TW201502710A - 採用具有金屬或氧化物塗層之可重複使用聚合物模板的奈米壓印技術 - Google Patents

採用具有金屬或氧化物塗層之可重複使用聚合物模板的奈米壓印技術 Download PDF

Info

Publication number
TW201502710A
TW201502710A TW103109938A TW103109938A TW201502710A TW 201502710 A TW201502710 A TW 201502710A TW 103109938 A TW103109938 A TW 103109938A TW 103109938 A TW103109938 A TW 103109938A TW 201502710 A TW201502710 A TW 201502710A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
template
patterned
substrate
oxide
Prior art date
Application number
TW103109938A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI628516B (zh
Inventor
Se-Hyun Ahn
Byung-Jin Choi
Frank Y Xu
Original Assignee
Molecular Imprints Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Molecular Imprints Inc filed Critical Molecular Imprints Inc
Publication of TW201502710A publication Critical patent/TW201502710A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI628516B publication Critical patent/TWI628516B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00—Forme preparation
    • B41C1/10—Forme preparation for lithographic printing; Master sheets for transferring a lithographic image to the forme
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
    • B29C2059/145—Atmospheric plasma
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/04—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing using rollers or endless belts
    • B29C59/043—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing using rollers or endless belts for profiled articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/04—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing using rollers or endless belts
    • B29C59/046—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing using rollers or endless belts for layered or coated substantially flat surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor

Abstract

描述具有金屬或氧化物塗層圖樣化表面之可重複性使用聚合物模板與製造其之方法與系統。

Description

採用具有金屬或氧化物塗層之可重複使用聚合物模板的奈米壓印技術 交互參考相關申請案
本申請案係基於35 U.S.C.§119(e)(1)，主張於2013年3月15日申請之美國臨時申請案第61/792,280號之權益，其以參照方式併於本文中。
本發明係有關於一種採用具有金屬或氧化物塗層之可重複使用聚合物模板的奈米壓印技術。
發明背景
奈米製備包含具有100奈米等級或以下特徵之非常小的結構的製備。奈米製備之一應用在積體電路的製造中具有相當大的影響。半導體製造業持續致力於更大的產量，同時增加形成於基板上每單位面積的電路；因此奈米製備變得更加重要。奈米製備提供更好的製程控制，同時容許所形成結構之最小特徵規模持續縮減。奈米製備用於其他領域之發展包含生物技術、光學技術、機械系統之類。
現今所使用之一示例奈米製備技術通常與壓印微影有關。許多公開資料中詳細描述示例壓印微影製程， 如美國專利第8,349,241號、美國專利公開案第2004/0065252號與美國專利第6,936,194號，全部以參照方式併於本文中。
被揭露於各個上述美國專利公開案及專利案之壓印微影技術，包含於可塑型(可聚合)層中一隙槽圖樣之形成與將一符合隙槽圖樣之圖樣轉換至下方的基板。可能將該基板與一移動載台連接以得到有利於圖樣化製程所需的適當位置。該圖樣化製程使用一與基板分離的模板與一被塗敷於模板與基板之間的可塑型液體。該可塑型液體被固結，以形成一具有符合與該可塑型液體相接觸之模板表面形狀之圖樣的剛硬層。固結後，使該模板從剛硬層脫離，以分離基板與模板。接著基板與經固結層被施以附加的製程以將對應於固化層圖樣之隙槽影像轉換至基板。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種壓印微影模板，其包含有：一具有一表面之基座層；一形成於基座層表面上之圖樣化聚合物層；以及一薄層金屬層，由選自下述組成群組之金屬所形成，鈀金(AuPd)，鈀銀(AgPd)，金(Au)，銀(Ag)，鉑(Pt)或一覆蓋於圖樣化聚合物層上之其合金，該金屬層具有2-50nm之厚度。
10‧‧‧微影系統
12‧‧‧基板
14‧‧‧基板吸盤
16‧‧‧載台
18‧‧‧模板
20‧‧‧平台
22‧‧‧圖樣化表面
24‧‧‧凹槽
26‧‧‧突出
28‧‧‧吸盤
30‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體分配系統
34‧‧‧可塑型材料、聚合材料
38‧‧‧能源
40‧‧‧直接能量
42‧‧‧途徑
44‧‧‧表面
46‧‧‧圖樣化層
48‧‧‧殘餘層
50‧‧‧突出
52‧‧‧凹槽
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體
146‧‧‧圖樣化層
160‧‧‧氧化物層
162‧‧‧基板
188‧‧‧模板
196‧‧‧圖樣化層
200‧‧‧APPJ系統
204‧‧‧電壓供應
212、210‧‧‧電極
214‧‧‧電壓供應
220‧‧‧移動載台
222‧‧‧基座層
224‧‧‧聚合物圖樣
226‧‧‧氧化物層
230‧‧‧電漿/前驅混合物
240‧‧‧輸入端
300‧‧‧放電系統
310‧‧‧第一電極
312‧‧‧第二電極
320‧‧‧移動載台
322‧‧‧基座層
326‧‧‧氧化物層
326‧‧‧圖樣化聚合物層
330‧‧‧電漿/前驅混合物
400‧‧‧APPJ系統
404‧‧‧電壓源
410、412‧‧‧外部電極
406、404‧‧‧碟盤
408‧‧‧內部電極
440‧‧‧電漿氣體輸入
402‧‧‧載體氣體供應
430‧‧‧電漿/前驅混合物
424‧‧‧圖樣化聚合物層
426‧‧‧氧化物層
422‧‧‧可撓薄膜基板
450、550‧‧‧滾筒
500‧‧‧APP-DBD系統
502‧‧‧載體氣體供應
504‧‧‧電壓源
510、512‧‧‧電極
522‧‧‧基板
524‧‧‧圖樣化聚合物層
526‧‧‧氧化物層
530‧‧‧電漿/前驅混合物
540‧‧‧電漿氣體輸入
600‧‧‧APPJ系統
602‧‧‧前驅與載體氣體供應
604‧‧‧電壓源
604、606‧‧‧碟盤
606‧‧‧能源
608‧‧‧內部電極
612‧‧‧主模板
610、612‧‧‧外部電極
622‧‧‧可撓薄膜基板
624‧‧‧圖樣化聚合物層
626‧‧‧沉積氧化物層
630‧‧‧電漿/前驅混合物
640‧‧‧電漿氣體輸入
640‧‧‧滾筒皮帶系統
650‧‧‧操作滾筒系統
t1、t2‧‧‧厚度
為令本發明之特徵與優勢可被詳細了解，本發明實施態樣之一更為特定之描述可參照附件圖式中之實施態樣來說明。然而值得注意的是，該附件圖式僅供說明本發 明之特定實施態樣，因此並不被視作本發明之限制，而本發明可能容許其他等效之實施態樣。
圖1說明一微影系統簡化後的側視圖，其具有與基板分離之一模板與一模。
圖2說明於圖1中說明之具有圖樣化層於其上之該基板的側視圖。
圖3A與3B說明一依據本發明所形成之模板的示例方法。
圖4A與4B說明一利用圖3A與3B之模板將圖樣化層壓印於基板上之示例方法。
圖5A與5B說明另一個依據本發明所形成之模板的示例方法。
圖6A與6B再說明一個依據本發明所形成之模板的示例方法。
圖7進一步一說明依據本發明所形成之模板的示例方法。
圖8描寫一依據本發明之模板的剪力實驗結果。
圖9描寫一依據本發明之模板的分離力實驗結果。
圖10描寫一依據本發明之模板的流體充填實驗結果。
詳細說明
參照圖式，特別是圖1，其說明係利用一微影系 統10以形成一隙槽圖樣於基板12上。可能將基板12與基板吸盤14連接。如說明所示，基板吸盤14係為一真空吸盤。然而，基板吸盤14可能包含任何吸盤，但不侷限於真空、插銷式、溝槽式、靜電、電磁與/或之類。示例吸盤描述於美國專利第6,873,087號，其以參照方式併於本文中。
基板12與基板吸盤14可能進一步以載台16所支撐。載台16可能提供延著x、y與z軸轉移的與/或旋轉的移動。載台16、基板12與基板吸盤14可定位於一基座上(未顯示)。
與基板12分離者係為模板18。模板18可能包含一具有第一面與一第二面之主體，其中一面具有一平台20，由此往基板12延伸。平台20上具有一圖樣化表面22。再者，平台20可能指的是模20。或者，可能不需要平台20以形成模板18。
模板18與/或模20可能由此材料所形成，熔融氧化矽、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽酸玻璃、氟碳高分子、金屬、硬化藍寶石與/或之類，包含但不侷限於此。如說明所示，圖樣化表面22包括由數個分離的凹槽24與/或突出26所定義之特徵，即使本發明之實施例並不侷限於此構形(例如：平面)。圖樣化表面22可能定義出形成於基板12上之任何形成該圖樣基礎之原始圖樣。
模板18可能被與吸盤28連接。吸盤28可能裝配真空、插銷式、溝槽式、靜電、電磁與/或其他相似型態之吸盤，其不侷限於此。示例吸盤進一步被描述於美國專利第6,873,087號。再者，可能將吸盤28與壓印頭30連接。可能 將吸盤28與/或壓印頭30裝設在一起以利模板18的移動。
系統10可能進一步包括一流體分配系統32。流體分配系統32可能被用來沉積可塑型材料34(例如可聚合材料)於基板12上。可塑型材料34可藉由如滴落分配、旋轉塗佈、浸漬塗佈、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積與/或之類的方法，被安設於基板12上。取決於設計考量，於期望之體積被定義於模板22與基板12間之前與/或之後，可能將可塑型材料34安置於基板12上。可塑型材料34可能是在生物領域、太陽能電池產業、電池產業與/或其他需要功能性奈米粒子產業中有所用途之功能性奈米粒子。例如，可塑型材料34可能包括一單體混合物，如美國專利第7,157,036號與美國專利第8,076,389號中所述，兩者均以參照方式併於本文中。或者，可塑型材料34可能包含但不侷限於生物材料(例如PEG)、太陽能電池材料(例如N型、P型材料)與/或之類。
參照圖1與圖2，系統10可能進一步包括沿著途徑42而連接之能源38與直接能量40。可能設置壓印頭30與載台16以定位模板18與基板12並疊加於途徑42上。於載台16、壓印頭30、流體分配系統32與/或能源38之通信中，系統10可能被處理器54所調控，並且可能於被儲存於記憶體56中之一電腦可讀式程式所操作。
不論是壓印頭30或載台16均與模20與基板12間隔一距離以定義一期望之容積，其係以可塑型材料34充填於其中。例如，壓印頭30可能施一力量於模板18上，使模 20與可塑型材料34接觸。在以可塑型材料34充填期望之容積後，能源38產生能量40，例如紫外光輻射，造成可塑型材料34固結與/或交聯出符合基板12表面44與圖樣化表面22之形貌，於基板12上定義出圖樣化層46。圖樣化層46可能包括一殘餘層48與一如突出50與凹槽52所示之多重特徵，突出50厚度為t1而殘餘層厚度為t2。
上述系統與製程可能被進一步使用於美國專利第6,932,934號、美國專利第7,077,992號、美國專利第7,179,396號與美國專利第7,396,475號所提及之壓印微影製程中與系統中，其完整內容以參照方式併於本文中。
通常是以電子束製程後接續多重真空製程如活性離子蝕刻(RIE)來製作用於壓印微影之習用玻璃、石英或熔融氧化矽模板。然而，此類製程又貴又耗時。已知模板複製製程係為利用微影(例如壓印微影)於玻璃(或相似基板)中產生複製模板，利用一電子束製作主模板。然而較低成本之直接電子束製作如玻璃模板複製，仍需要RIE蝕刻將圖樣特徵轉換至玻璃上，接著以SEM檢驗，其係為了完成並確認特徵之幾何圖形。這些製程仍然非常花時間，且可能導致高通量壓印微影加工製程之瓶頸。聚合物模板，即該模板之圖樣化表面係為聚合材料(例如經由微影製程)本身所形成之模板，可更快速且比玻璃模板便宜地被製作，但它們同樣具有缺點。例如，該聚合物模板通常不具有足夠高的表面硬度與強度之圖樣化表面以達到可比擬玻璃模板的耐久性。聚合物模板圖樣特徵因而容易在連續壓印循環 中受損。在使用時，聚合物模板通常也需要連續的表面處裡將潔淨的圖樣特徵從固化的、圖樣化的聚合材料分離，如同此類聚合物模板通常具有高表面自由能，且具有聚合物與聚合物黏附之傾向，其將於連續壓印循環中降低模板的性能。
本文提供係為具有一薄金屬或氧化物層(或多層)於圖樣化表面上之聚合物模板，其係提供多重優勢於現有玻璃或熔融氧化矽模板或其他以聚合物為主之模板。本文也提供製作此類模板之方法，與併用此類方法之模板製作系統。
參照圖3A至3B，模板188係由3層所形成：基座模板基板或層12，圖樣化聚合物層146與覆蓋圖樣化層146之薄金屬或氧化物層160。基座基板12可能為一Si或玻璃晶圓、玻璃薄板或一可撓薄膜，如一塑膠薄膜。圖樣化層146可以UV或熱壓印或任何其他微影製程所形成。圖4A至4B依序描寫使用模板188將壓印聚合材料34沉積至基板162再至產出圖樣化層196。該金屬或氧化物層之厚度可在2-50nm之範圍。確切的變動範圍可為2-25nm或2-20nm或2-15nm或2-10nm。
以金屬層來說，沉積於圖樣化層146上以形成層160之金屬類型可為鈀金(AuPd)、鈀銀(AgPd)、金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)或任何這些金屬之合金，或它們之任一複合層。合適之金屬沉積方法包含如濺鍍或蒸發或原子層沉積(ALD)。
以氧化物層來說，沉積於圖樣化層146之氧化物類型可包含如二氧化矽(SiO2)或類SiO2之矽氧化層(SiOx)。合適之氧化沉積方法包含如濺鍍或化學氣相沉積(CVD)或ALD。如本文中使用之化學氣相沉積(CVD)包含電漿強化化學氣相沉積(PECVD)與常壓電漿CVD，包含常壓電漿噴射(APP-Jet)與常壓介電質放電(AP-DBD)製程，如描述於〝Open Air Deposition of SiO2 Films by an Atmospheric Pressure Line-Shaped Plasma〞，Plasma Process.Polym.2005,2,4007-413與〝Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of SiO2 Thin Films at Atmospheric Pressure by Using HMDS/Ar/O2〞,J.Korean Physical Society,Vol.53,No.2,2008,pp.892896，以參照方式併於本文中。
本文提供之模板具有種種優點，即模板具有一金屬或氧化物薄層塗敷於一圖樣化聚合層上。首先，此類模板比玻璃或聚合模板表現出更佳的流體延展性。在不侷限於理論之情況下，我們相信液體壓印光阻延展與模板圖樣特徵充填係由該薄金屬或氧化物層之親水特性所強化。該強化之光阻延展與充填特性對於賦予其高速壓印製程之能力來說是很重要的。尤其是在UV壓印製程中使用本發明之模板時觀察到的光阻延展比使用熔融氧化矽模板快很多。再者，許多奈米尺度之UV壓印製程在壓印時為了達到滿意的高產率速度而使用氦氣環境。氦氣環境減少其他可能發生於大氣環境中之氣阱，與在大氣環境中執行之相同製程相比，給予更快速(與更準確)的特徵充填時間。也就是說， 氦氣淨化對於在奈米尺度壓印水準下之快速與準確的模板圖樣充填來說是必須的。然而，相對來說氦氣是比較貴的，且在一般的潔淨室設備中並不總是容易使用的。然而，由本發明模板之親水表面特性所驅動之給定強化光阻延展，即使在精細特徵(即次百奈米)之圖樣水準下，無氦氣UV壓印仍是可行的。
其次，於模板分隔期間，金屬或氧化物層貢獻好的釋放表現，其係為於固化之前或其間，在其他物件之間，阻擋液體壓印光阻與其他預固化之聚合物圖樣之下的黏附或鍵結。由於前述之原因，此類聚合物與聚合物之間的交互作用對聚合物模板來說係為一不利條件。同時該薄金屬或氧化物層藉由保護下方之聚合物特徵，可延長該模板之使用期限。此係利用次百奈米線寬光柵圖樣之圖樣壽命測試所證明。金屬塗層與氧化物塗層之厚度係有一最佳值供用於最低分離力與阻擋液體光阻避免其穿透。塗層厚度太薄時，由於壓印層可與模板下方之圖樣化聚合物層混雜，分離力會很高。隨著厚度增加至最佳條件，分離力下降。隨著厚度超過最佳條件，由於模板特徵將變硬與/或扭曲，即由於表面變硬變粗糙與起源於相同圖樣輪廓扭曲案例的類蘑菇沉積輪廓之圖樣連鎖效應，分離力變高。因此，對於一給定材料與圖樣，一分離力測試可被用來決定模板結果之最佳塗層厚度，如本文進一步所述。
第三，除了強化延展與分離力表現與增加模板壽命之外，該薄金屬塗層之傳導性對於減少或移除模板上之 靜電荷是有幫助的。減少或移除靜電荷可依序減少帶電空浮汙染顆粒被吸引並集結於模板表面之機會。此類顆粒存在於模板表面可造成其它圖樣化缺陷與/或模板損傷。
第四，具有金屬或氧化物塗層之聚合物模板的製作提供自我線寬調變與/或線寬縮減特性。例如，若該模板表面之原始聚合圖樣係由50/50nm線/間距所組成，一約7.5nm均勻的金屬或氧化塗層可將該線/間距改變為65/35nm。利用此類型模板之壓印特徵將具有相反的充填係數，即35/65線/間距。
第五，本文提供之製作方法可減少模板複製之成本與製程時間。例如，依據本發明之以金屬或氧化塗層製作之聚合物模板可由兩個簡單的步驟執行之；(1)壓印(以形成圖樣特徵)與(2)沉積該金屬或氧化物層之塗層材料。尤其是一具有類SiO2(SiOx)塗層之聚合物模板，可利用一進線常壓電漿CVD系統或其他進線常壓沉積製程。此類於低氣壓條件之下執行之製程，與其他需要真空條件與較高溫之沉積製程相比，可大幅度降低製程成本並大幅度提高產率。此類製程之實例於圖5A至5B中描寫。
圖5A顯示一常壓電漿噴射CVD之方法將氧化物層226沉積至預先於基座層222上形成之聚合物圖樣224。基座層222被牢固於移動載台220並相對的轉移至常壓電漿噴射(APPJ)系統200。APPJ系統200係由第一與第二碟盤或主體204與206所組成，其分別具有安置於其上之第一與第二外部電極212與210。內部電極208被安置於第一與第二電極 212與210之間。該電極被與電壓供應214連結。通過系統頂端的輸入端204提供電漿氣體(通常為O2/Ar或He的混合物)。藉由供應202於內部電極212底部附近提供前驅與載體氣體。在操作時，產生電漿/前驅混合物230且導引往下至圖樣化層224，於此形成氧化物層226於圖樣化層224上，如同其相對的轉移至系統200。
圖5B顯示一相似的方法，利用常壓電漿介電質放電(DBD)系統300。於此，第一與第二電極310與312被與電壓供應204連結，不同的是其係與基座層322與圖樣化聚合物層326平行安置，同時將第一電極310固定於圖樣化聚合物層326之上，且將第二電極312固定於移動載台320與基座層322之間。分別通過輸入340與供應302提供電漿氣體(O2/Ar或He的混合物)與前驅與載體氣體。於此方法中，在從產生電漿/前驅混合物330形成氧化物層326的期間，該模板可能維持靜止。
除此之外，依據本發明，用於轉移一具有預圖樣化特徵之可撓塑膠基板的連續捲繞方法也可被用來形成模板，引致附加的成本節省。該製程之實例描寫於圖6A與6B中，其係分別說明圖5A至5B之常壓電漿噴射CVD系統與常壓電漿介電質放電系統(DBD)，為了適用金屬或氧化物沉積於一可撓薄膜基板上之聚合物模板而改造，如一聚碳酸脂(PC)薄膜。可利用如美國專利公開案第2013-0214452號描述之捲繞系統將該可撓基板保留並相對的轉移至APPJ與APP-DBD系統，其完整內容以參照方式併於本文中。
接下來參看圖6A，可撓薄膜基板(或基座層)422由滾筒450所支撐，其係於張力下操作以固持該基板於一平整之構形，且當其旋轉時可將基板422相對的轉移至常壓電漿噴射(APPJ)系統400。APPJ系統400之裝配與上述圖5A不同(即電壓源404連結至外部電極410，412定位於相對的碟盤406與404上且內部電極408安置於其間，其具有電漿氣體輸入440與前驅與載體氣體供應402，操作時產生之電漿/前驅混合物430被導引往下並沉積於圖樣化聚合物層424上，從而形成氧化物層426)。參照圖6B，滾筒550同樣支撐並固持可撓薄膜基板(或基座層)522，且如上述操作，至於圖6A之滾筒系統，使該基板522相對的轉移至APP-DBD系統500。APP-DBD系統500之裝配與上述圖5B不同(即電壓源504連結至相對的平行電極510與512，電極510固定於圖樣化聚合物層524上，且電極512固定於基板522上，連同電漿氣體輸入540與前驅與載體氣體供應502，操作時產生之電漿/前驅混合物530被沉積至圖樣化聚合物層524上，從而形成氧化物層526)。
更進一步，此類如圖6A與6B所述之常壓製程可與壓印微影圖樣化技術(也可於常壓下執行之)結合，以使此類圖樣化之前驅基板(例如玻璃或塑膠薄膜)可直接接續該圖樣化層之氧化塗層，從而提供一連續的、進線製程供用於製作此類模板。該製程之一實例描寫於圖7中，其係描寫一可撓基板之壓印於形成一聚合模板後直接藉由相似於圖6A之常壓電漿噴射(APPJ)系統接續金屬或氧化物層沉積。 更明確地，操作滾筒系統650以固持可撓薄膜基板622於一平坦構形，且將該基板轉移穿越一連串的位置。在壓印階段，在流體分配系統32將可聚合材料34之液滴沉積至基板622上時，基板622被從一第一位置轉移至第二位置，同時主模板612(連結至一模板吸盤並未顯示於移動載台上)被移動至與基板622疊加與同步轉移之位置。能源606提供一光化學能量以固化可聚合材料34，並於此類同步轉移中形成圖樣化聚合物層。主模板接著被與形成之層624分隔並回到其最初位置。基板622接著被從第二位置進料至一第三位置。提供滾筒皮帶系統640以於此類移動中保持基板622上之張力，皮帶系統具有一保護薄膜以保護圖樣化聚合物層624之特徵不受損傷。容納圖樣化聚合物層624之基板622接著被從第三位置轉移至第四位置，並且於製程中由底下穿過APPJ系統600，其基本上係與上述圖6A所述之系統400相同，以沉積氧化物層626於圖樣化聚合物層624上(即電壓源604連結於外部電極610與612，固定於相對的碟盤606與604上，內部電極608安置於其中，連同電漿氣體輸入640與前驅與載體氣體供應602，操作時，產生電漿/前驅混合物630且導引往下沉積於圖樣化聚合物層624上，從而於圖樣化聚合物層624上形成氧化物層626，如同基板622被轉移通過APPJ系統600)。
實例
金屬塗層聚合物模板
實例1：金屬層厚度之決定
利用剪力測試決定多種AuPd塗層厚度之最佳塗層厚度。將矽晶圓基板塗敷一黏附層，依序利用一UV可固化壓印光阻流體(MonoMatTM，Molecular Imprints，Austin，TX)並藉由小液滴沉積於黏附層上，接著以一空白壓印模板進行壓印，並固化以形成一平面聚合層。利用一Edwards S150B Sputter Coater(Edwards Ltd.,West Sussex,UK)於自0-180秒之不同濺鍍時間範圍，將AuPd(60%/40%)濺鍍於該聚合層上，其結果與AuPd層厚度對應如下：0sec(0nm)；10sec(2nm)；30sec(5nm)；60sec(9nm)；90sec(12nm)；120sec(18nm)；180sec(26nm)。使用Instron Model 5524剪力測試機(Instron,Norwood,MA)以各AuPd塗層為樣品進行剪力測試。將相同的UV可固化壓印光阻沉積於各AuPd塗層樣品上，接著將其置於與剪力測試機並與測試樣本相接觸(其本身之處理與上述之黏附層相同)，接著固化該壓印光阻。接著讓各樣品接受剪力測試，其結果顯示於圖8之圖中。玻璃測試樣本(具有與不具有黏附層)也作為對照組接受測試。如觀察所示，在較長的濺鍍時間至90秒濺鍍時間時剪力下降，其對應至一10-15nmAuPd層。此樣品具有最低剪力(3.00ibf)，且對應至使用中之最低期望分離力。然而，較長的濺鍍時間超過90秒時將導致剪力增加(連帶分離力)，可能是因為增加濺鍍時間將致使AuPd層表面粗糙，其可增加與固化光阻之總體表面接觸面積，因而依序增加黏附力，此係必須克服。
實例2：模板形成
具有130nm節距光柵(65nm線寬；65nm間距寬度)之金屬塗層聚合物模板係以下述所製備。將一具有如上述130nm節距光柵之矽主模板裝載至一捲繞壓印工具(LithoFlexTM 100，Molacular Imprints，Austin，TX)上，接著將該圖樣轉換至170nm厚之聚碳酸脂薄膜上，係以如上述實例1的UV可固化壓印光阻流體之滴沉積轉移至聚碳酸脂薄膜上，接著以矽主模板壓印形成圖樣化聚合層於該聚碳酸脂薄膜上，其係具有相同之維度(即130nm節距光柵與65nm線寬與65nm間距寬度)。接著對這些圖樣化聚合物層執行AuPd或AgPd之濺鍍，如上述實例1所示，各別於大約90秒濺鍍(12nm目標厚度)以形成AuPd或AgPd塗層聚合物模板，其比例為：AuPd(75：25)，AgPd(60：40)與AgPd於30：70。
實例3：圖樣化表現
對實例2之模板執行下述之壓印測試。以滴分散將如上述之壓印光阻流體置於以黏附層處裡之矽晶圓上，且利用實例2之AuPd與AgPd聚合物模板進行壓印。壓印於常壓條件下以手動捲繞方式執行。一旦經過固化，模板分離係以手動剝離方法所完成。將該結果於矽晶圓上之壓印圖樣化層進行目檢缺陷評價，包含整體與區域之分離失效與/或特徵剪力，破裂或扭曲。各模板展現出好的圖樣轉換且無顯示任何區域或整體之分離失效，或特徵剪力，破裂或扭曲。
實例4：分離力
將一AuPd(60%/40%)塗層聚合物模板如上述實例2所示但係以一60nm半節距(60nm線寬，60nm間距寬度)同心圓光柵圖樣所製備。將該模板進行濺鍍約90秒以形成一約12nm層。將此模板進行多重壓印測試，如實例3所述，且將觀察到之分離力與使用一標準熔融氧化矽模板於相同圖樣維度下做比較。該結果描寫於圖9中(標準熔融氧化矽模板之數據係以參考字母A識別；且AuPd聚合物模板之數據係以參考字母B識別)。兩個模板均於連續壓印(從最初的分離力約為20N下降至10N之程度或於第5次連續壓印後將更低)中展現出分離力之降低，樣品模板於全面的分隔表現上與熔融氧化矽模板之比較是很相似的。
實例5：流體充填
利用HD700壓印微影工具(Molecular Imprints，Austin，TX)將上述實例4之模板執行機器壓印測試。於壓印中監控流體延展與充填時間。對各個模板來說，圖像係由流體延展與充填3秒、5秒與10秒所得到，且將這些圖像與那些利用標準熔融氧化矽模板於相同圖樣維度與相同條件下做比較。這些圖像描寫於圖10中，欄位A圖像對應到熔融氧化矽模板且欄位B圖樣對應到實例3之模板。可觀察到的是，與熔融氧化矽模板比較，實例3之模板提供強化流體延展與充填。該實例3之模板於5秒內顯示完整的延展與充填，而該熔融氧化矽模板於10秒內仍未完整延展充填。
實例6：模板壽命
依據實例3所描述之程序將實例3模板進行100x 連續壓印測試。於第100次壓印後仍無壓印圖樣劣化或任何整體或區域分隔失效之跡象。
氧化物塗層聚合物模板
實例7：模板形成(真空沉積)與圖樣化表現
氧化物塗層聚合物模板之製備不同於上述實例2所描述，而是以二氧化矽(SiO2)替代AuPd或AgPd且係以PECVD所沉積。利用一PTI-790沉積系統(Plasma-Therm,St.Petersburg,FL)沉積各種厚度之SiO2於預圖樣化薄膜以形成SiO2塗層聚合物模板。形成之模板具有厚度10nm與15nm之SiO2層，其係沿著光柵頂端(側壁SiO2厚度分別對應至降幅2.5nm與5nm)所量測。將這些SiO2塗層聚合物模板進行如實例3所述之壓印測試且如同各個模板展現出好的圖樣轉換且無顯示任何區域或整體之分離失效，或特徵剪力，破裂或扭曲。
實例8：模板彎曲
將實例8之該15nm SiO2塗層聚合物模板進行重複性彎曲以複製與捲繞壓印相關之使用條件。具體來說，將該模板(80mm與80mm)彎曲至一半徑約5mm之弧線，接著讓其回到正常的構形。重複此過程20次並以SEM檢查該模板。無觀察到表面破裂或其他損傷。
實例9：UV穿透
將依據上述實例7所製備之SiO2模板進行UV與可見光穿透之測試。這些模板分別具有10nm、16nm與23nm厚度之SiO2層。同樣對依據上述實例2所形成之AuPd與 AgPd模板進行測試比較，以及空白聚碳酸脂薄膜。以空氣做為參考。於波長365nm下，該10nm、18nm與23nm之SiO2塗層顯示基本上與空白PC薄膜相同之UV穿透(75-76%)特性。相較之下，該AuPd與AgPd塗層模板之穿透水準係分別為41%與44%，與SiO2塗層模板相比約減少45%。
實例10：模板形成(常壓電漿噴射製程，APPJ)
利用常壓電漿噴射(APPJ)所形成之類SiO2材料(SiOx)塗層聚合物模板如下所述。該最初圖樣化薄膜之形成描述於實例2。接著將這些預圖樣化聚碳酸脂薄膜置於APPJ沉積系統(Surfx Technologies,Redondo Beach,CA)以塗佈不同厚度(5nm，10nm，23nm，33nm與43nm)之SiOx材料。將四甲基環四矽氧烷(TMCTS)前驅物與氦稀釋氣體與氧氣反應氣體混合使用。穩固於x-y載台上之APPJ沉積頭於周圍環境以10mm間距移動穿越該預圖樣化薄膜表面。
實例11：圖樣化表現
將依據實例10所製備之SiOx塗層聚合物模板進行如實例3與7所述之壓印測試。各模板展現出好的圖樣轉換且無顯示任何區域或整體之分離失效，或特徵剪力，破裂或扭曲。
考量本案描述後，不同面向之進一步的修改與替代性實施例對熟習此藝者來說是顯而易見的。因此，此等描述僅應理解為示例說明。應了解本文所示與所述之形式應作為實施態樣之示例。本文所說明與描述之成份與材料可能被替換，部件與製程可能改變，且特定特徵可能被獨 立運用，對熟習此藝者來說，在得益於此描述後上述均可能為顯而易見的。在不偏離如下申請專利範圍之本意與範疇下，可能對本文描述之成份進行變化。
10‧‧‧微影系統
12‧‧‧基板
14‧‧‧基板吸盤
16‧‧‧載台
18‧‧‧模板
20‧‧‧平台、模
22‧‧‧圖樣化表面
24‧‧‧凹槽
26‧‧‧突出
28‧‧‧吸盤
30‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體分配系統
34‧‧‧可塑型材料
38‧‧‧能源
40‧‧‧直接能量
42‧‧‧途徑
44‧‧‧表面
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體

Claims (17)

  1. 一種壓印微影模板，其包含有：一具有一表面之基座層；一形成於基座層表面上之圖樣化聚合物層；以及一覆蓋於圖樣化聚合物層上之薄層金屬層，由選自下述組成群組之金屬所形成，鈀金(AuPd)，鈀銀(AgPd)，金(Au)，銀(Ag)，鉑(Pt)或其合金，該金屬層具有2-50nm之厚度。
  2. 如請求項1之壓印微影模板，其中該基座層更進一步包含矽，玻璃或一可撓薄膜。
  3. 如請求項1之壓印微影模板，其中該薄層金屬層係為AuPd或AgPd。
  4. 一種形成請求項1之壓印微影模板之方法，其中該金屬層係以濺鍍塗敷於該圖樣化層。
  5. 一種形成請求項1之壓印微影模板之方法，其中該金屬層係以蒸發塗敷於該圖樣化層。
  6. 一種形成請求項1之壓印微影模板之方法，其中該金屬層係以原子層沉積(ALD)塗敷於該圖樣化層。
  7. 一種形成請求項1之壓印微影模板之方法，其中該圖樣化聚合物層係以紫外線或熱能固化。
  8. 一種於常壓條件下形成請求項1之壓印微影模板之方法，該模板具有一薄層氧化物層覆蓋於一圖樣化聚合物層上，該方法包含： 提供圖樣化聚合物層於一具有表面之基座層，該圖樣化聚合物層形成於基座層之表面上；以及將氧化物層塗佈於圖樣化聚合物層上；其中將該氧化物層以常壓電漿化學氣相沉積(AP-CVD)塗敷於圖樣化層。
  9. 如請求項8之方法，其中提供該基座層一形成於基座層之表面上之具有圖樣化聚合物層，更進一步包含：沉積一聚合材料於基座層上；將該聚合材料與一具有期望隙槽圖樣之壓印微影模板接觸；以及將該聚合材料固化以形成一圖樣化聚合物層於該基座層表面上。
  10. 如請求項8之方法，其中該氧化物層係以選自下述組成群組之氧化物所形成，二氧化矽(SiO2)或類SiO2之氧化矽(SiOx)。
  11. 如請求項8之方法，其中該氧化物層具有厚度2-50nm。
  12. 如請求項8之方法，其中該基座層更進一步包含矽、玻璃或一可撓薄膜。
  13. 如請求項12之方法，其中該基座層包含一可撓薄膜。
  14. 如請求項9之方法，其中該圖樣化聚合物層係藉施加紫外線或熱能固結。
  15. 一用於形成壓印微影模板之系統，其包含：(a)一基板支撐系統，其被裝配以固持一可撓薄膜基板呈一平整之構形，接著將如此經固持之可撓薄膜基板 從一第一位置轉移至第二位置，以及從一第三位置轉移至第四位置；(b)一流體分配系統，其被安設於靠近第一位置，裝配該流體分配系統以將可聚合材料分散至經固持之可撓基板上；(c)一具有模板吸盤之移動載台，裝配該模板吸盤以固持一主模板，該移動載台可於第一與第二位置之間移動，並更進一步裝配以於該經固持之可撓薄膜被從第一位置轉移至第二位置時，將以模板吸盤固持之主模板轉移至與該經固持之可撓薄膜基板之重疊位置；(d)一能源，其係裝配當其安設於經固持之可撓薄膜基板與主模板之間時，提供固化能量來固結可聚合材料；以及(e)一常壓電漿化學氣相沉積(AP-CVD)系統，其位於第二與第三位置之間，該AP-CVD系統包含電漿產生與動力控制單元，並進一步裝配以於將經固持之可撓薄膜轉移至第三位置至第四位置時，產生並沉積一氧化物層至形成於經固持之可撓薄膜基板上之經固結之可聚合材料上。
  16. 如請求項15之系統，其AP-CVD系統更進一步包含一常壓電漿噴射(APPJ)系統。
  17. 如請求項15之系統，其AP-CVD系統更進一步包含一常壓電漿介電質放電(AP-DBD)系統。
TW103109938A 2013-03-15 2014-03-17 採用具有金屬或氧化物塗層之可重複使用聚合物模板的奈米壓印技術 TWI628516B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361792280P 2013-03-15 2013-03-15
US61/792,280 2013-03-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201502710A true TW201502710A (zh) 2015-01-16
TWI628516B TWI628516B (zh) 2018-07-01

Family

ID=50483603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103109938A TWI628516B (zh) 2013-03-15 2014-03-17 採用具有金屬或氧化物塗層之可重複使用聚合物模板的奈米壓印技術

Country Status (7)

Country Link
US (4) US9170485B2 (zh)
JP (1) JP6400074B2 (zh)
KR (1) KR102170524B1 (zh)
CN (1) CN105143976B (zh)
SG (2) SG10201707221PA (zh)
TW (1) TWI628516B (zh)
WO (1) WO2014145634A2 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI628516B (zh) 2013-03-15 2018-07-01 分子壓模公司 採用具有金屬或氧化物塗層之可重複使用聚合物模板的奈米壓印技術
US10026609B2 (en) * 2014-10-23 2018-07-17 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanoshape patterning techniques that allow high-speed and low-cost fabrication of nanoshape structures
JP6317247B2 (ja) * 2014-12-22 2018-04-25 富士フイルム株式会社 インプリント用モールド
CN105152123B (zh) * 2015-07-30 2017-04-26 厦门大学 一种半导体表面微纳米结构的加工方法
SG10202003822RA (en) * 2015-10-27 2020-05-28 Agency Science Tech & Res Nanoinjection molding
US10131134B2 (en) * 2015-10-30 2018-11-20 Canon Kabushiki Kaisha System and method for discharging electrostatic charge in nanoimprint lithography processes
DE102015118991A1 (de) * 2015-11-05 2017-05-11 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zur Behandlung von Millimeter- und/oder Mikrometer- und/oder Nanometerstrukturen an einer Oberfläche eines Substrats
CN105700292B (zh) * 2016-04-21 2019-10-11 深圳市华星光电技术有限公司 纳米压印模板的制作方法及纳米压印模板
KR102353875B1 (ko) 2016-05-20 2022-01-21 더 보드 오브 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 잉크제트 좌표계에 대한 기판 좌표계의 정밀 정렬
US20210252748A1 (en) * 2017-01-20 2021-08-19 Persico Spa Film molding tool, method for producing a film molding tool, and use of a film molding tool
US20190384167A1 (en) * 2017-01-27 2019-12-19 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Electrochemical imprinting of micro- and nano-structures in porous silicon, silicon, and other semiconductors
US10303049B2 (en) * 2017-03-22 2019-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Reducing electric charge in imprint lithography
CN109728054A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
US11667059B2 (en) * 2019-01-31 2023-06-06 Meta Platforms Technologies, Llc Techniques for reducing surface adhesion during demolding in nanoimprint lithography
JP7278828B2 (ja) * 2019-03-26 2023-05-22 キヤノン株式会社 成形方法、成形装置、インプリント方法、および物品の製造方法
WO2021016045A1 (en) * 2019-07-19 2021-01-28 Magic Leap, Inc. Display device having diffraction gratings with reduced polarization sensitivity
US11908711B2 (en) 2020-09-30 2024-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Planarization process, planarization system and method of manufacturing an article
CN113488442A (zh) * 2021-07-06 2021-10-08 德州宇航派蒙石墨烯科技有限责任公司 超薄散热片及其制备方法
WO2023283715A1 (en) * 2021-07-12 2023-01-19 10644137 Canada Inc. Integrated optoelectronic devices for lighting and display applications

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
AU2001238459A1 (en) * 2000-02-16 2001-08-27 Omlidon Technologies Llc Method for microstructuring polymer-supported materials
US6783719B2 (en) 2001-01-19 2004-08-31 Korry Electronics, Co. Mold with metal oxide surface compatible with ionic release agents
US7037574B2 (en) * 2001-05-23 2006-05-02 Veeco Instruments, Inc. Atomic layer deposition for fabricating thin films
AU2002326783A1 (en) * 2001-08-27 2003-03-10 University Of New Hampshire Dielectric barrier discharge process for depositing silicon nitride film on substrates
JP2004039469A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Konica Minolta Holdings Inc 透明導電性薄膜の形成方法、透明導電性物品及び透明導電性フィルム
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US20040065252A1 (en) 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
US7179396B2 (en) 2003-03-25 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Positive tone bi-layer imprint lithography method
US7396475B2 (en) 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
JP2006098856A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Ulvac Japan Ltd Ａｇ系反射膜およびその作製方法
CN1928711B (zh) * 2005-09-06 2010-05-12 佳能株式会社 模具、压印方法和用于生产芯片的工艺
KR100831046B1 (ko) * 2006-09-13 2008-05-21 삼성전자주식회사 나노 임프린트용 몰드 및 그 제조 방법
WO2008082929A2 (en) 2006-12-28 2008-07-10 3M Innovative Properties Company Adhesive composition for hard tissue
US8027086B2 (en) 2007-04-10 2011-09-27 The Regents Of The University Of Michigan Roll to roll nanoimprint lithography
JPWO2008146572A1 (ja) * 2007-05-30 2010-08-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明導電膜のパターン形成方法および有機エレクトロルミネッセンス用透明導電膜樹脂基板
US20090004319A1 (en) 2007-05-30 2009-01-01 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Silicon Nitride, Silicon Carbide or Silicon Oxynitride Film
US8114331B2 (en) 2008-01-02 2012-02-14 International Business Machines Corporation Amorphous oxide release layers for imprint lithography, and method of use
US8029716B2 (en) 2008-02-01 2011-10-04 International Business Machines Corporation Amorphous nitride release layers for imprint lithography, and method of use
EP2286980A4 (en) * 2008-06-05 2011-07-13 Asahi Glass Co Ltd NANO-PRINTING MOLD, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND PROCESSES FOR PRODUCING A MOLDED RESIN HAVING A FINE ROUGH STRUCTURE ON A SURFACE AND FOR PRODUCING A METAL GRID POLARIZER
TW201022017A (en) * 2008-09-30 2010-06-16 Molecular Imprints Inc Particle mitigation for imprint lithography
US20100104852A1 (en) * 2008-10-23 2010-04-29 Molecular Imprints, Inc. Fabrication of High-Throughput Nano-Imprint Lithography Templates
SG10201404686YA (en) 2009-08-07 2014-10-30 Soken Kagaku Kk Resin mold for imprinting and method for producing same
US8616873B2 (en) 2010-01-26 2013-12-31 Molecular Imprints, Inc. Micro-conformal templates for nanoimprint lithography
CN103210474A (zh) * 2010-11-22 2013-07-17 旭硝子株式会社 转印装置及树脂图案制造方法
US9616614B2 (en) 2012-02-22 2017-04-11 Canon Nanotechnologies, Inc. Large area imprint lithography
TWI628516B (zh) 2013-03-15 2018-07-01 分子壓模公司 採用具有金屬或氧化物塗層之可重複使用聚合物模板的奈米壓印技術

Also Published As

Publication number Publication date
SG10201707221PA (en) 2017-10-30
KR20150127092A (ko) 2015-11-16
CN105143976A (zh) 2015-12-09
US20200340118A1 (en) 2020-10-29
US9816186B2 (en) 2017-11-14
US10718054B2 (en) 2020-07-21
US10968516B2 (en) 2021-04-06
US20140314897A1 (en) 2014-10-23
US20180030598A1 (en) 2018-02-01
CN105143976B (zh) 2019-12-17
US20160047044A1 (en) 2016-02-18
SG11201505712VA (en) 2015-08-28
JP6400074B2 (ja) 2018-10-03
KR102170524B1 (ko) 2020-10-27
WO2014145634A2 (en) 2014-09-18
US9170485B2 (en) 2015-10-27
WO2014145634A3 (en) 2014-12-24
TWI628516B (zh) 2018-07-01
JP2016514903A (ja) 2016-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201502710A (zh) 採用具有金屬或氧化物塗層之可重複使用聚合物模板的奈米壓印技術
TWI432892B (zh) 供壓印微影術用之使用一黏著底層的方法
Heidari et al. Nanoimprint lithography at the 6 in. wafer scale
Smythe et al. A technique to transfer metallic nanoscale patterns to small and non-planar surfaces
JP4791357B2 (ja) 成形される領域と成形型のパターンとの間の接着を低減させる方法
KR100772639B1 (ko) 다이아몬드상 카본 박막을 이용한 미세 임프린트리소그래피용 스탬프 및 그 제조방법
US20100078846A1 (en) Particle Mitigation for Imprint Lithography
KR101691157B1 (ko) 나노임프린트용 스탬프 제조방법
Hirai et al. Nano-imprint lithography using replicated mold by Ni electroforming
EP2342600A2 (en) Fluid dispense device calibration
TWI408045B (zh) 壓印微影術製程中之分離技術
KR100693992B1 (ko) 자기정렬단일층의 이형코팅이 용이한 니켈 스탬프 및제조방법
Nakamatsu et al. Fluorinated diamond-like carbon coating as antisticking layer on nanoimprint mold
JP2009149097A (ja) インプリント加工用スタンパーおよびその製造方法
US20100301004A1 (en) Fabrication of metallic stamps for replication technology
TW201024075A (en) Double sidewall angle nano-imprint template
TW201139032A (en) Methods and systems of material removal and pattern transfer
Peng et al. Continuous roller nanoimprinting: next generation lithography
KR101547533B1 (ko) 미세 패턴이 형성된 구조체의 제조방법
US20100099047A1 (en) Manufacture of drop dispense apparatus
Kawata et al. Cantilever fabrication by force-free release transfer
JP2015005696A (ja) 半導体発光素子用ウェハ、エピタキシャルウェハ、及び半導体発光素子
Kolli Residual-Layer-Free 3D Nanoimprinting using Novel Hybrid Soft Templates
Zelsmann et al. Materials and processes in UV-assisted nanoimprint lithography
Li et al. Developments and Recent Patents on Nano-Imprint Lithography Techniques