JP2012169491A - インプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インプリント装置は、硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、被処理基板に滴下された硬化性樹脂材料に、テンプレートに凹凸で作成されたパターンを転写するインプリント装置である。インプリント装置は、吐出部と、ステージと、移動部165と、観察部181aと、を備える。吐出部は、被処理基板に向けて硬化性樹脂材料を吐出して滴下させる。ステージには、被処理基板が載置される。移動部は、所望の位置に硬化性樹脂材料を滴下させるためにステージと吐出部とを相対的に移動させる。観察部は、滴下された硬化性樹脂材料とパターンとが平面的に重なる状態で、テンプレートを接触させる前にパターンと滴下された硬化性樹脂材料とを観察する。
【選択図】図7
Description
まず、ナノインプリンティングによる一般的な転写工程について説明する。図1−1〜図1−3は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。図2は、インプリント装置の概略構成を示すブロック図である。なお、ここでは一例として、紫外線照射によりレジスト(光硬化性樹脂材料)を硬化させる光ナノインプリントについて説明するが、本実施形態は加熱によりレジスト(熱硬化性樹脂材料)を硬化させる熱ナノインプリンティングにも適用できる。
Claims (10)
- 硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、前記被処理基板に滴下された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートを接触させて凹凸で作成されたパターンを転写するインプリント装置であって、
前記被処理基板に向けて前記硬化性樹脂材料を吐出して滴下させる吐出部と、
前記被処理基板が載置されるステージと、
所望の位置に前記硬化性樹脂材料を滴下させるために前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させる移動部と、
滴下された前記硬化性樹脂材料と前記パターンとが平面的に重なる状態で、前記テンプレートを接触させる前に前記パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察する観察部と、を備えるインプリント装置。 - 前記硬化性樹脂材料に所望の凹凸を転写するための第1パターンと、前記硬化性樹脂材料の滴下位置を観察するための第2パターンとを有して構成され、
前記観察部は、前記第2パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察する請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記第2パターンの凹部の幅に対する凹部の深さの比が、第1パターンの凹部の幅に対する凹部の深さの比よりも小さい請求項2に記載のインプリント装置。
- 前記吐出部には、略一定のピッチで前記硬化性樹脂材料を吐出する吐出口が形成され、
前記第2パターンの凹部同士の間隔は、前記吐出口のピッチと略等しい請求項2または3に記載のインプリント装置。 - 前記第2パターンの凹部同士の間隔は、前記移動部の最小稼動ピッチと略等しい請求項2〜4のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記第2パターンの凸部が格子状に形成されていることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記観察部による観察結果に基づいて、前記硬化性樹脂材料が適切な位置に滴下されているかを判別する判別部と、
前記判別部により滴下位置が不適と判別された場合に、硬化性樹脂材料に転写されたパターンを検査する検査部をさらに備える請求項1〜6のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記観察部による観察結果に基づいて、前記硬化性樹脂材料の滴下位置のずれ量を検出するずれ検出部と、
前記ずれ量を前記移動部にフィードバックして、前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させる制御部と、をさらに備える請求項1〜7のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、前記被処理基板に滴下された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートに凹凸で作成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
前記硬化性樹脂材料を吐出部から吐出して前記被処理基板に向けて滴下させ、
所望の位置に前記硬化性樹脂材料を滴下させるために、前記被処理基板が載置されるステージと、前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させ、
滴下された前記硬化性樹脂材料と前記パターンとが平面的に重なる状態で、前記テンプレートを接触させる前に前記パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察するインプリント方法。 - 硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、前記被処理基板に滴下された前記硬化性樹脂材料に、テンプレートに凹凸で作成されたパターンを転写する凹凸板の製造方法であって、
前記硬化性樹脂材料を吐出部から吐出して前記被処理基板に向けて滴下させ、
所望の位置に前記硬化性樹脂材料を滴下させるために、前記被処理基板が載置されるステージと、前記ステージと前記吐出部とを相対的に移動させ、
滴下された前記硬化性樹脂材料と前記パターンとが平面的に重なる状態で、前記テンプレートを接触させる前に前記パターンと滴下された前記硬化性樹脂材料とを観察する凹凸板の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029984A JP5595949B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | インプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法 |
US13/234,071 US8826847B2 (en) | 2011-02-15 | 2011-09-15 | Imprinting apparatus, imprinting method, and manufacturing method of uneven plate |
US14/459,354 US9216539B2 (en) | 2011-02-15 | 2014-08-14 | Imprinting apparatus, imprinting method, and manufacturing method of uneven plate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029984A JP5595949B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | インプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012169491A true JP2012169491A (ja) | 2012-09-06 |
JP5595949B2 JP5595949B2 (ja) | 2014-09-24 |
Family
ID=46637091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011029984A Expired - Fee Related JP5595949B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | インプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8826847B2 (ja) |
JP (1) | JP5595949B2 (ja) |
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JP7471899B2 (ja) | 2020-04-24 | 2024-04-22 | キヤノン株式会社 | 補正データを作成する方法、成形方法、成形装置、および物品製造方法 |
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JP4481698B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-06-16 | キヤノン株式会社 | 加工装置 |
US20070228593A1 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Residual Layer Thickness Measurement and Correction |
JP4827513B2 (ja) | 2005-12-09 | 2011-11-30 | キヤノン株式会社 | 加工方法 |
JP4819577B2 (ja) | 2006-05-31 | 2011-11-24 | キヤノン株式会社 | パターン転写方法およびパターン転写装置 |
JP4810496B2 (ja) | 2007-04-25 | 2011-11-09 | 株式会社東芝 | パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート |
JP4908369B2 (ja) | 2007-10-02 | 2012-04-04 | 株式会社東芝 | インプリント方法及びインプリントシステム |
-
2011
- 2011-02-15 JP JP2011029984A patent/JP5595949B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-15 US US13/234,071 patent/US8826847B2/en not_active Expired - Fee Related
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2014
- 2014-08-14 US US14/459,354 patent/US9216539B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP7471899B2 (ja) | 2020-04-24 | 2024-04-22 | キヤノン株式会社 | 補正データを作成する方法、成形方法、成形装置、および物品製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9216539B2 (en) | 2015-12-22 |
US8826847B2 (en) | 2014-09-09 |
US20140353863A1 (en) | 2014-12-04 |
JP5595949B2 (ja) | 2014-09-24 |
US20120207931A1 (en) | 2012-08-16 |
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