JP2011176132A - インプリント装置及びそのテンプレート並びに物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インプリント装置は、未硬化樹脂を基板2に吐出する吐出機構7と、型3のパターン面に配置されたアライメントマークを検出する検出器9と、制御部Cと、を備える。パターン面は、デバイスパターンを有する第1領域とアライメントマークを有する第2領域とを含み、未硬化樹脂と型とが互いに押し付けられた場合に、第1領域の凹部が未硬化樹脂で充填される第1時刻より、第2領域の凹部が未硬化樹脂で充填される第2時刻が後になるように構成される。制御部Cは、デバイスパターンの凹部とアライメントマークの凹部とが充填される量の未硬化樹脂を基板2に吐出するように吐出機構7を制御し、第1時刻と第2時刻との間にアライメントマークを検出するように検出器9を制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば、型におけるアライメントマークを有する領域の凹部への未硬化樹脂の充填と該アライメントマークの検出との両立を目的とする。
1/P3=(1/P1)−(1/P2)・・・(1)
S=2・(ΔX/Pa)・P3・・・(2)
これらの式1、式2におけるピッチP1、P2を適当に選択することで、実際のテンプレートとウエハの相対位置ずれ量を拡大して精度良く計測する事が可能となる。モアレアライメント方式は、アライメント光学系の光学倍率を大きくすることなく、モアレピッチP3を大きくする事で、開口数(NA)を小さくできるため、簡易な光学系でアライメント精度を上げられるという点において大変有効な方式である。
図2を用いて、インプリント処理のフローを説明する。グローバルアライメント方式でもダイバイダイ方式でもテンプレート3が樹脂と接触する間におけるアライメントは同様であるため、ここではグローバルアライメント方式を前提として述べる。S1で、インプリント装置は、オフアクシススコープ9を用いてグローバルアライメントを行う。S2で、インプリント装置は、ウエハステージ1を駆動して、ウエハ2の第1のショット位置を吐出機構(ディスペンサー)7の下の吐出開始位置に移動させる。S3で、インプリント装置は、ウエハステージ1をスキャンさせつつ第1のショットに樹脂を吐出する。S4で、インプリント装置は、ウエハステージ1を駆動して第1のショットをテンプレート3の直下に移動させ、押印工程を開始する。押印工程において、ノズル20は酸素をパージするためにヘリウム(He)を放出し、テンプレート3とウエハ2との間の空間をHeで満たした状態とする。
ΔP=2Tcosθ/r・・・(3)
第2実施形態では、アライメントマーク103の計測工程(S5)において使用するスコープ5が第1実施形態と異なる。図9は斜入射でアライメントマーク103を計測する第2実施形態のスコープ5の拡大図を示す。スコープ5を斜入射にする1つのメリットは、照明系6との干渉を避けるためである。ウエハ2上のウエハマーク120としてのマーク107,108とテンプレートマーク103とは樹脂200を介して近接している。光源12から合成プリズム10により同軸上に合成させた光は、マーク107,108を照明する。マーク107,108は、テンプレートマーク103との相対位置によりモアレ信号が発生するように、例えば両マークで間隔の異なるピッチの格子状のマークを構成している。この場合、斜入射照明によってマーク107,108で回折した回折光を元のスコープ5の光軸に戻す必要がある。そのため図8に示すように、マーク107,108のピッチPyを調整してY方向に飛ぶ回折光をスコープ5の光軸に戻るように設計しておく。この時ピッチPyはスコープ5で使用する計測光の波長に依存するため設計にフィードバックする必要がある。これらマーク107,108は先のマーク106と同様、2種類の異なるピッチP1xのマークとピッチP2xのマークとからなっている。またテンプレートマークとしてのマーク106のピッチP1、P2とマーク107,108のピッチP1x,P2xとの関係は第1実施形態と同様、逆の関係で設計してある。ここでマーク107とマーク108の違いは、モアレ信号に0次回折光が混入するかしないかであり、マーク108のような千鳥状のパターンを用いることで0次光をキャンセルすることができる。0次光をキャンセルすることで、2光束による1つの周波数のみのモアレ信号になるため、信号処理が簡単で精度も上がる。これにより発生した2つのモアレ信号はスコープ5の結像光学系を通って、撮像素子11上で結像する。使用するスコープ5以外の構成は第1実施形態と同様であるので説明を省略する。
第1及び第2実施形態では、ウエハマーク120とテンプレートマーク103との位置ずれからテンプレート3の位置ずれ又はテンプレート3の変形を計測し、計測された位置ずれと変形の補正について述べてきた。しかしながら、第1、第2実施形態ではステージ基準マーク8とは別に常にウエハマーク120が必要であること、またオフアクシスアライメントとは異なり、モアレアライメントはプロセス対応力に乏しい等の問題がある。これら問題の対策としてウエハマーク120を参照するのではなく、スコープ5内に配置した基準マークを参照してテンプレートマーク103の位置ずれを計測する方法がある。
第4実施形態では、第3実施形態と同様のスコープ5をテンプレート3に対して斜入射に配置する。その他の構成は第3実施形態と同様であるので説明を省略する。本実施形態においても、第3実施形態と同様に、スリット13を基準としたときのテンプレート3の位置ずれ及び変形を常時、すなわち樹脂が塗布されていない場合においても計測することができる。また、常時テンプレート3の計測が可能なため、樹脂が塗布されていない場合においてもテンプレート3の補正駆動を行う事ができる。
第5実施形態における樹脂の充填の概念図を図3Cに示す。本実施形態の特徴は、時間帯bにおいてHeが樹脂に溶解している途中で、Heの溶解を妨げるあるいは毛細管力を弱めるなどの方法で樹脂の充填を抑制あるいは止めてしまうことにある。図3Cではある時間を境に充填が止まるように描いているが、図3Cはあくまで概念図であり、本実施形態の意図するところは充填速度を抑制することで、所定の充填終了時刻dに対し大幅にアライメント計測可能時間cを延ばすところにある。
第5実施形態では、樹脂の充填速度を抑制するための光とアライメントマークの計測光とは同じUV光を使用した。第6実施形態では、アライメントマークの計測光として樹脂の充填速度を抑制するためのUV光とは異なる波長の光を使用する場合について説明する。アライメントマークの計測光の波長を樹脂がUV硬化しない波長にすることで、アライメントマーク領域の樹脂硬化とアライメント計測とを独立にしかも並行して行うことで、スループットを損なわずより正確に樹脂の充填速度を制御することが可能となる。
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを転写(形成)する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された基板を加工する他の処理を含みうる。以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
Claims (10)
- 基板に吐出された未硬化樹脂と型とを互いに押し付けてパターンを該基板に形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記未硬化樹脂を前記基板に吐出する吐出機構と、
前記型のパターン面に配置されたアライメントマークを検出する検出器と、
制御部と、
を備え、
前記パターン面は、デバイスパターンを有する第1領域と前記アライメントマークを有する第2領域とを含み、前記未硬化樹脂と前記型とが互いに押し付けられた場合に、前記第1領域の凹部が前記未硬化樹脂で充填される第1時刻より、前記第2領域の凹部が前記未硬化樹脂で充填される第2時刻が後になるように構成され、
前記制御部は、
前記デバイスパターンの凹部と前記アライメントマークの凹部とが充填される量の前記未硬化樹脂を前記基板に吐出するように前記吐出機構を制御し、
前記第1時刻と前記第2時刻との間に前記アライメントマークを検出するように前記検出器を制御する、
ことを特徴とするインプリント装置。 - 前記アライメントマークの凹部における最小の幅が、前記デバイスパターンの凹部における最大の幅よりも大きいように、前記パターン面が構成されている、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記アライメントマークの凹部における最小の奥行きが、前記デバイスパターンの凹部における最大の奥行きよりも大きいように、前記パターン面が構成されている、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記パターン面は、前記アライメントマークを包囲する第3のパターンを有する領域をさらに含み、
前記第3のパターンの凹部における最大の幅が、前記アライメントマークの凹部における最小の幅よりも小さいように、前記パターン面が構成されている、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 基板に吐出された未硬化樹脂と型とを互いに押し付けてパターンを該基板に形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記未硬化樹脂を前記基板に吐出する吐出機構と、
前記型のパターン面に配置されたアライメントマークを検出する検出器と、
制御部と、
を備え、
前記パターン面は、デバイスパターンを有する第1領域と前記アライメントマークを有する第2領域と前記アライメントマークを包囲する溝を有する第3領域とを含み、
前記制御部は、
前記第1領域の凹部と前記第2領域の凹部と前記第3領域の凹部とが充填される量の前記未硬化樹脂を前記第1領域に吐出するように前記吐出機構を制御し、
前記未硬化樹脂と前記型とが互いに押し付けられて前記第1領域の凹部に前記未硬化樹脂が充填される第1時刻と、前記未硬化樹脂と前記型とが互いに押し付けられて前記未硬化樹脂が前記第1領域から前記第2領域を越えて前記第3領域の凹部に充填される第2時刻との間に前記アライメントマークを検出するように前記検出器を制御する、
ことを特徴とするインプリント装置。 - 基板に吐出された未硬化樹脂と型とを互いに押し付けてパターンを該基板に形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記未硬化樹脂を前記基板に吐出する吐出機構と、
前記型のパターン面に配置されたアライメントマークを検出する検出器と、
前記未硬化樹脂を硬化する光を前記未硬化樹脂に照射する照射手段と、
制御部と、
を備え、
前記パターン面は、デバイスパターンを有する第1領域と前記アライメントマークを有する第2領域とを含み、
前記制御部は、
前記第1領域の凹部と前記第2領域の凹部とが充填される量の前記未硬化樹脂を前記基板に吐出するように前記吐出機構を制御し、
前記未硬化樹脂と前記型とが互いに押し付けられて前記第2領域の凹部に前記未硬化樹脂が入り込んだ後であって、かつ、前記第2領域の凹部が前記未硬化樹脂で充填される前に、前記光を照射して前記第2領域の凹部内の未硬化樹脂を硬化するように、前記照射手段を制御し、
前記第2領域の凹部内の前記未硬化樹脂が硬化した状態で前記アライメントマークを検出するように前記検出器を制御する、
ことを特徴とするインプリント装置。 - 前記第1領域の凹部に前記未硬化樹脂が充填された後に、前記未硬化樹脂を硬化する光を前記第1領域の凹部内の前記未硬化樹脂に照射する照射手段を有する、ことを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。
- 前記検出器は、前記光を用いて前記アライメントマークを検出する、ことを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。
- 請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いてパタ−ンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パタ−ンを形成された基板を加工する工程と、
を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。 - 基板に吐出された未硬化樹脂と型とを互いに押し付けてパターンを該基板に形成するインプリント処理を行うインプリント装置で使用されるテンプレートであって、
デバイスパターンを有する第1領域とアライメントマークを有する第2領域とを含むパターン面を有し、
前記パターン面は、前記未硬化樹脂と前記型とが互いに押し付けられた場合に、前記第1領域の凹部が前記未硬化樹脂で充填される第1時刻より、前記第2領域の凹部が前記未硬化樹脂で充填される第2時刻が後になるように、構成されている、
ことを特徴とするテンプレート。
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