KR20210123362A - 적하물 패턴을 생성하는 방법, 적하물 패턴에 의해 막을 형성하는 시스템, 및 적하물 패턴에 의해 물품을 제조하는 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 352
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 126
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 39
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 26
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 27
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000203 droplet dispensing Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0833—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using actinic light
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract
일 실시예는 적하물 패턴 정보를 생성하는 단계를 포함하는 방법이다. 상기 방법은 패턴 정보를 수신하는 단계를 포함할 수 있다. 패턴 정보는 대표 기판의 기판 패턴 및 대표 템플릿의 템플릿 패턴 중 하나 또는 양자 모두를 포함할 수 있다. 상기 방법은 기준 상태에 대한 특정 기판의 측정 상태를 나타내는 특정 기판에 대한 오프셋 정보를 수신하는 단계를 더 포함할 수 있다. 적하물 패턴 정보는 특정 기판 상에 성형가능 재료의 액적을 배치할 복수의 위치를 나타낼 수 있다. 상기 방법은 템플릿과 측정 상태에 있는 특정 기판 사이의 체적을 충전하는 성형가능 재료를 나타내는 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 성형가능 재료는 특정 기판의 에지에서 경계 영역 내로 확산되지 않는다.
Description
본 개시내용은 적하물 패턴을 생성하는 방법, 적하물 패턴에 의해 막을 형성하는 시스템, 및 적하물 패턴에 의해 물품을 제조하는 방법에 관한 것이다.
나노 제조(nano-fabrication)는 100 나노미터 이하 정도의 피처(feature)를 갖는 매우 작은 구조체의 제조를 포함한다. 나노 제조가 큰 영향을 미치는 하나의 용례는 집적 회로의 제조에 있다. 반도체 가공 산업은 기판에 형성된 단위 면적 당 회로를 증가시키면서 더 큰 생산 수율을 달성하기 위해서 계속 노력하고 있다. 나노 제조에서의 개선은 형성된 구조체의 최소 피처 치수의 지속적인 감소를 허용하면서도 더 큰 공정 제어 및/또는 개선된 처리량을 제공하는 것을 포함한다.
현재 사용 중인 하나의 나노 제조 기술은 통상적으로 나노임프린트 리소그래피라 지칭된다. 나노임프린트 리소그래피는, 예를 들어 기판 상에 막을 형성함으로써 집적 디바이스의 하나 이상의 층을 제조하는 것을 포함하는 다양한 용례에서 유용하다. 집적 디바이스의 예는 CMOS 로직, 마이크로프로세서, NAND 플래시 메모리, NOR 플래시 메모리, DRAM 메모리, MRAM, 3D 크로스-포인트 메모리, Re-RAM, Fe-RAM, STT-RAM, MEMS 등을 포함하지만 이들로 제한되지 않는다. 예시적인 나노임프린트 리소그래피 시스템 및 공정이 미국 특허 제8,349,241호, 미국 특허 제8,066,930호, 및 미국 특허 제6,936,194호 등의 수많은 공보에 상세히 설명되어 있으며, 이들 모두는 본 명세서에 참조로 통합된다.
전술한 특허의 각각에 개시된 나노임프린트 리소그래피 기술은 성형가능 재료(중합성) 층에 요철 패턴을 형성함으로써 기판 상에 막을 형성하는 것을 설명한다. 이어서 이러한 막의 형상은 요철 패턴에 대응하는 패턴을 하부 기판 내로 및/또는 하부 기판 상으로 전사하는 데 사용될 수 있다.
패터닝 공정은 기판으로부터 이격된 템플릿을 사용하고, 템플릿과 기판 사이에 성형가능 재료가 도포된다. 템플릿은 성형가능 재료와 접촉하여, 성형가능 재료를 확산시키고 템플릿과 기판 사이의 공간에 충전시킨다. 성형가능 액체는 성형가능 액체와 접촉하는 템플릿의 표면의 형상에 일치하는 형상(패턴)을 갖는 막을 형성하도록 응고된다. 응고 후에, 템플릿은 템플릿 및 기판이 이격되도록 응고된 층으로부터 분리된다.
이어서 기판 및 응고된 층은 응고된 층 및/또는 응고된 층 아래에 있는 패터닝된 층 중 하나 또는 양자 모두 내의 패턴에 대응하는 이미지를 기판에 전사하기 위해 에칭 공정과 같은 추가적인 공정을 거칠 수 있다. 패터닝된 기판은 예를 들어, 경화, 산화, 층 형성, 퇴적, 도핑, 평탄화, 에칭, 성형가능 재료 제거, 다이싱, 본딩, 및 패키징 등을 포함하는 디바이스(물품) 제조를 위한 공지된 단계 및 공정을 더 거칠 수 있다.
제1 실시예는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법일 수 있다. 상기 방법은 패턴 정보를 수신하는 단계를 포함할 수 있다. 패턴 정보는 대표 기판의 기판 패턴 및 대표 템플릿의 템플릿 패턴 중 하나 또는 양자 모두를 포함할 수 있다. 상기 방법은 기준 상태에 대한 특정 기판의 측정 상태를 나타내는 특정 기판에 대한 오프셋 정보를 수신하는 단계를 더 포함할 수 있다. 적하물 패턴 정보는 특정 기판 상에 성형가능 재료의 액적을 배치할 복수의 위치를 나타낼 수 있다. 상기 방법은 템플릿과 측정 상태에 있는 특정 기판 사이의 체적을 충전하는 성형가능 재료를 나타내는 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 성형가능 재료는 특정 기판의 에지에서 경계 영역 내로 확산되지 않는다.
제1 실시예의 일 양태에서, 측정 상태는 대표 기판 상의 기판 패턴의 기준 위치에 대한 특정 기판 상의 기판 패턴의 측정된 오프셋을 나타내는 정보를 포함할 수 있다.
제1 실시예의 일 양태에서, 측정된 오프셋은 기준 위치에 대한 기판 패턴의 측정된 오프셋을 나타내는 제1 축을 따른 거리; 제2 축을 따른 거리; 및 회전 각도 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
제1 실시예의 일 양태에서, 측정 상태는 특정 기판의 비산출 주연 부분의 치수를 나타내는 정보를 포함할 수 있다.
제1 실시예의 일 양태에서, 측정 상태는 제1 축을 따른 거리, 제2 축을 따른 거리, 반경, 이심률, 진원도, 경계 영역의 폭, 및 내측 경계 영역 프로파일 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
제1 실시예의 일 양태에서, 패턴 정보는 대표 기판의 복수의 전체 필드 및 복수의 전체 필드를 둘러싸는 복수의 부분 필드로의 분할을 나타내는 패턴 레이아웃 정보를 포함할 수 있고, 각각의 부분 필드는 경계 영역에 의해 그리고 전체 필드들 중 하나 이상에 의해 경계지어진다. 복수의 전체 필드 중의 각각의 전체 필드는 템플릿에 의해 임프린트되는 특정 기판의 특정 부분을 나타낼 수 있다. 복수의 부분 필드 중의 각각의 부분 필드는 경계 영역과 교차하는 템플릿의 부분에 의해 임프린트되는 특정 기판의 특정 부분을 나타낼 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 적하물 패턴 정보를 생성하는 단계는 템플릿과 대표 전체 필드 사이의 체적을 충전하는 성형가능 재료의 액적을 대표 전체 필드 상에 배치할 복수의 위치를 나타내는 전체 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계를 포함할 수 있으며, 성형가능 재료는 임프린트 동안 대표 전체 필드를 넘어 확산되지 않는다. 적하물 패턴 정보를 생성하는 단계는 복수의 부분 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 각각의 부분 필드 적하물 패턴은 특정 기판의 경계 영역과 각각의 부분 필드 적하물 패턴과의 교차부를 결정하기 위해 오프셋 정보에 기초하여 전체 필드 적하물 패턴을 수정함으로써 생성될 수 있다.
제1 실시예의 일 양태에서, 각각의 부분 적하물 패턴을 생성하도록 전체 필드 적하물 패턴을 수정하는 단계는 경계 영역과 특정 기판 상의 각각의 부분 필드와의 교차부에서 전체 필드 적하물 패턴을 자르는(cropping) 단계를 포함할 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 각각의 부분 적하물 패턴을 생성하도록 전체 필드 적하물 패턴을 수정하는 단계는, 경계 영역에 인접하는 부분 필드의 영역에서, 액적을 추가하는 단계; 액적을 제거하는 단계; 및 액적을 이동시키는 단계 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 패턴 정보는 대표 기판이 복수의 전체 필드 및 복수의 전체 필드를 둘러싸고 한 쪽에서 경계 영역의 교차부에 의해 전체 필드 중 하나 이상에 의해 경계지어지는 복수의 부분 필드로 분할된 것을 나타내는 패턴 레이아웃 정보를 포함할 수 있다. 복수의 전체 필드 중의 각각의 전체 필드는 유사한 전체 패턴을 갖는다. 복수의 부분 필드들 중의 각각의 부분 필드는 경계 영역과 교차하는 전체 패턴의 일 부분을 갖는 특정 기판의 특정 부분을 나타낸다.
제1 실시예의 양태에서, 적하물 패턴 정보를 생성하는 단계는 템플릿과 대표 전체 필드 사이의 체적을 충전하는 성형가능 재료의 액적을 대표 전체 필드 상에 배치할 복수의 위치를 나타내는 전체 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 적하물 패턴 정보를 생성하는 단계는 복수의 부분 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 각각의 부분 필드 적하물 패턴은 특정 기판의 경계 영역과 각각의 부분 필드 적하물 패턴과의 교차부를 결정하기 위해 오프셋 정보에 기초하여 전체 필드 적하물 패턴을 수정함으로써 생성될 수 있다. 성형가능 재료는 임프린트 동안 경계 영역 내로 확산되지 않을 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 각각의 부분 적하물 패턴을 생성하도록 전체 필드 적하물 패턴을 수정하는 단계는 경계 영역과 특정 기판 상의 각각의 부분 필드와의 교차부에서 전체 필드 적하물 패턴을 자르는 단계를 포함할 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 각각의 부분 적하물 패턴을 생성하도록 전체 필드 적하물 패턴을 수정하는 단계는, 경계 영역에 인접하는 부분 필드의 영역에서, 액적을 추가하는 단계; 액적을 제거하는 단계; 및 액적을 이동시키는 단계 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 기판 패턴은 임프린트 공정 중 템플릿이 얼라인먼트되는 기판의 토포그래피일 수 있으며, 오프셋 정보는 특정 기판의 중심과 기판 상의 층의 중심 중 하나에 대한 기판 토포그래피의 위치를 포함한다.
제1 실시예의 일 양태에서, 오프셋 정보는 하나 이상의 전체 필드에서의 특정 기판의 기판 패턴과 템플릿과의 하나 이상의 얼라인먼트에 기초할 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 기판 패턴 및 템플릿 패턴 중 하나 또는 양자 모두는 피처가 없을 수 있다.
제1 실시예의 양태에서, 측정 상태는 대표 기판의 기준 에지에 대한 특정 기판 상의 최상부 막의 측정된 범위를 나타내는 정보를 포함할 수 있다.
제2 실시예는 물품 제조 방법일 수 있다. 물품 제조 방법은 적하물 패턴 정보를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 적하물 패턴을 생성하는 단계는 패턴 정보를 수신하는 단계를 포함할 수 있다. 패턴 정보는 대표 기판의 기판 패턴 및 대표 템플릿의 템플릿 패턴 중 하나 또는 양자 모두를 포함할 수 있다. 적하물 패턴을 생성하는 단계는 기준 상태에 대한 특정 기판의 측정 상태를 나타내는 특정 기판에 대한 오프셋 정보를 수신하는 단계를 더 포함할 수 있다. 적하물 패턴 정보는 특정 기판 상에 성형가능 재료의 액적을 배치할 복수의 위치를 나타낼 수 있다. 적하물 패턴을 생성하는 단계는 측정 상태에 있는 특정 기판과 템플릿 사이의 체적을 충전하는 성형가능 재료를 나타내는 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 성형가능 재료는 특정 기판의 에지에서 경계 영역 내로 확산되지 않는다. 물품 제조 방법은 적하물 패턴 정보에 따라 특정 기판 상에 성형가능 재료를 분배하는 단계를 더 포함할 수 있다. 물품 제조 방법은 성형가능 재료를 템플릿에 접촉시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 물품 제조 방법은 기판 상에 경화된 성형가능 재료를 형성하기 위해 템플릿 아래의 성형가능 재료를 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 물품 제조 방법은 경화된 성형가능 재료를 갖는 기판을 가공하여 물품을 제조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제3 실시예는 기판 상에 막을 형성하는 시스템일 수 있다. 시스템은 템플릿을 보유지지하도록 구성되는 템플릿 척을 포함할 수 있다. 시스템은 특정 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 척을 더 포함할 수 있다. 시스템은 적하물 패턴 정보를 생성하도록 구성되는 프로세서를 더 포함할 수 있다. 적하물 패턴 정보를 생성하는 단계는 대표 기판의 기판 패턴; 및 대표 템플릿의 템플릿 패턴 중 하나 또는 양자 모두를 포함하는 패턴 정보를 수신하는 단계를 포함할 수 있다. 적하물 패턴 정보를 생성하는 단계는 기준 상태에 대한 특정 기판의 측정 상태를 나타내는 특정 기판에 대한 오프셋 정보를 수신하는 단계를 더 포함할 수 있다. 적하물 패턴 정보는 특정 기판 상에 성형가능 재료의 액적을 배치할 복수의 위치를 나타낸다. 적하물 패턴 정보를 생성하는 단계는 측정 상태에 있는 특정 기판과 템플릿 사이의 체적을 충전하는 성형가능 재료를 나타내는 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 성형가능 재료는 특정 기판의 에지에서 경계 영역 내로 확산되지 않는다. 시스템은 적하물 패턴 정보에 따라 특정 기판 상에 성형가능 재료를 분배하도록 구성되는 유체 분배기를 더 포함할 수도 있다. 시스템은 성형가능 재료를 템플릿 척 내의 템플릿에 접촉시키도록 구성되는 위치결정 시스템을 더 포함할 수 있다. 시스템은 기판 상에 경화된 성형가능 재료를 형성하기 위해 템플릿 아래의 성형가능 재료를 경화시키도록 구성된 경화 시스템을 더 포함할 수 있다.
본 개시내용의 이들 및 다른 목적, 특징 및 장점은 첨부 도면 및 제공되는 청구항과 함께 고려될 때 본 개시내용의 예시적인 실시예에 대한 이하의 상세한 설명을 판독시 명백해질 것이다.
본 발명의 특징 및 장점이 상세하게 이해될 수 있도록, 첨부 도면에 도시되는 실시예를 참조하여 본 발명의 실시예에 대한 더 상세한 설명이 이루어질 수 있다. 그러나, 첨부 도면은 본 발명의 전형적인 실시예를 예시하기 위한 것일 뿐이고 따라서 그 범위를 제한하는 것으로 고려되지 않으며, 그 이유는 본 발명이 다른 균등하게 효과적인 실시예를 허용할 수 있기 때문이라는 것에 유의한다.
도 1은 실시예에서 사용된 바와 같은 기판으로부터 이격된 메사를 갖는 템플릿을 갖는 예시적인 나노임프린트 리소그래피 시스템의 예시이다.
도 2는 일 실시예에서 사용될 수 있는 예시적인 템플릿의 예시이다.
도 3은 일 실시예에서 사용되는 바와 같은 예시적인 임프린트 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 4a 및 도 4b는 실시예에서 사용되는 바와 같은 예시적인 기판을 도시한다.
도 5a 내지 도 5c는 실시예에서 사용되는 바와 같은 전체 필드 및 부분 필드를 위한 예시적인 적하물 패턴을 도시한다.
도면 전체에 걸쳐, 동일한 참조 번호 및 문자는 달리 언급되지 않는 한 도시되는 실시예의 유사한 특징, 요소, 성분 또는 부분을 지시하기 위해 사용된다. 또한, 본 개시내용은 도면을 참조하여 상세히 설명되지만, 이는 설명을 위한 예시적인 실시예와 관련하여 이루어진다. 첨부된 청구범위에 의해 정의된 바와 같은 본 개시내용의 진정한 범위 및 사상 내에서 설명된 예시적인 실시예에 대해 변경 및 수정이 이루어질 수 있는 것으로 의도된다.
도 1은 실시예에서 사용된 바와 같은 기판으로부터 이격된 메사를 갖는 템플릿을 갖는 예시적인 나노임프린트 리소그래피 시스템의 예시이다.
도 2는 일 실시예에서 사용될 수 있는 예시적인 템플릿의 예시이다.
도 3은 일 실시예에서 사용되는 바와 같은 예시적인 임프린트 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 4a 및 도 4b는 실시예에서 사용되는 바와 같은 예시적인 기판을 도시한다.
도 5a 내지 도 5c는 실시예에서 사용되는 바와 같은 전체 필드 및 부분 필드를 위한 예시적인 적하물 패턴을 도시한다.
도면 전체에 걸쳐, 동일한 참조 번호 및 문자는 달리 언급되지 않는 한 도시되는 실시예의 유사한 특징, 요소, 성분 또는 부분을 지시하기 위해 사용된다. 또한, 본 개시내용은 도면을 참조하여 상세히 설명되지만, 이는 설명을 위한 예시적인 실시예와 관련하여 이루어진다. 첨부된 청구범위에 의해 정의된 바와 같은 본 개시내용의 진정한 범위 및 사상 내에서 설명된 예시적인 실시예에 대해 변경 및 수정이 이루어질 수 있는 것으로 의도된다.
임프린트 공정은 기판을 다수의 필드로 분할하는 단계를 포함할 수 있다. 이어서, 필드 중 하나 이상이 템플릿에 의해서 임프린트될 수 있다. 기판은 다수의 필드(직사각형 또는 일부 다른 형상일 수 있음)에 의한 정확한 모자이크화(tessellation)를 수용하지 않는 형상(원형 또는 일부 다른 형상일 수 있음)을 가질 수 있다. 이 경우에, 기판은 복수의 부분 필드에 의해 둘러싸이는 복수의 전체 필드로 분할될 수 있다.
임프린트 공정은 또한 적하물 패턴의 생성을 포함한다. 적하물 패턴은, 성형가능 재료가 각각의 필드의 에지, 템플릿의 에지, 및/또는 기판의 에지를 넘어 누출되지 않게 하면서, 각각의 필드에서 템플릿과 기판 사이의 체적을 충전하는 기판 상에 퇴적되는 성형가능 재료의 액적의 위치, 크기 및/또는 체적의 리스트일 수 있다. 적하물 패턴은 기판 패턴 정보 및 템플릿 패턴 정보에 기초하여 생성될 수 있다. 적하물 패턴이 템플릿과 기판 사이의 체적을 어떻게 충전할 것인지를 예측하기 위해 유체 시뮬레이션 방법 및/또는 다른 시뮬레이션 방법이 사용될 수 있다. 적하물 패턴을 생성하는 데 실험 방법도 사용될 수 있다.
각각의 전체 필드에 대한 적하물 패턴은 실질적으로 동일할 수 있다. 본 발명의 맥락에서, 각각의 적하물 패턴이 실질적으로 동일한 것이 유체 분배기 및 모션 제어기의 배치 및 체적 정밀도에 의해 제한되는 설계 목표이다. 유체 분배기(122)는 매우 작은 적하물에 대해 0.01pL 내지 매우 큰 적하물에 대해 10mL의 정밀도를 가질 수도 있다. 스테이지 제어기는 작은 적하물의 매우 정밀한 배치를 위한 1 nm 미만 내지 매우 큰 적하물을 위한 10 mm의 정밀도를 가질 수 있다. 반면에, 각각의 부분 필드에 대한 적하물 패턴은 전체 필드 적하물 패턴의 변형된 버전이다. 예를 들어, 부분 필드는 전체 필드 적하물 패턴으로부터 "잘린" 부분 필드 적하물 패턴을 필요로 할 수 있다. 부분 필드 적하물 패턴은 기판 중심과 기판 반경 - 적하물 패턴 기판 에지 배제 영역에 대응하는 반경을 따라 잘리는 전체 필드 적하물 패턴일 수 있다. 본 출원인은, 부분 필드 적하물 패턴이 기판의 중심에 중심맞춤되지 않고 각각의 기판에 특정한 양만큼 오프셋된 반경을 따라 잘리는 경우, 임프린트 공정이 더 양호한 결과를 생성한다는 것을 발견하였다. 일 실시예에서, 기판 반경은 기판의 어떠한 경사진 부분 또는 둥글려진 부분도 포함하지 않는 기판의 패터닝된 영역의 에지를 지칭한다.
임프린트 공정은 다수의 층을 생성하기 위해 사용되는 다단계 공정 중 단지 하나의 단계일 수 있다. 상이한 층 모두가 서로 얼라인먼트될 필요가 있지만, 반드시 기판의 중심에 얼라인먼트될 필요는 없다. 따라서, 기판 상의 제1 패터닝된 층(L0 패턴)은 모든 후속 층의 바람직한 위치를 결정한다. 본 출원인은 L0 패턴의 실제 배치가 기판 중심에 대해 일부 고유한 가변성을 갖는다는 것을 발견하였다. 본 출원인은 또한 L0 배치의 기판-대-기판 가변성은 고유한 적하물 패턴이 특히 임프린트되는 각각의 부분 필드에 대해 잘리는 것을 필요로 할 만큼 충분히 크다는 것을 발견하였다. 따라서, 주어진 부분 필드 적하물 패턴으로 임프린트하는 것이 일부 기판에 대해 이상적일 수 있지만, 이는 기판에 대한 상이한 L0 배치 또는 상이한 기판 토포그래피를 갖는 다른 기판 상의 과도하거나 또는 불충분한 성형가능 재료 관련 결함을 야기할 수 있다.
본 출원인은 또한 기판이 기하구조 변동을 가질 수 있다는 것을 발견하였다. 예를 들어, 300 mm 직경의 기판은 ±0.2 mm 또는 ±0.02 mm의 직경 공차를 가질 수 있다. 기판은 또한 얼라인먼트를 보조하며 부분 필드 적하물 패턴을 생성할 때 고려될 필요가 있을 수 있는 노치, 평탄한 측부 또는 다른 특징을 포함할 수 있다.
대안적으로, 전체 기판이 단일 템플릿으로 동시에 임프린트될 수 있다. 기판 및 템플릿 중 하나 또는 양자 모두가 기판을 가로질러 타일링(tiling)되는 반복되는 필드를 가질 수 있다. 이 경우에, 전체 필드 적하물 패턴 및 부분 필드 적하물 패턴은 상술된 바와 동일한 방식으로 생성된다.
기판 및 기판 상의 패턴의 위치 중 하나 또는 양자 모두에서의 변동을 고려하는 부분 필드 적하물 패턴을 생성하는 방식이 필요하다. 기판 및 템플릿의 양자 모두에 패턴이 있을 때 그 필요성이 가장 크다. 또한, 기판 및 템플릿 중 하나 또는 양자 모두에서의 기하구조 변동으로 인해 템플릿 및 기판 상에 피처가 존재하지 않는 경우에도 필요성이 존재한다.
나노임프린트 시스템(형성 시스템)
도 1은 일 실시예가 구현될 수 있는 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)의 예시이다. 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 기판(102) 상에 막을 형성하기 위해 사용된다. 기판(102)은 기판 척(104)에 결합될 수 있다. 기판 척(104)은 진공 척, 핀-타입 척, 홈-타입 척, 정전식 척, 전자기식 척 등일 수 있지만 이것으로 한정되지 않는다.
기판(102) 및 기판 척(104)은 기판 위치결정 스테이지(106)에 의해 더 지지될 수 있다. 기판 위치결정 스테이지(106)는 x, y, z, θ, ψ, 및 φ축 중 하나 이상을 따라 병진 및/또는 회전 운동을 제공할 수 있다. 기판 위치결정 스테이지(106), 기판(102), 및 기판 척(104)은 또한 베이스(도시되지 않음) 상에 위치결정될 수 있다. 기판 위치결정 스테이지는 위치결정 시스템의 일부일 수 있다.
템플릿(108)이 기판(102)으로부터 이격되어 있다. 템플릿(108)은 템플릿(108)의 전방측에서 기판(102)을 향해 연장되는 메사(몰드라고도 지칭됨)(110)를 갖는 본체를 포함할 수 있다. 메사(110)는 템플릿(108)의 전방측에도 패터닝 표면(112)을 가질 수 있다. 대안적으로, 템플릿(108)은 메사(110) 없이 형성될 수도 있고, 이 경우 기판(102)과 대면하는 템플릿의 표면은 몰드(110)와 동등하고 패터닝 표면(112)은 기판(102)과 대면하는 템플릿(108)의 표면이다.
템플릿(108)은, 용융 실리카, 석영, 실리콘, 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 붕규산 유리, 플루오로카본 폴리머, 금속, 경화 사파이어 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는 재료로 형성될 수 있다. 패터닝 표면(112)은 복수의 이격된 템플릿 오목부(114) 및/또는 템플릿 돌출부(116)에 의해 형성된 피처를 가질 수 있다. 패터닝 표면(112)은 기판(102) 상에 형성될 패턴의 기초를 형성하는 패턴을 형성한다. 대안적인 실시예에서, 패터닝 표면(112)은 피처가 없으며, 이 경우 기판 상에 평면 표면이 형성된다. 대안적인 실시예에서, 패터닝 표면(112)은 피처가 없고 기판과 동일한 크기이며 평면 표면이 전체 기판을 가로질러 형성된다.
템플릿(108)은 템플릿 척(118)에 결합될 수 있다. 템플릿 척(118)은, 비제한적으로, 진공 척, 핀-타입 척, 홈-타입 척, 정전식 척, 전자기식 척 및/또는 다른 유사 척 타입일 수 있다. 템플릿 척(118)은 템플릿(108)을 가로질러 달라지는 응력, 압력 및/또는 변형을 템플릿(108)에 인가하도록 구성될 수 있다. 템플릿 척(118)은 템플릿(108)의 상이한 부분을 압착 및/또는 연신시킬 수 있는 압전형 액추에이터를 포함할 수 있다. 템플릿 척(118)은 템플릿의 배면에 압력차를 인가하여 템플릿이 굴곡 및 변형되게 할 수 있는 구역 기반 진공 척, 액추에이터 어레이, 압력 블래더 등과 같은 시스템을 포함할 수 있다.
템플릿 척(118)은 위치결정 시스템의 일부인 임프린트 헤드(120)에 결합될 수 있다. 임프린트 헤드는 브리지에 이동 가능하게 결합될 수 있다. 임프린트 헤드(120)는, 적어도 z축 방향 및 잠재적으로는 다른 방향(예를 들어, x, y, θ, ψ, 및 φ축)으로 기판에 대해 템플릿 척(118)을 이동시키도록 구성되는 보이스 코일 모터, 압전형 모터, 리니어 모터, 너트 및 스크류 모터 등과 같은 하나 이상의 액추에이터를 포함할 수 있다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 유체 분배기(122)를 더 포함할 수 있다. 유체 분배기(122)는 또한 브리지에 이동가능하게 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 유체 분배기(122) 및 임프린트 헤드(120)는 하나 이상 또는 모든 위치결정 구성요소를 공유한다. 대안적인 실시예에서, 유체 분배기(122) 및 임프린트 헤드(120)는 서로 독립적으로 이동한다. 유체 분배기(122)는 액체 성형가능 재료(124)(예를 들어, 중합성 재료)를 기판(102) 상에 소정 패턴으로 퇴적시키기 위해 사용될 수 있다. 추가적인 성형가능 재료(124)는 또한 성형가능 재료(124)가 기판(102) 상에 퇴적되기 전에 적하물 분배, 스핀-코팅, 딥 코팅, 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD), 박막 퇴적, 후막 퇴적 등과 같은 기술을 사용하여 기판(102)에 추가될 수 있다. 성형가능 재료(124)는 설계 고려사항에 따라 원하는 체적이 몰드(112)와 기판(102) 사이에 형성되기 전에 및/또는 후에 기판(102) 상으로 분배될 수 있다. 성형가능 재료(124)는, 모두 본원에서 참조로 통합되는, 미국 특허 제7,157,036호 및 미국 특허 제8,076,386호에서 설명된 바와 같은 단량체를 포함하는 혼합물을 포함할 수 있다.
상이한 유체 분배기(122)는 성형가능 재료(124)를 분배하기 위해 상이한 기술을 사용할 수 있다. 성형가능 재료(124)가 분사가능할 때, 잉크젯 타입 분배기를 사용하여 성형가능 재료를 분배할 수 있다. 예를 들어, 열 잉크 분사, 마이크로전기기계 시스템(MEMS) 기반 잉크 분사, 밸브 분사 및 압전식 잉크 분사가 분사가능 액체를 분배하기 위한 일반적인 기술이다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 노광 경로(128)를 따라 화학 에너지를 유도하는 적어도 방사선 소스(126)를 포함하는 경화 시스템을 더 포함할 수 있다. 임프린트 헤드 및 기판 위치결정 스테이지(106)는 템플릿(108) 및 기판(102)을 노광 경로(128)와 중첩하는 상태로 위치결정하도록 구성될 수 있다. 방사선 소스(126)는 템플릿(108)이 성형가능 재료(128)와 접촉한 후에 노광 경로(128)를 따라 화학 에너지를 전송한다. 도 1은 템플릿(108)이 성형가능 재료(124)와 접촉하지 않을 때의 노광 경로(128)를 도시하며, 이는 개별 구성요소의 상대 위치가 쉽게 식별될 수 있도록 하는 설명 목적을 위한 것이다. 통상의 기술자는 템플릿(108)이 성형가능 재료(124)와 접촉할 때 노광 경로(128)가 실질적으로 변하지 않을 것임을 이해할 것이다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 템플릿(108)이 성형가능 재료(124)와 접촉한 후에 성형가능 재료(124)의 확산을 관찰하기 위해 위치결정되는 필드 카메라(136)를 더 포함할 수 있다. 도 1은 필드 카메라의 촬상 필드의 광축을 파선으로 도시한다. 도 1에 도시되는 바와 같이, 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 필드 카메라에 의해 검출되는 광과 화학 방사선을 결합하는 하나 이상의 광학 구성요소(다이크로익 미러, 빔 결합기, 프리즘, 렌즈, 미러 등)를 포함할 수 있다. 필드 카메라(136)는 템플릿(108) 아래의 성형가능 재료의 확산을 검출하도록 구성될 수 있다. 도 1에 도시되는 바와 같은 필드 카메라(136)의 광축은 직선형이지만 하나 이상의 광학 구성요소에 의해 굴곡될 수 있다. 필드 카메라(136)는, 성형가능 재료와 접촉하는 템플릿(108) 아래의 영역과 성형가능 재료(124)와 접촉하지 않는 템플릿(108) 아래의 영역 사이의 대비를 나타내는 파장을 갖는 광을 모으도록 구성되는 CCD, 센서 어레이, 라인 카메라 및 광검출기 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 필드 카메라(136)는 가시광의 단색 이미지를 모으도록 구성될 수 있다. 필드 카메라(136)는 템플릿(108) 아래의 성형가능 재료(124)의 확산과 경화된 성형가능 재료로부터의 템플릿(108)의 분리의 이미지를 제공하도록 구성될 수 있으며, 임프린트 공정에 걸친 진행상태를 추적하는 데 사용될 수 있다. 필드 카메라(136)는 또한 성형가능 재료(124)가 패터닝 표면(112)과 기판 표면(130) 사이의 간극 사이에서 확산될 때 변화되는 간섭 줄무늬를 측정하도록 구성될 수 있다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 필드 카메라(136)과 별개의 액적 검사 시스템(138)을 더 포함할 수 있다. 액적 검사 시스템(138)은 CCD, 카메라, 라인 카메라, 및 광검출기 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 액적 검사 시스템(138)은 렌즈, 미러, 애퍼처, 필터, 프리즘, 편광기, 창, 적응 광학기기 및/또는 광원과 같은 하나 이상의 광학 구성요소를 포함할 수 있다. 액적 검사 시스템(138)은 패터닝 표면(112)이 기판(102) 상의 성형가능 재료(124)와 접촉하기 전에 액적을 검사하도록 위치결정될 수 있다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 템플릿(108) 및 기판(102) 중 하나 또는 양자 모두에 열 방사선의 공간 분포를 제공하도록 구성될 수 있는 열 방사선 소스(134)를 더 포함할 수 있다. 열 방사선 소스(134)는 기판(102) 및 템플릿(108) 중 하나 또는 양자 모두를 가열하며 성형가능 재료(124)를 응고시키지 않는 열 전자기 방사선의 하나 이상의 소스를 포함할 수 있다. 열 방사선 소스(134)는, 열 방사선의 공간 시간 분포를 조절하기 위해서, 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD), LCoS(Liquid Crystal on Silicon), 액정 디바이스(LCD) 등과 같은 공간 광 변조기를 포함할 수 있다. 나노임프린트 리소그래피 시스템은, 템플릿(108)이 기판(102) 상의 성형가능 재료(124)와 접촉할 때, 화학 방사선, 열 방사선, 및 필드 카메라(136)에 의해 모인 방사선을 임프린트 필드와 교차하는 단일 광로 상으로 결합하기 위해 사용되는 하나 이상의 광학 구성요소를 더 포함할 수 있다. 열 방사선 소스(134)는 템플릿(108)이 성형가능 재료(128)와 접촉한 후에 열 방사선 경로(도 1에서 2개의 두꺼운 암선으로 도시됨)를 따라 열 방사선을 전송할 수 있다. 도 1은 템플릿(108)이 성형가능 재료(124)와 접촉하지 않을 때의 열 방사선 경로를 도시하며, 이는 개별 구성요소의 상대 위치가 쉽게 식별될 수 있도록 하는 설명 목적을 위한 것이다. 통상의 기술자는 템플릿(108)이 성형가능 재료(124)와 접촉할 때 열 방사선 경로가 실질적으로 변하지 않을 것임을 이해할 것이다. 도 1에서, 열 방사선 경로는 템플릿(108)에서 종료되는 것으로 도시되어 있지만, 기판(102)에서 종료될 수도 있다. 대안적인 실시예에서, 열 방사선 소스(134)는 기판(102) 아래에 있고, 열 방사선 경로는 화학 방사선 및 가시광과 결합되지 않는다.
성형가능 재료(124)가 기판 상으로 분배되기 전에, 기판 코팅(132)이 기판(102)에 도포될 수 있다. 일 실시예에서, 기판 코팅(132)은 접착층일 수 있다. 일 실시예에서, 기판 코팅(132)은 기판이 기판 척(104) 상으로 로딩되기 전에 기판(102)에 도포될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 기판 코팅(132)은 기판(102)이 기판 척(104) 상에 있는 동안 기판(102)에 도포될 수 있다. 일 실시예에서, 기판 코팅(132)은 스핀 코팅, 딥 코팅 등에 의해 도포될 수 있다. 일 실시예에서, 기판(102)은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 다른 실시예에서, 기판(102)은 임프린트된 후 자손 템플릿을 생성하기 위해 사용될 수 있는 블랭크 템플릿(레플리카 블랭크)일 수 있다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 기판 척(104), 기판 위치결정 스테이지(106), 템플릿 척(118), 임프린트 헤드(120), 유체 분배기(122), 방사선 소스(126), 열 방사선 소스(134), 필드 카메라(136) 및/또는 액적 검사 시스템(138)과 같은 하나 이상의 구성요소 및/또는 서브시스템과 통신하는 하나 이상의 프로세서(140)(제어기)에 의해 조절, 제어 및/또는 지시될 수 있다. 프로세서(140)는 비일시적 컴퓨터 판독가능 메모리(142)에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램 내의 명령어에 기초하여 동작될 수 있다. 프로세서(140)는 CPU, MPU, GPU, ASIC, FPGA, DSP, 및 범용 컴퓨터 중 하나 이상이거나 이를 포함할 수 있다. 프로세서(140)는 특정 목적을 위해 형성된 제어기일 수도 있거나 또는 제어기가 되도록 구성되는 범용 컴퓨팅 디바이스일 수 있다. 비일시적 컴퓨터 판독가능 메모리의 예는 RAM, ROM, CD, DVD, 블루레이, 하드 드라이브, 네트워크 결합 스토리지(networked attached storage: NAS), 인트라넷 접속 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 디바이스, 및 인터넷 접속 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 디바이스를 포함하지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
임프린트 헤드(120)와 기판 위치결정 스테이지(106) 중 하나 또는 양자 모두는 성형가능 재료(124)로 충전되는 원하는 공간(3차원에서의 한정된 물리적 범위)을 형성하기 위해 몰드(110)와 기판(102) 사이의 거리를 변화시킨다. 예를 들어, 임프린트 헤드(120)는 몰드(110)가 성형가능 재료(124)와 접촉되도록 템플릿(108)에 힘을 인가할 수 있다. 원하는 체적이 성형가능 재료(124)로 충전된 후에, 방사선 소스(126)는 성형가능 재료(124)가 경화, 응고, 및/또는 교차-결합되게 하고; 기판 표면(130) 및 패터닝 표면(112)의 형상에 일치되게 하여 기판(102) 상에 패터닝된 층을 형성하게 하는 화학 방사선(예를 들어, UV, 248 nm, 280 nm, 350 nm, 365 nm, 395 nm, 400 nm, 405 nm, 435 nm 등)을 생성한다. 성형가능 재료(124)는 템플릿(108)이 성형가능 재료(124)와 접촉하고 있는 동안 경화되어 기판(102) 상에 패터닝된 층을 형성한다. 따라서, 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 패터닝 표면(112) 내의 패턴의 역(inverse)인 오목부 및 돌출부를 갖는 패터닝된 층을 형성하기 위해 임프린트 공정을 사용한다. 대안적인 실시예에서, 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)은 피처가 없는 패터닝 표면(112)으로 평면 층을 형성하기 위해 임프린트 공정을 사용한다.
임프린트 공정은 기판 표면(130)을 가로질러 확산되는 복수의 임프린트 필드에서 반복적으로 행해질 수 있다. 각각의 임프린트 필드는 메사(110) 또는 단지 메사(110)의 패턴 영역과 동일한 크기일 수 있다. 메사(110)의 패턴 영역은 디바이스의 피처이거나 또는 이후에 디바이스의 피처를 형성하기 위해 후속 처리에서 사용되는 패턴을 기판(102) 상에 임프린트하기 위해 사용되는 패터닝 표면(112)의 영역이다. 메사(110)의 패턴 영역은 압출물을 방지하기 위해 사용되는 질량 속도 변화 피처(유체 제어 피처)를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 대안적인 실시예에서, 기판(102)은 기판(102)과 동일한 크기인 단지 하나의 임프린트 필드 또는 메사(110)에 의해 패터닝되는 기판(102)의 영역을 갖는다. 대안적인 실시예에서, 임프린트 필드는 중첩된다. 임프린트 필드의 일부는 기판(102)의 경계와 교차하는 부분 임프린트 필드일 수 있다.
패터닝된 층은 각각의 임프린트 필드에서 기판 표면(130)과 패터닝 표면(112) 사이의 성형가능 재료(124)의 최소 두께인 잔류층 두께(RLT)를 갖는 잔류층을 갖도록 형성될 수 있다. 패터닝된 층은 또한 소정 두께를 갖는 잔류층 위로 연장되는 돌출부와 같은 하나 이상의 피처를 포함할 수 있다. 이들 돌출부는 메사(110) 내의 오목부(114)와 정합한다.
템플릿
도 2는 일 실시예에서 사용될 수 있는 템플릿(108)의 예시이다. 패터닝 표면(112)은 메사(110)(도 2에서 파선 박스로 식별) 상에 있을 수 있다. 메사(110)는 템플릿의 전방측의 오목면(244)에 의해 둘러싸인다. 메사 측벽(246)은 오목면(244)을 메사(110)의 패터닝 표면(112)에 연결한다. 메사 측벽(246)은 메사(110)를 둘러싼다. 메사가 둥글거나 둥근 코너를 갖는 실시예에서, 메사 측벽(246)은 코너가 없는 연속적인 벽인 단일 메사 측벽을 지칭한다.
임프린트 공정
도 3은 하나 이상의 임프린트 필드(패턴 영역 또는 샷 영역으로도 지칭됨) 상에 성형가능 재료(124)의 패턴을 형성하기 위해 사용될 수 있는 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)에 의한 임프린트 공정(300)의 흐름도이다. 임프린트 공정(300)은 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)에 의해 복수의 기판(102) 상에서 반복적으로 수행될 수 있다. 프로세서(140)는 임프린트 공정(300)을 제어하기 위해 사용될 수 있다.
대안적인 실시예에서, 임프린트 공정(300)은 기판(102)을 평탄화하는 데 사용된다. 이 경우, 패터닝 표면(112)은 피처가 없으며 또한 기판(102)과 동일한 크기이거나 또는 그보다 클 수 있다.
임프린트 공정(300)의 개시는 템플릿 반송 기구가 템플릿 척(118) 상에 템플릿(108)을 장착하게 하는 템플릿 장착 단계를 포함할 수 있다. 임프린트 공정은 또한 기판 장착 단계를 포함할 수 있고, 프로세서(140)는 기판 반송 기구가 기판(102)을 기판 척(104) 상에 장착하게 할 수 있다. 기판은 하나 이상의 코팅 및/또는 구조체를 가질 수 있다. 템플릿(108) 및 기판(102)이 나노임프린트 리소그래피 시스템(100)에 장착되는 순서는 특별히 제한되지 않고, 템플릿(108) 및 기판(102)은 순차적으로 또는 동시에 장착될 수 있다.
위치결정 단계에서, 프로세서(140)는 기판 위치결정 스테이지(106) 및/또는 분배기 위치결정 스테이지 중 하나 또는 양자 모두가 기판(102)의 임프린트 필드(i)(인덱스 i는 초기에 1로 설정될 수도 있음)를 유체 분배기(122) 아래의 유체 분배 위치로 이동하게 할 수 있다. 기판(102)은 N개의 임프린트 필드로 분할될 수 있고, 각각의 임프린트 필드는 인덱스(i)에 의해 식별된다. 여기서, N은 1, 10, 75 등과 같은 실 정수(real integer)이다{N∈
+}. 분배 단계(S302)에서, 프로세서(140)는 유체 분배기(122)가 성형가능 재료를 임프린트 필드(i) 상으로 분배하게 할 수 있다. 일 실시예에서, 유체 분배기(122)는 성형가능 재료(124)를 복수의 액적으로서 분배한다. 유체 분배기(122)는 하나의 노즐 또는 다수의 노즐을 포함할 수 있다. 유체 분배기(122)는 하나 이상의 노즐로부터 동시에 성형가능 재료(124)를 토출할 수 있다. 임프린트 필드(i)는 유체 분배기가 성형가능 재료(124)를 토출하는 동안 유체 분배기(122)에 대해 이동될 수 있다. 따라서, 액적의 일부가 기판 상에 탄착되는 시간은 임프린트 필드(i)에 걸쳐 다를 수 있다. 일 실시예에서, 분배 단계(S302) 동안, 성형가능 재료(124)는 적하물 패턴에 따라 기판 상에 분배될 수 있다. 적하물 패턴은 성형가능 재료의 적하물을 적층하기 위한 위치, 성형가능 재료의 적하물의 체적, 성형가능 재료의 종류, 성형가능 재료의 적하물의 형상 파라미터 등 중 하나 이상과 같은 정보를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 적하물 패턴은 단지 분배될 적하물의 체적 및 액적을 적층할 곳의 위치만을 포함할 수 있다.
액적이 분배된 후에, 접촉 단계(S304)가 개시될 수 있고, 프로세서(140)는 기판 위치결정 스테이지(106) 및 템플릿 위치결정 스테이지 중 하나 또는 양자 모두가 템플릿(108)의 패터닝 표면(112)을 임프린트 필드(i) 내의 성형가능 재료(124)에 접촉하게 할 수 있다.
확산 단계(S306) 동안, 성형가능 재료(124)는 이어서 임프린트 필드(i)의 에지 및 메사 측벽(246)을 향해 확산된다. 임프린트 필드의 에지는 메사 측벽(246)에 의해 형성될 수 있다. 성형가능 재료(124)가 확산되어 메사를 충전하는 방식이 필드 카메라(136)를 통해 관찰될 수 있고 성형가능 재료의 유체 전방의 진행을 추적하는 데 사용될 수 있다.
경화 단계(S308)에서, 프로세서(140)는 명령어를 방사선 소스(126)에 보내어 화학 방사선의 경화 조명 패턴을 템플릿(108), 메사(110) 및 패터닝 표면(112)을 통해 전송할 수 있다. 경화 조명 패턴은 패터닝 표면(112) 아래의 성형가능 재료(124)를 경화(중합)시키기에 충분한 에너지를 제공한다.
분리 단계(S310)에서, 프로세서(140)는 기판 척(104), 기판 위치결정 스테이지(106), 템플릿 척(118) 및 임프린트 헤드(120) 중 하나 이상을 사용하여 템플릿(108)의 패터닝 표면(112)을 기판(102) 상의 경화된 성형가능 재료로부터 분리한다.
임프린트될 추가적인 임프린트 필드가 있으면, 공정은 단계 S302로 되돌아간다. 일 실시예에서, 제조 물품(예를 들어, 반도체 디바이스)을 생성하기 위해 가공 단계(S312)에서 기판(102)에 대해 추가 가공이 수행된다. 일 실시예에서, 각각의 임프린트 필드는 복수의 디바이스를 포함한다.
가공 단계(S312)에서의 추가 가공은 패터닝된 층 내의 패턴 또는 그 패턴의 역에 대응하는 요철 이미지를 기판 내로 전사하기 위한 에칭 공정을 포함할 수 있다. 가공 단계(S312)에서의 추가 가공은 또한 예를 들어, 경화, 산화, 층 형성, 퇴적, 도핑, 평탄화, 에칭, 성형가능 재료 제거, 다이싱, 본딩, 패키징 등을 포함하는 물품 제조를 위한 공지된 단계 및 공정을 포함할 수 있다. 기판(102)은 복수의 물품(디바이스)을 생성하도록 가공될 수 있다.
필드 레이아웃
단일 기판이 10개 내지 10,000개의 동일한 디바이스를 생산하기 위해 사용될 수 있다. 단일 기판을 다수의 디바이스로 전환하는 것은 다단계 제조 공정이다. 이러한 제조 공정은 전체 기판 공정(예를 들어, 스핀 코팅, 평탄화, 전체 웨이퍼 임프린트 리소그래피 등), 주사 공정(예를 들어, 검사, 다이싱 등), 스텝 앤드 리피트 공정(step and repeat process))(예를 들어, 임프린트 리소그래피, 적하물 패턴 분배 등)을 포함할 수 있다. 스텝 앤드 리피트 공정은 기판이 복수의 필드로 분할되는 것을 필요로 한다. 각각의 필드는 하나의 또는 많은 동일한 디바이스를 포함할 수 있다. 기판은 필드와 상이한 형상을 가질 수 있다. 이러한 경우에, 기판은 복수의 전체 필드 및 복수의 부분 필드로 분할될 필요가 있다. 전체 필드의 각각은 서로 동일할 수 있다. 복수의 부분 필드는 복수의 전체 필드를 둘러쌀 수 있고, 각각의 부분 필드는 기판의 에지 또는 경계 영역에 의해 그리고 전체 필드 중 하나 이상에 의해 경계지어질 수 있다. 도 4a는 중심 기준점(448)을 갖는 대표 원형 기판(102)의 예시이다. 원형 기판은 복수의 전체 필드 및 복수의 부분 필드를 포함하는 84개의 대표 직사각형 필드로 분할된다. 대안적인 실시예에서, 하나 이상의 기하학적 형상이 기판을 모자이크화하는데 사용된다.
도 4b는 패턴(402a)과 최상부 막(402b)을 포함하는 예시적인 기판(102)의 예시이다. 이러한 패턴은 디바이스를 형성하거나 형성하기 위해 사용되는 하부 기판에 대한 도핑 영역, 에칭 영역, 및/또는 다른 변형부일 수 있다. 예시적인 기판(102)은 또한 패턴을 포함하거나 포함하지 않을 수 있는 절연 재료, 금속, 평탄화 재료, 레지스트 등의 하나 이상의 막을 포함할 수 있다. 본 출원인은 이러한 패턴 및 막 각각이 도 4b에 도시되는 바와 같이 기판의 중심과 반드시 얼라인먼트될 필요는 없다고 판단하였다. 막 및 패턴과 기판의 중심과의 도 4b에서의 미스얼라인먼트는 설명 목적을 위해 과장되며 0.001 mm 내지 5 mm 정도일 수 있다. 또한, 본 출원인은 막 각각의 반경방향 범위가 기판 또는 하부 패턴의 중심과 반드시 얼라인먼트될 필요는 없다고도 판단하였다.
적하물 패턴 생성
본 출원인은 성형가능 재료(124)의 복수의 적하물을 이후에 임프린트되는 기판(102) 상에 퇴적시키는 것이 유용하다는 것을 발견하였다. 임프린트는 필드 단위로 또는 전체 웨이퍼 단위로 행해질 수 있다. 성형가능 재료(124)의 적하물은 또한 필드 단위로 또는 전체 기판 단위로 퇴적될 수 있다. 본 출원인은 적하물이 전체 기판 단위로 퇴적될 때에도 적하물 패턴을 생성하는 것은 필드 단위로 행하는 것이 바람직하다는 것을 발견하였다.
전체 필드에 대해 적하물 패턴을 생성하는 단계는 프로세서(140)가 대표 기판(102)의 기판 패턴 및 대표 템플릿(102)의 템플릿 패턴을 수신하는 단계를 포함할 수 있다.
기판 패턴은 대표 기판의 기판 토포그래피, 대표 기판의 필드, 및/또는 대표 기판의 전체 필드에 관한 정보를 포함할 수 있다. 기판 토포그래피는 측정되고, 이전 제조 단계에 기초하여 생성되고 그리고/또는 설계 데이터에 기초하여 생성될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 기판 패턴은 이전 제조 단계가 없었거나 기판이 이전에 토포그래피를 감소시키기 위해 평탄화되었기 때문에 피처가 없다. 기판 토포그래피는 대표 기판의 에지의 경사부와 둥근 부분 같은 형상에 대한 정보를 포함할 수 있다. 기판 토포그래피는 기판의 배향을 식별하는 하나 이상의 편탄부 또는 노치의 형상 및 위치에 대한 정보를 포함할 수도 있다. 기판 토포그래피는 패턴이 형성될 기판의 영역을 둘러싸는 기준 에지의 형상 및 위치에 대한 정보를 포함할 수 있다.
템플릿 패턴은 대표 템플릿의 패터닝 표면(112)의 토포그래피에 관한 정보를 포함할 수 있다. 패터닝 표면(112)의 토포그래피는 설계 데이터에 기초하여 측정 및/또는 생성될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 대표적인 실시예의 템플릿 패턴은 피처가 없고 기판(102)을 평탄화하는 데 사용될 수 있다. 패터닝 표면(112)은 개별 전체 필드; 다수의 필드; 전체 기판과 동일한 크기이거나 또는 기판보다 클 수 있다.
일단 기판 패턴 및 템플릿 패턴이 수신되면, 프로세서(140)는 기판과 패터닝 표면이 임프린트 중에 소정 간극으로 분리될 때 기판과 패터닝 표면 사이의 체적을 충전하는 막을 생성하는 성형가능 재료(124)의 분포를 계산할 수 있다. 기판 상의 성형가능 재료의 분포는 성형가능 재료의 면적 밀도; 성형가능 재료의 액적의 위치; 및/또는 성형가능 재료의 액적의 체적의 형태를 취할 수 있다. 성형가능 재료의 분포를 계산하는 단계는, 성형가능 재료의 재료 특성, 패터닝 표면의 재료 특성, 기판 표면의 재료 특성, 패터닝 표면과 기판 표면 사이의 체적의 공간 변화; 유체 유동; 증발 등 중 하나 이상을 고려할 수 있다.
일 실시예에서, 성형가능 재료의 분포의 계산은 계산 시간을 감소시키기 위해 기판 패턴 및 템플릿 패턴 중 하나 또는 양자 모두의 반복 특성의 장점을 이용한다. 예를 들어, 전체 필드 적하물 패턴(550)은 도 5a에 도시되는 바와 같이 전체 필드에 대해 계산될 수 있다. 도 5a에 도시되는 전체 필드 적하물 패턴(550)은 액적의 규칙적인 배열로서 도시되어 있으며, 전체 필드 적하물 패턴(550)은 불규칙할 수 있고, 단지 몇 개의 적하물 또는 수백만 개의 적하물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 전체 필드 적하물 패턴(550)은 대표 기판의 기판 표면(130)의 대표 전체 필드 상에 성형가능 재료의 액적을 배치할 복수의 위치를 나타낸다. 전체 필드 적하물 패턴은 또한 템플릿(108)의 패터닝 표면(112)과 기판 표면(130)의 대표 전체 필드 사이의 체적을 충전한다. 본 상황에서, 임프린트 공정 동안 템플릿(108)의 패터닝 표면(112)과 기판 표면(130)의 대표 전체 필드 사이의 체적을 충전하는 것은 시간의 0.001% 내지 10%에 충족될 수 있는 설계 목표이다. 전체 필드 적하물 패턴은 또한 임프린트 공정 동안 대표 전체 필드를 넘어 확산되지 않는다. 본 상황에서, 임프린트 공정 동안 대표 전체 필드를 초과하여 확산되지 않는 것은 시간의 0.001% 내지 10%에 충족될 수 있는 설계 목표이다. 전체 필드 적하물 패턴은 성형가능 재료(124)가 화학 방사선에 의해 경화되기 전에 메사 측벽(246)을 넘지 않으면서 템플릿(108)의 돌출부(116) 및 오목부(114)를 충전할 수 있도록 생성된다. 일 실시예에서, 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계는 적하물 패턴 정보를 하나 이상의 프로세서에 전송하는 단계를 포함할 수 있고, 프로세서는 이어서 유체 분배기(122) 및 하나 이상의 위치결정 스테이지 중 하나 이상에 명령어를 전송한다. 일 실시예에서, 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계는 적하물 패턴 정보를 비일시적 컴퓨터 판독가능 메모리에 저장하는 단계를 포함할 수 있고, 비일시적 컴퓨터 판독가능 메모리는 이어서 유체 분배기(122) 및 하나 이상의 위치결정 스테이지 중 하나 이상에 명령어를 송신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계는 적하물 패턴 정보를 조작자에게 제시하는 단계를 포함할 수 있고, 조작자는 이어서 유체 분배기(122) 및 하나 이상의 위치결정 스테이지 중 하나 이상에 명령어를 전송할 수 있다.
부분 필드 적하물 패턴 생성
도 5b는 특정 부분 필드 적하물 패턴(552a)을 형성하기 위해 전체 필드 적하물 패턴(550)이 잘리는 방식의 예시이다. 각각의 부분 필드는 하나 이상의 전체 필드에 의해서 경계지어질 수 있다. 부분 필드의 일부는 또한 다른 부분 필드에 의해 경계지어질 수 있다. 각각의 부분 필드는 또한 기판의 에지 또는 기판의 에지에서의 경계 영역(554)에 의해 경계지어진다. 일 실시예에서, 부분 필드 적하물 패턴(552a)은 도 5b에 도시되는 바와 같이 경계 영역(554)에 대해 전체 필드 적하물 패턴(550)의 잘린 형태이다. 경계 영역(554) 또는 기판 외측에 있는 적하물은 전체 필드 적하물 패턴으로부터 제거되어 부분 필드 적하물 패턴(552a)을 형성한다. 일 실시예에서, 각각의 부분 적하물 패턴(552a)을 생성하기 위해 전체 필드 적하물 패턴(550)을 수정하는 단계는, 경계 영역(554)에 인접하는 부분 필드의 영역에서, 액적을 추가하는 단계; 액적을 제거하는 단계; 및 액적을 이동시키는 단계 중 하나 이상을 더 포함한다. 일 실시예에서, 전체 필드 적하물 패턴(550)은 성형가능 재료(124)가 특정 기판의 경계 영역(554) 내로 확산되지 않도록 수정된다. 본 개시내용의 상황에서, 성형가능 재료(124)가 특정 기판의 경계 영역(554)으로 확산되지 않는다는 것은 경계 영역(554)의 어떤 백분율(예를 들어, 90%, 99%, 또는 99.999%)에 걸쳐 설계 목표인 것을 의미한다. 일 실시예에서, 각각의 부분 필드 적하물 패턴(552a)을 생성하는 단계는 특정 기판의 측정 상태를 고려하여 각각의 부분 필드 내의 템플릿 아래의 적하물의 확산을 시뮬레이션하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 기판은 하부 패턴을 포함할 수 있다. 기준 위치에 대해 각각의 특정 기판마다 상대적인 이러한 하부 패턴의 위치는 제1 축을 따른 거리(Δx), 제2 축을 따른 거리(Δy), 및/또는 회전 각도(Δθ)만큼 다를 수 있다. 제2 축은 제1 축에 수직일 수 있다. 도 5c는 기준 위치에 대한 특정 기판의 오프셋(Δx)을 고려하도록 생성된 특정 부분 필드 적하물 패턴(552b)의 예시이다.
일 실시예에서, 각각의 부분 필드 적하물 패턴은 특정 기판의 측정 상태에 기초하여 조정된다. 특정 기판의 고유한 속성은 특정 기판의 측정 상태를 나타내는 오프셋 정보를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 기판의 측정 상태는 특정 기판 상의 L0 패턴의 위치를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, L0 패턴은 모든 후속 패턴이 얼라인먼트되는 기판에 에칭 및/또는 추가되는 제1 패턴이다. 일 실시예에서, 특정 기판의 측정 상태는 임프린트 직전까지 알려지지 않는다. 특정 기판에 대한 부분 필드 적하물 패턴은 특정 기판의 상태가 측정된 후에만 생성될 수 있다. 일 실시예에서, 기판의 측정 상태는 대표 기판의 기준 에지에 대한 특정 기판 상의 막의 최상부 표면의 범위를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판의 측정 상태는 대표 기판의 기준 에지에 대한 특정 기판 상의 하나 이상의 막의 범위 및 대표 기판 상의 기준 위치에 대한 특정 기판 상의 하나 이상의 패턴의 위치를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 특정 기판의 상태의 양태를 나타내는 오프셋 정보는 템플릿 상의 얼라인먼트 마크가 기판 상의 얼라인먼트 마크와 얼라인먼트됨에 따라 전체 필드가 임프린트될 때 측정된다. 하나 이상의 전체 필드 임프린트로부터의 얼라인먼트 데이터가 이 후 특정 부분 필드에 대한 경계 영역(554)의 위치를 결정하는 데 사용될 수 있는 오프셋 정보를 생성하는 데 사용될 수 있다. 따라서, 부분 필드 적하물 패턴(552a)은 하나 이상의 전체 필드가 임프린트된 후에 생성될 수 있다.
일 실시예에서, 기판 토포그래피는 사전에 측정되고, 사전 측정에 의해 특정 기판에 대한 오프셋 정보가 생성되며, 이는 이후 프로세서(140)에 보내지고 이 후 부분 필드 적하물 패턴(552a)을 생성하는 데 사용된다. 일 실시예에서, 사전 측정은 표면 프로파일러(예를 들어, 스타일러스에 기초한 표면 프로파일러 또는 광학에 기초한 표면 프로파일러)에 의해 수행된다.
일 실시예에서, 특정 기판의 측정 상태를 나타내는 오프셋 정보는 특정 기판의 하부 패턴 및/또는 임프린트된 전체 필드에 대한 특정 기판의 경계 영역(554)의 형상 및 위치에 관한 정보를 포함한다. 경계 영역(554)의 형상은, 특정 기판의 제1 축을 따른 오프셋; 특정 기판의 제2 축을 따른 오프셋; 특정 기판의 회전 오프셋; 특정 기판의 반경 및/또는 경계 영역의 내측 에지; 특정 기판의 직경 및/또는 경계 영역의 내측 에지; 특정 기판의 이심률 및/또는 경계 영역의 내측 에지; 특정 기판의 진원도 및/또는 경계 영역의 내측 에지; 경계 영역의 폭; 경계 영역 프로파일의 내측 에지 중 하나 이상을 고려할 수 있다.
경계 영역의 내측 에지의 형상은 기판의 형상, 기판 상의 하나 이상의 패터닝된 층의 에지의 형상, 및/또는 기판 상의 하나 이상의 패터닝되지 않은 층의 에지의 형상에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 특정 기판은 특정 기판에 하나 이상의 층을 부가하는 처리 단계를 거칠 수 있다. 이들 하나 이상의 층의 각각은 기판의 에지 내로부터 삽입되는 외측 에지 프로파일을 가질 수 있다. 경계 영역의 내측 에지는 이들 하부 층의 에지 내에 삽입될 수도 있다. 일 실시예에서, 경계 영역의 내측 에지의 형상은 기판(102) 상의 최상부 막(402b)의 범위에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 경계 영역의 내측 에지의 형상은 기판 상의 최상부 막의 범위 및 기판 상의 패터닝된 층의 범위에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 경계 영역의 내측 에지의 형상은 기판(102) 상의 다수의 막의 범위에 의해 결정될 수 있다.
일 실시예에서, 각각의 부분 적하물 패턴을 생성하도록 전체 필드 적하물 패턴을 수정하는 단계는, 경계 영역에 인접하는 부분 필드의 영역에서, 액적을 추가하는 단계; 액적을 제거하는 단계; 및 액적을 이동시키는 단계 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 부분 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계는 경계 영역의 내측 에지 외부에 있는 전체 필드 적하물 패턴으로부터 액적을 제거하는 단계 및 경계 부근에서 임프린트된 패턴의 두께를 증가시키도록 경계 영역 부근에 추가적인 액적을 추가하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 부분 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계는 경계 영역의 내측 에지 외측에 있는 전체 필드 적하물 패턴으로부터 액적을 제거하는 단계 및 경계 부근에서 임프린트된 패턴의 두께를 변화시키기 위해 경계 영역 부근에서 액적을 이동시키는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 부분 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계는 경계 영역의 내측 에지 외측에 있는 전체 필드 적하물 패턴으로부터 액적을 제거하는 단계 및 경계 영역 부근의 임프린트된 패턴의 두께를 변경하도록 경계 영역 부근에 있는 추가적인 액적을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
얼라인먼트
임프린트 공정(300)은 단계 S302, S304, S306 중 하나 이상 동안 수행되는 얼라인먼트 공정을 포함할 수 있다. 얼라인먼트 공정은 특정 기판, 템플릿, 및 기판 척 중 하나 이상의 얼라인먼트 마크를 측정하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 특정 기판 상의 얼라인먼트 마크는 임의의 하부 층의 위치를 규정한다. 각각의 전체 필드는 다수의 얼라인먼트 마크를 포함할 수 있다. 얼라인먼트 공정은, 전체 필드를 임프린트하기 위해서 이용될 때, 오프셋 정보를 생성하기 위해 사용될 수 있고, 오프셋 정보는 이후 부분 필드 액적 패턴을 맞춤화하기 위해 사용될 수 있다. 평균 및/또는 고차원 통계와 같은 통계 기술이 오프셋 정보를 결정하기 위해 다수의 전체 필드에 걸쳐 다수의 얼라인먼트 마크로부터의 정보를 조합하는 데 사용될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 각각의 부분 필드에 근접한 하나 이상의 필드로부터의 하나 이상의 얼라인먼트 마크가 오프셋 정보를 결정하기 위해 사용된다. 대안적인 실시예에서, 하나 이상의 필드로부터의 하나 이상의 얼라인먼트 마크의 가중 평균이 오프셋 정보를 결정하는 데 사용된다. 가중은 특정 부분 필드로부터의 얼라인먼트 마크 및/또는 필드의 거리에 기초하여 결정된다. 대안적인 실시예에서, 얼라인먼트 데이터 내의 특이값은 오프셋 정보를 결정하는 데 사용되지 않는다.
다양한 양태의 추가의 변형예 및 대안적인 실시예가 본 설명의 견지에서 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 따라서, 이 설명은 단지 예시로서 해석되어야 한다. 본 명세서에 도시되고 설명된 형태는 실시예의 예로서 간주되어야 한다는 이해해야 한다. 본원에 도시되고 설명된 것에 대해 요소 및 재료가 대체될 수 있고, 부품 및 공정은 역전될 수 있으며, 소정 특징은 독립적으로 이용될 수 있으며, 이들 모두는 본 설명의 도움을 받은 후에 통상의 기술자에게 명확해질 것이다.
Claims (19)
- 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법이며,
대표 기판의 기판 패턴 및 대표 템플릿의 템플릿 패턴 중 하나 또는 양자 모두를 포함하는 패턴 정보를 수신하는 단계와;
기준 상태에 대한 특정 기판의 측정 상태를 나타내는 상기 특정 기판에 대한 오프셋 정보를 수신하는 단계와;
- 상기 적하물 패턴 정보는 상기 특정 기판 상에 성형가능 재료의 액적을 배치할 복수의 위치를 나타냄 - ;
상기 템플릿과 상기 측정 상태에 있는 상기 특정 기판 사이의 체적을 충전하는 상기 성형가능 재료를 나타내는 상기 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계로서, 상기 성형가능 재료는 상기 특정 기판의 에지에서 경계 영역 내로 확산되지 않는, 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계
를 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법. - 제1항에 있어서, 상기 측정 상태는 상기 대표 기판 상의 상기 기판 패턴의 기준 위치에 대한 상기 특정 기판 상의 상기 기판 패턴의 측정된 오프셋을 나타내는 정보를 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 측정된 오프셋은 상기 기준 위치에 대한 상기 기판 패턴의 상기 측정된 오프셋을 나타내는 제1 축을 따른 거리, 제2 축을 따른 거리, 및 회전 각도 중 하나 이상을 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측정 상태는 상기 특정 기판의 비산출 주연 부분의 치수를 나타내는 정보를 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 측정 상태는 제1 축을 따른 거리, 제2 축을 따른 거리, 반경, 이심률, 진원도, 상기 경계 영역의 폭, 및 내측 경계 영역 프로파일 중 하나 이상을 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 정보는 패턴 레이아웃 정보를 포함하고, 상기 패턴 레이아웃 정보는
상기 대표 기판이 복수의 전체 필드 및 상기 복수의 전체 필드를 둘러싸는 복수의 부분 필드로 분할된 것을 나타내고, 각각의 부분 필드는 상기 경계 영역에 의해 그리고 상기 전체 필드 중 하나 이상에 의해 경계지어지고;
상기 복수의 전체 필드 중의 각각의 전체 필드는 상기 템플릿에 의해 임프린트되는 상기 특정 기판의 특정 부분을 나타내며;
상기 복수의 부분 필드 중의 각각의 부분 필드는 상기 경계 영역과 교차하는 상기 템플릿의 부분에 의해 임프린트되는 상기 특정 기판의 특정 부분을 나타내는
적하물 패턴 정보를 생성하는 방법. - 제6항에 있어서, 상기 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법은
상기 템플릿과 대표 전체 필드 사이의 체적을 충전하는 상기 성형가능 재료의 액적을 상기 대표 전체 필드 상에 배치할 복수의 위치를 나타내는 전체 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계로서, 상기 성형가능 재료는 임프린트 동안 상기 대표 전체 필드를 넘어 확산되지 않는, 전체 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계; 및
복수의 부분 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계로서, 각각의 부분 필드 적하물 패턴은 상기 특정 기판의 상기 경계 영역과 각각의 부분 필드 적하물 패턴과의 교차부를 결정하기 위해 상기 오프셋 정보에 기초하여 상기 전체 필드 적하물 패턴을 수정함으로써 생성되는, 복수의 부분 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계
를 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법. - 제7항에 있어서, 각각의 부분 적하물 패턴을 생성하도록 상기 전체 필드 적하물 패턴을 수정하는 것은, 상기 경계 영역과 상기 특정 기판 상의 각각의 부분 필드와의 상기 교차부에서 상기 전체 필드 적하물 패턴을 자르는 단계를 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제8항에 있어서, 각각의 부분 적하물 패턴을 생성하도록 상기 전체 필드 적하물 패턴을 수정하는 것은, 상기 경계 영역에 인접하는 상기 부분 필드의 영역에서, 액적을 추가하는 단계; 액적을 제거하는 단계; 및 액적을 이동시키는 단계 중 하나 이상을 더 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 정보는 패턴 레이아웃 정보를 포함하고, 상기 패턴 레이아웃 정보는
상기 대표 기판이 복수의 전체 필드 및 상기 복수의 전체 필드를 둘러싸고 한 쪽에서 상기 경계 영역의 교차부에 의해 그리고 상기 전체 필드 중 하나 이상에 의해 경계지어지는 복수의 부분 필드로 분할된 것을 나타내고;
상기 복수의 전체 필드 중 각각의 전체 필드는 유사한 전체 패턴을 가지며;
상기 복수의 부분 필드 중 각각의 부분 필드는 상기 경계 영역과 교차하는 상기 전체 패턴의 부분을 갖는 상기 특정 기판의 특정 부분을 나타내는
적하물 패턴 정보를 생성하는 방법. - 제10항에 있어서, 상기 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법은
상기 템플릿과 대표 전체 필드 사이의 체적을 충전하는 상기 성형가능 재료의 액적을 상기 대표 전체 필드 상에 배치할 복수의 위치를 나타내는 전체 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계; 및
복수의 부분 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계로서, 각각의 부분 필드 적하물 패턴은 상기 특정 기판의 상기 경계 영역과 각각의 부분 필드 적하물 패턴과의 상기 교차부를 결정하기 위해 상기 오프셋 정보에 기초하여 상기 전체 필드 적하물 패턴을 수정함으로써 생성되는, 복수의 부분 필드 적하물 패턴을 생성하는 단계를 포함하며;
상기 성형가능 재료는 임프린트 동안 상기 경계 영역 내로 확산되지 않는
적하물 패턴 정보를 생성하는 방법. - 제11항에 있어서, 각각의 부분 적하물 패턴을 생성하도록 상기 전체 필드 적하물 패턴을 수정하는 것은, 상기 경계 영역과 상기 특정 기판 상의 각각의 부분 필드와의 상기 교차부에서 상기 전체 필드 적하물 패턴을 자르는 단계를 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제12항에 있어서, 각각의 부분 적하물 패턴을 생성하도록 상기 전체 필드 적하물 패턴을 수정하는 것은, 상기 경계 영역에 인접하는 상기 부분 필드의 영역에서, 액적을 추가하는 단계; 액적을 제거하는 단계; 및 액적을 이동시키는 단계 중 하나 이상을 더 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판 패턴은 임프린트 공정 동안 상기 템플릿이 얼라인먼트되는 상기 기판의 토포그래피이며, 상기 오프셋 정보는 상기 특정 기판의 중심과 상기 기판 상의 층의 중심 중 하나에 대한 상기 기판 토포그래피의 위치를 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 오프셋 정보는 하나 이상의 전체 필드에서의 상기 특정 기판의 상기 기판 패턴과 상기 템플릿과의 하나 이상의 얼라인먼트에 기초하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판 패턴 및 상기 템플릿 패턴 중 하나 또는 양자 모두는 피처가 없는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 측정 상태는 상기 대표 기판의 기준 에지에 대한 상기 특정 기판 상의 최상부 막의 측정된 범위를 나타내는 정보를 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 방법.
- 물품 제조 방법이며,
적하물 패턴 정보를 생성하는 단계로서,
대표 기판의 기판 패턴 및 대표 템플릿의 템플릿 패턴 중 하나 또는 양자 모두를 포함하는 패턴 정보를 수신하는 단계와:
기준 상태에 대한 특정 기판의 측정 상태를 나타내는 상기 특정 기판에 대한 오프셋 정보를 수신하는 단계와;
- 상기 적하물 패턴 정보는 상기 특정 기판 상에 성형가능 재료의 액적을 배치할 복수의 위치를 나타냄 - ;
상기 템플릿과 상기 측정 상태에 있는 상기 특정 기판 사이의 체적을 충전하는 상기 성형가능 재료를 나타내는 상기 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계로서, 상기 성형가능 재료는 상기 특정 기판의 에지에서 경계 영역 내로 확산되지 않는, 적하물 패턴 정보를 출력하는 단계
를 포함하는 적하물 패턴 정보를 생성하는 단계;
상기 적하물 패턴 정보에 따라 상기 특정 기판 상에 성형가능 재료를 분배하는 단계;
상기 성형가능 재료를 상기 템플릿에 접촉시키는 단계;
상기 기판 상에 경화된 성형가능 재료를 형성하기 위해 상기 템플릿 아래의 상기 성형가능 재료를 경화시키는 단계; 및
상기 물품을 제조하기 위해 상기 경화된 성형가능 재료를 갖는 기판을 가공하는 단계
를 포함하는 물품 제조 방법. - 기판 상에 막을 형성하는 시스템이며,
템플릿을 보유지지하도록 구성되는 템플릿 척;
특정 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 척;
적하물 패턴 정보를 생성하도록 구성된 프로세서로서,
대표 기판의 기판 패턴 및 대표 템플릿의 템플릿 패턴 중 하나 또는 양자 모두를 포함하는 패턴 정보를 수신하는 것:
기준 상태에 대한 상기 특정 기판의 측정 상태를 나타내는 상기 특정 기판에 대한 오프셋 정보를 수신하는 것;
- 상기 적하물 패턴 정보는 상기 특정 기판 상에 성형가능 재료의 액적을 배치할 복수의 위치를 나타냄 - ;
상기 템플릿과 상기 측정 상태에 있는 상기 특정 기판 사이의 체적을 충전하는 상기 성형가능 재료를 나타내는 상기 적하물 패턴 정보를 출력하는 것으로서, 상기 성형가능 재료는 상기 특정 기판의 에지에서 경계 영역 내로 확산되지 않는, 적하물 패턴 정보를 출력하는 것
을 포함하는 프로세서;
상기 적하물 패턴 정보에 따라 상기 특정 기판 상에 성형가능 재료를 분배하도록 구성되는 유체 분배기;
상기 성형가능 재료를 상기 템플릿 척 내의 상기 템플릿에 접촉시키도록 구성되는 위치결정 시스템; 및
상기 기판 상에 경화된 성형가능 재료를 형성하기 위해서 상기 템플릿 아래의 상기 성형가능 재료를 경화시키도록 구성되는 경화 시스템
을 포함하는 기판 상에 막을 형성하는 시스템.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/353,433 US11209730B2 (en) | 2019-03-14 | 2019-03-14 | Methods of generating drop patterns, systems for shaping films with the drop pattern, and methods of manufacturing an article with the drop pattern |
| US16/353,433 | 2019-03-14 | ||
| PCT/US2020/015549 WO2020185317A1 (en) | 2019-03-14 | 2020-01-29 | Methods of generating drop patterns, systems for shaping films with the drop pattern, and methods of manufacturing an article with the drop pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210123362A true KR20210123362A (ko) | 2021-10-13 |
Family
ID=72424619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217028129A KR20210123362A (ko) | 2019-03-14 | 2020-01-29 | 적하물 패턴을 생성하는 방법, 적하물 패턴에 의해 막을 형성하는 시스템, 및 적하물 패턴에 의해 물품을 제조하는 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11209730B2 (ko) |
| JP (1) | JP7278381B2 (ko) |
| KR (1) | KR20210123362A (ko) |
| CN (1) | CN113412185B (ko) |
| TW (1) | TWI794584B (ko) |
| WO (1) | WO2020185317A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11215921B2 (en) * | 2019-10-31 | 2022-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Residual layer thickness compensation in nano-fabrication by modified drop pattern |
| US11474441B2 (en) * | 2020-06-25 | 2022-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Systems and methods for generating drop patterns |
| US11774849B2 (en) * | 2020-09-22 | 2023-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and system for adjusting edge positions of a drop pattern |
| US11567414B2 (en) * | 2021-05-26 | 2023-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Devices, systems, and methods for the hybrid generation of drop patterns |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1352295B1 (en) | 2000-10-12 | 2015-12-23 | Board of Regents, The University of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
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| US20040065252A1 (en) | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Sreenivasan Sidlgata V. | Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards |
| US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
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| US8119052B2 (en) | 2007-11-02 | 2012-02-21 | Molecular Imprints, Inc. | Drop pattern generation for imprint lithography |
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| JP5836652B2 (ja) | 2011-06-10 | 2015-12-24 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
| JP5535164B2 (ja) | 2011-09-22 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | インプリント方法およびインプリント装置 |
| JP5960198B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2016-08-02 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法 |
| US9651862B2 (en) | 2013-07-12 | 2017-05-16 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Drop pattern generation for imprint lithography with directionally-patterned templates |
| JP6537277B2 (ja) | 2015-01-23 | 2019-07-03 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、物品製造方法 |
| US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
| US10620539B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
| US10095106B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
| US10134588B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| US10509313B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| JP2018073989A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法 |
| SG10201709153VA (en) * | 2016-12-12 | 2018-07-30 | Canon Kk | Fluid droplet methodology and apparatus for imprint lithography |
| US10481491B2 (en) | 2016-12-12 | 2019-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluid droplet methodology and apparatus for imprint lithography |
| JP7158173B2 (ja) * | 2017-05-15 | 2022-10-21 | キヤノン株式会社 | ドロップレシピの決定方法、インプリント装置および物品製造方法 |
| JP6938313B2 (ja) | 2017-09-28 | 2021-09-22 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、インプリント材の配置パターンの決定方法、および物品の製造方法 |
| JP7027099B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-03-01 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
| WO2019078060A1 (ja) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、及び、物品の製造方法 |
| US10788749B2 (en) | 2017-11-30 | 2020-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for improving the throughput of a nanoimprint system |
| US20200096863A1 (en) | 2018-09-25 | 2020-03-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of fluid droplet offset and apparatus for imprint lithography |
-
2019
- 2019-03-14 US US16/353,433 patent/US11209730B2/en active Active
-
2020
- 2020-01-29 JP JP2021532146A patent/JP7278381B2/ja active Active
- 2020-01-29 CN CN202080013531.8A patent/CN113412185B/zh active Active
- 2020-01-29 WO PCT/US2020/015549 patent/WO2020185317A1/en active Application Filing
- 2020-01-29 KR KR1020217028129A patent/KR20210123362A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-02-12 TW TW109104357A patent/TWI794584B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11209730B2 (en) | 2021-12-28 |
| JP7278381B2 (ja) | 2023-05-19 |
| JP2022523615A (ja) | 2022-04-26 |
| US20200292934A1 (en) | 2020-09-17 |
| CN113412185B (zh) | 2024-03-01 |
| CN113412185A (zh) | 2021-09-17 |
| TWI794584B (zh) | 2023-03-01 |
| WO2020185317A1 (en) | 2020-09-17 |
| TW202100451A (zh) | 2021-01-01 |
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