KR20190136936A - 오동작 액적 분배 노즐의 검출 및 보상을 위한 시스템 및 방법 - Google Patents

오동작 액적 분배 노즐의 검출 및 보상을 위한 시스템 및 방법 Download PDF

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Abstract

토출 신호에 응답하여 기판 상으로 성형 가능한 재료의 액적의 라인을 토출하도록 구성되는 노즐을 갖는 분배기를 위한 장치 및 방법. 유체 분배기는 성형 가능한 재료의 제1 라인의 토출 액적을 기판 상의 제1 위치 상으로 분배한다. 라인 카메라가 제1 라인의 토출 액적을 나타내는 카메라 신호를 생성한다. 카메라 신호는 오동작 노즐을 식별하도록 분석된다. 유체 분배기는 하나 이상의 오동작 노즐을 보상하는 기판 상의 제2 위치 상으로 성형 가능한 재료의 제2 라인의 토출 액적을 분배한다.

Description

오동작 액적 분배 노즐의 검출 및 보상을 위한 시스템 및 방법{SYSTEMS AND METHODS FOR DETECTION OF AND COMPENSATION FOR MALFUNCTIONING DROPLET DISPENSING NOZZLES}
본 개시내용은 오동작 액적 분배 노즐의 검출 및 보상을 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
나노 제조는 대략 100 나노미터 이하의 특징부를 갖는 매우 작은 구조물의 제조를 포함한다. 나노 제조가 큰 영향을 미치는 하나의 응용은 집적 회로의 제조에 있다. 반도체 가공 산업은 기판 상에 형성된 단위 면적당 회로를 증가시키면서 더 큰 생산 수율을 위해 계속해서 노력하고 있다. 나노 제조에 있어서의 개선은 형성된 구조물의 최소 특징부 치수의 지속적인 감소를 또한 허용하면서 더 큰 프로세스 제어를 제공하고 및/또는 처리량을 개선하는 것을 포함한다.
오늘날 사용되는 예시적인 나노 제조 기술은 일반적으로 나노임프린트 리소그래피로 지칭된다. 나노임프린트 리소그래피는 예를 들어 집적 디바이스의 하나 이상의 층을 제조하는 것을 포함하여 다양한 용도에서 유용하다. 집적 디바이스의 예는 CMOS 로직, 마이크로프로세서, NAND 플래시 메모리, NOR 플래시 메모리, DRAM 메모리, MRAM, 3D 크로스 포인트 메모리, Re-RAM, Fe-RAM, STT-RAM, MEMS 등을 포함하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예시적인 나노임프린트 리소그래피 프로세스는 미국 특허 제8,349,241호, 미국 특허 제8,066,930호, 및 미국특허 제6,936,194호와 같은 많은 공보에 상세히 설명되어 있고, 이들 모두는 본 명세서에 참조로 통합되어 있다.
전술한 특허의 각각에 개시된 나노임프린트 리소그래피 기술은 성형 가능한 재료(중합 가능한) 층 내에서의 릴리프 패턴 및 릴리프 패턴에 대응하는 패턴을 하부 기판 내로 및/또는 하부 기판 상으로 전사하는 것을 설명한다. 패터닝 프로세스는 기판으로부터 이격된 템플릿을 사용하고, 성형 가능한 액체가 템플릿과 기판 사이에 도포된다. 성형 가능한 액체는 성형 가능한 액체와 접촉하는 템플릿의 표면의 형상에 일치하는 패턴을 갖는 고체층을 형성하도록 고화된다. 응고 후에, 템플릿은 템플릿과 기판이 이격되도록 고화된 층으로부터 분리된다. 이어서, 기판 및 고화된 층은 에칭 프로세스와 같은 추가의 프로세스를 거치고, 그에 따라 고화된 층 내의 패턴에 대응하는 릴리프 화상을 기판 내로 전사한다. 패터닝된 기판은, 예를 들어, 산화, 성막, 퇴적, 도핑, 평탄화, 에칭, 성형 가능한 재료 제거, 다이싱, 본딩, 및 패키징 등을 포함하는, 디바이스 제조를 위한 공지된 단계 및 프로세스를 더 거칠 수 있다.
성형 가능한 액체는 본 명세서에 참조로 통합된 미국 특허 제9,651,862호에 기재된 바와 같은 특정 패턴을 갖는 일련의 액적으로서 기판에 도포된다. 처리량을 개선하고 결함을 감소시키기 위해, 다수의 작은 액적이 기판 상으로 분배된다. 이들 액적은 액적 분배 노즐의 선형 어레이를 통해 기판에 도포된다. 각각의 액적의 크기는 각각의 노즐의 출력 오리피스의 직경에 관련된다. 출력 오리피스의 직경이 감소함에 따라 신뢰성도 증가한다. 노즐이 완전히 또는 부분적으로 막히게 되면, 그 성능은 전체적으로 감소 또는 정지된다. 막힌 노즐의 효과는 모든 후속 임프린트에서의 결함의 증가일 수 있다. 막힌 노즐은 노즐 정지, 누락 노즐, 고장 노즐, 또는 저성능 노즐을 초래한다.
초기 누락 또는 저성능 노즐은 교정 단계 동안 검출될 수 있다. 대량 생산 중에 고장나는 노즐은 많은 웨이퍼에 영향을 미칠 수 있고, 디바이스 수율에 심각한 영향을 미친다.
적어도 제1 실시예는, 프로세서; 및 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 척을 포함하는 장치일 수 있다. 장치는 복수의 노즐을 갖는 유체 분배기를 더 포함할 수 있다. 각각의 노즐은 프로세서로부터 수신되는 토출 신호에 응답하여 기판 상으로 성형 가능한 재료의 액적을 토출하도록 구성될 수 있다. 유체 분배기는, 제1 세트의 토출 신호에 응답하여, 성형 가능한 재료의 제1 라인의 토출 액적을 기판 상의 제1 위치 상으로 분배할 수 있다. 장치는 카메라 신호의 세트를 생성하도록 위치설정되는 라인 카메라를 더 포함할 수 있다. 제1 세트의 카메라 신호가 제1 라인의 토출 액적을 나타낼 수 있다. 프로세서는 제1 세트의 카메라 신호를 수신하도록 구성될 수 있다. 프로세서는 복수의 노즐 중 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하기 위해 제1 세트의 카메라 신호를 분석하도록 더 구성될 수 있다. 프로세서는 제2 세트의 토출 신호를 생성하도록 더 구성될 수 있다. 제2 세트의 토출 신호에 응답하여, 유체 분배기는 성형 가능한 재료의 제2 라인의 토출 액적을 기판 상의 제2 위치 상으로 분배하도록 더 구성될 수 있다. 제2 세트의 토출 신호는 하나 이상의 오동작 노즐을 보상할 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 하나 이상의 오동작 노즐은 제1 세트의 카메라 신호 중 하나 이상의 신호에 의해 결정되는 액적을 생성하지 않는 비기능성 노즐일 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 하나 이상의 오동작 노즐은 제1 세트의 카메라 신호 중 하나 이상의 신호에 의해 결정되는 잘못된 크기 또는 위치인 액적을 생성하는 저성능 노즐이다.
제1 실시예의 양태에서, 장치는 템플릿을 보유지지하도록 구성되는 템플릿 척; 및 템플릿 척에 대해 기판 척을 위치설정하여, 템플릿이 기판 상의 제1 임프린트 필드 내에 제1 복수의 액적과 접촉하도록 구성되는 위치설정 시스템을 더 포함할 수 있다. 제1 임프린트 필드는 복수의 임프린트 필드 중에 있을 수 있다. 제1 복수의 액적은 성형 가능한 재료의 제1 라인의 토출 액적을 포함할 수 있다. 제1 복수의 액적은 템플릿이 제1 복수의 액적과 접촉한 후에 템플릿과 기판의 제1 임프린트 필드 사이에 제1 막을 형성할 수 있다. 경화 시스템은 템플릿이 제1 막과 접촉하는 동안, 제1 막을 화학 방사선에 노광시키도록 구성될 수 있다. 제1 막이 화학 방사선에 노광된 후에, 위치설정 시스템은 템플릿 척에 대해 기판 척을 위치설정하도록 더 구성될 수 있어, 템플릿이 화학 방사선에 의해 경화된 제1 막과 접촉하지 않을 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 위치설정 시스템은 템플릿 척에 대해 기판 척을 위치설정하도록 더 구성되어, 템플릿이 기판 상의 제2 임프린트 필드 내에서 제2 복수의 액적과 접촉할 수 있다. 제2 임프린트 필드는 복수의 임프린트 필드 중에 있을 수 있다. 제2 복수의 액적은 성형 가능한 재료의 제2 라인의 토출 액적을 포함할 수 있다. 제2 복수의 액적은 템플릿이 제2 복수의 액적과 접촉한 후에 템플릿과 기판의 제2 임프린트 필드 사이에 제2 막을 형성할 수 있다. 경화 시스템은 템플릿이 제2 막과 접촉하는 동안 제2 막을 화학 방사선에 노광시키도록 더 구성될 수 있다. 제2 막이 화학 방사선에 노광된 후에, 위치설정 시스템은 템플릿 척에 대해 기판 척을 위치설정하도록 더 구성되어, 템플릿이 화학 방사선에 의해 경화된 제2 막과 접촉하지 않을 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 경화된 후의 제2 막은 화학 방사선에 의해 경화된 후에 제1 막보다 적은 결함을 포함할 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 제1 복수의 액적은 성형 가능한 재료의 제2 라인의 토출 액적을 포함할 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 성형 가능한 재료의 하나 이상의 추가의 라인의 토출 액적이 제1 라인의 토출 액적과 제2 라인의 토출 액적 사이에 분배될 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 원통형 렌즈가 유체 분배기와 템플릿 척 사이에 위치설정될 수 있는 라인 카메라와 정렬될 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 장치는 하나 이상의 렌즈를 더 포함할 수 있다. 하나 이상의 렌즈는 성형 가능한 재료의 제1 라인의 토출 액적을 라인 카메라 상으로 포커스하도록 위치설정될 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 하나 이상의 렌즈는 원통형 렌즈일 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 유체 분배기는 제1 라인의 토출 액적을 포함하는 제1 임프린트 필드 내에서 M개의 라인의 토출 액적을 분배하도록 더 구성될 수 있다. 라인 카메라는 제1 세트의 카메라 신호를 포함하는 N개의 세트의 카메라 신호를 얻도록 더 구성될 수 있다. N개의 세트의 카메라 신호 중 카메라 신호의 각각의 세트는 M개의 라인의 토출 액적 중 하나와 연관될 수 있다. N은 M보다 작을 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 유체 분배기는 제1 세트의 토출 신호에 응답하여 제1 세트의 노즐로부터 유체를 분배하도록 더 구성될 수 있다. 유체 분배기는 제2 세트의 토출 신호에 응답하여 제2 세트의 노즐로부터 유체를 분배하도록 더 구성될 수 있다. 제2 세트의 노즐은 하나 이상의 오동작 노즐을 포함하지 않을 수 있다. 제2 세트의 노즐 중 하나 이상은 제1 세트의 노즐로부터 오프셋될 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 제1 경우에, 프로세서가 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하지 않으면, 이어서 유체 분배기는 단일 패스로 제1 라인의 토출 액적을 포함하는 임프린트 필드 내에서 복수의 라인의 토출 액적을 분배하도록 더 구성될 수 있다. 제2 경우에, 프로세서가 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하면, 이어서 유체 분배기는 둘 이상의 패스로 제2 라인의 토출 액적을 포함하는 임프린트 필드 내에서 복수의 라인의 토출 액적을 분배하도록 더 구성될 수 있고, 하나 이상의 오동작 노즐은 액적을 분배하는데 사용되지 않는다.
제1 실시예의 양태에서, 제1 경우에, 프로세서가 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하지 않으면, 이어서 유체 분배기는 둘 이상의 패스로 제1 라인의 토출 액적을 포함하는 임프린트 필드 내에서 복수의 라인의 토출 액적을 분배하도록 더 구성될 수 있다. 제2 경우에, 프로세서가 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하면, 이어서 유체 분배기는 둘 이상의 패스로 제2 라인의 토출 액적을 포함하는 임프린트 필드 내에서 복수의 라인의 토출 액적을 분배하도록 더 구성될 수 있고, 하나 이상의 오동작 노즐은 액적을 분배하는데 사용되지 않는다.
제1 실시예의 양태에서, 라인 카메라는 일 방향으로 배열되는 복수의 화소를 포함할 수 있다. 복수의 화소 중 각각의 화소는 광전 변환 소자일 수 있다. 라인 카메라의 화소 각각에 의해 검출되는 전자기 방사선의 강도가 카메라 신호의 세트의 요소에 의해 나타낼 수 있다. 제1 라인의 토출 액적 중 각각의 액적은 제1 세트의 카메라 신호의 하나 이상의 요소와 연관될 수 있다. 프로세서는 특정 노즐이 특정 노즐과 연관된 제1 세트의 카메라 신호의 하나 이상의 요소를 하나 이상의 임계치와 비교함으로써 오동작 노즐인지를 결정할 수 있다.
적어도 제2 실시예는, 임프린팅 장치로 기판 상에 물품을 제조하는 방법일 수 있다. 방법은 기판을 보유지지하는 단계; 및 성형 가능한 재료의 제1 라인의 토출 액적을 복수의 노즐로부터 제1 세트의 토출 신호에 응답하여 기판 상의 제1 위치 상으로 분배하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은 제1 라인의 토출 액적을 나타내는 라인 카메라로부터 카메라 신호의 세트를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 방법은 복수의 노즐 중 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하기 위해 제1 세트의 카메라 신호를 분석하는 단계를 더 포함할 수 있다. 방법은 성형 가능한 재료의 제2 라인의 토출 액적을 복수의 노즐로부터 제2 세트의 토출 신호에 응답하여 기판 상의 제2 위치 상으로 분배하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제2 세트의 토출 신호는 하나 이상의 오동작 노즐을 보상할 수 있다.
제2 실시예의 양태에서, 방법은 템플릿이 기판 상의 제1 임프린트 필드 내에서 제1 복수의 액적과 접촉하도록, 템플릿에 대해 기판을 위치설정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제1 임프린트 필드는 복수의 임프린트 필드 중에 있을 수 있다. 제1 복수의 액적은 성형 가능한 재료의 제1 라인의 토출 액적을 포함할 수 있다. 제1 복수의 액적은 템플릿이 제1 복수의 액적과 접촉한 후에 템플릿과 기판의 제1 임프린트 필드 사이에 제1 막을 형성할 수 있다. 방법은 템플릿이 제1 막과 접촉하는 동안, 제1 막을 화학 방사선에 노광시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 방법은 템플릿이 화학 방사선에 의해 경화된 제1 막과 접촉하지 않도록 템플릿에 대해 기판을 위치설정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제2 실시예의 양태에서, 기판에 대해 기판을 위치설정하는 단계는 기판을 복수의 노즐 및 라인 카메라에 대해 이동시키는 단계를 포함할 수 있다. 제1 세트의 카메라 신호는 기판이 복수의 노즐 아래로부터 템플릿 아래로 이동함에 따라 생성될 수 있다.
제2 실시예의 양태에서, 물품을 제조하기 위해 기판 상에 디바이스 제조를 위한 추가의 프로세스를 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
적어도 제3 실시예는, 프로세서; 및 기판을 이동시키도록 구성되는 기판 위치설정 스테이지를 포함하는 장치일 수 있다. 장치는 복수의 노즐을 갖는 유체 분배기로서, 각각의 노즐은 성형 가능한 재료의 액적을 기판 위치설정 스테이지 상의 기판 상으로 토출하도록 구성되는, 유체 분배기를 더 포함할 수 있다. 장치는 템플릿을 보유지지하도록 구성되는 템플릿 척을 더 포함할 수 있다. 장치는 템플릿 척과 유체 분배기를 연결하는 직선 상에 배열되고 직선과 교차하는 방향으로 배열되는 복수의 화소를 포함하는 라인 카메라를 더 포함할 수 있다. 라인 카메라는 상기 기판 위치설정 스테이지와 함께 이동하는 상기 기판으로부터 얻어진 광에 응답하여 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 액적의 라인을 나타내는 카메라 신호의 세트를 생성하도록 위치설정될 수 있다. 프로세서는 상기 복수의 노즐 중 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하기 위해 상기 카메라 신호의 세트를 분석하도록 구성될 수 있다.
본 개시내용의 이러한 그리고 다른 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면 및 제공된 청구범위와 연관하여 취해질 때에, 본 개시내용의 예시적인 실시예의 다음의 상세한 설명을 읽으면 명확해질 것이다.
본 발명의 특징 및 장점이 상세하게 이해될 수 있으므로, 본 발명의 실시예에 대한 보다 구체적인 설명은 첨부 도면에 도시된 실시예를 참조하여 이루어질 수 있다. 그러나, 첨부 도면은 본 발명의 통상적인 실시예를 도시할 뿐이며, 따라서 그 범주를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하고, 이는 본 발명이 다른 동등하게 효과적인 실시예에 적용될 수도 있기 때문이라는 점에 유의하여야 한다.
도 1은 기판으로부터 이격된 몰드 및 템플릿을 갖는 나노임프린트 리소그래피 시스템의 도면.
도 2a 및 도 2b는 실시예에서 사용될 수 있는 유체 분배기의 도면.
도 3a 내지 도 3c는 실시예에서 사용될 수 있는 카메라의 도면.
도 4a 내지 도 4d는 실시예에서 사용될 수 있는 방법을 도시하는 흐름도.
도 5a 내지 도 5c는 실시예에서 사용될 수 있는 구성요소의 배열의 도면.
도 6a 및 도 6b는 실시예 중에 기판 상으로 퇴적될 수 있는 액적의 화상.
도 6c 및 도 6d는 실시예 중에 기판 상으로 퇴적될 수 있는 액적의 라인 화상.
도 6e는 실시예에서 사용될 수 있는 화소 클록 및 임계 범위에 대한 라인 화상의 도면.
도 7a는 실시예에서 사용될 수 있는 액적 검사 시스템의 도면.
도 7b 및 도 7c는 액적 검사 시스템에 사용될 수 있는 렌즈의 도면.
도면 전체에 걸쳐, 달리 언급되지 않는 한, 동일 참조 번호와 문자는 예시된 실시예의 유사 특징부, 요소, 구성요소, 또는 부분을 나타내도록 사용된다. 또한, 본 발명은 이제 도면을 참조하여 상세하게 설명될 것이고, 예시적 실시예와 연결하여 설명된다. 첨부 청구범위에 기재된 본 발명의 실제 범주와 청구 개시내용의 사항을 벗어나지 않고 수정과 변형이 설명된 실시예에 행해질 수 있다.
필요한 것은, 처리량에 영향을 미치지 않으면서 임프린팅 프로세스 중에 유체 분배 노즐의 성능을 정량화하고 일어날 수 있는 문제점에 대처할 수 있는 시스템 및/또는 방법이다.
나노임프린트 시스템
도 1은 실시예가 실시될 수 있는 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)의 도면이다. 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 기판(102) 상에 릴리프 패턴을 형성하는데 사용된다. 기판(102)은 기판 척(104)에 결합될 수 있다. 기판 척(104)은 진공 척, 핀-유형, 홈-유형, 정전기, 전자기, 및/또는 기타 등등일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
기판(102) 및 기판 척(104)은 기판 위치설정 스테이지(106)에 의해 더 지지될 수 있다. 기판 위치설정 스테이지(106)는 x, y, z, θ, 및 φ-축 중 하나 이상을 따라 병진 및/또는 회전 운동을 제공할 수 있다. 기판 위치설정 스테이지(106), 기판(102), 및 기판 척(104)은 또한 기부(도시되지 않음) 상에 위치설정될 수 있다. 기판 위치설정 스테이지는 위치설정 시스템의 일부일 수 있다.
기판(102)으로부터 템플릿(108)이 이격된다. 템플릿(108)은 기판(102)을 향해 연장되는 (몰드로도 지칭되는) 메사(110)를 갖는 본체를 포함할 수 있다. 메사(110)는 상부에 패터닝 표면(112)을 가질 수 있다. 대안적으로, 템플릿(108)은 메사(110) 없이 형성될 수 있고, 이 경우에 기판(102)과 대면하는 템플릿의 표면은 몰드(110)와 동등하고, 패터닝 표면(112)은 기판(102)과 대면하는 템플릿(108)의 표면이다.
템플릿(108) 및/또는 몰드(110)는 용합 실리카, 석영, 실리콘, 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 보로실리케이트 유리, 플루오로카본 폴리머, 금속, 경화된 사파이어, 및/또는 기타 등등을 포함하지만 이들로 제한되지 않는 이러한 재료로 형성될 수 있다. 패터닝 표면(112)은 복수의 이격된 템플릿 리세스(114) 및/또는 템플릿 돌출부(116)에 의해 형성된 특징부를 포함하지만, 본 발명의 실시예는 이러한 구성(평면 표면)에 제한되지 않는다. 패터닝 표면(112)은 기판(102) 상에 형성되는 패턴의 기초를 형성하는 패턴을 형성한다. 대안적인 실시예에서, 패터닝 표면(112)은 무특징식이며, 이 경우에 기판 상에 평면 표면이 형성된다. 무특징식 패터닝 표면(112)은 기판(102)과 동일한 크기일 수 있고 기판(112)을 평탄화하는데 사용될 수 있다.
템플릿(108)은 템플릿 척(118)에 결합될 수 있다. 템플릿 척(118)은 진공, 핀-유형, 홈-유형, 정전기, 전자기 및/또는 다른 유사 척 유형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 템플릿 척(118)은 템플릿(108)을 가로질러 걸쳐 변하는 템플릿(108)에 대한 응력, 압력 및/또는 변형을 인가하도록 구성될 수 있다. 템플릿 척(118)은, 템플릿 척(118), 임프린트 헤드, 및 템플릿(108)이 적어도 z-축 방향, 및 잠재적으로 다른 방향(예컨대, x, y, θ, 및 φ-축)으로 이동 가능하도록 차례로 브리지(120)에 이동 가능하게 결합될 수 있는 임프린트 헤드에 결합될 수 있다. 위치설정 시스템은 템플릿(108)을 이동시키는 하나 이상의 모터를 포함할 수 있다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 유체 분배기(122)를 더 포함할 수 있다. 유체 분배기(122)는 패턴으로 기판(102) 상으로 성형 가능한 재료(124) (예컨대, 중합 가능한 재료)를 퇴적하는데 사용될 수 있다. 추가의 성형 가능한 재료(124)가 또한 액적 분배, 스핀 코팅, 딥 코팅, 화학 증착(CVD), 물리 증착(PVD), 박막 퇴적, 후막 퇴적 등과 같은 기술을 사용하여 기판(102)에 추가될 수 있다. 설계 고려 사항에 따라 몰드(112)와 기판(102) 사이에 원하는 체적이 형성되기 전 및/또는 후에 성형 가능한 재료(124)가 기판(102) 상에 분배될 수 있다. 성형 가능한 재료(124)는 미국 특허 제7,157,036호 및 미국 특허 제8,076,386호에 기재된 바와 같은 모노머를 포함하는 혼합물을 포함할 수 있으며, 이들 모두는 본 명세서에 참조로 통합되어 있다.
상이한 유체 분배기(122)는 성형 가능한 재료(124)를 분배하기 위해 상이한 기술을 사용할 수 있다. 성형 가능한 재료(124)가 분사 가능할 때, 잉크 제트 유형 분배기가 성형 가능한 재료를 분배하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 열 잉크 젯팅, 마이크로전기기계 시스템(MEMS) 기반의 잉크 젯팅, 및 압전 잉크 젯팅이 분사 가능한 액체를 분배하기 위한 일반적인 기술이다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 화학선 에너지(actinic energy)를 노광 경로(128)를 따라 유도하는 에너지 공급원(126)을 더 포함할 수 있다. 임프린트 헤드 및 기판 위치설정 스테이지(106)는 템플릿(108) 및 기판(102)을 노광 경로(128)와 중첩되게 위치설정하도록 구성될 수 있다. 카메라(136)는 카메라(128)의 촬상 필드가 노광 경로(128)와 중첩되도록 마찬가지로 위치설정될 수 있다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 기판 위치설정 스테이지(106), 임프린트 헤드, 유체 분배기(122), 공급원(126), 및/또는 카메라(136)와 같은 하나 이상의 구성요소 및/또는 서브시스템과 통신하는 하나 이상의 프로세서(132)(제어기)에 의해 조절, 제어 및/또는 지향될 수 있으며, 비일시적 컴퓨터 판독가능 메모리(134)에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램 내의 명령어에 기초하여 작동될 수 있다. 프로세서(132)는 CPU, MPU, GPU, ASIC, FPGA, DSP, 및 범용 컴퓨터 중 하나 이상이거나 이들을 포함할 수 있다. 프로세서(132)는 목적을 갖고 만들어진 제어기일 수 있거나 제어기가 되도록 구성되는 범용 컴퓨팅 디바이스일 수 있다. 비일시적 컴퓨터 판독가능 메모리의 예는 RAM, ROM, CD, DVD, 블루-레이, 하드 드라이브, 네트워크 부착 저장부(NAS), 인트라넷 연결 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 디바이스, 및 인터넷 연결 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 디바이스를 포함하지만 이들로 제한되지 않는다.
임프린트 헤드, 기판 위치설정 스테이지(106), 또는 양자 모두는 성형 가능한 재료(124)에 의해 충진되는 원하는 체적을 형성하기 위해 몰드(110)와 기판(102) 사이의 거리를 변경한다. 예를 들어, 임프린트 헤드는 몰드(110)가 성형 가능한 재료(124)와 접촉하도록 템플릿(108)에 힘을 인가할 수 있다. 원하는 체적이 성형 가능한 재료(124)로 충진된 후에, 공급원(126)은 에너지, 예컨대, 화학 방사선(UV)을 생성하여, 성형 가능한 재료(124)가 기판 표면(130) 및 패터닝 표면(112)의 형상에 일치하게 고화 및/또는 가교되어, 기판(102) 상에 패터닝된 층을 형성한다. 따라서, 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 패터닝 표면(112) 내의 패턴의 역인 리세스 및 돌출부를 갖는 패터닝된 층을 형성하기 위해 임프린팅 프로세스를 사용한다.
임프린팅 프로세스는 기판 표면(130)을 가로질러 확산되는 복수의 임프린트 필드에서 반복적으로 행해질 수 있다. 각각의 임프린트 필드는 메사(110)와 동일한 크기 또는 단지 메사(110)의 패턴 영역일 수 있다. 대안적인 실시예에서, 기판(102)은 기판(102)과 동일한 크기인 하나의 임프린트 필드만 또는 메사(110)로 패터닝되는 기판(102)의 영역을 갖는다.
패터닝된 층은 각각의 임프린트 필드에서 기판 표면(130) 상의 최고 지점 위의 잔류 층 두께(RLT)를 갖는 잔류 층을 갖도록 형성될 수 있다. 패터닝된 층은 또한 두께를 갖는 잔류 층 위로 연장되는 돌출부와 같은 하나 이상의 특징부를 포함할 수 있다. 이들 돌출부는 메사(110) 내의 리세스(114)와 정합한다.
유체 분배기
예시적인 유체 분배기(122)가 액적의 어레이를 생성하기 위해 기판(102) 상에 임프린트 필드를 가로질러 스캐닝되는 복수의 노즐(240)을 포함한다. 실시예에서, 임프린트 필드를 가로질러 유체 분배기(122)를 스캐닝하는 단계는 유체 분배기(122) 아래에서 전후로 기판(102)을 이동시키기 위해 기판 스테이지(106)를 사용하는 단계를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 유체 분배기(122a)는 도 2a에 도시된 바와 같은 단일 열의 노즐을 포함한다. 대안적인 실시예에서, 유체 분배기(122b)는 도 2b에 도시된 바와 같이 다수의 열의 노즐을 포함한다. 대안적인 실시예에서, 유체 분배기는 하나 이상의 열이 하나 이상의 다른 열로부터 오프셋되는 다수의 열을 포함한다. 실시예에서, 유체 분배기(122)는 분배 높이(zd)에서 기판(102) 위에 위치설정된다. 대안적인 실시예에서, 유체 분배기(122)는, 임프린트 필드를 가로질러 유체 분배기(122)를 스캔하거나 또는 그 스캔을 조정하기 위해 기판 스테이지(106) 및/또는 템플릿 위치설정 시스템과 조합하여 사용될 수 있는 독립적인 유체 분배기 위치설정 시스템을 갖는다.
액적 검사 시스템
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 액적 검사 시스템(138)을 포함할 수 있다. 액적 검사 시스템(138)은 도 3a에 도시된 바와 같은 라인 카메라(342a)를 포함할 수 있다. 액적 검사 시스템(138)의 하나 이상의 구성요소가 브리지(120)에 고정될 수 있다. 실시예에서, 브리지(120)는 액적 검사 시스템(138)이 유체 분배기(122)에 의해 분배되는 액적을 관찰하는 하나 이상의 검사 포트를 포함할 수 있다. 실시예에서, 라인 카메라(342a)가 브리지 위에 있는 동안 검사 렌즈가 액적에 근접하여 브리지(120) 아래에 고정될 수 있다. 검사 렌즈는 분배 높이(zd)보다 큰 초점 높이에 고정될 수 있다. 라인 카메라(342a)는 유체 분배기(122)와 템플릿 척(118) 사이에 위치설정될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 액적 검사 시스템(122)은 라인 카메라(342a)가 유체 분배기(122)와 템플릿 척(118) 사이 이외의 위치로부터 기판(102) 상의 액적을 검사할 수 있게 하는 하나 이상의 광학 구성요소를 포함할 수 있다. 실시예에서, 라인 카메라(342a)는 도 3a에 도시된 바와 같이 일 방향으로 배열된 복수의 화소(344)를 포함한다. 대안적인 실시예에서, 액적 검사 시스템은 단일 치수를 따라서 제한된 수의 열(1 내지 4)을 갖는 단일 라인 카메라 또는 도 3b에 도시된 바와 같은 다중 라인 카메라(342a)를 포함한다. 비교예에서, 액적 검사 시스템(138)은 도 3c에 도시된 바와 같은 2D 포토다이오드 어레이(342c)를 포함할 수 있다. 2D 포토다이오드 어레이(342c)와 같은 영역 센서의 경우, 광학 구성요소가 X x Y 화소를 갖는 센서 상으로 화상을 투사하는데 사용된다.
대안적인 실시예에서, 라인 카메라(342a)는 템플릿 척(118)과 유체 분배기(122)를 연결하는 직선 상에 배열될 수 있다. 라인 카메라(342a)는 템플릿 척(118)과 유체 분배기(122)를 연결하는 직선과 교차하는 방향으로 배열된 복수의 화소(344)를 포함할 수 있다. 라인 카메라(342a)는 기판 위치설정 스테이지(106)와 함께 이동하는 기판(102)으로부터 얻어진 광에 응답하여 복수의 노즐로부터 토출된 액적의 라인을 나타내는 카메라 신호의 세트를 생성하도록 위치설정될 수 있다. 프로세서(132)는 복수의 노즐 사이에서 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하기 위해 카메라 신호의 세트를 분석하도록 구성될 수 있다. 복수의 화소(344)가 배열되는 방향은 템플릿 척(118)과 유체 분배기(122)를 연결하는 직선에 직교일 수 있다.
비교예에서의 노광 후에, 전체 2D 센서는 통상적으로 다른 화상이 수집되기 전에 판독된다. 예를 들어, 5㎛ x 5㎛ 화소를 갖는 1 메가화소 1000 x 1000 센서 어레이는 5 mm x 5 mm의 물리적 크기를 가질 것이다. 화소 클록이 40 MHz이면, 이어서 프레임 판독 시간은 25 밀리초(ms)이고, 최대 프레임 속도는 초당 40 프레임(fps)이다. 본 출원인은 단일 프레임이 1:1 화상에 대해 인치당 360 액적(dpi)으로 분배되는 약 70개의 액적만을 나타낸다는 것을 발견하였다. 본 출원인은 노즐 어레이 방향으로 모든 노즐에 대응하는 액적의 화상을 얻기 위해 약 350 ms가 소요된다는 것을 발견하였다. 라인 스캔 카메라(342a)는 이러한 2D 센서(342c)보다 빠르게 판독될 수 있는데, 이는 그것이 훨씬 적은 정보를 수집하기 때문이다. 예를 들어, 5㎛ x 5㎛ 화소를 갖는 1 x 8000 라인 카메라는 5㎛ x 40mm의 센서 크기를 가질 것이다. 화소 클록이 40 MHz이면, 이어서 프레임 판독 시간은 0.2 ms이고, 최대 프레임 속도는 5000 fps이다. 기판(102)이 라인 스캔 카메라(342a) 아래로 이동된다면, 보다 완전한 화상이 얻어진다. 단일 라인 카메라(342a)는 1 m/s로 이동하는 기판 위치설정 스테이지(106)를 갖는 표준 임프린트 필드 상의 모든 액적을 검사할 수 있다. 전체 웨이퍼 검사를 위해, 다수의 라인 카메라(342a)가 사용될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 단일 라인 카메라(342a)는 액적의 하나 이상의 라인의 검사를 건너뛸 수 있다. 대안적인 실시예에서, 단일 라인 카메라(342a)는 일단 노즐이 오동작을 시작하면, 계속해서 오동작한다고 가정하여, 적어도 액적의 마지막 라인을 포함하는 액적의 라인의 특정 서브세트를 검사한다. 이는 간헐적인 노즐 오동작을 식별하지 않을 것이지만, 오동작 상태에서 연속적인 오동작을 포착할 것이다.
분배에 사용되는 노즐의 개수가 증가하고 노즐의 직경이 감소함에 따라, 임프린팅 프로세스 중에 노즐이 오동작할 확률이 증가한다. 임프린팅 시스템(100)은 개별 기판과 많은 기판 사이의 유체 분배기의 성능에 대한 오프라인 검사를 포함할 수 있다. 이 경우, 노즐(344)의 고장 시간과 발견 시간 사이의 모든 임프린트 필드가 충돌한다. 실시예에서, 사용 중의 모든 노즐은 임프린팅 프로세스 동안 일부 지점에서 오동작이 점검된다. 오동작 노즐의 즉시 검출은 자동 유지보수 절차; 수동 유지보수 절차; 노즐이 사용되는 변화; 오동작 노즐의 퍼지; 유체 분배기(122)의 교체; 액적 배치 조정; 추가의 분배 패스; 또는 다른 보상 방법 중 하나 이상에 의해 이어질 수 있다. 실시예에서, 액적 검사 시스템(138)은 템플릿이 기판(102)과 접촉하기 전에 임프린트 필드 상에 분배된 액적에 대해 행해진다.
실시예에서, 자동 보수유지 절차는 유체 분배기(122)의 성능을 향상시키는데 사용될 수 있는 하나 이상의 클리닝 구성요소를 포함하는 분배기 클리닝 스테이션으로 유체 분배기(122)를 이동시키는 것을 포함할 수 있다. 이러한 클리닝 구성요소의 예는, 유체 분배기(122)의 노즐을 닦는데 사용되는 클리닝 재료, 저장조, 터브, 또는 클리닝 토출 프로세스에 의해 토출되는 막힌 유체를 포착하는데 사용될 수 있고, 더 높은 전압 또는 압력은 막힌 노즐을 클리어하는데 사용되는, 플레이트; 막힌 노즐로부터 유체를 인출하는데 사용되는 흡입 캡; 백업 유체 분배기로 오동작 유체 분배기를 대체하는 것 등을 포함한다.
실시예에서, 수동 유지보수 절차는 보수유지가 계획될 필요가 있는 것을 조작자에게 통지하는 것을 포함할 수 있다. 수동 유지보수 절차는 임프린팅 프로세스를 중단하거나 정지하는 것을 포함할 수 있다. 실시예에서, 노즐 어레이의 위치는 임프린트 영역에 대해 시프트되고, 사용되는 노즐의 어레이의 노즐의 선택은 변경된다. 실시예에서, 단일 패스 분배 패턴은 다중 패스 분배 패턴으로 변경된다. 실시예에서, 다중 패스 분배 패턴은 오동작 노즐을 보상하도록 조정된다.
실시예에서, 액적 배치 조정은 액적을 토출하는데 사용되는 노즐을 시프팅하는 것, 유체 분배기(122)를 위해 기판 위치설정 스테이지(106)의 교정 오프셋을 변경하는 것, 기판(102)에 대해 유체 분배기(122)를 이동시키는 하나 이상의 위치설정 시스템을 위한 교정 오프셋을 변경하는 것 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
실시예에서, 나노임프린트 리소그래피 시스템(100) 내의 계측에 이용 가능한 제한된 양의 공간이 존재한다. 액적 검사 시스템(138)은 분배 단계와 임프린팅 단계 사이의 시간의 양을 실질적으로 증가시키지 않고, 템플릿(108)에 의해 경험되는 열의 양을 실질적으로 증가시키도록 구성될 수 있다. 실시예에서, 액적 검사 시스템(138)은 유체 분배기(122)와 템플릿 척(118) 사이의 좁은 간극 내에 위치된다. 본 출원인은 유체 분배기(122)가 전후 분배 패턴으로 작동될 때, 액적 검사 시스템(138)이 템플릿 척(118)과 유체 분배기(122) 사이에 위치되는 것이 도움이 된다는 것을 발견하였다. 본 출원인은 액적 검사 시스템(138)의 폭이 분배와 임프린트 사이의 이동 시간을 증가시킬 때에 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)의 처리량에 직접적인 영향을 미친다는 것을 발견하였다. 본 출원인은 템플릿 척(118)과 유체 분배기(122) 사이에 삽입될 수 있는 라인 카메라를 그들의 상대적인 위치를 최소한으로 또는 전혀 조정하지 않고 사용하는 것이 유리하다는 것을 발견하였다. 대안적인 실시예에서, 액적 검사 시스템(138)은 템플릿 척(118)으로부터 대향하여 유체 분배기(122) 옆에 배치될 수 있다.
라인 카메라(342a)는 단일 라인의 화소(344)로 구성된다. 라인 카메라(342a)로부터 라인 화상을 얻기 위한 총 판독 시간은, 비교예에서 설명된 표준 카메라에서 이용되는 바와 같은 2D 포토다이오드 어레이(342c)로부터의 2D 화상을 얻기 위한 판독 시간보다 빠르다. 본 출원인은, 적절한 위치에 배치되면, 라인 카메라(342a)가 이동 방향에 수직인 고정 라인의 신속 스냅샷을 얻을 수 있다는 것을 발견하였다. 실시예에서, 라인 카메라(342a)의 화소(344)는 노즐의 방향을 따라 정렬된다. 본 출원인은 단일 라인 화상이 모든 노즐로부터 액적의 존재 또는 부재를 포착할 수 있다는 것을 발견하였다. 본 출원인은 또한 단일 라인 화상이 너무 작거나 너무 큰 액적을 구별하는데 사용될 수 있고, 이는 오동작 노즐을 나타낸다는 것을 발견하였다. 실시예는 특정 노즐이 너무 작은 액적을 생성하는 오동작 노즐이라고 결정될 때 특정 노즐에 대한 토출 신호를 증가시키는 단계를 포함할 수 있다. 실시예는 특정 노즐이 너무 큰 액적을 생성하는 오동작 노즐이라고 결정될 때 특정 노즐에 대한 토출 신호를 감소시키는 단계를 포함할 수 있다.
실시예에서, 라인 카메라(342a)는 3.5㎛ 화소 및 55mm의 센서 폭을 가질 수 있다. 대안적인 실시예는 더 큰 영역 또는 다수의 분배기를 덮는데 사용될 수 있는 다수의 열을 갖는 다수의 라인 카메라 또는 라인 카메라를 포함할 수 있다. 1:1 배율에서, 70㎛의 직경을 갖는 액적이 ~ 20 화소를 가로질러 확산될 것이다. 액적이 누락되는지 여부를 결정하는 것에 추가하여, 이것은 화소 카운트, 콘트라스트 비율 등에 기초하여 주요 체적 편차를 측정하기에 충분한 공간 분해능을 제공한다.
단계 및 나노임프린트 리소그래피 시스템에서, 화상 처리는 액적 체적 편차를 검출하거나 다음 임프린트 필드가 분배되기 전에 액적을 누락하는 것을 검출하기 위해 임프린팅 프로세스 중에 행해질 수 있다. 실시예에서, 액적 체적 편차의 검출 또는 액적 누락 시에, 후속 임프린트 상의 비충진 결함 또는 템플릿 손상을 방지하기 위해 추가의 임프린트가 정지될 수 있다. 다른 실시예에서, 임프린팅 프로세스는 액적 체적 편차 또는 액적 누락의 검출에 기초하여 조정된다. 프로세스가 어떻게 조정될 수 있는지의 예는: 시프팅 예비 분배 Y; 노즐 퍼징; 또는 다른 회수 방법과 같은 특정 회수 절차를 포함할 수 있다. 블랭크 기판 또는 다른 오프라인 테스트 방법이 재개 전에 성공적인 회수을 확인하는데 사용될 수 있다.
다른 실시예에서, 분배된 액적에 임프린트가 수행되기 전에 노즐 정지를 측정하는 것이 가능하다. 실시예에서, 회수 절차는 추가의 패스를 추가하는 것을 포함할 수 있는데, 이는 기능성 노즐이 누락 노즐로부터 간극 내에 충진되게 할 것이다. 이 프로세스는 공구 가동 시간을 증가시킬 수 있다. 실시예는 다수의 분배기를 포함할 수 있다.
본 출원인은, 곡선형 축이 화소의 라인이 배열되는 방향에 수직이고 중심 반경의 평면형 축이 화소의 라인과 정렬되는 원통형 렌즈를 이용하는 것이 유리하다는 것을 발견하였다. 본 출원인은 유체 분배기가 템플릿 척에 더 근접할 수 있게 함으로써 처리량을 개선시킨다는 것을 발견하였다. 라인 스캔 카메라는 통상적으로 촬상을 위해 표준 구형 광학 장치를 사용한다. 원통형 렌즈는 더 긴 작업 거리를 허용하고, 더 양호한 공간 해상도를 가질 수 있다. 원통형 렌즈는 단지 하나의 치수를 따라 화상을 투사할 것이지만, 그 치수가 라인 스캔 카메라 내의 화소와 정렬되면, 이들은 충분하다.
대안적인 실시예에서, 액적 검사 시스템(138)은 또한 기판(102) 상의 입자를 검출할 수 있다. 기판(102) 및/또는 템플릿(108)은 롤 대 롤 웨브일 수 있다. 기판(102) 상의 입자가 검출된 후에, 기판(108)은 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)으로부터 제거되거나 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)내의 기판 클리닝 스테이션으로 전달될 수 있다. 기판(102) 상의 입자 검출은 템플릿(108)에 대한 손상을 방지하는데 사용될 수 있다.
액적 검사 방법
도 4a는 실시예에서 구현될 수 있는 액적 검사 방법(400a)의 도면이다. 프로세서(132)는 단계(S402)에서 초기 분배 맵을 수신할 수 있으며, 이는 프로세서(132)가 유체 분배기(122)로 보내는 토출 신호의 세트를 포함하거나 또는 결정하는데 사용될 수 있다. 분배 맵은 기판(102) 및 템플릿(108)의 토포그래피에 대해 조정되고, 유체 분배기(122)가 각각의 임프린트 필드에 분배할 액적의 원하는 맵이다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 또한 단계(S404)에서 기판(102)을 수용할 것이고, 이어서 기판(102)은 기판 척(104) 내에 보유지지된다. 기판 취급 시스템이 기판(102)을 기판의 카세트로부터 기판 척(104) 상으로 이동시키는 데 사용될 수 있다. 기판(102)은 M개의 임프린트 필드로 분할되고, 단계(S406)에서, 인덱스(i)가 초기화된다.
분배 단계(S408)에서, 유체 분배기(122)는 단계(S402)에서 수신된 초기 분배 맵에 따라 임프린트 필드(i) 상으로 액적을 분배한다. 유체 분배기(122)는 제1 세트의 토출 신호에 응답하여 기판 상의 제1 위치 상으로 액적의 라인을 분배하도록 구성되는 노즐의 라인을 포함한다. 가능하게는 기판 위치설정 스테이지를 포함하는 위치설정 시스템은 각각에 대해 유체 분배기(122) 및 기판(102)을 스캐닝하여 복수의 라인의 액적이 도 6a에 도시된 바와 같이 임프린트 필드를 가로질러 분배되도록 구성된다. 액적의 밀도 및/또는 액적의 크기는 초기 분배 맵에 따라 임프린트 필드를 가로질러 변한다.
검사 단계(S410)에서 기판 상의 단일 라인의 액적이 액적 검사 시스템(138)으로 촬상된다. 대안적인 실시예에서, 둘 이상의 라인의 액적은 하나 이상의 원통형 렌즈와 함께 광학적으로 평균화된다. 검사 단계(S410)는 분배 단계(S408) 후 또는 그 중에 수행될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 분배 라인의 서브세트만이 액적 검사 시스템에 의해 검사된다. 검사 단계(S410)는 액적 검사 시스템(138)으로부터 프로세서(132)로의 카메라 신호의 세트로서 프로세서(132)로 액적 화상을 송신하는 단계를 포함할 수 있다. 실시예에서, 액적 화상은 라인 카메라로부터 프로세서로 카메라 신호의 세트로서 프로세서(132)로 송신되는 라인 화상이다. 카메라 신호의 세트는 하나 이상의 아날로그 신호, 디지털 신호, 또는 구조화 디지털 파일로서 구성될 수 있다.
프로세서(132)는 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하기 위해 카메라 신호의 세트를 분석하는 식별 단계(S412)를 수행할 수 있다. 라인 화상 내의 각각의 액적은 도 6a 내지 도 6e에 도시된 바와 같이 강도의 강하로서 나타날 수 있고, 또는 대안적으로 강도의 상승으로서 나타날 수 있다. 본 출원인은 나노임프린트 프로세스에 대해 최종 수율이 성형 가능한 재료가 기판 상에 퇴적되는 위치 및 체적 정확도에 의해 영향을 받는다는 것을 발견하였다. 임프린팅 전에 얻어진 이들 액적의 라인 화상은 퇴적의 정확도를 검증할 수 있다. 본 출원인은 적절하게 형성된 액적의 라인 화상이 초기 분배 맵에 기초하는 액적의 라인에 대응하는 라인 화상 템플릿 더하기 또는 빼기 임계치에 비교될 수 있다는 것을 발견하였다. 라인 화상 템플릿은 또한 토출 신호에 기초할 수 있다. 라인 화상이 라인 화상 템플릿 더하기 또는 빼기 임계치의 밖에 있는 특징부를 포함하면, 이어서 프로세서(132)는 라인 화상과 라인 화상 템플릿 사이의 불일치의 위치에 대응하는 오동작 노즐을 식별할 것이다.
대안적인 실시예에서, 복수의 측정된 액적 파라미터가 액적 화상에 기초하여 액적의 라인 내의 각각의 액적에 대해 얻어진다. 복수의 파라미터는 액적 폭, 액적 위치, 및 액적 화상 강도를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 이들 파라미터는 2D 액적 화상에 사용되는 2D 화상 분석 기술과 유사한 표준 1D 특징 분석 기술을 사용하여 추정될 수 있다. 프로세서(132)는 메모리(134) 내에 저장하거나, 초기 분배 맵 및/또는 토출 신호에 따라 예측되고 그리고/또는 측정되는 기준 액적 파라미터 범위를 계산할 수 있다. 프로세서(132)는 이어서 추정된 액적 파라미터를 기준 액적 파라미터 범위에 비교할 수 있다. 특정 액적에 대한 추정된 액적 파라미터 중 하나 이상이 그 특정 액적에 대한 기준 액적 파라미터 범위 외부에 있으면, 이어서 대응 노즐은 오동작 노즐로서 식별된다.
액적 화상이 분석된 후에, 프로세서(132)는 이어서 식별 단계(S412)의 결과에 기초하여 프로세스가 결정 단계(S414)에서 어떻게 계속되는지를 결정한다. 하나 이상의 오동작 노즐이 오동작 노즐로서 식별되면, 프로세스는 이어서 회수 단계(S416)로 이동할 것이고, 이는 후자로 설명될 것이며, 그렇지 않으면 프로세스는 임프린팅 단계(S418)로 이동한다.
임프린팅 단계(S418)는 임프린팅 필드(i) 내에 성형 가능한 재료(124)를 임프린팅하는 단계를 포함한다. 임프린팅 단계(S418)의 제1 부분은 기판 위치설정 스테이지(104), 템플릿 위치설정 스테이지, z-축 음성 코일 위치설정 모터, 압전 템플릿 맥 액추에이터, 압력 액추에이터, 및 템플릿이 성형 가능한 재료(124)를 임프린팅하는 것을 허용하는 임의의 추가의 구성요소 중 하나 이상을 사용하여 패터닝 표면(112)이 임프린트 필드(i) 내의 성형 가능한 재료와 접촉하도록 기판(102) 및 템플릿(108)을 서로에 대해 이동시키는 것이다. 이후, 성형 가능한 재료는 확산되어 기판(102)의 임프린트 필드(i)와 템플릿 사이에 액체 막을 형성한다. 템플릿이 액체 막과 접촉하는 동안, 액체 막은 기판(102)의 임프린트 필드(i)에서 패턴의 역인 고체 막을 형성하도록 중합된다. 액체 막은 템플릿(102)을 통해 액체 막에 화학선 에너지를 제공하는 에너지 공급원(126)을 포함하는 경화 시스템으로 고체 막을 형성하도록 중합될 수 있다. 템플릿(108)는 이어서 고체 막으로부터 멀리 들어 올려질 수 있다.
임프린팅 단계(S418)가 증분 단계(S420)인 후에, 인덱스(i)는 프로세서(132)에 의해 증분된다. 새로운 인덱스(i)는 이어서 단계(S422)에서 임프린트 필드 카운트(M)에 대해 점검된다. 새로운 인덱스(i)가 임프린트 필드 카운트(M)보다 크지 않으면, 프로세스는 이어서 단계(S408)로 다시 이동한다. 새로운 인덱스(i)가 임프린트 필드 카운트(M)보다 크면, 프로세스는 이어서 정지 단계(S424)로 이동한다. 정지 단계 중에 기판(S424)은 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)으로부터 제거된다.
단계(S416)에서의 회수 프로세스는 오동작의 유형에 따라 많은 선택적 형태를 취할 수 있다. 제1 선택적 실시예에서, 단계(S416)는 단계(S424)로 이동하는 단계, 임프린팅 프로세스(400)를 완전히 정지시키는 단계, 및 작업자에게 문제가 있음을 통지하는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로 프로세스가 정지될 때, 부분적으로 임프린팅된 기판이 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)으로부터 제거되거나 그렇지 않을 수 있다. 제2 선택적 실시예에서, 단계(S416)는 오동작 노즐을 일부 방식으로 고정하는 단계, 및 이어서 단계(S420)로 이동하는 단계를 포함할 수 있으며, 이 경우에 임프린팅 단계는 생략된다. 임프린팅 단계(S418)는 현재 분배 패턴을 주어진 템플릿을 손상시키는 임프린팅 프로세스의 일부 걱정이 존재하는 경우 생략될 수 있다. 제3 선택적 실시예에서, 단계(S416)는 오동작 노즐을 일부 방식으로 고정하는 단계, 및 이어서 단계(S418)로 이동하는 단계를 포함할 수 있고, 이 경우에 임프린팅 단계는 생략되지 않는다. 제3 선택적 실시예는, 단계(S418) 전에 누락 노즐을 보상하는 제3 세트의 토출 신호를 갖는 추가의 분배 패스를 포함할 수 있다. 이후, 제2 세트의 토출 신호가 후속의 임프린트 프로세스에서 사용될 수 있다.
오동작 노즐을 고정하는 것은 자동 유지보수 절차, 수동 유지보수 절차, 액적 배치 조정 절차, 및/또는 토출 신호 크기를 조정하는 것 등을 포함할 수 있다.
대안적인 액적 검사 방법 B
도 4b는 액적 검사 방법(400a)과 실질적으로 유사한 대안적인 액적 검사 방법(400b)의 도면이다. 임프린팅 단계(S418)가 단계(S412, S414, S416)과 병렬로 수행되는 것을 제외하고는. 이 대안적인 프로세스는 더 복잡한 분석이 수행되는 경우 수행될 수 있고, 이는 템플릿이 불량한 분배 프로세스로부터 손상되는 것을 방지하지 않지만, 오동작 노즐이 하나의 임프린트 필드에만 영향을 미치는 것을 보장할 수 있다.
대안적인 액적 검사 방법 C
도 4c는 액적 검사 방법(400a)과 실질적으로 유사한 대안적인 액적 검사 방법(400c)의 도면이다. 액적 검사가 액적 분배 프로세스 중에 수행되는 것을 제외하고는. 이 대안적인 프로세스는 단계(S410) 및 단계(S412)에서의 분석이 단계(S408c)보다 더 빨리 수행될 때 수행될 수 있다. 초기 분배 맵이 수신된 후, 프로세스는 분할 단계(S426)에서 초기 분배 맵을 N개의 분배 영역으로 분할할 수 있다. 각각의 분배 영역(j)은 액적의 하나 이상의 라인을 포함할 수 있다. 초기화 단계(S406c)는 임프린트 필드 인덱스(i) 및 분배 영역 인덱스(j) 모두를 초기화하는 것을 포함할 수 있다. 대안적인 액적 검사 방법(400c)은 유체 분배기(122)가 임프린트 필드(i)의 분배 영역(j) 상으로 액적을 분배하도록 서로에 대해 기판(102) 및 유체 분배기(122)를 이동시키는 단계를 포함하는 대안적 분배 단계(408c)를 포함할 수 있다.
대안적인 액적 검사 방법(400c)에서, 노즐이 오동작하지 않으면, 이어서 분배 영역 인덱스(j)는 단계(S428)에서 증분된다. 이후, 새로운 인덱스(j)는 이어서 단계(S422c)에서 분배 영역 카운트(N)에 대해 점검된다. 새로운 인덱스(j)가 분배 영역 카운트(N)보다 크지 않으면, 이어서 프로세스는 단계(S408c)로 다시 이동한다. 새로운 인덱스(i)가 분배 영역 카운트(N)보다 크면, 이어서 프로세스는 임프린팅 단계(S418)로 이동한다. 임프린팅 단계(S418)가 증분 단계(S420c)인 후에, 인덱스(i)가 프로세서(132)에 의해 증분되고 분배 영역 인덱스(j)가 재초기화된다. 회수 단계(416c)는 회수 프로세스 후에 단계(S428, S424, 또는 S420c)로 선택적으로 이동할 수 있는 것을 제외하고는, 회수 단계(416)와 실질적으로 유사하다.
대안적인 액적 검사 방법 D
도 4d는 액적 검사 방법(400c)과 실질적으로 유사한 대안적인 액적 검사 방법(400d)의 도면이다. 액적 검사 프로세스가 액적 분배 프로세스와 병렬로 수행되는 것을 제외하고는. 실시예에서, 방법(400d)에서, 분배 단계(S408c)가 제1 영역에 대해 수행된 후에, 액적 검사 프로세스는 단계(S410)에서 시작하고, 각각의 분배 영역(j)에 대해 수행된다. 또한, 단계(S408c)가 수행된 후에, 노즐 오동작 플래그가 점검된다. 노즐 오동작 플래그는 또한 분배 단계(S408c) 동안 점검될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 노즐 오동작 점검 프로세스는 하나 이상의 프로세스를 정지시키거나 중단하게 하는 인터럽트 프로세스이다. 노즐 오동작 플래그가 설정되지 않으면, 이어서 프로세스는 단계(S428)로 이동한다. 노즐 오동작 플래그가 설정되면, 이어서 프로세스는 단계(S434)에서 중단된다. 단계(S434) 동안, 분배 프로세스의 상태가 절약되고, 단계(416d) 동안 회수 프로세스가 개시되는 동안 분배 프로세스가 중단된다.
회수 단계(416d)는 프로세스가 단계(S408c)로 복귀한 후에 분배 영역의 나머지에 대해 새로운 토출 신호의 세트가 사용되는 것을 제외하고는 단계(S416)과 실질적으로 유사하다. 이러한 회수 단계(S416d)는 또한 단계(S408c)의 반복 동안 오동작 노즐에 기인하여 누락된 이전에 분배된 영역의 제3 세트의 토출 신호에 기초하여 노즐 오동작 플래그를 클리어하고 액적을 분배하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 세트의 토출 신호가 이어서 분배 프로세스가 단계(S432, S428, S422c, S428)를 통해 진행됨에 따라 분배 영역의 나머지에 대해 사용될 수 있다.
라인 카메라
도 5a는 라인 카메라(342a)가 유체 분배기(122)와 템플릿 척(118) 사이에 위치설정되고 기판(102) 위에 위치설정될 수 있는 방법의 도면이다. 복수의 라인의 액적은 라인 카메라에 의해 촬상되는 제1 라인의 액적 이전에 분배될 수 있다. 유체 분배기(122)는 기판(102) 상에 액적을 형성하는 성형 가능한 재료(124)를 분배한다. 액적 라인 위에 위치설정될 때의 라인 카메라는 기판(102) 상의 퇴적된 액적의 라인 화상을 얻는데 사용될 수 있다. 기판 위치설정 스테이지(106)는 유체 분배기(122), 라인 카메라(342a) 및 템플릿 척(118)에 대해 기판(102)을 이동시킬 수 있다. 도 5b는 두 개의 라인 카메라(342a, 342b)가 사용되는 실시예를 도시하고, 제2 라인 카메라(342b)는 패터닝된 기판의 기준 라인 화상을 얻는데 사용될 수 있다. 도 5c는 라인 카메라(342a)가 라인 액적의 라인 화상이 제2 라인의 액적이 유체 분배기(122)에 의해 분배될 때 이전에 얻어질 수 있도록 위치설정되는 실시예를 도시한다.
실시예에서, 유체 분배기(122)는 기판 상의 제1 임프린트 필드의 제1 영역 내에 제1 라인의 액적을 분배할 수 있다. 유체 분배기(122) 및 기판(102)은 이어서 유체 분배기가 제1 임프린트 필드의 제2 영역 내에 제2 라인의 액적을 분배할 수 있도록 서로에 대해 이동된다. 액적의 추가의 라인이 제1 임프린트 필드의 추가의 영역 상으로 분배될 수 있다. 라인 카메라(342a)는 액적이 분배된 후에 기판 상에 액적의 하나 이상의 라인을 검사할 수 있다. 액적이 분배된 후에, 템플릿 척은 임프린트 필드 내에서 액적을 임프린팅하는데 사용될 수 있다. 유체 분배기(122) 및 기판(102)의 상대 이동은 기판 위치설정 스테이지(106), 유체 분배기 위치설정 스테이지 및 브리지 위치설정 스테이지 중 하나 이상에 의해 수행될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 라인 카메라(342a)는, 액적의 라인이 분배되는 위치로 기판이 이동하는 동안, 제1 라인의 액적을 촬상하도록 위치설정된다. 대안적인 실시예에서, 유체 분배기는 임프린트 필드 내에서 모든 액적을 분배하고, 라인 카메라는 이어서 임프린트 필드 내에서 모든 액적을 검사하는데 사용된다.
도 6a는 비교예에서의 2D 포토다이오드 어레이(342c)로 얻어진 액적의 화상(646a)의 도면이다. 라인 카메라(342a)가 영역(648a) 내에서의 액적의 어레이 내의 단지 하나의 라인의 화상을 얻도록 위치설정될 수 있다. 라인 카메라(342a)는 이어서 도 6c에 도시된 라인 화상(650a)을 생성할 수 있다. 노즐이 막히거나 다른 방식으로 오동작될 때, 누락되는 액적의 라인을 갖는 액적의 어레이가 도 6b에 도시된 바와 같이 화상(646b)에 도시된 바와 같이 생성된다. 전술한 바와 같이, 라인 카메라(342a)는 도 6d에 도시된 바와 같이 영역(648b)의 라인 화상(650b)을 얻는다. 막힌 노즐은 도 6d 및 도 6e에 도시된 바와 같이 기간(652) 동안 누락된 노치로서 나타날 것이다.
도 6e는 라인 화상 내의 2개의 액적이 화소 클록(654)에 대해 도시되어 있는 라인 화상(650a 내지 650f)의 일부의 도면이다. 라인 화상(650c)은 그 교정 위치로부터 오프셋된 노즐에 의해 퇴적되는 액적을 나타내는 화상을 나타낸다. 실시예에서, 프로세서(132)는 라인 화상(650c)을 수신하고 라인 화상을 대표 라인 화상, 하나 이상의 임계치, 비트 마스크 등과 비교하여 노즐이 그 교정 위치로부터 오프셋되어 있는지를 결정할 수 있다. 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 오프셋의 검출에 응답하여 하나 이상의 위치설정 스테이지의 구동을 조정할 수 있다. 액적의 다수의 라인을 가로지르는 다중 노즐의 결과는 평균 오프셋을 결정하는데 사용될 수 있다.
라인 화상(650d)은 오동작 노즐에 의해 퇴적되는 예측된 액적보다 작은 것을 나타내는 화상을 나타낸다. 프로세서(132)는 액적의 크기를 결정하기 위해 노치 폭, 노치 강도, 및/또는 화소 카운트 상에 라인 화상(650d)을 하나 이상의 임계치와 비교할 수 있다. 실시예에서, 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 액적이 너무 작고, 조정 가능한 범위 내에 있는 것을 결정하는 것에 응답하여, 프로세서(132)가 오동작 노즐에 의해 토출되는 액적의 크기를 증가시키는 새로운 토출 신호를 송신하는 것을 결정할 수 있다.
라인 화상(650e)은 오동작 노즐에 의해 퇴적되는 예측된 액적보다 큰 것을 나타내는 화상을 나타낸다. 프로세서(132)는 액적의 크기를 결정하기 위해 노치 폭, 강도, 및/또는 화소 카운트 상에 라인 화상(650e)을 하나 이상의 임계치와 비교할 수 있다. 실시예에서, 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 액적이 너무 크고 조정 가능한 범위 내에 있는 것을 결정하는 것에 응답하여, 프로세서(132)가 오동작 노즐에 의해 토출되는 액적의 크기를 감소시키는 새로운 토출 신호를 송신할 수 있다. 라인 화상(650f)은 또한 예측된 액적보다 큰, 라인 카메라의 화소와 정렬되지 않은 크기의 증가를 갖는 것을 도시한다. 실시예에서, 다중 라인 화상이 함께 평균화될 수 있다.
라인 화상(650)은 도 6e에 도시된 바와 같이 라인 화상 템플릿(650g) 더하기 또는 빼기 임계치와 비교될 수 있다. 도 6e에서, 라인 화상 템플릿(650g)의 두께에 의해 임계치가 도시되어 있다. 라인 화상이 라인 화상 템플릿으로부터 벗어나는 위치는 오동작 노즐에 대응한다. 대안적인 실시예에서, 위치, 폭, 강도 등과 같은 파라미터를 얻기 위해 화상 분석이 사용되어 액적을 나타내는데 사용된다. 이들 파라미터는 이어서 임계치 범위에 비교된다. 파라미터가 범위 밖에 있을 때, 이어서 액적은 대응하는 오동작 노즐에 의해 생성되는 것으로 결정된다.
액적 검사 시스템의 광학 시스템
액적 검사 시스템(138)은 도 7a에 도시된 바와 같은 하나 이상의 추가의 광학 구성요소(756)를 포함할 수 있다. 실시예에서, 액적 검사 시스템(138)은 유체 분배기(122)와 템플릿 척(108) 사이에 위치설정된 전방 초점 렌즈(756f)를 포함한다. 전방 초점 렌즈(756f)의 전방 표면은 기판(102) 위의 작업 거리(zw)에 위치설정된다. 실시예에서, 작업 거리(zw)는 분배 높이(zd)와 동일하거나 또는 그의 10 mm 내에 있다(zw=zd±10mm). 본 출원인은 원통형 렌즈 및 라인 카메라가 함께 사용될 때, 작업 거리는 임프린트 필드 내의 액적의 라인을 촬상하는 추가의 기준을 충족시키고 처리량을 개선하고 액적 수축의 효과를 최소화하기 위해 임프린트 템플릿과 분배기 사이의 거리를 좁게 유지하면서, 20mm(즉, 1-20mm) 미만으로 감소될 수 있다는 것을 발견하였다. 이는 분배기와 템플릿 사이의 거리가 적절한 처리량이 액적 수축을 감소시키기에 충분히 좁게 유지되는 경우 작업 거리가 200mm보다 커야 할 필요가 있는 원형 전면 초점 렌즈를 사용하는 실시예와 반대이다. 액적 검사 시스템(138)은 액적 촬상 광원(758)을 포함할 수 있고 또는 액적 촬상 광원(758)으로부터 광을 수신할 수 있다. 액적 검사 시스템(138)은 액적 촬상 광원(758)으로부터의 광을 예를 들어 라인 카메라(742)의 촬상 경로와 조합하는 빔 스플리터를 포함할 수 있다. 액적 촬상 광원(758)은 템플릿(108)을 실질적으로 가열하지 않도록 위치설정될 수 있다. 액적 촬상 광원(758)은 500nm 이상의 광을 생성할 수 있고, 성형 가능한 재료(124)를 중합시킬 수 있는 화학 방사선을 생성하지 않는다. 실시예에서, 액적 촬상 광원(758)은 굴절, 흡수, 형광에 의해 기판과 액적 사이의 콘트라스트를 제공하는 파장을 갖는다. 일 실시예에서, 액적은 기판보다 더 어두운 것으로 보이고, 대안적인 실시예에서, 액적은 기판보다 더 가벼운 것으로 보인다. 추가의 광학 구성요소는 거울, 조리개, 또는 렌즈일 수 있다. 광학 구성요소(756)는 도 7b에 도시된 바와 같은 구면 렌즈를 포함할 수 있다. 구면 렌즈는 평면 볼록 렌즈 또는 다른 유형의 렌즈일 수 있다. 광학 구성요소는 도 7a에 도시된 바와 같이 광학 릴레이 라인으로서 배열될 수 있다.
추가의 광학 구성요소는 도 7c에 도시된 바와 같이 하나 이상의 원통형 렌즈(756b)를 포함할 수 있다. 원통형 렌즈는 제1 축을 따라 평면형이고 제2 축을 따라 반경방향 프로파일을 가질 수 있다. 원통형 렌즈(756b)는 평면 볼록 렌즈 또는 다른 유형의 렌즈일 수 있다. 원통형 렌즈(756b)는 제2 축이 도 7a에 도시된 바와 같이 퇴적된 액적의 라인 및 라인 카메라(742) 내의 포토다이오드의 라인 양자 모두와 정렬되도록 위치설정된다.
대안적인 실시예에서, 원통형 렌즈(765b)를 포함하는 하나 이상의 광학 구성요소의 광축은 서로 정렬되지 않고, 그래서, 촬상되는 액적의 하나 이상의 라인은 분배 노즐을 포함하지 않는 유체 분배기(122)의 하나 이상의 구성요소 아래에 있다. 이는 액적의 인접 라인이 분배되는 동안 액적 검사 시스템(138)이 액적의 라인을 촬상할 수 있게 한다. 액적 검사 시스템(138)은 하나 이상의 조리개를 포함할 수 있고, 그래서 단지 특정한 하나 이상의 액적의 라인만이 촬상된다. 대안적인 실시예에서, 액적 촬상 광원(758)은 액적 검사 시스템(138)에 대해 기판(102)의 운동으로 동기화되는 펄스형 광원이다.
다양한 양태의 대안의 실시예 및 추가의 변형이 이 설명으로부터 본 기술분야의 숙련자에게 명백할 것이다. 따라서, 이 설명은 예시적으로만 이해되어야 한다. 본 명세서에 도시되고 설명되어 있는 형태는 실시예의 예로서 취해야 한다는 것을 이해하여야 한다. 본 명세서에 도시되고 설명된 것들을 대신하여 요소 및 재료가 대체될 수 있으며, 이 설명의 이점을 얻은 후에 본 기술분야의 숙련자에게 명백한 바와 같이, 부품 및 프로세스가 역으로 될 수 있고, 특정 특징들이 독립적으로 이용될 수 있다.

Claims (11)

  1. 장치이며,
    프로세서;
    기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 척;
    복수의 노즐을 갖는 유체 분배기로서, 각각의 노즐은 상기 프로세서로부터 수신되는 토출 신호에 응답하여 상기 기판 상으로 성형 가능한 재료의 액적을 토출하도록 구성되고, 상기 유체 분배기는, 제1 세트의 토출 신호에 응답하여, 성형 가능한 재료의 제1 라인의 토출 액적을 상기 기판 상의 제1 위치 상으로 분배하는, 유체 분배기; 및
    카메라 신호의 세트를 생성하도록 위치설정되는 라인 카메라를 포함하고,
    제1 세트의 카메라 신호는 상기 제1 라인의 토출 액적을 나타내고,
    상기 프로세서는 상기 제1 세트의 카메라 신호를 수신하도록 구성되고,
    상기 프로세서는 상기 복수의 노즐 중 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하기 위해 상기 제1 세트의 카메라 신호를 분석하도록 더 구성되고,
    상기 프로세서는 제2 세트의 토출 신호를 생성하도록 더 구성되고,
    상기 유체 분배기는, 상기 제2 세트의 토출 신호에 응답하여, 성형 가능한 재료의 제2 라인의 토출 액적을 상기 기판 상의 제2 위치 상으로 분배하고,
    상기 제2 세트의 토출 신호는 하나 이상의 오동작 노즐을 보상하는, 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 오동작 노즐은 상기 제1 세트의 카메라 신호 중 하나 이상의 신호에 의해 결정되는 액적을 생성하지 않는 비기능성 노즐인, 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 오동작 노즐은 상기 제1 세트의 카메라 신호 중 하나 이상의 신호에 의해 결정되는 잘못된 크기 또는 위치인 액적을 생성하는 저성능 노즐인, 장치.
  4. 제1항에 있어서, 하나 이상의 원통형 렌즈를 더 포함하고,
    상기 하나 이상의 원통형 렌즈는 상기 성형 가능한 재료의 제1 라인의 토출 액적을 상기 라인 카메라 상으로 포커스하도록 위치설정되는, 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유체 분배기는 상기 제1 라인의 토출 액적을 포함하는 제1 임프린트 필드에서 M개의 라인의 토출 액적을 분배하도록 더 구성되고;
    상기 라인 카메라는 상기 제1 세트의 카메라 신호를 포함하는 N개의 세트의 카메라 신호를 얻도록 더 구성되고, 상기 N개의 세트의 카메라 신호의 각 세트의 카메라 신호는 상기 M개의 라인의 토출 액적 중 하나와 연관되고,
    여기서, N은 M보다 작은, 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 라인 카메라는 일 방향으로 배열되는 복수의 화소를 포함하고,
    상기 복수의 화소의 각각의 화소는 광전 변환 소자이며,
    상기 라인 카메라의 상기 화소 각각에 의해 검출되는 전자기 방사선의 강도가 상기 카메라 신호의 세트의 요소에 의해 나타나고,
    상기 제1 라인의 토출 액적의 각각의 액적은 상기 제1 세트의 카메라 신호의 하나 이상의 요소와 연관되고;
    상기 프로세서는, 특정 노즐과 연관되는 상기 제1 세트의 카메라 신호의 하나 이상의 요소를 하나 이상의 임계치에 비교함으로써 상기 특정 노즐이 오동작 노즐인지를 결정하는, 장치.
  7. 임프린팅 장치로 기판 상에 물품을 제조하는 방법이며,
    상기 기판을 보유지지하는 단계;
    제1 세트의 토출 신호에 응답하여 성형 가능한 재료의 제1 라인의 토출 액적을 복수의 노즐로부터 상기 기판 상의 제1 위치 상으로 분배하는 단계;
    상기 제1 라인의 토출 액적을 나타내는 카메라 신호의 세트를 라인 카메라로부터 생성하는 단계;
    상기 복수의 노즐 중 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하기 위해 상기 제1 세트의 카메라 신호를 분석하는 단계; 및
    제2 세트의 토출 신호에 응답하여 성형 가능한 재료의 제2 라인의 토출 액적을 복수의 노즐로부터 상기 기판 상의 제2 위치 상으로 분배하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 세트의 토출 신호는 상기 하나 이상의 오동작 노즐을 보상하는, 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    템플릿이 상기 기판 상의 제1 임프린트 필드 내에서 제1 복수의 액적과 접촉하도록, 상기 템플릿에 대해 상기 기판을 위치설정하는 단계로서, 상기 제1 임프린트 필드는 복수의 임프린트 필드 중에 있고, 상기 제1 복수의 액적은, 상기 성형 가능한 재료의 제1 라인의 토출 액적을 포함하고, 상기 제1 복수의 액적은 상기 템플릿이 상기 제1 복수의 액적과 접촉한 후에 상기 템플릿과 상기 기판의 상기 제1 임프린트 필드 사이에 제1 막을 형성하는, 단계;
    상기 템플릿이 상기 제1 막과 접촉하는 동안, 상기 제1 막을 화학 방사선에 노광시키는 단계; 및
    상기 템플릿이 상기 화학 방사선에 의해 경화된 상기 제1 막과 접촉하지 않도록, 상기 템플릿에 대해 상기 기판을 위치설정하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 템플릿에 대해 상기 기판을 위치설정하는 단계는 상기 기판을 상기 복수의 노즐 및 상기 라인 카메라에 대해 이동시키는 단계를 포함하고, 상기 제1 세트의 카메라 신호는, 상기 기판이 상기 복수의 노즐 아래로부터 상기 템플릿 아래로 이동함에 따라 생성되는, 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 물품을 제조하기 위해 상기 기판 상에 디바이스 제조를 위한 추가 프로세스를 수행하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  11. 장치이며,
    프로세서;
    기판을 이동시키도록 구성되는 기판 위치설정 스테이지;
    복수의 노즐을 갖는 유체 분배기로서, 각각의 노즐은 성형 가능한 재료의 액적을 상기 기판 위치설정 스테이지 상의 기판 상으로 토출하도록 구성되는, 유체 분배기;
    템플릿을 보유지지하도록 구성되는 템플릿 척; 및
    상기 템플릿 척과 상기 유체 분배기를 연결하는 직선 상에 배치되고 상기 직선과 교차하는 방향으로 배열되는 복수의 화소를 포함하는 라인 카메라를 포함하고,
    상기 라인 카메라는, 상기 기판 위치설정 스테이지와 함께 이동하는 상기 기판으로부터 얻어진 광에 응답하여 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 액적의 라인을 나타내는 카메라 신호의 세트를 생성하도록 위치설정되고,
    상기 프로세서는, 상기 복수의 노즐 중 하나 이상의 오동작 노즐을 식별하기 위해 상기 카메라 신호의 세트를 분석하도록 구성되는, 장치.
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