウェハはレチクル及び光学アセンブリ１４に対して一定の位置にあってよい。次いで、連続する露光工程の間に、ウェハはウェハステージアセンブリとともに、ウェハの次の領域が光学アセンブリ１４とレチクルに対する露光位置に収まるように、光学アセンブリ１４の光軸に対して垂直に連続的に動く。この工程に続いて、レチクル上の像はウェハの領域に連続的に露光され、次いでウェハの次の領域が、光学アセンブリ１４とレチクルに対する位置に移動する。

当技術分野においてよく知られているように、液浸装置１０はまた、光源と照明光学アセンブリとを有する照明系（図示せず）を含む。光源は、光エネルギーのビーム（光線）を射出する。照明光学アセンブリは、光エネルギーのビームを、光源から光学アセンブリ１４に導く。光源は、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、又はＦ_２レーザー（１５７ｎｍ）にし得る。

半導体デバイスは上記装置を使って、一般的に図６Ａに示される工程によって組み立てることができる。ステップ６０１において、デバイスの機能、及び動作特性が設計される。次に、ステップ６０２において、パターンを有するマスク（レチクル）が、前の設計工程に従い設計され、それと並行してステップ６０３において、シリコン材料からウェハが製造される。ステップ６０２で設計されたマスクパターンは、ステップ６０４において、上述した本発明に従うフォトリソグラフィ装置によって、ステップ６０３のウェハ上に露光される。ステップ６０５において、半導体デバイスは、組み立てられ（ダイシングプロセス、ボンディングプロセス、パッケージングプロセスを含む）、最終的に、ステップ６０６においてデバイスは検査される。

図６Ｂは、半導体デバイスを製造する場合における、前記ステップ６０４のより詳細なフローチャートの例を示す。図６Ｂにおいて、ステップ６１１（酸化工程）で、ウェハの表面を酸化する。ステップ６１２（ＣＶＤ工程）において、ウェハの表面に絶縁膜が形成される。ステップ６１３（電極形成工程）において、気相成長法によりウェハ上に電極が形成される。ステップ６１４（イオン注入工程）において、イオンがウェハに注入される。以上のステップ６１１からステップ６１４までが、ウェハ処理中のウェハに対する前処理工程を形成し、各工程の要件にしたがって選別が行われる。

ウェハ処理の各工程において、上述の前処理工程が完了すると、続く後処理工程が実行される。後処理工程においては、最初に、ステップ６１５（フォトレジスト形成工程）において、フォトレジストがウェハに塗布される。次にステップ６１６（露光工程）において、上述の露光装置が使われ、マスク（レチクル）の回路パターンがウェハに転写される。そしてステップ６１７（現像工程）において、露光されたウェハが現像され、ステップ６１８（エッチング工程）において、残余のフォトレジスト以外の部分（露光された材料表面）がエッチングによって取り除かれる。ステップ６１９（フォトレジスト除去工程）において、エッチング後に残っている不要なフォトレジストが取り除かれる。

これらの前処理工程、及び後処理工程を繰り返すことによって、多重回路パターンが形成される。

図７Ａは、本発明の別の実施形態に従う、液浸リソグラフィ装置のための流体圧力補正系を示す。装置７０は、終端光学素子１６を光学アセンブリ１４（図示せず）にマウントするために使われるレンズマウント（図示せず）を含む。終端光学素子１６は、ウェハ２０の上方に位置付けられている。液浸デバイス２２は、ギャップ２４に液浸流体３４を供給し、かつ、ギャップ２４から液浸流体３４を回収する役割を有する。液浸流体ダクト７２が、ギャップ２４に液浸流体３４を供給するために備えられている。加圧された空気又は気体を供給するための空気ノズル７６を含むガスシール７４と真空孔７８とが、ギャップ２４の周縁に沿って備えられている。ガスシールは、液浸流体３４をギャップの中に閉じ込め、又は封印するために使われる。様々な実施形態において、空気シール７４は、２つ以上の空気ノズル７６及び真空孔７８の双方、又はいずれか一方を含んでもよい。ガスシール及びベアリング７４の双方、又はいずれか一方は、ウェハ２０の上方の液浸デバイス２２を支持するための空気又は気体ベアリングとしても使われ得る。ガスシール７４のさらなる詳細については、欧州特許出願ＥＰ１４２０２９８Ａ２号を参照されたい。欧州特許出願ＥＰ１４２０２９８Ａ２号を、全ての目的のため援用して本文の記載の一部とする。装置７０はさらに、ダクト８２によってギャップにおける液浸流体３４と流体連結された圧力センサ８０を含む。圧力センサ８０は、ギャップ２４における液浸流体３４の圧力を測定するために使われる。圧力の情報は、ノズル７６を出ていく気体又は空気の速度を制御して、ウェハ２０と液浸デバイス２２との間のギャップ２４の高さを選択的に調節するために使われる。つまり、１つ以上のノズル７６から出て行く空気又は気体の速度は、液浸デバイス２２を支持するための力を制御するために、選択的に調節され得る。

図７Ｂは、制御系８４のブロック図を示す。圧力センサ８０は、瞬時の圧力の測定結果を、コントローラ８６に供給する。それによりコントローラは、ガスフローコントローラ８８に対する制御信号を生成する。ガスフローコントローラ８８は、ガスシール７４のノズル７６から出て行く気体の速度及び圧力を制御する。圧力と速度を制御することにより、ウェハ２０と液浸デバイス２２との間のギャップ２４を、選択的に制御することができる。例えば、液浸流体の圧力が変動すると、一定のギャップ２４を維持するために、圧力と速度が至急に変えられる。あるいは、ギャップの高さを選択的に制御するために、圧力及び速度が変えられてもよい。種々の実施形態において、コントローラ８６とガスフローコントローラ８８は、１つの装置であってもよく、別個の装置であってもよい。

なお、ここで開示されかつ図示された特定の露光装置は、十分に本発明の目的を達成することができ、かつ、前述した利益をもたらすことができるが、これは、現時点での好ましい実施形態の単なる例示に過ぎず、添付のクレームに記載された以外の本発明の構造や設計の詳細を限定することを意図するものではない。

図１は本発明の特徴を有する液浸装置を示す図である。 図２は本発明の一実施形態に従う、液浸リソグラフィレンズの流体圧力補正系の拡大図である。 図３は本発明の第２実施形態に従う、液浸リソグラフィレンズの流体圧力補正系のモデル図である。 図４は本発明の一実施形態に従う、終端光学素子をクランプする光学アセンブリの図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の一実施形態に従う、終端光学素子とクランプ（保持具）の図である。 図６Ａは、本発明の液浸装置を使用した半導体デバイスの組立て工程を説明するフロー図である。 図６Ｂは、本発明の液浸装置を使用した半導体デバイスの組立て工程を説明するフロー図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、本発明の別の実施形態に従う、液浸リソグラフィの流体圧力補正系の図である。 類似の符号は、図面における類似の要素を参照する。

Claims (25)

1. ウェハを支持するように構成されたウェハテーブルと、
   終端光学素子を有し、前記終端光学素子からギャップを隔てて置かれた前記ウェハ上に像を投影するように構成された光学アセンブリと、
   前記終端光学素子と前記ウェハとの間の前記ギャップに液浸流体を供給するように構成された液浸素子と、
   前記液浸流体の圧力変動に起因して前記光学アセンブリの前記終端光学素子にかかる力を補正して、前記終端光学素子の位置ずれを最小限にするように構成された流体補正系と、を備え、
   前記流体補正系は、前記終端光学素子を前記光学アセンブリにマウントするために使われるレンズマウントと前記光学アセンブリとの間に位置し、前記ギャップの前記液浸流体に流路を介して流体的に連結されたチャンバを含み、前記チャンバを拡張または収縮させて前記終端光学素子にかかる力を補正する装置。
2. 前記チャンバは、前記液浸流体によって前記レンズマウント、及び前記終端光学素子の双方、又はいずれか一方に働く第１の力に対抗させて、前記レンズマウントに第２の力を働かせることにより、前記終端光学素子の位置ずれを受動的に補正するように構成される請求項１に記載の装置。
3. 前記第２の力は、前記第１の力とほぼ同じ大きさで向きが反対である請求項２に記載の装置。
4. 前記レンズマウントは、前記液浸流体と接するように構成された第１の面と、前記チャンバと接するように構成された第２の面とを有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
5. 前記流体補正系はさらに、前記チャンバと流体連結されたパージデバイスを含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。
6. 前記チャンバは、垂直方向に伸縮するが、水平方向には殆んど伸縮しないように構成される請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
7. 前記チャンバは、受動圧力デバイスである請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
8. 前記受動圧力デバイスは、ベローズ、ピストン、及びダイヤフラムのうちの１つを含む請求項７に記載の装置。
9. ウェハを支持するように構成されたウェハテーブルと、
   終端光学素子を有し、前記終端光学素子からギャップを隔てて置かれた前記ウェハ上に像を投影するように構成された光学アセンブリと、
   前記終端光学素子と前記ウェハとの間の前記ギャップに液浸流体を供給するように構成された液浸素子と、
   前記液浸流体の圧力変動に起因して前記光学アセンブリの前記終端光学素子にかかる力を補正して、前記終端光学素子の位置ずれを最小限にするように構成された流体補正系と、を備え、
   前記流体補正系が、
   前記ギャップにおける前記液浸流体の圧力を測定する圧力センサと、
   前記液浸流体によって前記レンズマウント、及び前記終端光学素子の双方、又はいずれか一方に働く第１の力に対抗させて、第２の力を前記レンズマウント上に生成して前記終端光学素子の位置ずれを防ぐように構成された、少なくとも１つのアクチュエータを含む装置。
10. 前記アクチュエータは、前記レンズマウントと前記光学アセンブリとの間で機械的に連結される請求項９に記載の装置。
11. 前記流体補正系は、
    前記第１の力を計算し、かつ前記計算された第１の力に相応する制御信号を生成するように構成された制御系と、
    前記アクチュエータは、前記制御信号に反応し、かつ前記計算された第１の力と同じ大きさであるが向きが反対の前記第２の力を前記レンズマウント上に生成する請求項９又は１０に記載の装置。
12. 前記圧力センサは、前記測定した圧力に相応する圧力信号を前記制御系に対して供給する請求項１０又は１１に記載の装置。
13. 前記制御系と連結され、前記レンズマウントの位置を測定するように構成された位置センサをさらに含む、請求項１１又は１２に記載の装置。
14. 前記アクチュエータは、前記レンズマウントの内部にある請求項９〜１３のいずれか一項に記載の装置。
15. 前記アクチュエータは、ＶＣＭ、ＥＩコア、圧電スタック、磁気アクチュエータ、又は圧力アクチュエータのうちの１つのタイプの力アクチュエータである請求項９〜１４のいずれか一項に記載の装置。
16. ウェハを支持するように構成されたウェハテーブルと、
    終端光学素子とレンズマウントを有し、前記終端光学素子からからギャップを隔てて置かれたウェハ上に像を投影するように構成された光学アセンブリと、
    前記終端光学素子と前記ウェハとの間の前記ギャップに液浸流体を供給するように構成され、気体の流れをもたらすように構成された１つ以上の気体ノズルを有する液浸素子と、
    前記ギャップにおける前記液浸流体の圧力を測定するように構成された圧力センサと、
    前記圧力センサと連結され、前記１つ以上の気体ノズルからの気体の流れの速度を制御するように構成された気体制御系とを備える装置。
17. 前記気体ノズルからの気体の流れは、前記液浸流体を前記ギャップの中に実質的に収めるために使われる請求項１６に記載の装置。
18. 前記気体ノズルからの気体の流れは、前記液浸素子を支持するために使われる気体ベアリングを生じるために使われる請求項１６又は１７に記載の装置。
19. 前記気体制御系はさらに、前記気体ノズルから出る気体の速度を制御することにより、前記液浸素子と前記ウェハとの間のギャップを調節するように構成される請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の装置。
20. 前記ノズルは、前記ギャップの周縁に沿って設けられている請求項１６〜１９のいずれか一項記載の装置。
21. 請求項１〜２０のいずれか一項に記載の装置を使って、ウェハを露光することと、
    前記露光された前記ウェハを現像することと、
    を含む半導体デバイス製造方法。
22. ウェハテーブルにウェハを支持することと、
    光学アセンブリの終端光学素子からギャップを隔てて置かれた前記ウェハ上に像を投影することと、
    前記終端光学素子と前記ウェハとの間の前記ギャップに、液浸素子のダクトから液浸流体を供給することと、
    前記ギャップにおける前記液浸流体の圧力を測定することと、
    前記圧力の情報を使って、前記液浸素子の気体ノズルからの気体の流れの速度を制御することと、を含む液浸リソグラフィにおける流体圧力補正方法。
23. 前記気体ノズルからの気体の流れは、前記液浸流体を前記ギャップの中に実質的に収めるために使われる請求項２２に記載の方法。
24. 前記気体ノズルからの気体の流れは、前記液浸素子を支持するために使われる気体ベアリングを生じるために使われる請求項２２又は２３に記載の方法。
25. 前記気体ノズルから出る気体の速度を制御することにより、前記液浸素子と前記ウェハとの間のギャップが調節される請求項２２〜２４のいずれか一項に記載の方法。

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