JP6849885B2 - 誤作動する液滴供給ノズルを検出し補償するためのシステムおよび方法 - Google Patents

誤作動する液滴供給ノズルを検出し補償するためのシステムおよび方法 Download PDF

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Description

本開示は、誤作動する液滴供給ノズルを検出し補償するためのシステムおよび方法に関する。
ナノ製造は、100ナノメートル以下のオーダーのフィーチャを有する非常に小さな構造の製造を含む。ナノ製造が大きな影響を及ぼした1つの用途は、集積回路の製造である。半導体プロセス業界は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産歩留まりのために努力し続けている。ナノ製造における改善は、形成された構造の最小フィーチャ寸法の継続的な低減を可能にもしながら、より大きなプロセス制御を提供すること、および/または、スループットを向上させることを含む。
今日使用されている典型的なナノ製造技術は、一般にナノインプリントリソグラフィと呼ばれる。ナノインプリントリソグラフィは、例えば、集積デバイスの1以上の層を製造することを含む様々な用途において有用である。集積デバイスの例は、限定されるものではないが、CMOSロジック、マイクロプロセッサ、NANDフラッシュメモリ、NORフラッシュメモリ、DRAMメモリ、MRAM、3Dクロスポイントメモリ、Re−RAM、Fe−RAM、STT−RAM、MEMSなどを含む。典型的なナノインプリントリソグラフィプロセスは、米国特許第8,349,241号、米国特許8,066,930号、および米国特許第6,936,194号など、多くの刊行物に詳細に記載されており、それらの全ては引用により本明細書に組み込まれる。
前述の特許の各々に開示されたナノインプリントリソグラフィ技術は、成形可能材料(重合性)層にレリーフパターンを形成することと、レリーフパターンに対応するパターンを下地の基板の中および/または上に転写することとを記載している。パターニングプロセスは、基板から離間したテンプレートを使用し、成形可能な液体がテンプレートと基板との間に供給される。成形可能な液体は、成形可能な液体に接触するテンプレートの表面の形状に一致するパターンを有する固化層を形成するように固化される。固化後、テンプレートは、テンプレートと基板とが離間するように固化層から剥離される。次に、基板および固化層は、固化層のパターンに対応するレリーフ像を基板に転写するため、エッチングプロセスなどの追加プロセスにかけられる。パターン化された基板は、例えば、酸化、成膜、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料の除去、ダイシング、ボンディングおよびパッケージなど、デバイス製造のための既知の工程およびプロセスに更にかけられうる。
成形可能な液体は、引用により本明細書に組み込まれる米国特許9,651,862号に記載されているように、特定のパターンを有する一連の液滴として基板上に供給される。スループットを向上させ且つ欠陥を低減させるため、多数の小さな液滴が基板上に供給(ディスペンス)される。これらの液滴は、液滴供給ノズルの線形アレイを介して基板上に供給される。各液滴のサイズは、各ノズルの出力口の直径に関連する。出力口の直径が減少するにつれて、信頼性も減少する。ノズルが完全に又は部分的に目詰まりを起こすと、その性能は低下するか完全に停止する。目詰まりしたノズルの影響は、後続の全てのインプリントにおける欠陥率の増加につながりうる。目詰まりしたノズルは、ノズル抜け、欠けたノズル、故障ノズル、低性能のノズルといった結果をもたらす。
初期の欠けた又は低性能のノズルは、キャリブレーション工程中に検出されうる。一方、大量生産中に故障したノズルは、多くのウェハに影響を与え、デバイスの歩留まりに深刻な影響を与える。
少なくとも第1実施形態は、プロセッサと、基板を保持する基板チャックとを含む装置でありうる。前記装置は、複数のノズルを有する流体ディスペンサを更に含みうる。各ノズルは、前記プロセッサから受信した吐出信号に応じて前記基板上に成形可能材料の液滴を吐出するように構成されうる。流体ディスペンサは、第1の組の吐出信号に応じて前記基板上の第1位置上に第1ラインの成形可能材料の吐出液滴を供給しうる。前記装置は、カメラ信号の組を生成するように位置決めされたラインカメラを更に含みうる。第1の組のカメラ信号は、前記第1ラインの吐出液滴を表しうる。前記プロセッサは、前記第1の組のカメラ信号を受信するように構成されうる。前記プロセッサは、前記第1の組のカメラ信号を解析し、前記複数のノズルの中から1以上の誤作動ノズルを特定するように更に構成されうる。前記プロセッサは、第2の組の吐出信号を生成するように更に構成されうる。前記流体ディスペンサは、前記第2の組の吐出信号に応じて、前記基板上の第2位置上に第2ラインの成形可能材料の吐出液滴を供給するように更に構成されうる。前記第2の組の吐出信号は、1以上の誤作動ノズルを補償しうる。
第1実施形態の一態様では、前記1以上の誤作動ノズルは、前記第1の組のカメラ信号のうち1以上の信号によって決定された液滴を生成しない非機能ノズルでありうる。
第1実施形態の一態様では、前記1以上の誤作動ノズルは、前記第1の組のカメラ信号のうち1以上の信号によって決定されたのとは誤ったサイズまたは位置である液滴を生成する低性能ノズルでありうる。
第1実施形態の一態様では、前記装置は、テンプレートを保持するテンプレートチャックと、前記基板の第1インプリント領域における第1の複数の液滴に前記テンプレートが接触するように、前記テンプレートチャックに対して前記基板チャックを位置決めする位置決めシステムとを更に含みうる。前記第1インプリント領域は、複数のインプリント領域のうちの1つでありうる。前記第1の複数の液滴は、前記第1ラインの成形可能材料の液滴を含みうる。前記第1の複数の液滴は、前記テンプレートが前記第1の複数の液滴に接触した後に前記テンプレートと前記基板の前記第1インプリント領域との間に第1膜を形成しうる。硬化システムは、前記テンプレートが前記第1膜に接触している間に、前記第1膜を化学線で露光しうる。前記位置決めシステムは、前記第1膜が化学線で露光された後、前記化学線によって硬化された前記第1膜に前記テンプレートが接触しないように、前記テンプレートチャックに対して前記基板チャックを位置決めするように更に構成されうる。
第1実施形態の一態様では、前記位置決めシステムは、前記基板上の第2インプリント領域における第2の複数の液滴に前記テンプレートが接触するように、前記テンプレートチャックに対して前記基板チャックを位置決めするように更に構成されうる。前記第2インプリント領域は、前記複数のインプリント領域のうちの1つでありうる。前記第2の複数の液滴は、前記第2ラインの成形可能材料の吐出液滴を含みうる。前記第2の複数の液滴は、前記テンプレートが前記第2の複数の液滴に接触した後に前記テンプレートと前記基板の前記第2インプリント領域との間に第2膜を形成しうる。前記硬化システムは、前記テンプレートが前記第2膜に接触している間に前記第2膜を化学線で露光するように更に構成されうる。前記位置決めシステムは、前記第2膜が化学線で露光された後、前記化学線によって硬化された前記第2膜に前記テンプレートが接触しないように、前記テンプレートチャックに対して前記基板チャックを位置決めするように更に構成されうる。
第1実施形態の一態様では、硬化された後の前記第2膜は、前記化学線によって硬化された後の前記第1膜より少ない欠陥を含みうる。
第1実施形態の一態様では、前記第1の複数の液滴は、前記第2ラインの成形可能材料の吐出液滴を含みうる。
第1実施形態の一態様では、1以上の追加ラインの成形可能材料の吐出液滴は、前記第1ラインの吐出液滴と前記第2ラインの吐出液滴との間に供給されうる。
第1実施形態の一態様では、前記ラインカメラと位置合わせされたシリンドリカルレンズは、前記流体ディスペンサと前記テンプレートチャックとの間に位置決めされうる。
第1実施形態の一態様では、前記装置は、1以上のレンズを更に含みうる。前記1以上のレンズは、前記第1ラインの成形可能材料の吐出液滴を前記ラインカメラ上に合焦させるように位置決めされうる。
第1実施形態の一態様では、前記1以上のレンズは、シリンドリカルレンズでありうる。
第1実施形態の一態様では、前記流体ディスペンサは、前記第1ラインの吐出液滴を含むM本のラインの吐出液滴を第1インプリント領域に供給するように更に構成されうる。前記ラインカメラは、前記第1の組のカメラ信号を含むN組のカメラ信号を得るように更に構成されうる。前記N組のカメラ信号のうちの各組のカメラ信号は、前記M本のラインの吐出液滴の1つに関連付けられうる。NはMより小さい。
第1実施形態の一態様では、前記流体ディスペンサは、前記第1の組の吐出信号に応じて、第1の組のノズルから流体を供給するように更に構成されうる。前記流体ディスペンサは、前記第2の組の吐出信号に応じて、第2の組のノズルから流体を供給するように更に構成されうる。前記第2の組のノズルは、前記1以上の誤作動ノズルを含まない。前記第2の組のノズルのうちの1以上のノズルは、前記第1の組のノズルからオフセットされうる。
第1実施形態の一態様では、前記プロセッサが1以上の誤作動ノズルを特定しない第1の場合では、前記流体ディスペンサは、前記第1ラインの吐出液滴を含む複数ラインの吐出液滴をインプリント領域に単一パスで供給するように更に構成されうる。前記プロセッサが1以上の誤作動ノズルを特定した第2の場合では、前記流体ディスペンサは、第2ラインの吐出液滴を含む前記複数ラインの吐出液滴を前記インプリント領域に2以上のパスで供給するように更に構成され、前記1以上の誤作動ノズルは、液滴の供給に使用されない。
第1実施形態の一態様では、前記プロセッサが1以上の誤作動ノズルを特定しない第1の場合では、前記流体ディスペンサは、前記第1ラインの吐出液滴を含む複数ラインの吐出液滴をインプリント領域に2以上のパスで供給するように更に構成されうる。前記プロセッサが1以上の誤作動ノズルを特定した第2の場合では、前記流体ディスペンサは、第2ラインの吐出液滴を含む前記複数ラインの吐出液滴を前記インプリント領域に2以上のパスで供給するように更に構成され、前記1以上の誤作動ノズルは、液滴の供給に使用されない。
第1実施形態の一態様では、前記ラインカメラは、一方向に配列された複数のピクセルを含みうる。前記複数のピクセルのうちの各ピクセルは、光電変換素子でありうる。前記ラインカメラの各ピクセルによって検出された電磁線の強度は、前記カメラ信号の組の要素によって表されうる。前記第1ラインの吐出液滴のうちの各液滴は、前記第1の組のカメラ信号の1以上の要素に関連付けられうる。前記プロセッサは、特定のノズルに関連づけられた前記第1の組のカメラ信号の1以上の要素を1以上の閾値と比較することにより、当該特定のノズルが誤作動ノズルであるかどうかを決定しうる。
少なくとも第2実施形態は、インプリント装置で基板上に物品を製造する方法でありうる。前記方法は、基板を保持する工程と、第1の組の吐出信号に応じて、複数のノズルから前記基板上の第1位置上に第1ラインの成形可能材料の吐出液滴を供給する工程と、を含みうる。前記方法は、前記第1ラインの吐出液滴を表すラインカメラからのカメラ信号の組を生成する工程を更に含みうる。前記方法は、前記複数のノズルの中から1以上の誤作動ノズルを特定するように、前記第1の組のカメラ信号を解析する工程を更に含みうる。前記方法は、第2の組の吐出信号に応じて、前記複数のノズルから前記基板上の第2位置上に第2ラインの成形可能材料の吐出液滴を供給する工程を更に含みうる。前記第2の組の吐出信号は、前記1以上の誤作動ノズルを補償しうる。
第2実施形態の一態様では、前記方法は、前記基板上の第1インプリント領域における第1の複数の液滴にテンプレートが接触するように、前記テンプレートに対して前記基板を位置決めする工程を更に含みうる。前記第1インプリント領域は、複数のインプリント領域のうちの1つでありうる。前記第1の複数の液滴は、前記第1ラインの成形可能材料の吐出液滴を含みうる。前記第1の複数の液滴は、前記テンプレートが前記第1の複数の液滴に接触した後に前記テンプレートと前記基板の前記第1インプリント領域との間に第1膜を形成しうる。前記方法は、前記テンプレートが前記第1膜に接触している間に、前記第1膜を化学線で露光する工程を更に含みうる。前記方法は、前記化学線によって硬化された前記第1膜に前記テンプレートが接触しないように、前記テンプレートに対して前記基板を位置決めする工程をsらに含みうる。
第2実施形態の一態様では、前記テンプレートに対して前記基板を位置決めする工程は、前記複数のノズルおよび前記ラインカメラに対して前記基板を移動させる工程を含みうる。前記第1の組のカメラ信号は、前記基板が前記複数のノズルの下から前記テンプレートの下に移動するときに生成されうる。
第2実施形態の一態様では、前記物品を製造するように前記基板上にデバイス製造のための追加のプロセスを実行する工程を更に含みうる。
少なくとも第3実施形態は、プロセッサと、基板を移動させる基板位置決めステージと、を含む装置でありうる。前記装置は、複数のノズルを有する流体ディスペンサであって、各ノズルは、前記基板位置決めステージ上の前記基板上に成形可能材料の液滴を吐出するように構成されうる。前記装置は、テンプレートを保持するテンプレートチャックを更に含みうる。前記装置は、前記テンプレートチャックと前記流体ディスペンサとを繋ぐ直線上に配置され、前記直線に交差する方向に配置された複数のピクセルを含むラインカメラを更に含みうる。前記ラインカメラは、前記基板位置決めステージと共に移動する前記基板から得られた光に応じて、前記複数のノズルから吐出された液滴のラインを表すカメラ信号の組を生成するように位置決めされうる。前記プロセッサは、前記カメラ信号の組を解析し、前記複数のノズルの中から1以上の誤作動ノズルを特定するように構成されうる。
本開示のこれら及び他の目的、特徴および利点は、添付の図面および提供される請求の範囲と合わせて読まれるとき、本開示の典型的なな実施形態の以下の詳細な説明を読むときに明らかになるであろう。
本発明の特徴および利点を詳細に理解することができるように、添付の図面に示された実施形態を参照することにより、本発明の実施形態のより詳細な説明を得ることができる。しかしながら、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を示しているだけであり、したがって、本発明は他の同等の有効な実施形態を認めることができるため、その範囲を限定するものとみなすべきではなく、本発明は他の同等の有効な実施形態を認めることができることに留意されたい。
図1は、基板から離間されたテンプレートおよびモールドを有するナノインプリントリソグラフィシステムの図である。
図2Aは、一実施形態で使用されうる流体ディスペンサの図である。 図2Bは、一実施形態で使用されうる流体ディスペンサの図である。
図3Aは、一実施形態で使用されうるカメラの図である。 図3Bは、一実施形態で使用されうるカメラの図である。 図3Cは、一実施形態で使用されうるカメラの図である。
図4Aは、一実施形態で使用されうる方法を示すフローチャートである。 図4Bは、一実施形態で使用されうる方法を示すフローチャートである。 図4Cは、一実施形態で使用されうる方法を示すフローチャートである。 図4Dは、一実施形態で使用されうる方法を示すフローチャートである。
図5Aは、一実施形態で使用されうる構成要素の配置の図である。 図5Bは、一実施形態で使用されうる構成要素の配置の図である。 図5Cは、一実施形態で使用されうる構成要素の配置の図である。
図6Aは、一実施形態の間に基板上に堆積されうる液滴の画像である。 図6Bは、一実施形態の間に基板上に堆積されうる液滴の画像である。
図6Cは、一実施形態の間に基板上に堆積されうる液滴のライン画像である。 図6Dは、一実施形態の間に基板上に堆積されうる液滴のライン画像である。
図6Eは、一実施形態で使用されうるピクセルクロックおよび閾値範囲に関するライン画像の図である。
図7Aは、一実施形態で使用される液滴検査システムの図である。
図7Bは、液滴検査システムに使用されうるレンズの図である。 図7Cは、液滴検査システムに使用されうるレンズの図である。
図面を通して、特に言及がない限り、同じ参照番号および文字は、図示の実施形態の同様の特徴、要素、構成要素または部分を示すために使用される。また、本開示は、図面を参照して詳細に説明されるが、図示された例示的な実施形態に関連して行われる。添付の特許請求の範囲によって規定される本開示の真の範囲および精神から逸脱することなく、記載された例示的な実施形態に変更および修正可能であることが意図される。
必要とされていることは、スループットに影響を与えずに発生した問題に対処しながら、インプリントプロセス中の流体供給ノズルの性能を定量化することができるシステムおよび/または方法である。
ナノインプリントシステム
図1は、実施形態が実施されうるナノインプリントリソグラフィシステム100の図である。ナノインプリントリソグラフィシステム100は、基板102上にレリーフパターンを形成するために用いられる。基板102は、基板チャック104に結合されうる。基板チャック104は、限定されるものではないが、真空チャック、ピン型、溝型、静電、電磁気などであってもよい。
基板102および基板チャック104は、基板位置決めステージ106によって更に支持されうる。基板位置決めステージ106は、x、y、z、θおよびφ軸の1以上に沿って並進および/または回転運動を提供することができる。基板位置決めステージ106、基板102、および基板チャック104はまた、ベース(不図示)上で位置決めされうる。基板位置決めステージは、位置決めシステムの一部でありうる。
基板102から離間されているのがテンプレート108である。テンプレート108は、基板102に向かって延びるメサ110(モールドとも称される)を有する本体を含みうる。メサ120は、その上にパターン面112を有しうる。あるいは、テンプレート108は、メサ110なしで形成されてもよく、その場合、基板に対面するテンプレートの表面はモールド110と等価であり、パターン面112は、基板102に対面するテンプレート108の該表面である。
テンプレート108および/またはモールド110は、限定されるものではないが、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマ、シロキサンポリマ、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマ、金属、硬化サファイアなどを含むそのような材料から形成されうる。パターン面112は、複数の離間したテンプレートリセス114(凹部)および/またはテンプレート突起116(凸部)によって画定されたフィーチャを含むが、本発明の実施形態は、そのような構成に限定されるものではない(例えば平坦な表面)。パターン面112は、基板102上に形成されるべきパターンの基礎を形成するパターンを画定しうる。代わりの実施形態では、パターン面112はフィーチャレスであり、その場合には、平面が基板上に形成される。フィーチャレスのパターン面112は、基板102と同じサイズであり、基板112を平坦化するために使用されうる。
テンプレート108は、テンプレートチャック118に結合されうる。テンプレートチャック118は、限定されるものはないが、真空、ピン型、溝型、静電、電磁気、および/または他の同様のチャックタイプであってもよい。テンプレートチャック118は、テンプレート108にわたって変化する応力、圧力および/または歪みをテンプレート108に与えるように構成されうる。テンプレートチャック118は、テンプレートチャック118、インプリントヘッド、およびテンプレート108が、少なくともz軸方向に、および潜在的な他の方向(例えば、x、y、θおよびφ軸)に移動可能となるように、ブリッジ120に順番に移動可能に結合されうる。位置決めシステムは、テンプレート108を移動させる1以上のモータを含みうる。
ナノインプリントリソグラフィシステム100は、流体ディスペンサ122を更に含みうる。流体ディスペンサ122は、成形可能材料124(例えば、重合性材料)をパターンで基板102上に堆積させるために使用されうる。追加の成形可能材料124は、液滴供給(ドロップディスペンス)、スピンコーティング、浸漬コーティング(ディップコーティング)、化学気相成長法(CVD)、物理的気相成長法(PVD)、薄膜堆積、厚膜堆積などの技術を用いて基板102上に追加されてもよい。成形可能材料124は、設計上の考慮事項に応じて、所望の体積がモールド112と基板102との間に画定される前および/または後に基板102上に供給されうる。成形可能材料124は、両方とも引用により本明細書に組み込まれる米国特許第7,157,036号、および米国特許第8,076,386号に記載されているようなモノマーを含む混合物を含んでもよい。
異なる流体ディスペンサ122は、成形可能材料124を供給するために異なる技術を使用してもよい。成形可能材料124が吐出可能であるとき、成形可能材料を供給するためにインクジェット型のディスペンサが使用されうる。例えば、熱インクジェット、微小電気機械システム(MEMS)ベースのインクジェット、および圧電インクジェットが、吐出可能な液体を供給するための一般的な技術である。
ナノインプリントリソグラフィシステム100は、露光経路128に沿って化学線エネルギを向けるエネルギ源126を更に含みうる。インプリントヘッドおよび基板位置決めステージ106は、露光経路128と重なるようにテンプレート108および基板を位置決めするように構成されうる。同様に、カメラ136は、カメラ128の撮像視野が露光経路128に重なるように位置決めされうる。
ナノインプリントリソグラフィシステム100は、基板位置決めステージ106、インプリントヘッド、流体ディスペンサ122、エネルギ源126および/またはカメラ136などの1以上の構成要素および/またはサブシステムと通信する1以上のプロセッサ132(コントローラ)によって調整、制御および/または指示され、非一時的コンピュータ可読メモリ134に格納されたコンピュータ可読プログラム内の命令に基づいて作動しうる。プロセッサ132は、CPU、MPU、GPU、ASIC、FPGA、DSPおよび汎用コンピュータのうちの1以上であるか、またはそれらを含みうる。プロセッサ132は、専用のコントローラとしてもよいし、コントローラになるように適合される汎用コンピューティングデバイスとしてもよい。非一時的コンピュータ可読メモリの例は、限定されるものではないが、RAM、ROM、CD、DVD、Blu−Ray、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ(NAS)、イントラネット接続非一時的コンピュータ可読ストレージデバイス、およびインターネット接続非一時的コンピュータ可読ストレージデバイスを含む。
インプリントヘッド、基板位置決めステージ106、またはその両方は、成形可能材料124によって充填される所望の体積を画定するようにモールド110と基板102との間の距離を変化させる。例えば、インプリントヘッドは、モールド110が成形可能材料124に接触するようにテンプレート108に力を加えることができる。所望の体積が成形可能材料124で充填された後、エネルギ源126は、例えば化学線エネルギ(UV)などのエネルギを生成し、成形可能材料124を固化および/またはクロスリンクさせ、基板表面130およびパターン面112の形状に適合させ、基板102上にパターン層を画定する。したがって、ナノインプリントリソグラフィシステム100は、パターン面112のパターンの逆であるリセスおよび突起を有するパターン層を形成するためのインプリント処理を使用する。
インプリント処理は、基板表面130にわたって拡がる複数のインプリント領域において繰り返し行われうる。各インプリント領域は、メサ110またはメサ110のパターン領域と同じサイズでありうる。代わりの実施形態では、基板102は、基板102またはメサ110でパターニングされうる基板102の領域と同じサイズである1つのインプリント領域のみを有する。
パターン層は、各インプリント領域の基板表面130上の最高点より上の残膜厚(RLT)を有する残膜を有するように形成されうる。パターン層は、厚さを有する残膜の上に延びる突起などの1以上のフィーチャを含んでもよい。これらの突起は、メサ110のリセス114と一致する。
流体ディスペンサ
例示的な流体ディスペンサ122は、液滴のアレイを生成するように基板102上のインプリント領域を横切って走査される複数のノズル240を含む。一実施形態では、インプリント領域を横切って流体ディスペンサ122を走査することは、流体ディスペンサ122の下で基板102を前後に移動させる基板ステージ106を使用することを含みうる。例示的な実施形態では、流体ディスペンサ122aは、図2Aに示すように単一行のノズルを含む。代わりの実施形態では、流体ディスペンサ122bは、図2Bに示すように複数列のノズルを含む。代わりの実施形態では、流体ディスペンサは、1以上の列が1以上の他の列からオフセットされた複数行を含む。一実施形態では、流体ディスペンサ122は、供給高さ(z)で基板102の上方に位置決めされる。代わりの実施形態では、流体ディスペンサ122は、インプリント領域を横切って流体ディスペンサ122の走査する又は走査を調整するための基板ステージ106および/またはテンプレート位置決めシステムと組み合わせて使用されうる、独立した流体ディスペンサ位置決めシステムを有する。
液滴検査システム
ナノインプリントリソグラフィシステム100は、液滴検査システム138を含みうる。液滴検査システム138は、図3Aに示すようにラインカメラ342aを含みうる。液滴検査システム138の1以上の構成要素は、ブリッジ120に固定されうる。一実施形態では、ブリッジ120は、流体ディスペンサ122によって供給された液滴を液滴検査システム138が見る1以上の検査ポートを含みうる。一実施形態では、検査レンズは、ラインカメラ342aがブリッジの上方にある間に液滴に近接してブリッジ120の下に固定される。検査レンズは、供給高さ(z)より大きい焦点高さに固定されうる。ラインカメラ342aは、流体ディスペンサ122とテンプレートチャック118との間に位置決めされうる。代わりの実施形態では、液滴検査システム122は、ラインカメラ342aが流体ディスペンサ122とテンプレートチャック118との間以外の位置から基板102上の液滴を検査することを可能にする1以上の光学部品を含みうる。一実施形態では、ラインカメラ342aは、図3Aに示すように一方向に配列された複数のピクセル344を含む。代わりの実施形態では、液滴検査システムは、図3Bに示すような複数のラインカメラ342a、または、単一次元に沿って限られた数の列(1〜4)を有する単一のラインカメラを含む。比較例では、液滴検査システム138は、図3Cに示すように2Dフォトダイオードアレイ342cを含みうる。2Dフォトダイオードアレイ342cなどのエリアセンサにおいては、光学部品は、X×Yピクセルを有するセンサ上に画像を投影するために使用される。
代わりの実施形態では、ラインカメラ342aは、テンプレートチャック118と流体ディスペンサ122とを繋ぐ直線上に配置されうる。ラインカメラ342aは、テンプレートチャック118と流体ディスペンサ122とを繋ぐ直線に交差する方向に配置された複数のピクセル344を含みうる。ラインカメラ342aは、基板位置決めステージ106と共に移動する基板102から得られた光に応じて、複数のノズルから吐出された液滴のラインを表すカメラ信号の組を生成するように位置決めされうる。プロセッサ132は、複数のノズルのうち、1以上の誤作動ノズルを特定するためにカメラ信号の組を解析するように構成されうる。複数のピクセル344が配置されている方向は、テンプレートチャック118と流体ディスペンサ122とを繋ぐ直線に直交していてもよい。
比較例における露光の後、他の画像が収集される前に2Dセンサ全体が典型的に読みだされる。例えば、5μm×5μmのピクセルを有する1メガピクセル1000×1000のセンサアレイは、5mm×5mmの物理的なサイズを有するであろう。ピクセルクロックが40MHzの場合、フレーム読み出し時間は25ミリ秒(ms)で、最大フレームレートは40フレーム/秒(fps)である。本出願人は、単一のフレームが、1:1の画像について、360滴/インチ(dpi)で供給された70個の液滴を示すだけであろうことを見出した。本出願人は、ノズル配列方向における全ノズルに対応する液滴の画像を得るのに約350msかかることを見出した。ラインスキャンカメラ342aは、はるかに少ない情報を集めているので、そのような2Dセンサ342cより早く読みだされることができる。例えば、5μm×5μmピクセルを有する1×8000ラインカメラは、5μm×40mmのセンササイズを有するであろう。ピクセルクロックが40MHzの場合、フレーム読み出し時間は0.2msで、最大フレームレートは5000fpsである。基板102がラインスキャンカメラ342aの下に移動させると、より完全な画像が得られる。単一のラインカメラ342aは、1m/sで移動する基板位置決めステージ106で、標準インプリント領域上の全ての液滴を検査することができる。ウェハ全体の検査のため、複数のラインカメラ342aが使用されうる。代わりの実施形態では、単一のラインカメラ342aは、1以上のラインの液滴の検査をスキップしてもよい。代わりの実施形態では、単一のラインカメラ342aは、ノズルが誤作動し始めたら誤作動し続けるであろうと仮定して、少なくとも最後のラインの液滴を含む液滴のラインの特定のサブセットのラインの液滴を検査する。これは、断続的なノズルの誤作動を特定するのではなく、連続して誤作動状態にある誤作動を捉えるであろう。
供給に使用されるノズルの数が増加し、ノズルの直径が減少するにつれて、インプリント処理中にノズルが誤作動する可能性が増加する。インプリントシステム100は、個々の基板と多数の基板との間の流体ディスペンサの性能に関するオフラインチェックを含みうる。この場合、ノズル344の故障時と発見時との間における全てのインプリント領域が影響を受ける。一実施形態では、使用中の全てのノズルは、インプリント処理中のある時点で誤作動についてチェックされる。誤作動ノズルの即時検出は、自動メンテナンス手順、手動メンテナンス手順、使用するノズルの変更、誤作動ノズルのパージ、流体ディスペンサ122の交換、液滴配置の調整、追加の供給パス、又は他の補償方法の1以上を続けることができる。一実施形態では、液滴検査システム138は、テンプレートが基板102と接触する前にインプリント領域に供給された液滴に対して行われる。
一実施形態では、自動メンテナンス手順は、流体ディスペンサ122の性能を改善するために使用することができる1以上のクリーニング部品を含むディスペンサクリーニングステーションに流体ディスペンサ122を移動させることを含みうる。そのようなクリーニング部品の例は、流体ディスペンサ122のノズルを吹くために使用されるクリーニング材料、目詰まりしたノズルを洗浄するためにより高い電圧または圧力が使用されるクリーニング吐出処理によって吐出された目詰まりした流体を捕獲するために使用されうるリザーバ、タブまたはプレート、目詰まりしたノズルから流体を引き出すために使用される吸引キャップ、誤作動している流体ディスペンサを予備の流体ディスペンサに置き換えるなど、を含む。
一実施形態では、手動メンテナンス手順は、メンテナンスをスケジュールする必要があることをオペレータに通知することを含みうる。手動メンテナンス手順は、インプリント処理を一時停止または停止することを含みうる。一実施形態では、ノズルのアレイの位置は、インプリント領域に対してシフトされ、使用されているノズルのアレイ内のノズルの選択が変更される。一実施形態では、シングルパス供給パターンがマルチパス供給パターンに変更される。一実施形態では、マルチパス供給パターンは、誤作動ノズルを補償するために調整されうる。
一実施形態では、液滴配置調整は、液滴を吐出するために使用されるノズルをシフトすること、流体ディスペンサ122に対する基板位置決めステージ106のキャリブレーションオフセットを変更すること、基板102に対して流体ディスペンサ122を移動させる1以上の位置決めシステムについてのキャリブレーションオフセットを変更することなど、の1以上を含みうる。
一実施形態では、ナノインプリントリソグラフィシステム100内に計測に利用可能な限られた量の空間がある。液滴検査システム138は、供給工程とインプリント工程との間の時間量を実質的に増加させず、テンプレート108が受ける熱量を実質的に増加させないように構成されうる。一実施形態では、液滴検査システム138は、流体ディスペンサ122とテンプレートチャック118との間の狭いギャップ内に配置されている。本出願人は、流体ディスペンサ122が前後の供給パターンで作動されるとき、テンプレートチャック118と流体ディスペンサ122との間に液体検査システム138が配置されることが有用であることを見出した。本出願人は、液滴検査システム138の幅が、供給とインプリントとの間の移動時間が増加するにつれて、ナノインプリントリソグラフィシステム100のスループットに直接影響を与えることを見出した。本出願人は、テンプレートチャック118と流体ディスペンサ122との間に、それらの相対位置の調整を最小限から全くなしで挿入することができるラインカメラを使用することが有利であることを見出した。代わりの実施形態では、液滴検査システム138は、テンプレートチャック118から反対の流体ディスペンサ122の隣に配置されてもよい。
ラインカメラ342aは、単一ラインのピクセル344からなる。ラインカメラ342aからライン画像を取得するためのトータルの読み出し時間は、比較例で説明した標準カメラに使用されるような2Dフォトダイオードアレイ342cから2D画像を取得するための読み出し時間より早い。本出願人は、適切な位置に配置された場合、ラインカメラ342aは、移動の方向に垂直な固定線の迅速なスナップショットを取得することができることを見出した。一実施形態では、ラインカメラ342aのピクセル344は、ノズルの方向に沿って整列される。本出願人は、単一のライン画像が、全てのノズルからの液滴の有無を捉えることができることを見出した。本出願人は、誤作動ノズルを示す小さすぎる又は大きすぎる液滴を区別するために単一のライン画像を使用することができることを見出した。一実施形態は、特定のノズルが、小さすぎる液滴を生成する誤作動ノズルであると決定されたときに、特定のノズルに対する吐出信号を増加させることを含みうる。一実施形態は、特定のノズルが、大きすぎる液滴を生成する誤作動ノズルであると決定されたときに、特定のノズルに対する吐出信号を減少させることを含みうる。
一実施形態では、ラインカメラ342aは、3.5μmのピクセルおよび55mmのセンサ幅を有しうる。代わりの実施形態は、複数のラインカメラ、または、より広い領域または複数のディスペンサをカバーするために使用されうる複数の列を有するラインカメラを含みうる。1:1の倍率では、70μmの直径を有する液滴は、〜20画素にわたって拡がるであろう。液滴が欠損かどうかを決定することに加えて、ピクセル数、コントラスト比などに基づいて、大きな体積偏差を計測するのに十分な空間分解能を提供する。
ステップアンドリピートのナノインプリントリソグラフィシステムでは、画像処理は、次のインプリント領域が供給される前に、液滴の体積偏差または液滴の欠損を検出するために、インプリント処理中に行われうる。一実施形態では、液滴の体積偏差または液滴の欠損が検出されると、後続のインプリントでの未充填欠陥またはテンプレートの損傷を回避するためにインプリントがさらに停止される。別の実施形態では、インプリント処理は、液滴の体積偏差または液滴の欠損の検出に基づいて、インプリント処理が調整される。プロセスがどのように調整されうるかの例は、プレ供給Yをシフトする、ノズルパージ、または他の回復方法など、特定の回復手順を含みうる。ブランク基板または他のオフライン試験方法は、再開前に回復が成功したことを確認するために使用されうる。
別の実施形態では、供給された液滴にインプリントが行われる前にノズルの機能停止を計測することが可能である。一実施形態では、回復手順は、ノズルの欠損からのギャップを充填するようにノズルを機能させることを可能にする追加のパスを追加することを含みうる。この手順は、ツールの稼働時間を増やすことができる。一実施形態は、複数のディスペンサを含みうる。
本出願人は、湾曲軸が、ピクセルのラインが配列されている方向に垂直であり、中心半径の平面軸がピクセルのラインで整列しているシリンドリカルレンズを使用することが有利であることを見出した。本出願人は、これが、流体ディスペンサをテンプレートチャックに近づけることを可能にすることによってスループットを向上させることを見出した。ラインスキャンカメラは、撮像のために標準の球面光学系を典型的に使用する。シリンドリカルレンズは、より長い作動距離を可能にし、より良い空間分解能を有することができる。シリンドリカルレンズは、一次元に沿って画像を投影するだけであるが、その次元がラインスキャンカメラのピクセルで整列していれば十分である。
代わりの実施形態では、液滴検査システム138は、基板102上のパーティクル(異物)を検出することもできる。基板102および/またはテンプレート108は、ロールツーロールウェブでありうる。基板102上のパーティクルが検出された後、基板108は、ナノインプリントリソグラフィシステム100から取り除かれるか、ナノインプリントリソグラフィシステム100内の基板洗浄ステーションに移動されうる。基板102上のパーティクルの検出は、テンプレート108への損傷を防ぐために使用されうる。
液滴検査方法
図4Aは、一実施形態で実施されうる液滴検査方法400aの図である。ステップS402において、プロセッサ132は、プロセッサ132が流体ディスペンサ122に送信する吐出信号の組を含みうる又は決定するために使用されうる初期供給マップを受信しうる。供給マップは、基板102およびテンプレート108のトポグラフィ用に調整されており、流体ディスペンサ122が各インプリント領域に供給するであろう液滴の所望のマップである。
ステップS404において、ナノインプリントリソグラフィシステム100は基板102を受け取り、そして、基板102は、基板チャック104に保持される。基板ハンドリングシステムは、基板のカセットから基板チャック104上に基板102を移動させるために使用されうる。基板102は、M個のインプリント領域に分割され、ステップS406において、インデックスiが初期化される。
供給ステップS408において、流体ディスペンサ122は、ステップS402で受信した初期供給マップに従って、インプリント領域i上に液滴を供給する。流体ディスペンサ122は、第1の組の吐出信号に応じて基板上の第1位置上に液滴のラインを供給するように構成されたノズルのラインを含む。場合によっては基板位置決めステージを含む位置決めシステムは、図6Aに示すように複数ラインの液滴がインプリント領域にわたって供給されるように、流体ディスペンサ122および基板102をそれぞれに対して走査するように構成される。液滴の密度および/または液滴のサイズは、初期供給マップに従ってインプリント領域にわたって変化する。
検査ステップS410において、基板上における単一ラインの液滴は、液滴検査システム138で撮像される。代わりの実施形態では、2以上のラインの液滴は、1以上のシリンドリカルレンズと一緒に光学的に平均化される。検査ステップS401は、供給ステップS408の後または間に行われうる。代わりの実施形態では、供給されたラインのサブセットのみが液滴検査システムによって検査される。検査ステップS410は、プロセッサ132へのカメラ信号の組として、液滴検査システム138からプロセッサ132に液滴画像を送信することを含みうる。一実施形態では、液滴画像は、プロセッサ132へのカメラ信号の組として、ラインカメラからプロセッサに送信されるライン画像である。カメラ信号の組は、アナログ信号、デジタル信号、または構造化デジタルファイルの1以上として構成されうる。
プロセッサ132は、カメラ信号の組を解析して1以上の誤作動ノズルを特定する特定ステップS412を実行しうる。ライン画像内の各液滴は、図6A〜図6Eに示すように強度の落ち込みとして、あるいは、強度の上昇として現れうる。本出願人は、ナノインプリント処理において、成形可能材料が基板上に堆積される位置および体積の精度によって最終的な歩留まりが影響を受けることを見出した。インプリントに先立って得られるこれらの液滴のライン画像は、堆積の精度を確認することができる。本出願人は、適切に形成された液滴のライン画像が、初期供給マップに基づいた液滴のラインに対応するライン画像テンプレート、プラスまたはマイナス閾値と比較されうることを見出した。ライン画像テンプレートは、吐出信号に基づいてもよい。ライン画像が、ライン画像テンプレート、プラスまたはマイナス閾値の範囲外である特徴を含む場合、プロセッサ132は、ライン画像とライン画像テンプレートとの間の不一致の位置に対応する誤作動ノズルを特定するであろう。
代わりの実施形態では、液滴画像に基づいた液滴のライン内の各液滴について、複数の計測された液滴パラメータが得られる。複数のパラメータは、限定されるものではないが、液滴幅、液滴位置、および液滴画像の強度を含みうる。これらのパラメータは、2D液滴画像に使用される2D画像解析技術と同様の標準的な1D特徴解析技術を使用して推定されうる。プロセッサ132は、初期供給マップおよび/または吐出信号に応じて予測および/または計測される基準液滴パラメータ範囲をメモリ134に記憶するか計算することができる。プロセッサ132は、推定された液滴パラメータを基準液滴パラメータ範囲と比較しうる。特定の液滴について推定された1以上の液滴パラメータが、その特定の液滴についての基準液滴パラメータ範囲外である場合、対応するノズルが誤作動ノズルとして特定される。
液滴画像が解析された後、プロセッサ132は、決定ステップS414において、特定ステップS412の結果に基づいて、処理をどのように継続するのかを決定する。1以上の誤作動ノズルが誤作動ノズルとして特定された場合には、処理は、後述する回復ステップS416に進み、そうでない場合には、処理は、インプリントステップS418に進む。
インプリントステップS418は、インプリント領域iの成形可能材料124をインプリントすることを含む。インプリントステップS418の最初の部分は、基板位置決めステージ104、テンプレート位置決めステージ、z軸ボイスコイル位置決めモータ、圧電テンプレートマグアクチュエータ、圧力アクチュエータ、およびテンプレートが成形可能材料124をインプリントすることを可能にする任意の追加の構成要素のうち1以上を用いて、インプリント領域iの成形可能材料にパターン面112が接触するように、基板102とテンプレート108とを互いに対して移動させることである。そして、成形可能材料は、テンプレートと基板102のインプリント領域iとの間に液膜を形成するように拡がる。テンプレートが液膜に接触している間、液膜は、基板102のインプリント領域iにおけるパターンの逆である固化膜を形成するように重合される。液膜は、テンプレート102を介して液膜に化学線エネルギを与えるエネルギ源126を含む硬化システムを用いて固化膜を形成するように、重合されうる。そして、テンプレート108は、固化膜から持ち上げられうる。
インプリントステップS418の後は、プロセッサ132によりインデックスiがインクリメントされるインクリメントステップS420である。そして、新たなインデックスiは、ステップS422においてインプリント領域のカウントMに対してチェックされる。新たなインデックスiがインプリント領域のカウントMより大きくない場合には、処理はS408に戻る。新たなインデックスiがインプリント領域のカウントMより大きい場合には、処理は停止ステップS424に進む。停止ステップS424の間、基板は、ナノインプリントリソグラフィシステム100から取り除かれる。
ステップS416における回復プロセスは、誤作動の種類に応じて多くの任意の形態をとりうる。第1の任意選択の実施形態では、ステップS416は、ステップS424に進み、インプリント処理400を完全に停止し、問題があることをオペレータに通知することを含みうる。このように処理が停止したとき、部分的にインプリントされた基板は、ナノインプリントリソグラフィシステム100から取り除かれても取り除かれなくてもよい。第2の任意選択の実施形態では、ステップS416は、誤作動ノズルを何らかの方法で固定してS420に進むことを含むことができ、この場合、インプリントステップはスキップされる。現在の供給パターンに与えられるイテンプレートを損傷させるインプリント処理の心配がある場合に、インプリントステップS418がスキップされてもよい。第3の任意選択の実施形態では、ステップS416は、誤作動ノズルを何らかの方法で固定してS418に進むことを含むことができ、この場合、インプリントステップはスキップされない。第3の任意選択の実施形態は、ステップS418に先立って、ノズルの欠損を補償する第2の組の吐出信号での追加の供給パスを含みうる。第2の組の吐出信号は、後続のインプリントプロセスで用いられうる。
誤作動ノズルを固定することは、自動メンテナンス手順、手動メンテナンス手順、液滴配置調整手順、および/または吐出信号の大きさを調整することなどを含みうる。
代わりの液滴検査方法B
図4Bは、液滴検査方法400aと実質的に同様の代わりの液滴検査方法400bの図である。インプリントステップS418が、ステップS412、S414およびS416と並行して行われることを除いて。この代わりの処理は、より複雑な解析が実行された場合に実行されてもよく、これは、不良の供給処理によるテンプレートの損傷を防止するのではなく、誤作動ノズルが1つのインプリント領域にしか影響を与えないようにすることができる。
代わりの液滴検査方法C
図4Cは、液滴検査方法400aと実質的に同様の代わりの液滴検査方法400Cの図である。液滴供給処理の間に液滴検査が行われることを除いて。この代わりの処理は、ステップS410およびS412における解析がステップS408cより早く行われる場合に実行されてもよい。初期供給マップが受信された後、処理は、分割ステップS426において初期供給マップをN個の供給領域に分割しうる。各供給領域jは、1以上の液滴のラインを含みうる。初期化ステップS406cは、インプリント領域インデックスiと供給領域インデックスjとの両方を初期化することを含みうる。代わりの液滴検査方法400cは、流体ディスペンサ122がインプリント領域iの供給領域j上に液滴を供給するように、基板102と流体ディスペンサ122と互いに対して移動させることを含む代わりの供給ステップ408cを含みうる。
代わりの液滴検査方法400cでは、ノズルが誤作動していない場合、ステップS428で供給領域インデックスjがインクリメントされる。その後、ステップS422cで、新たなインデックスjが供給領域カウントNと照合される。新たなインデックスjが供給領域カウントNより大きくない場合、処理はS408cに戻る。新たなインデックスiが供給領域カウントNより大きい場合、処理はインプリントステップS418に進む。インプリントステップS418の後は、インクリメントステップS420cであり、プロセッサ132によってインデックスiがインクリメントされ、供給領域インデックスjが再初期化される。回復ステップ416cは、回復処理の後に処理がステップS428、S424またはS420cのいずれかに任意に進んでもよいことを除いて、回復ステップS416と実質的に同様である。
代わりの液滴検査方法D
図4Dは、液滴検査方法400cと実質的に同様の代わりの液滴検査方法400dの図である。液滴供給処理と並行して液滴検査処理が行われることを除いて。一実施形態では、方法400dにおいて、供給ステップS408cが第1領域に対して行われた後、液滴検査処理がステップS410で開始し、各供給領域jに対して行われる。ステップS408cが実行された後も、ノズル誤作動フラグがチェックされる。ノズル誤作動フラグは、供給ステップS408cの間にもチェックされうる。代わりの実施形態では、ノズル誤作動チェック処理は、1以上の処理を停止または一時停止させる割り込み処理である。ノズル誤作動フラグがセットされていない場合には、処理はステップS428に進む。ノズル誤作動フラグがセットされた場合には、処理はステップS434で一時停止する。ステップS434の間、供給処理の状態が保存され、供給処理は、ステップ416d中の回復処理が開始されている間において一時停止される。
回復ステップ416dは、処理がステップS408cに戻った後に、新たな組の吐出信号が供給領域の残りに対して使用されることを除いて、ステップS416と実施的に同様である。この回復ステップS416dは、ステップS408cの繰り返し中に誤作動ノズルのために欠損にされていた以前の供給領域において、ノズル誤作動フラグをクリアすることと、第2の組の吐出信号に基づいて液滴を供給することとも含みうる。第2の組の吐出信号は、供給処理がステップS432、S428、S422cおよびS428を経て進むにつれて、供給領域の残りに対して使用されうる。
ラインカメラ
図5Aは、ラインカメラ342aがどのように流体ディスペンサ122とテンプレートチャック118との間に位置決めされ、基板102の上方に位置決めされうるのかの図である。第1ラインの液滴がラインカメラで撮像される前に、複数ラインの液滴が供給されうる。流体ディスペンサ122は、基板102上に液滴を形成する成形可能材料124を供給する。液滴のラインの上方に位置決めされたときのラインカメラは、基板102上に堆積された液滴のライン画像を取得するために使用されうる。基板位置決めステージ106は、流体ディスペンサ122、ラインカメラ342aおよびテンプレートチャック118に対して基板102を移動させることができる。図5Bは、2つのラインカメラ342a−bが使用され、第2ラインカメラ342bは、パターン化された基板の基準ライン画像を取得するために使用されうる一実施形態を示す。図5Cは、第2ラインの液滴が流体ディスペンサ122により供給されるときに先立ってライン液滴のライン画像が取得されうるように、ラインカメラ342aが位置決めされた一実施形態を示す。
一実施形態では、流体ディスペンサ122は、基板上の第1インプリント領域の第1領域に第1ラインの液滴を供給しうる。次に、流体ディスペンサが第1インプリント領域の第2領域に第2ラインの液滴を供給しうるように、流体ディスペンサ122と基板102とが互いに対して移動される。追加ラインの液滴は、第1インプリント領域の追加領域上に供給されうる。ラインカメラ342aは、液滴が吐出された後、基板上の1以上のラインのの液滴を検査しうる。液滴が供給された後、テンプレートチャックは、インプリント領域の液滴をインプリントするために使用されうる。流体ディスペンサ122と基板102との相対移動は、基板位置決めステージ106、流体ディスペンサ位置決めステージ、およびブリッジ位置決めステージの1以上によって行われうる。代わりの実施形態では、ラインカメラ342aは、液滴のラインが供給される位置に基板が移動している間、第1ラインの液滴を撮像するように位置決めされる。代わりの実施形態では、流体ディスペンサは、インプリント領域内の全ての液滴を供給し、そして、ラインカメラは、インプリント領域内の全ての液滴を検査するために使用されうる。
図6Aは、比較例における2Dフォトダイオードアレイ342cで得られた液滴の画像646aの図である。ラインカメラ342aは、領域648aにおける液滴のアレイの1つのラインのみの画像を取得するように位置決めされうる。そして、ラインカメラ342aは、図6Cに示すライン画像650aを生成することができる。ノズルが目詰まり又は他の方法で誤作動すると、図6Bに示す画像646bに示すように、欠損した液滴のラインを有する液滴のアレイが生成される。前と同様に、ラインカメラ342aは、図6Dに示すように、領域648bのライン画像650bを取得する。図6D−Eに示すように、期間652の間に欠損したノッチとして目詰まりノズルが現れるであろう。
図6Eは、ライン画像内の2つの液滴がピクセルクロック654に対して示されているライン画像650a−fの一部の図である。ライン画像650cは、キャリブレーションされた位置からオフセットしているノズルによって堆積される液滴を表した画像を表す。一実施形態では、プロセッサ132は、キャリブレーションされた位置からノズルがオフセットしていることを決定するため、ライン画像650cを受信し、ライン画像を、代表ライン画像、1以上の閾値、ビットマスクなどと比較しうる。ナノインプリントリソグラフィシステム100は、オフセットの検出に応じて1以上の位置決めステージの駆動を調整しうる。複数ラインの液滴にわたる複数のノズルの結果は、平均オフセットを決定するために使用されうる。
ライン画像650dは、誤作動ノズルによって堆積される、予測より小さい液滴を表す画像を示す。プロセッサ132は、液滴のサイズを決定するため、ライン画像650dを、ノッチ幅、ノッチ強度および/またはピクセルカウントに関する1以上の閾値と比較しうる。一実施形態では、ナノインプリントリソグラフィシステム100は、液滴が小さすぎ及び調整可能な範囲内にあると決定したことに応じて、プロセッサ132は、誤作動ノズルによって吐出された液滴のサイズを増加させる新たな吐出信号を決定し送信しうる。
ライン画像650eは、誤作動ノズルによって堆積される、予測より大きい液滴を表す画像を示す。プロセッサ132は、液滴のサイズを決定するため、ライン画像650eを、ノッチ幅、強度および/またはピクセルカウントに関する1以上の閾値と比較しうる。一実施形態では、ナノインプリントリソグラフィシステム100は、液滴が大きすぎ及び調整可能な範囲内にあると決定したことに応じて、プロセッサ132は、誤作動ノズルによって吐出された液滴のサイズを減少させる新たな吐出信号を送信しうる。ライン画像650fはまた、予測より大きい液滴を示し、これは、ラインカメラのピクセルと整合していないサイズの増加を有する。一実施形態では、複数のライン画像は、共に平均化されうる。
ライン画像650は、図6Eに示すように、閾値をプラスまたはマイナスしたライン画像テンプレート650gと比較されうる。図6Eでは、閾値は、ライン画像テンプレート650gの厚さによって示されている。ライン画像がライン画像テンプレートから外れる位置が、誤作動ノズルに対応する。代わりの実施形態では、画像解析は、位置、幅、強度などのパラメータを取得するために使用され、液滴を表すために使用される。そして、これらのパラメータは、閾値範囲と比較される。パラメータが範囲外である場合、液滴は、対応する誤作動ノズルによって生成されるように決定される。
液滴検査システムの光学システム
液滴検査システム138は、図7Aに示すように、1以上の追加の光学部品756を含みうる。一実施形態では、液滴検査システム138は、流体ディスペンサ122とテンプレートチャック108との間に位置決めされた前側焦点レンズ756fを含む。前側焦点レンズ756fの前面は、基板102の上方の作動距離(z)に位置決めされる。一実施形態では、作動距離(z)は、吐出高さ(z)の10mmに等しいか又はその範囲内である(z=z±10mm)。本出願人は、シリンドリカルレンズおよびラインカメラが一緒に使用される場合、インプリント領域内の液滴のラインを撮像する追加の基準を満たし、且つ、スループットを向上させて液滴収縮の影響を最小限にするようにインプリントテンプレートとディスペンサとの間の距離を狭く維持しながら、作動距離が20mm未満に低減されうることを見出した。これは、ディスペンサとテンプレートとの間の距離が適切なスループットを保証して液滴収縮を低減させるのに十分狭く維持されうる場合、作動距離が200mmを超える必要がありうる円形の前面焦点レンズを使用する実施形態とは対照的である。液滴検査システム138は、液滴撮像光源758を含み、または、液滴撮像光源758からの光を受けうる。液滴検査システム138は、液滴撮像光源758からの光を、例えばラインカメラ742の撮像経路と組み合わせるビームスプリッタを含みうる。液滴撮像光源758は、テンプレート108を実質的に加熱しないように位置決めされうる。液滴撮像光源758は、500nm以上の光を生成してもよく、成形可能材料124を重合する化学線を生成しなくてもよい。一実施形態では、液滴撮像光源758は、屈折、吸収、蛍光のいずれかによって、基板と液滴との間にコントラストを提供する波長を有する。一実施形態では、液滴は基板より暗く見え、代わりの実施形態では、液滴は基板より明るく見える。追加の光学部品は、ミラー、絞り(アパーチャ)、またはレンズでありうる。光学部品756は、図7Bに示すように、球面レンズを含んでもよい。球面レンズは、平凸レンズまたは他の種類のレンズでありうる。光学部品は、図7Aに示すように、光中継ラインとして配置されうる。
追加の光学部品は、図7Cに示すように、1以上のシリンドリカルレンズ756bを含みうる。シリンドリカルレンズは、第1の軸に沿って平面であり、第2の軸に沿って半径方向の輪郭を有しうる。シリンドリカルレンズ756bは、平凸レンズまたは他の種類のレンズでありうる。シリンドリカルレンズ756bは、図7Aに示すように、堆積された液滴のラインとラインカメラ742におけるフォトダイオードのラインとの両方に第2の軸が整合されるように位置決めされる。
代わりの実施形態では、シリンドリカルレンズ765bを含む1以上の光学部品の光軸は、撮像される1以上のラインの液滴が、ディスペンサノズルを含まない流体ディスペンサ122の1以上の部品の下にあるように、互いに対して位置決めされない。これは、隣接するラインの液滴が供給されている間、液滴検査システム138が液滴のラインを撮像することを可能にする。液滴検査システム138は、特に1以上のラインの液滴のみが撮像されるように、1以上の絞り(アパーチャ)を含みうる。代わりの実施形態では、液滴撮像光源758は、液滴検査システム138に対する基板102の動きと同期されるパルス光源である。
この説明の観点で、当業者には様々な態様の更なる変形および代わりの実施形態が明らかになるであろう。したがって、この説明は、例としてのみ解釈されるべきである。本明細書に示され記載された形態は、実施形態の例として解釈されるべきである。本明細書の利点を得た後に当業者に明らかになるように、本明細書に図示され記載された要素および材料を置き換えてもよく、部品およびプロセスを逆にしてもよく、特定の特徴を独立して利用してもよい。

Claims (20)

  1. テンプレートを用いて基板上にパターン層を形成するインプリント装置であって、
    プロセッサと、
    前記テンプレートを保持するテンプレートチャックと、
    前記基板を保持する基板チャックと
    複数のノズルを有する流体ディスペンサであって、各ノズルは、前記プロセッサから受信した吐出信号に応じて前記基板上に成形可能材料の液滴を吐出するように構成され、第1の組の吐出信号に応じて前記基板上の第1位置上に第1ラインの成形可能材料の吐出液滴を供給する、流体ディスペンサと、
    前記テンプレートチャックと前記流体ディスペンサとの間に配置されたラインカメラであって、前記流体ディスペンサにより前記基板上に供給された前記第1ラインの吐出液滴を前記テンプレートチャックと前記流体ディスペンサとの間で撮像することにより第1の組のカメラ信号を生成する、ラインカメラと、
    を含み、
    前記プロセッサは、前記第1の組のカメラ信号を受信するように構成され、
    前記プロセッサは、前記第1の組のカメラ信号を解析することにより、前記複数のノズルの中から1以上の誤作動ノズルを特定するとともに、前記1以上の誤作動ノズルから吐出される液滴の体積偏差または欠損が補償されるように成形可能材料の液滴を前記基板上に供給するための第2の組の吐出信号を生成
    前記流体ディスペンサは、前記第2の組の吐出信号に応じて、前記基板上の第2位置上に第2ラインの成形可能材料の吐出液滴を供給する
    ことを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記1以上の誤作動ノズルは、前記第1の組のカメラ信号のうち1以上の信号によって決定された液滴を生成しない非機能ノズルである、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記1以上の誤作動ノズルは、前記第1の組のカメラ信号のうち1以上の信号によって決定されたのとは誤ったサイズまたは位置である液滴を生成する低性能ノズルである、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  4. 記基板における複数のインプリント領域のうちの1つである第1インプリント領域上に前記流体ディスペンサにより供給された第1の複数の液滴に前記テンプレート接触させて、前記テンプレートと前記基板の前記第1インプリント領域との間に第1膜を形成するように、前記テンプレート前記基板を位置決めする位置決めシステム
    前記テンプレートが前記第1膜に接触している間に、前記第1膜を化学線で露光する硬化システムと、
    を更に含み、
    前記第1の複数の液滴は、前記第1ラインの吐出液滴を含み、
    前記位置決めシステムは、前記第1膜が化学線で露光された後、前記化学線によって硬化された前記第1膜から前記テンプレートを持ち上げるように、前記テンプレートチャックに対して前記基板チャックを位置決めすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  5. 前記位置決めシステムは、前記基板における前記複数のインプリント領域のうち前記第1インプリント領域と異なる第2インプリント領域上に前記流体ディスペンサにより供給された第2の複数の液滴に前記テンプレート接触させて、前記テンプレートと前記基板の前記第2インプリント領域との間に第2膜を形成するように、前記テンプレート前記基板を位置決め
    記第2の複数の液滴は、前記第2ライン吐出液滴を含み、
    記硬化システムは、前記テンプレートが前記第2膜に接触している間に前記第2膜を化学線で露光
    前記位置決めシステムは、前記第2膜が化学線で露光された後、前記化学線によって硬化された前記第2膜から前記テンプレートを持ち上げるように、前記テンプレートチャックに対して前記基板チャックを位置決めすることを特徴とする請求項4に記載のインプリント装置。
  6. 硬化された後の前記第2膜は、前記化学線によって硬化された後の前記第1膜より少ない欠陥を含む、ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。
  7. 前記第1の複数の液滴は、前記第1ラインの吐出液滴が前記ラインカメラで撮像される前に前記流体ディスペンサにより前記第1インプリント領域上に供給される前記第2ライン吐出液滴を含む、ことを特徴とする請求項4に記載のインプリント装置。
  8. 前記第1の複数の液滴は、1以上の追加ラインの成形可能材料の吐出液滴、前記第1ラインの吐出液滴と前記第2ラインの吐出液滴との間に含む、ことを特徴とする請求項7に記載のインプリント装置。
  9. 前記ラインカメラに対して位置決めされたシリンドリカルレンズを更に含み、
    前記シリンドリカルレンズは、前記流体ディスペンサと前記テンプレートチャックとの間に配置されている、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  10. 前記シリンドリカルレンズは、前記第1ライン吐出液滴を前記ラインカメラ上に合焦させるように位置決めされている、ことを特徴とする請求項に記載のインプリント装置。
  11. 前記流体ディスペンサは、前記第1ラインの吐出液滴を含むM本のラインの吐出液滴を前記基板の第1インプリント領域に供給
    前記ラインカメラは、前記第1の組のカメラ信号を含むN組のカメラ信号を得るように成され、前記N組のカメラ信号のうちの各組のカメラ信号は、前記M本のラインの吐出液滴の1つに関連付けられ、
    NはMより小さい、ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  12. 前記流体ディスペンサは、前記第1の組の吐出信号に応じて、前記複数のノズルのうち第1の組のノズルを用いて前記基板上に成形可能材料の液滴を供給
    前記第1の組のノズルに前記1以上の誤作動ノズルが特定された場合、前記流体ディスペンサは、前記第2の組の吐出信号に応じて、前記複数のノズルのうち前記1以上の誤作動ノズルを含まない第2の組のノズルを用いて前記基板上に成形可能材料の液滴を供給することを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  13. 前記プロセッサが1以上の誤作動ノズルを特定しない第1の場合では、前記流体ディスペンサは、前記第1ラインの吐出液滴を含む複数ラインの吐出液滴を前記基板上のインプリント領域に単一パスで供給
    前記プロセッサが1以上の誤作動ノズルを特定した第2の場合では、前記流体ディスペンサは、前記1以上の誤作動ノズルが使用されないように、前記第2ラインの吐出液滴を含む前記複数ラインの吐出液滴を前記インプリント領域に2以上のパスで供給することを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  14. 前記プロセッサが1以上の誤作動ノズルを特定しない第1の場合では、前記流体ディスペンサは、前記第1ラインの吐出液滴を含む複数ラインの吐出液滴を前記基板上のインプリント領域に2以上のパスで供給
    前記プロセッサが1以上の誤作動ノズルを特定した第2の場合では、前記流体ディスペンサは、前記1以上の誤作動ノズルが使用されないように、前記第2ラインの吐出液滴を含む前記複数ラインの吐出液滴を前記インプリント領域に2以上のパスで供給することを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  15. 前記ラインカメラは、一方向に配列された複数のピクセルを含み、
    前記複数のピクセルのうちの各ピクセルは、光電変換素子であり、
    前記ラインカメラの各ピクセルによって検出された電磁線の強度は、前記カメラ信号の組の要素によって表され、
    前記第1ラインの吐出液滴のうちの各液滴は、前記第1の組のカメラ信号の1以上の要素に関連付けられ、
    前記プロセッサは、特定のノズルに関連づけられた前記第1の組のカメラ信号の1以上の要素を1以上の閾値と比較することにより、当該特定のノズルが誤作動ノズルであるかどうかを決定する、ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  16. 前記流体ディスペンサは、前記流体ディスペンサに対して前記基板が移動している第1状態で、前記第1ラインの吐出液滴を含む複数の液滴を前記基板上に供給し、
    前記ラインカメラは、前記流体ディスペンサにより前記複数の液滴が前記基板上に供給されている前記第1状態において、前記流体ディスペンサにより前記基板上に供給された前記第1ラインの成形可能材料の液滴を撮像する、ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  17. 前記第1状態は、前記流体ディスペンサの下方から前記テンプレートの下方に向かう方向に前記基板が移動している状態である、ことを特徴とする請求項16に記載のインプリント装置。
  18. 前記ラインカメラは、前記流体ディスペンサにより前記基板上に供給された前記第1ラインの吐出液滴をシリンドリカルレンズを介して撮像することにより前記第1の組のカメラ信号を生成する、ことを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  19. テンプレートを用いて基板上にパターン層を形成するインプリント装置であって、
    プロセッサと、
    テンプレートを保持するテンプレートチャックと、
    前記基板を保持して移動させる基板位置決めステージと、
    複数のノズルを有する流体ディスペンサであって、各ノズルは、前記基板位置決めステージ上の前記基板上に成形可能材料の液滴を吐出するように構成されている、流体ディスペンサと、
    前記テンプレートチャックと前記流体ディスペンサとの間に配置されたラインカメラであって、前記テンプレートチャックと前記流体ディスペンサとを繋ぐ直線交差する方向に配置された複数のピクセルを含むラインカメラと、
    を含み、
    前記ラインカメラは、前記基板位置決めステージと共に移動する前記基板からを前記テンプレートチャックと前記流体ディスペンサとの間で検出し、当該光に応じて、前記複数のノズルから吐出された液滴のラインを表すカメラ信号の組を生成するように位置決めされ、
    前記プロセッサは、前記カメラ信号の組を解析することにより、前記複数のノズルの中から1以上の誤作動ノズルを特定することを特徴とするインプリント装置。
  20. 物品の製造方法であって、
    請求項1乃至19のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて、基板上にパターン層を形成する工程と、
    前記物品を製造するように、前記パターン層が形成された前記基板上にデバイス製造のための追加のプロセスを実行する工程と、を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4010681A4 (en) * 2019-08-07 2023-08-23 The University of British Columbia FACILITATING CONTROLLED DEPOSIT OF PARTICLES FROM A DROPLET DISPENSER

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5581284A (en) * 1994-11-25 1996-12-03 Xerox Corporation Method of extending the life of a printbar of a color ink jet printer
US6259962B1 (en) * 1999-03-01 2001-07-10 Objet Geometries Ltd. Apparatus and method for three dimensional model printing
IL146601A0 (en) * 1999-05-27 2002-07-25 Patterning Technologies Ltd Method of forming a masking pattern on a surface
US6533380B1 (en) 2001-09-12 2003-03-18 Xerox Corporation Method and apparatus for reducing neighbor cross-talk and increasing robustness of an acoustic printing system against isolated ejector failure
US20030151167A1 (en) * 2002-01-03 2003-08-14 Kritchman Eliahu M. Device, system and method for accurate printing of three dimensional objects
US7111755B2 (en) 2002-07-08 2006-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Liquid discharge method and apparatus and display device panel manufacturing method and apparatus
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
AU2003260938A1 (en) * 2002-09-12 2004-04-30 Objet Geometries Ltd. Device, system and method for calibration in three-dimensional model printing
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US20040065252A1 (en) 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
JP4107198B2 (ja) * 2002-11-20 2008-06-25 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、液滴吐出方法および電気光学装置
DE60324332D1 (de) * 2002-12-03 2008-12-04 Objet Geometries Ltd Verfahren und vorrichtung für dreidimensionales drucken
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
KR20060038439A (ko) * 2003-07-10 2006-05-03 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 기판 상에 패턴의 위치를 정확하게 선정하기 위한 방법 및디바이스
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
WO2007042966A2 (en) 2005-10-07 2007-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Inkjet device and method for the controlled positioning of droplets of a substance onto a substrate
KR100750161B1 (ko) * 2006-02-02 2007-08-17 삼성전자주식회사 잉크젯 화상형성장치의 결함 노즐 보상 방법 및 장치
JP4983300B2 (ja) 2007-02-23 2012-07-25 セイコーエプソン株式会社 液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法、有機el素子の製造方法、電気光学装置の製造方法
US8784723B2 (en) * 2007-04-01 2014-07-22 Stratasys Ltd. Method and system for three-dimensional fabrication
US8529011B2 (en) 2008-03-25 2013-09-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Drop detection mechanism and a method of use thereof
US7962237B2 (en) * 2008-08-06 2011-06-14 Objet Geometries Ltd. Method and apparatus for optimizing a scanning plan in three-dimensional printing
US9025136B2 (en) * 2008-09-23 2015-05-05 Applied Materials, Inc. System and method for manufacturing three dimensional integrated circuits
US8480933B2 (en) 2008-10-22 2013-07-09 Molecular Imprints, Inc. Fluid dispense device calibration
JP5382412B2 (ja) * 2008-10-24 2014-01-08 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置及びフォトマスク
US20100101493A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Molecular Imprints, Inc. Dispense System
US20100104747A1 (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Molecular Imprints, Inc. Drop Deposition Control
JP5469674B2 (ja) * 2008-12-05 2014-04-16 マイクロニック マイデータ アーベー 被加工物に書き込む方法およびシステム
WO2010070988A1 (ja) * 2008-12-16 2010-06-24 株式会社ブイ・テクノロジー 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク
JP5486219B2 (ja) * 2009-06-18 2014-05-07 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 フォトレジストのパターニング検査方法
JP5455583B2 (ja) 2009-11-30 2014-03-26 キヤノン株式会社 インプリント装置
JP2011222705A (ja) 2010-04-08 2011-11-04 Canon Inc インプリント装置およびインプリント基板の製造方法
JP5661366B2 (ja) 2010-07-30 2015-01-28 キヤノン株式会社 画像処理装置および画像処理方法
JP5899222B2 (ja) * 2010-10-07 2016-04-06 オセ−テクノロジーズ・ベー・ヴエーOce’−Nederland Besloten Vennootshap インクジェット印刷方法およびインクジェットプリンタ
US9056465B2 (en) 2010-12-21 2015-06-16 Baumer Innotec Ag Ink-jet print head with integrated optical monitoring of the nozzle function
US9332902B2 (en) 2012-01-20 2016-05-10 Carl Zeiss Meditec, Inc. Line-field holoscopy
JP5833045B2 (ja) 2013-03-04 2015-12-16 株式会社東芝 パターン形成方法及びパターン形成装置
GB201305702D0 (en) 2013-03-28 2013-05-15 Rolls Royce Plc Seal segment
TWI637234B (zh) 2013-07-12 2018-10-01 美商佳能奈米科技股份有限公司 用於壓印微影術之利用方向性圖案化模板的液滴圖案生成技術
US9073374B1 (en) * 2014-03-31 2015-07-07 Xerox Corporation System for detecting inoperative inkjets in three-dimensional object printing using a test pattern and electrical continuity probes
US9079441B1 (en) * 2014-03-31 2015-07-14 Xerox Corporation System for detecting inoperative inkjets in three-dimensional object printing using an optical sensor having an adjustable focus
US9079440B1 (en) * 2014-03-31 2015-07-14 Xerox Corporation System for detecting inoperative inkjets in printheads ejecting clear ink using a light transmitting substrate
US9114652B1 (en) * 2014-03-31 2015-08-25 Xerox Corporation System for detecting inoperative inkjets in printheads ejecting clear ink using heated thermal substrates
US9090113B1 (en) * 2014-03-31 2015-07-28 Xerox Corporation System for detecting inoperative ejectors in three-dimensional object printing using a pneumatic sensor
US9067446B1 (en) * 2014-03-31 2015-06-30 Xerox Corporation System for detecting inoperative inkjets in three-dimensional object printing using a test pattern and an ultrasonic sensor
US9108358B1 (en) * 2014-04-10 2015-08-18 Xerox Corporation System for real time monitoring for defects in an object during three-dimensional printing using a terahertz sensor
US9588056B2 (en) 2014-05-29 2017-03-07 Corning Incorporated Method for particle detection on flexible substrates
JP2016004794A (ja) 2014-06-13 2016-01-12 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
JP2016038302A (ja) 2014-08-08 2016-03-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP5800977B2 (ja) 2014-10-23 2015-10-28 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法
JP6661334B2 (ja) * 2015-02-03 2020-03-11 キヤノン株式会社 装置、および物品の製造方法
US10118346B2 (en) * 2015-03-10 2018-11-06 Oce-Technologies B.V. Method for printing 3D structures
DE102015207566B3 (de) 2015-04-24 2016-04-14 Heidelberger Druckmaschinen Ag Verfahren zur Detektion ausgefallener Druckdüsen in Inkjet-Drucksystemen
US20180207875A1 (en) * 2015-07-13 2018-07-26 Stratasys Ltd. Method and system for 3d printing
JP6039770B2 (ja) 2015-08-27 2016-12-07 キヤノン株式会社 インプリント装置およびデバイス製造方法
WO2017094225A1 (en) 2015-11-30 2017-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Imprinting apparatus, measurement method, imprinting method, and article manufacturing method
JP2017224730A (ja) 2016-06-15 2017-12-21 キヤノン株式会社 決定方法、インプリント装置、物品の製造方法、メンテナンス方法、情報処理装置及びプログラム
US10625500B2 (en) * 2016-07-25 2020-04-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Indications of similarity for drop detector signals

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