CN105682808A - 以纳米级精确度可程序化的沉积用户自定义外形的薄膜 - Google Patents

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Abstract

一种用于可程序化的沉积用户自定义外形的薄膜的基于喷墨的方法。通过多喷头将前体液体有机材料的液滴分配在基底上的多个位置处。使因背侧压力而弯曲的基顶降落，从而使所述基顶的正面进行与所述液滴进行第一接触，从而产生向外扩展的液体前沿，所述液体前沿与多个所述液滴融合以形成捕获在所述基底与所述基顶之间的邻接膜。然后，在一段时间之后，发生所述基顶、所述邻接膜和所述基底的非平衡过渡状态。然后，使所述邻接膜固化以将其交联成聚合物。然后，将所述基顶与所述聚合物分离从而将聚合物膜保留在所述基底上。通过这种方式，非均匀膜可以在无明显材料浪费的情况下以廉价方式而形成。

Description

以纳米级精确度可程序化的沉积用户自定义外形的薄膜
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年8月19日提交的美国临时专利申请第61/867,393号“ProgrammableDepositionofNanoscaleFilms”的优先权，其内容以引用的方式全部并入本文。
政府权益
根据美国国家科学基金课题No.ECCS-1120823，美国政府对本发明具有一定权利。
技术领域
本发明主要涉及薄膜沉积，更具体地涉及以纳米级精确度可程序化的沉积用户自定义外形的薄膜。
背景技术
大部分微和纳米装置包括半导体、光子和光电装置、MEMS/NEMS、电子显示器(诸如LCD)等的制造，需要沉积多层薄膜。如今，在行业中存在多种沉积选择方式。在液相方式中，沉积通常通过各种方法来执行，诸如涂旋，其通常用一个前驱操作，随后通过使液体凝固的反应来获得期望的薄膜。在气相中，最常使用的技术是化学气相沉积(CVD)技术。在典型的CVD方法中，将基底暴露于处于气相中的前体，这些前体发生反应或者分解以在基底的表面上形成期望的膜。存在多种类型的CVD方法。根据所使用的压力，可以将它们分为大气压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)或者超高真空CVD(UHVCVD)。低压旨在减少不需要的反应并且改进膜厚均匀性。基于等离子体的方法，诸如等离子体增强CVD(PECVD)，用于增强化学反应。远程PECVD也用于半导体行业中的薄膜的沉积，以降低沉积温度和保护基底免受高温影响。称为原子层沉积(ALD)的技术还经常用于制备一种或者多种不同材料的共形单层。物理气相沉积(PVD)方法也是重要的薄膜沉积技术。顾名思义，它们不依赖化学反应，而是在真空环境中将气化材料的浓缩形式沉积到基底上。蒸镀沉积和溅射是PVD的两种常见示例。前者将待沉积的材料加热至高蒸汽压，而后者利用等离子体放电利用待沉积材料的原子来轰击基底表面。
上面讨论的所有方法按照每单位面积所沉积的材料量基本上相同的方式来沉积薄膜。对于这些方法而言，通常不能定制材料以特意形成非均匀膜。而且，诸如涂旋之类的方法会极大的浪费材料，而且由于需要在执行处理时对腔室抽真空，所以真空过程会较昂贵。
因此，目前尚无以廉价的方式在无极大材料浪费的情况下特意形成非均匀膜的方式。
发明内容
在本发明的一个实施例中，一种用于沉积薄膜的方法包括：通过一组喷墨喷嘴将前体液体有机材料的液滴分配在基底上的多个位置处。该方法进一步包括：使基顶降落，从而允许液滴形成被捕获在基底与基顶之间的邻接膜。该方法还包括：在一段时间之后，使得能够发生基顶、邻接膜和基底的非平衡过渡状态。而且该方法进一步包括：使邻接膜固化以将其凝固成固体。另外该方法包括：将基顶与固体分离，从而将聚合物膜留在基底上。
在本方面的另一实施例中，一种用于特意沉积非均匀膜的方法包括：获得期望的非均匀膜厚外形。该方法进一步包括：对逆向优化程序进行求解，以获得分配的液滴的体积和位置，以便最小化在期望非均匀膜厚外形与最终膜厚外形之间的误差的范数，从而使得最终膜厚外形的体积分布是分配的液滴的体积和位置的函数。该方法还包括：通过一组喷墨喷嘴将前体液体有机材料的液滴分配在基底上的多个位置处。而且该方法包括：使基顶降落以形成被捕获在基底与基顶之间的邻接膜。另外该方法包括：使得能够在通过逆向优化方案给出的一段时间之后发生基顶、邻接膜和基底的非平衡过渡状态。而且该方法包括：使邻接膜固化以将其凝固成聚合物。该方法进一步包括：将基顶与聚合物分离从而将聚合物膜留在基底上。
前面已经概述了本发明的一个或者多个实施例的一般的特征和技术优点，以便可以更好地理解本发明的以下详细说明。本发明的另外的特征和优点将在下文中进行描述，这可以构成本发明的权利要求书的主题。
附图说明
当结合以下附图考虑以下详细说明时，可以获得对本发明更好的理解，其中：
图1是根据本发明的一个实施例的通过使用PAINT的规定膜厚变化的方法的流程图；
图2A至图2F描绘了根据本发明的一个实施例的在图1中描述的制造步骤期间将薄膜沉积在基底上的截面图；
图3是描绘根据本发明的一个实施例的通过使用PAINT来沉积均匀膜的实验结果的图表，其中在宽的厚度范围内获得了非均匀性低于2％的膜；
图4A是图示根据本发明的一个实施例的将实验获得的数据连同模型预测和作为代表性正弦外形的期望外形的比较的图表；
图4B是根据本发明的一个实施例的表现出正弦厚度变化作为阴影变化的晶片的图片；
图5图示了根据本发明的一个实施例的系统的几何结构；
图6图示了根据本发明的一个实施例的邻接流体的重新分布直到它达到平衡状态为止；
图7是描绘根据本发明的一个实施例的在抛光后的3"硅晶片上的不同线扫描测得的不同空间频率的振幅分布(amplitudedistribution)的图表；
图8图示了根据本发明的一个实施例的基顶的设计，示出了不同厚度的布置；
图9A图示了根据本发明的一个实施例的基顶的可重加载卷-卷配置；
图9B图示了根据本发明的一个实施例的具有同样处于可重加载卷-卷配置的基底的可重加载基顶；
图10是根据本发明的一个实施例的非均匀性的时间演化的比较的图表，指示了小分布时间不具有形貌的线性化模型的可行性；
图11图示了根据本发明的一个实施例的逆向优化框架；
图12A是根据本发明的一个实施例的线性梯度膜厚的曲线；
图12B是根据本发明的一个实施例的液滴图案的示意图；
图13A是根据本发明的一个实施例的曲面椭圆形外形的10km半径的曲线；
图13B是根据本发明的一个实施例的液滴图案的示意图；
图14是根据本发明的一个实施例的通过使用PAINT对晶片形貌抛光的方法的流程图；
图15A至图15F描绘了根据本发明的一个实施例的通过使用在图14中描述的步骤对晶片形貌抛光的截面图；以及
图16是示出了根据本发明的一个实施例的通过使用PAINT的在3个硅晶片上的形貌的单步迁移的曲线。
具体实施方式
本发明提出一种用于以纳米级精确度可程序化的沉积用户自定义外形的薄膜的多功能的基于喷墨的方法。该方法在本文中称为薄膜的可程序化的喷墨或者PAINT。PAINT提供独特能力，因为其能够获得可程序化的膜厚外形；并且因为其可以以高处理速度并且以接近零材料浪费来执行这种方法。其能力和低成本的组合有潜力应用于本文所述的重要应用。PAINT还可以以接近零材料浪费的方式来沉积均匀厚度的膜，因此对于在成本敏感的应用中沉积均匀膜是有用的。PAINT与基底类型、厚度或者材料的选择基本上无关，并且能够大面积地沉积膜。通过设计，PAINT还可以基本上抵消系统寄生效应(诸如表面形貌、喷墨液滴体积变化等)的影响，并且防止它们破坏最终膜厚。PAINT最引人注目的使用是生成自由形式的表面，其外形由用户定义并且可以在软件中对其进行适应性地修改，无需在工具或者硬件上进行任何改变。
PAINT使用一组或者多组喷墨喷嘴，也称为多喷头，来将前体液体有机材料的液滴分配在基底上。所述材料可以是包括一种或者多种单体、低聚物、短链聚合物、溶剂、酸、碱、盐等的组合物。可以对基底表面进行预处理以增强该材料的扩展。因为在多喷头中存在多个喷头，所以，在驱动多喷头或基底的扫描阶段，期望的基底区域可以用需要的液滴覆盖数秒，同时保留对每个分配的液滴的体积和位置的控制。对于每个期望的膜厚外形而言，通过包括线性薄膜润滑模型的逆向优化过程来获得最佳液滴体积和位置。在液滴分配之后，使最佳柔性基顶降落，从而使正面进行与液滴第一次接触。柔性基顶可以在背面压力或者重力下弯曲如弓。这会产生快速向外扩展的液体前沿，该液体前沿与液滴融合从而创建邻接膜。然后，使该基底-流体-基顶“夹层”演变成由逆向优化过程给出的期望时间，在这之后，通过光能或者热能使有机材料固化以将其交联成聚合物。然后，将基顶与夹层分离从而将聚合物薄膜保留在基底上。结合图1和图2，对这种方法进行说明。
图1是根据本发明的一个实施例的通过使用PAINT的规定膜厚变化的方法100的流程图。结合图2A至图2F，对图1进行讨论，图2A至图2F描绘根据本发明的一个实施例的在图1中描述的制造步骤期间将薄膜沉积在基底上的截面图。
如本文所述，“基顶”需要具有“最佳柔性”，其中，其刚度：(1)足够高，以允许使液体有机材料液滴倾向于横向地融合，而不是捕获单独的液滴(如由基顶包裹它们形成孤岛)；并且(2)足够低，使得由于其变形而存储在基顶中的应变能在单体的固化或者交联之前不会显著影响薄膜流体动态行为。其还应该足够低(low)，以基本上消除基底形貌特征的存在并且应该与其无关。
参照图1，结合图2A至图2F，在步骤101中，通过如图2A所示的多喷头203，将材料的液滴201分配在基底202上的期望位置处。由于多喷头组延伸到图2A的平面内，所以多喷头203表示为单喷头。液滴的期望位置源自逆向优化框架(frame)。在一个实施例中，通过使用压电喷射机或者电液动态喷射机，分配的液滴201的最小体积低于5皮升。在另一个实施例中，通过使用压电喷射机或者电液动态喷射机，分配的液滴201的最小体积低于1皮升。在一个实施例中，基底202由具有大于1GPa的杨氏模量的材料组成。在一个实施例中，基底202是由以下材料中的一种或者多种组成的刚性晶片：硅、二氧化硅和氮化镓。
在步骤102中，如图2B所示，使最佳柔性基顶204降落到分配的液滴201上。
然后在步骤103中，在如图2C所示，响应于降落在分配的液滴201上的基顶204，产生液体前沿205。可以选择基顶204的形状和其降落的速度从而形成邻接膜，以允许液滴201横向地融合而使任何的气泡捕获最小化。可以在基底-基顶夹层区域中使用本地环境气体例如CO2或He，以进一步帮助在该方法中避免气泡的捕获，其中CO2可溶于有机液体，He易于扩散到大多数的基底202和/或基顶204中。基顶204的材料可以包括多种选择，包括但不限于：玻璃(例如，石英、熔融石英等)、塑料(例如，PMMA、聚碳酸酯、PET、PEN等)或者陶瓷(例如，(商标名))，包括具有聚合物薄膜的陶瓷。塑料和陶瓷材料具有固有的多孔性，该多孔性进一步有助于气体的传输并且避免气泡的捕获。基顶204通常抛光为局部平滑，即，具有低表面粗糙度(粗糙度定义为微米级空间波长内的振幅变化)。基顶204的表面可以涂有低表面能涂层，诸如FOTS或者特氟龙(Teflon)，而基底202的表面可以涂有增粘剂，诸如BARC、美卓(ValMat)、或者全苏斌(TranSpin)。基顶和/或基底涂层的使用将增强在该方法结束时将固化的材料保留到基底202上的能力。喷墨材料可以包括UV可固化材料，诸如由分子压印(MolecularImprints)公司提供的(商标名)和(商标名)材料或者由微抗蚀剂技术(Micro-resisttechnologies)公司提供的mr-UVcur**(商品名)。
在步骤104中，如图2D所示，使基顶-流体-基底夹层在一段时间之后演变成非平衡过渡状态，从而使得液滴201形成邻接膜206，其中基顶层204在邻接膜206的上方。
在步骤105中，如图2E所示，通过UV曝光207，使基顶-流体-基底夹层固化，以便将邻接膜206交联成聚合物。
在步骤106中，如图2F所示，将基顶204与聚合物分离，从而将聚合物膜208保留在基底202上。认为基底202具有被制造的功能部分，而基顶204基本上是用于实现PAINT方法的工具。在一个实施例中，聚合物膜208可以是蚀刻膜以使膜厚外形转变为如下进一步讨论的底层功能膜或者基底202。
在一些实施方式中，方法100可以包括其它和/或另外的步骤，为了清楚起见，未描绘这些步骤。而且，在一些实施方式中，方法100可以按照与所提出的顺序不同的顺序来执行。另外，在一些实施方式中，在方法100中的特定步骤可以基本上同时执行或者可以省略。
通过沉积高度均匀的膜(图3)和与模型具有良好相关性的非单调正弦类外形(图4A至图4B)的不同膜，演示了PAINT方法。图3是描绘根据本发明的一个实施例的通过使用PAINT沉积均匀膜的实验结果的图表，其中在较宽的厚度范围内，已经获得了非均匀性低于2％的膜。图4A是表示根据本发明的一个实施例的将实验获得的数据连同模型预测和作为代表性正弦曲线的期望外形的比较的图表。图4B是根据本发明的一个实施例的将正弦厚度变化作为阴影变化的晶片的图片。已经通过PAINT获得了具有不同波长的多个这种外形。
另外，还获得了线性梯度膜以及具有曲率半径为约10km的标称半径的凸面/凹面外形，都与模型具有良好的相关性。此处，稍后将讨论弯膜的线性梯度和高的半径。而且，自由形式的表面还可以用于对任意表面形貌进行校正，这对于本文稍后所讨论的表面抛光有很高价值。因此，潜在的应用领域覆盖了半导体器件、光电、生物医学以及纳米流体力学应用。
在横向长度尺寸明显大于高度的区域(薄膜)中的流体流动也可以使用润滑近似法进行求解，在该方法中假设流动主要与表面平行并且在垂直方向上的压力梯度为零。忽略重力并且通过使用该近似法，对于在两个板之间的薄流体膜而言，薄板弯曲时的流体体积和动量守恒会导出以下控制方程：
12 μ ∂ h ∂ t = D ▿ → . ( h 3 ▿ → ▿ 4 ( h + w s - w c ) ) - - - ( 1 )
其中，μ、h(x,y,t)、D、ws(x,y)和wc(x,y)分别是流体粘度、膜厚、基顶的弯曲刚度、空间重力矢量、基底和基顶的非时变性标称形貌。
弯曲刚度可以表达为其中E、b和v分别是基顶的杨氏模量、厚度和泊松比。如下的进一步论述，在一个实施例中，基顶204的弯曲刚度具有最佳范围，该最佳范围限定为高于创建液滴201的融合所需的最小值同时低于确保邻接膜206在使基顶204降落之后的一段预定时间之前处于不平衡状态所需的最大值。
在图5中图示了根据本发明的一个实施例的系统的几何图形。已经发现，薄膜夹层的特征演化时间尺寸，τpaint，与沉积面积和粘度成正比，并且与弯曲刚度和平均膜厚成反比。因此，在增加基顶(b)的厚度、平均膜厚(h0)或者基顶的杨氏模量(E)时，τpaint降低，导致流体更快速的重新分布。因为该重新分布，所以最终膜厚外形演化成其平衡状态，其平衡状态还包含分别来自基底202和基顶204的顶层和底层形貌的特征。如下所述，整体而言不期望发生该快速重新分布整体。如图6所示，其为标称的平板情况，其中，图6图示了流体206的重新分布(见图2D、图2E和图5)直到其达到根据本发明的一个实施例的平衡状态为止。然而，其目的是为了最小化该重新分布，从而使得可以从起始材料分布获得最终膜厚，从而使得可以通过喷墨的流体液滴的预定位置和体积来实现PAINT的“可程序化的”性质。换言之，该动态模型揭示了如下事实：在夹层的演化中，必须捕获预平衡过渡状态，因为平衡状态允许仅仅一种可能的解，这通常是不希望的，并且被基底(未在图6中示出)的形貌破坏。这使薄膜的可程序化的沉积的目的失效。正是“捕获基本上与喷墨的流体液滴相关联的预平衡过渡状态”并且拒绝基底和基顶的影响的概念形成了PAINT方法的其中一个创新概念，将其与现有的方法区分开来。即，邻接膜206的预平衡过渡状态创建膜厚外形，该膜厚外形的体积分布是分配在基底202上的液滴201的体积分布的函数。
参照图6，图6图示了起始材料分布从过渡状态到其最终平衡状态的演化。在这种情况下，在均匀膜206中，平衡状态仅具有一种解，并且，因为此处已经忽略基顶204和基底202的形貌。一般而言，平衡与起始喷墨的流体液滴的体积/位置并不相关。因此，PAINT需要“捕获基本上与喷墨的流体液滴相关的非平衡过渡状态”。
增加特征时间尺寸对于延迟平衡和减少寄生效应如表面形貌的影响是必要的。同时，要求用最小的时间完成流体液滴的融合，以最小化在液滴融合过程中所发生的任何寄生气泡，并且对于流体膜而言在液滴之间的间隙区域处不具有由于缺乏完成融合所需要的时间而产生不希望的膜厚变化。导致“稳健”液滴融合过程的该最小时间在本文中称为(τrobust)。
可以按照以下可能的方式增加特征时间尺寸：(i)增加流体粘度；(ii)减小平均膜厚；(iii)增加沉积区域的特征横向长度尺寸；(iv)减小基顶材料的杨氏模量；以及(v)减小基顶的厚度。选项(i)并不总是可行的，因为流体的性能需要结合膜演化来优化以利于扩展、融合和固化，并且这些约束可以凌驾于粘度要求之上。在上面选项(ii)和(iii)中，平均膜厚和特征长度尺寸可以主要由沉积要求控制，因此，可以不作为方法参数进行控制。选项(iv)中的基顶材料也可以优化以利于固化、液滴扩展和分离。因此，可以调整的优选参数是基于基顶厚度或者选项(v)的基顶的几何结构。
从延迟平衡的观点来看，期望的是使基顶204尽可能地薄。然而，如上关于最佳柔性的论述所述，不能随意地使基顶204薄。而且，薄基顶204可能难以自动化、加载等。最佳基顶设计可以基于以下因素：(i)固化类型(光/热/其它)；(ii)期望的处理时间大小；(iii)现有基顶的可用性；(iv)对流体约束的要求；以及(v)遇到的典型形貌的尺寸。
作为一个示例，对于典型的抛光Si晶片而言，在图7中图示了形貌的尺寸。图7是描绘了根据本发明的一个实施例的在抛光后的3"硅晶片上的不同线扫描所测量的不同空间频率的振幅分布的图表。对于UV固化过程而言，熔融石英晶片可以用作基顶204。由于这些晶片的脆性所以不可以随意被减薄，因此可以将它们设计为具有它们可以应对的更高厚度的外环和它们与流体交互的更低厚度的内环。最佳厚度值的确定来自纳米形貌振幅和期望的时间大小，以及在方程式2中的对应过程参数。针对约100s的时间尺寸、约100nm的平均膜厚、来自分子压印(MolecularImprints)公司的(商标名)抗蚀剂、以及由于在2mm波长下的约10nm的形貌的最小破坏，基顶204的最佳厚度在0.01mm至1mm的范围内。低于0.01mm会防止彼此间隔大于5mm的液滴的融合，因此导致缺陷诸如气泡和孔洞。然而，如果无需将相邻液滴间隔很远放置，那么其有助于更进一步地减小厚度。另一方面，高于1mm会导致快速平衡以及在沉积膜上的寄生形貌的出现。
现在参照图8，图8图示了根据本发明的一个实施例的基顶204的设计，示出了不同厚度的布置。柔性基顶204的实现是0.525mm厚的标准晶片上并且刻出0.25mm厚的内环。可以通过在较薄侧上使用台面(mesa)来压住流体前沿并且将流体限制到预定义区域中，来进行对设计的进一步增强。其他的基顶几何结构包括与熔融石英基顶相比具有非常低的杨氏模量的塑料材料的使用，因此可以允许更高的厚度。另外，这些材料的多孔特性使得它们快速溶解气体并且将捕获的气泡最小化。这种塑料基顶204可以用作独立板，类似于熔融石英对应部分，或者在控制张力的卷-卷配置中。平面内基顶力和力矩可以与存在的弯曲刚度组合以形成基顶的有效弯曲刚度。期望的基顶类型包括使用非常柔性的基顶204，基顶204处于具有有效弯曲刚度的张力下，该有效弯曲刚度的大小刚好确保液滴的稳健融合，并且一旦液滴已经融合则减小张力，以最小化有效弯曲刚度，以增强捕获预平衡过渡状态的能力。卷-卷柔性基顶204具有另一个优点，即允许快速重加载以防止重复缺陷被微粒子污染。如图9A所示，因为基顶实施例是在塑料卷上，所以较为廉价，可明显降低工艺成本。
图9A图示了根据本发明的一个实施例的基顶204的可重加载的卷-卷配置。在该实施例中，基顶204是塑料卷901，该塑料卷901保持在张力下(见箭头902)。只有一部分的卷901用作基顶204。在重复PAINT过程时，所使用的部分可能被微粒物质以及方法缺陷所污染。一旦确认了上述情况，可以使卷801旋转以带入更干净的基顶区域。因此在整卷被使用之后，可以将其丢弃并且可以加载新卷以快速进行方法轮转。
然而，平面内张力的添加改变了基顶-流体-基底夹层的演化动力。为了实现与熔融石英基顶204相同的性能测量，需要的平面内张力大约是0.1kN/m。一般而言，利用100μm或者更低的塑料基顶厚度，具有该范围内的张力值的平面内应力可以潜在地超过材料拉伸应力极限，从而导致临界拉伸甚或屈曲失效的可能性。由此，虽然薄基顶204期望地是使基顶204更加柔软并且具有高处理时间尺寸，但是其不应该薄到会被拉伸破坏。
在基顶204是聚合物网卷时，基底202也可以实施为处于R2R形式的另一塑料卷。当基底202与基顶204相比更刚硬时，PAINT会有最优结果。为了避免基底202的变形低于基顶204，基底202与基顶204的有效弯曲刚度之比应该保持低于5。针对在寄生形貌出现中的更严格的公差而言，该比例极限需要相应地提高。对于盘状基底而言，刚性基底202的表现方式是其被保持在抽真空的吸盘上。在R2R设置中，这同样可以用于高柔性基底，诸如PET、PC、PEN等，实现方式是将它们部分地或者完全地保持在具有高度抛光表面的多孔的或者真空的吸盘上，并且在基底202向前卷动时允许滑动。这甚至可以将基顶204用作一个卷来获得，只要基顶204与基底202相比更柔性，如图9B所示。
图9B图示了根据本发明的一个实施例的具有也以R2R方式构造的基底202的可重加载基顶204。如图9B所示，基底202是塑料卷903，该塑料卷903保持在张力下(见箭头904)。在PAINT过程中，高柔性基底202可以保持在真空的或者多孔的吸盘905上以增加其有效弯曲刚度。
在方程式1中给出的薄膜润滑模型是高度非线性的并且是复杂的，因为包括额外的形貌输入，由此需要昂贵的数值模拟。然而，模型的一阶性能可以通过用进行线性分析来分析地获得，其中并且无形貌。该新线性化模型的比较对象是具有均匀膜的形貌的全非线性化模型的实验数据和求解两者。在图10中对非均匀性的演化进行了总结。图10是根据本发明的一个实施例的非均匀性的时间演化的比较的图表，指示了小处理时间的不具有形貌的线性化模型的可行性。从结果可以看出实验数据与更小处理时间的这两个版本的模型均良好匹配。然而，对于更高的处理时间，不具有形貌的线性化模型不与实验数据或者非线性化模型一致，该非线性化模型与实验数据更为一致。这表明，如果处理时间(t)保持“较小”(＜τlinear)，那么可以忽略在这两个模型之间的差异。这是非常希望的，因为可以分析地对不具有形貌的线性化模型求解，从而显著降低计算复杂性并且允许PAINT的关键部分被求解：用于期望膜厚外形的流体液滴的最佳位置和体积。
现在，□linear的值取决于基顶204的有效弯曲刚度，因为在线性化模型因形貌而可发生破坏之前，更柔性基顶204将允许更大的窗口。然而，通过之前的讨论可知，该方法的最小时间尺寸应当大到足以允许离散液滴201的稳健融合并且以最少的气泡创建邻接膜206。因此，显然，τlinear＞τrobust，并且还允许合理的处理窗口来捕获期望的预平衡过渡状态。
其他重要的事项是，此处注意，虽然τlinear取决于基顶弯曲刚度，但是τrobust不是，前提是液滴201间隔开了合理的距离，例如，小于5mm的间隔。液滴201的最佳扩展和融合还取决于基顶204的刚度。如果液滴201彼此间隔较远，那么基顶204将需要携带更多的应变能以使液滴201扩展和融合，从而使基顶204的设计倾向于更刚性的材料或者更厚的几何结构。缓解该问题的方式可以是，降低单个液滴体积并且保持液滴201彼此靠近。
如果上述方法用于在(τrobust,τlinear)区间中选择最佳值(t)，那么对于具有相似形貌外形的基底而言，使用不具有形貌的线性化模型即可。该方法可以使PAINT方法与基底和基顶两者的形貌基本上无关。这是PAINT的一个重要方面，因为将基底202和/或基顶204的形貌控制到小振幅尤其是控制到可接受的抛光成本水平，是非常困难的。因此，获得的膜厚外形的控制基本上不受基底202和/或基顶204的抛光质量的影响。换言之，通过使用PAINT获得的膜厚外形的精确度可以远大于基底202和/或基顶204的不期望的形貌。
现在将更详细讨论上面关于与基底202和/或基顶204的形貌无关的PAINT的陈述。基顶-流体-基底夹层显示出丰富的动力学行为，这些动力学行为可以在给定的起始条件下通过方程式(1)的正演模型来预测。然而，在给出用于系统的耗散性质和对称边界条件的情况下，针对任何给定的起始条件，平衡状态t～∞总是相同的。该平衡状态通过基顶204达到零变形状态来实现，即h(x，∞)＝h0-ws(x)+wo(x)给出的流体膜厚外形的零变形状态，其中，h0是平均膜厚。可以看出，基顶204和基底202两者的形貌均决定平衡膜厚外形。对于具有规定空间变量的膜的沉积而言，期望的是使系统远离平衡，因为平衡仅仅可以产生单个可能的解，这反而会仅受到基底202和基顶204的形貌的影响。
对朝着更小处理时间或者更高特征时间尺寸发展的需要被认为是为了最小化寄生形貌的影响，同时保持用于稳健液滴融合的处理时间足够高，会在区间(τrobust，τlinear)中出现最佳处理时间(τoptimal)。因此，为了能够设计期望的非均匀膜厚外形，问题就变为发现期望的非平衡过渡状态中的一个，从而满足规定空间外形。薄基顶204(比如250μm型芯基顶204)的使用有助于延长时间尺寸，从而使得在物理领域中有更大的空间来捕获期望的过渡状态。该方面，连同离散流体液滴201的最佳位置/体积的求解，形成了逆向模型公式化的基础，该逆向模型公式化形成用于设计规定非均匀膜厚外形的沉积的基础。
逆向模型公式化具有多个重要方面，这些方面归结于获得期望的非平衡过渡状态，如图11所示。图11图示了根据本发明的一个实施例的逆向优化框架1100。喷墨参数1101和扩展时间1102是输出，而其它的过程参数1103、形貌1104和规定膜厚外形1105是输入。实现该期望的非平衡状态，首先需要确定系统的优化起始条件1106，然后需要确定最佳时间，其中最佳时间的确定方式是优化求解器1107演化该起始条件1106。优化求解器1107可以包括基因算法、图案化搜索、模拟退火和其它类技术或者它们的组合。因为其分析较为简单，所以该公式化的内核通过不具有形貌的线性化模型1108给出，这在规定起始条件下会给出最终形貌1109。然而，系统的起始条件1106本身是数千液滴201的扩展和融合的结果。由此，规定的起始条件1106相当于规定这些数千液滴201中的每一个的体积和x和y位置。连同喷墨液滴相关的参数，系统需要演化的最佳时间还形成模型1108的输出。主要输入包括过程的时间尺寸(由方程式2和相关联的系统参数给出)、以及任何形貌信息。系统参数还可以包括任何系统寄生效应，诸如液滴的蒸镀外形、收缩效应或者非均匀蚀刻特征，从而使得当获得期望的膜厚时，可以对它们进行补偿。因此，总而言之，可以将逆向模型设置为优化例程，该目标函数被给出为在实际膜厚外形(包括其积分和微分)与期望膜厚外形(包括其积分与微分)之间的误差的最小化。该误差可以限定为合适的范数，该范数可以给出实际膜厚与期望膜厚之间的适当的偏差。例如，当在实际膜厚值与期望膜厚值之间的“平均”差显得比较重要时，L2范数是合适的，因为其计算在每个位置处的偏差的平方和的平方根。另一方面，当最大差变比较重要时，更适合使用L无穷范数。同样的原理可以应用于在实际和期望的膜厚外形中的梯度(例如，当需要最小化倾斜误差)或者积分(例如，当需要最小化总体积偏差时)。
目标函数受限于多种约束，这些约束源于系统硬件以及与过程建模相关的假设。主要约束表现为喷墨液滴参数的离散本质，即，液滴体积和位置。假定每个液滴201的体积，x和y位置是来自逆向模型的期望输出并且典型膜厚沉积涉及了数千液滴201，这些整数约束的数量大得令人难以置信。这显著增加了优化的复杂性并且使问题高度非线性。即使目标函数是误差范数的标准最小化，但是，因为存在这些整数约束，所以不易于进行分析求解的处理。
本方法的另一个突出的方面是，无论是相同材料或者不同材料的多层膜都可以被容易地沉积。从薄膜模型来看，很显然，保持小的平均膜厚(h0)会有助于保持高的时间尺寸，而这对于捕获非平衡过渡状态(方程式2)是期望的。因此，在单个步骤中沉积厚均匀膜或者厚度变化大的膜就可能存在问题。其可以通过以下方式来缓解，即将期望外形分解为更小单元增量之和，这会确保时间尺寸对于每个单元步骤是期望的高度值，因此，会保留单步骤方法建立的技巧和对应的精确度。这在图3中简要地给出，其中示出了，对于均匀膜而言，通过连续沉积150nm膜三次来获得具有优秀均匀性的厚度高达450nm的膜。
因为用于沉积的优选方法是喷墨，所以多步骤方法可以扩展至多材料堆叠的沉积，方法是使用可喷墨材料，从而使得在堆叠中的每层具有规定外形。这使得能够在其深度方向上沉积具有材料以及厚度梯度的膜，而该特征在本领域的现有技术中是不容易得到的。本方法通过具有一组多喷头而实现，在该组多喷头中，在多喷头的各自喷头中具有分别不同材料，或者甚至在多喷头的每个喷头中具有不同的材料。整个过程的实现可以不将基底从在多个PAINT步骤之间的工具中移除。
关于PAINT的潜在应用，均匀纳米厚度的聚合物膜用于各种应用的主体，包括但不限于，在光学器件和半导体中的抗反射涂层、用于制备生物医学中单分散纳米粒子的前体膜等。空间变化膜的沉积还具有一些争论中的新颖应用。这些并不是PAINT应用的详细列表。
梯度表面
梯度表面代表伴随空间变化在一个或者多个材料性能中发生的连续变化，由此允许研究大量的实验条件设定。整个参数空间的影响可以在单样本上同时捕获，导致更快速的材料实验和更少浪费。事实上，材料特征的组合方法通常与“高处理量实验”可交换地使用，将这些技术的能力和利用性带给实验材料科学家。该材料行为的同时表达可以通过组合在相同样本上的一个以上梯度而被放大，会带来更大的节约。用于梯度表面的感兴趣的性能可以是化学性(例如，合成物、可润湿性等)以及物理性的(例如，温度、膜厚等)。这种表面可以用于材料性能的表征和筛选以及用于驱动方法相关的现象。例如，通过单独的厚度梯度，可以实现上面所有的目标。分级嵌段共聚物膜厚可以帮助理解并且表征形态或者将嵌段共聚物去湿作为膜厚的函数。此时，相同的厚度梯度对感应材料的发现和筛选是有用的，诸如与给出样本相关的荧光材料。而且，变化很大的界面能与规定纳米级厚度的膜的变化相关，该变化很大的界面能可以用于增强或者破坏特定材料的液滴的运动。因此，可以看出，即使只具有膜厚梯度，对于这种表面也有巨大的机会，尤其在生物医学、制药和生物材料领域中，其中需要高处理量和梯度库的成本上有效的创造。这已经通过使用PAINT以获得厚度的线性分级膜厚外形求得，该厚度在25nm至100nm范围中跨越40mm的区域，如图12A和图12B所示。
图12A是根据本发明的一个实施例的线性分级膜厚的曲线。该曲线揭示了该模型在准确匹配期望外形中会存在一些误差。这归因于对液滴分辨率以及离散液滴位置的约束。图12B是根据本发明的一个实施例的液滴图案的示意图。
用于低曲面自由形式光学器件的表面
低曲面自由形式光学器件发现在低波长成像的多个领域中可以应用。在本文的X射线光学器件的相关段落中进行了讨论。X射线的成像在天文学和医疗领域中已经是非常有用的工具。最近，已经推动通过使用X射线使纳米级成像，尤其出于纳米显微技术的目的。可靠的使用X射线的纳米显微技术可以潜在地对生物医学成像、半导体制造和在其它的材料中进行识别的领域中具有显著影响。X射线相对于现有技术的电子束显微镜具有优势，因为它们能够更深地穿透到样本中以及它们在成像不同材料中的多样性。然而，真正地能够实现基于纳米显微技术的应用需要稳定地获得纳米级分辨率，对此还有很大的技术挑战。大部分这些挑战起源于制造用于X射线纳米显微技术的聚焦和/或成像光学器件的严格要求。与软X射线的波带片相比，当涉及硬X射线的光学器件时，这些要求会被放大。
用于X射线的反射光学器件依赖于用于聚焦目的的涂有金属的镜子。据显示硅镜也已经整合至X射线天文学应用中。然而，反光镜必须使用临界入射，例如，接近零的入射角，来实现期望的分辨率和聚焦，虽然该要求对于多层镜是不严格的，因为其依赖于干扰相关的反射。例如，分别具有能量1keV、10keV和100keV的X射线的铱样本需要大约2度、0.6度和0.1度的临界角，以实现总外反射。给定该约束，可以想见这些镜要求对表面粗糙度和数字(～λ/10)的严格的空间控制，这与用于晶片的纳米形貌相似。X射线的波长<10nm，这暗示期望的空间控制为<1nm。超过该公差极限的在粗糙度和数字中的任何波动都可以导致不期望的离散效果。因此，自适应数字校正是用于获得期望质量的光学元件的重要因素。而且，镜表面的期望外形通常是圆锥部分(抛物线的、双曲线的或者椭圆形的)，从而使得多个这种镜的布置可以实现期望的聚焦性能。这种外形表现为基于真空的优选涂层或者表面上的微分沉积技术，其中这些表面不是标称的圆锥截面。PAINT具有潜在能力来校正数字偏差以及将数字自适应地修改为相似的圆锥截面表面，方法是在厚度上沉积具有合适的空间变化的膜。这已经进行了测试，方法是沉积具有如图13A和图13B图示的达到接近10km的曲面的半径的凸圆锥膜。
图13A是根据本发明的一个实施例的曲面椭圆形外形的10km半径的曲线。如图13A所示，实验数据与模型预测一致。图13B是根据本发明的一个实施例的液滴图案的示意图。
这种膜的沉积可以跟随“匹配回蚀(matchedetch-back)”，其中以相同的速度对抗蚀剂和基底表面蚀刻进行蚀刻。这可以持续到抗蚀剂完全被去除为止，从而使得表面的外形变为X射线镜的。然后，为了获得功能化，可以通过使用PVD或者ALD来沉积单个或者多个金属层。
基底形貌的抛光
考虑到任何表面的形貌和粗糙度可以出现基底的进一步加工的问题，多年来演化了多种技术来缓解这些问题。此处对三种基本技术进行简要描述。
在制造方式中经常使用研磨(grinding)、重叠(lapping)和抛光(polishing)以去除在不同的基底上的粗糙度，包括金属、玻璃、半导体、光学器件和陶瓷。取决于最终表面精加工的质量和粗糙度，基底的机械性能和不规则度或者更长范围的形貌，这些方法中的一种或者多种可以用于实现期望的目标。它们依赖于将基底安装在旋转轮或者夹具上并且使用变化大小的磨粒以校正粗糙度和形貌。虽然研磨被用于高速度和大粒子的粗糙水平校正，但是重叠和抛光以及它们的变体可以进行精密光学器件质量的更精细的表面加工。
此时，有益的是考虑需要良好表面质量的高端应用，即，用于超紫外光刻(EUVL)的掩模基板的制造，其用13.5nm波长的光来执行。已经推荐各种技术，诸如磁流变抛光(MRF)和离子束成形(IBF)来校正在EUVL掩模基板中的平整度。然而，这些技术由于固有的低吞吐量或者由于额外的抛光步骤需要持续校正平整度，所以周转次数非常低。因此，这种技术昂贵并且仅限于可以要求非常高价值的地方。
为了满足在亚微米装置技术中的平面性的严格要求，化学机械抛光(CMP)是最广泛使用的抛光技术。使用装有磨料的化学浆液和机械焊盘的组合以便实现平面外形。CMP最关注的是材料的移除速率依赖于材料的图案密度，导致在高密度与低密度之间还有步骤。该步骤随着在平面化膜中的长范围的厚度变化而出现，厚度变化的大小与表面的纳米形貌相近。保护技术例如虚设填充和图案化抗蚀剂可以用于减小在图案化密度中的变化。这些技术增加了平面化方法的难度并且明显限制了器件设计柔性。CMP也已经在非平整表面进行描述。然而，平面化这种基底所需的材料和硬件不同于平面表面所需的这些，因此通过不同的外形限制柔性。
已经报道接触平面化(CP)作为CMP方法的代替方法。基底旋转涂有可光固化材料并且预烘焙以去除残留溶剂。将超平表面或者光学平板按压在旋涂的晶片上。使材料重新流动。压力用于均匀地分散材料并且实现全面平面化。然后，将基底曝光至UV射线以使光可固化材料硬化。虽然引人注目，但是该方法并不合适，因为其未考虑晶片的表面形貌和光学平板中的差异，其也不可以处理在处理本身期间出现的所有寄生效应。同样，使用高粘度材料缓慢降低回流并且限制可以实现的处理量。
PAINT是基底抛光潜在的期望替代方式，因为其可以沉积各种厚度的膜以补偿任何基底的形貌并且获得额定的平的顶表面。下面将结合图14和图15A至图15F来讨论将PAINT用来替代基底抛光的方法。图14是根据本发明的一个实施例使用PAINT来抛光晶片形貌的方法1400的流程图。将结合图15A至图15F对图14进行讨论，图15A至图15F描绘的是，根据本发明的一个实施例使用图14中描述的步骤来抛光基底形貌的截面图。
参照图14，在步骤1401中，如图15A和图15B所示，通过的一个或者多个多喷头1503，基于晶片1501的形貌，将前体液体有机材料1502的液滴图案滴到在晶片1501上的多个位置处，其中图15A图示了在滴落成图案之前的基底1501，并且图15B图示了基于形貌而滴成图案。
在步骤1402中，如图15C所示，使基顶1504(与图2A-图2F的基顶204相似)降落在分布的液滴1502上。
如上所述，在一个实施例中，如图15D和图15E所示，基顶1504用于在步骤1403中形成捕获在晶片1501与基顶1504之间的邻接膜1506。如上所述，可以选择基顶1504的形状和其降落的速度以允许液滴1502横向地融合以形成邻接膜1506，横向融合的状态是最小化气泡的任何捕获。
在步骤1404中，如图15E所示，使基顶-流体-晶片夹层在一段时间之后演变成非平衡过渡状态，从而使得液滴1502形成邻接膜1506，其中基顶层1504在邻接膜1506的顶部。
在步骤1405中，如图15E所示，通过UV曝光1507，使基顶-流体-晶片夹层固化，以便将邻接膜1506交联成聚合物膜。
在步骤1406中，如图15F所示，将基顶1504与聚合物分离，从而将聚合物膜1508保留在晶片1501上。
在步骤1407中，可以以相同的速度同时对沉积的膜1508和基底1501进行蚀刻，以将平的顶部外形转变为基底1501，或者如图所示，可以将另外的均匀膜沉积在现在的平的顶表面上以使得能够进一步后处理。
在一些实施方式中，方法1400可以包括其它和/或另外步骤，为了清晰起见，这些步骤没有描述。而且，在一些实施方式中，方法1400可以按照与所提出的顺序不同的顺序来执行。另外，在一些实施方式中，在方法1400中的特定步骤可以基本上同时执行或者可以省略。
如上综合图14和图15A-图15F的叙述，此处构思是获得液滴图案从而使得膜厚外形是基底形貌的互补性。通过高质量的纳米形貌度量技术和皮升体积分辨率，可以沉积基底形貌的精确互补性以实现基本上平的顶表面。
为了描述PAINT的该抛光能力，通过使用3英尺单侧抛光的Si晶片来利用该方法。为此，如图16所示已经实现了在单个步骤中基底形貌的约50％的减少。图16是示出了根据本发明的一个实施例的通过使用PAINT的在3个硅晶片上的形貌的单步迁移的曲线。据推测，通过PAINT方法的进一步重复、改进的液体体积分辨率和起始纳米形貌的改进的度量技术，可以实现更高的减少。
在上述实验描述中，金属的高均匀薄膜被沉积以制成反射光学外形测量的晶片。一般而言，这对于诸如半导体的应用是不可行的，因为其中金属表面是不期望的。另一潜在的可替代方式是执行“匹配回蚀”，其是以相同的速度对抗蚀剂和基底进行蚀刻。这确保获得的最终表面的材料与晶片相同。该方法也具有其缺点，因为蚀刻可以降低半导体表面的质量，尤其用于临界前-端应用。如果这样的话，PAINT可以用于校正半导体晶片的背侧形貌，其目的是维护在整个晶片上的平整度。匹配回蚀可以不是必要的，因为将半导体表面显露在背侧上可能并不重要。在用PAINT背侧抛光期间，可以用聚合物膜来保护晶片的前侧，该聚合物膜可以用溶剂容易地洗掉。
已经示意性地提供了本发明的各种实施例的说明，但是其并不是穷尽性的也不是限定于这些公开的实施例。在不背离所描述的实施例的范围和精神的情况下，本领域技术人员可以容易地进行多种修改和变形。本文选择使用的术语是为了最好地阐释各个实施例的原理、在市场上存在的技术的实际应用或者技术改进，或者是为了使其他本领域的普通技术人员能够理解本文所公开的实施例。

Claims (36)

1.一种用于沉积薄膜的方法，所述方法包括：
通过一组喷墨喷嘴，将前体液体有机材料的液滴分配在基底上的多个位置处；
使基顶降落，从而使所述液滴形成被捕获在所述基底与所述基顶之间的邻接膜；
在一段时间之后使所述基顶、所述邻接膜和所述基底的非平衡过渡状态产生；
使所述邻接膜固化以将其凝固成固体；以及
将所述基顶与所述固体分离，从而将聚合物膜保留在所述基底上。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
使因背侧压力而被折弯的所述基顶降落，以使所述基顶的正面与所述液滴第一次接触，从而产生向外扩展的液体前沿，该液体前沿与所述液滴融合以形成所述邻接膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
使所述基顶降落，以使所述基顶的所述正面与所述液滴在可溶于有机液体的气体的本地环境中进行所述第一次接触。
4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
使所述基顶降落，以使所述基顶的所述正面与所述液滴在氦或者二氧化碳的本地环境中进行所述第一次接触。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基顶是多孔的并且允许将被捕获的气体传输。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基顶包括玻璃、陶瓷、聚合物或者其组合的材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基顶的表面涂有低表面能涂层，其中，所述基底的表面涂有增粘剂。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过光能或者热能使所述邻接膜固化以将所述邻接膜凝固成所述聚合物。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，隔着所述基底或者所述基顶，将所述邻接膜暴露于紫外线来使所述邻接膜固化。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基顶是保持在张力下的塑料卷。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述基底由具有大于1GPa的杨氏模量的材料组成。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述基底是由以下材料中的一种或者多种组成的刚性晶片：硅、二氧化硅和氮化镓。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述塑料卷的第一部分用作第一基顶，其中，所述塑料卷的第二部分用作第二基顶。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述基底是塑料卷。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述基底保持在真空的或者多孔的吸盘上。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述基底的刚性比所述基顶的刚性更大。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，基底与所述基顶的有效弯曲刚度比超过5。
18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基顶包括熔融的石英晶片，其中，与所述晶片的与所述前体液体有机材料的所述液滴相互作用的内环相比，所述晶片的外环具有更高的厚度。
19.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
通过使用不同的可喷墨材料将多材料堆叠沉积在所述基底上。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，一组喷墨喷嘴将所述多材料堆叠沉积在所述基底上，其中，在所述一组喷墨喷嘴中的一个或者多个喷墨喷嘴具有不同的材料。
21.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基顶的有效弯曲刚度具有最佳范围，所述最佳范围的限定是高于创建所述液滴的融合所需的最小值同时低于确保所述邻接膜在使所述基顶降落之后的一段既定时间之前处于不平衡状态所需的最大值。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述邻接膜的预平衡过渡状态创建膜厚外形，所述膜厚外形的体积分布是分配在所述基底上的所述液滴的体积分布的函数。
23.根据权利要求1所述的方法，其中，通过对逆向优化进行求解以最小化在实际膜厚外形与期望膜厚外形之间的误差的范数，来获得在所述基底上分配的所述液滴的位置和体积。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述逆向优化包括与液滴体积和/或液滴位置相关联的离散变量。
25.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
对所述聚合物膜进行蚀刻，以允许将膜厚外形转变为底层(underlying)功能膜或者所述基底。
26.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用压电喷射机或者电液动态喷射机，所分配的液滴的最小体积低于5皮升。
27.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用压电喷射机或者电液动态喷射机，所分配的液滴的最小体积低于1皮升。
28.一种用于特意沉积非均匀膜的方法，所述方法包括：
获得期望的非均匀膜厚外形；
对逆向优化程序进行求解，以获得分配的液滴的体积和位置，以便最小化在所述期望的非均匀膜厚外形与最终膜厚外形之间的误差的范数，从而使得所述最终膜厚外形的体积分布是所述分配的液滴的所述体积和所述位置的函数；
通过一组喷墨喷嘴，将前体液体有机材料的所述液滴分配在基底上的多个位置处；
使基顶降落，从而形成被捕获在所述基底与所述基顶之间的邻接膜；
使得能够在所述逆向优化方案给出的一段时间之后发生所述基顶、所述邻接膜和所述基底的非平衡过渡状态；
使所述邻接膜固化以将其凝固成聚合物；以及
将所述基顶与所述聚合物分离，从而将聚合物膜保留在所述基底上。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，所述方法用于对所述基底的形貌进行抛光。
30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述期望的非均匀膜厚外形被设计为补偿所述基底的所述形貌。
31.根据权利要求28所述的方法，其中，所述期望的非均匀膜厚外形由在所述基底上的期望表面外形和起始基底测得的形貌所给出。
32.根据权利要求31所述的方法，其中，所述方法用于补偿工艺寄生效应，所述工艺寄生效应包括以下的一个或者多个：蒸发、收缩和回蚀。
33.根据权利要求28所述的方法，其中，所述期望的非均匀膜厚外形补偿在所述基底的形状中的瑕疵。
34.根据权利要求33所述的方法，其中，所述基底的所述形状是平面形状。
35.根据权利要求33所述的方法，其中，所述基底的所述形状是非平面形状。
36.根据权利要求33所述的方法，其中，所述方法用于补偿工艺寄生效应，所述工艺寄生效应包括以下中的一个或者多个：蒸发、收缩和回蚀。
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