JP6400074B2 - 金属又は酸化物コーティングを有する再使用可能なポリマーテンプレートによるナノインプリンティング - Google Patents
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Description
本出願は、米国特許法第119条(e)(1)の下で、2013年3月15日に出願された米国仮特許出願第61/792280号に対する優先権を主張するものであり、上記仮特許出願明細書の内容は本出願に援用される。
実施例1:金属層厚さの決定
剪断力試験を用いて、様々なAuPdコーティングの厚さに関して最適なコーティング厚さを決定した。シリコンウェハ基材を接着層で被覆し、続いてこの接着層上に、UV硬化性インプリントレジスト流体(MonoMat(商標)、MolecularImprints(テキサス州オースティン)製)を小滴によって堆積させ、その後ブランクインプリントテンプレートを用いてインプリントして硬化させ、平坦なポリマー層を形成した。EdwardsS150Bスパッタコーティング装置(Edwards Ltd.,(イギリス、ウェストサセックス)製)を用いて、AuPd(60%/40%)を0〜180秒という様々なスパッタリング時間で上記ポリマー層上にスパッタリングし、これに対応する以下のようなAuPd層厚さを得た:0秒(0nm);10秒(2nm);30秒(5nm);60秒(9nm);90秒(12nm);120秒(18nm);180秒(26nm)。InstronModel5524力テスタ(Instron(マサチューセッツ州ノーウッド)製)を用いて、各AuPd被覆試料について剪断力試験を実施した。各AuPd被覆試料上に同一のUV硬化性インプリントレジストを堆積させ、続いてこれを力テスタの試験片(これ自体は上述のものと同一の接着層で処理されている)と接触するよう配置し、その後インプリントレジストを硬化させた。そして各試料を剪断力試験に供し、その結果を図8のグラフに示した。対照として、(接着層を有する、及び有しない)ガラス試験片も試験した。観察されたように、最長90秒のスパッタリング時間までの比較的長いスパッタリング時間では剪断力は低下し、上記スパッタリング時間は10〜15nmのAuPd層に対応する。この試料は最低の剪断力(3.00lbf)を有し、これは使用時に予想される最低分離力に相当する。しかしながら90秒を超える更に長いスパッタリング時間は、剪断力(及びこれに伴って分離力)の上昇を引き起こした。これは恐らく、スパッタリング時間の増加がAuPd層の表面粗化につながり、これにより硬化したレジストとの総表面接触面積が増大して、分離力が上回らなければならない接着力が上昇し得るためである。
130nmピッチの格子(65nm線幅;65nm間隔幅)を有する金属被覆ポリマーテンプレートを、以下のようにして準備した。上述のような130nmピッチの格子を有するケイ素マスターテンプレートを、ロールツーロールインプリンティングツール(LithoFlex(商標)100、MolecularImprints(テキサス州オースティン)製)上に載置し、次に、上述の実施例1と同様のUV硬化性インプリントレジスト流体を170μm厚のポリカーボネートフィルム上に滴下堆積させた後、ケイ素マスターテンプレートを用いてインプリントして、上記ポリカーボネートフィルム上に同一の寸法(即ち65nm線幅及び65nm間隔幅を有する130nmピッチの格子)を有するパターン形成されたポリマー層を形成することにより、パターンを上記ポリカーボネートフィルムに転写した。続いてこれらのパターン形成されたポリマー層を、上述の実施例1において記載したようなAuPd又はAgPdスパッタリングに、それぞれ約90秒のスパッタリング時間(目標厚さ12nm)に亘って供し、以下の比率のAuPd又はAgPd被覆ポリマーテンプレートを形成した:AuPd(75:25)、AgPd(60:40)、AgPd(30:70)。
実施例2のテンプレートを、以下のようなインプリント試験に供した。上述のインプリントレジスト流体を、接着層で処理されたシリコンウェハ上に滴下吐出し、実施例2のAuPd及びAgPdポリマーテンプレートを用いてインプリントした。インプリンティングは、大気圧条件下で手動圧延によって実施した。硬化後、手動剥離法によってテンプレートの分離も実施した。結果として得られた、シリコンウェハ上にインプリントされたパターン形成された層を、全体的若しくは局所的な分離不良及び/又はフィーチャの剪断、破損若しくは歪みを含む視認可能な欠陥に関して評価した。各テンプレートは、いずれの局所的若しくは全体的な分離不良又はフィーチャの剪断、破損若しくは歪みを示すことなく、良好なパターン転写を示した。
上述の実施例2のような、ただし60nmのハーフピッチ(60nm線幅、60nm間隔幅)同心円状格子パターンを有するAuPd(60%/40%)被覆ポリマーテンプレートを準備した。このテンプレートを約90秒間スパッタリングして、約12nmの層を形成した。このテンプレートを、実施例3に記載したような複数回のインプリント試験に供し、観察された分離力を、同一のパターン寸法の標準的な溶融シリカテンプレートを使用した場合に観察される分離力と比較した。図9にその結果を示す(標準的な溶融シリカテンプレートからのデータを参照符号「A」、AuPdポリマーテンプレートからのデータを参照符号「B」で識別している)。両テンプレートは、連続した複数のインプリントを通した分離力の低下(5回目のインプリントの後に、初期分離力約20Nから10N又はそれ未満のレベルへの低下)を示し、試料テンプレートの分離性能は全体を通して溶融シリカテンプレートと同様であった。
上述の実施例4のテンプレートを、HD700インプリントリソグラフィツール(MolecularImprints(テキサス州オースティン)製)を用いたマシンインプリント試験に供した。インプリンティング中に流体拡散及び充填時間を監視した。各テンプレートに関して、3秒、5秒、10秒の時点で流体拡散及び充填の画像を取得し、これらの画像を、同一のパターン寸法の標準的な溶融シリカテンプレートを同一条件下で使用して得られる画像と比較した。これらの画像を図10に示し、列「A」の画像は溶融シリカテンプレートに、列「B」の画像は実施例3のテンプレートに対応している。観察できるように、実施例3のテンプレートは溶融シリカテンプレートに比べて増強された流体拡散及び充填を提供する。実施例3のテンプレートは、5秒以内に完全な拡散及び充填を示したが、溶融シリカテンプレートは10秒までに完全に拡散及び充填されなかった。
実施例3のテンプレートを、実施例3に記載の手順に従って100回の連続的なインプリント試験に供した。100回目のインプリントの後でも、インプリントパターンの劣化又は全体的若しくは局所的な分離不良のいずれの兆候は存在しなかった。
実施例7:テンプレート形成(真空堆積)及びパターン形成性能
上述の実施例2に記載したように、ただしAuPd又はAgPdの代わりに二酸化ケイ素(SiO2)を用い、これをPECVDによって堆積させて、酸化物被覆ポリマーテンプレートを準備した。PTI−790堆積システム(Plasma−Therm(フロリダ州セントピーターズバーグ)製)を使用して、予備パターン形成されたフィルム上に様々な厚さでSiO2を堆積させ、SiO2被覆ポリマーテンプレートを形成した。格子の頂部に沿って測定した場合に10nm及び15nmのSiO2層厚さを有するテンプレートを形成した(側壁のSiO2厚さはこれに対応してそれぞれ2.5nm及び5nmに低下する)。これらのSiO2被覆ポリマーテンプレートを、実施例3に記載したようなインプリント試験に供すると、各テンプレートは同様に、いずれの局所的若しくは全体的な分離不良又はフィーチャの剪断、破損若しくは歪みを示すことなく、良好なパターン転写を呈した。
実施例8の15nmSiO2被覆ポリマーテンプレートを繰り返し屈曲させて、ロールツーロールインプリンティングに関連する使用条件を模倣した。具体的には、テンプレート(80mm×80mm)を半径約5mmのカーブに屈曲させた後、これを通常の構成に戻した。このプロセスを20回繰り返し、SEMによってテンプレートを検査した。表面割れ又はその他の損傷は全く観察されなかった。
上述の実施形態7に従って準備したSiO2テンプレートを、UV及び可視光透過に関して試験した。これらのテンプレートはそれぞれ10nm、16nm、23nmのSiO2層厚さを有していた。比較のために、上述の実施例2に従って形成したAuPd及びAgPdテンプレート並びに被覆されていないポリカーボネートフィルムも試験した。基準として空気を使用した。10nm、18nm、23nmSiO2コーティングは基本的に、λ=365nmにおいて、被覆されていないPCフィルムと同一のUV透過(75〜76%)を示した。対照的に、AuPd及びAgPd被覆テンプレートはそれぞれ41%及び44%の透過レベルを有し、損失はSiO2被覆テンプレートに対して約45%であった。
大気圧プラズマ噴射(APPJ)を用いて、SiO2様材料(SiOX)被覆ポリマーテンプレートを以下のように形成した。初期パターン形成されたフィルムを、実施例2に記載したように形成した。次に、これらの予備パターン形成されたポリカーボネートフィルムをAPPJ堆積システム(Surfx Technologies(カリフォルニア州レドンドビーチ)製)に供して、様々な厚さ(5nm、10nm、23nm、33nm、43nm)のSiOX材料で被覆した。テトラメチルクロロテトラシロキサン(TMCTS)前駆体を、ヘリウム希釈ガス及び酸素反応ガスと混合して使用した。周囲環境において、x−yステージ上に固定されたAPPJ堆積ヘッドを、予備パターン形成されたフィルム表面全体に亘って、10mmの間隙を有して移動させ、SiOX被覆ポリマーテンプレートを形成した。
実施例10に従って準備したSiOX被覆ポリマーテンプレートを、実施例3、7に記載したようなインプリント試験に供した。各テンプレートは、局所的若しくは全体的な分離不良、又はフィーチャの剪断、破損若しくは歪みを有することなく、良好なパターン転写を示した。
Claims (20)
- 大気圧条件下でインプリントリソグラフィテンプレートを形成する方法であって、
前記テンプレートは、パターン形成されたポリマー層を覆う薄型酸化物層を有し、
前記方法は:
表面を有するベース層に、前記ベース層の前記表面上に形成される前記パターン形成されたポリマー層を設けるステップ;及び
前記パターン形成されたポリマー層を、前記酸化物層の材質と前記パターンとに基づいて決定された厚みを有する1層の前記酸化物層で被覆するステップ;
を含み、
前記酸化物層は、プラズマ化学蒸着によって前記パターン形成された層に塗布される、方法。 - 前記ベース層に、前記ベース層表面上に形成される前記パターン形成されたポリマー層を設ける前記ステップは:
ポリマー材料を前記ベース層上に堆積させるステップ;
前記ポリマー材料を、所望のレリーフパターンを有する前記インプリントリソグラフィテンプレートに接触させるステップ;及び
前記ポリマー材料を固化させて、前記ベース層表面上に前記パターン形成されたポリマー層を形成するステップ
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記パターン形成されたポリマー層は、UV放射又は熱エネルギの適用によって固化される、請求項2に記載の方法。
- 前記酸化物層は、二酸化ケイ素(SiO2)又はSiO2様酸化ケイ素層(SiOX)からなる群から選択された酸化物で形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記酸化物層の厚さは2〜50nmである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ベース層は、ケイ素、ガラス又は可撓性フィルムを更に備える、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ベース層は前記可撓性フィルムを備える、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- インプリントリソグラフィテンプレートを形成するためのシステムであって:
(a)可撓性フィルム基材を平坦な構成に保持し、その後前記保持された可撓性フィルム基材を第1の位置から第2の位置へ、及び第3の位置から第4の位置へ並進移動させるよう構成された、基材支持システム;
(b)前記第1の位置に近接して位置決めされ、前記保持された可撓性フィルム基材上に重合性材料を吐出するよう構成された、流体吐出システム;
(c)マスターテンプレートを保持するよう構成されたテンプレートチャックを有し、前記第1の位置と前記第2の位置との間で可動であり、更に前記保持された可撓性フィルム基材が前記第1の位置から前記第2の位置へと並進移動するにつれて、前記テンプレートチャックが保持している前記マスターテンプレートを、前記保持された可撓性フィルム基材と重なるように並進移動させるよう構成された、移動ステージ;
(d)重合性材料を充填させるための前記マスターテンプレートと前記可撓性フィルム基材との間の距離を変化させるように構成されたインプリントヘッド;
(e)パターン形成された層を画定するために前記重合性材料が前記マスターテンプレートと前記可撓性フィルム基材との間に充填された際に、硬化用エネルギを供給して前記重合性材料を固化させるよう構成された、エネルギ源;並びに
(f)前記第2の位置と前記第3の位置との間に配置され、プラズマ生成及び電力制御ユニットを含み、更に前記保持された可撓性フィルム基材が前記第3の位置から前記第4の位置へと並進移動するにつれて、前記パターン形成された層の上に、特定の厚みを有する1層の酸化物層を生成して堆積させ、前記特定の厚みは、前記酸化物層の材質と前記パターン形成された層のパターンとに基づいて決定されるよう構成された、プラズマ化学蒸着システム
を備える、システム。 - 前記AP−CVDシステムは、大気圧プラズマ噴射(APPJ)システムを更に備える、請求項8に記載のシステム。
- 前記AP−CVDシステムは、大気圧プラズマ誘電障壁放電(AP−DBD)システムを更に備える、請求項8に記載のシステム。
- 表面を有するベース層;
前記ベース層の前記表面上に形成される、パターン形成されたポリマー層;及び
金−パラジウム(AuPd)、銀−パラジウム(AgPd)、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)又はこれらのいずれの合金からなる群から選択された種類の金属で形成された、厚さ2〜50nmの1層の薄型金属層
を備え、
前記厚さは、前記選択された金属の種類と前記パターン形成された層のパターンとに基づいて決定される、インプリントリソグラフィテンプレート。 - 前記ベース層は、ケイ素、ガラス又は可撓性フィルムを更に備える、請求項11に記載のインプリントリソグラフィテンプレート。
- 前記ベース層は前記可撓性フィルムである、請求項12に記載のインプリントリソグラフィテンプレート。
- 前記薄型金属層はAuPd又はAgPdである、請求項11〜13のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィテンプレート。
- Au:Pd又はAg:Pdは20:80〜80:20である、請求項14に記載のインプリントリソグラフィテンプレート。
- 選択された金属又はその合金を、パターン形成されたポリマー層上に堆積させて、薄型金属層を形成するステップを含む、請求項11に記載のインプリントリソグラフィテンプレートを形成する方法。
- 前記金属層は、スパッタリングによって前記パターン形成された層に塗布される、請求項16に記載の方法。
- 前記金属層は、蒸発によって前記パターン形成された層に塗布される、請求項16に記載の方法。
- 前記金属層は、原子層堆積(ALD)によって前記パターン形成された層に塗布される、請求項16に記載の方法。
- 前記パターン形成されたポリマー層は、UV放射又は熱エネルギによって硬化する、請求項16に記載の方法。
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