CN102089708A - 适应性纳米形貌雕刻 - Google Patents

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Abstract

可以采用适应性纳米形貌雕刻来改变纳米形貌和粗糙度，同时不改变表面的标称形状。一般来说，适应性纳米形貌雕刻提供具有所需形状特征的表面。绘制第一表面的形貌，以提供密度图。对该密度图进行评价，以提供用于在该第一表面上分配可聚合材料的滴落图案。对可聚合材料进行固结和蚀刻，以提供具有所需形状特征的第二表面。

Description

适应性纳米形貌雕刻
相关申请交叉参考
本申请根据35 U.S.C.§119(e)(1)要求2008年6月9日提交的美国专利临时申请第61/060007号的权益，该临时申请通过参考结合于此。本申请要求2009年6月6日提交的美国专利申请第12/479200号的优先权，该专利申请通过参考结合于此。
技术背景
纳米制造包括制造具有100纳米或更小量级的特征的非常小的结构。一种其中纳米制造具有相当大影响的应用是在集成电路的加工之中。半导体加工工业不断努力以获得更大的生产率，同时增加基材上形成的单位面积电路数量，因此纳米制造变得越来越重要。纳米制造提供更大的工艺控制，同时使得所形成结构的最小特征尺寸持续降低。其中采用纳米制造的其他开发领域包括生物技术，光学技术，机械系统等。
目前使用的一种示例性纳米制造技术通常称为压印光刻。示例性的压印光刻法在许多例如以下的出版物中进行了详细描述：美国专利公开第2004/0065976号，美国专利公开第2004/0065252号，和美国专利第6936194号，这些文献都通过参考结合于此。
在各种上述美国专利公开和专利中揭示的压印光刻技术包括在可成形层(可聚合的)中形成浮雕图案，以及将与该浮雕图案对应的图案转移到下方基材中。所述基材可以与运动平台相连，以获得所需的定位，以便促进图案化过程。该图案化过程使用与该基材相间隔的模板，并且在该模板和该基材之间施加可成形液体。使该可成形液体固结，以形成刚性层，该刚性层具有的图案与该可成形液体接触的模板表面的形状相符。固结之后，从该刚性层上分离该模板，使得该模板和该基材分开。然后对该基材和该固结的层进行另外的处理，从而将浮雕图象转移到该基材中，该图象与该固结的层中的图案相对应。
采用压印光刻的加工技术可以以存在基本平坦的下方基材或基本平坦的下方层为基础。例如，逐层制造半导体装置过程中的可靠性和制造简易性可能依赖于基本平坦的基材形貌。
在半导体制造领域中，可以采用术语“平面化”来广义描述两种过程：材料沉积过程之后晶片表面的形貌改进(例如，层间电介质(ILD)的平面化)；或除去沉积的膜从而在凹陷区域中提供材料(例如，浅槽隔离(STI)，镶嵌过程等)。
已经开发了各种平面化方案，包括加热和再流动技术、旋涂玻璃(SOG)法等。但是通过目前方案获得的平坦度是有限的。例如，一种常用的平面化技术即化学机械抛光(CMP)一般对基于材料图案密度的材料除去速率有依赖性。具有高的图案密度的区域的接触面积可能大于具有较低图案密度的区域的接触面积。这会导致在低图案密度区域施加较大的压力，导致在低密度区域内产生较高的材料除去速率。首先对低密度区域进行平面化，然后随着材料以恒定速率被除去，高密度区域获得局部平面化。这会导致在高密度和低密度区域之间形成阶梯状现象，在平面化的膜内产生大范围的厚度差异。可以采用防范技术，例如模拟填充和图案化的光刻胶，来减小图案密度方面的差异，但是这些技术增加了平面化过程的复杂性。
作为CMP的代替的接触平面化提供了用可光固化的材料旋涂并且经过预烘焙以除去残余溶剂的基材。可以在旋涂的晶片上压制超平表面，迫使材料再流动，通过压力来平均铺展材料用于平面化。但是平面化的品质会受到图案密度差异的影响。一般预计用于流体分布的旋涂在基材上是均匀的。因此，具有变化的密度的区域一般将具有相同的流体分布。用超平表面压制材料时，该材料倾向于从高特征密度区域流动到低特征密度区域。由于该材料具有高粘度，这种再流动会受到限制，以及/或者由于在超平表面和基材之间形成狭窄通道，该材料的移动性会受到限制。另外，超平表面和基材之间的流体作用力会在流体膜中产生拉伸应力。当除去超平表面时，这种应力得以撤除，导致表面平坦性变差。
而且，CP一般不适合特征密度相差很大的情况。例如，如果模头中有比较大的面积具有低的图案密度，则材料可能无法再流动从而填充空隙，因此会影响整体平坦性。另外，CP一般不考虑基材和/或超平表面的表面形貌的差异。例如，将超平表面抵靠基材进行压制时，这两者之间在材料厚度方面可能存在差异。使用非常厚的材料膜会改善流体的移动性，但是可能难以向基材转移相同的平坦性，因为对于较厚的膜而言，后续的材料除去过程(如蚀刻、抛光等)的非均匀性可能占主导。
附图简要描述
因此通过参考附图中所示的实施方式，提供对本发明实施方式的说明，能更详细地理解本发明。但是应该注意，附图只说明了本发明的典型实施方式，因此不能认为限制了范围。
图1显示根据本发明一种实施方式的光刻系统的简化侧视图。
图2显示其上设置有图案化的层的图1中所示基材的简化侧视图。
图3显示多个膜层因为下方基材造成形貌差异的简化侧视图。
图4A和图4B分别显示局部形貌平面性差异和整体形貌平面性差异的简化侧视图。
图5A-5D显示采用适应性纳米形貌雕刻形成的具有所需形状特征的表面的简化侧视图。
图6显示采用适应性纳米形貌雕刻形成具有所需形状特征的表面的方法的一种实施方式的流程图。
图7显示提供滴落图案用于适应性纳米形貌雕刻的绘制过程的一种实施方式的流程图。
图8显示用于预抛光基材表面的方法的一种实施方式的流程图。
图9显示具有所需不平坦形状特征的表面的简化侧视图。
图10A-10C显示形成具有所需不平坦形状特征的表面的简化侧视图。
发明详述
参见附图，具体参见图1，图中显示用于在基材12上形成浮雕图案的光刻系统10。基材12可以与基材卡盘14相连。如图所示，基材卡盘14是一种真空卡盘。但是基材卡盘14可以是任何卡盘，包括但并不限于真空卡盘、针型卡盘、槽型卡盘、电磁卡盘等。美国专利第6873087号中描述了示例性卡盘，该文献通过参考结合于此。
基材12和基材卡盘14可以进一步由平台16支承。平台16可以提供沿x轴、y轴和z轴的移动。还可以将平台16、基材12和基材卡盘14设置在基座(未显示)上。
模板18与基材12相分隔。模板18可包括由其向基材12延伸的台块20，台块20上具有图案化表面22。而且，台块20可以称为模具20。或者，所形成的模板18可以不包括台块20。
模板18和/或模具20可以由某些材料形成，这些材料包括但并不限于：熔凝氧化硅、石英、硅、有机聚合物、硅氧烷聚合物、硼硅酸盐玻璃、氟碳聚合物、金属、硬化的蓝宝石等。如本文所述，图案化表面22包括由多个相分隔的凹陷24和/或凸起26限定的特征，但是本发明的实施方式并不限于这些结构。图案化表面22可以限定任何原始图案，这些原始图案形成将要在基材12上形成的图案的基础。
模板18可以与卡盘28相连。卡盘28可以设置成但并不限于真空卡盘、针型卡盘、槽型卡盘、电磁卡盘和/或其他类似的卡盘类型。美国专利第6873087号中进一步描述了示例性卡盘，该文献通过参考结合于此。而且，卡盘28可以与压印头30相连，使得卡盘28和/或压印头30可以进行设置以便于模板18的移动。
系统10还可包括流体分配系统32。可使用流体分配系统32在基材12上沉积可聚合材料34。可以采用例如滴落分配、旋涂、浸涂、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、薄膜沉积、厚膜沉积等技术在基材12上设置可聚合材料34。可以在根据设计考虑因素在膜具20和基材12之间限定所需体积之前和/或之后，在基材12上设置可聚合材料34。可聚合材料34可包含如美国专利第7157036号和美国专利公开第2005/0187339号中所述的单体混合物，这些文献都通过参考结合于此。
参见图1和图2，系统10还可包括相连的能量源38，从而沿路径42引导能量40。压印头30和平台16可以设置成将模板18和基材12与路径42重叠定位。可以通过与平台16、压印头30、流体分配系统32和/或源38通信的处理器54调节系统10，系统10可以经由储存在存储器56中的计算机可读程序运行。
压印头30和/或平台16改变模具20和基材12之间的距离，从而在其间限定所需体积，该体积中填充有可聚合材料34。例如，压印头30可以向模板18施加作用力，使得模具20接触可聚合材料34。用可聚合材料34填充该所需体积之后，源38产生能量40，例如宽带紫外辐射，导致可聚合材料34依照基材12的表面44和图案化表面22的形状固结和/或交联，在基材12上限定图案化的层46。图案化的层46可包括残余层48以及多个显示为凸起50和凹陷52的特征，凸起50厚度为t1，残余层厚度为t2。
上述系统和方法还可用于以下文献中所述的压印光刻法和系统中：美国专利第6932934号、美国专利公开第2004/0124566号，美国专利公开第2004/0188381号和美国专利公开第2004/0211754号，这些文献都通过参考结合于此。
参见图3，材料沉积过程一般提供材料的膜层60，该膜层保持与下方的基材62相同的形貌。随着膜层60的数量增加，特征64的台阶高度hF会增大所得的台阶高度hR1，然后甚至进一步增大所得的台阶高度hR2，如图3中所示。这种增加会导致形貌差异。
大的形貌差异会阻碍制造过程和/或导致可靠性问题。在半导体加工中，例如要尽可能减小大的形貌差异，对晶片进行抛光，以改善表面平坦性。粗糙度、位置前方二次曲面形貌(site front quadratic surface topography)和全局背面指示范围(global backplane indicated range)(GBIR)是用于在低、中和大空间波长中对表面形貌进行定量的度量标准。用于在90纳米结制造的典型300毫米特级(prime grade)晶片的粗糙度小于1纳米，SFQR约为90纳米，GBIR为2微米。相比之下，75毫米特级晶片的粗糙度小于5纳米，SFQR为1000纳米，GBIR为10微米。但是，对于严格的平坦性要求，可以对晶片进行若干抛光步骤，这些步骤通常会增加成本。另外，较小尺寸的晶片以及其他材料的晶片一般不能符合严格的平坦性要求，因此一般不能用于制造具有亚微米特征的器件。
图4A和图4B显示局部形貌平坦性偏差66和全局形貌平坦性偏差68，例如在半导体制造过程中看到的情况。当沉积的材料与下方特征的形状相符时，会导致局部形貌平坦性偏差66，反映下方表面变化。这些偏差66可以具有相同的量级(例如特征高度)和/或具有低的空间波长。
如图4B中所示，全局形貌平坦性偏差68可以具有较大的量级，具有量级为模头尺寸的空间波长。在下方图案密度方面具有明显改变的区域上方可观察到全局形貌平坦性偏差68。虽然尺寸为26×33毫米的图案化区域会整体地同时进行图案化，但是，可能因为整个晶片(而不是经过图案化的目标区域)的表面形貌(如厚度变化)而存在大的形貌变化。这种大的形貌变化的量级可能近似为晶片直径。
在空间波长范围进行分析时，表面的高度变化可以分为三个分量：标称形状(在空间波长大于20毫米范围中的高度变化)，纳米形貌(在空间波长为0.2-20毫米范围中的高度变化)，以及表面粗糙度(在空间波长小于0.2毫米范围中的高度变化)。可以采用如本文所述的适应性纳米形貌雕刻来改变纳米形貌。另外，可以采用如本文所述的适应性纳米形貌雕刻来改变粗糙度。例如，适应性纳米形貌雕刻可以改变基材(如裸露的硅晶片)、具有亚微米特征的基材等的表面粗糙度。应该注意，可以采用适应性纳米形貌雕刻来改变纳米形貌和/或粗糙度，同时不改变该表面的标称形状。
参见图5A-5D，可以采用适应性纳米形貌雕刻来对纳米形貌偏差(如局部和/或全局形貌平坦性偏差)进行纳米雕刻和适应性最小化。纳米雕刻可以从第一表面74开始，通过使用沉积和蚀刻回到合适深度，提供具有所需表面形貌的(如平坦的)第二表面76。
可以对适应性纳米形貌雕刻工艺进行调适，从而利用图1中所示的光刻系统10并如本文所述改变表面74上的图案密度。参见图5B，可以将可聚合材料34沉积在膜层60a(如SiO2)的第一表面74上。可以利用如本文所述的滴落分配在第一表面74上设置可聚合材料34，从而在第一表面74的特定位置设置可变量的可聚合材料34。
一般来说，模板18和第一表面74之间的距离是变化的，从而在其间限定出所需体积，可以用可聚合材料34来填充该体积。模板18可包括具有基本平坦的图案化表面22的模具20。可以向模板18施加作用力，使得模板18与可聚合材料34接触，引导可聚合材料34形成基本邻接的膜并基本填充该所需体积。而且，可以通过毛细管作用力控制可聚合材料34的铺展，形成薄膜。用可聚合材料34填充该所需体积之后，可聚合材料34可以固结，限定出图案化的层46a，该层具有表面78，由厚度t3限定。然后可以采用除去过程(例如蚀刻、抛光、CMP等)来转移图案化的层46a的表面，从而为第二表面76提供所需的表面形貌。
在第一表面74上沉积材料(如可聚合材料34)能为第二表面76实现所需的表面形貌。另外，材料的沉积能补偿过程中的各种寄生效应(例如降低所需表面形貌程度的效应，包括但并不限于图案密度变化、长程晶片形貌、蚀刻不均匀性、抛光不均匀性、CMP不均匀性、不均匀的材料除去速率、体积收缩、蒸发等)。
一般来说，对可聚合材料34进行沉积分配，从而在第一表面74上的选定区域提供充足体积的可聚合材料，使得在除去(如蚀刻)过程中，能够为第二表面76提供所需的表面形貌。因此，可以针对第一表面74、下方的层等之上变化的图案密度来调适沉积操作，从而为第二表面76提供所需的形状特征(例如基本类似的基材62a的表面72的形貌、平坦性、奇特的形状和/或其他所需的形状特征)。沉积操作一般根据第一表面74的形貌分配可聚合材料34，如本文进一步详细描述的。例如，可以在第一表面74的低密度区域中分配滴落体积增大或液滴数量增多的可聚合材料34，以补偿图案密度变化。这种图案密度变化可能由下方的层62a和/或特征64a的变化的图案密度造成。
参见图6，适应性纳米形貌雕刻可采用(a)第一表面74的形貌，(b)提供第二表面76所需的参数，和(c)空间分布参数来为在第一表面74上沉积可聚合材料34来提供分布图案。在步骤100中，为第一表面74提供初始形貌图80。在步骤102中，确定提供具有所需表面形貌的第二表面76的参数(例如平面化长度、厚度、所需的最终形貌)。在步骤104中，根据初始形貌图80和第二表面76的参数提供用于可聚合材料34的滴落图案86。在步骤106中，根据滴落图案86分配可聚合材料34的液滴。在步骤108中，使模板18与可聚合材料34接触。在步骤110中，使得可聚合材料34固结，形成图案化的层46a。在步骤112中，除去部分的图案化的层46a，提供具有所需的表面形貌的第二表面76。
参见图7，可以采用表面扫描系统提供形貌图80。例如，使用Zygoviii表面扫描系统，采样网格为250×250微米。为第一表面74提供的形貌图80与第二表面76所需的形貌之间的差别可以作为校正图82提供，为各位置提供高度校正。这种信息可以进一步转化以提供特征密度图84。特征密度图84可以为各位置提供所需的可聚合材料34的密度从而得到滴落图案86。
参见图5A-5D，可以对一些参数进行确定和/或平衡，为可聚合材料34的空间分布提供控制，这些参数包括但并不限于图案化的层46a的厚度t3，可聚合材料34的粘度，分配可聚合材料34与使可聚合材料34接触能量之间的时间跨度，模板18的硬度等。
可以将可聚合材料34的空间分布与分配的可聚合材料34的体积的空间分布相关联。例如，可以按液滴形式分配可聚合材料34，以提供邻接的膜，但是该膜基本保持在可聚合材料34的液滴所分配的位置(例如，尽可能减小在表面74上的横向移动)。可以实现这种关联以提供约为20-250纳米的厚度t3。另外，可聚合材料34的粘度(例如3-100厘泊)可以为可聚合材料34的横向自由流动提供阻力。
还可将空间分布与分配可聚合材料34和使可聚合材料34接触能量(如UV曝射)之间的时间跨度相关联。例如，分配可聚合材料34和使可聚合材料34接触能量之间的时间足够长，从而使得可聚合材料34的液滴能够形成邻接的膜，但是这段时间又足够短，能够减少明显的横向流体流动。充分的时间跨度可以为几秒至几分钟。
还可将模板18的硬度(例如厚度和/或材料性质)和可聚合材料34的空间分布相关联。例如，硬度应当足够高，以尽可能减小可聚合材料34的单独液滴的变形，从而形成邻接的膜，同时该硬度应当足够低，从而容易适应可聚合材料34的分布，并且与膜层60a的表面74的低空间频率形状相符。足够的硬度可以为0.25-2毫米。
适应性纳米形貌雕刻还可补偿各种寄生效应112。寄生效应会影响得到的第二表面76的形状，可包括但并不限于：图案密度变化、长程晶片形貌、蚀刻不均匀性、抛光不均匀性、材料的除去速率、体积收缩、蒸发等。例如，可以确定滴落图案86(图7中所示)以补偿因为第一表面74上的可聚合材料34的体积发生变化而造成的图案密度变化。这种在可聚合材料34的体积方面的变化可以基于预先存在的图案密度变化和/或估计的图案密度变化。
另外，可以确定在第一表面74上分配的可聚合材料34的体积，以提供图案化的层46a的所需形状。调节该体积从而为图案化的层46a提供所需形状可以进一步为第二表面76提供表面形貌的纳米雕刻。
适应性纳米形貌雕刻还可补偿蚀刻不均匀性的寄生效应。一般来说，可以按照与形成第二表面73的所需形状的材料的速率相同的速率除去可聚合材料34。但是，这些过程可能具有基于特定除去过程的特征和/或设备(如蚀刻特征图形)的不均匀的除去速率。不均匀的除去速率可能造成第二表面76的所需形状特征(如表面平坦性)的劣化。可以通过多次试验确定用于具体过程和/或设备的蚀刻特征图形。一旦决定了蚀刻特征图形，就可以根据该蚀刻特征图形调节可聚合材料34的体积。例如，可以根据蚀刻特征图形调节滴落图案86(如图7中所示)，对具有较高蚀刻速率的区域进行补偿。
还可以通过采用适应性纳米形貌雕刻来补偿可聚合材料34的体积收缩，以提供具有所需特征(如平坦性)的第二表面76。如以上详细描述的，可聚合材料34在接触能量之后固结。这种固结过程可能伴随有可聚合材料34的体积的收缩。例如，根据可聚合材料34的组成，收缩可以约为5-25％。收缩可取决于在第一表面74上变化的局部体积，还会在固结的可聚合材料34的膜中引起应力。这种收缩效应可以通过改变可聚合材料34在滴落图案86中的分布来进行补偿。作为补充或者替代的手段，可以通过模板18的除去和/或变形来消除应力。
蒸发是另一种可以通过采用适应性纳米形貌雕刻来进行补偿的寄生效应。根据可聚合材料34的组成，其蒸发速率可能较高。例如，在沉积可聚合材料34之后但在进行压印之前，由于蒸发，可聚合材料34可能会有损失。在靠近第一表面74的边缘处，蒸发一般可能较高。
还可确定预期因蒸发引起的体积损失，并在滴落图案86中进行补偿，以提供具有所需特征(如平坦性)的第二表面76。例如，为了控制湿度、温度、颗粒累积等而保持的气流促进了不均匀蒸发。这种气流会导致系统性的不均匀蒸发。可以确定蒸发特征图形，并通过调节滴落图案86进行补偿，从而提供具有所需形状特征(如平坦性)的第二表面76。
适应性纳米形貌雕刻还可补偿可聚合材料34的变化。例如，可以将第一可聚合材料和第二可聚合材料分配在第一表面74上，其中第一可聚合材料与第二可聚合材料不同。第一可聚合材料与第二可聚合材料具有不同的除去速率(如蚀刻速率)。因此，可以调节滴落图案86，从而提供准备沉积的第一体积的第一可聚合材料以及准备沉积的第二体积的第二可聚合材料，以尽可能减小不同的除去速率的影响。
可使用适应性纳米形貌雕刻代替一些应用中的物理抛光，所述应用是例如基材抛光、经过预先图案化的基材的抛光、不平坦表面的抛光、不平坦形貌应用和以下进一步描述的其他过程。例如，可使用适应性纳米形貌雕刻代替基材抛光，例如用于对裸露的硅基材的标称表面进行平面化的过程中。在除去步骤中，准备使用适应性纳米形貌雕刻进行蚀刻的材料可以是包括但并不限于硅、SiO2、GaAs、InP、蓝宝石等的大块基材。
图8显示一种使用适应性纳米形貌雕刻代替对经过预先图案化的基材的抛光从而提供平面化的表面的方法，例如在图案化的层的应用中。一般来说，可以调节滴落图案86来形成对基于图案设计的图案化的特征的额外补偿。例如，在第一表面74上分配可聚合材料34的操作可包括由于预先存在的图案造成的体积变化。
在步骤122中，可以绘制表面的纳米形貌。例如，可以使用Zygo仪器、轮廓曲线仪等绘制第一表面74的纳米形貌。在步骤124中，可以确定第一表面74和所需的最终形貌(如第二表面76)之间的差异以提供滴落图案86。在步骤126中，可确定寄生效应以调节滴落图案86。在步骤128中，可采用滴落图案86在第一表面74上沉积可聚合材料34，以提供具有所需形状特征的第二表面76。在步骤130中，可以将模板17设置成与可聚合材料34相接触。在步骤132中，可以使用压印光刻模板18使可聚合材料34固结。在步骤134中，可蚀刻固结的可聚合材料以提供具有所需形状特征的第二表面76。
在图案化的基材的应用中，在可蚀刻材料(如SiO2)中存在图案可提供1∶1反蚀刻(etch back)步骤，以转移所需形状特征，形成第二表面76。如果在不容易蚀刻的材料(如铜)中存在图案，则仍可作为补充或替代采用适应性纳米形貌雕刻和另一种材料除去法(例如化学机械抛光)以提供第二表面76的所需形状特征。
参见图9，可采用适应性纳米形貌雕刻为第二表面76形成所需的不平坦形状特征。例如，第二表面76可具有凹陷形状、凸起形状、球形形状、非球面形状、连续周期性形状或任何其他奇特形状。一般来说，在滴落图案86(如图7中所示)的确定过程中进行额外的变化(例如算法方面的调节)可以为第二表面76提供变化。例如，如图9中所示的第二表面76可具有球形的凸起形状，该形状的曲率半径较大，h在10纳米至10微米范围内，w在1-1000毫米范围内。
适应性纳米形貌雕刻还可解决任何自由形式表面(即不平坦表面)的形貌问题。例如，整体性制造过程(如浇铸、机加工、研磨等)会影响标称形状(即，在大于20毫米的空间波长中的高度变化)，但是在抛光过程中一般不会影响标称形状。抛光过程能够与标称形状相一致。常规的抛光过程一般不影响标称形状，但是可能因为图案密度变化的原因影响纳米形貌。而且，常规的抛光工具可能要求对机械设计进行明显改变，以适应基材的标称形状的改变(例如，用于对平坦表面进行CMP而设计的机器与用于对球形表面进行CMP而设计的机器是截然不同的)。因此，常规的抛光工具可能只能解决球形/非球面/对称形状问题。但是适应性纳米形貌雕刻能解决自由形式表面(例如图10A-10C中所示的自由形式表面(如第一表面74))的纳米形貌改变问题。如这些图中所示，可采用具有自由形式的第一表面74的互补形状的压印光刻模板18a以提供第二表面76的相对于第一表面74的纳米形貌改变。
在对球形/非球面透镜进行适应性纳米形貌雕刻的操作中，可以对双透镜物镜进行机加工。例如，将双透镜物镜机加工至约500微米厚度。这种球形和/或挠性的材料片可用作压印光刻模板18a。对于其他的自由形式形状，可以采用浇铸所需互补形状的方式来制造PDMS模板。
可以将加压的空腔卡盘与互补形状的模板18a(如模板18)一起使用，或者使用加压的空腔卡盘代替互补形状的模板18a(如模板18)，从而控制模板18a的标称形状的半径。这种方法可以用于例如对球形/非球面表面的抛光中，所述表面具有由卡盘设计和/或模板18a形状限定的特定标称形状。
或者，可以将模板18a设计成具有尽可能减小的非脆性材料厚度。可以任选地将模板18与较厚的熔凝氧化硅框架结合，以提供额外的强度。一般来说，熔凝氧化硅框架可以在卡盘和模板18之间提供适配器。

Claims (20)

1.一种采用压印光刻系统形成具有所需形状特征的表面的方法，其包括：
确定第一表面的纳米形貌；
确定第二表面的所需形状特征；
评价第一表面的纳米形貌和第二表面的所需形状特征以提供滴落图案；
依照所述滴落图案在模板和第一表面之间沉积可聚合材料；
使模板与可聚合材料相接触；
使可聚合材料固结；
蚀刻所述可聚合材料以提供具有所需形状特征的第二表面。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括确定至少一种寄生效应并调节所述滴落图案以补偿该寄生效应。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述寄生效应是可聚合材料的蒸发。
4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述寄生效应是图案密度的变化。
5.如权利要求2-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述寄生效应是蚀刻不均匀性。
6.如权利要求2-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述寄生效应是抛光不均匀性。
7.如权利要求2-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述寄生效应是体积收缩。
8.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述蚀刻可聚合材料以提供具有所需形状特征的第二表面的步骤改变了第一表面的纳米形貌和粗糙度。
9.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二表面的所需形状特征是平坦的。
10.如权利要求1-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二表面的所需形状特征是不平坦的。
11.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述依照滴落图案在模板和第一表面之间沉积可聚合材料的步骤进一步包括：
沉积具有第一蚀刻速率的第一可聚合材料以及沉积具有第二蚀刻速率的第二可聚合材料；和
调节滴落图案以补偿第一蚀刻速率和第二蚀刻速率。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一蚀刻速率和第二蚀刻速率是不同的。
13.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述评价第一表面的纳米形貌和第二表面的所需形状特征以提供滴落图案的步骤进一步包括：
评价第一表面的纳米形貌和第二表面的所需形状特征之间的差别以提供高度校正图；
基于所述高度校正图提供密度图；和
使用该密度图确定滴落图案。
14.一种使用压印光刻系统形成具有所需纳米形貌的表面的方法，其包括：
确定表面的纳米形貌；
评价表面的纳米形貌以确定表面纳米形貌与所需纳米形貌之间的高度校正；
基于表面纳米形貌与所需纳米形貌之间的高度校正提供密度图；
基于密度图确定滴落图案；
依照该滴落图案在压印光刻模板和表面之间沉积可聚合材料；
使模板与可聚合材料相接触；
使可聚合材料固结；
蚀刻可聚合材料以提供具有所需纳米形貌的表面。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括确定至少一种寄生效应以及调节滴落图案以补偿该寄生效应。
16.如权利要求14或15所述的方法，其特征在于，所述所需纳米形貌是平坦的。
17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述表面是不平坦的，通过蚀刻可聚合材料提供具有平坦形貌的表面，同时保持标称的不平坦的表面。
18.一种使用压印光刻系统形成平坦表面的方法，其包括：
确定表面的纳米形貌；
评价表面的纳米形貌以确定滴落图案，从而用来为具有第一蚀刻速率的第一可聚合材料和具有第二蚀刻速率的第二可聚合材料提供平坦的表面；
依照所述滴落图案在压印光刻模板和表面之间沉积所述第一可聚合材料和第二可聚合材料；
使模板与所述第一可聚合材料和第二可聚合材料中的至少一种相接触；
使所述第一可聚合材料和第二可聚合材料中的至少一种固结；
蚀刻所述第一可聚合材料和第二可聚合材料中的至少一种以提供平坦表面。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括确定至少一种寄生效应以及调节所述滴落图案以补偿该寄生效应。
20.如权利要求18或19所述的方法，其特征在于，所述评价表面形貌以确定滴落图案的步骤进一步包括：
评价表面的纳米形貌以确定表面纳米形貌和要形成的平坦表面之间的高度校正；
基于所述高度校正提供密度图；和
基于所述密度图确定滴落图案。
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C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20110608