JP2020185558A - 観察装置、観察方法、成形装置、および、物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スループットを向上の点で有利な観察装置を提供する。【解決手段】組成物を基板上に吐出する吐出口を含む吐出部を観察する観察装置であって、基板を保持して移動する基板保持部と、吐出部を撮像する撮像部と、撮像部を制御する制御部と、を備え、制御部は、基板が吐出部の直下から退避した所定の位置に配置されるのに連動して、撮像部に吐出部を撮像させる。【選択図】図１

Description

本発明は、観察装置、観察方法、成形装置、および、物品の製造方法に関する。

半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上の未硬化樹脂をモールドで成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板（ウエハ）上のインプリント領域であるショット領域に紫外線硬化樹脂（インプリント材、光硬化性樹脂）の液滴をディスペンサから吐出する。次に、微細な凹凸パターンが加工されたモールドをこの樹脂（未硬化樹脂）上に押し付け、パターン内に樹脂を充填させる。この状態で樹脂に紫外線を照射して硬化させ、その後にモールドを引き離すことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。

微細化とともに、エッチング後の微細パターンを形成するためには樹脂残膜厚をナノメートルレベルに薄型化することが必要となる。そのためにディスペンサは高精度な吐出位置と、微小吐出量コントロールが要求される。ディスペンサの性質上、吐出に伴って基板に到達せずにわずかにノズルに残る残液が、ノズルおよびその周辺に蓄積される。この状態のまま吐出を継続して行うと蓄積量が大きくなり、蓄積した残液が意図せず基板上に付着してしまうことが起き得る。

このような問題に対応するため、特許文献１ではインプリント材を吐出する吐出口、または吐出口を含む面を撮像装置で撮像し、画像処理装置によって吐出口、または吐出口を含む面の異常を検知する構成を採用している。また、特許文献２では、基板にインク塗布等を行うヘッドの撮像データに基づいて、ヘッドの位置、基板の位置、加工タイミングなどを補正することを特徴とするパターン形成装置が記載されている。

特開２０１７−９２４６２号公報 特開２００６−２５８８４５号公報

しかしながら、従来の技術では、インプリント材やインクなどの液体を吐出する吐出口および吐出口を含む面の異常を検知出来るが、検知のため液体吐出機構を検査位置まで移動するため、装置のスループットが低下しうる。

そこで、本発明は、例えば、スループット向上の点で有利な観察装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、組成物を基板上に吐出する吐出口を含む吐出部を観察する観察装置であって、基板を保持して移動する基板保持部と、吐出部を撮像する撮像部と、撮像部を制御する制御部と、を備え、制御部は、基板が吐出部の直下から退避した所定の位置に配置されるのに連動して、撮像部に吐出部を撮像させることを特徴とする。

本発明によれば、例えば、スループット向上の点で有利な観察装置を提供することができる。

第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。 第１実施形態に係る吐出部と観察機構の詳細な構成を示す概略図である。 観察機構の他の例を示す概略図である。 吐出部に付着した組成物の状態の一例を示す模式図である。 第１実施形態に係るメイン処理の一例を示すフローチャートである。 受け渡し位置を示す模式図である。 第２実施形態に係る観察機構による型Ｍの異常検知を説明する図である。 第２実施形態に係るメイン処理の一例を示すフローチャートである。 第２実施形態に係る観察工程時の配置を示した模式図である。 第３実施形態に係る観察工程時の配置を示した模式図である。 第４実施形態に係る観察工程時の配置を示した模式図である。 第５実施形態に係るメイン処理の一例を示すフローチャートである。 第６実施形態に係る平坦化装置による処理を説明する図である。 物品の製造方法を説明するための図である。

以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。以下では、本発明の観察装置をインプリント装置に適用した例を説明するが、それに限られるものではない。本発明の観察装置は、物体に組成物や液体を供給するあらゆる装置に適用する事が出来る。例えば、マスクのパターンを基板に転写する露光装置や、荷電粒子線を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などの他のリソグラフィ装置においても、本発明の観察装置を適用することができる。また、基板全面で均一な厚みの平坦化層を形成する平坦化装置にも適用することができる。さらに、例えば、３Ｄプリンタやその他加工装置に適用されてもよい。

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す概略図である。なお、本明細書および添付図面では、基板Ｗの表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。

また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および型の少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。

インプリント装置１は、半導体デバイスなどの製造プロセスに用いられ、基板Ｗ上にインプリント材Ｒを塗布し、型Ｍに形成された回路パターン（パターン部ＭＰ）を基板Ｗ上のインプリント材Ｒに形成させるリソグラフィ装置である。インプリント装置１は、基板Ｗの上に供給されたインプリント材Ｒに型Ｍのパターン部ＭＰを接触させ、インプリント材Ｒに硬化用のエネルギーを与える。これによって、型Ｍの凹凸パターン（パターン部ＭＰ）が転写された硬化物のパターンが基板Ｗの上に形成される。図１のインプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。ここでは光硬化法を採用したインプリント装置１について説明する。

インプリント材Ｒには、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上、１００ｍＰａ・ｓ以下である。

基板Ｗは、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。

型Ｍ（モールド）は、通常石英などの紫外線を透過する事が可能な材料で作製されており、基板Ｗ上のインプリント材Ｒ塗布面と対向する面に、基板Ｗに転写させる微細な回路パターンを含むパターン部ＭＰが形成されている。

インプリント装置１は、本体構造体部１０、照射部２０と、基板保持部４０、型保持部５０、制御部６０、および、不図示の型搬送系と基板搬送系を含みうる。

本体構造体部１０は、床面に設置されたベース定盤１１と、ベース定盤１１を介して床面からの振動を除振するための不図示の除振機構と、除振機構を有する支柱１２と、支柱１２に指示されているブリッジ定盤１３と、を含む。

照射部２０は、インプリント処理の際に、基板Ｗ上のインプリント材Ｒに型Ｍを介して光（紫外線）を照射することにより当該インプリント材Ｒを硬化させる。照射部２０は、例えば、インプリント材Ｒを硬化させる光を射出する光源と、当該光源から射出された光をインプリント処理に適切な光に調整する光学系を含みうる。

基板保持部４０は、基板チャック４１と基板ステージ４２とを含み、基板チャック４１は、例えば、真空吸着や静電力で、基板Ｗを保持している。基板ステージ４２は、基板Ｗと基板チャック４１を基板Ｗの表面と平行な面方向（ここではＸ方向及びＹ方向）に駆動する。基板ステージ４２は、前記Ｘ方向およびＹ方向中心に回転するチルト方向に駆動するチルト駆動機構、基板Ｗと直交するＺ方向に駆動する駆動系（不図示）、前記Ｚ軸を中心に駆動するθ方向に駆動する駆動系を有している。

型保持部５０は、型Ｍを保持する型チャック５１と、型チャック５１を駆動することによって型Ｍを駆動する駆動系（不図示）と、を含みうる。型保持部５０は、型チャック５１によって型Ｍを保持した状態で、基板Ｗの表面に直交する方向（ここではＺ方向）と、Ｘ方向とＹ方向中心に回転するチルト方向に駆動することで、型Ｍを移動させることが出来る。

型保持部５０が型Ｍを移動させることにより、基板Ｗの上のインプリント材Ｒと型Ｍとを接触させてインプリント材Ｒのパターンを形成するインプリント処理を行う。本明細書において、インプリント処理とは、基板Ｗの上のインプリント材Ｒと型Ｍとを接触させ、接触させた状態でインプリント材Ｒを硬化させ、インプリント材Ｒと型Ｍとを引き剥がす工程を含む。なお、インプリント処理において、基板ステージ４２を駆動することにより、基板Ｗの上のインプリント材Ｒと型Ｍとを接触させてもよいし、型保持部５０と基板ステージ４２の双方を駆動させてもよい。

制御部６０は、インプリント装置１の各構成要素の動作（調整）を制御することができる。また、制御部６０は、後述する供給機構２００および観察機構１００を制御する。制御部６０は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。なお、制御部６０は、インプリント装置１と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。また、供給機構２００および観察機構１００にそれぞれ別体の制御部を設けてもよい。

供給機構２００は、基板Ｗにインプリント材Ｒなどの組成物を供給する装置であり、具体的には、基板Ｗの上に、硬化前のインプリント材Ｒを吐出する。供給機構２００は、インプリント材Ｒを吐出する吐出部２０１と吐出部２０１を複数位置に駆動させる吐出駆動部２０２を備える。

吐出部２０１の複数位置とは、例えば、第１設置位置と第２設置位置を含む。第１設置位置は吐出部２０１が基板Ｗにインプリント材Ｒを吐出する位置であり、第２設置位置は、吐出部２０１のメンテナンスや供給機構２００の交換の際に使用されるメンテナンス位置である。

観察機構１００は、例えば、基板ステージ４２に配置される。基板ステージ４２に観察機構１００が配置される場合、基板ステージ４２が移動するのに伴って、観察機構１００も移動することとなる。観察機構１００は、撮像部１０１と、照明部１０２と、画像処理部１０７と、を含みうる。撮像部１０１は、基板Ｗが吐出部２０１の直下から退避した所定の位置に配置されている期間中に、吐出部２０１の画像を撮像する。照明部１０２は、撮像部１０１が吐出部２０１の撮像を行う際に、吐出部２０１にインプリント材Ｒを硬化させる光とは異なる波長帯域の光を照射する。画像処理部１０７は、撮像部１０１によって撮像された画像に対し、様々な画像処理を行う。

吐出部２０１が第１設置位置に配置されたとき、吐出部２０１の下方（吐出方向に離間した位置）に観察機構１００が配置されるように基板ステージ４２を駆動する。このようにすることにより、観察機構１００によって、吐出部２０１の観察を行うことができる。

図２は、第１実施形態に係る吐出部２０１と観察機構１００の詳細な構成を示す概略図である。本図では、吐出部２０１が第１設置位置に配置されている状態を示している。図２（Ａ）は、第１位置から照明部１０２によって吐出面２０３を照明している状態を示している。図２（Ｂ）は、第２位置から照明部１０２によって吐出面２０３を照明している状態を示している。撮像部１０１は、カメラ１０３と、カメラ駆動部１０４と、を備える。照明部１０２は、光源部１０５と、光源駆動部１０６とを備える。

カメラ１０３は、カメラ駆動部１０４により、吐出部２０１の吐出面２０３上にある撮像中心点Ｏを中心に弧を描くように駆動し、複数位置から吐出面２０３を撮像可能である。カメラ駆動部１０４によって、カメラ１０３を移動させることにとより、光源部１０５とカメラ１０３との相対的な位置を変更することができる。ここで、吐出面２０３は、インプリント材Ｒを基板Ｗに向けてそれぞれ吐出する複数の吐出口（微小な開口）を有し、基板Ｗと対向可能な吐出部２０１の面であるが、面に限られるものではない。カメラ１０３は、吐出口を含む、吐出部２０１の画像を取得できればよい。

同様に光源部１０５は、光源駆動部１０６により、吐出面２０３上にある撮像中心点Ｏを中心に弧を描くように駆動し、複数位置から吐出面２０３を照明可能である。光源駆動部１０６によって、光源部１０５を移動させることにとより、光源部１０５とカメラ１０３との相対的な位置を変更することができる。なお、ここでは、撮像部１０１と照明部１０２のそれぞれに駆動部を設けたが、いずれか一方のみに駆動部を設けてもよい。

吐出部２０１は、吐出面２０３、不図示のインプリント材の循環用流路、および、インプリント材の吐出用機構を備える。吐出面２０３は、例えば、樹脂フィルム等、透過率の比較的高い物質で構成される。

照明部１０２及び撮像部１０１が本実施形態のように切替機構を有する可動式である場合、図２（Ａ）に示すように、吐出面２０３に対し下側（ここでは−Ｚ方向側）である第１位置から照明部１０２によって照明する。そして、その散乱光を撮像部１０１によって撮像する。また、図２（Ｂ）に示すように、吐出面２０３に対し下斜め方向である第２位置から照明部１０２によって照明し、その散乱光を撮像部１０１によって撮像する。

また、カメラ１０３と光源部１０５を吐出面２０３に対してそれぞれ傾きを持った位置に配置し、その散乱光を撮像してもよい。図２では撮像部１０１と照明部１０２は吐出面２０３に対して垂直に配置しているが、紙面垂直方向に並列に配置してもよい。図３は、観察機構の他の例を示す概略図である。例えば、観察機構３００は、異なる位置に配置された複数のカメラ１０３ａおよび１０３ｂと、異なる位置に配置された複数の光源部１０５ａおよび１０５ｂと、を含む。複数のカメラ１０３ａとカメラ１０３ｂは、それぞれ基板ステージ４２上の任意の位置に固定される。そして、カメラ１０３ａとカメラ１０３ｂに対応する位置にそれぞれ光源部１０５ａと光源部１０５ｂが配置される。カメラ１０３ａによって、吐出面２０３の画像を撮像する場合は、光源部１０５ａを発光させる。カメラ１０３ｂによって、吐出面２０３の画像を撮像する場合は、光源部１０５ｂを発光させる。このような構成の場合、カメラ駆動部１０４および光源駆動部１０６を備える必要がなくなり、切替機構の駆動時に発生しうるパーティクルを低減することが可能となる。

このように、異なる位置から光源部１０５によって光を照射して、吐出部２０１の画像を撮像する。そしてこの画像に基づいて、吐出部２０１、特に吐出面２０３に付着したパーティクルやインプリント材Ｒの量（有無）を検出することが可能となる。更に、例えば異物等（インプリント材Ｒ等を含む）の基板Ｗの表面に直交する方向（ここではＺ方向）の高さを取得するように構成しても良い。

光源部１０５は、光源としてＬＥＤを用いることが好ましい。光源としては、インプリント材Ｒが硬化反応を起こさない波長を選択する必要があり、本実施形態に係る光源部１０５の光源としては、例えば５００ｎｍ以上の波長を持つＬＥＤを使用するのがよい。液体吐出部表面の撮像時は、指向性を持った照明を用いるとインプリント材やその揮発残渣の高コントラストにて撮像できる。またより好ましいのは、例えばＨＩＤのような高輝度ランプに波長選択フィルターを追加し、５００ｎｍ以上の波長にしたものを用いるとより鮮明に撮像できる。

例えば、吐出面２０３にパーティクルが付着していた場合、付着したパーティクルを核としてインプリント材が吐出口や吐出面に集まりうる。このように吐出口や吐出面に付着したインプリント材は、基板Ｗの表面またはステージ空間への落下や、吐出部２０１の吐出性能の劣化を発生させうる。また、吐出面２０３にインプリント材などの揮発性組成物の残渣が増加すると、吐出面２０３の状態が変化し、樹脂フィルム等によって元々親水性であった吐出面２０３が疎水性の性質へと変化しうる。その結果、吐出面に付着した組成物の接触角の増加による付着物の増加が発生しうる。これにより、付着物同士が結合し、さらなる巨大化を引き起こす可能性がある。これも基板表面やステージ空間への滴下や吐出性能の劣化を引き起こしうる。

図４は、吐出部２０１に付着した組成物の状態の一例を示す模式図である。図４（Ａ）は、吐出部２０１を−Ｚ方向から見た図である。図４（Ｂ）は、吐出部２０１をＸ方向から見た側面図である。本図は、吐出面２０３の表面にパーティクルや、インプリント材の残渣が付着している状態を示している。以降、パーティクルやインプリント材の残渣を総称して異物と称する。

吐出面２０３の表面に異物が付着している場合、異物が付着している箇所と、それ以外の箇所との反射率が異なるため、撮像部１０１により撮像された画像においても、図４（Ａ）に示す様に異なる状態で表示される。通常は、異物が付着していない箇所は、明るい領域として、異物が付着している箇所は暗い領域として画像に表示されるため、異物の付着の有無を判別できる。これらの異常は吐出口２０４を中心に、その近傍へ広がる場合が多い。

制御部６０は、画像処理部１０７によって処理された画像に基づき、例えば、前述した局所的なコントラスト変化を検知することにより吐出面２０３に付着した異物の状態を取得することができる。制御部６０は、取得した異物の状態に基づき、吐出部２０１において異常が発生しているか否かを判定することが出来る。ここで、異常の発生としては、例えば、吐出面２０３において、所定量以上の異物の付着が検知された場合や、吐出面２０３における所定の箇所への異物の付着が検知された場合等、が考えられる。すなわち、異常の発生とは、基板表面やステージ空間への落下や吐出性能の劣化を引き起こす可能性が高まった状態を含む。

制御部６０は、例えば、使用前の吐出部２０１の画像や、後述するクリーニング処理を実施した後の吐出部２０１の画像と、撮像部１０１により撮像した画像とを比較し、変化量が閾値を超えるか否かを判定することにより、異常の発生を判定してもよい。制御部６０は、変化量が閾値を超えたと判定した場合に、異常が発生したと判定する。

また、制御部６０は、撮像画像におけるコントラスト変化の数がある一定値（閾値）を超えるか否かを判定する。制御部６０は、コントラスト変化の数がある一定値（閾値）を超えたときに異常が発生したと判定する。

さらに、制御部６０は、吐出面２０３に付着した不要なインプリント材やゴミ等の異物の有無や量や面積、更には基板Ｗの表面に直交する方向（ここではＺ方向）の高さを取得し、それらが所定の閾値を超えるか否かを判定するようにしても良い。その場合、制御部６０は、異物等の量（面積や高さ等を含む）などが前記閾値を超えたときに異常が発生したと判定する。

図４に示すようなパーティクル３０１の付着やインプリント材の残渣３０２が発生した場合、言い換えると、異常が発生したと判定された場合、クリーニング処理など回復処理を行う。クリーニング処理は、例えば、不図示のクリーニング機構の不織布により吐出面２０３に付着したパーティクル３０１やインプリント材の残渣３０２をふき取ったり、液体を吸い取ったり、アルコール系薬液を不織布にひたしてこすったりする。なお、クリーニング処理については、吐出部２０１に付着した異物を除去できれば良く、これに限られるものではない。また、異常が発生したと判定された場合に、ユーザに対して警告を発してもよい。

図５は、第１実施形態に係るメイン処理の一例を示すフローチャートである。このフローチャートで示す各動作（ステップ）は、制御部６０によって実行されうる。まず、型Ｍをインプリント装置外から不図示の型搬送機構を用いて装置内に搬入する（Ｓ５０１）。その後、型搬送機構は、型搬送機構に備えられる不図示の型受け渡し部により型保持部５０に型Ｍを受け渡す（Ｓ５０２）。

次に、不図示の基板搬送機構は基板Ｗをインプリント装置外からインプリント装置内に搬入する（Ｓ５０３）。その後、基板搬送機構は、基板搬送機構に備えられる不図示の基板受け渡し部により、基板Ｗの載置位置を確認後に基板チャック４１に基板Ｗを受け渡す。

吐出部２０１の観察工程（Ｓ５１１〜Ｓ５１２）は、基板Ｗの搬送（Ｓ５０３）工程と併行して実行される。具体的には、基板ステージ４２が受け渡し位置に位置している期間中に撮像部１０１によって吐出面２０３の撮像を行う。ここで、受け渡し位置について説明する。図６は、受け渡し位置を示す模式図である。基板ステージ４２には観察機構１００が配置されている。図６では、受け渡し位置に基板保持部４０が停止しており、基板Ｗを基板搬送機構から受け取る工程（Ｓ５０３）が進行中である。このとき、観察機構１００は吐出部２０１の直下で停止しており、基板Ｗは吐出部２０１の直下から退避した位置に配置されている。このため、撮像部１０１によって、吐出部２０１の撮像領域４００（斜線部）の範囲を撮像することが可能である。よって、基板Ｗを基板搬送機構から基板ステージ４２に受け渡す処理、すなわち、受け渡し位置に基板保持部４０が停止している期間中に、撮像部１０１によって吐出部２０１の撮像を行う（Ｓ５１１）。通常、吐出部２０１の内、ショットに対応する範囲内、すなわち、インプリント材の吐出を行う領域などの一部のみを撮像部１０１に撮像すればよいが、処理状況に応じて、基板保持部４０をＹ方向にずらして吐出面２０３を全部撮像してもよい。このように、基板の受け渡し処理を実行している期間中に、吐出部２０１の撮像を行うことにより、生産性を落とすことなく、吐出部２０１の観察を行うことができる。

図５に戻り、吐出部２０１の撮像工程（Ｓ５１１）は、例えば、観察機構１００が図２に示すような構成である場合、吐出面２０３の検査のために観察機構１００内の撮像部１０１と照明部１０２のいずれか一方、または両方を駆動する。その後、撮像部１０１で吐出面２０３を撮像する。なお、図３に示すような観察機構３００を用いる場合は、上述の通り、任意の光源部とカメラを用いて、吐出面２０３を撮像する。

吐出部２０１の画像を撮像後、画像処理部１０７によって、撮像画像に対し画像処理を行い、制御部６０は、処理された画像に基づき、異常の発生の有無を判定する（Ｓ５１２）。ここで、異常なし判定された場合（Ｎｏ）は、Ｓ５０４に処理を進める。異常ありと判定された場合（Ｙｅｓ）は、吐出部２０１対して前述した回復処理を行う（Ｓ５１３）。

その後、制御部６０は、正常な状態に回復したかを判定する（Ｓ５１４）。言い換えると、制御部６０は、異常の発生が解消されたかを判定する。具体的には、例えば、再度Ｓ５１１とＳ５１２の工程を実行することにより、回復したか否かを判定することができる。この場合、実際の吐出部２０１の状態に基づいて回復したか否かを判定することが可能である。また、回復処理が問題なく完了した場合に、回復したと判定してもよい。この場合、再度吐出部２０１の撮像を行わないため、スループットの点で有利となる。

Ｓ５１４において、回復していないと判定された場合（Ｎｏ）、再度回復処理を行い（Ｓ５１３）、回復したか否かを判定する（Ｓ５１４）。Ｓ５１４において、回復したと判定された場合（Ｙｅｓ）、Ｓ５０４へ処理を進める。

インプリント材の供給工程（Ｓ５０４）では、基板Ｗ上のインプリント処理を実施するするショット領域に供給機構２００よりインプリント材Ｒを供給する。本実施形態に係るインプリント装置１では基板Ｗ上の複数ショット領域にインプリント処理を実施するので同数のインプリント材供給（Ｓ５０４）工程を実施する。

インプリント処理（Ｓ５０５）は、基板Ｗ上にインプリント材供給（Ｓ５０４）後に、型Ｍのパターン部ＭＰと、基板Ｗ上のインプリント材Ｒと、を接触させる。後に照射部２０によりインプリント材Ｒに光（紫外線）を照射してインプリント材Ｒを硬化させ、さらにインプリント材Ｒから型Ｍを引き剥がす工程を行う。

その後、インプリント処理を実施したショット領域が最終ショット領域であるか否かを判定する（Ｓ５０６）。通常、一枚の基板Ｗ上には複数のショット領域が形成されているので、制御部６０がインプリント処理を実施している基板の最終ショット領域であると判定するまで、インプリント材供給（Ｓ５０４）とインプリント処理（Ｓ５０５）を実施する。

インプリント処理を実施したショット領域が最終ショット領域である場合（Ｓ５０６、Ｙｅｓ）、インプリント処理を実施した基板Ｗ（対象基板）が最終基板であるか否かを判定する（Ｓ５０７）。対象基板が最終基板でない場合（Ｎｏ）、基板Ｗをインプリント装置１外に搬出して、新たな基板Ｗをインプリント装置１内に搬入するため、基板Ｗの搬送を再び実施し（Ｓ５０２）、併せてＳ５１１〜５１４の工程も実施する。以降、Ｓ５０３〜Ｓ５０７の工程を最終基板となるまで繰り返す。

対象基板が最終基板である場合（Ｓ５０７、Ｙｅｓ）、基板Ｗをインプリント装置１外へ搬出して処理を終了する。なお、インプリント処理の終了時には、メンテナンス処理として、クリーニング処理を行うことが好ましい。

上記のような処理を行う事により、吐出部の異常を、生産性を落とすことなく検出することが可能となる。また、異常を検出した際に回復処理を行うことにより、インプリント材を基板Ｗ上に正常に供給し、正常にインプリント処理を実施できるインプリント装置を提供する事が可能となる。

なお、本実施形態では、受け渡し処理が実行されている期間中に、吐出部２０１の撮像を行うこととしたが、例えば、インプリント処理を実行している期間中に、吐出部２０１を撮像可能な位置に、観察機構１００を配置することも可能である。このような構成とする場合、インプリント処理を実行している期間中に吐出部２０１を撮像し、吐出面２０３の検査を行う。この場合、インプリント処理の度に行うことが可能となる。

また、撮像部１０１が吐出部２０１の直下を通過した時など、撮像部１０１が吐出部２０１を撮像可能な位置となった場合に、吐出部２０１を撮像して、検査を行うことも可能である。この場合、受け渡し処理が実行されている期間中に撮像する場合よりも多く検査を行うことが可能である。

また、本実施形態では、基板ステージ４２に１つの観察機構１００を設ける例について説明したが、観察機構１００を複数設けてもよい。この場合、例えば、いずれかの観察機構が吐出部の直下を通過する度に吐出部２０１の撮像を行うことが可能となるので、観察機構により、吐出部２０１を撮像可能なタイミングが増加することになる。また、このような構成の場合、複数の画像をそれぞれ異なるタイミングで撮像してもよい。一回当たりの撮像時間を短縮することが可能となり、スループットの点で有利となる。特にステージと吐出機構の間隔が狭い場合には、１つの観察機構だけによる撮像では、吐出面全体を撮像できない場合がある。しかし、複数の観察機構を配置してそれらにより得られた複数の画像を用いれば吐出面全体の画像をインプリント処理中にスループットを犠牲にせずに撮像することができる。

吐出部２０１の観察工程については、実施頻度が高いほど好ましいが、例えば、吐出部２０１が所定の回数のインプリント材Ｒの吐出を行う毎に実施するよう、制御部６０によって設定してもよい。

本実施形態では、基板ステージ４２に観察機構１００が配置されることとしたが、基板ステージ４２とは別体の駆動可能なステージを設け、これに観察機構１００を配置してもよい。この場合、基板Ｗが吐出部２０１の直下から退避する期間中であれば、いつでも吐出部の撮像を行うことができる。つまり、基板Ｗが吐出部２０１の直下から退避している期間中に、言い換えると、基板Ｗが吐出部２０１の直下から退避した所定の位置に配置されるのに連動して、撮像部１０１に吐出部２０１を撮像させる。

＜第２実施形態＞
以下、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態として言及しない事項は、上述の実施形態に従う。第１実施形態では、吐出部２０１を観察機構１００によって観察することで、吐出部２０１における異常の発生を検出したが、第２実施形態では、観察機構１００を用いて型Ｍにおける異常の発生の検出も行う。

図７は、第２実施形態に係る観察機構１００による型Ｍの異常検知を説明する図である。図７（Ａ）は、観察機構１００によって、型Ｍを撮像する場合の一例を示す図である。本図の観察機構１００は、一例として、第１実施形態の図２に示す構成と同様としている。型Ｍに形成されたパターン部ＭＰに対し下側（ここでは−Ｚ方向側）から照明部１０２によって照明し、同様に下側から撮像部１０１によって撮像することで、パターン部ＭＰの凹凸の表面や側面に付着した異物を観察することができる。

なお、第１実施形態の図３に示す観察機構３００を用いる場合、カメラ１０３ａによって、型Ｍの画像を撮像する場合は、光源部１０５ｂを発光させる。カメラ１０３ｂによって、吐出面２０３の画像を撮像する場合は、光源部１０５ａを発光させる。

なお、撮像部１０１によって型Ｍを撮像する際は、照明は光源部１０５を用いてもよいし、パターン部ＭＰを基板に位置合わせする際に用いるアライメント光を調光して用いてもよい。撮像時に焦点をパターン部ＭＰに合わせるためには、基板保持部４０をＺ駆動してもよいし、カメラ１０３にオートフォーカス機構を具備してもよい。型Ｍに付着したインプリント材の残渣の輪郭のコントラストをより強調するには、図２のようにカメラ駆動部１０４と光源駆動部１０６を用いて撮像位置と照明位置を変更してもよい。

図７（Ｂ）は、異物３０３が付着した状態の型Ｍを−Ｙ方向から見た側面図である。図７（Ｃ）は、異物３０３が付着した状態の型Ｍを−Ｚ方向から見た図である。型Ｍのパターン部ＭＰに異物が付着している場合、異物３０３が付着している箇所と、それ以外の箇所との反射率が異なるため、撮像部１０１により撮像された画像においても、異なる状態で表示される。通常は、異物が付着していない箇所は、明るい領域として、異物が付着している箇所は暗い領域として画像に表示されるため、異物の付着の有無を判別できる。

図８は、第２実施形態に係るメイン処理の一例を示すフローチャートである。このフローチャートで示す各動作（ステップ）は、制御部６０によって実行されうる。本図におけるＳ５０１〜Ｓ５０７は、第１実施形態の図５と同様であるので、説明を省略する。本実施形態の観察工程（Ｓ５１１〜Ｓ８０２）は、基板Ｗの搬送工程（Ｓ５０３）と併行して実行されうる。なお、Ｓ５１１〜Ｓ５１２についても第１実施形態の図５と同様であるので、説明を省略する。

型Ｍの観察工程（Ｓ８０１〜Ｓ８０２）は、基板Ｗの搬送工程（Ｓ５０３）と併行して実行される。具体的には、基板Ｗが受け渡し位置からインプリント材の供給のために吐出部２０１の直下へと移動する際に、観察機構１００が型Ｍのパターン部ＭＰ直下に位置する地点で、基板ステージ４２を停止させる。そして、この期間中に撮像部１０１によって型Ｍのパターン部ＭＰの撮像を行う（Ｓ８０１）。図９は、第２実施形態に係る観察工程時の配置を示した模式図である。基板ステージ４２には観察機構１００が配置されている。図９（Ａ）は、受け渡し位置に基板ステージ４２が停止している状態を示している。第１実施形態と同様、この期間中に吐出部２０１の観察工程（Ｓ５１１〜Ｓ５１２）が実行される。基板Ｗの受け渡しが完了すると、基板ステージ４２は、インプリント材Ｒを基板Ｗ上に供給するために、吐出部２０１の直下へと移動する。基板Ｗ上にインプリント材が供給される際の基板ステージ４２の位置を供給位置とする。本実施形態では、一例として、基板ステージ４２は、供給位置へ移動するためにＸ方向へと移動する。

図９（Ｂ）は、観察機構１００が型Ｍのパターン部ＭＰ直下に位置する地点で基板ステージ４２が停止している状態を示している。言い換えると、基板ステージ４２によって、基板Ｗを移動し、インプリント材Ｒを基板Ｗ上に供給する前の状態である。このとき、基板ステージ４２を一時停止し、観察機構１００が型Ｍのパターン部ＭＰ直下に位置する地点で、撮像領域４００の範囲を撮像してパターン部ＭＰを撮像する。このように、観察機構１００が型Ｍのパターン部ＭＰ直下に位置する地点で、基板ステージ４２を停止させて、撮像部１０１によりパターン部ＭＰの撮像を行うことにより、パターン部ＭＰの観察も併せて行うことができる。

図８に戻り、パターン部ＭＰの撮像工程（Ｓ８０１）は、上述のように行えばよい。パターン部ＭＰの画像を撮像後、画像処理部１０７によって、パターン部ＭＰの撮像画像に対し画像処理を行い、制御部６０は、処理された画像に基づき、異常の発生の有無を判定する（Ｓ８０２）。ここで、異常なし判定された場合（Ｎｏ）は、Ｓ５０４に処理を進める。異常ありと判定された場合（Ｙｅｓ）は、型Ｍ対して回復処理を行う（Ｓ８０３）。型Ｍに対する回復処理としては、例えば、不図示のクリーニング機構に型Ｍを搬送し、プラズマや洗浄液によるクリーニング処理を行う。

その後、制御部６０は、型Ｍが正常な状態に回復したかを判定する（Ｓ８０４）。具体的には、例えば、再度Ｓ８０１とＳ８０２の工程を実行することにより、回復したか否かを判定することができる。この場合、実際のパターン部ＭＰの状態に基づいて回復したか否かを判定することが可能である。また、回復処理が問題なく完了した場合に、回復したと判定してもよい。この場合、再度パターン部ＭＰの撮像を行わないため、スループットの点で有利となる。

Ｓ８０４において、回復していないと判定された場合（Ｎｏ）、再度型Ｍに対して回復処理を行い（Ｓ８０３）、回復したか否かを判定する（Ｓ８０４）。Ｓ８０４において、回復したと判定された場合（Ｙｅｓ）、Ｓ５０４へ処理を進める。Ｓ５０４〜Ｓ５０７についても第１実施形態の図５と同様であるので、説明を省略する。

上記のような処理を行うことにより、吐出部２０１の異常を検知するとともに、型Ｍの異常を検知することも可能となる。また、異常を検出した際に型Ｍに対しても回復処理を行うことにより、パターン部ＭＰに付着した異物に起因するパターン欠陥の発生を低減することが可能となる。

なお、対象基板に対するインプリント処理が終了し、基板ステージ４２が再び受け渡し位置に戻る途中で、上述した図９（Ｂ）の位置で停止し、再度パターン部ＭＰの検査をしてもよい。

また、本実施形態では、観察機構１００が型Ｍのパターン部ＭＰ直下に位置する地点で、基板ステージ４２を停止することにより、パターン部ＭＰの撮像を行ったが、これに限られるものではない。例えば、基板ステージ４２が供給位置となっている期間中に、パターン部ＭＰを撮像可能な基板ステージ４２上の位置に観察機構１００を配置する。このように構成することにより、インプリント材Ｒの供給工程（Ｓ５０４）が実施されている期間中にパターン部ＭＰの撮像を行うことも可能である。

＜第３実施形態＞
図１０を用いて、第３実施形態に係る観察機構について説明する。なお、ここで言及しない事項は、上述の実施形態に従い得る。本実施形態では、基板Ｗにインプリント処理を実行する工程（Ｓ５０５）において、吐出部２０１を撮像可能な位置に観察機構１００が配置される。そして、本実施形態に係る吐出部２０１の観察工程（Ｓ５１１〜Ｓ５１２）は、インプリント処理工程（Ｓ５０５）と併行して実行されうる。

図１０は、第３実施形態に係る観察工程時の配置を示した模式図である。基板ステージ４２には観察機構１００が配置されている。図１０（Ａ）では、基板Ｗにインプリント処理を実行する工程（Ｓ５０５）が進行中である。このとき、観察機構１００は、吐出部２０１の直下に位置し、基板Ｗは吐出部２０１の直下から退避した位置である、型Ｍの直下に配置されている。このため、撮像領域４００（斜線部）の範囲を撮像部１０１によって撮像することが可能である（Ｓ５１２）。

図１０（Ｂ）では、さらに工程が進んで、インプリント処理（Ｓ５０５）が終了し、基板保持部４０が受け渡し位置に戻る途中の状態である。このとき、観察機構１００が型Ｍのパターン部ＭＰ直下に位置する地点で、基板保持部４０を一時停止させ、撮像領域４００の範囲を撮像部１０１によって撮像させる。このようにすることで、パターン部ＭＰの検査が可能となる

また、基板Ｗの受け渡し処理が終了し、基板保持部４０がインプリント材Ｒの供給位置へ移動する途中で、上述した図１０（Ｂ）の位置で、基板保持部４０を一時停止させることでパターン部ＭＰの検査をすることも可能である。

よって、図１０の配置をとることで、生産性を落とすことなく吐出部２０１及び型Ｍの検査が可能である。

＜第４実施形態＞
図１１を用いて、第４実施形態に係る観察機構について説明する。なお、ここで言及しない事項は、上述の実施形態に従い得る。

図１１は、第４実施形態に係る観察工程時の配置を示した模式図である。基板ステージ４２には、観察機構１００とトレイ４０１が搭載されている。供給機構２００は、長期間インプリント材Ｒを吐出しないと流路のつまりや吐出異常を引き起こすため、定期的にインプリント材を吐出する必要がある。また、例えばインプリント材供給工程（Ｓ５０４）前にインプリント材を吐出してもよい。このようにすることで、吐出異常の発生を低減させることが可能となる。

図１１（Ａ）では、吐出部２０１に対向する位置にトレイ４０１が配置され、インプリント材を定期的に吐出する工程が進行中である。次に、図１１（Ｂ）では基板保持部４０を駆動し、観察機構１００は液体吐出部直下に配置されている状態を表す。このとき撮像領域４００（斜線部）の範囲を撮像部１０１によって撮像して吐出部２０１の定期検査が可能である。このような構成とすることで、定期的なメンテナンスを行うことが可能となり、吐出部２０１における異常の発生を低減させることが可能となる。なお、観察機構１００は基板チャック４１の位置と重ならないようにする。

＜第５実施形態＞
以下、本発明の第５実施形態について説明する。第５実施形態として言及しない事項は、上述の実施形態に従う。本実施形態では、観察機構１００を用いて型チャック５１における異常の発生の検出も行う。

図１２は、第５実施形態に係るメイン処理の一例を示すフローチャートである。このフローチャートで示す各動作（ステップ）は、制御部６０によって実行されうる。本図におけるＳ５０１〜Ｓ５１４は、第１実施形態の図５と同様であるので、説明を省略する。本実施形態では、型チャックの観察工程（Ｓ１２０１〜Ｓ１２０２）は、型Ｍの搬送工程（Ｓ５０１）と併行して実行されうる。

具体的には、型Ｍをインプリント装置外から不図示の型搬送機構を用いて装置内に搬入している間、型保持部５０は、型Ｍを保持していない状態であるため、型チャック５１の型Ｍを保持する面（保持面）が露出した状態となる。この保持面にパーティクル等が付着した状態で型Ｍを保持し、インプリント処理を行うとパターン欠陥を発生させうる。よって、型チャック５１が型Ｍを保持していない期間中に、基板ステージ４２を駆動し、観察機構１００を型チャック５１の直下に位置へ移動させる。そして、撮像部１０１によって、型チャック５１を撮像させる（Ｓ１２０１）。

型チャック５１に異物が付着している場合、異物が付着している箇所と、それ以外の箇所との反射率が異なるため、撮像部１０１により撮像された画像においても、異なる状態で表示される。通常は、異物が付着していない箇所は、明るい領域として、異物が付着している箇所は暗い領域として画像に表示されるため、異物の付着の有無を判別できる。型チャック５１の画像を撮像後、画像処理部１０７によって、型チャック５１の撮像画像に対し画像処理を行い、制御部６０は、処理された画像に基づき、異常の発生の有無を判定する（Ｓ１２０２）。

ここで、異常なし判定された場合（Ｎｏ）は、Ｓ５０２に処理を進める。異常ありと判定された場合（Ｙｅｓ）は、型チャック５１対して回復処理を行う（Ｓ１２０３）。クリーニング処理などによる回復処理を行う（Ｓ１２０３）。クリーニング処理は、例えば、装置を停止して、不織布により型チャック５１に付着したパーティクルなどの異物をふき取ったり、異物を吸い取ったり、アルコール系薬液を不織布にひたしてこすったりする。なお、クリーニング処理については、型チャック５１に付着した異物を除去できれば良く、これに限られるものではない。また、異常が発生したと判定された場合に、ユーザに対して警告を発して手動でクリーニングをおこなうことを促してもよい。なおクリーニング処理は例えば自動で行うようにしても良い。ステップＳ１２０３においてクリーニングの処理が手動または自動で完了したことを検出したらＹｅｓの判断を行う。

その後、制御部６０は、型チャック５１が正常な状態に回復したかを判定する（Ｓ１２０４）。具体的には、例えば、再度Ｓ１２０１とＳ１２０２の工程を実行することにより、回復したか否かを判定することができる。この場合、実際の型チャック５１の状態に基づいて回復したか否かを判定することが可能である。また、回復処理が問題なく完了した場合に、回復したと判定してもよい。この場合、再度型チャック５１の撮像を行わないため、スループットの点で有利となる。

Ｓ１２０４において、回復していないと判定された場合（Ｎｏ）、再度型チャック５１に対して回復処理を行い（Ｓ１２０３）、回復したか否かを判定する（Ｓ１２０４）。Ｓ１２０４において、回復したと判定された場合（Ｙｅｓ）、Ｓ５０２へ処理を進める。

上記のような処理を行うことにより、吐出部２０１の異常を検知するとともに、型チャック５１の異常を検知することも可能となる。また、異常を検出した際に型チャック５１に対しても回復処理を行うことにより、型チャック５１に付着した異物に起因するパターン欠陥の発生を低減することが可能となる。
＜第６実施形態＞

第６実施形態は、成形装置の例として、基板の上に平坦化層を形成する形成処理を行う平坦化装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、前述の実施形態に従い得る。前述の実施形態では、型Ｍとして、凹凸パターンを設けた回路パターン転写用の型について述べたが、凹凸パターンがない平面部を有するモールド（平面テンプレート）であってもよい。平面テンプレートは、平面部によって基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化処理（成形処理）を行う平坦化装置（成形装置）に用いられる。平坦化処理は、基板上に供給された硬化性組成物に平面テンプレートの平坦部を接触させた状態で、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化性組成物を硬化させる工程を含む。

平坦化装置では、平面テンプレートを用いて、基板の上に平坦化層を形成する。基板上の下地パターンは、前の工程で形成されたパターン起因の凹凸プロファイルを有しており、特に近年のメモリ素子の多層構造化に伴いプロセス基板は１００ｎｍ前後の段差を持つものも出てきている。基板全体の緩やかなうねりに起因する段差は、フォト工程で使われているスキャン露光装置のフォーカス追従機能によって補正可能である。しかし、露光装置の露光スリット面積内に収まってしまうピッチの細かい凹凸は、そのまま露光装置のＤＯＦ（Ｄｅｐｔｈ Ｏｆ Ｆｏｃｕｓ）を消費してしまう。基板の下地パターンを平滑化する従来手法としてＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）のような平坦化層を形成する手法が用いられている。しかし従来技術では十分な平坦化性能が得られない問題があり、今後多層化による下地の凹凸差は更に増加する傾向にある。

この問題を解決するために、本実施形態の平坦化装置は、基板に予め塗布された未硬化の組成物に対して平面テンプレート（平面プレート）を押し当てて基板面内の局所平面化を行う。本実施形態において、平坦化装置の構成は、図１に示したインプリント装置１と概ね同様とすることができる。ただし平坦化装置では、凹凸パターンが形成されたパターン部を有する型の代わりに、基板と同じかそれより大きい面積の平面プレートを使用し、基板の上の組成物層の全面に接触させる。型保持部は、そのような平面プレートを保持するように構成される。

図１３は、第６実施形態に係る平坦化装置による処理を説明する図である。図１３（Ａ）は、平坦化加工を行う前の下地パターン６００が形成された基板Ｗを示す図である。孤立パターンエリア６０１は、パターン凸部分の面積が少なく、Ｄｅｎｓｅエリア６０２はパターン凸部分の占める面積は凹部分の占める面積と１：１である。図１３（Ｂ）は、基板上に組成物６０３を供給し、平面プレート６０４を接触させる前の状態を示している。この組成物６０３の供給パターンは、孤立パターンエリア６０１およびＤｅｎｓｅエリア６０２などの基板全面での凹凸情報を考慮して計算されたものである。図１３（Ｃ）は、平面プレート６０４を基板上の組成物６０３と接触させ、組成物６０３に光源６０５からの光を照射して組成物６０３を硬化させている状態を示している。図１３（Ｄ）は、硬化させた組成物６０３から平面プレート６０４を引き離した状態を示している。

上述したように、実際の基板はパターンの段差のみでなく、基板全面で凹凸をもっているため、その凹凸の影響により、平面プレート６０４が組成物６０３と接触するタイミングが異なる。本実施形態では、最初に接触した位置では、接触直後から組成物６０３の移動が始まるが、その程度に応じて組成物６０３を多く配置している。また、最後に接触した位置では、組成物の移動の始まりが遅く、周辺から流入する組成物が加わるが、その程度に応じて組成物の量を減らしている。このような対処により、基板全面で均一な厚みの平坦化層を形成することができる。

前述の実施形態に係る発明は、本実施形態の平坦化装置についても同様に適用することが可能であり、前述の実施形態と同様の効果が得られる。

＜物品製造方法に係る実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、組成物剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

インプリント装置１を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１４（Ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１４（Ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１４（Ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１４（Ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１４（Ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１４（Ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

なお、型４ｚとして、凹凸パターンを設けた回路パターン転写用の型を用いた例について述べたが、凹凸パターンがない平面部を有する型（平面テンプレート）であってもよい。
＜その他の実施形態＞

以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。また、複数の実施形態を組み合わせた構成をとってもよい。

１ インプリント装置
１ｚ，Ｗ 基板
３ｚ，Ｒ インプリント材
４ｚ，Ｍ 型
２０ 照射部
４０ 基板保持部
４１ 基板チャック
４２ 基板ステージ
５０ 型保持部
５１ 型チャック
６０ 制御部
１００，３００ 観察機構
１０１ 撮像部
１０２ 照明部
２０１ 吐出部
２０３ 吐出面
２０４ 吐出口

Claims (19)

1. 組成物を基板上に吐出する吐出口を含む吐出部を観察する観察装置であって、
   前記基板を保持して移動する基板保持部と、
   前記吐出部を撮像する撮像部と、
   前記撮像部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、前記基板が、前記吐出部の直下から退避した所定の位置に配置されるのに連動して、前記撮像部に前記吐出部を撮像させることを特徴とする観察装置。
2. 前記制御部は、前記撮像部が撮像した画像に基づき、前記吐出部に付着した前記組成物の状態を取得することを特徴とする請求項１に記載の観察装置。
3. 前記制御部は、前記吐出部の前記基板と対向可能な位置に付着した前記組成物の状態を取得することを特徴とする請求項２に記載の観察装置。
4. 光源を含み、前記光源からの光を前記吐出部に照射する照射部を備え、
   前記撮像部は、前記照射部により照射された前記吐出部の像を撮像することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の観察装置。
5. 前記撮像部は、散乱光を撮像することを特徴とする請求項４に記載の観察装置。
6. 前記照射部は、異なる位置に配置された複数の前記光源を備えることを特徴とする請求項４または５に記載の観察装置。
7. 少なくとも前記照射部および前記撮像部のいずれか一方は、前記照射部と前記撮像部の相対的な位置を変更する駆動部を備えることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の観察装置。
8. 前記制御部は、第１位置から前記照射部によって光を照射して得た第１画像と、前記第１位置とは異なる第２位置から前記照射部によって光を照射して得た第２画像とに基づき、前記吐出部に付着した前記組成物の状態を取得することを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の観察装置。
9. 前記制御部は、前記第１画像と、前記第２画像とを、それぞれ異なるタイミングで前記撮像部に撮像させることを特徴とする請求項８に記載の観察装置。
10. 前記撮像部および前記照射部は、前記基板保持部に配置されることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の観察装置。
11. 前記撮像部は、前記基板保持部が前記基板の受け渡し処理を実行している期間中に、前記吐出部を撮像可能な位置に配置されることを特徴とする請求項１０に記載の観察装置。
12. 前記制御部は、前記基板保持部が前記基板の受け渡し処理を実行している期間中に、前記撮像部により前記吐出部を撮像させることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の観察装置。
13. 前記基板上の前記組成物を成形する型を保持する型保持部を備え、
    前記制御部は、前記型保持部が前記型の受け渡し処理を実行している期間中に、前記撮像部に前記型保持部を撮像させることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の観察装置。
14. 前記制御部は、前記基板の処理状況に応じて、前記吐出部の一部または全部を前記撮像部に撮像させることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の観察装置。
15. 前記制御部は、前記吐出部に付着した異物の量または前記基板の表面に直交する方向の高さを検出する請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の観察装置。
16. 前記制御部は、前記吐出部が所定の回数の前記組成物の吐出を行う毎に、前記撮像部に前記吐出部を撮像させることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の観察装置。
17. 組成物を基板上に吐出する吐出口を含む吐出部を観察する観察方法であって、
    前記基板を保持して移動する移動工程と、
    前記吐出部を撮像する撮像工程と、を有し、
    前記撮像工程を、前記基板が前記吐出部の直下した所定の位置に配置されるのに連動して行うことを特徴とする観察方法。
18. 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置であって、
    前記組成物を前記基板上に吐出する吐出口を含む吐出部を観察する請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の観察装置を備えることを特徴とする成形装置。
19. 請求項１８に記載の成形装置を用いて基板上の組成物を成形する工程と、
    前記工程で組成物が形成された前記基板を処理する工程と、
    処理された前記基板から物品を製造する工程と、を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。

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